JP2001196643A - Chip carrier for mounting optical / electrical element, method of mounting the same, optical / electrical wiring board, method of manufacturing the same, and mounting board - Google Patents
Chip carrier for mounting optical / electrical element, method of mounting the same, optical / electrical wiring board, method of manufacturing the same, and mounting boardInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高速で入出力端子の多い電気素子を実装できる
光・電気素子搭載用チップキャリア並びに従来と同じ方
法で実装できる光・電気配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板1と、絶縁基板の片方の面に、電
気素子と電気接続するための第1の金属パッド2と、絶
縁基板の反対面に、光素子と電気接続するための第2の
金属パッド3と、第2の金属パッドと同一面内に、外部
基板と電気接続するための第3の金属パッド4と、絶縁
基板表面あるいは内部に位置する第1の金属パッドと第
2の金属パッドを、及び、第1の金属パッドと第3の金
属パッドを接続する電気配線5、7を有する光・電気素
子搭載用チップキャリアに発光素子等を実装し、更に、
光・電気配線基板と電気接続する。
(57) [Problem] To provide an optical / electrical element mounting chip carrier capable of mounting an electric element having many input / output terminals at a high speed and an optical / electrical wiring board which can be mounted by the same method as in the past. An insulating substrate, a first metal pad for electrically connecting to an electric element on one surface of the insulating substrate, and a second metal pad for electrically connecting to an optical element on the opposite surface of the insulating substrate. Metal pad 3, a third metal pad 4 for electrical connection with an external substrate in the same plane as the second metal pad, and a first metal pad located on or in the insulating substrate. A light emitting element or the like is mounted on a metal pad and an optical / electrical element mounting chip carrier having electric wirings 5 and 7 for connecting the first metal pad and the third metal pad, and further,
Electrical connection with optical / electrical wiring board.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光素子と電気素子
とを搭載するための光・電気素子搭載用チップキャリア
及びそのチップキャリアに光素子と電気素子を実装した
実装方法と、光配線と電気配線が混在する光・電気配線
基板及びその製造方法並びにその基板に光・電気素子を
搭載したチップキャリアを実装した実装基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical / electrical element mounting chip carrier for mounting an optical element and an electric element, a mounting method in which the optical element and the electric element are mounted on the chip carrier, and an optical wiring. The present invention relates to an optical / electrical wiring board in which electric wiring is mixed, a method of manufacturing the same, and a mounting board on which a chip carrier having an optical / electrical element is mounted.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体大規模集積回路(LSI)
等の電気素子ではトランジスターの集積度が高まり、そ
の動作速度はクロック周波数で1GHzに達するもの
が、また、入出力端子数では1000を越えるものが出
現するに至っている。2. Description of the Related Art Recently, semiconductor large-scale integrated circuits (LSIs)
In such electric elements, the degree of integration of transistors is increased, and the operation speed of the transistor reaches 1 GHz in clock frequency, and the number of input / output terminals exceeds 1,000.
【0003】この高集積化された電気素子を電気配線基
板に実装するために、BGA(Ball Grid A
rray)やCSP(Chip Size Packa
ge)等のチップキャリアが開発され、実用化されてい
る。図12はBGAに電気素子を実装し電気配線基板へ
実装した構造の概略を示したものである。In order to mount the highly integrated electric element on an electric wiring board, a BGA (Ball Grid A) is used.
rray) and CSP (Chip Size Packa)
Ge) and other chip carriers have been developed and put into practical use. FIG. 12 schematically shows a structure in which an electric element is mounted on a BGA and mounted on an electric wiring board.
【0004】ガラス布にエポキシ樹脂等を含浸した銅貼
基板をベースに、絶縁層、導体層を交互に積層したいわ
ゆるビルドアップ多層積層板132の片側表面に金等で
バンプ133が形成され、電気素子131の電極と電気
接続が取られている。また、反対表面には金等で表面処
理されたパッド137が形成され、半田ボール134を
介して電気配線基板135上に半田接続されている。周
辺の電気素子(図示せず)とは電気配線136を介し
て、電気信号のやりとりを行うようになっている。A so-called build-up multilayer laminate 132 in which insulating layers and conductor layers are alternately laminated on a copper-clad substrate in which glass cloth is impregnated with an epoxy resin or the like is provided with bumps 133 formed of gold or the like on one surface of the laminate 132. An electrical connection is made with the electrodes of the element 131. A pad 137 surface-treated with gold or the like is formed on the opposite surface, and is connected to the electric wiring board 135 via a solder ball 134 by soldering. Electric signals are exchanged with peripheral electric elements (not shown) via electric wiring 136.
【0005】電気素子内部のクロック周波数が高くなる
につれて、電気素子外部の素子間信号速度も高くなる傾
向にある。しかし、素子間の電気配線に高速の信号が流
れると、電気配線の形状不良による反射等のノイズの影
響が避けられなくなる。また、入出力端子の増加によ
り、電気配線基板の電気配線密度が高くなり、配線間の
クロストークも避けられなくなる。さらには、電気配線
から電磁波が発生して周囲に悪影響を与えるという問題
も発生する。このため、現状では、電気素子間の信号速
度をわざわざ落とし、これらの問題が起こらない程度に
システムが構築されている。したがって、これでは、高
集積された電気素子の機能が充分生かされていないこと
になる。[0005] As the clock frequency inside the electric element increases, the signal speed between elements outside the electric element also tends to increase. However, when a high-speed signal flows through the electric wiring between the elements, the influence of noise such as reflection due to a defective shape of the electric wiring cannot be avoided. Also, due to the increase in the number of input / output terminals, the electric wiring density of the electric wiring board increases, and crosstalk between the wirings is inevitable. Further, there is a problem that an electromagnetic wave is generated from the electric wiring and adversely affects the surroundings. For this reason, at present, the signal speed between the electric elements is bothersomely reduced, and the system is constructed so that these problems do not occur. Therefore, in this case, the function of the highly integrated electric element is not sufficiently utilized.
【0006】このような問題を解決するために、電気配
線基板上の銅による電気配線の一部を光ファイバーによ
る光配線に置き換え、電気信号の代わりに光信号を利用
することが考えられている。なぜなら、光信号の場合
は、ノイズ及び電磁波の発生を抑えられるからである。In order to solve such a problem, it has been considered to replace a part of the electric wiring made of copper on the electric wiring board with an optical wiring made of an optical fiber and use an optical signal instead of an electric signal. This is because, in the case of an optical signal, generation of noise and electromagnetic waves can be suppressed.
【0007】電気配線基板上の銅配線の一部を光ファイ
バによる光配線に置き換えた光・電気配線基板として、
たとえば、特開平3−29905号公報にて述べられて
いるように、電気配線基板上に光ファイバを絶縁膜にて
固定した基板が提案されている。An optical / electrical wiring board in which a part of the copper wiring on the electric wiring board is replaced with an optical wiring using an optical fiber,
For example, as described in JP-A-3-29905, there has been proposed a substrate in which an optical fiber is fixed on an electric wiring substrate with an insulating film.
【0008】しかし、このように電気信号を光信号に置
き換える系では、電気信号は電気素子からチップキャリ
アの電気配線を通り、さらに、基板上の電気配線を経
て、同基板上に設置された光素子で光信号に変換され、
同基板上の光ファイバに伝える必要がある。すなわち、
図13のように、BGAチップキャリア142の周辺部
にレーザ等の発光素子やフォトダイオード等の受光素子
である光素子146を配置させることになる。このた
め、電気素子の入出力端子数によっては、光素子の設置
されるエリアが大きくなり、基板の実装密度が低下して
しまう。また、光素子までの配線長が長くなり、ノイズ
の問題等が顕著になるため、光信号を用いるメリットが
なくなってしまう。However, in such a system in which an electric signal is replaced with an optical signal, the electric signal passes through the electric wiring of the chip carrier from the electric element, and further passes through the electric wiring on the substrate, and then the optical signal installed on the substrate. It is converted to an optical signal by the element,
It needs to be transmitted to the optical fiber on the same board. That is,
As shown in FIG. 13, a light emitting element such as a laser or an optical element 146 which is a light receiving element such as a photodiode is arranged around the BGA chip carrier 142. For this reason, depending on the number of input / output terminals of the electric element, the area where the optical element is installed becomes large, and the mounting density of the substrate is reduced. Further, since the wiring length to the optical element becomes longer and the problem of noise and the like becomes remarkable, the merit of using an optical signal is lost.
【0009】また、従来の光・電気配線基板は、レーザ
ダイオード等の発光素子やフォトダイオード等の受光素
子の光軸と光配線の光軸とを光学的に一致させることが
難しく、一般に熟練労働者に頼らなければ一致させられ
なかった。従って、リフロー炉などで自動的にハンダ付
けできる電気素子チップキャリアと比較して、光素子を
光・電気配線基板に実装することは、非常に高価なもの
になるという欠点があった。Further, in the conventional optical / electrical wiring board, it is difficult to optically match the optical axis of a light emitting element such as a laser diode or the light receiving element such as a photodiode with the optical axis of an optical wiring. I couldn't agree without relying on others. Therefore, as compared with an electric element chip carrier that can be automatically soldered in a reflow furnace or the like, mounting an optical element on an optical / electrical wiring board has a disadvantage that it is very expensive.
【0010】さらに、光配線として光ファイバを用いる
場合、その屈曲性の限界から、複雑な形状の光配線には
対応しきれず、設計の自由度が低くなってしまい、高密
度配線あるいは基板の小型化に対応できないという問題
があった。Further, when an optical fiber is used as the optical wiring, it cannot cope with an optical wiring having a complicated shape due to the limit of its flexibility, so that the degree of freedom of design is reduced, and high-density wiring or a small-sized substrate is required. There was a problem that it could not cope with.
【0011】このため、電気配線基板の上に、光配線と
して、いわゆる、光導波路を用いた光・電気配線基板の
構成がいくつか提案されている。光導波路の構成は光信
号が伝搬するコアが、光信号をコアに閉じこめるクラッ
ド層に埋設されている。コアパターンの形成方法は、フ
ォトリソグラフィ技術により、メタルマスクを形成し、
ドライエッチングで作製するか、コア材料に感光性が付
与されている場合は露光、現像処理にて作製できる。こ
のため、フォトマスクのパターンを基に光配線を形成で
きるため、その設計の自由度は高くなる。また、比較的
短距離の伝送にも対応が可能となる。For this reason, several configurations of optical / electrical wiring boards using so-called optical waveguides as optical wirings have been proposed on electrical wiring boards. In the configuration of the optical waveguide, a core through which an optical signal propagates is embedded in a clad layer that confine the optical signal to the core. The method of forming the core pattern is to form a metal mask by photolithography technology,
It can be produced by dry etching or, if the core material has been given photosensitivity, by exposure and development. For this reason, since the optical wiring can be formed based on the pattern of the photomask, the degree of freedom of the design is increased. Also, transmission over a relatively short distance can be supported.
【0012】しかし、電気配線基板上に光導波路を形成
する際、光配線層の下地としての電気配線基板表面は、
電気配線が多層化されていることで、非常に大きな凹凸
が形成されている。このため、その表面直に光導波路を
形成すると、その凹凸のために光信号の伝搬損失が大き
くなるという問題点が発生する。However, when an optical waveguide is formed on an electric wiring board, the surface of the electric wiring board as a base of the optical wiring layer is
Due to the multilayered electric wiring, very large irregularities are formed. For this reason, if the optical waveguide is formed directly on the surface, there is a problem that the propagation loss of the optical signal increases due to the unevenness.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明は係る従来技術
の欠点に鑑みてなされたもので、高速で入出力端子の多
い電気素子を実装できる光・電気素子搭載用チップキャ
リア並びに従来と同じ方法で実装できる光・電気配線基
板を提供することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and is an optical / electrical element mounting chip carrier capable of mounting an electric element having a large number of input / output terminals at high speed, and a conventional method. It is an object of the present invention to provide an optical / electrical wiring board that can be mounted by using the above.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明において上記の課
題を達成するために、まず請求項1の発明では、絶縁基
板と、絶縁基板の片方の面に、電気素子と電気接続する
ための第1の金属パッドと、絶縁基板の反対面に、光素
子と電気接続するための第2の金属パッドと、第2の金
属パッドと同一面内に、外部基板と電気接続するための
第3の金属パッドと、絶縁基板表面あるいは内部に位置
する第1の金属パッドと第2の金属パッドを、及び、第
1の金属パッドと第3の金属パッドを接続する電気配線
を有することを特徴とする光・電気素子搭載用チップキ
ャリアとしたものである。In order to achieve the above object in the present invention, according to the first aspect of the present invention, an insulating substrate and a first surface for electrically connecting an electric element to one surface of the insulating substrate are provided. A first metal pad, a second metal pad for electrical connection with the optical element on the opposite surface of the insulating substrate, and a third metal pad for electrical connection with the external substrate in the same plane as the second metal pad. It has a metal pad, a first metal pad and a second metal pad located on or in the insulating substrate, and an electric wiring connecting the first metal pad and the third metal pad. This is a chip carrier for mounting optical / electrical elements.
【0015】また請求項2の発明では、請求項1に記載
の光・電気素子搭載用チップキャリアの第1の金属パッ
ドに電気素子を実装し、反対面の第2の金属パッドに光
素子として、発光素子を、発光面を絶縁基板面から上部
に向くように、及び、受光素子を、受光面を絶縁基板面
から上部に向くように実装することを特徴とする請求項
1に記載の光・電気素子搭載用チップキャリアの実装方
法としたものである。According to a second aspect of the present invention, an electrical element is mounted on the first metal pad of the chip carrier for mounting an optical / electrical element according to the first aspect, and an optical element is mounted on the second metal pad on the opposite surface. 2. The light according to claim 1, wherein the light emitting element is mounted so that the light emitting surface faces upward from the insulating substrate surface, and the light receiving element is mounted such that the light receiving surface faces upward from the insulating substrate surface. -The method of mounting the chip carrier for mounting the electric element.
【0016】また請求項3の発明では、電気配線を有す
る基板の電気配線の上に、光を伝搬させるコアとそのコ
アを埋没させるクラッドとを有する光配線層を備える光
・電気配線基板であって、コアの一部に設けられ、光素
子の発光面及び受光面に対向する位置に配置されたミラ
ーと、第3のパッドと対向する位置に配置された第4の
パッドと、第4のパッドと基板の電気配線とを電気接続
するビアホールと、を具備することを特徴とする光・電
気配線基板としたものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided an optical / electrical wiring board including an optical wiring layer having a core for transmitting light and a clad for burying the core, on the electric wiring of the substrate having the electric wiring. A mirror provided on a part of the core and disposed at a position facing the light-emitting surface and the light-receiving surface of the optical element; a fourth pad disposed at a position facing the third pad; An optical / electrical wiring board comprising: a via hole for electrically connecting a pad to an electric wiring of the board.
【0017】また請求項4の発明では、電気配線を有す
る基板の電気配線の上に、光を伝搬させるコアとそのコ
アを埋没させるクラッドとを有する光配線層を備える光
・電気配線基板であって、コアの一部に設けられ、光素
子の発光面及び受光面に対向する位置に配置されたミラ
ーと、第3のパッドと対向する位置に配置された第4の
パッドと、第4のパッドと基板の電気配線とを電気接続
するビアホールと、光配線層上に設けられた電気配線
と、を具備することを特徴とする光・電気配線基板とし
たものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an optical / electrical wiring board including an optical wiring layer having a core for transmitting light and a clad for burying the core, on the electric wiring of the substrate having the electric wiring. A mirror provided on a part of the core and disposed at a position facing the light-emitting surface and the light-receiving surface of the optical element; a fourth pad disposed at a position facing the third pad; An optical / electrical wiring board comprising: a via hole for electrically connecting a pad and an electric wiring of a substrate; and an electric wiring provided on an optical wiring layer.
【0018】また請求項5の発明では、第4のパッド周
辺部にクラッド層と同一材料の凸部を具備することを特
徴とした請求項3、4いずれか1項記載の光・電気配線
基板としたものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the optical / electrical wiring substrate according to any one of the third and fourth aspects, a projection made of the same material as that of the cladding layer is provided around the fourth pad. It is what it was.
【0019】また請求項6の発明では、ミラー上部の光
配線層表面にクラッド層と同一材料の凸状レンズを具備
することを特徴とした請求項3〜5いずれか1項記載の
光・電気配線基板としたものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the optical / electrical device according to any one of the third to fifth aspects, wherein a convex lens made of the same material as the clad layer is provided on the surface of the optical wiring layer above the mirror. This is a wiring board.
【0020】また請求項7の発明では、支持体に第1の
クラッド層を形成する工程と、光配線となるコア層を形
成する工程と、その上から第2のクラッド層を形成する
工程と、コアの一部にミラーを形成する工程と、支持体
から剥離して光配線フィルムを形成する工程と、光配線
フィルムを電気配線を有する基板に接着する工程と、基
板上の電気配線とビアホールを介して第4のパッドを電
気接続する工程を含むことを特徴とする請求項3、4い
ずれか1項記載の光・電気配線基板の製造方法としたも
のである。Further, in the invention according to claim 7, a step of forming a first clad layer on the support, a step of forming a core layer to be an optical wiring, and a step of forming a second clad layer thereon. Forming a mirror on a part of the core, forming an optical wiring film by peeling the optical wiring film from a support, bonding the optical wiring film to a substrate having electrical wiring, and forming electrical wiring and via holes on the substrate. The method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to any one of claims 3 and 4, further comprising the step of electrically connecting the fourth pad via the second pad.
【0021】また請求項8の発明では、支持体にあらか
じめ第4のパッド周辺部に配置された凸部に対応する型
を形成する工程と、その上に第1のクラッド層を形成す
る工程と、光配線となるコア層を形成する工程と、その
上から第2のクラッド層を形成する工程と、コアの一部
にミラーを形成する工程と、該支持体から剥離して光配
線フィルムを形成する工程と、光配線フィルムを電気配
線を有する基板に接着する工程と、基板上の電気配線と
ビアホールを介して第4のパッドを電気接続する工程を
含むことを特徴とする請求項5に記載の光・電気配線基
板の製造方法としたものである。According to the invention of claim 8, a step of forming a mold corresponding to the convex portion disposed in advance on the periphery of the fourth pad on the support, and a step of forming a first cladding layer thereon. Forming a core layer to be an optical wiring, forming a second cladding layer thereon, forming a mirror on a part of the core, and peeling the optical wiring film from the support to form an optical wiring film. 6. The method according to claim 5, further comprising a step of forming, a step of bonding the optical wiring film to a substrate having electrical wiring, and a step of electrically connecting the electrical wiring on the substrate and the fourth pad via a via hole. This is a method for manufacturing the optical / electrical wiring board described above.
【0022】また請求項9の発明では、支持体にあらか
じめレンズに対応する型、並びに、第4のパッド周辺部
に配置された凸部に対応する型を形成する工程と、その
上に第1のクラッド層を形成する工程と、光配線となる
コア層を形成する工程と、その上から第2のクラッド層
を形成する工程と、コアの一部にミラーを形成する工程
と、該支持体から剥離して光配線フィルムを形成する工
程と、光配線フィルムを電気配線を有する基板に接着す
る工程と、基板上の電気配線とビアホールを介して第4
のパッドを電気接続する工程を含むことを特徴とする請
求項6に記載の光・電気配線基板の製造方法としたもの
である。According to the ninth aspect of the present invention, a step of forming a mold corresponding to the lens and a mold corresponding to the convex portion arranged in the peripheral portion of the fourth pad in advance on the support, and further forming the first Forming a cladding layer, forming a core layer to be an optical wiring, forming a second cladding layer thereon, forming a mirror on a part of the core, Forming an optical wiring film by peeling the optical wiring film from the substrate; bonding the optical wiring film to a substrate having electrical wiring;
7. The method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to claim 6, further comprising the step of electrically connecting said pads.
【0023】また請求項10の発明では、請求項1に記
載の光・電気素子搭載用チップキャリアに光素子及び電
気素子を実装し、さらに、請求項3〜6の何れか1項記
載の光・電気配線基板に光素子及び電気素子を実装した
光・電気素子搭載用チップキャリアを実装したことを特
徴とする実装基板としたものである。According to a tenth aspect of the present invention, an optical element and an electric element are mounted on the optical / electrical element mounting chip carrier according to the first aspect, and further, the optical element according to any one of the third to sixth aspects. -A mounting substrate characterized by mounting an optical element and a chip carrier for mounting an optical / electric element on which an optical element and an electric element are mounted on an electric wiring board.
【0024】[0024]
【発明の実施の形態】1.光・電気素子搭載用チップキ
ャリア 本発明の光・電気素子搭載用チップキャリアの例を図1
の(a)と(b)に示す。図1(a)は、単層の絶縁基
板1の両面に導体を形成し、その間を貫通孔の内壁面ま
たは内部に導体を形成したスルーホール6で接続した断
面図である。電気素子を搭載する側には電気配線5と電
気素子の電極と接続するための第1の金属パッド2が形
成されている。また、光・電気配線基板と接続する側に
は、光素子を搭載するための第2の金属パッド3と光・
電気配線基板と接続するための第3の金属パッド4が形
成されている。絶縁基板としては、ポリイミドフィルム
やガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた基板等を用い
ることができる。厚さは前者で、30μm 〜100μm
、後者は300μm 〜1.6mmである。スルーホー
ルを形成するための貫通孔は、前者では主に炭酸ガスレ
ーザやエキシマレーザ加工で径が30〜100μm 、後
者はドリル加工で100μm 〜500μm のものが得ら
れる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION FIG. 1 shows an example of a chip carrier for mounting an optical / electric element according to the present invention.
(A) and (b) of FIG. FIG. 1A is a cross-sectional view in which conductors are formed on both surfaces of a single-layered insulating substrate 1 and connected therebetween by a through hole 6 having a conductor formed on the inner wall surface or inside of the through hole. On the side on which the electric element is mounted, a first metal pad 2 for connecting the electric wiring 5 and the electrode of the electric element is formed. On the side connected to the optical / electrical wiring board, a second metal pad 3 for mounting an optical element is provided.
Third metal pads 4 for connection to the electric wiring board are formed. As the insulating substrate, a substrate obtained by impregnating a polyimide film or a glass cloth with an epoxy resin or the like can be used. Thickness is the former, 30 μm to 100 μm
The latter is 300 μm to 1.6 mm. The diameter of the through-hole for forming the through-hole is 30 to 100 μm mainly by carbon dioxide laser or excimer laser processing in the former, and 100 to 500 μm by drilling in the latter.
【0025】図1(b)は、多層絶縁配線基板を用いた
一例の断面図であり、いわゆるビルドアップ基板を用い
ている。ベース基板として、ガラス布にエポキシ樹脂等
を含浸させた両面銅貼積層板を用い、銅箔を用いて内部
配線層7を形成する。この時の両面銅貼積層板の厚さは
300μm 〜1.6mmであり、銅箔厚は12〜38μ
m である。両側の内部配線間は、通常のプリント配線基
板に用いられるスルーホール8を形成する。スルーホー
ルの径は100〜500μm である。その両面にエポキ
シ樹脂等の絶縁層、めっきによる銅配線層を交互に積層
したビルドアップ層を形成する。エポキシ樹脂厚は20
〜100μm 、めっき厚は5〜20μmである。最表面
は図1(a)に示した構成と同様に、電気配線5と第1
の金属パッド2、および、反対面には第2の金属パッド
3、第3の金属パッド4を形成する。ビルドアップ層の
層間接続はビアホール9を用いる。ビアホール径は30
〜300μm である。図ではベース基板層は単層で、そ
の両側にビルドアップ層1層で示しているが、これに限
らず、ベース基板並びにビルドアップ層がそれぞれ多層
であっても構わない。FIG. 1B is a cross-sectional view of an example using a multilayer insulated wiring board, which uses a so-called build-up board. As the base substrate, a double-sided copper-clad laminate in which a glass cloth is impregnated with an epoxy resin or the like is used, and the internal wiring layer 7 is formed using a copper foil. At this time, the thickness of the double-sided copper-clad laminate is 300 μm to 1.6 mm, and the thickness of the copper foil is 12 to 38 μm.
m. Through holes 8 used for a normal printed wiring board are formed between the internal wirings on both sides. The diameter of the through hole is 100-500 μm. On both surfaces, a build-up layer is formed by alternately laminating insulating layers such as epoxy resin and copper wiring layers by plating. Epoxy resin thickness is 20
100100 μm, and the plating thickness is 5-20 μm. The outermost surface is similar to the configuration shown in FIG.
And a second metal pad 3 and a third metal pad 4 on the opposite surface. Via holes 9 are used for interlayer connection of the build-up layer. Via hole diameter is 30
300300 μm. In the figure, the base substrate layer is a single layer, and a single build-up layer is shown on both sides. However, the present invention is not limited to this, and the base substrate and the build-up layer may each be a multilayer.
【0026】図1(b)のビルドアップチップキャリア
のほうが、(a)の単層チップキャリアに比べ設計の自
由度が高く、自由な場所に金属パッドを形成できる。The build-up chip carrier of FIG. 1B has a higher degree of freedom in design than the single-layer chip carrier of FIG.
【0027】図1(c)は本発明の光・電気素子搭載用
チップキャリアの第2の金属パッド3及び第3の金属パ
ッド4が形成されている側の1例を示す上面図である。
図のように、第2の金属パッド3と第3の金属パッド4
をアレイ状に配置することも可能である。FIG. 1C is a top view showing an example of the side on which the second metal pad 3 and the third metal pad 4 of the chip carrier for mounting an optical / electrical element of the present invention are formed.
As shown, the second metal pad 3 and the third metal pad 4
Can be arranged in an array.
【0028】このことは、電気素子上の電極の位置やピ
ッチ距離に影響を受けずに光素子の位置や基板との接続
部の位置を決めることができるため、光素子の実装や基
板との接続がより容易になる。This is because the position of the optical element and the position of the connection portion with the substrate can be determined without being affected by the positions of the electrodes on the electric element and the pitch distance. Connection becomes easier.
【0029】2.光・電気素子搭載用チップキャリアの
実装 図2の(a)、(b)は、それぞれ、図1の(a)、
(b)における光・電気素子搭載用チップキャリアに光
素子11及び電気素子12を実装した1例を示す断面図
である。第1の金属パッドにめっき等にて金のバンプ1
4を形成し、そのバンプと電気素子12の電極を接続す
る。場合によっては、電気素子とチップキャリアの間隙
に光硬化性樹脂層を形成する。一方、反対面の第2の金
属パッドには同様にめっきにて半田バンプ14を形成
し、その上に光素子11を、第3の金属パッドには半田
ボール13を半田付けする。2. 2. Mounting of Chip Carrier for Mounting Optical / Electrical Elements FIGS. 2A and 2B are FIGS. 1A and 1B, respectively.
FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating an example in which the optical element 11 and the electric element 12 are mounted on the chip carrier for mounting an optical / electric element in FIG. Gold bump 1 on the first metal pad by plating or the like
4 are formed, and the bumps are connected to the electrodes of the electric element 12. In some cases, a photocurable resin layer is formed in a gap between the electric element and the chip carrier. On the other hand, solder bumps 14 are similarly formed on the second metal pad on the opposite side by plating, and an optical element 11 is soldered thereon, and a solder ball 13 is soldered on the third metal pad.
【0030】光素子の発光面や受光面は光・電気配線基
板表面と相対する側に設置される。これにより、光信号
を光素子と光配線層の間で、空間伝送することができ
る。The light emitting surface and the light receiving surface of the optical element are provided on the side facing the optical / electrical wiring board surface. Thus, the optical signal can be spatially transmitted between the optical element and the optical wiring layer.
【0031】このようにして作製した光・電気搭載用チ
ップキャリアは、従来の電気素子チップキャリアと同様
に半田リフローにて光・電気配線基板に実装することが
できる。The optical / electrical mounting chip carrier manufactured in this manner can be mounted on an optical / electrical wiring board by solder reflow similarly to the conventional electric element chip carrier.
【0032】3.光・電気配線基板 本発明の光・電気配線基板の1例の断面図を図3(a)
に示す。電気配線25を有する基板24上に、光配線層
21が接着剤28で固定された構造になっている。光配
線層の最表面には、前記半田ボールと接続するための第
4の金属パッド26が形成されており、第4の金属パッ
ドはビアホール29を介して電気配線25と接続されて
いる。基板24は単層の絶縁基板でも、多層電気配線基
板でも良い。3. Optical / Electric Wiring Board FIG. 3A is a cross-sectional view of one example of the optical / electrical wiring board of the present invention.
Shown in The optical wiring layer 21 is fixed on a substrate 24 having an electric wiring 25 with an adhesive 28. On the outermost surface of the optical wiring layer, a fourth metal pad 26 for connecting to the solder ball is formed, and the fourth metal pad is connected to the electric wiring 25 via a via hole 29. The substrate 24 may be a single-layer insulating substrate or a multilayer electric wiring substrate.
【0033】光配線層21には、光信号が伝搬するコア
22と光信号をコアに閉じこめるクラッド23からな
る。一般的にコアを形成する材料の屈折率はクラッドの
それに比べ高くすることにより、光信号はコア内を伝搬
する。The optical wiring layer 21 includes a core 22 through which an optical signal propagates, and a clad 23 that confine the optical signal to the core. Generally, the refractive index of the material forming the core is made higher than that of the cladding, so that the optical signal propagates in the core.
【0034】また、板面と並行に伝搬してきた光信号を
基板上部に位置する受光素子の受光面に、あるいは、基
板上部に位置する発光素子の発光面から放出された光信
号をコアへ導入するためにコアの一部にミラー27を設
置する。ミラー面界面はコアより屈折率の低い樹脂を接
触させるか、空気と接触させても良い。また、金属薄膜
を形成しても良い。An optical signal propagated in parallel with the plate surface is introduced into a light receiving surface of a light receiving element located above the substrate or an optical signal emitted from a light emitting surface of a light emitting element located above the substrate is introduced into the core. For this purpose, a mirror 27 is provided on a part of the core. The mirror surface interface may be brought into contact with a resin having a lower refractive index than the core, or may be brought into contact with air. Further, a metal thin film may be formed.
【0035】図3(b)は本発明のチップキャリア搭載
部近傍の光配線層上面図の一例である。コアパターン2
2はフォトリソグラフィで形成可能なため、光配線の自
由度が高い。同様に図3(c)は光配線層表面に第4の
金属パッド26と接続する電気配線30を形成した場合
である。この場合、第4の金属パッド直下にビアホール
28を形成する必要がなく、第4の金属パッド直下にも
コアパターンを形成することが可能になり、さらに、光
配線の設計の自由度が高くなる。FIG. 3B is an example of an optical wiring layer top view near the chip carrier mounting portion of the present invention. Core pattern 2
2 can be formed by photolithography, so that the degree of freedom of optical wiring is high. Similarly, FIG. 3C shows a case where an electric wiring 30 connected to the fourth metal pad 26 is formed on the surface of the optical wiring layer. In this case, it is not necessary to form the via hole 28 directly below the fourth metal pad, and it is possible to form the core pattern directly below the fourth metal pad, and the degree of freedom in designing the optical wiring is increased. .
【0036】図4は本発明の、もう一つの光・電気配線
基板の一例を示す断面図である。第4の金属パッド33
の周辺部に光配線層のクラッドと同一材料の凸部を形成
するものである。本凸部により、半田ボールの接続位置
が自動的に決まる。また、チップキャリア上の第2の金
属パッドと光素子、及び、第3の金属パッドと半田ボー
ルの位置関係も半田セルフアライメント効果にて精度良
く決まる。さらに、ミラーの位置もアライメントマーク
(図示せず)を基準に所定の位置に加工可能である。FIG. 4 is a sectional view showing an example of another optical / electrical wiring board according to the present invention. Fourth metal pad 33
Are formed at the periphery of the optical wiring layer with the same material as the cladding of the optical wiring layer. The connection position of the solder ball is automatically determined by the convex portion. Also, the positional relationship between the second metal pad and the optical element on the chip carrier and between the third metal pad and the solder ball are accurately determined by the solder self-alignment effect. Further, the position of the mirror can be processed to a predetermined position based on an alignment mark (not shown).
【0037】このため、本発明の光・電気素子搭載用チ
ップキャリアを光・電気配線基板上に仮固定し、半田リ
フロー炉に通すだけで、自動的に光素子と光配線の光軸
を合わせることが可能になり、光軸合わせがより簡単に
なる。For this reason, the chip carrier for mounting the optical / electrical element of the present invention is temporarily fixed on the optical / electrical wiring board, and the optical axis of the optical element and the optical wiring are automatically aligned just by passing the chip carrier through a solder reflow furnace. And the optical axis alignment becomes easier.
【0038】図5は本発明の、もう一つの光・電気配線
基板の一例を示す断面図である。この場合、第4の金属
パッド33の周辺部に設けた凸部31と同時にクラッド
材料にてレンズを形成する。これにより、さらに、光軸
合わせが容易になる。FIG. 5 is a sectional view showing an example of another optical / electrical wiring board according to the present invention. In this case, a lens is formed of a cladding material at the same time as the projection 31 provided on the periphery of the fourth metal pad 33. This further facilitates optical axis alignment.
【0039】図6(a)、(c)は第4の金属パッド周
辺部に形成した凸部の形状の例を示す。図6(a)のよ
うに周囲を取り囲んでも良いし、図6(c)のように数
個の凸部を配置しても良い。図6(b)は図6(a)の
A−A‘に沿った断面図である。同様に、図6(d)は
図6(c)のB−B‘に沿った断面図である。FIGS. 6 (a) and 6 (c) show examples of the shape of the projection formed on the periphery of the fourth metal pad. The periphery may be surrounded as shown in FIG. 6A, or several projections may be arranged as shown in FIG. 6C. FIG. 6B is a cross-sectional view along the line AA ′ in FIG. Similarly, FIG. 6D is a cross-sectional view along BB ′ in FIG. 6C.
【0040】4.光・電気配線基板の製造方法 本発明の光・電気配線基板の製造方法は、基本的には、
次の通りである。まず、電気配線を有する基板とは別
に、支持体の上で光配線層を作る。次に、コアの一部に
ミラーを設けて光配線層を基板に接着する。さらに、ビ
アホールによって基板上の電気配線と電気接続している
パッドを光配線層上に作る。4. Method for Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board The method for manufacturing an optical / electrical wiring board of the present invention is basically
It is as follows. First, an optical wiring layer is formed on a support separately from a substrate having electric wiring. Next, a mirror is provided on a part of the core, and the optical wiring layer is bonded to the substrate. Further, a pad electrically connected to the electric wiring on the substrate by the via hole is formed on the optical wiring layer.
【0041】本製造方法では、光配線を凹凸のある電気
配線を有する絶縁基板上に直に、積み上げて作製するの
ではなく、あらかじめ別の支持体に作製し、電気配線基
板に貼り付けている。これにより、下地の電気配線基板
の凹凸を緩和し、凹凸による光信号の損失をある程度、
低減することができる。In the present manufacturing method, the optical wiring is not directly formed on the insulating substrate having the uneven electric wiring, but is formed on another support in advance and attached to the electric wiring substrate. . As a result, the unevenness of the underlying electric wiring board is reduced, and the loss of the optical signal due to the unevenness is reduced to some extent.
Can be reduced.
【0042】以下、2つの実施の形態を説明する。Hereinafter, two embodiments will be described.
【0043】<光・電気配線基板の製造方法の第1の実
施の形態>光・電気配線基板の製造方法の第1の実施の
形態を、チップキャリアの搭載するための第4の金属パ
ッド周辺部に焦点を当てて、図7、図8の(a)〜
(n)の流れに従って説明する。<First Embodiment of Method for Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board> The first embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board is described by using a fourth metal pad periphery for mounting a chip carrier. Focusing on the parts, FIG. 7 and FIG.
The description will be made according to the flow of (n).
【0044】図7の(a)のように、支持体51である
シリコンウエハの上に、剥離層52として、Cr、Cu
の薄膜層をスパッタし、その後、硫酸銅めっき浴中にて
Cu層を約10μm 形成した。As shown in FIG. 7A, a release layer 52 of Cr, Cu
Then, a Cu layer was formed to a thickness of about 10 μm in a copper sulfate plating bath.
【0045】図7の(b)のように、剥離層52の上
に、第1のクラッド53としてポリイミドOPI−N1
005(日立化成工業(株)製)をスピンコートし、3
50℃にてイミド化させた。この時の膜厚は20μm で
あった。As shown in FIG. 7B, a polyimide OPI-N1 is formed on the release layer 52 as a first clad 53.
005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
It was imidized at 50 ° C. At this time, the film thickness was 20 μm.
【0046】さらに、図7の(c)のように、第1のク
ラッド53の層の上にコア層54としてポリイミドOP
I−N1305(日立化成(株)製)を同様にスピンコ
ートし、350℃でイミド化させた。この時の膜厚は8
μm であった。この光配線層に用いられるコア並びにク
ラッド材料はポリイミド樹脂に限らず、フッ素化あるい
は重水素化したエポキシ樹脂、メタクリル酸エステル樹
脂等の高分子材料の中で、光信号に用いられる光の波長
により損失の少ない材料を選ぶことができる。Further, as shown in FIG. 7C, a polyimide OP is formed as a core layer 54 on the first clad 53 layer.
I-N1305 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was similarly spin-coated and imidized at 350 ° C. The film thickness at this time is 8
μm. The core and cladding materials used for this optical wiring layer are not limited to polyimide resins, but can be selected from polymer materials such as fluorinated or deuterated epoxy resins and methacrylate resins, depending on the wavelength of light used for optical signals. Materials with low loss can be selected.
【0047】コア層表面にAlを蒸着し、フォトレジス
トの所定のパターンを形成し、エッチング処理を行い、
Alのメタルマスク55を形成した(図7の(d))。Al is vapor-deposited on the surface of the core layer, a predetermined pattern of photoresist is formed, an etching process is performed,
An Al metal mask 55 was formed (FIG. 7D).
【0048】図7の(e)のように、酸素ガスを用い、
反応性イオンエッチングにてコア54をエッチングし
た。さらに、メタルマスクであるAl膜をエッチング除
去して光配線パターン56を形成した。コアパターンと
同時にアライメントマーク(図示せず)を形成した。As shown in FIG. 7E, using oxygen gas,
The core 54 was etched by reactive ion etching. Further, the Al film serving as a metal mask was removed by etching to form an optical wiring pattern 56. An alignment mark (not shown) was formed simultaneously with the core pattern.
【0049】図7の(f)のように、第2のクラッド5
7としてOPI−1005を同様にコートしてイミド化
させる。この時のクラッド厚は、コア光配線層上で20
μmであった。As shown in FIG. 7F, the second clad 5
As No. 7, OPI-1005 is similarly coated and imidized. The cladding thickness at this time is 20 on the core optical wiring layer.
μm.
【0050】図7の(g)のように、コアパターン56
を形成する際に同時に形成していたアライメントマーク
(図示せず)を基準に、コアパターン56の一部に機械
加工で基板と45°の角度にミラー58を形成した。As shown in FIG. 7G, the core pattern 56
A mirror 58 was formed on a part of the core pattern 56 at an angle of 45 ° with respect to the substrate by machining a part of the core pattern 56 with reference to the alignment mark (not shown) formed at the same time when the substrate was formed.
【0051】図8の(h)のように、塩化第2鉄液を用
いて剥離層中のCu層を溶解し、光配線層を剥離して光
配線フィルムを作製した。As shown in FIG. 8 (h), the Cu layer in the peeling layer was dissolved using a ferric chloride solution, and the optical wiring layer was peeled off to produce an optical wiring film.
【0052】図8の(i)のように、電気配線60を有
する基板59上に、接着剤61として熱可塑性を示す変
成ポリイミド樹脂を20μm コーティング、乾燥させ、
光配線層のミラー加工した面を貼り合わせ加熱接着し
た。As shown in FIG. 8 (i), a modified polyimide resin exhibiting thermoplasticity is coated on the substrate 59 having the electric wiring 60 as the adhesive 61 by 20 μm and dried.
The mirror-processed surface of the optical wiring layer was bonded and heated and bonded.
【0053】図8の(j)のように、ビアホールを形成
する位置に、レーザにてビアホール用の孔62を形成し
た。レーザとしては、エキシマレーザ、炭酸ガスレー
ザ、YAGレーザなどが適している。As shown in FIG. 8 (j), holes 62 for via holes were formed at positions where via holes were to be formed using a laser. An excimer laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is suitable as the laser.
【0054】図8の(k)のように、光配線層表面に並
びにレーザ加工を施した孔内部に、スパッタにてCr、
Cuの金属薄膜63を形成した。As shown in FIG. 8 (k), Cr and Cr were sputtered on the surface of the optical wiring layer and inside the laser-processed hole.
A Cu metal thin film 63 was formed.
【0055】図8の(l)のように、所望の位置にフォ
トレジストのパターン64を形成した。As shown in FIG. 8 (l), a photoresist pattern 64 was formed at a desired position.
【0056】図8の(m)のように、金属薄膜63を陰
極にして、硫酸銅めっき浴中で孔62内部並びに第4の
金属パッド66に厚さ20μm のCuめっきを施した。As shown in FIG. 8 (m), the inside of the hole 62 and the fourth metal pad 66 were subjected to Cu plating with a thickness of 20 μm in a copper sulfate plating bath using the metal thin film 63 as a cathode.
【0057】図8の(n)のように、フォトレジストパ
ターン64を剥離して、スパッタCr、Cuの金属薄膜
をエッチング除去して、本発明の第1の実施形態の光・
電気配線基板を得た。As shown in FIG. 8 (n), the photoresist pattern 64 is peeled off, and the sputtered Cr and Cu metal thin films are removed by etching.
An electric wiring board was obtained.
【0058】<光・電気配線基板の製造方法の第2の実
施の形態>光・電気配線基板の製造方法の第2の実施の
形態を、チップキャリアの搭載するための第4の金属パ
ッド周辺部に焦点を当てて、図9、図10の(a)〜
(o)の流れに従って説明する。<Second Embodiment of Method for Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board> The second embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board will be described in connection with the fourth metal pad periphery for mounting a chip carrier. Focusing on the parts, FIG. 9 and FIG.
The description will be made according to the flow of (o).
【0059】図9の(a)のように、支持体71である
シリコンウエハの上に熱酸化膜を形成し、所望のパター
ン72に反応性イオンエッチングを行った。As shown in FIG. 9A, a thermal oxide film was formed on a silicon wafer as a support 71, and a desired pattern 72 was subjected to reactive ion etching.
【0060】ウエットエッチングにて凹部73を形成
後、図9の(b)のように、支持体71であるシリコン
ウエハの表面上並びに凹部内部に、剥離層73として、
Cr、Cuの薄膜層をスパッタし、その後、硫酸銅めっ
き浴中にてCu層を約10μm形成した。After forming the concave portion 73 by wet etching, as shown in FIG. 9B, a release layer 73 is formed on the surface of the silicon wafer as the support 71 and inside the concave portion.
A thin film layer of Cr and Cu was sputtered, and then a Cu layer was formed to a thickness of about 10 μm in a copper sulfate plating bath.
【0061】図9の(c)のように、剥離層73の上
に、第1のクラッド75としてポリイミドOPI−N1
005(日立化成工業(株)製)をスピンコートし、3
50℃にてイミド化させた。この時の膜厚は20μm で
あった。As shown in FIG. 9C, a polyimide OPI-N1 is formed on the release layer 73 as a first clad 75.
005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
It was imidized at 50 ° C. At this time, the film thickness was 20 μm.
【0062】さらに、図9の(d)のように、第1のク
ラッド75の層の上にコア層76としてポリイミドOP
I−N1305(日立化成(株)製)を同様にスピンコ
ートし、350℃でイミド化させた。この時の膜厚は8
μm であった。この光配線層に用いられるコア並びにク
ラッド材料はポリイミド樹脂に限らず、フッ素化あるい
は重水素化したエポキシ樹脂、メタクリル酸エステル樹
脂等の高分子材料の中で、光信号に用いられる光の波長
により損失の少ない材料を選ぶことができる。Further, as shown in FIG. 9D, a polyimide OP is formed as a core layer 76 on the first clad 75 layer.
I-N1305 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was similarly spin-coated and imidized at 350 ° C. The film thickness at this time is 8
μm. The core and cladding materials used for this optical wiring layer are not limited to polyimide resins, but can be selected from polymer materials such as fluorinated or deuterated epoxy resins and methacrylate resins, depending on the wavelength of light used for optical signals. Materials with low loss can be selected.
【0063】コア層表面にAlを蒸着し、フォトレジス
トの所定のパターンを形成し、エッチング処理を行い、
Alのメタルマスク77を形成した(図9の(e))。A predetermined pattern of photoresist is formed by depositing Al on the surface of the core layer, and etching is performed.
An Al metal mask 77 was formed (FIG. 9E).
【0064】図9の(f)のように、酸素ガスを用い、
反応性イオンエッチングにてコア76をエッチングし
た。さらに、メタルマスクであるAl膜をエッチング除
去して光配線パターン78を形成した。コアパターンと
同時にアライメントマーク(図示せず)を形成した。As shown in FIG. 9F, using oxygen gas,
The core 76 was etched by reactive ion etching. Further, the Al film serving as a metal mask was removed by etching to form an optical wiring pattern 78. An alignment mark (not shown) was formed simultaneously with the core pattern.
【0065】図9の(g)のように、第2のクラッド7
9としてOPI−1005を同様にコートしてイミド化
させる。この時のクラッド厚は、コア光配線層上で20
μmであった。As shown in FIG. 9G, the second clad 7
As No. 9, OPI-1005 is similarly coated and imidized. The cladding thickness at this time is 20 on the core optical wiring layer.
μm.
【0066】図9の(h)のように、コアパターン78
を形成する際に同時に形成していたアライメントマーク
(図示せず)を基準に、コアパターン78の一部に機械
加工で基板と45°の角度にミラー80を形成した。As shown in FIG. 9H, the core pattern 78
A mirror 80 was formed on a part of the core pattern 78 at an angle of 45 ° with respect to the substrate by machining a part of the core pattern 78 with reference to an alignment mark (not shown) formed at the same time when the substrate was formed.
【0067】図10の(i)のように、塩化第2鉄液を
用いて剥離層中のCu層を溶解し、光配線層を剥離して
光配線フィルムを作製した。ミラー加工面と反対側には
第4の金属パッド90周辺部に位置する凸部82並びに
レンズ81が形成できた。As shown in FIG. 10 (i), the Cu layer in the peeling layer was dissolved using a ferric chloride solution, and the optical wiring layer was peeled off to produce an optical wiring film. On the side opposite to the mirror processing surface, a convex portion 82 and a lens 81 positioned around the fourth metal pad 90 were formed.
【0068】図11の(j)のように、電気配線85を
有する基板83上に、接着剤84として熱可塑性を示す
変成ポリイミド樹脂を20μm コーティング、乾燥さ
せ、光配線層のミラー加工した面を貼り合わせ加熱接着
した。As shown in FIG. 11 (j), a modified polyimide resin exhibiting thermoplasticity is coated on a substrate 83 having an electric wiring 85 by 20 μm as an adhesive 84, dried, and the mirror-processed surface of the optical wiring layer is formed. Bonding and heat bonding were performed.
【0069】図11の(k)のように、ビアホールを形
成する位置に、レーザにてビアホール用の孔86を形成
した。レーザとしては、エキシマレーザ、炭酸ガスレー
ザ、YAGレーザなどが適している。As shown in FIG. 11K, holes 86 for via holes were formed at positions where via holes were to be formed using a laser. An excimer laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is suitable as the laser.
【0070】図11の(l)のように、光配線層表面に
並びにレーザ加工を施した孔内部に、スパッタにてC
r、Cuの金属薄膜87を形成した。As shown in FIG. 11 (l), the surface of the optical wiring layer and the inside of the laser-processed hole are sputtered with C.
A metal thin film 87 of r and Cu was formed.
【0071】図11の(m)のように、所望の位置にフ
ォトレジストのパターン88を形成した。As shown in FIG. 11 (m), a photoresist pattern 88 was formed at a desired position.
【0072】図11の(n)のように、金属薄膜87を
陰極にして、硫酸銅めっき浴中で孔86内部並びに第4
の金属パッド90に厚さ20μm のCuめっきを施し
た。As shown in FIG. 11 (n), the inside of the hole 86 and the fourth
Was plated with a 20 μm-thick Cu metal pad 90.
【0073】図11の(o)のように、フォトレジスト
パターン88を剥離して、スパッタCr、Cuの金属薄
膜をエッチング除去して、本発明の第2の実施形態の光
・電気配線基板を得た。As shown in FIG. 11 (o), the photoresist pattern 88 is peeled off, the metal thin films of sputter Cr and Cu are removed by etching, and the optical / electrical wiring board according to the second embodiment of the present invention is removed. Obtained.
【0074】5.実装基板 本発明のチップキャリア97に、電気素子91、受光素
子93、発光素子92を搭載し、本発明の第1の実施形
態における光・電気配線基板に、実装した形態を図11
の(a)に示す。5. Mounting Board An electric element 91, a light receiving element 93, and a light emitting element 92 are mounted on the chip carrier 97 of the present invention, and are mounted on the optical / electrical wiring board according to the first embodiment of the present invention.
(A) of FIG.
【0075】光・電気配線基板中のコア100を伝搬し
てきたレーザ光98はミラー101で反射して、基板上
部の受光素子93へ到達する。また、発光素子92より
放出したレーザ光99はミラー102を反射して、コア
100を伝搬する。The laser light 98 propagating through the core 100 in the optical / electrical wiring board is reflected by the mirror 101 and reaches the light receiving element 93 on the upper part of the board. The laser light 99 emitted from the light emitting element 92 is reflected by the mirror 102 and propagates through the core 100.
【0076】また、同様に、本発明のチップキャリア1
17に、電気素子111、受光素子113、発光素子1
12を搭載し、本発明の第2の実施形態における光・電
気配線基板に、実装した形態を図11の(b)に示す。Similarly, the chip carrier 1 of the present invention
17, an electric element 111, a light receiving element 113, and a light emitting element 1
FIG. 11 (b) shows an embodiment in which the semiconductor device 12 is mounted and mounted on the optical / electrical wiring board according to the second embodiment of the present invention.
【0077】光・電気配線基板中のコア120を伝搬し
てきたレーザ光118はミラー121で反射して、レン
ズ123を介し集光されて基板上部の受光素子113へ
到達する。また、発光素子112より放出したレーザ光
119は、レンズ124を介し集光されミラー122を
反射して、コア120を伝搬する。The laser beam 118 propagating through the core 120 in the optical / electrical wiring board is reflected by the mirror 121, condensed via the lens 123, and reaches the light receiving element 113 on the board. The laser light 119 emitted from the light emitting element 112 is condensed via the lens 124, reflected on the mirror 122, and propagates through the core 120.
【0078】[0078]
【発明の効果】本発明は、次のような効果がある。The present invention has the following effects.
【0079】第1に、高速で入出力端子数の多い高集積
化された電気素子を、ノイズ、クロストーク、電磁波の
影響を受けず、その機能を落とすことなく実装すること
ができるという効果がある。First, there is an effect that a highly integrated electric element having a high speed and a large number of input / output terminals can be mounted without being affected by noise, crosstalk and electromagnetic waves and without deteriorating its function. is there.
【0080】第2に、光素子を裏面に搭載することによ
り、高密度実装が可能になる。また、光素子を搭載しや
すいようにパッド位置を自由に設定できるという効果が
ある。Second, mounting the optical element on the back surface enables high-density mounting. Further, there is an effect that the pad position can be freely set so that the optical element can be easily mounted.
【0081】第3に、従来のリフロー工程が使え、同時
に光素子と光配線の光軸合わせが容易にできるという効
果がある。Third, there is an effect that the conventional reflow process can be used, and at the same time, the optical axis of the optical element and the optical wiring can be easily aligned.
【0082】第4に、電気配線を有する基板とは別に、
支持体の上に光配線層を作製し、その光配線層を基板に
接着するので、基板上の電気配線の上に直接光配線層を
作製する場合と比較して、基板上の電気配線の凹凸の影
響を少なくでき、コアの光伝搬損出を低減できるという
効果がある。Fourth, apart from a substrate having electric wiring,
Since the optical wiring layer is formed on the support and the optical wiring layer is bonded to the substrate, the electric wiring layer on the substrate is compared with the case where the optical wiring layer is formed directly on the electric wiring on the substrate. There is an effect that the influence of the unevenness can be reduced and the loss of light propagation of the core can be reduced.
【図1】本発明の光・電気素子搭載用チップキャリアを
示す断面図並びに上面図。FIG. 1 is a cross-sectional view and a top view showing a chip carrier for mounting an optical / electric element of the present invention.
【図2】本発明の光・電気素子搭載用チップキャリアに
光素子及び電気素子を搭載した実装構造を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a mounting structure in which an optical element and an electric element are mounted on a chip carrier for mounting an optical / electric element of the present invention.
【図3】本発明の光・電気配線基板において、本発明の
光・電気素子搭載用チップキャリアを搭載する部分を示
す断面図並びに上面図。FIGS. 3A and 3B are a cross-sectional view and a top view showing a portion on which the optical / electrical element mounting chip carrier of the present invention is mounted on the optical / electrical wiring substrate of the present invention. FIGS.
【図4】本発明の光・電気配線基板において、本発明の
光・電気素子搭載用チップキャリアを搭載する部分を示
す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a portion of the optical / electrical wiring board of the present invention on which the chip carrier for mounting an optical / electrical element of the present invention is mounted.
【図5】本発明の光・電気配線基板において、本発明の
光・電気素子搭載用チップキャリアを搭載する部分を示
す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a portion of the optical / electrical wiring board according to the present invention on which the chip carrier for mounting an optical / electrical element according to the present invention is mounted.
【図6】本発明の光・電気配線基板において、第4の金
属パッド周辺部に形成される凸部を説明する上面図並び
に断面図。FIGS. 6A and 6B are a top view and a cross-sectional view illustrating a projection formed around a fourth metal pad in the optical / electrical wiring board of the present invention.
【図7】本発明の光・電気配線基板の製造方法の第1の
実施の形態を説明する断面図。FIG. 7 is a sectional view for explaining the first embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.
【図8】本発明の光・電気配線基板の製造方法の第1の
実施の形態を説明する断面図。FIG. 8 is a sectional view for explaining the first embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.
【図9】本発明の光・電気配線基板の製造方法の第2の
実施の形態を説明する断面図。FIG. 9 is a sectional view for explaining a second embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.
【図10】本発明の光・電気配線基板の製造方法の第2
の実施の形態を説明する断面図。FIG. 10 shows a second example of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.
Sectional drawing explaining embodiment of 1st Embodiment.
【図11】本発明の光・電気配線基板に本発明の光・電
気素子搭載用チップキャリアを搭載した実装基板の断面
図。FIG. 11 is a cross-sectional view of a mounting substrate in which the optical / electrical element mounting chip carrier of the present invention is mounted on the optical / electrical wiring substrate of the present invention.
【図12】従来のチップキャリアに電気素子を搭載し、
従来の電気配線基板に実装した構造を示す断面図。FIG. 12 shows a conventional chip carrier on which electric elements are mounted;
Sectional drawing which shows the structure mounted in the conventional electric wiring board.
【図13】従来のチップキャリアに電気素子を搭載し、
従来の光・電気配線基板に実装した構造を示す断面図。FIG. 13 shows a conventional chip carrier on which electric elements are mounted;
Sectional drawing which shows the structure mounted in the conventional optical / electrical wiring board.
1…絶縁基板 2…第1の金属パッド 3…第2の金属パッド 4…第3の金属パッド 5…電気配線 6…スルーホール 7…電気配線 8…スルーホール 9…ビアホール 11…光素子 12…電気素子 13…半田ボール 14…バンプ 21…光配線層 22…コア 23…クラッド 24…基板 25…電気配線 26…第4の金属パッド 27…ミラー 28…接着剤層 29…ビアホール 30…電気配線 31…凸部 32…レンズ 33…第4の金属パッド 41…第4の金属パッド 42…凸部 43…ビアホール 51…支持体 52…剥離層 53…第1のクラッド 54…コア 55…メタルマスクパターン 56…コアパターン 57…第2のクラッド 58…ミラー 59…基板 60…電気配線 61…接着剤層 62…孔 63…金属薄膜 64…フォトレジスト 65…ビアホール 66…第4の金属パッド 71…支持体 72…酸化膜パターン 73…凹部 74…剥離層 75…第1のクラッド 76…コア 77…メタルマスクパターン 78…コアパターン 79…第2のクラッド 80…ミラー 81…レンズ 82…凸部 83…基板 84…接着剤層 85…電気配線 86…孔 87…金属薄膜 88…フォトレジスト 89…ビアホール 90…第4の金属パッド 91…電気素子 92…発光素子 93…受光素子 94…半田ボール 95…バンプ 96…バンプ 97…チップキャリア 98…レーザ光 99…レーザ光 100…コア 101…ミラー 102…ミラー 111…電気素子 112…発光素子 113…受光素子 114…半田ボール 115…バンプ 116…バンプ 117…チップキャリア 118…レーザ光 119…レーザ光 120…コア 121…ミラー 122…ミラー 123…レンズ 124…レンズ 131…電気素子 132…絶縁基板 133…バンプ 134…半田ボール 135…基板 136…パッド 137…パッド 141…電気素子 142…チップキャリア 143…半田ボール 144…基板 145…電気配線 146…光素子 147…光ファイバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate 2 ... 1st metal pad 3 ... 2nd metal pad 4 ... 3rd metal pad 5 ... Electric wiring 6 ... Through hole 7 ... Electric wiring 8 ... Through hole 9 ... Via hole 11 ... Optical element 12 ... Electrical element 13 ... Solder ball 14 ... Bump 21 ... Optical wiring layer 22 ... Core 23 ... Cladding 24 ... Substrate 25 ... Electrical wiring 26 ... Fourth metal pad 27 ... Mirror 28 ... Adhesive layer 29 ... Via hole 30 ... Electric wiring 31 ... Convex part 32 ... Lens 33 ... Fourth metal pad 41 ... Fourth metal pad 42 ... Convex part 43 ... Via hole 51 ... Support body 52 ... Release layer 53 ... First clad 54 ... Core 55 ... Metal mask pattern 56 ... Core pattern 57 ... Second clad 58 ... Mirror 59 ... Substrate 60 ... Electrical wiring 61 ... Adhesive layer 62 ... Hole 63 ... Metal thin film 64 ... Photoresist 65 ... via hole 66 ... fourth metal pad 71 ... support 72 ... oxide film pattern 73 ... concave part 74 ... release layer 75 ... first clad 76 ... core 77 ... metal mask pattern 78 ... core pattern 79 ... second clad 80 ... Mirror 81 ... Lens 82 ... Protrusion 83 ... Substrate 84 ... Adhesive layer 85 ... Electrical wiring 86 ... Hole 87 ... Metal thin film 88 ... Photoresist 89 ... Via hole 90 ... Fourth metal pad 91 ... Electrical element 92 ... Emission Element 93 ... Light receiving element 94 ... Solder ball 95 ... Bump 96 ... Bump 97 ... Chip carrier 98 ... Laser light 99 ... Laser light 100 ... Core 101 ... Mirror 102 ... Mirror 111 ... Electrical element 112 ... Light emitting element 113 ... Light receiving element 114 ... Solder ball 115 ... Bump 116 ... Bump 117 ... Chip carrier 118 ... Laser 119 ... Laser light 120 ... Core 121 ... Mirror 122 ... Mirror 123 ... Lens 124 ... Lens 131 ... Electrical element 132 ... Insulating substrate 133 ... Bump 134 ... Solder ball 135 ... Substrate 136 ... Pad 137 ... Pad 141 ... Electrical element 142 ... Chip Carrier 143 solder ball 144 board 145 electrical wiring 146 optical element 147 optical fiber
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 6/42 H05K 1/18 L 5F041 H01L 23/12 3/34 507C 5F088 23/14 G02B 6/12 B 25/04 M 25/18 H01L 23/12 H 31/02 N 31/0232 L H05K 1/02 23/14 Z 1/18 25/04 Z 3/34 507 31/02 B D (72)発明者 四井 健太 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 市川 浩二 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 湊 孝夫 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 Fターム(参考) 2H037 BA03 BA12 CA34 DA03 DA06 DA11 DA17 2H047 KA03 MA07 PA02 PA21 PA24 PA28 QA05 TA05 5E319 AA03 AB05 BB04 CC33 5E336 AA04 AA09 AA13 AA16 BB02 BB03 BB16 BC15 BC34 CC32 CC36 CC43 CC57 CC58 DD02 DD23 EE03 GG11 GG30 5E338 BB02 BB13 BB25 BB75 CC01 CC10 CD32 EE32 5F041 DA13 DA20 DA83 EE11 EE25 FF14 5F088 BA16 BB01 EA06 EA07 EA08 EA09 EA11 JA12 JA14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02B 6/42 H05K 1/18 L 5F041 H01L 23/12 3/34 507C 5F088 23/14 G02B 6/12 B 25/04 M 25/18 H01L 23/12 H 31/02 N 31/0232 L H05K 1/02 23/14 Z 1/18 25/04 Z 3/34 507 31/02 BD (72) Inventor IV Kenta I 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd. (72) Inventor Koji Ichikawa 1-1-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd. (72) Inventor Takao Minato 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd. F-term (reference) 2H037 BA03 BA12 CA34 DA03 DA06 DA11 DA17 2H047 KA03 MA07 PA02 PA21 PA24 PA28 QA05 TA05 5E319 AA03 AB05 BB04 CC33 5E336 AA04 AA09 BB02 B B03 BB16 BC15 BC34 CC32 CC36 CC43 CC57 CC58 DD02 DD23 EE03 GG11 GG30 5E338 BB02 BB13 BB25 BB75 CC01 CC10 CD32 EE32 5F041 DA13 DA20 DA83 EE11 EE25 FF14 5F088 BA16 BB01 EA06 EA07 EA08 EA09 EA09 EA09
Claims (10)
素子と電気接続するための第1の金属パッドと、絶縁基
板の反対面に、光素子と電気接続するための第2の金属
パッドと、第2の金属パッドと同一面内に、外部基板と
電気接続するための第3の金属パッドと、絶縁基板表面
あるいは内部に位置する第1の金属パッドと第2の金属
パッドを、及び、第1の金属パッドと第3の金属パッド
を接続する電気配線を有することを特徴とする光・電気
素子搭載用チップキャリア。An insulating substrate, a first metal pad on one side of the insulating substrate for electrical connection with an electrical element, and a second metal pad on the opposite side of the insulating substrate for electrical connection with an optical element. A metal pad, a third metal pad for electrical connection to an external substrate, and a first metal pad and a second metal pad located on or in the insulating substrate in the same plane as the second metal pad. And a chip carrier for mounting an optical / electrical element, comprising an electric wiring connecting the first metal pad and the third metal pad.
プキャリアの第1の金属パッドに電気素子を実装し、反
対面の第2の金属パッドに光素子として、発光素子を、
発光面を絶縁基板面から上部に向くように、及び、受光
素子を、受光面を絶縁基板面から上部に向くように実装
することを特徴とする光・電気素子搭載用チップキャリ
アの実装方法。2. An optical element is mounted on the first metal pad of the chip carrier for mounting an optical / electric element according to claim 1, and a light emitting element is provided as an optical element on the second metal pad on the opposite surface.
A method for mounting a chip carrier for mounting an optical / electrical element, wherein a light emitting surface is mounted so as to face upward from an insulating substrate surface, and a light receiving element is mounted such that a light receiving surface is directed upward from the insulating substrate surface.
光を伝搬させるコアとそのコアを埋没させるクラッドと
を有する光配線層を備える光・電気配線基板であって、 コアの一部に設けられ、光素子の発光面及び受光面に対
向する位置に配置されたミラーと、第3のパッドと対向
する位置に配置された第4のパッドと、第4のパッドと
基板の電気配線とを電気接続するビアホールと、を具備
することを特徴とする光・電気配線基板。3. The method according to claim 1, further comprising the step of:
An optical / electrical wiring board comprising an optical wiring layer having a core for transmitting light and a cladding for burying the core, the optical / electrical wiring board being provided on a part of the core and facing a light emitting surface and a light receiving surface of an optical element. A light, comprising: a disposed mirror; a fourth pad disposed at a position facing the third pad; and a via hole for electrically connecting the fourth pad to an electric wiring of the substrate.・ Electric wiring board.
光を伝搬させるコアとそのコアを埋没させるクラッドと
を有する光配線層を備える光・電気配線基板であって、 コアの一部に設けられ、光素子の発光面及び受光面に対
向する位置に配置されたミラーと、第3のパッドと対向
する位置に配置された第4のパッドと、第4のパッドと
基板の電気配線とを電気接続するビアホールと、光配線
層上に設けられた電気配線と、を具備することを特徴と
する光・電気配線基板。4. The method according to claim 1, further comprising the step of:
An optical / electrical wiring board comprising an optical wiring layer having a core for transmitting light and a cladding for burying the core, the optical / electrical wiring board being provided on a part of the core and facing a light emitting surface and a light receiving surface of an optical element. An arranged mirror, a fourth pad arranged at a position facing the third pad, a via hole for electrically connecting the fourth pad to an electric wiring of the substrate, and an electric circuit provided on the optical wiring layer. An optical / electrical wiring board, comprising: a wiring;
料の凸部を具備することを特徴とした請求項3、4いず
れか1項記載の光・電気配線基板。5. The optical / electrical wiring board according to claim 3, wherein a projection made of the same material as that of the clad layer is provided around the fourth pad.
同一材料の凸状レンズを具備することを特徴とした請求
項3〜5いずれか1項記載の光・電気配線基板。6. The optical / electrical wiring board according to claim 3, wherein a convex lens made of the same material as the clad layer is provided on the surface of the optical wiring layer above the mirror.
と、光配線となるコア層を形成する工程と、その上から
第2のクラッド層を形成する工程と、コアの一部にミラ
ーを形成する工程と、支持体から剥離して光配線フィル
ムを形成する工程と、光配線フィルムを電気配線を有す
る基板に接着する工程と、基板上の電気配線とビアホー
ルを介して第4のパッドを電気接続する工程を含むこと
を特徴とする請求項3、4いずれか1項記載の光・電気
配線基板の製造方法。7. A step of forming a first cladding layer on a support, a step of forming a core layer to be an optical wiring, a step of forming a second cladding layer thereon, and a step of forming a part of the core. A step of forming a mirror, a step of forming an optical wiring film by peeling from the support, a step of bonding the optical wiring film to a substrate having electrical wiring, and a fourth step of connecting the electrical wiring on the substrate with the via hole. 5. The method according to claim 3, further comprising the step of electrically connecting the pads.
配置された凸部に対応する型を形成する工程と、その上
に第1のクラッド層を形成する工程と、光配線となるコ
ア層を形成する工程と、その上から第2のクラッド層を
形成する工程と、コアの一部にミラーを形成する工程
と、該支持体から剥離して光配線フィルムを形成する工
程と、光配線フィルムを電気配線を有する基板に接着す
る工程と、基板上の電気配線とビアホールを介して第4
のパッドを電気接続する工程を含むことを特徴とする請
求項5に記載の光・電気配線基板の製造方法。8. A step of forming a mold corresponding to a projection previously arranged on the periphery of the fourth pad on the support, a step of forming a first cladding layer thereon, and a core to be an optical wiring A step of forming a layer, a step of forming a second clad layer thereon, a step of forming a mirror on a part of the core, a step of peeling off the support from the support to form an optical wiring film, Bonding the wiring film to the substrate having the electrical wiring; and forming the fourth wiring via the electrical wiring and the via hole on the substrate.
6. The method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to claim 5, further comprising the step of electrically connecting said pads.
並びに、第4のパッド周辺部に配置された凸部に対応す
る型を形成する工程と、その上に第1のクラッド層を形
成する工程と、光配線となるコア層を形成する工程と、
その上から第2のクラッド層を形成する工程と、コアの
一部にミラーを形成する工程と、該支持体から剥離して
光配線フィルムを形成する工程と、光配線フィルムを電
気配線を有する基板に接着する工程と、基板上の電気配
線とビアホールを介して第4のパッドを電気接続する工
程を含むことを特徴とする請求項6に記載の光・電気配
線基板の製造方法。9. A mold corresponding to a lens in advance on a support,
A step of forming a mold corresponding to the protrusion arranged on the periphery of the fourth pad, a step of forming a first cladding layer thereon, and a step of forming a core layer to be an optical wiring;
A step of forming a second cladding layer from above, a step of forming a mirror on a part of the core, a step of peeling from the support to form an optical wiring film, and the optical wiring film having an electrical wiring 7. The method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to claim 6, further comprising a step of adhering to a substrate and a step of electrically connecting a fourth pad via an electric wiring and a via hole on the substrate.
ップキャリアに光素子及び電気素子を実装し、さらに、
請求項3〜6の何れか1項記載の光・電気配線基板に光
素子及び電気素子を実装した光・電気素子搭載用チップ
キャリアを実装したことを特徴とする実装基板。10. An optical element and an electric element are mounted on the chip carrier for mounting an optical / electric element according to claim 1, further comprising:
A mounting board, comprising: the optical / electrical wiring board according to claim 3, and an optical / electrical element mounting chip carrier having the optical / electrical element mounted thereon.
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