JP2001217500A - 半導体装置及び光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の半導体レーザ素子を有する半導体装置
において、半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくす
ると共に、半導体レーザ素子から発生する熱が他の半導
体レーザ素子に及ぶことを防止する。 【解決手段】 シリコン基板上に凹部を形成すると共
に、その凹部の中央付近に、斜面が（１１１）面、（１
−１１）面、（−１−１１）面、（−１１１）面からな
る四角錐台状の凸起を、シリコンプロセスを用いて形成
する。これらの斜面のうち（１１１）外面、（１１１）
内面を反射ミラー面とする。半導体レーザ素子をそれぞ
れ凹部の上に形成された小凸起の上に固定し、凸起の頂
面に光ディスクからの戻り光ビームＬ１’、Ｌ２’を受
光する受光素子を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理、光計
測、光通信等に用いられる半導体装置及び光ピックアッ
プ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、２つの光源を集積した半導体
装置として、光ピックアップ内に赤色半導体レーザ素子
及び赤外半導体レーザ素子を独立に配置するハイブリッ
ド集積と、同一基板上に赤色半導体レーザ構造及び赤外
半導体レーザ構造を集積するモノリシック集積とが知ら
れている。

【０００３】以下、これら２つの集積例について説明す
る。

【０００４】まず、従来の、２つの光源をモノリシック
に集積した半導体装置の概略について、図１４を参照し
ながら説明する。

【０００５】図１４に示すように、この半導体装置１に
おいては、フォトダイオードＩＣ２の上に、例えばＤＶ
Ｄ用の波長約６５０ｎｍのレーザ光Ｌ１１を出射する半
導体レーザ素子３と、例えばＣＤ用の波長約７８０ｎｍ
のレーザ光Ｌ１２を出射する半導体レーザ素子４と、複
数のセンサ素子５ａ〜５ｄを有するフォトディテクタ５
と、反射ミラーとして機能するマイクロプリズム６とが
集積化して設けられていると共に、マイクロプリズム６
の上側に、例えば光ディスクのような光記録媒体（図示
せず）からの戻り光ビームの０次光、＋１次光、−１次
光を分岐させてセンサ素子５ａ〜５ｄに入射させるため
のホログラムプレート７が設けられている（特開平１１
−１４９６５２号公報参照）。尚、半導体レーザ素子
３、４としては、同一のＬＯＰ８上に形成されたものが
知られている（日経エレクトロニクス １９９９年６月
２８日号 第２９ページ〜第３０ページ）。

【０００６】次に、従来の、２つの光源をハイブリッド
に集積した半導体装置の概略について、図１５を参照し
ながら説明する。

【０００７】図１５に示すように、この半導体装置９に
おいては、基板１０の上に、例えばＤＶＤ用の波長約６
５０ｎｍのレーザ光Ｌ１３を出射する半導体レーザ素子
１１と、例えばＣＤ用の波長約７８０ｎｍのレーザ光Ｌ
１４を出射する半導体レーザ素子１２と、複数のフォト
ディテクタ１３、１４と、反射ミラーとして機能するマ
イクロプリズム１５とが集積化して設けられていると共
に、マイクロプリズム１５の上側に、例えば光ディスク
のような光記録媒体（図示せず）からの戻り光ビームＬ
１３’、Ｌ１４’をフォトディテクタ１３、１４に入射
させるための光学素子（図示せず）が設けられている
（特開平９−１２０５６８号公報、特開平１０−６４１
０７号公報、特開平１１−３９６９３号公報、特開平１
１−１６１９９３号公報参照）。尚、半導体レーザ素子
１１、１２は、それぞれマウント１７、１８を介して基
板１０の上に載置されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の構
成には、以下のような問題があった。

【０００９】まず、従来の、２つの光源をモノリシック
に集積した半導体装置にあっては、半導体レーザ素子３
と半導体レーザ素子４とが、レーザの出射端面が同じ向
きに並ぶように並列に設けられているので、半導体レー
ザ素子３と半導体レーザ素子４との発光点間隔を１００
μｍ以下にすることが困難である。そのため、２つの半
導体レーザ素子３、４からそれぞれ出射される赤色レー
ザと赤外レーザが光学素子から受ける影響が異なること
となり、一方の半導体レーザ素子の動作特性が悪くなる
という問題があった。特に、半導体レーザ素子３と半導
体レーザ素子４を近接させて配置した状態で、半導体レ
ーザ素子３、４のどちらか一方に３０ｍＷ以上の高出力
動作を行わせると、一方の半導体レーザ素子において発
生する熱が他方の半導体レーザ素子に及んで半導体レー
ザ素子の特性劣化を招くという問題があった。

【００１０】また、従来の、２つの光源をハイブリッド
に集積した半導体装置にあっては、マイクロプリズム１
５が半導体レーザ素子１１と半導体レーザ素子１２との
間に配置された構成となっているので、マイクロプリズ
ム１５が所定の位置からずれて配置された場合には、半
導体レーザ素子１１、１２からそれぞれ出射されるレー
ザ光Ｌ１３、Ｌ１４の光路がずれてしまう。そして、そ
の分だけ半導体レーザ素子１１と半導体レーザ素子１２
との間の見かけ上の発光点間隔（以下『発光点間隔』と
いうときには『見かけ上の発光点間隔』を含むものとす
る）がばらついてしまい、発光点間隔を小さくすること
が困難であるという問題があった。

【００１１】さらに、上記従来の半導体装置にあって
は、例えばＬＯＰ８のようなマウントを介して半導体レ
ーザ素子を載置するようにされているので、マウントの
厚さのばらつき分だけ発光点間隔がばらついてしまい、
発光点間隔を小さくすることが困難であるという問題が
あった。

【００１２】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、複数の半導体レーザ
素子間の発光点間隔を小さくすることができると共に、
半導体レーザ素子に高出力動作を行わせた場合に発生す
る熱が他の半導体レーザ素子に及ぶことを防止すること
のできる半導体装置及び光ピックアップ装置を提供する
ことを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の構成は、基板と、前記基
板上に前記基板を加工して形成され、複数の側面を有す
る凸起と、前記基板上に設けられた複数の半導体レーザ
素子とを備え、前記複数の半導体レーザ素子が、それぞ
れの端面を前記凸起のそれぞれ異なる側面に対向させて
配置されたことを特徴とする。この半導体装置の構成に
よれば、基板上に複数の側面を有する凸起が形成されて
いるので、マイクロプリズムが不要となる。また、複数
の半導体レーザ素子を一直線上に配置することができる
ので、複数の半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さく
することができる。また、複数の半導体レーザ素子が、
それぞれの端面を前記凸起のそれぞれ異なる側面に対向
させて配置されているので、半導体レーザ素子に高出力
動作を行わせた場合に発生する熱が他の半導体レーザ素
子に及ぶことを防止することができる。その結果、半導
体レーザ素子の特性劣化を防止することができる。

【００１４】また、前記本発明の半導体装置の構成にお
いては、前記凸起が角錐台状に形成され、その頂面に受
光素子が設けられているのが好ましい。この好ましい例
によれば、受光素子を一カ所に配置させることができる
ので、半導体装置の小型化を図ることができる。

【００１５】また、前記本発明の半導体装置の構成にお
いては、前記基板上に前記基板を加工して形成された複
数の小凸起をさらに備え、それぞれの前記小凸起に半導
体レーザ素子が載置されているのが好ましい。この好ま
しい例によれば、特に半導体レーザ素子をｐサイドダウ
ン実装した場合に、半導体レーザ素子の端面から出射さ
れるレーザビームの一部が基板の表面に遮られるのを防
止することができる。

【００１６】また、前記本発明の半導体装置の構成にお
いては、前記半導体レーザ素子と前記凸起の側面との間
の前記基板上に溝が形成されているのが好ましい。この
好ましい例によれば、半導体レーザ素子の端面から出射
されるレーザビームの一部が基板の表面に遮られるのを
防止することができる。

【００１７】また、前記本発明の半導体装置の構成にお
いては、前記凸起が前記基板の主面に対して４０°以上
５０°以下の角度をなす４つの側面を有し、かつ、前記
半導体レーザ素子が、主ビームの出射端面を前記凸起の
側面に対向させて配置されているのが好ましい。この好
ましい例によれば、半導体レーザ素子から出射される主
ビームを凸起の側面で反射させて、基板に対して垂直な
方向へ導くことができる。

【００１８】また、前記本発明の半導体装置の構成にお
いては、前記基板がシリコン基板であり、前記基板の主
面が〈１−１０〉方向に５゜以上１５゜以下の範囲で傾
斜した（１００）面であり、前記凸起の側面のうち前記
半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対向する面が
（１１１）面であるのが好ましい。ここで、〈１−１
０〉方向は、下記（数１）によって表記される方向を意
味するものとする。

【００１９】

【数１】

【００２０】この好ましい例によれば、凸起の側面に対
する半導体レーザ素子の主ビームの入射角度を４５゜に
近づけることができる。

【００２１】また、前記本発明の半導体装置の構成にお
いては、前記基板がシリコン基板であり、前記基板の主
面が〈１−１０〉方向に１゜以上１１゜以下の範囲で傾
斜した（５１１）面であり、前記凸起の側面のうち前記
半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対向する面が
（１１１）面であるのが好ましい。この好ましい例によ
れば、凸起の側面に対する半導体レーザ素子の主ビーム
の入射角度を４５゜に近づけることができる。

【００２２】また、前記本発明の半導体装置の構成にお
いては、前記基板上に前記基板を加工して形成され、複
数の側面を有する凹部をさらに備え、前記凸起及び複数
の半導体レーザ素子が前記凹部内に設けられているのが
好ましい。また、この場合には、前記複数の半導体レー
ザ素子が、前記凸起の側面に対向する端面と反対側のそ
れぞれの端面を前記凹部のそれぞれ異なる側面に対向さ
せて配置されているのが好ましい。この場合にはさら
に、前記半導体レーザ素子の一方の端面からは主ビーム
が出射されると共に、他方の端面からはモニタ光ビーム
が出射され、前記モニタ光ビームの出射端面に対向する
前記凸起の側面又は前記凹部の側面に、前記モニタ光ビ
ームを受光するモニタ用受光素子が設けられているのが
好ましい。この好ましい例によれば、半導体レーザ素子
から出射される主ビームの出力を制御することができ
る。また、この場合には、前記凹部の外周に受光素子が
設けられているのが好ましい。この好ましい例によれ
ば、複数の受光素子を配置することができるので、半導
体装置の受光感度を向上させることができる。この場合
にはさらに、前記受光素子が、複数に分割された受光領
域を有するのが好ましい。この好ましい例によれば、複
数の分割された受光領域における信号を演算することに
より、精度の高いトラッキング誤差検出を行うことがで
きる。さらに、この場合には、前記受光素子の分割され
た方向が、前記半導体レーザ素子の端面に平行な方向で
あるのが好ましい。この好ましい例によれば、半導体レ
ーザ素子を所定の位置からずれた位置に配置した場合に
おいても、受光素子に入射する戻り光ビームの量をほと
んど変化させないようにすることができる。また、この
場合には、前記半導体レーザ素子と前記凹部の側面との
間の前記基板上に溝が形成されているのが好ましい。ま
た、この場合には、前記基板がシリコン基板であり、前
記凹部の底面が〈１−１０〉方向に５゜以上１５゜以下
の範囲で傾斜した（１００）面であり、前記凹部の側面
のうち前記半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対
向する面が（１１１）面であるのが好ましい。また、こ
の場合には、前記基板がシリコン基板であり、前記凹部
の底面が〈１−１０〉方向に１゜以上１１゜以下の範囲
で傾斜した（５１１）面であり、前記凹部の側面のうち
前記半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対向する
面が（１１１）面であるのが好ましい。

【００２３】また、本発明に係る光ピックアップ装置の
第１の構成は、複数の半導体レーザ素子と複数の受光素
子と複数の反射面とが同一の基板に設けられ、かつ、前
記複数の半導体レーザ素子が、それぞれの端面を異なる
前記反射面に対向させて配置された半導体装置と、前記
半導体レーザ素子から出射されて光記録媒体へ向かう光
ビームの光軸上に配置されたホログラム素子とを備えた
ことを特徴とする。この光ピックアップ装置の第１の構
成によれば、半導体装置そのものを小型化することがで
きるので、光ピックアップ装置の小型化を図ることがで
きる。

【００２４】また、本発明に係る光ピックアップ装置の
第２の構成は、複数の半導体レーザ素子を有する半導体
装置と、前記半導体レーザ素子から出射されて光記録媒
体へ向かう光ビームの光軸上に配置されたホログラム素
子とを備えた光ピックアップ装置であって、前記半導体
装置として前記本発明の半導体装置が用いられることを
特徴とする。

【００２５】また、前記本発明の光ピックアップ装置の
第１又は第２の構成においては、前記ホログラム素子が
複数の回折格子を有するのが好ましい。この好ましい例
によれば、複数の半導体レーザ素子のそれぞれに由来す
る光記録媒体からの戻り光を複数の受光素子のそれぞれ
に入射させることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。

【００２７】尚、参照する図はあくまでも模式的な図で
あり、実際の縮尺を表すものではない。

【００２８】［第１の実施の形態］図１は本発明の第１
の実施の形態における半導体装置を示す斜視図、図２は
図１に示す半導体装置の、半導体レーザ素子１０２、１
０３を含んでシリコン基板１０４の主面に垂直な平面で
切断した断面図である。

【００２９】図１、図２に示すように、本実施の形態の
半導体装置１０１においては、基板として、９．７°の
オフアングルを有する（１００）面（以下『（１００）
９．７°オフ面』という）を主面としたシリコン基板１
０４が用いられている。

【００３０】シリコン基板１０４の主面には、シリコン
プロセスを用いて深さ２００μｍの凹部１０５が形成さ
れている。凹部１０５は、一辺の長さが１．５ｍｍの正
方形状の底面と、前記底面を取り囲むように設けられた
４つの斜面とにより構成されている。凹部１０５を構成
する底面は（１００）９．７°オフ面からなり、底面を
形成する４つの辺は〈１１０〉方向又は〈１−１０〉方
向に平行となっている。また、凹部１０５を構成する４
つの斜面（以下これらの斜面を『外側面』という）は、
（１１１）面、（１−１１）面、（−１−１１）面及び
（−１１１）面（以下これらの面を『（１１１）外
面』、『（１−１１）外面』等という）からなる。ここ
で、（１−１１）面は、下記（数２）によって表記され
る面を意味するものとする。尚、（−１−１１）面、
（−１１１）面等についても同様である。

【００３１】

【数２】

【００３２】凹部１０５の中央付近には、シリコンプロ
セスを用いて高さ２００μｍの四角錐台状の凸起１０６
が形成されている。凸起１０６は、正方形状の底面と、
４つの斜面と、頂面とにより構成されている。凸起１０
６を構成する底面を形成する４つの辺は〈１１０〉方向
又は〈１−１０〉方向に平行となっている。また、凸起
１０６を構成する４つの斜面（以下これらの斜面を『内
側面』という）は、（１１１）面、（１−１１）面、
（−１−１１）面及び（−１１１）面（以下これらの面
を『（１１１）内面』、『（１−１１）内面』等とい
う）からなる。凸起１０６を構成する頂面は、（１０
０）９．７°オフ面からなり、頂面を形成する一辺の長
さは５０μｍである。

【００３３】上記外側面及び内側面のうち（１１１）外
面及び（１１１）内面は、反射ミラー面１０７、１０８
となっている。ここで、凹部１０５及び凸起１０６はシ
リコンプロセスを用いて形成されているため、反射ミラ
ー面１０７、１０８を１μｍ以下の精度で作製すること
ができる。このことは、下記第２及び第３の実施の形態
においても同様である。シリコンプロセスを用いて凹部
１０５の上に形成された小凸起１１２、１１３の上に
は、それぞれ半導体レーザ素子１０２、１０３が固定さ
れている。半導体レーザ素子１０２、１０３は、その前
方端面が〈１１０〉方向に平行となり、かつ、それぞれ
反射ミラー面１０７、１０８に対向するように配置され
ている。また、凸起１０６の頂面には、光ディスクから
の戻り光ビームＬ１’、Ｌ２’を受光するための受光素
子１０９が設けられており、（−１−１１）内面と（−
１−１１）外面には、それぞれモニタ用受光素子１１
０、１１１が設けられている。モニタ用受光素子１１
０、１１１は、それぞれ半導体レーザ素子１０２、１０
３の後方端面から出射されるモニタ光ビームＬ１”、Ｌ
２”の出力をモニタして、半導体レーザ素子１０２、１
０３の前方端面から出射される主ビームの出力を調整す
るためのものである。尚、小凸起１１２、１１３は、凸
起１０６と相似な形状を有しており、高さはそれぞれ５
０μｍである。

【００３４】図２に示すように、半導体レーザ素子１０
２、１０３は、結晶成長面側（発光部側）が下側となる
ように、半田材（図示せず）によって固定されている。
尚、２つの半導体レーザ素子１０２、１０３は、それぞ
れのビーム出射点が一直線上に並ぶように配置されてい
る。

【００３５】半導体装置の上記構成において、（１１
１）外面及び（１１１）内面は、凹部１０５の底面に対
して４５゜の角度をもって傾斜している。このような凹
部１０５、凸起１０６、小凸起１１２、１１３は、シリ
コン基板１０１に酸化膜エッチングマスクを形成し、水
酸化カリウム水溶液やエチレンジアミン等の異方性エッ
チングを実現する溶液を用いてエッチングすることによ
り、容易に形成することができる。

【００３６】反射ミラー面１０７、１０８の表面には、
厚さ３００〜５００ｎｍの金の膜（図示せず）が形成さ
れており、反射ミラー面１０７、１０８の反射率は９０
％以上になっている。この構成により、半導体レーザ素
子１０２、１０３の前方端面から水平方向に出射された
主ビームＬ１、Ｌ２は、それぞれ反射ミラー面１０７、
１０８で反射されてシリコン基板１０４の主面に対して
垂直あるいは垂直方向に近い方向にある光ディスク（図
示せず）の方向へ進み、光ディスクで反射される。

【００３７】本実施の形態によれば、２つの半導体レー
ザ素子１０２、１０３を一直線上に配置することができ
るので、半導体レーザ素子１０２と半導体レーザ素子１
０３との間の発光点間隔を小さくすることができる。ま
た、２つの半導体レーザ素子１０２、１０３が凸起１０
６を挟んでシリコン基板１０４上の別々の場所に形成さ
れているので、一方の半導体レーザ素子に３０Ｗ以上の
高出力動作をさせた場合に発生する熱が他方の半導体レ
ーザ素子に及びにくくなる。その結果、半導体レーザ素
子の特性劣化が防止される。

【００３８】特に、凹部１０５の側面に対する半導体レ
ーザ素子１０２及び凸起１０６の側面に対する半導体レ
ーザ素子１０３の、それぞれの主ビームＬ１、Ｌ２の入
射角度を４５度に近づけることができる。

【００３９】また、特に、半導体レーザ素子１０２、１
０３がそれぞれ小凸起１１２、１１３の上に固定されて
いるが、このようにすることにより、特に半導体レーザ
素子１０２、１０３をｐサイドダウン実装した場合、す
なわち、半導体レーザ素子１０２、１０３のｐ側電極が
例えば小凸起１１２、１１３に面するように半導体レー
ザ素子１０２、１０３を載置した場合に、半導体レーザ
素子１０２、１０３の前方端面から出射される主ビーム
の一部が凹部１０５の底面に遮られるのを防止すること
ができる。

【００４０】本実施の形態で用いられる半導体レーザ１
０２、１０３の例としては、波長７８０ｎｍのＡｌＧａ
Ａｓ系レーザ、波長６５０ｎｍのＡｌＧａＩｎＰ系レー
ザ又は波長４２０ｎｍのＧａＮ系レーザを挙げることが
できる。そして、これらのうちのどれか２つを用いるこ
とにより、２波長型の半導体レーザ装置を得ることがで
きる。また、例えば波長６５０ｎｍの、ＡｌＧａＩｎＰ
系高出力レーザとＡｌＧａＩｎＰ系自励発振レーザとい
うような、同一波長の２つの半導体レーザを用いてもよ
い。

【００４１】２つの半導体レーザ素子１０２、１０３を
一直線上に配置することによって半導体レーザ素子１０
２と半導体レーザ素子１０３との間の発光点間隔、すな
わち見かけ上の発光点間隔を小さくすることができるこ
とについて、図３を参照しながら説明する。尚、図３に
おいて、半導体装置１０１は図１に示すものと同一のも
のであり、それが筐体１１５内に載置され、カバーガラ
ス１１６によって封止されている。さらに、カバーガラ
ス１１６の上にホログラム素子１１４が載置されてい
る。

【００４２】図３に示すように、半導体レーザ素子１０
２、１０３からそれぞれ水平方向に出射された主ビーム
Ｌ１、Ｌ２は、それぞれ反射ミラー面１０７、１０８で
反射されて、垂直方向あるいは垂直方向に近い方向へ進
む。このとき、半導体レーザ素子１０２、１０３のそれ
ぞれから出射されるレーザ光の反射ミラー面１０７、１
０８のそれぞれに入射する角度を適当に選べば、例えば
ホログラム素子１１４においてこれら２本の主ビームＬ
１、Ｌ２が一点で交わるように、すなわち、ホログラム
素子１１４において半導体レーザ素子１０２と半導体レ
ーザ素子１０３との間の発光点間隔がゼロとなるように
することができる。

【００４３】次に、半導体レーザ装置としての上記半導
体装置１０１を用いて構成される光ピックアップ装置に
ついて、図４を参照しながら説明する。

【００４４】図４に示すように、この光ピックアップ装
置においては、半導体装置１０１から出射される主ビー
ムＬ１、Ｌ２上にホログラム素子１１４とコリメータレ
ンズ１１７とが順に配置されている。ホログラム素子１
１４とコリメータレンズ１１７とは、光ディスク１１８
上に主ビームＬ１、Ｌ２が焦点を結ぶように配置されて
いる。そして、光ディスク１１８からの戻り光ビームが
コリメータレンズ１１７、ホログラム素子１１４を順に
通過して、再び半導体装置１０１に入射し、受光素子１
０９（図１、図２参照）によって光ディスク１１８の情
報として検出される。

【００４５】この光ピックアップ装置の構成において
は、複数の半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくす
ることのできる半導体装置１０１を用いているので、レ
ンズ等の光学系をより単純化することができる。その結
果、安価な光ピックアップ装置を実現することができ
る。

【００４６】尚、本実施の形態においては、凸起１０６
の頂面に光ディスクからの戻り光ビームを受光するため
の受光素子１０９が設けられているが、必ずしもこの構
成に限定されるものではない。例えば、図５に示すよう
に、受光素子１０９をシリコン基板１０４の凹部１０５
の外周に設けてもよい。

【００４７】また、本実施の形態においては、半導体レ
ーザ素子１０２、１０３を、結晶成長面側（発光部側）
が下側となるように固定しているが、結晶成長面側（発
光部側）が上側となるように固定してもよい。しかし、
半導体レーザ素子１０２、１０３を、結晶成長面側（発
光部側）が上側となるように固定すると、半導体レーザ
素子１０２、１０３自身の厚さのばらつきが２０μｍと
大きくなって、発光点位置のばらつきがその分だけ大き
くなるので、半導体レーザ素子１０２、１０３を、結晶
成長面側が下側となるように固定するのが望ましい。半
導体レーザ素子１０２、１０３を、結晶成長面側が下側
となるように固定すれば、発光点位置のばらつき、すな
わち発光点間隔が半導体レーザ素子１０２、１０３の結
晶成長膜のばらつき（２μｍ程度）に抑えられて、より
効果的である。また、この場合、小凸起１１２、１１３
の代わりに半導体レーザ素子１０２、１０３の前方端面
と反射ミラー面１０７、１０８との間に溝を形成すれ
ば、半導体レーザ素子１０２、１０３の前方端面から出
射される主ビームの一部が凹部１０５の底面に遮られる
のを防止することができる。このことは、下記第２及び
第３の実施の形態においても同様である。

【００４８】また、本実施の形態においては、シリコン
基板１０４の主面として、〈１−１０〉方向を軸として
９．７°のオフアングルを有する（１００）面が用いら
れているが、５〜１５°のオフアングルを有する（１０
０）面であれば、反射ミラー面１０７、１０８のシリコ
ン基板１０４の表面に対する傾きを４０゜≦θ≦５０゜
の範囲に抑えることができ、傾きがほぼ４５°の反射ミ
ラー面１０７、１０８が得られるので、同様の効果が得
られる。また、シリコン基板１０４と等価なシリコン基
板として、〈１−１０〉方向を軸として１〜１１°のオ
フアングルを有する（５１１）面を主面とする基板や、
その他の結晶面から適当なオフアングルを設定した等価
な基板を用いることにより、同様の効果が得られる。こ
のことは、下記第２及び第３の実施の形態においても同
様である。

【００４９】［第２の実施の形態］図６は本発明の第２
の実施の形態における半導体装置を示す斜視図である。

【００５０】図６に示すように、本実施の形態の半導体
装置２０１においては、シリコン基板２０６の主面であ
る（１００）９．７°オフ面の上に、上記第１の実施の
形態と同様の寸法を有する凹部２０７と凸起２０８が形
成されている。

【００５１】凸起２０８を構成する（１１１）内面、及
び（１００）９．７°オフ面に対して４５°の角度をな
す３つの面（以下これらの面を凸起２０８の上方からみ
て反時計回りに『α内面』、『β内面』、『γ内面』と
いう）が、反射ミラー面２０９、２１０、２１１、２１
２となっている。凹部２０７の上に形成された小凸起２
１８、２１９、２２０、２２１の上には、それぞれ半導
体レーザ素子２０２、２０３、２０４、２０５が固定さ
れている。半導体レーザ素子２０２、２０３、２０４、
２０５は、その前方端面が凸起２０８の底面を形成する
４つの辺のそれぞれに平行となり、かつ、それぞれ反射
ミラー面２０９、２１０、２１１、２１２に対向するよ
うに配置されている。凸起２０８の頂面には、光ディス
クからの戻り光ビームＬ３’、Ｌ４’、Ｌ５’、Ｌ６’
を受光する受光素子２１３が設けられており、凹部２０
７を構成する（１１１）外面、及び（１００）９．７°
オフ面に対して４５°の角度をなす３つの面（以下これ
らの面を凹部２０７の上方からみて反時計回りに『α外
面』、『β外面』、『γ外面』という）には、それぞれ
モニタ用受光素子２１４、２１５、２１６、２１７が設
けられている。モニタ用受光素子２１４、２１５、２１
６、２１７は、それぞれ半導体レーザ素子２０２、２０
３、２０４、２０５の後方端面から出射されるモニタ光
ビームＬ３”、Ｌ４”、Ｌ５”、Ｌ６”の出力をモニタ
して、半導体レーザ素子２０２、２０３、２０４、２０
５の前方端面から出射される主ビームの出力を調整する
ためのものである。

【００５２】尚、凸起２０８や小凸起２１８、２１９、
２２０、２２１は、例えば図７に示すように、シリコン
基板２０６の上にマスク２２２を形成し、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を施すこ
とによって形成することができる。また、小凸起２１
８、２１９、２２０、２２１は、凸起２０８と相似な形
状を有しており、高さはそれぞれ５０μｍである。

【００５３】半導体レーザ素子２０２、２０３、２０
４、２０５は、結晶成長面側（発光部側）が下側になる
ように、半田材（図示せず）によって固定されている。

【００５４】反射ミラー面２０９、２１０、２１１、２
１２の表面には、上記第１の実施の形態１と同様に、厚
さ３００〜５００ｎｍの金の膜（図示せず）が形成され
ており、反射ミラー面２０９、２１０、２１１、２１２
の反射率は９０％以上になっている。この構成により、
半導体レーザ素子２０２、２０３、２０４、２０５の前
方端面から水平方向に出射された主ビームＬ３、Ｌ４、
Ｌ５、Ｌ６は、それぞれ反射ミラー面２０９、２１０、
２１１、２１２で反射されてシリコン基板２０６の主面
に対して垂直あるいは垂直に近い方向にある光ディスク
（図示せず）の方向へ進み、光ディスクで反射される。
そして、光ディスクからの戻り光ビームＬ３’、Ｌ
４’、Ｌ５’、Ｌ６’が受光素子２１３へ入射して、信
号として取り出される。

【００５５】本実施の形態によれば、半導体レーザ素子
２０２と半導体レーザ素子２０４とを一直線上に配置す
ることができ、かつ、半導体レーザ素子２０３と半導体
レーザ素子２０５とを一直線上に配置することができる
ので、複数の半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さく
することができる。

【００５６】特に、凸起２０８の側面に対する半導体レ
ーザ素子２０２、２０３、２０４、２０５の、それぞれ
の主ビームＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６の入射角度を４５度
に近づけることができる。

【００５７】また、受光素子２１３を凸起２０８の頂面
に設けるようにしたことにより、半導体レーザ素子２０
２、２０３、２０４、２０５と受光素子２１３とが配置
されるシリコン基板２０４の領域をより狭くすることが
できるので、光ピックアップ装置の小型化を図ることが
できる。

【００５８】本実施の形態で用いられる半導体レーザ素
子２０２、２０３、２０４、２０５の例としては、波長
７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系レーザ、波長６５０ｎｍの
ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ又は波長４２０ｎｍのＧａＮ系
レーザを挙げることができる。そして、これらを組み合
わせて用いることにより、多波長型の半導体レーザ装置
を得ることができる。また、例えば波長６５０ｎｍの、
ＡｌＧａＩｎＰ系高出力レーザとＡｌＧａＩｎＰ系自励
発振レーザというような、同一波長の半導体レーザを用
いてもよい。

【００５９】下記（表１）に、半導体レーザ素子２０
２、２０３、２０４、２０５の具体的な組み合わせと、
読み取り又は書き込み可能な光ディスクとの関係を示
す。

【００６０】

【表１】

【００６１】半導体レーザ装置としての半導体装置２０
１を用いて構成される光ピックアップ装置は、上記第１
の実施の形態と同様である。すなわち、この光ピックア
ップ装置の構成においては、複数の半導体レーザ素子間
の発光点間隔を小さくすることのできる半導体レーザ装
置としての半導体装置２０１を用いているので、レンズ
等の光学系をより単純化することができる。その結果、
安価な光ピックアップ装置を実現することができる。

【００６２】［第３の実施の形態］図８は本発明の第３
の実施の形態における半導体装置を示す斜視図である。

【００６３】図８に示すように、本実施の形態の半導体
装置３０１においては、シリコン基板３０６の主面であ
る（１００）９．７°オフ面の上に、深さ２００μｍの
凹部３０７が形成されている。凹部３０７は、一辺の長
さが０．５ｍｍの十字形状の底面と、前記底面を取り囲
むように設けられた１２個の斜面とにより構成されてい
る。凹部３０７を構成する底面は（１００）９．７°オ
フ面からなり、底面を形成する１２個の辺は〈１１０〉
方向又は〈１−１０〉方向に平行となっている。また、
１２個の斜面（以下これらの斜面を『外側面』という）
は、（１１１）面、及び（１００）９．７°オフ面に対
して４５°の角度をなす３種類の面からなる。

【００６４】凹部３０７の中央付近には、高さ２００μ
ｍの四角錐台状の凸起３０８が形成されている。凸起３
０８は、正方形状の底面と、４つの斜面と、頂面とによ
り構成されている。底面を形成する４つの辺は〈１１
０〉方向又は〈１−１０〉方向に平行となっている。ま
た、凸起３０８を構成する４つの斜面は、（１１１）内
面及びα内面、β内面、γ内面からなる。凸起３０８を
構成する頂面は（１００）９．７°オフ面からなり、頂
面を形成する一辺の長さは５０μｍである。

【００６５】凸起３０８を構成する（１１１）内面及び
α内面、β内面、γ内面は反射ミラー面３０９、３１
０、３１１、３１２となっている。凹部３０７の上に形
成された小凸起３１８、３１９、３２０、３２１の上に
は、それぞれ半導体レーザ素子３０２、３０３、３０
４、３０５が固定されている。半導体レーザ素子３０
２、３０３、３０４、３０５は、その前方端面が凸起３
０８の４つの辺のそれぞれに平行となり、かつ、それぞ
れ反射ミラー面３０９、３１０、３１１、３１２に対向
するように配置されている。また、凹部３０７の外周に
は、光ディスクからの戻り光ビームＬ７’、Ｌ８’、Ｌ
９’、Ｌ１０’を受光するための受光素子３１３ａ〜３
１３ｄが設けられている。各受光素子３１３ａ〜３１３
ｄは、凸起３０８から各受光素子３１３ａ〜３１３ｄへ
向かう方向に細長く３分割された受光領域を有してい
る。このように受光素子３１３ａ〜３１３ｄを細長く３
分割することにより、３ビーム法によるトラッキング誤
差検出が可能となるので、精度の高いトラッキング検出
が可能となる。半導体レーザ素子３０２、３０３、３０
４、３０５の各々に対向する４つの外側面には、それぞ
れモニタ用受光素子３１４、３１５、３１６、３１７が
設けられている。モニタ用受光素子３１４、３１５、３
１６、３１７は、それぞれ半導体レーザ素子３０２、３
０３、３０４、３０５の後方端面から出射されるモニタ
光ビームＬ７”、Ｌ８”、Ｌ９”、Ｌ１０”の出力をモ
ニタして、半導体レーザ素子３０２、３０３、３０４、
３０５の前方端面から出射される主ビームの出力を調整
するためのものである。

【００６６】尚、凸起３０８や小凸起３１８、３１９、
３２０、３２１は、シリコン基板３０６の上にマスクを
形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive I
on Etching）を施すことによって形成することができ
る。また、小凸起３１８、３１９、３２０、３２１は、
凸起３０８と相似な形状を有しており、高さはそれぞれ
５０μｍである。

【００６７】半導体レーザ素子３０２、３０３、３０
４、３０５は、結晶成長面側（発光部側）が下側になる
ように、半田材（図示せず）によって固定されている。

【００６８】反射ミラー面３０９、３１０、３１１、３
１２の表面には、上記第１の実施の形態と同様に、厚さ
３００〜５００ｎｍの金の膜（図示せず）が形成されて
おり、反射ミラー面３０９、３１０、３１１、３１２の
反射率は９０％以上になっている。この構成により、半
導体レーザ素子３０２、３０３、３０４、３０５の前方
端面から水平方向に出射された主ビームＬ７、Ｌ８、Ｌ
９、Ｌ１０は、それぞれ反射ミラー面３０９、３１０、
３１１、３１２で反射されてシリコン基板３０６の主面
に対して垂直あるいは垂直に近い方向にある光ディスク
（図示せず）の方向へ進み、光ディスクで反射される。
そして、光ディスクからの戻り光ビームＬ７’、Ｌ
８’、Ｌ９’、Ｌ１０’がそれぞれ受光素子３１３ａ〜
３１３ｄへ入射して、信号として取り出される。

【００６９】本実施の形態によれば、半導体レーザ素子
３０２と半導体レーザ素子３０４とを一直線上に配置す
ることができ、かつ、半導体レーザ素子３０３と半導体
レーザ素子３０５とを一直線上に配置することができる
ので、複数の半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さく
することができる。

【００７０】特に、凸起３０８の側面に対する半導体レ
ーザ素子３０２、３０３、３０４、３０５の、それぞれ
の主ビームＬ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０の入射角度を４５
度に近づけることができる。

【００７１】本実施の形態で用いられる半導体レーザ素
子３０２、３０３、３０４、３０５の例としては、波長
７８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系レーザ、波長６５０ｎｍの
ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ又は波長４２０ｎｍのＧａＮ系
レーザを挙げることができる。そして、これらを組み合
わせて用いることにより、多波長型の半導体レーザ装置
を得ることができる。また、例えば波長６５０ｎｍの、
ＡｌＧａＩｎＰ系高出力レーザとＡｌＧａＩｎＰ系自励
発振レーザ、波長７８０ｎｍの、ＡｌＧａＡｓ系高出力
レーザとＡｌＧａＡｓ系自励発振レーザというような、
２種類の波長のものを２つずつ用いてもよい。

【００７２】下記（表２）に、半導体レーザ素子３０
２、３０３、３０４、３０５の具体的な組み合わせと、
読み取り又は書き込み可能な光ディスクとの関係を示
す。

【００７３】

【表２】

【００７４】次に、半導体レーザ装置としての上記半導
体装置３０１を用いて構成される光ピックアップ装置に
ついて、図９を参照しながら説明する。この光ピックア
ップ装置の基本的な構成は、上記第１の実施の形態と同
様である。

【００７５】図８、図９に示すように、この光ピックア
ップ装置においては、半導体装置３０１から出射される
主ビームＬ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０、上にホログラム素
子３２４とコリメータレンズ３２５とが順に配置されて
いる。ホログラム素子３２４とコリメータレンズ３２５
とは、光ディスク３２６上に主ビームＬ７、Ｌ８、Ｌ
９、Ｌ１０が焦点を結ぶように配置されている。半導体
装置３０１は、筐体３２２内に載置され、カバーガラス
３２３によって封止されている。ホログラム素子３２４
は、カバーガラス３２３の上に載置されている。そし
て、光ディスク３２６からの戻り光ビームがコリメータ
レンズ３２５、ホログラム素子３２４を順に通過して、
再び半導体装置３０１に入射し、受光素子３１３ａ〜３
１３ｄによって光ディスク３２６の情報として検出され
る。

【００７６】図１０Ａに示すように、ホログラム素子３
２４には、半導体装置３０１に面する側に主ビームＬ
７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０のそれぞれを０次、＋１次及び
−１次の回折光に分離するための回折格子３２７が設け
られている。また、図１０Ｂに示すように、ホログラム
素子３２４には、光ディスク３２６に面する側に戻り光
ビームＬ７’、Ｌ８’、Ｌ９’、Ｌ１０’のそれぞれを
受光素子３１３ａ〜３１３ｄのそれぞれに導くための回
折格子３２８が設けられている。

【００７７】この光ピックアップ装置の構成において
は、複数の半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくす
ることのできる半導体装置３０１を用いているので、レ
ンズ等の光学系をより単純化することができる。その結
果、安価な光ピックアップ装置を実現することができ
る。

【００７８】尚、本実施の形態においては、各受光素子
３１３ａ〜３１３ｄが、凸起３０８から各受光素子３１
３ａ〜３１３ｄへ向かう方向に細長く３分割された受光
領域を有するように構成されているが、必ずしもこの構
成に限定されるものではない。例えば、図１１に示すよ
うに、受光素子３１３ａ〜３１３ｄのそれぞれを、その
分割された方向が半導体レーザ素子３０２、３０３、３
０４、３０５のそれぞれの端面に沿うか又はそれぞれの
端面に平行となるように配置してもよい。このように構
成すれば、半導体レーザ素子３０２、３０３、３０４、
３０５が載置される位置がずれた場合であっても、光デ
ィスクからの戻り光ビームＬ７’、Ｌ８’、Ｌ９’、Ｌ
１０’が受光素子３１３ａ〜３１３ｄの分割された方向
にずれるだけですむので、受光素子３１３ａ〜３１３ｄ
のそれぞれに入射する戻り光ビームＬ７’、Ｌ８’、Ｌ
９’、Ｌ１０’の量がほとんど変化することはない。す
なわち、図１１に示すように受光素子３１３ａ〜３１３
ｄを配列することにより、光ピックアップ装置の組立精
度に対する要求を緩和することができるので、光ピック
アップ装置の組立歩留まりを向上させることができる。

【００７９】また、上記第１〜第３の実施の形態におい
ては、シリコン基板として（１００）９．７°オフ面を
主面としたものが用いられているが、必ずしもこの構成
に限定されるものではない。特に反応性イオンエッチン
グを施して凹部、凸起及び小凸起を設ける場合に、（１
００）ジャスト面を主面としたシリコン基板を代わりに
用いても、同様の効果が得られる。尚、この反応性イオ
ンエッチングを施す際に、シリコン基板の上にマスクと
して形成するレジストの厚さを、図１２Ａ、図１３Ａに
示すように面内において変化させれば、図１２Ｂ、図１
３Ｂに示すように反射ミラー面の角度を変化させること
ができる。これにより、反射ミラー面の角度を設計どお
りに調節することが可能となる。

【００８０】また、上記第１〜第３の実施の形態におい
ては、凸起として四角錐台状のものが用いられている
が、凸起の形状としては必ずしもこれに限定されるもの
ではない。例えば、凸起として三角錐台や六角錐台等の
形状のものを用い、凸起を構成するそれぞれの側面に対
向するように半導体レーザ素子を配置してもよい。特
に、上記第３の実施の形態においては、三角錐、四角
錐、六角錐等の、先の尖った凸起を用いてもよい。

【００８１】また、上記第１〜第３の実施の形態におい
ては、凹部を構成する底面の形状が正方形又は十字形で
ある場合を例に挙げて説明したが、必ずしもこの構成に
限定されるものではない。凹部を構成する底面の形状
は、例えば、長方形、六角形、八角形等であってもよ
い。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくするこ
とができると共に、半導体レーザ素子に高出力動作を行
わせた場合に発生する熱が他の半導体レーザ素子に及ぶ
ことを防止することができる。また、レンズ等の光学系
をより単純化して、安価な光ピックアップ装置を実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
を示す斜視図

【図２】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
を示す断面図

【図３】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
から出射される主ビームの様子を示す断面図

【図４】本発明の第１の実施の形態における光ピックア
ップ装置示す断面図

【図５】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の他の例を示す斜視図

【図６】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
を示す斜視図

【図７】本発明の第２の実施の形態において用いられる
反応性イオンエッチングの様子を示す断面図

【図８】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
を示す斜視図

【図９】本発明の第３の実施の形態における光ピックア
ップ装置を示す断面図

【図１０】Ａは本発明の第３の実施の形態における光ピ
ックアップ装置に用いるホログラム素子を半導体装置に
面する側から見た図、Ｂはそのホログラム素子を光ディ
スクに面する側から見た図

【図１１】本発明の第３の実施の形態における半導体装
置の他の例を示す斜視図

【図１２】本発明の実施の形態におけるシリコン基板に
対して反射ミラー面形成する工程を示す断面図

【図１３】本発明の実施の形態におけるシリコン基板に
対して反射ミラー面形成する工程の他の例を示す断面図

【図１４】従来技術における半導体装置を示す斜視図

【図１５】従来技術における半導体装置の他の例を示す
断面図

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１ 半導体装置 １０２、１０３、２０２、２０３、２０４、２０５、３
０２、３０３、３０４、３０５ 半導体レーザ素子 １０４、２０６、３０６ シリコン基板 １０５、２０７、３０７ 凹部 １０６、２０８、３０８ 凸起 １０７、１０８、２０９、２１０、２１１、２１２、３
０９、３１０、３１１、３１２ 反射ミラー面 １０９、２１３、３１３ａ、３１３ｂ、３１３ｃ、３１
３ｄ 受光素子 １１０、１１１、２１４、２１５、２１６、２１７、３
１４、３１５、３１６、３１７ モニタ用受光素子 １１２、１１３、２１８、２１９、２２０、２２１、３
１８、３１９、３２０、３２１ 小凸起 １１４、３２４ ホログラム素子 １１５、３２２ 筐体 １１６、３２３ カバーガラス １１７、３２５ コリメータレンズ １１８、３２６ 光ディスク ２２２ マスク ３２７、３２８ 回折格子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/40 Ｈ０１Ｓ 5/40

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、前記基板上に前記基板を加工し
   て形成され、複数の側面を有する凸起と、前記基板上に
   設けられた複数の半導体レーザ素子とを備え、前記複数
   の半導体レーザ素子が、それぞれの端面を前記凸起のそ
   れぞれ異なる側面に対向させて配置された半導体装置。
2. 【請求項２】 前記凸起が角錐台状に形成され、その頂
   面に受光素子が設けられた請求項１に記載の半導体装
   置。
3. 【請求項３】 前記基板上に前記基板を加工して形成さ
   れた複数の小凸起をさらに備え、それぞれの前記小凸起
   に半導体レーザ素子が載置された請求項１に記載の半導
   体装置。
4. 【請求項４】 前記半導体レーザ素子と前記凸起の側面
   との間の前記基板上に溝が形成された請求項１に記載の
   半導体装置。
5. 【請求項５】 前記凸起が前記基板の主面に対して４０
   °以上５０°以下の角度をなす４つの側面を有し、か
   つ、前記半導体レーザ素子が、主ビームの出射端面を前
   記凸起の側面に対向させて配置された請求項１に記載の
   半導体装置。
6. 【請求項６】 前記基板がシリコン基板であり、前記基
   板の主面が〈１−１０〉方向に５゜以上１５゜以下の範
   囲で傾斜した（１００）面であり、前記凸起の側面のう
   ち前記半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対向す
   る面が（１１１）面である請求項１に記載の半導体装
   置。
7. 【請求項７】 前記基板がシリコン基板であり、前記基
   板の主面が〈１−１０〉方向に１゜以上１１゜以下の範
   囲で傾斜した（５１１）面であり、前記凸起の側面のう
   ち前記半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対向す
   る面が（１１１）面である請求項１に記載の半導体装
   置。
8. 【請求項８】 前記基板上に前記基板を加工して形成さ
   れ、複数の側面を有する凹部をさらに備え、前記凸起及
   び複数の半導体レーザ素子が前記凹部内に設けられた請
   求項１に記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記複数の半導体レーザ素子が、前記凸
   起の側面に対向する端面と反対側のそれぞれの端面を前
   記凹部のそれぞれ異なる側面に対向させて配置された請
   求項８に記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記半導体レーザ素子の一方の端面か
    らは主ビームが出射されると共に、他方の端面からはモ
    ニタ光ビームが出射され、前記モニタ光ビームの出射端
    面に対向する前記凸起の側面又は前記凹部の側面に、前
    記モニタ光ビームを受光するモニタ用受光素子が設けら
    れた請求項９に記載の半導体装置。
11. 【請求項１１】 前記凹部の外周に受光素子が設けられ
    た請求項８に記載の半導体装置。
12. 【請求項１２】 前記受光素子が、複数に分割された受
    光領域を有する請求項１１に記載の半導体装置。
13. 【請求項１３】 前記受光素子の分割された方向が、前
    記半導体レーザ素子の端面に平行な方向である請求項１
    ２に記載の半導体装置。
14. 【請求項１４】 前記半導体レーザ素子と前記凹部の側
    面との間の前記基板上に溝が形成された請求項８に記載
    の半導体装置。
15. 【請求項１５】 前記基板がシリコン基板であり、前記
    凹部の底面が〈１−１０〉方向に５゜以上１５゜以下の
    範囲で傾斜した（１００）面であり、前記凹部の側面の
    うち前記半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対向
    する面が（１１１）面である請求項８に記載の半導体装
    置。
16. 【請求項１６】 前記基板がシリコン基板であり、前記
    凹部の底面が〈１−１０〉方向に１゜以上１１゜以下の
    範囲で傾斜した（５１１）面であり、前記凹部の側面の
    うち前記半導体レーザ素子の主ビームの出射端面に対向
    する面が（１１１）面である請求項８に記載の半導体装
    置。
17. 【請求項１７】 複数の半導体レーザ素子と複数の受光
    素子と複数の反射面とが同一の基板に設けられ、かつ、
    前記複数の半導体レーザ素子が、それぞれの端面を異な
    る前記反射面に対向させて配置された半導体装置と、前
    記半導体レーザ素子から出射されて光記録媒体へ向かう
    光ビームの光軸上に配置されたホログラム素子とを備え
    た光ピックアップ装置。
18. 【請求項１８】 複数の半導体レーザ素子を有する半導
    体装置と、前記半導体レーザ素子から出射されて光記録
    媒体へ向かう光ビームの光軸上に配置されたホログラム
    素子とを備えた光ピックアップ装置であって、前記半導
    体装置として請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体
    装置が用いられることを特徴とする光ピックアップ装
    置。
19. 【請求項１９】 前記ホログラム素子が複数の回折格子
    を有する請求項１７又は１８に記載の光ピックアップ装
    置。