JP2001264793A - Liquid crystal display device - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス表示を
行う液晶表示装置に関する。特には、対向基板に金属遮
光層が配され、アレイ基板の画像非表示領域(額縁領
域)表面に、コンタクト用導電層が配される液晶表示装
置に関する。The present invention relates to a liquid crystal display device for performing a matrix display. In particular, the present invention relates to a liquid crystal display device in which a metal light-shielding layer is disposed on a counter substrate, and a conductive layer for contact is disposed on the surface of an image non-display area (frame area) of an array substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、CRTディスプレイに代わる平面
型の表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示
装置は軽量、薄型、低消費電力、目の疲れの少なさ等の
利点から特に注目を集めている。2. Description of the Related Art In recent years, flat-panel display devices replacing CRT displays have been actively developed. Among them, liquid crystal display devices have attracted particular attention because of their advantages such as light weight, thinness, low power consumption, and low eye fatigue. I am collecting.
【0003】例えば、各表示画素毎にスイッチ素子が配
置された光透過型のアクティブマトリクス型の液晶表示
装置を例にとり説明する。アクティブマトリクス型液晶
表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に配向膜を介
して液晶層が保持されて成っている。液晶層は、四周か
らシール材により封止されている。[0003] For example, a light-transmitting active-matrix liquid crystal display device in which a switch element is arranged for each display pixel will be described as an example. The active matrix type liquid crystal display device has a configuration in which a liquid crystal layer is held between an array substrate and a counter substrate via an alignment film. The liquid crystal layer is sealed with a sealing material from four sides.
【0004】アレイ基板は、ガラスや石英等の透明絶縁
基板上に複数本の信号線と走査線とが格子状に配置さ
れ、各交点部分にアモルファスシリコン(以下、a−S
i:Hと略称する。)等の半導体薄膜を用いた薄膜トラ
ンジスタ(以下、TFTと略称する。)が接続されてい
る。そしてTFTのゲート電極は走査線に、ドレイン電
極は信号線にそれぞれ電気的に接続され、さらにソース
電極は画素電極を構成する透明導電材料、例えばITO
(Indium-Tin-Oxide)に電気的に接続されている。In an array substrate, a plurality of signal lines and scanning lines are arranged in a grid on a transparent insulating substrate such as glass or quartz, and amorphous silicon (hereinafter a-S) is provided at each intersection.
i: H. ) And the like (hereinafter simply referred to as TFT) using a semiconductor thin film. The gate electrode of the TFT is electrically connected to a scanning line, the drain electrode is electrically connected to a signal line, and the source electrode is a transparent conductive material forming a pixel electrode, for example, ITO.
(Indium-Tin-Oxide).
【0005】対向基板は、ガラス等の透明絶縁基板上
に、マトリクス状またはストライプ状の金属遮光層のパ
ターン(ブラックマトリクス)、及びITOから成る対
向電極が配置される。またカラー表示を実現するのであ
ればカラーフィルタ層が配置されて構成されている。[0005] The opposing substrate has a transparent insulating substrate made of glass or the like, on which a matrix-shaped or striped metal light-shielding layer pattern (black matrix) and an opposing electrode made of ITO are arranged. If a color display is to be realized, a color filter layer is arranged.
【0006】ここで、通常、上記ゲート電極及び走査線
の上には、その上方の半導体層等とを絶縁するために、
酸化シリコンからなる第1ゲート絶縁膜が配されてお
り、さらに窒化シリコンからなる第2ゲート絶縁膜が配
されている。また、上記透明導電材料の層と信号線等の
金属配線層との間には、窒化シリコンからなる層間絶縁
膜が配されている。Here, usually, on the gate electrode and the scanning line, in order to insulate a semiconductor layer and the like above the gate electrode and the scanning line,
A first gate insulating film made of silicon oxide is provided, and a second gate insulating film made of silicon nitride is further provided. Further, an interlayer insulating film made of silicon nitride is arranged between the transparent conductive material layer and a metal wiring layer such as a signal line.
【0007】このようなアクティブマトリクス液晶表示
装置の製造コストを低減する上で、アレイ基板製造のた
めの工程数が多く、そのためアレイ基板のコスト比率が
高いという問題があった。In reducing the manufacturing cost of such an active matrix liquid crystal display device, there is a problem that the number of steps for manufacturing an array substrate is large and the cost ratio of the array substrate is high.
【0008】そこで、特願平8−260572号におい
ては、画素電極を最上層に配置し、これに伴い信号線、
ソース、ドレイン電極と共に、半導体被膜等を同一のマ
スクパターンに基づいて一括してパターニングを行った
後、ソース電極と画素電極とを接続するソース電極用コ
ンタクトホールの作製と共に、信号線や走査線の接続端
を露出するための外周部コンタクトホールの作製を同時
に行うことが提案されている。Therefore, in Japanese Patent Application No. 8-260572, a pixel electrode is arranged on the uppermost layer, and accordingly, a signal line,
After collectively patterning the semiconductor film and the like together with the source and drain electrodes based on the same mask pattern, a contact hole for the source electrode connecting the source electrode and the pixel electrode is formed, and a signal line and a scanning line are formed. It has been proposed to simultaneously form an outer peripheral contact hole for exposing a connection end.
【0009】ここで、アレイ基板の周縁部に形成される
接続パッド部から信号線及び走査線の端部へと延びる引
出し配線(斜め配線)が、冗長配線構造となっている。
詳しくは、走査線と同時に形成される第1導電層と、信
号線と同時に形成される第2導電層とが絶縁膜を介して
重なり合うように配置される。そして、斜め配線の両端
において外周部コンタクトホールによりこれら第1及び
第2導電層が互いに導通している。Here, a lead wiring (oblique wiring) extending from the connection pad portion formed on the peripheral edge of the array substrate to the end of the signal line and the scanning line has a redundant wiring structure.
Specifically, the first conductive layer formed simultaneously with the scanning line and the second conductive layer formed simultaneously with the signal line are arranged so as to overlap with each other via an insulating film. The first and second conductive layers are electrically connected to each other at both ends of the oblique wiring by the outer peripheral contact holes.
【0010】この外周部コンタクトホールは、詳しく
は、第1導電層を露出させる第1コンタクトホールと、
第2導電層を露出させる第2コンタクトホールとからな
り、これらコンタクトホールに橋を架けるようにコンタ
クト用導電層が配置される。このコンタクト用導電層
は、画素電極と同時に形成される導電層である。Specifically, the outer peripheral contact hole includes a first contact hole for exposing the first conductive layer,
A second contact hole for exposing the second conductive layer is provided, and the contact conductive layer is arranged so as to bridge these contact holes. This contact conductive layer is a conductive layer formed simultaneously with the pixel electrode.
【0011】しかし、上記のような構造の液晶表示装置
であると、図6に示すような問題点があった。However, the liquid crystal display having the above structure has a problem as shown in FIG.
【0012】液晶表示装置の外周部において、アレイ基
板1が対向基板3から突き出して棚状の接続領域1aを
なしており、対向基板3の端縁3aの部分とアレイ基板
1との間にシール材2が配置される。ここで、シール材
2は、例えば、対向基板3上に塗布されてアレイ基板1
と組み合わせた後に加熱されて硬化されるのであるが、
シール材2配置個所と対向基板3の端縁3aとの間には
ある程度のマージンを採る必要がある。シール材2が基
板の端縁3から、はみ出た場合に封止の信頼性の低下等
の問題があり、また、シール材2の物性上、ある程度の
塗布位置のブレは避けられないからである。At the outer periphery of the liquid crystal display device, the array substrate 1 protrudes from the opposing substrate 3 to form a shelf-shaped connection region 1a, and a seal is provided between the edge 3a of the opposing substrate 3 and the array substrate 1. Material 2 is arranged. Here, for example, the sealing material 2 is applied on the opposing substrate 3 so that the array substrate 1
It is heated and cured after combining with
It is necessary to provide a certain margin between the position where the sealing material 2 is disposed and the edge 3 a of the counter substrate 3. This is because when the sealing material 2 protrudes from the edge 3 of the substrate, there is a problem such as a decrease in sealing reliability. In addition, due to the physical properties of the sealing material 2, a certain degree of blurring of the application position cannot be avoided. .
【0013】したがって、シール材2の外側において、
アレイ基板1と対向基板3とに挟まれる空隙が生じるこ
ととなる。Therefore, on the outside of the sealing material 2,
A gap is formed between the array substrate 1 and the opposing substrate 3.
【0014】一方、アレイ基板1及び対向基板3の液晶
25側の表面を覆う配向膜16、34は、一般に、シー
ル材2より内側の領域に配置される。シール材2と基板
1,3との接着・シール性等の問題があるからである。On the other hand, the alignment films 16 and 34 covering the surfaces of the array substrate 1 and the opposing substrate 3 on the liquid crystal 25 side are generally arranged in a region inside the sealing material 2. This is because there are problems such as adhesion and sealing properties between the sealing material 2 and the substrates 1 and 3.
【0015】そのため、引出し配線6の外側端にあっ
て、シール材より外にあるコンタクトホール部18のコ
ンタクト用導電層15は、アレイ基板1の表面に露出す
る。そして、シール材2より外に突き出た対向基板3の
突き出し部3bでは、金属遮光層31が表面に露出す
る。Therefore, the contact conductive layer 15 in the contact hole 18 outside the sealing material at the outer end of the lead wiring 6 is exposed on the surface of the array substrate 1. Then, at the protruding portion 3b of the opposing substrate 3 protruding outside the sealing material 2, the metal light shielding layer 31 is exposed on the surface.
【0016】したがって、シール材2の外のアレイ基板
1と対向基板3との間隙に、飛び散ったハンダの粒子5
といった導電性の異物が挟まった場合には、アレイ基板
1上の配線11,13と対向基板3の対向電極層32と
の間で短絡が生じ、表示不良が生じる。Therefore, in the gap between the array substrate 1 and the counter substrate 3 outside the sealing material 2, the scattered solder particles 5
When such a conductive foreign substance is caught, a short circuit occurs between the wirings 11 and 13 on the array substrate 1 and the counter electrode layer 32 of the counter substrate 3, and a display defect occurs.
【0017】対向基板上の遮光層(ブラックマトリク
ス)を樹脂層により形成するならば、短絡は生じない
が、ブラックマトリクス層の厚みを大きく採る必要があ
り、液晶層の厚みを均一にすることが困難であること
や、プロセス上の制約が多いこと等の問題があった。そ
のため、ブラックマトリクスを樹脂層とすることが困難
な場合も多い。If the light-shielding layer (black matrix) on the opposite substrate is formed of a resin layer, no short circuit occurs, but it is necessary to increase the thickness of the black matrix layer, and to make the thickness of the liquid crystal layer uniform. There were problems such as difficulty and many restrictions on the process. Therefore, it is often difficult to use the black matrix as a resin layer.
【0018】一方、引き出し配線6を冗長配線構造とし
ないならば、図7に示すように、引き出し配線6の外側
端にコンタクトホールを設ける必要がないため、コンタ
クト用導電層15も不要であり、短絡が生じることがな
い。しかし、前述したように、これでは、特に高精細タ
イプの液晶表示装置において、露光プロセスでのごみ等
に起因する引き出し配線6の断線不良を充分に防止でき
ず、製品歩留まりの低下を招いてしまう。On the other hand, if the lead-out wiring 6 does not have a redundant wiring structure, there is no need to provide a contact hole at the outer end of the lead-out wiring 6, as shown in FIG. No short circuit occurs. However, as described above, in this case, particularly in a high-definition type liquid crystal display device, disconnection failure of the lead-out wiring 6 due to dust or the like in an exposure process cannot be sufficiently prevented, resulting in a decrease in product yield. .
【0019】[0019]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みなされたものであり、対向基板に金属遮光層が配
され、アレイ基板の画像非表示領域(額縁領域)表面
に、コンタクト用導電層が配される液晶表示装置におい
て、これらの金属遮光層とコンタクト用導電層との間に
導電性ごみによる短絡の発生を防止することのできる液
晶表示装置を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has a metal light-shielding layer disposed on a counter substrate and a contact non-display area (frame area) on an array substrate. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device provided with a conductive layer, which can prevent a short circuit caused by conductive dust between the metal light shielding layer and the conductive layer for contact.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】第1の請求項の液晶表示
装置は、画素領域及びこれを囲む画像非表示領域が形成
されたアレイ基板と、金属遮光層のパターンが形成され
た対向基板と、これらの間に保持される液晶層と、この
液晶層を四周から封止するシール材とからなり、前記ア
レイ基板には、走査線を含む第1導電層、この第1導電
層を覆う第1絶縁層、信号線を含む第2導電層、この第
2導電層を覆う第2絶縁層、画素電極を含む第3導電層
がこの順に配され、前記画像非表示領域においては、前
記第1及び第2絶縁層を貫き前記第1導電層を露出させ
る第1コンタクトホールと、前記第2絶縁層を貫き前記
第2導電層を露出させる第2コンタクトホールと、これ
ら第1及び第2コンタクトホールの領域を覆い、これら
第1導電層及び第2導電層を互いに電気的に導通させる
コンタクト層とが配され、このコンタクト層が、前記第
3導電層に含まれる導電層である液晶表示装置におい
て、前記対向基板が前記シール材の外側へと突き出す突
き出し部に対向するように、前記コンタクト層が前記ア
レイ基板の表面に露出され、前記金属遮光層が、少なく
とも前記突き出し部の前記コンタクト層に対応する個所
において、絶縁コーティング層により被覆されたことを
特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: an array substrate having a pixel region and an image non-display region surrounding the pixel region; A liquid crystal layer held between them, and a sealing material for sealing the liquid crystal layer from four sides. The array substrate has a first conductive layer including a scanning line, a first conductive layer covering the first conductive layer. An insulating layer, a second conductive layer including a signal line, a second insulating layer covering the second conductive layer, and a third conductive layer including a pixel electrode are arranged in this order. A first contact hole penetrating through the second insulating layer and exposing the first conductive layer; a second contact hole penetrating through the second insulating layer to expose the second conductive layer; and the first and second contact holes And the first conductive layer and the second conductive layer. A contact layer that electrically connects the conductive layers to each other, wherein the contact layer is a conductive layer included in the third conductive layer; in the liquid crystal display device, the opposing substrate protrudes outside the sealing material; The contact layer is exposed on the surface of the array substrate so as to face the protrusion, and the metal light-shielding layer is covered with an insulating coating layer at least at a position corresponding to the contact layer of the protrusion. Features.
【0021】上記構成により、シール材より外の対向基
板とアレイ基板との間隙に導電性異物が入り込んだ場合
にも、対向基板の端縁部にある金属遮光層と、アレイ基
板上の導電層との間の短絡の発生が充分に防止される。According to the above configuration, even when conductive foreign matter enters the gap between the counter substrate and the array substrate outside the sealing material, the metal light-shielding layer at the edge of the counter substrate and the conductive layer on the array substrate Is sufficiently prevented from occurring.
【0022】第2の請求項の液晶表示装置は、金属遮光
層が絶縁コーティング層により被覆されるのに代えて、
前記画素領域において前記アレイ基板の表面を覆う配向
膜と同一の絶縁コーティング層が、前記コンタクト層を
被覆することを特徴とする。In the liquid crystal display device according to the second aspect, the metal light-shielding layer is covered with an insulating coating layer,
In the pixel region, the same insulating coating layer as an alignment film covering the surface of the array substrate covers the contact layer.
【0023】このような構成によっても、同様に、短絡
の発生を充分に防止できる。しかも、製造工程及び製造
コストを増大させることがない。With such a configuration, similarly, the occurrence of a short circuit can be sufficiently prevented. Moreover, the manufacturing process and the manufacturing cost do not increase.
【0024】第3の請求項の液晶表示装置は、金属遮光
層が絶縁コーティング層により被覆されるのに代えて、
前記金属遮光層が前記コンタクト層に対応する領域で省
かれていることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the liquid crystal display device, the metal light-shielding layer is covered with an insulating coating layer,
The metal light-shielding layer is omitted in a region corresponding to the contact layer.
【0025】このような構成によっても、同様に、短絡
の発生を充分に防止できる。しかも、製造工程及び製造
コストを増大させることがない。With such a configuration, the occurrence of a short circuit can be similarly sufficiently prevented. Moreover, the manufacturing process and the manufacturing cost do not increase.
【0026】第4の請求項の液晶表示装置は、金属遮光
層が絶縁コーティング層により被覆されるのに代えて、
前記コンタクト層が前記シール材により被覆されること
を特徴とする。In the liquid crystal display device according to the fourth aspect, the metal light-shielding layer is covered with an insulating coating layer instead of being covered with an insulating coating layer.
The contact layer is covered with the sealing material.
【0027】このような構成によっても、同様に、短絡
の発生を充分に防止できる。With such a configuration, similarly, the occurrence of a short circuit can be sufficiently prevented.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】本発明の実施例1〜4について、
それぞれ図1〜4を用いて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments 1 to 4 of the present invention
Each will be described with reference to FIGS.
【0029】図1は、第1の実施例に係る液晶表示装置
の信号線側外周部を示す模式的な断面斜視図であり、図
2は、図1に対応する部分の平面図である。FIG. 1 is a schematic sectional perspective view showing an outer peripheral portion on the signal line side of the liquid crystal display device according to the first embodiment, and FIG. 2 is a plan view of a portion corresponding to FIG.
【0030】アレイ基板1と対向基板3とが、シール材
2を介して組み合わされ、これらの間に液晶層25を保
持している。そして、アレイ基板1が対向基板3の端縁
3aから外側へと突き出した棚状の接続領域1aには、
アレイ基板1及び対向基板3に駆動信号及び駆動電力を
供給するためのパッド部19が形成されている。図示の
信号線側外周部においては、信号線13が、シール材2
の内側から外側へと延びる引出し配線6を介して、パッ
ド部19をなす配線11に導通している。また、引き出
し配線6は、パッド部配線からの延在部(引き出し線下
層配線)11aと信号線からの延在部13aとの冗長配
線となっており、これら上下層の配線11a,13a
が、引き出し配線6内側端のコンタクトホール部17、
及び引き出し配線6外側端のコンタクトホール部18に
より導通されている。The array substrate 1 and the opposing substrate 3 are combined with each other via the sealing material 2, and the liquid crystal layer 25 is held between them. Then, in a shelf-like connection region 1a where the array substrate 1 protrudes outward from the edge 3a of the counter substrate 3,
A pad portion 19 for supplying a drive signal and drive power to the array substrate 1 and the counter substrate 3 is formed. In the illustrated outer peripheral portion on the signal line side, the signal line 13 is
Is electrically connected to the wiring 11 forming the pad portion 19 via the lead wiring 6 extending from the inside to the outside of the wiring. In addition, the lead wiring 6 is a redundant wiring of an extended part (leader lower wiring) 11a from the pad part wiring and an extended part 13a from the signal line, and these upper and lower wirings 11a, 13a are provided.
Are contact hole portions 17 at the inner end of the lead-out wiring 6,
In addition, conduction is provided by the contact hole portion 18 at the outer end of the lead wiring 6.
【0031】また、対向基板3がシール材2の外側へと
棚状に突き出して突き出し部3bをなしており、この突
き出し部3bの下面に向き合うように、アレイ基板1上
には、外側のコンタクトホール部18が配置される。こ
のコンタクトホール部18の個所では、引き出し配線6
の上下層配線11a,13aを接続するITO(IndiumTi
n Oxide)等からなるコンタクト用導電層15が露出して
いる。The opposing substrate 3 protrudes out of the sealing material 2 in a shelf shape to form a protruding portion 3b, and an external contact is formed on the array substrate 1 so as to face the lower surface of the protruding portion 3b. The hole part 18 is arranged. In the place of the contact hole portion 18, the lead-out wiring 6
(Indium Ti) connecting the upper and lower wirings 11a and 13a of
n Oxide) or the like is exposed.
【0032】ここで、対向基板3の下面には、全面にわ
たって絶縁性のオーバーコート層33が塗布されてお
り、突き出し部3bの下面の金属遮光層31もこのオー
バーコート層33により被覆されている。このオーバー
コート層33の存在により、対向基板3の突き出し部3
b下面の金属遮光層31と、アレイ基板1のコンタクト
ホール部18のコンタクト用導電層15との短絡が防止
されている。Here, an insulating overcoat layer 33 is applied to the entire lower surface of the counter substrate 3, and the metal light shielding layer 31 on the lower surface of the protruding portion 3 b is also covered by the overcoat layer 33. . Due to the presence of the overcoat layer 33, the protrusion 3
The short circuit between the metal light shielding layer 31 on the bottom surface b and the contact conductive layer 15 in the contact hole 18 of the array substrate 1 is prevented.
【0033】以下、液晶表示装置の製造工程について述
べる。Hereinafter, the manufacturing process of the liquid crystal display device will be described.
【0034】まず、アレイ基板1が、概略、以下のよう
な5回のフォトエッチング工程(PEP:Photo Etching Pr
oces)により製造される。First, roughly five photo-etching steps (PEP: Photo Etching Pr
oces).
【0035】(1) 第1PEP:モリブデン−タングス
テン合金(Mo−W)等の金属薄膜(第1導電層)を堆
積した後、パターニングにより、走査線、パッド部配線
11、及び、引き出し線下層配線11aが形成される。(1) First PEP: After depositing a metal thin film (first conductive layer) such as molybdenum-tungsten alloy (Mo-W), patterning is performed by patterning, scanning line, pad portion wiring 11, and lead-out lower wiring. 11a is formed.
【0036】(2) 第2PEP:まず、走査線等を被覆
するゲート絶縁膜12と、TFT活性層をなすための半
導体層と、TFTのチャネル保護膜をなす絶縁層とが、
この順に連続して堆積される。そして、パターニングに
より島状のチャネル保護膜を形成する。(2) Second PEP: First, a gate insulating film 12 for covering a scanning line and the like, a semiconductor layer for forming a TFT active layer, and an insulating layer for forming a channel protection film of the TFT include:
The layers are successively deposited in this order. Then, an island-shaped channel protective film is formed by patterning.
【0037】(3) 第3PEP:TFTのソース・ドレ
イン電極、引き出し線上層配線13a及び信号線13を
なすための上層金属層(第2導電層)が堆積された後、
この上層金属層と半導体層とが、一つのマスクパターン
を用いて、一括してパターニングされる。このとき、コ
ンタクトホール部17,18の個所で、上層金属層を貫
くコンタクトホール用開口が形成される。(3) Third PEP: After depositing the upper metal layer (second conductive layer) for forming the source / drain electrodes of the TFT, the upper lead wiring 13a and the signal line 13,
The upper metal layer and the semiconductor layer are collectively patterned using one mask pattern. At this time, contact hole openings penetrating the upper metal layer are formed at the contact hole portions 17 and 18.
【0038】(4) 第4PEP:上層金属層のパターン
を覆う層間絶縁膜14が堆積された後、パターニングに
より、TFTのソース電極の個所、及び、コンタクトホ
ール部17,18の個所で、層間絶縁膜14が除去され
る。また、同時に、上記コンタクトホール用開口の個
所、及び、パッド部19の個所で、ゲート絶縁膜12が
除去される。このようにして、コンタクトホール部1
7,18の個所で、引き出し線下層配線11aの上面を
露出させる第1コンタクトホールと、引き出し線上層配
線13aの上面を露出させる第2コンタクトホールとが
形成される。(4) Fourth PEP: After the interlayer insulating film 14 covering the pattern of the upper metal layer is deposited, the interlayer insulating film 14 is formed by patterning at the locations of the source electrode of the TFT and the locations of the contact holes 17 and 18. The film 14 is removed. At the same time, the gate insulating film 12 is removed at the contact hole opening and the pad 19. Thus, the contact hole portion 1
At the locations 7 and 18, a first contact hole exposing the upper surface of the lead line lower layer wiring 11a and a second contact hole exposing the upper surface of the lead line upper layer wiring 13a are formed.
【0039】(5) 第5PEP:ITO膜等の透明導電
層が堆積された後、パターニングにより、画素電極が形
成される。これと同時に、コンタクトホール部17,1
8の個所にあって、引き出し線下層配線11aの上面
(第1コンタクトホール)と、引き出し線上層配線13
aの上面(第2コンタクトホール)とを覆う島状のコン
タクト用導電層15が配置される。(5) Fifth PEP: After a transparent conductive layer such as an ITO film is deposited, a pixel electrode is formed by patterning. At the same time, contact hole portions 17 and 1
8, the upper surface (first contact hole) of the lead line lower layer wiring 11a and the lead line upper layer wiring 13
An island-shaped conductive layer for contact 15 covering the upper surface (a second contact hole) is disposed.
【0040】一方、対向基板3は以下のように作成され
る。ガラス基板上に、まず、金属遮光層31が、クロム
(Cr)等の金属層の堆積後、パターニングにより形成
される。次いで、ITO等の透明導電材料からなる対向
電極層がシール材2内側に対応する領域に形成される。
そして、この後、絶縁性のオーバーコート層33が全面
に塗布される。On the other hand, the counter substrate 3 is prepared as follows. First, a metal light shielding layer 31 is formed on a glass substrate by patterning after depositing a metal layer such as chromium (Cr). Next, a counter electrode layer made of a transparent conductive material such as ITO is formed in a region corresponding to the inside of the sealing material 2.
Then, an insulating overcoat layer 33 is applied to the entire surface.
【0041】アレイ基板1及び対向基板3は、シール材
3より内側の領域に配向膜16,34を形成した後に、
シール材2を介して組み立てられ、液晶層25が注入さ
れる。After forming the alignment films 16 and 34 in the region inside the sealing material 3,
The liquid crystal layer 25 is injected through the sealing material 2 and injected.
【0042】本実施例によると、5回のフォトエッチン
グ工程のみによりアレイ基板1を作成し、引出し配線6
を冗長配線構造としつつ、アレイ基板1上の配線と、対
向基板3上の対向電極層32との間での短絡が確実に防
止される。しかも、付加する工程は、対向基板3にオー
バーコート層33を塗布する工程だけであるので、ほと
んど製造コストや工程の増加を招かない。According to this embodiment, the array substrate 1 is formed only by five photo-etching steps,
Is redundantly structured, and a short circuit between the wiring on the array substrate 1 and the counter electrode layer 32 on the counter substrate 3 is reliably prevented. In addition, since the additional step is only the step of applying the overcoat layer 33 to the counter substrate 3, there is almost no increase in manufacturing costs and steps.
【0043】オーバーコート層33は適当な塗布装置に
より、対向基板3の周縁部のみに塗布・形成するもので
あっても良い。The overcoat layer 33 may be applied and formed only on the peripheral portion of the counter substrate 3 by an appropriate coating device.
【0044】図3は、第2の実施例に係る液晶表示装置
の信号線側外周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 3 is a sectional perspective view schematically showing an outer peripheral portion on the signal line side of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
【0045】本実施例においては、上記第1の実施例と
同様の構成において、対向基板3にオーバーコート層3
3が設けられる代わりに、外側のコンタクトホール部1
8を覆うように、絶縁膜4が配置されている。この絶縁
膜4は、配向膜16と同一のポリイミドからなり、配向
膜16と同時に形成されるものである。そのため、絶縁
膜4を設けても、ほとんど、作業工程や製造コストの増
大を招かない。In this embodiment, the overcoat layer 3 is formed on the opposing substrate 3 in the same configuration as the first embodiment.
3 is provided instead of the outer contact hole 1
The insulating film 4 is arranged so as to cover 8. The insulating film 4 is made of the same polyimide as the alignment film 16 and is formed simultaneously with the alignment film 16. Therefore, even if the insulating film 4 is provided, there is almost no increase in working steps and manufacturing costs.
【0046】図示の例では、配向膜16と絶縁膜とが、
シール材2付近の抜き領域を挟んで、分離して配置され
ている。しかし、シール材2の選定により、配向膜16
と絶縁膜とが連続した構成、すなわち、シール材2の領
域を含めて全面にポリイミド膜が被覆する構成とするこ
ともできる。In the illustrated example, the alignment film 16 and the insulating film are
They are arranged separately with a blanking area near the sealing material 2 interposed therebetween. However, depending on the selection of the sealing material 2, the orientation film 16
And the insulating film may be continuous, that is, the entire surface including the region of the sealing material 2 may be covered with the polyimide film.
【0047】また、場合によっては、絶縁膜4を配向膜
16の形成工程とは別個の工程で設けても良い。In some cases, the insulating film 4 may be provided in a step separate from the step of forming the alignment film 16.
【0048】図4は、第3の実施例に係る液晶表示装置
の信号線側外周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 4 is a sectional perspective view schematically showing an outer peripheral portion on the signal line side of the liquid crystal display device according to the third embodiment.
【0049】本実施例においては、上記第1の実施例と
同様の構成において、対向基板3にオーバーコート層3
3が設けられる代わりに、対向基板3の突き出し部3b
下面の金属遮光層31に、アレイ基板1上の外側のコン
タクトホール部18を囲む個所に対応して、リング状の
抜き部31aが設けられている。すなわち、コンタクト
ホール部18の真上にある島状の金属遮光層31bが、
その他の部分の金属遮光層31cから分断されている。In this embodiment, the overcoat layer 3 is formed on the opposing substrate 3 in the same structure as the first embodiment.
3 is provided, the protrusion 3b of the counter substrate 3 is provided.
A ring-shaped cut-out portion 31a is provided in the metal light-shielding layer 31 on the lower surface so as to correspond to a portion surrounding the outer contact hole portion 18 on the array substrate 1. That is, the island-shaped metal light-shielding layer 31b right above the contact hole 18 is
The other part is separated from the metal light shielding layer 31c.
【0050】図示の例においては、コンタクトホール部
18のコンタクト用導電層15よりも充分に大きい矩形
リング状の領域で、金属遮光層31が省かれている。こ
れにより、ハンダボール等の導電性異物がコンタクトホ
ール部18と突き出し部3bとの間に挟み込まれても、
コンタクト用導電層15と、シール材2内側に連続する
金属遮光層31cとは導通を生じることがなく、したが
って、アレイ基板1の配線11,13と対向電極層32
との間で短絡が生じることがない。In the illustrated example, the metal light-shielding layer 31 is omitted in a rectangular ring-shaped region of the contact hole 18 that is sufficiently larger than the contact conductive layer 15. Thereby, even if a conductive foreign substance such as a solder ball is sandwiched between the contact hole portion 18 and the protruding portion 3b,
There is no conduction between the conductive layer 15 for contact and the metal light shielding layer 31 c continuous inside the sealant 2, and therefore, the wirings 11 and 13 of the array substrate 1 and the counter electrode layer 32
There is no short circuit between them.
【0051】しかも、この抜き部31aは、シール材2
の内側の画素領域で金属遮光層31をマトリクス状また
はストライプ状にパターニングする工程と同時に行われ
るため、何ら工程を増加させるものでなく、また、製造
コストや作業工程の増加を招くものでない。金属遮光層
31に抜き部31aを設けることによりこの部分からわ
ずかに光が漏れる可能性もあるが、通常は、抜き部31
aの面積比率を充分に小さいものとすることができるた
め、光漏れが問題となることはない。Further, the cutout portion 31a is provided with the sealing material 2
Is performed at the same time as the step of patterning the metal light-shielding layer 31 into a matrix or a stripe in the pixel region inside the pixel region, so that there is no increase in the number of steps and no increase in manufacturing cost or work steps. By providing the cutout portion 31a in the metal light-shielding layer 31, light may leak slightly from this portion.
Since the area ratio of a can be made sufficiently small, light leakage does not pose a problem.
【0052】本実施例においてはリング状の抜き部31
aを設けることにより、金属遮光層31を分断したが、
例えば、シール材2の領域内に、シール材2に沿って延
びるスリット状の抜き部を設けても良い。また、場合に
よっては、コンタクトホール部18に対応する領域の全
体で金属遮光層31を省くこともできる。In this embodiment, the ring-shaped punched portion 31 is used.
By providing a, the metal light shielding layer 31 was divided,
For example, a slit-shaped cutout extending along the seal material 2 may be provided in the region of the seal material 2. In some cases, the metal light shielding layer 31 can be omitted in the entire region corresponding to the contact hole portion 18.
【0053】図5は、第4の実施例に係る液晶表示装置
の信号線側外周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 5 is a sectional perspective view schematically showing an outer peripheral portion on the signal line side of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
【0054】本実施例においては、上記第1の実施例と
同様の構成において、対向基板3にオーバーコート層3
3が設けられる代わりに、外側のコンタクトホール部1
8が、シール材2領域内に配置されている。すなわち、
コンタクトホール部18のコンタクト用導電層15はシ
ール材2により完全に被覆されている。In this embodiment, the overcoat layer 3 is formed on the opposing substrate 3 in the same configuration as the first embodiment.
3 is provided instead of the outer contact hole 1
8 are arranged in the sealing material 2 region. That is,
The contact conductive layer 15 in the contact hole 18 is completely covered with the sealing material 2.
【0055】本実施例によると、引き出し配線6の配置
幅をより小さくとるか、または、周縁の画像非表示領域
(額縁領域)の幅を大きくする必要がある。しかし、こ
れらのいずれかに設計上の余裕がある場合には、何ら工
程の増加も招かず、確実に短絡を防止することができる
ことから有利である。According to this embodiment, it is necessary to reduce the arrangement width of the lead-out wiring 6 or to increase the width of the peripheral image non-display area (frame area). However, if any of these has a margin in design, it is advantageous since a short circuit can be surely prevented without increasing the number of steps.
【0056】本実施例において場合によっては、シール
材2よりも内側に外側のコンタクトホール部18を配置
することもできる。In this embodiment, depending on the case, the outer contact hole portion 18 can be arranged inside the sealing material 2.
【0057】[0057]
【発明の効果】シール材より外の対向基板とアレイ基板
との間隙に導電性異物が入り込んだ場合にも、対向基板
の端縁部にある金属遮光層と、アレイ基板上の導電層と
の間の短絡の発生が充分に防止される。According to the present invention, even when conductive foreign matter enters the gap between the opposing substrate and the array substrate outside the seal material, the metal light-shielding layer at the edge of the opposing substrate and the conductive layer on the array substrate are not affected. The occurrence of short circuit between them is sufficiently prevented.
【図1】第1の実施例に係る液晶表示装置の信号線側外
周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 1 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating an outer peripheral portion on a signal line side of a liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図2】図1に対応する部分の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a portion corresponding to FIG.
【図3】第2の実施例に係る液晶表示装置の信号線側外
周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 3 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating an outer peripheral portion on a signal line side of a liquid crystal display device according to a second embodiment.
【図4】第3の実施例に係る液晶表示装置の信号線側外
周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 4 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating an outer peripheral portion on a signal line side of a liquid crystal display device according to a third embodiment.
【図5】第4の実施例に係る液晶表示装置の信号線側外
周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 5 is a sectional perspective view schematically showing an outer peripheral portion on a signal line side of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図6】従来の技術に係る液晶表示装置の信号線側外周
部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 6 is a cross-sectional perspective view schematically showing an outer peripheral portion on a signal line side of a liquid crystal display device according to a conventional technique.
【図7】他の従来の技術に係る液晶表示装置の信号線側
外周部を模式的に示す断面斜視図である。FIG. 7 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating an outer peripheral portion on a signal line side of a liquid crystal display device according to another related art.
1 アレイ基板 1a アレイ基板の周縁の棚状の接続領域 11 パッド部配線 11a 引き出し線(斜め線)の下層配線をなすパッド部
配線からの延在部 13 信号線 13a 引き出し線(斜め線)の上層配線をなす信号線か
らの延在部 15 コンタクトホール部において上下層の配線を導通さ
せる導電層 18 引き出し線の外側端のコンタクトホール部 2 シール材 25 液晶層 3 対向基板 3b 対向基板のシール材外側への突き出し部 31 金属遮光層 33 絶縁性のオーバーコート層Reference Signs List 1 array board 1a shelf-shaped connection area on the periphery of array board 11 pad wiring 11a extension from pad wiring forming lower layer wiring of lead line (diagonal line) 13 signal line 13a upper layer of lead line (diagonal line) Extending portion from signal line forming wiring 15 Conductive layer for conducting upper and lower wiring in contact hole portion 18 Contact hole portion at outer end of lead wire 2 Seal material 25 Liquid crystal layer 3 Opposite substrate 3b Outer seal material of opposing substrate Protruding part 31 Metal light shielding layer 33 Insulating overcoat layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA48 GA49 GA50 GA51 GA57 GA60 JA24 JA48 JB51 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA32 MA35 NA16 NA25 PA02 PA03 PA04 5C094 AA42 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 DA12 DA15 DB03 EA04 EA05 EA07 EA10 EB02 EC02 ED15 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GB01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H092 GA48 GA49 GA50 GA51 GA57 GA60 JA24 JA48 JB51 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA32 MA35 NA16 NA25 PA02 PA03 PA04 5C094 AA42 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 DA12 DA15 DB03 EA04 EA05 EA07 EA07 EC02 ED15 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GB01
Claims (8)
形成されたアレイ基板と、金属遮光層のパターンが形成
された対向基板と、これらの間に保持される液晶層と、
この液晶層を四周から封止するシール材とからなり、 前記アレイ基板には、走査線を含む第1導電層、この第
1導電層を覆う第1絶縁層、信号線を含む第2導電層、
この第2導電層を覆う第2絶縁層、画素電極を含む第3
導電層がこの順に配され、 前記画像非表示領域においては、前記第1及び第2絶縁
層を貫き前記第1導電層を露出させる第1コンタクトホ
ールと、前記第2絶縁層を貫き前記第2導電層を露出さ
せる第2コンタクトホールと、これら第1及び第2コン
タクトホールの領域を覆い、これら第1導電層及び第2
導電層を互いに電気的に導通させるコンタクト層とが配
され、このコンタクト層が、前記第3導電層に含まれる
導電層である液晶表示装置において、 前記対向基板が前記シール材の外側へと突き出す突き出
し部に対向するように、前記コンタクト層が前記アレイ
基板の表面に露出され、 前記金属遮光層が、少なくとも前記突き出し部の前記コ
ンタクト層に対応する個所において、絶縁コーティング
層により被覆されたことを特徴とする液晶表示装置。An array substrate on which a pixel region and an image non-display region surrounding the pixel region are formed; a counter substrate on which a pattern of a metal light shielding layer is formed; a liquid crystal layer held therebetween;
A sealing material for sealing the liquid crystal layer from four sides; a first conductive layer including a scanning line; a first insulating layer covering the first conductive layer; and a second conductive layer including a signal line. ,
A second insulating layer covering the second conductive layer, and a third insulating layer including a pixel electrode.
A conductive layer is arranged in this order, and in the image non-display area, a first contact hole that penetrates the first and second insulating layers to expose the first conductive layer, and a second contact hole that penetrates the second insulating layer. A second contact hole for exposing the conductive layer, and a region covering the first and second contact holes;
A contact layer that electrically connects the conductive layers to each other, wherein the contact layer is a conductive layer included in the third conductive layer. In the liquid crystal display device, the opposing substrate protrudes outside the sealing material. The contact layer is exposed on the surface of the array substrate so as to face the protrusion, and the metal light-shielding layer is covered with an insulating coating layer at least at a position corresponding to the contact layer of the protrusion. Characteristic liquid crystal display device.
形成されたアレイ基板と、金属遮光層のパターンが形成
された対向基板と、これらの間に保持される液晶層と、
この液晶層を四周から封止するシール材とからなり、 前記アレイ基板には、走査線を含む第1導電層、この第
1導電層を覆う第1絶縁層、信号線を含む第2導電層、
この第2導電層を覆う第2絶縁層、画素電極を含む第3
導電層がこの順に配され、 前記画像非表示領域においては、前記第1及び第2絶縁
層を貫き前記第1導電層を露出させる第1コンタクトホ
ールと、前記第2絶縁層を貫き前記第2導電層を露出さ
せる第2コンタクトホールと、これら第1及び第2コン
タクトホールの領域を覆い、これら第1導電層及び第2
導電層を互いに電気的に導通させるコンタクト層とが配
され、このコンタクト層が前記第3導電層に含まれる導
電層である液晶表示装置において、 前記対向基板が前記シール材の外側へと突き出す突き出
し部に対向するように、前記コンタクト層が前記アレイ
基板の表面に露出され、 前記画素領域において前記アレイ基板の表面を覆う配向
膜と同一の絶縁コーティング層が、前記コンタクト層を
被覆することを特徴とする液晶表示装置。2. An array substrate in which a pixel region and an image non-display region surrounding the pixel region are formed, a counter substrate in which a pattern of a metal light shielding layer is formed, and a liquid crystal layer held therebetween.
A sealing material for sealing the liquid crystal layer from four sides; a first conductive layer including a scanning line; a first insulating layer covering the first conductive layer; and a second conductive layer including a signal line. ,
A second insulating layer covering the second conductive layer, and a third insulating layer including a pixel electrode.
A conductive layer is arranged in this order, and in the image non-display area, a first contact hole that penetrates the first and second insulating layers to expose the first conductive layer, and a second contact hole that penetrates the second insulating layer. A second contact hole for exposing the conductive layer, and a region covering the first and second contact holes;
A contact layer for electrically connecting the conductive layers to each other, wherein the contact layer is a conductive layer included in the third conductive layer, wherein the opposing substrate protrudes outside the sealing material; The contact layer is exposed on the surface of the array substrate so as to face the portion, and the same insulating coating layer as the alignment film covering the surface of the array substrate in the pixel region covers the contact layer. Liquid crystal display device.
形成されたアレイ基板と、金属遮光層のパターンが形成
された対向基板と、これらの間に保持される液晶層と、
この液晶層を四周から封止するシール材とからなり、 前記アレイ基板には、走査線を含む第1導電層、この第
1導電層を覆う第1絶縁層、信号線を含む第2導電層、
この第2導電層を覆う第2絶縁層、画素電極を含む第3
導電層がこの順に配され、 前記画像非表示領域においては、前記第1及び第2絶縁
層を貫き前記第1導電層を露出させる第1コンタクトホ
ールと、前記第2絶縁層を貫き前記第2導電層を露出さ
せる第2コンタクトホールと、これら第1及び第2コン
タクトホールの領域を覆い、これら第1導電層及び第2
導電層を互いに電気的に導通させるコンタクト層とが配
され、このコンタクト層が前記第3導電層に含まれる導
電層である液晶表示装置において、 前記対向基板が前記シール材の外側へと突き出す突き出
し部に対向するように、前記コンタクト層が前記アレイ
基板の表面に露出され、 前記金属遮光層は、前記シール材より内側の領域と、前
記突き出し部にあって前記コンタクト層と対向する領域
とで、互いに分断されているか、または、前記コンタク
ト層と対向する領域にて省かれていることを特徴とする
液晶表示装置。3. An array substrate on which a pixel region and an image non-display region surrounding the pixel region are formed, a counter substrate on which a pattern of a metal light shielding layer is formed, and a liquid crystal layer held therebetween.
A sealing material for sealing the liquid crystal layer from four sides; a first conductive layer including a scanning line; a first insulating layer covering the first conductive layer; and a second conductive layer including a signal line. ,
A second insulating layer covering the second conductive layer, and a third insulating layer including a pixel electrode.
A conductive layer is arranged in this order, and in the image non-display area, a first contact hole that penetrates the first and second insulating layers to expose the first conductive layer, and a second contact hole that penetrates the second insulating layer. A second contact hole for exposing the conductive layer, and a region covering the first and second contact holes;
A contact layer for electrically connecting the conductive layers to each other, wherein the contact layer is a conductive layer included in the third conductive layer, wherein the opposing substrate protrudes outside the sealing material; The contact layer is exposed on the surface of the array substrate so as to face the portion, and the metal light-shielding layer includes a region inside the sealing material and a region in the protruding portion and facing the contact layer. A liquid crystal display device which is separated from each other or omitted in a region facing the contact layer.
形成されたアレイ基板と、金属遮光層のパターンが形成
された対向基板と、これらの間に保持される液晶層と、
この液晶層を四周から封止するシール材とからなり、 前記アレイ基板には、走査線を含む第1導電層、この第
1導電層を覆う第1絶縁層、信号線を含む第2導電層、
この第2導電層を覆う第2絶縁層、画素電極を含む第3
導電層がこの順に配され、 前記画像非表示領域においては、前記第1及び第2絶縁
層を貫き前記第1導電層を露出させる第1コンタクトホ
ールと、前記第2絶縁層を貫き前記第2導電層を露出さ
せる第2コンタクトホールと、これら第1及び第2コン
タクトホールの領域を覆い、これら第1導電層及び第2
導電層を互いに電気的に導通させるコンタクト層とが配
され、このコンタクト層が前記第3導電層に含まれる導
電層である液晶表示装置において、 前記コンタクト層が前記シール材により被覆されること
を特徴とする液晶表示装置。4. An array substrate on which a pixel region and an image non-display region surrounding the pixel region are formed, a counter substrate on which a pattern of a metal light shielding layer is formed, and a liquid crystal layer held therebetween.
A sealing material for sealing the liquid crystal layer from four sides; a first conductive layer including a scanning line; a first insulating layer covering the first conductive layer; and a second conductive layer including a signal line. ,
A second insulating layer covering the second conductive layer, and a third insulating layer including a pixel electrode.
A conductive layer is arranged in this order, and in the image non-display area, a first contact hole that penetrates the first and second insulating layers to expose the first conductive layer, and a second contact hole that penetrates the second insulating layer. A second contact hole for exposing the conductive layer, and a region covering the first and second contact holes;
A contact layer that electrically connects the conductive layers to each other, and wherein the contact layer is a conductive layer included in the third conductive layer, wherein the contact layer is covered with the sealing material. Characteristic liquid crystal display device.
グ素子としての薄膜トランジスタを含み、 この薄膜トランジスタが、前記走査線の一部またはその
延在部からなるゲート電極と、このゲート電極の上に前
記第1絶縁膜を介して配置される半導体活性層と、前記
第2導電層に含まれ、この半導体活性層に電気的に接続
されるソース電極及びドレイン電極とからなり、 前記アレイ基板が、 前記第1導電層のパターンを形成するパターニング工程
と、 前記薄膜トランジスタの活性半導体膜、及び、前記第2
導電層のパターンを一つのフォトマスクの下で一括して
形成するパターニング工程と、 前記ソース電極の上面を露出させるソースコンタクトホ
ール、及び、前記第2コンタクトホールを同時に形成す
るパターニング工程と、 前記画素電極及び前記コンタクト層を形成するパターニ
ング工程とを含む製造工程により製造されたものである
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶
表示装置。5. The array substrate includes a thin film transistor as a switching element for each pixel, the thin film transistor being a part of the scanning line or a gate electrode formed of an extended portion thereof, and the thin film transistor being disposed on the gate electrode. (1) a semiconductor active layer disposed via an insulating film; and a source electrode and a drain electrode included in the second conductive layer and electrically connected to the semiconductor active layer. A patterning step of forming a pattern of one conductive layer; an active semiconductor film of the thin film transistor;
A patterning step of simultaneously forming a pattern of a conductive layer under one photomask; a patterning step of simultaneously forming a source contact hole exposing an upper surface of the source electrode; and the second contact hole; The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4, wherein the liquid crystal display device is manufactured by a manufacturing process including a patterning process of forming an electrode and the contact layer.
コンタクトホールを形成するパターニング工程におい
て、前記第1コンタクトホールが同時に形成されること
を特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示
装置。6. The source contact hole and the second contact hole.
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said first contact hole is formed simultaneously in a patterning step of forming a contact hole.
記第1及び第2コンタクトホールに至る領域に、前記第
1導電層に属する配線と、前記第2導電層に属する配線
とが重ねて配置されて冗長配線をなしていることを特徴
とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示装置。7. A wiring belonging to the first conductive layer and a wiring belonging to the second conductive layer are overlapped in a region from one end of the signal line or the scanning line to the first and second contact holes. The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4, wherein the liquid crystal display device is arranged to form a redundant wiring.
ンタクトホールを四周から取り囲む領域に形成され、前
記第1コンタクトホールの外端縁が、前記第2コンタク
トホールの底面と直結していることを特徴とする請求項
1〜4のいずれかに記載の液晶表示装置。8. The second contact hole is formed in a region surrounding the first contact hole from four sides, and an outer edge of the first contact hole is directly connected to a bottom surface of the second contact hole. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6819389B2 (en) | 2001-12-03 | 2004-11-16 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device with a substrate having an opening on an organic film thereof to accommodate sealing material therethrough |
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- 2000-03-21 JP JP2000078283A patent/JP2001264793A/en active Pending
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