JP2001332949A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハの平坦度を向上させることで、弾性表面
波素子の特性を向上させることができる弾性表面波素子
の製造方法を提供すること。 【解決手段】単結晶材料を切断しウエハ１１を形成する
切断工程と、ウエハ１１の両面を所定の厚さまで研磨す
る研磨工程と、ウエハ表面１２を研削する研削工程と、
ウエハ表面１２を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、ウエハ
表面１２にメタルストリップ電極１４を形成する素子形
成工程とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、通信用フィルタ、
遅延器、発信器等に用いられる弾性表面波素子の製造方
法に関し、特に周波数の高帯域化に対応し得るものに関
する。

【０００２】

【従来の技術】図８の（ａ）は、弾性表面波素子１の構
成を示す模式図である。弾性表面波素子１は、５００μ
ｍ程度のウエハ２と、このウエハ２の表面２ａ上に設け
られた所定間隔で形成されたメタルストリップ電極３と
を備えている。このような弾性表面波素子１では、外部
からの電波や音波４を受けると、ウエハ２に伝播する弾
性波として、ウエハ２の表面２ａに沿って伝播する弾性
表面波５と、ウエハＷの内部を伝播するバルク波６とが
発生する。バルク波６はさらにウエハ２の裏面２ｂに反
射して、反射波７となるが、反射波７は弾性表面波５に
対する外乱となるため、ウエハ裏面を粗らすことで反射
波７の発生を抑止している。

【０００３】一般的には、ウエハ２としては圧電性を示
すタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ _３ ）やニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯ_３ ）、水晶等が用いられている。
これは、メタルストリップ電極３に電圧印加すること
で、弾性表面波５の中から励振した周波数信号を取り出
せるフィルタ機能が得られるからである。図８の（ｂ）
は、弾性表面波素子１のフィルタ機能の周波数特性を示
す図である。

【０００４】弾性表面波素子１は、テレビ用チューナ等
の信号フィルタとして古くから民生利用されている。近
年は、携帯電話に代表される移動体通信用フィルタとし
ての需要が著しく、利用周波数が高帯域化の方向にあ
る。

【０００５】図９は、従来の弾性表面波素子の製造方法
の一例を示す図である。本製造方法においては、単結晶
のインゴットをスライスした後、べベル、両面研磨加
工、表面鏡面研磨等の工程を経てウエハ２を形成する。
そして、ウエハ２を洗浄した後、その表面２ａにメタル
ストリップ電極３の形成を行う。

【０００６】図１０は、弾性表面波素子の製造方法の別
の例を示す図である。本製造方法においては、鏡面研磨
の削り量を少なくするために、両面研磨加工の後に細い
砥粒による片面研磨加工を行い、その後、鏡面研磨を行
う場合もある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した弾性表面波素
子の製造方法であると次のような問題があった。すなわ
ち、弾性表面波５の周波数が高くなるにつれ、メタルス
トリップ電極３の線幅が狭く微細化することになる。弾
性表面波素子１の設計上、約２ＧＨｚ以上の周波数に対
しては半導体デバイスと同等レベルのサブミクロン線幅
となる。加えて、メタルストリップ電極３の線幅の分布
は弾性表面波５の設計周波数に対する誤差を生む。この
ため、弾性表面波素子１の製造工程の中でも露光工程の
メタルストリップ電極３の線幅の微細化と均一性を満足
し得るウエハ２の平坦平滑性が要求されている。

【０００８】ウエハ２は厚さが５００μｍ以下であり、
素子形成面である表面２ａの平坦平滑性を向上させよう
とするとウエハ２の製造方法が問題となる。特に、ウエ
ハ製造の最終工程に近い鏡面研磨工程が問題になる。鏡
面研磨は、ウエハ２の表面２ａをポリウレタン素材の不
織布と粒径約０．１μｍ以下のコロイダルシリカ砥粒を
用いて鏡面研磨するものであるが、ウエハ２の加工面に
弾性体を押し付け加圧して行う加工方法であるため、圧
力の不均一性に起因した形状崩れ、すなわちウエハ２の
平坦度が低下する虞があった。

【０００９】平坦度が劣るウエハ２を用いると、サブミ
クロン線幅を満たす弾性表面波素子１の特性と製造の障
害となる。例えば、図８の（ａ）に示すようにウエハ平
坦度が劣っていると、メタルストリップ電極３を形成す
るための露光工程で線幅等に分布が生じ、図８の（ｂ）
に示すように周波数特性の改善、特に選択周波数に対す
る誤差Δが大きくなる虞があった。

【００１０】一方、ウエハ２の材料としては一般的にタ
ンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶を用いてい
ることから、硬く、脆いという性質がある。このため、
ウエハ加工工程及び素子形成過程において衝撃や熱応力
が発生すると、ウエハ割れを起こし易いという問題があ
る。さらに、単結晶であることから、特にへき開方向へ
の衝撃と熱応力に対する強度が弱い。

【００１１】そこで本発明は、ウエハの平坦度を向上さ
せることで、弾性表面波素子の特性を向上させることが
できる弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的
としている。また、ウエハ強度を向上させることでウエ
ハの割れを防止し、製造歩留り向上を図ることができる
弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的として
いる。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明の弾性表面波素子の製造方法は
次のように構成されている。

【００１３】（１）単結晶材料を切断しウエハを形成す
る切断工程と、上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨
する研磨工程と、上記ウエハ表面を研削する研削工程
と、上記ウエハ表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、上
記ウエハ表面に素子を形成する素子形成工程とを具備す
ることを特徴とする。

【００１４】（２）上記（１）に記載された弾性表面波
素子の製造方法であって、上記研削工程と上記鏡面研磨
工程との間に上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁部鏡
面研磨工程を具備することを特徴とする。

【００１５】（３）単結晶材料を切断しウエハを形成す
る切断工程と、上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨
する研磨工程と、上記ウエハ両面を鏡面研磨する鏡面研
磨工程と、上記ウエハ裏面を所定の面粗さに研削する研
削工程と、上記ウエハ表面に素子を形成する素子形成工
程とを具備することを特徴とする。

【００１６】（４）上記（３）に記載された弾性表面波
素子の製造方法であって、上記研磨工程と上記鏡面研磨
工程との間に上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁部鏡
面研磨工程を具備することを特徴とする。

【００１７】（５）単結晶材料を切断しウエハを形成す
る切断工程と、上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨
する研磨工程と、上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁
部鏡面研磨工程と、上記ウエハ表面を鏡面研磨する鏡面
研磨工程と、上記ウエハ表面に素子を形成する素子形成
工程とを具備することを特徴とする。

【００１８】（６）単結晶材料を切断しウエハを形成す
る切断工程と、上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨
する研磨工程と、上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁
部鏡面研磨工程と、上記ウエハ表面を研削する研削工程
と、上記ウエハ表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、上
記ウエハ表面に素子を形成する素子形成工程とを具備す
ることを特徴とする。

【００１９】（７）上記（１）〜（６）いずれかに記載
された弾性表面波素子の製造方法であって、上記単結晶
材料はタンタル酸リチウムであることを特徴とする。

【００２０】（８）上記（１）〜（６）いずれかに記載
された弾性表面波素子の製造方法であって、上記単結晶
材料はニオブ酸リチウムであることを特徴とする。

【００２１】（９）上記（１）〜（６）いずれかに記載
された弾性表面波素子の製造方法であって、上記単結晶
材料は水晶であることを特徴とする。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
に係る弾性表面波素子１０の製造工程を示す説明図であ
る。また、図２の（ａ）〜（ｃ）は同弾性表面波素子１
０の製造に用いる加工装置２０，３０，４０を示す図、
図３は同弾性表面波素子１０の製造工程を示す説明図で
ある。図３の（ａ）は弾性表面波素子１０を示す模式
図、図３の（ｂ）はその周波数特性を示すグラフであ
る。

【００２３】弾性表面波素子１０は、図３の（ａ）に示
すように例えば厚さ５００μｍのウエハ１１を備えてい
る。ウエハ１１の表面１２は素子形成面であり、裏面１
３はバルク波の反射面である。ウエハ１１の表面１２に
は、メタルストリップ電極１４が所定間隔で並設されて
いる。なお、図１中１２ａ及び１３ａはウエハ１１の周
縁部に設けられたテーパ面を示している。また、図３の
（ａ）中、αは外部からの電波・音波、βは弾性表面
波、γはバルク波、δは反射波を示している。

【００２４】加工装置２０は、図２の（ａ）に示すよう
に、エアスピンドル２１と、このエアスピンドル２１に
より回転駆動されるテーパ２２°の加工面を有する砥石
２２とを備えている。砥石２２には、粒径１〜５０μｍ
のダイヤモンダ砥粒を結合剤で固めたものを使用する。

【００２５】加工装置３０は、図２の（ｂ）に示すよう
に、ウエハ１１を載置するとともに、１００〜３００ｒ
ｐｍの回転速度で回転する回転テーブル３１と、この回
転テーブル３１に対向配置された送り機構３２と、この
送り機構３２により０．１μｍの精度で位置決めされる
エアスピンドル３３と、このエアスピンドル３３により
１０００〜３０００ｒｐｍで回転駆動される砥石３４と
を備えている。砥石３４は、直径２００ｍｍのアルミベ
ース３５と、このアルミベース３５に設けられた＃３６
０〜１５００のダイヤ（粒径１〜５０μｍ）やレジン・
メタルビトリファイド等の砥石３６とから形成されてい
る。

【００２６】加工装置４０は、図２の（ｃ）に示すよう
に、エアスピンドル４１と、このエアスピンドル４１に
より回転駆動される定盤４２と、この定盤４２に取り付
けられた弾性体であるポリウレタン素材の不織布からな
るパッド４３と、ウエハ１１を支持する支持部４４と、
支持部４４を回転駆動するエアスピンドル４５と、定盤
４２上に粒径約０．１μｍ以下のコロイダルシリカ砥粒
を含む研磨液を供給する供給ノズル４６とを備えてい
る。

【００２７】本第１の実施の形態においては、次のよう
な工程により弾性表面波素子の製造を行う。最初に、タ
ンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の単結晶
インゴットをワイヤーソーや内周刃ブレードを用いて板
状に切断し、図３の（ａ）に示すようにウエハ１１を形
成する。次に加工装置２０により、図３の（ｂ）に示す
ようにウエハ１１の周縁部を角度２２°のテーパでベベ
ル研磨加工（面取り加工）を行う。

【００２８】次に研磨装置（不図示）により、上下に配
置した２個の剛体定盤でウエハ１１を挟み込み、遊離砥
粒を供給しながらウエハ１１を最終仕上げ厚さよりも１
０〜５０μｍ厚くなるまで図１の（ｃ）に示すように両
面研磨加工する。この段階で、ウエハ１１に残っていた
うねりや反りが大方除去される。なお、裏面１３は、両
面研磨加工で得られた粗さ（０．１〜２μｍＲａ）が素
子形成まで残り、反射波δを弱めることで周波数特性へ
の影響を抑えることができる。

【００２９】次に加工装置３０により、ウエハ１１の表
面１２を図１の（ｄ）に示すように研削加工する。砥石
３４でウエハ１１を削り込むことになるので、ウエハ１
１に過負荷が発生しないような切り込み速度、ウエハと
砥石の接線擦過速度を与えながら、研削液を供給しなが
ら加工していく。例えば、切り込み速度０．０５〜１０
μｍ／ｓ、ウエハ１１と砥石の接線擦過速度１０〜２０
０ｍ／ｓの条件範囲とする。なお、ウエハ１１の形状
は、回転テーブル３１のウエハチャック面の平面度と砥
石の送り精度と位置精度で決まり、平坦度１μｍＴＴＶ
以下で仕上げることができる。さらに、ウエハ１１に対
する負荷を小さくする加工なので、ラップ加工等と比較
して加工面の深さ方向へのクラック層、歪層の発生が極
めて小さい。

【００３０】次に加工装置４０により、図１の（ｅ）に
示すようにウエハ１１の表面１２を鏡面研磨加工を行い
鏡面を得る。鏡面研磨加工は、表面１２をパッド４３及
び研磨液を用いて鏡面研磨する。鏡面研磨加工は、加工
面に弾性体を押し付け加圧して行う加工方法であるた
め、圧力の不均一性に起因した形状崩れ、すなわち鏡面
研磨加工の除去量に相応したウエハ１１の平坦度低下を
招く虞がある。しかしながら、上述した研削加工を用い
たことにより加工面の深さ方向のクラック層、歪層の発
生量が小さいので、鏡面研磨加工での削り量を最小化す
ることができる。すなわち、ウエハ平坦度を向上させる
ことができる。

【００３１】具体的には、従来の研磨加工後の鏡面研磨
除去必要量は１０〜２５μｍであったのに対して、本実
施の形態における研削加工後の鏡面研磨除去必要量は３
〜１０μｍと少なくすることができる。したがって、鏡
面研磨加工における形状崩れが１０％の場合、削り量１
０〜２５μｍにおいては１．０〜２．５μｍの平坦度低
下が生じるが、本実施の形態における削り量は３〜１０
μｍとなり、０．３〜１．０μｍの平坦度低下に抑止で
きる。

【００３２】次に、ウエハＷ上に残留する加工砥粒や異
物を洗浄除去した後、素子形成工程においてウエハ１１
の表面１２に図１の（ｆ）に示すようにメタルストリッ
プ電極１４を形成する。電波・音波を励起させるための
メタルストリップ電極１４は、半導体素子と同様に、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去と
いった工程によって形成する。

【００３３】上述したように本第１の実施の形態に係る
弾性表面波素子の製造方法によれば、研磨加工に比べて
加工ダメージの小さい研削加工を用い、より目的の厚さ
までウエハ１１を削るようにしているので、鏡面研磨除
去量を最小限に抑えることができ、ウエハ１１の平坦度
の低下を防止できる。このため、素子形成工程におい
て、平行平滑なウエハ１１を用いることができ、線幅が
微細で、かつ、分布が小さいメタルストリップ電極１４
が形成できる。したがって、図３の（ｂ）に示すように
弾性表面波素子１０の周波数特性の改善、特に選択周波
数に対する誤差Δを小さくすることが可能である。ま
た、ウエハ１１の裏面１３には研磨加工における面粗さ
が残っているため、反射波δの発生を最小限に抑えるこ
とができる。

【００３４】図４は本発明の第２の実施の形態に係る弾
性表面波素子の製造工程を示す図、図５の（ａ），
（ｂ）は同弾性表面波素子の製造に用いる加工装置５
０，６０を示す図である。図４において、図１と同一機
能部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略す
る。

【００３５】加工装置５０は図５の（ａ）に示すよう
に、砥石５１を備え、テーパ面１２ａ，１３ａを鏡面研
磨することができる。なお、図中θはテーパ面１２ａ，
１３ａの角度と一致する角度である。また、加工装置６
０は図５の（ｂ）に示すようにラッピングテープ６１を
備え、テーパ面１２ａ，１３ａを鏡面研磨することがで
きる。

【００３６】本第２の実施の形態に係る弾性表面波素子
の製造方法においては、上述した第１の実施の形態と同
様に、図４の（ａ）〜（ｄ）に示すように、切断加工、
ベベル研磨加工、両面研磨加工、研削加工を行う。その
後、図４の（ｅ）に示すように、テーパ面１２ａ，１３
ａのベベル鏡面研磨を行い、図４の（ｆ）に示すよう
に、ウエハ１１の表面１２の鏡面研磨を行うようにして
いる。テーパ面１２ａ，１３ａを鏡面研磨することで、
テーパ面１２ａ，１３ａを鏡面研磨しない場合と比べ
て、テーパ面１２ａ，１３ａにおけるクラックが低滅す
る。特に、弾性表面波素子用で硬脆性の単結晶材料であ
る、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等に
対して効果がある。

【００３７】本第２の実施の形態に係る弾性表面波素子
の製造方法においては、上述した第１の実施の形態と同
様の効果が得られるとともにこのため、衝撃や熱応力が
加わったときの硬脆性材料に特有の割れを抑止できるよ
うになり、歩留まりを向上させることができる。

【００３８】図６は本発明の第３の実施の形態に係る弾
性表面波素子の製造方法を示す図である。図４におい
て、図１と同一機能部分には同一符号を付し、その詳細
な説明は省略する。

【００３９】上述した第１の実施の形態と同様にして図
６の（ａ）に示すように切断加工、図６の（ｂ）に示す
ようにベベル研磨加工、図６の（ｃ）に示すように両面
研磨加工を行う。次に、図６の（ｄ）に示すようにウエ
ハ１１の表面１２及び裏面１３の両面鏡面研磨を行う。
両面鏡面研磨は、上下に配置した２個の剛体定盤にポリ
ウレタン素材の不織布を貼ってウエハを挟み込み、粒径
約０．１μｍのコロイダルシリカ砥粒を供給しながらウ
エハ１１の両面を同時に鏡面加工する。ウエハ１１を加
圧する基準面が運動しているので、平均効果により均一
な加圧が行える。したがって、片面のみを鏡面研磨する
場合に比べて形状崩れが小さく、より平坦平滑なウエハ
が得られる。

【００４０】次に、図６の（ｅ）に示すように所定の面
粗さとなるようにウエハ１１の裏面１３を加工装置３０
により研削加工する。加工装置３０の条件範囲は第１の
実施の形態と同様である。なお、面粗さは反射波δによ
る周波数特性への影響を防止できる程度のものとする。

【００４１】次に、加工砥粒や異物を洗浄除去した後、
図６の（ｆ）に示すように、ウエハ１１の表面１２に電
極１４を形成し、弾性表面波素子１０を完成する。

【００４２】本第３の実施の形態に係る弾性表面波素子
の製造方法においても、上述した第１の実施の形態と同
様の効果を得ることができる。

【００４３】図４は本発明の第４の実施の形態に係る弾
性表面波の製造方法を示す図である。図４において、図
３と同一機能部分には同一符号を付し、その詳細な説明
は省略する。

【００４４】本第４の実施の形態に係る弾性表面波素子
の製造方法においては、上述した第３の実施の形態と同
様に、図７の（ａ）〜（ｃ）に示すウエハ１１の切断加
工、ベベル研磨加工、両面の研磨加工を行う。その後に
図７の（ｄ）に示すようにテーパ面１２ａ，１３ａのベ
ベル鏡面研磨を行い、その後に図７の（ｅ）に示すよう
にウエハ１１の表面１２及び裏面１３の両面鏡面研磨加
工を行うようにしている。

【００４５】テーパ面１２ａ，１３ａを鏡面研磨するこ
とで、テーパ面１２ａ，１３ａを鏡面研磨しない場合と
比べて、テーパ面１２ａ，１３ａにおけるクラックが低
滅する。このため、衝撃や熱応力が加わったときの硬脆
性材料に特有の割れを抑止できるようになり、歩留まり
を向上させることができる。

【００４６】その後、図７の（ｆ）に示すように裏面１
３の研削加工、図７の（ｇ）に示すように素子形成を行
う。

【００４７】本第４の実施の形態に係る弾性表面波素子
の製造方法においては、上述した第３の実施の形態と同
様の効果が得られるとともにこのため、衝撃や熱応力が
加わったときの硬脆性材料に特有の割れを抑止できるよ
うになり、歩留まりを向上させることができる。

【００４８】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変形実施可能であるのは勿論である。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、ウエハの平坦度を向上
させることで、弾性表面波素子の特性を向上させること
ができる。また、ウエハ強度を向上させることでウエハ
の割れを防止し、製造歩留り向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波素
子の製造方法を示す工程図。

【図２】同製造方法に用いる加工装置を示す図。

【図３】（ａ）は同製造方法により製造された弾性表面
波素子の模式図、（ｂ）は同弾性表面波素子の周波数特
性を示すグラフ。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波素
子の製造方法を示す工程図。

【図５】同製造方法に用いる加工装置を示す図。

【図６】本発明の第３の実施の形態に係る弾性表面波素
子の製造方法を示す工程図。

【図７】本発明の第４の実施の形態に係る弾性表面波素
子の製造方法を示す工程図。

【図８】（ａ）は従来の製造方法により製造された弾性
表面波素子の模式図、（ｂ）は同弾性表面波素子の周波
数特性を示すグラフ。

【図９】従来の弾性表面波素子の製造方法の一例を示す
工程図。

【図１０】従来の弾性表面波素子の製造方法の別の例を
示す工程図。

【符号の説明】

１０…弾性表面波素子 １１…ウエハ １２…表面 １３…裏面 １４…メタルストリップ電極（素子） ２０，３０，４０…加工装置

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】単結晶材料を切断しウエハを形成する切断
   工程と、 上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨する研磨工程
   と、 上記ウエハ表面を研削する研削工程と、 上記ウエハ表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、 上記ウエハ表面に素子を形成する素子形成工程とを具備
   することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
2. 【請求項２】上記研削工程と上記鏡面研磨工程との間に
   上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁部鏡面研磨工程を
   具備することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波
   素子の製造方法。
3. 【請求項３】単結晶材料を切断しウエハを形成する切断
   工程と、 上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨する研磨工程
   と、 上記ウエハ両面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、 上記ウエハ裏面を所定の面粗さに研削する研削工程と、 上記ウエハ表面に素子を形成する素子形成工程とを具備
   することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
4. 【請求項４】上記研磨工程と上記鏡面研磨工程との間に
   上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁部鏡面研磨工程を
   具備することを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波
   素子の製造方法。
5. 【請求項５】単結晶材料を切断しウエハを形成する切断
   工程と、 上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨する研磨工程
   と、 上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁部鏡面研磨工程
   と、 上記ウエハ表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、 上記ウエハ表面に素子を形成する素子形成工程とを具備
   することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
6. 【請求項６】単結晶材料を切断しウエハを形成する切断
   工程と、 上記ウエハの両面を所定の厚さまで研磨する研磨工程
   と、 上記ウエハ周縁部を鏡面研磨する周縁部鏡面研磨工程
   と、 上記ウエハ表面を研削する研削工程と、 上記ウエハ表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、 上記ウエハ表面に素子を形成する素子形成工程とを具備
   することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
7. 【請求項７】上記単結晶材料はタンタル酸リチウムであ
   ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の弾
   性表面波素子の製造方法。
8. 【請求項８】上記単結晶材料はニオブ酸リチウムである
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の弾性
   表面波素子の製造方法。
9. 【請求項９】上記単結晶材料は水晶であることを特徴と
   する請求項１乃至６のいずれか記載の弾性表面波素子の
   製造方法。