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JP2001284801A - Method of manufacturing multilayer printed board - Google Patents

Method of manufacturing multilayer printed board

Info

Publication number
JP2001284801A
JP2001284801A JP2000102313A JP2000102313A JP2001284801A JP 2001284801 A JP2001284801 A JP 2001284801A JP 2000102313 A JP2000102313 A JP 2000102313A JP 2000102313 A JP2000102313 A JP 2000102313A JP 2001284801 A JP2001284801 A JP 2001284801A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
metal layer
etching
bumps
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000102313A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kawazoe
宏 河添
Hidehiro Nakamura
英博 中村
Tetsuya Enomoto
哲也 榎本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2000102313A priority Critical patent/JP2001284801A/en
Publication of JP2001284801A publication Critical patent/JP2001284801A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a multilayer printed wiring board wherein surface flatness of the board can be improved. SOLUTION: This manufacturing method comprises a process wherein a first metal layer on an insulating board 11 is selectively etched and a plurality of first bumps 21 are formed, a process for forming a first insulating resin layer 31 on the first bumps 21, a process wherein a second metal layer 33 is fixed with pressure on the first insulating resin layer 31 and tips of the first bumps 21 are connected with the second metal layer 33 penetrating the first insulating resin layer 31, a process wherein the second metal layer 33 is selectively etched and a plurality of second bumps 41 are formed, a process for forming a second insulating resin layer on the second bumps 41, and a process wherein a third metal layer is fixed with pressure on the second insulating resin layer and tips of the plurality of second bumps are connected with the facing third metal layer penetrating the second insulating resin layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント基板
の製造方法に関し、特に層間接続をバンプにより行う多
層プリント基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer printed circuit board, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer printed circuit board in which interlayer connections are made by bumps.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体集積回路は、端子サイズが
微細化し、ボンディングパッドの配列はペリフェラル配
列からエリアアレイ配列へと高密度化している。これに
伴い実装方法もワイヤボンディング実装から、ボール・
グリッド・アレイ(BGA)を用いたフリップチップ実
装へと移行している。これらの動向に対応するため、半
導体チップ実装用のプリント基板は、その品質をさらに
向上させる必要がある。このためには、半導体チップと
プリント基板間の接続信頼性に大きな影響を与えるプリ
ント基板表面の平坦度が重要である。これは、フリップ
チップ実装においては、半導体チップの表面に配置され
たボンディングパッドに配置されたハンダバンプ(半田
ボール)とプリント基板とを直付けするため、プリント
基板の平坦度が悪いと、ワイヤボンディングのような高
さを許容する物がないため、ところどころ接続不良とな
る部分が発生してしまうためである。特に、LSIチッ
プの高集積密度化により、ボンディングパッド間の空間
も非常に狭くなり、形成されるハンダバンプも小さくな
っているため、より平坦度の高いプリント基板が求めら
れている。
2. Description of the Related Art In recent semiconductor integrated circuits, the terminal size has been reduced, and the arrangement of bonding pads has been increased from peripheral arrangement to area array arrangement. Along with this, the mounting method has changed from wire bonding mounting to ball
The trend has shifted to flip chip mounting using grid arrays (BGA). In order to respond to these trends, it is necessary to further improve the quality of a printed circuit board for mounting a semiconductor chip. For this purpose, the flatness of the printed circuit board surface, which greatly affects the connection reliability between the semiconductor chip and the printed circuit board, is important. This is because in flip-chip mounting, the solder bumps (solder balls) arranged on the bonding pads arranged on the surface of the semiconductor chip are directly attached to the printed board. This is because, since there is no object that allows such a height, a part where connection failure occurs in some places occurs. In particular, as the integration density of LSI chips has increased, the space between bonding pads has become extremely narrow, and the formed solder bumps have also become smaller. Therefore, a printed circuit board with higher flatness has been demanded.

【0003】このため多層プリント基板おいては、層間
接続にレーザビアやフォトビアなどを使用した基板で
は、ビアホール開口部を導電性ペーストやメッキなどで
埋めることが行われている。これに対し、層間接続にバ
ンプ(電気的な接続に用いられる導電性の突起状のも
の)を用いた多層プリント基板では、この穴埋め工程が
不要であり、今後の進展が期待されている。層間接続に
バンプを用いるという構想は、例えば特開昭60−12
1789号公報にあり、また、接続法の個別的技術とし
ては、例えば特公平2−7180号公報、特開平6−2
1601号公報、特開平6−342977号公報、特開
平7−74466号公報、特開平7−86711号公
報、特開平8−78845号公報、特開平8−1253
44号公報などに開示されている。これら公報に記載さ
れた技術によれば、概略以下の各工程により多層プリン
ト基板が製造される。(イ)絶縁性基板の所定位置にバ
ンプを印刷法又はメッキ法により形成する工程、(ロ)
絶縁性樹脂材料よりバンプを埋め込む工程、(ハ)バン
プの先端を絶縁性樹脂材料から貫挿、露出させ、その上
に金属箔を積層配置する工程、(ニ)金属箔を積層配置
した積層体を加圧して、金属箔面にバンプの先端を接続
し、貫通型の導体配線部を形成する工程、(ホ)金属箔
をエッチング処理して、所定の配線パターンを形成する
工程。このような各工程により、前述のごとく層間接続
にビアホールの形成が不要となり、従って表面の平坦化
のための穴埋め工程も不要となっている。
For this reason, in the case of a multilayer printed circuit board in which laser vias or photo vias are used for interlayer connection, via hole openings are filled with a conductive paste or plating. On the other hand, in a multilayer printed circuit board using bumps (conductive projections used for electrical connection) for interlayer connection, the hole filling step is not required, and future progress is expected. The concept of using bumps for interlayer connection is disclosed in, for example,
No. 1789, and Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei.
1601, JP-A-6-342977, JP-A-7-74466, JP-A-7-86711, JP-A-8-78845, JP-A-8-1253
No. 44, for example. According to the techniques described in these publications, a multilayer printed circuit board is manufactured through the following steps. (A) a step of forming a bump at a predetermined position on the insulating substrate by a printing method or a plating method;
A step of embedding a bump from an insulating resin material, (c) a step of inserting and exposing the tip of the bump from the insulating resin material, and laminating and placing a metal foil thereon, and (d) a laminate in which a metal foil is laminated. Pressurizing to connect the tip of the bump to the metal foil surface to form a penetrating conductor wiring portion, and (e) forming a predetermined wiring pattern by etching the metal foil. Through these steps, as described above, it is not necessary to form a via hole for interlayer connection, and thus a hole filling step for flattening the surface is not required.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
公報記載の技術では、バンプを金属や導電性ペーストの
印刷又はメッキによって形成しているため、バンプ高さ
の制御性が悪い。さらに、その上に重ねた金属箔を不均
一に押し上げたり、又は金属箔から貫通したバンプの先
端が不均一な高さとなってしまうという問題があった。
特に、配線層数が増えると、高さばらつきが累積され
て、多層プリント基板表面の平坦度がいっそう低下し、
半導体チップと多層プリント基板間の接続信頼性の確保
が困難になる虞がある。
However, in the techniques described in the above publications, the bumps are formed by printing or plating a metal or a conductive paste, so that the controllability of the bump height is poor. Further, there is a problem that the metal foil overlaid thereon is pushed up unevenly, or the tip of the bump penetrating from the metal foil has an uneven height.
In particular, when the number of wiring layers increases, height variations accumulate, and the flatness of the multilayer printed circuit board surface further decreases,
There is a possibility that it may be difficult to secure connection reliability between the semiconductor chip and the multilayer printed board.

【0005】なお、バンプの高さばらつきを低減する方
法としては、例えばバンプの先端を研磨するなどのレベ
リング処理が提案されているが、直径50μm、高さ5
0μmを下回るような微細なサイズのバンプの場合、レ
ベリング処理の適用は困難であった。
As a method of reducing the height variation of the bump, a leveling process such as polishing the tip of the bump has been proposed.
In the case of a fine bump having a size smaller than 0 μm, it is difficult to apply the leveling process.

【0006】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的は、基板表面の高度な平坦化が可能な多層プリ
ント基板の製造方法を提供することである。
[0006] The present invention has been made in view of the above,
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multilayer printed circuit board that can highly planarize the surface of the board.

【0007】本発明の他の目的は、層間接続をバンプに
より行なった多層プリント基板であっても、一層ごとの
平坦度を改善し、層数を多くしても、全体として平坦度
の優れた多層プリント基板の製造方法を提供することで
ある。
Another object of the present invention is to improve the flatness of each layer even in a multilayer printed circuit board in which interlayer connection is performed by bumps, and to achieve excellent flatness as a whole even if the number of layers is increased. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer printed circuit board.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の多層プリント基板の製造方法は、(イ)絶
縁性基板の一方の主表面に第1の金属層を備えた支持基
板を用意し、この第1の金属層を選択的にエッチングし
て、複数の第1バンプを形成する工程と、(ロ)第1の
金属層上に第1絶縁性樹脂層を形成する工程と、(ハ)
第1絶縁性樹脂層上に第2の金属層を圧着し、複数の第
1バンプの先端を、第1絶縁性樹脂層を貫挿させて対向
するこの第2の金属層に接続する工程とを有することを
趣旨とする。ここで、複数の第1バンプを形成する工程
は、周知のフォトリソグラフィー技術を用いて、簡単に
行うことが可能である。即ち、第1の金属層の上に、所
望の複数の第1バンプの形状に対応したエッチングマス
クを形成し、このエッチングマスクを用いて、第1の金
属層をエッチングして、複数の第1バンプを形成すれば
よい。例えば、第1の金属層の上に、レジスト膜等を塗
布し、これに対して、露光・現像することにより、所望
のエッチングマスクが形成できる。そして、所定のエッ
チングにより、複数の第1バンプを形成後、エッチング
マスクを除去すればよい。エッチングは、ウェットエッ
チングでも、イオンミリングのようなドライエッチング
でも良い。
In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a multilayer printed board according to the present invention comprises the steps of (a) providing a supporting substrate having a first metal layer on one main surface of an insulating substrate; Preparing and selectively etching the first metal layer to form a plurality of first bumps; and (b) forming a first insulating resin layer on the first metal layer; (C)
Crimping a second metal layer on the first insulating resin layer and connecting the tips of the plurality of first bumps to the opposing second metal layer through the first insulating resin layer; It is intended to have. Here, the step of forming the plurality of first bumps can be easily performed using a known photolithography technique. That is, an etching mask corresponding to a desired shape of the plurality of first bumps is formed on the first metal layer, and the first metal layer is etched using the etching mask to form the plurality of first bumps. A bump may be formed. For example, a desired etching mask can be formed by applying a resist film or the like on the first metal layer and exposing and developing the resist film. Then, after forming the plurality of first bumps by predetermined etching, the etching mask may be removed. The etching may be wet etching or dry etching such as ion milling.

【0009】本発明による多層プリント基板の製造方法
は、複数の第1バンプを、絶縁基板上の第1の金属層を
エッチングすることで形成しているので、本来的に出来
上がる複数の第1バンプの高さを一定に制御することが
出来る。従って、本発明によれば、出来上がる第1バン
プの高さは、絶縁基板上に備えられている第1の金属層
の厚さばらつき(1〜2μm)と同等になる。この値
は、従来の印刷法やメッキ法によるバンプ高さのばらつ
き(10〜30μm)と比較し、1桁程度少ない値であ
る。従って、これにより得られる多層プリント基板は、
その平坦度が従来より遥かに向上したものとなる。
In the method of manufacturing a multilayer printed board according to the present invention, the plurality of first bumps are formed by etching the first metal layer on the insulating substrate, so that the originally formed plurality of first bumps are formed. Height can be controlled to be constant. Therefore, according to the present invention, the height of the completed first bump is equivalent to the thickness variation (1 to 2 μm) of the first metal layer provided on the insulating substrate. This value is about one digit smaller than the variation in bump height (10 to 30 μm) due to the conventional printing method or plating method. Therefore, the resulting multilayer printed circuit board is
The flatness is much improved than before.

【0010】また、本発明においては、第1の金属層を
選択的にエッチングして残った金属層をエッチングし
て、第1配線パターンを形成する工程をさらに有するよ
うにしても良い。これにより、絶縁基板上に備えられた
第1の金属層から、第1バンプと共に第1配線パターン
を形成することができるものである。そして、第2の金
属層を選択的にエッチングして、複数の第2バンプを形
成する工程をさらに有するようにしても良い。そして、
第2の金属層を選択的にエッチングして残った金属層を
エッチングして、第2配線パターンを形成する工程をさ
らに有するようにしても良い。また、本発明において
は、第1絶縁性樹脂層と第2の金属層とは、予め一体化
されているようにしても良い。これにより、複数の第1
バンプ形成後、第1絶縁性樹脂層の形成と共に、一度の
工程で第2の金属層が形成できる。また、本発明におい
ては、支持基板は、予め配線パターンが形成されている
回路基板であるようにしても良い。これは、予め配線パ
ターンが形成された回路基板上に第1の金属層が備えて
あれば、本発明を適用することができるものである。ま
た、本発明においては、第2の金属層上に第2絶縁性樹
脂層を形成する工程と、第2絶縁性樹脂層上に第3の金
属層を圧着し、複数の第2バンプの先端を、第2絶縁性
樹脂層を貫挿させて対向するこの第3の金属層に接続す
る工程とをさらに有するようにしても良い。さらに、第
3の金属層をエッチングして、第3配線パターンを形成
する工程をさらに有するようにしても良い。
In the present invention, the method may further include the step of selectively etching the first metal layer and etching the remaining metal layer to form a first wiring pattern. Thus, the first wiring pattern can be formed together with the first bump from the first metal layer provided on the insulating substrate. Then, the method may further include a step of selectively etching the second metal layer to form a plurality of second bumps. And
The method may further include the step of selectively etching the second metal layer and etching the remaining metal layer to form a second wiring pattern. Further, in the present invention, the first insulating resin layer and the second metal layer may be integrated in advance. Thereby, a plurality of first
After the bumps are formed, the second metal layer can be formed in one step together with the formation of the first insulating resin layer. Further, in the present invention, the support substrate may be a circuit substrate on which a wiring pattern is formed in advance. This means that the present invention can be applied as long as the first metal layer is provided on a circuit board on which a wiring pattern has been formed in advance. Further, in the present invention, a step of forming a second insulating resin layer on the second metal layer, and a step of crimping the third metal layer on the second insulating resin layer to form tips of the plurality of second bumps And connecting the second insulating resin layer to the opposing third metal layer through the second insulating resin layer. Further, the method may further include a step of forming a third wiring pattern by etching the third metal layer.

【0011】また、本発明においては、第1の金属層
は、最上層に位置する第1の銅層、この第1の銅層の下
にあり、ニッケル又はニッケル合金からなる中間層、こ
の中間層の下にある第2の銅層とからなる3層構造を有
し、複数の第1バンプを形成する工程が、この第1の銅
層をこのニッケル又はニッケル合金からなる中間層の表
面が露出するまでエッチングすることにより行われるよ
うにしても良い。このように、第1の銅層、ニッケル又
はニッケル合金からなる中間層、第2の銅層とからなる
3層構造の金属層を用いることで、中間層であるニッケ
ル又はニッケル合金よりなる中間層が、バンプ形成のた
めに第1の銅層をエッチングする際のエッチングストッ
プ層として機能する。即ち、第1の銅層のエッチング速
度を中間層であるニッケル又はニッケル合金のエッチン
グ速度より十分大きく選定しておけば、第1の銅層のエ
ッチングは、中間層が露出した時点で自動的に停止す
る。従って、何らエンドポイント・モニタリングを用い
ずに、高精度なエッチングが可能となる。その後、中間
層を除去し、第2の銅層をパターニングすることで、バ
ンプ形成面と同じ面に新たな配線パターンを形成するこ
とが容易となる。この場合は、複数の第1バンプを形成
する工程の後、さらに、表面を露出させたニッケル又は
ニッケル合金からなる中間層を除去する工程をさらに有
するようにすればよい。そして、中間層を除去する工程
の後、さらに、第2の銅層をエッチングすることによ
り、第1配線パターンを形成する工程をさらに有するよ
うにも出来る。同様に、第2の金属層は、最上層に位置
する第1の銅層、この第1の銅層の下にあり、ニッケル
又はニッケル合金からなる中間層、この中間層の下にあ
る第2の銅層とからなる3層構造を有するようにしても
良い。これにより、この第2の金属層を用いて、さらに
バンプを形成すると共に、配線パターンを形成すること
ができる。このため、極めて平坦度の高い多層プリント
基板を容易に製造することができる。この場合は、第2
の金属層を構成する第1の銅層を、ニッケル又はニッケ
ル合金からなる中間層の表面が露出するまでエッチング
することにより、複数の第2バンプを形成する工程をさ
らに有するように出来る。また、複数の第2バンプを形
成する工程の後、第2の金属層を構成するニッケル又は
ニッケル合金からなる中間層を除去すればよい。さら
に、中間層を除去する工程の後、第2の金属層を構成す
る第2の銅層をエッチングすることにより、第2配線パ
ターンを形成する工程をさらに有するようにしても良
い。この場合も、第2の金属層上に第2絶縁性樹脂層を
形成する工程と、第2絶縁性樹脂層上に第3の金属層を
圧着し、複数の第2バンプの先端を、第2絶縁性樹脂層
を貫挿させて対向するこの第3の金属層に接続する工程
とをさらに有するようにしても良い。そして、第3の金
属層をエッチングして、第3配線パターンを形成する工
程をさらに有するようにすれば、第3配線パターンが得
られる。
Further, in the present invention, the first metal layer is a first copper layer located on the uppermost layer, an intermediate layer below the first copper layer and made of nickel or a nickel alloy, A step of forming a plurality of first bumps, wherein the step of forming the plurality of first bumps includes the step of forming the first copper layer such that a surface of the nickel or nickel alloy intermediate layer is formed. It may be performed by etching until it is exposed. As described above, by using the metal layer having a three-layer structure including the first copper layer, the intermediate layer made of nickel or the nickel alloy, and the second copper layer, the intermediate layer made of nickel or the nickel alloy is used as the intermediate layer. Function as an etching stop layer when etching the first copper layer for bump formation. That is, if the etching rate of the first copper layer is selected to be sufficiently higher than the etching rate of nickel or nickel alloy as the intermediate layer, the etching of the first copper layer is automatically performed when the intermediate layer is exposed. Stop. Accordingly, highly accurate etching can be performed without using any endpoint monitoring. Then, by removing the intermediate layer and patterning the second copper layer, it becomes easy to form a new wiring pattern on the same surface as the bump formation surface. In this case, after the step of forming the plurality of first bumps, the method may further include a step of removing an intermediate layer made of nickel or a nickel alloy whose surface is exposed. Then, after the step of removing the intermediate layer, the method may further include a step of forming a first wiring pattern by etching the second copper layer. Similarly, the second metal layer is a first copper layer located on the uppermost layer, an intermediate layer under the first copper layer and made of nickel or a nickel alloy, and a second layer under the intermediate layer. May have a three-layer structure composed of a copper layer. Thereby, a bump can be formed and a wiring pattern can be formed using the second metal layer. For this reason, a multilayer printed board with extremely high flatness can be easily manufactured. In this case, the second
The step of forming a plurality of second bumps can be further provided by etching the first copper layer constituting the metal layer until the surface of the intermediate layer made of nickel or nickel alloy is exposed. After the step of forming the plurality of second bumps, the intermediate layer made of nickel or a nickel alloy constituting the second metal layer may be removed. Further, after the step of removing the intermediate layer, the method may further include a step of forming a second wiring pattern by etching the second copper layer constituting the second metal layer. Also in this case, the step of forming the second insulating resin layer on the second metal layer and the step of pressing the third metal layer on the second insulating resin layer by pressing A step of penetrating the two insulating resin layers and connecting to the opposing third metal layer. Then, if the method further includes a step of forming the third wiring pattern by etching the third metal layer, the third wiring pattern can be obtained.

【0012】また、本発明においては、第1及び第2絶
縁性樹脂層は、接着剤を用いることが可能である。これ
により、多層プリント基板を製造した際に各層間の接合
が緊密となり、信頼性が向上する。
In the present invention, the first and second insulating resin layers may use an adhesive. Thereby, when the multilayer printed circuit board is manufactured, the bonding between the layers becomes tight, and the reliability is improved.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施の形態を説明する。以下の図面の記載においては、
同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付してい
る。但し、図面は模式的なものであり、各部材の寸法の
関係や比率は現実のものとは異なることに留意すべきで
ある。従って、具体的な各部材の寸法は以下の説明を斟
酌して判断すべきものである。また、図面相互間におい
ても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれてい
ることは勿論である。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings,
The same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the dimensional relationships and ratios of the respective members are different from actual ones. Therefore, specific dimensions of each member should be determined in consideration of the following description. In addition, it is needless to say that dimensional relationships and ratios are different between drawings.

【0014】(第1の実施の形態)図1乃至図3は、本
発明の第1の実施の形態に係る多層プリント基板の製造
方法を説明するための工程断面図である。
(First Embodiment) FIGS. 1 to 3 are process sectional views for explaining a method of manufacturing a multilayer printed circuit board according to a first embodiment of the present invention.

【0015】(イ)まず、図1(a)に示すように、絶
縁性基板11の一方の主表面に、第1の金属層13を備
えた支持基板15を用意する。ここで第1の金属層13
は、後の工程においてバンプ及び配線パターンを形成す
るためのものである。この第1の金属層13としては、
銅(Cu)が好ましく、その厚さは、10μm〜150
μmであることが好ましい。これは10μm未満ではバ
ンプとしての高さが不十分となり、一方、150μmを
越えるとバンプの形成精度が低下するからである。この
ような銅層を有する支持基板15としては、銅張り積層
板が好ましい。具体的には、例えば紙、ガラスクロス、
ガラスマット、合成繊維などの基材と熱硬化性樹脂とか
らなる銅張りフェノール基板、銅張り紙エポキシ基板、
銅張り紙ポリエステル基板、銅張りガラスエポキシ基
板、銅張りガラスポリイミド基板、銅張りガラステフロ
ン(登録商標)基板などがある。また、基材を組み合わ
せない形としては、例えば銅張りポリイミド基板、銅張
りポリエステル基板、銅張りポリエーテルイミド基板な
どが挙げられる。さらに、他の形態としては、金属板を
ベースとして絶縁樹脂層を介して銅箔など張った積層
板、例えばアルミニウムベース銅張り基板、鉄ベース銅
張り基板、ステンレスベース銅張り基板、ケイ素鋼ベー
ス銅張り基板、銅ベース銅張り基板、42−アロイスベ
ース銅張り基板なども利用できる。また、支持基板15
としてはハードボードの他、フレキシブル基板であって
も良い。具体的には、第1の金属層13として厚さ60
μmの銅層を備えた基材厚0.2mmの銅張り積層基板
を用意する。なお、この積層基板は、絶縁基板の両主表
面に銅層が形成されたものであるが、図1乃至図3にお
いては、下面の銅層の図示は省略している。
(A) First, as shown in FIG. 1A, a support substrate 15 having a first metal layer 13 on one main surface of an insulating substrate 11 is prepared. Here, the first metal layer 13
Is for forming bumps and wiring patterns in a later step. As the first metal layer 13,
Copper (Cu) is preferable, and its thickness is 10 μm to 150 μm.
μm is preferred. This is because if it is less than 10 μm, the height as a bump becomes insufficient, while if it exceeds 150 μm, the accuracy of bump formation is reduced. As the support substrate 15 having such a copper layer, a copper-clad laminate is preferable. Specifically, for example, paper, glass cloth,
Copper-clad phenol board, copper-clad paper epoxy board composed of glass mat, base material such as synthetic fiber and thermosetting resin,
Examples include a copper-clad paper polyester substrate, a copper-clad glass epoxy substrate, a copper-clad glass polyimide substrate, and a copper-clad glass Teflon (registered trademark) substrate. Examples of the form in which the base materials are not combined include a copper-clad polyimide substrate, a copper-clad polyester substrate, and a copper-clad polyetherimide substrate. Further, as another form, a laminated plate in which a metal plate is used as a base and a copper foil or the like is interposed via an insulating resin layer, for example, an aluminum-based copper-clad substrate, an iron-based copper-clad substrate, a stainless steel-based copper-clad substrate, a silicon steel-based copper Stretched boards, copper-based copper-clad boards, 42-Alois-based copper-clad boards, and the like can also be used. Also, the support substrate 15
In addition to a hard board, a flexible substrate may be used. Specifically, the first metal layer 13 has a thickness of 60
A copper-clad laminated substrate having a base material thickness of 0.2 mm and a copper layer of μm is prepared. In this laminated substrate, a copper layer is formed on both main surfaces of an insulating substrate, but the copper layer on the lower surface is not shown in FIGS. 1 to 3.

【0016】(ロ)続いて、第1の金属層13上にレジ
スト膜を塗布し、このレジスト膜をフォトリソグラフィ
ー技術によりパターニングして、バンプを形成するため
のエッチングマスクとする。その後、このエッチングマ
スクを用いて、第1の金属層13を一定時間選択的にエ
ッチングする。即ち、図1(b)に示すように、第1残
金属層23として、底部に比較的薄い第1の金属層13
の一部を残しつつ、凸部からなる複数の第1バンプ21
を形成する。複数の第1バンプ21を形成後、エッチン
グマスクは不要であるので、剥離除去する。ここで、第
1の金属層13を選択的にエッチングする量としては、
凹部の底部に残留する第1残金属層23の厚さが、1〜
18μm程度残るようにすることが好ましい。これは、
第1残金属層23の厚さが1μm未満では、後にこの第
1残金属層23を用いて配線パターンを形成した際に、
ピンホールなどの欠陥が現れるため好ましくないからで
ある。また、第1残金属層23の厚さが15μmを超え
ると、配線パターンの形成精度が低下するためである。
また、第1の金属層13である銅のエッチングは、塩化
銅(II)水溶液をエッチング液として用いて、このエッ
チング液に基板全体を浸漬することにより行う。このと
き、エッチング量の調節は、浸漬時間を調節することに
より行う。また、形成する複数の第1バンプ21の形状
としては、例えば錐形、柱型、台形などの任意の立面形
状、円形、多角形、十字形などの任意の平面形状で良
い。寸法も任意で良い。しかし、複数の第1バンプ21
のエッチング加工精度の点から、第1バンプ21の高さ
は、10μm以上100μm以下であることが好まし
く、特に30μm以上60μm以下であるとより好まし
い。なお、エッチングマスクとなるレジスト膜として
は、フィルムレジスト膜、液状レジスト膜等が使用でき
る。また、ハンダ、ニッケルや金箔等のエッチングにお
いて、一般に用いられているプリント基板用のエッチン
グレジスト膜を用いても良い。ここでは、レジスト膜に
エッチングレジストフィルムを用いて、エッチングマス
クを形成する。そして、第1の金属層13である銅は、
選択的に45μmエッチングされ、15μmの残金属層
32を残しつつ複数の第1バンプ21が形成される。従
って、第1バンプ21の高さは45μmとなる。エッチ
ングマスクは、バンプ形成後剥離除去する。
(B) Subsequently, a resist film is applied on the first metal layer 13, and the resist film is patterned by photolithography to form an etching mask for forming bumps. Thereafter, using the etching mask, the first metal layer 13 is selectively etched for a certain time. That is, as shown in FIG. 1B, a relatively thin first metal layer 13 is formed on the bottom as the first remaining metal layer 23.
Of the plurality of first bumps 21 composed of convex portions while leaving a part of
To form After the formation of the plurality of first bumps 21, the etching mask is unnecessary, so that it is removed. Here, the amount of selectively etching the first metal layer 13 is as follows.
The thickness of the first remaining metal layer 23 remaining at the bottom of the concave portion is 1 to
It is preferable that about 18 μm remain. this is,
If the thickness of the first remaining metal layer 23 is less than 1 μm, when a wiring pattern is formed using the first remaining metal layer 23 later,
This is because a defect such as a pinhole appears, which is not preferable. Further, when the thickness of the first remaining metal layer 23 exceeds 15 μm, the accuracy of forming the wiring pattern is reduced.
The etching of the copper as the first metal layer 13 is performed by immersing the entire substrate in the etching solution using an aqueous solution of copper (II) chloride as an etching solution. At this time, the etching amount is adjusted by adjusting the immersion time. The shape of the plurality of first bumps 21 to be formed may be, for example, any vertical shape such as a cone, a column, or a trapezoid, or any planar shape such as a circle, a polygon, or a cross. The dimensions may be arbitrary. However, a plurality of first bumps 21
From the viewpoint of the etching accuracy, the height of the first bump 21 is preferably 10 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 30 μm or more and 60 μm or less. As a resist film serving as an etching mask, a film resist film, a liquid resist film, or the like can be used. Further, in etching of solder, nickel, gold foil, or the like, a generally used etching resist film for a printed circuit board may be used. Here, an etching mask is formed using an etching resist film as a resist film. And the copper which is the first metal layer 13 is:
The plurality of first bumps 21 are selectively formed by 45 μm etching while leaving the remaining metal layer 32 of 15 μm. Therefore, the height of the first bump 21 is 45 μm. The etching mask is removed after the bumps are formed.

【0017】(ハ)続いて、複数の第1バンプ21を覆
うように第1残金属層23の全面にレジスト膜を塗布
し、このレジスト膜をフォトリソグラフィー技術よりパ
ターニングして、配線パターン用のエッチングマスクを
形成する。このエッチングマスクを用いて第1残金属層
23をエッチングすることで、図1(c)に示すよう
に、第1配線パターン25を形成する。その後、エッチ
ングマスクは剥離除去する。これにより、絶縁基板11
上には、複数の第1バンプ21が形成されている主表面
と同一主表面側に、第1配線パターン25が形成され
る。ここで用いられるレジスト膜としては、先程と同様
に様々なレジスト膜を使用することができる。また、第
1残金属層23のエッチングも、塩化銅(II)水溶液を
エッチング液として用いてエッチングする。具体的に
は、基板15の両面にエッチングレジストフィルムをラ
ミネートし、このエッチングレジストフィルムに配線パ
ターンを形成してエッチングマスクとする。そして、第
1残金属層23である銅をさらにエッチングして第1配
線パターン25を形成する。第1配線パターン25形成
後、エッチングレジストフィルムは剥離除去する。
(C) Subsequently, a resist film is applied to the entire surface of the first remaining metal layer 23 so as to cover the plurality of first bumps 21, and this resist film is patterned by photolithography to form a wiring pattern. An etching mask is formed. The first wiring pattern 25 is formed as shown in FIG. 1C by etching the first remaining metal layer 23 using this etching mask. After that, the etching mask is peeled and removed. Thereby, the insulating substrate 11
On the upper side, the first wiring pattern 25 is formed on the same main surface side as the main surface on which the plurality of first bumps 21 are formed. As the resist film used here, various resist films can be used as described above. The etching of the first remaining metal layer 23 is also performed using an aqueous solution of copper (II) chloride as an etching solution. Specifically, an etching resist film is laminated on both surfaces of the substrate 15, and a wiring pattern is formed on the etching resist film to form an etching mask. Then, the first wiring pattern 25 is formed by further etching the copper that is the first remaining metal layer 23. After forming the first wiring pattern 25, the etching resist film is peeled and removed.

【0018】(ニ)続いて、複数の第1バンプ21と第
1配線パターン25が形成された基板15の上に、図2
(d)に示すように、第1絶縁性樹脂層31と第2の金
属層33を積層して圧着することにより、複数の第1バ
ンプ21と第2の金属層33を接続する。ここで用いら
れる絶縁性樹脂としては、例えばポリカーボネート樹
脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱
可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、六
フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケト
ン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂などの熱可
塑性樹脂が挙げられる。また、いわゆるBステージの状
態で、所要の絶縁性・接着性を形成し得る熱硬化性樹
脂、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエーテル樹
脂、メラミン樹脂、あるいは未加硫な(生ゴム)ブタジ
エンゴム、ブチルゴム、天然ゴム、ネオプレン(登録商
標)ゴム、シリコーンゴムなども使用し得る。さらに、
これらは共重合体系や混合系であっても良いし、ガラス
クロスやマットなどの無機酸化物、紙などの有機物を組
み合わせた形態、もしくは無機酸化物粉末など添加・含
有させた系でも良い。そして、絶縁性樹脂層の形成は、
例えばスクリーン印刷法、キャスティングローラコート
法、スピンコート法などで、複数の第1バンプ21と第
1配線パターン25が形成された基板面上に行うことが
できる。さらに、これらの絶縁性樹脂層は、予め接着剤
として機能するものを用いても良く、接着剤としては、
プリプレグ、接着シート、接着フィルム、銅箔付きの接
着剤、プリント基板用や半導体装置用として一般に用い
られている接着剤等を任意に選択してよい。基板15
と、これら第1絶縁性樹脂層31及び第2の金属層33
の圧着には、例えばラミネートプレス機、メカニカルプ
レス機などのプレス機を用いたり、ラミネーターや、フ
リップチップボンダー、熱圧着機、超音波接合装置な
ど、一般の積層、接着、圧着、接合装置を用いてよい。
本発明の第1の実施の形態では、第1絶縁性樹脂層31
として厚さ40μmのプリプレグと、第2の金属層33
として厚さ60μmの銅層とを予め接着積層した上で、
この積層体を、複数の第1バンプ21と第1配線パター
ン25の形成された基板15上に乗せて、接合圧力4.
0MPa、処理温度170℃、雰囲気圧力100Paの
条件で圧着することで一体化させると共に、複数の第1
バンプ21と第2の金属層33を接続する。
(D) Subsequently, on the substrate 15 on which the plurality of first bumps 21 and the first wiring patterns 25 are formed, FIG.
As shown in (d), the plurality of first bumps 21 and the second metal layer 33 are connected by laminating and compressing the first insulating resin layer 31 and the second metal layer 33. As the insulating resin used here, for example, polycarbonate resin, polysulfone resin, polyetherimide resin, thermoplastic polyimide resin, polyethylene tetrafluoride resin, hexafluoropolypropylene resin, polyetheretherketone resin, vinyl chloride resin, A thermoplastic resin such as a polyethylene resin may be used. In the so-called B-stage state, a thermosetting resin capable of forming required insulating properties and adhesiveness, for example, an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a polyimide resin, a phenol resin, a polyether resin, a melamine resin, or an uncured resin. Vulcanized (raw rubber) butadiene rubber, butyl rubber, natural rubber, neoprene (registered trademark) rubber, silicone rubber and the like can also be used. further,
These may be a copolymer system or a mixed system, a form in which an inorganic oxide such as glass cloth or mat, or an organic substance such as paper is combined, or a system in which an inorganic oxide powder is added or contained. And the formation of the insulating resin layer,
For example, it can be performed on the substrate surface on which the plurality of first bumps 21 and the first wiring patterns 25 are formed by a screen printing method, a casting roller coating method, a spin coating method, or the like. Furthermore, these insulating resin layers may be those that function as an adhesive in advance, and as the adhesive,
A prepreg, an adhesive sheet, an adhesive film, an adhesive with a copper foil, an adhesive generally used for a printed circuit board or a semiconductor device, or the like may be arbitrarily selected. Substrate 15
And the first insulating resin layer 31 and the second metal layer 33
For press bonding, for example, using a press machine such as a laminating press machine, a mechanical press machine, a laminator, a flip chip bonder, a thermocompression bonding machine, an ultrasonic bonding device, and other general laminating, bonding, crimping, and bonding devices. May be.
In the first embodiment of the present invention, the first insulating resin layer 31
Prepreg having a thickness of 40 μm and a second metal layer 33
After previously bonding and laminating a copper layer having a thickness of 60 μm,
This laminate is placed on the substrate 15 on which the plurality of first bumps 21 and the first wiring patterns 25 are formed, and a bonding pressure of 4.
At the same time, pressure bonding is performed under the conditions of 0 MPa, a processing temperature of 170 ° C., and an atmospheric pressure of 100 Pa, and the first
The bump 21 and the second metal layer 33 are connected.

【0019】(ホ)続いて、図2(e)に示すように、
前述した第1の金属層13での第1バンプ21の形成と
同様にして、第2の金属層33上に複数の第2バンプ4
1を形成する。ここでは、第2の金属層33表面にエッ
チングレジストフィルムをラミネートし、続いてフォト
リソグラフィー技術によりバンプとなる形状にエッチン
グマスクを形成する。そして、このエッチングマスクを
用いて第2の金属層33を選択的に45μmエッチング
する。そして、その後、エッチングレジスト膜を剥離除
去する。この工程では、第2の金属層33は全てエッチ
ングされることなく、第2残金属層43が残る。
(E) Subsequently, as shown in FIG.
The plurality of second bumps 4 are formed on the second metal layer 33 in the same manner as the formation of the first bumps 21 on the first metal layer 13.
Form one. Here, an etching resist film is laminated on the surface of the second metal layer 33, and then an etching mask is formed in a shape to be a bump by a photolithography technique. Then, the second metal layer 33 is selectively etched by 45 μm using this etching mask. Thereafter, the etching resist film is peeled and removed. In this step, the second metal layer 33 is not etched, and the second remaining metal layer 43 remains.

【0020】(ヘ)続いて、図2(f)に示すように、
前述した第1の金属層13での第1配線パターン25の
形成と同様にして、第2残金属層43による第2配線パ
ターン45を形成する。ここでは、第2バンプ41と第
2残金属層43を覆うようにエッチングレジストフィル
ムをラミネートし、続いてフォトリソグラフィー技術に
より配線パターンとなる形状にエッチングレジストフィ
ルムを形成して、第2残金属層43をエッチングする。
そして、その後エッチングレジストフィルムを剥離除去
して、複数の第2バンプ41が形成されている主表面と
同一主表面側に第2配線パターン45を形成する。
(F) Subsequently, as shown in FIG.
The second wiring pattern 45 is formed by the second remaining metal layer 43 in the same manner as the formation of the first wiring pattern 25 on the first metal layer 13 described above. Here, an etching resist film is laminated so as to cover the second bump 41 and the second remaining metal layer 43, and then an etching resist film is formed in a shape to be a wiring pattern by a photolithography technique. 43 is etched.
Then, the etching resist film is peeled off to form a second wiring pattern 45 on the same main surface as the main surface on which the plurality of second bumps 41 are formed.

【0021】(ト)続いて、図3(g)に示すように、
前述した第1絶縁性樹脂層31の形成及び第1バンプ2
1と第2の金属層33との接続と同様にして、複数の第
2バンプ41及び第2配線パターン45上に絶縁性樹脂
層35と第3の金属層51を形成後、基板15とこれら
絶縁性樹脂層35及び第3の金属層51を圧着し、複数
の第2バンプ41と第3の金属層51を接続する。ここ
で、第3の金属層51は、多層プリント基板の最表面配
線パターン層を形成するためのものである。従って、第
3の金属層51は、先程の第2の金属層33のようにバ
ンプを形成する必要がないため、配線パターンの形成に
十分なだけの厚さがあれば良い。第3の金属層51の厚
さとしては、例えば1〜18μmの厚さであることが好
ましい。これは、1μm未満では配線パターンを形成し
たときにピンホールなどの欠陥が現れ好ましくなく、一
方、15μmを超えると配線パターンの形成精度が低下
するためである。ここでは、絶縁性樹脂層35として厚
さ40μmのプリプレグ、第3の金属層51として厚さ
12μm銅層を形成し、接合圧力4.0MPa、処理温
度170℃、雰囲気圧力100Paの条件で成形一体化
させると共に、複数の第2バンプ41と第3の金属層5
1とを接続する。
(G) Subsequently, as shown in FIG.
Formation of First Insulating Resin Layer 31 and First Bump 2
After forming the insulating resin layer 35 and the third metal layer 51 on the plurality of second bumps 41 and the second wiring patterns 45 in the same manner as the connection between the first and second metal layers 33, The insulating resin layer 35 and the third metal layer 51 are pressure-bonded, and the plurality of second bumps 41 and the third metal layer 51 are connected. Here, the third metal layer 51 is for forming the outermost wiring pattern layer of the multilayer printed circuit board. Therefore, since the third metal layer 51 does not need to form bumps as in the case of the second metal layer 33, it is sufficient that the third metal layer 51 has a sufficient thickness for forming a wiring pattern. The thickness of the third metal layer 51 is preferably, for example, 1 to 18 μm. This is because if the thickness is less than 1 μm, defects such as pinholes appear when the wiring pattern is formed, which is not preferable. On the other hand, if the thickness exceeds 15 μm, the accuracy of forming the wiring pattern decreases. Here, a prepreg having a thickness of 40 μm is formed as the insulating resin layer 35 and a copper layer having a thickness of 12 μm is formed as the third metal layer 51. And a plurality of second bumps 41 and third metal layer 5
1 is connected.

【0022】(チ)続いて、図3(h)に示すように、
第3の金属層51上にレジスト膜を塗布し、このレジス
ト膜をフォトリソグラフィー技術によりパターニングし
て配線パターンのエッチングマスクを形成し、このエッ
チングマスクを用いて第3の金属層51をエッチングす
ることにより第3配線パターン55を形成する。ここで
は、第3の金属層51である銅層の表面にエッチングレ
ジストフィルムラミネートし、続いてフォトリソグラフ
ィー技術により配線パターンとなる形状にエッチングマ
スクを形成して、このエッチングマスクを用いて、第3
の金属層51をエッチングして第3配線パターン55を
得る。その後、エッチングマスクは剥離除去する。
(H) Subsequently, as shown in FIG.
Applying a resist film on the third metal layer 51, patterning the resist film by photolithography to form an etching mask for the wiring pattern, and etching the third metal layer 51 using the etching mask; Thus, a third wiring pattern 55 is formed. Here, an etching resist film is laminated on the surface of the copper layer that is the third metal layer 51, and then an etching mask is formed in a shape to be a wiring pattern by a photolithography technique.
The third wiring pattern 55 is obtained by etching the metal layer 51 of FIG. After that, the etching mask is peeled and removed.

【0023】以上の各工程により、図3(h)に示すよ
うな3層構造の多層プリント基板が完成する。得られた
多層プリント基板について、非接触形状測定器による測
定の結果、本発明の第1の実施の形態により製造された
多層プリント基板表面の平坦度は、面積10.48cm
×10.48cmにおいて、最大1.5μm凹凸であっ
た。この面積内には、1681個のバンプが配置されて
いる。
Through the above steps, a multilayer printed circuit board having a three-layer structure as shown in FIG. As a result of measurement of the obtained multilayer printed board by a non-contact shape measuring instrument, the flatness of the surface of the multilayer printed board manufactured according to the first embodiment of the present invention was 10.48 cm
At × 10.48 cm, the maximum roughness was 1.5 μm. 1,681 bumps are arranged in this area.

【0024】また、比較のために、バンプの形成を印刷
法により行なった同一面積の多層プリント基板を製作し
て、その平坦度を測定した。なお、層構造は、本発明の
第1の実施の形態と同様に3層構造で、かつバンプ数も
同じである。測定の結果、バンプを印刷法により形成し
た多層プリント基板表面の平坦度は、最大5.3μmの
凹凸であった。
For comparison, a multilayer printed circuit board having the same area where bumps were formed by a printing method was manufactured, and its flatness was measured. The layer structure has a three-layer structure as in the first embodiment of the present invention, and has the same number of bumps. As a result of the measurement, the flatness of the surface of the multilayer printed board on which the bumps were formed by the printing method was unevenness of 5.3 μm at the maximum.

【0025】以上のような平坦度の測定結果から分かる
ように、本発明を適用して製造された多層プリント基板
では、従来法により製造された多層プリント基板より平
坦度の高いことが分かる。また、本発明の第1の実施の
形態による平坦度1.5μm凹凸は、例えばフリップチ
ップ実装などに用いられている近年の半導体チップのバ
ンプの高さより十分低いため、フリップチップ実装によ
る半導体集積回路の信頼性を向上させることが可能とな
る。
As can be seen from the flatness measurement results as described above, the multilayer printed circuit board manufactured by applying the present invention has higher flatness than the multilayer printed circuit board manufactured by the conventional method. In addition, since the flatness of 1.5 μm unevenness according to the first embodiment of the present invention is sufficiently lower than the height of bumps of a recent semiconductor chip used for flip-chip mounting, for example, a semiconductor integrated circuit by flip-chip mounting is used. Can be improved in reliability.

【0026】(第2の実施の形態)図4乃至図6は、第
2の実施の形態における本発明を適用した多層プリント
基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
(Second Embodiment) FIGS. 4 to 6 are process sectional views for explaining a method of manufacturing a multilayer printed circuit board to which the present invention is applied in a second embodiment.

【0027】(イ)まず、図4(a)に示すように、絶
縁性基板61の一方の主表面に、3層構造の第1の金属
層69を有する支持基板60を用意する。この3層構造
の第1の金属層69は、最上層に位置する第1の銅層6
3、この第1の銅層63の下にあり、ニッケル又はニッ
ケル合金からなる中間層65、この中間層65の下にあ
る第2の銅層67とから構成されている。ここで、第1
の銅層63は、バンプを形成するためのものであるた
め、その厚さは、10〜150μmであることが好まし
い。これは10μm未満ではバンプとしての高さが不十
分となり、一方、150μmを越えるとバンプの形成精
度が低下するためである。ニッケル又はニッケル合金か
らなる中間層65は、バンプ形成時にエッチングストッ
プ層となるものである。従って、その厚さは、エッチン
グ液の浸透や漏出がなければ極薄くてよく、例えば0.
04〜1.5μmの厚さで十分である。しかし、0.4
μm未満ではピンホールなどの欠陥が発生する虞れがあ
り、銅のエッチングの時に、エッチングストップ層とし
て十分機能しなくなる可能性があるので好ましくない。
一方、上限については、1.5μmを越えても、エッチ
ングストップ層としての機能には問題がないものの、あ
まり厚くすると、この中間層65自体のエッチング除去
に時間がかかり、またエッチング液の消費量も多くなる
ので、コスト的に不利となる。このため、上限の厚さは
1.5μm程度が好ましい。第2の銅層67は、後に配
線パターンを形成するためのものである。このため、そ
の厚さは、1〜18μmであることが好ましい。これは
1μm未満ではピンホールなどの欠陥が現れ、一方、1
5μmを超えると配線パターンの形成精度が低下するた
めである。従って、例えば、最上層に厚さ45μmの銅
層63、その下に厚さ0.1μmのニッケル−リン合金
からなる中間層65、その下に厚さ6μmの銅層67の
3層からなる第1の金属層(3層金属層)69を備えた
基材厚0.2mmの銅張り積層板を用意する。
(A) First, as shown in FIG. 4A, a support substrate 60 having a first metal layer 69 having a three-layer structure on one main surface of an insulating substrate 61 is prepared. The first metal layer 69 having the three-layer structure includes the first copper layer 6 located on the uppermost layer.
3. An intermediate layer 65 made of nickel or a nickel alloy is provided below the first copper layer 63, and a second copper layer 67 is provided below the intermediate layer 65. Here, the first
Since the copper layer 63 is for forming a bump, its thickness is preferably 10 to 150 μm. This is because if the thickness is less than 10 μm, the height as a bump is insufficient, while if it exceeds 150 μm, the accuracy of bump formation is reduced. The intermediate layer 65 made of nickel or a nickel alloy serves as an etching stop layer when bumps are formed. Therefore, the thickness may be extremely thin as long as there is no permeation or leakage of the etching solution.
A thickness of 04-1.5 μm is sufficient. But 0.4
If the thickness is less than μm, defects such as pinholes may occur, and this may not be sufficient as an etching stop layer during copper etching.
On the other hand, with respect to the upper limit, even if the thickness exceeds 1.5 μm, there is no problem in the function as an etching stop layer. Therefore, the cost is disadvantageous. Therefore, the upper limit thickness is preferably about 1.5 μm. The second copper layer 67 is for forming a wiring pattern later. For this reason, the thickness is preferably 1 to 18 μm. This is because when the thickness is less than 1 μm, defects such as pinholes appear.
If the thickness exceeds 5 μm, the accuracy of forming the wiring pattern is reduced. Therefore, for example, a copper layer 63 having a thickness of 45 μm as the uppermost layer, an intermediate layer 65 made of a nickel-phosphorus alloy having a thickness of 0.1 μm thereunder, and a copper layer 67 having a thickness of 6 μm below therebelow. A copper-clad laminate having a base material thickness of 0.2 mm and one metal layer (three-layer metal layer) 69 is prepared.

【0028】(ロ)続いて、この支持基板60の第1の
銅層63上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜をフ
ォトリソグラフィー技術によりパターニングして、バン
プを形成するためのエッチングマスクとし、その後、こ
のエッチングマスクを用いて、第1の銅層63をエッチ
ングし、複数の第1バンプ71を形成する。このとき第
1の銅層63のエッチングは、中間層65が露出した時
点で自動的に停止する。その後、エッチングマスクとな
っているレジスト膜を剥離除去し、所定のニッケルエッ
チング液で、ニッケル又はニッケル合金からなる中間層
65のみを選択的にエッチング除去する。ニッケル又は
ニッケル合金からなる中間層65のエッチングにおいて
も、第2の銅層67が露出した時点で自動的に停止す
る。これにより、図4(b)に示すように、第2の銅層
67がそのまま残り、かつ、その表面が露出した状態で
複数の第1バンプ71が形成される。ここで形成する複
数の第1バンプ71の形状としては、例えば錐形、柱
型、台形などの任意の立面形状、円形、多角形、十字形
などの任意の平面形状で良い。寸法も任意で良いが、バ
ンプのエッチング加工精度の点から、高さ10μm以上
100μm以下であることが好ましく、特に30μm以
上60μm以下であるとより好ましい。ここで用いられ
るレジスト膜としては、第1の実施の形態と同様に様々
なレジスト膜を使用することができる。また、第1の銅
層63のエッチングは、前述した第1の実施の形態同様
に、塩化銅(II)水溶液をエッチング液として用いてエ
ッチングするが、このとき、エッチング量、即ちエッチ
ング時間の厳密は制御は不要である。なぜなら、上記の
通り、第1の銅層63の下には、エッチングストップ層
となるニッケル又はニッケル合金からなる中間層65が
あるため、多少長い時間エッチング液に浸漬しておいて
も、中間層の下にある第2の銅層67はエッチングされ
ることはないからである。
(B) Subsequently, a resist film is applied on the first copper layer 63 of the support substrate 60, and the resist film is patterned by photolithography to form an etching mask for forming bumps. After that, using the etching mask, the first copper layer 63 is etched to form a plurality of first bumps 71. At this time, the etching of the first copper layer 63 automatically stops when the intermediate layer 65 is exposed. Thereafter, the resist film serving as an etching mask is peeled and removed, and only the intermediate layer 65 made of nickel or a nickel alloy is selectively removed with a predetermined nickel etching solution. Also in the etching of the intermediate layer 65 made of nickel or a nickel alloy, the etching automatically stops when the second copper layer 67 is exposed. Thus, as shown in FIG. 4B, the plurality of first bumps 71 are formed with the second copper layer 67 remaining as it is and the surface thereof is exposed. The shape of the plurality of first bumps 71 formed here may be, for example, any vertical shape such as a cone, a column, or a trapezoid, or any planar shape such as a circle, a polygon, or a cross. Although the dimensions may be arbitrary, the height is preferably from 10 μm to 100 μm, and more preferably from 30 μm to 60 μm, from the viewpoint of the accuracy of the bump etching process. As the resist film used here, various resist films can be used as in the first embodiment. The first copper layer 63 is etched using an aqueous solution of copper (II) chloride as an etchant, as in the first embodiment described above. Does not require control. Because, as described above, since the intermediate layer 65 made of nickel or a nickel alloy serving as an etching stop layer is provided under the first copper layer 63, even if the intermediate layer 65 is immersed in the etching solution for a somewhat longer time, This is because the underlying second copper layer 67 is not etched.

【0029】(ハ)続いて、複数の第1バンプ71を覆
うように、露出している第2の銅層67の全面にレジス
ト膜を塗布し、このレジスト膜をフォトリソグラフィー
技術よりパターニングして、配線パターン用のエッチン
グマスクを形成する。そして、このエッチングマスクを
用いて第2の銅層67をエッチングすることで、図4
(c)に示すように、第1配線パターン75を形成す
る。その後、エッチングマスクは剥離除去する。ここで
用いられるレジスト膜としては、第1の実施の形態と同
様に様々なレジスト膜を使用することができる。また、
第2の銅層67のエッチングも、塩化銅(II)水溶液を
エッチング液として行うと良い。これにより、絶縁基板
61上には、第1バンプ71が形成されている主表面と
同一主表面側に第1配線パターン75が形成される。本
発明の第2の実施の形態では、基板60の両面にエッチ
ングレジストフィルムをラミネートし、続いてフォトリ
ソグラフィー技術により配線パターンとなる形状に、こ
のレジスト膜をパターニングしてエッチングマスクを形
成する。そして、このエッチングマスクを用いて、第2
の銅層67をエッチングして第1配線パターン75を形
成する。第1配線パターン75形成後、エッチングマス
クは剥離除去する。
(C) Subsequently, a resist film is applied to the entire surface of the exposed second copper layer 67 so as to cover the plurality of first bumps 71, and the resist film is patterned by photolithography. Then, an etching mask for a wiring pattern is formed. Then, by etching the second copper layer 67 using this etching mask, FIG.
As shown in (c), a first wiring pattern 75 is formed. After that, the etching mask is peeled and removed. As the resist film used here, various resist films can be used as in the first embodiment. Also,
The etching of the second copper layer 67 is also preferably performed using an aqueous solution of copper (II) chloride as an etching solution. Thereby, the first wiring pattern 75 is formed on the insulating substrate 61 on the same main surface side as the main surface on which the first bumps 71 are formed. In the second embodiment of the present invention, an etching resist film is laminated on both surfaces of the substrate 60, and then the resist film is patterned into a shape to be a wiring pattern by a photolithography technique to form an etching mask. Then, using this etching mask, the second
The first wiring pattern 75 is formed by etching the copper layer 67 of FIG. After forming the first wiring pattern 75, the etching mask is peeled and removed.

【0030】(ニ)続いて、図5(d)に示すように、
複数の第1バンプ71と第1配線パターン75の上に、
第1絶縁性樹脂層81を形成し、その上にさらに、3層
構造の第2の金属層(3層金属層)99を形成して、複
数の第1バンプ71と少なくとも第2の銅層97が接続
するように圧着する。3層構造の第2の金属層99は、
第1の銅層93、ニッケル又はニッケル合金からなる中
間層95、及び第2の銅層97とからなる。ここで、絶
縁性樹脂層としては、第1の実施の形態と同様に、様々
な樹脂材料や接着剤材など使用することができる。ま
た、第1の銅層93は、先程の第1バンプ71形成と同
様にバンプを形成するためのものであるため、その厚さ
は、10〜150μmであることが好ましい。また、ニ
ッケル又はニッケル合金からなる中間層95は、エッチ
ングストップ層となるもので、その厚さは、例えば0.
04〜1.5μmの厚さで十分である。さらに第2の銅
層97は、後に配線パターンを形成するためのもので、
その厚さは、1〜18μmであることが好ましい。本発
明の第2の実施の形態では、最上層に来る第1の銅層9
3として厚さ45μmの銅層93、その下に厚さ0.1
μmのニッケル−リン合金からなる中間層95、その下
に厚さ6μmの銅層97の3層からなる第2の金属層9
9と、厚さ35μmの接着剤とを、予め積層した上で、
接着剤層81が複数の第1バンプ71と接するように配
して積層構成体とし、接合圧力3.3MPa、処理温度
177℃、雰囲気圧力100Paの条件で圧着して、成
形一体化させる。これにより、複数の第1バンプ71が
接着剤層(絶縁性樹脂層)81を貫挿して対向する第2
の金属層97に接続される。
(D) Subsequently, as shown in FIG.
On the plurality of first bumps 71 and the first wiring patterns 75,
A first insulating resin layer 81 is formed, and a second metal layer (three-layer metal layer) 99 having a three-layer structure is further formed thereon to form a plurality of first bumps 71 and at least a second copper layer. Crimping is performed so that 97 is connected. The second metal layer 99 having a three-layer structure includes
It comprises a first copper layer 93, an intermediate layer 95 made of nickel or a nickel alloy, and a second copper layer 97. Here, as the insulating resin layer, various resin materials and adhesive materials can be used as in the first embodiment. Further, since the first copper layer 93 is for forming a bump in the same manner as the formation of the first bump 71, the thickness is preferably 10 to 150 μm. The intermediate layer 95 made of nickel or a nickel alloy serves as an etching stop layer.
A thickness of 04-1.5 μm is sufficient. Further, the second copper layer 97 is for forming a wiring pattern later,
The thickness is preferably 1 to 18 μm. In the second embodiment of the present invention, the first copper layer 9
3, a copper layer 93 having a thickness of 45 μm and a thickness of 0.1
an intermediate layer 95 made of a nickel-phosphorous alloy having a thickness of μm, and a second metal layer 9 formed of three layers of a copper layer 97 having a thickness of 6 μm below
9 and an adhesive having a thickness of 35 μm are laminated in advance,
The adhesive layer 81 is arranged so as to be in contact with the plurality of first bumps 71 to form a laminated structure, which is press-bonded under the conditions of a bonding pressure of 3.3 MPa, a processing temperature of 177 ° C., and an atmospheric pressure of 100 Pa, to form and integrate. Thus, the plurality of first bumps 71 penetrate the adhesive layer (insulating resin layer) 81 and face the second bumps 71.
Is connected to the metal layer 97.

【0031】(ホ)続いて、第1の銅層93上に、エッ
チングレジストフィルム等のレジスト膜を塗布し、この
レジスト膜をフォトリソグラフィー技術によりパターニ
ングして、バンプを形成するためのエッチングマスクと
する。その後、このエッチングマスクを用いて、第1の
銅層93をエッチングすることにより、複数の第2バン
プ101を形成する。このとき第1の銅層93のエッチ
ングは、中間層95が露出した時点で自動的に停止す
る。その後、エッチングマスクとなっているレジスト膜
を剥離除去し、ニッケルエッチング液で、ニッケル又は
ニッケル合金からなる中間層95のみを選択的にエッチ
ング除去する。これにより、図5(e)に示すように、
第2の銅層97がそのまま残り、かつ、その表面が露出
した状態で複数の第2バンプ101が形成される。この
とき第1の銅層93や中間層95のエッチング、用いた
レジスト膜などは先程の第1バンプ71の形成工程と同
じで良い。
(E) Subsequently, a resist film such as an etching resist film is applied on the first copper layer 93, and the resist film is patterned by photolithography to form an etching mask for forming bumps. I do. Thereafter, the first copper layer 93 is etched using this etching mask to form a plurality of second bumps 101. At this time, the etching of the first copper layer 93 automatically stops when the intermediate layer 95 is exposed. Thereafter, the resist film serving as an etching mask is peeled off, and only the intermediate layer 95 made of nickel or a nickel alloy is selectively etched away with a nickel etching solution. As a result, as shown in FIG.
A plurality of second bumps 101 are formed in a state where the second copper layer 97 remains as it is and its surface is exposed. At this time, the etching of the first copper layer 93 and the intermediate layer 95, the used resist film, and the like may be the same as those in the step of forming the first bump 71 described above.

【0032】(ヘ)続いて、複数の第2バンプ101を
覆うように、露出している第2の銅層97の上全面に、
エッチングレジストフィルム等のレジスト膜を塗布し、
このレジスト膜をフォトリソグラフィー技術よりパター
ニングして、配線パターン用のエッチングマスクを形成
する。そして、このエッチングマスクを用いて第2の銅
層97をエッチングすることで、図5(f)に示すよう
に、第2配線パターン105を形成する。その後、エッ
チングマスクは剥離除去する。ここで用いられるレジス
ト膜としては、エッチングレジストフィルムに以外の様
々なレジスト膜を使用することができる。また、第2の
銅層97のエッチングも、塩化銅(II)水溶液をエッチ
ング液としてエッチングすると良い。これにより、複数
の第2バンプ101が形成されている主表面と同一主表
面側に、第2配線パターン105が得られる。
(F) Then, the entire surface of the exposed second copper layer 97 is covered so as to cover the plurality of second bumps 101.
Apply a resist film such as an etching resist film,
This resist film is patterned by a photolithography technique to form an etching mask for a wiring pattern. Then, by etching the second copper layer 97 using this etching mask, the second wiring pattern 105 is formed as shown in FIG. After that, the etching mask is peeled and removed. As the resist film used here, various resist films other than the etching resist film can be used. Also, the etching of the second copper layer 97 is preferably performed using a copper (II) chloride aqueous solution as an etching solution. Thereby, the second wiring pattern 105 is obtained on the same main surface side as the main surface on which the plurality of second bumps 101 are formed.

【0033】(ト)続いて、図6(g)に示すように、
複数の第2バンプ101及び第2配線パターン105上
に第2絶縁性樹脂層85と第3の金属層111を形成
後、これらを圧着し、複数の第2バンプ101と第3の
金属層111を接続する。ここで、第3の金属層111
は、多層プリント基板の最表面配線パターン層を形成す
るためのものである。従って、第3の金属層111は、
バンプを形成する必要がないため、配線パターンの形成
に十分なだけの厚さがあれば良い。第3の金属層111
の厚さとしては、例えば1〜18μmの厚さであること
が好ましい。1μm未満では配線パターンを形成したと
きにピンホールなどの欠陥が現れ好ましくなく、一方、
15μmを超えると配線パターンの形成精度が低下する
ためである。本発明の第2の実施の形態では、予め第3
の金属層111となる厚さ12μmの銅層の付いた第2
絶縁性樹脂層85となる厚さ35μmの接着剤を用い
て、接着剤層85と第2バンプ101が接するように配
して積層構成体とし、接合圧力3.3MPa、処理温度
177℃、雰囲気圧力100Paの条件で圧着して成形
一体化させる。これより、複数の第2バンプ101と第
2の金属層85である銅層が接続される。
(G) Subsequently, as shown in FIG.
After the second insulating resin layer 85 and the third metal layer 111 are formed on the plurality of second bumps 101 and the second wiring patterns 105, they are press-bonded to form the plurality of second bumps 101 and the third metal layer 111. Connect. Here, the third metal layer 111
Is for forming the outermost wiring pattern layer of the multilayer printed circuit board. Therefore, the third metal layer 111
Since there is no need to form a bump, it is sufficient that the bump has a thickness sufficient to form a wiring pattern. Third metal layer 111
Is preferably 1 to 18 μm, for example. If the thickness is less than 1 μm, defects such as pinholes appear when a wiring pattern is formed, which is not preferable.
If the thickness exceeds 15 μm, the accuracy of forming the wiring pattern is reduced. In the second embodiment of the present invention, the third
The second metal layer with a 12 μm thick copper layer to be
The adhesive layer 85 and the second bump 101 are disposed so as to be in contact with each other by using an adhesive having a thickness of 35 μm to become the insulating resin layer 85 to form a laminated structure. Crimping is performed under pressure of 100 Pa to form and integrate. Thus, the plurality of second bumps 101 and the copper layer that is the second metal layer 85 are connected.

【0034】(チ)続いて、図6(h)に示すように、
第3の金属層111上にエッチングレジストフィルム等
のレジスト膜を塗布し、このレジスト膜をフォトリソグ
ラフィー技術によりパターニングして配線パターンのエ
ッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを介し
て第3の金属層111をエッチングすることにより第3
配線パターン115を形成する。その後、レジスト膜を
剥離除去する。
(H) Subsequently, as shown in FIG.
A resist film such as an etching resist film is applied on the third metal layer 111, and the resist film is patterned by a photolithography technique to form an etching mask for a wiring pattern, and the third metal layer is formed via the etching mask. Third by etching 111
The wiring pattern 115 is formed. After that, the resist film is peeled off.

【0035】以上の各工程により、図6(h)に示すよ
うな3層構造の多層プリント基板が完成する。得られた
多層プリント基板に付いて、その平坦度の測定を非接触
形状測定器を用いて測定した結果、本発明の第2の実施
の形態により製造された多層プリント基板表面の平坦度
は、面積10.48cm×10.48cmにおいて、最
大0.8μm凹凸であった。また、比較のために、同一
面積で、バンプの形成を印刷法により行なった多層プリ
ント基板を製作して、その平坦度を測定した。なお、層
構造は、本発明の第2の実施の形態と同様に、3層構造
で、かつバンプ数も同じである。測定の結果、バンプを
印刷法により形成した多層プリント基板表面の平坦度
は、最大6.6μmの凹凸であった。
Through the above steps, a multilayer printed circuit board having a three-layer structure as shown in FIG. 6H is completed. About the obtained multilayer printed circuit board, the flatness was measured using a non-contact shape measuring instrument, and as a result, the flatness of the surface of the multilayer printed circuit board manufactured according to the second embodiment of the present invention was: In an area of 10.48 cm × 10.48 cm, the maximum roughness was 0.8 μm. Further, for comparison, a multilayer printed circuit board having bumps formed by a printing method in the same area was manufactured, and its flatness was measured. The layer structure has a three-layer structure and the same number of bumps as in the second embodiment of the present invention. As a result of the measurement, the flatness of the surface of the multilayer printed board on which the bumps were formed by the printing method was unevenness of up to 6.6 μm.

【0036】以上のような平坦度の測定結果から分かる
ように、本発明の第2の実施の形態を適用して製造され
た多層プリント基板では、従来法により製造された多層
プリント基板より平坦度の高いことが分かる。また、本
発明の第2の実施の形態による平坦度0.8μm凹凸
は、例えばフリップチップ実装などに用いられている近
年の半導体チップのバンプの高さより十分低いため、フ
リップチップ実装による半導体集積回路の信頼性を向上
させることが可能となる。
As can be seen from the above-described flatness measurement results, the multilayer printed circuit board manufactured by applying the second embodiment of the present invention has a flatter flatness than the multilayer printed circuit board manufactured by the conventional method. It can be seen that is high. Further, since the flatness of 0.8 μm unevenness according to the second embodiment of the present invention is sufficiently lower than the height of the bump of a recent semiconductor chip used for flip chip mounting, for example, the semiconductor integrated circuit by flip chip mounting is used. Can be improved in reliability.

【0037】(その他の実施の形態)以上本発明を適用
した実施の形態を説明したが、上記した実施の形態の開
示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するもの
であると理解すべきではない。以下に説明するその他の
実施の形態の開示から当業者には様々な代替実施の形
態、実施例及び運用形態が明らかとなろう。
(Other Embodiments) The embodiments to which the present invention is applied have been described above. However, it should be understood that the description and drawings constituting a part of the disclosure of the above embodiments limit the present invention. should not do. From the disclosure of other embodiments described below, various alternative embodiments, examples, and operation modes will be apparent to those skilled in the art.

【0038】まず、上述した各実施の形態では、いずれ
も配線パターンが形成された層数としては、3層構造の
ものを示したが、この層数はいくつでも良いことは当然
である。
First, in each of the above-described embodiments, a three-layer structure is shown as the number of layers on which the wiring patterns are formed. However, it goes without saying that the number of layers may be any number.

【0039】第1の実施の形態では、一つの金属層(第
1の金属層)を選択的に2回エッチングすることで、同
一主表面側にバンプと配線パターンを形成した例を説明
した。また、第2の実施の形態では、エッチングストッ
プ層となる中間層を用いた3層構造の金属層を用いて、
同一主表面側にバンプと配線パターンを形成した例を説
明した。しかし、これらの方法は、互いに独立に行なわ
れる場合に限られるものではない。即ち、第1層目は一
つの金属層(第1の金属層)を選択的に2回に渡りエッ
チングすることで、同一主表面側にバンプと配線パター
ンを形成し、第2層目はエッチングストップ層となる中
間層を用いた3層構造の金属層を用いて、同一主表面側
にバンプと配線パターンを形成しても良い。
In the first embodiment, an example has been described in which a bump and a wiring pattern are formed on the same main surface side by selectively etching one metal layer (first metal layer) twice. In the second embodiment, a three-layer metal layer using an intermediate layer serving as an etching stop layer is used.
The example in which the bump and the wiring pattern are formed on the same main surface side has been described. However, these methods are not limited to the case where they are performed independently of each other. That is, the first layer selectively etches one metal layer (the first metal layer) twice to form bumps and wiring patterns on the same main surface side, and the second layer is etched. A bump and a wiring pattern may be formed on the same main surface side using a three-layer metal layer using an intermediate layer serving as a stop layer.

【0040】さらに、各実施の形態では、バンプの形成
と、配線パターンの形成を、同一主表面上で、同じ金属
層(第1の金属層や3層金属層)を用いて行なっている
が、これらは別の金属層により行なっても良い。例え
ば、絶縁性基板として、予め配線パターンが形成された
回路基板を用い、その上に、バンプ形成のための金属層
を形成して、バンプを形成するようにしても良い。この
とき、バンプ形成のための金属層に銅を用いるとすれ
ば、予め形成された配線パターンは、銅のエッチングに
対して選択的にエッチングされない金属である、例えば
ニッケルやニッケル合金などが好ましい。
Further, in each embodiment, the formation of the bumps and the formation of the wiring patterns are performed on the same main surface using the same metal layer (first metal layer or three-layer metal layer). These may be performed by another metal layer. For example, a bump may be formed by using a circuit board on which a wiring pattern has been formed in advance as an insulating substrate, and forming a metal layer for bump formation thereon. At this time, if copper is used for the metal layer for forming the bumps, the wiring pattern formed in advance is preferably a metal that is not selectively etched with respect to the etching of copper, such as nickel or a nickel alloy.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、表面の平坦度に優れた多層プリント基板を製造する
ことが可能となる。特に、層間接続をバンプにより行な
った多層プリント基板であっても、一層ごとの平坦度が
極めて良好であるので、層数を多くしても、全体として
平坦度の優れた多層プリント基板を製造することが可能
である。
As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a multilayer printed circuit board having excellent surface flatness. In particular, even in the case of a multilayer printed board in which interlayer connection is performed by bumps, the flatness of each layer is extremely good, so that even when the number of layers is increased, a multilayer printed board with excellent overall flatness is manufactured. It is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した第1の実施の形態に係る多層
プリント基板の製造方法を説明するための工程断面図
(その1)である。
FIG. 1 is a process cross-sectional view (part 1) for describing a method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明を適用した第1の実施の形態に係る多層
プリント基板の製造方法を説明するための工程断面図
(その2)である。
FIG. 2 is a process sectional view (part 2) for explaining the method for manufacturing the multilayer printed circuit board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明を適用した第1の実施の形態に係る多層
プリント基板の製造方法を説明するための工程断面図
(その3)である。
FIG. 3 is a process sectional view (part 3) for describing the method for manufacturing the multilayer printed circuit board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明を適用した第2の実施の形態に係る多層
プリント基板の製造方法を説明するための工程断面図
(その1)である。
FIG. 4 is a process cross-sectional view (part 1) illustrating a method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to the second embodiment of the present invention.

【図5】本発明を適用した第2の実施の形態に係る多層
プリント基板の製造方法を説明するための工程断面図
(その2)である。
FIG. 5 is a process sectional view (part 2) for describing the method for manufacturing the multilayer printed circuit board according to the second embodiment of the present invention.

【図6】本発明を適用した第2の実施の形態に係る多層
プリント基板の製造方法を説明するための工程断面図
(その3)である。
FIG. 6 is a process sectional view (part 3) for describing the method for manufacturing the multilayer printed circuit board according to the second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、61 絶縁性基板 13、69 第1の金属層 15、60 支持基板 21、71 第1バンプ 41、101 第2バンプ 23 第1残金属層 43 第2残金属層 25、75 第1配線パターン 45、105 第2配線パターン 55、115 第3配線パターン 31、81 第1絶縁性樹脂層 35、85 第2絶縁性樹脂層 33、99 第2の金属層 51、111 第3の金属層 63、93 第1の銅層 65、95 中間層 67、97 第2の銅層 11, 61 Insulating substrate 13, 69 First metal layer 15, 60 Support substrate 21, 71 First bump 41, 101 Second bump 23 First remaining metal layer 43 Second remaining metal layer 25, 75 First wiring pattern 45, 105 Second wiring pattern 55, 115 Third wiring pattern 31, 81 First insulating resin layer 35, 85 Second insulating resin layer 33, 99 Second metal layer 51, 111 Third metal layer 63, 93 first copper layer 65, 95 middle layer 67, 97 second copper layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎本 哲也 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Fターム(参考) 5E317 AA21 AA24 BB12 BB15 CC13 CC25 CD25 CD27 GG03 GG17 5E346 AA43 CC16 CC32 CC37 CC41 FF24 GG08 GG22 HH07 HH31 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuya Enomoto 48 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Prefecture F-term in Hitachi Chemical Co., Ltd. F-term (reference) 5E317 AA21 AA24 BB12 BB15 CC13 CC25 CD25 CD27 GG03 GG17 5E346 AA43 CC16 CC32 CC37 CC41 FF24 GG08 GG22 HH07 HH31

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性基板の一方の主表面に第1の金属
層を備えた支持基板を用意し、該第1の金属層を選択的
にエッチングして、複数の第1バンプを形成する工程
と、 前記第1の金属層上に第1絶縁性樹脂層を形成する工程
と、 前記第1絶縁性樹脂層上に第2の金属層を圧着し、前記
複数の第1バンプの先端を、前記第1絶縁性樹脂層を貫
挿させて対向する該第2の金属層に接続する工程とを有
することを特徴とする多層プリント基板の製造方法。
1. A supporting substrate having a first metal layer on one main surface of an insulating substrate is prepared, and the first metal layer is selectively etched to form a plurality of first bumps. Forming a first insulating resin layer on the first metal layer; pressing a second metal layer on the first insulating resin layer to form a tip of the plurality of first bumps; And a step of penetrating the first insulating resin layer and connecting to the opposing second metal layer.
【請求項2】 前記第1の金属層を選択的にエッチング
して残った金属層をエッチングして、第1配線パターン
を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項
1記載の多層プリント基板の製造方法。
2. The multi-layer printing method according to claim 1, further comprising the step of selectively etching the first metal layer and etching a remaining metal layer to form a first wiring pattern. Substrate manufacturing method.
【請求項3】 前記第2の金属層を選択的にエッチング
して、複数の第2バンプを形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項1記載の多層プリント基板の製
造方法。
3. The method according to claim 1, further comprising the step of selectively etching the second metal layer to form a plurality of second bumps.
【請求項4】 前記第2の金属層を選択的にエッチング
して残った金属層をエッチングして、第2配線パターン
を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項
1乃至3のいずれか1項記載の多層プリント基板の製造
方法。
4. The method according to claim 1, further comprising the step of selectively etching the second metal layer and etching a remaining metal layer to form a second wiring pattern. The method for producing a multilayer printed circuit board according to claim 1.
【請求項5】 前記第1絶縁性樹脂層と前記第2の金属
層とは、予め一体化されていることを特徴とする請求項
1乃至4のいずれか1項に記載の多層プリント基板の製
造方法。
5. The multilayer printed circuit board according to claim 1, wherein the first insulating resin layer and the second metal layer are integrated in advance. Production method.
【請求項6】 前記支持基板は、予め配線パターンが形
成されている回路基板であることを特徴とする請求項1
乃至5のいずれか1項に記載の多層プリント基板の製造
方法。
6. The circuit board according to claim 1, wherein the support board is a circuit board on which a wiring pattern is formed in advance.
6. The method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to any one of items 5 to 5.
【請求項7】 前記第2の金属層上に第2絶縁性樹脂層
を形成する工程と、 前記第2絶縁性樹脂層上に第3の金属層を圧着し、前記
複数の第2バンプの先端を、前記第2絶縁性樹脂層を貫
挿させて対向する該第3の金属層に接続する工程とをさ
らに有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか
1項に記載の多層プリント基板の製造方法。
7. A step of forming a second insulating resin layer on the second metal layer; and pressing a third metal layer on the second insulating resin layer to form a plurality of second bumps. 7. The method according to claim 1, further comprising: connecting a tip to the opposing third metal layer by penetrating the second insulating resin layer. 8. Manufacturing method of printed circuit board.
【請求項8】 前記第3の金属層をエッチングして、第
3配線パターンを形成する工程をさらに有することを特
徴とする請求項7記載の多層プリント基板の製造方法。
8. The method according to claim 7, further comprising etching the third metal layer to form a third wiring pattern.
【請求項9】 前記第1の金属層は、最上層に位置する
第1の銅層、該第1の銅層の下にあり、ニッケル又はニ
ッケル合金からなる中間層、該中間層の下にある第2の
銅層とからなる3層構造を有し、前記複数の第1バンプ
を形成する工程が、該第1の銅層を該ニッケル又はニッ
ケル合金からなる中間層の表面が露出するまでエッチン
グすることにより行われることを特徴とする請求項1記
載の多層プリント基板の製造方法。
9. The method according to claim 9, wherein the first metal layer is a first copper layer located on an uppermost layer, an intermediate layer under the first copper layer, and an intermediate layer made of nickel or a nickel alloy. A step of forming the plurality of first bumps is performed until the surface of the intermediate layer made of nickel or nickel alloy is exposed. The method according to claim 1, wherein the method is performed by etching.
【請求項10】 前記複数の第1バンプを形成する工程
の後、さらに、前記表面を露出させたニッケル又はニッ
ケル合金からなる中間層を除去する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項9記載の多層プリント基板の製
造方法。
10. The method according to claim 9, further comprising, after the step of forming the plurality of first bumps, a step of removing an intermediate layer made of nickel or a nickel alloy exposing the surface. Of manufacturing a multilayer printed circuit board.
【請求項11】 前記中間層を除去する工程の後、さら
に、前記第2の銅層をエッチングすることにより、第1
配線パターンを形成する工程をさらに有することを特徴
とする請求項10記載の多層プリント基板の製造方法。
11. After the step of removing the intermediate layer, the first copper layer is further etched by etching the first copper layer.
The method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to claim 10, further comprising a step of forming a wiring pattern.
【請求項12】 前記第2の金属層は、最上層に位置す
る第1の銅層、該第1の銅層の下にあり、ニッケル又は
ニッケル合金からなる中間層、該中間層の下にある第2
の銅層とからなる3層構造を有することを特徴とする請
求項9乃至11のいずれか1項記載に記載の多層プリン
ト基板の製造方法。
12. The second metal layer includes a first copper layer located on an uppermost layer, an intermediate layer below the first copper layer, and an intermediate layer made of nickel or a nickel alloy, A certain second
The method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to any one of claims 9 to 11, wherein the method has a three-layer structure including a copper layer.
【請求項13】 前記第2の金属層を構成する前記第1
の銅層を、前記ニッケル又はニッケル合金からなる中間
層の表面が露出するまでエッチングすることにより、複
数の第2バンプを形成する工程をさらに有することを特
徴とする請求項9乃至12のいずれか1項記載の多層プ
リント基板の製造方法。
13. The method according to claim 1, wherein the first metal layer comprises the first metal layer.
13. The method according to claim 9, further comprising the step of forming a plurality of second bumps by etching the copper layer until the surface of the intermediate layer made of nickel or nickel alloy is exposed. 2. The method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to claim 1.
【請求項14】 前記複数の第2バンプを形成する工程
の後、前記第2の金属層を構成するニッケル又はニッケ
ル合金からなる中間層を除去する工程をさらに有するこ
とを特徴とする請求項13記載の多層プリント基板の製
造方法。
14. The method according to claim 13, further comprising, after the step of forming the plurality of second bumps, a step of removing an intermediate layer made of nickel or a nickel alloy constituting the second metal layer. A method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to the above.
【請求項15】 前記中間層を除去する工程の後、前記
第2の金属層を構成する第2の銅層をエッチングするこ
とにより、第2配線パターンを形成する工程をさらに有
することを特徴とする請求項14記載の多層プリント基
板の製造方法。
15. The method according to claim 15, further comprising, after the step of removing the intermediate layer, a step of forming a second wiring pattern by etching a second copper layer constituting the second metal layer. The method for manufacturing a multilayer printed circuit board according to claim 14.
【請求項16】 前記第2の金属層上に第2絶縁性樹脂
層を形成する工程と、 前記第2絶縁性樹脂層上に第3の金属層を圧着し、前記
複数の第2バンプの先端を、前記第2絶縁性樹脂層を貫
挿させて対向する該第3の金属層に接続する工程とをさ
らに有することを特徴とする請求項9乃至15のいずれ
か1項に記載の多層プリント基板の製造方法。
16. A step of forming a second insulating resin layer on the second metal layer, and pressing a third metal layer on the second insulating resin layer to form a plurality of second bumps. The method according to any one of claims 9 to 15, further comprising: connecting a tip to the opposing third metal layer by penetrating the second insulating resin layer. Manufacturing method of printed circuit board.
【請求項17】 前記第3の金属層をエッチングして、
第3配線パターンを形成する工程をさらに有することを
特徴とする請求項16記載の多層プリント基板の製造方
法。
17. Etching the third metal layer,
17. The method according to claim 16, further comprising the step of forming a third wiring pattern.
【請求項18】 前記第1絶縁性樹脂層は、接着剤であ
ることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に
記載の多層プリント基板の製造方法。
18. The method according to claim 1, wherein the first insulating resin layer is an adhesive.
【請求項19】 前記第2絶縁性樹脂層は、接着剤であ
ることを特徴とする請求項7又は16に記載の多層プリ
ント基板の製造方法。
19. The method according to claim 7, wherein the second insulating resin layer is an adhesive.
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