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JP2001291855A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

Info

Publication number
JP2001291855A
JP2001291855A JP2000144093A JP2000144093A JP2001291855A JP 2001291855 A JP2001291855 A JP 2001291855A JP 2000144093 A JP2000144093 A JP 2000144093A JP 2000144093 A JP2000144093 A JP 2000144093A JP 2001291855 A JP2001291855 A JP 2001291855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
image pickup
sensitivity
state image
pickup element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000144093A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Miura
高志 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
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Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP2000144093A priority Critical patent/JP2001291855A/ja
Publication of JP2001291855A publication Critical patent/JP2001291855A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は、デジタルカメラ等で使用する
固体撮像素子の感度を向上する技術に関するものであ
る。 【解決手段】ＣＣＤ（電荷結合素子）またはＣＭＯＳ
（相補性金属酸化膜半導体）センサの受光面に２酸化チ
タン等の光触媒の薄膜を形成するか、２酸化チタン等の
光触媒の微粉末を混入したポリマーを塗布して、撮像感
度を向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、デジタルカメラ
等で使用する固体撮像素子の感度を向上する技術に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、デジタルカメラに使用されるＣＣ
Ｄでは光量が少ない環境での撮像感度が十分でないた
め、電気的に信号を増幅して感度を向上していたが、雑
音も同時に増幅されるために、フィルタにより信号対雑
音比を向上させるなどのコスト増加を招いていた。ま
た、ＣＭＯＳセンサを撮像素子として用いる場合には、
ＣＣＤに比べて感度が低く雑音の除去が非常に困難であ
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このため撮影画素数が
増加する程、１画素あたりの受光面積が減少するため、
高感度で低雑音の固体撮像素子の製造が困難である。Ｃ
ＭＯＳセンサはＣＣＤに比べて製造コストが低減できる
可能性があり、低価格で高感度な撮像素子の実現が求め
られている。本発明は、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサの受光
面に光触媒の薄膜を配置することで、高感度で低雑音の
固体撮像素子を低価格で製造可能とするために発明され
たものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】いまその解決手段を図面
に従いながら説明すれば、
【０００５】光触媒１が固体撮像素子２の受光面に配置
しており、撮影される光はまず光触媒に入射する。入射
した光は光触媒により励起されて、固体撮像素子の出力
信号が増加する。この時、雑音は変化しないので信号対
雑音比が改善される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において光触媒１は２酸化
チタンなどの光触媒の薄膜を固体撮像素子２の受光面に
直接形成する方法または２酸化チタンなどの光触媒物質
の微粉末を混入したポリマーを受光面に塗布することに
より配置することができる。
【発明の効果】固体撮像素子の面積を増加せずに、撮像
感度と信号対雑音比が向上し、高性能なデジタルカメラ
を低価格にて提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の機能ブロック図
【符号の説明】
１は光触媒 ２は固体撮像素子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＣＣＤ（電荷結合素子）またはＣＭＯＳ（相補性金属酸
    化膜半導体）センサを利用する撮像素子において、その
    受光面に２酸化チタン等の光触媒の薄膜を配置した固体
    撮像素子。
JP2000144093A 2000-04-08 2000-04-08 固体撮像素子 Pending JP2001291855A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8698998B2 (en) * 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US9645505B2 (en) 2004-06-09 2017-05-09 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device to measure specific resistance of liquid
US9958786B2 (en) 2003-04-11 2018-05-01 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9958786B2 (en) 2003-04-11 2018-05-01 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer
US9645505B2 (en) 2004-06-09 2017-05-09 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device to measure specific resistance of liquid
US8698998B2 (en) * 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US8810767B2 (en) 2004-06-21 2014-08-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device

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Effective date: 20040224