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JP2001296267A - Forming method of membrane electrode, and biosensor equipped with same - Google Patents

Forming method of membrane electrode, and biosensor equipped with same

Info

Publication number
JP2001296267A
JP2001296267A JP2000113754A JP2000113754A JP2001296267A JP 2001296267 A JP2001296267 A JP 2001296267A JP 2000113754 A JP2000113754 A JP 2000113754A JP 2000113754 A JP2000113754 A JP 2000113754A JP 2001296267 A JP2001296267 A JP 2001296267A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
forming
film electrode
gas
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000113754A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaji Miyazaki
正次 宮崎
Eriko Yamanishi
永吏子 山西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to KR10-2001-7008934A priority patent/KR100445489B1/en
Priority to CNB2005100043690A priority patent/CN100347537C/en
Priority to CNB008037566A priority patent/CN1220053C/en
Priority to CNA2005100043718A priority patent/CN1632553A/en
Priority to EP00974977A priority patent/EP1152239A4/en
Priority to PCT/JP2000/008012 priority patent/WO2001036953A1/en
Priority to CNB2005100043703A priority patent/CN100363739C/en
Priority to EP10180654.5A priority patent/EP2275807B1/en
Priority to TW89124050A priority patent/TWI223064B/en
Priority to EP10180644.6A priority patent/EP2267439B8/en
Priority to EP14195408.1A priority patent/EP2889611B1/en
Priority to US09/889,243 priority patent/US6875327B1/en
Priority to EP09177290A priority patent/EP2151683A3/en
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Priority to US10/809,240 priority patent/US20040178067A1/en
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Priority to US12/802,573 priority patent/US8142629B2/en
Priority to US12/930,627 priority patent/US8480878B2/en
Priority to US12/930,957 priority patent/US8470162B2/en
Priority to US12/930,919 priority patent/US8480866B2/en
Priority to US13/135,848 priority patent/US8480867B2/en
Priority to US13/135,816 priority patent/US8475646B2/en
Priority to US13/490,553 priority patent/US8349157B2/en
Priority to US13/778,738 priority patent/US8741124B2/en
Priority to US13/861,532 priority patent/US20150344929A9/en
Priority to US13/888,431 priority patent/US8980074B2/en
Priority to US13/895,415 priority patent/US20130309413A1/en
Priority to US15/215,663 priority patent/US20160327505A1/en
Priority to US15/798,475 priority patent/US20180067070A1/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly sensitive membrane electrode and a high- performance, inexpensive biosensor. SOLUTION: This highly sensitive membrane electrode which does not require pretreatment, such as surface grinding treatment or the like and having satisfactory wettability is manufactured, by forming a membrane electrode layer comprising a conductive material after forming a rough surface by colliding stimulated gas onto the substrate surface under a vacuum atmosphere. This high- performance and inexpensive biosensor is manufactured by developing a reagent layer on the membrane electrode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液体試料中の測定対
象物質を計測するバイオセンサ、およびこのバイオセン
サに好適な薄膜電極の形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a biosensor for measuring a substance to be measured in a liquid sample, and a method for forming a thin film electrode suitable for the biosensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】液体試料中の特定の測定対象物質を計測
するバイオセンサとして、例えば、特開平5−1965
95号公報にあるように、血液中のグルコースとセンサ
中に担持されたグルコースオキシダーゼ等の試薬との反
応により得られる電流値を計測することにより、血糖値
などを求めるものがある。
2. Description of the Related Art As a biosensor for measuring a specific substance to be measured in a liquid sample, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 95, there is a method in which a blood glucose level or the like is obtained by measuring a current value obtained by a reaction between glucose in blood and a reagent such as glucose oxidase carried in a sensor.

【0003】図7はそのような従来の血糖値測定用セン
サの電極部分の概略構成を示す断面図である。ポリエチ
レンテレフタレートのような絶縁性基板1上にスクリー
ン印刷等によりカーボンペーストを塗布・乾燥して形成
されたカーボン電極2上には、酵素及び電子伝達体等が
含まれた反応試薬層3が担持されている。
FIG. 7 is a sectional view showing a schematic configuration of an electrode portion of such a conventional sensor for measuring blood glucose level. On a carbon electrode 2 formed by applying and drying a carbon paste by screen printing or the like on an insulating substrate 1 such as polyethylene terephthalate, a reaction reagent layer 3 containing an enzyme, an electron carrier and the like is carried. ing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このようなセンサにお
いては、センサ感度の向上を図るためには、反応試薬層
とカーボン電極との濡れ性を高め、それらの密着性を良
くする必要がある。
In such a sensor, in order to improve the sensitivity of the sensor, it is necessary to increase the wettability between the reaction reagent layer and the carbon electrode and to improve the adhesion between them.

【0005】そこで従来は、カーボン電極の形成後に電
極表面への研磨処理や熱処理等を施しており、工数が多
いためにコストの増大や、研磨処理のバラツキ等により
センサ精度にもバラツキが生じるという問題があった。
Conventionally, the surface of the electrode is polished or heat-treated after the formation of the carbon electrode, and the number of steps is large, so that the cost is increased and the accuracy of the sensor is also varied due to the variation of the polishing process. There was a problem.

【0006】また、スクリーン印刷に用いられるカーボ
ンペーストは、一般的に樹脂バインダー、グラファイ
ト、カーボンブラック、有機溶剤等から構成された複合
材料であり、各々の原材料ロット、ペースト混練時の製
造条件等によりペーストの特性が変動されやすく、安定
なセンサを量産製造するのには厳密な管理が必要とされ
ていた。
[0006] The carbon paste used for screen printing is generally a composite material composed of a resin binder, graphite, carbon black, an organic solvent, etc., and depends on each raw material lot, production conditions at the time of kneading the paste, and the like. Strict control was required to mass-produce a stable sensor in which the characteristics of the paste tended to fluctuate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、真空雰囲気下において、励起された気体
を、基板表面に衝突させることで粗面にした後、導電性
物質よりなる薄膜電極を形成するようにしたものであ
り、この電極上に試薬層を設けてバイオセンサを得る場
合に、従来のように表面研磨処理等の前処理が不要とな
るので製造コストを低減でき、さらに表面濡れ性が良好
で高感度なバイオセンサを提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for forming a roughened surface by impinging an excited gas on a substrate surface in a vacuum atmosphere and then forming the surface of the substrate on a conductive material. When a biosensor is obtained by providing a reagent layer on this electrode, a pretreatment such as a surface polishing treatment is not required as in the related art, so that the manufacturing cost can be reduced. Further, a highly sensitive biosensor having good surface wettability is provided.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、真空雰囲気下において、励起された気体を基板の表
面に衝突させることで前記基板の表面を粗面にする工程
の後に、粗面にした前記基板の表面上に導電性物質より
なる薄膜電極層を形成する工程とを含むことを特徴とす
る薄膜電極の形成方法であり、表面研磨処理等の前処理
が不要で、かつ基板と電極層との密着性の高い薄膜電極
を得ることができ、また、電極上に試薬を形成したとき
には、試薬との濡れ性が良く、また試薬と電極層との密
着性もよいバイオセンサを構成することができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention according to claim 1 of the present invention is characterized in that, after the step of roughening the surface of the substrate by colliding the excited gas with the surface of the substrate in a vacuum atmosphere, Forming a thin film electrode layer made of a conductive material on the roughened surface of the substrate, without the need for pretreatment such as surface polishing treatment, and It is possible to obtain a thin film electrode having high adhesion between the substrate and the electrode layer, and when a reagent is formed on the electrode, the biosensor has good wettability with the reagent and good adhesion between the reagent and the electrode layer. Can be configured.

【0009】本発明の請求項2に記載の発明は、基板表
面を粗面にする工程が、基板を真空槽内へ設置する工程
と、真空槽を真空排気する工程と、気体を充填させる工
程と、前記気体を励起しイオン化させ、前記基板に衝突
させる工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄
膜電極の形成方法であって、請求項1の方法をより具体
化したものである。
According to a second aspect of the present invention, the step of roughening the surface of the substrate includes the step of placing the substrate in a vacuum chamber, the step of evacuating the vacuum chamber, and the step of filling gas. And a step of exciting and ionizing the gas to collide with the substrate, wherein the method of claim 1 is further embodied. is there.

【0010】本発明の請求項3に記載の発明は、基板が
樹脂材よりなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜
電極の形成方法であり、基板に樹脂材を採用することに
より粗面化処理がより容易となる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the method of forming a thin film electrode according to the first aspect, wherein the substrate is made of a resin material. The surface treatment becomes easier.

【0011】本発明の請求項4に記載の発明は、真空槽
を真空排気する工程が、真空度1×10-1〜3×10-3
パスカルの範囲であることを特徴とする請求項2記載の
薄膜電極の形成方法であり、請求項2の方法をより具体
化したものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the step of evacuating the vacuum chamber, the degree of vacuum is 1 × 10 -1 to 3 × 10 -3.
A method of forming a thin-film electrode according to claim 2, wherein the method is within the range of Pascal, and is a more specific example of the method of claim 2.

【0012】本発明の請求項5に記載の発明は、気体が
不活性ガスであることを特徴とする請求項2に記載の薄
膜電極の形成方法であり、基板表面を変成させることな
く、表面の粗面化の処理を行うことができる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the method for forming a thin film electrode according to the second aspect, wherein the gas is an inert gas, wherein the surface of the thin film electrode is not denatured. Can be roughened.

【0013】本発明の請求項6に記載の発明は、不活性
ガスがアルゴン、ネオン、ヘリウム、クリプトン、キセ
ノンの希ガスもしくは窒素であることを特徴とする請求
項5に記載の薄膜電極の形成方法であり、前記不活性ガ
スの種類についてより具体化したものである。
According to a sixth aspect of the present invention, the inert gas is a rare gas such as argon, neon, helium, krypton, or xenon, or nitrogen. The method is more specific about the type of the inert gas.

【0014】本発明の請求項7に記載の発明は、基板上
に導電性物質よりなる薄膜電極層を形成する工程が、基
板を真空槽内へ設置する工程と、真空槽を真空排気する
工程と、気体を充填させる工程と、前記気体を励起しイ
オン化させ、導電性物質に衝突させることで、導電性物
質の原子をたたき出し、前記基板上へ成膜する工程とを
含むことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載
の薄膜電極の形成方法であり、表面研磨処理等の前処理
が不要で、基板との密着性の高い薄膜電極を得ることが
できる。そして、電極上に試薬を形成したときには、試
薬との濡れ性が良く、また試薬と電極層との密着性もよ
いバイオセンサを構成することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, the step of forming a thin-film electrode layer made of a conductive material on a substrate includes the steps of placing the substrate in a vacuum chamber and evacuating the vacuum chamber. And a step of filling with a gas, and exciting and ionizing the gas to collide with a conductive substance, thereby knocking out atoms of the conductive substance and forming a film on the substrate. The method for forming a thin film electrode according to any one of claims 1 to 6, wherein a pretreatment such as a surface polishing treatment is not required, and a thin film electrode having high adhesion to a substrate can be obtained. When a reagent is formed on the electrode, a biosensor having good wettability with the reagent and good adhesion between the reagent and the electrode layer can be formed.

【0015】本発明の請求項8に記載の発明は、基板上
に導電性物質よりなる薄膜電極層を形成する工程が、基
板を真空槽内へ配置する工程と、真空槽を真空排気する
工程と、導電性物質を加熱し蒸発させ、その蒸気を前記
基板上へ成膜する工程とを含むことを特徴とする請求項
1から6のいずれかに記載の薄膜電極の形成方法であ
り、表面研磨処理等の前処理が不要で、基板との密着性
の高い薄膜電極を得ることができる。そして、電極上に
試薬を形成したときには、試薬との濡れ性が良く、また
試薬と電極層との密着性もよいバイオセンサを構成する
ことができる。
According to an eighth aspect of the present invention, the step of forming a thin film electrode layer made of a conductive material on a substrate includes the step of placing the substrate in a vacuum chamber and the step of evacuating the vacuum chamber. 7. A method for forming a thin-film electrode according to claim 1, further comprising: heating and evaporating a conductive substance to form a film on the substrate. A pretreatment such as a polishing treatment is not required, and a thin film electrode having high adhesion to a substrate can be obtained. When a reagent is formed on the electrode, a biosensor having good wettability with the reagent and good adhesion between the reagent and the electrode layer can be formed.

【0016】本発明の請求項9に記載の発明は、真空槽
を真空排気する過程が、真空度1×10-1〜3×10-3
パスカルであることを特徴とする請求項7または8に記
載の薄膜電極の形成方法であり、請求項7と8の方法を
より具体化したものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the step of evacuating the vacuum chamber, the degree of vacuum is 1 × 10 -1 to 3 × 10 -3.
A method of forming a thin-film electrode according to claim 7 or 8, wherein the method is pascal, and the method of claims 7 and 8 is further embodied.

【0017】本発明の請求項10に記載の発明は、気体
が不活性ガスであることを特徴とする請求項7または8
記載に記載の薄膜電極の形成方法であり、請求項7と8
について具体化したものである。
According to a tenth aspect of the present invention, the gas is an inert gas.
9. The method for forming a thin-film electrode according to claim 7, wherein
Is embodied.

【0018】本発明の請求項11に記載の発明は、不活
性ガスがアルゴン、ネオン、ヘリウム、クリプトン、キ
セノンの希ガスもしくは窒素であることを特徴とする請
求項10に記載の薄膜電極の形成方法であり、請求項1
0の内容を具体化したものである。
According to the eleventh aspect of the present invention, the inert gas is a rare gas such as argon, neon, helium, krypton, or xenon, or nitrogen. A method, wherein the method comprises:
This is a concrete example of the contents of 0.

【0019】本発明の請求項12に記載の発明は、基板
表面を真空雰囲気下で励起された気体を衝突させること
で粗面にする工程と、前記基板上に導電性物質よりなる
薄膜電極層を形成する工程とが同一空間内で連続的に行
われることを特徴とする請求項1から11のいずれかに
記載の薄膜電極の形成方法であり、同一空間内で同時に
2つの工程を行うことで製造工数の削減並びに生産タク
トが向上するので、生産性の向上それに伴うコスト低減
を実現するものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a method of making a substrate surface rough by bombarding a gas excited in a vacuum atmosphere with a thin film electrode layer made of a conductive material on the substrate. 12. The method of forming a thin-film electrode according to claim 1, wherein the step of forming is performed continuously in the same space, wherein two steps are performed simultaneously in the same space. As a result, the number of manufacturing steps can be reduced and the production tact time can be improved.

【0020】本発明の請求項13に記載の発明は、導電
性物質が、貴金属もしくは炭素であることを特徴とする
請求項1記載の薄膜電極の形成方法であり、複合材料で
なく単体材料を電極素材として用いることで、製造条件
に左右され難く、材料ロット間差の少ない安定した電極
の量産製造が可能となる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided the method of forming a thin film electrode according to the first aspect, wherein the conductive substance is a noble metal or carbon. By using it as an electrode material, mass production of a stable electrode that is hardly influenced by manufacturing conditions and has a small difference between material lots is possible.

【0021】本発明の請求項14に記載の発明は、薄膜
電極の厚みが5〜100nmの範囲であることを特徴と
する請求項1記載の薄膜電極の形成方法であり、電極の
厚みを限りなく薄くすることで、生産タクトの向上並び
に材料費の削減による電極低コスト化を可能とする作用
を有する。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided the method for forming a thin film electrode according to the first aspect, wherein the thickness of the thin film electrode is in a range of 5 to 100 nm. By reducing the thickness, it is possible to improve the production tact time and reduce the cost of the material to reduce the cost of the electrode.

【0022】本発明の請求項15に記載の発明は、請求
項1から14のいずれかの方法により形成された薄膜電
極を備えるバイオセンサであって、前記薄膜電極上に試
薬層を形成してなることを特徴とするバイオセンサであ
り、粗面に処理した基板表面の凹凸の状態を薄膜の電極
が反映することにより、電極と試薬との濡れ性および密
着性が高まり、高性能なバイオセンサを実現することが
できる。またこのバイオセンサの電極を形成するにあた
っては、上述の各請求項の作用、効果を有することにな
る。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a biosensor including a thin-film electrode formed by the method according to any one of the first to fourteenth aspects, wherein a reagent layer is formed on the thin-film electrode. This is a biosensor characterized by the fact that the thin-film electrodes reflect the unevenness of the surface of the substrate that has been processed into a rough surface, thereby increasing the wettability and adhesion between the electrodes and the reagent, and providing a high-performance biosensor. Can be realized. In forming the electrodes of this biosensor, the functions and effects of the above-described claims are obtained.

【0023】本発明の請求項16に記載の発明は、試薬
層が酵素を含むことを特徴とする請求項15に記載のバ
イオセンサである。
The invention according to claim 16 of the present invention is the biosensor according to claim 15, wherein the reagent layer contains an enzyme.

【0024】本発明の請求項17に記載の発明は、試薬
層が電子伝達体を含むことを特徴とする請求項16に記
載のバイオセンサである。
The invention according to claim 17 of the present invention is the biosensor according to claim 16, wherein the reagent layer contains an electron carrier.

【0025】本発明の請求項18に記載の発明は、試薬
層が水溶性高分子を含むことを特徴とする請求項17に
記載のバイオセンサである。
The invention according to claim 18 of the present invention is the biosensor according to claim 17, wherein the reagent layer contains a water-soluble polymer.

【0026】(実施の形態1)以下、本発明の実施の形
態について図1、2を用いて説明する。
(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0027】図1は、本発明で得られた薄膜電極及びそ
の上に反応試薬層が展開されたバイオセンサの概略図で
あり、従来の図7の構成と最も大きく異なるところは、
ポリエチレンテレフタレートやポリカーボネート等の絶
縁性樹脂基板1の表面に、基板1と電極層2及び電極層
2と反応試薬層3との密着性向上を実現する為の粗面化
処理が施されている点である。そして電極層2を構成す
る材料が貴金属もしくは炭素からなる単体材料であり、
また電極層2の厚みが5〜100nmに制御されている
点についても異なっている。
FIG. 1 is a schematic diagram of a thin film electrode obtained by the present invention and a biosensor in which a reaction reagent layer is developed thereon. The most different point from the conventional structure of FIG.
The surface of an insulating resin substrate 1 such as polyethylene terephthalate or polycarbonate is subjected to a surface roughening treatment for improving the adhesion between the substrate 1 and the electrode layer 2 and between the electrode layer 2 and the reagent layer 3. It is. The material constituting the electrode layer 2 is a simple material made of noble metal or carbon,
Another difference is that the thickness of the electrode layer 2 is controlled to 5 to 100 nm.

【0028】以下に、基板1表面の粗面化処理の具体的
方法を示す。なお基板1の材料として好適なものは、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリブ
チレンテレフタレート,ポリアミド,ポリ塩化ビニル,
ポリ塩化ビニリデン、ポリイミド、ナイロン等があげら
れる。基板1を真空槽内に設置した後、一定の真空度
(1×10-1〜3×10-3パスカルの範囲であれば良
い)まで真空排気する。その後、真空槽内に不活性ガス
を充填し(充填後の真空度は0.1〜10パスカル程度
の範囲になる)、0.01〜5KV程度の高周波電圧を
印加すると、不活性ガスが励起されイオン化し、基板1
表面にたたきつけられる。このイオンは高い運動エネル
ギーを有しており、ごく短時間(0.1〜10秒程度)
の高周波電圧印加で十分な表面粗面化の効果が得られ
る。また、前記高周波電圧印加以外にも直流電圧印加等
でも同様の表面粗面化効果が得られる。
Hereinafter, a specific method of the surface roughening treatment of the surface of the substrate 1 will be described. Materials suitable for the substrate 1 include polyethylene terephthalate, polycarbonate, polybutylene terephthalate, polyamide, polyvinyl chloride,
Examples thereof include polyvinylidene chloride, polyimide, and nylon. After placing the substrate 1 in a vacuum chamber, the substrate 1 is evacuated to a certain degree of vacuum (a range of 1 × 10 −1 to 3 × 10 −3 Pascal is sufficient). Thereafter, the vacuum chamber is filled with an inert gas (the degree of vacuum after filling is in the range of about 0.1 to 10 Pascal), and when a high frequency voltage of about 0.01 to 5 KV is applied, the inert gas is excited. And ionized, the substrate 1
It is beaten to the surface. This ion has a high kinetic energy and is very short (about 0.1 to 10 seconds)
By applying the high frequency voltage, a sufficient surface roughening effect can be obtained. The same surface roughening effect can be obtained by applying a DC voltage or the like in addition to the application of the high-frequency voltage.

【0029】尚、不活性ガスとしてはアルゴン、ネオ
ン、ヘリウム、クリプトン、キセノンの希ガスの他にも
窒素を用いることが出来る。また、酸素に代表される様
な活性(反応性)ガスを用いた場合にも、基板表面を粗
面化することは可能であるが、基板表面に酸化被膜が形
成され、電極特性並びにセンサ応答特性に悪影響を及ぼ
す可能性がある為あまり望ましくない。
As the inert gas, nitrogen can be used in addition to the rare gases of argon, neon, helium, krypton, and xenon. Also, when an active (reactive) gas such as oxygen is used, the substrate surface can be roughened, but an oxide film is formed on the substrate surface, and the electrode characteristics and sensor response This is not desirable because it may adversely affect the characteristics.

【0030】次に、粗面化処理が施された基板1表面
に、導電性物質からなる薄膜電極層を形成する方法に関
し具体的に示す。基板1表面の粗面化処理と同様に一定
の真空度(1×10-1〜3×10-3パスカルの範囲であ
れば良い)まで真空排気する。その後、真空槽内に不活
性ガスを充填し(充填後の真空度は0.1〜10パスカ
ル程度の範囲になる)、0.01〜5KV程度の高周波
電圧を印加することで、不活性ガスが励起されイオン化
される。このイオン化された気体ガスを導電性材料から
なるターゲット板に衝突させることで、導電性物質の原
子を叩き出し、その原子を前記基板上に成膜させること
で薄膜電極層が形成される。また、真空排気を行った
後、導電性物質を加熱し蒸発させ、その蒸気を前記基板
上へ成膜させることでも薄膜電極層を形成することは可
能である。前述の代表的な工法はスパッタリング蒸着で
あり、後述の代表的なものとしては真空蒸着が挙げられ
る。
Next, a method for forming a thin-film electrode layer made of a conductive substance on the surface of the substrate 1 subjected to the surface roughening treatment will be specifically described. As in the case of the surface roughening treatment of the surface of the substrate 1, the chamber 1 is evacuated to a certain degree of vacuum (the range may be 1 × 10 -1 to 3 × 10 -3 Pa). Thereafter, the vacuum chamber is filled with an inert gas (the degree of vacuum after the filling is in the range of about 0.1 to 10 Pascal), and a high-frequency voltage of about 0.01 to 5 KV is applied, whereby the inert gas is applied. Are excited and ionized. The ionized gaseous gas collides with a target plate made of a conductive material to strike out atoms of the conductive substance, and the atoms are formed on the substrate to form a thin film electrode layer. Further, it is also possible to form a thin film electrode layer by heating and evaporating a conductive substance after evacuation and forming a film of the vapor on the substrate. The above-mentioned typical method is sputtering vapor deposition, and a typical method described later is vacuum vapor deposition.

【0031】ここでターゲット板を形成する導電性材料
の材料としては、パラジウム、白金、金、ルテニウム等
の貴金属や炭素等があげられ、これらの単体材料を電極
素材として用いることで、製造条件に左右され難く、材
料ロット間差の少ない安定した電極の量産製造が可能と
なる。
Here, examples of the material of the conductive material forming the target plate include noble metals such as palladium, platinum, gold and ruthenium, carbon and the like. This makes it possible to mass-produce a stable electrode that is hardly influenced by the difference between material lots.

【0032】また、基板表面粗面化処理工程と薄膜電極
形成工程とを独立した空間で非連続的に行うことも可能
ではあるが、図2に示すように、基板表面を粗面化する
工程と薄膜電極を形成する工程とを同一空間内で連続的
に行うことで製造工数の削減並びに生産タクトの向上に
よる生産性の向上、それに伴うバイオセンサの低コスト
化が実現できる。
The substrate surface roughening process and the thin film electrode forming process can be performed discontinuously in an independent space. However, as shown in FIG. 2, the substrate surface roughening process is performed. By continuously performing the process of forming the thin film electrode in the same space, the number of manufacturing steps can be reduced, the productivity can be improved by improving the production tact time, and the cost of the biosensor can be reduced accordingly.

【0033】このように、2つの工程を同一空間内で連
続的に行う場合には、真空蒸着では困難であり高周波ス
パッタリング蒸着、バイアススパッタリング蒸着、非対
称交流スパッタリング蒸着及びイオンプレーティング等
が有効である。
As described above, when the two processes are continuously performed in the same space, it is difficult to perform vacuum deposition, and high-frequency sputtering deposition, bias sputtering deposition, asymmetric AC sputtering deposition, ion plating, and the like are effective. .

【0034】また、電極層の厚みを限りなく薄くするこ
とで、製造コストの低減が可能になることは言うまでも
ないが、基板の粗面を電極層表面の粗面としてにそのま
ま反映させることで、電極層2と酵素や電子伝達体等か
らなる反応試薬層3との密着性が飛躍的に向上するとい
う効果も得られる。
It is needless to say that the manufacturing cost can be reduced by reducing the thickness of the electrode layer as much as possible, but by reflecting the rough surface of the substrate directly as the rough surface of the electrode layer, The effect that the adhesiveness between the electrode layer 2 and the reaction reagent layer 3 composed of an enzyme, an electron carrier or the like is remarkably improved is also obtained.

【0035】ここで基板表面の粗面を電極層表面の粗面
として反映するためには、電極層の厚みは100nm以
下であることが必要であり、更に、高性能な薄膜電極並
びにバイオセンサを提供するには電極層の厚みが5〜5
0nmであることが望ましい。
Here, in order to reflect the rough surface of the substrate surface as the rough surface of the electrode layer, the thickness of the electrode layer must be 100 nm or less. To provide, the thickness of the electrode layer is 5-5.
Desirably, it is 0 nm.

【0036】[0036]

【実施例】(実施例1)ポリエチレンテレフタレートか
らなる絶縁性の基板1上に、13.56MHzの周波数
を有する高周波電圧を100Wの出力で一定時間印加し
粗面化処理を施した後、前記粗面化された基板上に前記
同様の条件下にてパラジウムを約10nmの厚みで形成
した貴金属薄膜電極を作製した。
EXAMPLE 1 A high frequency voltage having a frequency of 13.56 MHz was applied at a power of 100 W for a certain period of time on an insulating substrate 1 made of polyethylene terephthalate to perform a surface roughening treatment. A noble metal thin film electrode in which palladium was formed to a thickness of about 10 nm on the surfaced substrate under the same conditions as described above was produced.

【0037】図4は、高周波電圧の印加時間が0〜60
秒間(0秒は粗面化処理を施していない状態)による粗
面化処理による基板表面の濡れ指数(表面張力)の変化
と電極層と基板との密着性を示したものであり、5秒以
上の印加により基板表面の粗面化が実現され表面濡れ性
の向上並びに電極層と基板との密着性が高まったことを
示すものである。尚、本実施例は高周波電圧100Wで
の結果であり、高周波電圧の増加により更なる処理時間
の短縮が可能である。
FIG. 4 shows that the application time of the high-frequency voltage is 0-60.
5 seconds shows the change in the wetting index (surface tension) of the substrate surface and the adhesion between the electrode layer and the substrate due to the surface roughening treatment for 5 seconds (0 second is a state where the surface roughening treatment is not performed). This indicates that the surface of the substrate is roughened by the above application, and that the surface wettability is improved and the adhesion between the electrode layer and the substrate is increased. Note that the present embodiment is a result at a high frequency voltage of 100 W, and the processing time can be further reduced by increasing the high frequency voltage.

【0038】尚、ここでの密着性評価はJIS5600
−5−10(塗料一般試験方法:塗膜の機械的性質:耐
摩耗性)に準じて実施し、図中密着性の数値はパラジウ
ム薄膜が摩滅し基板表面が剥き出しの状態になった時点
迄のストローク往復回数で表しており、数値が大きいほ
ど密着性が高いことを示す。
The evaluation of the adhesion here is based on JIS 5600.
Performed in accordance with -5-10 (General Test Method for Paint: Mechanical Properties of Coating Film: Abrasion Resistance), and the adhesion value in the figure is until the time when the palladium thin film was worn away and the substrate surface was exposed. The number of stroke reciprocations indicates that the larger the value, the higher the adhesion.

【0039】また、図5にはパラジウム薄膜の厚みと電
極表面の濡れ指数(表面張力)との関係を示したもので
ある。尚、ここでは、基板表面の粗面化処理条件が高周
波電圧100W、印加時間5秒、また、パラジウム層の
厚みを5〜1000nmの範囲で任意に調整したものを
用いた。図5から明らかなようにパラジウム層の厚みが
5〜50nm範囲では粗面化処理が施された基板表面の
濡れ指数54dyn/cmをそのまま維持しており、1
00nmまでに52dyn/cmと若干の濡れ指数の低
下が認められる。また、100nmを超えると濡れ指数
は48dyn/cmまで低下し、以降その数値にて安定
する。これは、100nmの厚みまでは、基板表面の粗
面が電極表面の粗面を反映することを示し、100nm
を超えると電極材料自体(本実施例の場合はパラジウ
ム)の濡れ性を反映することを示すものである。
FIG. 5 shows the relationship between the thickness of the palladium thin film and the wetting index (surface tension) of the electrode surface. Here, a substrate surface roughening treatment condition was used in which the high-frequency voltage was 100 W, the application time was 5 seconds, and the thickness of the palladium layer was arbitrarily adjusted in the range of 5 to 1000 nm. As is clear from FIG. 5, when the thickness of the palladium layer is in the range of 5 to 50 nm, the wetting index of 54 dyn / cm on the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment is maintained as it is.
A slight decrease in the wetting index of 52 dyn / cm by 00 nm is observed. If it exceeds 100 nm, the wetting index decreases to 48 dyn / cm, and thereafter becomes stable at that value. This indicates that up to a thickness of 100 nm, the rough surface of the substrate surface reflects the rough surface of the electrode surface.
It is shown that when the value exceeds the value, the wettability of the electrode material itself (palladium in this embodiment) is reflected.

【0040】次に、前記条件下で作製されたパラジウム
層の厚みが10nmの薄膜電極上に、水溶性高分子であ
るカルボキシメチルセルロース、酵素であるグルコース
オキシダーゼ(GOD)及び電子伝達体であるフェリシ
アン化カリウムを含む反応試薬層を形成した後、スペー
サ及びカバーを展開した図3の様な血糖値測定用のバイ
オセンサを作製した。
Next, carboxymethylcellulose as a water-soluble polymer, glucose oxidase (GOD) as an enzyme, and potassium ferricyanide as an electron carrier were placed on a thin-film electrode with a 10 nm-thick palladium layer prepared under the above conditions. After the formation of the reaction reagent layer including the above, a biosensor for measuring a blood glucose level as shown in FIG.

【0041】図6は血中グルコース濃度40〜600mg
/dlに於けるセンサ感度を比較したものである。ここで
言うセンサ感度とは、血液を毛細管内に吸引させた後、
約25秒間反応試薬とと血液中のグルコースとの反応を
促進させた後、作用極と対極端子間に一定の電圧を印加
し、その5秒後に得られた電流値である。尚、従来セン
サと本実施例センサとでは電極材料が異なるため、印加
電圧は従来のカーボンペースト電極で0.5V、本実施
例のパラジウム薄膜電極では0.2Vとした。
FIG. 6 shows a blood glucose concentration of 40 to 600 mg.
This is a comparison of sensor sensitivity at / dl. The sensor sensitivity here means that after blood is sucked into the capillary,
After accelerating the reaction between the reaction reagent and glucose in the blood for about 25 seconds, a constant voltage was applied between the working electrode and the counter electrode terminal, and the current value was obtained 5 seconds after that. Since the conventional sensor and the sensor of the present embodiment have different electrode materials, the applied voltage was 0.5 V for the conventional carbon paste electrode and 0.2 V for the palladium thin film electrode of the present embodiment.

【0042】また測定数は各々の濃度域でそれぞれn=
10とした。図6から明らかなように電極表面への研磨
処理や熱処理等を施していない本実施例のセンサ感度
は、従来、センサ感度を高めるために必要とされていた
研磨処理や熱処理等が施されたセンサに対して同等以上
の感度を有することが確認された。
The number of measurements was n =
It was set to 10. As is clear from FIG. 6, the sensor sensitivity of this embodiment in which the electrode surface is not subjected to polishing treatment or heat treatment is subjected to polishing treatment or heat treatment conventionally required to increase the sensor sensitivity. It was confirmed that the sensor had the same or higher sensitivity.

【0043】(表1)には前記10回測定時の繰り返し
精度(CV値)を比較したものであり、従来センサが研
磨処理バラツキ等によるCV値の悪化が顕著に認められ
ているのに対し、本実施例センサに於いてはセンサ個々
のバラツキが軽減された優れた精度を有することが確認
された。
Table 1 shows a comparison of the repetition accuracy (CV value) at the time of the ten measurements described above. In the conventional sensor, the deterioration of the CV value due to the variation in the polishing process and the like was remarkably recognized. In addition, it was confirmed that the sensor according to the present embodiment has excellent accuracy in which variations among individual sensors are reduced.

【0044】[0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】[0045]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板表面
を真空雰囲気下で励起された気体を衝突させることで粗
面にした後、導電性物質よりなる薄膜電極層を形成する
ことで、表面研磨処理等の前処理不要な表面濡れ性の良
好な且つ高感度な薄膜電極を形成でき、また、前記薄膜
電極上に試薬層を展開することで、高性能且つ安価なバ
イオセンサを作製することが可能となる。
As described above, according to the present invention, the substrate surface is roughened by bombarding a gas excited in a vacuum atmosphere, and then a thin film electrode layer made of a conductive material is formed. A high-performance and inexpensive biosensor can be formed by forming a thin film electrode having good surface wettability and high sensitivity which does not require pre-treatment such as surface polishing treatment, and developing a reagent layer on the thin film electrode. It is possible to do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態におけるバイオセンサの
概略構成を示す断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a biosensor according to an embodiment of the present invention.

【図2】同形態における薄膜電極の形成工程を示す概略
構成図
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a step of forming a thin film electrode in the same embodiment.

【図3】本発明の一実施の形態におけるバイオセンサを
示す分解斜視図
FIG. 3 is an exploded perspective view showing a biosensor according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例における基板表面の濡れ指数
の変化と電極層と基板との密着性を示すグラフ
FIG. 4 is a graph showing the change in the wetting index of the substrate surface and the adhesion between the electrode layer and the substrate in one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例における基板表面の濡れ指数
の変化と電極層と基板との密着性を示すグラフ
FIG. 5 is a graph showing the change in the wetting index of the substrate surface and the adhesion between the electrode layer and the substrate in one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例に於けるセンサ全血感度を比
較したグラフ
FIG. 6 is a graph comparing sensor whole blood sensitivity in one embodiment of the present invention.

【図7】従来のバイオセンサの概略構成を示す断面図FIG. 7 is a sectional view showing a schematic configuration of a conventional biosensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 電極層 3 反応試薬層 4 真空槽 5 (基板)送り出しロール 6 (基板)巻き取りロール 7 粗面化処理用電極 8 冷却ローラ 9 陰極/ターゲット 10 ガス導入口 11 測定極 12 対極 13 スペーサ 14 カバー 15 測定極端子 16 対極端子 Reference Signs List 1 substrate 2 electrode layer 3 reaction reagent layer 4 vacuum tank 5 (substrate) sending roll 6 (substrate) winding roll 7 electrode for surface roughening treatment 8 cooling roller 9 cathode / target 10 gas inlet 11 measuring electrode 12 counter electrode 13 spacer 14 Cover 15 Measurement electrode terminal 16 Counter electrode terminal

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】真空雰囲気下において、励起された気体を
基板の表面に衝突させることで前記基板の表面を粗面に
する工程の後に、粗面にした前記基板の表面上に導電性
物質よりなる薄膜電極層を形成する工程とを含むことを
特徴とする薄膜電極の形成方法。
In a vacuum atmosphere, after a step of roughening the surface of the substrate by colliding the excited gas with the surface of the substrate, a conductive material is applied on the roughened surface of the substrate. Forming a thin-film electrode layer.
【請求項2】基板表面を粗面にする工程が、基板を真空
槽内へ設置する工程と、真空槽を真空排気する工程と、
気体を充填させる工程と、前記気体を励起しイオン化さ
せ、前記基板に衝突させる工程を含むことを特徴とする
請求項1に記載の薄膜電極の形成方法。
2. The step of roughening the surface of the substrate includes the steps of: placing the substrate in a vacuum chamber; and evacuating the vacuum chamber.
The method for forming a thin-film electrode according to claim 1, further comprising: filling a gas; and exciting and ionizing the gas to collide with the substrate.
【請求項3】基板が樹脂材よりなることを特徴とする請
求項1に記載の薄膜電極の形成方法。
3. The method according to claim 1, wherein the substrate is made of a resin material.
【請求項4】真空槽を真空排気する工程が、真空度1×
10-1〜3×10-3パスカルの範囲であることを特徴と
する請求項2記載の薄膜電極の形成方法。
4. The step of evacuating the vacuum chamber is performed at a degree of vacuum of 1.times.
3. The method for forming a thin film electrode according to claim 2, wherein the thickness is in a range of 10 -1 to 3 × 10 -3 Pascal.
【請求項5】気体が不活性ガスであることを特徴とする
請求項2に記載の薄膜電極の形成方法。
5. The method according to claim 2, wherein the gas is an inert gas.
【請求項6】不活性ガスがアルゴン、ネオン、ヘリウ
ム、クリプトン、キセノンの希ガスもしくは窒素である
ことを特徴とする請求項5に記載の薄膜電極の形成方
法。
6. The method according to claim 5, wherein the inert gas is a rare gas of argon, neon, helium, krypton, or xenon or nitrogen.
【請求項7】基板上に導電性物質よりなる薄膜電極層を
形成する工程が、基板を真空槽内へ設置する工程と、真
空槽を真空排気する工程と、気体を充填させる工程と、
前記気体を励起しイオン化させ、導電性物質に衝突させ
ることで、導電性物質の原子をたたき出し、前記基板上
へ成膜する工程とを含むことを特徴とする請求項1から
6のいずれかに記載の薄膜電極の形成方法。
7. A step of forming a thin-film electrode layer made of a conductive substance on a substrate, comprising the steps of: placing the substrate in a vacuum chamber; evacuating the vacuum chamber;
7. The method according to claim 1, further comprising the step of: exciting and ionizing the gas to collide with a conductive substance to strike out atoms of the conductive substance and form a film on the substrate. The method for forming a thin film electrode according to the above.
【請求項8】基板上に導電性物質よりなる薄膜電極層を
形成する工程が、基板を真空槽内へ配置する工程と、真
空槽を真空排気する工程と、導電性物質を加熱し蒸発さ
せ、その蒸気を前記基板上へ成膜する工程とを含むこと
を特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の薄膜電
極の形成方法。
8. The step of forming a thin film electrode layer made of a conductive material on a substrate includes the steps of placing the substrate in a vacuum chamber, evacuating the vacuum chamber, and heating and evaporating the conductive substance. 7. A method for forming a thin film electrode according to claim 1, further comprising the step of: forming a film of the vapor on the substrate.
【請求項9】真空槽を真空排気する過程が、真空度1×
10-1〜3×10-3パスカルであることを特徴とする請
求項7または8に記載の薄膜電極の形成方法。
9. The process of evacuating the vacuum chamber is performed at a degree of vacuum of 1.times.
The method for forming a thin film electrode according to claim 7, wherein the pressure is 10 −1 to 3 × 10 −3 Pascal.
【請求項10】気体が不活性ガスであることを特徴とす
る請求項7または8記載に記載の薄膜電極の形成方法。
10. The method for forming a thin film electrode according to claim 7, wherein the gas is an inert gas.
【請求項11】不活性ガスがアルゴン、ネオン、ヘリウ
ム、クリプトン、キセノンの希ガスもしくは窒素である
ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜電極の形成方
法。
11. The method according to claim 10, wherein the inert gas is a rare gas such as argon, neon, helium, krypton, or xenon, or nitrogen.
【請求項12】基板表面を真空雰囲気下で励起された気
体を衝突させることで粗面にする工程と、前記基板上に
導電性物質よりなる薄膜電極層を形成する工程とが同一
空間内で連続的に行われることを特徴とする請求項1か
ら11のいずれかに記載の薄膜電極の形成方法。
12. A step of making a surface of a substrate rough by colliding a gas excited in a vacuum atmosphere and a step of forming a thin film electrode layer made of a conductive material on the substrate in the same space. The method for forming a thin-film electrode according to claim 1, wherein the method is performed continuously.
【請求項13】導電性物質が、貴金属もしくは炭素であ
ることを特徴とする請求項1記載の薄膜電極の形成方
法。
13. The method according to claim 1, wherein the conductive substance is a noble metal or carbon.
【請求項14】薄膜電極の厚みが5〜100nmの範囲
であることを特徴とする請求項1記載の薄膜電極の形成
方法。
14. The method according to claim 1, wherein the thickness of the thin-film electrode is in the range of 5 to 100 nm.
【請求項15】請求項1から14のいずれかの方法によ
り形成された薄膜電極を備えるバイオセンサであって、
前記薄膜電極上に試薬層を形成してなることを特徴とす
るバイオセンサ。
15. A biosensor comprising a thin-film electrode formed by the method according to any one of claims 1 to 14,
A biosensor comprising a reagent layer formed on the thin film electrode.
【請求項16】試薬層が酵素を含むことを特徴とする請
求項15に記載のバイオセンサ。
16. The biosensor according to claim 15, wherein the reagent layer contains an enzyme.
【請求項17】試薬層が電子伝達体を含むことを特徴と
する請求項16に記載のバイオセンサ。
17. The biosensor according to claim 16, wherein the reagent layer contains an electron carrier.
【請求項18】試薬層が水溶性高分子を含むことを特徴
とする請求項17に記載のバイオセンサ。
18. The biosensor according to claim 17, wherein the reagent layer contains a water-soluble polymer.
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