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JP2001255549A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

Info

Publication number
JP2001255549A
JP2001255549A JP2000064823A JP2000064823A JP2001255549A JP 2001255549 A JP2001255549 A JP 2001255549A JP 2000064823 A JP2000064823 A JP 2000064823A JP 2000064823 A JP2000064823 A JP 2000064823A JP 2001255549 A JP2001255549 A JP 2001255549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
common electrode
supply line
signal supply
liquid crystal
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000064823A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Yonekura
広顕 米倉
Mitsuhiro Uno
光宏 宇野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000064823A priority Critical patent/JP2001255549A/en
Publication of JP2001255549A publication Critical patent/JP2001255549A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程において放電により絶縁破壊される
ことが抑制された、歩留まり良く製造可能な液晶表示装
置を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、一対の基板間
に液晶層が挟持されてなり、該一対の基板の一方が、行
列状に配列された画素電極と、該画素電極の各行にそれ
ぞれ対応して設けられ該各行の該画素電極のそれぞれと
対向して蓄積容量を形成する共通電極と、を有し、該共
通電極が第1共通電極信号供給線と電気的に接続されて
なる。該共通電極と該第1共通電極信号供給線とが電気
的に分離しているときにおける、該共通電極の該第1共
通電極信号供給線と近接する第1端部での帯電量集中を
抑制するように、該共通電極の該第1端部近傍で該共通
電極と該第1共通電極信号供給線とが絶縁膜を介してオ
ーバーラップする。
(57) [Problem] To provide a liquid crystal display device which can be manufactured with a high yield, in which dielectric breakdown due to electric discharge is suppressed in a manufacturing process. In a liquid crystal display device according to the present invention, a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, and one of the pair of substrates is provided with pixel electrodes arranged in a matrix and each row of the pixel electrodes. And a common electrode which is provided correspondingly and forms a storage capacitor in opposition to each of the pixel electrodes in each row. The common electrode is electrically connected to a first common electrode signal supply line. When the common electrode and the first common electrode signal supply line are electrically separated from each other, the charge concentration at the first end of the common electrode close to the first common electrode signal supply line is suppressed. As a result, the common electrode and the first common electrode signal supply line overlap with each other via an insulating film near the first end of the common electrode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特にアクティブマトリックス型液晶表示装置に関す
る。
The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶を応用した表示装置は、低電力駆動
および軽量という従来の表示装置には見られない特徴を
有する。特に、各画素にスイッチング素子として薄膜ト
ランジスタ(Thin Film Transisto
r、以下「TFT」と称する。)を配置したアクティブ
マトリクス型液晶表示装置は、クロストークの少ない鮮
明な画像表示が得られることから、ノートパソコンやカ
ーナビゲーションのディスプレイなどに使用され、さら
に近年では大型ディスプレイモニターとして急速に利用
されるようになっている。
2. Description of the Related Art A display device to which liquid crystal is applied has characteristics that are not seen in conventional display devices, such as low power driving and light weight. In particular, a thin film transistor (Thin Film Transistor) is used as a switching element in each pixel.
r, hereinafter referred to as “TFT”. The active matrix type liquid crystal display device in which) is arranged is used for a display of a notebook computer, a car navigation system, and the like because a clear image display with little crosstalk can be obtained, and is rapidly used as a large display monitor in recent years. It has become.

【0003】一般にアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、画素電極およびスイッチング素子を備えたアクテ
ィブマトリクス基板と、対向電極を備えた対向基板と
が、液晶層を介して互いに対向するように配置されて構
成される。図3は、従来の液晶表示装置700に含まれ
るアクティブマトリクス基板100の部分平面図であ
り、図4および図5はそれぞれ、図3のアクティブマト
リクス基板100のB−B’およびC−C’に対応する
液晶表示装置700の断面図である。以下、図3、図4
および図5を用いて従来の液晶表示装置700について
説明する。
In general, an active matrix type liquid crystal display device is configured such that an active matrix substrate provided with pixel electrodes and switching elements and a counter substrate provided with a counter electrode are arranged so as to face each other via a liquid crystal layer. You. FIG. 3 is a partial plan view of the active matrix substrate 100 included in the conventional liquid crystal display device 700, and FIGS. 4 and 5 are respectively BB ′ and CC ′ of the active matrix substrate 100 of FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of a corresponding liquid crystal display device 700. Hereinafter, FIGS. 3 and 4
A conventional liquid crystal display device 700 will be described with reference to FIG.

【0004】液晶表示装置700は、アクティブマトリ
クス基板100、対向基板400およびこれらの基板に
挟持された液晶層300を有する。
The liquid crystal display device 700 includes an active matrix substrate 100, a counter substrate 400, and a liquid crystal layer 300 sandwiched between these substrates.

【0005】図3に示されるように、アクティブマトリ
クス基板100は、行方向に配列された走査信号供給線
2、列方向に配列された映像信号供給線5、これらの配
線2および5とTFT20を介して接続される行列状に
配列された画素電極10、画素電極10の各行に対応す
るように設けられた共通電極56、共通電極56と電気
的に接続する第1および第2共通電極信号供給線12お
よび8を有する。共通電極56は、対応する行の画素電
極10とそれぞれ対向し、これらの画素電極10との間
に蓄積容量を形成する。TFT20は、図5に示される
ように、基板1上に形成されたゲート電極32、ゲート
電極32上に絶縁膜3を介して形成された半導体層4、
半導体層4と電気的に接続されたソース電極35、およ
びドレイン電極9を有する。
As shown in FIG. 3, an active matrix substrate 100 includes a scanning signal supply line 2 arranged in a row direction, a video signal supply line 5 arranged in a column direction, and these wirings 2 and 5 and a TFT 20. The pixel electrodes 10 arranged in a matrix and connected via the same, a common electrode 56 provided corresponding to each row of the pixel electrodes 10, and a first and second common electrode signal supply electrically connected to the common electrode 56 It has lines 12 and 8. The common electrodes 56 face the pixel electrodes 10 in the corresponding row, respectively, and form a storage capacitor between the common electrodes 56 and the pixel electrodes 10. As shown in FIG. 5, the TFT 20 includes a gate electrode 32 formed on the substrate 1, a semiconductor layer 4 formed on the gate electrode 32 via the insulating film 3,
It has a source electrode 35 and a drain electrode 9 electrically connected to the semiconductor layer 4.

【0006】走査信号供給線2にはアドレス信号が供給
され、映像信号供給線5にはフレーム走査期間毎に極性
反転された映像表示信号が供給される。この映像表示信
号は、アドレス信号でオン/オフされ制御されるスイッ
チング素子であるTFT20を介して、各画素の容量に
書き込まれる。画素電極電圧と対向電極に供給される電
圧との電位差によってそれぞれの画素電極上の液晶層3
00が励起され、液晶層300に含まれる液晶分子の配
向を任意に変化させ、光透過率を調整して所望の画像を
作り出す。画素電極への書き込みは、映像信号供給線5
に同時に供給される信号を、走査信号供給線2に順次供
給されるアドレス信号でサンプリングする線順次駆動に
よって行う。画素電極(容量)に書き込まれた表示信号
は、次のフレームの走査時まで画素電極10と共通電極
56との間に形成される蓄積容量により蓄積され、その
電位が保持される。以上のようにして液晶表示装置70
0は駆動する。
The scanning signal supply line 2 is supplied with an address signal, and the video signal supply line 5 is supplied with a video display signal whose polarity is inverted every frame scanning period. This video display signal is written to the capacitance of each pixel via the TFT 20 which is a switching element which is turned on / off by an address signal and controlled. The liquid crystal layer 3 on each pixel electrode is generated by a potential difference between the pixel electrode voltage and the voltage supplied to the counter electrode.
00 is excited, the orientation of the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 300 is arbitrarily changed, and the light transmittance is adjusted to produce a desired image. Writing to the pixel electrode is performed by the video signal supply line 5
Are simultaneously supplied to the scanning signal supply line 2 by sampling the address signals sequentially. The display signal written to the pixel electrode (capacitance) is stored by the storage capacitor formed between the pixel electrode 10 and the common electrode 56 until the next frame scan, and the potential is maintained. As described above, the liquid crystal display device 70
0 drives.

【0007】次に、アクティブマトリクス基板100の
製造方法を簡単に説明する。まず、基板1に、TFT2
0のゲート電極32としても機能する走査信号供給線
2、第2共通電極信号供給線8および共通電極56を形
成し、その上に絶縁膜3を堆積する(図3〜図5参
照)。共通電極56および第2共通電極信号供給線8は
同一工程で形成され、共通電極56の第2端部24が第
2共通電極信号供給線8に接続された櫛型形状の電極を
なす。この櫛型電極は、図3に示されるように、アクテ
ィブマトリクス基板100上において画素領域外から画
素領域内に及んで大面積を占めて形成される。なお「画
素領域」とは、後の工程で形成される画素電極10およ
びTFT20が基板上で行列状に配置された表示に寄与
する領域を示す。
Next, a method of manufacturing the active matrix substrate 100 will be briefly described. First, a TFT 2 is provided on a substrate 1.
The scanning signal supply line 2, the second common electrode signal supply line 8, and the common electrode 56 which also function as the zero gate electrode 32 are formed, and the insulating film 3 is deposited thereon (see FIGS. 3 to 5). The common electrode 56 and the second common electrode signal supply line 8 are formed in the same process, and the second end 24 of the common electrode 56 forms a comb-shaped electrode connected to the second common electrode signal supply line 8. As shown in FIG. 3, the comb-shaped electrode occupies a large area on the active matrix substrate 100 from outside the pixel region to inside the pixel region. The “pixel region” refers to a region that contributes to display, in which pixel electrodes 10 and TFTs 20 formed in a later process are arranged in a matrix on a substrate.

【0008】次に、TFT20のソース、ドレインおよ
びチャネル領域を形成するための半導体層4を形成する
(図5参照)。さらに映像信号供給線5およびこれから
延出して形成されるソース電極35、ドレイン電極9お
よび第1共通電極信号供給線12を形成する(図3〜図
5参照)。第1共通電極信号供給線12は、共通電極5
6の第1端部22と絶縁膜3を介して、小さなラインス
ペースS(図4参照)を空けて近接して設けられる。
Next, a semiconductor layer 4 for forming the source, drain and channel regions of the TFT 20 is formed (see FIG. 5). Further, the video signal supply line 5 and the source electrode 35, the drain electrode 9, and the first common electrode signal supply line 12 extending therefrom are formed (see FIGS. 3 to 5). The first common electrode signal supply line 12 is connected to the common electrode 5
6 are provided close to each other with a small line space S (see FIG. 4) interposed therebetween via the first end portion 22 and the insulating film 3.

【0009】さらに、TFT20を被覆するパッシベー
ション膜である絶縁膜6を形成し、コンタクトホール
7、70および72に対応する部分を除去する(図4お
よび図5参照)。この絶縁膜6上にコンタクトホール7
を介してドレイン電極9と接続される画素電極10を形
成する。また、これと同時にコンタクトホール70およ
び72を介して共通電極56の第1端部22側と第1共
通電極信号供給線12とを接続するための接続部13を
絶縁膜6上に形成する(図4参照)。以上のようにして
アクティブマトリクス基板100を作製する。
Further, an insulating film 6, which is a passivation film covering the TFT 20, is formed, and portions corresponding to the contact holes 7, 70 and 72 are removed (see FIGS. 4 and 5). A contact hole 7 is formed on the insulating film 6.
To form a pixel electrode 10 connected to the drain electrode 9 through the substrate. At the same time, a connecting portion 13 for connecting the first end 22 side of the common electrode 56 and the first common electrode signal supply line 12 via the contact holes 70 and 72 is formed on the insulating film 6 ( (See FIG. 4). The active matrix substrate 100 is manufactured as described above.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の製造工
程においては基板に帯電が生じる場合がある。特に、一
般的な成膜方法であるスパッタリング工程、CVD(化
学気相堆積)工程、フォトリソグラフィ工程、およびド
ライエッチング工程において基板が電界にさらされた
り、また、搬送途中に剥離帯電することによって、基板
に帯電が生じやすい。
In the manufacturing process of a liquid crystal display device, the substrate may be charged. In particular, the substrate is exposed to an electric field in a general film forming method such as a sputtering process, a CVD (chemical vapor deposition) process, a photolithography process, and a dry etching process, or is peeled and charged during transportation, The substrate is easily charged.

【0011】上述した従来の液晶表示装置700におい
ては、第1共通電極信号供給線12は、共通電極56の
第1端部22側と、小さなラインスペースS(図4参
照)を空けて近接して設けられる。従って、液晶表示装
置700の製造工程において、第1共通電極信号供給線
12と共通電極56とが分離された状態で上述したよう
な基板帯電が生じると、共通電極56の第1端部22付
近に電荷が引き寄せられて帯電量が集中し、共通電極5
6と共通電極信号供給線12との間に形成された絶縁膜
3に生じる電界強度が増加する。このことにより、共通
電極56と第1共通電極信号供給線12との間で放電が
生じ、共通電極56、第1共通電極信号供給線12およ
び絶縁膜3が部分的に熱破壊することがあった。
In the conventional liquid crystal display device 700 described above, the first common electrode signal supply line 12 is close to the first end 22 side of the common electrode 56 with a small line space S (see FIG. 4). Provided. Therefore, in the manufacturing process of the liquid crystal display device 700, if the above-described substrate charging occurs in a state where the first common electrode signal supply line 12 and the common electrode 56 are separated, the vicinity of the first end 22 of the common electrode 56 The charges are attracted to the common electrode 5 and the charge amount is concentrated, and the common electrode 5
The electric field intensity generated in the insulating film 3 formed between the gate electrode 6 and the common electrode signal supply line 12 increases. As a result, a discharge occurs between the common electrode 56 and the first common electrode signal supply line 12, and the common electrode 56, the first common electrode signal supply line 12, and the insulating film 3 may be partially thermally damaged. Was.

【0012】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたものであり、製造工程において放電により絶
縁破壊されることが抑制された、歩留まり良く製造可能
な液晶表示装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can be manufactured with a high yield, in which dielectric breakdown due to discharge is suppressed in a manufacturing process. Aim.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本願発明の液晶表示装置
は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、該一対の
基板の一方が、行列状に配列された画素電極と、該画素
電極の各行にそれぞれ対応して設けられ該各行の該画素
電極のそれぞれと対向して蓄積容量を形成する共通電極
と、を有し、該共通電極が第1共通電極信号供給線と電
気的に接続されてなる液晶表示装置であって、該共通電
極と該第1共通電極信号供給線とが電気的に分離してい
るときにおける、該共通電極の該第1共通電極信号供給
線と近接する第1端部での帯電量集中を抑制するよう
に、該共通電極の該第1端部近傍で該共通電極と該第1
共通電極信号供給線とが絶縁膜を介してオーバーラップ
することを特徴としている。共通電極と第1共通電極信
号供給線とが電気的に分離しているときに、共通電極の
第1端部で帯電量が集中するのを抑制するように、共通
電極の第1端部近傍で共通電極と第1共通電極信号供給
線とが絶縁膜を介してオーバーラップするので、共通電
極と共通電極信号供給線との間に設けられた絶縁膜に生
じる電界強度を抑えることができる。従って、共通電極
と共通電極信号供給線との間で放電が生じることがない
ので、絶縁膜、共通電極および共通電極信号供給線が熱
破壊することがなく、液晶表示装置を歩留まり良く製造
することが可能である。
According to the liquid crystal display device of the present invention, a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, and one of the pair of substrates is provided with a pixel electrode arranged in a matrix and the pixel electrode. A common electrode that is provided corresponding to each row of electrodes and that forms a storage capacitor in opposition to each of the pixel electrodes in each row, wherein the common electrode is electrically connected to the first common electrode signal supply line. A liquid crystal display device connected to the common electrode, wherein the common electrode is close to the first common electrode signal supply line when the common electrode and the first common electrode signal supply line are electrically separated from each other. The common electrode and the first electrode are arranged near the first end of the common electrode so as to suppress concentration of the charge amount at the first end.
It is characterized in that the common electrode signal supply line and the common electrode signal supply line overlap with an insulating film interposed therebetween. When the common electrode and the first common electrode signal supply line are electrically separated from each other, the vicinity of the first end of the common electrode is controlled so as to suppress concentration of the charge at the first end of the common electrode. Since the common electrode and the first common electrode signal supply line overlap with the insulating film interposed therebetween, it is possible to suppress the electric field intensity generated in the insulating film provided between the common electrode and the common electrode signal supply line. Accordingly, since no discharge occurs between the common electrode and the common electrode signal supply line, the insulating film, the common electrode and the common electrode signal supply line are not thermally damaged, and the liquid crystal display device can be manufactured with high yield. Is possible.

【0014】前記共通電極が該共通電極と同一工程にお
いて形成された第2共通電極信号供給線をさらに有し、
該共通電極の第2端部が該第2共通電極信号供給線に接
続された櫛型形状をなせば、共通電極により安定して電
位信号を供給することができる。また、共通電極および
第2共通電極信号供給線を容易に作製することができ
る。
The common electrode further includes a second common electrode signal supply line formed in the same step as the common electrode;
If the second end of the common electrode has a comb shape connected to the second common electrode signal supply line, a potential signal can be supplied stably by the common electrode. Further, the common electrode and the second common electrode signal supply line can be easily manufactured.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の液晶表示装置6
00に含まれるアクティブマトリクス基板200の平面
図の一例を示す。図2は、図1のA−A’線についての
断面図である。図1のC−C’線についての断面図は、
従来例として示した図5と同様である。従来の液晶表示
装置700と実質的に同様の機能を有する部材は同じ参
照符号で示し、その詳細な説明は省略する。なお、本願
発明の液晶表示装置600は上述した従来の液晶表示装
置700と同様に駆動する。図1において、簡単のため
に画素電極は、2行2列の画素電極10からなる2×2
マトリクスとして示されているが、本発明はこれに限定
されるものではない。以下、図1、図2および図5を用
いて、本発明の液晶表示装置600について説明する。
FIG. 1 shows a liquid crystal display 6 according to the present invention.
FIG. 9 shows an example of a plan view of an active matrix substrate 200 included in the active matrix substrate 00. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. A cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG.
This is the same as FIG. 5 shown as a conventional example. Members having functions substantially similar to those of the conventional liquid crystal display device 700 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Note that the liquid crystal display device 600 of the present invention is driven similarly to the above-described conventional liquid crystal display device 700. In FIG. 1, for simplicity, a pixel electrode is a 2 × 2 pixel
Although shown as a matrix, the invention is not so limited. Hereinafter, the liquid crystal display device 600 of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0016】図2に示されるように、液晶表示装置60
0は、一対の基板であるアクティブマトリクス基板20
0および対向基板400と、これらの基板間に挟持され
た液晶層300とを有する。
As shown in FIG. 2, the liquid crystal display 60
0 denotes an active matrix substrate 20 which is a pair of substrates.
0 and a counter substrate 400, and a liquid crystal layer 300 sandwiched between these substrates.

【0017】図1に示されるように、アクティブマトリ
クス基板200は、行列状に配列された画素電極10
と、画素電極10と対向して蓄積容量を形成する共通電
極11と、共通電極11と接続部13によって電気的に
接続される第1共通電極信号供給線12とを有する。共
通電極11は、画素電極10の各行にそれぞれ対応して
設けられ、各行の画素電極10のそれぞれと対向して蓄
積容量を形成する。特に本発明では図2に示されるよう
に、共通電極11の第1端部22近傍において、共通電
極11と第1共通電極信号供給線12とは絶縁膜3を介
してオーバーラップ(面で対向)して形成されている点
で従来例とは異なる。
As shown in FIG. 1, an active matrix substrate 200 has pixel electrodes 10 arranged in a matrix.
And a common electrode 11 facing the pixel electrode 10 to form a storage capacitor, and a first common electrode signal supply line 12 electrically connected to the common electrode 11 and the connection portion 13. The common electrode 11 is provided corresponding to each row of the pixel electrodes 10 and forms a storage capacitor in opposition to each pixel electrode 10 of each row. In particular, in the present invention, as shown in FIG. 2, near the first end 22 of the common electrode 11, the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 12 overlap with each other via the insulating film 3. ) Is different from the conventional example.

【0018】以下に本発明の液晶表示装置600の製造
方法の一例を図6を参照しながら簡単に説明する。
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the liquid crystal display device 600 of the present invention will be briefly described with reference to FIG.

【0019】まず、例えばガラスからなる基板1表面全
体にAl/Ti薄膜を堆積する。フォトリソグラフィ工
程において、このAl/Ti薄膜にレジスト塗布、露光
および現像工程などを行った後に、ドライエッチングを
行い、TFTのゲート電極32としても機能する走査信
号供給線2、第2共通電極信号供給線8および共通電極
11を形成する(工程102)。この工程102におい
て、共通電極11はその端部22近傍において、後の工
程108で形成する第1共通電極信号供給線12とオー
バーラップするように形成される。共通電極11と第1
共通電極信号供給線12とが電気的に分離しているとき
(接続電極13が形成される工程112の前の工程)に
共通電極11の第1端部22において帯電量の集中が緩
和されるように、共通電極11と第1共通電極信号供給
線12とのオーバーラップ幅が適宜決定される。共通電
極11および第2共通電極信号供給線8は同じ工程10
2において、共通電極11の第2端部24が第2共通電
極信号供給線8に接続し、共通電極11と第2共通電極
信号供給線8とが櫛型形状をなすように形成され得る
(図1参照)。なお、走査信号供給線2、第2共通電極
信号供給線8、および共通電極11はAl/Ti以外に
も例えばTa、Mo、MoW、Cr、(Si、Cu、N
d、ZrおよびTaなどを含む)Al合金から形成され
得る。
First, an Al / Ti thin film is deposited on the entire surface of the substrate 1 made of, for example, glass. In the photolithography process, after the resist coating, exposure, and development processes are performed on the Al / Ti thin film, dry etching is performed, and the scanning signal supply line 2 that also functions as the gate electrode 32 of the TFT and the second common electrode signal supply The line 8 and the common electrode 11 are formed (Step 102). In this step 102, the common electrode 11 is formed near its end 22 so as to overlap with the first common electrode signal supply line 12 formed in a later step 108. The common electrode 11 and the first
When the common electrode signal supply line 12 is electrically separated from the common electrode signal supply line 12 (a step before the step 112 in which the connection electrode 13 is formed), the concentration of the charge at the first end 22 of the common electrode 11 is reduced. As described above, the overlap width between the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 12 is appropriately determined. The common electrode 11 and the second common electrode signal supply line 8 are
2, the second end 24 of the common electrode 11 may be connected to the second common electrode signal supply line 8, and the common electrode 11 and the second common electrode signal supply line 8 may be formed in a comb shape ( (See FIG. 1). The scanning signal supply line 2, the second common electrode signal supply line 8, and the common electrode 11 are made of, for example, Ta, Mo, MoW, Cr, (Si, Cu, N
(including d, Zr and Ta).

【0020】次いで、基板1表面全体に例えばSiNx
薄膜を堆積させ、絶縁膜3を形成する(工程104、図
2および5参照)。なお、絶縁膜3はSiNx以外にも
例えばSiNxおよびSiO2の混合物、AlOx、およ
びTaOxから形成され得る。さらに絶縁膜3の上にS
i薄膜を堆積する。フォトリソグラフィ工程、およびエ
ッチング工程(ドライエッチングまたはウェットエッチ
ング)を行い、TFT20のソース、ドレインおよびチ
ャネル領域を形成するための半導体層4を形成する(工
程106、図5参照)。
Next, for example, SiN x is applied to the entire surface of the substrate 1.
A thin film is deposited to form an insulating film 3 (Step 104, see FIGS. 2 and 5). The insulating film 3 can be formed of, for example, a mixture of SiN x and SiO 2 , AlO x , and TaO x other than SiN x . Further, S on the insulating film 3
Deposit i-thin film. A photolithography step and an etching step (dry etching or wet etching) are performed to form the semiconductor layer 4 for forming the source, drain, and channel regions of the TFT 20 (Step 106, see FIG. 5).

【0021】次いで、例えばAl/Ti薄膜を堆積し、
フォトリソグラフィ工程、およびドライエッチング工程
を行い、映像信号供給線5とこれから延出して形成され
るソース電極35、ドレイン電極9および第1共通電極
信号供給線12を形成する(工程108、図1、2およ
び5参照)。なお、映像信号供給線5、ドレイン電極9
および第1共通電極信号供給線12は、Al/Ti以外
にも例えばTa、Mo、MoW、Cr、Al合金(S
i、Cu、Nd、ZrおよびTaなどを含む)から形成
され得る。
Next, for example, an Al / Ti thin film is deposited,
A photolithography step and a dry etching step are performed to form the video signal supply line 5 and the source electrode 35, the drain electrode 9 and the first common electrode signal supply line 12 extending therefrom (step 108, FIG. 2 and 5). The video signal supply line 5 and the drain electrode 9
The first common electrode signal supply line 12 is made of, for example, Ta, Mo, MoW, Cr, an Al alloy (S
i, Cu, Nd, Zr, and Ta).

【0022】さらに、例えばSiNx薄膜を基板全面に
堆積して絶縁膜6を形成し、フォトリソグラフィ工程、
およびドライエッチング工程を行い、絶縁膜6において
コンタクトホール7、70および72に対応する部分を
除去する(工程110、図2および5参照)。なお、絶
縁膜6はSiNx以外にも例えばSiC2、アクリル樹
脂、ポリイミド、ポリアミド、およびポリカーボネート
から形成され得る。
Further, for example, an SiNx thin film is deposited on the entire surface of the substrate to form an insulating film 6, and a photolithography process is performed.
Then, a dry etching step is performed to remove portions of the insulating film 6 corresponding to the contact holes 7, 70 and 72 (step 110, see FIGS. 2 and 5). The insulating film 6 can be formed of, for example, SiC 2 , acrylic resin, polyimide, polyamide, or polycarbonate other than SiN x .

【0023】この絶縁膜6上にインジウム錫酸化物(I
TO)薄膜を堆積し、フォトリソグラフィ工程、および
ウェットエッチング工程を行い、画素電極10および接
続部13を形成する(工程112)。画素電極10はコ
ンタクトホール7を介してTFT20のドレイン電極9
と接続される(図5参照)。接続部13はコンタクトホ
ール70および72を介して共通電極11と第1共通電
極信号供給線12とを接続する(図2参照)。以上のよ
うにしてアクティブマトリクス基板200を作製する。
On the insulating film 6, indium tin oxide (I
(TO) A thin film is deposited, and a photolithography step and a wet etching step are performed to form the pixel electrode 10 and the connection portion 13 (step 112). The pixel electrode 10 is connected to the drain electrode 9 of the TFT 20 through the contact hole 7.
(See FIG. 5). The connection part 13 connects the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 12 via the contact holes 70 and 72 (see FIG. 2). The active matrix substrate 200 is manufactured as described above.

【0024】さらに、当業者に公知の方法で対向基板4
00を作製し、アクティブマトリクス基板200と対向
基板400との間に液晶層300を挟持して液晶表示装
置600を完成する。
Further, the counter substrate 4 is formed by a method known to those skilled in the art.
The liquid crystal display device 600 is completed by sandwiching the liquid crystal layer 300 between the active matrix substrate 200 and the counter substrate 400.

【0025】上述のような製造方法によって作製された
液晶表示装置600において、共通電極11は、その第
1端部22近傍で、第1共通電極信号供給線12とオー
バーラップするように形成され、共通電極11と第1共
通電極信号供給線12とはその間に挟まれる絶縁膜3を
誘電体とした容量結合構造を形成する。従って、第1共
通電極信号供給線12が形成されたとき(図6の工程1
08)に、基板1に帯電が生じても、共通電極11の第
1端部22に帯電量が集中しにくく、共通電極11と第
1共通電極信号供給線12との間に設けられた絶縁膜3
に生じる電界強度が抑制される。よって、共通電極11
と第1共通電極信号供給線12との間で放電が生じるこ
とがないので、絶縁膜3、共通電極11および第1共通
電極信号供給線12が熱破壊することがない。
In the liquid crystal display device 600 manufactured by the above-described manufacturing method, the common electrode 11 is formed so as to overlap the first common electrode signal supply line 12 near the first end 22 thereof. The common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 12 form a capacitive coupling structure using the insulating film 3 interposed therebetween as a dielectric. Therefore, when the first common electrode signal supply line 12 is formed (Step 1 in FIG. 6).
08), even if the substrate 1 is charged, the amount of charge hardly concentrates on the first end portion 22 of the common electrode 11, and the insulation provided between the common electrode 11 and the first common electrode signal supply line 12 is provided. Membrane 3
Is suppressed. Therefore, the common electrode 11
Since no discharge occurs between the first common electrode signal supply line 12 and the first common electrode signal supply line 12, the insulating film 3, the common electrode 11, and the first common electrode signal supply line 12 are not thermally damaged.

【0026】本実施例においては、共通電極11は同一
工程(図6の工程102)で形成された(すなわち同層
の)第2共通電極信号供給線8を有し、櫛型電極を形成
するように示されているが、共通電極および共通電極に
電位信号を供給する共通電極信号供給線の形状はこれに
限られない。例えば、第2共通電極信号供給線8を形成
しないで、第1共通電極信号供給線12からのみ共通電
極11に電位信号を供給してもよい。また、画素電極1
0に接続されるスイッチング素子にはTFT20に限ら
ず、MIM素子およびバリスタなどが使用され得る。
In this embodiment, the common electrode 11 has the second common electrode signal supply line 8 formed in the same step (step 102 in FIG. 6) (that is, in the same layer) to form a comb-shaped electrode. However, the shapes of the common electrode and the common electrode signal supply line for supplying a potential signal to the common electrode are not limited to this. For example, the potential signal may be supplied to the common electrode 11 only from the first common electrode signal supply line 12 without forming the second common electrode signal supply line 8. Also, the pixel electrode 1
The switching element connected to 0 is not limited to the TFT 20, but may be an MIM element, a varistor, or the like.

【0027】[0027]

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、製造
工程において放電により絶縁破壊されることが抑制され
た、歩留まり良く製造可能な液晶表示装置を提供するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device which can be manufactured with a high yield, in which dielectric breakdown due to electric discharge is suppressed in the manufacturing process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の液晶表示装置に含まれるアクティブ
マトリクス基板の一例を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view illustrating an example of an active matrix substrate included in a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】 図1のA−A’線に対応する液晶表示装置の
断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along line AA ′ of FIG.

【図3】 従来の液晶表示装置に含まれるアクティブマ
トリクス基板の部分平面図。
FIG. 3 is a partial plan view of an active matrix substrate included in a conventional liquid crystal display device.

【図4】 図3のB−B’ 線に対応する液晶表示装置
の断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along the line BB ′ of FIG.

【図5】 図1および図3のC−C’ 線に対応する液
晶表示装置の断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along the line CC ′ in FIGS. 1 and 3;

【図6】 本発明液晶表示装置の製造方法を説明する
図。
FIG. 6 is a diagram illustrating a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 走査信号供給線 3 絶縁膜 4 半導体層 5 映像信号供給線 6 絶縁膜 7、70、72 コンタクトホール 8 第1共通電極信号供給線 9 ドレイン電極 10 画素電極 11、56 共通電極 12 第2共通電極信号供給線 13 接続部 20 TFT 22 第1端部 24 第2端部 32 ゲート電極 35 ソース電極 100、200 アクティブマトリクス基板 300 液晶層 400 対向基板 600、700 液晶表示装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Scanning signal supply line 3 Insulating film 4 Semiconductor layer 5 Video signal supply line 6 Insulating film 7, 70, 72 Contact hole 8 First common electrode signal supply line 9 Drain electrode 10 Pixel electrode 11, 56 Common electrode 12 Second Common electrode signal supply line 13 Connection part 20 TFT 22 First end 24 Second end 32 Gate electrode 35 Source electrode 100, 200 Active matrix substrate 300 Liquid crystal layer 400 Opposite substrate 600, 700 Liquid crystal display device

フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA14 JB24 JB32 JB33 JB56 JB64 JB79 KB04 KB25 NA14 5C094 AA42 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 FB15 GB10 Continuation of the front page F term (reference) 2H092 GA14 JB24 JB32 JB33 JB56 JB64 JB79 KB04 KB25 NA14 5C094 AA42 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 FB15 GB10

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の基板間に液晶層が挟持されてな
り、該一対の基板の一方が、行列状に配列された画素電
極と、該画素電極の各行にそれぞれ対応して設けられ該
各行の該画素電極のそれぞれと対向して蓄積容量を形成
する共通電極と、を有し、該共通電極が第1共通電極信
号供給線と電気的に接続されてなる液晶表示装置であっ
て、 該共通電極と該第1共通電極信号供給線とが電気的に分
離しているときにおける、該共通電極の該第1共通電極
信号供給線と近接する第1端部での帯電量集中を抑制す
るように、該共通電極の該第1端部近傍で該共通電極と
該第1共通電極信号供給線とが絶縁膜を介してオーバー
ラップする液晶表示装置。
1. A liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates. One of the pair of substrates is provided so as to correspond to pixel electrodes arranged in a matrix and each row of the pixel electrodes. A common electrode facing each of the pixel electrodes to form a storage capacitor, wherein the common electrode is electrically connected to a first common electrode signal supply line, When the common electrode and the first common electrode signal supply line are electrically separated from each other, the charge amount concentration at the first end of the common electrode close to the first common electrode signal supply line is suppressed. As described above, the liquid crystal display device in which the common electrode and the first common electrode signal supply line overlap with each other near the first end of the common electrode via an insulating film.
【請求項2】 前記共通電極が該共通電極と同一工程に
おいて形成された第2共通電極信号供給線をさらに有
し、該共通電極の第2端部が該第2共通電極信号供給線
に接続された櫛型形状をなす請求項2記載の液晶表示装
置。
2. The common electrode further includes a second common electrode signal supply line formed in the same step as the common electrode, and a second end of the common electrode is connected to the second common electrode signal supply line. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein said liquid crystal display device has a comb shape.
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