JP2001332738A - 薄膜半導体装置、液晶表示装置及びエレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ティスプレイなどに用いられる薄膜半導体装
置の点欠陥や線欠陥を防止する。 【解決手段】 薄膜半導体装置は、信号配線３と、ゲー
ト配線２と、薄膜トランジスタＴＦＴとを絶縁性の基板
の上に形成して回路を構成する。半導体薄膜４を信号配
線３に沿って延長し、半導体薄膜４と信号配線３を電気
接続するコンタクトホールＣＯＮＳから、チャネル領域
Ｃｈまでの距離を拡大化している。又、ＣＯＮＳからチ
ャネル領域までの間に位置する半導体薄膜４のエッジに
沿って、ゲート電極と同一の材料でフローティングの保
護部材２Ｆを配している。また、ＴＦＴのドレイン領域
と中間配線３ａを接続するコンタクトホールＣＯＮＤ
と、画素電極と中間配線３ａを接続するコンタクトホー
ルＣＯＮＰを互いに分離し、且つ前者を後者に比べＴＦ
Ｔから遠い位置に配している。又、ＣＯＮＳを間にして
信号配線３の下方に位置する半導体薄膜４の部分はＣＯ
ＮＳの内径より少なくとも５μｍの幅で外側に延設され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜半導体装置、液
晶表示装置及びエレクトロルミネッセンス表示装置に関
する。より詳しくは、表示装置に現れる点欠陥や線欠陥
の防止技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９は、従来の薄膜半導体装置の一例を
示す模式図である。尚、この薄膜半導体装置はボトムゲ
ート構造の薄膜トランジスタに加え画素電極を含んでお
り、いわゆるアクティブマトリクス型の表示装置の駆動
基板として用いられる。図９は、一画素分の平面図を表
している。図示のように、薄膜半導体装置はガラスなど
からなる絶縁性の基板の上に例えばボトムゲート構造の
薄膜トランジスタＴＦＴや補助容量Ｃｓを集積形成した
ものである。ＴＦＴはゲート配線２と信号配線３の交差
部に配され、ゲート電極５の上に半導体薄膜４を配した
ものである。

【０００３】図１０は、図９に示したＸ−Ｘ線に沿った
断面図である。図示の様に、基板１の上にはゲート電極
５がパタニング形成されており、その上にゲート絶縁膜
１２を介して多結晶シリコンなどからなる半導体薄膜４
がパタニング形成されている。半導体薄膜４には不純物
が選択的に注入されており、ＴＦＴのソース領域Ｓとド
レイン領域Ｄを構成する。ソース領域Ｓとドレイン領域
Ｄの間でゲート電極５の直上に、ＴＦＴのチャネル領域
が形成される。かかるボトムゲート構造のＴＦＴは層間
絶縁膜１４により被覆されている。その上には信号配線
３が形成されており、層間絶縁膜１４に開口したコンタ
クトホールＣＯＮＳを介してＴＦＴのソース領域Ｓに電
気接続している。又、信号配線３と同一層で中間配線３
ａが形成されており、層間絶縁膜１４に開口したコンタ
クトホールＣＯＮＤを介してＴＦＴのドレイン領域Ｄに
電気接続している。信号配線３や中間配線３ａは平坦化
膜９０で被覆されており、その上に画素電極１０がパタ
ニング形成されている。画素電極１０は、平坦化膜９０
に開口したコンタクトホールＣＯＮＰを介して中間配線
３ａに電気接続している。図９を見れば明らかなよう
に、コンタクトホールＣＯＮＰとＣＯＮＤは平面的に見
て重なっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ゲート配線
２を低抵抗化するため、これを構成する金属膜の厚みを
例えば２５０ｎｍまで厚くすることが効果的である。そ
の場合、ゲート配線２と同一層に属するゲート電極５も
厚くなる。この結果、図１０に示すようにゲート電極５
のエッチング時に形成されたテーパー部分が目立つよう
になる。ゲート電極５のテーパー部分が顕著になると、
ゲート絶縁膜１２を介してその上に配された多結晶シリ
コンなどからなる半導体薄膜４に微小孔が発生する。こ
の微小孔は、例えばレーザ光の照射により半導体薄膜４
を結晶化した場合、丁度ゲート電極５のテーパー部分に
重なる領域で発生する傾向にある。この状態で、層間絶
縁膜１４にコンタクトホールＣＯＮＳ，ＣＯＮＤ形成の
ためのエッチングを施すと、エッチング液が上述した半
導体薄膜４の微小孔を介して下地のゲート絶縁膜１２を
侵し、半導体薄膜４とゲート電極５が短絡してしまう。
これは、画素の点欠陥の発生に連なり、画質が劣化する
ことになる。又、層間絶縁膜１４にコンタクトホールＣ
ＯＮＳ，ＣＯＮＤを開口する時、エッチング条件のばら
つきにより、層間絶縁膜１４が過剰にエッチングされる
ことがある。この様にオーバーエッチが生じると、コン
タクトホールの形成後に金属アルミニウムなどからなる
信号配線３を形成した時、下層に位置するゲート電極５
やゲート配線２と短絡する恐れがある。これにより画面
に縦筋が表れる線欠陥が生じ、画質劣化をもたらす。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明はティスプレイなどに用いられる薄膜
半導体装置の点欠陥や線欠陥を防止することを目的とす
る。かかる目的を達成するために以下の手段を講じた。
即ち、本発明の第一面は、信号配線と、ゲート配線と、
薄膜トランジスタとを絶縁性の基板の上に形成して回路
を構成し、該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間に
してソース領域及びドレイン領域が形成された半導体薄
膜と、ゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領
域に重なるゲート電極とからなる積層構造を有し、該ゲ
ート配線は、該ゲート電極に接続し、該信号配線は、層
間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上層に形成され、該
層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して該半導
体薄膜に形成されたソース領域及びドレイン領域の少な
くとも一方に接続している薄膜半導体装置において、ソ
ース領域またはドレイン領域が形成された半導体薄膜の
部分を該信号配線に沿って延長し、該ソース領域または
ドレイン領域と該信号配線とを接続するコンタクトホー
ルから、ゲート電極に重なる該チャネル領域までの距離
を拡大化したことを特徴とする。好ましくは、前記薄膜
トランジスタは、該ゲート電極がゲート絶縁膜を介して
該半導体薄膜のチャネル領域に基板側から重なるボトム
ゲート型の積層構造を有する。この場合、前記ゲート電
極は、ゲート配線よりも膜厚が薄い。

【０００６】又、本発明の第二面は、信号配線と、ゲー
ト配線と、薄膜トランジスタとを絶縁性の基板の上に形
成して回路を構成し、該薄膜トランジスタは、チャネル
領域を間にしてソース領域及びドレイン領域が形成され
た半導体薄膜と、ゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜の
チャネル領域に基板側から重なるゲート電極とからなる
ボトムゲート型の積層構造を有し、該ゲート配線は、該
ゲート電極に接続し、該信号配線は、層間絶縁膜を介し
て該半導体薄膜より上層に形成され、該層間絶縁膜に開
口したコンタクトホールを介して該半導体薄膜に形成さ
れたソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方に接
続している薄膜半導体装置において、コンタクトホール
を介して信号配線に接続した該ソース領域またはドレイ
ン領域から、ゲート電極に重なる該チャネル領域までの
間に位置する半導体薄膜の縁に沿って下側に、ゲート電
極と同一の材料で形成され且つ浮遊電位にある保護部材
を配することを特徴とする。好ましくは、前記ゲート電
極は、ゲート配線よりも膜厚が薄い。

【０００７】本発明の第三面は、信号配線と、ゲート配
線と、薄膜トランジスタと、これにより駆動される電極
とを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成し、該薄膜
トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース領域及
びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲート絶縁
膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なるゲート
電極とからなる積層構造を有し、該ゲート配線は、該ゲ
ート電極に接続し、該信号配線は、第一層間絶縁膜を介
して該半導体薄膜より上層に配され、該第一層間絶縁膜
に開口したコンタクトホールを介して該半導体薄膜に形
成されたソース領域に接続し、該電極は、第二層間絶縁
膜を介して該信号配線より上層に配され、該信号配線と
同一の材料で形成された中間配線を介して該ドレイン領
域に接続している薄膜半導体装置において、前記中間配
線は、第一層間絶縁膜に開口した第一コンタクトホール
を介して該ドレイン領域に接続し、前記電極は、第二層
間絶縁膜に開口した第二コンタクトホールを介して該中
間配線に接続し、第一コンタクトホールと第二コンタク
トホールは、その位置が互いに重ならない様に離れてい
ることを特徴とする。好ましくは、ドレイン領域に対す
る接続を取る第一コンタクトホールは、該電極に対する
接続を取る第二コンタクトホールよりも、ゲート電極に
重なるチャネル領域から遠い位置にある。又、前記薄膜
トランジスタは、該ゲート電極がゲート絶縁膜を介して
該半導体薄膜のチャネル領域に基板側から重なるボトム
ゲート型の積層構造を有する。この場合、前記ゲート電
極は、ゲート配線よりも膜厚が薄い。

【０００８】本発明の第四面は、信号配線と、ゲート配
線と、薄膜トランジスタとを絶縁性の基板の上に形成し
て回路を構成し、該薄膜トランジスタは、チャネル領域
を間にしてソース領域及びドレイン領域が形成された半
導体薄膜と、ゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャ
ネル領域に重なるゲート電極とからなる積層構造を有
し、該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、該信号配
線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上層に形成
され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介し
て、該半導体薄膜に形成されたソース領域及びドレイン
領域の少なくとも一方に接続している薄膜半導体装置に
おいて、該コンタクトホールを間にして信号配線の下方
に位置する半導体薄膜の部分は、該コンタクトホールの
内径より少なくとも５μｍの幅で外側に延設されている
ことを特徴とする。好ましくは、前記薄膜トランジスタ
は、該ゲート電極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜
のチャネル領域に基板側から重なるボトムゲート型の積
層構造を有する。この場合、前記ゲート電極は、ゲート
配線よりも膜厚が薄い。

【０００９】本発明の第一面によれば、ソース領域が形
成された半導体薄膜の部分を信号配線に沿って延長し、
ソース領域と信号配線とを接続するコンタクトホールか
ら、ゲート電極に重なるチャネル領域までの距離を拡大
化している。この様に、ＴＦＴとコンタクトホールの距
離を広げることで、コンタクトホールのオーバーエッチ
により生ずる信号配線とゲート電極との間の短絡を防ぐ
ことができる。又、本発明の第二面によれば、ソース領
域又はドレイン領域から、ゲート電極に重なるチャネル
領域までの間に位置する半導体薄膜の縁に沿って下側
に、ゲート電極と同一の材料で形成され且つ浮遊電位に
ある保護部材を配している。上述したオーバーエッチは
半導体薄膜の縁に沿って進むことが多い。そこで、コン
タクトホールと薄膜トランジスタＴＦＴの間に浮遊電位
の保護部材をゲート電極材料で形成することにより、オ
ーバーエッチの進行を防ぐことが可能である。これによ
り、短絡欠陥を防ぐことができる。本発明の第三面によ
れば、画素電極を中間配線に接続するコンタクトホール
と中間配線をドレイン領域に接続するコンタクトホール
が互いに重ならない様に離れている。特に、ドレイン領
域に対する接続をとるコンタクトホールは画素電極に対
する接続をとるコンタクトホールよりもチャネル領域か
ら遠い位置に配する。この様に、画素電極に画像信号を
印加するために設けたコンタクトホールを二つに分割し
て配置することにより、オーバーエッチなどで生じる短
絡欠陥を防ぐことが可能である。本発明の第四面によれ
ば、信号配線とソース領域を接続するコンタクトホール
を間にして、信号配線の下方に位置する半導体薄膜の部
分は当該コンタクトホールの内径より少なくとも５μｍ
の幅で外側に延設されている。このように、信号配線下
に半導体薄膜を一定の幅で敷くことにより、信号配線の
断線及び形状不良を防止でき、特性のばらつきを抑制す
ることが可能になるとともに、オーバーエッチによる悪
影響を防ぐことができる。尚、本発明の第五面によれ
ば、ゲート電極はゲート配線よりも膜厚が薄い。特に、
ゲート電極の膜厚を選択的に薄くすることで、テーパー
部分の影響を抑制することができる。即ち、ゲート電極
のテーパー部分の直上に位置する半導体薄膜に、レーザ
結晶化処理などで微小孔が多発することを防ぐことが可
能である。これにより、微小孔を介した短絡欠陥を防ぐ
ことができ、結果的に点欠陥を防止できる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる薄膜
半導体装置の一例を示す模式的な平面図である。理解を
容易にするため、図９に示した従来の薄膜半導体装置と
対応する部分には対応する参照番号を付してある。図示
のように、本薄膜半導体装置は、信号配線３と、ゲート
配線２と、薄膜トランジスタＴＦＴとを絶縁性の基板の
上に形成して回路を構成したものである。基板の表面に
は行方向に沿ってゲート配線２や補助容量配線２０を含
む下側配線が形成されている。又、ゲート電極５がゲー
ト配線２と同電位で且つ同時にパタニングされている。
ゲート配線２、補助容量配線２０及びゲート電極５を被
覆する様に絶縁膜が形成されている。特に、ゲート電極
５の上に形成された絶縁膜の部分がゲート絶縁膜とな
る。更に、絶縁膜の上に薄膜トランジスタＴＦＴの素子
領域を構成する半導体薄膜４が形成されている。この場
合、半導体薄膜４はレーザ光の照射によって結晶化され
た多結晶シリコンからなる。半導体薄膜４の一部は補助
容量配線２０の上に延設されており、補助容量Ｃｓを形
成する。半導体薄膜４の上には、層間絶縁膜を介して列
状の信号配線３を含む上側配線が形成されている。信号
配線３は層間絶縁膜に開口したソース側のコンタクトホ
ールＣＯＮＳを介して薄膜トランジスタＴＦＴのソース
領域に電気接続している。更に、信号配線３の上には平
坦化層を介して画素電極（図示せず）が形成されてい
る。この画素電極はコンタクトホールＣＯＮＤ，ＣＯＮ
Ｐを介して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン領域に電
気接続している。透過型の表示装置を作る場合には、画
素電極はＩＴＯなどの透明導電膜を用いる。反射型の表
示装置の場合には、画素電極としてアルミニウムや銀な
どの金属材料を用いる。

【００１１】薄膜トランジスタＴＦＴは、チャネル領域
Ｃｈを間にしてソース領域及びドレイン領域が形成され
た半導体薄膜４と、ゲート絶縁膜を介して半導体薄膜４
のチャネル領域Ｃｈに重なるゲート電極５とからなる積
層構造を有する。ゲート配線２はゲート電極５に接続し
ている。信号配線３は、層間絶縁膜を介して半導体薄膜
４より上層に形成され、層間絶縁膜に開口したコンタク
トホールＣＯＮＳを介して半導体薄膜４に形成されたソ
ース領域に接続している。尚、場合によっては回路構成
に依存して、信号配線３は薄膜トランジスタＴＦＴのド
レイン領域にコンタクトホールを介して電気接続する場
合もある。本発明の第一の特徴として、ソース領域が形
成された半導体薄膜４の部分を信号配線３に沿って延長
し、ソース領域と信号配線３とを接続するコンタクトホ
ールＣＯＮＳから、ゲート電極５に重なるチャネル領域
Ｃｈまでの距離を拡大化している。このように、コンタ
クトホールＣＯＮＳと薄膜トランジスタＴＦＴとの間の
距離を広げることで、コンタクトホールＣＯＮＳのオー
バーエッチにより生ずる配線間の短絡欠陥を防ぐことが
可能である。

【００１２】薄膜トランジスタＴＦＴは、チャネル領域
Ｃｈを間にしてソース領域及びドレイン領域が形成され
た半導体薄膜４と、ゲート絶縁膜を介して半導体薄膜４
のチャネル領域Ｃｈに基板側から重なるゲート電極５と
からなるボトムゲート構造の積層構造を有する。即ち、
ゲート電極５は半導体薄膜４の下側に位置する。前述し
た様に、ゲート配線２はゲート電極５に接続する。信号
配線３は、層間絶縁膜を介して半導体薄膜４より上層に
形成され、層間絶縁膜に開口したコンタクトホールＣＯ
ＮＳを介して半導体薄膜４に形成されたソース領域に接
続している。本発明の第二の特徴として、コンタクトホ
ールＣＯＮＳを介して信号配線３に接続したソース領域
から、ゲート電極５に重なるチャネル領域Ｃｈまでの間
に位置する半導体薄膜４の縁（エッジ）に沿って下側
に、ゲート電極５と同一の材料で形成され且つ浮遊電位
（フローティング）にある保護部材２Ｆを配する。この
保護部材２Ｆを配することで、半導体薄膜４のエッジに
沿って進むオーバーエッチを抑制可能である。尚、本実
施形態では、チャネル領域Ｃｈとドレイン領域側のコン
タクトホールＣＯＮＤとの間にも保護部材２Ｆが配され
ている。

【００１３】前述したように、信号配線３は、第一の層
間絶縁膜を介して半導体薄膜４より上層に配され、第一
層間絶縁膜に開口したコンタクトホールＣＯＮＳを介し
て半導体薄膜４に形成されたソース領域に接続してい
る。一方、画素電極（図示せず）は、第二の層間絶縁膜
（平坦化膜）を介して信号配線３より上層に配され、信
号配線３と同一の材料で形成された中間配線３ａを介し
てドレイン領域に接続している。中間配線３ａは第一層
間絶縁膜に開口した第一コンタクトホールＣＯＮＤを介
してドレイン領域に接続している。画素電極は、第二層
間絶縁膜に開口した第二コンタクトホールＣＯＮＰを介
して中間配線３ａに接続している。本発明の第三の特徴
事項として、第一コンタクトホールＣＯＮＤと第二コン
タクトホールＣＯＮＰは、その位置が互いに重ならない
様に配されている。特に、ドレイン領域に対する接続を
とる第一コンタクトホールＣＯＮＤは、画素電極に対す
る接続をとる第二コンタクトホールＣＯＮＰよりも、チ
ャネル領域Ｃｈから遠い位置にある。このように、ＣＯ
ＮＤとＣＯＮＰを分離し且つＣＯＮＤをＴＦＴから遠い
位置に設定することで、コンタクトホールのオーバーエ
ッチなどに起因する配線間の短絡を防止することができ
る。

【００１４】前述したように、信号配線３は、層間絶縁
膜を介して半導体薄膜４より上層に形成され、層間絶縁
膜に開口したコンタクトホールＣＯＮＳを介して、半導
体薄膜４に形成されたソース領域に接続している。本発
明の第四の特徴事項として、コンタクトホールＣＯＮＳ
を間にして信号配線３の下方に位置する半導体薄膜４の
部分は、コンタクトホールＣＯＮＳの内径より少なくと
も５μｍの幅で外側に延設されている。このように、信
号配線３の下に余裕を持って半導体薄膜４を配設するこ
とにより、信号配線３の断線及び形状不良を防止できる
とともに、オーバーエッチによる悪影響を防ぐことが可
能である。

【００１５】本発明の第五の特徴として、ＴＦＴはボト
ムゲート構造を有し、且つゲート電極５はゲート配線２
よりも薄く形成されている。例えば、ゲート配線２は表
層ＳＬと内層ＩＬの積層構造であるのに対し、ゲート電
極５は表層ＳＬのみからなる。このように、ゲート電極
５の膜厚を薄くすることで、ゲート電極５のテーパー部
分の上に位置する半導体薄膜４に、レーザ光照射による
微小孔が発生することを防いでいる。

【００１６】図２は、図１のＸ１−Ｘ１線に沿った断面
図である。図示のように、基板１の上には信号配線３が
形成されている。この信号配線３の上は平坦化膜として
機能する絶縁層９０で被覆されている。信号配線３の下
には、層間絶縁膜１４を介して、半導体薄膜４のソース
領域の部分が延設されている。この半導体薄膜４の下に
は、そのエッジに沿ってゲート絶縁膜１２を介し前述し
た浮遊電位の保護部材２Ｆが、ゲート電極と同一材料で
形成されている。

【００１７】図３は、図１に示したＹ１−Ｙ１線に沿っ
た断面図である。図示のように、信号配線に沿って延設
された半導体薄膜４の下には、ゲート絶縁膜１２を介し
て前述したフローティングの保護部材２Ｆが島状にパタ
ニング形成されている。一般に、コンタクトホールの開
口の際に生じるオーバーエッチは半導体薄膜４のエッジ
に沿って進行する。これを防ぐために保護部材２Ｆが半
導体薄膜４の下に配されており、オーバーエッチの進行
は保護部材２Ｆの段差部分で堰き止められる。

【００１８】図４は、図１に示したＹ２−Ｙ２線に沿っ
た断面図である。ガラスなどからなる基板１の上には、
下から順に半導体薄膜４のドレイン領域の部分、信号配
線３と同一材料の中間配線３ａ、画素電極１０が形成さ
れている。中間配線３ａは層間絶縁膜１４に開口したコ
ンタクトホールＣＯＮＤを介して半導体薄膜４のドレイ
ン領域に電気接続している。画素電極１０は上側の層間
絶縁膜９０に開口したコンタクトホールＣＯＮＰを介し
て、下側の中間配線３ａに電気接続している。図９に示
した従来構造と異なり、ＣＯＮＤとＣＯＮＰは互に分離
している。更に、ＣＯＮＤは、ＣＯＮＰよりもＴＦＴか
ら遠い部分に配されている。いずれのコンタクトホール
ＣＯＮＤ，ＣＯＮＰも、平坦な部分にエッチングで形成
するので、加工精度を改善できる。

【００１９】図５は、図１に示したＸ３−Ｘ３線に沿っ
て切断した断面図である。図示のように、信号配線３
は、層間絶縁膜１４に開口したコンタクトホールＣＯＮ
Ｓを介して下側の半導体薄膜４に電気接続している。こ
の場合、信号配線３の下方に位置する半導体薄膜４の部
分は、コンタクトホールＣＯＮＳの内径より少なくとも
５μｍの幅Ｗで外側に延設されている。このように、信
号配線３の下に余裕を持って半導体薄膜４を設けること
により、オーバーエッチの悪影響を防ぐことができる。
又、マスクのアライメントの誤差を吸収でき、信号配線
３の断線不良や形状不良を抑制可能である。

【００２０】図６は、図１に示したＹ４−Ｙ４線に沿っ
た断面図である。図は、ＴＦＴの部分とゲート配線２の
部分が表われている。ＴＦＴの部分は、ゲート電極５の
上にゲート絶縁膜１２を介して半導体薄膜４が配されて
いる。図から明らかなように、ゲート電極５はその厚み
がゲート配線２より小さく設定されている。これによ
り、半導体薄膜４をレーザ光で照射する際放熱量が少な
くて済み、レーザ光のエネルギーを効率的に半導体薄膜
４の結晶化に利用できる。本実施形態では、ゲート電極
５及びゲート配線２は共に層構造を有し、ゲート電極５
を構成する層の数が、ゲート配線２を構成する層の数よ
り少ない。本実施形態では特に、ゲート電極５は表層Ｓ
Ｌのみからなる単層構造を有し、ゲート配線２は表層Ｓ
Ｌの下に内層ＩＬを重ねた多層構造を有する。具体的に
は、内層ＩＬは表層ＳＬに比べて電気抵抗が低い金属か
らなり、表層ＳＬは内層ＩＬに比べて融点が高い金属か
らなり内層ＩＬを保護している。例えば、内層ＩＬはア
ルミニウムを主体とする金属からなり、表層ＳＬはモリ
ブデン、タンタル、タングステン及びクロムから選択さ
れた金属からなる。内層ＩＬはアルミニウムの純金属も
しくはアルミニウムにシリコンを飽和するまで添加した
合金が用いられる。この様に、電気抵抗の低い内層ＩＬ
に高融点金属などからなる表層ＳＬを重ねた多層構造を
ゲート配線２に用いることで配線抵抗の上昇を防ぎ大画
面化に対応することが可能になる。

【００２１】図７は、本発明にかかる薄膜半導体装置を
用いて組み立てられたアクティブマトリクス型の液晶表
示装置の一例を示す模式的な斜視図である。図示する様
に、本表示装置は一対の絶縁基板１０１，１０２と両者
の間に保持された電気光学物質１０３とを備えたパネル
構造を有する。電気光学物質１０３として液晶材料が用
いられている。下側の絶縁基板１０１には画素アレイ部
１０４と駆動回路部とが集積形成されている。駆動回路
部は垂直駆動回路１０５と水平駆動回路１０６とに分か
れている。又、絶縁基板１０１の周辺部上端には外部接
続用の端子部１０７が形成されている。端子部１０７は
配線１０８を介して垂直駆動回路１０５及び水平駆動回
路１０６に接続している。画素アレイ部１０４には行状
のゲート配線１０９と列状の信号配線１１０が形成され
ている。両配線の交差部には画素電極１１１とこれを駆
動する薄膜トランジスタ１１２が形成されている。薄膜
トランジスタ１１２のゲート電極は対応するゲート配線
１０９から延設されたものであり、ドレイン領域は対応
する画素電極１１１に接続され、ソース領域は対応する
信号配線１１０に接続している。ゲート配線１０９は垂
直駆動回路１０５に接続する一方、信号配線１１０は水
平駆動回路１０６に接続している。画素電極１１１をス
イッチング駆動する薄膜トランジスタ１１２及び垂直駆
動回路１０５と水平駆動回路１０６に含まれる薄膜トラ
ンジスタは、本発明に従って作成されたものである。
尚、上側の基板１０２の内表面には図示しないが対向電
極が形成されている。

【００２２】図８は、本発明に係る表示装置の他の実施
例を示す模式的な部分断面図である。本実施例は、画素
として有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを用
いている。ＯＬＥＤは陽極Ａ，有機層２１０及び陰極Ｋ
を順に重ねたものである。陽極Ａは画素毎に分離してお
り、例えばクロムからなり基本的に光反射性である。陰
極Ｋは画素間で共通接続されており、例えば金属層２１
１と透明導電層２１２の積層構造であり、基本的に光透
過性である。係る構成を有するＯＬＥＤの陽極Ａ／陰極
Ｋ間に順方向の電圧（１０Ｖ程度）を印加すると、電子
や正孔などキャリアの注入が起こり、発光が観測され
る。ＯＬＥＤの動作は、陽極Ａから注入された正孔と陰
極Ｋから注入された電子により形成された励起子による
発光と考えられる。

【００２３】一方、ＯＬＥＤを駆動する薄膜トランジス
タＴＦＴは、ガラスなどからなる基板１の上に形成され
たゲート電極５と、その上面に重ねられたゲート絶縁膜
１２と、このゲート絶縁膜１２を介してゲート電極５の
上方に重ねられた半導体薄膜４とからなる。この半導体
薄膜４は例えばレーザアニールにより多結晶化されたシ
リコン薄膜からなる。薄膜トランジスタＴＦＴはＯＬＥ
Ｄに供給される電流の通路となるソース領域Ｓ、チャネ
ル領域Ｃｈ及びドレイン領域Ｄを備えている。チャネル
領域Ｃｈは丁度ゲート電極５の直上に位置する。このボ
トムゲート構造を有する薄膜トランジスタＴＦＴは層間
絶縁膜１４により被覆されており、その上には信号配線
３及び中間配線３ａが形成されている。これらの上には
別の層間絶縁膜９１を介して前述したＯＬＥＤが成膜さ
れている。このＯＬＥＤの陽極Ａは中間配線３ａを介し
て薄膜トランジスタＴＦＴに電気接続されている。

【００２４】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明の第一側面に
よれば、半導体薄膜を信号配線に沿って延長し、半導体
薄膜と信号配線を電気接続するコンタクトホールから、
チャネル領域までの距離を拡大化している。又、本発明
の第二側面によれば、コンタクトホールからチャネル領
域までの間に位置する半導体薄膜のエッジに沿って、ゲ
ート電極と同一の材料でフローティングの保護部材を配
している。また、本発明の第三側面によれば、ＴＦＴの
ドレイン領域と中間配線を接続するコンタクトホール
と、画素電極と中間配線を接続するコンタクトホールを
互いに分離し、且つ前者を後者に比べＴＦＴから遠い位
置に配している。更に、本発明の第四側面によれば、コ
ンタクトホールを間にして信号配線の下方に位置する半
導体薄膜の部分はコンタクトホールの内径より少なくと
も５μｍの幅で外側に延設されている。加えて、本発明
の第五側面によれば、ＴＦＴのゲート電極はゲート配線
よりも膜厚が薄い。これらの構造を総合的に組み合わせ
ることで、半導体薄膜とゲート電極との間の短絡防止が
可能となり、表示装置の点欠陥を防止できる。又、信号
配線とゲート電極との間の短絡防止が可能となり、表示
装置の線欠陥を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる薄膜半導体装置を示す模式的な
平面図である。

【図２】図１に示したＸ１―Ｘ１線に沿った断面図であ
る。

【図３】図１に示したＹ１―Ｙ１線に沿った断面図であ
る。

【図４】図１に示したＹ２−Ｙ２線に沿った断面図であ
る。

【図５】図１に示したＸ３−Ｘ３線に沿った断面図であ
る。

【図６】図１に示したＹ４−Ｙ４線に沿った断面図であ
る。

【図７】本発明にかかる液晶表示装置の一例を示す模式
的な斜視図である。

【図８】本発明にかかるエレクトロルミネッセンス表示
装置の一例を示す断面図である。

【図９】従来の薄膜半導体装置の一例を示す模式的な平
面図である。

【図１０】同じく、従来の薄膜半導体装置の一例を示す
模式的な断面図である。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・ゲート配線、３・・・信号配
線、３ａ・・・中間配線、４・・・半導体薄膜、５・・
・ゲート電極、１０・・・画素電極、２Ｆ・・・保護部
材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤野 昌宏 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 小松 博志 愛知県知多郡東浦町緒川上舟木50番地 エ スティ・エルシーディ株式会社内 (72)発明者 宗像 昌樹 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA38 JA40 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB51 JB57 JB63 JB69 KA04 KA07 KA16 KA18 MA05 MA08 MA13 MA17 MA30 NA13 NA15 PA07 5C094 AA21 BA03 BA27 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB02 FB12 FB14 FB15 5F110 AA26 BB01 CC08 EE04 EE23 EE37 GG02 GG13 GG23 HL02 HL03 HL07 HM04 NN03 NN06 NN73 PP03

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラン
   ジスタとを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
   領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
   ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
   ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
   層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
   ルを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域及びド
   レイン領域の少なくとも一方に接続している薄膜半導体
   装置において、 ソース領域またはドレイン領域が形成された半導体薄膜
   の部分を該信号配線に沿って延長し、該ソース領域また
   はドレイン領域と該信号配線とを接続するコンタクトホ
   ールから、ゲート電極に重なる該チャネル領域までの距
   離を拡大化したことを特徴とする薄膜半導体装置。
2. 【請求項２】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電極
   がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に
   基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有するこ
   とを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
3. 【請求項３】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも膜
   厚が薄いことを特徴とする請求項２記載の薄膜半導体装
   置。
4. 【請求項４】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラン
   ジスタとを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
   領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
   ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に基板側
   から重なるゲート電極とからなるボトムゲート型の積層
   構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
   層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
   ルを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域及びド
   レイン領域の少なくとも一方に接続している薄膜半導体
   装置において、 コンタクトホールを介して信号配線に接続した該ソース
   領域またはドレイン領域から、ゲート電極に重なる該チ
   ャネル領域までの間に位置する半導体薄膜の縁に沿って
   下側に、ゲート電極と同一の材料で形成され且つ浮遊電
   位にある保護部材を配することを特徴とする薄膜半導体
   装置。
5. 【請求項５】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも膜
   厚が薄いことを特徴とする請求項４記載の薄膜半導体装
   置。
6. 【請求項６】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラン
   ジスタと、これにより駆動される電極とを絶縁性の基板
   の上に形成して回路を構成し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
   領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
   ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
   ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、第一層間絶縁膜を介して該半導体薄膜よ
   り上層に配され、該第一層間絶縁膜に開口したコンタク
   トホールを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域
   に接続し、 該電極は、第二層間絶縁膜を介して該信号配線より上層
   に配され、該信号配線と同一の材料で形成された中間配
   線を介して該ドレイン領域に接続している薄膜半導体装
   置において、 前記中間配線は、第一層間絶縁膜に開口した第一コンタ
   クトホールを介して該ドレイン領域に接続し、 前記電極は、第二層間絶縁膜に開口した第二コンタクト
   ホールを介して該中間配線に接続し、 第一コンタクトホールと第二コンタクトホールは、その
   位置が互いに重ならない様に離れていることを特徴とす
   る薄膜半導体装置。
7. 【請求項７】 ドレイン領域に対する接続を取る第一コ
   ンタクトホールは、該電極に対する接続を取る第二コン
   タクトホールよりも、ゲート電極に重なるチャネル領域
   から遠い位置にあることを特徴とする請求項６記載の薄
   膜半導体装置。
8. 【請求項８】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電極
   がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に
   基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有するこ
   とを特徴とする請求項６記載の薄膜半導体装置。
9. 【請求項９】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも膜
   厚が薄いことを特徴とする請求項８記載の薄膜半導体装
   置。
10. 【請求項１０】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタとを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成
    し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
    ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
    層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
    ルを介して、該半導体薄膜に形成されたソース領域及び
    ドレイン領域の少なくとも一方に接続している薄膜半導
    体装置において、 該コンタクトホールを間にして信号配線の下方に位置す
    る半導体薄膜の部分は、該コンタクトホールの内径より
    少なくとも５μｍの幅で外側に延設されていることを特
    徴とする薄膜半導体装置。
11. 【請求項１１】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電
    極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域
    に基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有する
    ことを特徴とする請求項１０記載の薄膜半導体装置。
12. 【請求項１２】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項１１記載の薄膜半導
    体装置。
13. 【請求項１３】 互いに対面した一対の基板を接合して
    両者の間隙に液晶を配し、 一方の基板には、信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、画素電極を形成し、他方の基板には対向電
    極を形成したパネル構造を有し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
    ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
    層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
    ルを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域に接続
    しており、 該画素電極は、該半導体薄膜に形成されたドレイン領域
    に接続している液晶表示装置において、 ソース領域が形成された半導体薄膜の部分を該信号配線
    に沿って延長し、該ソース領域と該信号配線とを接続す
    るコンタクトホールから、ゲート電極に重なる該チャネ
    ル領域までの距離を拡大化したことを特徴とする液晶表
    示装置。
14. 【請求項１４】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電
    極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域
    に基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有する
    ことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項１４記載の液晶表示
    装置。
16. 【請求項１６】 互いに対面した一対の基板を接合して
    両者の間隙に液晶を配し、 一方の基板には、信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、画素電極を形成し、他方の基板には対向電
    極を形成したパネル構造を有し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に基板側
    から重なるゲート電極とからなるボトムゲート型の積層
    構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
    層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
    ルを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域に接続
    し該画素電極は、該半導体薄膜に形成されたドレイン領
    域に接続している液晶表示装置において、 コンタクトホールを介して信号配線に接続した該ソース
    領域から、ゲート電極に重なる該チャネル領域までの間
    に位置する半導体薄膜の縁に沿って下側に、ゲート電極
    と同一の材料で形成され且つ浮遊電位にある保護部材を
    配することを特徴とする液晶表示装置。
17. 【請求項１７】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示
    装置。
18. 【請求項１８】 互いに対面した一対の基板を接合して
    両者の間隙に液晶を配し、 一方の基板には、信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、画素電極を形成し、他方の基板には対向電
    極を形成したパネル構造を有し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
    ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、第一層間絶縁膜を介して該半導体薄膜よ
    り上層に配され、該第一層間絶縁膜に開口したコンタク
    トホールを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域
    に接続し、 該画素電極は、第二層間絶縁膜を介して該信号配線より
    上層に配され、該信号配線と同一の材料で形成された中
    間配線を介して該ドレイン領域に接続している液晶表示
    装置において、 前記中間配線は、第一層間絶縁膜に開口した第一コンタ
    クトホールを介して該ドレイン領域に接続し、 前記画素電極は、第二層間絶縁膜に開口した第二コンタ
    クトホールを介して該中間配線に接続し、 第一コンタクトホールと第二コンタクトホールは、その
    位置が互いに重ならない様に離れていることを特徴とす
    る液晶表示装置。
19. 【請求項１９】 ドレイン領域に対する接続を取る第一
    コンタクトホールは、該画素電極に対する接続を取る第
    二コンタクトホールよりも、ゲート電極に重なるチャネ
    ル領域から遠い位置にあることを特徴とする請求項１８
    記載の液晶表示装置。
20. 【請求項２０】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電
    極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域
    に基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有する
    ことを特徴とする請求項１８記載の液晶表示装置。
21. 【請求項２１】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項２０記載の液晶表示
    装置。
22. 【請求項２２】 互いに対面した一対の基板を接合して
    両者の間隙に液晶を配し、 一方の基板には、信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、画素電極を形成し、他方の基板には対向電
    極を形成したパネル構造を有し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
    ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
    層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
    ルを介して、該半導体薄膜に形成されたソース領域に接
    続し該画素電極は、該半導体薄膜に形成されたドレイン
    領域に接続している液晶表示装置において、 該コンタクトホールを間にして信号配線の下方に位置す
    る半導体薄膜の部分は、該コンタクトホールの内径より
    少なくとも５μｍの幅で外側に延設されていることを特
    徴とする液晶表示装置。
23. 【請求項２３】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電
    極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域
    に基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有する
    ことを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
24. 【請求項２４】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項２３記載の液晶表示
    装置。
25. 【請求項２５】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、これにより駆動されるエレクトロルミネッ
    センス素子とを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成
    し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
    ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
    層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
    ルを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域に接続
    しており、 該エレクトロルミネッセンス素子は、該半導体薄膜に形
    成されたドレイン領域に接続しているエレクトロルミネ
    ッセンス表示装置において、 ソース領域が形成された半導体薄膜の部分を該信号配線
    に沿って延長し、該ソース領域と該信号配線とを接続す
    るコンタクトホールから、ゲート電極に重なる該チャネ
    ル領域までの距離を拡大化したことを特徴とするエレク
    トロルミネッセンス表示装置。
26. 【請求項２６】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電
    極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域
    に基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有する
    ことを特徴とする請求項２５記載のエレクトロルミネッ
    センス表示装置。
27. 【請求項２７】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項２６記載のエレクト
    ロルミネッセンス表示装置。
28. 【請求項２８】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、これにより駆動されるエレクトロルミネッ
    センス素子とを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成
    し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に基板側
    から重なるゲート電極とからなるボトムゲート型の積層
    構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
    層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
    ルを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域に接続
    し該エレクトロルミネッセンス素子は、該半導体薄膜に
    形成されたドレイン領域に接続しているエレクトロルミ
    ネッセンス表示装置において、 コンタクトホールを介して信号配線に接続した該ソース
    領域から、ゲート電極に重なる該チャネル領域までの間
    に位置する半導体薄膜の縁に沿って下側に、ゲート電極
    と同一の材料で形成され且つ浮遊電位にある保護部材を
    配することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示
    装置。
29. 【請求項２９】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項２８記載のエレクト
    ロルミネッセンス表示装置。
30. 【請求項３０】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、これにより駆動されるエレクトロルミネッ
    センス素子とを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成
    し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
    ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、第一層間絶縁膜を介して該半導体薄膜よ
    り上層に配され、該第一層間絶縁膜に開口したコンタク
    トホールを介して該半導体薄膜に形成されたソース領域
    に接続し、 該エレクトロルミネッセンス素子は、第二層間絶縁膜を
    介して該信号配線より上層に配され、該信号配線と同一
    の材料で形成された中間配線を介して該ドレイン領域に
    接続しているエレクトロルミネッセンス表示装置におい
    て、 前記中間配線は、第一層間絶縁膜に開口した第一コンタ
    クトホールを介して該ドレイン領域に接続し、 前記エレクトロルミネッセンス素子は、第二層間絶縁膜
    に開口した第二コンタクトホールを介して該中間配線に
    接続し、 第一コンタクトホールと第二コンタクトホールは、その
    位置が互いに重ならない様に離れていることを特徴とす
    るエレクトロルミネッセンス表示装置。
31. 【請求項３１】 ドレイン領域に対する接続を取る第一
    コンタクトホールは、該画素電極に対する接続を取る第
    二コンタクトホールよりも、ゲート電極に重なるチャネ
    ル領域から遠い位置にあることを特徴とする請求項３０
    記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
32. 【請求項３２】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電
    極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域
    に基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有する
    ことを特徴とする請求項３０記載のエレクトロルミネッ
    センス表示装置。
33. 【請求項３３】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項３２記載のエレクト
    ロルミネッセンス表示装置。
34. 【請求項３４】 信号配線と、ゲート配線と、薄膜トラ
    ンジスタと、これにより駆動されるエレクトロルミネッ
    センス素子とを絶縁性の基板の上に形成して回路を構成
    し、 該薄膜トランジスタは、チャネル領域を間にしてソース
    領域及びドレイン領域が形成された半導体薄膜と、ゲー
    ト絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域に重なる
    ゲート電極とからなる積層構造を有し、 該ゲート配線は、該ゲート電極に接続し、 該信号配線は、層間絶縁膜を介して該半導体薄膜より上
    層に形成され、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホー
    ルを介して、該半導体薄膜に形成されたソース領域に接
    続し該エレクトロルミネッセンス素子は、該半導体薄膜
    に形成されたドレイン領域に接続しているエレクトロル
    ミネッセンス表示装置において、 該コンタクトホールを間にして信号配線の下方に位置す
    る半導体薄膜の部分は、該コンタクトホールの内径より
    少なくとも５μｍの幅で外側に延設されていることを特
    徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
35. 【請求項３５】 前記薄膜トランジスタは、該ゲート電
    極がゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜のチャネル領域
    に基板側から重なるボトムゲート型の積層構造を有する
    ことを特徴とする請求項３４記載のエレクトロルミネッ
    センス表示装置。
36. 【請求項３６】 前記ゲート電極は、ゲート配線よりも
    膜厚が薄いことを特徴とする請求項３５記載のエレクト
    ロルミネッセンス表示装置。