JP2001234343A - 金属化合物溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法 - Google Patents
金属化合物溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶液ＣＶＤ法に適する安定性と濃度を有する
金属化合物溶液、該溶液からなるＣＶＤ用原料及び該原
料を用いた薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物
を下記一般式（II）で表されるシクロヘキサン化合物に
溶解させてなる溶液。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立にハロゲン原子
で置換されてもよく、鎖中に酸素原子を含んでもよい炭
素数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ4 は炭素数２〜１８
の分岐してもよいアルキレン基を表し、Ｍは鉛原子、チ
タニウム原子又はジルコニウム原子を表す；Ｍが鉛原子
の場合、ｌは０、ｍは２、ｎは０を表し、Ｍがチタニウ
ム原子又はジルコニウム原子の場合、ｎは０又は１を表
し、ｌ及びｍは、ｌ＋ｍ＋２ｎが４である０〜４の整数
を表す） 【化２】 （式中、Ｒ5 は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基
を表し、ｐは１〜２の整数を表す）
金属化合物溶液、該溶液からなるＣＶＤ用原料及び該原
料を用いた薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物
を下記一般式（II）で表されるシクロヘキサン化合物に
溶解させてなる溶液。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立にハロゲン原子
で置換されてもよく、鎖中に酸素原子を含んでもよい炭
素数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ4 は炭素数２〜１８
の分岐してもよいアルキレン基を表し、Ｍは鉛原子、チ
タニウム原子又はジルコニウム原子を表す；Ｍが鉛原子
の場合、ｌは０、ｍは２、ｎは０を表し、Ｍがチタニウ
ム原子又はジルコニウム原子の場合、ｎは０又は１を表
し、ｌ及びｍは、ｌ＋ｍ＋２ｎが４である０〜４の整数
を表す） 【化２】 （式中、Ｒ5 は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基
を表し、ｐは１〜２の整数を表す）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属化合物溶液及
びこれを用いた薄膜の製造方法に関し、詳しくは、特定
の有機溶媒を使用した化学気相成長（ＣＶＤ）用原料に
有用な金属化合物溶液及びこれを用いたチタン酸鉛系薄
膜の製造方法に関する。
びこれを用いた薄膜の製造方法に関し、詳しくは、特定
の有機溶媒を使用した化学気相成長（ＣＶＤ）用原料に
有用な金属化合物溶液及びこれを用いたチタン酸鉛系薄
膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】組成、
構造を制御した複合金属酸化物薄膜は、半導体、電子部
品、光学材料等に応用が期待されており、その中でもチ
タン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、
ランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）等のチ
タン酸鉛系の複合酸化物は、大きな比誘電率、強誘電性
等の特異な電気特性を有し、高・強誘電体メモリデバイ
ス等の電子デバイスに使用されている。
構造を制御した複合金属酸化物薄膜は、半導体、電子部
品、光学材料等に応用が期待されており、その中でもチ
タン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、
ランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）等のチ
タン酸鉛系の複合酸化物は、大きな比誘電率、強誘電性
等の特異な電気特性を有し、高・強誘電体メモリデバイ
ス等の電子デバイスに使用されている。
【０００３】また、これら複合金属酸化薄膜の製造方法
としては、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、塗布熱分解法等が挙げられるが、組成制御性、段差
被覆性に優れること、半導体製造プロセスとの整合性等
から化学気相成長（以下、ＣＶＤと記載することもあ
る）法が最適な薄膜製造プロセスとして検討されてい
る。
としては、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、塗布熱分解法等が挙げられるが、組成制御性、段差
被覆性に優れること、半導体製造プロセスとの整合性等
から化学気相成長（以下、ＣＶＤと記載することもあ
る）法が最適な薄膜製造プロセスとして検討されてい
る。
【０００４】上記ＣＶＤ法における原料としては、所望
の金属酸化物を構成する金属元素を気相状態で輸送する
ことができる化合物、即ち安定して揮発させることので
きる金属化合物が適しており、一般にアルキル化合物、
アルコキシド化合物あるいはβ−ジケトン化合物との錯
体等が使用される。これらの金属化合物が融点の高い固
体である場合は、金属源の輸送、供給量を大きくするた
めに、金属化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を用いる
溶液ＣＶＤ法が検討されている。
の金属酸化物を構成する金属元素を気相状態で輸送する
ことができる化合物、即ち安定して揮発させることので
きる金属化合物が適しており、一般にアルキル化合物、
アルコキシド化合物あるいはβ−ジケトン化合物との錯
体等が使用される。これらの金属化合物が融点の高い固
体である場合は、金属源の輸送、供給量を大きくするた
めに、金属化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を用いる
溶液ＣＶＤ法が検討されている。
【０００５】チタン酸鉛系薄膜をＣＶＤ法により製造す
る場合、使用される鉛化合物は、その多くが固体であ
る、β−ジケトンの化合物との錯体であるので、溶液Ｃ
ＶＤ法が選択されている。
る場合、使用される鉛化合物は、その多くが固体であ
る、β−ジケトンの化合物との錯体であるので、溶液Ｃ
ＶＤ法が選択されている。
【０００６】上記の溶液ＣＶＤ法に使用される有機溶媒
は、金属化合物に対して溶解度が大きく、安定化効果が
あるテトラヒドロフラン、酢酸ブチル、ポリエチレング
リコールジメチルエーテル等の極性溶媒の溶液が使用さ
れている。例えば、特開平７−７６７７８号公報、特開
平１０−２９８７６２号公報にテトラヒドロフラン溶液
を用いた溶液ＣＶＤ法によるチタン酸鉛系薄膜の製造が
報告されている。しかし、鉛原料については、金属化合
物であるβ−ジケトン化合物が、他の金属化合物と異な
りテトラヒドロフラン等の極性溶媒中で、白濁、沈殿を
生成するので、薄膜製造時のトラブルの原因になるとい
う問題点を有している。上記問題に対し、Ｊｐｎ．ａｐ
ｐｌ．ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）Ｐｔ．１，
Ｎｏ．９Ｂ ｐ５３２６〜５３３０にオクタン等の炭化
水素系溶媒を用いた原料によるチタン酸鉛薄膜の製造が
報告されているが、これらの有機溶剤は、白濁、沈殿
は、生じないが、溶解度が小さいので、温度変化や溶剤
の部分的揮発、濃度変化等が原因の固体析出を起こすの
で、使用に適する安定性を与えるものではない。
は、金属化合物に対して溶解度が大きく、安定化効果が
あるテトラヒドロフラン、酢酸ブチル、ポリエチレング
リコールジメチルエーテル等の極性溶媒の溶液が使用さ
れている。例えば、特開平７−７６７７８号公報、特開
平１０−２９８７６２号公報にテトラヒドロフラン溶液
を用いた溶液ＣＶＤ法によるチタン酸鉛系薄膜の製造が
報告されている。しかし、鉛原料については、金属化合
物であるβ−ジケトン化合物が、他の金属化合物と異な
りテトラヒドロフラン等の極性溶媒中で、白濁、沈殿を
生成するので、薄膜製造時のトラブルの原因になるとい
う問題点を有している。上記問題に対し、Ｊｐｎ．ａｐ
ｐｌ．ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）Ｐｔ．１，
Ｎｏ．９Ｂ ｐ５３２６〜５３３０にオクタン等の炭化
水素系溶媒を用いた原料によるチタン酸鉛薄膜の製造が
報告されているが、これらの有機溶剤は、白濁、沈殿
は、生じないが、溶解度が小さいので、温度変化や溶剤
の部分的揮発、濃度変化等が原因の固体析出を起こすの
で、使用に適する安定性を与えるものではない。
【０００７】従って、本発明の目的は、溶液ＣＶＤ法に
適する安定性と濃度を有する金属化合物溶液、該溶液か
らなるＣＶＤ用原料及び該原料を用いた薄膜の製造方法
を提供することにある。
適する安定性と濃度を有する金属化合物溶液、該溶液か
らなるＣＶＤ用原料及び該原料を用いた薄膜の製造方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、検討を重
ねた結果、ある種のシクロヘキサン化合物が、金属化合
物に対して充分な安定性と溶解性を与えることを見出
し、上記課題を解決し得ることを知見し、本発明に到達
した。
ねた結果、ある種のシクロヘキサン化合物が、金属化合
物に対して充分な安定性と溶解性を与えることを見出
し、上記課題を解決し得ることを知見し、本発明に到達
した。
【０００９】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
のであり、下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物を下
記一般式（II）で表されるシクロヘキサン化合物に溶解
させてなる金属化合物溶液、該溶液からなるＣＶＤ用原
料及び該原料を用いたチタン酸鉛系薄膜の製造方法を提
供するものである。
のであり、下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物を下
記一般式（II）で表されるシクロヘキサン化合物に溶解
させてなる金属化合物溶液、該溶液からなるＣＶＤ用原
料及び該原料を用いたチタン酸鉛系薄膜の製造方法を提
供するものである。
【００１０】
【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立にハロゲン原子
で置換されてもよく、鎖中に酸素原子を含んでもよい炭
素数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ4 は炭素数２〜１８
の分岐してもよいアルキレン基を表し、Ｍは鉛原子、チ
タニウム原子又はジルコニウム原子を表す；Ｍが鉛原子
の場合、ｌは０、ｍは２、ｎは０を表し、Ｍがチタニウ
ム原子又はジルコニウム原子の場合、ｎは０又は１を表
し、ｌ及びｍは、ｌ＋ｍ＋２ｎが４である０〜４の整数
を表す）
で置換されてもよく、鎖中に酸素原子を含んでもよい炭
素数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ4 は炭素数２〜１８
の分岐してもよいアルキレン基を表し、Ｍは鉛原子、チ
タニウム原子又はジルコニウム原子を表す；Ｍが鉛原子
の場合、ｌは０、ｍは２、ｎは０を表し、Ｍがチタニウ
ム原子又はジルコニウム原子の場合、ｎは０又は１を表
し、ｌ及びｍは、ｌ＋ｍ＋２ｎが４である０〜４の整数
を表す）
【化４】 （式中、Ｒ5 は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基
を表し、ｐは１〜２の整数を表す）
を表し、ｐは１〜２の整数を表す）
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】本発明に係る上記一般式（Ｉ）で表される
金属化合物は、ＣＶＤ原料として応用されている或いは
応用が期待されている化合物であり、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ
3 は各々独立にハロゲン原子で置換されてもよく、鎖中
に酸素原子を含んでもよい炭素数１〜８のアルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、
イソアミル、第三アミル、ヘキシル、１−エチルペンチ
ル、シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプ
チル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イ
ソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、トリ
フルオロメチル、パーフルオロヘキシル、２−メトキシ
エチル、２−エトキシエチル、２−ブトキシエチル、２
−（２−メトキシエトキシ）エチル、１−メトキシ−
１，１−ジメチルメチル、２−メトキシ−１，１−ジメ
チルエチル、２−エトキシ−１，１−ジメチルエチル、
２−イソプロポキシ−１，１−ジメチルエチル、２−ブ
トキシ−１，１−ジメチルエチル、２−（２−メトキシ
エトキシ）−１，１−ジメチルエチル等が挙げられる。
また、Ｒ4 で表される炭素数２〜１８の分岐してもよい
アルキレン基とは、グリコールにより与えられる基であ
り、該グリコールとしては、例えば、１，２−エタンジ
オール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパン
ジオール、２，４−ヘキサンジオール、２，２−ジメチ
ル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−
１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−１，３
−ブタンジオール、２−エチル−２−ブチル−１，３−
プロパンジオール、２，４−ペンタンジオール、２−メ
チル−１，３−プロパンジオール、１−メチル−２，４
−ペンタンジオール等が挙げられる。特に金属元素との
六員環を形成するジオール及びそのアルキル基置換体か
ら与えられる基が金属化合物の安定性が大きいので好ま
しい。
金属化合物は、ＣＶＤ原料として応用されている或いは
応用が期待されている化合物であり、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ
3 は各々独立にハロゲン原子で置換されてもよく、鎖中
に酸素原子を含んでもよい炭素数１〜８のアルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、
イソアミル、第三アミル、ヘキシル、１−エチルペンチ
ル、シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプ
チル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イ
ソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、トリ
フルオロメチル、パーフルオロヘキシル、２−メトキシ
エチル、２−エトキシエチル、２−ブトキシエチル、２
−（２−メトキシエトキシ）エチル、１−メトキシ−
１，１−ジメチルメチル、２−メトキシ−１，１−ジメ
チルエチル、２−エトキシ−１，１−ジメチルエチル、
２−イソプロポキシ−１，１−ジメチルエチル、２−ブ
トキシ−１，１−ジメチルエチル、２−（２−メトキシ
エトキシ）−１，１−ジメチルエチル等が挙げられる。
また、Ｒ4 で表される炭素数２〜１８の分岐してもよい
アルキレン基とは、グリコールにより与えられる基であ
り、該グリコールとしては、例えば、１，２−エタンジ
オール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパン
ジオール、２，４−ヘキサンジオール、２，２−ジメチ
ル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−
１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−１，３
−ブタンジオール、２−エチル−２−ブチル−１，３−
プロパンジオール、２，４−ペンタンジオール、２−メ
チル−１，３−プロパンジオール、１−メチル−２，４
−ペンタンジオール等が挙げられる。特に金属元素との
六員環を形成するジオール及びそのアルキル基置換体か
ら与えられる基が金属化合物の安定性が大きいので好ま
しい。
【００１３】上記一般式（Ｉ）において、Ｍが鉛原子で
ある鉛化合物は、β−ジケトン化合物との錯体である。
該鉛化合物の具体例としては、例えば、ビス（アセチル
アセトナト）鉛、ビス（ヘキサン−２，４−ジオナト）
鉛、ビス（５−メチルヘキサン−２，４−ジオナト）
鉛、ビス（ヘプタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（２
−メチルヘプタン−３，５−ジオナト）鉛、ビス（５−
メチルヘプタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（６−メ
チルヘプタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（２，２−
ジメチルヘプタン３，５−ジオナト）鉛、ビス（２，
２，６−トリメチルヘプタン−３，５−ジオナト）鉛、
ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５
−ジオナト）鉛、ビス（オクタン−２，４−ジオナト）
鉛、ビス（２，２，６−トリメチルオクタン−３，５−
ジオナト）鉛、ビス（２，６−ジメチルオクタン−３，
５−ジオナト）鉛、ビス（２−メチル−６−エチルデカ
ン−３，５−ジオナト）鉛、ビス（２，２−ジメチル−
６−エチルデカン−３，５−ジオナト）鉛等のアルキル
置換β−ジケトネート類、ビス（１，１，１−トリフル
オロペンタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（１，１，
１−トリフルオロ−５，５−ジメチルヘキサン−２，４
−ジオナト）鉛、ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキ
サフルオロペンタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス
（１，３−ジパーフルオロヘキシルプロパン−１，３−
ジオナト）鉛等のフッ素置換アルキルβ−ジケトネート
類、ビス（１，１，５，５−テトラメチル−１−メトキ
シヘキサン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（２，２，
６，６−テトラメチル−１−メトキシヘプタン−３，５
−ジオナト）鉛、ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−１−（２−メトキシエトキシ）ヘプタン−３，５−ジ
オナト）鉛等のエーテル置換β−ジケトネート類が挙げ
られる。
ある鉛化合物は、β−ジケトン化合物との錯体である。
該鉛化合物の具体例としては、例えば、ビス（アセチル
アセトナト）鉛、ビス（ヘキサン−２，４−ジオナト）
鉛、ビス（５−メチルヘキサン−２，４−ジオナト）
鉛、ビス（ヘプタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（２
−メチルヘプタン−３，５−ジオナト）鉛、ビス（５−
メチルヘプタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（６−メ
チルヘプタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（２，２−
ジメチルヘプタン３，５−ジオナト）鉛、ビス（２，
２，６−トリメチルヘプタン−３，５−ジオナト）鉛、
ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５
−ジオナト）鉛、ビス（オクタン−２，４−ジオナト）
鉛、ビス（２，２，６−トリメチルオクタン−３，５−
ジオナト）鉛、ビス（２，６−ジメチルオクタン−３，
５−ジオナト）鉛、ビス（２−メチル−６−エチルデカ
ン−３，５−ジオナト）鉛、ビス（２，２−ジメチル−
６−エチルデカン−３，５−ジオナト）鉛等のアルキル
置換β−ジケトネート類、ビス（１，１，１−トリフル
オロペンタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（１，１，
１−トリフルオロ−５，５−ジメチルヘキサン−２，４
−ジオナト）鉛、ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキ
サフルオロペンタン−２，４−ジオナト）鉛、ビス
（１，３−ジパーフルオロヘキシルプロパン−１，３−
ジオナト）鉛等のフッ素置換アルキルβ−ジケトネート
類、ビス（１，１，５，５−テトラメチル−１−メトキ
シヘキサン−２，４−ジオナト）鉛、ビス（２，２，
６，６−テトラメチル−１−メトキシヘプタン−３，５
−ジオナト）鉛、ビス（２，２，６，６−テトラメチル
−１−（２−メトキシエトキシ）ヘプタン−３，５−ジ
オナト）鉛等のエーテル置換β−ジケトネート類が挙げ
られる。
【００１４】上記一般式（Ｉ）において、Ｍがチタニウ
ム原子であるチタニウム化合物は、β−ジケトン化合物
及び／又はグリコール化合物及び／又はアルコールとの
化合物である。該化合物は、ｍが２のものが、化学的に
安定であるので、溶液ＣＶＤ用の原料として好ましく、
下記、化合物Ｎｏ．１〜１０に示すものがより好まし
い。
ム原子であるチタニウム化合物は、β−ジケトン化合物
及び／又はグリコール化合物及び／又はアルコールとの
化合物である。該化合物は、ｍが２のものが、化学的に
安定であるので、溶液ＣＶＤ用の原料として好ましく、
下記、化合物Ｎｏ．１〜１０に示すものがより好まし
い。
【００１５】
【化５】
【００１６】上記一般式（Ｉ）において、Ｍがジルコニ
ウム原子であるジルコニウム化合物は、β−ジケトン化
合物及び／又はグリコール化合物及び／又はアルコール
との化合物である。該化合物は、ｍが２又は４のもの
が、化学的に安定であるので、溶液ＣＶＤ用の原料とし
て好ましく、下記、化合物Ｎｏ．１１〜２２に示すもの
がより好ましい。
ウム原子であるジルコニウム化合物は、β−ジケトン化
合物及び／又はグリコール化合物及び／又はアルコール
との化合物である。該化合物は、ｍが２又は４のもの
が、化学的に安定であるので、溶液ＣＶＤ用の原料とし
て好ましく、下記、化合物Ｎｏ．１１〜２２に示すもの
がより好ましい。
【００１７】
【化６】
【００１８】本発明に係る上記一般式（Ｉ）で表される
金属化合物及び上記例示の鉛、チタニウム、ジルコニウ
ム化合物は、金属塩又は金属の低級アルコキシドと該当
する配位子化合物（β−ジケトン化合物、グリコール化
合物、アルコール化合物）から周知一般の方法で得るこ
とができる。例えば、鉛化合物の場合、塩化鉛、硝酸
鉛、酢酸鉛或いは一酸化鉛と、β−ジケトン或いはβ−
ジケトナトナトリウムとの反応によって容易に得ること
ができ、チタニウム又はジルコニウム化合物は、四塩化
物、低級アルコキシドと該当する配位子化合物との反応
により容易に得ることができる。
金属化合物及び上記例示の鉛、チタニウム、ジルコニウ
ム化合物は、金属塩又は金属の低級アルコキシドと該当
する配位子化合物（β−ジケトン化合物、グリコール化
合物、アルコール化合物）から周知一般の方法で得るこ
とができる。例えば、鉛化合物の場合、塩化鉛、硝酸
鉛、酢酸鉛或いは一酸化鉛と、β−ジケトン或いはβ−
ジケトナトナトリウムとの反応によって容易に得ること
ができ、チタニウム又はジルコニウム化合物は、四塩化
物、低級アルコキシドと該当する配位子化合物との反応
により容易に得ることができる。
【００１９】本発明に係る上記一般式（II）で表される
シクロヘキサン化合物において、Ｒ 5 で表される炭素数
１〜４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第二ブチル、
第三ブチルが挙げられる。該シクロヘキサン化合物とし
ては、例えば、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、
イソプロピルシクロヘキサン、ブチルシクロヘキサン、
第二ブチルシクロヘキサン、イソブチルシクロヘキサ
ン、第三ブチルシクロヘキサン、１，２−ジメチルシク
ロヘキサン、１，３−ジメチルシクロヘキサン、１，４
−ジメチルシクロヘキサン、１，２−ジエチルシクロヘ
キサン、１，３−ジエチルシクロヘキサン、１，４−ジ
ブチルシクロヘキサン、１−エチル−２−メチルシクロ
ヘキサン、１−イソプロピル−２−メチルシクロヘキサ
ン、１−プロピル−３−イソブチルシクロヘキサン等が
挙げられ、中でも、コスト、入手しやすさからシクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサンが好ましい。
シクロヘキサン化合物において、Ｒ 5 で表される炭素数
１〜４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第二ブチル、
第三ブチルが挙げられる。該シクロヘキサン化合物とし
ては、例えば、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、
イソプロピルシクロヘキサン、ブチルシクロヘキサン、
第二ブチルシクロヘキサン、イソブチルシクロヘキサ
ン、第三ブチルシクロヘキサン、１，２−ジメチルシク
ロヘキサン、１，３−ジメチルシクロヘキサン、１，４
−ジメチルシクロヘキサン、１，２−ジエチルシクロヘ
キサン、１，３−ジエチルシクロヘキサン、１，４−ジ
ブチルシクロヘキサン、１−エチル−２−メチルシクロ
ヘキサン、１−イソプロピル−２−メチルシクロヘキサ
ン、１−プロピル−３−イソブチルシクロヘキサン等が
挙げられ、中でも、コスト、入手しやすさからシクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサンが好ましい。
【００２０】上記のシクロヘキサン化合物は、以下の表
１〜４に示す通り金属化合物を必要充分な濃度で安定に
溶解させる溶媒であり、特に鉛化合物について、良好な
物性のＣＶＤ用原料を与えるものである。
１〜４に示す通り金属化合物を必要充分な濃度で安定に
溶解させる溶媒であり、特に鉛化合物について、良好な
物性のＣＶＤ用原料を与えるものである。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】
【表４】
【００２５】また、本発明の金属化合物溶液及び化学気
相成長用原料は、その濃度によって特に制限を受けずに
安定した溶液を提供できる範囲であれば、いかなる濃度
を用いてもよく、原料の輸送量、膜製造時の成膜速度等
により適宜選択される。濃度が０．０５ｍｏｌ／リット
ルより小さいと金属源供給性が低下し、成膜速度が小さ
くなる場合があり、０．５ｍｏｌ／リットルを超えると
原料の流動性が悪くなる、析出等のトラブルが発生しや
すくなる場合があるので０．０５〜０．５ｍｏｌ／リッ
トルの範囲が好ましい。
相成長用原料は、その濃度によって特に制限を受けずに
安定した溶液を提供できる範囲であれば、いかなる濃度
を用いてもよく、原料の輸送量、膜製造時の成膜速度等
により適宜選択される。濃度が０．０５ｍｏｌ／リット
ルより小さいと金属源供給性が低下し、成膜速度が小さ
くなる場合があり、０．５ｍｏｌ／リットルを超えると
原料の流動性が悪くなる、析出等のトラブルが発生しや
すくなる場合があるので０．０５〜０．５ｍｏｌ／リッ
トルの範囲が好ましい。
【００２６】本発明に係るチタン酸鉛系薄膜としては、
チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、ランタン添加チタ
ン酸ジルコン酸鉛の各薄膜が挙げられ、中でもチタン酸
ジルコン酸鉛薄膜が、電気特性と薄膜製造制御性から好
ましい。
チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、ランタン添加チタ
ン酸ジルコン酸鉛の各薄膜が挙げられ、中でもチタン酸
ジルコン酸鉛薄膜が、電気特性と薄膜製造制御性から好
ましい。
【００２７】本発明に係る化学気相成長（ＣＶＤ）法に
よるチタン酸鉛系薄膜の製造方法は、以上記述の溶液原
料を用いることが特徴であり、その際の原料供給方法、
成膜方法等の製造条件には、特に制限を受けず公知の方
法を用いることができる。
よるチタン酸鉛系薄膜の製造方法は、以上記述の溶液原
料を用いることが特徴であり、その際の原料供給方法、
成膜方法等の製造条件には、特に制限を受けず公知の方
法を用いることができる。
【００２８】原料供給方法は、製造される薄膜が多成分
系である場合、ＣＶＤ原料を、各成分独立で供給し、成
膜時に混合する方法（以下、マルチボトル法と記載する
こともある）を用いてもよく、また、多成分原料を予め
所望の組成で混合し、その混合溶液を使用する方法（以
下、ワンボトル法と記載することもある）を用いてもよ
い。
系である場合、ＣＶＤ原料を、各成分独立で供給し、成
膜時に混合する方法（以下、マルチボトル法と記載する
こともある）を用いてもよく、また、多成分原料を予め
所望の組成で混合し、その混合溶液を使用する方法（以
下、ワンボトル法と記載することもある）を用いてもよ
い。
【００２９】また、本発明に係るチタン酸鉛系薄膜を製
造するために用いる成膜法は、例えば、熱ＣＶＤ、プラ
ズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等の方法を挙げることができる
が、一般にＣＶＤ装置に採用される成膜法であれば特に
制限を受けない。
造するために用いる成膜法は、例えば、熱ＣＶＤ、プラ
ズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等の方法を挙げることができる
が、一般にＣＶＤ装置に採用される成膜法であれば特に
制限を受けない。
【００３０】例えば、熱ＣＶＤの場合は、先ず、気化さ
れた原料を基板上に導入し、次いで、原料を基板上で分
解させて薄膜を基板上に成長させるのであるが、気化さ
せる工程では原料の分解を防止するために１３３３０Ｐ
ａ以下、特に８０００Ｐａ以下の減圧下で、分解温度以
下で気化させることが好ましい。また、基板は予め原料
の分解温度以上、好ましくは３５０℃以上、より好まし
くは４５０℃以上に加熱しておくことが好ましい。ま
た、得られた薄膜には必要に応じてアニール処理を行っ
てもよい。
れた原料を基板上に導入し、次いで、原料を基板上で分
解させて薄膜を基板上に成長させるのであるが、気化さ
せる工程では原料の分解を防止するために１３３３０Ｐ
ａ以下、特に８０００Ｐａ以下の減圧下で、分解温度以
下で気化させることが好ましい。また、基板は予め原料
の分解温度以上、好ましくは３５０℃以上、より好まし
くは４５０℃以上に加熱しておくことが好ましい。ま
た、得られた薄膜には必要に応じてアニール処理を行っ
てもよい。
【００３１】ＣＶＤ法では、金属元素供給源である金属
化合物の安定化剤及び／又は溶液の安定化剤として、求
核性試薬が用いられることがある。本発明の場合、特に
安定性に優れるので必ずしも必要ではないが、下記のよ
うな安定化剤を使用してもよい。該安定化剤としては、
グライム、ジグライム、トリグライム、テトラグライム
等のエチレングリコールエーテル類、１８−クラウン−
６、ジシクロヘキシル−１８−クラウン−６、２４−ク
ラウン−８、ジシクロヘキシル−２４−クラウン−８、
ジベンゾ−２４−クラウン−８等のクラウンエーテル
類、エチレンジアミン、Ｎ, Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテト
ラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘ
キサミン、１，１，４，７，７−ペンタメチルジエチレ
ントリアミン、１，１，４，７，１０，１０−ヘキサメ
チルトリエチレンテトラミン等のポリアミン類、サイク
ラム、サイクレン等の環状ポリアミン類、アセト酢酸メ
チル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸−２−メトキシエ
チル等のβ−ケトエステル類又はβ−ジケトン類が挙げ
られる。
化合物の安定化剤及び／又は溶液の安定化剤として、求
核性試薬が用いられることがある。本発明の場合、特に
安定性に優れるので必ずしも必要ではないが、下記のよ
うな安定化剤を使用してもよい。該安定化剤としては、
グライム、ジグライム、トリグライム、テトラグライム
等のエチレングリコールエーテル類、１８−クラウン−
６、ジシクロヘキシル−１８−クラウン−６、２４−ク
ラウン−８、ジシクロヘキシル−２４−クラウン−８、
ジベンゾ−２４−クラウン−８等のクラウンエーテル
類、エチレンジアミン、Ｎ, Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテト
ラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘ
キサミン、１，１，４，７，７−ペンタメチルジエチレ
ントリアミン、１，１，４，７，１０，１０−ヘキサメ
チルトリエチレンテトラミン等のポリアミン類、サイク
ラム、サイクレン等の環状ポリアミン類、アセト酢酸メ
チル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸−２−メトキシエ
チル等のβ−ケトエステル類又はβ−ジケトン類が挙げ
られる。
【００３２】これら安定剤の使用量は、金属化合物１モ
ルに対して０．１〜１０モルの範囲で使用され、好まし
くは１〜４モルで使用される。
ルに対して０．１〜１０モルの範囲で使用され、好まし
くは１〜４モルで使用される。
【００３３】
【実施例】以下、製造例、実施例をもって本発明を更に
詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の製造
例、実施例によって何ら制限を受けるものではない。
詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の製造
例、実施例によって何ら制限を受けるものではない。
【００３４】〔製造例〕 ＜原料の製造＞シクロヘキサン及びメチルシクロヘキサ
ンを金属ナトリウム線で乾燥した後、窒素気流下で、前
留分１０質量％、釜残分１０質量％をカットし、蒸留精
製を行った。この溶媒を用いて、アルゴン気流下で金属
化合物を溶解させることにより、以下に示すＣＶＤ原料
を調製した。
ンを金属ナトリウム線で乾燥した後、窒素気流下で、前
留分１０質量％、釜残分１０質量％をカットし、蒸留精
製を行った。この溶媒を用いて、アルゴン気流下で金属
化合物を溶解させることにより、以下に示すＣＶＤ原料
を調製した。
【００３５】（１）鉛原料 Ｐ−１：金属化合物；ビス（２，２，６，６−テトラメ
チルヘプタン−３，５− ジオナト）鉛、溶媒；シクロ
ヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｐ−２：金属化合物；ビス（２，２，６，６−テトラメ
チルヘプタン−３，５−ジオナト）鉛、溶媒；メチルシ
クロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｐ−３：金属化合物；ビス（２，２，６，６−テトラメ
チル−１−（２−メトキシエトキシ）ヘプタン−３，５
−ジオナト）鉛、溶媒；メチルシクロヘキサン、濃度；
０．２０ｍｏｌ／リットル （２）チタニウム原料
チルヘプタン−３，５− ジオナト）鉛、溶媒；シクロ
ヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｐ−２：金属化合物；ビス（２，２，６，６−テトラメ
チルヘプタン−３，５−ジオナト）鉛、溶媒；メチルシ
クロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｐ−３：金属化合物；ビス（２，２，６，６−テトラメ
チル−１−（２−メトキシエトキシ）ヘプタン−３，５
−ジオナト）鉛、溶媒；メチルシクロヘキサン、濃度；
０．２０ｍｏｌ／リットル （２）チタニウム原料
【００３６】Ｔ−１：チタニウム化合物；化合物Ｎｏ．
１、溶媒；シクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リ
ットル Ｔ−２：チタニウム化合物；化合物Ｎｏ．１、溶媒；メ
チルシクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｔ−３：チタニウム化合物；化合物Ｎｏ．９、溶媒；メ
チルシクロヘキサン、濃度；０．２０ｍｏｌ／リットル
１、溶媒；シクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リ
ットル Ｔ−２：チタニウム化合物；化合物Ｎｏ．１、溶媒；メ
チルシクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｔ−３：チタニウム化合物；化合物Ｎｏ．９、溶媒；メ
チルシクロヘキサン、濃度；０．２０ｍｏｌ／リットル
【００３７】（３）ジルコニウム原料 Ｚ−１：ジルコニウム化合物；化合物Ｎｏ．１９、溶
媒；シクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｚ−２：ジルコニウム化合物；化合物Ｎｏ．２１、溶
媒；メチルシクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リ
ットル Ｚ−３：ジルコニウム化合物；化合物Ｎｏ．２２、溶
媒；メチルシクロヘキサン、濃度；０．２０ｍｏｌ／リ
ットル
媒；シクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リットル Ｚ−２：ジルコニウム化合物；化合物Ｎｏ．２１、溶
媒；メチルシクロヘキサン、濃度；０．１５ｍｏｌ／リ
ットル Ｚ−３：ジルコニウム化合物；化合物Ｎｏ．２２、溶
媒；メチルシクロヘキサン、濃度；０．２０ｍｏｌ／リ
ットル
【００３８】〔実施例１〕 ＜ＰＺＴ薄膜の製造（マルチボトル法）＞図１に示すＣ
ＶＤ装置を用いて、シリコンウエハ上に以下の条件、原
料を用いてチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を製造した。製
造した薄膜については、Ｘ線回折を用いてチタン酸ジル
コン酸鉛のピーク有無を確認した。また、膜の組成につ
いては、製造した薄膜を５％フッ酸水溶液に浸して得た
剥離液をＩＣＰ元素分析装置で測定して得た。
ＶＤ装置を用いて、シリコンウエハ上に以下の条件、原
料を用いてチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を製造した。製
造した薄膜については、Ｘ線回折を用いてチタン酸ジル
コン酸鉛のピーク有無を確認した。また、膜の組成につ
いては、製造した薄膜を５％フッ酸水溶液に浸して得た
剥離液をＩＣＰ元素分析装置で測定して得た。
【００３９】（原料）Ｐ−１、Ｔ−１、Ｚ−１ （条件）気化室温度：２００℃、原料流量：鉛供給系；
０．１１ｍｌ／分、チタニウム供給系；０．０５ｍｌ／
分、ジルコニウム供給系；０．０５ｍｌ／分、酸素ガス
流量：４７０ｓｃｃｍ、反応圧力：２７００Ｐａ、反応
時間：１５分、基板温度：６００℃ （結果）Ｘ線回折：ＰＺＴピーク有。組成比（モル）：
Ｐｂ／Ｔｉ／Ｚｒ＝１．００／０．５３／０．４７
０．１１ｍｌ／分、チタニウム供給系；０．０５ｍｌ／
分、ジルコニウム供給系；０．０５ｍｌ／分、酸素ガス
流量：４７０ｓｃｃｍ、反応圧力：２７００Ｐａ、反応
時間：１５分、基板温度：６００℃ （結果）Ｘ線回折：ＰＺＴピーク有。組成比（モル）：
Ｐｂ／Ｔｉ／Ｚｒ＝１．００／０．５３／０．４７
【００４０】〔実施例２〕 ＜ＰＺＴ薄膜の製造（マルチボトル法）＞図１に示すＣ
ＶＤ装置を用いて、シリコンウエハ上に以下の条件、原
料を用いてチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を製造した。製
造した薄膜については、Ｘ線回折を用いてチタン酸ジル
コン酸鉛のピーク有無を確認した。また、膜の組成につ
いては、製造した薄膜を５％フッ酸水溶液に浸して得た
剥離液をＩＣＰ元素分析装置で測定して得た。
ＶＤ装置を用いて、シリコンウエハ上に以下の条件、原
料を用いてチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を製造した。製
造した薄膜については、Ｘ線回折を用いてチタン酸ジル
コン酸鉛のピーク有無を確認した。また、膜の組成につ
いては、製造した薄膜を５％フッ酸水溶液に浸して得た
剥離液をＩＣＰ元素分析装置で測定して得た。
【００４１】（原料）Ｐ−２、Ｔ−２、Ｚ−２ （条件）気化室温度：２００℃、原料流量：鉛供給系；
０．１１ｍｌ／分、チタニウム供給系；０．０５ｍｌ／
分、ジルコニウム供給系；０．０５ｍｌ／分、酸素ガス
流量：４７０ｓｃｃｍ、反応圧力：２７００Ｐａ、反応
時間：１５分、基板温度：６００℃ （結果）Ｘ線回折：ＰＺＴピーク有。組成比（モル）：
Ｐｂ／Ｔｉ／Ｚｒ＝１．００／０．５１／０．４８
０．１１ｍｌ／分、チタニウム供給系；０．０５ｍｌ／
分、ジルコニウム供給系；０．０５ｍｌ／分、酸素ガス
流量：４７０ｓｃｃｍ、反応圧力：２７００Ｐａ、反応
時間：１５分、基板温度：６００℃ （結果）Ｘ線回折：ＰＺＴピーク有。組成比（モル）：
Ｐｂ／Ｔｉ／Ｚｒ＝１．００／０．５１／０．４８
【００４２】〔実施例３〕 ＜ＰＺＴ薄膜の製造（ワンボトル法）＞図２に示すＣＶ
Ｄ装置を用いて、シリコンウエハ上に以下の条件、原料
を用いてチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を製造した。製造
した薄膜については、Ｘ線回折を用いてチタン酸ジルコ
ン酸鉛のピーク有無を確認した。また、膜の組成につい
ては、製造した薄膜を５％フッ酸水溶液に浸して得た剥
離液をＩＣＰ元素分析装置で測定して得た。
Ｄ装置を用いて、シリコンウエハ上に以下の条件、原料
を用いてチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を製造した。製造
した薄膜については、Ｘ線回折を用いてチタン酸ジルコ
ン酸鉛のピーク有無を確認した。また、膜の組成につい
ては、製造した薄膜を５％フッ酸水溶液に浸して得た剥
離液をＩＣＰ元素分析装置で測定して得た。
【００４３】（原料）Ｐ−３：Ｔ−３：Ｚ−３＝２：
１：１（容量比）混合物 （条件）気化室温度：２００℃、原料流量：０．１５ｍ
ｌ／分、酸素ガス流量：４００ｓｃｃｍ、反応圧力：２
７００Ｐａ、反応時間：１５分、基板温度：６００℃ （結果）Ｘ線回折：ＰＺＴピーク有。組成比（モル）：
Ｐｂ／Ｔｉ／Ｚｒ＝１．００／０．５３／０．５１
１：１（容量比）混合物 （条件）気化室温度：２００℃、原料流量：０．１５ｍ
ｌ／分、酸素ガス流量：４００ｓｃｃｍ、反応圧力：２
７００Ｐａ、反応時間：１５分、基板温度：６００℃ （結果）Ｘ線回折：ＰＺＴピーク有。組成比（モル）：
Ｐｂ／Ｔｉ／Ｚｒ＝１．００／０．５３／０．５１
【００４４】
【発明の効果】本発明は、溶液ＣＶＤ法に適する安定性
と濃度を有する金属化合物溶液、該溶液からなるＣＶＤ
用原料及び該原料を用いた薄膜の製造方法を提供でき
る。
と濃度を有する金属化合物溶液、該溶液からなるＣＶＤ
用原料及び該原料を用いた薄膜の製造方法を提供でき
る。
【図１】図１は、本発明のチタン酸鉛系薄膜の製造に用
いられるＣＶＤ装置の一例を示す概要図である。
いられるＣＶＤ装置の一例を示す概要図である。
【図２】図２は、本発明のチタン酸鉛系薄膜の製造に用
いられるＣＶＤ装置の他の例を示す概要図である。
いられるＣＶＤ装置の他の例を示す概要図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｆ 7/24 Ｃ０７Ｆ 7/24 7/28 7/28 Ｆ Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AB78 AB91 AB92 4H049 VN04 VN05 VN06 VP01 VQ19 VQ24 VR44 VU24 VV02 4K030 AA11 BA01 BA22 BA42 BA46 CA04 CA12 FA10 LA01 LA15 5F045 AA03 AA08 AA11 AB31 AC08 AC09 AD08 AD10 AE23 AF03 BB16 DC63 DP03 EE02 5F058 BA20 BC03 BC20 BF02 BF27 BF37 BJ01
Claims (6)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物
を下記一般式（II）で表されるシクロヘキサン化合物に
溶解させてなる金属化合物溶液。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は各々独立にハロゲン原子
で置換されてもよく、鎖中に酸素原子を含んでもよい炭
素数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ4 は炭素数２〜１８
の分岐してもよいアルキレン基を表し、Ｍは鉛原子、チ
タニウム原子又はジルコニウム原子を表す；Ｍが鉛原子
の場合、ｌは０、ｍは２、ｎは０を表し、Ｍがチタニウ
ム原子又はジルコニウム原子の場合、ｎは０又は１を表
し、ｌ及びｍは、ｌ＋ｍ＋２ｎが４である０〜４の整数
を表す） 【化２】 （式中、Ｒ5 は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基
を表し、ｐは１〜２の整数を表す） - 【請求項２】 上記一般式（Ｉ）において、Ｍが鉛原子
であり、ｍが２である請求項１に記載の金属化合物溶
液。 - 【請求項３】 上記一般式（II）においてＲ5 が水素原
子又はメチル基であり、ｐが１である請求項１又は２に
記載の金属化合物溶液。 - 【請求項４】 請求項１〜３に記載の金属化合物溶液か
らなる化学気相成長用原料。 - 【請求項５】 請求項４に記載の化学気相成長用原料を
用いたチタン酸鉛系薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 チタン酸鉛系薄膜がチタン酸ジルコン酸
鉛薄膜である請求項５に記載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000039204A JP2001234343A (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 金属化合物溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
| TW090103134A TWI228501B (en) | 2000-02-17 | 2001-02-13 | Metal compound solution and thin film formation using the same |
| KR1020010007467A KR100686431B1 (ko) | 2000-02-17 | 2001-02-15 | 금속화합물 용액과 이를 이용한 박막의 제조 방법 |
| US09/784,191 US6547863B2 (en) | 2000-02-17 | 2001-02-16 | Metal compound solution and thin film formation using the same |
| CNB011040424A CN1175128C (zh) | 2000-02-17 | 2001-02-16 | 金属化合物溶液以及用其制备薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000039204A JP2001234343A (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 金属化合物溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001234343A true JP2001234343A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18562806
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000039204A Pending JP2001234343A (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 金属化合物溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6547863B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001234343A (ja) |
| KR (1) | KR100686431B1 (ja) |
| CN (1) | CN1175128C (ja) |
| TW (1) | TWI228501B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003226665A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-12 | Mitsubishi Materials Corp | ジルコニウム（ｉｖ）キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜 |
| KR100480501B1 (ko) * | 2002-06-19 | 2005-04-06 | 학교법인 포항공과대학교 | 유기금속 화학증착법에 의한 ｐｚｔ 박막의 제조방법 |
| KR100700632B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2007-03-28 | 주식회사 메카로닉스 | 금속을 포함하는 박막의 화학기상증착 또는 원자층증착을위한 다용도 유기금속화합물과 그 제조방법 |
| CN100379745C (zh) * | 2001-10-26 | 2008-04-09 | 埃普切公司 | 化学气相淀积用的改良的前体 |
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Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252755A1 (en) * | 1986-07-11 | 1988-01-13 | Unvala Limited | Chemical vapour deposition |
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-
2000
- 2000-02-17 JP JP2000039204A patent/JP2001234343A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-13 TW TW090103134A patent/TWI228501B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-15 KR KR1020010007467A patent/KR100686431B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-02-16 US US09/784,191 patent/US6547863B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-16 CN CNB011040424A patent/CN1175128C/zh not_active Expired - Fee Related
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| KR101697412B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2017-01-17 | 가부시키가이샤 리코 | 금속 산화물 박막 형성용 도포액, 금속 산화물 박막, 전계 효과형 트랜지스터, 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 |
| WO2022139535A1 (ko) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 주식회사 유피케미칼 | 상부 표면 개질제를 이용하는 박막 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010082649A (ko) | 2001-08-30 |
| US20010022148A1 (en) | 2001-09-20 |
| KR100686431B1 (ko) | 2007-02-23 |
| CN1175128C (zh) | 2004-11-10 |
| CN1309192A (zh) | 2001-08-22 |
| TWI228501B (en) | 2005-03-01 |
| US6547863B2 (en) | 2003-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061130 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100302 |