JP2001255650A - Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board - Google Patents
Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring boardInfo
- Publication number
- JP2001255650A JP2001255650A JP2000071064A JP2000071064A JP2001255650A JP 2001255650 A JP2001255650 A JP 2001255650A JP 2000071064 A JP2000071064 A JP 2000071064A JP 2000071064 A JP2000071064 A JP 2000071064A JP 2001255650 A JP2001255650 A JP 2001255650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- bis
- meth
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- -1 borate compound Chemical class 0.000 claims abstract description 126
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 43
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 claims description 5
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 claims description 5
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 33
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 27
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 4
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000007934 α,β-unsaturated carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVYKABJIEOOUOX-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-4-(4-fluorophenyl)sulfinylbenzene Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1S(=O)C1=CC=C(F)C=C1 GVYKABJIEOOUOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-triphenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 RNIPJYFZGXJSDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004182 2-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(Cl)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIUSGHALMCFISX-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-2,3-dihydro-1h-cyclopenta[c]chromen-4-one Chemical compound O=C1OC2=CC(N(C)C)=CC=C2C2=C1CCC2 RIUSGHALMCFISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZXAEJGHNXJTSE-UHFFFAOYSA-N 7-(ethylamino)-4,6-dimethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(C)C2=C1C=C(NCC)C(C)=C2 QZXAEJGHNXJTSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- ZAMKZIDQTQXLDP-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C(C=C1)S(=O)(C2=CC=CC=C2)(C3=CC=C(C=C3)SC4=CC=C(C=C4)S(=O)(C5=CC=CC=C5)(C6=CC=CC=C6)O)O Chemical compound C1=CC=C(C=C1)S(=O)(C2=CC=CC=C2)(C3=CC=C(C=C3)SC4=CC=C(C=C4)S(=O)(C5=CC=CC=C5)(C6=CC=CC=C6)O)O ZAMKZIDQTQXLDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JJHHIJFTHRNPIK-UHFFFAOYSA-N Diphenyl sulfoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)C1=CC=CC=C1 JJHHIJFTHRNPIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- DUHXULWZQBZQOJ-UHFFFAOYSA-N [diphenyl-(2-phenylphenyl)methoxy]boronic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C(=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(OB(O)O)C1=CC=CC=C1 DUHXULWZQBZQOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N coumarin 120 Chemical compound C1=C(N)C=CC2=C1OC(=O)C=C2C GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monomethyl ester Natural products COC(=O)C=CC(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N methyl hydrogen fumarate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N (e)-2-cyano-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C\C1=CC=CC=C1 CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N (z)-4-oxo-4-propan-2-yloxybut-2-enoic acid Chemical compound CC(C)OC(=O)\C=C/C(O)=O FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 229940008841 1,6-hexamethylene diisocyanate Drugs 0.000 description 1
- WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=C(C=C)C=C1 WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=C(C=C)C=C1 KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBRYRJYZWVLVLF-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethoxybenzene Chemical compound CCOC1=CC=C(C=C)C=C1 OBRYRJYZWVLVLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(C=C)C=C1 WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004201 2,4-dichlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(Cl)C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- 125000004215 2,4-difluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(F)C([H])=C1F 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006276 2-bromophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(Br)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004198 2-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(F)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- GJLJILHMNBYGQT-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)-4-methylchromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C(N(CC)CC)=C(C)C2=C1 GJLJILHMNBYGQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMAIAZQPQINLPR-UHFFFAOYSA-N 4,6-diethyl-7-(ethylamino)chromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(CC)C2=C1C=C(NCC)C(CC)=C2 IMAIAZQPQINLPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKJDPYZBJFUZNS-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-7-(methylamino)chromen-2-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(NC)=CC=C21 LKJDPYZBJFUZNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHWQIAUTOYSNL-UHFFFAOYSA-N 7-(diethylamino)-4,6-diethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(CC)C2=C1C=C(N(CC)CC)C(CC)=C2 NFHWQIAUTOYSNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCSNPEIXPRTDCL-UHFFFAOYSA-N 7-(diethylamino)-4,6-dimethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(C)C2=C1C=C(N(CC)CC)C(C)=C2 LCSNPEIXPRTDCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMIBFBLKEYPIBO-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-4,6-diethylchromen-2-one Chemical compound CCC1=CC(=O)OC2=C1C=C(CC)C(N(C)C)=C2 IMIBFBLKEYPIBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMENEVLIGWZJCI-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-4,6-dimethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(C)C2=C1C=C(N(C)C)C(C)=C2 IMENEVLIGWZJCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZEYLLPOQRZUDF-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-4-methylchromen-2-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(C)C)=CC=C21 GZEYLLPOQRZUDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTNIKUTWXUODJZ-UHFFFAOYSA-N 7-(ethylamino)-4-methylchromen-2-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(NCC)=CC=C21 OTNIKUTWXUODJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N Boron trifluoride etherate Chemical compound FB(F)F.CCOCC KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGXHYQAQEKLYFL-UHFFFAOYSA-N C=CC(OC(COCCOCCOCCO)O)=O.N=C=O Chemical compound C=CC(OC(COCCOCCOCCO)O)=O.N=C=O MGXHYQAQEKLYFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIVRWLOKSMGTRF-UHFFFAOYSA-N CCN(CC)C(C=CC=C1)=C1C(C1=CC=CC=C1)=O.OB(O)O.S.S.S Chemical compound CCN(CC)C(C=CC=C1)=C1C(C1=CC=CC=C1)=O.OB(O)O.S.S.S GIVRWLOKSMGTRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSKOWEABZZDTNN-UHFFFAOYSA-N CCN(CC)CC.FC(C=C1F)=CC(F)=C1OB(OC(C(F)=CC(F)=C1)=C1F)OC(C(F)=CC(F)=C1)=C1F Chemical compound CCN(CC)CC.FC(C=C1F)=CC(F)=C1OB(OC(C(F)=CC(F)=C1)=C1F)OC(C(F)=CC(F)=C1)=C1F SSKOWEABZZDTNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 102100032566 Carbonic anhydrase-related protein 10 Human genes 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N Ethyl hydrogen fumarate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(O)=O XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 101000867836 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 10 Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N Leucocrystal Violet Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 102000003729 Neprilysin Human genes 0.000 description 1
- 108090000028 Neprilysin Proteins 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical group CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100031083 Uteroglobin Human genes 0.000 description 1
- 108090000203 Uteroglobin Proteins 0.000 description 1
- REUQOSNMSWLNPD-UHFFFAOYSA-N [2-(diethylamino)phenyl]-phenylmethanone Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 REUQOSNMSWLNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N [4-(4-diphenylsulfoniophenyl)sulfanylphenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1SC(C=C1)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFPQCLGNFVNIGR-UHFFFAOYSA-N [4-[4-bis(4-chlorophenyl)sulfoniophenyl]sulfanylphenyl]-bis(4-chlorophenyl)sulfanium Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1[S+](C=1C=CC(SC=2C=CC(=CC=2)[S+](C=2C=CC(Cl)=CC=2)C=2C=CC(Cl)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(Cl)C=C1 UFPQCLGNFVNIGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAAHGUZODNTQGA-UHFFFAOYSA-N [4-[4-bis(4-fluorophenyl)sulfoniophenyl]sulfanylphenyl]-bis(4-fluorophenyl)sulfanium Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1[S+](C=1C=CC(SC=2C=CC(=CC=2)[S+](C=2C=CC(F)=CC=2)C=2C=CC(F)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(F)C=C1 DAAHGUZODNTQGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N [CH2]CN(CC)CC Chemical group [CH2]CN(CC)CC MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 1
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N coumarin 460 Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C21 AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 description 1
- WJYHCYBNUJVCEH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;ethoxyethane Chemical compound CCOCC.C1CCCCC1 WJYHCYBNUJVCEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monoethyl ester Natural products CCOC(=O)C=CC(O)=O XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLAHQMWSZPRDKI-UHFFFAOYSA-N hexoxyboronic acid Chemical compound CCCCCCOB(O)O PLAHQMWSZPRDKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012216 imaging agent Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- SCEZYJKGDJPHQO-UHFFFAOYSA-M magnesium;methanidylbenzene;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[CH2-]C1=CC=CC=C1 SCEZYJKGDJPHQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N n-(2-methyl-4-oxopentan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000004841 phenylimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N propynoic acid Chemical compound OC(=O)C#C UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004360 trifluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性樹脂組成
物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターン
の製造法及びプリント配線板の製造法に関する。The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element using the same, a method for producing a resist pattern, and a method for producing a printed wiring board.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来プリント配線板の製造分野におい
て、エッチング、めっき等に用いられるレジスト材料と
しては、感光性樹脂組成物及びそれに支持体と保護フィ
ルムを用いて得られる感光性エレメントが広く用いられ
ている。プリント配線板は、感光性エレメントを銅基板
上にラミネートして、パターン露光した後、未硬化部分
を現像液で除去し、エッチング又はめっき処理を施し
て、パターンを形成させた後、硬化部分を基板上から剥
離除去する方法によって製造されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the field of manufacturing printed wiring boards, a photosensitive resin composition and a photosensitive element obtained by using a support and a protective film thereon are widely used as resist materials used for etching, plating and the like. ing. The printed wiring board is formed by laminating a photosensitive element on a copper substrate, pattern-exposing, removing the uncured portion with a developing solution, etching or plating, forming a pattern, and then curing the cured portion. It is manufactured by a method of peeling off from the substrate.
【０００３】感光性エレメントは、従来多層プリント配
線板の内装及び外装板加工用に用いられていたが、近年
では半導体パッケージ用途としても用いられている。こ
のためパッケージ用感光性エレメントでは、これまでに
無い高解像性・高密着性が求められるようになってき
た。また、一方では、作業性の向上という点から、高感
度、低めっき浴汚染性の感光性樹脂組成物が望まれてお
り、これらの特性は、使用される光開始剤の種類及び量
に依存するものである。高感度の光開始剤は、ドイツ特
許第２，０２７，４６７号明細書、ヨーロッパ特許公開
第１１，７８６号明細書、ヨーロッパ特許公開第２２０
号明細書、ヨーロッパ特許公開第５８９号明細書、特開
平６−６９６３１号公報等に記載されているが、これら
はめっき浴汚染性を有するという欠点がある。[0003] Photosensitive elements have conventionally been used for interior and exterior processing of multilayer printed wiring boards, but have recently been used for semiconductor package applications. For this reason, photosensitive elements for packaging have been required to have higher resolution and higher adhesion than ever before. On the other hand, a photosensitive resin composition having high sensitivity and low plating bath contamination is desired from the viewpoint of improving workability, and these characteristics depend on the type and amount of a photoinitiator used. Is what you do. High-sensitivity photoinitiators are described in DE 2,027,467, EP 11,786, EP 220.
And EP-A-589, JP-A-6-69631 and the like, but they have the drawback of having plating bath contamination.
【０００４】この他に、めっき浴汚染性の少ない、光開
始剤である２，４，５−トリフェニルイミダゾール二量
体と、水素供与性化合物を組み合わせ高感度にした感光
性樹脂組成物が、米国特許第３，４７９，１８５号明細
書に記載されているが、要求される感度に調整した場
合、２，４，５−トリフェニルイミダゾール二量体の使
用量を増量すると、レジストの線幅が太るという欠点が
あり、水素供与性化合物の使用量を増量すると、銅との
密着性及び保存安定性が劣るという欠点がある。[0004] In addition, a photosensitive resin composition which has a high sensitivity by combining a dimer of 2,4,5-triphenylimidazole as a photoinitiator and a hydrogen-donating compound, which is less contaminating in a plating bath, has been proposed. As described in U.S. Pat. No. 3,479,185, when the required sensitivity is adjusted, the line width of the resist can be increased by increasing the amount of 2,4,5-triphenylimidazole dimer used. However, when the amount of the hydrogen-donating compound used is increased, the adhesion to copper and the storage stability are poor.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】請求項１、２、３、
４、５及び６記載の発明は、感度、解像性、密着性、現
像性及びめっき浴汚染性が優れる感光性樹脂組成物を提
供するものである。請求項７記載の発明は、感度、解像
性、密着性、現像性、めっき浴汚染性、生産性及び作業
性が優れる感光性エレメントを提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION Claims 1, 2, 3,
The inventions described in 4, 5, and 6 provide a photosensitive resin composition having excellent sensitivity, resolution, adhesion, developability, and plating bath contamination. The invention according to claim 7 provides a photosensitive element having excellent sensitivity, resolution, adhesion, developability, plating bath contamination, productivity and workability.
【０００６】請求項８記載の発明は、感度、解像性、密
着性、現像性、めっき浴汚染性、生産性及び作業性が優
れ、プリント配線の高密度化に有用なレジストパターン
の製造法を提供するものである。請求項９記載の発明
は、感度、解像性、密着性、現像性、めっき浴汚染性、
生産性及び作業性が優れ、プリント配線の高密度化に有
用なプリント配線板の製造法を提供するものである。The invention according to claim 8 is a method for producing a resist pattern which is excellent in sensitivity, resolution, adhesion, developability, plating bath contamination, productivity and workability, and is useful for increasing the density of printed wiring. Is provided. The invention according to claim 9 provides sensitivity, resolution, adhesion, developability, plating bath contamination,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a printed wiring board which is excellent in productivity and workability and is useful for increasing the density of printed wiring.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）バイン
ダーポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１つの重合可
能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物及び
（Ｃ１）一般式（Ｉ）The present invention comprises (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, and (C1) a compound represented by the general formula (I) )
【化２】 （一般式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、各々独立
に、ハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素
数１〜１２のアルコキシル基又は炭素数６〜１４のアリ
ール基を示し、Ｒ5及びＲ6は、各々独立に、炭素数１〜
１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシル基
を示し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、各々独立に、炭素
数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基
又は炭素数７〜１１のアリールアルキル基を示し、ｎ
は、０〜５の整数であり、ｍは、０〜４の整数である）
で表されるビススルホニウムボレート化合物を含有して
なる感光性樹脂組成物に関する。Embedded image (In the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms or 6 to 6 carbon atoms. 14 represents an aryl group, wherein R 5 and R 6 are each independently
R 12 represents an alkyl group having 12 carbon atoms or an alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms, and R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms Or an arylalkyl group having 7 to 11 carbon atoms;
Is an integer of 0 to 5, and m is an integer of 0 to 4)
And a photosensitive resin composition containing a bissulfonium borate compound represented by the formula:
【０００８】また、本発明は、さらに（Ｃ２）２，４，
５−トリアリールイミダゾール二量体を含有する前記感
光性樹脂組成物に関する。また、本発明は、さらに（Ｃ
３）クマリン系化合物又は芳香族ケトンを含有する前記
感光性樹脂組成物に関する。また、本発明は、（Ｂ）光
重合性化合物として、ビスフェノールＡ系（メタ）アク
リレート化合物を含有する前記感光性樹脂組成物に関す
る。The present invention further provides (C2) 2,4
The present invention relates to the photosensitive resin composition containing a 5-triarylimidazole dimer. Further, the present invention further provides (C
3) The present invention relates to the photosensitive resin composition containing a coumarin compound or an aromatic ketone. The present invention also relates to the photosensitive resin composition containing a bisphenol A-based (meth) acrylate compound as the photopolymerizable compound (B).
【０００９】また、本発明は、（Ａ）成分の酸価が３０
〜２００mgKOH/gであり、重量平均分子量２０，０００
〜３００，０００である前記感光性樹脂組成物に関す
る。また、本発明は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び
（Ｃ）成分の配合量が、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総
量１００重量部に対して、（Ａ）成分が４０〜８０重量
部、（Ｂ）成分が２０〜６０重量部及び（Ｃ）成分が
０．１〜１０重量部である前記感光性樹脂組成物に関す
る。また、本発明は、前記感光性樹脂組成物を支持体上
に塗布、乾燥してなる感光性エレメントに関する。In the present invention, the component (A) has an acid value of 30.
~ 200 mgKOH / g, weight average molecular weight 20,000
To 300,000. In the present invention, the component (A), the component (B) and the component (C) are mixed in an amount of 40 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B). The present invention relates to the photosensitive resin composition, wherein 80 parts by weight, the component (B) is 20 to 60 parts by weight, and the component (C) is 0.1 to 10 parts by weight. The present invention also relates to a photosensitive element obtained by applying the photosensitive resin composition on a support and drying the composition.
【００１０】また、本発明は、前記感光性エレメント
を、回路形成用基板上に感光性樹脂組成物層が密着する
ようにして積層し、活性光線を画像状に照射し、露光部
を光硬化させ、未露光部を現像により除去することを特
徴とするレジストパターンの製造法に関する。また、本
発明は、前記レジストパターンの製造法により、レジス
トパターンの製造された回路形成用基板をエッチング又
はめっきすることを特徴とするプリント配線板の製造法
に関する。Further, according to the present invention, the photosensitive element is laminated on a circuit-forming substrate so that the photosensitive resin composition layer is in close contact with the photosensitive element, and is irradiated with actinic rays in an image-like manner to cure the exposed portion with light. And a method of manufacturing a resist pattern, wherein unexposed portions are removed by development. Further, the present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, wherein a circuit forming substrate on which a resist pattern is manufactured is etched or plated by the method for manufacturing a resist pattern.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。なお、本発明における（メタ）アクリル酸とはア
クリル酸及びそれに対応するメタクリル酸を意味し、
（メタ）アクリレートとはアクリレート及びそれに対応
するメタクリレートを意味し、（メタ）アクリロイル基
とはアクリロイル基及びそれに対応するメタクリロイル
基を意味する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the present invention, (meth) acrylic acid means acrylic acid and methacrylic acid corresponding thereto,
(Meth) acrylate means acrylate and its corresponding methacrylate, and (meth) acryloyl group means acryloyl and its corresponding methacryloyl group.
【００１２】前記（Ａ）バインダーポリマーとしては、
例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系
樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド
系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。アルカリ現
像性の見地からは、アクリル系樹脂が好ましい。これら
は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができ
る。The (A) binder polymer includes:
For example, acrylic resin, styrene resin, epoxy resin, amide resin, amide epoxy resin, alkyd resin, phenol resin and the like can be mentioned. From the viewpoint of alkali developability, an acrylic resin is preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
【００１３】前記（Ａ）バインダーポリマーは、例え
ば、重合性単量体をラジカル重合させることにより製造
することができる。上記重合性単量体としては、例え
ば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、
ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−メトキ
シスチレン、ｐ−エトキシスチレン、ｐ−クロロスチレ
ン、ｐ−ブロモスチレン等の重合可能なスチレン誘導
体、ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド、ア
クリロニトリル、ビニル−ｎ−ブチルエーテル等のビニ
ルアルコールのエステル類、（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリ
ルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチル
エステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエ
ステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，
２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、
２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アク
リレート、（メタ）アクリル酸、α−ブロモ（メタ）ア
クリル酸、α−クロル（メタ）アクリル酸、β−フリル
（メタ）アクリル酸、β−スチリル（メタ）アクリル
酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメ
チル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロ
ピル等のマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮
酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プ
ロピオール酸などが挙げられる。The binder polymer (A) can be produced, for example, by radically polymerizing a polymerizable monomer. As the polymerizable monomer, for example, styrene, vinyl toluene, α-methylstyrene,
Polymerizable styrene derivatives such as p-methylstyrene, p-ethylstyrene, p-methoxystyrene, p-ethoxystyrene, p-chlorostyrene, p-bromostyrene, acrylamide such as diacetone acrylamide, acrylonitrile, vinyl-n- Esters of vinyl alcohol such as butyl ether, alkyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl (meth) acrylate, (meth) acryl Glycidyl acid ester 2,
2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate,
2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, α-bromo (meth) acrylic acid, α-chloro (meth) acrylic acid, β-furyl (meth) acrylic acid, β -Styryl (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate such as monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate, fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid, itaconic acid , Crotonic acid, propiolic acid and the like.
【００１４】上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル
としては、例えば、一般式（II）Examples of the alkyl (meth) acrylate include those represented by the general formula (II)
【化３】 （式中、Ｒ11は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ12は炭
素数１〜１２のアルキル基を示す）で表される化合物、
これらの化合物のアルキル基に水酸基、エポキシ基、ハ
ロゲン基等が置換した化合物などが挙げられる。Embedded image (Wherein, R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 12 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms),
Examples thereof include compounds in which an alkyl group of these compounds is substituted with a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen group, or the like.
【００１５】上記一般式（II）中のＲ12で示される炭素
数１〜１２のアルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、
ウンデシル基、ドデシル基及びこれらの構造異性体が挙
げられる。上記一般式（II）で表される単量体として
は、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アク
リル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）
アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メ
タ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチ
ル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸
２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で又
は２種以上を組み合わせて用いることができる。The alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 12 in the general formula (II) includes, for example, a methyl group,
Ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group,
Examples include an undecyl group, a dodecyl group, and structural isomers thereof. Examples of the monomer represented by the general formula (II) include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, and (meth)
Examples thereof include butyl acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate. These can be used alone or in combination of two or more.
【００１６】前記（Ａ）バインダーポリマーは、アルカ
リ現像性の見地から、カルボキシル基を含有させること
が好ましく、例えば、カルボキシル基を有する重合性単
量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させること
により製造することができる。上記カルボキシル基を有
する重合性単量体としては、メタクリル酸が好ましい。
また、前記（Ａ）バインダーポリマーは、可とう性の見
地からスチレン又はスチレン誘導体を重合性単量体とし
て含有させることが好ましい。The (A) binder polymer preferably contains a carboxyl group from the viewpoint of alkali developability. For example, the polymerizable monomer having a carboxyl group is radically polymerized with another polymerizable monomer. It can be manufactured by the following. The polymerizable monomer having a carboxyl group is preferably methacrylic acid.
The (A) binder polymer preferably contains styrene or a styrene derivative as a polymerizable monomer from the viewpoint of flexibility.
【００１７】上記スチレン又はスチレン誘導体を共重合
成分として、密着性及び剥離特性を共に良好にするに
は、０．１〜３０重量％含むことが好ましく、１〜２８
重量％含むことがより好ましく、１．５〜２７重量％含
むことが特に好ましい。この含有量が０．１重量％未満
では、密着性が劣る傾向があり、３０重量％を超える
と、剥離片が大きくなり、剥離時間が長くなる傾向があ
る。これらのバインダーポリマーは、単独で又は２種類
以上を組み合わせて使用される。２種類以上を組み合わ
せて使用する場合のバインダーポリマーとしては、例え
ば、異なる共重合成分からなる２種類以上のバインダー
ポリマー、異なる重量平均分子量の２種類以上のバイン
ダーポリマー、異なる分散度の２種類以上のバインダー
ポリマーなどが挙げられる。In order to improve both the adhesion and the peeling property by using the styrene or the styrene derivative as a copolymer component, the content is preferably 0.1 to 30% by weight.
%, More preferably 1.5 to 27% by weight. If the content is less than 0.1% by weight, the adhesion tends to be poor, and if it exceeds 30% by weight, the peeled pieces tend to be large and the peeling time tends to be long. These binder polymers are used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, examples of the binder polymer include two or more kinds of binder polymers composed of different copolymer components, two or more kinds of binder polymers having different weight average molecular weights, and two or more kinds of different dispersion degrees. Binder polymers and the like.
【００１８】前記（Ａ）バインダーポリマーの酸価は、
３０〜２００mgKOH/gであることが好ましく、５０〜１
５０mgKOH/gであることがより好ましい。この酸価が３
０mgKOH/g未満では現像時間が長くなる傾向があり、２
００mgKOH/gを超えると光硬化したレジストの耐現像液
性が低下する傾向がある。The acid value of the binder polymer (A) is:
It is preferably 30 to 200 mgKOH / g, and 50 to 1 mgKOH / g.
More preferably, it is 50 mgKOH / g. This acid value is 3
If the amount is less than 0 mgKOH / g, the development time tends to be long.
If it exceeds 00 mgKOH / g, the photocured resist tends to have a reduced resistance to developing solution.
【００１９】前記（Ａ）バインダーポリマーの重量平均
分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（Ｇ
ＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線によ
り換算）は、２０，０００〜３００，０００であること
が好ましく、３０，０００〜２００，０００であること
がより好ましい。この重量平均分子量が２０，０００未
満では耐現像液性が低下する傾向があり、３００，００
０を超えると、現像時間が長くなる傾向がある。(A) The weight average molecular weight of the binder polymer (gel permeation chromatography (G
(Measured by PC) and converted by a calibration curve using standard polystyrene) is preferably from 20,000 to 300,000, more preferably from 30,000 to 200,000. If the weight average molecular weight is less than 20,000, the developer resistance tends to decrease, and
If it exceeds 0, the development time tends to be long.
【００２０】前記（Ｂ）光重合性化合物としては、例え
ば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応
させて得られる化合物、２，２−ビス（４−（（メタ）
アクリロキシポリエトキシ）フェニル）プロパン、２，
２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシポリプロポキ
シ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メ
タ）アクリロキシポリブトキシ）フェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシポリエトキ
シポリプロポキシ）フェニル）プロパン等のビスフェノ
ールＡ系（メタ）アクリレート化合物、グリシジル基含
有化合物にα、β−不飽和カルボン酸を反応させで得ら
れる化合物、分子内にウレタン結合を有する（メタ）ア
クリレート化合物等のウレタンモノマー、ノニルフェノ
キシポリエチレンオキシアクリレート、γ−クロロ−β
−ヒドロキシプロピル−β′−（メタ）アクリロイルオ
キシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシアルキル
−β′−（メタ）アクリロイルオキシアルキル−ｏ−フ
タレート等のフタル酸系化合物、（メタ）アクリル酸ア
ルキルエステル等が挙げられるが、ビスフェノールＡ系
（メタ）アクリレート化合物又は分子内にウレタン結合
を有する（メタ）アクリレート化合物を必須成分とする
ことが好ましい。これらは単独で又は２種類以上を組み
合わせて使用される。As the photopolymerizable compound (B), for example, a compound obtained by reacting an α, β-unsaturated carboxylic acid with a polyhydric alcohol, 2,2-bis (4-((meth))
Acryloxypolyethoxy) phenyl) propane, 2,
2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolybutoxy) phenyl) propane,
Bisphenol A (meth) acrylate compounds such as 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane and glycidyl group-containing compounds are reacted with an α, β-unsaturated carboxylic acid. Compounds obtained, urethane monomers such as (meth) acrylate compounds having a urethane bond in the molecule, nonylphenoxypolyethyleneoxyacrylate, γ-chloro-β
Phthalic acid compounds such as -hydroxypropyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyalkyl-β'-(meth) acryloyloxyalkyl-o-phthalate, alkyl (meth) acrylate However, it is preferable to use a bisphenol A (meth) acrylate compound or a (meth) acrylate compound having a urethane bond in the molecule as an essential component. These are used alone or in combination of two or more.
【００２１】上記多価アルコールにα，β−不飽和カル
ボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、
エチレン基の数が２〜１４であるポリエチレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、プロピレン基の数が２〜１
４であるポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、エチレン基の数が２〜１４であり、プロピレン基
の数が２〜１４であるポリエチレンポリプロピレングリ
コールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパ
ンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパント
リ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロ
パントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロー
ルプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テ
トラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テト
ラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ジペ
ンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペ
ンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙
げられる。Examples of the compound obtained by reacting the polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid include, for example,
Polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups, 2 to 1 propylene groups
4, polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups, polyethylene polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO, PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) ) Acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate and the like.
【００２２】上記２，２−ビス（４−（（メタ）アクリ
ロキシポリエトキシ）フェニル）プロパンとしては、例
えば、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシジエ
トキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（（メタ）アクリロキシトリエトキシ）フェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシテト
ラエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（（メタ）アクリロキシペンタエトキシ）フェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシヘ
キサエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４
−（（メタ）アクリロキシヘプタエトキシ）フェニル）
プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ
オクタエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−（（メタ）アクリロキシノナエトキシ）フェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロ
キシデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−（（メタ）アクリロキシウンデカエトキシ）フェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリ
ロキシドデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−（（メタ）アクリロキシトリデカエトキシ）
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）ア
クリロキシテトラデカエトキシ）フェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシペンタデカ
エトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（（メタ）アクリロキシヘキサデカエトキシ）フェニ
ル）プロパン等が挙げられ、２，２−ビス（４−（メタ
クリロキシペンタエトキシ）フェニル）プロパンは、Ｂ
ＰＥ−５００（新中村化学工業(株)製、製品名）として
商業的に入手可能であり、２，２−ビス（４−（メタク
リロキシペンタデカエトキシ）フェニル）プロパンは、
ＢＰＥ−１３００（新中村化学工業(株)製、製品名）と
して商業的に入手可能である。これらは単独で又は２種
類以上を組み合わせて使用される。Examples of the 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane include, for example, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-
((Meth) acryloxytriethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-
((Meth) acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4
-((Meth) acryloxyheptaethoxy) phenyl)
Propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxynonaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis ( 4-((meth) acryloxydecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryl) Roxide decaethoxy) phenyl) propane, 2,2-
Bis (4-((meth) acryloxytridecaethoxy)
Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetradecaethoxy) phenyl) propane,
2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-
((Meth) acryloxyhexadecaethoxy) phenyl) propane and the like, and 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane is represented by B
It is commercially available as PE-500 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product name), and 2,2-bis (4- (methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is
It is commercially available as BPE-1300 (product name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.). These are used alone or in combination of two or more.
【００２３】上記２，２−ビス（４−（（メタ）アクリ
ロキシポリエトキシポリプロポキシ）フェニル）プロパ
ンとしては、例えば、２，２−ビス（４−（（メタ）ア
クリロキシジエトキシオクタプロポキシ）フェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシテ
トラエトキシテトラプロポキシ）フェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシヘキサエト
キシヘキサプロポキシ）フェニル）プロパン等が挙げら
れる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使
用される。Examples of the 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane include, for example, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxyoctapropoxy) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxytetrapropoxy) phenyl) propane,
2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxyhexapropoxy) phenyl) propane and the like. These are used alone or in combination of two or more.
【００２４】上記分子内にウレタン結合を有する（メ
タ）アクリレート化合物としては、例えば、β位にＯＨ
基を有する（メタ）アクリルモノマーとイソホロンジイ
ソシアネート、２，６−トルエンジイソシアネート、
２，４−トルエンジイソシアネート、１，６−ヘキサメ
チレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物と
の付加反応物、トリス（（メタ）アクリロキシテトラエ
チレングリコールイソシアネート）ヘキサメチレンイソ
シアヌレート、ＥＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレー
ト、ＥＯ，ＰＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレート等
が挙げられる。ＥＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレー
トとしては、例えば、新中村化学工業(株)製、製品名Ｕ
Ａ−１１等が挙げられる。また、ＥＯ，ＰＯ変性ウレタ
ンジ（メタ）アクリレートとしては、例えば、新中村化
学工業(株)製、製品名ＵＡ−１３等が挙げられる。な
お、ＥＯはエチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された
化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有す
る。また、ＰＯはプロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変
性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構
造を有する。The (meth) acrylate compound having a urethane bond in the molecule includes, for example, OH at the β-position.
A (meth) acrylic monomer having a group, isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate,
Addition products with diisocyanate compounds such as 2,4-toluene diisocyanate and 1,6-hexamethylene diisocyanate, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO And PO-modified urethane di (meth) acrylate. Examples of EO-modified urethane di (meth) acrylate include Shin Nakamura Chemical Co., Ltd. product name U
A-11 and the like. Examples of the EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate include UA-13 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., and the like. EO indicates ethylene oxide, and the EO-modified compound has a block structure of an ethylene oxide group. PO represents propylene oxide, and the PO-modified compound has a block structure of a propylene oxide group.
【００２５】前記ノニルフェノキシポリエチレンオキシ
アクリレートとしては、例えば、ノニルフェノキシテト
ラエチレンオキシアクリレート、ノニルフェノキシペン
タエチレンオキシアクリレート、ノニルフェノキシヘキ
サエチレンオキシアクリレート、ノニルフェノキシヘプ
タエチレンオキシアクリレート、ノニルフェノキシオク
タエチレンオキシアクリレート、ノニルフェノキシノナ
エチレンオキシアクリレート、ノニルフェノキシデカエ
チレンオキシアクリレート、ノニルフェノキシウンデカ
エチレンオキシアクリレート等が挙げられる。これらは
単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。Examples of the nonylphenoxypolyethyleneoxyacrylate include nonylphenoxytetraethyleneoxyacrylate, nonylphenoxypentaethyleneoxyacrylate, nonylphenoxyhexaethyleneoxyacrylate, nonylphenoxyheptaethyleneoxyacrylate, nonylphenoxyoctaethyleneoxyacrylate, and nonyl Phenoxy nona ethylene oxy acrylate, nonyl phenoxy deca ethylene oxy acrylate, nonyl phenoxy undeca ethylene oxy acrylate, and the like. These are used alone or in combination of two or more.
【００２６】前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ
3及びＲ4で示されるハロゲン原子としては、例えば、フ
ッ素、塩素、臭素、沃素等が挙げられる。炭素数１〜１
２のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブ
チル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウン
デシル基、ドデシル基等が挙げられる。炭素数１〜１２
のアルコキシル基としては、例えば、前記炭素数１〜１
２のアルキル基で例示したものに対応するものが挙げら
れる。炭素数６〜１４のアリール基としては、フェニル
基、ナフチル基、アントラニル基等が挙げられる。In the general formula (I), R 1 , R 2 , R
Examples of the halogen atom represented by 3 and R 4 include fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like. 1 to 1 carbon atoms
Examples of the alkyl group 2 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isoamyl group,
Examples include hexyl, cyclohexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl and the like. Carbon number 1-12
Examples of the alkoxyl group include, for example, those having 1 to 1 carbon atoms.
And those corresponding to those exemplified for the alkyl group (2). Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthranyl group.
【００２７】前記一般式（Ｉ）において、Ｒ5及びＲ6で
示される炭素数１〜１２のアルキル基及び炭素数１〜１
２のアルコキシル基としては、前記と同様のものが挙げ
られる。前記一般式（Ｉ）において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及
びＲ10で示される炭素数１〜１２のアルキル基及び炭素
数６〜１４のアリール基としては、前記と同様のものが
挙げられる。炭素数７〜１１のアリールアルキル基とし
ては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、ナフチ
ルメチル基等が挙げられる。前記一般式（Ｉ）におい
て、ｎは、０〜５の整数であるが、感度、解像度等の点
から、１〜３であることが好ましく、すべてのｎが１で
あることがより好ましい。ｍは、０〜４の整数である
が、易合成性等の点から、０〜１であることが好まし
い。In the general formula (I), an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 5 and R 6 and 1 to 1 carbon atoms.
Examples of the alkoxyl group 2 include the same as described above. In the general formula (I), examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and the aryl group having 6 to 14 carbon atoms represented by R 7 , R 8 , R 9 and R 10 include the same as described above. . Examples of the arylalkyl group having 7 to 11 carbon atoms include a benzyl group, a phenylethyl group, and a naphthylmethyl group. In the general formula (I), n is an integer of 0 to 5, but is preferably 1 to 3, and more preferably all 1 is 1 from the viewpoint of sensitivity, resolution, and the like. m is an integer of 0 to 4, but is preferably 0 to 1 from the viewpoint of easy synthesis and the like.
【００２８】前記一般式（Ｉ）で表されるビススルホニ
ウムボレート化合物は、カチオンとアニオンとから構成
される。上記カチオンとしては、例えば、ビス（４−
（ジフェニルスルホニオ）−フェニル）スルフィド、ビ
ス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエチル）フェニル
スルホニオ）−フェニル）スルフィド、ビス（４−（ジ
（４−フルオロフェニル）スルホニオ）−フェニル）ス
ルフィド、ビス（４−（ジ（４−クロロフェニル）スル
ホニオ）−フェニル）スルフィド、ビス（４−（ジ（４
−ブロモフェニル）スルホニオ）フェニルスルホニオ）
−フェニル）スルフィド、ビス（４−（ジ（４−アルキ
ルフェニル）スルホニオ）フェニルスルホニオ）−フェ
ニル）スルフィド等が挙げられる。The bissulfonium borate compound represented by the general formula (I) comprises a cation and an anion. Examples of the cation include bis (4-
(Diphenylsulfonio) -phenyl) sulfide, bis (4- (di (4- (2-hydroxyethyl) phenylsulfonio) -phenyl) sulfide, bis (4- (di (4-fluorophenyl) sulfonio) -phenyl ) Sulfide, bis (4- (di (4-chlorophenyl) sulfonio) -phenyl) sulfide, bis (4- (di (4
-Bromophenyl) sulfonio) phenylsulfonio)
-Phenyl) sulfide, bis (4- (di (4-alkylphenyl) sulfonio) phenylsulfonio) -phenyl) sulfide and the like.
【００２９】上記アニオンとしては、ブチルトリフェニ
ルボレート、ヘキシルトリフェニルボレート、テトラフ
ェニルボレート、トリフェニルベンジルボレート、トリ
ス（２−フルオロフェニル）ブチルボレート、トリス
（３−フルオロフェニル）ブチルボレート、トリス（４
−フルオロフェニル）ブチルボレート、トリス（２，６
−ジフルオロフェニル）ブチルボレート、トリス（２，
４−ジフルオロフェニル）ブチルボレート、トリエチル
アンモニウムトリス（２，４，６−トリフルオロフェニ
ル）ボレート、トリス（２，４，５−トリフルオロフェ
ニル）ヘキシルボレート、トリス（２，３，４−トリフ
ルオロフェニル）ヘキシルボレート、トリス（３，４，
５−トリフルオロフェニル）ヘキシルボレート、トリス
（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）ヘキ
シルボレート等が挙げられる。Examples of the anion include butyl triphenyl borate, hexyl triphenyl borate, tetraphenyl borate, triphenyl benzyl borate, tris (2-fluorophenyl) butyl borate, tris (3-fluorophenyl) butyl borate, and tris (4
-Fluorophenyl) butyl borate, tris (2,6
-Difluorophenyl) butyl borate, tris (2,
4-difluorophenyl) butyl borate, triethylammonium tris (2,4,6-trifluorophenyl) borate, tris (2,4,5-trifluorophenyl) hexyl borate, tris (2,3,4-trifluorophenyl) ) Hexyl borate, Tris (3, 4,
5-trifluorophenyl) hexyl borate, tris (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl) hexyl borate, and the like.
【００３０】前記一般式（Ｉ）で表されるビススルホニ
ウムボレート化合物としては、例えば、下記式（III）The bissulfonium borate compound represented by the general formula (I) includes, for example, the following formula (III)
【化４】 で表されるビス［４−（ジフェニルスルフィノ）−フェ
ニル］スルフィドビス（ベンジルトリフェニルボレー
ト）、下記式（IV）Embedded image Bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfide bis (benzyltriphenylborate) represented by the following formula (IV)
【化５】 で表されるビス［４−（ジフェニルスルフィノ）−フェ
ニル］スルフィドビス（テトラフェニルボレート）、ビ
ス［４−（ジフェニルスルフィノ）−フェニル］スルフ
ィドビス（メチルトリフェニルボレート）、ビス［４−
（ジフェニルスルフィノ）−フェニル］スルフィドビス
（エチルトリフェニルボレート）、ビス［４−（ジフェ
ニルスルフィノ）−フェニル］スルフィドビス（プロピ
ルトリフェニルボレート）、ビス［４−（ジフェニルス
ルフィノ）−フェニル］スルフィドビス（ブチルトリフ
ェニルボレート）、ビス［４−（ジフェニルスルフィ
ノ）−フェニル］スルフィドビス（ヘキシルトリフェニ
ルボレート）、ビス［４−（ジフェニルスルフィノ）−
フェニル］スルフィドビス（ペンチルトリフェニルボレ
ート）、ビス［４−（ジ（４−フルオロフェニル）スル
フィノ−フェニル］スルフィド、ビス［４−（ジ（４−
フルオロフェニル）スルフィノ−フェニル］スルフィド
ビス（メチルトリフェニルボレート）、ビス［４−（ジ
（４−フルオロフェニル）スルフィノ−フェニル］スル
フィドビス（エチルトリフェニルボレート）、ビス［４
−（ジ（４−フルオロフェニル）スルフィノ−フェニ
ル］スルフィドビス（プロピルトリフェニルボレー
ト）、ビス［４−（ジフェニルスルフィノ）−フェニ
ル］スルフィドビス（ブチルトリフェニルボレート）、
ビス［４−（ジ（４−フルオロフェニル）スルフィノ−
フェニル］スルフィドビス（ヘキシルトリフェニルボレ
ート）、ビス［４−（ジ（４−フルオロフェニル）スル
フィノ−フェニル］スルフィドビス（ペンチルトリフェ
ニルボレート）、ビス［４−（ジ（４−フルオロフェニ
ル）スルフィノ−フェニル］スルフィドビス（ベンジル
トリフェニルボレート）、ビス［４−（ジ（４−フルオ
ロフェニル）スルフィノ−フェニル］スルフィドビス
（テトラフェニルボレート）等が挙げられ、感度、解像
度等の見地からビス［４−（ジフェニルスルフィノ）−
フェニル］スルフィドビス（ベンジルトリフェニルボレ
ート）、ビス［４−（ジフェニルスルフィノ）−フェニ
ル］スルフィドビス（テトラフェニルボレート）である
ことが好ましい。これらは単独で又は２種類以上を組み
合わせて使用される。Embedded image Bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfide bis (tetraphenylborate), bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfidebis (methyltriphenylborate), bis [4-
(Diphenylsulfino) -phenyl] sulfidebis (ethyltriphenylborate), bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfidebis (propyltriphenylborate), bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] Sulfidobis (butyltriphenylborate), bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfidebis (hexyltriphenylborate), bis [4- (diphenylsulfino)-
Phenyl] sulfide bis (pentyltriphenylborate), bis [4- (di (4-fluorophenyl) sulfino-phenyl] sulfide, bis [4- (di (4-
Fluorophenyl) sulfino-phenyl] sulfide bis (methyltriphenylborate), bis [4- (di (4-fluorophenyl) sulfino-phenyl] sulfidebis (ethyltriphenylborate), bis [4
-(Di (4-fluorophenyl) sulfino-phenyl] sulfidebis (propyltriphenylborate), bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfidebis (butyltriphenylborate),
Bis [4- (di (4-fluorophenyl) sulfino-
Phenyl] sulfide bis (hexyltriphenylborate), bis [4- (di (4-fluorophenyl) sulfino-phenyl] sulfidebis (pentyltriphenylborate), bis [4- (di (4-fluorophenyl) sulfino-) Phenyl] sulfide bis (benzyltriphenylborate), bis [4- (di (4-fluorophenyl) sulfino-phenyl] sulfidebis (tetraphenylborate), and the like. (Diphenylsulfino)-
Phenyl] sulfide bis (benzyltriphenylborate) and bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfidebis (tetraphenylborate) are preferred. These are used alone or in combination of two or more.
【００３１】このような前記一般式（Ｉ）で示されるビ
ススルホニウムボレート化合物は、例えば、下記一般式
（Ｖ）で表されるジフェニルスルホキシドと下記一般式
（VI）で表されるジフェニルスルフィドを酸存在下に反
応させ、次いで下記一般式（VII）で表されるボレート
のアルカリ金属塩を反応させることにより製造すること
ができる。The bissulfonium borate compound represented by the above general formula (I) can be obtained, for example, by converting diphenyl sulfoxide represented by the following general formula (V) and diphenyl sulfide represented by the following general formula (VI) into an acid It can be produced by reacting in the presence and then reacting with an alkali metal salt of borate represented by the following general formula (VII).
【００３２】[0032]
【化６】 （一般式（Ｖ）、一般式（VI）及び一般式（VII）中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、ｎ及びｍ
は、一般式（Ｉ）と同意義であり、Ｍはアルカリ金属を
示す）Embedded image (In the general formulas (V), (VI) and (VII),
R 1 , R 2 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , n and m
Is the same as in general formula (I), and M represents an alkali metal.
【００３３】上記酸は、反応系を酸性に保てるものであ
れば、特に制限はないが、例えば、メチルスルホン酸等
が挙げられる。また、上記酸存在下の反応は脱水反応で
あるので五酸化リン等の触媒を使用することが好まし
い。この反応は１０〜１２０℃で１０分間〜１０時間程
度行われる。The acid is not particularly limited as long as the reaction system can be kept acidic, and examples thereof include methylsulfonic acid. Since the reaction in the presence of the acid is a dehydration reaction, it is preferable to use a catalyst such as phosphorus pentoxide. This reaction is carried out at 10 to 120 ° C. for about 10 minutes to 10 hours.
【００３４】前記一般式（VII）で表されるボレートの
アルカリ金属塩を反応させることにより、アニオン交換
が起こり目的の前記一般式（Ｉ）で表されるビススルホ
ニウムボレート化合物が生成する。一般式（VII）で表
されるボレートのアルカリ金属塩は水溶液として反応系
に投入できる。この反応は１０〜１２０℃で１０分間〜
１０時間程度行われる。前記一般式（VII）において、
Ｍで示されるアルカリ金属としては、例えば、ナトリウ
ム、カリウム、リチウム等が挙げられる。一般式（VI
I）で表されるボレートのアルカリ金属塩としては、例
えば、トリフェニルベンジルボレートのナトリウム塩、
テトラフェニルボレートのナトリウム塩等が挙げられ
る。By reacting the alkali metal salt of a borate represented by the general formula (VII), anion exchange occurs to produce a desired bissulfonium borate compound represented by the general formula (I). The alkali metal salt of borate represented by the general formula (VII) can be introduced into the reaction system as an aqueous solution. This reaction is performed at 10 to 120 ° C. for 10 minutes.
It is performed for about 10 hours. In the general formula (VII),
Examples of the alkali metal represented by M include sodium, potassium, lithium and the like. General formula (VI
Examples of the alkali metal salt of borate represented by I) include, for example, sodium salt of triphenylbenzyl borate,
And sodium salts of tetraphenylborate.
【００３５】反応に供する各化合物の使用割合は、通
常、前記一般式（Ｖ）で表されるジフェニルスルホキシ
ド１モルに対して、前記一般式（VI）で表されるジフェ
ニルスルフィド０．４〜０．５モル、前記一般式（VI
I）で表されるボレートのアルカリ金属塩０．８〜１．
２モル、メチルスルホン酸等の酸５〜１５モル、五酸化
リン等の触媒０．５〜１モル程度である。The ratio of each compound used in the reaction is usually from 0.4 to 0 of diphenyl sulfide represented by the general formula (VI) per 1 mol of the diphenyl sulphoxide represented by the general formula (V). .5 moles of the general formula (VI
The alkali metal salt of borate represented by I) 0.8-1.
2 mol, about 5 to 15 mol of acid such as methylsulfonic acid, and about 0.5 to 1 mol of catalyst such as phosphorus pentoxide.
【００３６】前記（Ｃ２）２，４，５−トリアリールイ
ミダゾール二量体としては、例えば、２，２′−ビス
（２−クロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラ
フェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，４
−ジクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフ
ェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３−
ジクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェ
ニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，５−ジ
クロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニ
ルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，６−ジク
ロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル
イミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３，４−ト
リクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェ
ニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３，５
−トリクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラ
フェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，
３，６−トリクロロフェニル）−４，４′，５，５′−
テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，４，５−トリクロロフェニル）−４，４′，５，
５′−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−
ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４′，
５，５′−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，
２′−ビス（２，３，４，６−テトラクロロフェニル）
−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾール二
量体、２，２′−ビス（２，３，４、５−テトラクロロ
フェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミ
ダゾール二量体、２，２′−ビス（２，４，５，６−テ
トラクロロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフ
ェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３，
４，５，６−ペンタクロロフェニル）−４，４′，５，
５′−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−
ビス（２−フルオロフェニル）−４，４′，５，５′−
テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，４−ジフルオロフェニル）−４，４′，５，５′
−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，３−ジフルオロフェニル）−４，４′，５，５′
−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，５−ジフルオロフェニル）−４，４′，５，５′
−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，６−ジフルオロフェニル）−４，４′，５，５′
−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，３，４−トリフルオロフェニル）−４，４′，
５，５′−テトラフェニルイミダゾール二量体、２，
２′−ビス（２，３，５−トリフルオロフェニル）−
４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾール二量
体、２，２′−ビス（２，３，６−トリフルオロフェニ
ル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾー
ル二量体、２，２′−ビス（２，４，５−トリフルオロ
フェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミ
ダゾール二量体、２，２′−ビス（２，４，６−トリフ
ルオロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニ
ルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３，４，
６−テトラフルオロフェニル）−４，４′，５，５′−
テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）−４，
４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾール二量体、
２，２′−ビス（２，４，５，６−テトラフルオロフェ
ニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾ
ール二量体、２，２′−ビス（２，３，４，５，６−ペ
ンタフルオロフェニル）−４，４′，５，５′−テトラ
フェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２−ブ
ロモフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル
イミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，４−ジブロ
モフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイ
ミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３−ジブロモ
フェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミ
ダゾール二量体、２，２′−ビス（２，５−ジブロモフ
ェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダ
ゾール二量体、２，２′−ビス（２，６−ジブロモフェ
ニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾ
ール二量体、２，２′−ビス（２，３，４−トリブロモ
フェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミ
ダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３，５−トリブ
ロモフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル
イミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３，６−ト
リブロモフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェ
ニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，４，５
−トリブロモフェニル）−４，４′，５，５′−テトラ
フェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，
４，６−トリブロモフェニル）−４，４′，５，５′−
テトラフェニルイミダゾール二量体、２，２′−ビス
（２，３，４，６−テトラブロモフェニル）−４，
４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾール二量体、
２，２′−ビス（２，３，４，５−テトラブロモフェニ
ル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾー
ル二量体、２，２′−ビス（２，４，５，６−テトラブ
ロモフェニル）−４，４′，５，５′−テトラフェニル
イミダゾール二量体、２，２′−ビス（２，３，４，
５，６−ペンタブロモフェニル）−４，４′，５，５′
−テトラフェニルイミダゾール二量体等が挙げられる。
これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用され
る。The (C2) 2,4,5-triarylimidazole dimer includes, for example, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer Monomer, 2,2′-bis (2,4
-Dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3-
Dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,5-dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer 2,2'-bis (2,6-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4-trichlorophenyl) -4 , 4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,5
-Trichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,
3,6-trichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-
Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,4,5-trichlorophenyl) -4,4 ', 5
5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-
Bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4 ',
5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,
2'-bis (2,3,4,6-tetrachlorophenyl)
-4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4,5-tetrachlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylimidazole Dimer, 2,2'-bis (2,4,5,6-tetrachlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3 ,
4,5,6-pentachlorophenyl) -4,4 ', 5
5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-
Bis (2-fluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-
Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,4-difluorophenyl) -4,4 ', 5,5'
-Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3-difluorophenyl) -4,4 ', 5,5'
-Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,5-difluorophenyl) -4,4 ', 5,5'
-Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,6-difluorophenyl) -4,4 ', 5,5'
-Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4-trifluorophenyl) -4,4 ',
5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,
2'-bis (2,3,5-trifluorophenyl)-
4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,6-trifluorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer 2,2'-bis (2,4,5-trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,4,6- (Trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4
6-tetrafluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-
Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4,5-tetrafluorophenyl) -4,
4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer,
2,2'-bis (2,4,5,6-tetrafluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4, 5,6-pentafluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2-bromophenyl) -4,4', 5,5'-tetra Phenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,4-dibromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3-dibromo Phenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,5-dibromophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer 2,2'-bis (2,6-dibromophenyl) -4,4 '5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4-tribromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2 '-Bis (2,3,5-tribromophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,6-tribromophenyl)- 4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,4,5
-Tribromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,
4,6-tribromophenyl) -4,4 ', 5,5'-
Tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4,6-tetrabromophenyl) -4,
4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer,
2,2'-bis (2,3,4,5-tetrabromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,4,5, 6-tetrabromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer, 2,2'-bis (2,3,4
5,6-pentabromophenyl) -4,4 ', 5,5'
-Tetraphenylimidazole dimer and the like.
These are used alone or in combination of two or more.
【００３７】前記（Ｃ３）クマリン系化合物又は芳香族
ケトンとしては、例えば、７−アミノ−４−メチルクマ
リン、７−ジメチルアミノ−４−メチルクマリン、７−
ジエチルアミノ−４−メチルクマリン、７−メチルアミ
ノ−４−メチルクマリン、７−エチルアミノ−４−メチ
ルクマリン、７−ジメチルアミノシクロペンタ［ｃ］ク
マリン、７−アミノシクロペンタ［ｃ］クマリン、７−
ジエチルアミノシクロペンタ［ｃ］クマリン、４，６−
ジメチル−７−エチルアミノクマリン、４，６−ジエチ
ル−７−エチルアミノクマリン、４，６−ジメチル−７
−ジエチルアミノクマリン、４，６−ジメチル−７−ジ
メチルアミノクマリン、４，６−ジエチル−７−ジエチ
ルアミノクマリン、４，６−ジエチル−７−ジメチルア
ミノクマリン、４，６−ジメチル−７−エチルアミノク
マリン、Ｎ，Ｎ−テトラエチル−４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−テトラメチル−４，４′−ジア
ミノベンゾフェノンなどが挙げられる。これらは単独で
又は２種類以上を組み合わせて使用される。Examples of the (C3) coumarin-based compound or aromatic ketone include 7-amino-4-methylcoumarin, 7-dimethylamino-4-methylcoumarin, and 7-amino-4-methylcoumarin.
Diethylamino-4-methylcoumarin, 7-methylamino-4-methylcoumarin, 7-ethylamino-4-methylcoumarin, 7-dimethylaminocyclopenta [c] coumarin, 7-aminocyclopenta [c] coumarin, 7-
Diethylaminocyclopenta [c] coumarin, 4,6-
Dimethyl-7-ethylaminocoumarin, 4,6-diethyl-7-ethylaminocoumarin, 4,6-dimethyl-7
-Diethylaminocoumarin, 4,6-dimethyl-7-dimethylaminocoumarin, 4,6-diethyl-7-diethylaminocoumarin, 4,6-diethyl-7-dimethylaminocoumarin, 4,6-dimethyl-7-ethylaminocoumarin , N, N-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone and N, N-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone. These are used alone or in combination of two or more.
【００３８】また、本発明の感光性樹脂組成物は、（Ｃ
１）成分、（Ｃ２）成分及び（Ｃ３）成分以外の光重合
開始剤、増感剤等を含有させることができる。Further, the photosensitive resin composition of the present invention comprises (C)
Photopolymerization initiators and sensitizers other than the component (1), the component (C2) and the component (C3) can be contained.
【００３９】前記（Ａ）成分の配合量は、（Ａ）成分及
び（Ｂ）成分の総量１００重量部に対して、４０〜８０
重量部であることが好ましく、４０〜７０重量部である
ことがより好ましい。この配合量が４０重量部未満では
光硬化物が脆くなり易く、感光性エレメントとして用い
た場合、塗膜性に劣る傾向があり、８０重量部を超える
と感度が不充分となる傾向がある。The amount of the component (A) is from 40 to 80 based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B).
Preferably, the amount is from 40 to 70 parts by weight. When the amount is less than 40 parts by weight, the photocured product tends to become brittle, and when used as a photosensitive element, the coating properties tend to be poor. When the amount exceeds 80 parts by weight, the sensitivity tends to be insufficient.
【００４０】前記（Ｂ）成分の配合量は（Ａ）成分及び
（Ｂ）成分の総量１００重量部に対して、２０〜６０重
量部であることが好ましく、３０〜６０重量部であるこ
とがより好ましい。この配合量が２０重量部未満では感
度が不充分となる傾向があり、６０重量部を超えると光
硬化物が脆くなる傾向がある。The amount of the component (B) is preferably 20 to 60 parts by weight, more preferably 30 to 60 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B). More preferred. If the amount is less than 20 parts by weight, the sensitivity tends to be insufficient, and if it exceeds 60 parts by weight, the photocured product tends to become brittle.
【００４１】前記（Ｃ）成分の配合量は（Ａ）成分及び
（Ｂ）成分の総量１００重量部に対して、０．０５〜２
０重量部であることが好ましく、０．１〜１０重量部で
あることがより好ましい。The amount of the component (C) is 0.05 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B).
It is preferably 0 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight.
【００４２】前記（Ｃ１）ビススルホニウムボレート化
合物の配合量は（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１００
重量部に対して、０．０５〜２重量部であることが好ま
しく、０．１〜１．０重量部であることがより好まし
い。この配合量が０．０５重量部未満では本発明の効果
が得られない傾向があり、２重量部を超えると解像度が
悪化し、さらに現像時間が長くなる傾向がある。The compounding amount of the bissulfonium borate compound (C1) is 100% of the total of the components (A) and (B).
It is preferably 0.05 to 2 parts by weight, more preferably 0.1 to 1.0 part by weight, based on part by weight. If the amount is less than 0.05 part by weight, the effect of the present invention tends not to be obtained, and if it exceeds 2 parts by weight, the resolution tends to be deteriorated and the development time tends to be longer.
【００４３】前記（Ｃ２）２，４，５−トリアリールイ
ミダゾール二量体の配合量は（Ａ）成分及び（Ｂ）成分
の総量１００重量部に対して、０．１〜１０．０重量部
であることが好ましく、０．５〜６．０重量部であるこ
とがより好ましい。The compounding amount of the (C2) 2,4,5-triarylimidazole dimer is 0.1 to 10.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B). And more preferably 0.5 to 6.0 parts by weight.
【００４４】前記（Ｃ３）クマリン系化合物又は芳香族
ケトンの配合量は（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１０
０重量部に対して、０．０５〜１重量部であることが好
ましく、０．１〜０．５重量部であることがより好まし
い。この配合量が０．０５重量部未満では感度が不充分
となる傾向があり、１重量部を超えると解像度が悪化す
る傾向がある。The compounding amount of the (C3) coumarin-based compound or aromatic ketone is 10% in total of the components (A) and (B).
It is preferably 0.05 to 1 part by weight, more preferably 0.1 to 0.5 part by weight, based on 0 part by weight. If the amount is less than 0.05 part by weight, the sensitivity tends to be insufficient, and if it exceeds 1 part by weight, the resolution tends to deteriorate.
【００４５】前記感光性樹脂組成物には、必要に応じ
て、分子内に少なくとも１つのカチオン重合可能な環状
エーテル基を有する光重合性化合物、カチオン重合開始
剤、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフェニル
スルホン、ロイコクリスタルバイオレット等の光発色
剤、熱発色防止剤、ｐ−トルエンスルホンアミド等の可
塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性
付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香
料、イメージング剤、熱架橋剤などを（Ａ）成分及び
（Ｂ）成分の総量１００重量部に対して各々０．０１〜
２０重量部程度含有することができる。これらは単独で
又は２種類以上を組み合わせて使用される。The photosensitive resin composition may contain, if necessary, a photopolymerizable compound having at least one cationically polymerizable cyclic ether group in the molecule, a cationic polymerization initiator, a dye such as malachite green, Photo-coloring agents such as phenyl sulfone and leuco crystal violet, thermal coloring inhibitors, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers, defoamers, flame retardants, stabilizers, adhesion-imparting agents, leveling agents, Separation accelerators, antioxidants, fragrances, imaging agents, thermal crosslinking agents, etc. are added in amounts of 0.01 to 0.01 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of components (A) and (B).
About 20 parts by weight can be contained. These are used alone or in combination of two or more.
【００４６】前記感光性樹脂組成物は、必要に応じて、
メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコール
モノメチルエーテル等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶
解して固形分３０〜６０重量％程度の溶液として塗布す
ることができる。The photosensitive resin composition may be used, if necessary,
Methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene,
It can be dissolved in a solvent such as N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether or a mixed solvent thereof and applied as a solution having a solid content of about 30 to 60% by weight.
【００４７】前記感光性樹脂組成物は、特に制限はない
が、銅、銅系合金、鉄、鉄系合金等の金属面上に、液状
レジストとして塗布して乾燥後、必要に応じて保護フィ
ルムを被覆して用いるか、感光性エレメントの形態で用
いられることが好ましい。The photosensitive resin composition is not particularly limited, but is applied as a liquid resist on a metal surface such as copper, copper-based alloy, iron, and iron-based alloy, dried, and, if necessary, a protective film. Is preferably used in the form of a photosensitive element.
【００４８】また、感光性樹脂組成物層の厚みは、用途
により異なるが、乾燥後の厚みで１〜１００μｍ程度で
あることが好ましい。液状レジストに保護フィルムを被
覆して用いる場合は、保護フィルムとして、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等の重合体フィルムなどが挙げられ
る。The thickness of the photosensitive resin composition layer varies depending on the application, but is preferably about 1 to 100 μm in terms of thickness after drying. When using a liquid resist covered with a protective film, examples of the protective film include polymer films such as polyethylene and polypropylene.
【００４９】上記感光性エレメントは、例えば、支持体
として、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレ
ン、ポリエチレン、ポリエステル等の重合体フィルム上
に感光性樹脂組成物を塗布、乾燥することにより得るこ
とができる。上記塗布は、例えば、ロールコータ、コン
マコータ、グラビアコータ、エアーナイフコータ、ダイ
コータ、バーコータ等の公知の方法で行うことができ
る。また、乾燥は、７０〜１５０℃、５〜３０分間程度
で行うことができる。また、感光性樹脂組成物層中の残
存有機溶剤量は、後の工程での有機溶剤の拡散を防止す
る点から、２重量％以下とすることが好ましい。The above-mentioned photosensitive element can be obtained, for example, by applying a photosensitive resin composition on a polymer film such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene or polyester as a support and drying it. The coating can be performed by a known method such as a roll coater, a comma coater, a gravure coater, an air knife coater, a die coater, and a bar coater. Drying can be performed at 70 to 150 ° C. for about 5 to 30 minutes. Further, the amount of the residual organic solvent in the photosensitive resin composition layer is preferably 2% by weight or less from the viewpoint of preventing the diffusion of the organic solvent in a later step.
【００５０】これらの重合体フィルムの厚みは、１〜１
００μｍとすることが好ましい。これらの重合体フィル
ムの一つは感光性樹脂組成物層の支持体として、他の一
つは感光性樹脂組成物の保護フィルムとして感光性樹脂
組成物層の両面に積層してもよい。保護フィルムとして
は、感光性樹脂組成物層及び支持体の接着力よりも、感
光性樹脂組成物層及び保護フィルムの接着力の方が小さ
いものが好ましく、また、低フィッシュアイのフィルム
が好ましい。The thickness of these polymer films is 1 to 1
It is preferably set to 00 μm. One of these polymer films may be laminated on both sides of the photosensitive resin composition layer as a support for the photosensitive resin composition layer, and the other as a protective film of the photosensitive resin composition layer. As the protective film, one having a smaller adhesive force between the photosensitive resin composition layer and the protective film than the adhesive force between the photosensitive resin composition layer and the support is preferable, and a low fisheye film is preferable.
【００５１】また、前記感光性エレメントは、感光性樹
脂組成物層、支持体及び保護フィルムの他に、クッショ
ン層、接着層、光吸収層、ガスバリア層等の中間層や保
護層を有していてもよい。The photosensitive element has an intermediate layer and a protective layer such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorbing layer and a gas barrier layer in addition to the photosensitive resin composition layer, the support and the protective film. You may.
【００５２】前記感光性エレメントは、例えば、そのま
ま又は感光性樹脂組成物層の他の面に保護フィルムをさ
らに積層して円筒状の巻芯に巻きとって貯蔵される。な
お、この際支持体が１番外側になるように巻き取られる
ことが好ましい。上記ロール状の感光性エレメントロー
ルの端面には、端面保護の見地から端面セパレータを設
置することが好ましく、耐エッジフュージョンの見地か
ら防湿端面セパレータを設置することが好ましい。ま
た、梱包方法として、透湿性の小さいブラックシートに
包んで包装することが好ましい。上記巻芯としては、例
えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリス
チレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂（アクリ
ロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）等のプラ
スチックなどが挙げられる。The photosensitive element is stored, for example, as it is or after being further laminated with a protective film on the other surface of the photosensitive resin composition layer and wound around a cylindrical core. At this time, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. An end face separator is preferably provided on the end face of the roll-shaped photosensitive element roll from the viewpoint of end face protection, and a moisture-proof end face separator is preferably provided from the viewpoint of edge fusion resistance. In addition, as a packing method, it is preferable to wrap in a black sheet having low moisture permeability. Examples of the core include plastics such as polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, and ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer).
【００５３】上記感光性エレメントを用いてレジストパ
ターンを製造するに際しては、前記の保護フィルムが存
在している場合には、保護フィルムを除去後、感光性樹
脂組成物層を７０〜１３０℃程度に加熱しながら回路形
成用基板に０．１〜１MPa程度（１〜１０kgf/cm2程度）
の圧力で圧着することにより積層する方法などが挙げら
れ、減圧下で積層することも可能である。積層される表
面は、通常金属面であるが、特に制限はない。In producing a resist pattern using the above photosensitive element, if the above protective film is present, after removing the protective film, the photosensitive resin composition layer is heated to about 70 to 130 ° C. About 0.1 to 1 MPa (about 1 to 10 kgf / cm 2 ) on the circuit forming substrate while heating
For example, a method of laminating by pressing under pressure, and lamination under reduced pressure is also possible. The surface to be laminated is usually a metal surface, but is not particularly limited.
【００５４】このようにして積層が完了した感光性樹脂
組成物層は、ネガ又はポジマスクパターンを通して活性
光線が画像状に照射される。上記活性光線の光源として
は、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気
アーク灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線、可
視光などを有効に放射するものが用いられる。The photosensitive resin composition layer thus laminated is irradiated imagewise with actinic rays through a negative or positive mask pattern. As the light source of the actinic ray, a known light source, for example, a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, a high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, or the like that effectively emits ultraviolet light, visible light, or the like is used.
【００５５】次いで、露光後、感光性樹脂組成物層上に
支持体が存在している場合には、支持体を除去した後、
アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤等の現像液に
よるウエット現像、ドライ現像等で未露光部を除去して
現像し、レジストパターンを製造することができる。上
記アルカリ性水溶液としては、例えば、０．１〜５重量
％炭酸ナトリウムの希薄溶液、０．１〜５重量％炭酸カ
リウムの希薄溶液、０．１〜５重量％水酸化ナトリウム
の希薄溶液等が挙げられる。上記アルカリ性水溶液のpH
は９〜１１の範囲とすることが好ましく、その温度は、
感光性樹脂組成物層の現像性に合わせて調節される。ま
た、アルカリ性水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、有
機溶剤等を混入させてもよい。上記現像の方式として
は、例えば、ディップ方式、スプレー方式、ブラッシン
グ、スラッピング等が挙げられる。Next, after the exposure, if a support is present on the photosensitive resin composition layer, the support is removed.
A resist pattern can be manufactured by removing unexposed portions and developing by wet development using a developer such as an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, or an organic solvent, or dry development. Examples of the alkaline aqueous solution include a dilute solution of 0.1 to 5% by weight of sodium carbonate, a dilute solution of 0.1 to 5% by weight of potassium carbonate, and a dilute solution of 0.1 to 5% by weight of sodium hydroxide. Can be PH of the above alkaline aqueous solution
Is preferably in the range of 9 to 11, and the temperature is
It is adjusted according to the developability of the photosensitive resin composition layer. Further, a surfactant, an antifoaming agent, an organic solvent and the like may be mixed in the alkaline aqueous solution. Examples of the developing method include a dip method, a spray method, brushing, slapping, and the like.
【００５６】現像後の処理として、必要に応じて６０〜
２５０℃程度の加熱又は０．２〜１０J/cm2程度の露光
を行うことによりレジストパターンをさらに硬化して用
いてもよい。After the development, if necessary,
The resist pattern may be further cured by heating at about 250 ° C. or exposing at about 0.2 to 10 J / cm 2 .
【００５７】現像後に行われる金属面のエッチングに
は、例えば、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカ
リエッチング溶液等を用いることができる。For the etching of the metal surface performed after the development, for example, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, an alkali etching solution or the like can be used.
【００５８】本発明の感光性エレメントを用いてプリン
ト配線板を製造する場合、現像されたレジストパターン
をマスクとして、回路形成用基板の表面を、エッチン
グ、めっき等の公知方法で処理する。上記めっき法とし
ては、例えば、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっ
き、金めっきなどがある。次いで、レジストパターン
は、例えば、現像に用いたアルカリ性水溶液よりさらに
強アルカリ性の水溶液で剥離することができる。上記強
アルカリ性の水溶液としては、例えば、１〜１０重量％
水酸化ナトリウム水溶液、１〜１０重量％水酸化カリウ
ム水溶液等が用いられる。上記剥離方式としては、例え
ば、浸漬方式、スプレイ方式等が挙げられる。また、レ
ジストパターンが形成されたプリント配線板は、多層プ
リント配線板でもよく、小径スルーホールを有していて
もよい。When a printed wiring board is manufactured using the photosensitive element of the present invention, the surface of the circuit forming substrate is treated by a known method such as etching or plating using the developed resist pattern as a mask. Examples of the plating method include copper plating, solder plating, nickel plating, and gold plating. Next, the resist pattern can be stripped with, for example, a more alkaline aqueous solution than the alkaline aqueous solution used for development. As the strong alkaline aqueous solution, for example, 1 to 10% by weight
An aqueous sodium hydroxide solution, a 1 to 10% by weight aqueous potassium hydroxide solution, or the like is used. Examples of the peeling method include a dipping method and a spray method. Further, the printed wiring board on which the resist pattern is formed may be a multilayer printed wiring board or may have a small diameter through hole.
【００５９】[0059]
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。The present invention will be described below with reference to examples.
【００６０】合成例１ 〔トリフェニルベンジルボレート・ナトリウム塩の合
成〕トリフルオロボロン−ジエチルエーテル錯体（４．
０２ｇ、０．０２８２モル）のジエチルエーテル（１０
ml）溶液を氷浴で冷却しつつ、フェニルリチウムの０．
８６Ｎシクロヘキサン−ジエチルエーテル溶液（１００
ml、０．０８６モル）を滴下した。滴下終了後、室温下
で２時間、さらに４０℃で２時間かくはんした。Synthesis Example 1 [Synthesis of sodium salt of triphenylbenzyl borate] A trifluoroboron-diethyl ether complex (4.
02 g, 0.0282 mol) of diethyl ether (10
ml) while cooling the solution in an ice bath.
86N cyclohexane-diethyl ether solution (100
ml, 0.086 mol) was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and further at 40 ° C. for 2 hours.
【００６１】次いで、減圧下溶媒を留去し、テトラヒド
ロフラン（１０ml）を加えることにより溶媒を変換後、
ベンジルマグネシウムクロリドの１．２５Ｎジエチルエ
ーテル溶液（３０ml、０．０３７５モル）を氷温下で滴
下した。滴下終了後、室温下で２時間かくはんし、水酸
化ナトリウムの１３％水溶液（２３０ml）を加えた。次
いで、反応溶液に飽和食塩水（３００ml）を加え、有機
層を分離し、水層をテトラヒドロフラン（５０ml）で抽
出した。有機層を合わせて、減圧下乾燥した後、飽和食
塩水（１３０ml）を加え、酢酸エチル（３０ml×５回）
で抽出した。有機層を減圧下濃縮することにより、白色
固体の目的物を８．２８ｇ（収率７５．０％）で得た。Next, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the solvent was converted by adding tetrahydrofuran (10 ml).
A 1.25 N solution of benzylmagnesium chloride in diethyl ether (30 ml, 0.0375 mol) was added dropwise at ice temperature. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours, and a 13% aqueous solution of sodium hydroxide (230 ml) was added. Next, saturated saline (300 ml) was added to the reaction solution, the organic layer was separated, and the aqueous layer was extracted with tetrahydrofuran (50 ml). After the organic layers were combined and dried under reduced pressure, saturated saline (130 ml) was added, and ethyl acetate (30 ml × 5 times) was added.
Extracted. The organic layer was concentrated under reduced pressure to obtain 8.28 g (yield: 75.0%) of the target substance as a white solid.
【００６２】合成例２ 〔ビススルホニムボレート１の合成〕メタンスルホン酸
３１．７１ｇ（０．３３モル）、五酸化リン３．４１ｇ
（０．０２４モル）を仕込み、７０℃に加熱し、３時間
撹拌して得られた均一溶液を室温まで冷却した。この溶
液中に４，４′−ジフルオロジフェニルスルホキシド
７．８６ｇ（０．０３３モル）、ジフェニルスルフィド
３．０７ｇ（０．０１６５モル）を仕込み、室温で５時
間撹拌した。Synthesis Example 2 [Synthesis of bissulfonymborate 1] 31.71 g (0.33 mol) of methanesulfonic acid, 3.41 g of phosphorus pentoxide
(0.024 mol), heated to 70 ° C., stirred for 3 hours, and cooled to room temperature. 7.86 g (0.033 mol) of 4,4'-difluorodiphenyl sulfoxide and 3.07 g (0.0165 mol) of diphenyl sulfide were charged into this solution and stirred at room temperature for 5 hours.
【００６３】この反応混合物を撹拌しながら３％テトラ
フェニルボレート・ナトリウム水溶液３８０ml（０．０
３３３モル）に少しずつ滴下し、室温で３時間撹拌し
た。析出した固体をろ別、乾燥し、次いでイソプロパノ
ールに加熱（７０℃）溶解し、０℃まで冷却し、次いで
ろ別、乾燥後、白色固体の目的物を１４．１８ｇ（０．
０１１２モル）得た。このものの元素分析値を表１に示
し、赤外線吸収スペクトルを図１に示した。While stirring the reaction mixture, 380 ml of a 3% aqueous solution of sodium tetraphenylborate (0.0 ml
333 mol), and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The precipitated solid was collected by filtration, dried, dissolved in isopropanol by heating (70 ° C.), cooled to 0 ° C., filtered, and dried. Then, 14.18 g (0.1%) of a white solid was obtained.
0112 mol). The results of elemental analysis are shown in Table 1, and the infrared absorption spectrum is shown in FIG.
【００６４】[0064]
【表１】 [Table 1]
【００６５】合成例３ 〔ビススルホニム・ボレート２の合成〕メタンスルホン
酸２４．７０ｇ（０．１６モル）、五酸化リン１．５６
ｇ（０．０１１モル）を仕込み、７０℃に加熱し、３時
間撹拌して得られた均一溶液を室温まで冷却した。この
溶液中に４，４′−ジフルオロジフェニルスルホキシド
３．８１ｇ（０．０１６モル）、ジフェニルスルフィド
１．４９ｇ（０．００８モル）を仕込み、室温で５時間
撹拌した。Synthesis Example 3 [Synthesis of bissulfonium borate 2] Methanesulfonic acid 24.70 g (0.16 mol), phosphorus pentoxide 1.56
g (0.011 mol), heated to 70 ° C., and stirred for 3 hours, and the obtained homogeneous solution was cooled to room temperature. 3.81 g (0.016 mol) of 4,4'-difluorodiphenylsulfoxide and 1.49 g (0.008 mol) of diphenylsulfide were charged into this solution, and the mixture was stirred at room temperature for 5 hours.
【００６６】この反応混合物を水３００mlに少しずつ滴
下し、次いで合成例１で得られたトリフェニルベンジル
ボレート・ナトリウム塩５．７０ｇ（０．０１６モル）
を仕込み、室温で３時間撹拌した。析出した固体をろ
別、乾燥し、次いでイソプロパノールに加熱（７０℃）
溶解し、０℃まで冷却し、次いでろ別、乾燥後、白色固
体の目的物を６．７３ｇ（０．００５２モル）得た。こ
のものの元素分析値を表２に示し、赤外線吸収スペクト
ルを図２に示した。The reaction mixture was added dropwise to 300 ml of water little by little, and then 5.70 g (0.016 mol) of sodium salt of triphenylbenzyl borate obtained in Synthesis Example 1.
And stirred at room temperature for 3 hours. The precipitated solid is separated by filtration, dried, and then heated to isopropanol (70 ° C.)
After dissolving, cooling to 0 ° C., and then separating by filtration and drying, 6.73 g (0.0052 mol) of the target substance as a white solid was obtained. The results of elemental analysis of this product are shown in Table 2, and the infrared absorption spectrum is shown in FIG.
【００６７】[0067]
【表２】 [Table 2]
【００６８】実施例１〜４及び比較例１ 表３に示す材料を配合し、溶液を得た。Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 The materials shown in Table 3 were blended to obtain solutions.
【００６９】[0069]
【表３】 [Table 3]
【００７０】次いで、得られた溶液に表４に示す（Ｃ）
成分を溶解させ、さらにクマリン系化合物又はジエチル
アミノベンゾフェノンを添加し、感光性樹脂組成物の溶
液を得た。Next, (C) shown in Table 4 was added to the obtained solution.
The components were dissolved, and a coumarin-based compound or diethylaminobenzophenone was further added to obtain a solution of the photosensitive resin composition.
【００７１】[0071]
【表４】 [Table 4]
【００７２】以下に表４中で使用した材料を示す。 ＣＩ−ＨＡＢＩ：２，２′−ビス（ｏ−クロロフェニ
ル）−４，４′，５，５′−テトラフェニルイミダゾー
ル二量体 Ｃ−１：７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリン Ｃ−１３８：７−ジメチルアミノシクロペンタ［ｃ］−
クマリン ＥＡＢ：ジエチルアミノベンゾフェノン スルホニウムボレート１：前記式（III）で表されるビ
ス［４−（ジフェニルスルフィノ）−フェニル］スルフ
ィドビス（テトラフェニルボレート） スルホニウムボレート２：前記式（IV）で表されるビス
［４−（ジフェニルスルフィノ）−フェニル］スルフィ
ドビス（ベンジルトリフェニルボレート）The materials used in Table 4 are shown below. CI-HABI: 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylimidazole dimer C-1: 7-diethylamino-4-methylcoumarin C-138: 7- Dimethylaminocyclopenta [c]-
Coumarin EAB: diethylaminobenzophenone sulfonium borate 1: bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfide bis (tetraphenylborate) sulfonium borate represented by the above formula (III) 2: represented by the above formula (IV) Bis [4- (diphenylsulfino) -phenyl] sulfidebis (benzyltriphenylborate)
【００７３】次いで、この感光性樹脂組成物の溶液を、
１６μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルム上に
均一に塗布し、１００℃の熱風対流式乾燥機で、１０分
間乾燥して、感光性エレメントを得た。感光性樹脂組成
物層の膜厚は、３０μｍであった。Next, the solution of the photosensitive resin composition is
The composition was uniformly coated on a 16 μm-thick polyethylene terephthalate film and dried with a hot air convection dryer at 100 ° C. for 10 minutes to obtain a photosensitive element. The thickness of the photosensitive resin composition layer was 30 μm.
【００７４】一方、銅箔（厚さ３５μｍ）を両面に積層
したガラスエポキシ材である銅張り積層板（日立化成工
業(株)製、商品名ＭＣＬ−Ｅ−６１）の銅表面を、＃６
００相当のブラシを持つ研磨機（三啓(株)製）を用いて
研磨し、水洗後、空気流で乾燥し、得られた銅張り積層
板を８０℃に加温し、その銅表面上に、前記感光性樹脂
組成物層を、１１０℃に加熱しながらラミネートした。On the other hand, the copper surface of a copper-clad laminate (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: MCL-E-61), which is a glass epoxy material having a copper foil (thickness: 35 μm) laminated on both sides, is # 6
Polishing using a polishing machine with a brush equivalent to 00 (manufactured by Sankei Co., Ltd.), washing with water, drying with an air stream, heating the obtained copper-clad laminate to 80 ° C. Then, the photosensitive resin composition layer was laminated while being heated to 110 ° C.
【００７５】次に、高圧水銀灯ランプを有する露光機
（オーク(株)製）５９０を用いて、ネガとしてストーフ
ァー４１段ステップタブレットを試験片の上に置いて６
０mJ/cm2露光した。次に、ポリエチレンテレフタレート
フィルムを剥離し、３０℃で１重量％炭酸ナトリウム水
溶液を２０秒間スプレーすることにより、未露光部分を
除去した。Next, using an exposure machine (manufactured by Oak Co., Ltd.) 590 having a high-pressure mercury lamp, a 41-step stofer step tablet was placed on the test piece as a negative to prepare a 6-piece tablet.
Exposure was performed at 0 mJ / cm 2 . Next, the polyethylene terephthalate film was peeled off, and an unexposed portion was removed by spraying a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at 30 ° C. for 20 seconds.
【００７６】さらに、銅張り積層板上に形成された光硬
化膜のステップタブレットの段数を測定することによ
り、感光性樹脂組成物の光感度を評価し、その結果を表
５に示した。光感度は、ステップタブレットの段数で示
され、このステップタブレットの段数が高いほど、光感
度が高いことを示す。Further, the photosensitivity of the photosensitive resin composition was evaluated by measuring the number of steps of the step tablet of the photocurable film formed on the copper-clad laminate, and the results are shown in Table 5. The light sensitivity is indicated by the number of steps of the step tablet. The higher the number of steps of the step tablet, the higher the light sensitivity.
【００７７】現像後のパターンを観察し、ライン・アン
ド・スペースとして残ったライン幅（μｍ）から解像度
（μｍ）を求めた。現像後に剥離せずに残った浮島パタ
ーンのライン幅（μｍ）を測定し、密着性として、結果
を表５に示した。この密着性の数字が小さいほど、細い
ラインでも銅張り積層板から剥離せずに銅張り積層板に
密着していることを示し、密着性が高いことを示す。The pattern after development was observed, and the resolution (μm) was determined from the line width (μm) remaining as a line and space. The line width (μm) of the floating island pattern remaining without being peeled off after the development was measured, and the results were shown in Table 5 as adhesion. The smaller the value of the adhesion is, the smaller the line is, the smaller the adhesion is to the copper-clad laminate without peeling from the copper-clad laminate, indicating higher adhesion.
【００７８】また、未露光部の感光性樹脂組成物層が最
も速く完全に除去できる現像時間を評価した。Further, the development time in which the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer can be removed most quickly and completely was evaluated.
【００７９】[0079]
【表５】 [Table 5]
【００８０】[0080]
【発明の効果】請求項１、２、３、４、５及び６記載の
感光性樹脂組成物は、感度、解像性、密着性、現像性及
びめっき浴汚染性が優れる。請求項７記載の感光性エレ
メントは、感度、解像性、密着性、現像性、めっき浴汚
染性、生産性及び作業性が優れる。The photosensitive resin compositions according to the first, second, third, fourth, fifth and sixth aspects are excellent in sensitivity, resolution, adhesion, developability and plating bath contamination. The photosensitive element according to claim 7 is excellent in sensitivity, resolution, adhesion, developability, plating bath contamination, productivity and workability.
【００８１】請求項８記載のレジストパターンの製造法
は、感度、解像性、密着性、現像性、めっき浴汚染性、
生産性及び作業性が優れ、プリント配線の高密度化に有
用である。請求項９記載のプリント配線板の製造法は、
感度、解像性、密着性、現像性、めっき浴汚染性、生産
性及び作業性が優れ、プリント配線の高密度化に有用で
ある。The method for producing a resist pattern according to claim 8 is characterized in that sensitivity, resolution, adhesion, developability, plating bath contamination,
It has excellent productivity and workability, and is useful for increasing the density of printed wiring. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 9,
It has excellent sensitivity, resolution, adhesion, developability, plating bath contamination, productivity and workability, and is useful for increasing the density of printed wiring.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】合成例２で得られたビススルホニウムボレート
化合物の赤外線吸収スペクトルである。FIG. 1 is an infrared absorption spectrum of a bissulfonium borate compound obtained in Synthesis Example 2.
【図２】合成例３で得られたビススルホニウムボレート
化合物の赤外線吸収スペクトルである。FIG. 2 is an infrared absorption spectrum of the bissulfonium borate compound obtained in Synthesis Example 3.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｆ 299/02 Ｃ０８Ｆ 299/02 ４Ｊ１００ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１２ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１２ ５Ｅ３３９ 7/027 ５０２ 7/027 ５０２ ５Ｅ３４３ 7/031 7/031 7/032 7/032 7/40 ５２１ 7/40 ５２１ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｊ 3/18 3/18 Ｄ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AA04 AA14 AB11 AB15 AC01 AD01 BC14 BC42 BC43 BC45 CA01 CA20 CA28 CA50 CB14 CB16 CB23 CB28 CB30 CB52 FA03 FA17 FA40 FA43 2H096 AA26 BA05 BA20 EA02 GA08 HA17 HA27 JA04 4J011 PA65 PA67 PA69 PA70 PA85 PA86 PA88 PA96 PB40 PC02 PC08 QA03 QA12 QA14 QA22 QA23 QA24 QA32 QA33 QA39 QA45 QA46 QB16 RA03 RA04 RA06 RA07 RA10 SA25 SA28 SA62 SA78 SA83 SA87 UA01 UA06 VA01 WA01 4J026 AA16 AA17 AA19 AA31 AA43 AA45 AA49 AA50 AA53 AA55 AB01 AB04 AB11 AB28 AC09 AC33 AC36 BA28 BA29 BA30 DB06 DB11 DB36 GA06 4J027 AC02 AC03 AC04 AC06 AJ02 BA03 BA07 BA19 BA24 BA26 BA28 BA29 CA02 CA03 CA06 CA07 CA10 CA13 CA15 CA16 CA34 CA35 CA36 CB10 CC04 CC05 CD10 4J100 AL08P AL63P AL66P AL67P BA02P BA03P BA04P BA08P BA15P BA34P BB01P BC04P BC43P BC73P JA38 JA43 5E339 AD03 BC02 BE11 CC01 CC10 CD01 CE12 CE16 CF16 CF17 DD02 GG01 5E343 AA02 AA12 BB21 BB71 CC62 DD33 DD43 ER16 ER18 GG01 GG08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08F 299/02 C08F 299/02 4J100 G03F 7/004 512 G03F 7/004 512 5E339 7/027 502 7/027 502 5E343 7/031 7/031 7/032 7/032 7/40 521 7/40 521 H05K 3/06 H05K 3/06 J 3/18 3/18 DF term (reference) 2H025 AA00 AA01 AA02 AA04 AA14 AB11 AB15 AC01 AD01 BC14 BC42 BC43 BC45 CA01 CA20 CA28 CA50 CB14 CB16 CB23 CB28 CB30 CB52 FA03 FA17 FA40 FA43 2H096 AA26 BA05 BA20 EA02 GA08 HA17 HA27 JA04 4J011 PA65 PA67 PA69 PA70 PA85 PA86 PA88 PA96 QAQA QA12A QA39 QA45 QA46 QB16 RA03 RA04 RA06 RA07 RA10 SA25 SA28 SA62 SA78 SA83 SA87 UA01 UA06 VA01 WA01 4J026 AA16 AA17 AA19 AA31 AA43 AA45 AA49 AA50 AA53 A A55 AB01 AB04 AB11 AB28 AC09 AC33 AC36 BA28 BA29 BA30 DB06 DB11 DB36 GA06 4J027 AC02 AC03 AC04 AC06 AJ02 BA03 BA07 BA19 BA24 BA26 BA28 BA29 CA02 CA03 CA06 CA07 CA10 CA13 CA15 CA16 CA34 CA35 CA36 CB10 CC04 CC05 CD10 4J100 AL08P63P BA04P BA08P BA15P BA34P BB01P BC04P BC43P BC73P JA38 JA43 5E339 AD03 BC02 BE11 CC01 CC10 CD01 CE12 CE16 CF16 CF17 DD02 GG01 5E343 AA02 AA12 BB21 BB71 CC62 DD33 DD43 ER16 ER18 GG01 GG08
Claims (9)
内に少なくとも１つの重合可能なエチレン性不飽和基を
有する光重合性化合物及び（Ｃ１）一般式（Ｉ） 【化１】 （一般式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、各々独立
に、ハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素
数１〜１２のアルコキシル基又は炭素数６〜１４のアリ
ール基を示し、Ｒ5及びＲ6は、各々独立に、炭素数１〜
１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシル基
を示し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、各々独立に、炭素
数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基
又は炭素数７〜１１のアリールアルキル基を示し、ｎ
は、０〜５の整数であり、ｍは、０〜４の整数である）
で表されるビススルホニウムボレート化合物を含有して
なる感光性樹脂組成物。1. A binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in a molecule, and (C1) a compound represented by the general formula (I): (In the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms or 6 to 6 carbon atoms. 14 represents an aryl group, wherein R 5 and R 6 are each independently
R 12 represents an alkyl group having 12 carbon atoms or an alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms, and R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms Or an arylalkyl group having 7 to 11 carbon atoms;
Is an integer of 0 to 5, and m is an integer of 0 to 4)
A photosensitive resin composition comprising a bissulfonium borate compound represented by the formula:
ルイミダゾール二量体を含有する請求項１記載の感光性
樹脂組成物。2. The photosensitive resin composition according to claim 1, further comprising (C2) a 2,4,5-triarylimidazole dimer.
香族ケトンを含有する請求項１又は２記載の感光性樹脂
組成物。3. The photosensitive resin composition according to claim 1, further comprising (C3) a coumarin compound or an aromatic ketone.
ノールＡ系（メタ）アクリレート化合物を含有する請求
項１、２又は３記載の感光性樹脂組成物。4. The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photopolymerizable compound (B) comprises a bisphenol A (meth) acrylate compound.
gであり、重量平均分子量２０，０００〜３００，００
０である請求項１、２、３又は４記載の感光性樹脂組成
物。5. An acid value of the component (A) is from 30 to 200 mgKOH /
g and a weight average molecular weight of 20,000 to 300,00.
The photosensitive resin composition according to claim 1, 2, 3, or 4, which is 0.
の配合量が、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１００重
量部に対して、（Ａ）成分が４０〜８０重量部、（Ｂ）
成分が２０〜６０重量部及び（Ｃ）成分が０．１〜１０
重量部である請求項１、２、３、４又は５記載の感光性
樹脂組成物。6. The amount of the component (A), the component (B) and the component (C) is 40 to 80 based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B). Parts by weight, (B)
20 to 60 parts by weight of the component and 0.1 to 10 of the component (C)
The photosensitive resin composition according to claim 1, 2, 3, 4, or 5 in parts by weight.
感光性樹脂組成物を支持体上に塗布、乾燥してなる感光
性エレメント。7. A photosensitive element obtained by applying the photosensitive resin composition according to claim 1, 2, 3, 4, 5 or 6 on a support and drying.
路形成用基板上に感光性樹脂組成物層が密着するように
して積層し、活性光線を画像状に照射し、露光部を光硬
化させ、未露光部を現像により除去することを特徴とす
るレジストパターンの製造法。8. The photosensitive element according to claim 7, which is laminated on the substrate for circuit formation so that the photosensitive resin composition layer is in close contact with the photosensitive element, and is irradiated with actinic rays in an image-like manner, and the exposed portion is photocured. And removing unexposed portions by development.
法により、レジストパターンの製造された回路形成用基
板をエッチング又はめっきすることを特徴とするプリン
ト配線板の製造法。9. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising etching or plating a circuit-forming substrate on which a resist pattern has been manufactured by the method for manufacturing a resist pattern according to claim 8.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071064A JP4051594B2 (en) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071064A JP4051594B2 (en) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001255650A true JP2001255650A (en) | 2001-09-21 |
| JP4051594B2 JP4051594B2 (en) | 2008-02-27 |
Family
ID=18589702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000071064A Expired - Fee Related JP4051594B2 (en) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4051594B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073168A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, process for forming photosensitive elements or resist patterns with the same, and process for production of printed wiring boards |
| JP2006106283A (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, and photosensitive element, resist pattern forming method and method for manufacturing printed wiring board using same |
| JPWO2006043314A1 (en) * | 2004-10-19 | 2008-05-22 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive element, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method |
-
2000
- 2000-03-09 JP JP2000071064A patent/JP4051594B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073168A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, process for forming photosensitive elements or resist patterns with the same, and process for production of printed wiring boards |
| JPWO2003073168A1 (en) * | 2002-02-28 | 2005-06-23 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method |
| JP2006106283A (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, and photosensitive element, resist pattern forming method and method for manufacturing printed wiring board using same |
| JPWO2006043314A1 (en) * | 2004-10-19 | 2008-05-22 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive element, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method |
| JP4555945B2 (en) * | 2004-10-19 | 2010-10-06 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive element, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4051594B2 (en) | 2008-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI689783B (en) | Method for forming photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern, and method for manufacturing printed circuit board | |
| JP5617941B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method | |
| JP5051299B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing resist pattern, and method for producing printed wiring board | |
| JP3873745B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method | |
| WO2007049519A1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element comprising the same, method of forming resist pattern, and process for producing printed wiring board | |
| WO2001022165A1 (en) | Photosensitive resin compositions, photosensitive element containing the same, process for producing resist pattern, and process for producing printed circuit board | |
| JP5793924B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing resist pattern, and method for producing printed wiring board | |
| WO2007114014A1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using same, method for forming resist pattern, and method for producing printed wiring board | |
| JP2008304527A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using same, resist pattern forming method, and method for manufacturing printed wiring board | |
| JP4051594B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method | |
| JP4524844B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method | |
| JP2003262956A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing printed wiring board | |
| JP2004004294A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board | |
| JP2002258475A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method and method for producing circuit board for semiconductor package | |
| JP2001174992A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board | |
| JP4686949B2 (en) | Photosensitive element and method for producing resist pattern using the same | |
| JP2001174986A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board | |
| JP4191354B2 (en) | Manufacturing method of printed wiring board | |
| JP4453255B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method | |
| JP2002156756A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board | |
| JP4305695B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method | |
| JP4517257B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method | |
| JP4127946B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, printed wiring board manufacturing method | |
| JP2008102257A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board | |
| TW202440655A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming anti-etching agent pattern, and method for manufacturing wiring board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070129 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071102 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071121 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |