[go: up one dir, main page]

JP2001247365A - 誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置 - Google Patents

誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置

Info

Publication number
JP2001247365A
JP2001247365A JP2000057472A JP2000057472A JP2001247365A JP 2001247365 A JP2001247365 A JP 2001247365A JP 2000057472 A JP2000057472 A JP 2000057472A JP 2000057472 A JP2000057472 A JP 2000057472A JP 2001247365 A JP2001247365 A JP 2001247365A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
sio
dielectric ceramic
component
ceramic composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000057472A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiko Otsuki
健彦 大槻
Hirobumi Sunahara
博文 砂原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000057472A priority Critical patent/JP2001247365A/ja
Publication of JP2001247365A publication Critical patent/JP2001247365A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １０００℃以下の低温焼成で緻密な焼結体と
なり、高誘電率、高Ｑ値、高絶縁性を有する誘電体セラ
ミック組成物を提供すること。 【解決手段】 一般式：｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔ
ｉ1-yＺｒy）Ｏ2（但し、０．０２≦ｘ≦０．２２、
０．０５≦ｙ≦０．２０、１．００≦ｍ≦１．０５）で
表される誘電体セラミック粉末に、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラス粉末を添加・混合し、これを焼成してなる誘電
体セラミック組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い比誘電率を有
する誘電体セラミック組成物、および、それを用いた電
子部品ならびに電子装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス分野における各
種電子部品の性能向上は著しく、コンピュータ、移動体
通信端末等に代表される電子装置では、信号処理速度の
高速化、機器の小型化、多機能化が進められている。
【０００３】これら電子装置の性能向上は、主として、
ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の半導体デバイスの高集積化、高
速化、高機能化によって実現されている。しかしなが
ら、半導体デバイスが高速化、高性能化しても、これを
実装する基板上で信号遅延やクロストーク等が発生して
は、システムとしての動作が制限され、半導体デバイス
の性能を十分に発揮することができない。
【０００４】このため、高速かつ高性能な情報処理を行
う基板として、半導体デバイスやチップコンデンサ等を
実装でき、それらを電気的に接続する回路導体パターン
を３次元的に配したセラミック多層基板が開発されてお
り、このセラミック多層基板上に各種の実装部品を搭載
した電子部品が実用化されている。
【０００５】こうした電子部品において、基板材料とし
ては従来からアルミナが多用されている。アルミナは焼
成温度が１５００℃以上と高いため、配線パターンや電
極パターン等の導体層を内蔵する場合、高融点金属のタ
ングステンやモリブデン等の導体材料が必要である。す
なわち、アルミナを基板材料として電子部品において
は、これらの高融点金属が酸化され易いので、その焼成
を還元性雰囲気中で行う必要があり、また、これらの高
融点金属はその比抵抗が大きいため、特にその高周波特
性に限界がある。さらに、アルミナは、比誘電率が約１
０と大きく、半導体デバイスを高速で動作させたときの
信号遅延が問題になることがあり、さらに、半導体デバ
イスの基板材料であるシリコンに比べて熱膨張率が大き
いため、これをアルミナ基板上に実装した場合、熱サイ
クルによる信頼性の低下が生じることもあった。
【０００６】そこで、これらの問題を解決するため、セ
ラミック成分とガラス成分との複合材料である低温焼結
セラミック材料の研究が活発に行われており、これを用
いたセラミック多層基板の実用化が進められている。低
温焼結セラミック材料は、母材となるセラミック成分に
ガラス成分を加えた材料であり、これによって、材料物
性や焼成温度に対する自由度を大幅に広げることが可能
となった。特に、低温焼結セラミック材料を用いる場
合、比抵抗の小さな銀系導体材料、銅系導体材料、金系
導体材料等の低融点金属との同時焼成可能なことから、
高周波特性に優れた電子部品を実現できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】また、近年、表面実装
部品の一部構成素子であったコンデンサやコイル等の受
動素子がセラミック多層基板内に取り込まれた複合電子
部品が研究・開発されており、電子部品自体のさらなる
小型化が実現されつつある。
【０００８】ここで、セラミック多層基板内に受動素子
を内蔵する場合、基板表面に搭載した受動素子の特性よ
りも内蔵した受動素子の特性が劣化したのでは、内蔵化
によるメリットが半減してしまうため、内蔵した受動素
子には、実装される素子と同等或いはそれ以上の特性を
有していることが求められている。
【０００９】このため、受動素子をセラミック多層基板
内に内蔵する場合、その特性が十分に発揮されるような
基板材料を選択しなければならない。例えば、コンデン
サパターンを形成する部分には高誘電率、低誘電損失の
誘電体セラミック層を、その他の部分には高絶縁性の絶
縁体セラミック層を設けることによって、コンデンサを
内蔵した小型、高性能のセラミック多層基板が得られ
る。
【００１０】ところで、本出願人は、高誘電率、低誘電
損失の誘電体セラミック組成物として、特公昭５６−４
６６４１号公報において、一般式：｛（Ｂａ1-xＣａx）
Ｏ｝ m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2（但し、０．０２≦ｘ≦０．
２２、０＜ｙ≦０．２０、１．００５≦ｍ≦１．０３）
で表される誘電体セラミック組成物を提案している。こ
の誘電体セラミック組成物は、１３００〜１４００℃の
還元性雰囲気中での焼成によって製造され、絶縁抵抗の
経時劣化が少ないうえ、高誘電率、低誘電損失（すなわ
ち高Ｑ値）を有し、各種の電気特性に優れたセラミック
組成物である。
【００１１】しかしながら、特公昭５６−４６６４１号
公報に記載の誘電体セラミック組成物は、焼結温度が１
４２０℃以上と高いため、銀や銅等の低融点金属との同
時焼成が不可能である。また、焼成温度を下げる目的で
焼結助剤を添加する場合、その種類や含有量によって
は、アルミナ基板等と比べて著しく基板強度が低くなる
ことがあり、或いは、基板強度が高くても電気特性や温
度特性が著しく劣化することがある。
【００１２】特に、基板強度を重視した場合、比誘電率
が小さくなって基板内に大きな容量を持つコンデンサを
内蔵することが難しくなり、また、内蔵できたとして
も、コンデンサ電極の占める面積が大きくなって、基板
の小型化、高密度実装化に対して不利になる。他方、電
気特性や温度特性を重視した場合、基板強度が低くなっ
てしまい、半導体デバイス等を搭載する基板として信頼
性に欠けるものになる。
【００１３】他方、特開平１０−１３９５３９号公報に
は、｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝k（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2（但
し、０．０２≦ｘ≦０．１２、０．０５≦ｙ≦０．２
４、１．００≦ｋ≦１．０３）で表される主成分１００
重量部に対して、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラス成分を０．
１５〜０．８０重量部含有するとともに、ガラス成分中
のＬｉ2Ｏを５〜７０モル％とした誘電体セラミック組
成物が開示されている。この誘電体セラミック組成物
は、還元性雰囲気中１２００℃以下での焼成が可能で、
高温負荷寿命が長く、高誘電率を有する誘電体セラミッ
ク組成物である。
【００１４】ところが、特開平１０−１３９５３９号公
報に記載された誘電体セラミック組成物は、比較的低温
で焼成することができるうえ、Ｎｉ等の卑金属電極材料
と同時焼成可能であるものの、焼成温度１０００℃以下
では緻密な焼結体が得られ難く、したがって、Ａｇ等の
低融点金属材料との同時焼成によって、高周波特性に優
れた電子部品を形成することは困難である。
【００１５】本発明は、上述した従来の実情に鑑みてな
されたものであり、その目的は、１０００℃以下の低温
焼成で緻密な焼結体を得ることができ、さらに各種の電
気特性に優れた誘電体セラミック組成物、並びに、それ
を用いた電子部品を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、一
般式：｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ
2（但し、０．０２≦ｘ≦０．２２、０．０５≦ｙ≦
０．２０、１．００≦ｍ≦１．０５）で表される誘電体
セラミック成分に、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分を
混合し、これを焼成してなることを特徴とする誘電体セ
ラミック組成物に係るものである。
【００１７】本発明の誘電体セラミック組成物において
は、前記誘電体セラミック成分１００重量部に対して、
前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分を５〜５０重量部
混合することを特徴とする。
【００１８】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいて、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分は、少な
くとも、９〜４９モル％のＳｉＯ2、５〜３０モル％の
Ｂｉ2Ｏ3を含有することを特徴とする。
【００１９】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいて、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分は、酸化
銅を、ＣｕＯ換算で、１０〜２９モル％含有することを
特徴とする。
【００２０】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいて、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分は、アル
カリ土類金属酸化物を２５〜４５モル％含有することを
特徴とする。
【００２１】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいて、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分は、アル
カリ金属酸化物を２〜１０モル％含有することを特徴と
する。
【００２２】さらに、本発明の誘電体セラミック組成物
において、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分は、酸
化チタンを、ＴｉＯ2換算で、２〜１０モル％含有する
ことを特徴とする。
【００２３】また、本発明は、本発明の誘電体セラミッ
ク組成物を誘電体層として備えたことを特徴とする電子
部品を提供するものである。
【００２４】本発明の電子部品において、前記誘電体層
は所定の導体パターンを備えていることを特徴とする。
【００２５】また、本発明の電子部品においては、前記
誘電体層と導体層とを備えた基板上に、実装部品を搭載
してなることを特徴とする。
【００２６】さらに、本発明は、本発明の記載の電子部
品を備えることを特徴とする電子装置を提供するもので
ある。
【００２７】本発明の誘電体セラミック組成物によれ
ば、その原料組成物中に、低軟化点を有し、誘電体セラ
ミック成分の特性に影響を及ぼし難いＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系ガラス成分を含有しているので、比較的低温で焼結
することができ、高絶縁性、高比誘電率、高Ｑ値を有す
る誘電体セラミック組成物を実現できる。
【００２８】本発明の電子部品によれば、本発明の誘電
体セラミック組成物を誘電体層として備えているので、
比抵抗の小さなＡｇ系導体材料、Ｃｕ系導体材料または
Ａｕ系導体材料等と同時に焼成することができ、したが
って、高周波特性に優れた電子部品を実現することがで
きる。また、その誘電体層は各種の電気特性に優れるの
で、小型化、高密度化、高機能化を達成した電子部品に
なる。さらに、本発明の電子装置は、本発明の電子部品
を備えているので、小型化を達成し、信頼性の高い電子
装置となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明において、前記誘電体セラ
ミック組成物の原料成分には、前記誘電体セラミック成
分１００重量部に対して、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガ
ラス成分を５〜５０重量部混合していることが望まし
い。Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分の混合量が５重量
部未満であると、誘電体セラミック組成物の混合原料
を、低融点金属との同時焼成可能な温度（特に１０００
℃以下）で緻密に焼結させることが困難になる。他方、
その混合量が５０重量部を超えると、同時焼成したＡｇ
系導体材料等と反応してしまい、各種の電気特性を劣化
させることがある。なお、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス
成分は、前記誘電体セラミック成分１００重量部に対し
て１５〜２５重量部がさらに望ましい。
【００３０】また、本発明において、前記Ｂｉ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2系ガラス成分は、少なくとも、９〜４９モル％の
ＳｉＯ2、５〜３０モル％のＢｉ2Ｏ3を含んでいること
が望ましい。ＳｉＯ2の含有率が９モル％未満である
と、誘電体セラミック組成物が焼結する際に、その収縮
率ばらつきが大きくなることがあり、他方、４９モル％
を超えると、添加したＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
のガラス化温度が高くなりすぎて、１０００℃以下での
焼成が困難になることがある。また、Ｂｉ2Ｏ3の含有率
が５モル％未満であると、１０００℃以下の焼成が困難
となることがあり、３０モル％を超えると、Ｂｉ2Ｏ3が
内蔵したＡｇ系導体材料等と反応してしまうことがあ
る。なお、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分において
は、少なくとも、ＳｉＯ2を２０〜３０モル％、Ｂｉ2Ｏ
3を１５〜２０モル％含有することがさらに望ましい。
【００３１】また、本発明においては、前記ガラス成分
は、酸化銅を、ＣｕＯ換算で、１０〜２９モル％含有し
ていることが望ましい。酸化銅は、誘電体セラミック組
成物の焼結性を向上させる働きを有すると共に、その比
誘電率を高める作用も有する。酸化銅の混合量が、Ｃｕ
Ｏ換算で、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分の１０
モル％未満であると、誘電体セラミック組成物の緻密化
が不足することがあり、他方、２９モル％を超えると、
誘電体セラミック組成物の誘電損失が劣化することがあ
る。なお、前記酸化銅の含有率は、ＣｕＯ換算で、１０
〜２０モル％がさらに望ましい。
【００３２】また、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成
分中には、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ等のアルカ
リ土類金属酸化物を、２５〜４５モル％含有しているこ
とが望ましい。これらのアルカリ土類金属酸化物は、誘
電体セラミック成分とＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
との反応を促進させる作用を有する。但し、Ｂｉ2Ｏ3−
ＳｉＯ2系ガラス成分中、その含有量が２５モル％未満
であると、誘電体セラミック成分とＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラス成分との反応が十分に進まず、１０００℃以下
での焼成が困難となり、他方、４５モル％を超えると、
焼結による緻密化が十分に進行せず、誘電損失が低下す
ることがある。なお、前記アルカリ土類金属酸化物の含
有量は、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分中、３０〜４
０モル％がさらに望ましい。
【００３３】また、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成
分中には、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ等のアルカリ金属
酸化物を２〜１０モル％含有していることが望ましい。
これらアルカリ金属酸化物は、ガラス成分の融解粘度を
低下させる働きを有する。なかでも、Ｌｉ2Ｏは、ガラ
ス成分の粘性を低下させ、誘電体セラミック成分とＢｉ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分との濡れ性を向上させるの
で特に望ましい。但し、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成
分中、アルカリ金属酸化物の含有量が２モル％未満であ
ると、誘電体セラミック組成物が緻密化不足になること
があり、他方、１０モル％を超えると、Ｌｉ+イオン等
の影響で、得られる誘電体セラミック組成物の耐湿性が
低下することがある。なお、前記アルカリ金属酸化物
は、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分中、５〜８モル％
がさらに望ましい。
【００３４】さらに、前記ガＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ラス
成分中には、酸化チタンを、ＴｉＯ2換算で、２〜１０
モル％含有していることが望ましい。酸化チタンは、誘
電体セラミック成分とＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
との反応を促進させ、誘電体セラミック組成物の比誘電
率を高める働きを有する。但し、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系
ガラス成分における酸化チタンの含有量が、ＴｉＯ2換
算で、２モル％未満であると、誘電体セラミック組成物
が緻密不足となることがあり、他方、１０モル％を超え
ると、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分の溶融温度が高
くなり、１０００℃以下の焼成が困難となることがあ
る。なお、酸化チタンの混合量は、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラス成分中、ＴｉＯ2換算で、５〜８モル％がさら
に望ましい。
【００３５】また、前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成
分の粉末状態であるガラス粉末の平均粒径は０．４〜
１．２μｍが望ましい。その平均粒径が０．４μｍ未満
であると、ガラス成分同士の凝集が強くなり、誘電体セ
ラミック成分との均一な混合が困難になる。他方、その
平均粒径が１．２μｍを超えると、誘電体セラミック成
分との反応が十分に促進されず、得られる誘電体セラミ
ック組成物の焼結性が低下することがある。
【００３６】また、一般式：｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m
（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2で表される前記誘電体セラミック
成分においては、ｘ、ｙ、ｚを、それぞれ、０．０２≦
ｘ≦０．２２、０．０５≦ｙ≦０．２０、１．００≦ｍ
≦１．０５とすることが必要である。前記誘電体セラミ
ック成分において、ｘが０．０２未満であると、焼成条
件に対する安定化（特に粒成長の均一化）効果が低下し
て、誘電損失が大きくなる。他方、ｘが０．２２を超え
ると、得られる誘電体セラミック組成物の誘電率が低く
なる。また、前記誘電体セラミック成分において、ｙが
上述した値の範囲外であると、誘電体セラミック組成物
の焼結性が低下し、誘電率が低くなる。また、温度特性
の変動が大きくなることもある。さらに、前記誘電体セ
ラミック成分において、ｍが１．００未満であると、粒
成長に異常が生じて誘電体セラミック組成物の信頼性が
低下し、他方、ｍが１．０５を超えると、誘電体セラミ
ック組成物の焼結性が低下したり、誘電率が低下する。
【００３７】また、前記誘電体セラミック成分の粉末状
態での平均粒径は０．６８〜１．１６μｍが望ましい。
その平均粒径が上述した値の範囲外であると、各種の電
気特性等への影響は少ないものの、収縮率やシート性状
等が不安定になり、加工処理上の問題が発生することが
ある。
【００３８】次に、本発明の電子部品を望ましい実施の
形態に基づいて説明する。第１の実施の形態 本実施の形態による電子部品は、図１に示すように、セ
ラミック多層基板２を基体とし、このセラミック多層基
板２上に、半導体デバイスやチップコンデンサ等の実装
部品１１、１２および１３を搭載したセラミック多層モ
ジュール１である。
【００３９】ここで、セラミック多層基板２は、絶縁体
層３ａ−絶縁体層３ｂの間に、本発明の誘電体セラミッ
ク組成物による誘電体層４が挟み込まれた多層構造を有
しており、誘電体層４には、導体層としての内部電極
８、９によってキャパシタＣ１、Ｃ２がそれぞれ形成さ
れている。また、絶縁体層３ａおよび３ｂには導体層と
しての内部配線６、７が形成されており、内部配線６、
７は実装部品１１〜１３、キャパシタＣ１、Ｃ２、外部
端子等を電気的に接続している。
【００４０】次に、図１に示したセラミック多層モジュ
ール１の作製方法例を説明する。
【００４１】まず、絶縁体層３ａおよび絶縁体層３ｂの
材料として、例えば、アルミナセラミック粉末と、Ｃａ
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2を主原料とするガラス粉末とを
用意した後、アルミナセラミック粉末１００重量部に対
してガラス粉末２０〜３０重量部を添加し、これを混合
する。そして、得られた混合粉末に有機バインダ、分散
剤、可塑剤、有機溶媒等を適量添加し、これらを混合す
ることによって、絶縁体層用セラミックスラリーを調製
する。その後、絶縁体層用セラミックスラリーをドクタ
ーブレード法等によってシート状に成形して、絶縁体層
用セラミックグリーンシートを得る。
【００４２】これとは別に、誘電体層４の材料として、
前記誘電体セラミック成分を主体とする誘電体セラミッ
ク粉末を調製した後、１０００℃で１時間以上仮焼す
る。引き続いて、得られた仮焼原料を粉砕した後、この
仮焼原料にＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末を添加、混
合してガラスセラミック混合原料を作製し、さらに、有
機ビヒクル、分散剤、可塑剤、有機溶媒等を添加、混合
することによって、誘電体層用セラミックスラリーを調
製する。そして、誘電体層用セラミックスラリーをドク
ターブレード法等によってシート状に成形して、誘電体
層用セラミックグリーンシートを得る。
【００４３】このようにして得られた絶縁体層用セラミ
ックグリーンシート、誘電体層用セラミックグリーンシ
ートに必要に応じてビアホール用孔を開け、その孔に導
体ペーストや導体粉を充填してビアホールを形成する。
また、誘電体層用セラミックグリーンシートには、キャ
パシタＣ１、Ｃ２となる導体ペーストを印刷し、絶縁体
層用セラミックグリーンシートにも必要な導体パターン
を形成した後、誘電体層用セラミックグリーンシート、
絶縁体層用セラミックグリーンシートをそれぞれ所定枚
数、所定の順に積み重ねる。
【００４４】この後、積み重ねたセラミックグリーンシ
ートをプレスし、積層体ブロックを形成する。必要に応
じて、作製したブロックを適当な大きさに切断したり、
溝を形成したりしてもよい。そして、このブロックを１
０００℃以下で焼成することにより、図１に示したよう
なキャパシタＣ１、Ｃ２等を内蔵したセラミック多層基
板２を得る。そして、半導体デバイスやチップコンデン
サ等の実装部品１１〜１３を搭載することにより、セラ
ミック多層モジュールを完成する。
【００４５】なお、誘電体層４は、前記誘電体セラミッ
ク粉末に、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末を混合して
なるガラスセラミック混合粉末を、有機バインダ、有機
溶剤、可塑剤等に分散させることによってペースト化
し、得られた誘電体セラミックペーストを所定部分にス
クリーン印刷等することによって形成してもよい。この
場合も、誘電体層の形成後に、グリーンシート積み重
ね、プレス、カット、焼成等の工程を経てセラミック多
層基板を作製できる。
【００４６】以上、本実施の形態によるセラミック多層
モジュール１においては、セラミック多層基板２の内部
にキャパシタＣ１、Ｃ２が形成されているので、セラミ
ック多層基板２、さらにはセラミック多層モジュール１
の小型化、高密度化が達成されており、また、コンデン
サＣ１、Ｃ２を形成する電極間には、本発明の誘電体セ
ラミック組成物による誘電体層４が設けられているの
で、比較的小さな電極パターンで大容量のコンデンサＣ
１、Ｃ２が形成される。
【００４７】さらに、誘電体層４は、本発明の誘電体セ
ラミック組成物で形成されているので、誘電体セラミッ
ク成分の、高誘電率、高Ｑ値等の優れた特性が保持さ
れ、各種の電気特性に優れたセラミック多層基板２が形
成される。なお、絶縁体層３ａおよび絶縁体層３ｂに誘
電体層４を構成するＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分と
ほぼ同組成のガラス成分を含有させれば、絶縁体層３ａ
および絶縁体層３ｂと誘電体層４との接合性がさらに向
上する。第２の実施の形態 本実施の形態による電子部品は、図２〜図３に示すよう
に、本発明の誘電体セラミック組成物による誘電体層２
２内に、導体層としてのコイルパターン２６ａ、２６
ｂ、２６ｃおよび２６ｄ、コンデンサパターン２７ａ、
２７ｂおよび２７ｃを有するＬＣフィルタ２１である。
【００４８】このＬＣフィルタ２１は例えば次の手順で
作製することができる。
【００４９】まず、前記誘電体セラミック成分を主体と
する誘電体セラミック成分粉末に、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラス粉末を混合してガラスセラミック混合粉末を作
製し、さらに、このガラスセラミック混合粉末に有機バ
インダ、有機溶剤、可塑剤等を加えて、スラリー状組成
物を調製する。
【００５０】そして、このスラリー状組成物を用い、キ
ャスティング法等にしたがって例えば４０μｍ厚のセラ
ミックグリーンシートを作製する。次いで、これを乾燥
した後、所定の大きさに打ち抜き、誘電体層用セラミッ
クグリーンシート２２ａ〜２２ｍを作製する。
【００５１】次いで、図２に示すように、誘電体層用セ
ラミックグリーンシート２２ａ〜２２ｍに、必要に応じ
てビアホール２８を形成し、引き続いて、導体ペースト
を用いてコイルＬ１用パターン２６ａ〜２６ｂ、コンデ
ンサＣ用パターン２７ａ〜２７ｃ、並びに、コイルＬ２
用パターン２６ｃ〜２６ｄをスクリーン印刷した後、積
層、圧着して積層体ブロックを形成する。
【００５２】そして、この積層体ブロックを、例えば１
０００℃以下、２時間で焼成する。そして得られた積層
体ブロック２２の端面に、外部電極２３ａ、２３ｂ、２
４ａおよび２４ｂを形成して、図２および図３に示すよ
うに、コンデンサＣ、コイルＬ１およびＬ２を内蔵した
ＬＣフィルタ２１を完成する。なお、このＬＣフィルタ
２１は、図４に示すような等価回路を有している。
【００５３】本実施の形態によるＬＣフィルタ２１は、
積層体ブロック２２が本発明の誘電体セラミック組成物
で形成されており、この誘電体セラミック組成物は、高
い比誘電率、高Ｑ値を有しているので、各種の電気特性
に優れた高性能のＬＣフィルタである。そして、コンデ
ンサパターンやコイルパターンを銀系導体材料等の低融
点金属で形成すれば、高周波特性にも優れたＬＣフィル
タとなる。
【００５４】以上、本発明の電子部品をセラミック多層
モジュールやＬＣフィルタに基づいて説明したが、本発
明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。
【００５５】例えば、本発明の電子部品は、マルチチッ
プモジュール用基板やハイブリッドＩＣ用基板等のセラ
ミック多層基板、或いはそれにチップコンデンサやチッ
プインダクタ、さらには半導体チップ等の実装部品を搭
載したセラミック多層モジュールであってもよいし、チ
ップコンデンサ、チップコイル、チップアンテナ等のチ
ップ状部品であってもよい。
【００５６】さらに、本発明の電子装置は、前述のセラ
ミック多層基板、セラミック多層モジュール、チップ状
部品等を備えた、移動体通信機器、コンピュータ等の電
子装置であってよい。
【００５７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。
【００５８】まず、純度９９％以上のＢａＣＯ3、Ｃａ
ＣＯ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2を出発原料として、組成式
｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2に対して
それぞれ下記表１〜２で規定したｘ、ｙ、ｍの値になる
ように、これらの出発原料を所定量配合した。次に、得
られた配合原料を湿式混合し、粉砕したのち乾燥させ、
１０００℃〜１０５０℃で２時間程度、自然雰囲気中で
仮焼して、仮焼済み誘電体セラミック原料粉末を作製し
た。
【００５９】他方、純度９９％以上のＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ
3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、Ｍ
ｇＣＯ3、ＣｕＯ、ＴｉＯ2を出発原料とし、下記表１〜
２で規定した値となるように、これらを所定量配合し
た。次に、得られた配合原料を乾式混合し、１５００〜
１６００℃で溶融した後、急冷して、ガラスを作成し
た。次いで、これを湿式粉砕した後、乾燥して、Ｂｉ2
Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末を作製した。
【００６０】そして、前述の仮焼済み誘電体セラミック
原料粉末に対して、下記表１〜２に示す割合となるよう
に、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末を添加、混合し、
得られた混合粉末をボ−ルミルで湿式混合した。次い
で、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を加えて攪拌し、ガ
ラスセラミックスラリ−を調整した。さらに、得られた
ガラスセラミックスラリ−を脱泡後、ドクタ−ブレ−ド
法により厚み５０〜５５μｍのセラミックグリーンシー
トを作製した。
【００６１】
【表１】
【００６２】
【表２】
【００６３】そして、このセラミックグリーンシートに
Ａｇ系導体材料を主成分とする導電ペ−ストを用いて、
コンデンサ電極をスクリーン印刷し、その後、コンデン
サ電極を有した成したセラミックグリーンシートを複数
枚積層し、これを熱圧着して、積層体ブロックを作製し
た。次いで、この積層ブロックをアルミナ質サヤに入
れ、４００℃まで自然雰囲気中で加熱して有機成分を燃
焼させた後、同じく自然雰囲気中、９００℃で２時間焼
成した。そして、焼成後の積層体ブロックにＡｇ導体材
料からなる外部電極を焼き付け、試料番号１〜４１に示
される組成の誘電体セラミック組成物からなる特性評価
用積層コンデンサを作製した。
【００６４】得られた特性評価用積層コンデンサを用
い、室温２５℃、１ＭＨｚの条件で比誘電率、誘電損失
を測定した。また、併せて、ＤＣ５０Ｖを１分間印加す
ることにより、絶縁抵抗を測定した。また、焼結性の評
価として、浸透液を用いた浸透試験を実施した（ＪＩＳ
−Ｚ−２３４３およびＭＩＬ−ＳＴＤ−６８６６）。以
上の特性評価の結果を下記表２に示す。表２において、
「焼結性」は、浸透液が全く浸透しないものを「○」、
浸透液が試料全体に浸透してしまうものを「×」とし、
特性に影響が無い程度にわずかながら浸透してしまうも
のを「△」と表記した。
【００６５】
【表３】
【００６６】表１〜３から、試料番号１、３〜４、７〜
８、１１〜１２、１４〜４１のように、一般式：｛（Ｂ
ａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2（但し、０．０
２≦ｘ≦０．２２、０．０５≦ｙ≦０．２０、１．００
≦ｍ≦１．０５）で表される誘電体セラミック成分に、
Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分を混合、焼成してなる
積層コンデンサは、焼結温度が９００℃以下で、比誘電
率が８００以上、誘電損失は１．５％以下、絶縁抵抗は
１０6ＭΩｃｍ以上の各種電気抵抗に優れたものとなっ
た。
【００６７】これに対して、試料番号２の誘電体セラミ
ック組成物は、｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒ
y）Ｏ2で表される誘電体セラミック成分におけるｘが小
さすぎるので、誘電損失が大きくなってしまい、他方、
試料番号５の誘電体セラミック組成物は、｛（Ｂａ1-x
Ｃａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2で表される誘電体セ
ラミック成分におけるｘが大きすぎるので、比誘電率が
小さくなってしまった。
【００６８】また、試料番号６の誘電体セラミック組成
物は、｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2で
表される誘電体セラミック成分におけるｙが小さすぎる
ので、比誘電率が小さくなってしまい、他方、試料番号
９の誘電体セラミック組成物は、｛（Ｂａ1-xＣａx）
Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2で表される誘電体セラミック
成分におけるｙが大きすぎるので、焼結性が低下し、比
誘電率が小さくなってしまった。
【００６９】さらに、試料番号１０の誘電体セラミック
組成物は、｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝ m（Ｔｉ1-yＺｒy）
Ｏ2で表される誘電体セラミック成分におけるｍが小さ
すぎるので、粒成長に異常が発生し、誘電損失が大きく
なってしまい、他方、試料番号１３の誘電体セラミック
組成物は、｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）
Ｏ2で表される誘電体セラミック成分におけるｍが大き
すぎるので、焼結性が低下し、比誘電率が小さくなって
しまった。
【００７０】また、特に、試料番号１、３〜４、７〜
８、１１〜１２、１５〜１６、１９〜２０、２２〜２
４、２７〜２８、３１〜３２、３４〜３６、３９〜４０
で表される誘電体セラミック組成物からなる積層コンデ
ンサは、一般式：｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺ
ｒy）Ｏ2（但し、０．０２≦ｘ≦０．２２、０．０５≦
ｙ≦０．２０、１．００≦ｍ≦１．０５）で表される誘
電体セラミック成分に、下記（１）〜（６）の要件をす
べて満たすので、焼結温度が９００℃以下で、比誘電率
が１０００以上、誘電損失は１．０％以下、絶縁抵抗は
１０6ＭΩｃｍ以上であって、焼結性の優れたものとな
った。 （１）誘電体セラミック成分１００重量部に対して、Ｂ
ｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分を５〜５０重量部混合し
たもの。 （２）少なくとも、９〜４９モル％のＳｉＯ2、５〜３
０モル％のＢｉ2Ｏ3を含有するＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガ
ラス成分を混合したもの。 （３）ＣｕＯを１０〜２９モル％含有するＢｉ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2系ガラス成分を混合したもの。 （４）ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯを２５〜４５モ
ル％含有するＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分を混合し
たもの。 （５）Ｌｉ2Ｏを２〜１０モル％含有するＢｉ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2系ガラス成分を混合したもの。 （６）ＴｉＯ2を２〜１０モル％含有するＢｉ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2系ガラス成分を混合したもの。
【００７１】これに対して、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラ
ス成分の添加量の多い試料番号１７では、焼結性は良い
ものの絶縁抵抗が低くなった。また、Ｂｉ2Ｏ3含有量の
多すぎるＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分を添加した試
料番号２１では、焼結性は良いが、内部導体とＢｉとの
反応によるものと思われる絶縁抵抗の低下が見られた。
さらに、ＣｕＯの含有量が多いガラスを添加した試料番
号２９では、焼結性は良いものの誘電損失が劣化する傾
向があった。
【００７２】
【発明の効果】本発明の誘電体セラミック組成物によれ
ば、その原料組成物中に、低軟化点を有し、｛（Ｂａ
1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ2系誘電体セラミッ
ク成分の特性に影響を及ぼし難いＢｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系
ガラス成分を含有しているので、比較的低温で焼結可能
であって、高絶縁性、高誘電率、高Ｑ値を有する誘電体
セラミック組成物を実現できる。
【００７３】本発明の電子部品によれば、本発明の誘電
体セラミック組成物を誘電体層として備えているので、
比抵抗の小さなＡｇ系導体材料、Ｃｕ系導体材料または
Ａｕ系導体材料等と同時に焼成することができ、したが
って、高周波特性に優れた電子部品を実現することがで
きる。また、その誘電体層は各種の電気特性に優れるの
で、小型化、高密度化、高機能化を達成した電子部品に
なる。さらに、本発明の電子装置は、本発明の電子部品
を備えているので、小型化を達成し、信頼性の高い電子
装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態によるセラミック多層
モジュールの概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態によるＬＣフィルタの
分解斜視図である。
【図３】同、第２の実施形態によるＬＣフィルタの概略
斜視図である。
【図４】同、第２の実施形態によるＬＣフィルタの等価
回路図である。
【符号の説明】
１…セラミック多層モジュール ２…セラミック多層基板 ３ａ、３ｂ…絶縁体層 ４…誘電体層 ６、７…内部配線 ８、９…内部電極 １１、１２、１３…実装部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 2/06 Ｈ０１Ｇ 4/20 4/20 1/035 Ｅ 4/40 4/40 ３２１Ａ Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA11 AA12 AA25 AA30 AA35 BA09 CA08 5E082 AB03 BB01 DD08 FG22 FG26 KK01 PP03 5G303 AA07 AB01 AB06 AB08 AB15 BA12 CA03 CB03 CB05 CB06 CB30 CB35 CB39

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一般式：｛（Ｂａ1-xＣａx）Ｏ｝m（Ｔ
    ｉ1-yＺｒy）Ｏ2（但し、０．０２≦ｘ≦０．２２、
    ０．０５≦ｙ≦０．２０、１．００≦ｍ≦１．０５）で
    表される誘電体セラミック成分に、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2
    系ガラス成分を混合し、これを焼成してなることを特徴
    とする、誘電体セラミック組成物。
  2. 【請求項２】 前記誘電体セラミック成分１００重量部
    に対して、前記Ｂｉ 2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分を５〜
    ５０重量部混合することを特徴とする、請求項１に記載
    の誘電体セラミック組成物。
  3. 【請求項３】 前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
    は、少なくとも、９〜４９モル％のＳｉＯ2、５〜３０
    モル％のＢｉ2Ｏ3を含有することを特徴とする、請求項
    １または２に記載の誘電体セラミック組成物。
  4. 【請求項４】 前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
    は、酸化銅を、ＣｕＯ換算で、１０〜２９モル％含有す
    ることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載
    の誘電体セラミック組成物。
  5. 【請求項５】 前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
    は、アルカリ土類金属酸化物を２５〜４５モル％含有す
    ることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載
    の誘電体セラミック組成物。
  6. 【請求項６】 前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
    は、アルカリ金属酸化物を２〜１０モル％含有すること
    を特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の誘電
    体セラミック組成物。
  7. 【請求項７】 前記Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス成分
    は、酸化チタンを、ＴｉＯ2換算で、２〜１０モル％含
    有することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに
    記載の誘電体セラミック組成物。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれかに記載の誘電
    体セラミック組成物を誘電体層として備えたことを特徴
    とする、電子部品。
  9. 【請求項９】 前記誘電体層は所定の導体パターンを備
    えていることを特徴とする、請求項８に記載の電子部
    品。
  10. 【請求項１０】 前記誘電体層と導体層とを備えた基板
    上に、実装部品を搭載してなることを特徴とする、請求
    項８または９に記載の電子部品。
  11. 【請求項１１】 請求項８乃至１０のいずれかに記載の
    電子部品を備えることを特徴とする、電子装置。
JP2000057472A 2000-03-02 2000-03-02 誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置 Pending JP2001247365A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000057472A JP2001247365A (ja) 2000-03-02 2000-03-02 誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000057472A JP2001247365A (ja) 2000-03-02 2000-03-02 誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001247365A true JP2001247365A (ja) 2001-09-11

Family

ID=18578254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000057472A Pending JP2001247365A (ja) 2000-03-02 2000-03-02 誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001247365A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007122948A1 (ja) * 2006-03-30 2007-11-01 Ngk Insulators, Ltd. 誘電体磁器組成物および電子部品
KR100772794B1 (ko) 2005-01-20 2007-11-01 티디케이가부시기가이샤 전자 부품, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법
WO2009041166A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Soshin Electric Co., Ltd. セラミック多層基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5646641B2 (ja) * 1976-08-19 1981-11-05
JPH10149949A (ja) * 1996-11-18 1998-06-02 Murata Mfg Co Ltd Ｌｃ複合部品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5646641B2 (ja) * 1976-08-19 1981-11-05
JPH10149949A (ja) * 1996-11-18 1998-06-02 Murata Mfg Co Ltd Ｌｃ複合部品

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100772794B1 (ko) 2005-01-20 2007-11-01 티디케이가부시기가이샤 전자 부품, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법
WO2007122948A1 (ja) * 2006-03-30 2007-11-01 Ngk Insulators, Ltd. 誘電体磁器組成物および電子部品
JP2007290940A (ja) * 2006-03-30 2007-11-08 Soshin Electric Co Ltd 誘電体磁器組成物および電子部品
EP2000445A4 (en) * 2006-03-30 2010-04-28 Ngk Insulators Ltd METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE DIELECTRIC PORCELAIN
US7781360B2 (en) 2006-03-30 2010-08-24 Ngk Insulators, Ltd. Dielectric porcelain composition and electronic component
KR101009596B1 (ko) * 2006-03-30 2011-01-20 소신 덴키 가부시키가이샤 유전체 자기 조성물 및 전자부품
WO2009041166A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Soshin Electric Co., Ltd. セラミック多層基板
JP2009088089A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Soshin Electric Co Ltd セラミック多層基板
US8040657B2 (en) 2007-09-28 2011-10-18 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic multilayer substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5056528B2 (ja) 絶縁体セラミック組成物およびそれを用いた絶縁体セラミック
JP5273490B2 (ja) セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品
JP3223199B2 (ja) 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品
JP5040918B2 (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品
JP6458863B2 (ja) 低温焼結セラミック材料、セラミック焼結体およびセラミック電子部品
JP3687443B2 (ja) 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板
JP5533674B2 (ja) 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板
JP3903781B2 (ja) 複合積層セラミック電子部品及びその製造方法
US8652982B2 (en) Ceramic sintered body and method for producing ceramic sintered body
JP2001106571A (ja) 誘電体セラミック組成物及びセラミック電子部品
JP2010052970A (ja) セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品
JP2001106570A (ja) 誘電体セラミック組成物及びセラミック電子部品
JP2001247365A (ja) 誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置
KR100359721B1 (ko) 저온에서 금속전극과 동시 소성가능한 유전체 세라믹 조성물
JP3697975B2 (ja) 誘電体磁器組成物、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品
JP2000226255A (ja) 誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板
JP2009182285A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2005216998A (ja) セラミック回路基板及びその製造方法
JP3805173B2 (ja) ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板
JP4540297B2 (ja) 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板
JP3793557B2 (ja) ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板
JP4325928B2 (ja) ＢａＴｉＯ３系誘電体用電極ペーストおよび導体ペーストならびにコンデンサ内蔵多層配線基板
JPH01166599A (ja) 積層セラミック基板の製造方法
JPH032816B2 (ja)
JP2010278117A (ja) 配線基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091215

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100518