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JP2001277259A - マイクロレンズアレイの製造方法 - Google Patents

マイクロレンズアレイの製造方法

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Publication number
JP2001277259A
JP2001277259A JP2000095411A JP2000095411A JP2001277259A JP 2001277259 A JP2001277259 A JP 2001277259A JP 2000095411 A JP2000095411 A JP 2000095411A JP 2000095411 A JP2000095411 A JP 2000095411A JP 2001277259 A JP2001277259 A JP 2001277259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
master
light
transmitting layer
manufacturing
microlens array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000095411A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisao Nishikawa
尚男 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000095411A priority Critical patent/JP2001277259A/ja
Publication of JP2001277259A publication Critical patent/JP2001277259A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロレンズアレイを効率よく製造する方
法を提供することにある。 【解決手段】 複数の曲面部を有する原盤10上に光透
過性層前駆体22を塗布する工程と、光透過性層前駆体
22を固化して光透過性層24を形成する工程と、光透
過性層24を原盤10から剥離する工程と、を含むマイ
クロレンズアレイの製造方法であって、光透過性層24
を原盤10から剥離する前に、原盤10を通して放射エ
ネルギー線26を照射して、光透過性層24と原盤10
との界面における結合力を低減させる工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロレンズア
レイの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】これまでに、複数の微小なレンズが並べ
られて構成されるマイクロレンズアレイが、例えば液晶
パネルに適用されてきた。マイクロレンズアレイを適用
することで、各レンズによって各画素に入射する光が集
光するので、表示画面を明るくすることができる。
【0003】また、マイクロレンズアレイを製造する方
法として、ドライエッチング法又はウェットエッチング
法を適用する方法が知られている。しかし、これらの方
法によれば、個々のマイクロレンズアレイを製造する毎
に、リソグラフィ工程が必要であってコストが高くな
る。
【0004】そこで、特開平3−198003号公報に
開示されるように、レンズに対応する球(曲)面が形成
された原盤に光透過性層前駆体、例えば、樹脂材料を滴
下し、この樹脂を固化させて光透過性層を形成した後
に、それを原盤から剥離することで、マイクロレンズア
レイを製造する方法が開発されている。
【0005】この方法は、要するに、原盤を型としてマ
イクロレンズアレイを転写形成(複製)することで、製
品毎のリソグラフィ工程を不要とする方法である。原盤
は、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り繰り返し
使用できるため、原盤の耐久性が高いほど一製品あたり
に占める原盤コストが低減し、製品の低コスト化に繋が
る。
【0006】この製造方法では、光透過性層と原盤の材
質の組み合わせによっては強固に密着してしまい、光透
過性層を原盤から剥離することが困難となって、生産性
を低下させる原因となるのみならず、光透過性層や原盤
にダメージが加わり破損するという問題がある。そこ
で、特開平10−39112号公報に開示されるよう
に、原盤表面に離型剤を塗布することで、光透過性層の
剥離を容易にする方法が開発されている。
【0007】しかしながら、このような方法では離型剤
の耐久性に限りが有り、離型剤の欠落や劣化によってそ
の効果が低減し、剥離が良好に行えなくなるという問題
がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点を解決するもので、その目的は、マイクロレン
ズアレイを効率的に製造する方法を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係るマイ
クロレンズアレイの製造方法は、複数の曲面部を有する
原盤上に光透過性層前駆体を塗布する工程と、前記光透
過性層前駆体を固化して光透過性層を形成する工程と、
前記光透過性層を前記原盤から剥離する工程と、を含む
マイクロレンズアレイの製造方法であって、前記光透過
性層を前記原盤から剥離する前に、前記原盤を通して放
射エネルギー線を照射して、前記光透過性層と前記原盤
との界面における結合力を低減させる工程を含む。 (2)前記放射エネルギー線は、波長400nm以下の
光であってもよい。この波長領域の光の利用は、極めて
短時間で界面近傍においてのみアブレーションが引き起
こされ、原盤と光透過性層に温度衝撃等のダメージをほ
とんど与えることがない。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。
【0011】図1(A)〜図2(D)は、本発明の実施
形態を説明する図である。
【0012】(原盤製造工程)図1(A)〜図1(E)
は、本実施形態における原盤を製造する工程を示す図で
ある。
【0013】まず、図1(A)に示すように、基板12
上にレジスト層14を形成する。基板12は、表面をエ
ッチングして原盤10(図1(E)参照)とするための
もので、エッチング可能な材料であれば特に限定される
ものではないが、石英は、エッチングにより高精度の曲
面部19(図1(E)参照)の形成が容易であり、ま
た、後述する図2(C)の工程において照射する放射エ
ネルギー線に対して透過性が高いため好適である。 レ
ジスト層14を形成する物質としては、例えば、半導体
デバイス製造において一般的に用いられている、クレゾ
ールノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノ
ン誘導体を配合した市販のポジ型のレジストをそのまま
利用できる。ここで、ポジ型のレジストとは、所定のパ
ターンに応じて放射エネルギー線に暴露することによ
り、放射エネルギー線によって暴露された領域が現像液
により選択的に除去可能となる物質のことである。
【0014】レジスト層14を形成する方法としては、
スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法、
ロールコート法、バーコート法等の方法を用いることが
可能である。
【0015】次に、図1(B)に示すように、マスク1
6をレジスト層14の上に配置し、マスク16を介して
レジスト層14の所定領域のみを放射エネルギー線18
によって暴露する。
【0016】マスク16は、図1(E)に示す曲面部1
9の形成に必要とされる領域においてのみ、放射エネル
ギー線18が透過するようにパターン形成されたもので
ある。
【0017】また、放射エネルギー線としては波長20
0nm〜500nmの領域の光を用いることが好まし
い。この波長領域の光の利用は、液晶パネルの製造プロ
セス等で確立されているフォトリソグラフィの技術及び
それに利用されている設備の利用が可能となり、低コス
ト化を図ることができる。
【0018】そして、レジスト層14を放射エネルギー
線18によって暴露した後に所定の条件により現像処理
を行うと、図1(C)に示すように、放射エネルギー線
18の暴露領域17のレジスト層14のみが選択的に除
去されて基板12の表面が露出し、それ以外の領域はレ
ジスト層14により覆われたままの状態となる。
【0019】こうしてレジスト層14がパターン化され
ると、図1(D)に示すように、このレジスト層14を
マスクとして基板12を所定の深さエッチングする。詳
しくは、基板12におけるレジスト層14から露出した
領域に対して、どの方向にもエッチングが進む等方性エ
ッチングを行う。例えば、ウエットエッチングを適用し
て、化学溶液(エッチング液)に基板12を浸すこと
で、等方性エッチングを行うことができる。基板として
石英を用いた場合には、エッチング液として、例えば、
沸酸と沸化アンモニウムを混合した水溶液(バッファー
ド沸酸)を用いてエッチングを行う。等方性エッチング
を行うことで、基板12には、凹状の曲面部19が形成
される。なお、曲面部19は、最終的に製造する光透過
性層24のレンズ28(図2(D)参照)の反転形状に
等しく、曲面形状となっている。
【0020】次に、エッチングの完了後にレジスト層1
4を除去すると、図1(E)に示すように、基板12に
曲面部19が形成されており、これが原盤10となる。
【0021】この原盤10は、一旦製造すればその後、
耐久性の許す限り何度でも使用できるため経済的であ
る。また、原盤10の製造工程は、2枚目以降のマイク
ロレンズアレイの製造工程において省略でき、工程数の
減少および低コスト化を図ることができる。
【0022】上記実施の形態では、基板12上に曲面部
19を形成するに際し、ポジ型のレジストを用いたが、
放射エネルギー線に暴露された領域が現像液に対して不
溶化し、放射エネルギー線に暴露されていない領域が現
像液により選択的に除去可能となるネガ型のレジストを
用いても良く、この場合には、上記マスク16とはパタ
ーンが反転したマスクが用いられる。あるいは、マスク
を使用せずに、レーザ光あるいは電子線によって直接レ
ジストをパターン状に暴露しても良い。
【0023】(光透過性層形成工程)次に、図2(A)
〜図2(D)は、複数のレンズを有する光透過性層を形
成する工程を示す図である。
【0024】まず、図2(A)に示すように、原盤10
の曲面部19を有する面上に、光透過性層前駆体22を
載せる。そして、補強板20を、この光透過性層前駆体
22を介して原盤10と密着させることにより、光透過
性層前駆体22を所定領域まで塗り拡げて図2(B)に
示すように、原盤10と補強板20の間に光透過性層前
駆体22からなる層を形成する。
【0025】ここでは、光透過性層前駆体22を原盤1
0上に載せたが、補強板20に載せるか、原盤10及び
補強板20の両方に載せてもよい。また、スピンコート
法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコート
法、ディッピング法等の方法により、原盤10及び補強
板20のいずれか一方、または、両方に、予め光透過性
層前駆体22を所定領域まで塗り拡げてもよい。光透過
性層前駆体22としては、固化(硬化)して光透過性層
24となった際に、必要とされる光透過性等の光学的な
物性や、機械的強度等の特性を満足するものであれば特
に限定されるものではなく、種々の物質を利用すること
ができるが、例えば、光等のエネルギーの付与により硬
化可能な物質であることが好ましい。このような物質
は、原盤10上に塗布する際には液状で取り扱うことが
可能であり、常温、常圧下あるいはその近傍においても
容易に原盤上の微細な凹部にまで容易に充填することが
できる。このような物質として、特に、アクリル系樹脂
は、市販品の様々な前駆体や感光剤(光重合開始剤)を
利用することで、光の照射で短時間に硬化し、優れた光
学特性を有する光透過性層24を形成することが可能で
あるため好適である。
【0026】また、補強板20としては、マイクロレン
ズアレイとして要求される光透過性等の光学的な物性
や、機械的強度等の特性を満足するものであれば特に限
定されるものではなく、例えば、石英やガラス、あるい
は、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテル
サルフォン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチル
メタクリレート、アモルファスポリオレフィン等のプラ
スチック製の基板あるいはフィルムを利用することが可
能である。なお、光透過性層24単独で、マイクロレン
ズアレイとして要求される機械的強度等の特性を満足す
ることが可能であれば、補強板20は不要である。
【0027】光硬化性のアクリル系樹脂の基本組成の具
体例としては、プレポリマーまたはオリゴマー、モノマ
ー、光重合開始剤があげられる。
【0028】プレポリマーまたはオリゴマーとしては、
例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレー
ト類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアク
リレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のア
クリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメ
タクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリ
エーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利
用できる。
【0029】モノマーとしては、例えば、2−エチルヘ
キシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジア
クリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の
二官能性モノマー、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが
利用できる。
【0030】光重合開始剤としては、例えば、2,2−
ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のアセトフ
ェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、p−イ
ソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン等のブ
チルフェノン類、、ベンゾフェノン、N,N−テトラエ
チル−4,4−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェ
ノン類、ベンジル、ベンジルジメチルケタール等のベン
ジル類、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル等の
ベンゾイン類、1−フェニル−1,2−プロパンジオン
−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム等のオキシ
ム類、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサ
ントン等のキサントン類、ミヒラーケトン、ベンジルメ
チルケタール等のラジカル発生化合物が利用できる。
【0031】なお、必要に応じて、酸素による硬化阻害
を防止する目的でアミン類等の化合物を添加したり、塗
布を容易にする目的で溶剤成分を添加してもよい。溶剤
成分としては、特に限定されるものではなく、種々の有
機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エト
キシエチルプロピオネート、エチルラクテート、エチル
ピルビネート、メチルアミルケトン等が利用可能であ
る。
【0032】このような光透過性層前駆体22を介して
原盤10と補強板20を密着させることで、光透過性層
前駆体22は原盤10の曲面部19に対応する形状にな
る。なお、必要に応じて、原盤10と補強板20とを貼
り合わせる際に、原盤10及び補強板20の少なくとも
いずれかー方を介して加圧しても良い。加圧すること
で、光透過性層前駆体22が原盤10の曲面部19に応
じて変形する時間が短縮できることで作業性が向上し、
かつ、曲面部19への充填が確実となる。
【0033】そして、光透過性層前駆体22に応じた固
化処理を施す。例えば、光硬化性の樹脂を用いた場合で
あれば、所定の条件で光を照射する。これにより光透過
性層前駆体22を固化させて、図2(B)に示すよう
に、光透過性層24を形成する。次に光透過性層24の
剥離を行うが、原盤10及び光透過性層24を構成する
物質の組み合わせによっては、これらの間の密着力が高
くなって、光透過性層24が原盤10から剥離しにくく
なり、生産性を低下させる原因となるのみならず、光透
過性層24や原盤10にダメージが加わり破損するとい
う問題が発生する場合がある。
【0034】そこで、図2(C)に示すように、原盤1
0を通して、原盤10と光透過性層24との界面に放射
エネルギー線26を照射する。こうすることで、原盤1
0と光透過性層24との密着力を低減又は消失させて、
図2(D)に示すように、原盤10から光透過性層24
を良好に剥離することができる。
【0035】詳しくは、原盤10と光透過性層24との
界面において、原子間又は分子間の種々の結合力を低減
又は消失させて、アブレーション等の現象を発生させて
界面剥離に至らしめることができる。あるいは、放射エ
ネルギー線26によって、光透過性層24に含有されて
いた成分が気化して放出されることで分離効果が発現し
て界面剥離に寄与する場合もある。
【0036】このように、放射エネルギー線26の照射
によって界面剥離を生じさせるには、原盤10が放射エ
ネルギー線26を透過する材質であり、かつ、光透過性
層24が放射エネルギー線26のエネルギーを吸収する
物質からなることが必要である。
【0037】ここで、原盤10の放射エネルギー線26
の透過率は10%以上、特に50%以上であることが好
ましい。照射された放射エネルギー線26が原盤10を
透過するときの減衰を小さくし、小さなエネルギーでア
ブレーション等の現象を起こせるように、原盤10にお
ける放射エネルギー線26の透過率は高いことが好まし
い。原盤10の材質例として、石英が挙げられる。石英
は、短波長領域の光の透過率が高く、機械的強度や耐熱
性においても優れている。
【0038】放射エネルギー線26として、例えば40
0nm以下のUV光が挙げられる。その発生源として例
えば、KrF(波長248nm)、ArF(波長193
nm)等のエキシマレーザは、短波長領域で高エネルギ
ーを出力するものとして実用化されている。エキシマレ
ーザによれば、極めて短時間で界面近傍においてのみア
ブレーションが引き起こされ、原盤10と光透過性層2
4に温度衝撃をほとんど与えることがない。
【0039】そして、原盤10から剥離された後、必要
に応じて光透過性層24の表面を洗浄処理して、放射エ
ネルギー線26により劣化した部分を除去する。
【0040】以上のようにして、光透過性層24を原盤
10から容易に剥離することができ、マイクロレンズア
レイ30を効率よく得ることができる。
【0041】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のマイクロレ
ンズアレイの製造方法によれば、光透過性層を原盤から
容易に剥離することができるため、光透過性層(マイク
ロレンズアレイ)へのダメージがない。また、光透過性
層の材料選択の自由度が増す。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)〜図1(E)は、本発明の実施の形
態に係る原盤の製造方法をその工程に沿って示す断面図
である。
【図2】図2(A)〜図2(D)は、本発明の実施の形
態に係るマイクロレンズアレイの製造方法をその工程に
沿って示す断面図である。
【符号の説明】
10 原盤 12 基板 14 レジスト層 16 マスク 18、26 放射エネルギー線 19、曲面部 20 補強版 22 光透過性層前駆体 24 光透過性層 28 曲面部(レンズ) 30 マイクロレンズアレイ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の曲面部を有する原盤上に光透過性
    層前駆体を塗布する工程と、 前記光透過性層前駆体を固化して光透過性層を形成する
    工程と、 前記光透過性層を前記原盤から剥離する工程と、 を含むマイクロレンズアレイの製造方法であって、 前記光透過性層を前記原盤から剥離する前に、前記原盤
    を通して放射エネルギー線を照射して、前記光透過性層
    と前記原盤との界面における結合力を低減させる工程を
    含むマイクロレンズアレイの製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のマイクロレンズアレイの
    製造方法において、 前記放射エネルギー線は、波長400nm以下の光であ
    るマイクロレンズアレイの製造方法。
JP2000095411A 2000-03-30 2000-03-30 マイクロレンズアレイの製造方法 Withdrawn JP2001277259A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007090769A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Saitama Univ ガラス型の製造方法およびアクリル系樹脂板の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007090769A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Saitama Univ ガラス型の製造方法およびアクリル系樹脂板の製造方法

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Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070605