JP2001217604A - 低域通過フィルタ - Google Patents
低域通過フィルタInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
-
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- H01P1/203—Strip line filters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低域通過フィルタを構成するフィルタ要素の
段数を増加すると共に平面形回路の簡単な構成で大きな
結合容量を得られ、通過帯域近傍に減衰極を設定でき、
急峻な帯域外減衰特性を有する低域通過フィルタを得
る。 【解決手段】 長さが通過周波数の波長の１／４より短
い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先
端開放スタブを、それぞれの開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置して結合線路とし、上記先端開放スタ
ブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端
部間の少なくとも一つの端部間に長さが通過周波数の波
長に比べて短い高インピーダンス線路を接続した構成を
備えた低域通過フィルタとする。
段数を増加すると共に平面形回路の簡単な構成で大きな
結合容量を得られ、通過帯域近傍に減衰極を設定でき、
急峻な帯域外減衰特性を有する低域通過フィルタを得
る。 【解決手段】 長さが通過周波数の波長の１／４より短
い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先
端開放スタブを、それぞれの開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置して結合線路とし、上記先端開放スタ
ブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端
部間の少なくとも一つの端部間に長さが通過周波数の波
長に比べて短い高インピーダンス線路を接続した構成を
備えた低域通過フィルタとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主としてＶＨＦ
帯、ＵＨＦ帯、マイクロ波帯、およびミリ波帯で用いら
れる低域通過フィルタに関するものである。
帯、ＵＨＦ帯、マイクロ波帯、およびミリ波帯で用いら
れる低域通過フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１８は例えば特開平３−１２８５０１
号公報に示された従来の低域通過フィルタを示す概略構
成図であり、図において、１は直方体の筐体状を成す外
導体、２は外導体１の内部を中央から２つに仕切るよう
に設けられた誘電体基板、３は誘電体基板２の両面に対
向して蛇行するパターンにエッチングにより形成された
箔状の内導体で、それぞれ複数の幅広部３ａと幅狭部３
ｂ，３ｃとから構成されている。幅広部３ａはその４つ
が互いに近接して略一直線上に配置され、幅狭部３ｂは
その３つが幅広部３ａを電気的に直列に接続するように
設けられ、それぞれ２個所で直角に屈曲形成されてい
る。また、幅狭部３ｃは両端の幅広部３ａから導出され
ている。４は誘電体基板２の両面の幅広部３ａと外導体
１の内面との間に介在された誘電体棒、５，６は外導体
１に設けられた同軸状の入出力端子であり、それぞれの
中心導体が幅狭部３ｃと接続されている。７は幅狭部３
ｂ，３ｃと外導体１とから構成される高インピーダンス
線路、８は幅広部３ａと外導体１と誘電体棒４とから構
成される低インピーダンス線路である。
号公報に示された従来の低域通過フィルタを示す概略構
成図であり、図において、１は直方体の筐体状を成す外
導体、２は外導体１の内部を中央から２つに仕切るよう
に設けられた誘電体基板、３は誘電体基板２の両面に対
向して蛇行するパターンにエッチングにより形成された
箔状の内導体で、それぞれ複数の幅広部３ａと幅狭部３
ｂ，３ｃとから構成されている。幅広部３ａはその４つ
が互いに近接して略一直線上に配置され、幅狭部３ｂは
その３つが幅広部３ａを電気的に直列に接続するように
設けられ、それぞれ２個所で直角に屈曲形成されてい
る。また、幅狭部３ｃは両端の幅広部３ａから導出され
ている。４は誘電体基板２の両面の幅広部３ａと外導体
１の内面との間に介在された誘電体棒、５，６は外導体
１に設けられた同軸状の入出力端子であり、それぞれの
中心導体が幅狭部３ｃと接続されている。７は幅狭部３
ｂ，３ｃと外導体１とから構成される高インピーダンス
線路、８は幅広部３ａと外導体１と誘電体棒４とから構
成される低インピーダンス線路である。
【０００３】次に動作について説明する。図１９は従来
の低域通過フィルタの等価回路図であり、図１８に示し
た低域通過フィルタを等価回路で表したものである。図
において、Ｌ1 〜Ｌ3 はインダクタンスであり、高イン
ピーダンス線路７に対応し、幅狭部３ｂ，３ｃの線路幅
によって大きさが決定されるものである。Ｃ1 ，Ｃ2 は
キャパシタンスであり、低インピーダンス線路８に対応
し、幅広部３ａの線路幅および誘電体棒４の誘電率によ
って大きさが決定されるものである。このとき、高イン
ピーダンス線路７および低インピーダンス線路８は、擬
似的に集中定数回路のインダクタンスおよびキャパシタ
ンスとして機能する必要があるため、それぞれの軸長は
通過帯域周波数の波長に比べて十分に小さく設定されて
いる。また、ＣP2，ＣP3は通過特性に減衰極を得るため
のキャパシタンスであり、隣接する低インピーダンス線
路８間の結合容量に対応し、隣接する幅広部３ａ間の距
離によって大きさが決定されるものである。以上のよう
に、図１８に示す従来の構成は、図１９に示す等価回路
で表されるため、低域通過フィルタとしての機能を有す
る。
の低域通過フィルタの等価回路図であり、図１８に示し
た低域通過フィルタを等価回路で表したものである。図
において、Ｌ1 〜Ｌ3 はインダクタンスであり、高イン
ピーダンス線路７に対応し、幅狭部３ｂ，３ｃの線路幅
によって大きさが決定されるものである。Ｃ1 ，Ｃ2 は
キャパシタンスであり、低インピーダンス線路８に対応
し、幅広部３ａの線路幅および誘電体棒４の誘電率によ
って大きさが決定されるものである。このとき、高イン
ピーダンス線路７および低インピーダンス線路８は、擬
似的に集中定数回路のインダクタンスおよびキャパシタ
ンスとして機能する必要があるため、それぞれの軸長は
通過帯域周波数の波長に比べて十分に小さく設定されて
いる。また、ＣP2，ＣP3は通過特性に減衰極を得るため
のキャパシタンスであり、隣接する低インピーダンス線
路８間の結合容量に対応し、隣接する幅広部３ａ間の距
離によって大きさが決定されるものである。以上のよう
に、図１８に示す従来の構成は、図１９に示す等価回路
で表されるため、低域通過フィルタとしての機能を有す
る。
【０００４】さらに、インダクタンスＬi （ｉ＝１，
２，３，・・・）とキャパシタンスＣ Piとは、共振周波
数ｆ0 ＝１／２π√（Ｌi ＣPi）の並列共振回路を構成
する。このため、この並列共振回路が、フィルタの通過
帯域の周波数では全体として必要なインダクタンスとし
て動作し、且つ、通過帯域より高い周波数、即ち、阻止
帯域周波数ｆ0 で並列共振を生じるようにＬi およびＣ
Piの値を設定すれば、このフィルタの通過特性は図２０
に示すように共振周波数ｆ0 に減衰極を有する低域通過
特性となる。従って、この共振周波数ｆ0 を阻止帯域の
適当な位置に選ぶことにより、急峻な帯域外減衰特性を
有する低域通過フィルタが得られる。
２，３，・・・）とキャパシタンスＣ Piとは、共振周波
数ｆ0 ＝１／２π√（Ｌi ＣPi）の並列共振回路を構成
する。このため、この並列共振回路が、フィルタの通過
帯域の周波数では全体として必要なインダクタンスとし
て動作し、且つ、通過帯域より高い周波数、即ち、阻止
帯域周波数ｆ0 で並列共振を生じるようにＬi およびＣ
Piの値を設定すれば、このフィルタの通過特性は図２０
に示すように共振周波数ｆ0 に減衰極を有する低域通過
特性となる。従って、この共振周波数ｆ0 を阻止帯域の
適当な位置に選ぶことにより、急峻な帯域外減衰特性を
有する低域通過フィルタが得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の低域通過フィル
タは以上のように構成されているので、隣接する低イン
ピーダンス線路８の結合区間の長さは比較的短く、特に
トリプレート線路等の均一媒質中で線路を構成する場合
には、隣接低インピーダンス線路８の結合は必ずしも十
分には得られない。このため、キャパシタンスＣPiとし
て大きな値を得ることができず、減衰極周波数ｆ0 を通
過帯域近傍まで低く設定することが難しくなるという課
題があった。
タは以上のように構成されているので、隣接する低イン
ピーダンス線路８の結合区間の長さは比較的短く、特に
トリプレート線路等の均一媒質中で線路を構成する場合
には、隣接低インピーダンス線路８の結合は必ずしも十
分には得られない。このため、キャパシタンスＣPiとし
て大きな値を得ることができず、減衰極周波数ｆ0 を通
過帯域近傍まで低く設定することが難しくなるという課
題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、トリプレート線路やマイクロスト
リップ線路等の平面形回路の簡単な構成にした場合で
も、通過帯域近傍に減衰極を設定することができ、急峻
な帯域外減衰特性を有する低域通過フィルタを得ること
を目的とする。
めになされたもので、トリプレート線路やマイクロスト
リップ線路等の平面形回路の簡単な構成にした場合で
も、通過帯域近傍に減衰極を設定することができ、急峻
な帯域外減衰特性を有する低域通過フィルタを得ること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る低域通過フィルタは、長さが通過周波数の波長の１／
４より短い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ
以上の先端開放スタブにより形成されると共に、上記３
つ以上の先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向
を向くように略平行に配置された結合線路と、上記先端
開放スタブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣
在する端部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長
さが通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線
路とを備えたことを特徴とするものである。
る低域通過フィルタは、長さが通過周波数の波長の１／
４より短い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ
以上の先端開放スタブにより形成されると共に、上記３
つ以上の先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向
を向くように略平行に配置された結合線路と、上記先端
開放スタブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣
在する端部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長
さが通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線
路とを備えたことを特徴とするものである。
【０００８】この発明の請求項２に係る低域通過フィル
タは、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で
電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放ス
タブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放
スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平
行に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少
なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の
波長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記
３つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開
放端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波
数の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピ
ーダンス線路とを備えたことを特徴とするものである。
タは、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で
電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放ス
タブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放
スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平
行に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少
なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の
波長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記
３つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開
放端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波
数の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピ
ーダンス線路とを備えたことを特徴とするものである。
【０００９】この発明の請求項３に係る低域通過フィル
タは、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で
電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放ス
タブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放
スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平
行に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少
なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の
波長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記
３つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開
放端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波
数の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピ
ーダンス線路と、上記第２の高インピーダンス線路の少
なくとも１つの他端に一端が接続され、長さが通過周波
数の波長に比べて短い低インピーダンス線路とを備えた
ことを特徴とするものである。
タは、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で
電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放ス
タブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放
スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平
行に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少
なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の
波長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記
３つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開
放端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波
数の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピ
ーダンス線路と、上記第２の高インピーダンス線路の少
なくとも１つの他端に一端が接続され、長さが通過周波
数の波長に比べて短い低インピーダンス線路とを備えた
ことを特徴とするものである。
【００１０】この発明の請求項４に係る低域通過フィル
タは、請求項１、２または３記載の低域通過フィルタの
複数個を、それぞれ前後して接続される低域通過フィル
タの結合線路間に長さが通過周波数の波長に比べて短い
少なくとも１つの第２の高インピーダンス線路を直列に
挿入して縦続接続し、多段フィルタを形成したことを特
徴とするものである。
タは、請求項１、２または３記載の低域通過フィルタの
複数個を、それぞれ前後して接続される低域通過フィル
タの結合線路間に長さが通過周波数の波長に比べて短い
少なくとも１つの第２の高インピーダンス線路を直列に
挿入して縦続接続し、多段フィルタを形成したことを特
徴とするものである。
【００１１】この発明の請求項５に係る低域通過フィル
タは、長さが通過周波数の波長の１／４より長く１／２
より短い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以
上の先端短絡スタブにより形成されると共に、上記３つ
以上の先端短絡スタブのそれぞれの短絡端が同一方向を
向くように略平行に配置された結合線路と、上記先端短
絡スタブの短絡端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在
する端部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さ
が通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路
とを備えたことを特徴とするものである。
タは、長さが通過周波数の波長の１／４より長く１／２
より短い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以
上の先端短絡スタブにより形成されると共に、上記３つ
以上の先端短絡スタブのそれぞれの短絡端が同一方向を
向くように略平行に配置された結合線路と、上記先端短
絡スタブの短絡端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在
する端部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さ
が通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路
とを備えたことを特徴とするものである。
【００１２】この発明の請求項６に係る低域通過フィル
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタをトリプレート線路により形成したことを特徴と
するものである。
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタをトリプレート線路により形成したことを特徴と
するものである。
【００１３】この発明の請求項７に係る低域通過フィル
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタをマイクロストリップ線路により形成したことを
特徴とするものである。
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタをマイクロストリップ線路により形成したことを
特徴とするものである。
【００１４】この発明の請求項８に係る低域通過フィル
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタをコプレーナ線路により形成したことを特徴とす
るものである。
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタをコプレーナ線路により形成したことを特徴とす
るものである。
【００１５】この発明の請求項９に係る低域通過フィル
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタが、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の誘
電体層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上記
第１の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形成
され、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成され
た多層高周波回路により構成され、かつ、先端開放スタ
ブまたは先端短絡スタブの中心導体を形成するストリッ
プ導体と高インピーダンス線路の中心導体を形成するス
トリップ導体、または、先端開放スタブの中心導体を形
成するストリップ導体と第１の高インピーダンス線路ま
たは第２の高インピーダンス線路の中心導体を形成する
ストリップ導体を上記第２の誘電体層の表面と裏面に分
けて形成したことを特徴とするものである。
タは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過フ
ィルタが、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の誘
電体層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上記
第１の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形成
され、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成され
た多層高周波回路により構成され、かつ、先端開放スタ
ブまたは先端短絡スタブの中心導体を形成するストリッ
プ導体と高インピーダンス線路の中心導体を形成するス
トリップ導体、または、先端開放スタブの中心導体を形
成するストリップ導体と第１の高インピーダンス線路ま
たは第２の高インピーダンス線路の中心導体を形成する
ストリップ導体を上記第２の誘電体層の表面と裏面に分
けて形成したことを特徴とするものである。
【００１６】この発明の請求項１０に係る低域通過フィ
ルタは、請求項１〜４のいずれか１項に記載の低域通過
フィルタが、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の
誘電体層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上
記第１の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形
成され、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成さ
れた多層高周波回路により構成され、結合線路を構成す
る３つ以上の先端開放スタブであって、それぞれ隣在す
る上記先端開放スタブの開放端とは逆側の端部間に長さ
が通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路
が接続された先端開放スタブ同士の中心導体を形成する
それぞれのストリップ導体が、互いに対向する面を有し
て上記第２の誘電体層の表裏に設けられ、かつ、上記高
インピーダンス線路の中心導体を形成するストリップ導
体が、上記先端開放スタブのそれぞれのストリップ導体
に接続されて上記第２の誘電体層の表裏に設けられると
共に途中でスルーホールを介して接続されたことを特徴
とするものである。
ルタは、請求項１〜４のいずれか１項に記載の低域通過
フィルタが、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の
誘電体層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上
記第１の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形
成され、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成さ
れた多層高周波回路により構成され、結合線路を構成す
る３つ以上の先端開放スタブであって、それぞれ隣在す
る上記先端開放スタブの開放端とは逆側の端部間に長さ
が通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路
が接続された先端開放スタブ同士の中心導体を形成する
それぞれのストリップ導体が、互いに対向する面を有し
て上記第２の誘電体層の表裏に設けられ、かつ、上記高
インピーダンス線路の中心導体を形成するストリップ導
体が、上記先端開放スタブのそれぞれのストリップ導体
に接続されて上記第２の誘電体層の表裏に設けられると
共に途中でスルーホールを介して接続されたことを特徴
とするものである。
【００１７】この発明の請求項１１に係る低域通過フィ
ルタは、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲
で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放
スタブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開
放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略
平行に配置された結合線路の一対であって、それぞれの
結合線路の対になる先端開放スタブの開放端とは逆側の
端部同士が突き合わされて接続され、並列接続された一
対の結合線路と、上記先端開放スタブの開放端とは逆側
の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少なくとも一
つの端部間に接続され、長さが通過周波数の波長に比べ
て短い高インピーダンス線路とを備え、第２の誘電体層
を挟んで配置される第１の誘電体層、第２の誘電体層、
第３の誘電体層を有し、上記第１の誘電体層と第３の誘
電体層の外面に地導体が形成され、上記第２の誘電体層
の表裏面に中心導体が形成された多層高周波回路により
構成され、かつ、上記先端開放スタブの中心導体を形成
するそれぞれのストリップ導体が上記第２の誘電体層の
一方の面に形成されると共に、上記高インピーダンス線
路の中心導体を形成するストリップ導体が上記第２の誘
電体層の他方の面に形成され、上記先端開放スタブの開
放端とは逆側の端部と高インピーダンス線路の接続が上
記第２の誘電体層の表裏面に形成された中心導体を形成
するストリップ導体のスルーホールを介しての接続によ
りされたことを特徴とするものである。
ルタは、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲
で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放
スタブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開
放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略
平行に配置された結合線路の一対であって、それぞれの
結合線路の対になる先端開放スタブの開放端とは逆側の
端部同士が突き合わされて接続され、並列接続された一
対の結合線路と、上記先端開放スタブの開放端とは逆側
の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少なくとも一
つの端部間に接続され、長さが通過周波数の波長に比べ
て短い高インピーダンス線路とを備え、第２の誘電体層
を挟んで配置される第１の誘電体層、第２の誘電体層、
第３の誘電体層を有し、上記第１の誘電体層と第３の誘
電体層の外面に地導体が形成され、上記第２の誘電体層
の表裏面に中心導体が形成された多層高周波回路により
構成され、かつ、上記先端開放スタブの中心導体を形成
するそれぞれのストリップ導体が上記第２の誘電体層の
一方の面に形成されると共に、上記高インピーダンス線
路の中心導体を形成するストリップ導体が上記第２の誘
電体層の他方の面に形成され、上記先端開放スタブの開
放端とは逆側の端部と高インピーダンス線路の接続が上
記第２の誘電体層の表裏面に形成された中心導体を形成
するストリップ導体のスルーホールを介しての接続によ
りされたことを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１による低域通過フィルタを示す概略構成図
であり、図において、Ｐ１は入力端子、Ｐ２は出力端
子、１１ａは入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２に一端が
接続された２つの高インピーダンス線路（第２の高イン
ピーダンス線路）、１１ｂは上記２つの高インピーダン
ス線路１１ａの他端にそれぞれ一端が接続された２つの
高インピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）
であり、これら各高インピーダンス線路１１ａ，１１ｂ
の軸長は、通過周波数の波長に比べて十分小さく設定さ
れている。１２ａ，１２ｂは先端開放スタブであり、１
２０は３つの先端開放スタブ１２ａ，１２ｂにより構成
された結合線路である。これら３つの先端開放スタブ１
２ａ，１２ｂは、これらの開放端が同一方向を向くよう
に先端開放スタブ１２ｂを挟んで略平行に配置され、先
端開放スタブ１２ａと先端開放スタブ１２ｂのそれぞれ
の開放端とは逆側の端部が、それぞれに別々の高インピ
ーダンス線路１１ｂを介して相互に接続されている。ま
た、これら各先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長
は、通過周波数の波長の１／４に比べて小さく設定され
ている。
実施の形態１による低域通過フィルタを示す概略構成図
であり、図において、Ｐ１は入力端子、Ｐ２は出力端
子、１１ａは入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２に一端が
接続された２つの高インピーダンス線路（第２の高イン
ピーダンス線路）、１１ｂは上記２つの高インピーダン
ス線路１１ａの他端にそれぞれ一端が接続された２つの
高インピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）
であり、これら各高インピーダンス線路１１ａ，１１ｂ
の軸長は、通過周波数の波長に比べて十分小さく設定さ
れている。１２ａ，１２ｂは先端開放スタブであり、１
２０は３つの先端開放スタブ１２ａ，１２ｂにより構成
された結合線路である。これら３つの先端開放スタブ１
２ａ，１２ｂは、これらの開放端が同一方向を向くよう
に先端開放スタブ１２ｂを挟んで略平行に配置され、先
端開放スタブ１２ａと先端開放スタブ１２ｂのそれぞれ
の開放端とは逆側の端部が、それぞれに別々の高インピ
ーダンス線路１１ｂを介して相互に接続されている。ま
た、これら各先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長
は、通過周波数の波長の１／４に比べて小さく設定され
ている。
【００１９】次に動作について説明する。図２は、上記
の結合線路１２０を示す概略構成図であり、図におい
て、θは先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長であ
る。図３は結合線路１２０の等価回路図であり、図にお
いて、Ｙe a，Ｙe bおよびＹoaは結合線路１２０の偶モー
ドおよび奇モードの特性アドミタンスである。このと
き、θ＜π／２を満たす角周波数ωにおいて、図３
（ａ）の回路は近似的に図３（ｂ）の等価回路で表すこ
とができる。図３（ｂ）の式からわかるように、直列キ
ャパシタンスＣP は特性アドミタンスＹe aとＹoaとの
差、即ち、３つの先端開放スタブ１２ａ，１２ｂ間の結
合容量、および先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長
θによって変化し、並列キャパシタンスＣa ，Ｃb は、
特性アドミタンスＹe a，Ｙe b、即ち、主として先端開放
スタブ１２ａ，１２ｂの偶モードの特性インピーダン
ス、および先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長θに
よって変化する。従って、結合線路１２０においては、
先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長θを０＜θ＜π
／２の範囲で調整することにより、図３（ｂ）に示す直
列キャパシタンスＣP として比較的大きな値を得ること
が可能である。
の結合線路１２０を示す概略構成図であり、図におい
て、θは先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長であ
る。図３は結合線路１２０の等価回路図であり、図にお
いて、Ｙe a，Ｙe bおよびＹoaは結合線路１２０の偶モー
ドおよび奇モードの特性アドミタンスである。このと
き、θ＜π／２を満たす角周波数ωにおいて、図３
（ａ）の回路は近似的に図３（ｂ）の等価回路で表すこ
とができる。図３（ｂ）の式からわかるように、直列キ
ャパシタンスＣP は特性アドミタンスＹe aとＹoaとの
差、即ち、３つの先端開放スタブ１２ａ，１２ｂ間の結
合容量、および先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長
θによって変化し、並列キャパシタンスＣa ，Ｃb は、
特性アドミタンスＹe a，Ｙe b、即ち、主として先端開放
スタブ１２ａ，１２ｂの偶モードの特性インピーダン
ス、および先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長θに
よって変化する。従って、結合線路１２０においては、
先端開放スタブ１２ａ，１２ｂの電気長θを０＜θ＜π
／２の範囲で調整することにより、図３（ｂ）に示す直
列キャパシタンスＣP として比較的大きな値を得ること
が可能である。
【００２０】図４は、上記の低域通過フィルタの等価回
路図であり、図１に示した低域通過フィルタの等価回路
は、図３（ａ）の回路をそのまま用いると図４（ａ）で
表すことができる。ここで、Ｌ1 は高インピーダンス線
路１１ａによる直列インダクタンス、Ｌ2 は高インピー
ダンス線路１１ｂによる直列インダクタンスである。さ
らに、図４（ａ）に対して図３（ａ）と図３（ｂ）との
関係を適用すると、最終的に、図１の構成に対して図４
（ｂ）に示す等価回路が得られる。図４（ｂ）の等価回
路はキャパシタンスＣP2とインダクタンスＬ2 による並
列共振回路を含んでいることから、図１に示すフィルタ
は、図１８および図１９に示した従来の場合と同様に、
図２０に示すような有極特性を有する低域通過フィルタ
の機能を有する。
路図であり、図１に示した低域通過フィルタの等価回路
は、図３（ａ）の回路をそのまま用いると図４（ａ）で
表すことができる。ここで、Ｌ1 は高インピーダンス線
路１１ａによる直列インダクタンス、Ｌ2 は高インピー
ダンス線路１１ｂによる直列インダクタンスである。さ
らに、図４（ａ）に対して図３（ａ）と図３（ｂ）との
関係を適用すると、最終的に、図１の構成に対して図４
（ｂ）に示す等価回路が得られる。図４（ｂ）の等価回
路はキャパシタンスＣP2とインダクタンスＬ2 による並
列共振回路を含んでいることから、図１に示すフィルタ
は、図１８および図１９に示した従来の場合と同様に、
図２０に示すような有極特性を有する低域通過フィルタ
の機能を有する。
【００２１】ここで、上記実施の形態１の説明では、３
つの先端開放スタブで結合線路を構成する例を示した
が、４つ以上の先端開放スタブにも同様に適用できるも
のである。このように先端開放スタブ（後で述べる先端
短絡スタブで結合線路を構成する実施の形態５などの場
合も同様）を３つ以上用いて結合線路を構成することに
より、低域通過フィルタの構成要素となるフィルタ要素
の段数を増加でき、良好な帯域外減衰特性を持つ低域通
過フィルタが実現できる。
つの先端開放スタブで結合線路を構成する例を示した
が、４つ以上の先端開放スタブにも同様に適用できるも
のである。このように先端開放スタブ（後で述べる先端
短絡スタブで結合線路を構成する実施の形態５などの場
合も同様）を３つ以上用いて結合線路を構成することに
より、低域通過フィルタの構成要素となるフィルタ要素
の段数を増加でき、良好な帯域外減衰特性を持つ低域通
過フィルタが実現できる。
【００２２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、図３（ｂ）の説明で述べたように、図１に示した低
域通過フィルタにおいては、結合線路１２０を含む構成
としたことにより、先端開放スタブ１２の電気長θをθ
＜π／２の範囲（長さが通過波長の１／４より短い範
囲）で大きく設定することで、従来に比べてキャパシタ
ンスＣP2を大きくすることができる効果を奏する。この
キャパシタンスＣP2を大きくすることができることによ
り、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く設定するこ
とが可能であり、従って、急峻な帯域外減衰特性を持つ
低域通過フィルタが得られる。
ば、図３（ｂ）の説明で述べたように、図１に示した低
域通過フィルタにおいては、結合線路１２０を含む構成
としたことにより、先端開放スタブ１２の電気長θをθ
＜π／２の範囲（長さが通過波長の１／４より短い範
囲）で大きく設定することで、従来に比べてキャパシタ
ンスＣP2を大きくすることができる効果を奏する。この
キャパシタンスＣP2を大きくすることができることによ
り、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く設定するこ
とが可能であり、従って、急峻な帯域外減衰特性を持つ
低域通過フィルタが得られる。
【００２３】尚、上記実施の形態１では、図１に示した
ように、２つの高インピーダンス線路１１ａと、２つの
高インピーダンス線路１１ｂと、３つの先端開放スタブ
１２ａ，１２ｂにより構成された結合線路１２０によっ
て低域通過フィルタを構成したが、高インピーダンス線
路１１ａは、所望の帯域外減衰特性に応じて設けなくと
も片側のみ設けても良い。また、高インピーダンス線路
１１ｂは、少なくとも１つ設ければ減衰極が形成でき
る。
ように、２つの高インピーダンス線路１１ａと、２つの
高インピーダンス線路１１ｂと、３つの先端開放スタブ
１２ａ，１２ｂにより構成された結合線路１２０によっ
て低域通過フィルタを構成したが、高インピーダンス線
路１１ａは、所望の帯域外減衰特性に応じて設けなくと
も片側のみ設けても良い。また、高インピーダンス線路
１１ｂは、少なくとも１つ設ければ減衰極が形成でき
る。
【００２４】さらに、図１に示した低域通過フィルタを
高インピーダンス線路１１ａを介して複数段に縦続接続
して多段フィルタとし、所望の帯域外減衰特性を持つよ
うに構成しても良い。
高インピーダンス線路１１ａを介して複数段に縦続接続
して多段フィルタとし、所望の帯域外減衰特性を持つよ
うに構成しても良い。
【００２５】また、上記実施の形態１の説明では、先端
開放スタブ１２ａと先端開放スタブ１２ｂの電気長がい
ずれもθと等しい場合について示したが、θa とθb の
ように異なる場合でも両スタブの対向する区間が結合線
路として機能し、上記実施の形態１と同様の動作原理、
効果、ならびに利点を奏する。さらに、θa とθb の大
きさを独立に変化させることができるため、並列キャパ
シタンスＣa ，Ｃb の設定可能な範囲が広がり、設計の
自由度が増加するという利点を有する。
開放スタブ１２ａと先端開放スタブ１２ｂの電気長がい
ずれもθと等しい場合について示したが、θa とθb の
ように異なる場合でも両スタブの対向する区間が結合線
路として機能し、上記実施の形態１と同様の動作原理、
効果、ならびに利点を奏する。さらに、θa とθb の大
きさを独立に変化させることができるため、並列キャパ
シタンスＣa ，Ｃb の設定可能な範囲が広がり、設計の
自由度が増加するという利点を有する。
【００２６】実施の形態２．図５はこの発明の実施の形
態２によるトリプレート線路により形成した低域通過フ
ィルタを示す概略構成図であり、ここでは図１に示した
低域通過フィルタをトリプレート線路により形成した例
で説明する。図において、１３ａ，１３ｂは誘電体基
板、１４ａは誘電体基板１３ａの一方の面に密着して形
成された膜状の外導体、１４ｂは誘電体基板１３ｂの一
方の面に密着して形成された膜状の外導体、１５ａは誘
電体基板１３ａの他方の面に密着して形成された幅狭の
ストリップ導体、１５ｂは誘電体基板１３ｂの他方の面
に密着して形成された幅狭のストリップ導体、１６ａ，
１６ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着して形成さ
れた一端開放のストリップ導体、１７はストリップ導体
である。
態２によるトリプレート線路により形成した低域通過フ
ィルタを示す概略構成図であり、ここでは図１に示した
低域通過フィルタをトリプレート線路により形成した例
で説明する。図において、１３ａ，１３ｂは誘電体基
板、１４ａは誘電体基板１３ａの一方の面に密着して形
成された膜状の外導体、１４ｂは誘電体基板１３ｂの一
方の面に密着して形成された膜状の外導体、１５ａは誘
電体基板１３ａの他方の面に密着して形成された幅狭の
ストリップ導体、１５ｂは誘電体基板１３ｂの他方の面
に密着して形成された幅狭のストリップ導体、１６ａ，
１６ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着して形成さ
れた一端開放のストリップ導体、１７はストリップ導体
である。
【００２７】１５０ａは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外
導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ａとから成る
高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、１５０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、１６
０ａ，１６０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとそれぞれのストリップ導体１６ａ，１６
ｂとから成る先端開放スタブ、１６１は開放端が同一方
向を向くように略平行に配置された３つの先端開放スタ
ブ１６０ａ，１６０ｂから成る結合線路、１７０は誘電
体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４ａ，１４ｂとストリ
ップ導体１７とから成る入出力線路、Ｐ１は入力端子、
Ｐ２は出力端子である。
導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ａとから成る
高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、１５０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、１６
０ａ，１６０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとそれぞれのストリップ導体１６ａ，１６
ｂとから成る先端開放スタブ、１６１は開放端が同一方
向を向くように略平行に配置された３つの先端開放スタ
ブ１６０ａ，１６０ｂから成る結合線路、１７０は誘電
体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４ａ，１４ｂとストリ
ップ導体１７とから成る入出力線路、Ｐ１は入力端子、
Ｐ２は出力端子である。
【００２８】誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂは、
誘電体基板１３ａのうちのストリップ導体１５ａ，１５
ｂ，１６ａ，１６ｂ，１７が密着して形成された面と、
誘電体基板１３ｂのうちの外導体１４ｂが形成されてい
ない面とが対向するように重ねられている。このため、
高インピーダンス線路１５０ａ、高インピーダンス線路
１５０ｂ、結合線路１６１、および入出力線路１７０は
トリプレート線路により構成されている。高インピーダ
ンス線路１５０ａ，１５０ｂの軸長は、いずれも通過周
波数の波長に対して十分小さく設定されている。結合線
路１６１のそれぞれの開放端とは逆側の３個所の端部に
は、隣り合う端部の間それぞれに高インピーダンス線路
１５０ｂが接続されている。高インピーダンス線路１５
０ａは一端が結合線路１６１の両端と高インピーダンス
線路１５０ｂとの接続点に、他端が入力端子Ｐ１あるい
は出力端子Ｐ２に接続されている。図５に示した低域通
過フィルタの等価回路は、図１の場合と同様に図４
（ｂ）で表される。
誘電体基板１３ａのうちのストリップ導体１５ａ，１５
ｂ，１６ａ，１６ｂ，１７が密着して形成された面と、
誘電体基板１３ｂのうちの外導体１４ｂが形成されてい
ない面とが対向するように重ねられている。このため、
高インピーダンス線路１５０ａ、高インピーダンス線路
１５０ｂ、結合線路１６１、および入出力線路１７０は
トリプレート線路により構成されている。高インピーダ
ンス線路１５０ａ，１５０ｂの軸長は、いずれも通過周
波数の波長に対して十分小さく設定されている。結合線
路１６１のそれぞれの開放端とは逆側の３個所の端部に
は、隣り合う端部の間それぞれに高インピーダンス線路
１５０ｂが接続されている。高インピーダンス線路１５
０ａは一端が結合線路１６１の両端と高インピーダンス
線路１５０ｂとの接続点に、他端が入力端子Ｐ１あるい
は出力端子Ｐ２に接続されている。図５に示した低域通
過フィルタの等価回路は、図１の場合と同様に図４
（ｂ）で表される。
【００２９】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。
【００３０】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３による低域通過フィルタを示す概略構成図であり、
図において、１９は高インピーダンス線路１１ａのそれ
ぞれの両端と入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２との間に
それぞれ接続された２つの低インピーダンス線路であ
る。低インピーダンス線路１９の軸長は、通過周波数の
波長に対して十分小さく設定されている。その他の構成
は、図１と同一構成である。また、図７は、上記の低域
通過フィルタの等価回路図であり、図において、Ｃ 1 は
低インピーダンス線路１９に対応する並列キャパシタン
スであり、その他の構成は、図４（ｂ）と同一構成であ
る。
態３による低域通過フィルタを示す概略構成図であり、
図において、１９は高インピーダンス線路１１ａのそれ
ぞれの両端と入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２との間に
それぞれ接続された２つの低インピーダンス線路であ
る。低インピーダンス線路１９の軸長は、通過周波数の
波長に対して十分小さく設定されている。その他の構成
は、図１と同一構成である。また、図７は、上記の低域
通過フィルタの等価回路図であり、図において、Ｃ 1 は
低インピーダンス線路１９に対応する並列キャパシタン
スであり、その他の構成は、図４（ｂ）と同一構成であ
る。
【００３１】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低インピーダンス線
路１９による並列キャパシタンスＣ1 を追加したので、
低域通過フィルタとしての段数（フィルタ要素の段数）
が多くなり、より急峻な帯域外減衰特性が得られる効果
を奏する。
ば、実施の形態１の効果に加えて、低インピーダンス線
路１９による並列キャパシタンスＣ1 を追加したので、
低域通過フィルタとしての段数（フィルタ要素の段数）
が多くなり、より急峻な帯域外減衰特性が得られる効果
を奏する。
【００３２】実施の形態４．図８はこの発明の実施の形
態４によるトリプレート線路により形成した低域通過フ
ィルタを示す概略構成図であり、ここでは図６に示した
低域通過フィルタをトリプレート線路により形成した例
で説明する。図において、２０は誘電体基板１３ａの他
方の面に密着して形成された幅広のストリップ導体、２
００は誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４ａ，１４
ｂとストリップ導体２０とから成る低インピーダンス線
路である。図５の場合と同様に、高インピーダンス線路
１５０ａ、高インピーダンス線路１５０ｂ、結合線路１
６１、入出力線路１７０、および低インピーダンス線路
２００はトリプレート線路により構成されている。高イ
ンピーダンス線路１５０ａ、高インピーダンス線路１５
０ｂ、および低インピーダンス線路２００の軸長は、い
ずれも通過周波数の波長に対して十分小さく設定されて
いる。２つの低インピーダンス線路２００のそれぞれ
は、一端が高インピーダンス線路１５０ａに、他端が入
力端子Ｐ１あるいは出力端子Ｐ２に接続されている。図
８に示した低域通過フィルタの等価回路は、図６の場合
と同様に図７で表される。その他の構成は、図５と同一
構成である。
態４によるトリプレート線路により形成した低域通過フ
ィルタを示す概略構成図であり、ここでは図６に示した
低域通過フィルタをトリプレート線路により形成した例
で説明する。図において、２０は誘電体基板１３ａの他
方の面に密着して形成された幅広のストリップ導体、２
００は誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４ａ，１４
ｂとストリップ導体２０とから成る低インピーダンス線
路である。図５の場合と同様に、高インピーダンス線路
１５０ａ、高インピーダンス線路１５０ｂ、結合線路１
６１、入出力線路１７０、および低インピーダンス線路
２００はトリプレート線路により構成されている。高イ
ンピーダンス線路１５０ａ、高インピーダンス線路１５
０ｂ、および低インピーダンス線路２００の軸長は、い
ずれも通過周波数の波長に対して十分小さく設定されて
いる。２つの低インピーダンス線路２００のそれぞれ
は、一端が高インピーダンス線路１５０ａに、他端が入
力端子Ｐ１あるいは出力端子Ｐ２に接続されている。図
８に示した低域通過フィルタの等価回路は、図６の場合
と同様に図７で表される。その他の構成は、図５と同一
構成である。
【００３３】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、実施の形態３の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。
ば、実施の形態３の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。
【００３４】実施の形態５．図９はこの発明の実施の形
態５による低域通過フィルタを示す概略構成図であり、
図において、２１ａ，２２ｂは先端短絡スタブであり、
２１０は３つの先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂにより構
成された結合線路である。これら３つの先端短絡スタブ
２１ａ，２２ｂは、これらの短絡端が同一方向を向くよ
うに先端短絡スタブ２２ｂを挟んで略平行に配置され、
先端短絡スタブ２１ａと先端開放スタブ２１ｂのそれぞ
れの短絡端とは逆側の端部が、それぞれに別々の高イン
ピーダンス線路１１ｂを介して相互に接続されている。
また、これら各先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの電気長
は、通過周波数の波長の１／４に比べて大きく波長の１
／２に比べて小さく設定されている。その他の構成は、
図１と同一構成である。
態５による低域通過フィルタを示す概略構成図であり、
図において、２１ａ，２２ｂは先端短絡スタブであり、
２１０は３つの先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂにより構
成された結合線路である。これら３つの先端短絡スタブ
２１ａ，２２ｂは、これらの短絡端が同一方向を向くよ
うに先端短絡スタブ２２ｂを挟んで略平行に配置され、
先端短絡スタブ２１ａと先端開放スタブ２１ｂのそれぞ
れの短絡端とは逆側の端部が、それぞれに別々の高イン
ピーダンス線路１１ｂを介して相互に接続されている。
また、これら各先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの電気長
は、通過周波数の波長の１／４に比べて大きく波長の１
／２に比べて小さく設定されている。その他の構成は、
図１と同一構成である。
【００３５】次に動作について説明する。図１０は、上
記の結合線路２１０を示す概略構成図であり、図におい
て、θは先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの電気長であ
る。図１１は結合線路２１０の等価回路図であり、図に
おいて、Ｙe a，Ｙe bおよびＹoaは結合線路２１０の偶モ
ードおよび奇モードの特性アドミタンスである。このと
き、π／２＜θ＜πを満たす角周波数ωにおいて、図１
１（ａ）の回路は近似的に図１１（ｂ）の等価回路で表
される。図１１（ｂ）の式からわかるように、直列キャ
パシタンスＣP は特性アドミタンスＹe aとＹoaとの差、
即ち、先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂ間の結合容量、お
よび先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの電気長θによって
変化し、並列キャパシタンスＣa ，Ｃb は、特性アドミ
タンスＹe a，Ｙe b、即ち、主として先端短絡スタブ２１
ａ，２２ｂの特性インピーダンス、および先端短絡スタ
ブ２１ａ，２２ｂの電気長θによって変化する。即ち、
結合線路２１０においては、先端短絡スタブ２１ａ，２
２ｂの電気長θを調整することにより、図１１（ｂ）に
示す直列キャパシタンスＣP として比較的大きな値を得
ることが可能である。
記の結合線路２１０を示す概略構成図であり、図におい
て、θは先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの電気長であ
る。図１１は結合線路２１０の等価回路図であり、図に
おいて、Ｙe a，Ｙe bおよびＹoaは結合線路２１０の偶モ
ードおよび奇モードの特性アドミタンスである。このと
き、π／２＜θ＜πを満たす角周波数ωにおいて、図１
１（ａ）の回路は近似的に図１１（ｂ）の等価回路で表
される。図１１（ｂ）の式からわかるように、直列キャ
パシタンスＣP は特性アドミタンスＹe aとＹoaとの差、
即ち、先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂ間の結合容量、お
よび先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの電気長θによって
変化し、並列キャパシタンスＣa ，Ｃb は、特性アドミ
タンスＹe a，Ｙe b、即ち、主として先端短絡スタブ２１
ａ，２２ｂの特性インピーダンス、および先端短絡スタ
ブ２１ａ，２２ｂの電気長θによって変化する。即ち、
結合線路２１０においては、先端短絡スタブ２１ａ，２
２ｂの電気長θを調整することにより、図１１（ｂ）に
示す直列キャパシタンスＣP として比較的大きな値を得
ることが可能である。
【００３６】図１２は、上記の低域通過フィルタの等価
回路図であり、図９に示した低域通過フィルタの等価回
路は、図１１（ａ）の回路をそのまま用いると図１２
（ａ）で表すことができる。さらに、図１２（ａ）に対
して図１１の関係を適用すると、最終的に、図９の構成
に対して図１２（ｂ）に示す等価回路が得られる。図１
２（ｂ）の等価回路はキャパシタンスＣP2とインダクタ
ンスＬ2 による並列共振回路を含んでいることから、図
９に示したフィルタは、図１８および図１９に示した従
来の場合と同様に、図２０に示したような有極特性を有
する低域通過フィルタの機能を有する。
回路図であり、図９に示した低域通過フィルタの等価回
路は、図１１（ａ）の回路をそのまま用いると図１２
（ａ）で表すことができる。さらに、図１２（ａ）に対
して図１１の関係を適用すると、最終的に、図９の構成
に対して図１２（ｂ）に示す等価回路が得られる。図１
２（ｂ）の等価回路はキャパシタンスＣP2とインダクタ
ンスＬ2 による並列共振回路を含んでいることから、図
９に示したフィルタは、図１８および図１９に示した従
来の場合と同様に、図２０に示したような有極特性を有
する低域通過フィルタの機能を有する。
【００３７】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、図１１（ｂ）の説明で述べたように、図９に示した
低域通過フィルタにおいては、結合線路２１０を含む構
成としたことにより、先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの
電気長θをπ／２＜θ＜πの範囲で大きくすることで、
従来に比べてキャパシタンスＣP2を大きくすることがで
きる効果を奏する。このキャパシタンスＣP2を大きくで
きる効果により、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低
く設定することが可能であり、従って、急峻な帯域外減
衰特性を持つ低域通過フィルタが得られる効果がある。
ば、図１１（ｂ）の説明で述べたように、図９に示した
低域通過フィルタにおいては、結合線路２１０を含む構
成としたことにより、先端短絡スタブ２１ａ，２２ｂの
電気長θをπ／２＜θ＜πの範囲で大きくすることで、
従来に比べてキャパシタンスＣP2を大きくすることがで
きる効果を奏する。このキャパシタンスＣP2を大きくで
きる効果により、通過帯域近傍まで減衰極の周波数を低
く設定することが可能であり、従って、急峻な帯域外減
衰特性を持つ低域通過フィルタが得られる効果がある。
【００３８】また、上記実施の形態５では、先端短絡ス
タブ２１ａと２１ｂの電気長がいずれもθと等しい場合
について示したが、θa とθb のように異なる場合でも
両スタブの対向する区間が結合線路として機能し、両ス
タブの対向する区間が上記実施の形態５の条件を満たす
結合線路として機能する場合には、上記実施の形態５と
同様の動作原理、効果、ならびに利点を奏する。さら
に、θa とθb の大きさを独立に変化させることができ
るため、並列キャパシタンスＣa ，Ｃb の設定可能な範
囲が広がり、設計の自由度が増加するという利点を有す
る。
タブ２１ａと２１ｂの電気長がいずれもθと等しい場合
について示したが、θa とθb のように異なる場合でも
両スタブの対向する区間が結合線路として機能し、両ス
タブの対向する区間が上記実施の形態５の条件を満たす
結合線路として機能する場合には、上記実施の形態５と
同様の動作原理、効果、ならびに利点を奏する。さら
に、θa とθb の大きさを独立に変化させることができ
るため、並列キャパシタンスＣa ，Ｃb の設定可能な範
囲が広がり、設計の自由度が増加するという利点を有す
る。
【００３９】さらに、図９に示した低域通過フィルタを
高インピーダンス線路１１ａを介して複数段に縦続接続
して多段フィルタとし、所望の帯域外減衰特性を持つよ
うに構成しても良い。
高インピーダンス線路１１ａを介して複数段に縦続接続
して多段フィルタとし、所望の帯域外減衰特性を持つよ
うに構成しても良い。
【００４０】実施の形態６．図１３はこの発明の実施の
形態６によるトリプレート線路により形成した低域通過
フィルタを示す概略構成図であり、ここでは図９に示し
た低域通過フィルタをトリプレート線路により形成した
例で説明する。図において、１３ａ，１３ｂは誘電体基
板、１４ａは誘電体基板１３ａの一方の面に密着して形
成された膜状の外導体、１４ｂは誘電体基板１３ｂの一
方の面に密着して形成された膜状の外導体、１５ａは誘
電体基板１３ａの他方の面に密着して形成された幅狭の
ストリップ導体、１５ｂは誘電体基板１３ｂの他方の面
に密着して形成された幅狭のストリップ導体、２２ａ，
２２ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着して形成さ
れた一端短絡のストリップ導体、１７はストリップ導体
である。また、２３はストリップ導体２２ａ，２２ｂの
一端を外導体１４ａおよび外導体１４ｂに接続して短絡
するスルーホールである。
形態６によるトリプレート線路により形成した低域通過
フィルタを示す概略構成図であり、ここでは図９に示し
た低域通過フィルタをトリプレート線路により形成した
例で説明する。図において、１３ａ，１３ｂは誘電体基
板、１４ａは誘電体基板１３ａの一方の面に密着して形
成された膜状の外導体、１４ｂは誘電体基板１３ｂの一
方の面に密着して形成された膜状の外導体、１５ａは誘
電体基板１３ａの他方の面に密着して形成された幅狭の
ストリップ導体、１５ｂは誘電体基板１３ｂの他方の面
に密着して形成された幅狭のストリップ導体、２２ａ，
２２ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着して形成さ
れた一端短絡のストリップ導体、１７はストリップ導体
である。また、２３はストリップ導体２２ａ，２２ｂの
一端を外導体１４ａおよび外導体１４ｂに接続して短絡
するスルーホールである。
【００４１】１５０ａは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外
導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ａとから成る
高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、１５０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、２２
０ａ，２２０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとそれぞれのストリップ導体２２ａ，２２
ｂとスルーホール２３とから成る先端短絡スタブ、２２
１は短絡端が同一方向を向くように略平行に配置された
３つの先端短絡スタブ２２０ａ，２２０ｂから成る結合
線路、１７０は誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体１７とから成る入出力線
路、Ｐ１は入力端子、Ｐ２は出力端子である。
導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ａとから成る
高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、１５０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとストリップ導体１５ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、２２
０ａ，２２０ｂは誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１
４ａ，１４ｂとそれぞれのストリップ導体２２ａ，２２
ｂとスルーホール２３とから成る先端短絡スタブ、２２
１は短絡端が同一方向を向くように略平行に配置された
３つの先端短絡スタブ２２０ａ，２２０ｂから成る結合
線路、１７０は誘電体基板１３ａ，１３ｂと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体１７とから成る入出力線
路、Ｐ１は入力端子、Ｐ２は出力端子である。
【００４２】誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂは誘
電体基板１３ａのうちのストリップ導体１５ａ，１５
ｂ，２２ａ，２２ｂ，１７が密着して形成された面と、
誘電体基板１３ｂのうちの外導体１４ｂが形成されてい
ない面とが対向するように重ねられている。このため、
高インピーダンス線路１５０ａと高インピーダンス線路
１５０ｂ、結合線路２２１、および入出力線路１７０は
トリプレート線路により構成されている。高インピーダ
ンス線路１５０ａ，１５０ｂの軸長は通過周波数の波長
に対して十分小さく設定されている。一方、先端短絡ス
タブ２２０ａ，２２ｂの軸長は、１／４波長より長く、
１／２波長より短く設定されている。結合線路２２１の
短絡端とは逆側の３個所の端部には、隣り合う端部の間
それぞれに高インピーダンス線路１５０ｂが接続されて
いる。高インピーダンス線路１５０ａは一端が結合線路
２２１の両端と高インピーダンス線路１５０ｂとの接続
点に、他端が入力端子Ｐ１あるいは出力端子Ｐ２に接続
されている。図１３に示した低域通過フィルタの等価回
路は、図９の場合と同様に図１２（ｂ）で表される。
電体基板１３ａのうちのストリップ導体１５ａ，１５
ｂ，２２ａ，２２ｂ，１７が密着して形成された面と、
誘電体基板１３ｂのうちの外導体１４ｂが形成されてい
ない面とが対向するように重ねられている。このため、
高インピーダンス線路１５０ａと高インピーダンス線路
１５０ｂ、結合線路２２１、および入出力線路１７０は
トリプレート線路により構成されている。高インピーダ
ンス線路１５０ａ，１５０ｂの軸長は通過周波数の波長
に対して十分小さく設定されている。一方、先端短絡ス
タブ２２０ａ，２２ｂの軸長は、１／４波長より長く、
１／２波長より短く設定されている。結合線路２２１の
短絡端とは逆側の３個所の端部には、隣り合う端部の間
それぞれに高インピーダンス線路１５０ｂが接続されて
いる。高インピーダンス線路１５０ａは一端が結合線路
２２１の両端と高インピーダンス線路１５０ｂとの接続
点に、他端が入力端子Ｐ１あるいは出力端子Ｐ２に接続
されている。図１３に示した低域通過フィルタの等価回
路は、図９の場合と同様に図１２（ｂ）で表される。
【００４３】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、実施の形態５の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。
ば、実施の形態５の効果に加えて、低域通過フィルタを
トリプレート線路により形成したので、誘電体基板１３
ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により形成で
きるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通
過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。
【００４４】実施の形態７．図１４はこの発明の実施の
形態７による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、ここでは図１に示した低域通過フィルタをマイクロ
ストリップ線路により形成した例で説明する。図におい
て、１３ａは誘電体基板、１４ａは誘電体基板１３ａの
一方の面に密着して形成された膜状の外導体、２４ａ，
２４ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着して形成さ
れた幅狭のストリップ導体、２５ａ，２５ｂは誘電体基
板１３ａの他方の面に密着して形成された一端開放のス
トリップ導体、２６はストリップ導体、２４０ａは誘電
体基板１３ａと外導体１４ａとストリップ導体２４ａと
から成る高インピーダンス線路（第２の高インピーダン
ス線路）、２４０ｂは誘電体基板１３ａと外導体１４ａ
とストリップ導体２４ｂとから成る高インピーダンス線
路（第１の高インピーダンス線路）、２５０ａ，２５０
ｂは誘電体基板１３ａと外導体１４ａとそれぞれのスト
リップ導体２５ａ，２５ｂとから成る先端開放スタブ、
２５１は開放端が同一方向を向くように略平行に配置さ
れた３つの先端開放スタブ２５０ａ，２５０ｂから成る
結合線路、２６０は誘電体基板１３ａと外導体１４ａと
ストリップ導体２６とから成る入出力線路、Ｐ１は入力
端子、Ｐ２は出力端子である。
形態７による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、ここでは図１に示した低域通過フィルタをマイクロ
ストリップ線路により形成した例で説明する。図におい
て、１３ａは誘電体基板、１４ａは誘電体基板１３ａの
一方の面に密着して形成された膜状の外導体、２４ａ，
２４ｂは誘電体基板１３ａの他方の面に密着して形成さ
れた幅狭のストリップ導体、２５ａ，２５ｂは誘電体基
板１３ａの他方の面に密着して形成された一端開放のス
トリップ導体、２６はストリップ導体、２４０ａは誘電
体基板１３ａと外導体１４ａとストリップ導体２４ａと
から成る高インピーダンス線路（第２の高インピーダン
ス線路）、２４０ｂは誘電体基板１３ａと外導体１４ａ
とストリップ導体２４ｂとから成る高インピーダンス線
路（第１の高インピーダンス線路）、２５０ａ，２５０
ｂは誘電体基板１３ａと外導体１４ａとそれぞれのスト
リップ導体２５ａ，２５ｂとから成る先端開放スタブ、
２５１は開放端が同一方向を向くように略平行に配置さ
れた３つの先端開放スタブ２５０ａ，２５０ｂから成る
結合線路、２６０は誘電体基板１３ａと外導体１４ａと
ストリップ導体２６とから成る入出力線路、Ｐ１は入力
端子、Ｐ２は出力端子である。
【００４５】高インピーダンス線路２４０ａ，２４０ｂ
の軸長は、いずれも通過周波数の波長に対して十分小さ
く設定されている。結合線路２５１のそれぞれの開放端
とは逆側の３個所の端部には、隣り合う端部の間それぞ
れに高インピーダンス線路２４０ｂが接続されている。
高インピーダンス線路２４０ａは一端が先端開放スタブ
２５０ａと高インピーダンス線路２４０ｂとの接続点
に、他端が入出力線路２６０に接続されている。図１４
に示した低域通過フィルタの等価回路は、図１の場合と
同様に図４（ｂ）で表される。
の軸長は、いずれも通過周波数の波長に対して十分小さ
く設定されている。結合線路２５１のそれぞれの開放端
とは逆側の３個所の端部には、隣り合う端部の間それぞ
れに高インピーダンス線路２４０ｂが接続されている。
高インピーダンス線路２４０ａは一端が先端開放スタブ
２５０ａと高インピーダンス線路２４０ｂとの接続点
に、他端が入出力線路２６０に接続されている。図１４
に示した低域通過フィルタの等価回路は、図１の場合と
同様に図４（ｂ）で表される。
【００４６】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
マイクロストリップ線路により形成したので、誘電体基
板１３ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により
形成できるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の
低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏す
る。
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
マイクロストリップ線路により形成したので、誘電体基
板１３ａ上に導体パターンをフォトエッチング等により
形成できるため、小形で寸法精度が高く安定した特性の
低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏す
る。
【００４７】実施の形態８．図１５はこの発明の実施の
形態８による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、ここでは図１に示した低域通過フィルタを多層高周
波回路で構成した例で、誘電体基板が３層の線路により
形成したものである。図において、１３ｃは誘電体基板
１３ａと誘電体基板１３ｂとの間に挿入された誘電体基
板、２７ａ，２７ｂは誘電体基板１３ｃの一方の面（図
１５では上面）に密着して形成された幅狭のストリップ
導体、２７ｃは誘電体基板１３ｃの他方の面（図１５で
は下面）に密着して形成された幅狭のストリップ導体、
２８ａは誘電体基板１３ｃの一方の面（図１５では上
面）に密着して形成された一端開放のストリップ導体、
２８ｂは誘電体基板１３ｃの他方の面（図１５では下
面）に密着して形成されたストリップ導体、３８は誘電
体基板１３ｃの上面に形成された２つのストリップ導体
２７ｂと誘電体基板１３ｃの下面に形成された２つのス
トリップ導体２７ｃをそれぞれに接続するスルーホー
ル、２７０ａは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体２７ａとから成る高インピ
ーダンス線路（第２の高インピーダンス線路）、２７０
ｂは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂ
とスルーホール３８で接続されたストリップ導体２７ｂ
とストリップ導体２７ｃとから成る高インピーダンス線
路（第１の高インピーダンス線路）、２８０ａは誘電体
基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとストリッ
プ導体２８ａとから成る先端開放スタブ、２８０ｂは誘
電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとスト
リップ導体２８ｂとから成る先端開放スタブ、２８１は
開放端が同一方向を向くように略平行に配置された３つ
の先端開放スタブ２８０ａ，２８０ｂから成る結合線
路、２９０は誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体２９とから成る入出力線路
である。
形態８による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、ここでは図１に示した低域通過フィルタを多層高周
波回路で構成した例で、誘電体基板が３層の線路により
形成したものである。図において、１３ｃは誘電体基板
１３ａと誘電体基板１３ｂとの間に挿入された誘電体基
板、２７ａ，２７ｂは誘電体基板１３ｃの一方の面（図
１５では上面）に密着して形成された幅狭のストリップ
導体、２７ｃは誘電体基板１３ｃの他方の面（図１５で
は下面）に密着して形成された幅狭のストリップ導体、
２８ａは誘電体基板１３ｃの一方の面（図１５では上
面）に密着して形成された一端開放のストリップ導体、
２８ｂは誘電体基板１３ｃの他方の面（図１５では下
面）に密着して形成されたストリップ導体、３８は誘電
体基板１３ｃの上面に形成された２つのストリップ導体
２７ｂと誘電体基板１３ｃの下面に形成された２つのス
トリップ導体２７ｃをそれぞれに接続するスルーホー
ル、２７０ａは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体２７ａとから成る高インピ
ーダンス線路（第２の高インピーダンス線路）、２７０
ｂは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂ
とスルーホール３８で接続されたストリップ導体２７ｂ
とストリップ導体２７ｃとから成る高インピーダンス線
路（第１の高インピーダンス線路）、２８０ａは誘電体
基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとストリッ
プ導体２８ａとから成る先端開放スタブ、２８０ｂは誘
電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとスト
リップ導体２８ｂとから成る先端開放スタブ、２８１は
開放端が同一方向を向くように略平行に配置された３つ
の先端開放スタブ２８０ａ，２８０ｂから成る結合線
路、２９０は誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体２９とから成る入出力線路
である。
【００４８】この実施の形態８による低域通過フィルタ
は上記のように形成されており、高インピーダンス線路
２７０ａ、高インピーダンス線路２７０ｂ、結合線路２
８１、および入出力線路２９０は断面内におけるそれぞ
れのストリップ導体の位置が、外導体１４ａと外導体１
４ｂの中間位置から誘電体基板１３ｃの厚みの約１／２
だけ上下にシフトした位置にストリップ導体（内導体）
が形成された状態のトリプレート線路により構成されて
いる。なお、高インピーダンス線路２７０ａおよび高イ
ンピーダンス線路２７０ｂの軸長は、いずれも通過周波
数の波長に対して十分小さく設定されている。また、結
合線路２８１を構成する３つの先端開放スタブ２８０
ａ，２８０ｂの各ストリップ導体２８ａ，２８ｂは、誘
電体基板１３ｃを介して幅広面が略対向するように配置
されている。結合線路２８１の開放端とは逆側に位置す
る３個所の端部の間には、高インピーダンス線路２７０
ｂが接続されている。高インピーダンス線路２７０ａは
一端が先端開放スタブ２８０ａと高インピーダンス線路
２７０ｂとの接続点に、他端が入出力線路２９０に接続
されている。図１５に示した低域通過フィルタの等価回
路は、図１の場合と同様に図４（ｂ）で表される。
は上記のように形成されており、高インピーダンス線路
２７０ａ、高インピーダンス線路２７０ｂ、結合線路２
８１、および入出力線路２９０は断面内におけるそれぞ
れのストリップ導体の位置が、外導体１４ａと外導体１
４ｂの中間位置から誘電体基板１３ｃの厚みの約１／２
だけ上下にシフトした位置にストリップ導体（内導体）
が形成された状態のトリプレート線路により構成されて
いる。なお、高インピーダンス線路２７０ａおよび高イ
ンピーダンス線路２７０ｂの軸長は、いずれも通過周波
数の波長に対して十分小さく設定されている。また、結
合線路２８１を構成する３つの先端開放スタブ２８０
ａ，２８０ｂの各ストリップ導体２８ａ，２８ｂは、誘
電体基板１３ｃを介して幅広面が略対向するように配置
されている。結合線路２８１の開放端とは逆側に位置す
る３個所の端部の間には、高インピーダンス線路２７０
ｂが接続されている。高インピーダンス線路２７０ａは
一端が先端開放スタブ２８０ａと高インピーダンス線路
２７０ｂとの接続点に、他端が入出力線路２９０に接続
されている。図１５に示した低域通過フィルタの等価回
路は、図１の場合と同様に図４（ｂ）で表される。
【００４９】以上のように、この実施の形態８によれ
ば、実施の形態１および実施の形態２または実施の形態
７の効果に加えて、先端開放スタブ２８０ａ，２８０ｂ
の各ストリップ導体２８ａ，２８ｂが、誘電体基板１３
ｃを介して幅広面が略対向するように配置されているた
め、比較的大きな結合容量ＣP2が得られ、より急峻な帯
域外減衰特性が得られる効果を奏する。
ば、実施の形態１および実施の形態２または実施の形態
７の効果に加えて、先端開放スタブ２８０ａ，２８０ｂ
の各ストリップ導体２８ａ，２８ｂが、誘電体基板１３
ｃを介して幅広面が略対向するように配置されているた
め、比較的大きな結合容量ＣP2が得られ、より急峻な帯
域外減衰特性が得られる効果を奏する。
【００５０】実施の形態９．図１６はこの発明の実施の
形態９による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、ここでは低域通過フィルタを多層高周波回路で構成
した他の例で、低域通過フィルタを誘電体基板が３層の
線路により形成したものである。図において、１３ｃは
誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂとの間に挿入され
た誘電体基板、２７ａは誘電体基板１３ｃの一方の面
（図１６では上面）に密着して形成された幅狭のストリ
ップ導体、２７ｂは誘電体基板１３ｃの他方の面（図１
６では下面）に密着して形成された幅狭のストリップ導
体、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは誘電体基板１３
ｃの一方の面（図１６では上面）に密着して形成された
一端開放のストリップ導体であり、３１０ａ，３１０
ｂ，３１０ｃ，３１０ｄはそれぞれ誘電体基板１３ａ〜
１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体３１ａ
〜３１ｄとから成る先端開放スタブ、３１１ａは開放端
が同一方向を向くように略平行に配置された３つの先端
開放スタブ３１０ａ，３１０ｃから成る結合線路であ
り、また、３１１ｂは開放端が上記結合線路３１１ａの
先端開放スタブ３１０ａ，３１０ｃとは反対の同一方向
を向くように略平行に配置された３つの先端開放スタブ
３１０ｂ，３１０ｄから成る結合線路である。ここで、
ストリップ導体３１ａとストリップ導体３１ｂおよびス
トリップ導体３１ｃとストリップ導体３１ｄは、それぞ
れの電気長θがθ＜π／２であり、それぞれの開放端と
は逆側の端部どうしが並列接続されて一本化されたスト
リップ導体である。また、３８は誘電体基板１３ｃの上
面に形成されたストリップ導体３１ａ，３１ｂの並列接
続された開放端とは逆側の端部とストリップ導体３１
ｃ，３１ｄの並列接続された開放端とは逆側の端部との
間それぞれを誘電体基板１３ｃの下面に形成されたスト
リップ導体２７ｂでそれぞれに接続するスルーホールで
ある。なお、２７０ａは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外
導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体２７ａとから成る
高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、２７０ｂは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１
４ａ，１４ｂとストリップ導体２７ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）であ
り、２９０は誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体２９とから成る入出力線路
である。
形態９による低域通過フィルタを示す概略構成図であ
り、ここでは低域通過フィルタを多層高周波回路で構成
した他の例で、低域通過フィルタを誘電体基板が３層の
線路により形成したものである。図において、１３ｃは
誘電体基板１３ａと誘電体基板１３ｂとの間に挿入され
た誘電体基板、２７ａは誘電体基板１３ｃの一方の面
（図１６では上面）に密着して形成された幅狭のストリ
ップ導体、２７ｂは誘電体基板１３ｃの他方の面（図１
６では下面）に密着して形成された幅狭のストリップ導
体、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは誘電体基板１３
ｃの一方の面（図１６では上面）に密着して形成された
一端開放のストリップ導体であり、３１０ａ，３１０
ｂ，３１０ｃ，３１０ｄはそれぞれ誘電体基板１３ａ〜
１３ｃと外導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体３１ａ
〜３１ｄとから成る先端開放スタブ、３１１ａは開放端
が同一方向を向くように略平行に配置された３つの先端
開放スタブ３１０ａ，３１０ｃから成る結合線路であ
り、また、３１１ｂは開放端が上記結合線路３１１ａの
先端開放スタブ３１０ａ，３１０ｃとは反対の同一方向
を向くように略平行に配置された３つの先端開放スタブ
３１０ｂ，３１０ｄから成る結合線路である。ここで、
ストリップ導体３１ａとストリップ導体３１ｂおよびス
トリップ導体３１ｃとストリップ導体３１ｄは、それぞ
れの電気長θがθ＜π／２であり、それぞれの開放端と
は逆側の端部どうしが並列接続されて一本化されたスト
リップ導体である。また、３８は誘電体基板１３ｃの上
面に形成されたストリップ導体３１ａ，３１ｂの並列接
続された開放端とは逆側の端部とストリップ導体３１
ｃ，３１ｄの並列接続された開放端とは逆側の端部との
間それぞれを誘電体基板１３ｃの下面に形成されたスト
リップ導体２７ｂでそれぞれに接続するスルーホールで
ある。なお、２７０ａは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外
導体１４ａ，１４ｂとストリップ導体２７ａとから成る
高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、２７０ｂは誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１
４ａ，１４ｂとストリップ導体２７ｂとから成る高イン
ピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）であ
り、２９０は誘電体基板１３ａ〜１３ｃと外導体１４
ａ，１４ｂとストリップ導体２９とから成る入出力線路
である。
【００５１】この実施の形態９による低域通過フィルタ
は上記のように形成されており、高インピーダンス線路
２７０ａ、高インピーダンス線路２７０ｂ、結合線路３
１１ａ，３１１ｂ、および入出力線路２９０は断面内に
おけるそれぞれのストリップ導体の位置が、外導体１４
ａと外導体１４ｂの中間位置から誘電体基板１３ｃの厚
みの約１／２だけ上下にシフトした位置にストリップ導
体（内導体）が形成された状態のトリプレート線路によ
り構成されている。なお、高インピーダンス線路２７０
ａおよび高インピーダンス線路２７０ｂの軸長は、いず
れも通過周波数の波長に対して十分小さく設定されてい
る。上記したように、結合線路３１１ａと結合線路３１
１ｂの開放端とは逆側の３個所の共通の端部の間には、
高インピーダンス線路２７０ｂが接続されている。高イ
ンピーダンス線路２７０ａは一端が先端開放スタブ３１
０ａと先端開放スタブ３１０ｂの開放端とは逆側の共通
の端部に、他端が入出力線路２９０に接続されている。
は上記のように形成されており、高インピーダンス線路
２７０ａ、高インピーダンス線路２７０ｂ、結合線路３
１１ａ，３１１ｂ、および入出力線路２９０は断面内に
おけるそれぞれのストリップ導体の位置が、外導体１４
ａと外導体１４ｂの中間位置から誘電体基板１３ｃの厚
みの約１／２だけ上下にシフトした位置にストリップ導
体（内導体）が形成された状態のトリプレート線路によ
り構成されている。なお、高インピーダンス線路２７０
ａおよび高インピーダンス線路２７０ｂの軸長は、いず
れも通過周波数の波長に対して十分小さく設定されてい
る。上記したように、結合線路３１１ａと結合線路３１
１ｂの開放端とは逆側の３個所の共通の端部の間には、
高インピーダンス線路２７０ｂが接続されている。高イ
ンピーダンス線路２７０ａは一端が先端開放スタブ３１
０ａと先端開放スタブ３１０ｂの開放端とは逆側の共通
の端部に、他端が入出力線路２９０に接続されている。
【００５２】図１６に示した低域通過フィルタの等価回
路は図４（ｂ）と同様になるが、キャパシタンスＣP2並
びにキャパシタンスＣ2 およびＣ3 のパラメータが、２
つの結合線路３１１ａ，３１１ｂのパラメータに増え
る。
路は図４（ｂ）と同様になるが、キャパシタンスＣP2並
びにキャパシタンスＣ2 およびＣ3 のパラメータが、２
つの結合線路３１１ａ，３１１ｂのパラメータに増え
る。
【００５３】以上のように、この実施の形態９によれ
ば、実施の形態１および実施の形態２または実施の形態
７の効果に加えて、キャパシタンスＣP2並びにキャパシ
タンスＣ2 およびＣ3 のパラメータを２つの結合線路３
１１ａ，３１１ｂのパラメータに増やせるため、設計の
自由度を増加させることができる効果を奏する。
ば、実施の形態１および実施の形態２または実施の形態
７の効果に加えて、キャパシタンスＣP2並びにキャパシ
タンスＣ2 およびＣ3 のパラメータを２つの結合線路３
１１ａ，３１１ｂのパラメータに増やせるため、設計の
自由度を増加させることができる効果を奏する。
【００５４】実施の形態１０．図１７はこの発明の実施
の形態１０による低域通過フィルタを示す概略構成図で
あり、ここでは図１に示した低域通過フィルタをコプレ
ーナ線路により形成した例で説明する。図において、１
３ａは誘電体基板、１４ｃは誘電体基板１３ａの一方の
面（図１７では上面）に密着して形成されたコプレーナ
線路を形成するための地導体、３３ａ，３３ｂは誘電体
基板１３ａの上面に密着して形成された幅狭のストリッ
プ導体、３４ａ，３４ｂは誘電体基板１３ａの上面に密
着して形成された一端開放のストリップ導体、３５は誘
電体基板１３ａの上面に密着して形成されたストリップ
導体、３６は誘電体基板１３ａの上面に密着して形成さ
れた導体パッド、３７は誘電体基板１３ａの上面の地導
体を同電位に保つために地導体１４ｃ各部および導体パ
ッド３６を接続する導体ワイヤ、３３０ａは誘電体基板
１３ａと地導体１４ｃとストリップ導体３３ａとから成
る高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、３３０ｂは誘電体基板１３ａと地導体１４ｃなど
（導体パッド３６を含む）とストリップ導体３３ｂとか
ら成る高インピーダンス線路（第１の高インピーダンス
線路）、３４０ａ，３４０ｂは誘電体基板１３ａと地導
体１４ｃなどとストリップ導体３４ａ，３４ｂとから成
る先端開放スタブ、３４１は開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された３つの先端開放スタブ３４０
ａ，３４０ｂから成る結合線路、３５０は誘電体基板１
３ａと地導体１４ｃとストリップ導体３５とから成る入
出力線路である。
の形態１０による低域通過フィルタを示す概略構成図で
あり、ここでは図１に示した低域通過フィルタをコプレ
ーナ線路により形成した例で説明する。図において、１
３ａは誘電体基板、１４ｃは誘電体基板１３ａの一方の
面（図１７では上面）に密着して形成されたコプレーナ
線路を形成するための地導体、３３ａ，３３ｂは誘電体
基板１３ａの上面に密着して形成された幅狭のストリッ
プ導体、３４ａ，３４ｂは誘電体基板１３ａの上面に密
着して形成された一端開放のストリップ導体、３５は誘
電体基板１３ａの上面に密着して形成されたストリップ
導体、３６は誘電体基板１３ａの上面に密着して形成さ
れた導体パッド、３７は誘電体基板１３ａの上面の地導
体を同電位に保つために地導体１４ｃ各部および導体パ
ッド３６を接続する導体ワイヤ、３３０ａは誘電体基板
１３ａと地導体１４ｃとストリップ導体３３ａとから成
る高インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線
路）、３３０ｂは誘電体基板１３ａと地導体１４ｃなど
（導体パッド３６を含む）とストリップ導体３３ｂとか
ら成る高インピーダンス線路（第１の高インピーダンス
線路）、３４０ａ，３４０ｂは誘電体基板１３ａと地導
体１４ｃなどとストリップ導体３４ａ，３４ｂとから成
る先端開放スタブ、３４１は開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された３つの先端開放スタブ３４０
ａ，３４０ｂから成る結合線路、３５０は誘電体基板１
３ａと地導体１４ｃとストリップ導体３５とから成る入
出力線路である。
【００５５】高インピーダンス線路３３０ａおよび高イ
ンピーダンス線路３３０ｂの軸長は、いずれも通過周波
数の波長に対して十分小さく設定されている。結合線路
３４１の開放端とは逆側に位置する３個所の端部には、
隣り合う端部の間それぞれに高インピーダンス線路３３
０ｂが接続されている。高インピーダンス線路３３０ａ
のそれぞれは、一端が結合線路３４１の両端と高インピ
ーダンス線路３３０ｂとの接続点に、他端が入出力線路
３５０に接続されている。図１７に示した低域通過フィ
ルタの等価回路は、図１の場合と同様に図４（ｂ）で表
される。
ンピーダンス線路３３０ｂの軸長は、いずれも通過周波
数の波長に対して十分小さく設定されている。結合線路
３４１の開放端とは逆側に位置する３個所の端部には、
隣り合う端部の間それぞれに高インピーダンス線路３３
０ｂが接続されている。高インピーダンス線路３３０ａ
のそれぞれは、一端が結合線路３４１の両端と高インピ
ーダンス線路３３０ｂとの接続点に、他端が入出力線路
３５０に接続されている。図１７に示した低域通過フィ
ルタの等価回路は、図１の場合と同様に図４（ｂ）で表
される。
【００５６】以上のように、この実施の形態１０によれ
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
コプレーナ線路により形成したので、誘電体基板１３ａ
上に導体パターンをフォトエッチング等により形成でき
るため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通過
フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。ま
た、コプレーナ線路により形成したので、誘電体基板１
３ａの片側表面のみに低域通過フィルタの回路を構成で
きる効果を奏する。
ば、実施の形態１の効果に加えて、低域通過フィルタを
コプレーナ線路により形成したので、誘電体基板１３ａ
上に導体パターンをフォトエッチング等により形成でき
るため、小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通過
フィルタが、比較的容易に得られる効果を奏する。ま
た、コプレーナ線路により形成したので、誘電体基板１
３ａの片側表面のみに低域通過フィルタの回路を構成で
きる効果を奏する。
【００５７】
【発明の効果】以上のように、この発明の低域通過フィ
ルタによれば、長さが通過周波数の波長の１／４より短
い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先
端開放スタブにより形成されると共に、上記３つ以上の
先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された結合線路と、上記先端開放スタ
ブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端
部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過
周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路とを備
えたので、結合線路を３つ以上の先端開放スタブにより
形成することで、低域通過フィルタの構成要素となるフ
ィルタ要素を従来に比べて多段にでき、かつ、先端開放
スタブの長さを大きく設定することで、従来に比べて所
要のキャパシタンスを大きくすることができ、通過帯域
近傍まで減衰極の周波数を低く設定することが可能な急
峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィルタを得られる
効果がある。
ルタによれば、長さが通過周波数の波長の１／４より短
い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先
端開放スタブにより形成されると共に、上記３つ以上の
先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された結合線路と、上記先端開放スタ
ブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端
部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過
周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路とを備
えたので、結合線路を３つ以上の先端開放スタブにより
形成することで、低域通過フィルタの構成要素となるフ
ィルタ要素を従来に比べて多段にでき、かつ、先端開放
スタブの長さを大きく設定することで、従来に比べて所
要のキャパシタンスを大きくすることができ、通過帯域
近傍まで減衰極の周波数を低く設定することが可能な急
峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィルタを得られる
効果がある。
【００５８】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で電
気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放スタ
ブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放ス
タブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平行
に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放端
とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少な
くとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の波
長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記３
つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波数
の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピー
ダンス線路とを備えたので、第２の高インピーダンス線
路のインダクタンスによりさらに急峻な帯域外減衰特性
を持つ低域通過フィルタを得られる効果がある。
ば、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で電
気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放スタ
ブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放ス
タブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平行
に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放端
とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少な
くとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の波
長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記３
つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波数
の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピー
ダンス線路とを備えたので、第２の高インピーダンス線
路のインダクタンスによりさらに急峻な帯域外減衰特性
を持つ低域通過フィルタを得られる効果がある。
【００５９】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で電
気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放スタ
ブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放ス
タブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平行
に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放端
とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少な
くとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の波
長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記３
つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波数
の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピー
ダンス線路と、上記第２の高インピーダンス線路の少な
くとも１つの他端に一端が接続され、長さが通過周波数
の波長に比べて短い低インピーダンス線路とを備えたの
で、低インピーダンス線路のキャパシタンスにより低域
通過フィルタの構成要素となるフィルタ要素をより多段
にでき、さらに急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フ
ィルタを得られる効果がある。
ば、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で電
気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放スタ
ブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放ス
タブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平行
に配置された結合線路と、上記先端開放スタブの開放端
とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少な
くとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の波
長に比べて短い第１の高インピーダンス線路と、上記３
つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放スタブの開放
端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが通過周波数
の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の高インピー
ダンス線路と、上記第２の高インピーダンス線路の少な
くとも１つの他端に一端が接続され、長さが通過周波数
の波長に比べて短い低インピーダンス線路とを備えたの
で、低インピーダンス線路のキャパシタンスにより低域
通過フィルタの構成要素となるフィルタ要素をより多段
にでき、さらに急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フ
ィルタを得られる効果がある。
【００６０】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、請求項１、２または３記載の低域通過フィルタの複
数個を、それぞれ前後して接続される低域通過フィルタ
の結合線路間に長さが通過周波数の波長に比べて短い少
なくとも１つの第２の高インピーダンス線路を直列に挿
入して縦続接続し、多段フィルタを形成したので、より
急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィルタを得られ
る効果がある。
ば、請求項１、２または３記載の低域通過フィルタの複
数個を、それぞれ前後して接続される低域通過フィルタ
の結合線路間に長さが通過周波数の波長に比べて短い少
なくとも１つの第２の高インピーダンス線路を直列に挿
入して縦続接続し、多段フィルタを形成したので、より
急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィルタを得られ
る効果がある。
【００６１】さらに、この発明の低域通過フィルタによ
れば、長さが通過周波数の波長の１／４より長く１／２
より短い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以
上の先端短絡スタブにより形成されると共に、上記３つ
以上の先端短絡スタブのそれぞれの短絡端が同一方向を
向くように略平行に配置された結合線路と、上記先端短
絡スタブの短絡端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在
する端部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さ
が通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路
とを備えたので、結合線路を３つ以上の先端短絡スタブ
により形成することで、低域通過フィルタの構成要素と
なるフィルタ要素を従来に比べて多段にでき、かつ、先
端短絡スタブの長さを大きく設定することで、従来に比
べて所要のキャパシタンスを大きくすることができ、通
過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く設定することが可
能な急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィルタを得
られる効果がある。
れば、長さが通過周波数の波長の１／４より長く１／２
より短い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以
上の先端短絡スタブにより形成されると共に、上記３つ
以上の先端短絡スタブのそれぞれの短絡端が同一方向を
向くように略平行に配置された結合線路と、上記先端短
絡スタブの短絡端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在
する端部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さ
が通過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路
とを備えたので、結合線路を３つ以上の先端短絡スタブ
により形成することで、低域通過フィルタの構成要素と
なるフィルタ要素を従来に比べて多段にでき、かつ、先
端短絡スタブの長さを大きく設定することで、従来に比
べて所要のキャパシタンスを大きくすることができ、通
過帯域近傍まで減衰極の周波数を低く設定することが可
能な急峻な帯域外減衰特性を持つ低域通過フィルタを得
られる効果がある。
【００６２】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、トリプレート線路により形成される平面回路の簡単
な構成としたので、小形で寸法精度が高く安定した特性
の低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効果があ
る。
ば、トリプレート線路により形成される平面回路の簡単
な構成としたので、小形で寸法精度が高く安定した特性
の低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効果があ
る。
【００６３】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、マイクロストリップ線路により形成される平面回路
の簡単な構成としたので、小形で寸法精度が高く安定し
た特性の低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効
果がある。
ば、マイクロストリップ線路により形成される平面回路
の簡単な構成としたので、小形で寸法精度が高く安定し
た特性の低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効
果がある。
【００６４】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、コプレーナ線路により形成される平面回路の簡単な
構成としたので、小形で寸法精度が高く安定した特性の
低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効果があ
る。さらに、誘電体基板の片側表面のみに低域通過フィ
ルタの回路を構成できる効果を奏する。
ば、コプレーナ線路により形成される平面回路の簡単な
構成としたので、小形で寸法精度が高く安定した特性の
低域通過フィルタが、比較的容易に得られる効果があ
る。さらに、誘電体基板の片側表面のみに低域通過フィ
ルタの回路を構成できる効果を奏する。
【００６５】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の誘電体
層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上記第１
の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形成さ
れ、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成された
多層高周波回路により構成され、かつ、先端開放スタブ
または先端短絡スタブの中心導体を形成するストリップ
導体と高インピーダンス線路の中心導体を形成するスト
リップ導体、または、先端開放スタブの中心導体を形成
するストリップ導体と第１の高インピーダンス線路また
は第２の高インピーダンス線路の中心導体を形成するス
トリップ導体を上記第２の誘電体層の表面と裏面に分け
て形成したので、平面回路の構成の自由度を増加できる
と共に小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通過フ
ィルタが、比較的容易に得られる効果がある。
ば、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の誘電体
層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上記第１
の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形成さ
れ、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成された
多層高周波回路により構成され、かつ、先端開放スタブ
または先端短絡スタブの中心導体を形成するストリップ
導体と高インピーダンス線路の中心導体を形成するスト
リップ導体、または、先端開放スタブの中心導体を形成
するストリップ導体と第１の高インピーダンス線路また
は第２の高インピーダンス線路の中心導体を形成するス
トリップ導体を上記第２の誘電体層の表面と裏面に分け
て形成したので、平面回路の構成の自由度を増加できる
と共に小形で寸法精度が高く安定した特性の低域通過フ
ィルタが、比較的容易に得られる効果がある。
【００６６】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の誘電体
層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上記第１
の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形成さ
れ、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成された
多層高周波回路により構成され、結合線路を構成する３
つ以上の先端開放スタブであって、それぞれ隣在する上
記先端開放スタブの開放端とは逆側の端部間に長さが通
過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路が接
続された先端開放スタブ同士の中心導体を形成するそれ
ぞれのストリップ導体が、互いに対向する面を有して上
記第２の誘電体層の表裏に設けられ、かつ、上記高イン
ピーダンス線路の中心導体を形成するストリップ導体
が、上記先端開放スタブのそれぞれのストリップ導体に
接続されて上記第２の誘電体層の表裏に設けられると共
に途中でスルーホールを介して接続されたので、さらに
結合容量を大きくすることができ、減衰極周波数を通過
帯域のより近傍まで低く設定でき、より急峻な帯域外減
衰特性を持つ低域通過フィルタが得られる効果がある。
ば、第２の誘電体層を挟んで配置される第１の誘電体
層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、上記第１
の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が形成さ
れ、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成された
多層高周波回路により構成され、結合線路を構成する３
つ以上の先端開放スタブであって、それぞれ隣在する上
記先端開放スタブの開放端とは逆側の端部間に長さが通
過周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路が接
続された先端開放スタブ同士の中心導体を形成するそれ
ぞれのストリップ導体が、互いに対向する面を有して上
記第２の誘電体層の表裏に設けられ、かつ、上記高イン
ピーダンス線路の中心導体を形成するストリップ導体
が、上記先端開放スタブのそれぞれのストリップ導体に
接続されて上記第２の誘電体層の表裏に設けられると共
に途中でスルーホールを介して接続されたので、さらに
結合容量を大きくすることができ、減衰極周波数を通過
帯域のより近傍まで低く設定でき、より急峻な帯域外減
衰特性を持つ低域通過フィルタが得られる効果がある。
【００６７】また、この発明の低域通過フィルタによれ
ば、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で電
気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放スタ
ブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放ス
タブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平行
に配置された結合線路の一対であって、それぞれの結合
線路の対になる先端開放スタブの開放端とは逆側の端部
同士が突き合わされて接続され、並列接続された一対の
結合線路と、上記先端開放スタブの開放端とは逆側の端
部であってそれぞれ隣在する端部間の少なくとも一つの
端部間に接続され、長さが通過周波数の波長に比べて短
い高インピーダンス線路とを備え、第２の誘電体層を挟
んで配置される第１の誘電体層、第２の誘電体層、第３
の誘電体層を有し、上記第１の誘電体層と第３の誘電体
層の外面に地導体が形成され、上記第２の誘電体層の表
裏面に中心導体が形成された多層高周波回路により構成
され、かつ、上記先端開放スタブの中心導体を形成する
それぞれのストリップ導体が上記第２の誘電体層の一方
の面に形成されると共に、上記高インピーダンス線路の
中心導体を形成するストリップ導体が上記第２の誘電体
層の他方の面に形成され、上記先端開放スタブの開放端
とは逆側の端部と高インピーダンス線路の接続が上記第
２の誘電体層の表裏面に形成された中心導体を形成する
ストリップ導体のスルーホールを介しての接続によりさ
れたので、結合容量のパラメータが、並列接続された一
対の結合線路のパラメータに増えるため、設計の自由度
を増加させることができる低域通過フィルタが得られる
効果がある。
ば、長さが通過周波数の波長の１／４より短い範囲で電
気長を大きくするよう設定した３つ以上の先端開放スタ
ブにより形成されると共に、上記３つ以上の先端開放ス
タブのそれぞれの開放端が同一方向を向くように略平行
に配置された結合線路の一対であって、それぞれの結合
線路の対になる先端開放スタブの開放端とは逆側の端部
同士が突き合わされて接続され、並列接続された一対の
結合線路と、上記先端開放スタブの開放端とは逆側の端
部であってそれぞれ隣在する端部間の少なくとも一つの
端部間に接続され、長さが通過周波数の波長に比べて短
い高インピーダンス線路とを備え、第２の誘電体層を挟
んで配置される第１の誘電体層、第２の誘電体層、第３
の誘電体層を有し、上記第１の誘電体層と第３の誘電体
層の外面に地導体が形成され、上記第２の誘電体層の表
裏面に中心導体が形成された多層高周波回路により構成
され、かつ、上記先端開放スタブの中心導体を形成する
それぞれのストリップ導体が上記第２の誘電体層の一方
の面に形成されると共に、上記高インピーダンス線路の
中心導体を形成するストリップ導体が上記第２の誘電体
層の他方の面に形成され、上記先端開放スタブの開放端
とは逆側の端部と高インピーダンス線路の接続が上記第
２の誘電体層の表裏面に形成された中心導体を形成する
ストリップ導体のスルーホールを介しての接続によりさ
れたので、結合容量のパラメータが、並列接続された一
対の結合線路のパラメータに増えるため、設計の自由度
を増加させることができる低域通過フィルタが得られる
効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１による低域通過フィ
ルタを示す概略構成図である。
ルタを示す概略構成図である。
【図２】 上記低域通過フィルタの結合線路を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図３】 上記結合線路の等価回路図である。
【図４】 上記低域通過フィルタの等価回路図である。
【図５】 この発明の実施の形態２によるトリプレート
線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
【図６】 この発明の実施の形態３による低域通過フィ
ルタを示す概略構成図である。
ルタを示す概略構成図である。
【図７】 上記低域通過フィルタの等価回路図である。
【図８】 この発明の実施の形態４によるトリプレート
線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
【図９】 この発明の実施の形態５による低域通過フィ
ルタを示す概略構成図である。
ルタを示す概略構成図である。
【図１０】 上記低域通過フィルタの結合線路を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図１１】 上記結合線路の等価回路図である。
【図１２】 上記低域通過フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図１３】 この発明の実施の形態６によるトリプレー
ト線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。
ト線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。
【図１４】 この発明の実施の形態７によるマイクロス
トリップ線路により形成した低域通過フィルタを示す概
略構成図である。
トリップ線路により形成した低域通過フィルタを示す概
略構成図である。
【図１５】 この発明の実施の形態８による多層高周波
回路により構成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
回路により構成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
【図１６】 この発明の実施の形態９による多層高周波
回路により構成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
回路により構成した低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
【図１７】 この発明の実施の形態１０によるコプレー
ナ線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。
ナ線路により形成した低域通過フィルタを示す概略構成
図である。
【図１８】 従来の低域通過フィルタを示す概略構成図
である。
である。
【図１９】 従来の低域通過フィルタを示す等価回路図
である。
である。
【図２０】 従来およびこの発明による低域通過フィル
タの通過特性を説明するための特性図である。
タの通過特性を説明するための特性図である。
１１ａ，１５０ａ，２４０ａ，２７０ａ，３３０ａ 高
インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線路）、
１１ｂ，１５０ｂ，２４０ｂ，２７０ｂ，３３０ｂ 高
インピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、
１２ａ，１２ｂ，１６０ａ，１６０ｂ，２５０ａ，２５
０ｂ，２８０ａ，２８０ｂ，３１０ａ，３１０ｂ，３１
０ｃ，３１０ｄ，３４０ａ，３４０ｂ 先端開放スタ
ブ、１９，２００ 低インピーダンス線路、２８ａ，２
８ｂ ストリップ導体、１２０，１６１，２１０，２２
１，２５１，２８１，３１１ａ，３１１ｂ，３４１ 結
合線路、２１ａ，２２ｂ，２２０ａ，２２０ｂ 先端短
絡スタブ、２３，３８ スルーホール。
インピーダンス線路（第２の高インピーダンス線路）、
１１ｂ，１５０ｂ，２４０ｂ，２７０ｂ，３３０ｂ 高
インピーダンス線路（第１の高インピーダンス線路）、
１２ａ，１２ｂ，１６０ａ，１６０ｂ，２５０ａ，２５
０ｂ，２８０ａ，２８０ｂ，３１０ａ，３１０ｂ，３１
０ｃ，３１０ｄ，３４０ａ，３４０ｂ 先端開放スタ
ブ、１９，２００ 低インピーダンス線路、２８ａ，２
８ｂ ストリップ導体、１２０，１６１，２１０，２２
１，２５１，２８１，３１１ａ，３１１ｂ，３４１ 結
合線路、２１ａ，２２ｂ，２２０ａ，２２０ｂ 先端短
絡スタブ、２３，３８ スルーホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大和田 哲 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 中畔 弘晶 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 北尾 史郎 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J006 HB01 HB04 HB11 HB13 JA03 JA13 JA31 LA03 NA08 NB09 NB10 5J024 AA01 CA09 DA00 DA35 EA01 KA01 5J081 AA11 BB06 BB07 FF02 FF05 MM01 MM04
Claims (11)
- 【請求項１】 長さが通過周波数の波長の１／４より短
い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先
端開放スタブにより形成されると共に、上記３つ以上の
先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された結合線路と、上記先端開放スタ
ブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端
部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過
周波数の波長に比べて短い高インピーダンス線路とを備
えた低域通過フィルタ。 - 【請求項２】 長さが通過周波数の波長の１／４より短
い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先
端開放スタブにより形成されると共に、上記３つ以上の
先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された結合線路と、上記先端開放スタ
ブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端
部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過
周波数の波長に比べて短い第１の高インピーダンス線路
と、上記３つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放ス
タブの開放端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが
通過周波数の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の
高インピーダンス線路とを備えた低域通過フィルタ。 - 【請求項３】 長さが通過周波数の波長の１／４より短
い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の先
端開放スタブにより形成されると共に、上記３つ以上の
先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向くよ
うに略平行に配置された結合線路と、上記先端開放スタ
ブの開放端とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端
部間の少なくとも一つの端部間に接続され、長さが通過
周波数の波長に比べて短い第１の高インピーダンス線路
と、上記３つ以上の先端開放スタブの両端の先端開放ス
タブの開放端とは逆側の端部に一端が接続され、長さが
通過周波数の波長に比べて短い少なくとも１つの第２の
高インピーダンス線路と、上記第２の高インピーダンス
線路の少なくとも１つの他端に一端が接続され、長さが
通過周波数の波長に比べて短い低インピーダンス線路と
を備えた低域通過フィルタ。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の低域通過フ
ィルタの複数個を、それぞれ前後して接続される低域通
過フィルタの結合線路間に長さが通過周波数の波長に比
べて短い少なくとも１つの第２の高インピーダンス線路
を直列に挿入して縦続接続し、多段フィルタを形成した
ことを特徴とする低域通過フィルタ。 - 【請求項５】 長さが通過周波数の波長の１／４より長
く１／２より短い範囲で電気長を大きくするよう設定し
た３つ以上の先端短絡スタブにより形成されると共に、
上記３つ以上の先端短絡スタブのそれぞれの短絡端が同
一方向を向くように略平行に配置された結合線路と、上
記先端短絡スタブの短絡端とは逆側の端部であってそれ
ぞれ隣在する端部間の少なくとも一つの端部間に接続さ
れ、長さが通過周波数の波長に比べて短い高インピーダ
ンス線路とを備えた低域通過フィルタ。 - 【請求項６】 トリプレート線路により形成したことを
特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通
過フィルタ。 - 【請求項７】 マイクロストリップ線路により形成した
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の
低域通過フィルタ。 - 【請求項８】 コプレーナ線路により形成したことを特
徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の低域通過
フィルタ。 - 【請求項９】 第２の誘電体層を挟んで配置される第１
の誘電体層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有し、
上記第１の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導体が
形成され、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が形成
された多層高周波回路により構成され、かつ、先端開放
スタブまたは先端短絡スタブの中心導体を形成するスト
リップ導体と高インピーダンス線路の中心導体を形成す
るストリップ導体、または、先端開放スタブの中心導体
を形成するストリップ導体と第１の高インピーダンス線
路または第２の高インピーダンス線路の中心導体を形成
するストリップ導体を上記第２の誘電体層の表面と裏面
に分けて形成したことを特徴とする請求項１〜５のいず
れか１項に記載の低域通過フィルタ。 - 【請求項１０】 第２の誘電体層を挟んで配置される第
１の誘電体層、第２の誘電体層、第３の誘電体層を有
し、上記第１の誘電体層と第３の誘電体層の外面に地導
体が形成され、上記第２の誘電体層の表裏に中心導体が
形成された多層高周波回路により構成され、結合線路を
構成する３つ以上の先端開放スタブであって、それぞれ
隣在する上記先端開放スタブの開放端とは逆側の端部間
に長さが通過周波数の波長に比べて短い高インピーダン
ス線路が接続された先端開放スタブ同士の中心導体を形
成するそれぞれのストリップ導体が、互いに対向する面
を有して上記第２の誘電体層の表裏に設けられ、かつ、
上記高インピーダンス線路の中心導体を形成するストリ
ップ導体が、上記先端開放スタブのそれぞれのストリッ
プ導体に接続されて上記第２の誘電体層の表裏に設けら
れると共に途中でスルーホールを介して接続されたこと
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の低域
通過フィルタ。 - 【請求項１１】 長さが通過周波数の波長の１／４より
短い範囲で電気長を大きくするよう設定した３つ以上の
先端開放スタブにより形成されると共に、上記３つ以上
の先端開放スタブのそれぞれの開放端が同一方向を向く
ように略平行に配置された結合線路の一対であって、そ
れぞれの結合線路の対になる先端開放スタブの開放端と
は逆側の端部同士が突き合わされて接続され、並列接続
された一対の結合線路と、上記先端開放スタブの開放端
とは逆側の端部であってそれぞれ隣在する端部間の少な
くとも一つの端部間に接続され、長さが通過周波数の波
長に比べて短い高インピーダンス線路とを備え、第２の
誘電体層を挟んで配置される第１の誘電体層、第２の誘
電体層、第３の誘電体層を有し、上記第１の誘電体層と
第３の誘電体層の外面に地導体が形成され、上記第２の
誘電体層の表裏面に中心導体が形成された多層高周波回
路により構成され、かつ、上記先端開放スタブの中心導
体を形成するそれぞれのストリップ導体が上記第２の誘
電体層の一方の面に形成されると共に、上記高インピー
ダンス線路の中心導体を形成するストリップ導体が上記
第２の誘電体層の他方の面に形成され、上記先端開放ス
タブの開放端とは逆側の端部と高インピーダンス線路の
接続が上記第２の誘電体層の表裏面に形成された中心導
体を形成するストリップ導体のスルーホールを介しての
接続によりされたことを特徴とする低域通過フィルタ。
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|---|---|---|---|
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