JP2001335944A

JP2001335944A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Info

Publication number: JP2001335944A
Application number: JP2000160782A
Authority: JP
Inventors: Koji Teranishi; 康治寺西; Satoshi Takagi; 智高木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-05-30
Filing date: 2000-05-30
Publication date: 2001-12-07

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のプラズマプロセスでは達成できなかった
処理速度で比較的大面積の基体を均一に安定したプラズ
マで処理することが可能なプラズマ処理装置およびプラ
ズマ処理方法を提供する。【解決手段】該被成膜処理基体上に堆積膜を形成するプ
ラズマ処理装置またはプラズマ処理方法であって、前記
複数のカソード電極に印加する高周波電力の位相を制御
する位相制御手段を有し、該位相制御手段によって前記
複数のカソード電極のそれぞれに伝搬される高周波電力
の位相を制御して均一なプラズマを形成し、プラズマ処
理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
及びプラズマ処理方法に係わり、特に半導体デバイスと
しての電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセ
ンサー、撮像デバイス、光起力デバイス等に有用な結晶
質または非単結晶質の機能性堆積膜を好適に形成し得る
プラズマＣＶＤ装置及び成膜方法、或いは半導体デバイ
スや光学素子としての絶縁膜、金属配線等を好適に形成
し得るスパッタ装置及び成膜方法、或いは半導体デバイ
ス等のエッチング装置及び方法等のプラズマ処理装置お
よびプラズマ処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイス等の製造プロセス
においては、プラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ法
が工業的に実用化されている。特に１３．５６ＭＨｚの
高周波や２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いたプラズマ
ＣＶＤ装置は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体
に関わらず処理できるので広く用いられている。従来の
プラズマ発生用高周波電極及び該高周波電極を用いたプ
ラズマＣＶＤ法の一例として、平行平板型の装置を用い
た方法について図１２を参照しながら説明する。反応容
器１００に絶縁性の高周波電極支持台を介して高周波電
極１０２が配置されている。高周波電極１０２は、対向
電極と平行に配された平板であり、この電極間の静電容
量で決まる電界によりプラズマを発生させる。プラズマ
が発生すると、実質的に導電体であるプラズマと、プラ
ズマと両電極や反応容器壁との間の等価的に主にコンデ
ンサとして働くシースが電極間に発生してプラズマ発生
前とは大きくインピーダンスが異なる場合が多い。高周
波電極１０２の回りには、高周波電極１０２の側部と反
応容器１００との間で放電が発生しないようにアースシ
ールド１０１が配置されている。高周波電極１０２には
整合回路１０４と高周波電力供給線を介して高周波電源
１０５が接続されている。高周波電極１０２と平行に配
された対向電極にはプラズマＣＶＤを行うための平板状
の被成膜基体１０３が配置され、被処理基体１０３は、
基体温度制御手段（図示せず）により所望する温度に保
たれる。

【０００３】この装置を使用した場合のプラズマＣＶＤ
は以下のように行われる。反応容器１００を真空排気手
段１０６によって高真空まで排気した後、ガス供給手段
１０７によって反応ガスを反応容器内に導入し、所定の
圧力に維持する。高周波電源１０５より高周波電力を高
周波電極１０２に供給して高周波電極１０２と対向電極
との間にプラズマを発生させる。この方法により、反応
ガスがプラズマにより分解、励起され被成膜基体１０３
上に堆積膜を形成する。高周波電力としては、１３．５
６ＭＨｚの高周波電力を用いるのが一般的であるが、放
電周波数が１３．５６ＭＨｚの場合、放電条件の制御が
比較的容易であり、得られる膜の膜質が優れているとい
った利点を有するが、ガスの利用効率が低く、堆積膜の
形成速度が比較的小さいといった問題がある。

【０００４】こうした問題に鑑みて、周波数が２５〜１
５０ＭＨｚ程度の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法につ
いての検討がなされている。例えばＰｌａｓｍａＣｈ
ｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＰｌａｓｍａＰｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ，Ｖｏｌ７，Ｎｏ３，（１９８７）ｐ２６
７−２７３（以下、「文献１」という。）には、平行平
板型のグロー放電分解装置を使用して原料ガス（シラン
ガス）を周波数２５〜１５０ＭＨｚの高周波電力で分解
してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成するこ
とが記載されている。具体的には、文献１には、周波数
を２５ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚの範囲で変化させてａ−Ｓ
ｉ膜の形成を行い、７０ＭＨｚを使用した場合、膜堆積
速度が、２．１ｎｍ／ｓｅｃと最も大きくなり、これは
上述の１３．５６ＭＨｚを用いたプラズマＣＶＤ法の場
合の５〜８倍程度の形成速度であること、及び得られる
ａ−Ｓｉ膜の欠陥密度、光バンドギャップ及び導電率
は、励起周波数によってはあまり影響を受けないことが
記載されている。

【０００５】上記従来例は平板状の基体を処理するのに
適したプラズマＣＶＤ装置を用いた堆積膜形成法の例で
あるが、複数の円筒状基体上に堆積膜を形成するのに適
したプラズマＣＶＤ装置を用いた堆積膜形成法の一例
が、特開昭６０−１８６８４９号公報（以下、「文献
２」という。）に記載されている。文献２には、周波数
２．４５ＧＨｚのマイクロ波エネルギー源を用いたプラ
ズマＣＶＤ装置及び無線周波エネルギー（高周波電力）
源を用いたプラズマＣＶＤ装置が開示されている。文献
２の高周波電力源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ装置を図
面を参照しながら説明する。図１３（Ａ）、（Ｂ）に示
すプラズマＣＶＤ装置は、文献２に記載されているＲＦ
プラズマＣＶＤ装置に基づいたプラズマＣＶＤ装置であ
る。図１３（Ａ）、（Ｂ）において、１００は反応容器
を示す。反応容器１００内には、６個の基体ホルダー１
１２が同心円状に所定の間隔で配されている。１０３は
それぞれの基体ホルダー１１２上に配された成膜用の円
筒状基体である。それぞれの基体ホルダー１１２の内部
にはヒーター１１１が設けられていて円筒状基体１０３
を内側より加熱できるようにされている。

【０００６】また、それぞれの基体ホルダー１１２は、
モーター１０８に連結したシャフトに接続しており、回
転できるようにされている。１０２はプラズマ生起領域
の中心に位置したアンテナ型の高周波電極である。高周
波電極１０２は、整合回路１０４を介して高周波電源１
０５に接続されている。排気パイプは、真空ポンプを備
えた排気機構１０６に連通している。１０７は、ガスボ
ンベ、マスフローコントローラ、バルブ等で構成された
原料ガス供給系である。原料ガス供給系は、ガス供給パ
イプを介して複数のガス放出孔を備えたガス放出パイプ
に接続される。

【０００７】この装置を使用した場合のプラズマＣＶＤ
は以下のように行われる。反応容器１００を排気機構１
０６によって高真空まで排気した後、ガス供給手段１０
７からガス供給パイプ及びガス放出パイプを介して原料
ガスを反応容器１００内に導入し、所定の圧力に維持す
る。こうしたところで、高周波電源１０５より高周波電
力を整合回路１０４を介して高周波電極１０２に供給し
て高周波電極と円筒状基体１０３との間にプラズマを発
生させる。こうすることにより、原料ガスがプラズマに
より分解、励起され円筒状基体１０３上に堆積膜が形成
される。図１３（Ａ）、（Ｂ）に示したプラズマＣＶＤ
装置を使用すれば、放電空間が円筒状基体１０３で取り
囲まれているので高い利用効率で原料ガスを使用できる
という利点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の文献１に記載の平行平板型装置での周波数２５〜１５
０ＭＨｚの高周波電力による成膜は実験室規模のもので
あり、大面積の膜の形成においてこうした効果が期待で
きるか否かについて全く触れるところはない。一般に、
励起周波数が高くなるにしたがって、高周波電極上の定
在波の影響が顕著になり、特に平板電極では２次元の複
雑な定在波が生じてくる。このため、大面積の膜を均一
に形成することが困難になることが予想される。また、
従来例の文献２に記載の円筒状基体の表面全面に堆積膜
を形成する場合には、円筒状基体を回転させる必要があ
り、回転させることによって実質的な堆積速度が上述し
た平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を使用した場合の約
１／３〜１／５に低下するという問題がある。即ち、放
電空間が円筒状基体で取り囲まれているため、円筒状基
体が高周波電極と正対する位置では平行平板型のプラズ
マＣＶＤ装置と同程度の堆積速度で堆積膜が形成される
が、放電空間に接していない位置ではほとんど堆積膜は
形成されないためである。

【０００９】文献２においては、高周波電力の具体的な
周波数については言及がなされていない。本発明者らが
図１３に示したプラズマＣＶＤ装置を使用して、高周波
電力として一般的な１３．５６ＭＨｚ、原料ガスとして
ＳｉＨ₄を用い、堆積速度は高くなるがポリシランなど
膜質悪化の原因ともなり得る粉体が発生し易い数１００
ｍＴｏｒｒの圧力条件において円筒状基体を回転させて
基体の全周全面にアモルファスシリコン膜を堆積したと
ころ実質的な堆積速度は高々０．５ｎｍ／ｓであった。
例えば、図１３に示したプラズマＣＶＤ装置を用いてア
モルファスシリコン膜を感光層とする電子写真感光体を
作製する場合、アモルファスシリコン感光層の膜厚は３
０μｍ程度必要であるため、前述した０．５ｎｍ／ｓ程
度の堆積速度では膜堆積に１６時間以上要し、生産性が
非常に悪い。この方式においても、高周波電力の周波数
を３０ＭＨｚ以上にするとプラズマの密度が上がり、堆
積速度は向上するが、定在波の影響により不均一なプラ
ズマが形成されやすく、基体上に均質な堆積膜を形成す
るのは極めて難しいといった問題がある。この点は、後
述の本発明者らが行った文献２に記載の方法を実施した
比較例の結果からして容易に理解される。

【００１０】また、従来例の文献１及び文献２のいずれ
の方式においても、高周波電力の周波数を３０ＭＨｚ以
上にするとプラズマの密度が上がり、プラズマ中のラジ
カルの発生密度が上がる為、堆積速度は向上するが、プ
ラズマ中のラジカル同士の反応も進む為堆積膜の質を低
下させるポリシランの発生が多くなる。ラジカルの発生
密度が多い状況でポリシランの発生を抑える為には、成
膜時の圧力を下げることが効果があるが、プラズマを生
起したり維持することが困難になってくる。特に、プラ
ズマが生起する前後でのインピーダンスの違いが大きい
ために、高周波電力のちょっとしたプラズマの状況の変
化等で放電が消えてしまう問題がある。

【００１１】そこで、本発明は、上記した従来技術にお
ける課題を解決し、従来のプラズマプロセスでは達成で
きなかった処理速度で比較的大面積の基体を均一に安定
したプラズマで処理することが可能なプラズマ処理装置
およびプラズマ処理方法を提供することを目的としてい
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、つぎの（１）〜（４０）のように構成した
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供するも
のである。（１）減圧可能な反応容器、該反応容器内にプラズマＣ
ＶＤの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、該反応容
器内に配された基体保持手段、および該基体保持手段に
保持される被成膜処理基体を対向電極とする複数のカソ
ード電極を有し、該複数のカソード電極に整合回路を介
して分割して高周波電源より高周波電力を印加し、該複
数のカソード電極と該被成膜処理基体との間にプラズマ
を発生させ、該被成膜処理基体上に堆積膜を形成するプ
ラズマ処理装置であって、前記複数のカソード電極に印
加する高周波電力の位相を制御する位相制御手段を有
し、該位相制御手段によって前記複数のカソード電極の
それぞれに伝搬される高周波電力の位相を制御して均一
なプラズマを形成し、プラズマ処理することを特徴とす
るプラズマ処理装置。（２）前記位相制御手段は、前記カソード電極の高周波
電力給電点の反対側を高圧可変コンデンサ（Ｃ１）を介
して接地させる共に、他方の高周波電力給電点側にも、
前記整合回路後で且つ前記高周波電源より供給される電
力分割点以後で前記各カソード電極に対する給電点前
に、高圧可変コンデンサ（Ｃ２）を設け、両コンデンサ
の容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）が一定となるよう
に、それぞれのコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）の容量値を制
御し、前記各カソード電極に印加される高周波電力の位
相を制御する構成を有することを特徴とする上記（１）
に記載のプラズマ処理装置。（３）前記位相制御手段は、前記容量値が前記両コンデ
ンサの容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）の±３０％以内
の範囲となるように制御する構成を有することを特徴と
する上記（２）に記載プラズマ処理装置。（４）前記位相制御手段は、前記高圧可変コンデンサ
（Ｃ１）と前記接地させた接地部までのリアクタンス、
および前記給電点と反対側の該接地部までのリアクタン
スが、該接地部までの線路の距離、またはコンデンサの
静電容量により調節する構成を有することを特徴とする
上記（２）または上記（３）に記載のプラズマ処理装
置。（５）前記位相制御手段は、前記高圧可変コンデンサ
（Ｃ２）と前記カソード電極の間のリアクタンスが、高
圧可変コンデンサとカソード電極までの距離またはコン
デンサの静電容量により調節する構成を有することを特
徴とする上記（２）または上記（３）に記載のプラズマ
処理装置。（６）前記位相制御手段は、前記整合回路内のチューン
の高圧可変コンデンサのカソード側で前記高周波電源よ
り供給される電力分割点前に高圧可変コンデンサ（Ｃ
３）を設置し、該高圧可変コンデンサ（Ｃ３）を介して
接地させると共に、前記チューンの高圧可変コンデンサ
後であり、前記電力分割点と前記各カソード電極に対す
る給電点前の間に高圧可変コンデンサ（Ｃ４）を設け、
両コンデンサの総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝ｋ）が一定となる
ように、それぞれのコンデンサ（Ｃ３、Ｃ４）の容量値
を制御し、前記各カソード電極に印加される高周波電力
の位相を制御する構成を有することを特徴とする上記
（１）に記載のプラズマ処理装置。（７）前記位相制御手段は、前記容量値が前記両コンデ
ンサの容量の総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝ｋ）の±３０％以内
の範囲となるように制御する構成を有することを特徴と
する上記（６）に記載のプラズマ処理装置。（８）前記位相制御手段は、前記高圧可変コンデンサ
（Ｃ３）および前記高圧可変コンデンサ（Ｃ４）と前記
接地させた接地部までのリアクタンス、および給電点と
反対側の該接地部までのリアクタンスが、該接地部まで
の線路の距離、またはコンデンサの静電容量により調節
する構成を有することを特徴とする上記（６）または上
記（７）に記載のプラズマ処理装置。（９）前記複数のカソード電極に、同一の高周波電源か
ら高周波電力を分割して印加することを特徴とする上記
（１）〜（８）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。（１０）前記高周波電源が、周波数が３０〜６００ＭＨ
ｚの範囲の高周波を発振する高周波電源であることを特
徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載のプラズ
マ処理装置。（１１）前記各カソード電極は、表面が誘電体で覆われ
ていることを特徴とする上記（１）〜（１０）のいずれ
かに記載のプラズマ処理装置。（１２）前記カソード電極が、円筒状のカソード電極で
あることを特徴とする上記（１）〜（１１）のいずれか
に記載のプラズマ処理装置。（１３）前記被処理基体が、円筒状基体であることを特
徴とする上記（１）〜（１２）のいずれかに記載のプラ
ズマ処理装置。（１４）前記被処理基体が、同心円上に複数個配される
ように構成されていることを特徴とする上記（１）〜
（１３）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。（１５）前記反応容器が、誘電体部材にて構成されてお
り、誘電体部材の外部大気側に前記カソード電極が配さ
れていることを特徴とする上記（１）〜（１４）のいず
れかに記載のプラズマ処理装置。（１６）前記円筒状基体を回転させながら該円筒状基体
の表面上に堆積膜を形成することを特徴とする上記
（１）〜（１５）のいずれかに記載のプラズマ処理装
置。（１７）前記複数の被処理基体が同一円周上に配置され
ており、該複数の被処理基体の外側の同心円上に、前記
複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離で配置さ
れ、該複数のカソード電極に同一電源より高周波電力を
分割して供給されるように構成されていることを特徴と
する上記（１）〜（１６）のいずれかに記載のプラズマ
処理装置。（１８）前記複数の被処理基体が同一円周上に配置され
ており、該複数の被処理基体の外側の同心円上に、前記
複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離で配置さ
れ、該複数のカソード電極に同一電源より高周波電力を
分割して供給されるように構成すると共に、別電源より
電力を供給されるカソード電極が前記複数のカソード電
極が配置された円周の同心上に配置されていることを特
徴とする上記（１）〜（１６）のいずれかに記載のプラ
ズマ処理装置。（１９）前記被処理基体が平板状基体であり、前記被処
理基体と前記複数個のカソード電極とが対向しているこ
とを特徴とする上記（１）〜（１１）のいずれかに記載
のプラズマ処理装置。（２０）前記被処理基体が成膜時に保持ロールより送り
出され、巻き取りロールにより巻き取られるシート状基
体であり、シート状基体に対して平行に単数または複数
の高周波電極が配置されており、前記高周波電極とシー
ト状基体との間にプラズマを発生させ、該シート状基体
上に堆積膜を形成することを特徴とする上記（１）〜
（１１）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。（２１）減圧可能な反応容器、該反応容器内にプラズマ
ＣＶＤの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、該反応
容器内に配された基体保持手段、および該基体保持手段
に保持される被成膜処理基体を対向電極とする複数のカ
ソード電極を有し、該複数のカソード電極に整合回路を
介して分割して高周波電源より高周波電力を印加し、該
複数のカソード電極と該被成膜処理基体との間にプラズ
マを発生させ、該被成膜処理基体上に堆積膜を形成する
プラズマ処理方法であって、前記複数のカソード電極に
印加するに際し、前記複数のカソード電極のそれぞれに
伝搬される高周波電力の位相を制御して均一なプラズマ
を発生させ、前記被成膜処理基体上に堆積膜を形成する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。（２２）前記高周波電力の位相制御が、前記カソード電
極の高周波電力給電点の反対側を高圧可変コンデンサ
（Ｃ１）を介して接地させる共に、他方の高周波電力給
電点側にも、前記整合回路後で且つ前記高周波電源より
供給される電力分割点以後で前記各カソード電極に対す
る給電点前に、高圧可変コンデンサ（Ｃ２）を設け、両
コンデンサの容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）が一定と
なるように、それぞれのコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）の容
量値を制御することによって行われることを特徴とする
上記（２１）に記載のプラズマ処理方法。（２３）前記高周波電力の位相制御において、前記容量
値が前記両コンデンサの容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝
ｋ）の±３０％以内の範囲となるように制御することを
特徴とする上記（２２）に記載のプラズマ処理方法。（２４）前記高周波電力の位相制御において、前記高圧
可変コンデンサ（Ｃ１）と前記接地させた接地部までの
リアクタンス、および前記給電点と反対側の該接地部ま
でのリアクタンスが、該接地部までの線路の距離、また
はコンデンサの静電容量により調節されることを特徴と
する上記（２２）または上記（２３）に記載のプラズマ
処理方法。（２５）前記高周波電力の位相制御において、前記高圧
可変コンデンサ（Ｃ２）と前記カソード電極の間のリア
クタンスが、高圧可変コンデンサとカソード電極までの
距離またはコンデンサの静電容量により調節されること
を特徴とする上記（２２）または上記（２３）に記載の
プラズマ処理方法。（２６）前記高周波電力の位相制御が、前記整合回路内
のチューンの高圧可変コンデンサのカソード側で前記高
周波電源より供給される電力分割点前に高圧可変コンデ
ンサ（Ｃ３）を設置し、該高圧可変コンデンサ（Ｃ３）
を介して接地させると共に、前記チューンの高圧可変コ
ンデンサ後であり、前記電力分割点と前記各カソード電
極に対する給電点前の間に高圧可変コンデンサ（Ｃ４）
を設け、両コンデンサの総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝ｋ）が一
定となるように、それぞれのコンデンサ（Ｃ３、Ｃ４）
の容量値を制御し、前記各カソード電極に印加される高
周波電力の位相を制御することによって行われることを
特徴とする上記（２１）に記載のプラズマ処理方法。（２７）前記高周波電力の位相制御において、前記容量
値が前記両コンデンサの容量の総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝
ｋ）の±３０％以内の範囲となるように制御することを
特徴とする上記（２６）に記載のプラズマ処理方法。（２８）前記高周波電力の位相制御において、前記高圧
可変コンデンサ（Ｃ３）および前記高圧可変コンデンサ
（Ｃ４）と前記接地させた接地部までのリアクタンス、
および給電点と反対側の該接地部までのリアクタンス
が、該接地部までの線路の距離、またはコンデンサの静
電容量により調節されることを特徴とする上記（２６）
または上記（２７）に記載のプラズマ処理方法。（２９）前記複数のカソード電極に、同一の高周波電源
から高周波電力を分割して印加することを特徴とする上
記（２１）〜（２８）のいずれかに記載のプラズマ処理
方法。（３０）前記高周波電源により周波数が３０〜６００Ｍ
Ｈｚの範囲の高周波を印加することを特徴とする上記
（２１）〜（２９）のいずれかに記載のプラズマ処理方
法。（３１）前記各カソード電極は、表面が誘電体で覆われ
ていることを特徴とする上記（２１）〜（３０）のいず
れかに記載のプラズマ処理方法。（３２）前記カソード電極が、円筒状のカソード電極で
あることを特徴とする上記（２１）〜（３１）のいずれ
かに記載のプラズマ処理方法。（３３）前記被処理基体が、円筒状基体であることを特
徴とする上記（２１）〜（３２）のいずれかに記載のプ
ラズマ処理方法。（３４）前記被処理基体が、同心円上に複数個配される
ように構成されていることを特徴とする上記（２１）〜
（３２）のいずれかに記載のプラズマ処理方法。（３５）前記反応容器が、誘電体部材にて構成されてお
り、誘電体部材の外部大気側に前記カソード電極が配さ
れていることを特徴とする上記（２１）〜（３４）のい
ずれかに記載のプラズマ処理方法。（３６）前記円筒状基体を回転させながら該円筒状基体
の表面上に堆積膜を形成することを特徴とする上記（２
１）〜（３５）のいずれかに記載のプラズマ処理方法。（３７）前記複数の被処理基体が同一円周上に配置され
ており、該複数の被処理基体の外側の同心円上に、前記
複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離で配置さ
れ、該複数のカソード電極に同一電源より高周波電力を
分割して供給されるように構成されていることを特徴と
する上記（２１）〜（３６）のいずれかに記載のプラズ
マ処理方法。（３８）前記複数の被処理基体が同一円周上に配置され
ており、該複数の被処理基体の外側の同心円上に、前記
複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離で配置さ
れ、該複数のカソード電極に同一電源より高周波電力を
分割して供給されるように構成すると共に、別電源より
電力を供給されるカソード電極が前記複数のカソード電
極が配置された円周の同心上に配置されていることを特
徴とする上記（２１）〜（３６）のいずれかに記載のプ
ラズマ処理方法。（３９）前記被処理基体が平板状基体であり、前記被処
理基体と前記複数個のカソード電極とが対向しているこ
とを特徴とする上記（２１）〜（３１）のいずれかに記
載のプラズマ処理方法。（４０）前記被処理基体が成膜時に保持ロールより送り
出され、巻き取りロールにより巻き取られるシート状基
体であり、シート状基体に対して平行に単数または複数
の高周波電極が配置されており、前記高周波電極とシー
ト状基体との間にプラズマを発生させ、該シート状基体
上に堆積膜を形成することを特徴とする上記（２１）〜
（３１）のいずれかに記載のプラズマ処理方法。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態においては、
上記構成を適用することで、例えば、３０ＭＨｚ以上、
６００ＭＨｚ以下の高周波を使用し、カソード電極の手
前でカソード電極に伝搬される高周波電力の位相を制御
しつつ堆積膜を形成することで、大面積の均質な高周波
放電が容易に達成され、大面積基体へのプラズマ処理を
均一且つ高速に行うことが可能となる。これは、本発明
者らのつぎのような知見に基づくものである。

【００１４】すなわち、本発明者らは、上述したような
従来のプラズマＣＶＤ法及び装置を用い、良質膜の堆積
速度向上および堆積膜の膜厚および膜質の均一性を目的
として放電周波数を従来の１３．５６ＭＨｚの代わり
に、より高い周波数の高周波電力を用いて検討を行っ
た。その結果、周波数を上げたことで確かに目的通り良
質膜を従来より高い堆積速度で作製することができた
が、一方では１３．５６ＭＨｚの放電周波数では問題に
ならなかった以下の様な問題が新たに発生した。即ち、
放電周波数を上げることでプラズマが遍在化して堆積速
度に不均一が生じ、その結果、電子写真用感光体のよう
な比較的大面積の被加工体においては、結果的に実用上
問題となる様な膜厚ムラ（例えば電子写真用感光体の場
合±２０％以上の膜厚ムラ）および膜質のムラが発生し
た。この様な膜厚ムラは、電子写真用感光体のみなら
ず、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起力
デバイス等に用いられる結晶質または非単結晶質の機能
性堆積膜を形成する場合にも大きな問題となる。またド
ライエッチング、スパッタ等の他のプラズマプロセスに
おいても、放電周波数を上げた場合に同様の処理ムラが
生じ、このままでは実用上大きな問題になってくる。

【００１５】そこで、本発明者らは、高周波電力の周波
数を３０ＭＨｚ以上にすると、高真空領域での放電が可
能になるが、その安定性には問題があること、偏在的に
膜質の悪化や堆積速度の低下が発生する原因を解明すべ
く実験を行い、鋭意検討を行った結果、つぎのような知
見が得られた。まず、本発明者らは、高真空領域での放
電の安定性は、放電前後のインピーダンス変化が大きす
ぎることが問題であると推定した。高真空領域での放電
では、比較的簡単な低真空領域と比較して放電を生起す
る電圧も維持する電圧も高い。高周波放電の場合、通常
定電力のグロー放電であり、一定パワーを整合回路を介
して放電負荷にあったインピーダンス変換を行って放電
を維持している。この場合例えば極端な例で、瞬時のア
ーク放電が発生した場合インピーダンスが瞬間的に小さ
くなり、低電圧大電流放電になりグロー放電が維持でき
なくなり放電が消失してしまう。この時、放電前後のイ
ンピーダンス変化が大きすぎると整合回路によるインピ
ーダンスの変換がうまくいかずこのまま放電は消失した
ままとなるからである。

【００１６】これらの検討結果から、膜質分布及び堆積
速度分布の悪化は、高周波電極上に発生する定在波およ
び高周波電極上での高周波電力の減衰に起因するものと
推察された。一般に高周波電極と対向電極間に高周波電
力を印加することによってプラズマを生成する場合、電
極に印加した高周波電力の周波数と電極の大きさとの関
係から電極上に無視できない定在波が発生する場合があ
る。即ち、高周波電力の周波数が高くなる場合や高周波
電極の面積が大きくなる場合に定在波が発生し易くな
り、この定在波が大きいと、高周波電極内での電界分布
が悪くなり、電極間のプラズマ密度、プラズマ電位、電
子温度などのプラズマ分布が乱れ、プラズマＣＶＤの成
膜品質に悪影響を及ぼす。

【００１７】上述した実験においては、高周波電極の先
端で高周波電極上に反射波が発生し、入射波との干渉に
より３０ＭＨｚ以上の周波数において膜質、堆積速度に
影響を与える定在波が発生したものと考えられる。特
に、定在波の節の位置では電界が弱くなり、偏在的なプ
ラズマ電位の低下を引き起こして偏在的に膜質が悪化し
たものと考えられる。また、高周波電力の周波数が高く
なればなるほど、高周波電力のプラズマヘの吸収が多く
なり、高周波電極への高周波電力の給電点から離れるに
つれて高周波電力の減衰が大きくなり、堆積速度分布に
悪影響を及ぼす。また、４００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの
周波数においては、高周波電力が給電点から減衰しつつ
も、複数の位置に定在波の節が発生したものと考えられ
る。本発明は、以上の検討結果を基礎として完成するに
至ったものである。

【００１８】以下、図面を参照しながら本実施の形態に
つい、更に詳細に説明する。まず、図２を用いて本発明
の位相制御回路を含んだプラズマＣＶＤ装置について説
明する。図２において、高周波電源１０５で発生した高
周波電力は整合回路１０４を介して高周波電極１０２に
供給される。高周波電極１０２は、単純な棒状のアンテ
ナ形状のものであり、（図２の電極は図１の電極だが、
この場合は位相制御機能回路をはずした時）通常、高周
波電極１０２そのものは表皮抵抗（Ｒ）とインダクタン
ス（Ｌ）の直列インピーダンスで記述される。電極は、
表皮抵抗（Ｒ）とインダクタンス（Ｌ）の直列インピー
ダンス（Ｒ＋ｊωＬ）で記述される。プラズマが生起し
ていない場合、高周波電極１０２と基体ホルダー１１２
上の基体１０３の間にはその位置関係及び形状によって
決まる静電容量（Ｃ）を持つ。高周波電極１０２と基体
１０３の間の静電容量（Ｃ）によって高周波電極１０２
に流れる高周波電流は決まってくる為、高周波電極１０
２と基体１０３との位置関係及び形状によってプラズマ
の生起しやすさは大きく影響を受け、ちょっとした位置
関係の変化でも最適化の為の調整が必要になってくる。

【００１９】また、一旦プラズマが生起するとプラズマ
は抵抗を持つ導電体となり、高周波電極１０２及び基体
１０３とプラズマとの間のイオンシースは静電容量とな
る。静電容量は面積及び媒体の誘電率が同じ場合、導電
体間の距離と反比例するが、イオンシースの厚みは、高
周波電極−基体間の距離に比べてかなり薄くその静電容
量は大きい。この為、プラズマ生起前後での高周波電極
−基体間のインピーダンスの変化が大きく整合回路の調
整がかなり難しく、プラズマの生起も難しくなってく
る。また、ちょっとしたプラズマの変化に対してもイン
ピーダンス変化が大きく自動整合回路などを用いても整
合が間に合わなくなり、最悪の場合プラズマが消えてし
まう。プラズマの均一性についても、高周波電極の先端
は開放端になっており強い定在波が立ちやすくなってい
る。更に高周波電極及び基体のインピーダンスに対して
プラズマのインピーダンスが低い場合、分布定数回路で
考えた場合、高周波電極の高周波導入側で多く高周波電
流が流れる為、先端に行くにつれて高周波電流は急激に
減少する。かくして、このふたつの要因により不均一な
プラズマが形成されやすくなる。

【００２０】一方、本発明を適用した位相制御回路１１
３を含む高周波電極１０２（図１に示す）を用いたプラ
ズマＣＶＤ装置を構成することで、高周波電源１０５で
発生した高周波電力は整合回路１０４、前記位相制御回
路１１３を介して高周波電極１０２に供給される。高周
波電極１０２は、単純な棒状のアンテナ形状のものであ
り、給電点の反対側部分が接地もしくは、接地部分とカ
ソード電極１０２の給電点の反対側部分の間に高圧コン
デンサを介している。通常、高周波電極１０２そのもの
は表皮抵抗とインダクタンスの直列インピーダンスで記
述される。周波数が高い場合は自然にＬ成分によるイン
ピーダンス（ｊωＬ）が大きくなる。

【００２１】しかしながら、上記した本発明を適用して
構成した位相制御回路１１３を介することで、基体形状
の変更などを行ってもプラズマの生起のしやすさや安定
性への影響は少なく最適化も容易となる。すなわち、プ
ラズマが生起した場合、プラズマとイオンシースの直列
インピーダンスの絶対値に対して回路のＬＣ回路の絶対
値を小さくすると、プラズマ生起後も高周波電流は回路
のＬＣ回路のインピーダンスの効きが大きく、プラズマ
生起前後でのインピーダンス変化は比較的少なくなる。
この為、プラズマの状況の変化に対しても整合条件の変
化が小さくプラズマは安定する。また、このような位相
を制御する回路を導入し、操作することで、高周波電極
１０２上での高周波電流量の差は小さくなり、プラズマ
の均一性も良くなる。プラズマのインピーダンスはプラ
ズマの条件により異なるがその実部であるレジスタンス
は５０Ω以下になることが多く、虚部であるリアクタン
スは放電周波数やその他の条件により変わる。この際、
安定した放電が生起しない場合、本発明を適用して構成
した位相制御回路１１３を用いても同様に均一高速堆積
膜が可能である。

【００２２】本発明を適用して構成した位相制御回路１
１３を用いたプラズマＣＶＤ装置においては、以上に述
べたように均一且つ安定なプラズマを形成できることか
ら、極めて均一性の良い膜質及び膜厚の堆積膜の形成が
可能となるが、つぎに、この点を更に詳しく説明する。
図２に示したプラズマＣＶＤ装置は本実施の形態のプラ
ズマＣＶＤ装置の一例を示すものである。図２におい
て、１００は反応容器を示す。反応容器１００内に、６
個の基体ホルダー１１２が同心円状に所定の間隔で配さ
れている。１０３はそれぞれの基体ホルダー１１２上に
配された成膜用の円筒状基体である。それぞれの基体ホ
ルダー１１２の内部にはヒーター１１１が設けられてい
て円筒状基体１０３を内側より加熱できるようにされて
いる。また、それぞれの基体ホルダー１１２は、モータ
ー１０８に連結したシャフトに接続しており、回転でき
るようにされている。

【００２３】１０２はプラズマ生起領域の中心に位置し
た高周波電力投入用の高周波電極である。高周波電源１
０５は、整合回路１０４、上記位相調整回路１１３の１
部を介して、高周波電極１０２の一端に接続されてい
る。高周波電極１０２は誘電体カバー１０９で被覆され
ており、排気パイプは、真空ポンプを備えた排気機構１
０６に連通している。原料ガス供給系は、ガスボンベ、
マスフローコントローラ、バルブ等を備えている。原料
ガス供給系１０７は、ガス供給パイプ１１０を介して複
数のガス放出孔を備えたガス放出パイプに接続される。

【００２４】この装置を使用した場合のプラズマＣＶＤ
は以下のように行われる。反応容器１００を排気機構１
０６によって高真空まで排気した後、ガス供給手段１０
７からガス供給パイプ１１０及びガス放出パイプを介し
て原料ガスを反応容器１００内に導入し、所定の圧力に
維持する。こうしたところで、高周波電源１０５より高
周波電力を出力し、整合回路１０４、上記位相制御回路
１１３を介して、高周波電極１０２に供給して高周波電
極と円筒状基体１０３との間にプラズマを発生させる。

【００２５】その際、高周波電源１０５の高周波電力給
電点の反対側を高圧可変コンデンサ（Ｃ１）を介して接
地させ、また高周波電力給電点側にも、前記整合回路後
で且つ前記高周波電源より供給される電力分割点以後で
前記高周波電源１０５に対する給電点前に、高圧可変コ
ンデンサ（Ｃ２）を設け、これら両コンデンサの容量の
総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）が一定となるように、それぞ
れのコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）の容量値を制御し、前記
高周波電源１０５に印加される高周波電力の位相を制御
する。このように前記高周波電源１０５に伝搬される高
周波電力の位相を制御することで、高周波電極１０２表
面上の電流量のばらつきがほぼ均一化され、これにより
均一なプラズマが形成され、原料ガスがこのプラズマに
より分解、励起され、円筒状基体１０２上に良好な堆積
膜が形成される。

【００２６】また、その際、上記位相制御回路１１３の
構成としては、前記整合回路１０４内のチューンの高圧
可変コンデンサのカソード側で高周波電源より供給され
る電力分割点前に高圧可変コンデンサ（Ｃ３）を設置
し、該高圧可変コンデンサ（Ｃ３）を介して接地させる
と共に、前記チューンの高圧可変コンデンサ後であり、
前記電力分割点と前記各カソード電極に対する給電点前
の間に高圧可変コンデンサ（Ｃ４）を設け、両コンデン
サの総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝ｋ）が一定となるように、そ
れぞれのコンデンサ（Ｃ３、Ｃ４）の容量値を制御し、
高周波電極１０２に印加される高周波電力の位相を制御
する構成を採るようにすることもできる。

【００２７】ここで、上記位相制御回路１１３を用いた
プラズマＣＶＤ装置は、前記容量値が前記両コンデンサ
の容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）の±３０％以内の範
囲となるように制御するようにすることが好ましい。ま
た、前記高圧可変コンデンサ（Ｃ１）と前記接地させた
接地部までのリアクタンス、および前記給電点と反対側
の該接地部までのリアクタンスが、該接地部までの線路
の距離、またはコンデンサの静電容量により調節するよ
うにすることが好ましい。また、前記高圧可変コンデン
サ（Ｃ２）と前記カソード電極の間のリアクタンスが、
高圧可変コンデンサとカソード電極までの距離またはコ
ンデンサの静電容量により調節するようにすることが好
ましい。また、前記高圧可変コンデンサ（Ｃ３）および
前記高圧可変コンデンサ（Ｃ４）と前記接地させた接地
部までのリアクタンス、および給電点と反対側の該接地
部までのリアクタンスが、該接地部までの線路の距離、
またはコンデンサの静電容量により調節するようにする
ことが好ましい。

【００２８】また、プラズマ発生用高周波電極は、反応
容器１００内に存在する場合は、表面が誘電体で覆われ
ていることが好ましい。また、誘電体カバー１０９に使
用する誘電体材料は任意の公知のものを選択できるが、
誘電損の小さい材料が好ましく、誘電正接が０．０１以
下であるものが好ましく、より好ましくは０．００１以
下がよい。高分子誘電体材料ではポリ四フッ化エチレ
ン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリフッ化エチレンプ
ロピレン、ポリイミドなどが好ましく、ガラス材料で
は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスなどが好ましく、磁
器材料では窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、などや酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化
ケイ素などの元素酸化物の中の単数または複数の元素酸
化物を主成分とする磁器が好ましい。また、高周波電極
１０２の形状は円柱状、円筒状、多角柱状などの棒状の
もの、長板状のものが好ましい。また、高周波電源１０
５の周波数は好ましくは３０〜６００ＭＨｚ、更に好適
には６０〜３００ＭＨｚの範囲とするのが望ましい。

【００２９】また、装置構成は図３および図４に示すよ
うに円筒状基体１０３の周囲に複数の高周波電極１０２
を配置したものでもよい。こうすることにより、成膜時
には常時、円筒状基体の全周表面をプラズマに曝すこと
ができるので堆積速度を大幅に向上することが可能とな
り生産性を大幅に向上できる。更に、高周波電極の本数
や配置箇所を最適化すれば円筒状基体を回転させなくて
も均一な堆積膜を基体全周表面に形成することが可能と
なり、回転機構が不要となるので装置構成を簡略化でき
る。また、円筒状基体を回転させることにより更に極め
て均一な堆積膜を形成できることは言うまでもない。

【００３０】また、装置構成は図６に示すように平板状
基体１０３に対して平行に複数の高周波電極１０２を配
置したものでもよい。こうすることにより、大面積の平
板状基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高
品質な堆積膜を高速度で形成することができる。また、
装置構成は図５に示すように成膜時に保持ロールより送
り出され、巻き取りロールに巻き取られるシート状基体
１１４に対して平行に単数または複数の高周波電極１０
２を配置したものでもよい。こうすることにより、大面
積のシート状基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質
である高品質な堆積膜を高速度で形成することができ
る。また、図６、図７、図８に示すように反応容器１０
０が誘電体部材で構成させてもよい。こうすることによ
り、大面積の平板状基体上にガス利用効率が高く、膜厚
が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高
速度で形成することができる。

【００３１】本発明のプラズマＣＶＤ装置を使用するに
際して、使用するガスについては、形成する堆積膜の種
類に応じて公知の成膜に寄与する原料ガスを適宜選択使
用される。例えば、ａ−Ｓｉ系の堆積膜を形成する場合
であれば、シラン、ジシラン、高ジシラン等あるいはそ
れらの混合ガスが好ましい原料ガスとして挙げらる。他
の堆積膜を形成する場合であれば、例えば、ゲルマン、
メタン、エチレン等の原料ガスまたはそれらの混合ガス
が挙げられる。いずれの場合にあっても、成膜用の原料
ガスはキャリアーガスと共に反応容器１００内に導入す
ることができる。キャリアーガスとしては、水素ガス、
及びアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを挙げ
ることができる。

【００３２】堆積膜のバンドギヤップを調整する等の特
性改善用ガスを使用することもできる。そうしたガスと
しては、例えば、窒素、アンモニア等の窒素原子を含む
ガス、酸素、酸化窒素、酸化二窒素等の酸素原子を含む
ガス、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパ
ン等の炭化水素ガス、四フッ化珪素、六フッ化二珪素、
四フッ化ゲルマニウム等のガス状フッ素化合物またはこ
れらの混合ガス等が挙げられる。

【００３３】形成される堆積膜をドーピングするについ
てドーパントガスを使用することもできる。そうしたド
ーピングガスとしては、例えば、ガス状のジボラン、フ
ッ化ホウ素、ホスフィン、フッ化リン等が挙げられる。
堆積膜形成時の基体温度は、適宜設定できるが、アモル
ファスシリコン系の堆積膜を形成する場合には、好まし
くは６０℃〜４００℃、より好ましくは１００℃〜３５
０℃とするのが望ましい。

【００３４】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもので
はない。［実施例１］実施例１において使用したプラズマＣＶＤ
装置の模式図を図３および図４に示す。（図３において
図１のカソード電極を設置したもの）この装置には本発
明の位相制御手段を適用して構成（図１に示した高周波
電極構造）が含まれており、カソード電極電力給電点と
反対側には可変高圧コンデンサＣ１を介し接地してお
り、さらに整合回路後でカソード電極電力供給点前にも
可変高圧コンデンサＣ２が設置され、Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ
（一定）の条件を満たしている。図４は、図３を装置中
央部より横方向に切断した際の断面図である。

【００３５】本実施例においては、高周波電源（１０
５）として周波数１３．５６ＭＨｚ〜６５０ＭＨｚの電
源を使用した。高周波電極１０２は、単純棒状のものを
用いている。本実施例では、直径１０８ｍｍ、長さ３５
８ｍｍ、厚さ５ｍｍのＡｌ製円筒状の被成膜基体を反応
容器１００内に設置して基体は回転させながら成膜し
た。アルミナセラミックス製の誘電体部材１０９は内径
約１８０ｍｍ、長さ５００ｍｍの円筒形のもので、薄い
ところの厚さ５ｍｍ、電極と接する部分の肉厚１０ｍｍ
のものを用いた。高周波電極（１０２）は、Ａｌ製の径
３０ｍｍ、長さ４５０ｍｍ、のものを６本用いた。膜質
の評価用として、電気特性評を価用するためのＣｒ製の
２５０μｍギャップの櫛形電極を蒸着したコーニング＃
７０５９ガラス基板を電気特性評価基板として円筒状被
成膜基体表面上の軸方向の長さ３５８ｍｍに亘って設置
し、以下の手順で成膜した。

【００３６】まず、反応容器１００内を排気機構１０６
を作動して排気し、反応容器１００内を１×１０^-6Ｔｏ
ｒｒ程度の圧力に調整した。ついで、基板加熱ヒーター
１１１に加熱電源（図示せず）より通電して円筒状の被
成膜基体１０３を約２５０℃の温度に加熱保持した。つ
いで以下の手順で成膜を行った。即ち、原料ガス供給手
段１０７からガス放出パイプを介して、ＳｉＨ₄ガスを
５００ｓｃｃｍの流量で反応容器１００内に導入（表
２）し、該反応容器内を１０ｍＴｏｒｒ程度の圧力に調
整した。

【００３７】こうしたところで、高周波電源１０５によ
り周波数１３．５６ＭＨｚ乃至６５０ＭＨｚの高周波を
１．５ＫＷ発生させ、該高周波を整合回路１０４を介し
て６つに分割し、本発明のＬＣ回路を介して均等に高周
波電極１０２に供給した。ここで高周波電源１０５とし
ては上述した周波数１３．５６ＭＨｚ〜６５０ＭＨｚの
範囲の周波数が与えられるよう、所定の高周波電源を用
いた。整合回路１０４は、当該高周波電源の周波数に応
じて適宜調整した。かくして放電を生起されプラズマ処
理を行うことで円筒状の被成膜基体１０３上及び前記の
電気特性評価基板上にアモルファスシリコン膜が形成さ
れた。以上のようにして形成したアモルファスシリコン
膜の膜質および膜質分布、並びに堆積速度分布および堆
積速度分布を以下の方法で評価した。膜質及び膜質分布
は電気特性評価基板の上端から下端までに亘って約２０
ｍｍおきの１８箇所の位置で明／暗導電率比（（光導電
率σｐ）／（暗導電率σｄ）を測定することにより評価
した。ここでは、光導電率σｐは、１ｍＷ／ｃｍ²の強
度のＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）の照射
時の導電率により評価している。

【００３８】本発明者らのこれまでの電子写真感光体作
製からの知見によると、上記の方法による明／暗導電率
比が１０³以上の品質の堆積膜を得られる条件を基に最
適化して作製した電子写真感光体において実用に値する
画像が得られる。しかし、近年の画像の高コントラスト
化により、上述の明／暗導電率比が１０⁴以上のものが
必須になってきており、更に近い将来１０⁵以上の明／
暗導電率比が求められることが予想される。このような
観点から、本実施例で得られた結果をもとにして、明／
暗導電率比の値を下記の基準で評価した。 ◎：明／暗導電率比が１０⁵以上であり、非常に優れた
膜特性である。 ○：明／暗導電率比が１０⁴以上であり、良好な膜特性
である。 △：明／暗導電率比が１０³以上であり、実用上問題な
し。 ×：明／暗導電率比が１０³未満であり、実用に適さな
い。

【００３９】堆積速度及び堆積速度分布の評価は、ａ−
Ｓｉ膜を形成した円筒状の被成膜基体の軸方向に亘って
上述した明／暗導電率比の測定位置と同様に約２０ｍｍ
おきの１８箇所について渦電流式膜厚計（Ｋｅｔｔ科学
研究所製）を使用して膜厚を測定することにより評価し
た。堆積速度は１８箇所における膜厚に基づいて算出
し、得られた値の平均値を平均堆積速度とした。堆積速
度分布の評価は次のようにして行った。即ち、軸方向の
堆積速度分布については、軸方向１８箇所における堆積
速度の最大値と最小値との差を求め、該差を１８箇所の
平均堆積速度で割り、堆積速度分布｛（最大値−最小
値）／平均値｝を求め、これを軸方向の堆積速度分布と
して百分率で表した。

【００４０】成膜した試料の明／暗導電率比、平均堆積
速度及び堆積速度分布の評価結果を表１に示す。１３．
５６ＭＨｚの場合、１０ｍＴｏｒｒで放電が生起しなか
った為評価できなかった。３０ＭＨｚの周波数を持つ高
周波電力により成膜したものは、全ての試料において明
／暗導電率比が１×１０⁴〜３×１０⁴の範囲にあり良好
な膜特性（○）であった。平均堆積速度は２．０ｎｍ／
ｓであり堆積速度分布は３．２％であった。６０ＭＨｚ
〜３００ＭＨｚの周波数を持つ高周波電力により成膜し
たものは全ての試料において明／暗導電率比が１×１０
⁵〜５×１０⁵であり非常に優れた膜特性（◎）であった
（表１）。平均堆積速度は４．０〜７．８ｎｍ／ｓであ
り、堆積速度分布は４〜５％であった。４００ＭＨｚ〜
６００ＭＨｚの周波数を持つ高周波電力による試料にお
いては、明／暗導電率比が５×１０⁴〜８×１０⁴であり
良好な膜特性（〇）であった（表１）。平均堆積速度は
２．０〜２．８ｎｍ／ｓであり、堆積速度分布は６〜７
％であった。６５０ＭＨｚの場合は、放電が不安定生起
したり消滅したりし堆積膜の形成および評価はできなか
った。

【００４１】このように本実施例においては、３０ＭＨ
ｚ乃至６００ＭＨｚの放電周波数条件で、明／暗導電率
比、平均堆積速度分布共に良好なアモルファスシリコン
膜が得られており、６０ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚにおい
ては特に優れたアモルファスシリコン膜が得られた。本
実施例における装置および処理法を用いて得られたそれ
ぞれの膜は、部分的にａ−Ｓｉ膜の膜質を測定したとこ
ろ、膜質は電子写真用感光体デバイスや画像入力用ライ
ンセンサー等の実用に十分耐え得るものであった。以上
のように放電周波数をＶＨＦ帯にすることで成膜速度が
上昇し、生産効率が良くなること、および膜質も、電子
写真感光体として十分耐え得る堆積膜を形成することが
可能となった。

【００４２】さらに、整合回路内のチューンの可変高圧
真空コンデンサのカソード側で電力分割点前に可変真空
高圧コンデンサ（Ｃ３）を設置し、その可変高圧真空コ
ンデンサＣ３を介して電気的にアース電位に落としてお
り、また、前記チューンの真空高圧可変コンデンサ後で
あり、電力分割点とカソード電極電力給電点前の間に可
変真空高圧コンデンサ（Ｃ４）が設置されており、Ｃ３
＋Ｃ４＝ｋ（一定）となるように、それぞれのコンデン
サの容量値を制御し、カソードに印加される高周波電力
の位相を制御しながら堆積膜を形成する図１０のカソー
ド電極構造を用いても、ほぼ同様の結果を示した。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【表２】［実施例２］図８および図９に示した複数本の被処理基
体１０３を有し、且つ同一電源１０５より高周波電力を
分割して供給する複数本のカソード電極１０２を有し、
カソード電極１０２が誘電体で構成された反応容器１０
０の外部に設置され、カソード電極の外周にアースシー
ルド１０１が設置されているプラズマ処理装置におい
て、図１に示した回路を用い、周波数１００ＭＨｚの高
周波電源１０５を用い、実施例１の表２の条件によりプ
ラズマを生起させ、実施例１と同様に被処理基体上に設
置された＃７０５９基板上にａ−Ｓｉ膜を堆積させた。

【００４５】上記装置を用いて堆積させた堆積膜を実施
例１の評価法を用い評価したところ、平均堆積速度は
３．５ｎｍ／ｓであり堆積速度分布は５．７％であっ
た。また、膜質も表１に示したように、８×１０⁴〜５
×１０⁵の範囲にあり、均一性がよく、高品質な堆積膜
を形成できた。堆積膜の膜厚も膜質も実際の電子写真プ
ロセスに十分耐えうる性能をもった堆積膜が形成でき
た。上記のように、カソード電極上に伝搬される高周波
電力の位相を制御しながら供給することで、均一性のよ
い堆積膜を形成できる。

【００４６】［実施例３］図１１に示した反応容器１０
０が誘電体で構成され、その反応容器１００の周囲に複
数本のカソード電極１０２が配置されており、同一電源
１０５より高周波電力を整合回路後に分割して供給し、
また、別電源１０５’より反応容器１００の中央位置に
設置されたカソード電極には、アルミナカバーが設置さ
れ、且つ、中央位置のカソード電極および周囲に設置さ
れたカソード電極には図１に示した位相制御回路がそれ
ぞれ設置しており、前記高周波電源１０５および１０
５’より発せられた高周波電力によりプラズマを生起さ
れ、反応容器内に同心円状に設置された、被成膜処理基
体にプラズマ処理を及ぼすプラズマ処理装置において、
アルミニウム製の電子写真感光体を表３の条件で、位相
制御回路を有し、カソード電極６本が同一円周上に配列
した図１１の装置にて６本のＡｌ製の円筒状基体上に、
電界注入阻止層、光導電層、表面層の順で成膜させた。

【００４７】この結果、画像欠陥・濃度、帯電能につい
て以下の様に評価した。（帯電能）電子写真用光受容部材を実験装置に設置し、
帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行な
い、表面電位計により電子写真用光受容部材の暗部表面
電位を測定する。測定された値を膜厚で割ることにより
ノーマライズし、膜厚の影響を除いた。又、膜厚の厚い
位置／薄い位置それぞれについて評価を行った。（画像特性）キヤノン製複写機ＮＰ−６６５０に設置し
画像を出し、ハーフトーン画像にて評価した。それぞれ
６本のＡｌ製の円筒状基体に成膜させた電子写真感光体
としての特性を満足するものであり、いずれの電子写真
感光体も優れた結果を示した。

【００４８】

【表３】［実施例４］図９に示した複数本の被処理基体を有し、
且つ同一電源より高周波電力を分割して供給する複数本
のカソード電極および別電源より高周波電力を供給する
カソード電極を有するプラズマ処理装置において、図１
０に示した回路を用い、実施例２と同様に位相を制御し
ながら周波数１００ＭＨｚの高周波電源１０５を用い、
実施例１の表１の条件によりプラズマを生起させ、実施
例１と同様に被処理基体上に設置された＃７０５９基板
上にａ−Ｓｉ膜を堆積させた。上記装置を用いて堆積さ
せた堆積膜を実施例１の評価法を用い評価したところ、
平均堆積速度は３．８ｎｍ／ｓであり堆積速度分布は
６．６％であった。また、実施例２と同様に膜質も４×
１０⁴〜２×１０⁵の範囲にあり、均一性がよく、高品質
な堆積膜を形成できた。堆積膜の膜厚も膜質も実際の電
子写真プロセスに十分耐えうる性能をもった堆積膜が形
成できた。上記のように、カソード電極上に伝搬される
高周波電力の位相を制御しながら供給することで、均一
性のよい堆積膜を形成できる。

【００４９】［実施例５］実施例１と同様で図３および
図４に示したカソード電極が反応容器内に設置されてい
る装置にて本発明の実施例１で用いた図１の位相制御回
路１１３を使用し、被処理基体上に設置された＃７０５
９基板上にａ−Ｓｉ膜を堆積させた。尚、カソード電極
にはアルミナ部材でできた電極カバーをかぶせてある。
上記装置を用いて堆積させた堆積膜を実施例１の評価法
を用い評価したところ、平均堆積速度は２．７ｎｍ／ｓ
であり堆積速度分布は５．５％であった。また、膜質も
表１に示したように、４×１０⁴〜２×１０⁵の範囲にあ
り、均一性がよく、高品質な堆積膜を形成できた。堆積
膜の膜厚も膜質も実際の電子写真プロセスに十分耐えう
る性能をもった堆積膜が形成できた。上記のように、カ
ソード電極が反応容器内にあってもカソード電極上に伝
搬される高周波電力の位相を制御しながら供給すること
で、均一性のよい堆積膜を形成できる。

【００５０】［実施例６］電子写真感光体を表３の条件
で、実施例１と同様の位相制御回路１１３を有し、カソ
ード電極６本が同一円周上に配列した図４の装置にて６
本のＡｌ製の円筒状基体上に、電界注入阻止層、光導電
層、表面層の順で成膜させた。この結果、画像欠陥・濃
度、帯電能について以下の様に評価した。（帯電能）電子写真用光受容部材を実験装置に設置し、
帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行な
い、表面電位計により電子写真用光受容部材の暗部表面
電位を測定する。測定された値を膜厚で割ることにより
ノーマライズし、膜厚の影響を除いた。又、膜厚の厚い
位置／薄い位置それぞれについて評価を行った。（画像特性）キヤノン製複写機ＮＰ−６６５０に設置し
画像を出し、ハーフトーン画像にて評価。それぞれ６本
のＡｌ製の円筒状基体に成膜させた電子写真感光体とし
ての特性を満足するものであり、いずれの電子写真感光
体も優れた結果を示した。

【００５１】［実施例７］図６に示した平行平板型であ
り図１に示した位相制御回路１１３が組み込まれた装置
において、縦４００ｍｍ、横４００ｍｍ、厚さ１ｍｍの
＃７０５９ガラス製の平板状基体を反応容器に配置して
成膜を行った。図６のカソード電極は３本の高周波電極
を反応容器に配置した。高周波電源の周波数は１５０Ｍ
Ｈｚのものを用い、表１に示す成膜条件で平板状基体上
にアモルファスシリコン膜を形成し、以下の手順で堆積
速度及び堆速度分布を評価した。実施例１で用いた膜厚
測定器を使用して膜厚を測定し各測定箇所における堆積
速度を算出し、得られた値の平均値を平均堆積速度とし
た。得られた平均堆積速度は６．４ｎｍ／ｓであった。
堆積速度分布は、堆積速度の最大値と最小値との差を求
め、該差を平均堆積速度で割り堆積速度分布として１０
０分率で表した。得られた堆積速度分布は６．２％であ
り、電子写真感光体デバイスおよび画像入力用ラインセ
ンサ等に十分耐え得るものであった。

【００５２】［実施例８］実施例７に示した平行平板型
位相制御可能な装置を用い、図５のステンレス製のシー
ト状基体１１４を反応容器に配置して巻き取りロールに
巻き取りながら成膜を行った。高周波電極の構成は図１
に示した高周波電極に、厚み５ｍｍのアルミナセラミッ
クス製の誘電体カバーを覆ったものを用い、３本の高周
波電極を反応容器に配置した。高周波電源の周波数は１
５０ＭＨｚのものを用い、表３に示す成膜条件でシート
状基体上にアモルファスシリコン膜を形成し、長さ５０
０ｍｍのシート状基体を切り出して実施例７と同様の手
順で堆積速度及び堆速度分布を評価した。得られた平均
堆積速度は４ｎｍ／ｓであり、堆積速度分布は１０％で
あり従来例に比べ高周波電極に伝搬される高周波電力の
位相を制御することで格段に堆積速度が速くなり、均一
性が増し、生産性が良くなるばかりでなく均一性も格段
に良くなった。また、図１０に示す回路を用いても十分
な性能を持つアモルファスシリコン膜が均一性よく堆積
された。

【００５３】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明にれば、
従来のプラズマプロセスでは達成できなかった処理速度
で比較的大面積の基体を均一に安定したプラズマで処理
することが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理
方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に用いた位相制御回路を有する
カソード電極の構成を示す図である。

【図２】本発明の実施例に用いた円筒状位相制御回路入
りカソード電極を有するプラズマＣＶＤ装置の一例を示
す模式図である。

【図３】本発明の実施例に用いた被成膜処理基体を複数
本有し、円筒状位相制御回路入りカソード電極を有する
プラズマＣＶＤ装置の一例を示す模式図である。

【図４】図３の横断面を示すプラズマＣＶＤ装置の一例
を示す模式図である。

【図５】本発明の実施例に用いたロール状の被成膜処理
基体の模式図である。

【図６】本発明の実施例に用いた位相制御機構を有する
平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す図であ
る。

【図７】本発明の実施例に用いた位相制御機構を有し、
カソード電極が反応容器外にあるプラズマＣＶＤ装置の
横断面を示す模式図である。

【図８】本発明の実施例に用いた位相制御機構を有し、
カソード電極が反応容器外にあるプラズマＣＶＤ装置の
縦断面を示す模式図である。

【図９】本発明の実施例に用いた位相制御回路を有し、
６本のカソード電極が反応容器外にあるプラズマＣＶＤ
装置の横断面を示す模式図である。

【図１０】本発明の実施例に用いた別の形態の位相制御
回路の構成を示す図である。

【図１１】本発明の実施例に用いた被成膜処理基体を複
数本有し、円筒状位相制御回路入りカソード電極を有す
る別の形態のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す模式図で
ある。

【図１２】従来の平行平板型のプラズマＣＶＤ装置であ
る。

【図１３】特開昭６０−１８６８４９号公報のプラズマ
ＣＶＤ装置の縦および横断面を示す模式図である。

【符号の説明】

１００：反応容器１０１：アースシールド１０２：カソード電極１０３：被成膜基体１０４：整合回路１０５：高周波電源１０６：真空排気手段１０７：ガス供給手段１０８：モーター１０９：誘電体部材１１０：原料ガス供給管１１１：加熱ヒータ１１２：基体ホルダー１１３：位相制御回路１１４：シート状被成膜基体Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４：高圧可変コンデンサー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G075 AA29 AA30 AA42 AA61 BC04 BD14 CA02 CA05 CA13 CA15 CA25 CA62 CA65 DA02 DA18 EA01 EA05 EB01 EB41 EC06 EC21 ED01 EE04 EE36 FB02 FB04 FC10 FC15 4K030 AA06 AA20 BA30 CA02 CA16 FA01 FA03 GA07 JA03 JA16 JA18 JA19 JA20 KA04 KA15 KA18 KA24 KA39 KA41 LA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧可能な反応容器、該反応容器内にプラ
ズマＣＶＤの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、該
反応容器内に配された基体保持手段、および該基体保持
手段に保持される被成膜処理基体を対向電極とする複数
のカソード電極を有し、該複数のカソード電極に整合回
路を介して分割して高周波電源より高周波電力を印加
し、該複数のカソード電極と該被成膜処理基体との間に
プラズマを発生させ、該被成膜処理基体上に堆積膜を形
成するプラズマ処理装置であって、前記複数のカソード電極に印加する高周波電力の位相を
制御する位相制御手段を有し、該位相制御手段によって
前記複数のカソード電極のそれぞれに伝搬される高周波
電力の位相を制御して均一なプラズマを形成し、プラズ
マ処理することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記位相制御手段は、前記カソード電極の
高周波電力給電点の反対側を高圧可変コンデンサ（Ｃ
１）を介して接地させる共に、他方の高周波電力給電点
側にも、前記整合回路後で且つ前記高周波電源より供給
される電力分割点以後で前記各カソード電極に対する給
電点前に、高圧可変コンデンサ（Ｃ２）を設け、両コンデンサの容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）が一定
となるように、それぞれのコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）の
容量値を制御し、前記各カソード電極に印加される高周
波電力の位相を制御する構成を有することを特徴とする
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記位相制御手段は、前記容量値が前記両
コンデンサの容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）の±３０
％以内の範囲となるように制御する構成を有することを
特徴とする請求項２に記載プラズマ処理装置。
【請求項４】前記位相制御手段は、前記高圧可変コンデ
ンサ（Ｃ１）と前記接地させた接地部までのリアクタン
ス、および前記給電点と反対側の該接地部までのリアク
タンスが、該接地部までの線路の距離、またはコンデン
サの静電容量により調節する構成を有することを特徴と
する請求項２または請求項３に記載のプラズマ処理装
置。
【請求項５】前記位相制御手段は、前記高圧可変コンデ
ンサ（Ｃ２）と前記カソード電極の間のリアクタンス
が、高圧可変コンデンサとカソード電極までの距離また
はコンデンサの静電容量により調節する構成を有するこ
とを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズ
マ処理装置。
【請求項６】前記位相制御手段は、前記整合回路内のチ
ューンの高圧可変コンデンサのカソード側で前記高周波
電源より供給される電力分割点前に高圧可変コンデンサ
（Ｃ３）を設置し、該高圧可変コンデンサ（Ｃ３）を介
して接地させると共に、前記チューンの高圧可変コンデ
ンサ後であり、前記電力分割点と前記各カソード電極に
対する給電点前の間に高圧可変コンデンサ（Ｃ４）を設
け、両コンデンサの総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝ｋ）が一定となる
ように、それぞれのコンデンサ（Ｃ３、Ｃ４）の容量値
を制御し、前記各カソード電極に印加される高周波電力
の位相を制御する構成を有することを特徴とする請求項
１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】前記位相制御手段は、前記容量値が前記両
コンデンサの容量の総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝ｋ）の±３０
％以内の範囲となるように制御する構成を有することを
特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】前記位相制御手段は、前記高圧可変コンデ
ンサ（Ｃ３）および前記高圧可変コンデンサ（Ｃ４）と
前記接地させた接地部までのリアクタンス、および給電
点と反対側の該接地部までのリアクタンスが、該接地部
までの線路の距離、またはコンデンサの静電容量により
調節する構成を有することを特徴とする請求項６または
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】前記複数のカソード電極に、同一の高周波
電源から高周波電力を分割して印加することを特徴とす
る請求項１〜８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装
置。
【請求項１０】前記高周波電源が、周波数が３０〜６０
０ＭＨｚの範囲の高周波を発振する高周波電源であるこ
とを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のプ
ラズマ処理装置。
【請求項１１】前記各カソード電極は、表面が誘電体で
覆われていることを特徴とする請求項１〜請求項１０の
いずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】前記カソード電極が、円筒状のカソード
電極であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか
１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】前記被処理基体が、円筒状基体であるこ
とを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の
プラズマ処理装置。
【請求項１４】前記被処理基体が、同心円上に複数個配
されるように構成されていることを特徴とする請求項１
〜１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】前記反応容器が、誘電体部材にて構成さ
れており、誘電体部材の外部大気側に前記カソード電極
が配されていることを特徴とする請求項１〜１４のいず
れか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】前記円筒状基体を回転させながら該円筒
状基体の表面上に堆積膜を形成することを特徴とする請
求項１〜１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装
置。
【請求項１７】前記複数の被処理基体が同一円周上に配
置されており、該複数の被処理基体の外側の同心円上
に、前記複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離
で配置され、該複数のカソード電極に同一電源より高周
波電力を分割して供給されるように構成されていること
を特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載のプ
ラズマ処理装置。
【請求項１８】前記複数の被処理基体が同一円周上に配
置されており、該複数の被処理基体の外側の同心円上
に、前記複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離
で配置され、該複数のカソード電極に同一電源より高周
波電力を分割して供給されるように構成すると共に、別
電源より電力を供給されるカソード電極が前記複数のカ
ソード電極が配置された円周の同心上に配置されている
ことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載
のプラズマ処理装置。
【請求項１９】前記被処理基体が平板状基体であり、前
記被処理基体と前記複数個のカソード電極とが対向して
いることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に
記載のプラズマ処理装置。
【請求項２０】前記被処理基体が成膜時に保持ロールよ
り送り出され、巻き取りロールにより巻き取られるシー
ト状基体であり、シート状基体に対して平行に単数また
は複数の高周波電極が配置されており、前記高周波電極
とシート状基体との間にプラズマを発生させ、該シート
状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項１
〜１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２１】減圧可能な反応容器、該反応容器内にプ
ラズマＣＶＤの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、
該反応容器内に配された基体保持手段、および該基体保
持手段に保持される被成膜処理基体を対向電極とする複
数のカソード電極を有し、該複数のカソード電極に整合
回路を介して分割して高周波電源より高周波電力を印加
し、該複数のカソード電極と該被成膜処理基体との間に
プラズマを発生させ、該被成膜処理基体上に堆積膜を形
成するプラズマ処理方法であって、前記複数のカソード電極に印加するに際し、前記複数の
カソード電極のそれぞれに伝搬される高周波電力の位相
を制御して均一なプラズマを発生させ、前記被成膜処理
基体上に堆積膜を形成することを特徴とするプラズマ処
理方法。
【請求項２２】前記高周波電力の位相制御が、前記カソ
ード電極の高周波電力給電点の反対側を高圧可変コンデ
ンサ（Ｃ１）を介して接地させる共に、他方の高周波電
力給電点側にも、前記整合回路後で且つ前記高周波電源
より供給される電力分割点以後で前記各カソード電極に
対する給電点前に、高圧可変コンデンサ（Ｃ２）を設
け、両コンデンサの容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ２＝ｋ）が一定
となるように、それぞれのコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）の
容量値を制御することによって行われることを特徴とす
る請求項２１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項２３】前記高周波電力の位相制御において、前
記容量値が前記両コンデンサの容量の総和量（Ｃ１＋Ｃ
２＝ｋ）の±３０％以内の範囲となるように制御するこ
とを特徴とする請求項２２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項２４】前記高周波電力の位相制御において、前
記高圧可変コンデンサ（Ｃ１）と前記接地させた接地部
までのリアクタンス、および前記給電点と反対側の該接
地部までのリアクタンスが、該接地部までの線路の距
離、またはコンデンサの静電容量により調節されること
を特徴とする請求項２２または請求項２３に記載のプラ
ズマ処理方法。
【請求項２５】前記高周波電力の位相制御において、前
記高圧可変コンデンサ（Ｃ２）と前記カソード電極の間
のリアクタンスが、高圧可変コンデンサとカソード電極
までの距離またはコンデンサの静電容量により調節され
ることを特徴とする請求項２２または請求項２３に記載
のプラズマ処理方法。
【請求項２６】前記高周波電力の位相制御が、前記整合
回路内のチューンの高圧可変コンデンサのカソード側で
前記高周波電源より供給される電力分割点前に高圧可変
コンデンサ（Ｃ３）を設置し、該高圧可変コンデンサ
（Ｃ３）を介して接地させると共に、前記チューンの高
圧可変コンデンサ後であり、前記電力分割点と前記各カ
ソード電極に対する給電点前の間に高圧可変コンデンサ
（Ｃ４）を設け、両コンデンサの総和量（Ｃ３＋Ｃ４＝ｋ）が一定となる
ように、それぞれのコンデンサ（Ｃ３、Ｃ４）の容量値
を制御し、前記各カソード電極に印加される高周波電力
の位相を制御することによって行われることを特徴とす
る請求項２１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項２７】前記高周波電力の位相制御において、前
記容量値が前記両コンデンサの容量の総和量（Ｃ３＋Ｃ
４＝ｋ）の±３０％以内の範囲となるように制御するこ
とを特徴とする請求項２６に記載のプラズマ処理方法。
【請求項２８】前記高周波電力の位相制御において、前
記高圧可変コンデンサ（Ｃ３）および前記高圧可変コン
デンサ（Ｃ４）と前記接地させた接地部までのリアクタ
ンス、および給電点と反対側の該接地部までのリアクタ
ンスが、該接地部までの線路の距離、またはコンデンサ
の静電容量により調節されることを特徴とする請求項２
６または請求項２７に記載のプラズマ処理方法。
【請求項２９】前記複数のカソード電極に、同一の高周
波電源から高周波電力を分割して印加することを特徴と
する請求項２１〜２８のいずれか１項に記載のプラズマ
処理方法。
【請求項３０】前記高周波電源により周波数が３０〜６
００ＭＨｚの範囲の高周波を印加することを特徴とする
請求項２１〜２９のいずれか１項に記載のプラズマ処理
方法。
【請求項３１】前記各カソード電極は、表面が誘電体で
覆われていることを特徴とする請求項２１〜請求項３０
のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３２】前記カソード電極が、円筒状のカソード
電極であることを特徴とする請求項２１〜３１のいずれ
か１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３３】前記被処理基体が、円筒状基体であるこ
とを特徴とする請求項２１〜３２のいずれか１項に記載
のプラズマ処理方法。
【請求項３４】前記被処理基体が、同心円上に複数個配
されるように構成されていることを特徴とする請求項２
１〜３３のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３５】前記反応容器が、誘電体部材にて構成さ
れており、誘電体部材の外部大気側に前記カソード電極
が配されていることを特徴とする請求項２１〜３４のい
ずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３６】前記円筒状基体を回転させながら該円筒
状基体の表面上に堆積膜を形成することを特徴とする請
求項２１〜３５のいずれか１項に記載のプラズマ処理方
法。
【請求項３７】前記複数の被処理基体が同一円周上に配
置されており、該複数の被処理基体の外側の同心円上
に、前記複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離
で配置され、該複数のカソード電極に同一電源より高周
波電力を分割して供給されるように構成されていること
を特徴とする請求項２１〜３６のいずれか１項に記載の
プラズマ処理方法。
【請求項３８】前記複数の被処理基体が同一円周上に配
置されており、該複数の被処理基体の外側の同心円上
に、前記複数のカソード電極が該被処理基体間と等距離
で配置され、該複数のカソード電極に同一電源より高周
波電力を分割して供給されるように構成すると共に、別
電源より電力を供給されるカソード電極が前記複数のカ
ソード電極が配置された円周の同心上に配置されている
ことを特徴とする請求項２１〜３６のいずれか１項に記
載のプラズマ処理方法。
【請求項３９】前記被処理基体が平板状基体であり、前
記被処理基体と前記複数個のカソード電極とが対向して
いることを特徴とする請求項２１〜３１のいずれか１項
に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４０】前記被処理基体が成膜時に保持ロールよ
り送り出され、巻き取りロールにより巻き取られるシー
ト状基体であり、シート状基体に対して平行に単数また
は複数の高周波電極が配置されており、前記高周波電極
とシート状基体との間にプラズマを発生させ、該シート
状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項２
１〜３１のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。