JP2001305534A - Reflector and reflective display element using the same - Google Patents
Reflector and reflective display element using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高輝度が実現でき
る反射板及び反射型表示素子に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a reflection plate and a reflection type display device capable of realizing high luminance.
【0002】[0002]
【従来の技術】モバイル端末等の急速な普及に伴い、反
射型パネルが注目されている。反射型パネルの高輝度化
を図る手法として、反射層の表面に凹凸構造を有する散
乱反射板が提案されており(特開平5−232465号
公報)、互いに独立した凸部上に平坦化層を積層した構
成を用いていた。2. Description of the Related Art With the rapid spread of mobile terminals and the like, reflective panels are receiving attention. As a technique for increasing the brightness of the reflective panel, a scattering reflector having an uneven structure on the surface of the reflective layer has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 5-232465). A stacked configuration was used.
【0003】また、特開平11−258596号公報で
は、生産工程を削減するためTFT素子や周辺配線を形
成するプロセスを利用して凹凸構造を形成する手法が開
示されており、当該公報には、柱状突起物を複数層積層
して凹凸構造が形成されていた。Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-258596 discloses a method of forming a concavo-convex structure using a process of forming a TFT element and a peripheral wiring in order to reduce the number of production steps. An uneven structure was formed by laminating a plurality of columnar projections.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】パネルの高輝度化を図
るためには、凹凸構造の制御が重要であり、当該凹凸構
造の傾斜面の平均傾斜角分布は、最大6°〜15°程度
で設計する必要がある。In order to increase the brightness of the panel, it is important to control the uneven structure. The average inclination angle distribution of the inclined surface of the uneven structure is a maximum of about 6 ° to 15 °. Need to design.
【0005】従来は、アレイ基板上に平坦化層を形成し
た後、感光性レジストで凸部を一層形成し、さらに熱ア
ニールで形状が変わる平坦化層を積層して形状制御を行
っていた。Conventionally, after a flattening layer is formed on an array substrate, one convex portion is formed with a photosensitive resist, and further, a flattening layer whose shape is changed by thermal annealing is laminated to control the shape.
【0006】このように、従来はアレイ基板上にTFT
素子、ゲート、ソース等の周辺配線を形成した後にレジ
ストを積層する構成のため製造工程が複雑で生産性に課
題があった(特開平5−232465号公報)。As described above, conventionally, a TFT is provided on an array substrate.
Since the peripheral wiring such as an element, a gate, and a source is formed and then a resist is laminated, the manufacturing process is complicated and there is a problem in productivity (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 5-232465).
【0007】一方、TFT素子や周辺配線を形成するプ
ロセスを利用して凹凸構造を形成する場合(11−25
8596号公報)、工程に応じて凸部を複数積層する必
要がある。しかし、製造時にはマスク合わせのずれが必
ず発生するため、独立した柱状凸部を用いると凸部が均
等に積層されず所望の凹凸構造を得るのが困難であっ
た。On the other hand, when a concavo-convex structure is formed by using a process for forming a TFT element and a peripheral wiring (11-25)
No. 8596), it is necessary to laminate a plurality of convex portions depending on the process. However, misalignment of the mask is inevitably caused during the manufacturing. Therefore, if independent columnar projections are used, the projections are not evenly stacked, and it is difficult to obtain a desired uneven structure.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、凹凸構造を有する反射層を有する表示素
子において、以下の手段を講じた。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention takes the following measures in a display element having a reflective layer having an uneven structure.
【0009】即ち、請求項1記載の発明は、反射板であ
って、基板と、前記基板上に形成された凹凸構造を有す
る反射層と、を有し、前記凹凸構造は、前記基板上に形
成された複数の帯状の薄膜パターンが互いに交差するこ
とにより形成されてなることを特徴とする。That is, the invention according to claim 1 is a reflection plate, comprising a substrate and a reflection layer having an uneven structure formed on the substrate, wherein the uneven structure is provided on the substrate. It is characterized by being formed by a plurality of formed strip-shaped thin film patterns crossing each other.
【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載の反
射板であって、前記薄膜パターンが互いに交差する交差
部では、凸部が積層されてなることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided the reflector according to the first aspect, wherein convex portions are laminated at intersections where the thin film patterns intersect each other.
【0011】前記構成とすることにより、帯状の薄膜パ
ターンが互いに交差する構成とされているので、所望の
凹凸構造を得ることができ、特に、交差する交差部で凸
部が積層されて凸部頂点を構成すれば、より所望の凹凸
構造を得ることができる。With the above structure, the strip-shaped thin film patterns are configured to intersect each other, so that a desired uneven structure can be obtained. If a vertex is formed, a more desired uneven structure can be obtained.
【0012】請求項3記載の発明は、請求項1記載の反
射板であって、前記薄膜パターンが互いに交差する交差
部の形状は、凹部であることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided the reflector according to the first aspect, wherein the shape of the intersection where the thin film patterns intersect each other is a concave portion.
【0013】前記構成とすることによっても、所望の凹
凸構造を得ることができる。With the above-described configuration, a desired uneven structure can be obtained.
【0014】請求項4記載の発明は、請求項1記載の反
射板であって、前記薄膜パターンはメッシュ状であるこ
とを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the reflector according to the first aspect, wherein the thin film pattern has a mesh shape.
【0015】前記構成のように、薄膜パターンがメッシ
ュ形状であると、マスク合わせのずれ等により帯状の薄
膜パターンが上下の層で位置ずれしても交点位置が多少
移動するのみで薄膜パターンの交点の形状自体はほぼ一
定に保たれる。このためマスクずれが発生しても反射板
は、ほぼ均一の反射特性を示すことができ生産性が大幅
に向上する。As described above, when the thin film pattern has a mesh shape, even if the strip-shaped thin film pattern is displaced between the upper and lower layers due to misalignment of the mask or the like, the intersection point moves only slightly, but the intersection of the thin film pattern does not move. The shape itself is kept substantially constant. Therefore, even if a mask shift occurs, the reflection plate can exhibit substantially uniform reflection characteristics, and productivity is greatly improved.
【0016】請求項5記載の発明は、請求項1記載の反
射板であって、前記薄膜パターンの間隔は一定でないこ
とを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the reflector according to the first aspect, wherein an interval between the thin film patterns is not constant.
【0017】前記構成とすることにより、帯状の薄膜パ
ターンの隣り合う間隔をランダムに設定することで、反
射光の回折や干渉が抑制され良好な表示が得られる。According to the above configuration, by setting the interval between adjacent strip-shaped thin film patterns at random, diffraction and interference of reflected light are suppressed, and a good display is obtained.
【0018】請求項6記載の発明は、請求項1記載の反
射板であって、前記基板上には、更にアクティブ素子が
形成されており、前記薄膜パターンは、前記アクティブ
素子を構成する薄膜により形成されてなることを特徴と
する。The invention according to claim 6 is the reflector according to claim 1, wherein an active element is further formed on the substrate, and the thin film pattern is formed by a thin film constituting the active element. It is characterized by being formed.
【0019】請求項7記載の発明は、請求項1記載の反
射板であって、前記基板上には、更にアクティブ素子が
形成されており、前記薄膜パターンは、前記アクティブ
素子を形成する工程により同時に形成されてなることを
特徴とする。The invention according to claim 7 is the reflector according to claim 1, wherein an active element is further formed on the substrate, and the thin film pattern is formed by a step of forming the active element. It is characterized by being formed simultaneously.
【0020】このように構成することにより、帯状の薄
膜パターンは、アレイ基板上のTFT素子、及び周辺配
線を形成するプロセス工程を用いて形成することもで
き、この場合、生産性が更に向上する。With this configuration, the strip-shaped thin film pattern can be formed by using a process for forming the TFT elements on the array substrate and the peripheral wiring, and in this case, the productivity is further improved. .
【0021】請求項8記載の発明は、反射型表示素子で
あって、請求項1〜請求項7記載の反射板と、前記反射
板上に設けられ光の吸収量を制御する光制御手段と、を
有することを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a reflection type display device, wherein the reflection plate according to any one of the first to seventh aspects, and a light control means provided on the reflection plate for controlling a light absorption amount. , Is characterized by having.
【0022】前記構成とすることにより、反射型表示素
子の生産性が大幅に向上するため低コストで高輝度な反
射型表示素子が実現できる。By adopting the above-described structure, the productivity of the reflective display device is greatly improved, and a low-cost, high-brightness reflective display device can be realized.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下では、本発明の反射型表示素
子(反射型液晶表示素子)について図面を用いて説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a reflection type display device (reflection type liquid crystal display device) of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0024】(実施の形態1)図1は、実施の形態1に
係る液晶表示素子を構成するアレイ基板110の上面図
を示す。ゲートライン100、ソースライン101上に
反射層106が形成されている。(Embodiment 1) FIG. 1 is a top view of an array substrate 110 constituting a liquid crystal display device according to Embodiment 1. FIG. The reflection layer 106 is formed on the gate line 100 and the source line 101.
【0025】反射層106の下方には、薄膜パターンで
ある第1の凸部102及び第2の凸部103が互いに交
差したメッシュ形状に形成されている。また、メッシュ
の間には凹部104が存在する。また、メッシュの間隔
はランダムとし、光の回折、干渉等が発生しない構成に
なっている。Below the reflective layer 106, a first convex portion 102 and a second convex portion 103, which are thin film patterns, are formed in a mesh shape crossing each other. In addition, concave portions 104 exist between the meshes. Also, the mesh spacing is random, so that light diffraction, interference and the like do not occur.
【0026】前記第1の凸部102と前記第2の凸部1
03との交差部には、2層が積層されて反射面上で最も
高い凸部交点107が形成される。図2は、前記第1の
凸部102と前記第2の凸部103とが交差するところ
を示した概念図である。凸部交点107で2層が積層さ
れ段差が最も大きくなる。The first convex portion 102 and the second convex portion 1
At the intersection with 03, two layers are stacked to form the highest convex intersection 107 on the reflection surface. FIG. 2 is a conceptual diagram showing where the first convex portion 102 and the second convex portion 103 intersect. Two layers are stacked at the convex intersection point 107, and the step becomes the largest.
【0027】そして、図3に示すように、同構成上に平
坦化層108を積層した後、該平坦化膜108上に反射
層106を設けると平坦化層108により凸部と凹部が
なだらかになり、凸部頂点107と凹部104を中心に
凹凸構造が形成され、反射層106の凹凸が形成され
る。Then, as shown in FIG. 3, after a planarizing layer 108 is laminated on the same structure, and a reflective layer 106 is provided on the planarizing film 108, the convex and concave portions are smoothly formed by the planarizing layer 108. Thus, an uneven structure is formed around the peaks 107 and the recesses 104, and the unevenness of the reflective layer 106 is formed.
【0028】反射面の凸部を上記のように帯状凸部と
し、さらに複数層を交差する形状で積層して形成する
と、交差部には必ず反射面から最も高い凸部交点が10
7が形成される。本構成ではマスク合わせがずれても凸
部交点の形状はほぼ同一に保たれ生産性が向上する。例
えば第1の凸部102に対して、上層の第2の凸部10
3が位置合わせのずれで図1の右方向に移動した場合を
考える。このとき、凸部交点107の位置は変わらない
ため反射性能も同一である。また、同上方にずれたとし
ても、凸部交点が全体的に上方にずれるのみであり反射
面全体の反射性能はほぼ同一である。したがってマスク
合わせのずれによる不良が大幅に低減し生産性が向上す
る。When the convex portion of the reflecting surface is formed as a band-shaped convex portion as described above, and a plurality of layers are laminated and formed in an intersecting shape, the intersection of the highest convex portion from the reflecting surface must be 10 at the intersection.
7 is formed. In this configuration, even if the mask is misaligned, the shape of the intersection of the convex portions is kept substantially the same, and the productivity is improved. For example, with respect to the first convex portion 102, the second convex portion 10 in the upper layer
Consider a case where 3 moves rightward in FIG. 1 due to misalignment. At this time, since the position of the convex intersection 107 does not change, the reflection performance is the same. Further, even if it shifts upward, the intersection of the convex portions only shifts upward as a whole, and the reflection performance of the entire reflecting surface is almost the same. Therefore, defects due to misalignment of the mask are greatly reduced, and productivity is improved.
【0029】図4は本実施の形態1の別形態を示す図で
ある。第1の凸部112、及び第2の凸部113を曲線
から成る帯状で形成することを特徴とする。凸部を曲線
状にすると、特に凹部114の形状が多様となり所望の
反射特性の実現がより容易になる。これは凹部の形状が
多様であると平坦化層を積層した後の傾斜角分布の制御
がより容易になるからである。また、凸部を曲線で構成
しても第1の凸部112どおし、及び第2の凸部113
どおしが、それぞれ交差しない形状とすれば、上記と同
様にマスクずれが発生しても反射性能はほぼ同等とな
る。また、凸部を曲線とした方が、反射光の回折、干渉
が生じ難い。これは、帯状凸部の上下左右、及び斜め方
向の対照性が大幅に低減するためである。FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the first embodiment. The first and second convex portions 112 and 113 are characterized by being formed in a belt shape formed of a curved line. When the convex portion is curved, the shape of the concave portion 114 is particularly diversified, so that desired reflection characteristics can be more easily realized. This is because if the shape of the concave portion is various, it becomes easier to control the inclination angle distribution after the flattening layer is laminated. Further, even if the convex portion is formed by a curved line, the first convex portion 112 and the second convex portion 113 are formed.
If the ridges do not intersect with each other, the reflection performance will be substantially the same even if a mask shift occurs as described above. Further, when the convex portions are curved, diffraction and interference of reflected light are less likely to occur. This is because the contrast of the belt-shaped convex portion in the vertical, horizontal, and oblique directions is significantly reduced.
【0030】当然ながら、凸部の間隔をランダムにする
と、反射光の回折、干渉が更に生じ難い効果が得られ
る。Naturally, if the interval between the convex portions is made random, an effect that diffraction and interference of the reflected light are more unlikely to be obtained can be obtained.
【0031】次に、本発明の実施の形態1の具体例を、
図1、図2、図3を用いて説明する。Next, a specific example of the first embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIGS.
【0032】アレイ基板上に、TFT素子、ゲート配
線、及びソース配線等を形成するプロセスを利用して、
基板110上に凸部を形成した。このとき、第1の凸構
造102をゲート酸化膜形成と同一工程を用いて、幅1
0μm、高さ0.5μmのストライプの帯状に形成し
た。次に第2の凸構造103を、ソース配線形成と同一
工程を用いて、幅10μm、高さ0.5μmのストライ
プの帯状に形成した。このとき、凸部交点は2層が積層
されて段差は1μmであった。このようにアレイ基板を
作成するプロセスを利用して、TFT素子、及び周辺配
線等の材料と同一の材料を用いて帯状凸部を形成する
と、製造工程が簡略化され生産性が向上する。Using a process for forming a TFT element, a gate wiring, a source wiring and the like on an array substrate,
Protrusions were formed on the substrate 110. At this time, the first convex structure 102 is formed to have a width of 1 by using the same process as that for forming the gate oxide film.
It was formed in a stripe shape of 0 μm and 0.5 μm in height. Next, the second convex structure 103 was formed in a stripe shape having a width of 10 μm and a height of 0.5 μm by using the same process as the formation of the source wiring. At this time, two layers were stacked at the projection intersection, and the step was 1 μm. When the belt-like convex portions are formed using the same material as the TFT element and the peripheral wiring by using the process of preparing the array substrate, the manufacturing process is simplified and the productivity is improved.
【0033】次に平坦化層108を層厚0.5μmで積
層し、熱アニールで形状を溶かして所望の傾斜角とした
後、Alを用いて反射層106を形成した。このときの
反射層106の平均傾斜角は最大で約11°であった。Next, a flattening layer 108 was laminated with a layer thickness of 0.5 μm, the shape was melted by thermal annealing to a desired inclination angle, and then a reflective layer 106 was formed using Al. At this time, the average inclination angle of the reflective layer 106 was about 11 ° at the maximum.
【0034】上記アレイ基板と対向基板を用いて液晶表
示素子を作成した。素子の反射率は36%であり高輝度
なパネルが実現できた。A liquid crystal display device was prepared using the array substrate and the counter substrate. The reflectivity of the device was 36%, and a high-luminance panel was realized.
【0035】マスク合わせに対するマージンを調べるた
め、第2の凸構造103を形成する際のマスクを故意に
ずらして、従来との反射率を比較した。In order to examine a margin for mask alignment, the reflectance at the time of forming the second convex structure 103 was intentionally shifted, and the reflectance was compared with that of the related art.
【0036】従来の柱状凸部の場合、第1の凸構造10
2の径が10μmの場合、ずれが2μm以上となると柱
形状が非対称となり、結果として所望の傾斜角分布が得
られなかった。このため反射性能は大きく低減した。ま
た、パネル内でずれ方が異なるため、パネル内で輝度ム
ラが発生した。In the case of the conventional columnar convex portion, the first convex structure 10
In the case where the diameter of No. 2 was 10 μm, if the deviation was 2 μm or more, the columnar shape became asymmetric, and as a result, a desired inclination angle distribution could not be obtained. For this reason, the reflection performance was greatly reduced. In addition, since the displacement was different in the panel, luminance unevenness occurred in the panel.
【0037】また、製造ラインで大判のガラス基板で作
成すると、ガラス内のパネル子片の位置で、マスクずれ
が更に大きくなり同一の表示性能のパネルが得られなか
った。Further, when a large-sized glass substrate is formed on a production line, the mask shift is further increased at the position of the panel piece in the glass, and a panel having the same display performance cannot be obtained.
【0038】一方、本発明の構成によれば、マスク位置
が10μm程度ずれても凸部交点107の位置が全体的
に移動するだけで、反射性能はほぼ同様であった。この
ため生産性が大幅に向上した。On the other hand, according to the structure of the present invention, even if the mask position is shifted by about 10 μm, only the position of the convex intersection 107 moves, but the reflection performance is almost the same. As a result, productivity has been greatly improved.
【0039】凸構造は上記例によらずアレイプロセスの
任意の層形成と兼用して形成できる。例えばa−Si層
と兼用しても良い。層数は2層以上でも良い。The convex structure can be formed not only in the above-mentioned example but also in combination with the formation of an arbitrary layer in the array process. For example, it may be used also as an a-Si layer. The number of layers may be two or more.
【0040】また、アレイプロセスと兼用せず、ソー
ス、ゲート等の上に平坦化層を形成した後、感光性レジ
ストを用いて凸部を形成しても同様の表示性能が得られ
る。The same display performance can be obtained by forming a planarization layer on a source, a gate, and the like without using the array process, and then forming a projection using a photosensitive resist.
【0041】凸構造は、上記のストライプ構成以外に図
4で示した曲線構成、またはストライプと曲線を混合し
て用いても良い。例えば画素内は曲線とし、コンタクト
ホール105の近辺のみストライプ構成とすると凸部を
効率的に配置することができる。また、曲線構成のとき
はコンタクトホール105の形状を隣接する曲線構成に
応じて曲線で構成しても凸部を効率的に配置できる。凸
部を効率的に配置すると傾斜角が小さい平坦な領域が減
少し反射率が向上する。The convex structure may have a curved structure shown in FIG. 4 or a mixture of a stripe and a curve in addition to the above-mentioned stripe structure. For example, if the inside of the pixel is a curve and only the vicinity of the contact hole 105 is a stripe configuration, the convex portions can be efficiently arranged. Further, in the case of a curved configuration, the convex portions can be efficiently arranged even if the shape of the contact hole 105 is configured by a curve according to the adjacent curved configuration. Efficiently arranging the convex portions reduces the flat region having a small inclination angle and improves the reflectance.
【0042】平坦化層の層厚は、上記の0.5μm以外
に2μm程度以下で形成できる。層厚は凸部の最大段差
の大きさ、凹部の大きさと形状、及び凸部の上面形状に
応じて任意に選ぶことができる。The thickness of the flattening layer can be formed to be about 2 μm or less in addition to the above-mentioned 0.5 μm. The layer thickness can be arbitrarily selected according to the size of the maximum step of the convex portion, the size and shape of the concave portion, and the top shape of the convex portion.
【0043】上記例では、反射層を全面に形成した反射
型液晶表示素子としたが、これは反射層に開口窓を設け
た半透過型液晶表示素子でも良い。このとき、開口窓の
形状は円形、正方形状、長方形状以外にも隣接する帯状
凸部の構成に応じて輪郭を変えることで凸部を効率的に
配置できる。In the above example, the reflection type liquid crystal display device has a reflection layer formed on the entire surface. However, this may be a transflective type liquid crystal display device having an opening window in the reflection layer. At this time, the shape of the opening window can be efficiently arranged by changing the contour according to the configuration of the adjacent band-shaped convex portion in addition to the circular, square, or rectangular shape.
【0044】上記例では帯状凸部を用いて凹凸構造を形
成したが、図5に示すような構成の凹凸構造であっても
良い。図5(a)は、アレイ基板の他の構成を示す概念
図、図5(b)は、図5(a)の部分断面図である。即
ち、基板120上に例えばゲート絶縁膜121を成膜
し、該ゲート絶縁膜121をフォトリソグラフィーとエ
ッチング技術等により、マトリクス状に凸部121a…
を有する(帯状の凹部121b…を有する)ように構成
しても良い。また帯状の凸部と凹部とを混合して用いて
も良い。In the above example, the concavo-convex structure is formed using the band-shaped convex portions. However, a concavo-convex structure having a configuration as shown in FIG. 5 may be used. FIG. 5A is a conceptual diagram showing another configuration of the array substrate, and FIG. 5B is a partial cross-sectional view of FIG. 5A. That is, for example, a gate insulating film 121 is formed on the substrate 120, and the gate insulating film 121 is formed into a matrix by using photolithography and etching techniques.
(Having the band-shaped concave portions 121b ...). Also, a band-shaped convex portion and a concave portion may be used in combination.
【0045】上記例では帯状凸部を組み合わせて凹凸構
造を形成したが、これは、帯状凸部以外の形状の凹凸構
造が含まれていても良い。例えば、上記凹部内に独立し
た凸部が形成されても良い。凹部の中にさらに独立した
凸部(例えば、円柱状、多角形柱状)があれば、凹部の
傾斜角の制御がさらに容易になり反射率の向上が実現さ
れる。In the above example, the concavo-convex structure is formed by combining the band-shaped protrusions, but this may include a concavo-convex structure having a shape other than the band-shaped protrusions. For example, an independent convex portion may be formed in the concave portion. If there are more independent projections (for example, columnar and polygonal columns) in the recesses, the inclination angle of the recesses can be more easily controlled, and the reflectance can be improved.
【0046】また、帯状凸部は必ずしも連続している必
要はなく、一部が切れた構造でも良い。マスクずれの見
こみに合わせて、ずれが小さい場合は、標準の交点位置
を中心に凸部中心から帯状凸部が十字状に形成されるよ
う設計しても同様の効果が得られる。Further, the belt-shaped convex portions need not necessarily be continuous, and may have a partially cut structure. If the deviation is small in accordance with the expected mask deviation, a similar effect can be obtained even if the belt-shaped convex portion is formed in a cross shape from the center of the convex portion around the standard intersection position.
【0047】(実施の形態2)実施の形態1の液晶表示
素子にバックライトシステム、駆動回路部、及び筐体等
を付与して反射型液晶表示装置とした。(Embodiment 2) A reflection type liquid crystal display device is obtained by adding a backlight system, a drive circuit section, a housing and the like to the liquid crystal display element of Embodiment 1.
【0048】上記凸部の間隔をランダムに形成したこと
で回折や干渉項が発生せず色付きのない良好な表示が得
られた。By forming the intervals of the convex portions at random, a favorable display without coloring and without generation of diffraction or interference terms was obtained.
【0049】(実施の形態3)実施の形態1の液晶表示
素子に用いた反射層と同一の構成を基板上に形成し、反
射板とした。本構成の反射板により、複数の凸部、また
は凹部を積層して凹凸構造を形成しても、マスクずれに
よるパターンずれが発生せず、大面積でも均一な反射性
能を有する散乱反射板が得られた。(Embodiment 3) The same structure as that of the reflection layer used in the liquid crystal display element of Embodiment 1 was formed on a substrate to form a reflection plate. With this configuration of the reflector, even when a plurality of protrusions or recesses are laminated to form a concavo-convex structure, a pattern displacement due to mask displacement does not occur, and a scattering reflector having uniform reflection performance even in a large area can be obtained. Was done.
【0050】(その他の事項)上記実施の形態では、液
晶を用いた反射型液晶表示素子について示したが、本発
明の反射型表示素子は、液晶を用いた表示素子に限定さ
れるものではない。例えば、溶液中に分散させた微粒子
を電界で移動させることにより、光の吸収、透過を制御
する電気泳動ディスプレイに適用することも可能であ
り、液晶表示素子以外の反射型表示素子にも用いること
ができる。(Other Matters) In the above embodiment, the reflection type liquid crystal display device using liquid crystal was described. However, the reflection type display device of the present invention is not limited to the display device using liquid crystal. . For example, it can be applied to an electrophoretic display that controls light absorption and transmission by moving fine particles dispersed in a solution by an electric field, and can be used for a reflective display element other than a liquid crystal display element. Can be.
【0051】[0051]
【発明の効果】以上、本発明によれば、反射層の凹凸構
造として交点を有する複数の帯状の凸部を用いると、複
数層が積層されて凹凸構造が形成される際のパターンず
れによる反射率の変動が解消し生産性が大幅に向上す
る。As described above, according to the present invention, when a plurality of band-shaped convex portions having intersections are used as the concave-convex structure of the reflective layer, the reflection due to the pattern shift when the plural layers are laminated to form the concave-convex structure. The rate fluctuation is eliminated and productivity is greatly improved.
【図1】実施の形態1に係る液晶表示素子を構成するア
レイ基板の上面図である。FIG. 1 is a top view of an array substrate constituting a liquid crystal display element according to a first embodiment.
【図2】同じくアレイ基板上の凹凸構造の概念図であ
る。FIG. 2 is a conceptual diagram of a concavo-convex structure on an array substrate.
【図3】同じくアレイ基板の部分断面図である。FIG. 3 is a partial sectional view of the array substrate.
【図4】実施の形態2に係る液晶表示素子を構成するア
レイ基板の別構成の上面図である。FIG. 4 is a top view of another configuration of an array substrate constituting the liquid crystal display element according to the second embodiment.
【図5】アレイ基板の他の構成を示す概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram showing another configuration of the array substrate.
100 ゲートライン 101 ソースライン 102 第1の凸部 103 第2の凸部 104 凹部 105 コンタクトホール 106 反射層 107 凸部頂点 108 平坦化膜 110 基板 112 第1の凸部 113 第2の凸部 114 凹部 116 反射層 117 凸部頂点 120 基板 121a 凸部 121b 凹部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Gate line 101 Source line 102 1st convex part 103 2nd convex part 104 concave part 105 contact hole 106 reflective layer 107 convex part vertex 108 planarization film 110 board 112 1st convex part 113 2nd convex part 114 concave part 116 reflection layer 117 convex part vertex 120 substrate 121a convex part 121b concave part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇田 尚英 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H042 BA03 BA15 BA20 DA02 DA22 DB01 DC00 DC08 DD01 DE00 2H091 FA16Z FA34Z FC01 FD06 GA13 LA12 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Naohide Wakita 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference) 2H042 BA03 BA15 BA20 DA02 DA22 DB01 DC00 DC08 DD01 DE00 2H091 FA16Z FA34Z FC01 FD06 GA13 LA12
Claims (8)
有し、 前記凹凸構造は、前記基板上に形成された複数の帯状の
薄膜パターンが互いに交差することにより形成されてな
ることを特徴とする反射板。1. A substrate comprising: a substrate; and a reflective layer having an uneven structure formed on the substrate, wherein the uneven structure is such that a plurality of strip-shaped thin film patterns formed on the substrate intersect with each other. A reflecting plate characterized by being formed by:
部では、凸部が積層されてなることを特徴とする請求項
1記載の反射板。2. The reflector according to claim 1, wherein convex portions are laminated at intersections where the thin film patterns intersect each other.
部の形状は、凹部であることを特徴とする請求項1記載
の反射板。3. The reflector according to claim 1, wherein the shape of the intersection where the thin film patterns intersect each other is a recess.
とを特徴とする請求項1記載の反射板。4. The reflector according to claim 1, wherein the thin film pattern has a mesh shape.
とを特徴とする請求項1記載の反射板。5. The reflector according to claim 1, wherein an interval between the thin film patterns is not constant.
形成されており、 前記薄膜パターンは、前記アクティブ素子を構成する薄
膜により形成されてなることを特徴とする請求項1記載
の反射板。6. The reflector according to claim 1, wherein an active element is further formed on the substrate, and the thin film pattern is formed by a thin film constituting the active element.
形成されており、 前記薄膜パターンは、前記アクティブ素子を形成する工
程により同時に形成されてなることを特徴とする請求項
1記載の反射板。7. The reflector according to claim 1, wherein an active element is further formed on the substrate, and the thin film pattern is formed simultaneously by a step of forming the active element. .
段と、を有することを特徴とする反射型表示素子。8. A reflection-type display device, comprising: the reflection plate according to claim 1; and light control means provided on the reflection plate for controlling an amount of light absorbed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001039670A JP2001305534A (en) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | Reflector and reflective display element using the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000037803 | 2000-02-16 | ||
JP2000-37803 | 2000-02-16 | ||
JP2001039670A JP2001305534A (en) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | Reflector and reflective display element using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001305534A true JP2001305534A (en) | 2001-10-31 |
Family
ID=26585451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2001039670A Pending JP2001305534A (en) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | Reflector and reflective display element using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2001305534A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5508858B2 (en) * | 2007-12-12 | 2014-06-04 | 株式会社きもと | Newton ring prevention sheet and touch panel using the same |
-
2001
- 2001-02-16 JP JP2001039670A patent/JP2001305534A/en active Pending
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