JP2001324469A - 空燃比センサの素子温度計測装置及びヒータ制御装置 - Google Patents
空燃比センサの素子温度計測装置及びヒータ制御装置Info
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- JP2001324469A JP2001324469A JP2000144427A JP2000144427A JP2001324469A JP 2001324469 A JP2001324469 A JP 2001324469A JP 2000144427 A JP2000144427 A JP 2000144427A JP 2000144427 A JP2000144427 A JP 2000144427A JP 2001324469 A JP2001324469 A JP 2001324469A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 空燃比センサのセンサ素子に素子温度計測用
の電圧を一時的に印加して、電圧印加中のセンサ出力Ｖ
ｒよりセンサ素子の内部抵抗を算出し、これより素子温
度を推定する際に、素子温度の推定精度を向上させる。 【解決手段】 電圧印加直前のセンサ出力Ｖｓを読込
み、これに基づいて補正する。具体的には、電圧印加中
のセンサ出力Ｖｒから電圧印加直前のセンサ出力Ｖafを
減算して、補正後センサ出力Ｖｒ＝Ｖｒ−Ｖafを算出
し、これに基づいて内部抵抗算出→素子温度算出を行
う。又は、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒから内部抵抗算
出→素子温度算出を行う過程で、算出された内部抵抗又
は素子温度を電圧印加直前のセンサ出力Ｖafに基づいて
補正する。
の電圧を一時的に印加して、電圧印加中のセンサ出力Ｖ
ｒよりセンサ素子の内部抵抗を算出し、これより素子温
度を推定する際に、素子温度の推定精度を向上させる。 【解決手段】 電圧印加直前のセンサ出力Ｖｓを読込
み、これに基づいて補正する。具体的には、電圧印加中
のセンサ出力Ｖｒから電圧印加直前のセンサ出力Ｖafを
減算して、補正後センサ出力Ｖｒ＝Ｖｒ−Ｖafを算出
し、これに基づいて内部抵抗算出→素子温度算出を行
う。又は、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒから内部抵抗算
出→素子温度算出を行う過程で、算出された内部抵抗又
は素子温度を電圧印加直前のセンサ出力Ｖafに基づいて
補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関の排気系
に装着されて空燃比制御に用いられる空燃比センサ（酸
素センサを含む）の素子温度を計測する素子温度計測装
置、及び、計測された素子温度に基づいて空燃比センサ
に備えられるセンサ素子加熱用のヒータを制御するヒー
タ制御装置に関する。
に装着されて空燃比制御に用いられる空燃比センサ（酸
素センサを含む）の素子温度を計測する素子温度計測装
置、及び、計測された素子温度に基づいて空燃比センサ
に備えられるセンサ素子加熱用のヒータを制御するヒー
タ制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関の空燃比制御装置として、空燃
比センサにより排気中の酸素濃度などに基づいて実際の
空燃比を検出し、これが目標空燃比となるように、機関
への燃料供給量をフィードバック制御するものが知られ
ている。
比センサにより排気中の酸素濃度などに基づいて実際の
空燃比を検出し、これが目標空燃比となるように、機関
への燃料供給量をフィードバック制御するものが知られ
ている。
【０００３】ところで、上記の空燃比フィードバック制
御を行うためには、空燃比センサが活性化していること
が前提条件となり、空燃比センサは、その素子温度が所
定の活性温度に達することで活性化されるため、空燃比
センサには、センサ素子加熱用のヒータを装備させて、
ヒータへの通電制御により素子温度を目標温度に制御し
ている（例えば特開平８−２７８２７９号公報参照）。
御を行うためには、空燃比センサが活性化していること
が前提条件となり、空燃比センサは、その素子温度が所
定の活性温度に達することで活性化されるため、空燃比
センサには、センサ素子加熱用のヒータを装備させて、
ヒータへの通電制御により素子温度を目標温度に制御し
ている（例えば特開平８−２７８２７９号公報参照）。
【０００４】具体的には、センサ素子の内部抵抗を計測
して、これより推定される素子温度に基づき、これが目
標温度となるように、ヒータへの通電量をフィードバッ
ク制御している。
して、これより推定される素子温度に基づき、これが目
標温度となるように、ヒータへの通電量をフィードバッ
ク制御している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、空燃比
センサの素子温度（これと関連するセンサ素子の内部抵
抗）の計測のため、センサ素子に素子温度計測用（内部
抵抗計測用）の所定の電圧を印加して、そのときのセン
サ出力に基づいて内部抵抗を計測する場合、内部抵抗計
測中（計測用電圧の印加中）も、空燃比センサは空燃比
検出分の電圧出力を継続しているため、センサ出力をそ
のまま内部抵抗計測に使用すると、素子温度の推定誤差
が大きくなってしまうことがある。
センサの素子温度（これと関連するセンサ素子の内部抵
抗）の計測のため、センサ素子に素子温度計測用（内部
抵抗計測用）の所定の電圧を印加して、そのときのセン
サ出力に基づいて内部抵抗を計測する場合、内部抵抗計
測中（計測用電圧の印加中）も、空燃比センサは空燃比
検出分の電圧出力を継続しているため、センサ出力をそ
のまま内部抵抗計測に使用すると、素子温度の推定誤差
が大きくなってしまうことがある。
【０００６】このような素子温度の推定誤差の増大は、
センサ素子加熱用のヒータへの通電制御に際し、目標温
度への制御性の悪化を招くばかりか、ヒータでの消費電
力の増大を招いたりする。
センサ素子加熱用のヒータへの通電制御に際し、目標温
度への制御性の悪化を招くばかりか、ヒータでの消費電
力の増大を招いたりする。
【０００７】本発明は、このような従来の問題点に鑑
み、空燃比センサの素子温度をより正確に計測すること
のできる空燃比センサの素子温度計測装置を提供し、併
せてこれを用いてセンサ素子加熱用のヒータを制御する
ヒータ制御装置を提供することを目的とする。
み、空燃比センサの素子温度をより正確に計測すること
のできる空燃比センサの素子温度計測装置を提供し、併
せてこれを用いてセンサ素子加熱用のヒータを制御する
ヒータ制御装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１に係
る発明では、図１に示すように、空燃比センサのセンサ
素子に素子温度計測用の所定の電圧を一時的に印加する
素子温度計測用電圧印加手段と、前記電圧印加直前のセ
ンサ出力を読込む第１のセンサ出力読込み手段と、前記
電圧印加中のセンサ出力を読込む第２のセンサ出力読込
み手段と、前記電圧印加直前のセンサ出力と前記電圧印
加中のセンサ出力とに基づいて、空燃比センサの素子温
度を推定する素子温度推定手段と、を設けて、空燃比セ
ンサの素子温度計測装置を構成する。
る発明では、図１に示すように、空燃比センサのセンサ
素子に素子温度計測用の所定の電圧を一時的に印加する
素子温度計測用電圧印加手段と、前記電圧印加直前のセ
ンサ出力を読込む第１のセンサ出力読込み手段と、前記
電圧印加中のセンサ出力を読込む第２のセンサ出力読込
み手段と、前記電圧印加直前のセンサ出力と前記電圧印
加中のセンサ出力とに基づいて、空燃比センサの素子温
度を推定する素子温度推定手段と、を設けて、空燃比セ
ンサの素子温度計測装置を構成する。
【０００９】請求項２に係る発明では、前記素子温度推
定手段は、前記電圧印加中のセンサ出力に基づき、前記
電圧印加直前のセンサ出力を補正パラメータとして、空
燃比センサの素子温度を推定することを特徴とする。
定手段は、前記電圧印加中のセンサ出力に基づき、前記
電圧印加直前のセンサ出力を補正パラメータとして、空
燃比センサの素子温度を推定することを特徴とする。
【００１０】請求項３に係る発明では、前記素子温度推
定手段は、図１中の（ａ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力を前記電圧印加直前のセンサ出力により
補正するセンサ出力補正手段を有し、補正されたセンサ
出力に基づいて、空燃比センサの素子温度を推定するこ
とを特徴とする。
定手段は、図１中の（ａ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力を前記電圧印加直前のセンサ出力により
補正するセンサ出力補正手段を有し、補正されたセンサ
出力に基づいて、空燃比センサの素子温度を推定するこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項４に係る発明では、前記素子温度推
定手段は、図１中の（ａ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力を前記電圧印加直前のセンサ出力により
補正するセンサ出力補正手段と、補正されたセンサ出力
に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出する内部抵抗算
出手段と、算出された内部抵抗に基づいて素子温度を算
出する素子温度算出手段と、を含んで構成されることを
特徴とする。
定手段は、図１中の（ａ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力を前記電圧印加直前のセンサ出力により
補正するセンサ出力補正手段と、補正されたセンサ出力
に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出する内部抵抗算
出手段と、算出された内部抵抗に基づいて素子温度を算
出する素子温度算出手段と、を含んで構成されることを
特徴とする。
【００１２】請求項５に係る発明では、前記センサ出力
補正手段は、前記電圧印加中のセンサ出力から前記電圧
印加直前のセンサ出力を減算して、補正後センサ出力を
算出することを特徴とする。
補正手段は、前記電圧印加中のセンサ出力から前記電圧
印加直前のセンサ出力を減算して、補正後センサ出力を
算出することを特徴とする。
【００１３】請求項６に係る発明では、前記素子温度推
定手段は、図１中の（ｂ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出
する内部抵抗算出手段と、算出された内部抵抗を前記電
圧印加直前のセンサ出力に基づいて補正する内部抵抗補
正手段と、補正された内部抵抗に基づいて素子温度を算
出する素子温度算出手段と、を含んで構成されることを
特徴とする。
定手段は、図１中の（ｂ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出
する内部抵抗算出手段と、算出された内部抵抗を前記電
圧印加直前のセンサ出力に基づいて補正する内部抵抗補
正手段と、補正された内部抵抗に基づいて素子温度を算
出する素子温度算出手段と、を含んで構成されることを
特徴とする。
【００１４】請求項７に係る発明では、前記素子温度推
定手段は、図１中の（ｃ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出
する内部抵抗算出手段と、算出された内部抵抗に基づい
て素子温度を算出する素子温度算出手段と、算出された
素子温度を前記電圧印加直前のセンサ出力に基づいて補
正する素子温度補正手段と、を含んで構成されることを
特徴とする。
定手段は、図１中の（ｃ）に示すように、前記電圧印加
中のセンサ出力に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出
する内部抵抗算出手段と、算出された内部抵抗に基づい
て素子温度を算出する素子温度算出手段と、算出された
素子温度を前記電圧印加直前のセンサ出力に基づいて補
正する素子温度補正手段と、を含んで構成されることを
特徴とする。
【００１５】請求項８に係る発明では、前記第１のセン
サ出力読込み手段は、空燃比を検出するために、所定の
周期で、センサ出力を読込む空燃比検出手段であり、前
記素子温度計測用電圧印加手段は、前記第１のセンサ出
力読込み手段のセンサ出力読込み直後に、センサ素子に
素子温度計測用の所定の電圧を印加することを特徴とす
る。
サ出力読込み手段は、空燃比を検出するために、所定の
周期で、センサ出力を読込む空燃比検出手段であり、前
記素子温度計測用電圧印加手段は、前記第１のセンサ出
力読込み手段のセンサ出力読込み直後に、センサ素子に
素子温度計測用の所定の電圧を印加することを特徴とす
る。
【００１６】請求項９に係る発明では、上記の空燃比セ
ンサの素子温度計測装置を備える一方、空燃比センサに
備えられるセンサ素子加熱用のヒータに対し、素子温度
が目標温度となるように、ヒータへの通電量をフィード
バック制御するヒータ通電量制御手段を設けて、空燃比
センサのヒータ制御装置を構成する（図１参照）。
ンサの素子温度計測装置を備える一方、空燃比センサに
備えられるセンサ素子加熱用のヒータに対し、素子温度
が目標温度となるように、ヒータへの通電量をフィード
バック制御するヒータ通電量制御手段を設けて、空燃比
センサのヒータ制御装置を構成する（図１参照）。
【００１７】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、空燃比セ
ンサのセンサ素子に素子温度計測用の電圧を印加して、
センサ出力より素子温度を推定する場合に、電圧印加直
前のセンサ出力と電圧印加中のセンサ出力とに基づいて
素子温度を推定することで、特に電圧印加直前のセンサ
出力により空燃比センサの空燃比検出分の電圧出力の影
響を考慮できるので、素子温度の推定精度を向上するこ
とができる。これによって、活性判定等を正確に行うこ
とができる。
ンサのセンサ素子に素子温度計測用の電圧を印加して、
センサ出力より素子温度を推定する場合に、電圧印加直
前のセンサ出力と電圧印加中のセンサ出力とに基づいて
素子温度を推定することで、特に電圧印加直前のセンサ
出力により空燃比センサの空燃比検出分の電圧出力の影
響を考慮できるので、素子温度の推定精度を向上するこ
とができる。これによって、活性判定等を正確に行うこ
とができる。
【００１８】請求項２に係る発明によれば、電圧印加中
のセンサ出力に基づき（すなわち電圧印加中のセンサ出
力を基本パラメータとし）、電圧印加直前のセンサ出力
を補正パラメータとして、素子温度を推定することで、
電圧印加直前のセンサ出力により空燃比センサの空燃比
検出分の電圧出力の影響を補正できるので、素子温度の
推定精度を大幅に向上することができる。
のセンサ出力に基づき（すなわち電圧印加中のセンサ出
力を基本パラメータとし）、電圧印加直前のセンサ出力
を補正パラメータとして、素子温度を推定することで、
電圧印加直前のセンサ出力により空燃比センサの空燃比
検出分の電圧出力の影響を補正できるので、素子温度の
推定精度を大幅に向上することができる。
【００１９】請求項３に係る発明によれば、電圧印加中
のセンサ出力を電圧印加直前のセンサ出力により補正し
て、補正されたセンサ出力に基づいて、素子温度を推定
することで、空燃比検出分の電圧出力の影響を除外した
センサ出力より、素子温度を正確に推定することができ
る。
のセンサ出力を電圧印加直前のセンサ出力により補正し
て、補正されたセンサ出力に基づいて、素子温度を推定
することで、空燃比検出分の電圧出力の影響を除外した
センサ出力より、素子温度を正確に推定することができ
る。
【００２０】請求項４に係る発明によれば、電圧印加中
のセンサ出力を電圧印加直前のセンサ出力により補正し
て、補正されたセンサ出力に基づいて、センサ素子の内
部抵抗を算出し、これに基づいて素子温度を算出するこ
とで、空燃比検出分の電圧出力の影響を除外したセンサ
出力より、内部抵抗を正確に計測して、素子温度を正確
に推定することができる。
のセンサ出力を電圧印加直前のセンサ出力により補正し
て、補正されたセンサ出力に基づいて、センサ素子の内
部抵抗を算出し、これに基づいて素子温度を算出するこ
とで、空燃比検出分の電圧出力の影響を除外したセンサ
出力より、内部抵抗を正確に計測して、素子温度を正確
に推定することができる。
【００２１】請求項５に係る発明によれば、センサ出力
補正に際し、電圧印加中のセンサ出力から電圧印加直前
のセンサ出力を減算して、補正後センサ出力を算出する
ことで、最も簡単な方法で、空燃比検出分の電圧出力の
影響を除外した内部抵抗分のセンサ出力を取出すことが
できる。
補正に際し、電圧印加中のセンサ出力から電圧印加直前
のセンサ出力を減算して、補正後センサ出力を算出する
ことで、最も簡単な方法で、空燃比検出分の電圧出力の
影響を除外した内部抵抗分のセンサ出力を取出すことが
できる。
【００２２】請求項６に係る発明によれば、電圧印加中
のセンサ出力読込み→内部抵抗算出→素子温度算出の過
程で、中間段階での内部抵抗を電圧印加直前のセンサ出
力に基づいて補正することで、請求項３又は請求項４に
係る発明と同等の効果が得られる。
のセンサ出力読込み→内部抵抗算出→素子温度算出の過
程で、中間段階での内部抵抗を電圧印加直前のセンサ出
力に基づいて補正することで、請求項３又は請求項４に
係る発明と同等の効果が得られる。
【００２３】請求項７に係る発明によれば、電圧印加中
のセンサ出力読込み→内部抵抗算出→素子温度算出の際
に、最終出力である素子温度を電圧印加直前のセンサ出
力に基づいて補正することで、請求項３又は請求項４に
係る発明と同等の効果が得られる。
のセンサ出力読込み→内部抵抗算出→素子温度算出の際
に、最終出力である素子温度を電圧印加直前のセンサ出
力に基づいて補正することで、請求項３又は請求項４に
係る発明と同等の効果が得られる。
【００２４】請求項８に係る発明によれば、所定の周期
でセンサ出力を読込んで空燃比を検出する場合に、空燃
比検出用のセンサ出力の読込み直後に、センサ素子に素
子温度計測用の電圧を印加するため、空燃比検出タイミ
ングにて電圧印加中のために空燃比を検出できない回数
を最小にでき、空燃比制御性能への影響を最小にするこ
とができると共に、電圧印加直前のセンサ出力の読込み
を空燃比検出用のもので代用できる。
でセンサ出力を読込んで空燃比を検出する場合に、空燃
比検出用のセンサ出力の読込み直後に、センサ素子に素
子温度計測用の電圧を印加するため、空燃比検出タイミ
ングにて電圧印加中のために空燃比を検出できない回数
を最小にでき、空燃比制御性能への影響を最小にするこ
とができると共に、電圧印加直前のセンサ出力の読込み
を空燃比検出用のもので代用できる。
【００２５】請求項９に係る発明によれば、上記のごと
く空燃比センサの素子温度の推定精度を向上できる一
方、ヒータ制御により、空燃比センサの素子温度を目標
温度に正しく収束させて、空燃比センサを所望の活性状
態に維持することができる。
く空燃比センサの素子温度の推定精度を向上できる一
方、ヒータ制御により、空燃比センサの素子温度を目標
温度に正しく収束させて、空燃比センサを所望の活性状
態に維持することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。図２は内燃機関の空燃比フィードバック制
御装置のシステム図である。
て説明する。図２は内燃機関の空燃比フィードバック制
御装置のシステム図である。
【００２７】内燃機関（以下エンジンという）１には、
各気筒毎に、吸気通路２又は燃焼室内に臨むように、燃
料噴射弁３が設けられ、各燃料噴射弁３の燃料噴射はコ
ントロールユニット４により制御される。
各気筒毎に、吸気通路２又は燃焼室内に臨むように、燃
料噴射弁３が設けられ、各燃料噴射弁３の燃料噴射はコ
ントロールユニット４により制御される。
【００２８】コントロールユニット４は、例えば、エア
フローメータ５からの信号に基づいて検出される吸入空
気量Ｑａと、クランク角センサ６からの信号に基づいて
検出されるエンジン回転数Ｎｅとから、ストイキ（λ＝
１）相当の基本燃料噴射量Ｔｐ＝Ｋ×Ｑａ／Ｎｅ（Ｋは
定数）を演算し、これを目標空燃比ｔλの他、排気通路
７に配置した空燃比センサ８からの信号に基づく空燃比
フィードバック補正係数αにより補正して、最終的な燃
料噴射量Ｔｉ＝Ｔｐ×（１／ｔλ）×αを演算し、この
Ｔｉに対応するパルス幅の燃料噴射パルスを、エンジン
回転に同期して、各燃料噴射弁３に出力する。
フローメータ５からの信号に基づいて検出される吸入空
気量Ｑａと、クランク角センサ６からの信号に基づいて
検出されるエンジン回転数Ｎｅとから、ストイキ（λ＝
１）相当の基本燃料噴射量Ｔｐ＝Ｋ×Ｑａ／Ｎｅ（Ｋは
定数）を演算し、これを目標空燃比ｔλの他、排気通路
７に配置した空燃比センサ８からの信号に基づく空燃比
フィードバック補正係数αにより補正して、最終的な燃
料噴射量Ｔｉ＝Ｔｐ×（１／ｔλ）×αを演算し、この
Ｔｉに対応するパルス幅の燃料噴射パルスを、エンジン
回転に同期して、各燃料噴射弁３に出力する。
【００２９】ここで、空燃比センサ８は、排気通路７に
配置されて、排気中の酸素濃度に応じた信号を出力する
もので、コントロールユニット４は、空燃比センサ８か
らの信号に基づいて、エンジン１に供給されている混合
気の空燃比λを検出し、これが目標空燃比ｔλとなるよ
うに、空燃比フィードバック補正係数αを比例積分制御
などにより増減設定することで、空燃比λを目標空燃比
ｔλにフィードバック制御する。
配置されて、排気中の酸素濃度に応じた信号を出力する
もので、コントロールユニット４は、空燃比センサ８か
らの信号に基づいて、エンジン１に供給されている混合
気の空燃比λを検出し、これが目標空燃比ｔλとなるよ
うに、空燃比フィードバック補正係数αを比例積分制御
などにより増減設定することで、空燃比λを目標空燃比
ｔλにフィードバック制御する。
【００３０】また、空燃比センサ８としては、空燃比に
応じて出力電圧が連続的に変化することで空燃比をリニ
アに検出可能ないわゆる広域型空燃比センサであって、
図３に示すようにセンサ素子１１加熱用のヒータ１２を
備えるものを用いる。
応じて出力電圧が連続的に変化することで空燃比をリニ
アに検出可能ないわゆる広域型空燃比センサであって、
図３に示すようにセンサ素子１１加熱用のヒータ１２を
備えるものを用いる。
【００３１】図３は空燃比センサ８のセンサ素子１１及
びセンサ素子加熱用のヒータ１２に対する制御回路を示
している。空燃比センサ８のセンサ素子１１は、空燃比
に応じて出力電圧Ｖｓが連続的に変化し、その出力Ｖｓ
はコントロールユニット４に入力される。
びセンサ素子加熱用のヒータ１２に対する制御回路を示
している。空燃比センサ８のセンサ素子１１は、空燃比
に応じて出力電圧Ｖｓが連続的に変化し、その出力Ｖｓ
はコントロールユニット４に入力される。
【００３２】また、センサ素子１１には、素子温度計測
用（内部抵抗計測用）の所定の電圧Ｖcc（例えば５Ｖ）
がスイッチング素子１３及び基準抵抗Ｒ０を介して印加
されるようになっている。従って、素子温度計測時に、
スイッチング素子１３がＯＮとなると、センサ素子１１
の出力Ｖｓに素子温度計測用の電圧分が重畳される。
用（内部抵抗計測用）の所定の電圧Ｖcc（例えば５Ｖ）
がスイッチング素子１３及び基準抵抗Ｒ０を介して印加
されるようになっている。従って、素子温度計測時に、
スイッチング素子１３がＯＮとなると、センサ素子１１
の出力Ｖｓに素子温度計測用の電圧分が重畳される。
【００３３】ヒータ１２には、バッテリ電圧ＶＢを印加
するが、通電回路中にスイッチング素子１４を設けてあ
る。コントロールユニット４内のＣＰＵ１５は、素子温
度計測用電圧印加用のスイッチング素子１３のＯＮ・Ｏ
ＦＦを制御しつつ、所定のタイミングで、センサ素子１
１の出力Ｖｓをフィルタ（平滑化回路）１６及びＡ／Ｄ
変換器１７を介して読込む。
するが、通電回路中にスイッチング素子１４を設けてあ
る。コントロールユニット４内のＣＰＵ１５は、素子温
度計測用電圧印加用のスイッチング素子１３のＯＮ・Ｏ
ＦＦを制御しつつ、所定のタイミングで、センサ素子１
１の出力Ｖｓをフィルタ（平滑化回路）１６及びＡ／Ｄ
変換器１７を介して読込む。
【００３４】また、ＣＰＵ１５は、Ｄ／Ａ変換器１８を
介して、ヒータ制御用のスイッチング素子１４のＯＮ・
ＯＦＦをデューティ制御することにより、ヒータ１２へ
の通電量を制御する。
介して、ヒータ制御用のスイッチング素子１４のＯＮ・
ＯＦＦをデューティ制御することにより、ヒータ１２へ
の通電量を制御する。
【００３５】次にＣＰＵ１５の制御内容をフローチャー
トにより説明する。図４は第１実施形態での素子温度計
測ルーチンのフローチャートであり、所定のクランク角
周期で実行される。
トにより説明する。図４は第１実施形態での素子温度計
測ルーチンのフローチャートであり、所定のクランク角
周期で実行される。
【００３６】ステップ１（図にはＳ１と記す。以下同
様）では、空燃比を検出すべく、センサ出力Ｖｓを読込
み、Ｖaf＝Ｖｓとして、これに基づいて空燃比λを検出
する。この部分が空燃比検出手段に相当すると共に、素
子温度計測用電圧の印加直前のセンサ出力を読込む第１
のセンサ出力読込み手段に相当する。
様）では、空燃比を検出すべく、センサ出力Ｖｓを読込
み、Ｖaf＝Ｖｓとして、これに基づいて空燃比λを検出
する。この部分が空燃比検出手段に相当すると共に、素
子温度計測用電圧の印加直前のセンサ出力を読込む第１
のセンサ出力読込み手段に相当する。
【００３７】ステップ２では、スイッチング素子１３を
ＯＮにして、センサ素子１１への素子温度計測用電圧Ｖ
ccの印加を開始する。すなわち、空燃比検出用のセンサ
出力の読込み直後より、素子温度計測用電圧Ｖccの印加
を開始する。この部分が素子温度計測用電圧印加手段に
相当する。
ＯＮにして、センサ素子１１への素子温度計測用電圧Ｖ
ccの印加を開始する。すなわち、空燃比検出用のセンサ
出力の読込み直後より、素子温度計測用電圧Ｖccの印加
を開始する。この部分が素子温度計測用電圧印加手段に
相当する。
【００３８】ステップ３では、素子温度計測用電圧の印
加開始から第１の所定時間Ｔ１後に、センサ素子１１の
内部抵抗を計測すべく、センサ出力Ｖｓを読込み、Ｖｒ
＝Ｖｓとする。この部分が素子温度計測用電圧の印加中
のセンサ出力を読込む第２のセンサ出力読込み手段に相
当する。
加開始から第１の所定時間Ｔ１後に、センサ素子１１の
内部抵抗を計測すべく、センサ出力Ｖｓを読込み、Ｖｒ
＝Ｖｓとする。この部分が素子温度計測用電圧の印加中
のセンサ出力を読込む第２のセンサ出力読込み手段に相
当する。
【００３９】ステップ４では、電圧印加中のセンサ出力
Ｖｒを電圧印加直前のセンサ出力Ｖafにより補正する。
具体的には、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒから電圧印加
直前のセンサ出力Ｖafを減算して、補正後センサ出力Ｖ
ｒ＝Ｖｒ−Ｖafを求める。この部分がセンサ出力補正手
段に相当する。
Ｖｒを電圧印加直前のセンサ出力Ｖafにより補正する。
具体的には、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒから電圧印加
直前のセンサ出力Ｖafを減算して、補正後センサ出力Ｖ
ｒ＝Ｖｒ−Ｖafを求める。この部分がセンサ出力補正手
段に相当する。
【００４０】ステップ５では、補正後センサ出力Ｖｒに
基づいて、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓを算出する。
この部分が内部抵抗算出手段に相当する。具体的には、
センサ素子１１に流れる電流をｉとし、Ｖｓ＝Ｖｒとす
ると、 Ｖｒ＝ｉ×Ｒｓ Ｖcc−Ｖｒ＝ｉ×Ｒ０ であるので、両式より、 Ｒｓ＝Ｖｒ／〔（Ｖcc−Ｖｒ）／Ｒ０〕 として、内部抵抗Ｒｓを算出する。
基づいて、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓを算出する。
この部分が内部抵抗算出手段に相当する。具体的には、
センサ素子１１に流れる電流をｉとし、Ｖｓ＝Ｖｒとす
ると、 Ｖｒ＝ｉ×Ｒｓ Ｖcc−Ｖｒ＝ｉ×Ｒ０ であるので、両式より、 Ｒｓ＝Ｖｒ／〔（Ｖcc−Ｖｒ）／Ｒ０〕 として、内部抵抗Ｒｓを算出する。
【００４１】ステップ６では、センサ素子１１の内部抵
抗Ｒｓより、テーブルを参照するなどして、素子温度Ｔ
ｓを算出する。素子温度Ｔｓが高くなるほど、内部抵抗
Ｒｓが減少するので、内部抵抗Ｒｓより、素子温度Ｔｓ
を算出可能だからである。この部分が素子温度算出手段
に相当する。
抗Ｒｓより、テーブルを参照するなどして、素子温度Ｔ
ｓを算出する。素子温度Ｔｓが高くなるほど、内部抵抗
Ｒｓが減少するので、内部抵抗Ｒｓより、素子温度Ｔｓ
を算出可能だからである。この部分が素子温度算出手段
に相当する。
【００４２】尚、ステップ４〜ステップ６の部分がセン
サ出力補正手段、内部抵抗算出手段及び素子温度算出手
段を含む素子温度推定手段に相当する。ステップ７で
は、素子温度計測用電圧の印加開始から第２の所定時間
Ｔ２後に、スイッチング素子１３をＯＦＦにすること
で、センサ素子１１への素子温度計測用電圧Ｖccの印加
を停止（終了）する。
サ出力補正手段、内部抵抗算出手段及び素子温度算出手
段を含む素子温度推定手段に相当する。ステップ７で
は、素子温度計測用電圧の印加開始から第２の所定時間
Ｔ２後に、スイッチング素子１３をＯＦＦにすること
で、センサ素子１１への素子温度計測用電圧Ｖccの印加
を停止（終了）する。
【００４３】このような素子温度計測の効果を図５によ
り説明する。空燃比センサのセンサ素子に素子温度計測
用の電圧を印加した場合、センサ出力には、センサ素子
の酸素電池分の出力信号が重畳するので、素子温度が一
定であっても、電圧印加中のセンサ出力が変化する場合
があり、これにより素子温度の推定に際し、推定誤差を
生じる。
り説明する。空燃比センサのセンサ素子に素子温度計測
用の電圧を印加した場合、センサ出力には、センサ素子
の酸素電池分の出力信号が重畳するので、素子温度が一
定であっても、電圧印加中のセンサ出力が変化する場合
があり、これにより素子温度の推定に際し、推定誤差を
生じる。
【００４４】そこで、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒを電
圧印加直前のセンサ出力Ｖafにより補正することで、具
体的には、補正後Ｖｒ＝Ｖｒ−Ｖafとして、酸素電池分
の影響を除去することで、補正後Ｖｒに基づいて内部抵
抗Ｒｓを正しく算出し、素子温度Ｔｓの推定誤差をなく
すのである。
圧印加直前のセンサ出力Ｖafにより補正することで、具
体的には、補正後Ｖｒ＝Ｖｒ−Ｖafとして、酸素電池分
の影響を除去することで、補正後Ｖｒに基づいて内部抵
抗Ｒｓを正しく算出し、素子温度Ｔｓの推定誤差をなく
すのである。
【００４５】また、所定のクランク角周期でセンサ出力
を読込んで空燃比を検出する場合に、空燃比検出用のセ
ンサ出力の読込み直後に、センサ素子に素子温度計測用
電圧を印加することで、高回転時などに空燃比検出タイ
ミングにて電圧印加中のために空燃比を検出できない回
数を最小にでき、空燃比制御性能への影響を最小にする
ことができると共に、電圧印加直前のセンサ出力の読込
みを空燃比検出用のもので代用できる。
を読込んで空燃比を検出する場合に、空燃比検出用のセ
ンサ出力の読込み直後に、センサ素子に素子温度計測用
電圧を印加することで、高回転時などに空燃比検出タイ
ミングにて電圧印加中のために空燃比を検出できない回
数を最小にでき、空燃比制御性能への影響を最小にする
ことができると共に、電圧印加直前のセンサ出力の読込
みを空燃比検出用のもので代用できる。
【００４６】図６はヒータ制御ルーチンのフローチャー
トであり、所定時間毎に実行される。本ルーチンがヒー
タ通電量制御手段に相当する。ステップ１０１では、図
４のルーチンにより算出されている最新の素子温度Ｔｓ
を読込む。
トであり、所定時間毎に実行される。本ルーチンがヒー
タ通電量制御手段に相当する。ステップ１０１では、図
４のルーチンにより算出されている最新の素子温度Ｔｓ
を読込む。
【００４７】ステップ１０２では、実際の素子温度Ｔｓ
と目標温度との偏差に応じて、周知のＰＩＤ制御によ
り、素子温度Ｔｓを目標温度に近づけるように、ヒータ
デューティＨＤＵＴＹ（％）を算出する。
と目標温度との偏差に応じて、周知のＰＩＤ制御によ
り、素子温度Ｔｓを目標温度に近づけるように、ヒータ
デューティＨＤＵＴＹ（％）を算出する。
【００４８】具体的には、実際の素子温度Ｔｓが目標温
度より低い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割
合）を増大させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹ
を増大させ、逆に、実際の素子温度Ｔｓが目標温度より
高い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割合）を
減少させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹを減少
させる。
度より低い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割
合）を増大させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹ
を増大させ、逆に、実際の素子温度Ｔｓが目標温度より
高い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割合）を
減少させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹを減少
させる。
【００４９】ステップ１０３では、算出されたヒータデ
ューティＨＤＵＴＹを出力し、これによりスイッチング
素子１４のＯＮ・ＯＦＦでヒータ１２への通電量を制御
して、素子温度Ｔｓを目標温度に収束させる。
ューティＨＤＵＴＹを出力し、これによりスイッチング
素子１４のＯＮ・ＯＦＦでヒータ１２への通電量を制御
して、素子温度Ｔｓを目標温度に収束させる。
【００５０】尚、上記実施形態では、センサ素子１１の
内部抵抗Ｒｓを計測し、これに基づいて素子温度Ｔｓを
算出し、ヒータ制御に際して、素子温度Ｔｓが目標温度
となるようにフィードバック制御するようにしている
が、内部抵抗Ｒｓにより素子温度Ｔｓが定まるので、素
子温度Ｔｓを算出することなく、ヒータ制御に際して、
内部抵抗Ｒｓが目標内部抵抗となるようにフィードバッ
ク制御するようにしてもよい。
内部抵抗Ｒｓを計測し、これに基づいて素子温度Ｔｓを
算出し、ヒータ制御に際して、素子温度Ｔｓが目標温度
となるようにフィードバック制御するようにしている
が、内部抵抗Ｒｓにより素子温度Ｔｓが定まるので、素
子温度Ｔｓを算出することなく、ヒータ制御に際して、
内部抵抗Ｒｓが目標内部抵抗となるようにフィードバッ
ク制御するようにしてもよい。
【００５１】このようにする場合は、実際の内部抵抗Ｒ
ｓが目標内部抵抗より大きいときに、素子温度が低いの
で、ヒータ１２への通電量を増大させるように、ヒータ
デューティＨＤＵＴＹを増大させ、逆に、実際の内部抵
抗Ｒｓが目標内部抵抗より小さいときに、素子温度が高
いので、ヒータ１２への通電量を減少させるように、ヒ
ータデューティＨＤＵＴＹを減少させる。
ｓが目標内部抵抗より大きいときに、素子温度が低いの
で、ヒータ１２への通電量を増大させるように、ヒータ
デューティＨＤＵＴＹを増大させ、逆に、実際の内部抵
抗Ｒｓが目標内部抵抗より小さいときに、素子温度が高
いので、ヒータ１２への通電量を減少させるように、ヒ
ータデューティＨＤＵＴＹを減少させる。
【００５２】次に本発明の他の実施形態について説明す
る。図７は第２実施形態での素子温度計測ルーチンのフ
ローチャートであり、図４のフローに代えて実行され
る。
る。図７は第２実施形態での素子温度計測ルーチンのフ
ローチャートであり、図４のフローに代えて実行され
る。
【００５３】ステップ１〜ステップ３は図４のフローと
同じであり、ステップ４は省略される。従って、ステッ
プ５では、補正無しの電圧印加中のセンサ出力Ｖｒに基
づいて、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓを算出する（内
部抵抗算出手段）。
同じであり、ステップ４は省略される。従って、ステッ
プ５では、補正無しの電圧印加中のセンサ出力Ｖｒに基
づいて、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓを算出する（内
部抵抗算出手段）。
【００５４】その代わりに、内部抵抗補正手段として、
ステップ５１，５２が追加される。ステップ５１では、
電圧印加直前のセンサ出力Ｖafから内部抵抗Ｒｓに対す
る補正値（Ｒｓ補正値）を算出する。
ステップ５１，５２が追加される。ステップ５１では、
電圧印加直前のセンサ出力Ｖafから内部抵抗Ｒｓに対す
る補正値（Ｒｓ補正値）を算出する。
【００５５】ステップ５２では、ステップ５にて算出し
た内部抵抗Ｒｓをステップ５１にて算出したＲｓ補正値
により補正する。ここでの補正は、電圧印加直前のセン
サ出力Ｖafが大きいほど、内部抵抗Ｒｓが実際より大き
く算出されてしまうので、電圧印加直前のセンサ出力Ｖ
afが大きいほど、内部抵抗Ｒｓを小さくする方向に補正
する。
た内部抵抗Ｒｓをステップ５１にて算出したＲｓ補正値
により補正する。ここでの補正は、電圧印加直前のセン
サ出力Ｖafが大きいほど、内部抵抗Ｒｓが実際より大き
く算出されてしまうので、電圧印加直前のセンサ出力Ｖ
afが大きいほど、内部抵抗Ｒｓを小さくする方向に補正
する。
【００５６】そして、ステップ６では、センサ素子１１
の内部抵抗Ｒｓ（補正後Ｒｓ）より、テーブルを参照す
るなどして、素子温度Ｔｓを算出する（素子温度算出手
段）。ステップ７については、図４のフローと同じであ
る。
の内部抵抗Ｒｓ（補正後Ｒｓ）より、テーブルを参照す
るなどして、素子温度Ｔｓを算出する（素子温度算出手
段）。ステップ７については、図４のフローと同じであ
る。
【００５７】図８は第３実施形態での素子温度計測ルー
チンのフローチャートであり、図４のフローに代えて実
行される。ステップ１〜ステップ３は図４のフローと同
じであり、ステップ４は省略される。
チンのフローチャートであり、図４のフローに代えて実
行される。ステップ１〜ステップ３は図４のフローと同
じであり、ステップ４は省略される。
【００５８】従って、ステップ５では、補正無しの電圧
印加中のセンサ出力Ｖｒに基づいて、センサ素子１１の
内部抵抗Ｒｓを算出し（内部抵抗算出手段）、ステップ
６では、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓより、テーブル
を参照するなどして、素子温度Ｔｓを算出する（素子温
度算出手段）。
印加中のセンサ出力Ｖｒに基づいて、センサ素子１１の
内部抵抗Ｒｓを算出し（内部抵抗算出手段）、ステップ
６では、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓより、テーブル
を参照するなどして、素子温度Ｔｓを算出する（素子温
度算出手段）。
【００５９】その代わりに、素子温度補正手段として、
ステップ６１，６２が追加される。ステップ６１では、
電圧印加直前のセンサ出力Ｖafから素子温度Ｔｓに対す
る補正値（Ｔｓ補正値）を算出する。
ステップ６１，６２が追加される。ステップ６１では、
電圧印加直前のセンサ出力Ｖafから素子温度Ｔｓに対す
る補正値（Ｔｓ補正値）を算出する。
【００６０】ステップ６２では、ステップ６にて算出し
た素子温度Ｔｓをステップ６１にて算出したＴｓ補正値
により補正する。ここでの補正は、電圧印加直前のセン
サ出力Ｖafが大きいほど、内部抵抗Ｒｓが実際より大き
く算出されて、素子温度Ｔｓが実際より低く算出されて
しまうので、電圧印加直前のセンサ出力Ｖafが大きいほ
ど、素子温度Ｔｓを高くする方向に補正する。
た素子温度Ｔｓをステップ６１にて算出したＴｓ補正値
により補正する。ここでの補正は、電圧印加直前のセン
サ出力Ｖafが大きいほど、内部抵抗Ｒｓが実際より大き
く算出されて、素子温度Ｔｓが実際より低く算出されて
しまうので、電圧印加直前のセンサ出力Ｖafが大きいほ
ど、素子温度Ｔｓを高くする方向に補正する。
【００６１】従って、ヒータ制御等には、補正された素
子温度Ｔｓ（補正後Ｔｓ）を用いる。ステップ７につい
ては、図４のフローと同じである。このような第２実施
形態及び第３実施形態においても、第１実施形態と同等
の効果が得られる。
子温度Ｔｓ（補正後Ｔｓ）を用いる。ステップ７につい
ては、図４のフローと同じである。このような第２実施
形態及び第３実施形態においても、第１実施形態と同等
の効果が得られる。
【図１】 本発明の構成を示す機能ブロック図
【図２】 本発明の実施形態を示すエンジンの空燃比フ
ィードバック制御装置のシステム図
ィードバック制御装置のシステム図
【図３】 空燃比センサのセンサ素子及びヒータに対す
る制御回路図
る制御回路図
【図４】 素子温度計測ルーチン（第１実施形態）のフ
ローチャート
ローチャート
【図５】 素子温度計測のタイムチャート
【図６】 ヒータ制御ルーチンのフローチャート
【図７】 第２実施形態での素子温度計測ルーチンのフ
ローチャート
ローチャート
【図８】 第３実施形態での素子温度計測ルーチンのフ
ローチャート
ローチャート
１ エンジン ３ 燃料噴射弁 ４ コントロールユニット ７ 排気通路 ８ 空燃比センサ １１ センサ素子 １２ ヒータ １３ スイッチング素子 １４ スイッチング素子 １５ ＣＰＵ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｋ 7/20 Ｇ０１Ｎ 27/58 Ｂ
Claims (9)
- 【請求項１】内燃機関の排気系に装着される空燃比セン
サの素子温度計測装置であって、 空燃比センサのセンサ素子に素子温度計測用の所定の電
圧を一時的に印加する素子温度計測用電圧印加手段と、 前記電圧印加直前のセンサ出力を読込む第１のセンサ出
力読込み手段と、 前記電圧印加中のセンサ出力を読込む第２のセンサ出力
読込み手段と、 前記電圧印加直前のセンサ出力と前記電圧印加中のセン
サ出力とに基づいて、空燃比センサの素子温度を推定す
る素子温度推定手段と、 を含んで構成されることを特徴とする空燃比センサの素
子温度計測装置。 - 【請求項２】前記素子温度推定手段は、前記電圧印加中
のセンサ出力に基づき、前記電圧印加直前のセンサ出力
を補正パラメータとして、空燃比センサの素子温度を推
定することを特徴とする請求項１記載の空燃比センサの
素子温度計測装置。 - 【請求項３】前記素子温度推定手段は、前記電圧印加中
のセンサ出力を前記電圧印加直前のセンサ出力により補
正するセンサ出力補正手段を有し、補正されたセンサ出
力に基づいて、空燃比センサの素子温度を推定すること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の空燃比センサ
の素子温度計測装置。 - 【請求項４】前記素子温度推定手段は、 前記電圧印加中のセンサ出力を前記電圧印加直前のセン
サ出力により補正するセンサ出力補正手段と、 補正されたセンサ出力に基づいてセンサ素子の内部抵抗
を算出する内部抵抗算出手段と、 算出された内部抵抗に基づいて素子温度を算出する素子
温度算出手段と、 を含んで構成されることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の空燃比センサの素子温度計測装置。 - 【請求項５】前記センサ出力補正手段は、前記電圧印加
中のセンサ出力から前記電圧印加直前のセンサ出力を減
算して、補正後センサ出力を算出することを特徴とする
請求項３又は請求項４記載の空燃比センサの素子温度計
測装置。 - 【請求項６】前記素子温度推定手段は、 前記電圧印加中のセンサ出力に基づいてセンサ素子の内
部抵抗を算出する内部抵抗算出手段と、 算出された内部抵抗を前記電圧印加直前のセンサ出力に
基づいて補正する内部抵抗補正手段と、 補正された内部抵抗に基づいて素子温度を算出する素子
温度算出手段と、 を含んで構成されることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の空燃比センサの素子温度計測装置。 - 【請求項７】前記素子温度推定手段は、 前記電圧印加中のセンサ出力に基づいてセンサ素子の内
部抵抗を算出する内部抵抗算出手段と、 算出された内部抵抗に基づいて素子温度を算出する素子
温度算出手段と、 算出された素子温度を前記電圧印加直前のセンサ出力に
基づいて補正する素子温度補正手段と、 を含んで構成されることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の空燃比センサの素子温度計測装置。 - 【請求項８】前記第１のセンサ出力読込み手段は、空燃
比を検出するために、所定の周期で、センサ出力を読込
む空燃比検出手段であり、 前記素子温度計測用電圧印加手段は、前記第１のセンサ
出力読込み手段のセンサ出力読込み直後に、センサ素子
に素子温度計測用の所定の電圧を印加することを特徴と
する請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載の空燃比
センサの素子温度計測装置。 - 【請求項９】請求項１〜請求項８のいずれか１つに記載
の空燃比センサの素子温度計測装置を備える一方、 空燃比センサに備えられるセンサ素子加熱用のヒータに
対し、素子温度が目標温度となるように、ヒータへの通
電量をフィードバック制御するヒータ通電量制御手段を
設けたことを特徴とする空燃比センサのヒータ制御装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000144427A JP3764841B2 (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 空燃比センサの素子温度計測装置及びヒータ制御装置 |
| US09/853,872 US6712054B2 (en) | 2000-05-17 | 2001-05-14 | Device and method for measuring element temperature of air-fuel ratio sensor, and device and method for controlling heater of air-fuel ratio sensor |
| DE10124129A DE10124129A1 (de) | 2000-05-17 | 2001-05-17 | Vorrichtung und Verfahren zum Messen der Elementtemperatur eines Luft-/Kraftstoffverhältnissensors und Vorrichtung und Verfahren zum Steuern der Heizvorrichung eines Luft-/Kraftstoffverhälntissensors |
| US10/806,183 US7017567B2 (en) | 2000-05-17 | 2004-03-23 | Device and method for measuring element temperature of air-fuel ratio sensor, and device and method for controlling heater of air-fuel ratio sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000144427A JP3764841B2 (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 空燃比センサの素子温度計測装置及びヒータ制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001324469A true JP2001324469A (ja) | 2001-11-22 |
| JP3764841B2 JP3764841B2 (ja) | 2006-04-12 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000144427A Expired - Fee Related JP3764841B2 (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 空燃比センサの素子温度計測装置及びヒータ制御装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3764841B2 (ja) |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| WO2003083464A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif et procede de commande de temperature destines a un capteur de gaz d'echappement |
| WO2003089919A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif et procede destines a reguler la temperature d'un capteur de gaz d'echappement, et support d'enregistrement destine a un programme de regulation de la temperature d'un capteur de gaz d'echappement |
| WO2004010129A1 (ja) * | 2002-07-22 | 2004-01-29 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | 排ガスセンサの温度制御装置およびその温度制御方法、並びに排ガスセンサの温度制御用プログラムの記録媒体 |
| US7017567B2 (en) * | 2000-05-17 | 2006-03-28 | Hitachi, Ltd. | Device and method for measuring element temperature of air-fuel ratio sensor, and device and method for controlling heater of air-fuel ratio sensor |
| JP2013190296A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 酸素センサ制御装置 |
-
2000
- 2000-05-17 JP JP2000144427A patent/JP3764841B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7305299B2 (en) | 2002-04-22 | 2007-12-04 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Device and method of controlling exhaust gas sensor temperature, and recording medium for exhaust gas sensor temperature control program |
| WO2004010129A1 (ja) * | 2002-07-22 | 2004-01-29 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | 排ガスセンサの温度制御装置およびその温度制御方法、並びに排ガスセンサの温度制御用プログラムの記録媒体 |
| US7490596B2 (en) | 2002-07-22 | 2009-02-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Device and method of controlling exhaust gas sensor temperature, and recording medium for exhaust gas sensor temperature control program |
| US7765996B2 (en) | 2002-07-22 | 2010-08-03 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Device and method of controlling exhaust gas sensor temperature, and recording medium for exhaust gas sensor temperature control program |
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