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JP2001281693A - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示パネル及びその製造方法

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JP2001281693A
JP2001281693A JP2000089952A JP2000089952A JP2001281693A JP 2001281693 A JP2001281693 A JP 2001281693A JP 2000089952 A JP2000089952 A JP 2000089952A JP 2000089952 A JP2000089952 A JP 2000089952A JP 2001281693 A JP2001281693 A JP 2001281693A
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liquid crystal
display panel
crystal display
bus line
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ブローバー検査用の検査端子に導電性異物が
付着しても検査端子と対向電極との短絡を回避できる液
晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 ガラス基板３１の非表示部に複数色のカ
ラーフィルタ３３を積層してブラックマトリクスとす
る。そして、検査端子１２ｃ，１２ｄと対向する領域に
マスクを配置してＩＴＯをスパッタし、対向電極３４を
形成する。又は、検査端子１２ｃ，１２ｄに対向する部
分の対向電極３４の上に、絶縁性の樹脂膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブローバー検査用
の検査端子を有する液晶表示パネル及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、薄くて軽量であるとと
もに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所が
あり、各種電子機器に広く使用されている。特に、ＴＦ
Ｔ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等の能
動素子が画素毎に設けられたアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置は、表示品質の点でもＣＲＴ（Cathode-
Ray Tube）に匹敵するほど優れたものが得られるように
なり、近年、携帯テレビやパーソナルコンピュータ等の
ディスプレイにも使用されるようになった。
【０００３】一般的なＴＮ（Twisted Nematic ）型液晶
表示装置は、２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造
を有している。それらの透明基板の相互に対向する２つ
の面（対向面）のうち、一方の面側には対向電極、カラ
ーフィルタ及び配向膜等が形成され、また他方の面側に
はＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成されている。更
に、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏
光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、
例えば偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置さ
れ、これによれば、電界をかけない状態では光を透過
し、電界を印加した状態では遮光するモード、すなわち
ノーマリーホワイトモードとなる。また、２枚の偏光板
の偏光軸が平行な場合には、ノーマリーブラックモード
となる。以下、ＴＦＴ及び画素電極等が形成された基板
をＴＦＴ基板と呼び、対向電極及びカラーフィルタ等が
形成された基板をＣＦ基板と呼ぶ。
【０００４】近年、液晶表示装置のより一層の高性能化
が要求されており、特に視角特性の改善及び表示品質の
向上が強く要求されている。このような要求を満たすも
のとして、垂直配向（Vertically Aligned：ＶＡ）型液
晶表示装置が有望視されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示パ
ネルの製造工程において、第１配線層（ゲートバスライ
ン等）を形成するときに、エッチングの過不足により短
絡や抵抗値異常等が発生することがある。このような不
良が発生した場合は、その後の工程を実施しても無駄で
あるので、第１配線層を形成した後にブローバー検査を
実施して、不良品を選別している。
【０００６】ブローバー検査では、検査ピンを検査端子
に接触させて短絡の有無及び抵抗値の適否を検査する
が、液晶表示パネルの高精細化に伴って先鋭な検査ピン
が使用されるようになり、検査ピンとの接触により検査
端子の一部が剥れて、検査端子に導電性異物が付着した
状態になることがある。この導電性異物が検査端子上に
残ったままＴＦＴ基板が製造されてＣＦ基板と接合され
ると、導電性異物とＣＦ基板側の対向電極とが接触し、
短絡不良の原因となる。対向電極の上にはポリイミド等
からなる配向膜が形成されているが、一般的に配向膜は
極めて薄いため、導電性異物が接触すると容易に切断さ
れて、検査端子と対向電極とが導電性異物を介して電気
的に接続してしまう。
【０００７】本発明は、検査端子に導電性異物が付着し
ても検査端子と対向電極との短絡を回避できる液晶表示
パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、複数の
画素電極と、複数のゲートバスラインと、複数のデータ
バスラインと、これらの画素電極、ゲートバスライン及
びデータバスラインに接続された薄膜トランジスタとが
配置された表示部と、前記表示部の周囲の非表示部に配
置され、前記ゲートバスラインに接続された検査端子と
を有する第１の基板と、前記複数の画素電極に対向して
配置された対向電極を有する第２の基板と、前記第１の
基板と前記第２の基板との間に封入された液晶とにより
構成された液晶表示パネルにおいて、前記第２の基板の
前記検査端子に対向する領域には前記対向電極が形成さ
れていないことを特徴とする液晶表示パネルにより解決
する。また、対向電極の上の前記検査端子に対向する領
域に絶縁膜を形成してもよい。
【０００９】本発明においては、検査端子に対向する第
２の基板（ＣＦ基板）の領域上には対向電極を形成しな
い。これにより、ブローバー検査時に検査端子の上に導
電性異物付着し、その後の工程でも導電性異物が除去さ
れなかったとしても、対向電極との電気的な短絡が防止
される。また、検査端子に対向する第２の基板の領域上
に絶縁膜を形成してもよい。これにより、検査端子の上
に付着した導電性異物は絶縁膜に阻まれ、対向電極との
接触を回避することができる。絶縁膜は、例えばフォト
レジストを使用して容易に形成することができる。ＶＡ
型液晶表示パネルでは、フォトレジストを使用してドメ
イン規制用の突起を形成することがある。この場合、ド
メイン規制用突起を形成するためのフォトレジストを使
用して、同時に絶縁膜を形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
の液晶表示パネルを示す平面図、図２は同じくその液晶
表示パネルの表示部に形成された画素を示す平面図、図
３は図２のＡ−Ａ線における液晶表示パネルの断面図、
図４（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部（図１の右端側）
に配置された検査端子を示す平面図、図４（ｂ）はＴＡ
Ｂ非実装側の非表示部（図１の左端側）に配置された検
査端子を示す平面図、図５（ａ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ
線における液晶表示パネルの断面図、図５（ｂ）は図４
（ｂ）のＣ−Ｃ線における液晶表示パネルの断面図であ
る。
【００１１】液晶表示パネル１の隣り合う２つの辺に沿
って複数のＴＡＢ端子（図示せず）が設けられており、
これらのＴＡＢ端子にＬＳＩ（大規模集積回路：Large
Scale Integration ）３が搭載されたフレキシブル基板
２が接続される。これらのフレキシブル基板２を介して
液晶表示パネル１に表示データ及びタイミング信号等が
供給される。
【００１２】液晶表示パネル１は、図３に示すように、
ＴＦＴ基板１０と、ＣＦ基板３０と、これらのＴＦＴ基
板１０とＣＦ基板３０との間に封入された液晶３８とに
より構成されている。また、液晶表示パネル１は、図１
に示すように多数の画素が配列された表示部４と、その
周囲の非表示部５との２つの領域に分けることができ
る。ＴＦＴ基板１０の表示部４には、図２に示すよう
に、相互に平行に配置された複数本のゲートバスライン
１２ａと、各ゲートバスライン１２ａの間にそれぞれ配
置された複数本の補助容量バスライン１２ｂと、ゲート
バスライン１２ａに交差する複数本のデータバスライン
１７ａとが形成されている。ゲートバスライン１２ａ及
びデータバスライン１７ａで囲まれた矩形の領域がそれ
ぞれ画素領域となっている。そして、各画素領域毎に、
ＴＦＴ１７、画素電極１９ａ及び補助容量電極１７ｄが
形成されている。この例では、ＴＦＴ１７のソース電極
１７ｂ及びドレイン電極１７ｃはゲートバスライン１２
ａを挟んで配置され、補助容量電極１７ｄは補助容量バ
スライン１２ｂの上方に配置されている。
【００１３】一方、ＣＦ基板３０には、赤色（Ｒ）、緑
色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタ３３と、これ
らのカラーフィルタ３３を覆う対向電極３４と、対向電
極３４を覆う配向膜３５とが形成されている。この例で
は、遮光領域（すなわち、画素間の領域、ＴＦＴ形成領
域及び非表示部５）を遮光するブラックマトリクスを、
図３，図５に示すように２色以上のカラーフィルタ３３
（図では赤色（Ｒ）と青色（Ｂ）のカラーフィルタ）を
積層して形成している。また、検査端子１２ｃ，１２ｄ
に対向するＣＦ基板側の領域（図４（ａ），（ｂ）で破
線に挟まれた領域）には、対向電極３４が形成されてい
ない。
【００１４】以下、本実施の形態の液晶表示パネルの製
造方法について、図１〜図５を参照して説明する。ま
ず、ＴＦＴ基板１０の製造方法について説明する。ま
ず、ガラス基板１１の上にＣｒ（クロム）をスパッタし
て、第１配線層となる導電膜を約１５０ｎｍの厚さに形
成する。そして、フォトリソグラフィによりこの導電膜
をパターニングして、ゲートバスライン１２ａ、補助容
量バスライン１２ｂ、検査端子１２ｃ，１２ｄ及びＴＡ
Ｂ端子（図示せず）を形成する。図４（ａ），（ｂ）に
示すように、検査端子１２ｃはゲートバスライン１２ａ
に接続し、検査端子１２ｄは補助容量バスライン１２ｂ
に接続して形成する。また、これらの検査端子１２ｃ，
１２ｄは、非表示部５に形成する。なお、この例では第
１配線層となる導電膜をＣｒにより形成したが、これに
限定するものではなく、Ａｌ（アルミニウム）とＴｉ
（チタン）との積層構造としてもよいし、Ａｌ合金によ
り形成してもよい。
【００１５】その後、ブローバー検査を行う。すなわ
ち、検査端子１２ｃ，１２ｄに検査ピンを接触させて、
短絡不良の有無及び抵抗値の適否を検査し、不良と判定
されたものを製造ラインから除く。次に、ガラス基板１
１の上側全面に絶縁膜（ゲート絶縁膜）１３を形成し、
この絶縁膜１３によりゲートバスライン１２ａ、補助容
量バスライン１２ｂ、検査端子１２ｃ，１２ｄ及びＴＡ
Ｂ端子を覆う。絶縁膜１３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）
又は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）により約１００〜６００
ｎｍの厚さに形成する。
【００１６】次に、絶縁膜１３上に、ＴＦＴ１７の活性
層となるアモルファスシリコン膜１４ａを選択的に形成
する。このとき同時に、検査端子１２ｄの上にもアモル
ファスシリコン膜１４ｂを形成する。アモルファスシリ
コン膜１４ａ，１４ｂは、 例えば１５〜５０ｎｍの厚さ
に形成する。その後、アモルファスシリコン膜１４ａの
上に、チャネル保護膜（絶縁膜）１５を形成する。チャ
ネル保護膜１５は、例えば窒化シリコンにより約５０ｎ
ｍ〜２００ｎｍの厚さに形成する。
【００１７】次に、ガラス基板１１の上側全面に、ＴＦ
Ｔ１７のオーミックコンタクト層となるｎ+ 型アモルフ
ァスシリコン膜を約３０ｎｍの厚さに形成する。その
後、このアモルファスシリコン膜の上に、Ｔｉ、Ａｌ及
びＴｉを順次積層して、これらのＴｉ、Ａｌ及びＴｉの
３層構造の導電膜（第２配線層）を形成する。下層のＴ
ｉ層の厚さは例えば２０ｎｍ、Ａｌ層の厚さは例えば７
５ｎｍ、上層のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍとする。
そして、フォトリソグラフィにより導電膜及びｎ + 型ア
モルファスシリコン膜をパターニングして、オーミック
コンタクト層１６、データバスライン１７ａ、ソース電
極１７ｂ、ドレイン電極１７ｃ及び補助容量電極１７ｄ
を形成する。この例では第２配線層をＴｉ、Ａｌ及びＴ
ｉの３層構造としたが、Ａｌ、Ａｌ合金又はその他の低
抵抗金属により形成してもよい。
【００１８】次に、ガラス基板１１の上側全面に窒化シ
リコンからなる絶縁膜（保護膜）１８を約３３０ｎｍの
厚さに形成する。そして、この絶縁膜１８に、ソース電
極１７ｂに到達するコンタクトホール、補助容量電極１
７ｄに到達するコンタクトホール及び検査端子１２ｄに
到達するコンタクトホールを形成する。次に、ガラス基
板１１の上側全面にＩＴＯ（indium-tin oxide：インジ
ウム酸化スズ）からなる透明導電膜を約７０ｎｍの厚さ
に形成する。そして、この透明導電膜をフォトリソグラ
フィによりパターニングして、画素電極１９ａと、検査
端子１２ｄの上のカバー膜１９ｂとを形成する。
【００１９】次いで、ガラス基板１１の上側全面にポリ
イミドからなる配向膜２０を約１００ｎｍの厚さに形成
する。これにより、ＴＦＴ基板１０が完成する。以下、
ＣＦ基板の製造方法を示す図である。まず、ガラス基板
３１の上に、青色顔料を分散したフォトレジストを約
１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像工程を経て、
青色画素部及び遮光領域に青色カラーフィルタ３３
（Ｂ）を形成する。その後、ガラス基板１１の上に、赤
色顔料を分散したフォトレジストを約１．５μｍの厚さ
に塗布し、露光及び現像工程を経て、赤色画素部及び遮
光領域に赤色カラーフィルタ３３（Ｒ）を形成する。次
いで、ガラス基板１１の上に、緑色顔料を分散したフォ
トレジストを１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像
工程を経て、緑色画素部に緑色カラーフィルタ３３
（Ｇ）を形成する。
【００２０】次に、ＴＦＴ基板１０の検査端子１２ｃ，
１２ｄに対向するガラス基板３１上の領域をマスクで覆
い、ＩＴＯをスパッタして、厚さが約１５０ｎｍの対向
電極３４を形成する。これにより、検査端子１２ｃ，１
２ｄの形成領域に対向する領域を除き、ガラス基板３１
の上側に対向電極３４が形成される。その後、ガラス基
板３１の上側全面にポリイミドを約１００ｎｍの厚さに
形成して、配向膜３５とする。これにより、ＣＦ基板３
０が完成する。
【００２１】このようにしてＴＦＴ基板１０及びＣＦ基
板３０を形成した後、ＴＦＴ基板１０又はＣＦ基板３０
のいずれか一方の表示部の外側にシール材を塗布し、球
形又は円筒形のスペーサ（図示せず）を散布して、ＴＦ
Ｔ基板１０とＣＦ基板３０とを接合する。このとき、後
工程でＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間に液晶を注
入するために、一部分シール材を塗布しない領域を設け
ておき、液晶注入口とする。
【００２２】その後、真空雰囲気中で液晶注入口を液晶
中に入れ、真空雰囲気を大気圧に戻す。これにより、Ｔ
ＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間に液晶が注入され
る。その後、液晶注入口を樹脂で封止する。これによ
り、本実施の形態の液晶表示パネルが完成する。なお、
ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板３０のいずれか一方の上に
液晶を滴下した後、その上に他方の基板を配置する、い
わゆる滴下注入法によりＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０
との間に液晶を注入してもよい。
【００２３】本実施の形態においては、図５（ａ），
（ｂ）に示すように、検査端子１２ｃ，１２ｄが形成さ
れた領域に対応するＣＦ基板３０側の領域には対向電極
３４が形成されていないので、図６（ａ），（ｂ）に示
すように、ブローバー検査時に検査端子１２ｃ，１２ｄ
から剥れた導電性異物２２が検査端子１２ｃ，１２ｄ上
に付着していたとしても、検査端子１２ｃ，１２ｄと対
向電極３４との短絡不良の発生が回避される。これによ
り、液晶表示パネルの製造歩留まりが向上するという効
果を奏する。また、マスクスパッタにより検査端子１２
ｃ，１２ｄに対向するガラス基板３１上の領域にＩＴＯ
が付着しないようにしているので、エッチングにより当
該領域のＩＴＯを除去する方法に比べて工程数を削減で
きるという利点もある。
【００２４】なお、上記の例では２色以上のカラーフィ
ルタ３３を積層することによってブラックマトリクスを
形成したが、ブラックマトリクスはＣｒ（クロム）等の
金属又は黒色樹脂により形成してもよい。但し、ブラッ
クマトリクスが導電性を有する場合は、ブラックマトリ
クスの上に絶縁性の樹脂（例えばカラーフィルタ）を形
成する等の方法により、ブラックマトリクスと対向電極
とが電気的に接続されないようにする必要がある。
【００２５】また、上記の例ではマスクスパッタにより
検査端子に対向する部分へのＩＴＯの付着を防止した
が、全面にＩＴＯ膜を形成し、エッチング等の方法によ
り検査端子に対向する部分のＩＴＯ膜を除去してもよ
い。 （第２の実施の形態）以下、本発明の第２の実施の形態
の液晶表示パネルの製造方法について説明する。本実施
の形態は、 本発明をＶＡ型液晶表示パネルに適用した例
を示す。
【００２６】図７は第２の実施の形態の液晶表示パネル
の表示部における断面図、図８は画素を示す平面図、図
９（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部に配置された検査端
子（ゲートバスラインと接続した検査端子）の断面図、
図９（ｂ）はＴＡＢ非実装側の非表示部に配置された検
査端子（補助容量バスラインと接続した検査端子）の断
面図である。なお、図７〜図９において、図２〜図５と
同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
【００２７】本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０
側の画素電極１９ａに、斜め方向に配列した複数のスリ
ット１９ｓが設けられている。また、ＣＦ基板３０側の
対向電極３４の下側には、ＴＦＴ基板１０側のスリット
１９ｓの配列方向に平行に延びるドメイン規制用突起３
６ａが形成されている。また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基
板３０との間には、ＶＡ型液晶３９が封入されている。
【００２８】電圧が印加されていない状態では、ＶＡ型
液晶３９の液晶分子は配向膜２０，３４に垂直な方向に
配向する。このため、突起３６ａの両側では、液晶分子
の配向方向が異なる。画素電極１９ａと対向電極３４と
の間に電圧が印加されると、液晶分子は電界に垂直な方
向に倒れる。このとき、突起３６ａの両側及びスリット
１９ｓの両側では液晶分子の倒れる方向が異なる。すな
わち、１つの画素内で液晶分子の倒れる方向が異なる２
つの領域が存在する。このようにして配向分割（マルチ
ドメイン）が達成され、視角特性が大幅に改善される。
【００２９】また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０
のブローバー検査端子１２ｃ，１２ｄに対向するＣＦ基
板３０の領域に絶縁性の樹脂膜３６ｂが形成されてい
る。突起３６ａ及び樹脂膜３６ｂは、いずれもフォトレ
ジストにより形成されている。以下、本実施の形態の液
晶表示パネルの製造方法について説明する。まず、ＴＦ
Ｔ基板の製造方法について説明する。
【００３０】第１の実施の形態と同様にして、ガラス基
板１１の上にゲートバスライン１２ａ、補助容量バスラ
イン１２ｂ、補助容量端子１２ｃ，１２ｄ及びＴＡＢ端
子等を形成した後、ブローバー検査を行って不良品を選
別する。次に、第１の実施の形態と同様にして、ガラス
基板１１の上に、ゲート絶縁膜１３、ＴＦＴ１７、デー
タバスライン１７ａ、補助容量電極１７ｄ、絶縁膜（保
護膜）１８等を形成する。そして、絶縁膜１８に、ソー
ス電極１７ｂに到達するコンタクトホール、補助容量電
極１７ｄに到達するコンタクトホール及び検査端子１２
ｄに到達するコンタクトホールを選択的に形成した後、
ガラス基板１１の上側全面にＩＴＯ膜を形成する。その
後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィによりパターニ
ングして、画素電極１９ａ及び検査端子１２ｄ上のカバ
ー膜１９ｄを形成する。このとき、画素電極１９ａには
斜め方向に配列した複数のスリット１９ｓを設けてお
く。
【００３１】次いで、ガラス基板１１の上側全面にポリ
イミドからなる配向膜２０を形成する。これにより、Ｔ
ＦＴ基板１０が完成する。以下、ＣＦ基板の製造方法に
ついて説明する。第１の実施の形態と同様にして、ガラ
ス基板３１の上に青色カラーフィルタ３３（Ｂ）、赤色
カラーフィルタ３３（Ｒ）及び緑色カラーフィルタ３３
（Ｇ）を形成する。このとき、遮光領域（すなわち、画
素間の領域、ＴＦＴ形成領域及び非表示部５）には２色
以上のカラーフィルタを積層して、ブラックマトリクス
としておく。
【００３２】次に、全面にＩＴＯをスパッタして、対向
電極３４を形成する。その後、対向電極３４の上にフォ
トレジスト膜を形成し、露光及び現像工程を経て、表示
部４の対向電極３４上に突起３６ａを形成するととも
に、検査端子１２ｃ，１２ｄに対向する非表示部５の対
向電極３４の上に、樹脂膜３６ｂを形成する。次いで、
ガラス基板３１の上側全面にポリイミドからなる配向膜
３５を形成し、対向電極３４、突起３６ａ及び樹脂膜３
６ｂの表面を覆う。これにより、ＣＦ基板３０が完成す
る。
【００３３】その後、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０と
をシール材で接合し、これらのＴＦＴ基板１０とＣＦ基
板３０との間にＶＡ型液晶３９を注入する。そして、液
晶注入口を樹脂等で封止する。これにより、本実施の形
態の液晶表示パネルが完成する。本実施の形態において
は、検査端子１２ｃ，１２ｄの上方に絶縁性の樹脂膜３
６ｂが形成されているので、図１０に示すように、検査
端子１２ｃ，１２ｄ上に導電性異物２２が付着していて
も、検査端子１２ｃ，１２ｄと対向電極３４との短絡が
防止される。
【００３４】上記の実施の形態においては、ＴＦＴ基板
１０側の画素電極１９ａにドメイン規制用スリット１９
ｓを設けた場合について説明したが、スリット１９ｓに
替えて、画素電極１９ａ上にドメイン規制用突起を形成
してもよい。また、上記の実施の形態ではフォトレジス
トにより絶縁膜（樹脂膜３６ｂ）を形成したが、フォト
レジスト以外の材料で絶縁膜を形成してもよい。
【００３５】（付記） （１）請求項２に記載の液晶表示パネルにおいて、前記
絶縁膜が、フォトレジストにより形成されていることが
好ましい。 （２）請求項２に記載の液晶表示パネルにおいて、前記
第２の基板の前記対向電極の上に、ドメイン規制用突起
を有することが好ましい。
【００３６】（３）上記（２）に記載の液晶表示パネル
において、前記絶縁膜及び前記ドメイン規制用突起が、
いずれもフォトレジストにより形成されていることが好
ましい。 （４）請求項４に記載の液晶表示パネルの製造方法にお
いて、前記絶縁膜をフォトレジストにより形成すること
が好ましい （５）請求項４に記載の液晶表示パネルの製造方法にお
いて、前記画素電極に、ドメイン規制用スリットを形成
することが好ましい。
【００３７】（６）請求項４に記載の液晶表示パネルの
製造方法において、前記対向電極の上にドメイン規制用
突起を形成する工程を有することが好ましい。 （７）上記（６）に記載の液晶表示パネルの製造方法に
おいて、前記ドメイン規制用突起及び前記絶縁膜はフォ
トレジストにより同時に形成することが好ましい。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
検査端子に対向する部分に対向電極を形成しないか、又
は絶縁膜を形成するので、ブローバー検査により剥離し
た導電性異物が検査端子上に付着しても、検査端子と対
向電極との短絡を確実に防止できる。これにより、液晶
表示パネルの製造歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示パ
ネルを示す平面図である。
【図２】図２は第１の実施の形態の液晶表示パネルの表
示部に形成された画素を示す平面図である。
【図３】図３は図２のＡ−Ａ線における液晶表示パネル
の断面図である。
【図４】図４（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部（図１の
右端側）に配置された検査端子を示す平面図、図４
（ｂ）はＴＡＢ非実装側の非表示部（図１の左端側）に
配置された検査端子を示す平面図である。
【図５】図５（ａ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における液
晶表示パネルの断面図、図５（ｂ）は図４（ｂ）のＣ−
Ｃ線における液晶表示パネルの断面図である。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は検査端子上に導電性異物
が付着した状態を示す断面図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施の形態の液晶表示パ
ネルの表示部における断面図である。
【図８】図８は第２の実施の形態の液晶表示パネルの画
素を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部に配置さ
れた検査端子（ゲートバスラインに接続した検査端子）
の断面図、図９（ｂ）はＴＡＢ非実装側の非表示部に配
置された検査端子（補助容量バスラインに接続した検査
端子）の断面図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は検査端子上に導電性
異物が付着した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１…液晶表示パネル、 ２…フレキシブル基板、 ３…ＬＳＩ、 ４…表示部、 ５…非表示部、 １０…ＴＦＴ基板、 １１，３１…ガラス基板、 １２ａ…ゲートバスライン、 １２ｂ…補助容量バスライン、 １２ｃ，１２ｄ…検査端子、 １３，１８…絶縁膜、 １４ａ，１４ｂ…アモルファスシリコン膜、 １５…チャネル保護膜、 １６…オーミックコンタクト層、 １７…ＴＦＴ、 １７ａ…データバスライン、 １７ｂ…ソース電極、 １７ｃ…ドレイン電極、 １７ｄ…補助容量電極、 １９ａ…画素電極、 １９ｓ…スリット、 ２０，３５…配向膜、 ３０…ＣＦ基板、 ３３…カラーフィルタ、 ３４…対向電極、 ３６ａ…ドメイン規制用突起、 ３６ｂ…樹脂膜、 ３８，３９…液晶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA33 JA35 JA38 JA39 JA42 JA43 JA44 JA47 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB58 JB63 JB69 JB77 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KA22 KB24 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA35 MA41 MA57 NA30 PA02 PA08 5C094 AA43 BA43 EA03 ED02 HA08 5F110 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE06 EE14 EE44 EE48 FF02 FF03 GG02 GG15 GG25 HK03 HK04 HK06 HK09 HK16 HK22 HL07 NN04 NN14 NN24 NN73 5G435 AA17 BB12 EE00 EE36 GG12 LL07 LL08

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の画素電極と、複数のゲートバスラ
    インと、複数のデータバスラインと、これらの画素電
    極、ゲートバスライン及びデータバスラインに接続され
    た薄膜トランジスタとが配置された表示部と、前記表示
    部の周囲の非表示部に配置され、前記ゲートバスライン
    に接続された検査端子とを有する第１の基板と、 前記複数の画素電極に対向して配置された対向電極を有
    する第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液
    晶とにより構成された液晶表示パネルにおいて、 前記第２の基板の前記検査端子に対向する領域には前記
    対向電極が形成されていないことを特徴とする液晶表示
    パネル。
  2. 【請求項２】 複数の画素電極と、複数のゲートバスラ
    インと、複数のデータバスラインと、これらの画素電
    極、ゲートバスライン及びデータバスラインに接続され
    た薄膜トランジスタとが配置された表示部と、前記表示
    部の周囲の非表示部に配置され、前記ゲートバスライン
    に接続された検査端子とを有する第１の基板と、 前記複数の画素電極及び前記検査端子に対向して配置さ
    れた対向電極と、前記対向電極の上の前記検査端子に対
    向する領域に形成された絶縁膜とを有する第２の基板
    と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液
    晶とを有することを特徴とする液晶表示パネル。
  3. 【請求項３】 第１の透明基板の表示部にゲートバスラ
    インを形成し、非表示部に前記ゲートバスラインと接続
    された検査端子を形成する工程と、 前記第１の基板上にデータバスラインと、画素電極と、
    これらのデータバスライン、画素電極及び前記ゲートバ
    スラインに接続した薄膜トランジスタとを形成する工程
    と、 少なくとも前記検査端子に対向する領域を除く第２の透
    明基板の上に対向電極を形成する工程と、 前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に液晶
    を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示パ
    ネルの製造方法。
  4. 【請求項４】 第１の透明基板の表示部にゲートバスラ
    インを形成し、非表示部に前記ゲートバスラインと接続
    された検査端子を形成する工程と、 前記第１の基板上にデータバスラインと、画素電極と、
    これらのデータバスライン、画素電極及び前記ゲートバ
    スラインに接続した薄膜トランジスタとを形成する工程
    と、 第２の透明基板の上に対向電極を形成する工程と、 前記検査端子に対向する領域の前記対向電極の上に絶縁
    膜を形成する工程と、 前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に液晶
    を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示パ
    ネルの製造方法。
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