JP2001250275A

JP2001250275A - 表面再生型光記録媒体

Info

Publication number: JP2001250275A
Application number: JP2000060367A
Authority: JP
Inventors: Koyata Takahashi; 小弥太高橋; Keiichiro Nishizawa; 恵一郎西澤
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 2000-03-01
Filing date: 2000-03-01
Publication date: 2001-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】書き換え可能なヘッダー領域と、案内溝が形
成されたデータ領域を備えた表面再生型光記録媒体にお
いて、ＳＮＲを低下させることなく浮上型ＳＩＬヘッド
の振動を抑制し、安定な浮上性を得る。【解決手段】ヘッダー領域にも案内溝を形成するとと
もに、ヘッダー領域の案内溝をデータ領域の案内溝より
浅く形成する。また、基板の、ヘッダー領域の案内溝の
底及びヘッダー領域の記録面の表面粗さ（Ｒａ）を０．
５ｎｍ以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
記録媒体、特に、浮上型光ヘッドによりレーザービーム
を照射することにより情報の記録、再生及び消去を行な
う表面再生型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体や相変化記録媒体などの
光記録媒体は大容量・高密度記録が可能な可搬型記録媒
体であり、近年のマルチメディア化に伴なうコンピュー
タの大容量ファイルや動画を記録する書き換え型メディ
アとして需要が急増しつつある。

【０００３】光記録媒体は一般にプラスチック等の透明
な円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成し、レーザ
ーを照射して記録、消去を行い、レーザーの反射光で再
生する。

【０００４】光磁気記録媒体は、従来、固定磁界を加え
て消去した後、反対方向の固定磁界を加えて記録するい
わゆる光変調記録が中心であったが、近年、レーザーを
照射しながら、磁界を記録パターンに従って変調させる
磁界変調方式が、１回転で記録（ダイレクトオーバーラ
イト）可能でしかも高記録密度になっても正確に記録で
きる方式として注目を浴びている。

【０００５】相変化記録媒体は、光変調記録によるダイ
レクトオーバーライトが可能で、ＣＤやＤＶＤと同じ光
学系で再生可能なため注目を浴びている。

【０００６】記録再生のためのレーザーは従来、基板を
通して記録膜に照射されていた。最近、光学ヘッドを記
録膜に近付けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録
が高密度化の手段として注目されている（Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。
この記録方法ではＳｏｌｉｄＩｍｍｅｒｓｉｏｎＬｅ
ｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用しレーザービー
ムスポットサイズを縮小することにより、光源のレーザ
ー波長（λ）によって決まる従来の記録限界（〜λ／２
ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より短いマークでの
記録再生が可能であり、超高記録密度の記録再生が実現
できる。この近接場光記録では光学ヘッドを記録媒体に
近付ける必要があるために（２０〜２００ｎｍ）、従来
の光記録媒体のように基板側から基板を通して記録膜に
レーザービームを照射するのではなく、記録膜側から直
接記録膜にレーザービームを照射する方法を用いる。光
記録媒体の表面から一定の距離にＳＩＬを保持してレー
ザービームを照射し、記録再生を行なうために浮上式の
ＳＩＬヘッドを利用することが提案されている。

【０００７】光記録媒体は、ヘッダーと呼ばれるプレピ
ット部分でアドレスを読み取りながらセクターごとに記
録再生を行う。また、トラックの半径が異なる場所への
光ヘッドの移動はシークと呼ばれるが、シークを高速に
行うためにシークしながらヘッダーのアドレス検出が可
能なグレーコードがヘッダーに用いられることもある。
光記録媒体への記録はＳＩＬヘッドにより、記録膜上に
なされる。記録された記録マークはＳＩＬヘッド下面か
ら一定の距離にあるものが読み取られるが、プレピット
ではＳＩＬヘッド下面からの高さの変化による反射率の
変化を読み取るため最適なフォーカスが異なる。また、
浮上型光ヘッドでシークを繰り返すとプレピットへ異物
がたまりエラーが増加する場合があった。そのため、表
面再生型光記録媒体では、ヘッダーを光磁気や相変化記
録のマークで形成することが考えられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述の表面再生型光記
録媒体の書換可能なヘッダーの読み取り性をよくするた
めには、基板上にヘッダー領域として案内溝のない平坦
な部分を形成し、この平坦な部分に書き込むことが考え
られる。しかしながら、浮上型光ヘッドをこのような媒
体表面で浮上させた場合には、わずかな異物や機械特性
のふらつきでヘッドが振動する現象がみられた。また、
媒体が光磁気記録媒体の場合にはヘッダー領域の記録マ
ークがデータ領域の記録マークに比べて不安定な現象が
みられた。本発明の目的はこのような表面再生型光記録
媒体の書換可能なヘッダーに伴う不安定性を改善するも
のである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成す
るに至った。

【００１０】すなわち、本発明は書き換え可能なヘッダ
ー領域と、案内溝が形成されたデータ領域を備えた表面
再生型光記録媒体であって、ヘッダー領域にデータ領域
より浅い案内溝が形成されていることを特徴とする表面
再生型光記録媒体である。

【００１１】図１に本発明の表面再生型光記録媒体の一
実施態様の模式図を示す。なお、図１は図を簡略にする
ため、セクター数を４として図示しているが、実際のセ
クター数は数十〜数百程度である。案内溝は螺旋状ある
いは同心円状に形成されている。案内溝はヘッダー領域
１１にある案内溝１３とデータ領域１２にある案内溝１
４で構成される。案内溝の形状は図１下部の斜視図に示
すが、溝深さについては、ヘッダー領域１１にある案内
溝１３の方が、データ領域１２にある案内溝１４より浅
く形成されている。このような浅い案内溝は、例えば、
基板の原盤（スタンパ）を作製するためのレーザーカッ
ティング工程でレーザーパワーをデータ部に比べて下げ
る事で形成される。この場合、案内溝形成のためのパワ
ーを下げることで溝幅が細くなるが、本発明は、ヘッダ
ー領域の案内溝をデータ領域の案内溝よりも浅く形成す
ることを特徴とするものであり、溝幅は必ずしも細く形
成する必要はない。これらの点は図４〜６でも同様であ
る。

【００１２】図２は本発明の表面再生型光記録媒体の一
実施態様の積層構造を模式的に示す部分断面図である。
基板２１上に、反射層２２、記録層２３、誘電体層２
４、固体潤滑層２５、ルブリカント層２６が積層されて
いる。

【００１３】基板２１としては機械特性などの媒体基板
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、エンジニアリングプラスチック等を用いることがで
きる。ガラスの場合は紫外線硬化樹脂と２P法で作製す
ることが可能である。

【００１４】薄膜の構造は本発明では特に限定されない
が、反射層２２はＡｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
それらを１種以上含む合金など反射率および熱伝導率の
高い金属で構成される。記録層２３はＴｂＦｅＣｏ、Ｎ
ｄＤｙＦｅＣｏなどの光磁気記録材料やＧｅＳｂＴｅや
ＡｇＩｎＳｂＴｅなどの相変化記録材料などが用いられ
る。記録層の保護のために上下にＧｅＮなどの保護層を
挿入してもよい。誘電体層２４は、使用するレーザー波
長で光学的に透明であれば、窒化ケイ素、窒化ゲルマニ
ウム、五酸化タンタル、窒化アルミニウム、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂などいずれも用いることは可能である。固体潤滑
層２５は、ダイヤモンドライクカーボンやＳｉＯ₂など
ＳＩＬヘッドの浮上性を確保することが可能な材料で、
使用するレーザー波長で光学的に透明な材料が用いられ
る。ルブリカント層２６は、潤滑性を確保するための液
体材料、主にパーフロロエーテル系の材料が好ましい。

【００１５】このような構成の積層構造の上面にＳＩＬ
ヘッドを浮上させ、フォーマット時にヘッダー領域１２
で記録層２３にヘッダー信号のマークを書き込む。書き
込みは光磁気記録の場合は、レーザーパルスを照射しな
がら磁界を変調させる光パルス磁界変調方式、相変化記
録の場合は光変調方式などが用いられる。

【００１６】ヘッダーは案内溝がない平坦な領域に書き
込んだ方がＳＮＲが高く低エラーレートが得られると考
えられるが、浮上ヘッドをこのような媒体表面で浮上さ
せた場合には、わずかな異物や機械特性のふらつきでヘ
ッドが振動する現象がみられる。

【００１７】このように浮上性が乱れやすい原因は案内
溝がない部分でのヘッドの浮上高さの変動や、ヘッドと
ディスクの接触面積が増えることによるスティクション
の増加であると考えられる。ヘッダー領域１１にデータ
領域１２に比べ浅い案内溝１３を形成することで高いＳ
ＮＲと浮上高さの変動およびスティクションの抑制が同
時に可能となる。

【００１８】データ領域の案内溝は良好なトラッキング
状態を得るために深さ３０ｎｍ以上が好ましく、記録デ
ータのＳＮＲの点から１００ｎｍ以下とすることが好ま
しい。ヘッダー領域の案内溝の深さは５ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下とすることでヘッダー領域のエラーレートを十分
低くすることが可能となり、好ましい。

【００１９】媒体が光磁気記録媒体の場合にはヘッダー
領域を案内溝のない平坦な領域にするとデータ領域に比
べて記録マークが低い再生パワーで消えやすくなる現象
がみられる。ヘッダー領域に案内溝をつけることでヘッ
ダー領域とデータ領域の記録マークの安定性が同等にな
る。

【００２０】さらに、ヘッダー領域の案内溝１３の底お
よびヘッダー領域のランド中央部の表面粗さ（Ｒａ）が
０．５ｎｍ以下である基板を使用することによりさらに
高いＳＮＲを得ることが可能で、案内溝のない平坦な領
域を使用した場合と同等のエラーレートが得られる。な
お、ヘッダー領域のランド中央部とは、ヘッダー領域
の、２本の案内溝に挟まれたディスク面（ランド）の中
央部分であり、その表面粗さ（Ｒａ）は周方向（案内溝
に沿う方向）に測定する。また、案内溝の底の表面粗さ
（Ｒａ）も周方向（案内溝に沿う方向）に測定する。こ
れらの表面粗さの測定には、例えばＡＦＭ（原子間力顕
微鏡）等を用いることができる。

【００２１】ところで、ヘッダー領域にヘッダー情報を
正確に書き込むためには、ヘッダー書き込みのトリガー
となる信号を発生する領域があることが好ましい。

【００２２】トリガー信号をデータ領域とヘッダー領域
の案内溝の深さの変化によるレーザー光の回折で得る場
合は、データ領域とヘッダー領域の案内溝の深さの差が
２０ｎｍ以上であることが好ましい。

【００２３】また、図４に模式的に示すようにデータ領
域４２とヘッダー領域４１の境界部に周方向の幅が２０
μｍ以内のミラー部（案内溝を形成していない領域）４
５を設けることにより、データ領域４２からヘッダー領
域４１にレーザービームが入った時の信号強度が高ま
る。ミラー部４５の幅を２０μｍ以内とすることでステ
ィクションは無視できるレベルとなる。

【００２４】図４に示す基板では、基板上に案内溝が螺
旋状あるいは同心円状に形成されている。案内溝はヘッ
ダー領域４１にある案内溝４３とデータ領域４２にある
案内溝４４で構成される。案内溝の形状は図４下部の斜
視図に示すが、溝深さについては、ヘッダー領域４１に
ある案内溝４３の方が、データ領域４２にある案内溝４
４より浅く形成されている。このような浅い案内溝は、
例えば、基板の原盤（スタンパ）を作製するためのレー
ザーカッティング工程でレーザーパワーをデータ部に比
べてヘッダー部より下げる事で形成される。この場合、
案内溝形成のためのパワーを下げることで溝幅が細くな
るが、本発明は、ヘッダー領域の案内溝をデータ領域の
案内溝よりも浅く形成することを特徴とするものであ
り、溝幅は必ずしも細く形成する必要はない。

【００２５】またさらに、トリガー信号強度を高めるた
めには、図５に示すようにヘッダー毎に書き込みのタイ
ミングをとるためのピットを１個以上有することが好ま
しい。図５では各々のピットがトラック間で分離してい
るが、このような分離したピットからのトリガー信号の
検出にはピットに入射した光の回折を用いることが可能
で、ピット幅は回折が起きやすいようにレーザービーム
径より十分細いことが好ましい。

【００２６】また、図６に示すように書き込みのタイミ
ングをとるためのピット６５を内周から外周に向かって
半径方向に繋がるようにすれば、ピットの底からの反射
光量とランドからの反射光量あるいはピットの底からの
反射光とランドからの反射光の位相の差を用いてトリガ
ー信号を得ることが可能である。ＳＩＬを使ったシステ
ムでは反射率あるいは位相の差は光の照射された平面と
ＳＩＬヘッドの底面の距離による多重干渉に依存する。
ピットの周方向の長さがビーム径より十分大きければ、
ピットが内周から外周に向かって半径方向に繋がること
により、回折が起こらなくなり、反射光量変化あるいは
位相差変化により十分な出力が得られる。

【００２７】また、図５および図６のようにピットの前
後に各々１０μｍ以内の幅のミラー部（案内溝を形成し
ていない領域）を設けることにより、スティクションは
無視できるレベルでトリガー信号強度が高まるので好ま
しい。

【００２８】シークを高速に行うためにシークしながら
ヘッダーのアドレス検出が可能なグレーコードを用いる
場合、ヘッダー領域は、ヘッドがリニアモーターで直線
的に動く場合は、半径方向で直線的に配置されているこ
とが好ましく、図７に示されるようにスイングアームで
円弧状に動く場合は、回転とシーク速度等を考慮した円
弧的に配置されていることが好ましい。

【００２９】また、記録領域が複数のゾーンに分割され
ている場合には、ゾーンごとにヘッダー領域が半径方向
で直線的または円弧的に配置されていることが好まし
い。

【００３０】なお、ヘッダー領域が半径方向で直線的に
配置されているとは、例えば図１に示すように、ヘッダ
ー領域が、ディスクの中心を通る直線上に配置されてい
ることであり、ヘッダー領域が半径方向で円弧的に配置
されているとは、例えば図７の黒く塗りつぶした部分７
２で示すように、ヘッダー領域が、ディスクの内周から
外周に至る円弧又はそれに類似した曲線上に配置されて
いることである。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。

【００３２】（実施例１）図６で摸式的に示されるよう
なヘッダー領域とデーター領域を有し、螺旋状の案内溝
を備えた基板を用い、図２に示すような積層構造の直径
１３０ｍｍの表面再生型光磁気記録媒体を製造した。ト
ラックピッチ０．４μｍの案内溝（ヘッダー領域６１の
案内溝６３およびデータ領域６２の案内溝６４）の付い
たポリカーボネート製の基板２２を、ヘッダー領域の案
内溝６３の深さ２０ｎｍ、データ領域の案内溝６４の深
さ７５ｎｍのスタンパーを用いて射出成形により作製し
た。スタンパー上の案内溝の深さは、スタンパー製造の
ための厚み８０ｎｍのレジスト付原盤の紫外線レーザー
カッティングの際にレーザーパワーを変化させることに
より制御した。ヘッダー領域にはヘッダー書き込みのト
リガーとなる半径方向に繋がったピット６５も同時に形
成した。ヘッダー領域はデータ領域の前にあり、両者の
長さの比は1：２０とし、一周に１８０個のヘッダー領
域／データ領域を形成した。成形された基板２１上でも
スタンパーと同じ深さの案内溝であることがＡＦＭ（原
子間力顕微鏡）により確認された。同様にＡＦＭによる
測定で成形後の基板２１上でヘッダー領域の案内溝６３
の底およびヘッダー領域のランド中央部の表面粗さ（Ｒ
ａ）は各々０．７ｎｍ、０．６ｎｍとなった。

【００３３】作製された基板２１上にスパッタ法で４０
ｎｍのＡｕ合金反射層２２、２０ｎｍのキュリー温度２
００℃のＴｂＦｅＣｏ記録層２３、２２０ｎｍのＳｉＮ
誘電体層２４、１０ｎｍのＤＬＣでできた固体潤滑層２
５を積層した。その後、パーフロロエーテル系のルブリ
カント層２６を１ｎｍ引き上げ法により塗布した。

【００３４】（比較例１）スタンパーのヘッダー領域６
１に案内溝６３を形成しない他は実施例１と同様の表面
再生型光磁気記録媒体を製造した。

【００３５】（比較例２）ヘッダー領域のカッティング
のレーザーパワーをデータ領域と同じにした他は実施例
１と同様の方法でスタンパーを作製した。このスタンパ
ーを用いて射出成形により作製したポリカーボネート製
の基板２１の案内溝の深さはヘッダー領域、データ領域
ともに７５ｎｍであった。ヘッダー領域の案内溝１３の
底およびヘッダー領域のランド中央部の表面粗さ（Ｒ
ａ）は各々０．８ｎｍ、０．６ｎｍとなった。その後、
実施例１と同様２２〜２６の層をコートした。

【００３６】（実施例２）原盤のカッティング後に１６
０℃でレジストの熱処理をすること以外は、実施例１と
同様の表面再生型光磁気記録媒体を製造した。原盤のレ
ジスト表面は実施例１より滑らかになり、成形後の基板
上でヘッダー領域の案内溝６３の底およびヘッダー領域
のランド中央部の表面粗さ（Ｒａ）は各々０．４ｎｍ、
０．４ｎｍとなった。ここでヘッダー領域ではカッティ
ング後も案内溝の底に５０ｎｍのレジストが残っている
ため、カッティング後のレジスト熱処理によりヘッダー
領域では案内溝の底とランド中央部の両方の表面粗さが
改善された。得られたヘッダー領域の案内溝１３の深
さ、データ領域の案内溝６４の深さは基板上でそれぞれ
１５ｎｍ、７０ｎｍとレジストの熱処理によりやや浅く
なった。その後、実施例１と同様２２〜２６の層をコー
トした。

【００３７】（実施例３）実施例１と同じスタンパーを
用いて射出成形により作製したポリカーボネート製の基
板２１を、ランプアニールにより１０秒間基板表面を１
４０℃に加熱することにより、基板表面を滑らかにし
た。案内溝はアニールにより浅くなり、アニール後の案
内溝の深さはヘッダー領域で１０ｎｍ、データ領域で５
０ｎｍであった。ヘッダー領域の案内溝６３の底および
ヘッダー領域のランド中央部の表面粗さ（Ｒａ）は各々
０．３ｎｍ、０．３ｎｍとなった。その後、実施例１と
同様２２〜２６の層をコートした。

【００３８】実施例１〜３及び比較例１、２の表面再生
型光磁気記録媒体について、２４００ｒｐｍで媒体を回
転させて、薄膜面上にレーザー波長６８５ｎｍ、有効開
口数１．３のスライダーＳＩＬヘッドを５０ｎｍの高さ
に浮上させ、レーザーをパルス的に照射して記録層２３
をキュリー温度以上に暖めながら、ＳＩＬヘッド上のコ
イル磁界を変調させてヘッダー領域にアドレス部がグレ
ーコードで構成されるヘッダーを書き込んだ。ＳＩＬヘ
ッドの近くにはＡＥセンサーを取り付け、異物との接触
やヘッドの振動を調べた。

【００３９】表１に示すように実施例１〜３、比較例２
ではディスクの内周〜外周まで顕著なＡＥセンサーから
の信号は見られなかったが（表中には良好と記載）、比
較例１ではヘッダーの３倍周期の信号がディスクの内周
／外周部で生じ、ヘッダー部のスティクションによる振
動が生じていることが示された。

【００４０】実施例１〜３及び比較例１、２のいずれも
ヘッダーの書き込みは可能であった。ヘッダーの書き込
みには内周から外周に向かって繋がったピット６５から
のＳＵＭ信号をトリガーとして用いた。表１にはトリガ
ー信号の強度をヘッダー部のランド上のＳＵＭ信号レベ
ルで規格化して示すが、いずれも十分大きく良好な信号
が得られた。

【００４１】書き込んだヘッダーの再生信号のＳＮＲ
は、実施例１で平均２８ｄＢ、実施例２で平均３０ｄ
Ｂ、実施例３で平均３２ｄＢ、比較例１で平均２９ｄＢ
であったが、比較例２では平均２３ｄＢと小さい。ヘッ
ダーの再生信号のＳＮＲは、実施例１〜３では媒体の場
所によるばらつきが±１．５ｄＢ以内であったが、比較
例１では±４ｄＢとばらつきが生じ、特にヘッダー部に
よる振動が生じている場所でのＳＮＲのばらつきが顕著
となった。

【００４２】また、実施例１と実施例２、３の比較でヘ
ッダー領域の案内溝の底およびヘッダー領域のランド中
央部の表面粗さ（Ｒａ）を０．５ｎｍ以下に小さくする
ことでヘッダー領域のＳＮＲは、案内溝がない場合と同
等以上となった。

【００４３】実施例１〜３及び比較例１についてヘッダ
ー領域で再生パワー１．５ｍＷでの再生サイクル試験を
行なった。実施例１〜３では１万回の再生サイクル試験
でＳＮＲの低下はみられなかった。比較例１では１万回
の再生サイクル試験でＳＮＲが２ｄＢ低下した。

【００４４】

【表１】

【００４５】（実施例４）実施例２と同じ基板に図３に
示すような構造の直径１３０ｍｍの表面再生型光相変化
記録媒体を製造した。基板３１上に４０ｎｍのＡｇ合金
反射層３２、２０ｎｍのＺｎＳ−Ｓｉ０₂層３３、２０
ｎｍのＧｅＳｂＴｅ記録層３４、１８０ｎｍのＺｎＳ−
Ｓｉ０₂誘電体層３５、４０ｎｍのＤＬＣでできた固体
潤滑層３６を積層したのち、パーフロロエーテル系のル
ブリカント層３７を１ｎｍ塗布した。

【００４６】実施例４ではディスクの内周〜外周まで顕
著なＡＥセンサーからの信号は見られなかった。また、
書き込んだヘッダーの再生信号のＳＮＲは、平均３３ｄ
Ｂで媒体の場所によるばらつきは±１．５ｄＢ以内と良
好であった。

【００４７】（実施例５）図１で摸式的に示されるよう
なヘッダー領域とデーター領域を有し、螺旋状の案内溝
を備えた基板を用い、図２に示すような積層構造の直径
１３０ｍｍの表面再生型光磁気記録媒体を製造した。ト
ラックピッチ０．４μｍの案内溝（ヘッダー領域１１の
案内溝１３およびデータ領域１２の案内溝１４）の付い
たポリカーボネート製の基板２２を、原盤のカッティン
グ後に１６０℃でレジストの熱処理を行ったヘッダー領
域の案内溝１３の深さ１５ｎｍ、データ領域の案内溝１
４の深さ６５ｎｍのスタンパーを用いて射出成形により
作製した。成形後の基板の溝深さはスタンパーと同じで
あった。スタンパー上の案内溝の深さは、スタンパー製
造のための厚み７０ｎｍのレジスト付原盤の紫外線レー
ザーカッティングの際にレーザーパワーを変化させるこ
とにより制御した。ヘッダー領域はデータ領域の前にあ
り、両者の長さの比は1：２０とし、一周に１９０個の
ヘッダー領域／データ領域を形成した。成形された基板
２１上でもスタンパーとほぼ同じ深さの案内溝であるこ
とがＡＦＭにより確認された。ＳｉＮ誘電体層２４を２
４５ｎｍとした他は実施例１と同様の表面再生型光磁気
記録媒体を製造した。成形後の基板上でヘッダー領域の
案内溝１３の底およびヘッダー領域のランド中央部の表
面粗さ（Ｒａ）は各々０．４ｎｍ、０．４ｎｍとなっ
た。

【００４８】（実施例６）図４で摸式的に示されるよう
なヘッダー領域とデーター領域を有し、螺旋状の案内溝
を備えた基板を用い、図２に示すような積層構造の直径
１３０ｍｍの表面再生型光磁気記録媒体を製造した。ト
ラックピッチ０．４μｍの案内溝（ヘッダー領域４１の
案内溝４３およびデータ領域４２の案内溝４４）の付い
たポリカーボネート製の基板２２を、原盤のカッティン
グ後に１６０℃でレジストの熱処理を行ったヘッダー領
域の案内溝４３の深さ１５ｎｍ、データ領域の案内溝４
４の深さ６５ｎｍのスタンパーを用いて射出成形により
作製した。データ領域とヘッダー領域の境界には半径に
比例した幅（最外周で約１０μｍ）のミラー部（案内溝
を形成していない領域）を形成した。成形後の基板の溝
深さはスタンパーと同じであった。スタンパー上の案内
溝の深さは、スタンパー製造のための厚み７０ｎｍのレ
ジスト付原盤の紫外線レーザーカッティングの際にレー
ザーパワーを変化させることにより制御した。ヘッダー
領域はデータ領域の前にあり、両者の長さの比は1：２
０とし、一周に１９０個のヘッダー領域／データ領域を
形成した。成形された基板２１上でもスタンパーとほぼ
同じ深さの案内溝であることがＡＦＭにより確認され
た。ＳｉＮ誘電体層２４を２４５ｎｍとした他は実施例
１と同様の表面再生型光磁気記録媒体を製造した。成形
後の基板上でヘッダー領域の案内溝４３の底およびヘッ
ダー領域のランド中央部の表面粗さ（Ｒａ）は各々０．
４ｎｍ、０．４ｎｍとなった。

【００４９】（実施例７）図５で摸式的に示されるよう
なヘッダー領域とデーター領域を有し、螺旋状の案内溝
を備えた基板を用い、図２に示すような積層構造の直径
１３０ｍｍの表面再生型光磁気記録媒体を製造した。ト
ラックピッチ０．４μｍの案内溝（ヘッダー領域５１の
案内溝５３およびデータ領域５２の案内溝５４）の付い
たポリカーボネート製の基板２２を、原盤のカッティン
グ後に１６０℃でレジストの熱処理を行ったヘッダー領
域の案内溝５３の深さ１５ｎｍ、データ領域の案内溝５
４の深さ６５ｎｍのスタンパーを用いて射出成形により
作製した。ヘッダー領域には、半値幅が１５０ｎｍで半
径に比例した長さ（最外周で約５μｍ）のトリガーピッ
トの前後に半径に比例した長さ（最外周で約６μｍ）の
ミラー部（案内溝を形成していない領域）が形成されて
いる。成形後の基板の溝深さはスタンパーと同じであっ
た。スタンパー上の案内溝の深さは、スタンパー製造の
ための厚み７０ｎｍのレジスト付原盤の紫外線レーザー
カッティングの際にレーザーパワーを変化させることに
より制御した。ヘッダー領域はデータ領域の前にあり、
両者の長さの比は1：２０とし、一周に１９０個のヘッ
ダー領域／データ領域を形成した。成形された基板２１
上でもスタンパーとほぼ同じ深さの案内溝であることが
ＡＦＭにより確認された。ＳｉＮ誘電体層２４を２４５
ｎｍとした他は実施例１と同様の表面再生型光磁気記録
媒体を製造した。成形後の基板上でヘッダー領域の案内
溝５３の底およびヘッダー領域のランド中央部の表面粗
さ（Ｒａ）は各々０．４ｎｍ、０．４ｎｍとなった。

【００５０】表１に示すように実施例５〜７のいずれに
おいてもヘッダーの信号品質、浮上性、トリガー信号と
もに良好であった。

【００５１】

【発明の効果】本発明では、書き換え可能なヘッダー領
域にデータ領域より浅い案内溝を形成することにより浮
上型ＳＩＬヘッドの振動が抑制され、安定な浮上性が得
られる。また、データ領域に比べてヘッダー領域の案内
溝が浅いことや、ヘッダー領域の案内溝の底およびヘッ
ダー領域のランド中央部の表面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎ
ｍ以下である基板を使用することにより、ヘッダー領域
に案内溝を付けたことによるＳＮＲの低下も抑制でき
る。また、媒体が光磁気記録媒体の場合にはヘッダー領
域に案内溝をつけることでヘッダー領域においてもデー
タ領域と同等の記録マークの繰り返し再生耐久性が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表面再生型光記録媒体の一例の構造を
示す図である。

【図２】本発明の表面再生型光記録媒体で光磁気記録を
用いたときの薄膜構造の一例を示す部分断面図である。

【図３】本発明の表面再生型光記録媒体で相変化記録を
用いたときの薄膜構造の一例を示す部分断面図である。

【図４】本発明の表面再生型光記録媒体の別の一例の構
造を示す図である。

【図５】本発明の表面再生型光記録媒体の別の一例の構
造を示す図である。

【図６】本発明の表面再生型光記録媒体の別の一例の構
造を示す図である。

【図７】本発明の表面再生型光記録媒体の別の一例の構
造を示す図である。

【符号の説明】

１１、４１、５１、６１：ヘッダー領域１２、４２、５２、６２：データ領域１３、４３、５３、６３：ヘッダー領域にある案内溝１４、４４、６４、６４：データ領域にある案内溝４５：ミラー部５５、６５：トリガーとなるピット２１、３１、７１：基板２２：反射層２３：記録層２４：誘電体層２５、３６：固体潤滑層２６、３７：ルブリカント層３２：Ａｇ合金反射層３３：ＺｎＳ−Ｓｉ０₂層３４：ＧｅＳｂＴｅ記録層３５：ＺｎＳ−Ｓｉ０₂誘電体層７２：円弧的に配置されたヘッダー領域７３：スライダー７４：スイングアーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１Ｊ５３１５３１Ｘ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】書き換え可能なヘッダー領域と、案内溝
が形成されたデータ領域を備えた表面再生型光記録媒体
であって、ヘッダー領域にデータ領域より浅い案内溝が
形成されていることを特徴とする表面再生型光記録媒
体。
【請求項２】ヘッダー領域の案内溝の深さが５ｎｍ以
上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
の表面再生型光記録媒体。
【請求項３】ヘッダー領域の案内溝の底およびヘッダ
ー領域のランド中央部の表面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ
以下である基板を用いて作成したことを特徴とする請求
項１または２に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項４】データ領域とヘッダー領域の案内溝の深
さの差が２０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか1項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項５】データ領域とヘッダー領域の境界部に周
方向の幅が２０μｍ以内のミラー部を設けたことを特徴
とする請求項１〜３のいずれか1項に記載の表面再生型
光記録媒体。
【請求項６】ヘッダー領域に書き込みのタイミングを
とるためのピットが１個以上形成されていることを特徴
とする請求項１〜３のいずれか1項に記載の表面再生型
光記録媒体。
【請求項７】書き込みのタイミングをとるためのピッ
トが半径方向に繋がっていることを特徴とする請求項６
に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項８】書き込みのタイミングをとるためのピッ
トの前後に各々周方向の幅が１０μｍ以内のミラー部を
設けたことを特徴とする請求項６または７に記載の表面
再生型光記録媒体。
【請求項９】ヘッダー領域が、半径方向で直線的に配
置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか
1項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１０】ヘッダー領域が、半径方向で円弧的に
配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれ
か1項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１１】記録領域が複数のゾーンに分割されて
いる表面再生型光記録媒体であって、ヘッダー領域が、
前記複数のゾーンごとに半径方向で直線的または円弧的
に配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいず
れか1項に記載の表面再生型光記録媒体。