JP2001243665A - 光ディスク基板成型用スタンパおよびその製造方法 - Google Patents
光ディスク基板成型用スタンパおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のドライエッチングを用いた深溝ランド
グルーブ基板用スタンパの加工製造方法で発生するラン
ド／グルーブトラック表面や側壁部の荒れ、グルーブ端
部の突起や溝深さの不均一性を改善する。 【解決手段】 原盤１６上にレジスト２を塗布してパタ
ーン露光し、残存レジスト２をマスクとしてエッチング
法によりガイド溝を形成する過程において、予め互いに
材質の異なる複数の薄膜層１７、１８を原盤１６上に順
次成膜し、薄膜層１７、１８を選択的に順次エッチング
することにより、トラック表面や側壁部の荒れを低減し
た平坦で溝深さの均一性の良好なガイド溝を形成する光
ディスク基板成型用スタンパの製造方法。
グルーブ基板用スタンパの加工製造方法で発生するラン
ド／グルーブトラック表面や側壁部の荒れ、グルーブ端
部の突起や溝深さの不均一性を改善する。 【解決手段】 原盤１６上にレジスト２を塗布してパタ
ーン露光し、残存レジスト２をマスクとしてエッチング
法によりガイド溝を形成する過程において、予め互いに
材質の異なる複数の薄膜層１７、１８を原盤１６上に順
次成膜し、薄膜層１７、１８を選択的に順次エッチング
することにより、トラック表面や側壁部の荒れを低減し
た平坦で溝深さの均一性の良好なガイド溝を形成する光
ディスク基板成型用スタンパの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板
（光磁気記録媒体用基板など）のガイド溝を形成する為
に用いるスタンパおよびその製造方法に関する。本発明
のスタンパは、特にランド部とグルーブ部のどちらにも
記録を行うことのできるランドグルーブ記録用光ディス
クの基板を形成する場合に非常に有用である。
（光磁気記録媒体用基板など）のガイド溝を形成する為
に用いるスタンパおよびその製造方法に関する。本発明
のスタンパは、特にランド部とグルーブ部のどちらにも
記録を行うことのできるランドグルーブ記録用光ディス
クの基板を形成する場合に非常に有用である。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、光磁気記録媒体をランドグル
ーブ基板に成膜した様子を示す図である。光ビーム１２
５の入射方向から遠い記録トラック８をランド部、入射
方向に近い記録トラック９をグルーブ部と呼ぶ。ランド
グルーブ記録においては、ランドトラックを記録再生す
る際には、グルーブ部がトラッキング用のガイド溝とな
り、グルーブトラックを記録再生する際には、ランド部
がトラッキング用のガイド溝となって、隣接するランド
部とグルーブ部に同時に記録ができるので、トラック方
向の記録密度の向上に有効である。
ーブ基板に成膜した様子を示す図である。光ビーム１２
５の入射方向から遠い記録トラック８をランド部、入射
方向に近い記録トラック９をグルーブ部と呼ぶ。ランド
グルーブ記録においては、ランドトラックを記録再生す
る際には、グルーブ部がトラッキング用のガイド溝とな
り、グルーブトラックを記録再生する際には、ランド部
がトラッキング用のガイド溝となって、隣接するランド
部とグルーブ部に同時に記録ができるので、トラック方
向の記録密度の向上に有効である。
【０００３】ここで磁壁移動検出方式（USP6,027,825）
を用いることにより、線方向記録密度を向上させること
が出来るので、これとランドグルーブ記録を組み合わせ
ることにより面記録密度を従来の光磁気記録媒体との比
較で飛躍的に向上させることが可能である。
を用いることにより、線方向記録密度を向上させること
が出来るので、これとランドグルーブ記録を組み合わせ
ることにより面記録密度を従来の光磁気記録媒体との比
較で飛躍的に向上させることが可能である。
【０００４】さらに、ランドグルーブ記録において、磁
壁移動を容易にするための工夫としては、図１１に示す
ような急峻なテーパ部を有する所謂深溝基板（特開平９
−１６１３２１号参照）を用いることが効果的である。
この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を成膜すれ
ば、テーパ部（即ち、ランドとグルーブ間の側壁部）に
は実質的に磁性膜が堆積しないようにすることが出来
る。これにより、ランド部とグルーブ部夫々に対して、
側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成すること
が可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移動が
起こり易くなる。ランドトラック８とグルーブトラック
９の機械的距離は、少なくとも磁性膜の合計膜厚（実施
例では８０ｍｍ）を超えた１００〜３００ｍｍ程度に選
ぶと良い。
壁移動を容易にするための工夫としては、図１１に示す
ような急峻なテーパ部を有する所謂深溝基板（特開平９
−１６１３２１号参照）を用いることが効果的である。
この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を成膜すれ
ば、テーパ部（即ち、ランドとグルーブ間の側壁部）に
は実質的に磁性膜が堆積しないようにすることが出来
る。これにより、ランド部とグルーブ部夫々に対して、
側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成すること
が可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移動が
起こり易くなる。ランドトラック８とグルーブトラック
９の機械的距離は、少なくとも磁性膜の合計膜厚（実施
例では８０ｍｍ）を超えた１００〜３００ｍｍ程度に選
ぶと良い。
【０００５】加えて、側壁部に磁性膜が堆積しないよう
にすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロ
スイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時
に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラッ
クからのクロストークを抑制する効果が期待できる。な
ぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ
以上に加熱しないように出来るからである。このため、
隣接トラックに記録された磁区では磁壁移動が起こらず
通常の光磁気再生が行なわれるが、記録マーク長を光ス
ポットの分解能以下に選択しておけば大きなクロストー
クが発生することはない。
にすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロ
スイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時
に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラッ
クからのクロストークを抑制する効果が期待できる。な
ぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ
以上に加熱しないように出来るからである。このため、
隣接トラックに記録された磁区では磁壁移動が起こらず
通常の光磁気再生が行なわれるが、記録マーク長を光ス
ポットの分解能以下に選択しておけば大きなクロストー
クが発生することはない。
【０００６】前述した磁気的なトラックの分断効果、ク
ロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制効果の相
乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の組み合わ
せは、両記録密度を飛躍的に向上させることが可能であ
る（例えば、日本応用磁気学会誌 Vol.23, No.2, 1999,
p764-769, 白鳥「磁壁移動検出方式による光磁気ディ
スクの高密度化」参照）。
ロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制効果の相
乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の組み合わ
せは、両記録密度を飛躍的に向上させることが可能であ
る（例えば、日本応用磁気学会誌 Vol.23, No.2, 1999,
p764-769, 白鳥「磁壁移動検出方式による光磁気ディ
スクの高密度化」参照）。
【０００７】一方、矩形に近い断面形状が要求される深
溝基板用基板の作製には、異方性エッチングが用いられ
ることが一般的である。例えば、特開平７−１６１０８
０号には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いた
ランドグルーブ基板用のスタンパの製造加工方法が述べ
られている。
溝基板用基板の作製には、異方性エッチングが用いられ
ることが一般的である。例えば、特開平７−１６１０８
０号には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いた
ランドグルーブ基板用のスタンパの製造加工方法が述べ
られている。
【０００８】図１３および図１４を用いて、ランドグル
ーブ基板用のスタンパの製造加工方法（従来例）につい
て説明する。まず、外径３５０ｍｍ、内径７０ｍｍ、厚
さ６ｍｍで、表面粗度１ｎｍ以下に研磨された合成石英
原盤１を十分洗浄する。（１）次に、合成石英原盤１の
表面にプライマーをスピンコートした後、ポジ型フォト
レジスト２をスピンコートする。その後、原盤をクリー
ンオーブン内でプリベークする。レジストの膜厚は約２
００ｎｍである。（２）次に、波長４５８ｎｍのＡｒイ
オンレーザーを光源とするカッティングマシンにより、
原盤の所定の領域を一定のトラックピッチにて露光す
る。３はカッティングマシンの光ビーム、４は露光部、
５は未露光部である。例えば、トラックピッチは１.６
μｍ、現像後にランド（あるいはグルーブ）幅が略０.
８μｍに形成されるようにレーザービーム強度を設定し
て連続的に露光する。露光時の合成石英原盤の回転数は
４５０ｒｐｍ、レーザービームスポット直径は１.３μ
ｍである。（３）その後、無機アルカリ現像液でスピン
現像し、露光部４を除去する。後処理としての純水シャ
ワー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン内でポストベ
ークする。（４）その後、反応性イオンエッチング装置
のチャンバー内に原盤を入れ、真空度１×１０ -4Ｐａま
で排気した後、ＣＨＦ3ガスを導入し反応性イオンエッ
チングを行なう。ガス流量は６ｓｃｃｍ、ガス圧力は
０.３Ｐａ、ＲＦ電力は３００Ｗ、自己バイアス電圧は
−３００Ｖ、電極間距離は１００ｍｍである。エッチン
グ時間を調整し、所定のグルーブ深さ（例えば８５ｎ
ｍ）に達するまでエッチングする。（５）次に、濃硫酸
と過酸化水素水を混合した剥離液中に原盤７を浸し、残
留レジストを剥離する。図中、８はランド部、９はグル
ーブとなる。（６）洗浄後、原盤７の表面にＮｉ膜１０
をスパッタリングすることにより導電化する。（７）更
にＮｉ電鋳を行なう。１１はＮｉ電鋳層である。（８）
その後、Ｎｉ電鋳面を研磨してから、原盤７よりＮｉ電
鋳層１１を剥離する。（９）以上のようにして、スタン
パ１２を完成する。これを用いて、フォトポリマー（２
Ｐ）法などにより、ガラス基板表面にランド、グルーブ
パターンを複製することが出来る。
ーブ基板用のスタンパの製造加工方法（従来例）につい
て説明する。まず、外径３５０ｍｍ、内径７０ｍｍ、厚
さ６ｍｍで、表面粗度１ｎｍ以下に研磨された合成石英
原盤１を十分洗浄する。（１）次に、合成石英原盤１の
表面にプライマーをスピンコートした後、ポジ型フォト
レジスト２をスピンコートする。その後、原盤をクリー
ンオーブン内でプリベークする。レジストの膜厚は約２
００ｎｍである。（２）次に、波長４５８ｎｍのＡｒイ
オンレーザーを光源とするカッティングマシンにより、
原盤の所定の領域を一定のトラックピッチにて露光す
る。３はカッティングマシンの光ビーム、４は露光部、
５は未露光部である。例えば、トラックピッチは１.６
μｍ、現像後にランド（あるいはグルーブ）幅が略０.
８μｍに形成されるようにレーザービーム強度を設定し
て連続的に露光する。露光時の合成石英原盤の回転数は
４５０ｒｐｍ、レーザービームスポット直径は１.３μ
ｍである。（３）その後、無機アルカリ現像液でスピン
現像し、露光部４を除去する。後処理としての純水シャ
ワー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン内でポストベ
ークする。（４）その後、反応性イオンエッチング装置
のチャンバー内に原盤を入れ、真空度１×１０ -4Ｐａま
で排気した後、ＣＨＦ3ガスを導入し反応性イオンエッ
チングを行なう。ガス流量は６ｓｃｃｍ、ガス圧力は
０.３Ｐａ、ＲＦ電力は３００Ｗ、自己バイアス電圧は
−３００Ｖ、電極間距離は１００ｍｍである。エッチン
グ時間を調整し、所定のグルーブ深さ（例えば８５ｎ
ｍ）に達するまでエッチングする。（５）次に、濃硫酸
と過酸化水素水を混合した剥離液中に原盤７を浸し、残
留レジストを剥離する。図中、８はランド部、９はグル
ーブとなる。（６）洗浄後、原盤７の表面にＮｉ膜１０
をスパッタリングすることにより導電化する。（７）更
にＮｉ電鋳を行なう。１１はＮｉ電鋳層である。（８）
その後、Ｎｉ電鋳面を研磨してから、原盤７よりＮｉ電
鋳層１１を剥離する。（９）以上のようにして、スタン
パ１２を完成する。これを用いて、フォトポリマー（２
Ｐ）法などにより、ガラス基板表面にランド、グルーブ
パターンを複製することが出来る。
【０００９】また、特開平６−２５８５１０号公報に
は、反応性イオンエッチングを用いた回折格子製作用型
およびその製造方法についての開示がある。図１９は、
その一部分を示す部分斜視図であって、回折格子製作用
成形型は、平坦な表面２０１ａをもつ石英製の基板２０
１と、その表面２０１ａに成膜された第１ないし第３の
２層膜２０２ａ〜２０２ｃを有し、各２層膜２０２ａ〜
２０２ｃは材質の異なる２つの薄膜２０３、２０４を積
層したものであり、各２層膜２０２ａ〜２０２ｃの所定
の部分をエッチングによって除去することによって、底
面２０５ａと２つの段差２０５ｂ、２０５ｃを有する回
折格子転写用の凹所である溝２０５が形成されている。
各２層膜２０２ａ〜２０２ｃを構成する２つの薄膜２０
３、２０４の材質は、例えばＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の組合
わせ、あるいは、Ｃｒ2Ｏ3とＳｉＯ2の組合わせのよう
に、特定のエッチングガス（例えばＣＦ4）に対して一
方が反応しやすく、他方が反応し難い性質を有し、別の
エッチングガス（例えばＣＣｌ 4）に対しては反応性が
前記と逆であるような組合わせのものが選定されてい
る。従って、各２層膜２０２ａ〜２０２ｃの２つの薄膜
２０３、２０４の成膜時に、これらの膜厚が高精度に制
御されていれば、前記エッチング工程において、前記２
つのエッチングガスを交互に用いることにより、溝２０
５の底面２０５ａと段差２０５ｂ、２０５ｃをそれぞれ
所定の深さｈ１〜ｈ３にエッチングすることができる。
このとき、エッチング時間等を高精度で制御する必要が
ないため、エッチング工程の複雑化を避けることができ
るので、回折格子製作用成形型の製造コストを低くする
ことが可能になる。
は、反応性イオンエッチングを用いた回折格子製作用型
およびその製造方法についての開示がある。図１９は、
その一部分を示す部分斜視図であって、回折格子製作用
成形型は、平坦な表面２０１ａをもつ石英製の基板２０
１と、その表面２０１ａに成膜された第１ないし第３の
２層膜２０２ａ〜２０２ｃを有し、各２層膜２０２ａ〜
２０２ｃは材質の異なる２つの薄膜２０３、２０４を積
層したものであり、各２層膜２０２ａ〜２０２ｃの所定
の部分をエッチングによって除去することによって、底
面２０５ａと２つの段差２０５ｂ、２０５ｃを有する回
折格子転写用の凹所である溝２０５が形成されている。
各２層膜２０２ａ〜２０２ｃを構成する２つの薄膜２０
３、２０４の材質は、例えばＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の組合
わせ、あるいは、Ｃｒ2Ｏ3とＳｉＯ2の組合わせのよう
に、特定のエッチングガス（例えばＣＦ4）に対して一
方が反応しやすく、他方が反応し難い性質を有し、別の
エッチングガス（例えばＣＣｌ 4）に対しては反応性が
前記と逆であるような組合わせのものが選定されてい
る。従って、各２層膜２０２ａ〜２０２ｃの２つの薄膜
２０３、２０４の成膜時に、これらの膜厚が高精度に制
御されていれば、前記エッチング工程において、前記２
つのエッチングガスを交互に用いることにより、溝２０
５の底面２０５ａと段差２０５ｂ、２０５ｃをそれぞれ
所定の深さｈ１〜ｈ３にエッチングすることができる。
このとき、エッチング時間等を高精度で制御する必要が
ないため、エッチング工程の複雑化を避けることができ
るので、回折格子製作用成形型の製造コストを低くする
ことが可能になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ディスク基板成型用スタンパの製造方法には、以下に
述べるような問題点がある。
光ディスク基板成型用スタンパの製造方法には、以下に
述べるような問題点がある。
【００１１】まず、第１の問題点について、図１５およ
び図１６を用いて説明する。図１５は、図１３の（４）
に示した反応性イオンエッチングの工程図を拡大したも
のである。溝深さが、１００ｎｍを超えるような深溝と
なると、図１５に示すようにエッチングを行う反応性の
イオンが溝の側壁部に反射され、溝の端部に集中し、図
１６に示すようにその部分が過剰にエッチングされた部
分１３が生じてしまう。このようなスタンパを用いて、
２Ｐ法や射出成型により基板を成型すると、基板のグル
ーブ側の端部に突起部を生ずる。この突起部は、１５０
ｎｍ程度の深溝基板では数ｎｍの高さに達し、グルーブ
部の平滑性が著しく損なわれる。特に、磁壁移動検出方
式を行なう場合は、グルーブ部の磁壁の円滑な移動が突
起部で妨げられるという問題点がある。
び図１６を用いて説明する。図１５は、図１３の（４）
に示した反応性イオンエッチングの工程図を拡大したも
のである。溝深さが、１００ｎｍを超えるような深溝と
なると、図１５に示すようにエッチングを行う反応性の
イオンが溝の側壁部に反射され、溝の端部に集中し、図
１６に示すようにその部分が過剰にエッチングされた部
分１３が生じてしまう。このようなスタンパを用いて、
２Ｐ法や射出成型により基板を成型すると、基板のグル
ーブ側の端部に突起部を生ずる。この突起部は、１５０
ｎｍ程度の深溝基板では数ｎｍの高さに達し、グルーブ
部の平滑性が著しく損なわれる。特に、磁壁移動検出方
式を行なう場合は、グルーブ部の磁壁の円滑な移動が突
起部で妨げられるという問題点がある。
【００１２】次に、第２の問題点について、図１７およ
び図１８を用いて説明する。一般的に、反応性イオンエ
ッチングにおけるレジストと石英の選択比は取り難い。
特開平７−１６１０８０号公報では、これを改善するた
めに、エッチングガスを適当に選択しかつ低ガス圧、低
ＲＦパワーでレジスト２と石英基板１のエッチング選択
比を向上させようとしている。しかし、このような対策
を用いても、選択比は高々数対１程度しか得られず、エ
ッチングによるレジストの後退が発生してしまう。多く
の場合は、露光むらやレジストの材料むらに起因して均
一にはレジストの後退が起こらず、図１７に示すように
レジストの凹凸１４が生じてしまう。この凹凸１４は石
英基板１をエッチングする時にそのまま保存され、細か
な皺状の側壁部の荒れ１５となる。レジストを剥離した
状態の原盤７は、図１８に示すように、同様の荒れ１５
を生じていて、これから作製するスタンパや製品基板に
もそのまま転写される。この側壁部の荒れを持つ基板を
用いて、光磁気記録再生を行うと、再生スポットが側壁
の荒れで散乱されて反射光量が変動し、情報再生信号中
の基板ノイズを増加させ、信号のＳ／Ｎを悪化させてし
まう。特に、磁壁移動検出方式を行なう場合は、信号の
Ｓ／Ｎ劣化に加えて、ランド部の肩部に発生する数十ｎ
ｍ程度の皺状の荒れが磁壁の円滑な移動を妨げるという
問題点がある。
び図１８を用いて説明する。一般的に、反応性イオンエ
ッチングにおけるレジストと石英の選択比は取り難い。
特開平７−１６１０８０号公報では、これを改善するた
めに、エッチングガスを適当に選択しかつ低ガス圧、低
ＲＦパワーでレジスト２と石英基板１のエッチング選択
比を向上させようとしている。しかし、このような対策
を用いても、選択比は高々数対１程度しか得られず、エ
ッチングによるレジストの後退が発生してしまう。多く
の場合は、露光むらやレジストの材料むらに起因して均
一にはレジストの後退が起こらず、図１７に示すように
レジストの凹凸１４が生じてしまう。この凹凸１４は石
英基板１をエッチングする時にそのまま保存され、細か
な皺状の側壁部の荒れ１５となる。レジストを剥離した
状態の原盤７は、図１８に示すように、同様の荒れ１５
を生じていて、これから作製するスタンパや製品基板に
もそのまま転写される。この側壁部の荒れを持つ基板を
用いて、光磁気記録再生を行うと、再生スポットが側壁
の荒れで散乱されて反射光量が変動し、情報再生信号中
の基板ノイズを増加させ、信号のＳ／Ｎを悪化させてし
まう。特に、磁壁移動検出方式を行なう場合は、信号の
Ｓ／Ｎ劣化に加えて、ランド部の肩部に発生する数十ｎ
ｍ程度の皺状の荒れが磁壁の円滑な移動を妨げるという
問題点がある。
【００１３】次に、第３の問題点について説明する。先
に述べた特開平７−１６１０８０号公報に記載の方法で
は、ＣＨＦ3ガスを用いたエッチングを行なっており、
このエッチングでは、フッ素樹脂［−(ＣＦ2−ＣＦ2)n
−］等が盛んに生成する。これらは、適当量ならば、レ
ジスト表面を覆い反応性イオンからレジストを保護し
て、レジストと石英基板のエッチング選択比を向上させ
る働きがある。しかし、過剰に生成されると、深溝の外
に排出され難くなり、側壁のエッチングむらや側壁直角
度を悪くしたり、グルーブ部の表面粗さを損なったりす
る。これは、スタンパや製品基板にもそのまま転写され
るので、このような基板を用いて光磁気記録再生を行う
と、再生スポットが荒れた部分で散乱されて反射光量が
変動し、情報再生信号中の基板ノイズを増加させ信号の
Ｓ／Ｎを悪化させるという問題点がある。
に述べた特開平７−１６１０８０号公報に記載の方法で
は、ＣＨＦ3ガスを用いたエッチングを行なっており、
このエッチングでは、フッ素樹脂［−(ＣＦ2−ＣＦ2)n
−］等が盛んに生成する。これらは、適当量ならば、レ
ジスト表面を覆い反応性イオンからレジストを保護し
て、レジストと石英基板のエッチング選択比を向上させ
る働きがある。しかし、過剰に生成されると、深溝の外
に排出され難くなり、側壁のエッチングむらや側壁直角
度を悪くしたり、グルーブ部の表面粗さを損なったりす
る。これは、スタンパや製品基板にもそのまま転写され
るので、このような基板を用いて光磁気記録再生を行う
と、再生スポットが荒れた部分で散乱されて反射光量が
変動し、情報再生信号中の基板ノイズを増加させ信号の
Ｓ／Ｎを悪化させるという問題点がある。
【００１４】次に、第４の問題点について説明する。一
般に反応性イオンエッチングでは、基板材料のばらつき
やエッチングチャンバー内の雰囲気の変動により、溝深
さの制御が困難であり、溝深さの面内むらが大きいとい
う問題点がある。例えば、φ２００ｍｍ基板を用いた場
合の１５０ｎｍ程度の深溝では、±７％程度の溝深さむ
らが生じてしまう。
般に反応性イオンエッチングでは、基板材料のばらつき
やエッチングチャンバー内の雰囲気の変動により、溝深
さの制御が困難であり、溝深さの面内むらが大きいとい
う問題点がある。例えば、φ２００ｍｍ基板を用いた場
合の１５０ｎｍ程度の深溝では、±７％程度の溝深さむ
らが生じてしまう。
【００１５】最後に、第５の問題点として、従来法で
は、均質で高価な合成石英基板を必要とするという問題
点がある。
は、均質で高価な合成石英基板を必要とするという問題
点がある。
【００１６】本発明は、上述した従来技術の課題を解決
すべくなされたものであり、その目的は、高精度かつ良
好な光ディスク基板を簡易かつ安価に製造することが可
能なスタンパおよびその製造方法を提供することにあ
る。
すべくなされたものであり、その目的は、高精度かつ良
好な光ディスク基板を簡易かつ安価に製造することが可
能なスタンパおよびその製造方法を提供することにあ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、予め原盤上
に、異なる複数の薄膜層（互いに異なるエッチング比の
薄膜層）を積層成膜するか、あるいは、原盤とは材質の
異なる薄膜層（原盤とは異なるエッチング比の薄膜層）
を成膜して、それら薄膜層を選択的にエッチング（異方
性エッチング等）することが、ランドグルーブ記録用光
ディスクの複製用のスタンパの製造方法において非常に
効果的であることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
に、異なる複数の薄膜層（互いに異なるエッチング比の
薄膜層）を積層成膜するか、あるいは、原盤とは材質の
異なる薄膜層（原盤とは異なるエッチング比の薄膜層）
を成膜して、それら薄膜層を選択的にエッチング（異方
性エッチング等）することが、ランドグルーブ記録用光
ディスクの複製用のスタンパの製造方法において非常に
効果的であることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１８】すなわち、本発明は、原盤上にフォトレジ
ストを塗布してパターン露光し、現像後の残存フォトレ
ジストをマスクとしてエッチング法によりガイド溝を形
成する光ディスク基板成型用スタンパの製造方法におい
て、予め互いに材質の異なる複数の薄膜層を前記原盤上
に積層成膜し、前記複数の薄膜層を選択的に順次エッチ
ングすることにより前記ガイド溝を形成することを特徴
とする光ディスク基板成型用スタンパの製造方法であ
る。
ストを塗布してパターン露光し、現像後の残存フォトレ
ジストをマスクとしてエッチング法によりガイド溝を形
成する光ディスク基板成型用スタンパの製造方法におい
て、予め互いに材質の異なる複数の薄膜層を前記原盤上
に積層成膜し、前記複数の薄膜層を選択的に順次エッチ
ングすることにより前記ガイド溝を形成することを特徴
とする光ディスク基板成型用スタンパの製造方法であ
る。
【００１９】さらに本発明は、原盤上にフォトレジスト
を塗布してパターン露光し、現像後の残存フォトレジス
トをマスクとしてエッチング法によりガイド溝を形成す
る光ディスク基板成型用スタンパの製造方法において、
予め前記原盤とは材質の異なる薄膜層を前記原盤上に少
なくとも１層成膜し、前記薄膜層を選択的に異方性エッ
チングすることにより前記ガイド溝を形成することを特
徴とする光ディスク基板成型用スタンパの製造方法であ
る。
を塗布してパターン露光し、現像後の残存フォトレジス
トをマスクとしてエッチング法によりガイド溝を形成す
る光ディスク基板成型用スタンパの製造方法において、
予め前記原盤とは材質の異なる薄膜層を前記原盤上に少
なくとも１層成膜し、前記薄膜層を選択的に異方性エッ
チングすることにより前記ガイド溝を形成することを特
徴とする光ディスク基板成型用スタンパの製造方法であ
る。
【００２０】さらに本発明は、前記各製造方法により製
造された光ディスク基板成型用スタンパである。
造された光ディスク基板成型用スタンパである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２２】本発明の製造方法において、材質の異なる
複数の薄膜層を原盤上に積層成膜しこれら複数の薄膜層
をエッチングする場合は、例えば、薄膜層ごとにドライ
エッチングとウェットエッチングを行なうことにより、
所望のパターン状（グルーブ状のガイド溝）に原盤を露
出させればよい。ドライエッチング法としては、例え
ば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法、スパッタエ
ッチング（ＳＥ）法、反応性イオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）法、スパッタイオンビームエッチング（Ｓ
ＩＢＥ）法等の異方性エッチング法が挙げられる。特に
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が好ましい。本発
明においては、このようなエッチングにより、ガイド溝
の深さが好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１
００ｎｍ〜３００ｎｍ程度になるような深溝を形成でき
る。
複数の薄膜層を原盤上に積層成膜しこれら複数の薄膜層
をエッチングする場合は、例えば、薄膜層ごとにドライ
エッチングとウェットエッチングを行なうことにより、
所望のパターン状（グルーブ状のガイド溝）に原盤を露
出させればよい。ドライエッチング法としては、例え
ば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法、スパッタエ
ッチング（ＳＥ）法、反応性イオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）法、スパッタイオンビームエッチング（Ｓ
ＩＢＥ）法等の異方性エッチング法が挙げられる。特に
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が好ましい。本発
明においては、このようなエッチングにより、ガイド溝
の深さが好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１
００ｎｍ〜３００ｎｍ程度になるような深溝を形成でき
る。
【００２３】具体的には、予め互いに材質の異なる第１
の薄膜層と第２の薄膜層を原盤上に順次積層成膜し、第
２の薄膜層を残存フォトレジストをマスクとして選択的
に異方性エッチングし、この異方性エッチング後に第１
の薄膜層を選択的にウェットエッチングする方法等が挙
げられる。第１の薄膜層としては、第２の薄膜層に比べ
異方性エッチングによりエッチングされ難い材料、例え
ば、Ａｌ2Ｏ3又はＣｒ 2Ｏ3が挙げられる。第２の薄膜層
としては、レジストに比べ異方性エッチングによりエッ
チングされ易い材料、例えば、ＳｉＯ2が挙げられる。な
お、第１の薄膜層と第２の薄膜層の合計膜厚は、光ディ
スク基板上に形成される磁性層の膜厚より厚い。更に、
第１の薄膜層は、第２の薄膜層を異方性エッチングした
際に基板表面を露出させない程度の膜厚を有していれば
良い。第２の薄膜層の膜厚は、ガイド溝を構成する部分
であるから第１の薄膜層に比べ十分に厚い必要がある。
の薄膜層と第２の薄膜層を原盤上に順次積層成膜し、第
２の薄膜層を残存フォトレジストをマスクとして選択的
に異方性エッチングし、この異方性エッチング後に第１
の薄膜層を選択的にウェットエッチングする方法等が挙
げられる。第１の薄膜層としては、第２の薄膜層に比べ
異方性エッチングによりエッチングされ難い材料、例え
ば、Ａｌ2Ｏ3又はＣｒ 2Ｏ3が挙げられる。第２の薄膜層
としては、レジストに比べ異方性エッチングによりエッ
チングされ易い材料、例えば、ＳｉＯ2が挙げられる。な
お、第１の薄膜層と第２の薄膜層の合計膜厚は、光ディ
スク基板上に形成される磁性層の膜厚より厚い。更に、
第１の薄膜層は、第２の薄膜層を異方性エッチングした
際に基板表面を露出させない程度の膜厚を有していれば
良い。第２の薄膜層の膜厚は、ガイド溝を構成する部分
であるから第１の薄膜層に比べ十分に厚い必要がある。
【００２４】また、第２の薄膜層の上にさらに第２の薄
膜層より薄い第３の薄膜層を順次成膜し、第３の薄膜層
を残存フォトレジストをマスクとして選択的にエッチン
グ（異方性エッチング又はウェットエッチング）して、
このエッチング後に第２の薄膜層を少なくとも第３の薄
膜層をマスクとして選択的に異方性エッチングし、この
異方性エッチング後に第１の薄膜層を選択的にウェット
エッチングする方法も好ましい。なお、第３の薄膜層
は、第２の薄膜層を異方性エッチングした際に、マスク
されるべき第２の薄膜層の部分を露出させない程度の膜
厚を有していれば良い。具体的な材料としては、Ａｌ2
Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3（若しくはＣｒ）が挙げられる。
膜層より薄い第３の薄膜層を順次成膜し、第３の薄膜層
を残存フォトレジストをマスクとして選択的にエッチン
グ（異方性エッチング又はウェットエッチング）して、
このエッチング後に第２の薄膜層を少なくとも第３の薄
膜層をマスクとして選択的に異方性エッチングし、この
異方性エッチング後に第１の薄膜層を選択的にウェット
エッチングする方法も好ましい。なお、第３の薄膜層
は、第２の薄膜層を異方性エッチングした際に、マスク
されるべき第２の薄膜層の部分を露出させない程度の膜
厚を有していれば良い。具体的な材料としては、Ａｌ2
Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3（若しくはＣｒ）が挙げられる。
【００２５】Ａｌ2Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3から成る第１の薄膜
層は、例えば、アルカリ性液でウェットエッチングする
ことができる。ＳｉＯ2から成る第２の薄膜層のドライ
エッチングの為には、ＣＨＦ3ガス、又は、ＣＦ4とＨ2
の混合ガス等を用いることが好ましい。また、ＣＨＦ3
ガスにＣＦ4ガスを加えた混合ガスを用いることもでき
る。Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3又はＣｒから成る第３の薄膜層
のドライエッチングの為にはＣＣｌ4ガス等を用いるこ
とができる。また、第３の薄膜層をウエットエッチング
する為には、Ａｌ2Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3の場合はアルカリ性
液等を用いることができ、Ｃｒの場合は硝酸セリウムア
ンモニウム液等を用いることができる。
層は、例えば、アルカリ性液でウェットエッチングする
ことができる。ＳｉＯ2から成る第２の薄膜層のドライ
エッチングの為には、ＣＨＦ3ガス、又は、ＣＦ4とＨ2
の混合ガス等を用いることが好ましい。また、ＣＨＦ3
ガスにＣＦ4ガスを加えた混合ガスを用いることもでき
る。Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3又はＣｒから成る第３の薄膜層
のドライエッチングの為にはＣＣｌ4ガス等を用いるこ
とができる。また、第３の薄膜層をウエットエッチング
する為には、Ａｌ2Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3の場合はアルカリ性
液等を用いることができ、Ｃｒの場合は硝酸セリウムア
ンモニウム液等を用いることができる。
【００２６】これら薄膜層の成膜法としては、例えば、
真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、イ
オンビームアシスト蒸着、イオン化金属スパッタ法、イ
オンビームスパッタ法など、公知の種々の成膜方法を採
用できる。これらの薄膜は、後述するように反応性イオ
ンエッチング等に晒され、また、現像液、剥離液などの
酸やアルカリにも晒されるので、密着力や膜強度を高め
ることが望ましい。また薄膜の表面粗さもガラス原盤程
度に抑えて、緻密な膜にすることが望ましい。
真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、イ
オンビームアシスト蒸着、イオン化金属スパッタ法、イ
オンビームスパッタ法など、公知の種々の成膜方法を採
用できる。これらの薄膜は、後述するように反応性イオ
ンエッチング等に晒され、また、現像液、剥離液などの
酸やアルカリにも晒されるので、密着力や膜強度を高め
ることが望ましい。また薄膜の表面粗さもガラス原盤程
度に抑えて、緻密な膜にすることが望ましい。
【００２７】また、原盤上に材質の異なる複数の薄膜層
を成膜する場合、使用する原盤の材質としては、ガラス
製の原盤が好ましい。合成石英原盤を用いることもでき
るが、ガラス原盤の方が合成石英原盤よりも安価であ
る。
を成膜する場合、使用する原盤の材質としては、ガラス
製の原盤が好ましい。合成石英原盤を用いることもでき
るが、ガラス原盤の方が合成石英原盤よりも安価であ
る。
【００２８】一方、原盤とは材質の異なる薄膜層を成膜
し、この薄膜層を選択的に異方性エッチングする場合
は、原盤は好ましくは単結晶Ｓｉ基板であり、薄膜層は
好ましくはその熱酸化膜（ＳｉＯ2）である。この場
合、熱酸化膜（ＳｉＯ2）に対して異方性エッチングを
行なことにより、所望のパターン状（グルーブ状のガイ
ド溝）に原盤を露出させればよい。
し、この薄膜層を選択的に異方性エッチングする場合
は、原盤は好ましくは単結晶Ｓｉ基板であり、薄膜層は
好ましくはその熱酸化膜（ＳｉＯ2）である。この場
合、熱酸化膜（ＳｉＯ2）に対して異方性エッチングを
行なことにより、所望のパターン状（グルーブ状のガイ
ド溝）に原盤を露出させればよい。
【００２９】本発明においては、このような薄膜層に、
まずフォトレジストを塗布してパターン露光し、現像後
の残存フォトレジストをマスクとしてエッチング法によ
りガイド溝を形成する。例えば、ガラス原盤を回転させ
ながら、所望のスポット径のレーザービームスポットで
露光することにより一定のトラックピッチの露光が可能
である。
まずフォトレジストを塗布してパターン露光し、現像後
の残存フォトレジストをマスクとしてエッチング法によ
りガイド溝を形成する。例えば、ガラス原盤を回転させ
ながら、所望のスポット径のレーザービームスポットで
露光することにより一定のトラックピッチの露光が可能
である。
【００３０】本発明において、パターン露光はレーザビ
ームにより行なうことが好ましい。そして、スポット径
は小さくして露光量を上げた方が均一な溝幅が得られ
る。このレーザービームのスポット形状［Ｊ（ｒ）］を
ガウス分布で近似すると次式（I）に示すようになる。
ームにより行なうことが好ましい。そして、スポット径
は小さくして露光量を上げた方が均一な溝幅が得られ
る。このレーザービームのスポット形状［Ｊ（ｒ）］を
ガウス分布で近似すると次式（I）に示すようになる。
【００３１】
【数３】 ｒ：レーザービーム中心からの距離 ｗ0：スポット半径（１／ｅ2径）。
【００３２】レジスト膜厚に対して、エッチング量がほ
ぼ同じになる露光量（照射エネルギー密度）をＪsとす
ると、上式（I）のような光量分布のレーザービームス
ポットを用いて露光を行った時の溝幅２ｒsは、次式（I
I）に示すようになる。
ぼ同じになる露光量（照射エネルギー密度）をＪsとす
ると、上式（I）のような光量分布のレーザービームス
ポットを用いて露光を行った時の溝幅２ｒsは、次式（I
I）に示すようになる。
【００３３】
【数４】 この相対エネルギー密度ｌｎ（Ｊ0／Ｊs）とレジスト溝
幅２ｒsの関係を、図１２に示す（諸条件は後述する実
施例１と同様）。従来の一般的な方法においては、相対
エネルギー密度ｌｎ（Ｊ0／Ｊs）＝２程度が選択されて
いる。しかし、本発明においては、相対エネルギー密度
ｌｎ（Ｊ0／Ｊs）＝３以上の露光量で露光することが好
ましい。この場合、露光量がばらついても溝幅の変化量
を抑えることが可能となり、その結果、一定で滑らかな
レジスト溝幅を得られ、これをマスクとして異方性エッ
チングを行った場合にも側壁部の荒れを低減するのに大
きな効果がある。
幅２ｒsの関係を、図１２に示す（諸条件は後述する実
施例１と同様）。従来の一般的な方法においては、相対
エネルギー密度ｌｎ（Ｊ0／Ｊs）＝２程度が選択されて
いる。しかし、本発明においては、相対エネルギー密度
ｌｎ（Ｊ0／Ｊs）＝３以上の露光量で露光することが好
ましい。この場合、露光量がばらついても溝幅の変化量
を抑えることが可能となり、その結果、一定で滑らかな
レジスト溝幅を得られ、これをマスクとして異方性エッ
チングを行った場合にも側壁部の荒れを低減するのに大
きな効果がある。
【００３４】そして、このようなパターン露光の後に、
所望のエッチングを行なう。材質の異なる薄膜層に応じ
て、適宜、エッチング選択比の異なるエッチング手段を
実施すれば、本発明の目的を達成できる。例えば、ＣＨ
Ｆ3ガスを用いてドライエッチングを行なう場合、この
ＣＨＦ3ガスは、ＳｉＯ2層はエッチングするが、Ａｌ 2
Ｏ3層に対しては反応性が極めて低くほとんどエッチン
グしない。そのエッチング選択比は、Ａｌ2Ｏ3：ＳｉＯ
2＝１：２０〜３０程度である。したがって、例えば、
Ａｌ2Ｏ3から成る薄膜層の上にＳｉＯ2から成る薄膜層
を積層しておけば、エッチング時間を厳密に調整しなく
ても、Ａｌ2Ｏ3から成る薄膜層が露出した段階でエッチ
ングが自動的に停止する。つまり、Ａｌ2Ｏ3から成る薄
膜層は、エッチングのストッパ層として機能する。この
場合、エッチングする深さとエッチングレートより算出
される時間よりも幾分過剰にエッチングを行えば、エッ
チングチャンバー内の雰囲気の変動や不均一などが多少
発生しても、常に所定のグルーブ深さにエッチングが達
成され、場所むらも生じない。
所望のエッチングを行なう。材質の異なる薄膜層に応じ
て、適宜、エッチング選択比の異なるエッチング手段を
実施すれば、本発明の目的を達成できる。例えば、ＣＨ
Ｆ3ガスを用いてドライエッチングを行なう場合、この
ＣＨＦ3ガスは、ＳｉＯ2層はエッチングするが、Ａｌ 2
Ｏ3層に対しては反応性が極めて低くほとんどエッチン
グしない。そのエッチング選択比は、Ａｌ2Ｏ3：ＳｉＯ
2＝１：２０〜３０程度である。したがって、例えば、
Ａｌ2Ｏ3から成る薄膜層の上にＳｉＯ2から成る薄膜層
を積層しておけば、エッチング時間を厳密に調整しなく
ても、Ａｌ2Ｏ3から成る薄膜層が露出した段階でエッチ
ングが自動的に停止する。つまり、Ａｌ2Ｏ3から成る薄
膜層は、エッチングのストッパ層として機能する。この
場合、エッチングする深さとエッチングレートより算出
される時間よりも幾分過剰にエッチングを行えば、エッ
チングチャンバー内の雰囲気の変動や不均一などが多少
発生しても、常に所定のグルーブ深さにエッチングが達
成され、場所むらも生じない。
【００３５】従来技術においては、加工した原盤のグル
ーブ端部に過剰にエッチングされた部分１３が生じる問
題が有ったが（第１の問題点、図１６参照）、本発明で
は下側の薄膜層がストッパ層として機能し得るので、こ
のような問題が生じない。また、従来技術においては、
グルーブトラックの表面が、反応性イオンエッチングの
際に荒れてしまう傾向にあったが、本発明では、反応性
イオンエッチング時はグルーブトラック位置の原盤の表
面は薄膜層（ストッパ層）で覆われており、反応性イオ
ンエッチング後にその薄膜層を除去することができるの
でこのような問題が生じない。
ーブ端部に過剰にエッチングされた部分１３が生じる問
題が有ったが（第１の問題点、図１６参照）、本発明で
は下側の薄膜層がストッパ層として機能し得るので、こ
のような問題が生じない。また、従来技術においては、
グルーブトラックの表面が、反応性イオンエッチングの
際に荒れてしまう傾向にあったが、本発明では、反応性
イオンエッチング時はグルーブトラック位置の原盤の表
面は薄膜層（ストッパ層）で覆われており、反応性イオ
ンエッチング後にその薄膜層を除去することができるの
でこのような問題が生じない。
【００３６】また、保護層として大きなエッチング選択
比の第３の薄膜層等を設けた場合は、これをマスクとし
てその下の薄膜層をエッチングすることもでき、その結
果、レジストの膜厚をさらに薄くして、ランド肩部の荒
れを低減し、より一定で滑らかなレジスト溝幅を得るこ
ともできる。
比の第３の薄膜層等を設けた場合は、これをマスクとし
てその下の薄膜層をエッチングすることもでき、その結
果、レジストの膜厚をさらに薄くして、ランド肩部の荒
れを低減し、より一定で滑らかなレジスト溝幅を得るこ
ともできる。
【００３７】本発明のスタンパを用いて、フォトポリマ
ー（２Ｐ）法などにより、ガラス基板表面にランド、グ
ルーブパターンを複製することにより、優れた光ディス
ク基板が得られる。
ー（２Ｐ）法などにより、ガラス基板表面にランド、グ
ルーブパターンを複製することにより、優れた光ディス
ク基板が得られる。
【００３８】本発明のスタンパは、特に、ランドグルー
ブ記録可能な光ディスク基板を成型する場合や、ランド
とグルーブの高低差が１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の深
溝光ディスク基板を成型する場合に非常に有用である。
ガイド溝の深さは、光ディスク再生用ビームの波長を
λ、基板屈折率をｎとすると、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、
５λ／６ｎの何れかとすれば、隣接トラックからのクロ
ストークを大幅に軽減することが出来る。
ブ記録可能な光ディスク基板を成型する場合や、ランド
とグルーブの高低差が１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の深
溝光ディスク基板を成型する場合に非常に有用である。
ガイド溝の深さは、光ディスク再生用ビームの波長を
λ、基板屈折率をｎとすると、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、
５λ／６ｎの何れかとすれば、隣接トラックからのクロ
ストークを大幅に軽減することが出来る。
【００３９】ランド、グルーブパターンを有する光ディ
スク基板に、所望の記録層を形成すれば、記録媒体が得
られる。例えば、この光ディスク基板上に、少なくとも
第１、第２、第３の磁性層が順次積層され、第１の磁性
層は周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて
相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁
化膜からなり、第２の磁性層は第１の磁性層および第３
の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層からなり、第
３の磁性層は垂直磁化膜である光磁気記録媒体を製造で
きる。
スク基板に、所望の記録層を形成すれば、記録媒体が得
られる。例えば、この光ディスク基板上に、少なくとも
第１、第２、第３の磁性層が順次積層され、第１の磁性
層は周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて
相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁
化膜からなり、第２の磁性層は第１の磁性層および第３
の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層からなり、第
３の磁性層は垂直磁化膜である光磁気記録媒体を製造で
きる。
【００４０】USP6027825（特開平６−２９０４９６号公
報）等には、磁壁移動検出方式による光磁気記録の高密
度化が提案されている。この磁壁移動検出方式によれ
ば、読み出し光スポットの温度勾配による磁壁の移動現
象を利用して、線（トラック）方向に光スポット径で制
約される限界を超えた再生分解能を得ることが出来る。
後に述べるように本発明の光磁気記録媒体においては、
この磁壁移動検出方式を適用することが特に好適であ
る。
報）等には、磁壁移動検出方式による光磁気記録の高密
度化が提案されている。この磁壁移動検出方式によれ
ば、読み出し光スポットの温度勾配による磁壁の移動現
象を利用して、線（トラック）方向に光スポット径で制
約される限界を超えた再生分解能を得ることが出来る。
後に述べるように本発明の光磁気記録媒体においては、
この磁壁移動検出方式を適用することが特に好適であ
る。
【００４１】図９は、磁壁移動検出方式の光磁気記録媒
体およびその再生方法における作用を説明するため模式
図である。図９（ａ）は、光磁気記録媒体の模式的断面
図である。この媒体の磁性層は、第１の磁性層１１１、
第２の磁性層１１２、第３の磁性層１１３が順次積層さ
れてなる。各層中の矢印１１４は原子スピンの向きを表
している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部
には磁壁１１５が形成されている。１１６は読み出し用
の光スポット、矢印１１８は記録媒体の光スポット１１
６に対する移動方向である。この記録層の記録信号は、
下側にグラフとして表す。
体およびその再生方法における作用を説明するため模式
図である。図９（ａ）は、光磁気記録媒体の模式的断面
図である。この媒体の磁性層は、第１の磁性層１１１、
第２の磁性層１１２、第３の磁性層１１３が順次積層さ
れてなる。各層中の矢印１１４は原子スピンの向きを表
している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部
には磁壁１１５が形成されている。１１６は読み出し用
の光スポット、矢印１１８は記録媒体の光スポット１１
６に対する移動方向である。この記録層の記録信号は、
下側にグラフとして表す。
【００４２】図９（ｂ）は、光磁気記録媒体上に形成さ
れる温度分布を示すグラフである。この温度分布は、再
生用に照射されている光スポット１１６によって媒体上
に形成され、光スポット１１６の手前側から温度が上昇
し、光スポット１１６の後方に温度のピークが来る。こ
こで位置Ｘｓにおいては、媒体温度が第２の磁性層１１
２のキュリー温度近傍の温度Ｔｓになっている。
れる温度分布を示すグラフである。この温度分布は、再
生用に照射されている光スポット１１６によって媒体上
に形成され、光スポット１１６の手前側から温度が上昇
し、光スポット１１６の後方に温度のピークが来る。こ
こで位置Ｘｓにおいては、媒体温度が第２の磁性層１１
２のキュリー温度近傍の温度Ｔｓになっている。
【００４３】図９（ｃ）は、（ｂ）の温度分布に対応す
る第１の磁性層１１１の磁壁エネルギー密度σ１の分布
を示すグラフである。この様にＸ方向に磁壁エネルギー
密度σ１の勾配があると、位置Ｘに存在する各層の磁壁
１１５に対して力Ｆ１＝∂σ／∂Ｘが作用する。この力
Ｆ１は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁１１５を移動さ
せるように作用する。第１の磁性層１１１は、磁壁抗磁
力が小さく磁壁移動度が大きいので、単独では、この力
Ｆ１によって容易に磁壁１１５が移動する。しかし、位
置Ｘｓより手前（図では右側）の領域では、まだ媒体温
度がＴｓより低く、磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層１
１３と交換結合しているために、第３の磁性層１１３中
の磁壁１１５の位置に対応した位置に第１の磁性層１１
１中の磁壁１１５も固定されている。
る第１の磁性層１１１の磁壁エネルギー密度σ１の分布
を示すグラフである。この様にＸ方向に磁壁エネルギー
密度σ１の勾配があると、位置Ｘに存在する各層の磁壁
１１５に対して力Ｆ１＝∂σ／∂Ｘが作用する。この力
Ｆ１は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁１１５を移動さ
せるように作用する。第１の磁性層１１１は、磁壁抗磁
力が小さく磁壁移動度が大きいので、単独では、この力
Ｆ１によって容易に磁壁１１５が移動する。しかし、位
置Ｘｓより手前（図では右側）の領域では、まだ媒体温
度がＴｓより低く、磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層１
１３と交換結合しているために、第３の磁性層１１３中
の磁壁１１５の位置に対応した位置に第１の磁性層１１
１中の磁壁１１５も固定されている。
【００４４】磁壁移動検出方式においては、図９（ａ）
に示す様に、磁壁１１５が媒体の位置Ｘｓにあると、媒
体温度が第２の磁性層１１２のキュリー温度近傍の温度
Ｔｓまで上昇し、第１の磁性層１１１と第３の磁性層１
１３との間の交換結合が切断される。この結果、第１の
磁性層１１１中の磁壁１１５は、破線矢印１１７で示し
た様に、より温度が高く磁壁エネルギー密度の小さな領
域へと“瞬間的”に移動する。
に示す様に、磁壁１１５が媒体の位置Ｘｓにあると、媒
体温度が第２の磁性層１１２のキュリー温度近傍の温度
Ｔｓまで上昇し、第１の磁性層１１１と第３の磁性層１
１３との間の交換結合が切断される。この結果、第１の
磁性層１１１中の磁壁１１５は、破線矢印１１７で示し
た様に、より温度が高く磁壁エネルギー密度の小さな領
域へと“瞬間的”に移動する。
【００４５】再生用の光スポット１１６の下を磁壁１１
５が通過すると、光スポット１１６内の第１の磁性層１
１１の原子スピンは全て一方向に揃う。そして、媒体の
移動に伴って磁壁１１５が位置Ｘｓに来る度に、光スポ
ット１１６の下を磁壁１１５が瞬間的に移動し光スポッ
ト１１６内の原子スピンの向きが反転して全て一方向に
揃う。この結果、図９（ａ）に示す様に、再生信号振幅
は記録されている磁壁１１５の間隔（即ち記録マーク
長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的
な回折限界に起因した波形干渉等の問題から解放され
る。磁壁移動の発生は、磁壁移動領域の磁化反転に伴う
再生用レーザビームの偏光面の回転として、従来の光磁
気ヘッドで検出することが出来る。
５が通過すると、光スポット１１６内の第１の磁性層１
１１の原子スピンは全て一方向に揃う。そして、媒体の
移動に伴って磁壁１１５が位置Ｘｓに来る度に、光スポ
ット１１６の下を磁壁１１５が瞬間的に移動し光スポッ
ト１１６内の原子スピンの向きが反転して全て一方向に
揃う。この結果、図９（ａ）に示す様に、再生信号振幅
は記録されている磁壁１１５の間隔（即ち記録マーク
長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的
な回折限界に起因した波形干渉等の問題から解放され
る。磁壁移動の発生は、磁壁移動領域の磁化反転に伴う
再生用レーザビームの偏光面の回転として、従来の光磁
気ヘッドで検出することが出来る。
【００４６】図１０は、光磁気記録媒体の層構成を例示
する模式的断面図である。この図においては、透明基板
（光ディスク基板）１２４上に、誘電体層１２３、第１
の磁性層１２２、第２の磁性層１２１、第３の磁性層１
２０、誘電体層１１９が順次積層されている。矢印１２
５は記録再生のための光ビームの入射する方向である。
透明基板１２４としてはポリカーボネート等、誘電体層
１２３としてはＳｉ3Ｎ4等を使用できる。Ｓｉ3Ｎ4層成
膜時にはＡｒガスに加えてＮ2ガスを導入し、直流反応
性スパッタにより膜厚８０ｎｍを成膜する。引き続き、
例えば、第１の磁性層１２２としてＧｄＣｏ層を３０ｎ
ｍ、第２の磁性層１２１としてＤｙＦｅ層を１０ｎｍ、
第３の磁性層１２０としてＴｂＦｅＣｏ層を４０ｎｍ順
次成膜する。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃ
ｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜する。こ
れら各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続スパ
ッタリングによって被着形成できる。特に各磁性層は、
真空を破ることなく連続成膜されることで、互いに交換
結合をしている。最後に、保護層１１９としてＳｉ 3Ｎ4
層を同様に８０ｎｍ成膜する。
する模式的断面図である。この図においては、透明基板
（光ディスク基板）１２４上に、誘電体層１２３、第１
の磁性層１２２、第２の磁性層１２１、第３の磁性層１
２０、誘電体層１１９が順次積層されている。矢印１２
５は記録再生のための光ビームの入射する方向である。
透明基板１２４としてはポリカーボネート等、誘電体層
１２３としてはＳｉ3Ｎ4等を使用できる。Ｓｉ3Ｎ4層成
膜時にはＡｒガスに加えてＮ2ガスを導入し、直流反応
性スパッタにより膜厚８０ｎｍを成膜する。引き続き、
例えば、第１の磁性層１２２としてＧｄＣｏ層を３０ｎ
ｍ、第２の磁性層１２１としてＤｙＦｅ層を１０ｎｍ、
第３の磁性層１２０としてＴｂＦｅＣｏ層を４０ｎｍ順
次成膜する。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃ
ｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜する。こ
れら各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続スパ
ッタリングによって被着形成できる。特に各磁性層は、
真空を破ることなく連続成膜されることで、互いに交換
結合をしている。最後に、保護層１１９としてＳｉ 3Ｎ4
層を同様に８０ｎｍ成膜する。
【００４７】各磁性層の組成は、全て補償組成近傍にな
るように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層１２２
が３００℃以上、第２の磁性層１２１が７０℃、第３の
磁性層１２０が２００℃程度となるように設定する。こ
のような構成の光磁気記録媒体のトラック上（トラック
ピッチ＝０.８５μｍ）に０.１μｍ間隔で記録された磁
区を波長λ＝６８０ｎｍ、ＮＡ＝０.５５の通常の光ヘ
ッド（光スポット径≒１μｍ）を用いて、磁壁移動検出
方式によりＣ／Ｎ比＝４０ｄＢで再生することが出来
る。
るように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層１２２
が３００℃以上、第２の磁性層１２１が７０℃、第３の
磁性層１２０が２００℃程度となるように設定する。こ
のような構成の光磁気記録媒体のトラック上（トラック
ピッチ＝０.８５μｍ）に０.１μｍ間隔で記録された磁
区を波長λ＝６８０ｎｍ、ＮＡ＝０.５５の通常の光ヘ
ッド（光スポット径≒１μｍ）を用いて、磁壁移動検出
方式によりＣ／Ｎ比＝４０ｄＢで再生することが出来
る。
【００４８】ランドグルーブ記録において、磁壁移動を
容易にするための工夫としては、本発明のような急峻な
テーパ部を有するいわゆる深溝基板を用いることが効果
的である。この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を
成膜すれば、テーパ部（即ち、ランドとグルーブ間の側
壁部）には実質的に磁性膜が堆積しないようにすること
が出来る。これより、ランド部とグルーブ部夫々に対し
て、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成する
ことが可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移
動が起こり易くなる。ランドトラックとグルーブトラッ
クの機械的距離は、磁性膜の合計膜厚よりも大きいこと
が好ましく、具体的には、磁性膜の合計膜厚（８０ｎｍ
程度）を超えた１００〜３００ｎｍ程度を選ぶと良い。
容易にするための工夫としては、本発明のような急峻な
テーパ部を有するいわゆる深溝基板を用いることが効果
的である。この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を
成膜すれば、テーパ部（即ち、ランドとグルーブ間の側
壁部）には実質的に磁性膜が堆積しないようにすること
が出来る。これより、ランド部とグルーブ部夫々に対し
て、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成する
ことが可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移
動が起こり易くなる。ランドトラックとグルーブトラッ
クの機械的距離は、磁性膜の合計膜厚よりも大きいこと
が好ましく、具体的には、磁性膜の合計膜厚（８０ｎｍ
程度）を超えた１００〜３００ｎｍ程度を選ぶと良い。
【００４９】加えて、側壁部に磁性膜が堆積しないよう
にすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロ
スイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時
に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラッ
クからのクロストークを抑制する効果が期待できる。な
ぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ
以上に加熱しないように出来るからである。このため、
隣接トラックに記録された磁区では、磁壁移動が起こら
ず、通常の光磁気再生が行われるが、記録マーク長を光
スポットの分解能以下に選択しておけば、大きなクロス
トークが発生することはない。磁気的なトラックの分断
効果、クロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制
効果の相乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の
組み合わせは、面記録密度を飛躍的に向上させることが
可能である（詳細な説明は、日本応用磁気学会誌Ｖｏ
ｌ.２３， Ｎｏ.２， １９９９， ｐ７６４−７６９，
白鳥「磁壁移動検出方式による光磁気ディスクの高密度
化」を参照）。
にすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロ
スイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時
に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラッ
クからのクロストークを抑制する効果が期待できる。な
ぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ
以上に加熱しないように出来るからである。このため、
隣接トラックに記録された磁区では、磁壁移動が起こら
ず、通常の光磁気再生が行われるが、記録マーク長を光
スポットの分解能以下に選択しておけば、大きなクロス
トークが発生することはない。磁気的なトラックの分断
効果、クロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制
効果の相乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の
組み合わせは、面記録密度を飛躍的に向上させることが
可能である（詳細な説明は、日本応用磁気学会誌Ｖｏ
ｌ.２３， Ｎｏ.２， １９９９， ｐ７６４−７６９，
白鳥「磁壁移動検出方式による光磁気ディスクの高密度
化」を参照）。
【００５０】図１１は、光磁気記録媒体の一例を示す模
式的部分断面図である。この光磁気記録媒体は、基板１
２４上に、第１の磁性層１２２、第２の磁性層１２１、
第３の磁性層１２０が順次積層されて成るものである。
光ビーム１２５の入射方向から遠い記録トラック８をラ
ンド部、入射方向に近い記録トラック９をグルーブ部と
呼ぶ。ランドグルーブ記録において、ランドトラックを
記録再生する際には、グルーブ部がトラッキング用のガ
イド溝となり、グルーブトラックを記録再生する際に
は、ランド部がトラッキング用のガイド溝となる。この
ように、隣接するランド部とグルーブ部に同時に記録可
能にすると、トラック方向の記録密度の向上に有効であ
る。そして、図１１に示すような急峻なテーパ部を有す
るいわゆる深溝基板を用いれば、磁壁移動検出方式を良
好に実施できる。また例えば、特開平９−１６１３２１
号公報に記載のように、光ディスクのランド部とグルー
ブ部の段差を１００ｎｍ以上とすれば、熱クロストーク
を低減できる。
式的部分断面図である。この光磁気記録媒体は、基板１
２４上に、第１の磁性層１２２、第２の磁性層１２１、
第３の磁性層１２０が順次積層されて成るものである。
光ビーム１２５の入射方向から遠い記録トラック８をラ
ンド部、入射方向に近い記録トラック９をグルーブ部と
呼ぶ。ランドグルーブ記録において、ランドトラックを
記録再生する際には、グルーブ部がトラッキング用のガ
イド溝となり、グルーブトラックを記録再生する際に
は、ランド部がトラッキング用のガイド溝となる。この
ように、隣接するランド部とグルーブ部に同時に記録可
能にすると、トラック方向の記録密度の向上に有効であ
る。そして、図１１に示すような急峻なテーパ部を有す
るいわゆる深溝基板を用いれば、磁壁移動検出方式を良
好に実施できる。また例えば、特開平９−１６１３２１
号公報に記載のように、光ディスクのランド部とグルー
ブ部の段差を１００ｎｍ以上とすれば、熱クロストーク
を低減できる。
【００５１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、工程図を用
いて説明する。
いて説明する。
【００５２】＜実施例１＞図１及び図２は、実施例１に
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。
【００５３】まず、外径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍで、表
面粗さＲａ＝０.５ｎｍ以下に研磨されたガラス原盤１
６を用意し、十分洗浄した。（１）このガラス原盤１６
に、第１の薄膜層１７としてＡｌ2Ｏ3膜を均一に成膜し
た。成膜はイオンビームスパッタ法により行ない、ガス
圧０.０２Ｐａ、成膜レート５ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚２０
ｎｍとした。（２）次に、第２の薄膜層１８としてＳｉ
Ｏ2膜を均一に成膜した。成膜はイオンビームスパッタ
法により行ない、ガス圧０.０２Ｐａ、成膜レート６ｎ
ｍ／ｍｉｎ、膜厚１４０ｎｍとした。第１の薄膜層１７
及び第２の薄膜層１８は、イオンビームスパッタ法を用
いることによって、緻密で膜強度や耐薬品性を向上させ
た薄膜であり、その膜厚精度はφ１７０ｍｍ中で±３
％、ディスク有効径φ９０ｍｍ中で±２％程度の良好な
ものであった。
面粗さＲａ＝０.５ｎｍ以下に研磨されたガラス原盤１
６を用意し、十分洗浄した。（１）このガラス原盤１６
に、第１の薄膜層１７としてＡｌ2Ｏ3膜を均一に成膜し
た。成膜はイオンビームスパッタ法により行ない、ガス
圧０.０２Ｐａ、成膜レート５ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚２０
ｎｍとした。（２）次に、第２の薄膜層１８としてＳｉ
Ｏ2膜を均一に成膜した。成膜はイオンビームスパッタ
法により行ない、ガス圧０.０２Ｐａ、成膜レート６ｎ
ｍ／ｍｉｎ、膜厚１４０ｎｍとした。第１の薄膜層１７
及び第２の薄膜層１８は、イオンビームスパッタ法を用
いることによって、緻密で膜強度や耐薬品性を向上させ
た薄膜であり、その膜厚精度はφ１７０ｍｍ中で±３
％、ディスク有効径φ９０ｍｍ中で±２％程度の良好な
ものであった。
【００５４】（３）成膜後のガラス原盤１６の表面にプ
ライマーをスピンコートし、次いでポジ型フォトレジス
ト２（東京応化工業社製、品番ＴＳＭＲ−Ｖ９５）をス
ピンコートし、クリーンオーブン内でプリベークした。
レジスト２の膜厚は約２００ｎｍとした。（４）次に、
波長３５１ｎｍのＡｒイオンレーザーを光源とするカッ
ティングマシンにより、ガラス原盤１６の所定の領域を
一定のトラックピッチにて露光した。３はカッティング
マシンの光ビーム、４は露光部、５は未露光部である。
具体的には、トラックピッチは１.２μｍとし、現像後
にランド（あるいはグルーブ）幅が略０.６μｍに形成
されるようにレーザービーム強度を設定して連続的に露
光した。露光時のガラス原盤１６の回転数は４５０ｒｐ
ｍ、レーザービームスポット径２ｗ0は０.８μｍ、溝幅
２ｒsは０.６μｍ、Ｊ0／Ｊs＝３とした。（５）その
後、現像液（東京応化工業社製、品番ＮＭＤ‐Ｗ）でパ
ドル現像して、露光部４を除去した。次いで、後処理と
しての純水シャワー、スピン乾燥を行ない、クリーンオ
ーブン内でポストベークした。本実施例では、±１０％
露光量がばらついても溝幅２ｒsの変化量は±５％以内
に抑えることができた。一方、スポット径２ｗ0を１μ
ｍとして、Ｊ0／Ｊs＝２程度の露光を行った場合は、同
量のばらつきに対する溝幅の変化は±８％程度であっ
た。
ライマーをスピンコートし、次いでポジ型フォトレジス
ト２（東京応化工業社製、品番ＴＳＭＲ−Ｖ９５）をス
ピンコートし、クリーンオーブン内でプリベークした。
レジスト２の膜厚は約２００ｎｍとした。（４）次に、
波長３５１ｎｍのＡｒイオンレーザーを光源とするカッ
ティングマシンにより、ガラス原盤１６の所定の領域を
一定のトラックピッチにて露光した。３はカッティング
マシンの光ビーム、４は露光部、５は未露光部である。
具体的には、トラックピッチは１.２μｍとし、現像後
にランド（あるいはグルーブ）幅が略０.６μｍに形成
されるようにレーザービーム強度を設定して連続的に露
光した。露光時のガラス原盤１６の回転数は４５０ｒｐ
ｍ、レーザービームスポット径２ｗ0は０.８μｍ、溝幅
２ｒsは０.６μｍ、Ｊ0／Ｊs＝３とした。（５）その
後、現像液（東京応化工業社製、品番ＮＭＤ‐Ｗ）でパ
ドル現像して、露光部４を除去した。次いで、後処理と
しての純水シャワー、スピン乾燥を行ない、クリーンオ
ーブン内でポストベークした。本実施例では、±１０％
露光量がばらついても溝幅２ｒsの変化量は±５％以内
に抑えることができた。一方、スポット径２ｗ0を１μ
ｍとして、Ｊ0／Ｊs＝２程度の露光を行った場合は、同
量のばらつきに対する溝幅の変化は±８％程度であっ
た。
【００５５】（６）次に、反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）法により、第２の薄膜層であるＳｉＯ2層を異方
性エッチングした。具体的には、反応性イオンエッチン
グ装置のチャンバー内にガラス原盤１６を入れ、真空度
１×１０-4Ｐａまで排気し、ＣＨＦ3ガスを導入し、ガ
ス流量６ｓｃｃｍ、ガス圧力０.３Ｐａ、ＲＦ電力１０
０Ｗの条件で行なった。エッチングレートは２０ｎｍ／
ｍｉｎ程度であった。ＣＨＦ3ガスのエッチング選択比
はＡｌ2Ｏ3：ＳｉＯ2＝１：２０〜３０程度なので、Ａ
ｌ2Ｏ3層から成る第１の薄膜層１７はエッチングのスト
ッパ層として機能し、常に所定のグルーブ深さが得られ
良好なエッチングが可能であった。
ＩＥ）法により、第２の薄膜層であるＳｉＯ2層を異方
性エッチングした。具体的には、反応性イオンエッチン
グ装置のチャンバー内にガラス原盤１６を入れ、真空度
１×１０-4Ｐａまで排気し、ＣＨＦ3ガスを導入し、ガ
ス流量６ｓｃｃｍ、ガス圧力０.３Ｐａ、ＲＦ電力１０
０Ｗの条件で行なった。エッチングレートは２０ｎｍ／
ｍｉｎ程度であった。ＣＨＦ3ガスのエッチング選択比
はＡｌ2Ｏ3：ＳｉＯ2＝１：２０〜３０程度なので、Ａ
ｌ2Ｏ3層から成る第１の薄膜層１７はエッチングのスト
ッパ層として機能し、常に所定のグルーブ深さが得られ
良好なエッチングが可能であった。
【００５６】（７）次に、異方性エッチング後のガラス
原盤１９を剥離液中に浸し、残留レジスト（未露光部
５）を剥離した。（８）続いて、アルカリ性液を用い
て、露出した第１の薄膜層であるＡｌ2Ｏ3層をウェット
エッチングにより除去した。図中８はランド部、９はグ
ルーブとなる。これにより、反応性イオンに晒されてい
ないガラス原盤１９の表面を露出させた。このような反
応性エッチング時のストッパ層の利用及びその後のスト
ッパ層の剥離という工程を行なったので、端部の過剰エ
ッチング部や反応性イオンエッチングによる表面（特に
底面）の荒れという問題は生じなかった。本実施例で
は、表面粗さＲａ＝０.３ｎｍのグルーブ面が得られ、
従来方法によるものの半分以下の表面粗さであった。
原盤１９を剥離液中に浸し、残留レジスト（未露光部
５）を剥離した。（８）続いて、アルカリ性液を用い
て、露出した第１の薄膜層であるＡｌ2Ｏ3層をウェット
エッチングにより除去した。図中８はランド部、９はグ
ルーブとなる。これにより、反応性イオンに晒されてい
ないガラス原盤１９の表面を露出させた。このような反
応性エッチング時のストッパ層の利用及びその後のスト
ッパ層の剥離という工程を行なったので、端部の過剰エ
ッチング部や反応性イオンエッチングによる表面（特に
底面）の荒れという問題は生じなかった。本実施例で
は、表面粗さＲａ＝０.３ｎｍのグルーブ面が得られ、
従来方法によるものの半分以下の表面粗さであった。
【００５７】（９）次に、ガラス原盤１９を洗浄し、そ
の表面にＮｉ膜１０をスパッタリングすることにより導
電化を行なった。（１０）更にＮｉ電鋳を行うことによ
り、Ｎｉ膜１０上にＮｉ電鋳層１１を形成した。（１
１）その後、Ｎｉ電鋳面を研磨し、ガラス原盤１９より
Ｎｉ電鋳層１１を剥離する。（１２）この結果、高精度
かつ良好な形状を有するスタンパ１２を得ることができ
た。
の表面にＮｉ膜１０をスパッタリングすることにより導
電化を行なった。（１０）更にＮｉ電鋳を行うことによ
り、Ｎｉ膜１０上にＮｉ電鋳層１１を形成した。（１
１）その後、Ｎｉ電鋳面を研磨し、ガラス原盤１９より
Ｎｉ電鋳層１１を剥離する。（１２）この結果、高精度
かつ良好な形状を有するスタンパ１２を得ることができ
た。
【００５８】実施例１の具体的な効果をまとめると、以
下のようになる。 （ｉ）従来技術の溝深さが１００ｎｍを超えるような深
溝の加工においては、グルーブ端部に突起が発生する問
題点があったが、実施例１ではＡｌ2Ｏ3ストッパ層を付
加したことによりこれを解決した。 （ii）従来技術ではグルーブ９の表面が反応性イオンエ
ッチングの際に荒れてしまう傾向にあったが、実施例１
ではＡｌ2Ｏ3ストッパ層を反応性イオンエッチング後に
除去してしまうことにより、この問題点も解決すること
ができた。磁壁移動検出方式の光磁気媒体とこの溝深さ
１６０ｎｍの深溝基板を組み合わせた場合では、グルー
ブ部の磁壁の円滑な移動が可能になり、信号再生時の信
号ジッタを大幅に改善することができた。 （iii）フォトレジストの露光条件を最適に設定するこ
とにより、露光量ムラを低減でき従来技術の細かな皺状
の側壁部の荒れを大幅に軽減することができた。磁壁移
動検出方式の光磁気媒体と本発明による溝深さ１６０ｎ
ｍの深溝基板を組み合わせた場合では、信号のＳ／Ｎ改
善に加えて、ランド部の肩部に発生する数十ｎｍ程度の
皺状の荒れが軽減され、ランド部における磁壁の円滑な
移動が可能になり、信号再生時の信号ジッタを大幅に改
善することができた。 （iv）基板材料のばらつきやエッチングチャンバー内の
雰囲気の変動によらず、一定の溝深さを容易に加工する
ことができるので、溝深さの面内むらを非常に小さくで
きた。実施例１で作製したスタンパを用いて、フォトポ
リマー（２Ｐ）法により、ガラス基板表面に一定の溝深
さ１６０ｎｍ±３ｎｍのランド、グルーブパターンをデ
ィスク全面に渡り複製することができた。この基板上に
磁壁移動検出方式の光磁気媒体を成膜し、波長λ＝６９
０ｎｍ、ＮＡ＝０.５５の光ヘッドで信号再生を行う
と、フォトポリマーの屈折率を１.５として、溝の光学
的深さをλ／３とすることができ、隣接トラックからの
クロストークをディスク全面に渡り大幅に軽減すること
ができた。これらは、基板の材質の屈折率をｎとして、
溝の機械的深さをλ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６ｎの
いずれかとすれば同等の効果が得られる。 （ｖ）従来方法で必要とされた高価な合成石英基板の代
りに安価なガラス基板を原盤として用いることができ
た。
下のようになる。 （ｉ）従来技術の溝深さが１００ｎｍを超えるような深
溝の加工においては、グルーブ端部に突起が発生する問
題点があったが、実施例１ではＡｌ2Ｏ3ストッパ層を付
加したことによりこれを解決した。 （ii）従来技術ではグルーブ９の表面が反応性イオンエ
ッチングの際に荒れてしまう傾向にあったが、実施例１
ではＡｌ2Ｏ3ストッパ層を反応性イオンエッチング後に
除去してしまうことにより、この問題点も解決すること
ができた。磁壁移動検出方式の光磁気媒体とこの溝深さ
１６０ｎｍの深溝基板を組み合わせた場合では、グルー
ブ部の磁壁の円滑な移動が可能になり、信号再生時の信
号ジッタを大幅に改善することができた。 （iii）フォトレジストの露光条件を最適に設定するこ
とにより、露光量ムラを低減でき従来技術の細かな皺状
の側壁部の荒れを大幅に軽減することができた。磁壁移
動検出方式の光磁気媒体と本発明による溝深さ１６０ｎ
ｍの深溝基板を組み合わせた場合では、信号のＳ／Ｎ改
善に加えて、ランド部の肩部に発生する数十ｎｍ程度の
皺状の荒れが軽減され、ランド部における磁壁の円滑な
移動が可能になり、信号再生時の信号ジッタを大幅に改
善することができた。 （iv）基板材料のばらつきやエッチングチャンバー内の
雰囲気の変動によらず、一定の溝深さを容易に加工する
ことができるので、溝深さの面内むらを非常に小さくで
きた。実施例１で作製したスタンパを用いて、フォトポ
リマー（２Ｐ）法により、ガラス基板表面に一定の溝深
さ１６０ｎｍ±３ｎｍのランド、グルーブパターンをデ
ィスク全面に渡り複製することができた。この基板上に
磁壁移動検出方式の光磁気媒体を成膜し、波長λ＝６９
０ｎｍ、ＮＡ＝０.５５の光ヘッドで信号再生を行う
と、フォトポリマーの屈折率を１.５として、溝の光学
的深さをλ／３とすることができ、隣接トラックからの
クロストークをディスク全面に渡り大幅に軽減すること
ができた。これらは、基板の材質の屈折率をｎとして、
溝の機械的深さをλ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６ｎの
いずれかとすれば同等の効果が得られる。 （ｖ）従来方法で必要とされた高価な合成石英基板の代
りに安価なガラス基板を原盤として用いることができ
た。
【００５９】＜実施例２＞図３及び図４は、実施例２に
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。図中、図１及び２と共通な部分に
は同一の符号を与えている。また、以下の説明中、実施
例１と重複する説明は適宜省略する。
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。図中、図１及び２と共通な部分に
は同一の符号を与えている。また、以下の説明中、実施
例１と重複する説明は適宜省略する。
【００６０】まず、実施例１の（１）（２）と同様にし
て、ガラス原盤１６を十分洗浄し、（１）Ａｌ2Ｏ3から
成る第１の薄膜層１７を成膜し、（２）ＳｉＯ2から成
る第２の薄膜層１８を成膜した。（３）この第２の薄膜
層１８の上に、さらにＡｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２
０を保護層として均一に成膜した。この成膜条件は第１
の薄膜層１７と同一、すなわち、ガス圧０.０２Ｐａ、
成膜レート５ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚２０ｎｍにした。
（４）次いで、実施例１の（３）と同様にして、レジス
ト２をコートした。ただし、実施例２では保護層として
Ａｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０を設けたので、レジ
スト２の膜厚は実施例１よりも更に薄くできる。そこで
実施例２では、その膜厚は約１００ｎｍとした。次に、
実施例１の（４）〜（５）と同様にして、（５）一定の
トラックピッチにて露光し、（６）レジストを現像し、
後処理、ポストベークを行なった。実施例２の（５）に
おいても、実施例１の（４）と同様の条件、例えば小さ
なスポット径（０.８μｍ）を採用し、Ｊ0／Ｊs＝３の
条件で露光を行なったので、±１０％露光量がばらつい
ても溝幅２ｒsの変化量は±５％以内に抑えることがで
きた。
て、ガラス原盤１６を十分洗浄し、（１）Ａｌ2Ｏ3から
成る第１の薄膜層１７を成膜し、（２）ＳｉＯ2から成
る第２の薄膜層１８を成膜した。（３）この第２の薄膜
層１８の上に、さらにＡｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２
０を保護層として均一に成膜した。この成膜条件は第１
の薄膜層１７と同一、すなわち、ガス圧０.０２Ｐａ、
成膜レート５ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚２０ｎｍにした。
（４）次いで、実施例１の（３）と同様にして、レジス
ト２をコートした。ただし、実施例２では保護層として
Ａｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０を設けたので、レジ
スト２の膜厚は実施例１よりも更に薄くできる。そこで
実施例２では、その膜厚は約１００ｎｍとした。次に、
実施例１の（４）〜（５）と同様にして、（５）一定の
トラックピッチにて露光し、（６）レジストを現像し、
後処理、ポストベークを行なった。実施例２の（５）に
おいても、実施例１の（４）と同様の条件、例えば小さ
なスポット径（０.８μｍ）を採用し、Ｊ0／Ｊs＝３の
条件で露光を行なったので、±１０％露光量がばらつい
ても溝幅２ｒsの変化量は±５％以内に抑えることがで
きた。
【００６１】（７）次に、現像液（ＮＭＤ‐Ｗ）を用
い、Ａｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０をウェットエッ
チングして除去した。なお、現像液（ＮＭＤ‐Ｗ）はア
ルカリ性であるから、適当な現像条件を選択すれば、レ
ジスト２の現像（前記工程６）と同時に、Ａｌ2Ｏ3から
成る第３の薄膜層２０のウェットエッチング除去でき
る。第３の薄膜層２０の膜厚は２０ｎｍ程度と薄いの
で、等方的にウェットエッチングされても、残存する第
３の薄膜層２０の幅２ｒpのむらはレジスト溝幅２ｒsの
むらと比較して顕著に大きくなることはない。また、残
存するＡｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０の幅２ｒpの
むらを更に改善する為に、ウェットエッチングの代わり
に異方性エッチングしてもよい。この場合には、反応性
イオンエッチング装置のチャンバー内に入れて、ＣＣｌ
4等をエッチングガスとして用いる。ＣＣｌ4ガスは、Ａ
ｌ2Ｏ3をエッチングするがＳｉＯ2はほとんどエッチン
グしない。したがって、ＳｉＯ2から成る第２の薄膜層
１８がエッチングのストッパ層として機能する。これに
より、ＳｉＯ2層を反応性イオンエッチングするための
理想的なマスクを形成することができる。
い、Ａｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０をウェットエッ
チングして除去した。なお、現像液（ＮＭＤ‐Ｗ）はア
ルカリ性であるから、適当な現像条件を選択すれば、レ
ジスト２の現像（前記工程６）と同時に、Ａｌ2Ｏ3から
成る第３の薄膜層２０のウェットエッチング除去でき
る。第３の薄膜層２０の膜厚は２０ｎｍ程度と薄いの
で、等方的にウェットエッチングされても、残存する第
３の薄膜層２０の幅２ｒpのむらはレジスト溝幅２ｒsの
むらと比較して顕著に大きくなることはない。また、残
存するＡｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０の幅２ｒpの
むらを更に改善する為に、ウェットエッチングの代わり
に異方性エッチングしてもよい。この場合には、反応性
イオンエッチング装置のチャンバー内に入れて、ＣＣｌ
4等をエッチングガスとして用いる。ＣＣｌ4ガスは、Ａ
ｌ2Ｏ3をエッチングするがＳｉＯ2はほとんどエッチン
グしない。したがって、ＳｉＯ2から成る第２の薄膜層
１８がエッチングのストッパ層として機能する。これに
より、ＳｉＯ2層を反応性イオンエッチングするための
理想的なマスクを形成することができる。
【００６２】（８）露光部分に相当する第３の薄膜層２
０を除去した後、実施例１の（６）と同様にして、ＣＨ
Ｆ3ガスを用いて第２の薄膜層１８を反応性イオンエッ
チングした。このエッチングの際、実施例２では、実施
例１と同様に、Ａｌ2Ｏ3から成る第１の薄膜層１７がス
トッパ層として機能する。しかも、実施例２では、第２
の薄膜層１８上にパターン状に残存する第３の薄膜層２
０もＡｌ2Ｏ3から成り、その部分はエッチングされない
のでエッチングのマスクとしても機能する。したがっ
て、レジスト２だけをマスクとした場合には、レジスト
２もエッチングされて不均一に後退し、側壁部の荒れを
発生するという問題も考えられるが、実施例２ではその
問題も生じない。
０を除去した後、実施例１の（６）と同様にして、ＣＨ
Ｆ3ガスを用いて第２の薄膜層１８を反応性イオンエッ
チングした。このエッチングの際、実施例２では、実施
例１と同様に、Ａｌ2Ｏ3から成る第１の薄膜層１７がス
トッパ層として機能する。しかも、実施例２では、第２
の薄膜層１８上にパターン状に残存する第３の薄膜層２
０もＡｌ2Ｏ3から成り、その部分はエッチングされない
のでエッチングのマスクとしても機能する。したがっ
て、レジスト２だけをマスクとした場合には、レジスト
２もエッチングされて不均一に後退し、側壁部の荒れを
発生するという問題も考えられるが、実施例２ではその
問題も生じない。
【００６３】（９）次いで、実施例１の（７）と同様に
して残留レジストを剥離した。（１０）続いて、アルカ
リ性液を用いて、ランド部上のＡｌ2Ｏ3から成る第３の
薄膜層２０と、グルーブ部に露出したＡｌ2Ｏ3から成る
第１の薄膜層１７をウェットエッチングで同時に除去し
た。実施例２では、実施例１と同様に、反応性エッチン
グ時のストッパ層の利用及びその後のストッパ層の剥離
という工程を行なったので、端部の過剰エッチング部や
反応性イオンエッチングによる表面（特に底面）の荒れ
という問題は生じなかった。しかも、実施例２では、さ
らに第３の薄膜層２０も形成したので、反応性イオンエ
ッチングの際に荒れてしまう傾向にあったランド肩部の
荒れを低減することができた。また、表面粗さにおいて
も、ランド面、グルーブ面ともにＲａ＝０.３ｎｍ以下
の良好なものが得られた。
して残留レジストを剥離した。（１０）続いて、アルカ
リ性液を用いて、ランド部上のＡｌ2Ｏ3から成る第３の
薄膜層２０と、グルーブ部に露出したＡｌ2Ｏ3から成る
第１の薄膜層１７をウェットエッチングで同時に除去し
た。実施例２では、実施例１と同様に、反応性エッチン
グ時のストッパ層の利用及びその後のストッパ層の剥離
という工程を行なったので、端部の過剰エッチング部や
反応性イオンエッチングによる表面（特に底面）の荒れ
という問題は生じなかった。しかも、実施例２では、さ
らに第３の薄膜層２０も形成したので、反応性イオンエ
ッチングの際に荒れてしまう傾向にあったランド肩部の
荒れを低減することができた。また、表面粗さにおいて
も、ランド面、グルーブ面ともにＲａ＝０.３ｎｍ以下
の良好なものが得られた。
【００６４】以後は、実施例１の（９）〜（１０）と同
様にして、（１１）Ｎｉ膜１０をスパッタリングし、
（１２）Ｎｉ電鋳層１１を形成し、（１３）Ｎｉ電鋳層
１１を剥離し、（１４）この結果、高精度かつ良好な形
状を有するスタンパ１２を得ることができた。
様にして、（１１）Ｎｉ膜１０をスパッタリングし、
（１２）Ｎｉ電鋳層１１を形成し、（１３）Ｎｉ電鋳層
１１を剥離し、（１４）この結果、高精度かつ良好な形
状を有するスタンパ１２を得ることができた。
【００６５】実施例２の具体的な効果をまとめると、実
施例１における（ｉ）〜（ｖ）の効果に加えて、さらに
以下の効果も得られる。 （vi）実施例１の構成に、さらに第３の薄膜層であるＡ
ｌ2Ｏ3保護層を加えることにより、反応性イオンエッチ
ングの際に荒れてしまう傾向にあったランド肩部の荒れ
を低減することができた。 （vii）フォトレジストの膜厚をより薄く設定すること
が可能になり、レジスト溝幅が一定で滑らかなパターニ
ングが可能となり、細かな皺状の側壁部の荒れを大幅に
軽減することができた。磁壁移動検出方式の光磁気媒体
と本発明による溝深さ１６０ｎｍの深溝基板を組み合わ
せた場合では、信号のＳ／Ｎ改善に加えて、ランド部の
肩部に発生する数十ｎｍ程度の皺状の荒れが軽減され、
ランド部における磁壁の円滑な移動が可能になり、信号
再生時の信号ジッタを大幅に改善することができた。
施例１における（ｉ）〜（ｖ）の効果に加えて、さらに
以下の効果も得られる。 （vi）実施例１の構成に、さらに第３の薄膜層であるＡ
ｌ2Ｏ3保護層を加えることにより、反応性イオンエッチ
ングの際に荒れてしまう傾向にあったランド肩部の荒れ
を低減することができた。 （vii）フォトレジストの膜厚をより薄く設定すること
が可能になり、レジスト溝幅が一定で滑らかなパターニ
ングが可能となり、細かな皺状の側壁部の荒れを大幅に
軽減することができた。磁壁移動検出方式の光磁気媒体
と本発明による溝深さ１６０ｎｍの深溝基板を組み合わ
せた場合では、信号のＳ／Ｎ改善に加えて、ランド部の
肩部に発生する数十ｎｍ程度の皺状の荒れが軽減され、
ランド部における磁壁の円滑な移動が可能になり、信号
再生時の信号ジッタを大幅に改善することができた。
【００６６】＜実施例３＞図５及び図６は、実施例３に
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。図中、図１及び２と共通な部分に
は同一の符号を与えている。また、以下の説明中、実施
例１と重複する説明は適宜省略する。
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。図中、図１及び２と共通な部分に
は同一の符号を与えている。また、以下の説明中、実施
例１と重複する説明は適宜省略する。
【００６７】まず、実施例１の（１）（２）と同様にし
て、ガラス原盤１６を十分洗浄し、（１）Ａｌ2Ｏ3から
成る第１の薄膜層１７を成膜し、（２）ＳｉＯ2から成
る第２の薄膜層１８を成膜した。（３）この第２の薄膜
層１８の上に、さらにＣｒから成る第３の薄膜層２１を
保護層として均一に成膜した。成膜はイオンビームスパ
ッタ法により行ない、ガス圧０.０２Ｐａ、成膜レート
５ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚２０ｎｍとした。（４）次いで、
実施例１の（３）と同様にして、レジスト２をコートし
た。ただし、実施例３では保護層としてＣｒから成る第
３の薄膜層２１を設けたので、レジスト２の膜厚は実施
例１及び実施例２よりも更に薄くできる。そこで実施例
３では、その膜厚は約７０ｎｍとした。Ｃｒから成る第
３の薄膜層２１をマスクとして反応性イオンエッチング
を行なう場合は、Ａｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０
（実施例２）と比較してさらに大きなエッチング選択比
がとれ、側壁部の荒れを低減するのに一層の効果がある
からである。このエッチング選択比はＣｒ：ＳｉＯ2＝
１：５０〜１００程度である。また、Ｃｒは密着性も良
好であり、膜剥がれが起こり難いという特徴も併せ持
つ。
て、ガラス原盤１６を十分洗浄し、（１）Ａｌ2Ｏ3から
成る第１の薄膜層１７を成膜し、（２）ＳｉＯ2から成
る第２の薄膜層１８を成膜した。（３）この第２の薄膜
層１８の上に、さらにＣｒから成る第３の薄膜層２１を
保護層として均一に成膜した。成膜はイオンビームスパ
ッタ法により行ない、ガス圧０.０２Ｐａ、成膜レート
５ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚２０ｎｍとした。（４）次いで、
実施例１の（３）と同様にして、レジスト２をコートし
た。ただし、実施例３では保護層としてＣｒから成る第
３の薄膜層２１を設けたので、レジスト２の膜厚は実施
例１及び実施例２よりも更に薄くできる。そこで実施例
３では、その膜厚は約７０ｎｍとした。Ｃｒから成る第
３の薄膜層２１をマスクとして反応性イオンエッチング
を行なう場合は、Ａｌ2Ｏ3から成る第３の薄膜層２０
（実施例２）と比較してさらに大きなエッチング選択比
がとれ、側壁部の荒れを低減するのに一層の効果がある
からである。このエッチング選択比はＣｒ：ＳｉＯ2＝
１：５０〜１００程度である。また、Ｃｒは密着性も良
好であり、膜剥がれが起こり難いという特徴も併せ持
つ。
【００６８】次に、実施例１の（４）〜（５）と同様に
して、（５）一定のトラックピッチにて露光し、（６）
レジストを現像し、後処理、ポストベークを行なった。
実施例３の（５）においても、実施例１の（４）と同様
の条件、例えば小さなスポット径（０.８μｍ）を採用
し、Ｊ0／Ｊs＝３の条件で露光を行なったので、±１０
％露光量がばらついても溝幅２ｒsの変化量は±５％以
内に抑えることができた。
して、（５）一定のトラックピッチにて露光し、（６）
レジストを現像し、後処理、ポストベークを行なった。
実施例３の（５）においても、実施例１の（４）と同様
の条件、例えば小さなスポット径（０.８μｍ）を採用
し、Ｊ0／Ｊs＝３の条件で露光を行なったので、±１０
％露光量がばらついても溝幅２ｒsの変化量は±５％以
内に抑えることができた。
【００６９】（７）次に、硝酸セリウムアンモニウム液
を用い、Ｃｒから成る第３の薄膜層２１をウェットエッ
チングして除去した。第３の薄膜層２１の膜厚は２０ｎ
ｍ程度と薄いので、実施例２の場合と同様に、等方的に
ウェットエッチングされても良好な結果が得られる。ま
た、同様にＣＣｌ4ガスなどを用いた異方性エッチング
も可能である。ＣＣｌ4ガスは、Ｃｒ層はエッチングす
るが、ＳｉＯ2層に対しては反応性が極めて低くほとん
どエッチングしない。
を用い、Ｃｒから成る第３の薄膜層２１をウェットエッ
チングして除去した。第３の薄膜層２１の膜厚は２０ｎ
ｍ程度と薄いので、実施例２の場合と同様に、等方的に
ウェットエッチングされても良好な結果が得られる。ま
た、同様にＣＣｌ4ガスなどを用いた異方性エッチング
も可能である。ＣＣｌ4ガスは、Ｃｒ層はエッチングす
るが、ＳｉＯ2層に対しては反応性が極めて低くほとん
どエッチングしない。
【００７０】（８）露光部分に相当する第３の薄膜層２
１を除去した後、実施例１の（６）と同様にして、ＣＨ
Ｆ3ガスを用いて第２の薄膜層１８を反応性イオンエッ
チングした。このエッチングの際、実施例３でも同様
に、第１の薄膜層１７がストッパ層として機能する。し
かも、実施例２と同様に第３の薄膜層２１もマスクとし
ても機能し、良好な結果が得られる。次いで、実施例１
の（７）（８）と同様にして、（９）残留レジストを剥
離し、（１０）第１の薄膜層１７をアルカリ性液を用い
て除去した。（１１）引き続いて、ランド部８の表面に
露出したＣｒから成る第３の薄膜層２１を硝酸セリウム
アンモニウムを用いてウェットエッチングして除去し
た。
１を除去した後、実施例１の（６）と同様にして、ＣＨ
Ｆ3ガスを用いて第２の薄膜層１８を反応性イオンエッ
チングした。このエッチングの際、実施例３でも同様
に、第１の薄膜層１７がストッパ層として機能する。し
かも、実施例２と同様に第３の薄膜層２１もマスクとし
ても機能し、良好な結果が得られる。次いで、実施例１
の（７）（８）と同様にして、（９）残留レジストを剥
離し、（１０）第１の薄膜層１７をアルカリ性液を用い
て除去した。（１１）引き続いて、ランド部８の表面に
露出したＣｒから成る第３の薄膜層２１を硝酸セリウム
アンモニウムを用いてウェットエッチングして除去し
た。
【００７１】以後は、実施例１の（９）〜（１０）と同
様にして、（１２）Ｎｉ膜１０をスパッタリングし、
（１３）Ｎｉ電鋳層１１を形成し、（１４）Ｎｉ電鋳層
１１を剥離し、（１５）この結果、高精度かつ良好な形
状を有するスタンパ１２を得ることができた。
様にして、（１２）Ｎｉ膜１０をスパッタリングし、
（１３）Ｎｉ電鋳層１１を形成し、（１４）Ｎｉ電鋳層
１１を剥離し、（１５）この結果、高精度かつ良好な形
状を有するスタンパ１２を得ることができた。
【００７２】実施例３の具体的な効果としては、実施例
２における（ｉ）〜（vii）の効果に加えて、さらにＣ
ｒの優位点［特に（vi）（vii）での効果上の優位点］
に基づく効果の顕著性が挙げられる。
２における（ｉ）〜（vii）の効果に加えて、さらにＣ
ｒの優位点［特に（vi）（vii）での効果上の優位点］
に基づく効果の顕著性が挙げられる。
【００７３】＜実施例４＞図７及び図８は、実施例４に
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。図中、図１及び２と共通な部分に
は同一の符号を与えている。また、以下の説明中、実施
例１と重複する説明は適宜省略する。
おけるランドグルーブ基板成型用のスタンパの製造方法
を示す工程図である。図中、図１及び２と共通な部分に
は同一の符号を与えている。また、以下の説明中、実施
例１と重複する説明は適宜省略する。
【００７４】まず、外径２００ｍｍ、厚さ０.７ｍｍ
で、表面粗さＲａ＝０.５ｎｍ以下に研磨された単結晶
Ｓｉ基板２１を用意し、十分洗浄した。単結晶Ｓｉ基板
２１は半導体の製造工程で一般的に使用され、合成石英
よりも安価に入手可能である。（１）この単結晶Ｓｉ基
板２１に熱酸化膜（ＳｉＯ2）２２を均一に形成した。
膜厚は溝深さと同等に選ばれ、具体的には１６０ｎｍで
ある。熱酸化膜２２は、基板上で簡便にしかも均一に形
成することができ、±１％の膜厚精度を達成する可能で
あった。また、熱酸化膜２２はＳｉ基板２１との密着性
も強固であり、非常に緻密でもある。また、ランド部は
研磨面がそのまま使用できるので、面荒さも前述のどの
実施例よりも小さくすることができる。熱酸化膜２２の
形成後に必要に応じてガラス基板などを貼り合わせ、後
工程に適用しやすいようにしても良い。次いで、実施例
１の（３）〜（５）と同様にして、（２）レジスト２を
コートし、（３）露光し、（４）現像した。
で、表面粗さＲａ＝０.５ｎｍ以下に研磨された単結晶
Ｓｉ基板２１を用意し、十分洗浄した。単結晶Ｓｉ基板
２１は半導体の製造工程で一般的に使用され、合成石英
よりも安価に入手可能である。（１）この単結晶Ｓｉ基
板２１に熱酸化膜（ＳｉＯ2）２２を均一に形成した。
膜厚は溝深さと同等に選ばれ、具体的には１６０ｎｍで
ある。熱酸化膜２２は、基板上で簡便にしかも均一に形
成することができ、±１％の膜厚精度を達成する可能で
あった。また、熱酸化膜２２はＳｉ基板２１との密着性
も強固であり、非常に緻密でもある。また、ランド部は
研磨面がそのまま使用できるので、面荒さも前述のどの
実施例よりも小さくすることができる。熱酸化膜２２の
形成後に必要に応じてガラス基板などを貼り合わせ、後
工程に適用しやすいようにしても良い。次いで、実施例
１の（３）〜（５）と同様にして、（２）レジスト２を
コートし、（３）露光し、（４）現像した。
【００７５】（５）その後、実施例１の（６）の第２の
薄膜層のエッチングと同様にして、熱酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）２２に反応性イオンエッチングを行なった。すな
わち、反応性イオンエッチング装置のチャンバー内に原
盤を入れ、真空度１×１０-4Ｐａまで排気し、ＣＨＦ3
ガスを導入し、ガス流量６ｓｃｃｍ、ガス圧力０.３Ｐ
ａ、ＲＦ電力１００Ｗの条件で行なった。ＣＨＦ3ガス
は、ＳｉＯ層はエッチングするが、Ｓｉ基板に対しては
反応性が極めて低くほとんどエッチングしない（エッチ
ング選択比はＳｉ：ＳｉＯ2＝１：２０〜３０程度）。
したがって、エッチング時間を厳密に調整しなくても、
Ｓｉ基板が露出した段階でエッチングが自動的に停止す
る。つまり、エッチングする深さとエッチングレートよ
り算出される時間より、５％程度過剰にエッチングを行
なえば、エッチングチャンバー内の雰囲気の変動や不均
一などが多少発生しても、常に所定のグルーブ深さに場
所むら無くエッチングが達成される。なお、あまり過剰
にエッチングすると、グルーブにＣ（カーボン）等が付
着して除去できなくなるので注意を要する。以後は、実
施例１の（７）〜（１０）と同様にして、（６）残留レ
ジストを剥離し、（７）Ｎｉ膜１０をスパッタリング
し、（８）Ｎｉ電鋳層１１を形成し、（９）Ｎｉ電鋳層
１１を剥離し、（１０）この結果、高精度かつ良好な形
状を有するスタンパ１２を得ることができた。
薄膜層のエッチングと同様にして、熱酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）２２に反応性イオンエッチングを行なった。すな
わち、反応性イオンエッチング装置のチャンバー内に原
盤を入れ、真空度１×１０-4Ｐａまで排気し、ＣＨＦ3
ガスを導入し、ガス流量６ｓｃｃｍ、ガス圧力０.３Ｐ
ａ、ＲＦ電力１００Ｗの条件で行なった。ＣＨＦ3ガス
は、ＳｉＯ層はエッチングするが、Ｓｉ基板に対しては
反応性が極めて低くほとんどエッチングしない（エッチ
ング選択比はＳｉ：ＳｉＯ2＝１：２０〜３０程度）。
したがって、エッチング時間を厳密に調整しなくても、
Ｓｉ基板が露出した段階でエッチングが自動的に停止す
る。つまり、エッチングする深さとエッチングレートよ
り算出される時間より、５％程度過剰にエッチングを行
なえば、エッチングチャンバー内の雰囲気の変動や不均
一などが多少発生しても、常に所定のグルーブ深さに場
所むら無くエッチングが達成される。なお、あまり過剰
にエッチングすると、グルーブにＣ（カーボン）等が付
着して除去できなくなるので注意を要する。以後は、実
施例１の（７）〜（１０）と同様にして、（６）残留レ
ジストを剥離し、（７）Ｎｉ膜１０をスパッタリング
し、（８）Ｎｉ電鋳層１１を形成し、（９）Ｎｉ電鋳層
１１を剥離し、（１０）この結果、高精度かつ良好な形
状を有するスタンパ１２を得ることができた。
【００７６】実施例４の具体的な効果としては、実施例
１における（ｉ）〜（iii）及び（ｖ）の効果に加え
て、さらに（iv）の溝深さの精度をいっそう向上させる
ことができたこと、及び次の点にある。（viii）ランド
部の面粗さをＲａ＝０.２ｎｍ未満とさらに小さくする
ことにより、信号のＳ／Ｎ改善ができた。（ix）膜剥が
れが少なくなり、安定なランドグルーブ基板のスタンの
製造加工が可能になった。（ｘ）同様の効果をより簡単
なプロセスで達成することができた。
１における（ｉ）〜（iii）及び（ｖ）の効果に加え
て、さらに（iv）の溝深さの精度をいっそう向上させる
ことができたこと、及び次の点にある。（viii）ランド
部の面粗さをＲａ＝０.２ｎｍ未満とさらに小さくする
ことにより、信号のＳ／Ｎ改善ができた。（ix）膜剥が
れが少なくなり、安定なランドグルーブ基板のスタンの
製造加工が可能になった。（ｘ）同様の効果をより簡単
なプロセスで達成することができた。
【００７７】
【発明の効果】本発明によれば、従来のランドグルーブ
基板用のスタンパ製造加工法に比較して以下の点を改善
することができる。また、磁壁移動検出方式の光磁気媒
体と本発明による溝深さ１６０ｎｍの深溝基板を組み合
わせにより、従来の光磁気記録媒体との比較で飛躍的に
面記録密度を向上できる。 （ａ）従来技術では溝深さが１００ｎｍを超えるような
深溝の加工においては、グルーブ端部に突起が発生する
問題点があったが、本発明ではストッパ層を付加したこ
とによりこれを解決できる。 （ｂ）グルーブトラックの表面が、反応性イオンエッチ
ングの際に荒れてしまう傾向にあったが、本発明ではス
トッパ層を反応性イオンエッチング後に除去してしまう
ことにより、この問題点も解決できる。 （ｃ）フォトレジストの露光条件を最適に設定すること
により、細かな皺状の側壁部の荒れを大幅に軽減するこ
とができた。さらに、保護層を加えることにより、反応
性イオンエッチングの際に荒れてしまう傾向にあったラ
ンド肩部の荒れを低減できる。また、レジスト厚を薄く
することで、溝幅が一定で滑らかなパターニングが可能
となり、細かな皺状の側壁部の荒れを大幅に軽減でき
る。 （ｄ）磁壁移動検出方式の光磁気媒体と本発明による深
溝基板を組み合わせた場合では、ランド部とグルーブ部
における表面粗さが小さくなり、再生信号のＳ／Ｎ改善
を達成できる。さらに、ランド部の肩部や側壁部に発生
する皺状の荒れが軽減され、グルーブ端部における突起
も消滅したので、ランド部とグルーブ部における磁壁の
円滑な移動が可能になり、信号再生時の信号ジッタを大
幅に改善できる。 （ｅ）基板材料のばらつきやエッチングチャンバー内の
雰囲気の変動によらず、一定の溝深さを容易に加工する
ことができるので、溝深さの面内むらを非常に小さくで
きる。本発明で作成したスタンパを用いて、フォトポリ
マー（２Ｐ）法により、ガラス基板表面に一定の溝深さ
１６０ｎｍ±３ｎｍのランド、グルーブパターンをディ
スク全面に渡り複製することができる。この基板上に磁
壁移動検出方式の光磁気媒体を成膜し、波長λ＝６９０
ｎｍ、ＮＡ＝０.５５の光ヘッドで信号再生を行うと、
精確に溝の光学的深さをλ／３とすることができたの
で、隣接トラックからのクロストークをディスク全面に
渡り大幅に軽減することができた。基板の材質の屈折率
をｎとして、溝の機械的深さをλ／３ｎ、２λ／３ｎ、
５λ／６ｎのいずれかとすれば同等の効果が得られる。 （ｆ）従来方法で必要とされた高価な合成石英基板の代
りに安価なガラス基板を原盤として用いることができ
る。
基板用のスタンパ製造加工法に比較して以下の点を改善
することができる。また、磁壁移動検出方式の光磁気媒
体と本発明による溝深さ１６０ｎｍの深溝基板を組み合
わせにより、従来の光磁気記録媒体との比較で飛躍的に
面記録密度を向上できる。 （ａ）従来技術では溝深さが１００ｎｍを超えるような
深溝の加工においては、グルーブ端部に突起が発生する
問題点があったが、本発明ではストッパ層を付加したこ
とによりこれを解決できる。 （ｂ）グルーブトラックの表面が、反応性イオンエッチ
ングの際に荒れてしまう傾向にあったが、本発明ではス
トッパ層を反応性イオンエッチング後に除去してしまう
ことにより、この問題点も解決できる。 （ｃ）フォトレジストの露光条件を最適に設定すること
により、細かな皺状の側壁部の荒れを大幅に軽減するこ
とができた。さらに、保護層を加えることにより、反応
性イオンエッチングの際に荒れてしまう傾向にあったラ
ンド肩部の荒れを低減できる。また、レジスト厚を薄く
することで、溝幅が一定で滑らかなパターニングが可能
となり、細かな皺状の側壁部の荒れを大幅に軽減でき
る。 （ｄ）磁壁移動検出方式の光磁気媒体と本発明による深
溝基板を組み合わせた場合では、ランド部とグルーブ部
における表面粗さが小さくなり、再生信号のＳ／Ｎ改善
を達成できる。さらに、ランド部の肩部や側壁部に発生
する皺状の荒れが軽減され、グルーブ端部における突起
も消滅したので、ランド部とグルーブ部における磁壁の
円滑な移動が可能になり、信号再生時の信号ジッタを大
幅に改善できる。 （ｅ）基板材料のばらつきやエッチングチャンバー内の
雰囲気の変動によらず、一定の溝深さを容易に加工する
ことができるので、溝深さの面内むらを非常に小さくで
きる。本発明で作成したスタンパを用いて、フォトポリ
マー（２Ｐ）法により、ガラス基板表面に一定の溝深さ
１６０ｎｍ±３ｎｍのランド、グルーブパターンをディ
スク全面に渡り複製することができる。この基板上に磁
壁移動検出方式の光磁気媒体を成膜し、波長λ＝６９０
ｎｍ、ＮＡ＝０.５５の光ヘッドで信号再生を行うと、
精確に溝の光学的深さをλ／３とすることができたの
で、隣接トラックからのクロストークをディスク全面に
渡り大幅に軽減することができた。基板の材質の屈折率
をｎとして、溝の機械的深さをλ／３ｎ、２λ／３ｎ、
５λ／６ｎのいずれかとすれば同等の効果が得られる。 （ｆ）従来方法で必要とされた高価な合成石英基板の代
りに安価なガラス基板を原盤として用いることができ
る。
【図１】実施例１におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図２】実施例１におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図３】実施例２におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図４】実施例２におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図５】実施例３におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図６】実施例３におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図７】実施例４におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図８】実施例４におけるランドグルーブ基板成型用の
スタンパの製造方法を示す工程図である。
スタンパの製造方法を示す工程図である。
【図９】磁壁移動検出方式を説明するための図である。
【図１０】磁壁移動検出方式の光磁気媒体の構成を説明
するための図である。
するための図である。
【図１１】深溝のランドグルーブ基板を用いた磁壁移動
検出方式の光磁気媒体の構成を説明するための図であ
る。
検出方式の光磁気媒体の構成を説明するための図であ
る。
【図１２】本発明のレジストパターニングにおける溝幅
と露光量を説明するための図である。
と露光量を説明するための図である。
【図１３】従来例によるランドグルーブ基板用スタンパ
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図１４】従来例によるランドグルーブ基板用スタンパ
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図１５】従来例の問題点を説明するための図である。
【図１６】従来例の問題点を説明するための図である。
【図１７】従来例の問題点を説明するための図である。
【図１８】従来例の問題点を説明するための図である。
【図１９】従来の回折格子製作用成型型を説明するため
の図である。
の図である。
２ レジスト ３ 露光ビーム ６ 反応性イオンビーム １２ スタンパ １３ 過剰にエッチングされた部分 １４ レジストの凹凸 １５ 側壁部の荒れ １６ ガラス基板 １７ 第１の薄膜層（ストッパ層） １８ 第２の薄膜層 １９、２３ 原盤 ２０ 第３の薄膜層（保護層） ２１ 単結晶Ｓｉ基板 ２２ 熱酸化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AH79 CA11 CB01 CD12 CD24 CK41 5D121 AA02 BA01 BA03 BB05 BB06 BB07 BB14 BB16 BB17 BB22 BB23 BB25 BB33 BB34 CA03 CB03 CB05 EE02 EE03 EE04 GG02 GG04 GG14
Claims (27)
- 【請求項１】 原盤上にフォトレジストを塗布してパタ
ーン露光し、現像後の残存フォトレジストをマスクとし
てエッチング法によりガイド溝を形成する光ディスク基
板成型用スタンパの製造方法において、 予め互いに材質の異なる複数の薄膜層を前記原盤上に積
層成膜し、前記複数の薄膜層を選択的に順次エッチング
することにより前記ガイド溝を形成することを特徴とす
る光ディスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法により製造された光
ディスク基板成型用スタンパ。 - 【請求項３】 前記エッチングは、ドライエッチングと
ウェットエッチングである請求項１記載の光ディスク基
板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項４】 前記複数の薄膜層は、第１の薄膜層と第
２の薄膜層からなり、第２の薄膜層を残存フォトレジス
トをマスクとして選択的に異方性エッチングし、該異方
性エッチング後に第１の薄膜層を選択的にウェットエッ
チングする請求項３記載の光ディスク基板成型用スタン
パの製造方法。 - 【請求項５】 前記複数の薄膜層は、第２の薄膜層の上
にさらに第３の薄膜層を有し、第３の薄膜層を残存フォ
トレジストをマスクとして選択的にエッチングし、該エ
ッチング後に少なくとも第３の薄膜層をマスクとして第
２の薄膜層を選択的に異方性エッチングし、該異方性エ
ッチング後に第１の薄膜層を選択的にウェットエッチン
グする請求項４記載の光ディスク基板成型用スタンパの
製造方法。 - 【請求項６】 前記第２の薄膜層は、第１の薄膜層より
厚い請求項４記載の光ディスク基板成型用スタンパの製
造方法。 - 【請求項７】 前記第２の薄膜層は、第１の薄膜層、第
３の薄膜層より厚い請求項５記載の光ディスク基板成型
用スタンパの製造方法。 - 【請求項８】 原盤上にフォトレジストを塗布してパタ
ーン露光し、現像後の残存フォトレジストをマスクとし
てエッチング法によりガイド溝を形成する光ディスク基
板成型用スタンパの製造方法において、 予め前記原盤とは材質の異なる薄膜層を前記原盤上に少
なくとも１層成膜し、前記薄膜層を選択的に異方性エッ
チングすることにより前記ガイド溝を形成することを特
徴とする光ディスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の方法により製造された光
ディスク基板成型用スタンパ。 - 【請求項１０】 前記ガイド溝の深さは１００から３０
０ｎｍである請求項１又は８記載の光ディスク基板成型
用スタンパの製造方法。 - 【請求項１１】 ガイド溝の深さは光ディスク再生用ビ
ームの波長をλ、基板屈折率をｎとして、λ／３ｎ、２
λ／３ｎ、５λ／６ｎのいずれかである請求項１又は８
記載の光ディスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項１２】 前記成膜は、イオンビームスパッタ
法、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング
法、イオンビームアシスト蒸着及びイオン化金属スパッ
タ法のうちの何れかを用いる請求項１又は８記載の光デ
ィスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項１３】 パターン露光は、レーザビームにより
行なう請求項１又は８記載の光ディスク基板成型用スタ
ンパの製造方法。 - 【請求項１４】 相対エネルギー密度（Ｊ0／Ｊs）の露
光量にて露光した場合の現像後の残存フォトレジストの
溝幅２ｒsを算出する下記式（Ｉ）において、相対エネ
ルギー密度（Ｊ0／Ｊs）＝３以上の露光量で露光する請
求項１３記載の光ディスク基板成型用スタンパの製造方
法。 【数１】 ［ただし上記式（Ｉ）中、レーザービームのスポット形
状［Ｊ（ｒ）］はガウス分布で近似した下記式（II） 【数２】 ｒ：レーザービーム中心からの距離 ｗ0：スポット半径（１／ｅ2径） で表わされるものとし、Ｊsはフォトレジスト膜厚と現
像後のエッチング量がほぼ同じになる露光量（照射エネ
ルギー密度）とする。］ - 【請求項１５】 前記異方性エッチングに、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）法、スパッタエッチング（Ｓ
Ｅ）法、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）
法、スパッタイオンビームエッチング（ＳＩＢＥ）法の
何れかを用いる請求項４又は８記載の光ディスク基板成
型用スタンパの製造方法。 - 【請求項１６】 前記第３の薄膜層のエッチングは異方
性エッチングである請求項５記載の光ディスク基板成型
用スタンパの製造方法。 - 【請求項１７】 前記第３の薄膜層のエッチングはウェ
ットエッチングである請求項５記載の光ディスク基板成
型用スタンパの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第１の薄膜層はＡｌ2Ｏ3又はＣｒ
2Ｏ3から成り、第２の薄膜層はＳｉＯ2から成る請求項
４記載の光ディスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項１９】 前記第１の薄膜層はＡｌ2Ｏ3又はＣｒ
2Ｏ3から成り、第２の薄膜層はＳｉＯ2から成り、第３
の薄膜層はＡｌ2Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3から成る請求項５記載
の光ディスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２０】 前記第１の薄膜層はＡｌ2Ｏ3又はＣｒ
2Ｏ3から成り、第２の薄膜層はＳｉＯ2から成り、第３
の薄膜層はＣｒから成る請求項５記載の光ディスク基板
成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２１】 前記原盤は単結晶Ｓｉ基板、薄膜層は
その熱酸化膜（ＳｉＯ2）である請求項８記載の光ディ
スク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２２】 ＳｉＯ2から成る第２の薄膜層のエッ
チングの為に、ＣＨＦ3ガス、又は、ＣＦ4とＨ2の混合
ガスを用いる請求項１８〜２０の何れか一項記載の光デ
ィスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２３】 Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3又はＣｒから成る
第３の薄膜層のエッチングの為に、ＣＣｌ4ガスを用い
る請求項１８〜２０の何れか一項記載の光ディスク基板
成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２４】 Ａｌ2Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3から成る第３の
薄膜層をアルカリ性液でウェットエッチングする請求項
１９記載の光ディスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２５】 Ｃｒから成る第３の薄膜層を、硝酸セ
リウムアンモニウム液でウェットエッチングする請求項
２０記載の光ディスク基板成型用スタンパの製造方法。 - 【請求項２６】 Ａｌ2Ｏ3又はＣｒ2Ｏ3から成る第１の
薄膜層を、アルカリ性液でウェットエッチングする請求
項１８〜２０の何れか一項記載の光ディスク基板成型用
スタンパの製造方法。 - 【請求項２７】 前記スタンパは磁壁移動型光磁気記録
媒体用の基板を製造するためのものである請求項２又は
９記載の光ディスク基板成型用スタンパ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000349921A JP2001243665A (ja) | 1999-11-26 | 2000-11-16 | 光ディスク基板成型用スタンパおよびその製造方法 |
| US09/717,237 US6653057B1 (en) | 1999-11-26 | 2000-11-22 | Stamper for forming optical disk substrate and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33674899 | 1999-11-26 | ||
| JP11-336748 | 1999-11-26 | ||
| JP11-362781 | 1999-12-21 | ||
| JP36278199 | 1999-12-21 | ||
| JP2000349921A JP2001243665A (ja) | 1999-11-26 | 2000-11-16 | 光ディスク基板成型用スタンパおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001243665A true JP2001243665A (ja) | 2001-09-07 |
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ID=27340799
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US6653057B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001243665A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005004839A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Hitachi Maxell Ltd | 基板成形用スタンパ、基板成形用ガラス原盤、光記録媒体用樹脂基板、光記録媒体及び基板成形用スタンパの製造方法。 |
| WO2005013264A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Tdk Corporation | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
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