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JP2001253769A - 酸化物磁性材料、この酸化物磁性材料を使用したチップ部品及び酸化物磁性材料の製造方法とチップ部品の製造方法 - Google Patents

酸化物磁性材料、この酸化物磁性材料を使用したチップ部品及び酸化物磁性材料の製造方法とチップ部品の製造方法

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JP2001253769A
JP2001253769A JP2000068199A JP2000068199A JP2001253769A JP 2001253769 A JP2001253769 A JP 2001253769A JP 2000068199 A JP2000068199 A JP 2000068199A JP 2000068199 A JP2000068199 A JP 2000068199A JP 2001253769 A JP2001253769 A JP 2001253769A
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oxide magnetic
less
sintered body
inductance
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卓也 小野
Ko Ito
綱 伊藤
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】母材の主成分と反応しても電磁気特性の劣化が
最小であり、さらにインダクタンスの温度特性の劣化が
最小となる添加物を添加することにより、非常に低い焼
成温度で内部導体の安定性を図ることは勿論のこと、1
00MHz以上の高周波帯域における特性が優れたNi
−Cu−Zn系酸化物磁性材料を提供すること。 【解決手段】このため、本発明の酸化物磁性材料では、
モル%で、Fe2 3 が35.0〜51.0%、CuO
が1.0〜35.0%、NiOが38.0〜64.0%
及びZnOが0〜10.0%(0を含む)からなること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップインダクタ
ー、チップビーズのようなチップ部品、または、バルク
型インダクターのような電磁波の遮蔽部品等に使用され
る酸化物磁性材料とその製造方法、及びこの酸化物磁性
材料を使用したバルク型コイル部品や積層型コイル部品
とその製造方法に関する。より詳しくは、チップ部品の
内部導体に用いるAgの融点以下において焼成が可能で
あり、優れた高周波特性を有する酸化物磁性材料及びそ
れを用いたバルク型またはチップ型インダクターの製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】今日の電子・通信機器の著しい発展は電
子部品の小型化、薄膜化及び実装性の改良等が基礎とな
って新しい産業構造を構築しているが、このような産業
構造の発展は、以前には無視することのできた新しい問
題点、即ち環境および通信障害等を誘発することによっ
て、社会的問題を生じさせる両面性を持つようになっ
た。
【0003】特に無線通信機器が一般に常用されること
により悪化した電磁気環境に関する各国の電磁気障害規
制が強化されることにより、例えば有害な電波を出さな
いようにした電磁波障害除去(EMI/EMC)素子に
対する開発が要求され、その部品の需要が急増すると共
に、磁気特性と温度特性等の機能の複雑化、高集積化及
び周波数帯域が広い等の高効率化へと発展している。
【0004】その際に、電磁波障害除去素子用または電
力用トランスのような電子部品などの素材として使用さ
れる酸化物磁性材料の適用範囲も特性別、例えば周波数
帯域別に細分化され、その製造方法も従来の粉末冶金学
的な製造方法から積層型部品製造方法の研究が活発に進
められ、実用化されており、今日、セラミック電子部品
製造分野に小型チップ部品の製造技術として定着するよ
うになった。
【0005】一般的にチップインダクター、チップLC
フィルター及びチップトランス等のチップ部品に用いら
れる酸化物磁性材料は、高いインダクタンスを必要とし
ており、そのような酸化物磁性材料では、Mn−Znフ
ェライト、Niフェライト、Ni−Znフェライト又は
Ni−Cu−Znフェライト等をあげることができる。
【0006】Mn−Znフェライトの場合、透磁率が高
く電力損失が非常に少ないため、電源用トランスコア、
電力ライン用フィルター等の磁芯材料に用いられるが、
高周波特性が低いために1MHz以上の周波数帯域では
適用するのが難しい短所がある。現在このような高周波
帯域において用いられる磁芯材料としては、Niフェラ
イト、Ni−ZnフェライトまたはNi−Cu−Znフ
ェライト等が適用されている。
【0007】一方、上記酸化物磁性材料を製造する従来
の方法は、焼成の工程が約1000〜1400℃で1〜
5時間程度で行われる。しかし積層型チップインダクタ
ー等の電子部品の内部導体は普通Ag電極を用いるが、
上記のような焼成温度は内部導体のAgの溶融点(96
0℃)を超えており、非常に高い温度条件で製造した部
品はAgが溶解するために高周波において損失が非常に
大きいという短所を持っているために、要求されるイン
ダクタンスを実現するのが非常に難しいという問題点が
ある。
【0008】そこで焼成温度を下げて高周波における損
失の少ないチップを得るために用いる添加物として、C
oOが一般的に常用されている(特開平9−63826
号公報)。しかしCoOはその添加量に比例してインダ
クタンスの温度特性を劣化させ、製品の信頼性に影響を
及ぼすという問題があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
の問題点を解決するために、母材の主成分と反応しても
電磁気特性の劣化が最小であり、さらにインダクタンス
の温度特性の劣化が最小となる添加物を添加することに
より、非常に低い焼成温度で内部導体の安定性を図るこ
とは勿論のこと、100MHz以上の高周波帯域におけ
る特性が優れたNi−Cu−Zn系酸化物磁性材料、こ
の酸化物磁性材料を使用したチップ部品及び酸化物磁性
材料の製造方法とチップ部品の製造方法を提供すること
を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明では下記(1)〜(9)の酸化物磁性材料、この
酸化物磁性材料を使用したチップ部品及び酸化物磁性材
料の製造方法とチップ部品の製造方法を提供する。
【0011】(1)モル%で、Fe2 3 が35.0〜
51.0%、CuOが1.0〜35.0%、NiOが3
8.0〜64.0%及びZnOが0〜10.0%(0を
含む)からなる酸化物磁性材料を特徴とする。
【0012】(2)前記(1)に記載された酸化物磁性
材料において、Caを0.3wt%以下(0は含まず)
含有することを特徴とする。
【0013】(3)前記(2)に記載された酸化物磁性
材料において、CoOを0.7wt%以下(0は含ま
ず)含有することを特徴とする。
【0014】(4)酸化物磁性材料の製造方法におい
て、モル%で、Fe2 3 が35.0〜51.0%、C
uOが1.0〜35.0%、NiOが38.0〜64.
0%及びZnOが0〜10.0%(0を含む)からなる
酸化物磁性材料に、Ca3 (PO4 2 を0.5wt%
以下(0は含まず)含有させ焼成することを特徴とす
る。
【0015】(5)前記(4)に記載された酸化物磁性
材料の製造方法において、CoOを0.7wt%以下含
有させ焼成することを特徴とする。
【0016】(6)チップ部品において、モル%で、F
2 3 が35.0〜51.0%、CuOが1.0〜3
5.0%、NiOが38.0〜64.0%、ZnOが0
〜10.0%(0を含む)からなる酸化物磁性材料又は
これにCaを0.3wt%以下(0は含まず)含有す
る、又はCaを0.3wt%以下(0は含まず)及びC
oOを0.7wt%以下(0は含まず)含有する酸化物
磁性材料の焼結体を用い、バルク型コイル部品を構成し
たことを特徴とする。
【0017】(7)チップ部品において、モル%で、F
2 3 が35.0〜51.0%、CuOが1.0〜3
5.0%、NiOが38.0〜64.0%、ZnOが0
〜10.0%(0を含む)からなる酸化物磁性材料又は
これにCaを0.3wt%以下(0は含まず)含有す
る、又はCaを0.3wt%以下(0は含まず)及びC
oOを0.7wt%以下(0は含まず)含有する酸化物
磁性材料の焼結体を用い、かつ焼結体内に導電体層を有
して積層型コイル部品を構成したことを特徴とする。
【0018】(8)前記(7)に記載されたチップ部品
において、内部導体がAgまたはAgとPdの合金を主
成分とした導体で構成されたことを特徴とする。
【0019】(9)チップ部品の製造方法において、モ
ル%で、Fe2 3 が35.0〜51.0%、CuOが
1.0〜35.0%、NiOが38.0〜64.0%、
ZnOが0〜10.0%(0を含む)からなる酸化物磁
性材料又はこれにCaを0.3wt%以下(0は含ま
ず)含有する、又はCaを0.3wt%以下(0は含ま
ず)及びCoOを0.7wt%以下(0は含まず)含有
する酸化物磁性材料の焼結体を用い、かつ焼結体内に導
電体層又は導電体としてAg又はAgとPdの合金を主
成分とした導体を用いたチップ部品の製造方法におい
て、粉砕された酸化物磁性材料と内部導体とを880℃
〜920℃で焼成することを特徴とする。これにより下
記の作用効果を奏することができる。
【0020】(1)使用する高周波帯域100MHz以
上において、初透磁率の小さい、焼結体密度が大きく、
渦電流損失の少ない、低温焼成可能な酸化物磁性体を得
ることができる。
【0021】(2)Caを0.3wt%以下添加させた
ことにより、初透磁率の低い、焼結体密度の大きいイン
ダクタンスの温度特性の良好な酸化物磁性体を得ること
ができる。
【0022】(3)Caを0.3wt%以下添加させ、
さらにCoOを0.7wt%以下添加させることによ
り、初透磁率の小さい、焼結体密度の大きな、インダク
タンスの温度特性の良好な酸化物磁性体を得ることがで
きる。
【0023】(4)Ca3 (PO4 2 を0.5wt%
以下添加させることにより、初透磁率の低い、焼結体密
度の大きい、インダクタンスの温度特性の良好な酸化物
磁性体を得ることができる。
【0024】(5)Ca3 (PO4 2 の他に更にCo
Oを0.7wt%以下添加させたので、更に初透磁率の
低い、焼結体密度の大きい、インダクタンスの温度特性
の良好な酸化物磁性体を得ることができる。
【0025】(6)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な酸化物磁性体に
よりチップ部品を構成したので、これらの各特性の良好
なすぐれたチップ部品を提供することができる。
【0026】(7)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な焼成温度の低い
酸化物磁性体により積層型コイル部品を構成したので、
これらの各特性の良好なインダクタンスの品質係数Qの
すぐれた積層型コイル部品を提供することができる。
【0027】(8)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な、焼成温度の低
い酸化物磁性体を使用し、内部導体がAgまたはAg・
Pd合金を主成分とした導体でチップ部品を構成したの
で、これらの各特性の良好なインダクタンスの品質係数
Qのすぐれたチップ部品を提供することができる。
【0028】(9)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な酸化物磁性体を
使用し、AgまたはAg・Pd合金を主成分とした導体
を内部導体とし、880℃〜920℃の温度で焼成して
チップ部品を製造するので、これらの各特性の良好な、
しかもインダクタンスの品質係数Qのすぐれたチップ部
品を製造することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態を説明
する。磁性材料は一般的にその組成により周波数帯域に
よる特性が異なっている。本発明においては、使用する
高周波帯域100MHz以上において、適合するNi−
Cu−Znフェライトは、ZnOの成分が少なく、相対
的にNiO成分が多い軟磁性フェライトを使用する。
【0030】本発明の一実施の形態では、Ni−Cu−
Zn系酸化物磁性材料において、モル%で、Fe2 3
が35.0〜51.0%、CuOが1.0〜35.0
%、NiOが38.0〜64.0%及びZnOが0〜1
0.0%の酸化物磁性材料を提供するものである。
【0031】また透磁率や焼結体密度、インダクタンス
の温度特性等の特性に影響しない程度であれば、不純物
としてSi、Al、B、Mn、Mg、Ba、Sr、B
i、Pb、W、V、Mo等を含有してもよい。
【0032】これにより、初透磁率が25以下で、焼結
体密度が、4.75g/cm3 以上で、インダクタンス
の温度特性が±20%以内の特性を有する酸化物磁性材
料が得られる。
【0033】主相をなすFe2 3 は35.0モル%よ
り少ないと焼結密度が4.75g/cm3 以下となり、
また51.0モル%を超えると電気抵抗率が低下して渦
電流損失が増加するため磁気損失の増加につながる。
【0034】CuOは低温焼結を促進させる効果があ
り、その意味では増量するとよいが、35.0モル%を
超えると結晶粒界に異相として折出し、粒界ストレスが
発生してインダクタンスの温度特性が劣化する。またC
uOが1モル%以下では焼結体密度が劣化する。
【0035】ZnOは初透磁率に影響する。周波数特性
は初透磁率に依存し、求められる周波数帯域が高くなる
ほど初透磁率は低く抑えることが必要となる。初透磁率
は好ましくは25以下、より好ましくは18以下、さら
に好ましくは13以下である。初透磁率はZnOの含有
量に比例して高くなるため、100MHz〜500MH
z以上の帯域にて使用される酸化物磁性材料において
は、ZnOは10モル%以下である。
【0036】したがって相対的に残部を置換するNiO
を38.0〜64.0モル%にする必要がある。
【0037】更に本発明は、前記Ni−Cu−Zn系酸
化物磁性材料において、すなわち、モル%でFe2 3
が35.0〜51.0%、CuOが1.0〜35.0
%、NiOが38.0〜64.0%及びZnOが0〜1
0.0%からなる酸化物磁性材料において、Caを0.
3wt%以下含有させるか、Caを0.3wt%以下及
びCoOを0.7wt%以下含有させるか、Ca3 (P
4 2 を0.5wt%以下添加して焼成するか、Ca
3 (PO4 2 を0.5wt%以下及びCoOを0.7
wt%以下添加して焼成するものである。
【0038】本発明の実施例を説明する。Ni−Cu−
Znフェライトすなわち酸化物磁性材料の主成分とし
て、NiOが45.5モル%、CuOが6.0モル%、
ZnOが0モル%、Fe2 3 が48.5モル%からな
る組成のものを、媒体ビースとして直径3mmの部分安
定化ジルコニア(Partially Stabili
zed Zirconia:PSZ)を使用して、湿式
内部循環方式のメディア攪拌型ミルにより湿式で混合
し、乾燥した後に780°にて仮焼成した。
【0039】次にこの仮焼成物を媒体ビースであるPS
Zを用い、再び湿式内部循環方式のメディア攪拌型ミル
により湿式で仮焼成物の濃度を33%とし微粉砕した。
この際、上記の仮焼した粉末にCoO、Ca3 (P
4 2 、Ca、Pを表1に示す如く、選択、添加した
ものを粉砕した。なお表1において、CoO、Ca、P
はCo3 4 、CaCO3 、P2 5 を添加したものを
示す。
【0040】材料の平均粒径が0.5μm、すなわち比
表面積が8m2 /gとなったところで乾燥し、最終粉末
を得た。
【0041】この乾燥粉末を、ふるいを通して均一な粒
子として取り出した後に、これにバインダーとしてPV
A124の3%水溶液を10wt%加えて造粒し、後述
の測定条件により所定の形状に成形し、得られた成形体
を空気中で910℃で2時間焼成して作成した。
【0042】
【表1】
【0043】表1のサンプル1は、前記仮焼し、微粉砕
した主成分に、添加物を加えずに、前記と同様に造粒、
成形して、空気中で910℃で2時間焼成したものであ
る。
【0044】サンプル2〜サンプル4は、前記仮焼し、
微粉砕した主成分に、添加物としてCo3 4 をCoO
換算で表1に示す添加量だけ加えて、前記と同様に造
粒、成形、焼成したものである。
【0045】サンプル5〜サンプル10は、前記仮焼
し、微粉砕した主成分に添加物としてCaCO3 をCa
換算で表1に示す添加量だけ加えて、前記と同様に造
粒、成形、焼成したものである。
【0046】サンプル11〜サンプル13は、前記仮焼
し、微粉砕した主成分に添加物としてP2 5 をP換算
で表1に示す量の添加量だけ加えて、前記と同様に造
粒、成形、焼成したものである。
【0047】サンプル14〜19は、前記仮焼し、微粉
砕した主成分に添加物としてCa3(PO4 2 を表1
に示す添加量だけ加えて、前記と同様に造粒、成形、焼
成したものである。なお、例えばサンプル18に示す如
く、Ca3 (PO4 2 を0.5wt%添加したとき、
焼成後は酸化物磁性材料中にCaが0.2wt%、Pが
0.1wt%存在する。
【0048】サンプル20、21は、前記仮焼し、微粉
砕した主成分に添加物としてCo34 とCaCO3
CoO及びCa換算で表1に示す添加量だけ加えて、前
記と同様に造粒、成形、焼成したものである。
【0049】サンプル22〜26は、前記仮焼し、微粉
砕した主成分に添加物としてCo34 とCa3 (PO
4 2 を、Co3 4 についてはCoO換算で表1に示
す添加量だけCa3 (PO4 2 については表1に示す
添加量だけ複合して加えて、前記と同様に造粒、成形、
焼成したものである。
【0050】磁性材料としての評価は、表1に示す初透
磁率と、見かけ密度と、インダクタンスの温度特性を評
価することにより行った。
【0051】初透磁率とインダクタンスの温度特性の測
定は、外径18mm、内径10mm、高さ3.1mmの
トロイダル型となるように成形し、空気中で前記所定温
度にて焼成し、ワイヤーを20回巻いて実際にコイルを
作製し、インピーダンスアナライザ(ヒューレットパッ
カード社製4291A)により、磁界を0.4A/m印
加し、100KHzのインダクタンスを測定し、形状か
ら得られた定数から算出して初透磁率を求めた。
【0052】ここで初透磁率は焼結体の高周波特性をみ
るためのものである。そして初透磁率が低い程ピーク周
波数は高周波側へシフトする。本発明の条件を満たすと
ころとなる周波数帯域での特性を得られる初透磁率は好
ましくは25以下(100MHz帯)、より好ましくは
18以下(300MHz帯)、さらに好ましくは13以
下(500MHz〜)である。
【0053】インダクタンスの温度特性は、焼結体の特
性測定時に、20℃でのインダクタンス値Lを基準に、
−20と+80℃とに温度を変化させ、得られた各温度
での基準インダクタンス値Lとの変化率(ΔL/L)よ
り求めた、インダクタンスの温度特性はそのまま信頼性
へ関わるため、可能な限り変化率を抑える必要がある。
信頼性を確保できるインダクタンスの温度特性は好まし
くは±20%以内、より好ましくは±15%以内であ
る。
【0054】見かけ密度は焼結体の寸法から体積を求
め、その質量をこの体積で除算して求めた。ここで見か
け密度は焼結体の焼結性の良し悪しを見るためのもので
ある。見かけ密度が低いことは焼結体内部の空孔が多い
ことを示すものであり、素子化した場合において、高い
温湿度での使用により、この空孔の存在が原因となって
ショート不良等の信頼性に影響を及ぼしたり、物理的強
度が脆弱となるという問題が生じる。このような問題が
生じない見かけ密度は、一般にNi−Cu−Znフェラ
イトの理論密度5.24g/cm3 の90%以上となる
4.75g/cm 3 以上である。
【0055】以上より下記のことが明らかである。
【0056】サンプル1、すなわち本発明の基本組成の
ものは、前記の如く、初透磁率が25以下と小さく、焼
結体密度が4.75g/cm3 以上の大きな値であっ
て、しかもインダクタンスの温度特性が±20%以下の
特性を有するものである。
【0057】サンプル2〜4に示す如く、基本組成にC
oOを単体で添加してもインダクタンスの温度特性が大
きく、本発明の範囲外となる。
【0058】サンプル5〜9に示す如く、Caが0.3
wt%以下の(0を含まず)の場合、初透磁率、焼結体
密度、インダクタンスの温度特性等は前記所定の値を満
たすものとなるが、サンプル10に示す如く、Caが
0.3wt%を超えると焼結体密度が小さくなり、所定
の値を満たさないものとなる。
【0059】サンプル11〜13に示す如く、Pを単体
で添加しても焼結体密度が小さく、所定の値を満たさな
い。
【0060】サンプル14〜18に示す如く、Ca
3 (PO4 2 を0.5wt%以下(0を含まず)添加
させ焼成する場合、初透磁率、焼結体密度、インダクタ
ンスの温度特性等は所定の値を満たすものとなるが、サ
ンプル19に示す如く、Ca3 (PO4 2 の添加量が
0.5wt%を超えると焼結体密度が小さく所定の値を
満たさない。
【0061】サンプル20、21に示す如く、Caを
0.3wt%以下含有させたものにCoOを0.7wt
%以下含有させることにより初透磁率の小さい、焼結体
密度の大きな、インダクタンスの温度特性の良好なもの
を得る。
【0062】サンプル22〜25に示す如く、Ca
3 (PO4 2 を0.5wt%以下添加しているときで
CoOを0.7wt%以下含有させる場合、初透磁率、
焼結体密度、インダクタンスの温度特性等は所定の値を
満たすものとなるが、サンプル26に示す如く、CoO
が0.7wt%を超えると焼結体密度が所定の値より小
さくなり、またインダクタンスの温度特性が大きくなっ
て所定の値を超えるものとなり、所定の値を満たすもの
とはならない。
【0063】なお本発明によるバルク型コイル用のコア
は、前記の如く、仮焼成し、湿式粉砕した酸化物磁性材
料にバインダーを加え、造粒した後に所定の形成に成
形、加工し、空気中で900〜1300℃程度で焼成し
て作る。なおこのコアは、焼成後に加工してもよい。そ
してこのコアに、例えばAu、Ag、Cu、Fe、P
t、Sn、Ni、Pb、Al、Coまたはこれらの合金
からなるワイヤを巻いて作成する。
【0064】一方、積層型コイルは、通常の手法であ
る、酸化物磁性材料からなる磁性体層ペーストと内部導
電体層とを、印刷法やドクターブレード法の如き厚膜技
術により積層し一体化した後、焼成し、得られた焼結体
表面に外部電極用ペーストを印刷し、焼き付けることに
より製造される。内部導電体用ペーストは、通常、導電
性素子とバインダーと溶剤とを含有する。導電性素子の
材質は、インダクタの品質係数Qが向上するという理由
から、AgまたはAg・Pd合金が好適である。焼成条
件や焼成雰囲気は磁性体や導電性素子の材質等に応じて
適宜決定すればよいが、焼成温度は好ましくは800〜
950℃、より好ましくは880〜920℃程度であ
る。焼成温度が880℃未満の場合は焼結不足になり易
いので長時間焼成することが必要となり、920℃を超
えるとフェライト中に電極材料が拡散し易く、チップの
電磁気的特性を悪化させるので、短時間焼成することに
なる。800℃未満では焼結不良となり、950℃を超
えると電極材料が拡散する。なお焼成時間は880〜9
20℃で5分〜3時間程度である。
【0065】
【発明の効果】本発明により下記の効果を奏することが
できる。
【0066】(1)使用する高周波帯域100MHz以
上において、初透磁率の小さい、焼結体密度が大きく、
渦電流損失の少ない、低温焼成可能な酸化物磁性体を得
ることができる。
【0067】(2)Caを0.3wt%以下添加させた
ことにより、初透磁率の低い、焼結体密度の大きいイン
ダクタンスの温度特性の良好な酸化物磁性体を得ること
ができる。
【0068】(3)Caを0.3wt%以下添加させ、
さらにCoOを0.7wt%以下添加させることによ
り、初透磁率の小さい、焼結体密度の大きな、インダク
タンスの温度特性の良好な酸化物磁性体を得ることがで
きる。
【0069】(4)Ca3 (PO4 2 を0.5wt%
以下添加させることにより、初透磁率の低い、焼結体密
度の大きい、インダクタンスの温度特性の良好な酸化物
磁性体を得ることができる。
【0070】(5)Ca3 (PO4 2 の他に更にCo
Oを0.7wt%以下添加させたので、更に初透磁率の
低い、焼結体密度の大きい、インダクタンスの温度特性
の良好な酸化物磁性体を得ることができる。
【0071】(6)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な酸化物磁性体に
よりチップ部品を構成したので、これらの各特性の良好
なすぐれたチップ部品を提供することができる。
【0072】(7)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な焼成温度の低い
酸化物磁性体により積層型コイル部品を構成したので、
これらの各特性の良好なインダクタンスの品質係数Qの
すぐれた積層型コイル部品を提供することができる。
【0073】(8)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な、焼成温度の低
い酸化物磁性体を使用し、内部導体がAgまたはAg・
Pd合金を主成分とした導体でチップ部品を構成したの
で、これらの各特性の良好なインダクタンスの品質係数
Qのすぐれたチップ部品を提供することができる。
【0074】(9)初透磁率の低い、焼結体密度の大き
い、インダクタンスの温度特性の良好な酸化物磁性体を
使用し、AgまたはAg・Pd合金を主成分とした導体
を内部導体とし、880℃〜920℃の温度で焼成して
チップ部品を製造するので、これらの各特性の良好な、
しかもインダクタンスの品質係数Qのすぐれたチップ部
品を製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G002 AA06 AA08 AA10 AB01 AE02 4G018 AA01 AA23 AA24 AA25 AC12 4G048 AA03 AB05 AC03 AE05 5E041 AA11 AA19 BD01 CA10 HB03

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】モル%で、Fe2 3 が35.0〜51.
    0%、CuOが1.0〜35.0%、NiOが38.0
    〜64.0%及びZnOが0〜10.0%(0を含む)
    からなることを特徴とする酸化物磁性材料。
  2. 【請求項2】請求項1に記載された酸化物磁性材料にお
    いて、Caを0.3wt%以下(0は含まず)含有する
    ことを特徴とする酸化物磁性材料。
  3. 【請求項3】請求項2に記載された酸化物磁性材料にお
    いて、CoOを0.7wt%以下(0は含まず)含有す
    ることを特徴とする酸化物磁性材料。
  4. 【請求項4】モル%で、Fe2 3 が35.0〜51.
    0%、CuOが1.0〜35.0%、NiOが38.0
    〜64.0%及びZnOが0〜10.0%(0を含む)
    からなる酸化物磁性材料に、Ca3 (PO4 2 を0.
    5wt%以下(0は含まず)含有させ焼成することを特
    徴とする酸化物磁性材料の製造方法。
  5. 【請求項5】請求項4に記載された酸化物磁性材料の製
    造方法において、CoOを0.7wt%以下含有させ焼
    成することを特徴とする酸化物磁性材料の製造方法。
  6. 【請求項6】モル%で、Fe2 3 が35.0〜51.
    0%、CuOが1.0〜35.0%、NiOが38.0
    〜64.0%、ZnOが0〜10.0%(0を含む)か
    らなる酸化物磁性材料又はこれにCaを0.3wt%以
    下(0は含まず)含有する、又はCaを0.3wt%以
    下(0は含まず)及びCoOを0.7wt%以下(0は
    含まず)含有する酸化物磁性材料の焼結体を用い、バル
    ク型コイル部品を構成したことを特徴とするチップ部
    品。
  7. 【請求項7】モル%で、Fe2 3 が35.0〜51.
    0%、CuOが1.0〜35.0%、NiOが38.0
    〜64.0%、ZnOが0〜10.0%(0を含む)か
    らなる酸化物磁性材料又はこれにCaを0.3wt%以
    下(0は含まず)含有する、又はCaを0.3wt%以
    下(0は含まず)及びCoOを0.7wt%以下(0は
    含まず)含有する酸化物磁性材料の焼結体を用い、かつ
    焼結体内に導電体層を有して積層型コイル部品を構成し
    たことを特徴とするチップ部品。
  8. 【請求項8】請求項7に記載のチップ部品において、内
    部導体がAgまたはAgとPdの合金を主成分とした導
    体で構成されたことを特徴とするチップ部品。
  9. 【請求項9】モル%で、Fe2 3 が35.0〜51.
    0%、CuOが1.0〜35.0%、NiOが38.0
    〜64.0%、ZnOが0〜10.0%(0を含む)か
    らなる酸化物磁性材料又はこれにCaを0.3wt%以
    下(0は含まず)含有する、又はCaを0.3wt%以
    下(0は含まず)及びCoOを0.7wt%以下(0は
    含まず)含有する酸化物磁性材料の焼結体を用い、かつ
    焼結体内に導電体層又は導電体としてAg又はAgとP
    dの合金を主成分とした導体を用いたチップ部品の製造
    方法において、粉砕された酸化物磁性材料と内部導体と
    を880℃〜920℃で焼成することを特徴とするチッ
    プ部品の製造方法。
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