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JP2001202064A - Digital / analog conversion method, conversion circuit, electro-optical device, and analog circuit manufacturing method - Google Patents

Digital / analog conversion method, conversion circuit, electro-optical device, and analog circuit manufacturing method

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Publication number
JP2001202064A
JP2001202064A JP2000009350A JP2000009350A JP2001202064A JP 2001202064 A JP2001202064 A JP 2001202064A JP 2000009350 A JP2000009350 A JP 2000009350A JP 2000009350 A JP2000009350 A JP 2000009350A JP 2001202064 A JP2001202064 A JP 2001202064A
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Japan
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voltage
signal
capacitor
digital
data line
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JP2000009350A
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Hideto Iizaka
英仁 飯坂
Tatsuya Shimoda
達也 下田
Shiro Takahashi
士良 高橋
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低消費電力で、高速動作が可能で、構成が簡
単で基板上などにも実現することのできるデジタル/ア
ナログ変換回路を提供する。 【解決手段】 充電期間に入力されるパルス電圧によっ
てコンデンサ2に電荷が蓄積され、保持期間におけるコ
ンデンサのアナログ電圧が出力電圧となる。デジタル信
号に基づいて入力パルスのパルス幅を制御することによ
り、そのパルス幅に応じた量の電荷が蓄積されるため、
出力電圧の電位はパルス幅に応じたものとなる。回路構
成上、直流電流が流れる経路がないこと、必要以上に電
荷を蓄積する必要がないことから少ない消費電力でD/
A変換が可能になる。また、回路構成が簡単であるこ
と、非線型素子は金属と絶縁体の積層などの簡便なプロ
セスでの形成可能であることにより、液晶表示装置の表
示パネル上などにも回路を形成することが可能である。
(57) [Problem] To provide a digital / analog conversion circuit which can operate at high speed with low power consumption, has a simple configuration, and can be realized on a substrate or the like. A charge is accumulated in a capacitor by a pulse voltage input during a charging period, and an analog voltage of the capacitor during a holding period becomes an output voltage. By controlling the pulse width of the input pulse based on the digital signal, an amount of charge corresponding to the pulse width is accumulated,
The potential of the output voltage depends on the pulse width. Due to the circuit configuration, there is no DC current path and there is no need to accumulate charges more than necessary.
A conversion becomes possible. In addition, since the circuit configuration is simple and the non-linear element can be formed by a simple process such as lamination of a metal and an insulator, a circuit can be formed on a display panel of a liquid crystal display device or the like. It is possible.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、入力電圧パルス
幅に応じたアナログ電圧を出力するデジタル/アナログ
変換回路に関する。特に、主として電気光学装置に用い
られ、デジタル制御された幅を持つ入力パルスを画素駆
動のためのアナログ電圧に変換するデジタル/アナログ
変換回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital / analog conversion circuit for outputting an analog voltage corresponding to an input voltage pulse width. In particular, the present invention relates to a digital / analog conversion circuit mainly used in an electro-optical device and converting an input pulse having a digitally controlled width into an analog voltage for driving pixels.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置などの小型化・薄型
化、高性能化、低価格化が進展し、様々な用途に普及し
ている。特に、バックライトなどの発光手段を必要とし
ない反射型液晶表示装置は消費電力が少ないため、携帯
型の情報機器あるいは通信機器などに特に適しており、
機器の充電や電池交換の頻度を少なくすることができる
というメリットがある。
2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and thinning of liquid crystal display devices and the like, high performance, and low price have been advanced, and they have become widespread for various uses. In particular, a reflective liquid crystal display device that does not require a light-emitting means such as a backlight consumes less power, and thus is particularly suitable for a portable information device or a communication device.
There is an advantage that the frequency of device charging and battery replacement can be reduced.

【0003】このような液晶表示装置において画素の中
間輝度を再現するための様々な方法が考案され、実用化
されている。このような階調表示を実現する方法のひと
つにD/A(デジタル/アナログ)変換を用いる方法が
ある。この方法においては、デジタル信号として入力さ
れた画像データを、D/A変換によってアナログ電圧に
変換し画素電極に印加する。画素電極と共通電極の間に
は、液晶が挟持されているが、この液晶は、所定の電圧
範囲においてはその印加電圧と光の透過率との間に相関
関係を示す物理特性を持っており、従って光を反射する
反射板と組み合わせることにより、入力信号に応じた画
素輝度を得るようになっている。
In such a liquid crystal display device, various methods for reproducing the intermediate luminance of the pixel have been devised and put to practical use. One of the methods for realizing such a gradation display is a method using D / A (digital / analog) conversion. In this method, image data input as a digital signal is converted into an analog voltage by D / A conversion and applied to a pixel electrode. Liquid crystal is sandwiched between the pixel electrode and the common electrode, and the liquid crystal has a physical property indicating a correlation between the applied voltage and light transmittance in a predetermined voltage range. Therefore, by combining with a reflector that reflects light, a pixel luminance corresponding to an input signal is obtained.

【0004】従来の技術では、上記のようなD/A変換
には、抵抗による電圧分割を用いる方式(R−DAC)
や、容量に貯えられる電荷により所定の電圧を得る方式
(C−DAC)がある。
In the prior art, the above D / A conversion uses a voltage division by a resistor (R-DAC).
Alternatively, there is a method (C-DAC) of obtaining a predetermined voltage by using charges stored in a capacitor.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したD/A変換素
子には、次のような問題点がある。まず第1に、 R−
DAC方式の場合には、抵抗を流れる電流により、電力
を消費してしまう点が挙げられる。従来、バックライト
などが組み込まれた表示装置においては、このD/A変
換素子による消費電力量は、相対的に小さいためにそれ
ほど問題とはならなかったが、前述の反射型表示装置の
ような低消費電力タイプが開発されるのに伴って、全体
に中で占めるD/A変換の消費電力比率が高まったた
め、この部分の電力量を抑えることが課題となってきて
いる。
The above-described D / A conversion element has the following problems. First, R-
In the case of the DAC system, there is a point that power is consumed by a current flowing through a resistor. Conventionally, in a display device incorporating a backlight or the like, the amount of power consumed by the D / A conversion element has not been a problem since it is relatively small. With the development of the low power consumption type, the power consumption ratio of the D / A conversion occupying the whole has increased, and it has been an issue to suppress the power amount in this part.

【0006】第2に、 C−DAC方式の容量場合に
は、消費電力はそれほど大きく問題にならないものの、
容量への充放電に時間を要するために、充分な高速動作
を得られないという問題がある。特に、画素数の多い高
精細表示や滑らかな動きを必要とする動画表示において
は、表示の書き換えサイクルにおけるタイミングがより
クリティカルになるため、この問題の影響が大きくな
る。
Secondly, in the case of the capacity of the C-DAC system, although the power consumption is not so large,
Since it takes time to charge and discharge the capacity, there is a problem that a sufficiently high-speed operation cannot be obtained. In particular, in the case of a high-definition display having a large number of pixels or a moving image display requiring a smooth movement, the timing in a display rewriting cycle becomes more critical, so that the influence of this problem is increased.

【0007】また第3に、TFT(薄膜トランジスタ)
などで液晶駆動用のドライバーを画素マトリクスを有す
る表示パネルに内蔵するような場合にも、これら従来の
D/A変換素子は占める面積が大きいため同パネル上に
実装することができず、表示パネル外に設けざるを得な
いという問題がある。もし、より簡単な構成によるD/
A変換回路を表示パネル上に作り込むことが可能となれ
ば、表示装置を非常にコンパクトに、また少ない部品点
数で構成できるようになるため、そのような技術が求め
られている。
Third, a TFT (thin film transistor)
In the case where a driver for driving a liquid crystal is built in a display panel having a pixel matrix, the conventional D / A conversion element occupies a large area and cannot be mounted on the panel. There is a problem that it has to be provided outside. If D /
If an A-conversion circuit can be formed on a display panel, the display device can be configured very compactly and with a small number of components. Therefore, such a technique is required.

【0008】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、低消費電力で動作し、十分に速い動作速度が得
られ、ガラス基板などをベースとした表示パネル上にも
実現することのできるデジタル/アナログ変換回路およ
びそれを用いた電気光学装置を提供することを目的とし
ている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is intended to operate on low power consumption, obtain a sufficiently high operation speed, and be realized on a display panel based on a glass substrate or the like. It is an object of the present invention to provide a digital / analog conversion circuit that can be used and an electro-optical device using the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、変換すべき複数ビットのデジタルデー
タを該デジタルデータに対応するパルス信号に変換し、
該パルス信号を非線形素子を介してコンデンサへ印加し
て該コンデンサを充電し、前記コンデンサの充電電圧を
変換後電圧として出力することを特徴とするデジタル/
アナログ変換方法を要旨とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention converts a plurality of bits of digital data to be converted into a pulse signal corresponding to the digital data,
The pulse signal is applied to a capacitor through a non-linear element to charge the capacitor, and the charged voltage of the capacitor is output as a converted voltage.
The gist is an analog conversion method.

【0010】本発明のこのような構成によれば、入力さ
れるデジタルデータに応じた幅を持つパルス電圧が印加
されることにより、このパルス幅に応じた量の電荷がコ
ンデンサに蓄積され、さらにこの電荷量に応じた電圧が
変換後電圧として出力されるため、デジタル/アナログ
変換を実現できる。
According to such a configuration of the present invention, by applying a pulse voltage having a width corresponding to the input digital data, an amount of charge corresponding to the pulse width is accumulated in the capacitor. Since a voltage corresponding to the charge amount is output as a converted voltage, digital / analog conversion can be realized.

【0011】また、本発明は、予め設定された第1の電
圧の第1のパルス幅の信号に、予め設定された第2の電
圧によって形成される、変換すべきデジタルデータに対
応したパルス幅の第2のパルス信号を重畳して充電信号
とし、該充電信号を非線形素子を介してコンデンサへ印
加して該コンデンサを充電し、前記充電信号出力後、予
め設定された第3の電圧によって形成されるオフセット
信号を前記非線形素子を介して前記コンデンサへ印加
し、前記オフセット信号への切り替え後、前記コンデン
サの端子電圧を変換後電圧として出力することを特徴と
するデジタル/アナログ変換方法を要旨とする。
The present invention also provides a signal having a first pulse width of a preset first voltage and a pulse width corresponding to digital data to be converted, which is formed by a preset second voltage. Is superimposed to form a charging signal, and the charging signal is applied to a capacitor through a non-linear element to charge the capacitor. After the charging signal is output, the charging signal is formed by a preset third voltage. A digital / analog conversion method, wherein the offset signal is applied to the capacitor via the nonlinear element, and after switching to the offset signal, a terminal voltage of the capacitor is output as a converted voltage. I do.

【0012】本発明のこのような構成によれば、入力さ
れるデジタルデータに応じた量の電荷がコンデンサに蓄
積され、その電荷量に応じた電圧が変換後電圧として出
力されるため、デジタル/アナログ変換を実現できる。
According to such a configuration of the present invention, a charge corresponding to the input digital data is accumulated in the capacitor, and a voltage corresponding to the charge is output as a converted voltage. Analog conversion can be realized.

【0013】また、前記第1の電圧の第1のパルス幅の
信号は、入力されるデジタルデータに関わらず一定の電
荷量がコンデンサに蓄積されるように作用するため、コ
ンデンサに蓄積する可変電荷量の下限分を一定時間に充
電できるという効果がある。また、この第1の電圧のパ
ルス幅に重畳される第2のパルス信号は、入力されるデ
ジタルデータに応じた幅を持つため、前記可変電荷量の
可変部分をコンデンサに蓄積するように作用する。ま
た、これら第1のパルス信号と第2のパルス信号は重畳
されるため、それぞれの電圧印加のタイミングを個別に
取る必要がなく、充電時間がクリティカルな回路または
装置にこのデジタル/アナログ変換方法を適用する場合
に、タイミング上有利である。
The signal of the first pulse width of the first voltage acts so that a fixed amount of charge is stored in the capacitor regardless of the input digital data. There is an effect that the lower limit of the amount can be charged in a fixed time. Since the second pulse signal superimposed on the pulse width of the first voltage has a width corresponding to the input digital data, the second pulse signal acts to accumulate a variable portion of the variable charge amount in the capacitor. . In addition, since the first pulse signal and the second pulse signal are superimposed, it is not necessary to take the timing of applying each voltage individually, and this digital / analog conversion method can be applied to a circuit or a device where charging time is critical. This is advantageous in terms of timing when applied.

【0014】また、本方法においては、充電信号の電圧
とオフセット信号の電圧は同符号であることを前提とし
ている。従って、コンデンサに蓄積される電荷量が如何
に小さくとも、変換後の出力電圧の絶対値がオフセット
電圧の絶対値を下回ることはない。よって、所望の出力
電圧の範囲に応じてこのオフセット信号の電圧を決める
ことにより、コンデンサに蓄積される電荷量を必要最小
限に抑えることができ、従って、入力パルスの電圧やコ
ンデンサの容量を低く抑えることが可能となり、本方法
を適用した回路または装置の設計の自由度が上がるとい
う効果がある。
Further, in this method, it is assumed that the voltage of the charging signal and the voltage of the offset signal have the same sign. Therefore, no matter how small the amount of charge stored in the capacitor is, the absolute value of the converted output voltage does not fall below the absolute value of the offset voltage. Therefore, by determining the voltage of the offset signal in accordance with the range of the desired output voltage, the amount of charge stored in the capacitor can be minimized, and therefore, the voltage of the input pulse and the capacitance of the capacitor can be reduced. This makes it possible to increase the degree of freedom in designing a circuit or device to which the method is applied.

【0015】また、本発明は、変換すべき複数ビットの
デジタルデータを該デジタルデータに対応するパルス信
号に変換する変換手段と、該パルス信号が印加される非
線形素子と、前記非線形素子の出力が印加されるコンデ
ンサとを具備し、前記パルス信号を切った後前記コンデ
ンサの充電電圧を変換後電圧として出力することを特徴
とするデジタル/アナログ変換回路を要旨とする。
According to the present invention, there is provided a conversion means for converting a plurality of bits of digital data to be converted into a pulse signal corresponding to the digital data, a nonlinear element to which the pulse signal is applied, and an output of the nonlinear element. A digital / analog conversion circuit, comprising: a capacitor to be applied; and outputting a charge voltage of the capacitor as a converted voltage after cutting off the pulse signal.

【0016】本発明のこのような構成により、上で述べ
たデジタル/アナログ変換方法を回路として実現でき
る。
With such a configuration of the present invention, the above-described digital / analog conversion method can be realized as a circuit.

【0017】また、直流電流が流れる経路がないので本
回路に流れる電流量を低く抑えることができるため、従
来技術の抵抗の電圧分割によるデジタル/アナログ変換
回路よりも消費電力量を低くできるという効果がある。
また、多くの容量による出力遅延がないため、従来技術
の容量の電圧分割によるデジタル/アナログ変換回路よ
りも高速動作を実現できるという効果がある。また、本
回路の中で充放電によってパルス信号の幅を出力電圧に
変換する部分は、非線形素子およびコンデンサという簡
素な構成であり基板等の上に比較的小さい面積で実現で
きるという効果がある。
Further, since there is no path through which a direct current flows, the amount of current flowing through the present circuit can be suppressed low, so that the power consumption can be reduced as compared with the conventional digital / analog conversion circuit using voltage division of resistors. There is.
Further, since there is no output delay due to a large number of capacitors, there is an effect that a higher-speed operation can be realized as compared with the digital / analog conversion circuit based on voltage division of the capacitors in the related art. Further, a portion of the circuit for converting the width of the pulse signal into an output voltage by charging and discharging has a simple configuration of a nonlinear element and a capacitor, and has an effect that it can be realized with a relatively small area on a substrate or the like.

【0018】また、本発明は、予め設定された第1の電
圧の第1のパルス幅の信号に、予め設定された第2の電
圧によって形成される、変換すべきデジタルデータに対
応したパルス幅の第2のパルス信号を重畳して充電信号
を形成して出力し、前記充電電圧を出力後、予め設定さ
れた第3の電圧によって形成されるオフセット信号を出
力する充電信号形成回路と、該充電信号および前記オフ
セット信号が印加される非線形素子と、前記非線形素子
の出力が印加されるコンデンサとを具備し、前記充電信
号形成回路が出力を前記オフセット信号に切り替えた
後、前記コンデンサの端子電圧を変換後電圧として出力
することを特徴とするデジタル/アナログ変換回路を要
旨とする。
According to the present invention, a signal having a first pulse width of a preset first voltage and a pulse width corresponding to digital data to be converted, which is formed by the preset second voltage. A charging signal forming circuit that superimposes the second pulse signal to form and output a charging signal, outputs the charging voltage, and then outputs an offset signal formed by a preset third voltage; A non-linear element to which a charging signal and the offset signal are applied, and a capacitor to which an output of the non-linear element is applied, and a terminal voltage of the capacitor after the charging signal forming circuit switches an output to the offset signal. Is output as a converted voltage.

【0019】本発明のこのような構成により、上で述べ
たデジタル/アナログ変換方法を回路として実現でき
る。また、前述のように、第1の電圧によるパルス信号
と第2の電圧によるパルス信号が重畳されるため、所望
の範囲の可変電荷量を必要最小限の時間でコンデンサに
蓄積することができる。また、前述のように、充電信号
出力後にオフセット信号を出力するため、所望の範囲の
出力電圧を必要最小限の蓄積電荷量で実現することがで
きる。これにより、回路設計上、コンデンサの容量等に
余裕が生じ、基板等の上に比較的小さい面積で実現でき
るという効果がある。
With such a configuration of the present invention, the digital / analog conversion method described above can be realized as a circuit. Further, as described above, since the pulse signal of the first voltage and the pulse signal of the second voltage are superimposed, a variable amount of charge in a desired range can be stored in the capacitor in a minimum necessary time. Further, as described above, since the offset signal is output after the output of the charging signal, an output voltage in a desired range can be realized with a minimum necessary amount of accumulated charge. As a result, there is a margin in the capacity and the like of the capacitor in circuit design, and there is an effect that it can be realized with a relatively small area on a substrate or the like.

【0020】また、本発明においては、前記非線形素子
は、タンタル(Ta)またはアルミニウム(Al)を陽
極酸化したものにクローム(Cr)またはアルミニウム
(Al)の電極を積層した金属−絶縁体−金属の構造を
持つことが好ましい。
In the present invention, the non-linear element may be a metal-insulator-metal obtained by laminating chromium (Cr) or aluminum (Al) electrodes on anodized tantalum (Ta) or aluminum (Al). It is preferable to have the following structure.

【0021】本発明のこのような構成により、低消費電
力でのデジタル/アナログ変換に適した電流−電圧特性
を持つ非線形素子を実現できる。また、このような構造
を基板上に形成することが可能であるため、本発明によ
るデジタル/アナログ変換回路を電気光学表示装置等に
用いる場合、表示パネル上に回路を組み込むこともかの
うとなり、装置の小型化を図れるという効果がある。
With such a configuration of the present invention, a non-linear element having current-voltage characteristics suitable for digital / analog conversion with low power consumption can be realized. In addition, since such a structure can be formed on a substrate, when the digital / analog conversion circuit according to the present invention is used in an electro-optical display device or the like, it is possible to incorporate the circuit on a display panel. This has the effect of reducing the size of the device.

【0022】また、本発明においては、金属−絶縁体−
金属の構造を持つ前記非線形素子は、バックトゥバック
構造を持つことが好ましい。
In the present invention, the metal-insulator-
It is preferable that the nonlinear element having a metal structure has a back-to-back structure.

【0023】本発明のこのような構成によれば、金属1
−絶縁体−金属2−絶縁体−金属1という対称な構造を
持つ非線形素子を回路に用いるため、電圧印加の極性に
関して正負対称な電流−電圧特性を得ることができる。
According to such a configuration of the present invention, the metal 1
Since a non-linear element having a symmetric structure of -insulator-metal 2-insulator-metal 1 is used in the circuit, a current-voltage characteristic symmetrical with respect to the polarity of voltage application can be obtained.

【0024】よって、本発明によるデジタル/アナログ
変換回路を電気光学表示装置等に用いる場合、1水平走
査期間毎に印加電圧の極性を反転させる交流駆動を行っ
ても、その極性の違いによる出力電圧の違いが出ないた
め、階調表示の精度を向上させることができるという効
果が得られる。
Therefore, when the digital / analog conversion circuit according to the present invention is used in an electro-optical display device or the like, even if the AC drive for inverting the polarity of the applied voltage every one horizontal scanning period is performed, the output voltage due to the difference in the polarity is obtained. Since there is no difference, the effect that the accuracy of gradation display can be improved can be obtained.

【0025】また、本発明においては、前記非線形素子
は、p型またはn型のシリコン(Si)を用いたダイオ
ードであることが好ましい。
In the present invention, the nonlinear element is preferably a diode using p-type or n-type silicon (Si).

【0026】本発明のこのような構成により、低消費電
力でのデジタル/アナログ変換に適した電流−電圧特性
を持つ非線形素子を実現できる。また、このような構造
を基板上に形成することが可能であるため、本発明によ
るデジタル/アナログ変換回路を電気光学表示装置等に
用いる場合、表示パネル上に回路を組み込むこともかの
うとなり、装置の小型化を図れるといった効果がある。
With such a configuration of the present invention, it is possible to realize a nonlinear element having current-voltage characteristics suitable for digital / analog conversion with low power consumption. In addition, since such a structure can be formed on a substrate, when the digital / analog conversion circuit according to the present invention is used in an electro-optical display device or the like, it is possible to incorporate the circuit on a display panel. There is an effect that the size can be reduced.

【0027】また、本発明においては、前記非線形素子
は、逆向きに配置した2つのダイオードの並列接続によ
り構成されることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the non-linear element is constituted by connecting two diodes arranged in opposite directions in parallel.

【0028】本発明のこのような構成によれば、対称な
極性を持つ非線形素子を回路に用いるため、電圧印加の
極性に関して正負対称な電流−電圧特性を得ることがで
きる。
According to such a configuration of the present invention, since a non-linear element having a symmetrical polarity is used in the circuit, a current-voltage characteristic that is symmetric with respect to the polarity of the applied voltage can be obtained.

【0029】よって、本発明によるデジタル/アナログ
変換回路を電気光学表示装置等に用いる場合、1水平走
査期間毎に印加電圧の極性を反転させる交流駆動を行っ
ても、その極性の違いによる出力電圧の違いが出ないた
め、階調表示の精度を向上させることができるという効
果が得られる。
Therefore, when the digital / analog conversion circuit according to the present invention is used in an electro-optical display device or the like, even if the AC drive for inverting the polarity of the applied voltage is performed every horizontal scanning period, the output voltage due to the difference in the polarity is obtained. Since there is no difference, the effect that the accuracy of gradation display can be improved can be obtained.

【0030】また、本発明においては、前記コンデンサ
の容量は、前記非線形素子の容量の2倍〜8倍の範囲に
あることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the capacitance of the capacitor is in a range of 2 to 8 times the capacitance of the nonlinear element.

【0031】本発明のこのような構成によれば、出力電
圧のダイナミックレンジを広く取ることができる。よっ
て、本発明によるデジタル/アナログ変換回路を用いて
電気光学表示装置等を構成する場合、階調表示の制御上
有利である。また、本発明のこのような構成により非線
形素子の抵抗値を充分大きく取ることができるため、低
消費電力化が可能となる。
According to such a configuration of the present invention, the dynamic range of the output voltage can be widened. Therefore, when an electro-optical display device or the like is configured using the digital / analog conversion circuit according to the present invention, it is advantageous in controlling gray scale display. In addition, since the resistance value of the nonlinear element can be made sufficiently large by such a configuration of the present invention, power consumption can be reduced.

【0032】また、本発明は、基板上にマトリックス状
に配置された複数の画素と、前記基板上の前記画素間に
配置された相交差する複数のデータ線および複数の走査
線と、前記画素に対応して設けられ、前記走査線および
データ線の信号によって制御されて前記画素を駆動する
複数のスイッチング手段と、前記走査線を走査する走査
線駆動手段と、前記データ線1本につき1個以上設けら
れ、前記データ線を駆動するデータ線駆動手段とを具備
し、前記データ線駆動手段は、表示データを、該表示デ
ータに対応する幅のパルス信号に変換する変換手段と、
該パルス信号が印加される非線形素子と、前記非線形素
子の出力が印加されるコンデンサとを具備し、前記コン
デンサの充電電圧を前記データ線へ出力することを特徴
とする電気光学装置を要旨とする。
Also, the present invention provides a method for controlling a plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate, a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate, A plurality of switching means for driving the pixel controlled by signals of the scanning line and the data line; a scanning line driving means for scanning the scanning line; one for each data line Provided above, comprising data line driving means for driving the data line, wherein the data line driving means converts display data into a pulse signal having a width corresponding to the display data;
An electro-optical device includes a non-linear element to which the pulse signal is applied, and a capacitor to which an output of the non-linear element is applied, and outputs a charging voltage of the capacitor to the data line. .

【0033】本発明のこのような構成によれば、比較的
簡単で、高速動作が可能で、低消費電力のデジタル/ア
ナログ変換回路を用いて、表示データに応じた電圧を画
素に印加することによって階調表示を行う電気光学装置
を実現することができる。デジタル/アナログ変換回路
の構成が簡単であるため、画素パネル上あるいは周辺部
に設けるデジタル/アナログ変換部分の構成を簡素化す
ることができる。また、高速動作が可能であるため、表
示タイミングに余裕を持つことができ、高精細表示を可
能にしたり、走査周期を短くしたりすることが可能とな
る。また、デジタル/アナログ変換部を低消費電力であ
るため、反射型液晶表示装置など、装置全体の消費電力
が低い装置において、より一層の低消費電力化の効果が
得られる。
According to such a configuration of the present invention, a voltage corresponding to display data is applied to a pixel using a digital / analog conversion circuit which is relatively simple, can operate at high speed, and consumes low power. Thus, an electro-optical device that performs gradation display can be realized. Since the configuration of the digital / analog conversion circuit is simple, the configuration of the digital / analog conversion portion provided on the pixel panel or in the peripheral portion can be simplified. In addition, since high-speed operation is possible, a margin can be provided for display timing, and high-definition display can be performed and a scanning cycle can be shortened. In addition, since the digital / analog converter has low power consumption, an effect of further lowering power consumption can be obtained in a device such as a reflection type liquid crystal display device which has low power consumption.

【0034】また、本発明は、基板上にマトリックス状
に配置された複数の画素と、前記基板上の前記画素間に
配置された相交差する複数のデータ線および複数の走査
線と、前記画素に対応して設けられ、前記走査線および
データ線の信号によって制御されて前記画素を駆動する
複数のスイッチング手段と、前記走査線を走査する走査
線駆動手段と、前記データ線1本につき1個以上設けら
れ、前記データ線を駆動するデータ線駆動手段とを具備
し、前記データ線駆動手段は、予め設定された第1の電
圧の第1のパルス幅の信号に、予め設定された第2の電
圧によって形成される、表示データに対応するパルス幅
の第2の電圧を重畳して充電信号を形成して出力し、前
記充電信号を出力後、予め設定された第3の電圧によっ
て形成されるオフセット電圧を出力する充電信号形成回
路と、該充電信号およびオフセット信号が印加される非
線形素子と、前記非線形素子の出力が印加されるコンデ
ンサとを具備し、前記コンデンサの端子電圧を前記デー
タ線へ出力することを特徴とする電気光学装置を要旨と
する。
Further, the present invention provides a method for controlling a plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate, a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate, A plurality of switching means for driving the pixel controlled by signals of the scanning line and the data line; a scanning line driving means for scanning the scanning line; one for each data line And a data line driving unit for driving the data line, wherein the data line driving unit is configured to add a second pulse to a signal of a first pulse width of a first voltage set in advance. A charge signal is formed by superimposing a second voltage having a pulse width corresponding to the display data, which is formed by the third voltage, and the charge signal is output. After the charge signal is output, the second charge signal is formed by a preset third voltage. Off A charging signal forming circuit for outputting a reset voltage, a non-linear element to which the charging signal and the offset signal are applied, and a capacitor to which an output of the non-linear element is applied. The present invention provides an electro-optical device characterized by outputting to an electro-optical device.

【0035】本発明のこのような構成によれば、前述の
ように、第1および第2の電圧によるパルスを重畳する
ことにより、充電電圧印加のタイミングを有効に使うこ
とができ、また、オフセット電圧を印加することによ
り、デジタル/アナログ変換部を基板上に設ける場合に
も小さな面積で実現することが可能となる。これによ
り、装置全体の高速動作および小型化が実現できるとい
う効果がある。
According to such a configuration of the present invention, as described above, the timing of applying the charging voltage can be effectively used by superimposing the pulses of the first and second voltages, and By applying a voltage, even when a digital / analog converter is provided on a substrate, it can be realized with a small area. Thereby, there is an effect that high-speed operation and downsizing of the entire apparatus can be realized.

【0036】また、本発明においては、前記データ線駆
動手段は、前記データ線への出力部分にスイッチング手
段を有し、このスイッチング手段は、前記充電信号が前
記非線形素子に印加されるときにはオフとなって前記コ
ンデンサの端子と前記データ線とを電気的に遮断し、前
記オフセット信号が印加されるときにはオンとなって前
記コンデンサの端子と前記データ線とを電気的に接続す
ることが好ましい。
In the present invention, the data line driving means has a switching means at an output portion to the data line, and the switching means turns off when the charging signal is applied to the nonlinear element. Preferably, the terminal of the capacitor is electrically disconnected from the data line, and when the offset signal is applied, the terminal is turned on to electrically connect the terminal of the capacitor and the data line.

【0037】本発明のこのような構成によれば、入力デ
ジタル信号に応じて生成されるパルス信号によってコン
デンサに電荷を蓄積する際に、データ線が持つ配線容量
やその他の浮遊容量による影響を小さくすることができ
る。よって、回路動作を効率化することができ、また、
デジタル/アナログ変換の精度を向上することができる
という効果が得られる。
According to such a configuration of the present invention, when accumulating charges in the capacitor by the pulse signal generated in accordance with the input digital signal, the influence of the wiring capacitance of the data line and other stray capacitance is reduced. can do. Therefore, the circuit operation can be made more efficient,
The effect that the precision of digital / analog conversion can be improved is obtained.

【0038】また、本発明においては、前記コンデンサ
は、前記データ線の配線容量であることが好ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that the capacitor is a wiring capacitance of the data line.

【0039】本発明のこのような構成により、データ線
駆動手段にコンデンサを設ける必要がなく、より一層回
路構成の簡素化および装置の小型化が図れる。
According to such a configuration of the present invention, it is not necessary to provide a capacitor in the data line driving means, so that the circuit configuration can be further simplified and the device can be downsized.

【0040】また、本発明は、基板上にマトリックス状
に配置された複数の画素と、前記基板上の前記画素間に
配置された相交差する複数のデータ線および複数の走査
線と、前記画素に対応して設けられ、前記走査線および
データ線の信号によって制御されて前記画素を駆動する
複数のスイッチング手段と、前記走査線を走査する走査
線駆動手段と、前記データ線1本につき1個以上設けら
れ、前記データ線を駆動するデータ線駆動手段とを具備
し、前記データ線駆動手段は、表示データを該表示デー
タに対応するパルス信号に変換する変換手段と、前記パ
ルス信号が印加される第1、第2の非線形素子と、前記
第1、第2の非線形素子の各出力がそれぞれ印加される
第1、第2のコンデンサと、前記第1、第2のコンデン
サの充電電圧を前記走査線の走査タイミングに基づいて
交互に前記データ線へ出力する第2のスイッチング手段
とを具備することを特徴とする電気光学装置を要旨とす
る。
Also, the present invention provides a method for controlling a plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate, a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate, A plurality of switching means for driving the pixel controlled by signals of the scanning line and the data line; a scanning line driving means for scanning the scanning line; one for each data line A data line driving unit for driving the data line, wherein the data line driving unit converts display data into a pulse signal corresponding to the display data, and the pulse signal is applied to the data line driving unit. The first and second nonlinear elements, the first and second capacitors to which respective outputs of the first and second nonlinear elements are respectively applied, and the charging voltage of the first and second capacitors are set in advance. And gist an electro-optical device characterized by comprising a second switching means for outputting to the data lines alternately based on the scanning timing of the scanning line.

【0041】本発明のこのような構成によれば、第1、
第2のコンデンサの充電信号とオフセット信号を別々の
タイミングで1本のデータ線に出力するため、データ線
にデジタル/アナログ変換結果の電圧が出力されている
時間を長く取ることができる。
According to such a configuration of the present invention, first,
Since the charge signal of the second capacitor and the offset signal are output to one data line at different timings, it is possible to increase the time during which the voltage resulting from the digital / analog conversion is output to the data line.

【0042】このような構成の電気光学装置において、
1画素分のデータに基づいて充電信号のパルス信号を生
成して、タイミングをずらして第1および第2のコンデ
ンサに充電し、出力電圧を別タイミングで連続的に1画
素に印加するようにすれば、1画素の駆動時間を長くす
ることができる。また、2画素分のデータに基づいて充
電信号のパルス信号をそれぞれ生成して、それぞれ第1
および第2のコンデンサに充電し、出力電圧を別タイミ
ングで別々の画素に印加するようにすれば、単位時間あ
たりの駆動画素数を多くすることができる。これらによ
って、表示の高精細化や高速走査によるなめらかな動画
表示を実現できるという効果が得られる。
In the electro-optical device having such a configuration,
A pulse signal of a charge signal is generated based on data for one pixel, the first and second capacitors are charged at a shifted timing, and an output voltage is continuously applied to one pixel at another timing. For example, the driving time of one pixel can be extended. Further, a pulse signal of the charging signal is generated based on the data of two pixels, respectively, and the first and second charging signals are respectively generated.
If the second capacitor is charged and the output voltage is applied to different pixels at different timings, the number of driving pixels per unit time can be increased. As a result, it is possible to obtain a high-definition display and a smooth moving image display by high-speed scanning.

【0043】また、本発明は、基板上にマトリックス状
に配置された複数の画素と、前記基板上の前記画素間に
配置された相交差する複数のデータ線および複数の走査
線と、前記画素に対応して設けられ、前記走査線および
データ線の信号によって制御されて前記画素を駆動する
複数のスイッチング手段と、前記走査線を走査する走査
線駆動手段と、前記データ線1本につき1個以上設けら
れ、前記データ線を駆動するデータ線駆動手段とを具備
し、前記データ線駆動手段は、予め設定された第1の電
圧の第1のパルス幅の信号に、予め設定された第2の電
圧によって形成される、表示データに対応したパルス幅
の第2のパルス信号を重畳して充電信号を形成して出力
し、前記充電信号を出力後、予め設定された第3の電圧
によって形成されるオフセット信号を出力する第1、第
2の充電信号形成回路と、前記充電信号形成回路の出力
が印加される第1、第2の非線形素子と、前記第1、第
2の非線形素子の各出力がそれぞれ印加される第1、第
2のコンデンサと、前記第1、第2のコンデンサの充電
電圧を前記走査線の走査タイミングに基づいて交互に前
記データ線へ出力する第2のスイッチング手段とを具備
することを特徴とする電気光学装置を要旨とする。
Also, the present invention provides a method for controlling a plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate, a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate, A plurality of switching means for driving the pixel controlled by signals of the scanning line and the data line; a scanning line driving means for scanning the scanning line; one for each data line And a data line driving unit for driving the data line, wherein the data line driving unit is configured to add a second pulse to a signal of a first pulse width of a first voltage set in advance. A charging signal is formed by superimposing a second pulse signal having a pulse width corresponding to the display data, which is formed by the voltage of the display signal, and the charging signal is output. Is First and second charging signal forming circuits for outputting an offset signal, first and second nonlinear elements to which the output of the charging signal forming circuit is applied, and respective outputs of the first and second nonlinear elements And second switching means for alternately outputting the charging voltage of the first and second capacitors to the data line based on the scanning timing of the scanning line. The gist of the present invention is an electro-optical device that is provided.

【0044】本発明のこのような構成によれば、第1、
第2のコンデンサの充電電圧を別々のタイミングで1本
のデータ線に出力するため、データ線にデジタル/アナ
ログ変換結果の電圧が出力されている時間を長く取るこ
とができる。また、これにより、前述のように、表示の
高精細化や高速走査によるなめらかな動画表示を実現で
きるという効果が得られる。
According to such a configuration of the present invention, first,
Since the charging voltages of the second capacitor are output to one data line at different timings, it is possible to increase the time during which the voltage resulting from the digital / analog conversion is output to the data line. In addition, as described above, it is possible to obtain an effect that high-definition display and smooth moving image display by high-speed scanning can be realized.

【0045】また、本発明のこのような構成によれば、
前述のように、第1および第2の電圧によるパルスを重
畳することにより、充電電圧印加のタイミングを有効に
使うことができ、また、オフセット電圧を印加すること
により、デジタル/アナログ変換部を基板上に設ける場
合にも小さな面積で実現することが可能となる。これに
より、装置全体の高速動作および小型化が実現できると
いう効果がある。
Also, according to such a configuration of the present invention,
As described above, by superimposing pulses of the first and second voltages, it is possible to effectively use the timing of applying the charging voltage, and by applying the offset voltage, the digital / analog conversion unit is mounted on the substrate. Even when it is provided above, it can be realized with a small area. Thereby, there is an effect that high-speed operation and downsizing of the entire apparatus can be realized.

【0046】また、本発明においては、前記コンデンサ
の容量は、前記画素における画素電極と共通電極との間
の容量の3倍以上であることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the capacitance of the capacitor is at least three times the capacitance between a pixel electrode and a common electrode in the pixel.

【0047】本発明のこのような構成によれば、画素の
容量と比較して充分大きい容量により電荷を蓄積し、そ
の電荷量により出力電圧のレベルを制御するため、デジ
タル/アナログ変換の精度が向上し、よって、電気光学
装置の階調表示の精度を向上することができるという効
果が得られる。
According to such a configuration of the present invention, the electric charge is accumulated by a capacitance sufficiently larger than the capacitance of the pixel, and the level of the output voltage is controlled by the amount of the electric charge. Thus, the effect that the accuracy of gradation display of the electro-optical device can be improved can be obtained.

【0048】また、本発明においては、前記コンデンサ
の容量は、前記画素における画素電極と共通電極との間
の容量の10倍以上であることが好ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that the capacitance of the capacitor is at least ten times the capacitance between the pixel electrode and the common electrode in the pixel.

【0049】本発明のこのような構成によれば、画素の
容量と比較してより一層多き容量により電荷を蓄積し、
その電荷量により出力電圧のレベルを制御するため、デ
ジタル/アナログ変換の精度がより一層向上し、よっ
て、電気光学装置の階調表示の精度をより一層向上する
ことができるという効果がある。
According to such a configuration of the present invention, the electric charge is accumulated with a much larger capacity than the capacity of the pixel,
Since the level of the output voltage is controlled by the amount of charge, the accuracy of the digital / analog conversion is further improved, so that the accuracy of the gradation display of the electro-optical device can be further improved.

【0050】また、本発明は、基板上にタンタル(T
a)またはアルミニウム(Al)により入力電極配線お
よび出力電極配線のパターンを形成する第1の過程と、
前記入力電極配線および前記出力電極配線を陽極酸化す
ることにより20ナノメートル以上80ナノメートル以
下の範囲の厚さの酸化層を形成する第2の過程と、前記
酸化層に摂氏300度以上摂氏500度以下の範囲の温
度でのアニール処理を施す第3の過程と、アルミニウム
(Al)またはクロム(Cr)により、前記入力電極配
線に形成された前記酸化層と前記出力電極配線に形成さ
れた前記酸化層をブリッジ接続する電極パターンを形成
する第4の過程とを有することを特徴とするデジタル/
アナログ変換回路の製造方法を要旨とする。
Further, according to the present invention, tantalum (T
a) a first step of forming a pattern of input electrode wiring and output electrode wiring with aluminum (Al);
A second step of forming an oxide layer having a thickness in the range of 20 nm to 80 nm by anodizing the input electrode wiring and the output electrode wiring, and forming the oxide layer on the oxide layer at a temperature of 300 ° C. to 500 ° C. A third step of performing an annealing treatment at a temperature within a range of not more than a degree, and forming the oxide layer formed on the input electrode wiring and the output layer formed on the output electrode wiring by aluminum (Al) or chromium (Cr). A fourth step of forming an electrode pattern for bridge-connecting the oxide layer.
The gist is a method for manufacturing an analog conversion circuit.

【0051】本発明のこのような構成によれば、次のよ
うな非線形素子を基板上に形成することができる。すな
わち、前記第1の過程において形成される一端の電極
と、前記第2および第3の過程において形成される絶縁
層と、前記第4の過程により形成される中間電極と、再
び前記第2および第3の過程において形成される絶縁層
と、前記第1の過程において形成される他端の電極とが
電気的に直列に接続された非線形素子である。また、本
発明の方法により製造されるこのような素子は、バック
トゥバック構造を持つため、極性に関して正負対称な電
圧−電流特性を持ち、例えば、電気光学表示装置におい
てライン毎に印加電圧の極性を反転させる交流駆動回路
に適している。
According to such a configuration of the present invention, the following nonlinear element can be formed on the substrate. That is, the electrode at one end formed in the first step, the insulating layer formed in the second and third steps, the intermediate electrode formed in the fourth step, and the second and This is a nonlinear element in which the insulating layer formed in the third step and the electrode at the other end formed in the first step are electrically connected in series. Further, since such a device manufactured by the method of the present invention has a back-to-back structure, it has positive-negative symmetric voltage-current characteristics with respect to polarity. For example, in an electro-optical display device, the polarity of an applied voltage is changed for each line. Suitable for an AC drive circuit for reversing.

【0052】また、本発明は、基板上にポリシリコン膜
により入力電極配線および出力電極配線のパターンを形
成する第1の過程と、前記入力電極配線および前記出力
電極配線上に、化学蒸着装置によって、水素処理された
窒化シリコン(SiNx:H)を20ナノメートル以上8
0ナノメートル以下の範囲の厚さに製膜し絶縁層を形成
する第2の過程と、前記入力電極配線上に形成された前
記絶縁層と前記出力電極配線上に形成された前記絶縁層
をブリッジ接続する電極パターンを形成する第3の過程
とを有することを特徴とするデジタル/アナログ変換回
路の製造方法。
Also, the present invention provides a first step of forming a pattern of an input electrode wiring and an output electrode wiring on a substrate by using a polysilicon film, and a step of forming a pattern on the input electrode wiring and the output electrode wiring by a chemical vapor deposition apparatus. Hydrogen-treated silicon nitride (SiN x : H) of at least 20 nanometers 8
A second step of forming an insulating layer by forming a film to a thickness of 0 nm or less; and forming the insulating layer formed on the input electrode wiring and the insulating layer formed on the output electrode wiring. And a third step of forming an electrode pattern for bridge connection.

【0053】本発明のこのような構成によれば、次のよ
うな非線形素子を基板上に形成することができる。すな
わち、前記第1の過程において形成される一端の電極
と、前記第2の過程において形成される絶縁層と、前記
第3の過程により形成される中間電極と、再び前記第2
過程において形成される絶縁層と、前記第1の過程にお
いて形成される他端の電極とが電気的に直列に接続され
た非線形素子である。また、本発明の方法により製造さ
れるこのような素子は、バックトゥバック構造を持つた
め、極性に関して正負対称な電圧−電流特性を持ち、例
えば、電気光学表示装置においてライン毎に印加電圧の
極性を反転させる交流駆動回路に適している。
According to such a configuration of the present invention, the following nonlinear element can be formed on the substrate. That is, the electrode at one end formed in the first step, the insulating layer formed in the second step, the intermediate electrode formed in the third step, and the second electrode
A non-linear element in which an insulating layer formed in the process and an electrode on the other end formed in the first process are electrically connected in series. Further, since such a device manufactured by the method of the present invention has a back-to-back structure, it has positive-negative symmetric voltage-current characteristics with respect to polarity. For example, in an electro-optical display device, the polarity of an applied voltage is changed for each line. Suitable for an AC drive circuit for reversing.

【0054】また、本発明においては、前記基板上に、
画素の保持容量と同一の構造およびプロセスで容量素子
を形成する容量形成過程を有することが好ましい。
In the present invention, on the substrate,
It is preferable to have a capacitance formation step of forming a capacitance element with the same structure and process as the storage capacitance of the pixel.

【0055】本発明のこのような構成によれば、画素部
の保持容量の形成プロセスに並行してデジタル/アナロ
グ変換回路専用のコンデンサを作り込み設けることが可
能となり、デジタル/アナログ変換回路専用の容量の形
成のプロセスと画素電極形成のプロセスとを共通化する
ことができるため、製造コスト低減および製造時間短縮
という効果がある。
According to such a configuration of the present invention, it is possible to form and provide a capacitor dedicated to the digital / analog conversion circuit in parallel with the process of forming the storage capacitor of the pixel portion, and to provide the capacitor dedicated to the digital / analog conversion circuit. Since the process of forming the capacitor and the process of forming the pixel electrode can be shared, there is an effect of reducing the manufacturing cost and the manufacturing time.

【0056】また、本発明においては、前記基板上に、
画素スイッチング薄膜トランジスタと同一の構造および
プロセスで、デジタル/アナログ変換出力をオン/オフ
するスイッチング素子を形成するスイッチング手段形成
過程を有することが好ましい。
Further, in the present invention, on the substrate,
It is preferable to have a switching means forming step of forming a switching element for turning on / off the digital / analog conversion output with the same structure and process as the pixel switching thin film transistor.

【0057】本発明のこのような構成によれば、電気光
学装置の画素部と同一のパネル上にデジタル/アナログ
変換回路の出力スイッチング素子を設けることが可能と
なり、装置の小型化が図れるという効果がある。また、
デジタル/アナログ変換回路の出力スイッチング素子の
形成のプロセスと画素スイッチング素子形成のプロセス
とを共通化することができるため、製造コスト低減およ
び製造時間短縮という効果がある。
According to such a configuration of the present invention, it is possible to provide the output switching element of the digital / analog conversion circuit on the same panel as the pixel portion of the electro-optical device, and it is possible to reduce the size of the device. There is. Also,
Since the process of forming the output switching element of the digital / analog conversion circuit and the process of forming the pixel switching element can be shared, there is an effect of reducing the manufacturing cost and the manufacturing time.

【0058】[0058]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しこの発明の一
実施形態について説明する。図1は、同実施形態による
D/A(デジタル/アナログ)変換回路の基本構成を示
す回路図である。この図において、符号1は非線形素子
の等価回路であり、符号2はコンデンサである。非線形
素子1とコンデンサ2とは直列に接続されており、非線
形素子1の一端に入力電圧パルスVinの印加を受ける
ようになっており、また、非線形素子1とコンデンサ2
との接続部分の電位Voutを出力するようになってい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a basic configuration of a D / A (digital / analog) conversion circuit according to the first embodiment. In this figure, reference numeral 1 is an equivalent circuit of the nonlinear element, and reference numeral 2 is a capacitor. The non-linear element 1 and the capacitor 2 are connected in series so that one end of the non-linear element 1 receives an input voltage pulse Vin.
And outputs the potential Vout at the connection portion with the.

【0059】図2はこの非線形素子1の電流−電圧特性
を示すグラフである。この図で示すように、非線形素子
1は所定の電圧より小さい電圧の範囲においては抵抗値
が非常に高いが、印加電圧を大きくするにしたがって、
次第に抵抗値が小さくなり、多くの電流を流すようにな
る。また、非線形素子1は、図1内の等価回路に示した
ように、素子自身に容量成分も持っている。このような
非線形素子1の具体的な構成、構造、および製造方法に
ついては後述する。
FIG. 2 is a graph showing current-voltage characteristics of the nonlinear element 1. As shown in this figure, the nonlinear element 1 has a very high resistance value in a voltage range smaller than a predetermined voltage, but as the applied voltage increases,
The resistance value gradually decreases, and a large amount of current flows. The nonlinear element 1 also has a capacitance component in the element itself, as shown in the equivalent circuit in FIG. The specific configuration, structure, and manufacturing method of such a nonlinear element 1 will be described later.

【0060】次に、図1で示す回路によるD/A変換の
原理について説明する。図3(a)は、D/A変換回路
の入力電圧Vinと出力電圧Voutのそれぞれの波形
を示すタイミングチャートである。図3(a)におい
て、入力電圧Vinの波形は点線101で、出力電圧V
outの波形は実線102でそれぞれ示されている。本
回路の動作の最小単位は、充電期間と保持期間の2つの
フェーズにより構成されており、図3(a)上のt1で
示す範囲が充電期間、t2で示す範囲が保持期間であ
る。なお、図3(a)では充電期間t1と保持期間t2
とは同じ長さとなっているが、本発明の実施にあたっ
て、これは必ずしも同じでなくても良い。
Next, the principle of D / A conversion by the circuit shown in FIG. 1 will be described. FIG. 3A is a timing chart showing respective waveforms of the input voltage Vin and the output voltage Vout of the D / A conversion circuit. In FIG. 3A, the waveform of the input voltage Vin is indicated by a dotted line 101, and the output voltage V
Out waveforms are indicated by solid lines 102, respectively. The minimum unit of the operation of this circuit is composed of two phases, a charging period and a holding period. The range indicated by t1 in FIG. 3A is the charging period, and the range indicated by t2 is the holding period. In FIG. 3A, the charging period t1 and the holding period t2
Are the same length, but they need not be the same in the practice of the present invention.

【0061】まず、充電期間において+V1の電位を持
つパルス電圧が入力されると、まず非線型素子1に含ま
れる容量成分とコンデンサ2の容量比に応じてVout
が変移した後、非線型素子1を介したコンデンサ2への
充電が始まり、それに伴って出力電圧Voutが徐々に
立ち上がっていく。ある時間が経過した時点でさらに+
V2の電位が上乗せされ、入力電圧Vinは(V1+V
2)となり、出力電圧Voutもそれに追随して立ち上
がっていく。ここで、(V1+V2)が入力されている
時間つまりパルス幅はtd1である。コンデンサ2に貯
えられる電荷の量、及びそれを反映するVoutの大き
さはパルス電圧+V1、+V2の大きさと、t1、td
1などのそれらが印加される時間により決められる。
First, when a pulse voltage having a potential of + V1 is input during the charging period, first, Vout is determined according to the capacitance ratio of the capacitance component included in the non-linear element 1 and the capacitor 2.
, The charging of the capacitor 2 via the non-linear element 1 starts, and the output voltage Vout gradually rises accordingly. After a certain time,
The potential of V2 is added, and the input voltage Vin becomes (V1 + V
2), and the output voltage Vout rises accordingly. Here, the time during which (V1 + V2) is input, that is, the pulse width is td1. The amount of charge stored in the capacitor 2 and the magnitude of Vout reflecting the amount of charge are represented by the magnitudes of pulse voltages + V1 and + V2, and t1 and td.
It is determined by the time at which they are applied, such as one.

【0062】また非線型素子の抵抗値は非線型素子に印
加される電圧、すなわち入力電圧Vinと出力電圧Vo
utの差分に依存して変化するので、高い書き込み電圧
が印加される充電期間t1においては比較的低い抵抗で
推移し、コンデンサ2への充電が行われるように働き、
以下に説明する保持期間においては抵抗が高くなりコン
デンサ2に貯えられた電荷を保持するように働く。
The resistance value of the non-linear element is the voltage applied to the non-linear element, that is, the input voltage Vin and the output voltage Vo.
ut, it changes with a relatively low resistance during the charging period t1 to which a high write voltage is applied, so that the capacitor 2 is charged.
In the holding period described below, the resistance is increased and works to hold the electric charge stored in the capacitor 2.

【0063】次に、保持期間の始まりにおいて入力電圧
Vinが+V3に立ち下がると、非線型素子1に含まれ
る容量成分とコンデンサ2の容量比に応じて出力電圧V
outも立ち下がるが、その後は非線型素子1に印加さ
れている電位が小さく、非線型素子の抵抗が大きくなっ
ているため、コンデンサ2に蓄積された電荷は放電され
ず、Voutの大きさも変化しない。
Next, when the input voltage Vin falls to + V3 at the beginning of the holding period, the output voltage V is adjusted according to the capacitance ratio of the capacitor 2 and the capacitor included in the nonlinear element 1.
Out also falls, but thereafter, since the potential applied to the non-linear element 1 is small and the resistance of the non-linear element is large, the electric charge accumulated in the capacitor 2 is not discharged, and the magnitude of Vout also changes. do not do.

【0064】VGAからXGAなどの解像度を有する表
示装置においては、充電期間t1、保持期間t2は数十
〜数百マイクロ秒程度以下のオーダとなる。
In a display device having a resolution such as VGA to XGA, the charging period t1 and the holding period t2 are on the order of tens to hundreds of microseconds or less.

【0065】以上の動作の結果、この保持期間における
出力電圧Voutは、コンデンサ2に蓄積される電荷量
と正の相関関係を持つので、デジタル信号のパルス幅変
調(PWM)により(V1+V2)の電圧パルス幅td
1を制御することにより、それに応じたアナログ電圧出
力を得ることができる。入力パルスの電位V1,V2,
V3は、所望の出力電圧の範囲や、抵抗値および容量値
など回路の諸定数に応じた適切な値を用いる。
As a result of the above operation, the output voltage Vout during this holding period has a positive correlation with the amount of electric charge stored in the capacitor 2, so that the voltage (V1 + V2) is obtained by pulse width modulation (PWM) of the digital signal. Pulse width td
By controlling 1, an analog voltage output corresponding thereto can be obtained. Input pulse potentials V1, V2,
As V3, an appropriate value according to a desired output voltage range and various circuit constants such as a resistance value and a capacitance value is used.

【0066】また、図3(a)に示す波形では、最初の
充電期間には正の電圧を入力し、次の充電期間には負の
電圧を入力するようになっているが、これは、液晶表示
装置などで走査線毎に極性を反転させた電圧よる画素駆
動を行う場合を示している。本回路は、入出力関係が電
圧の極性に依らない正負対称な特性を持つように構成さ
れている。
In the waveform shown in FIG. 3A, a positive voltage is input during the first charging period, and a negative voltage is input during the next charging period. This figure shows a case where a pixel is driven by a voltage whose polarity is inverted for each scanning line in a liquid crystal display device or the like. This circuit is configured so that the input / output relationship has a positive / negative symmetric characteristic that does not depend on the polarity of the voltage.

【0067】本回路の非線形素子としては、次の2種類
のいずれかを用いることができる。まず第1は、タンタ
ルやアルミニウムなどを陽極酸化したものに、クロムや
アルミニウムなどの電極を積層したMIM(metal - in
sulator - metal 、金属−絶縁体−金属)構造の素子で
ある。前述の極性対称入出力特性を得るためには、この
MIM素子を逆向きに直列接続した Back-to-Back 構造
とする。具体的には、例えば、クロム−タンタル酸化膜
―タンタルータンタル酸化膜−クロムという積層構造を
持つ素子を用いる。
One of the following two types can be used as the nonlinear element of this circuit. First, MIM (metal-in-metal) in which electrodes such as chromium or aluminum are laminated on anodized tantalum or aluminum.
A sulator-metal element having a metal-insulator-metal structure. In order to obtain the above-mentioned polarity symmetrical input / output characteristics, the MIM element has a back-to-back structure in which the MIM elements are connected in series in opposite directions. Specifically, for example, an element having a laminated structure of chromium-tantalum oxide film-tantalum tantalum oxide film-chromium is used.

【0068】第2は、p型またはn型のシリコンを用い
たダイオード構造である。このダイオード構造において
極性対称入出力特性を得るために、2つのダイオード素
子を逆向きに並列接続したリング構造(DR)を用い
る。
The second is a diode structure using p-type or n-type silicon. In order to obtain polarity symmetrical input / output characteristics in this diode structure, a ring structure (DR) in which two diode elements are connected in parallel in opposite directions is used.

【0069】次に、上述したD/A変換回路を用いて液
晶表示装置(電気光学装置)を構成した第1の実施形態
について説明する。図4は、同実施形態による液晶表示
装置のD/A変換部および画素部を示す回路図である。
この図において符号10はD/A変換部、20は画素部
である。
Next, a description will be given of a first embodiment in which a liquid crystal display device (electro-optical device) is configured using the above-described D / A conversion circuit. FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a D / A conversion unit and a pixel unit of the liquid crystal display device according to the same embodiment.
In this figure, reference numeral 10 denotes a D / A conversion unit, and reference numeral 20 denotes a pixel unit.

【0070】画素部20には、画素11がマトリクス状
に配置され、縦方向にデータ線14、横方向に走査線1
5が配設されている。画素11内の画素電極スイッチン
グ素子12は走査線15の電圧によってオン/オフ制御
され、オンのときに限りデータ線14の電圧が画素電極
に印加される。この印加電圧に応じて、画素電極と共通
電極との間に挟持されている液晶13の光透過率が変化
する。
In the pixel section 20, the pixels 11 are arranged in a matrix, and the data lines 14 are arranged vertically and the scanning lines 1 are arranged horizontally.
5 are provided. The on / off control of the pixel electrode switching element 12 in the pixel 11 is performed by the voltage of the scanning line 15, and the voltage of the data line 14 is applied to the pixel electrode only when it is on. The light transmittance of the liquid crystal 13 sandwiched between the pixel electrode and the common electrode changes according to the applied voltage.

【0071】また、D/A変換部10には、各々のデー
タ線14に対応して、非線形素子1とコンデンサ2から
なるD/A変換回路が設けられている。また、このD/
A変換回路の出力部分に設けられておりトランジスタに
よって実現されているD/A変換出力スイッチング素子
3は、D/A変換タイミング切り換え信号線4の電圧に
よってオン/オフ制御される。
The D / A conversion section 10 is provided with a D / A conversion circuit including a nonlinear element 1 and a capacitor 2 corresponding to each data line 14. In addition, this D /
The D / A conversion output switching element 3 provided in the output part of the A conversion circuit and realized by a transistor is on / off controlled by the voltage of the D / A conversion timing switching signal line 4.

【0072】図5は、周辺回路も含めて本装置の全体構
成を示すブロック図である。この図において、符号31
は液晶パネル基板、32は走査線15を駆動する走査ド
ライバである。また、データドライバ33は、電圧供給
源34から±V1,±(V1+V2),±V3の電圧を
受け、データ変調回路35が出力するパルス幅データに
応じたパルス波形をD/A変換部10に出力する。
FIG. 5 is a block diagram showing the overall configuration of the present apparatus including peripheral circuits. In FIG.
Denotes a liquid crystal panel substrate, and 32 denotes a scanning driver for driving the scanning lines 15. Further, the data driver 33 receives ± V1, ± (V1 + V2), ± V3 voltages from the voltage supply source 34 and sends a pulse waveform corresponding to the pulse width data output from the data modulation circuit 35 to the D / A converter 10. Output.

【0073】次に本装置の回路動作について説明する。
入力された表示データは、まずデータ変調回路35によ
って、画素毎の輝度に応じたパルス入力タイミングデー
タに変換される。この変換は次のように行われる。デー
タ変調回路35には、半導体ROMなどによって実現さ
れるパルス入力タイミング記憶手段が設けられており、
このパルス入力タイミング記憶手段は、充電期間中のど
のタイミングで(V1+V2)の電位を持つパルスを立
ち上げればよいかを、各輝度に応じて記憶している。
Next, the circuit operation of the present apparatus will be described.
The input display data is first converted by the data modulation circuit 35 into pulse input timing data corresponding to the luminance of each pixel. This conversion is performed as follows. The data modulation circuit 35 is provided with a pulse input timing storage means realized by a semiconductor ROM or the like.
This pulse input timing storage means stores at which timing during the charging period a pulse having a potential of (V1 + V2) should be raised in accordance with each luminance.

【0074】例えば、図3(a)に示したように、td
1の幅を持つパルスを入力するためには、充電期間開始
後(t1−td1)の時間が経過した時点で電位をV1
から(V1+V2)に立ち上げればよい。本装置全体
は、基準クロック発生回路36が生成する基準クロック
パルスによって同期しているため、具体的には、この基
準クロックパルス数を用いて上記のタイミングを制御す
る。クロックパルス幅td1と画素の透過率は相関関係
を持つものの、データ線14の浮遊容量や液晶の電気光
学特性等の理由により、その関係は非線形である。従っ
て、前記のパルス入力タイミング記憶手段には、例えば
0〜63の64段階の階調表示のためには、各段階に応
じた64通りの基準クロックパルスカウント値を記憶さ
せる。
For example, as shown in FIG.
In order to input a pulse having a width of 1, the potential is set to V1 at the time when the time (t1-td1) has elapsed after the start of the charging period.
(V1 + V2). Since the entire apparatus is synchronized by the reference clock pulse generated by the reference clock generation circuit 36, specifically, the above timing is controlled using the number of reference clock pulses. Although the clock pulse width td1 and the transmittance of the pixel have a correlation, the relationship is non-linear due to the stray capacitance of the data line 14 and the electro-optical characteristics of the liquid crystal. Accordingly, the pulse input timing storage means stores, for example, 64 reference clock pulse count values corresponding to each stage for 64 levels of gradation display from 0 to 63.

【0075】このように生成された画素毎のパルスタイ
ミングデータは、データ変調回路35からデータドライ
バ33に渡され、このデータを用いて各画素が次によう
に駆動される。走査ドライバ32は、入力される垂直同
期信号および水平同期信号に基づいて走査線15を上か
ら順次走査していく。図3(c)および同(d)は、隣
り合う2本の走査線それぞれの電位を示すタイミングチ
ャートであり、図示するように、走査を受けているタイ
ミングにおける走査線15の電位は「H」レベルにな
り、その他のタイミングでは「L」レベルになる。
The thus generated pulse timing data for each pixel is passed from the data modulation circuit 35 to the data driver 33, and each pixel is driven using this data as follows. The scanning driver 32 sequentially scans the scanning lines 15 from the top based on the input vertical synchronization signal and horizontal synchronization signal. FIGS. 3C and 3D are timing charts showing the potentials of two adjacent scanning lines. As shown, the potential of the scanning line 15 at the timing of scanning is “H”. Level, and at other timings the level becomes “L”.

【0076】この走査タイミングと同期しながら、デー
タドライバ33はデータ変調回路35から渡されたタイ
ミングデータに基づいて、また電圧供給源34から供給
される基本電位±V1,±(V1+V2),±V3を用
いて、図3(a)に示すような波形の電圧パルスをD/
A変換部10の各画素に対応したD/A変換回路に入力
する。
In synchronization with the scanning timing, the data driver 33 controls the basic potentials ± V1, ± (V1 + V2), ± V3 supplied from the voltage supply source 34 based on the timing data passed from the data modulation circuit 35. Is used to generate a voltage pulse having a waveform as shown in FIG.
The data is input to a D / A conversion circuit corresponding to each pixel of the A conversion unit 10.

【0077】図6は、データドライバ33に内蔵された
パルス波生成回路の構成を示す回路図である。データド
ライバ33は、信号S1〜S7をスイッチ41〜47に
それぞれ入力することによって、電圧供給源34から受
ける6種類の電圧および共通電圧COMを切り換え、所
望のパルス波形を生成して、D/A変換部に出力する。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a pulse wave generation circuit built in data driver 33. The data driver 33 switches between the six types of voltages received from the voltage supply source 34 and the common voltage COM by inputting the signals S1 to S7 to the switches 41 to 47, generates a desired pulse waveform, and generates a D / A Output to the converter.

【0078】D/A変換タイミング切り換え信号線4に
は、図3(b)で示すようなパルス信号が供給されてい
る。充電期間においてはこのパルス電位が「L」である
ためD/A変換出力スイッチング素子3はオフとなり、
D/A変換回路の出力電圧がデータ線14に伝わらず、
従って、電荷がデータ線14の浮遊容量にリークするこ
となくコンデンサ2に蓄えられるようになっている。ま
た、保持期間においては、D/A変換タイミング切り換
え信号線4が「H」レベルとなり、D/A変換出力スイ
ッチング素子3がオンとなってD/A変換回路の出力電
圧がデータ線14に印加される。
A pulse signal as shown in FIG. 3B is supplied to the D / A conversion timing switching signal line 4. During the charging period, since the pulse potential is “L”, the D / A conversion output switching element 3 is turned off,
The output voltage of the D / A conversion circuit is not transmitted to the data line 14,
Therefore, the electric charge is stored in the capacitor 2 without leaking to the floating capacitance of the data line 14. In the holding period, the D / A conversion timing switching signal line 4 becomes “H” level, the D / A conversion output switching element 3 is turned on, and the output voltage of the D / A conversion circuit is applied to the data line 14. Is done.

【0079】図3に示すように、上述した走査線15の
走査のタイミングと、D/A変換回路の出力電圧のデー
タ線14への印加のタイミングは、同期している。走査
線15が「H」レベルのときは、走査線15に接続され
た画素電極スイッチング素子12がオンとなり、その画
素電極スイッチング素子12に接続されたデータ線14
の電位が画素電極に印加され、その画素の液晶13はこ
の印加電圧に応じた状態に変化する。また「L」レベル
のときには画素電極スイッチング素子12はオフとな
る。
As shown in FIG. 3, the timing of the scanning of the scanning line 15 and the timing of the application of the output voltage of the D / A conversion circuit to the data line 14 are synchronized. When the scanning line 15 is at “H” level, the pixel electrode switching element 12 connected to the scanning line 15 is turned on, and the data line 14 connected to the pixel electrode switching element 12 is turned on.
Is applied to the pixel electrode, and the liquid crystal 13 of the pixel changes to a state corresponding to the applied voltage. When the level is at the “L” level, the pixel electrode switching element 12 is turned off.

【0080】以上のように、入力された画像データに基
づいたデジタル信号をD/A変換回路によってアナログ
電圧に変換し、この電圧が走査線タイミングと同期して
画素電極に印加されることによって、階調表示を行う。
As described above, the digital signal based on the input image data is converted into an analog voltage by the D / A conversion circuit, and this voltage is applied to the pixel electrode in synchronization with the scanning line timing. Perform gradation display.

【0081】なお、本装置においては、使用する液晶に
より画素電極への印加電圧の範囲を決定し、その電圧範
囲を実現できるように、また非線形素子1やコンデンサ
2の抵抗値および容量値も考慮して、基本電圧V1、
(V1+V2)、V3を予め選択して電圧供給源34か
ら供給できるようにする。
In the present device, the range of the voltage applied to the pixel electrode is determined by the liquid crystal used, and the resistance value and the capacitance value of the nonlinear element 1 and the capacitor 2 are taken into consideration so that the voltage range can be realized. And the basic voltage V1,
(V1 + V2) and V3 are selected in advance so that they can be supplied from the voltage supply source.

【0082】また、予め実験によってパルス幅に応じた
画素透過率の測定を行い、その測定結果から、表示デー
タに応じた等間隔の階調が再現できるように各信号のパ
ルス幅を決定し、それに基づいたパルス入力タイミング
データをデータ変調回路35内のパルス入力タイミング
記憶手段に記憶させるようにする。
Further, the pixel transmittance according to the pulse width is measured by an experiment in advance, and the pulse width of each signal is determined from the measurement result so that the equally spaced gray scales according to the display data can be reproduced. The pulse input timing data based on this is stored in the pulse input timing storage means in the data modulation circuit 35.

【0083】なお、本実施形態では、走査ドライバ3
2、データドライバ33、D/A変換部10を液晶パネ
ル基板31上に形成しているが、走査ドライバ32およ
びデータドライバ33のいずれか一方または両方を基板
外のICなどに組み込んでも良い。また、さらにD/A
変換部10を基板外のICなどに組み込んでも良い。
In this embodiment, the scanning driver 3
2. Although the data driver 33 and the D / A converter 10 are formed on the liquid crystal panel substrate 31, one or both of the scanning driver 32 and the data driver 33 may be incorporated in an IC or the like outside the substrate. In addition, D / A
The conversion unit 10 may be incorporated in an IC or the like outside the substrate.

【0084】次に、本発明の電気光学装置の第2の実施
形態について説明する。図7は同実施形態による液晶表
示装置のD/A変換部および画素部の構成を示す回路図
である。この図に示す回路が図4で示した第1の実施形
態の回路と相違する点は、D/A変換部10内にD/A
変換専用のコンデンサを持たず、その代わり、画素部2
0に配設されたデータ線14自身の容量51を利用して
いる点である。この構成によりD/A変換部10にはD
/A変換出力スイッチング素子3やD/A変換タイミン
グ切り換え信号線4は必要なくなり、さらに回路構成を
簡略化することができる。
Next, a second embodiment of the electro-optical device according to the present invention will be described. FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a D / A conversion unit and a pixel unit of the liquid crystal display device according to the same embodiment. The circuit shown in this figure is different from the circuit of the first embodiment shown in FIG.
It does not have a dedicated conversion capacitor.
The point is that the capacity 51 of the data line 14 disposed at 0 is used. With this configuration, the D / A conversion unit 10
The / A conversion output switching element 3 and the D / A conversion timing switching signal line 4 are not required, and the circuit configuration can be further simplified.

【0085】本装置のD/A変換および画素駆動のタイ
ミングを図3により説明する。D/A変換回路には図3
(a)のような波形およびタイミングの電圧パルスが入
力される。
The D / A conversion and the pixel drive timing of this device will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows the D / A conversion circuit.
A voltage pulse having a waveform and timing as shown in FIG.

【0086】図3(a)に示す最初の充電期間において
は、すべての走査線15の電位レベルは「L」であり、
従ってすべての画素電極スイッチング素子12はオフと
なっているため、入力される正電位のパルスによって正
電荷が配線容量51に蓄積される。次の保持期間におい
て、入力電位がV3に立ち下がり、入力パルス幅td1
に応じたアナログ電圧がデータ線14に印加される。こ
のときD/A変換部を構成する非線型素子は、印加され
る電圧が低いので高抵抗になり、データ線のアナログ電
位は保持される。これと同期して、図3(c)に示され
るように現在走査を受けている走査線15の電位レベル
が「H」となり、この走査線15に接続された画素電極
スイッチング素子12がオンとなるため、データ線14
の電位が画素電極に印加される。次の充電期間および保
持期間には負電位のパルスがD/A変換回路に入力され
て、次の走査線15について同様の動作をする。
In the first charging period shown in FIG. 3A, the potential levels of all the scanning lines 15 are "L",
Therefore, since all the pixel electrode switching elements 12 are turned off, positive charges are accumulated in the wiring capacitance 51 by the input positive potential pulse. In the next holding period, the input potential falls to V3 and the input pulse width td1
Is applied to the data line 14. At this time, the non-linear element constituting the D / A converter has a low applied voltage and therefore has a high resistance, and the analog potential of the data line is maintained. In synchronization with this, as shown in FIG. 3C, the potential level of the scanning line 15 currently being scanned becomes “H”, and the pixel electrode switching element 12 connected to this scanning line 15 is turned on. Data line 14
Is applied to the pixel electrode. In the next charging period and holding period, a pulse of a negative potential is input to the D / A conversion circuit, and the same operation is performed for the next scanning line 15.

【0087】D/A変換部10および画素部20以外の
部分については、第1の実施形態の場合と同様に、図5
に示されるような装置構成である。
Parts other than the D / A conversion section 10 and the pixel section 20 are the same as those in the first embodiment, as shown in FIG.
The device configuration is as shown in FIG.

【0088】本実施形態におけるD/A変換部は、専用
コンデンサ、D/A変換出力スイッチング素子、および
D/A変換タイミング切り換え信号線を持たないシンプ
ルな構造であるため、液晶パネル基板上にもより一層形
成しやすいというメリットがある。
The D / A converter in this embodiment has a simple structure without a dedicated capacitor, a D / A conversion output switching element, and a D / A conversion timing switching signal line. There is a merit that it is easier to form.

【0089】次に、本発明の電気光学装置の第3の実施
形態について説明する。図8は同実施形態による液晶表
示装置のD/A変換部および画素部の構成を示す回路図
である。この構成の特徴は、2組のD/A変換回路およ
びそれに接続されたD/A変換出力スイッチング素子が
並列に存在し、それらの出力が結合されて1本のデータ
線14に接続されていることである。
Next, a third embodiment of the electro-optical device according to the present invention will be described. FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a D / A conversion unit and a pixel unit of the liquid crystal display device according to the same embodiment. The feature of this configuration is that two sets of D / A conversion circuits and a D / A conversion output switching element connected thereto are present in parallel, and their outputs are connected to one data line 14. That is.

【0090】また、非線形素子1aおよび1bはそれぞ
れ別個の入力信号を受けるようになっており、D/A変
換出力スイッチング素子3aおよび3bはそれぞれ別個
のD/A変換タイミング切り換え信号線4aおよび4b
によってオン/オフ制御される。
The nonlinear elements 1a and 1b receive separate input signals, respectively, and the D / A conversion output switching elements 3a and 3b are connected to separate D / A conversion timing switching signal lines 4a and 4b, respectively.
On / off control.

【0091】本装置の動作タイミングを図を用いて説明
する。図9は本装置のD/A変換部10および画素部2
0の動作を示すタイミングチャートである。この図にお
いて、(a)および(b)で示される波形は、それぞれ
非線形素子1aおよび1bに印加される入力電圧パルス
である。図中の例えば「Ha(m)」は、m番目の走査
線15に接続された画素を非線形素子1aを介して走査
する水平走査期間を表している。同様に「Hb(m)」
は、非線形素子1bを介して走査する水平走査期間であ
り、「Hb(m)」は「Ha(m)」より半水平走査期
間分遅れた位相となっている。
The operation timing of the present apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 9 shows the D / A conversion unit 10 and the pixel unit 2 of this device.
6 is a timing chart showing the operation of the "0". In this figure, the waveforms shown in (a) and (b) are input voltage pulses applied to the nonlinear elements 1a and 1b, respectively. For example, “Ha (m)” in the drawing represents a horizontal scanning period in which pixels connected to the m-th scanning line 15 are scanned via the nonlinear element 1a. Similarly, "Hb (m)"
Is a horizontal scanning period in which scanning is performed via the nonlinear element 1b, and "Hb (m)" has a phase delayed by half a horizontal scanning period from "Ha (m)".

【0092】図9(c)および同(d)は、それぞれD
/A変換タイミング切り換え信号線4aおよび4bの信
号波形である。これら両者は、交互に、「H」と「L」
が逆となる信号を伝達し、従って、各々のD/A変換回
路の保持期間にそれぞれのD/A変換出力スイッチング
素子3aおよび3bはオンとなる。
FIGS. 9 (c) and (d) show D
5 is a signal waveform of the / A conversion timing switching signal lines 4a and 4b. These two are alternately "H" and "L"
Are transmitted, so that the respective D / A conversion output switching elements 3a and 3b are turned on during the holding period of each D / A conversion circuit.

【0093】また、図9(e)はm番目の走査線15の
パルス信号の波形を示している。このパルスが立ちあが
って「H」レベルとなっている期間の前半は、D/A変換
出力スイッチング素子3aを介して出力される電圧がデ
ータ線14に印加されており、また同期間の後半は、
D/A変換出力スイッチング素子3bを介して出力され
る電圧がデータ線14に印加されている。このように、
図9(e)に示す1水平走査期間を通してD/A変換出
力が画素電極に印加される。図9(f)はm+1番目の
走査線15のパルス波形であり、この水平走査期間には
負の入力電圧によって同様の動作をする。
FIG. 9E shows the waveform of the pulse signal of the m-th scanning line 15. During the first half of the period in which this pulse rises to the “H” level, the voltage output via the D / A conversion output switching element 3a is applied to the data line 14, and during the second half of the same period,
The voltage output via the D / A conversion output switching element 3b is applied to the data line 14. in this way,
The D / A conversion output is applied to the pixel electrode throughout one horizontal scanning period shown in FIG. FIG. 9F shows the pulse waveform of the (m + 1) -th scanning line 15. In this horizontal scanning period, the same operation is performed by a negative input voltage.

【0094】上述した動作のように、本装置は、第1お
よび第2の実施形態において説明した装置に比べて、1
画素あたり2倍の長さの駆動期間を取ることができると
いうタイミング上のメリットを持つ。すなわち図3に示
したタイミングにおいては画素に割り当てられる走査選
択期間の前半をD/A変換部コンデンサへの充電、後半
の保持期間を画素への書き込みに使っていたのを、この
場合には走査選択期間すべての時間を画素への書き込み
に使えるようになる。このようなことは時に走査線数が
多く、走査線あたりの選択期間が短い表示体において特
に有効になる。
As described above, the present apparatus is one unit smaller than the apparatus described in the first and second embodiments.
There is a timing advantage that a driving period twice as long as a pixel can be taken. That is, at the timing shown in FIG. 3, the first half of the scan selection period assigned to the pixel is used for charging the D / A conversion unit capacitor, and the second half of the scan selection period is used for writing to the pixel. All the time in the selection period can be used for writing to the pixel. This is particularly effective for a display having a large number of scanning lines and a short selection period per scanning line.

【0095】また「Ha(m)」、「Hb(m)」のように
2つの部分からなる駆動信号の組み合わせにより、各画
素の信号が決められるので、より緻密な階調制御が可能
になるというメリットもある。つまりそれぞれのD/A
変換部で32階調分のデータを生成し、それを組み合わ
せることにより64階調分の出力電圧を得ることができ
る。
Further, since the signal of each pixel is determined by the combination of the drive signals composed of two parts such as "Ha (m)" and "Hb (m)", more precise gradation control becomes possible. There is also a merit. That is, each D / A
The conversion unit generates data for 32 gradations and combines them to obtain an output voltage for 64 gradations.

【0096】また、上のようにスイッチング素子3aを
介して電圧が出力される期間とスイッチング素子3bを
介して電圧が出力される期間との両方で、1本の走査線
15に接続された画素電極に電圧を印加する代わりに、
このスイッチング素子3aから3bの切り替えのタイミ
ングで次の走査線15の走査に移るようにしても良い。
この場合、走査線15のパルス信号の波形は、図9
(g)、同(h)、同(i)、同(j)のようになる。
The pixel connected to one scanning line 15 during both the period when the voltage is output via the switching element 3a and the period when the voltage is output via the switching element 3b as described above. Instead of applying voltage to the electrodes,
The scanning of the next scanning line 15 may be started at the timing of switching between the switching elements 3a and 3b.
In this case, the waveform of the pulse signal of the scanning line 15 is as shown in FIG.
(G), (h), (i), and (j).

【0097】このような動作をすることにより、先の例
と同様、走査選択期間すべての時間を画素への書き込み
に使えるようになる。またこの場合は、走査線毎に極性
を反転させる場合には、図9(b)の信号について、こ
の極性を反転させたものが必要になり、同(a)、同
(b)におけるHa(m)、Hb(m)は隣接する走査
線への印加信号となる。
By performing such an operation, as in the previous example, the entire time of the scanning selection period can be used for writing to the pixel. In this case, if the polarity is inverted for each scanning line, the signal shown in FIG. 9B needs to be obtained by inverting the polarity, and Ha () in FIGS. 9A and 9B is used. m) and Hb (m) are applied signals to adjacent scanning lines.

【0098】以上、電気光学装置の第1〜第3の実施形
態について説明したが、次に、これらの装置に組み込む
D/A変換回路の容量について説明する。まず、コンデ
ンサ2の容量C2は非線形素子1の容量C1の2倍〜8
倍の範囲にあることが望ましく、特に、4倍程度である
ことが望ましい。図7の非線形素子1と配線容量51に
ついても同様である。
The first to third embodiments of the electro-optical device have been described above. Next, the capacity of the D / A conversion circuit incorporated in these devices will be described. First, the capacitance C2 of the capacitor 2 is twice to 8 times the capacitance C1 of the nonlinear element 1.
Desirably, it is desirably in the range of twice, and particularly desirably about four times. The same applies to the nonlinear element 1 and the wiring capacitance 51 in FIG.

【0099】この理由は、上記比率が4倍程度のときに
アナログ出力電圧のダイナミックレンジを最も大きく取
ることができ、階調表示にとって有利であることが、発
明者らが実施した実験によって明らかになっているため
である。また、入力電圧をVとすると、入力電圧を印加
したタイミングに非線形素子1にかかる電圧はV・C2
/(C1+C2)であるが、上記比率が2倍以下になる
と、非線形素子1に充分な電圧が印加されなくなってし
まい不都合である。また、絶縁性薄膜を金属で挟み込ん
でいる非線型素子1の構造により、素子の抵抗値はその
容量と正の相関を持つ。よってこの比率が8倍以上にな
るような回路構成では、非線形素子1の容量とともに抵
抗値も相対的に小さくなってしまい、低消費電力化の観
点から不都合である。
The reason is that, when the above ratio is about four times, the dynamic range of the analog output voltage can be maximized, which is advantageous for the gradation display. It is because it has become. When the input voltage is V, the voltage applied to the nonlinear element 1 at the timing when the input voltage is applied is V · C2
/ (C1 + C2), however, if the above ratio is twice or less, a sufficient voltage is not applied to the nonlinear element 1, which is inconvenient. Further, due to the structure of the nonlinear element 1 in which the insulating thin film is sandwiched between metals, the resistance value of the element has a positive correlation with its capacitance. Therefore, in a circuit configuration in which this ratio becomes 8 times or more, the resistance value becomes relatively small together with the capacitance of the nonlinear element 1, which is inconvenient from the viewpoint of reducing power consumption.

【0100】次に、前記容量C2は1画素あたりの液晶
の容量の3倍以上であることが望ましく、特に10倍以
上であることが望ましい。この比率が低く、特に3倍以
下の比率となって液晶の容量が相対的に大きくなると、
保持期間において、D/A変換部のコンデンサ電位を正
確に画素に伝達できなくなり、階調表示の精度を高くで
きない。
Next, the capacitance C2 is desirably at least three times the capacitance of the liquid crystal per pixel, and more desirably at least ten times. When this ratio is low, especially when the ratio of the liquid crystal becomes relatively large and becomes three times or less,
During the holding period, the capacitor potential of the D / A converter cannot be accurately transmitted to the pixels, and the accuracy of gradation display cannot be increased.

【0101】装置の構成にあたっては、ここに記した2
つの条件を満足するように容量値を決め、これに合った
コンデンサを回路に組み込むか、あるいはこれに合った
配線容量51が得られるようにデータ線14の太さなど
を決定する。
In the construction of the device, the two described here are used.
The capacitance value is determined so as to satisfy the two conditions, and a capacitor suitable for this is incorporated in the circuit, or the thickness of the data line 14 is determined so as to obtain the wiring capacitance 51 suitable for this.

【0102】また、非線形素子1の特性としては、印加
される電圧が4V〜10Vの範囲で変化するとき、流れ
る電流値が100倍以上変化するようにする。
The characteristics of the nonlinear element 1 are such that when the applied voltage changes in the range of 4 V to 10 V, the value of the flowing current changes by 100 times or more.

【0103】次に、このようなD/A変換回路を液晶パ
ネル基板上に形成する製造方法について説明する。
Next, a manufacturing method for forming such a D / A conversion circuit on a liquid crystal panel substrate will be described.

【0104】まず、非線形素子としてバックトゥバック
構造を持つMIM素子を基板上に形成する第1の方法を
説明する。
First, a first method for forming an MIM element having a back-to-back structure as a nonlinear element on a substrate will be described.

【0105】この方法においては、まず第1の過程にお
いて、ガラス基板上にTaやSiの酸化膜で形成された
下地膜上にタンタルまたはアルミニウムなどによる電極
を形成する。図10(a)は、この電極が形成された段
階における平面図であり、図10(b)は、図10
(a)の線591における断面図である。図10におい
て、符号501は基板、502は基板上の下地膜、51
1および521は本プロセスによって形成される非線形
素子の電極である。
In this method, first, in a first step, an electrode of tantalum or aluminum is formed on a base film formed of a Ta or Si oxide film on a glass substrate. FIG. 10A is a plan view at the stage when the electrodes are formed, and FIG.
It is sectional drawing in line 591 of (a). In FIG. 10, reference numeral 501 denotes a substrate, 502 denotes a base film on the substrate, 51
Reference numerals 1 and 521 denote electrodes of the nonlinear element formed by the present process.

【0106】次に、第2の過程において、クエン酸など
を化成液として用いて、10V〜40Vの電圧により、
電極511および521を陽極酸化する。その結果、電
極表面に、20ナノメートルから80ナノメートルの範
囲の厚さの酸化層が形成される。図11(a)は、この
酸化層が形成された段階における平面図であり、図11
(b)は、図11(a)の線592における断面図であ
る。図11において、符号512および522は、それ
ぞれ電極511および521上に形成された酸化層であ
る。酸化層512および522は、本プロセスによって
形成される非線形素子における絶縁膜となる。
Next, in a second step, using citric acid or the like as a chemical conversion solution, a voltage of 10 V to 40 V is applied.
The electrodes 511 and 521 are anodized. As a result, an oxide layer having a thickness in the range of 20 nm to 80 nm is formed on the electrode surface. FIG. 11A is a plan view at the stage when the oxide layer is formed, and FIG.
FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line 592 of FIG. In FIG. 11, reference numerals 512 and 522 denote oxide layers formed on the electrodes 511 and 521, respectively. The oxide layers 512 and 522 serve as insulating films in the nonlinear element formed by this process.

【0107】次に、第3の過程において、摂氏300度
〜500度の温度で1時間程度アニール処理を行う。こ
のアニール処理により酸化層512および522が緻密
になるため、形成される素子の信頼性が向上する。
Next, in a third step, annealing is performed at a temperature of 300 to 500 degrees Celsius for about one hour. Oxidation layers 512 and 522 are denser by this annealing treatment, so that the reliability of the formed element is improved.

【0108】最後に、第4の過程において、アルミニウ
ムまたはクロムなどによって、上電極のパターンを形成
する。図12(a)は、この上電極が形成された段階に
おける平面図であり、図12(b)は、図12(a)の
線593における断面図である。図12において、符号
531は上電極であり、この上電極531は酸化層51
2および522をブリッジ接続するようなパターンで形
成されている。
Finally, in a fourth step, a pattern of the upper electrode is formed of aluminum or chromium. FIG. 12A is a plan view at the stage when the upper electrode is formed, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along a line 593 in FIG. In FIG. 12, reference numeral 531 denotes an upper electrode, and the upper electrode 531
2 and 522 are formed in such a pattern as to bridge-connect.

【0109】上述したプロセスによって、図12(a)
の符号510および520の2つのMIM素子が形成さ
れる。例えば、上記第1の過程においてはタンタルを用
いて電極を形成し、上記第4の過程においてはアルミニ
ウムを用いて電極を形成した場合は、このように、電極
511と521の間は、タンタル−タンタル酸化物−ア
ルミニウム−タンタル酸化物−タンタルというバックト
ゥバック構造をもつ非線形素子が基板上に形成される。
According to the above-described process, FIG.
510 and 520 are formed. For example, when an electrode is formed using tantalum in the first step and an electrode is formed using aluminum in the fourth step, the tantalum-electrode is formed between the electrodes 511 and 521. A non-linear element having a back-to-back structure of tantalum oxide-aluminum-tantalum oxide-tantalum is formed on a substrate.

【0110】次に、バックトゥバック構造を持つ非線形
素子を基板上に形成する第2の方法を説明する。まず、
この方法の第1の過程においては、基板上にポリシリコ
ン膜により入力電極および出力電極のパターンを形成す
る。これら電極が形成された段階における基板の平面図
および断面図は、それぞれ図10(a)および同(b)
と同様である。
Next, a second method for forming a non-linear element having a back-to-back structure on a substrate will be described. First,
In the first step of this method, a pattern of an input electrode and an output electrode is formed by a polysilicon film on a substrate. FIGS. 10A and 10B are a plan view and a cross-sectional view of the substrate at the stage when these electrodes are formed.
Is the same as

【0111】次に、第2の過程においては、前記入力電
極および前記出力電極上に、PECVD(Plasma Enhan
ced Chemical Vapor Deposition 、プラズマによる化学
蒸着)装置によって、水素処理された窒化シリコン(S
iNx:H)を20ナノメートル〜80ナノメートルの厚
さに製膜し、絶縁層を形成する。これら絶縁層が形成さ
れた段階における基板の平面図および断面図は、それぞ
れ図11(a)および同(b)と同様である。
Next, in a second step, a PECVD (Plasma Enhancer) is formed on the input electrode and the output electrode.
hydrogenated silicon nitride (S) by a ced Chemical Vapor Deposition (plasma chemical vapor deposition) system.
iN x : H) is formed to a thickness of 20 nm to 80 nm to form an insulating layer. Plan views and cross-sectional views of the substrate at the stage when these insulating layers are formed are the same as those in FIGS. 11A and 11B, respectively.

【0112】最後に、第3の過程においては、前記入力
電極上に形成された前記絶縁層と前記出力電極上に形成
された前記絶縁層をブリッジ接続する上電極を形成す
る。この上電極が形成された段階における基板の平面図
および断面図は、それぞれ図12(a)および同(b)
と同様である。
Finally, in a third step, an upper electrode for bridge-connecting the insulating layer formed on the input electrode and the insulating layer formed on the output electrode is formed. FIGS. 12A and 12B are a plan view and a cross-sectional view of the substrate at the stage when the upper electrode is formed.
Is the same as

【0113】また、p型およびn型の半導体の接合を用
いたダイオードを非線形素子として用いても良い。この
とき、非線形素子の電気特性において正負極性対称性を
得るために、逆向きに配置した2つのダイオードを並列
に接続したリング構造とすることが好ましい。
A diode using a junction of p-type and n-type semiconductors may be used as a non-linear element. At this time, in order to obtain positive-negative symmetry in the electrical characteristics of the nonlinear element, it is preferable to adopt a ring structure in which two diodes arranged in opposite directions are connected in parallel.

【0114】以上、基板上に非線形素子を形成する各種
製造方法について説明したが、同一基板上に、D/A変
換回路専用のコンデンサを設ける場合は、画素部の画素
保持容量と同一のプロセスおよび構造で形成することが
できる。また、同一基板上にD/A変換出力スイッチン
グ素子を設ける場合は、画素部の画素電極スイッチング
TFTと同一のプロセスおよび構造で形成することがで
きる。
The various manufacturing methods for forming the non-linear element on the substrate have been described above. However, when a capacitor dedicated to the D / A conversion circuit is provided on the same substrate, the same process and the same as the pixel holding capacity of the pixel portion are performed. It can be formed in a structure. When the D / A conversion output switching element is provided on the same substrate, the D / A conversion output switching element can be formed by the same process and structure as the pixel electrode switching TFT in the pixel portion.

【0115】このように、D/A変換回路を画素と同一
の基板上に設けることにより、装置の小型化が可能とな
り、また、製造プロセスの共通化により低コスト化が可
能となるという効果がある。
As described above, by providing the D / A conversion circuit on the same substrate as the pixels, the size of the device can be reduced, and the cost can be reduced by the common manufacturing process. is there.

【0116】以上に述べた本発明によるD/A変換方
法、D/A変換回路、およびその製造方法は、反射型お
よび透過型のいずれの液晶装置にも適用可能であるが、
バックライト等の発光手段を必要としない反射型液晶装
置において、より一層D/A変換回路の低消費電力化の
メリットが大きい。その理由は、反射型のほうが、装置
全体の消費電力の中に占めるD/A変換回路の電力比率
が相対的に高いためである。
The D / A conversion method, the D / A conversion circuit, and the method of manufacturing the D / A conversion circuit according to the present invention described above can be applied to both reflective and transmissive liquid crystal devices.
In a reflection type liquid crystal device that does not require a light emitting unit such as a backlight, the advantage of lower power consumption of the D / A conversion circuit is even greater. The reason is that the reflection type has a relatively high power ratio of the D / A conversion circuit in the power consumption of the entire device.

【0117】次に、このような本発明の効果を活かす応
用例について説明する。図13(a)は、本発明による
液晶表示装置を組み込んだ携帯型電話端末機の外観図で
あり、この携帯型電話端末機1000は液晶表示パネル
1001によって、操作メニューや通信内容といった各
種情報を表示するようになっている。
Next, an application example utilizing the effects of the present invention will be described. FIG. 13A is an external view of a portable telephone terminal incorporating the liquid crystal display device according to the present invention. The portable telephone terminal 1000 uses a liquid crystal display panel 1001 to transmit various information such as operation menus and communication contents. It is displayed.

【0118】図13(b)は、本発明による液晶表示装
置を組み込んだ腕時計の外観図であり、液晶表示パネル
1101によって、時刻やカレンダーなどといった情報
を表示するようになっている。
FIG. 13B is an external view of a wristwatch incorporating the liquid crystal display device according to the present invention. The wristwatch displays information such as time and calendar on a liquid crystal display panel 1101.

【0119】また、図13(c)は、本発明による液晶
表示装置を組み込んだ携帯型情報端末機の外観図であ
る。この携帯型情報端末機1200は、パーソナルコン
ピュータあるいはPDA(パーソナルデジタルアシスタ
ント)の機能を持っており、これらの機能に応じた各種
情報の表示を液晶表示パネル1206によって行うよう
になっている。
FIG. 13C is an external view of a portable information terminal incorporating the liquid crystal display device according to the present invention. The portable information terminal 1200 has a function of a personal computer or a PDA (Personal Digital Assistant), and various information is displayed on the liquid crystal display panel 1206 according to these functions.

【0120】図13(a)〜(c)で示した機器はいず
れも反射型の液晶表示装置を用いているため、また、本
発明によるD/A変換回路を採用していることにより、
従来技術と比較してさらに消費電力が低くなっている。
従って、充電や電池交換の頻度が少なくて済み、利用者
の利便性の向上という効果が得られる。
Since all of the devices shown in FIGS. 13A to 13C use a reflection type liquid crystal display device, and also employ the D / A conversion circuit according to the present invention,
The power consumption is further reduced as compared with the prior art.
Therefore, the frequency of charging and battery replacement can be reduced, and the effect of improving user convenience can be obtained.

【0121】なお、上では、液晶への印加電圧によって
画素輝度を制御する液晶装置について説明したが、画素
電極と対向する共通電極との間に電気光学物質が挟持さ
れており、この電気光学物質の物理的特性により表示等
を行う電気光学装置一般に、本発明を適用することが可
能である。このような電気光学装置とは、液晶装置のほ
かに、プラズマディスプレイ、EL(エレクトロルミネ
ッセンス)、FED(フィールドエミッションデバイ
ス)などがあるが、本発明の適用対象はこれらに限定さ
れない。
In the above description, the liquid crystal device in which the pixel luminance is controlled by the voltage applied to the liquid crystal has been described. However, the electro-optical material is sandwiched between the pixel electrode and the opposing common electrode. The present invention can be applied to an electro-optical device that performs display or the like based on the physical characteristics of the device. Such an electro-optical device includes, in addition to a liquid crystal device, a plasma display, an EL (electroluminescence), an FED (field emission device), and the like, but the application of the present invention is not limited to these.

【0122】[0122]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、簡単な構成で、高速動作が可能で、消費電力の小さ
いD/A変換回路およびそれを用いた階調表示を実現す
る電気光学装置を実現することが可能である。また、構
成が簡単であるため、画素部と同一の基板上にD/A変
換回路を形成することも可能で、装置の設計の自由度が
向上する。これらにより、階調表示の可能な電気光学装
置の小型化、低コスト化、高精細化、低消費電力化が可
能となるという効果が得られる。
As described above, according to the present invention, a D / A conversion circuit that can operate at high speed with a simple structure and consumes low power, and an electro-optical device that realizes gradation display using the same. It is possible to realize the device. Further, since the configuration is simple, the D / A conversion circuit can be formed on the same substrate as the pixel portion, and the degree of freedom in designing the device is improved. As a result, it is possible to reduce the size, cost, high definition, and power consumption of the electro-optical device capable of displaying gradation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の一実施形態によるD/A変換回路
の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a D / A conversion circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】 同実施形態によるD/A回路を構成する非線
形素子の電流−電圧特性を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing current-voltage characteristics of a nonlinear element included in the D / A circuit according to the first embodiment.

【図3】 同実施形態によるD/A回路の動作タイミン
グを示すタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart showing the operation timing of the D / A circuit according to the first embodiment;

【図4】 この発明の一実施形態による液晶表示装置の
要部構成を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a main configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図5】 同実施形態による液晶表示装置の構成を示す
ブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of the liquid crystal display device according to the same embodiment.

【図6】 同実施形態による液晶表示装置のデータドラ
イバに内蔵された電圧パルス生成回路の構成を示す回路
図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage pulse generation circuit built in a data driver of the liquid crystal display device according to the same embodiment.

【図7】 この発明の一実施形態による液晶表示装置の
要部構成を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a main configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図8】 この発明の一実施形態による液晶表示装置の
要部構成を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a main configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図9】 同実施形態による液晶表示装置の動作タイミ
ングを示すタイミングチャートである。
FIG. 9 is a timing chart showing operation timings of the liquid crystal display device according to the same embodiment.

【図10】 この発明の一実施形態によるD/A変換回
路製造方法において入出力電極が形成された段階の基板
平面図(a)および断面図(b)である。
FIG. 10 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) of a substrate at the stage when input / output electrodes are formed in the method of manufacturing a D / A conversion circuit according to one embodiment of the present invention.

【図11】 同実施形態によるD/A変換回路製造方法
において絶縁層が形成された段階の基板平面図(a)お
よび断面図(b)である。
FIG. 11 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) of a substrate at a stage where an insulating layer is formed in the method of manufacturing a D / A conversion circuit according to the same embodiment.

【図12】 同実施形態によるD/A変換回路製造方法
において上電極が形成された段階の基板平面図(a)お
よび断面図(b)である。
FIG. 12 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) of a substrate at a stage where an upper electrode is formed in the method for manufacturing a D / A conversion circuit according to the same embodiment.

【図13】 この発明の一実施形態による液晶表示装置
を応用した各種機器の外観図である。
FIG. 13 is an external view of various devices to which the liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1b 非線形素子 2,2a,2b コンデンサ 3,3a,3b D/A変換出力スイッチング素子 4,4a,4b D/A変換タイミング切り換え信号線 10 D/A変換部 11 画素 12 画素電極スイッチング素子 13 液晶 14 データ線 15 走査線 20 画素部 31 液晶パネル基板 32 走査ドライバ 33 データドライバ 34 電圧供給源 35 データ変調回路 36 基準クロック発生回路 41〜47 スイッチ 51 配線容量 501 基板 502 下地膜 511,512 電極 521,522 酸化層(絶縁層) 531 上電極 1001,1101,1206 液晶表示パネル 1, 1a, 1b Non-linear element 2, 2a, 2b Capacitor 3, 3a, 3b D / A conversion output switching element 4, 4a, 4b D / A conversion timing switching signal line 10 D / A conversion unit 11 Pixel 12 Pixel electrode switching Element 13 Liquid crystal 14 Data line 15 Scan line 20 Pixel section 31 Liquid crystal panel substrate 32 Scan driver 33 Data driver 34 Voltage supply 35 Data modulation circuit 36 Reference clock generation circuit 41-47 Switch 51 Wiring capacitance 501 Substrate 502 Underlayer 511, 512 Electrodes 521, 522 Oxide layer (insulating layer) 531 Upper electrode 1001, 1101, 1206 Liquid crystal display panel

フロントページの続き (72)発明者 高橋 士良 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 2H093 NA16 NC13 NC21 NC34 NC35 ND32 ND39 ND49 5C006 AA15 AA16 AA17 AF83 BB16 BB28 BC12 BC13 BC20 BF36 BF37 FA12 FA41 FA47 GA02 GA03 5C080 AA10 BB05 DD08 DD22 DD26 EE19 EE29 FF12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 5J022 AB08 BA06 CE01 CF07 CG01Continuation of the front page (72) Inventor Shira Takahashi 3-3-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano F-term in Seiko Epson Corporation 2H093 NA16 NC13 NC21 NC34 NC35 ND32 ND39 ND49 5C006 AA15 AA16 AA17 AF83 BB16 BB28 BC12 BC13 BC20 BF36 BF37 FA12 FA41 FA47 GA02 GA03 5C080 AA10 BB05 DD08 DD22 DD26 EE19 EE29 FF12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 5J022 AB08 BA06 CE01 CF07 CG01

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 変換すべき複数ビットのデジタルデータ
を該デジタルデータに対応するパルス信号に変換し、 該パルス信号を非線形素子を介してコンデンサへ印加し
て該コンデンサを充電し、 前記コンデンサの充電電圧を変換後電圧として出力する
ことを特徴とするデジタル/アナログ変換方法。
1. Converting a plurality of bits of digital data to be converted into a pulse signal corresponding to the digital data, applying the pulse signal to a capacitor via a non-linear element to charge the capacitor, and charging the capacitor A digital / analog conversion method comprising outputting a voltage as a converted voltage.
【請求項2】 予め設定された第1の電圧の第1のパル
ス幅の信号に、予め設定された第2の電圧によって形成
される、変換すべきデジタルデータに対応したパルス幅
の第2のパルス信号を重畳して充電信号とし、 該充電信号を非線形素子を介してコンデンサへ印加して
該コンデンサを充電し、 前記充電信号出力後、予め設定された第3の電圧によっ
て形成されるオフセット信号を前記非線形素子を介して
前記コンデンサへ印加し、 前記オフセット信号への切り替え後、前記コンデンサの
端子電圧を変換後電圧として出力することを特徴とする
デジタル/アナログ変換方法。
2. A signal having a first pulse width of a preset first voltage and a second pulse having a pulse width corresponding to digital data to be converted, which is formed by the preset second voltage. A pulse signal is superimposed to form a charge signal. The charge signal is applied to a capacitor through a non-linear element to charge the capacitor. After the charge signal is output, an offset signal formed by a third voltage set in advance Is applied to the capacitor via the non-linear element, and after switching to the offset signal, the terminal voltage of the capacitor is output as a converted voltage.
【請求項3】 変換すべき複数ビットのデジタルデータ
を該デジタルデータに対応するパルス信号に変換する変
換手段と、 該パルス信号が印加される非線形素子と、 前記非線形素子の出力が印加されるコンデンサと、 を具備し、前記パルス信号によって充電された前記コン
デンサの充電電圧を変換後電圧として出力することを特
徴とするデジタル/アナログ変換回路。
3. A conversion unit for converting a plurality of bits of digital data to be converted into a pulse signal corresponding to the digital data, a nonlinear element to which the pulse signal is applied, and a capacitor to which an output of the nonlinear element is applied. And a digital-to-analog conversion circuit that outputs a charged voltage of the capacitor charged by the pulse signal as a converted voltage.
【請求項4】 予め設定された第1の電圧の第1のパル
ス幅の信号に、予め設定された第2の電圧によって形成
される、変換すべきデジタルデータに対応したパルス幅
の第2のパルス信号を重畳して充電信号を形成して出力
し、前記充電信号を出力後、予め設定された第3の電圧
によって形成されるオフセット信号を出力する充電信号
形成回路と、 該充電信号および前記オフセット信号が印加される非線
形素子と、 前記非線形素子の出力が印加されるコンデンサと、 を具備し、前記充電信号形成回路が出力を前記オフセッ
ト信号に切り替えた後、前記コンデンサの端子電圧を変
換後電圧として出力することを特徴とするデジタル/ア
ナログ変換回路。
4. A signal having a first pulse width of a preset first voltage and a second pulse having a pulse width corresponding to digital data to be converted, which is formed by a preset second voltage. A charge signal forming circuit for forming a charge signal by superimposing a pulse signal, outputting the charge signal, outputting the charge signal, and then outputting an offset signal formed by a preset third voltage; A non-linear element to which an offset signal is applied, and a capacitor to which an output of the non-linear element is applied, wherein after the charging signal forming circuit switches the output to the offset signal, the terminal voltage of the capacitor is converted. A digital / analog conversion circuit for outputting as a voltage.
【請求項5】 前記非線形素子は、タンタル(Ta)ま
たはアルミニウム(Al)を陽極酸化したものにクロー
ム(Cr)またはアルミニウム(Al)の電極を積層し
た金属−絶縁体−金属の構造を持つことを特徴とする請
求項3または請求項4に記載のデジタル/アナログ変換
回路。
5. The non-linear element has a metal-insulator-metal structure in which tantalum (Ta) or aluminum (Al) is anodized and chromium (Cr) or aluminum (Al) electrodes are laminated. The digital / analog conversion circuit according to claim 3 or 4, wherein:
【請求項6】 金属−絶縁体−金属の構造を持つ前記非
線形素子は、バックトゥバック構造を持つことを特徴と
する請求項5に記載のデジタル/アナログ変換回路。
6. The digital / analog conversion circuit according to claim 5, wherein the nonlinear element having a metal-insulator-metal structure has a back-to-back structure.
【請求項7】 前記非線形素子は、p型またはn型のシ
リコン(Si)を用いたダイオードであることを特徴と
する請求項3または請求項4に記載のデジタル/アナロ
グ変換回路。
7. The digital / analog conversion circuit according to claim 3, wherein the nonlinear element is a diode using p-type or n-type silicon (Si).
【請求項8】 前記非線形素子は、逆向きに配置した2
つのダイオードの並列接続により構成されることを特徴
とする請求項8に記載のデジタル/アナログ変換回路。
8. The non-linear element according to claim 2, wherein the two non-linear elements are arranged in opposite directions.
9. The digital / analog conversion circuit according to claim 8, comprising a parallel connection of two diodes.
【請求項9】 前記コンデンサの容量は、前記非線形素
子の容量の2倍〜8倍の範囲にあることを特徴とする請
求項3〜8のいずれかに記載のデジタル/アナログ変換
回路。
9. The digital / analog conversion circuit according to claim 3, wherein the capacitance of the capacitor is in a range of 2 to 8 times the capacitance of the nonlinear element.
【請求項10】 基板上にマトリックス状に配置された
複数の画素と、 前記基板上の前記画素間に配置された相交差する複数の
データ線および複数の走査線と、 前記画素に対応して設けられ、前記走査線およびデータ
線の信号によって制御されて前記画素を駆動する複数の
スイッチング手段と、 前記走査線を走査する走査線駆動手段と、 前記データ線1本につき1個以上設けられ、前記データ
線を駆動するデータ線駆動手段と、 を具備し、 前記データ線駆動手段は、 表示データを、該表示データに対応するパルス信号に変
換する変換手段と、 該パルス信号が印加される非線形素子と、 前記非線形素子の出力が印加されるコンデンサと、 を具備し、前記コンデンサの充電電圧を前記データ線へ
出力することを特徴とする電気光学装置。
10. A plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate; a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate; A plurality of switching means for driving the pixels controlled by signals of the scanning lines and the data lines; a scanning line driving means for scanning the scanning lines; one or more for each data line; A data line driving unit for driving the data line, wherein the data line driving unit converts display data into a pulse signal corresponding to the display data; and a non-linear circuit to which the pulse signal is applied. An electro-optical device comprising: an element; and a capacitor to which an output of the non-linear element is applied, and outputs a charging voltage of the capacitor to the data line.
【請求項11】 基板上にマトリックス状に配置された
複数の画素と、 前記基板上の前記画素間に配置された相交差する複数の
データ線および複数の走査線と、 前記画素に対応して設けられ、前記走査線およびデータ
線の信号によって制御されて前記画素を駆動する複数の
スイッチング手段と、 前記走査線を走査する走査線駆動手段と、 前記データ線1本につき1個以上設けられ、前記データ
線を駆動するデータ線駆動手段と、 を具備し、 前記データ線駆動手段は、 予め設定された第1の電圧の第1のパルス幅の信号に、
予め設定された第2の電圧によって形成される、表示デ
ータに対応するパルス幅の第2の電圧を重畳して充電信
号を形成して出力し、前記充電信号を出力後、予め設定
された第3の電圧によって形成されるオフセット信号を
出力する充電信号形成回路と、 該充電信号およびオフセット信号が印加される非線形素
子と、 前記非線形素子の出力が印加されるコンデンサと、 を具備し、前記コンデンサの端子電圧を前記データ線へ
出力することを特徴とする電気光学装置。
11. A plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate, a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate, and A plurality of switching means for driving the pixel controlled by signals of the scanning line and the data line; a scanning line driving means for scanning the scanning line; one or more for each data line; Data line driving means for driving the data line, wherein the data line driving means converts a signal having a first pulse width of a first voltage set in advance to:
A charge signal is formed by superimposing a second voltage having a pulse width corresponding to the display data, which is formed by a preset second voltage, and the charge signal is formed and output. A charging signal forming circuit that outputs an offset signal formed by the voltage of No. 3, a non-linear element to which the charging signal and the offset signal are applied, and a capacitor to which an output of the non-linear element is applied. Wherein the terminal voltage is output to the data line.
【請求項12】 前記データ線駆動手段は、 前記データ線への出力部分にスイッチング手段を有し、 このスイッチング手段は、前記充電信号が前記非線形素
子に印加されるときにはオフとなって前記コンデンサの
端子と前記データ線とを電気的に遮断し、前記オフセッ
ト信号が印加されるときにはオンとなって前記コンデン
サの端子と前記データ線とを電気的に接続することを特
徴とする請求項10または請求項11に記載の電気光学
装置。
12. The data line driving means includes switching means at an output portion to the data line, wherein the switching means is turned off when the charging signal is applied to the non-linear element, and the switching of the capacitor is performed. 11. The device according to claim 10, wherein a terminal is electrically disconnected from the data line, and the terminal is turned on when the offset signal is applied to electrically connect a terminal of the capacitor and the data line. Item 12. The electro-optical device according to item 11.
【請求項13】 前記コンデンサは、前記データ線の配
線容量である請求項10または請求項11に記載の電気
光学装置。
13. The electro-optical device according to claim 10, wherein the capacitor is a wiring capacitance of the data line.
【請求項14】 基板上にマトリックス状に配置された
複数の画素と、 前記基板上の前記画素間に配置された相交差する複数の
データ線および複数の走査線と、 前記画素に対応して設けられ、前記走査線およびデータ
線の信号によって制御されて前記画素を駆動する複数の
スイッチング手段と、 前記走査線を走査する走査線駆動手段と、 前記データ線1本につき1個以上設けられ、前記データ
線を駆動するデータ線駆動手段と、 を具備し、 前記データ線駆動手段は、 表示データを該表示データに対応するパルス信号に変換
する変換手段と、 前記パルス信号が印加される第1、第2の非線形素子
と、 前記第1、第2の非線形素子の各出力がそれぞれ印加さ
れる第1、第2のコンデンサと、 前記第1、第2のコンデンサの充電電圧を前記走査線の
走査タイミングに基づいて交互に前記データ線へ出力す
る第2のスイッチング手段と、 を具備することを特徴とする電気光学装置。
14. A plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate; a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate; A plurality of switching means for driving the pixel controlled by signals of the scanning line and the data line; a scanning line driving means for scanning the scanning line; one or more for each data line; A data line driving unit for driving the data line, wherein the data line driving unit converts display data into a pulse signal corresponding to the display data; and a first to which the pulse signal is applied. , A second non-linear element, first and second capacitors to which respective outputs of the first and second non-linear elements are respectively applied, and a charge voltage of the first and second capacitors. Electro-optical device characterized by comprising a second switching means for outputting to the data lines alternately, the based on the scanning timing of the line.
【請求項15】 基板上にマトリックス状に配置された
複数の画素と、 前記基板上の前記画素間に配置された相交差する複数の
データ線および複数の走査線と、 前記画素に対応して設けられ、前記走査線およびデータ
線の信号によって制御されて前記画素を駆動する複数の
スイッチング手段と、 前記走査線を走査する走査線駆動手段と、 前記データ線1本につき1個以上設けられ、前記データ
線を駆動するデータ線駆動手段と、 を具備し、 前記データ線駆動手段は、 予め設定された第1の電圧の第1のパルス幅の信号に、
予め設定された第2の電圧によって形成される、表示デ
ータに対応したパルス幅の第2のパルス信号を重畳して
充電信号を形成して出力し、前記充電信号を出力後、予
め設定された第3の電圧によって形成されるオフセット
信号を出力する第1、第2の充電信号形成回路と、 前記充電信号形成回路の出力が印加される第1、第2の
非線形素子と、 前記第1、第2の非線形素子の各出力がそれぞれ印加さ
れる第1、第2のコンデンサと、 前記第1、第2のコンデンサの充電電圧を前記走査線の
走査タイミングに基づいて交互に前記データ線へ出力す
る第2のスイッチング手段と、 を具備することを特徴とする電気光学装置。
15. A plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate; a plurality of intersecting data lines and a plurality of scanning lines arranged between the pixels on the substrate; A plurality of switching means for driving the pixels controlled by signals of the scanning lines and the data lines; a scanning line driving means for scanning the scanning lines; one or more for each data line; Data line driving means for driving the data line, wherein the data line driving means converts a signal having a first pulse width of a first voltage set in advance to:
A charge signal is formed by superimposing a second pulse signal having a pulse width corresponding to the display data, which is formed by a preset second voltage, and the charge signal is formed and output. First and second charging signal forming circuits for outputting an offset signal formed by a third voltage; first and second non-linear elements to which the output of the charging signal forming circuit is applied; First and second capacitors to which respective outputs of the second nonlinear element are respectively applied, and charging voltages of the first and second capacitors are alternately output to the data lines based on the scanning timing of the scanning lines. An electro-optical device, comprising: a second switching unit configured to:
【請求項16】 前記コンデンサの容量は、前記画素に
おける画素電極と共通電極との間の容量の3倍以上であ
ることを特徴とする請求項10〜15のいずれかに記載
の電気光学装置。
16. The electro-optical device according to claim 10, wherein the capacitance of the capacitor is three times or more the capacitance between a pixel electrode and a common electrode in the pixel.
【請求項17】 前記コンデンサの容量は、前記画素に
おける画素電極と共通電極との間の容量の10倍以上で
あることを特徴とする請求項16に記載の電気光学装
置。
17. The electro-optical device according to claim 16, wherein the capacitance of the capacitor is at least ten times the capacitance between a pixel electrode and a common electrode in the pixel.
【請求項18】 基板上にタンタル(Ta)またはアル
ミニウム(Al)により入力電極配線および出力電極配
線のパターンを形成する第1の過程と、 前記入力電極配線および前記出力電極配線を陽極酸化す
ることにより20ナノメートル以上80ナノメートル以
下の範囲の厚さの酸化層を形成する第2の過程と、 前記酸化層に摂氏300度以上摂氏500度以下の範囲
の温度でのアニール処理を施す第3の過程と、 アルミニウム(Al)またはクロム(Cr)により、前
記入力電極配線に形成された前記酸化層と前記出力電極
配線に形成された前記酸化層をブリッジ接続する電極パ
ターンを形成する第4の過程と、 を有することを特徴とするデジタル/アナログ変換回路
の製造方法。
18. A first step of forming a pattern of an input electrode wiring and an output electrode wiring on a substrate using tantalum (Ta) or aluminum (Al), and anodizing the input electrode wiring and the output electrode wiring. A second step of forming an oxide layer having a thickness in the range of 20 nm to 80 nm, and a third step of annealing the oxide layer at a temperature in the range of 300 ° C. to 500 ° C. A fourth step of forming an electrode pattern for bridging the oxide layer formed on the input electrode wiring and the oxide layer formed on the output electrode wiring with aluminum (Al) or chromium (Cr). A method for manufacturing a digital / analog conversion circuit, comprising:
【請求項19】 基板上にポリシリコン膜により入力電
極配線および出力電極配線のパターンを形成する第1の
過程と、 前記入力電極配線および前記出力電極配線上に、化学蒸
着装置によって、水素処理された窒化シリコン(SiN
x:H)を20ナノメートル以上80ナノメートル以下の
範囲の厚さに製膜し絶縁層を形成する第2の過程と、 前記入力電極配線上に形成された前記絶縁層と前記出力
電極配線上に形成された前記絶縁層をブリッジ接続する
電極パターンを形成する第3の過程と、 を有することを特徴とするデジタル/アナログ変換回路
の製造方法。
19. A first step of forming a pattern of an input electrode wiring and an output electrode wiring on a substrate by using a polysilicon film, and hydrogen processing is performed on the input electrode wiring and the output electrode wiring by a chemical vapor deposition apparatus. Silicon nitride (SiN
x : H) in a thickness of not less than 20 nm and not more than 80 nm to form an insulating layer; and the insulating layer and the output electrode wiring formed on the input electrode wiring. A third step of forming an electrode pattern for bridge-connecting the insulating layer formed thereon; and a method of manufacturing a digital / analog conversion circuit.
【請求項20】 前記基板上に、画素の保持容量と同一
の構造およびプロセスで容量素子を形成する容量形成過
程を有することを特徴とする請求項18または請求項1
9に記載のデジタル/アナログ変換回路の製造方法。
20. The method according to claim 18, further comprising the step of forming a capacitor on the substrate by the same structure and process as the storage capacitor of the pixel.
10. The method for manufacturing a digital / analog conversion circuit according to item 9.
【請求項21】 前記基板上に、画素スイッチング薄膜
トランジスタと同一の構造およびプロセスで、デジタル
/アナログ変換出力をオン/オフするスイッチング素子
を形成するスイッチング手段形成過程を有することを特
徴とする請求項18〜20のいずれかに記載のデジタル
/アナログ変換回路の製造方法。
21. A process for forming a switching means for forming a switching element for turning on / off a digital / analog conversion output on the substrate with the same structure and process as the pixel switching thin film transistor. 21. The method for manufacturing a digital / analog conversion circuit according to any one of claims 20 to 20.
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