JP2001189510A

JP2001189510A - 光ファイバアンプ

Info

Publication number: JP2001189510A
Application number: JP37453399A
Authority: JP
Inventors: Minoru Yoshida; 実吉田; Hisashi Sawada; 久澤田; Kazuo Imamura; 一雄今村
Original assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority date: 1999-12-28
Filing date: 1999-12-28
Publication date: 2001-07-10

Abstract

(57)【要約】【課題】長波長の光、特に、１．６２μｍより長い波
長の光を効率良く増幅できる光ファイバアンプを提供す
る。【解決手段】光ファイバアンプは、第１波長の第１励起
光を出力する第１励起光源ＬＤ１２ａと、第１波長と異
なる第２波長の第２励起光を出力する第２励起光源ＬＤ
１２ｂと、第１および第２励起光と、第１および第２波
長のいずれよりも長い第３波長の信号光とを合波する合
波器１４ａおよび１４ｂと、合波器によって合波された
第１および第２励起光と信号光とが導かれる光増幅用フ
ァイバ１０とを有する。光増幅用ファイバ１０は、第１
励起光を吸収し基底状態から第１励起状態に励起され、
第２励起光を吸収し第１励起状態から第２励起状態に励
起され、信号光による誘導放出によって信号光を増幅す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバアンプ
に関し、特に、光通信ネットワークシステムに好適に用
いられる光ファイバアンプに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高度情報化社会の到来に向けて、
光ファイバを用いた大容量高速伝送ネットワークは、長
距離基幹伝送路から加入者系へと拡大されつつある。こ
のような光ファイバネットワークシステムにおいて、光
を直接増幅することができる光ファイバアンプは必要不
可欠な構成要素になっている。

【０００３】光ファイバアンプには、各種の非線形作用
を利用したものが知られており、例えば、希土類元素ド
ープ光ファイバ、ファイバラマン、ファイバブリルアン
を用いた光ファイバアンプがある（例えば、中沢正隆、
応用物理、５６、ｐ．１２５６（１９８７）参照）。こ
れらの光ファイバアンプのうち、希土類元素ドープ光フ
ァイバを用いたものは、利得および効率が高く、また雑
音特性にも優れている。一般に、希土類元素ドープ光フ
ァイバは、少なくともコアおよびクラッドを有し、その
コアに希土類元素がドープされている。１．５５μｍ帯
の光を増幅するための希土類元素ドープ光ファイバとし
ては、エルビウム（Ｅｒ）ドープ光ファイバ（以下、
「ＥＤＦ」と称する。）の特性が優れている。

【０００４】図５に、従来の、ＥＤＦを用いた光ファイ
バアンプ（以下「ＥＤＦＡ」と称する。）３００を模式
的に示す。

【０００５】ＥＤＦＡ３００は、ＥＤＦ３０と、励起用
レーザダイオード（以下、「ＬＤ」と称する。）２２
と、励起光と信号光とを合波するための波長合波機（Ｗ
ａｖｅｌｅｎｇｔｈＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐ
ｌｅｘｅｒ、以下、「ＷＤＭ」と称する）３４と、アイ
ソレータ３６ａおよび３６ｂを有している。ＥＤＦＡ３
００は、コネクタ３８ａおよび３８ｂを介して、光ファ
イバネットワークシステムに挿入・結合されている。

【０００６】ＥＤＦＡ２００の動作を以下に簡単に説明
する。

【０００７】コネクタ３８ａに接続された光ファイバ３
２ａから入力された信号光（例えば、波長１．５５μｍ
帯）は、ＷＤＭ３４によって、励起用ＬＤ２２から出射
された励起光（例えば、波長１．４８μｍ帯または波長
０．９８μｍ帯）と合波され、ＥＤＦ３０に伝搬する。
ＥＤＦ３０によって増幅された信号光は、コネクタ３８
ｂに接続された光ファイバ３２ｂに出力される。なお、
アイソレータ３６ａおよび３６ｂは、入出力コネクタ３
８ａおよび３８ｂおよび励起用ＬＤ２２などからの反
射、ＥＤＦ３０や光ファイバ３２ａおよび３２ｂ中の散
乱による寄生発振の発生、信号光の多重反射、ＡＳＥ
（ＡｍｐｌｉｆｉｅｄＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＥｍ
ｉｓｓｉｏｎ）の発生を抑制し、利得および出力強度の
向上や雑音特性を改善する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＥＤＦＡは、専ら１．５５μｍ帯の光を増幅す
るために用いらており、ＥＤＦの長さを長くすることに
よっても、せいぜい１．６２μｍ以下の波長の光しか増
幅することができなかった。また、ＥＤＦの長さを長く
すると、ファイバの波長分散および偏波モード分散の影
響を受けやすく、実用的な特性が得られない。さらに、
通常の５倍程度のＥＤＦ長が必要となり、装置の大型化
を招くことになる。

【０００９】また、長波長の光を増幅することができる
光ファイバアンプとして、ラマン現象を用いたものもあ
るが（例えば、Ｓ．Ａ．Ｅ．Ｌｅｗｉｓ、ｅｔａ
ｌ．、ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏ
ｌ．３５（２０）１７６１、１９９９）、実用的に用い
るには、光の増幅効率が低いなどのいくつかの技術的な
課題がある。

【００１０】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、長波長の光、特に、１．６２μｍよ
り長い波長の光を効率良く増幅できる光ファイバアンプ
を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明による光ファイバ
アンプは、第１波長の第１励起光を出力する第１励起光
源と、前記第１波長と異なる第２波長の第２励起光を出
力する第２励起光源と、前記第１および第２励起光と、
前記第１および第２波長のいずれよりも長い第３波長の
信号光とを合波する合波器と、前記合波器によって合波
された前記第１および第２励起光と前記信号光とが導か
れる光増幅用ファイバとを有し、前記光増幅用ファイバ
は、前記第１励起光を吸収し基底状態から第１励起状態
に励起され、前記第２励起光を吸収し前記第１励起状態
から第２励起状態に励起され、前記信号光による誘導放
出によって前記信号光を増幅する構成を有し、そのこと
によって上記目的が達成される。

【００１２】前記第１波長は１．４８μｍまたは０．９
８μｍであり、前記第２波長は１．６２μｍより長い、
構成としてもよい。

【００１３】前記合波器は、ファイバループミラー型合
波器である構成としてもよい。

【００１４】前記光増幅用ファイバは、コアおよびクラ
ッドを有し、前記コアに希土類元素がドープされた光フ
ァイバであることが好ましい。特に、エルビウム（Ｅ
ｒ）ドープ光ファイバが好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】まず、本発明の光ファイバアンプ
の光増幅機構を説明する。本発明者は、光増幅用ファイ
バの光増幅機構を詳細に検討した結果、光ファイバの励
起状態吸収（ＥｘｉｃｉｔｅｄＳｔａｔｅＡｂｓｏ
ｒｐｔｉｏｎ）を利用することによって、１．６２μｍ
を越える長波長の光を増幅できるという、新たな知見を
得た。本発明は、この知見に基づいてなされたものであ
る。

【００１６】図１に示すエネルギーバンド図を参照しな
がら、従来の光ファイバアンプにおける光増幅機構と、
本発明の光ファイバアンプにおける光増幅機構の原理を
希土類元素ドープファイバアンプを例に説明する。

【００１７】従来の光ファイバアンプは、図１（ａ）に
示したように、光増幅用の希土類元素ドープ光ファイバ
に励起光（例えば、波長１．４８μｍ帯または波長０．
９８μｍ帯）を入射させると、光ファイバの希土類元素
の電子は、基底状態（ＧｒａｎｄＳｔａｔｅ）から第
１励起状態（ＦｉｒｓｔＥｘｃｉｔｅｄＳｔａｔ
ｅ）に励起される。すなわち、光ファイバは、基底状態
吸収（ＧｒａｎｄＳｔａｔｅＡｂｓｏｒｐｔｉｏ
ｎ）によって第１励起状態に励起される。第１励起状態
にある光ファイバに、信号光（励起光よりも波長が長
い：例えば、１．５５μｍ帯）を入射させると、第１励
起状態にある電子が信号光と同じ波長の光を放出しなが
ら緩和する、いわゆる信号光による誘導放出がおこる。
その結果、信号光が増幅され、光ファイバから出射され
る。

【００１８】一方、希土類元素は種々の電子状態を有
し、励起状態吸収を示すものがある（例えば、Ｅｒ元
素）。この励起状態吸収を利用することにって、長波長
の光の増幅が可能となる。

【００１９】図１（ｂ）に示したように、光ファイバに
第１励起光を入射させることによって、希土類元素を基
底状態から第１励起状態に励起する。第１励起光は従来
の励起光と同じ波長（例えば、波長１．４８μｍ帯また
は波長０．９８μｍ帯）の光であり、この基底状態吸収
の過程は、図１（ａ）に示した従来の光ファイバにおけ
る励起機構と同じである。さらに、第１励起光とともに
第２励起光（第１励起光よりも波長が長い、例えば、波
長１．６３μｍ帯）を光ファイバに入射させると、第１
励起状態に励起された電子は、励起状態吸収によって、
さらに高いエネルギーレベルの第２励起状態まで励起さ
れる。第２励起状態にある光ファイバに、信号光（第２
励起光よりも波長が長い：例えば、波長１．６５μｍ
帯）を入射させると、第２励起状態にある電子が信号光
と同じ波長の光を放出しながら緩和する（第２励起状態
を介した誘導放出）。その結果、長波長の信号光が増幅
され、光ファイバから出射される。

【００２０】励起状態吸収を示す光ファイバとして、Ｅ
ｒドープ光ファイバ（ＥＤＦ）を挙げることができる。
ＥＤＦの誘導放出断面積σｅおよび励起状態吸収断面積
σａ _ESAは、図２示す波長依存性を有している。

【００２１】図２に模式的に示したように、典型的なシ
リカガラスにＥｒをドープしたＥＤＦの誘導放出断面積
σｅ（図中の破線）は波長が長くなるにつれて減少し、
励起状態吸収断面積σａ_ESA（図中の実線）は、約１．
６２μｍ付近から現れ、波長が長くなるにつれて増大
し、これらは波長約１．６３μｍ付近で交差する。この
ＥＤＦは、波長が約１．６２μｍを越える長波長領域
に、励起状態吸収を示す波長よりも長波長側に、誘導放
出がおこり得る波長領域を有するので、約１．６２μｍ
よりも波長の長い励起光（第２励起光）を用いることに
よって、さらに波長の長い光（信号光）を増幅すること
ができる。なお、シリカ以外のガラスのなかには、より
短波長（例えば、約１．６１μｍ）から励起状態吸収
（ＥＳＡ）が起こるものがあり、このようなガラスを用
いると、１．６２μｍよりも短い波長の光を第２励起光
として利用することもできる。第２励起光の波長は、用
いる材料に応じて、励起状態吸収が生ずる波長域に適宜
設定され得る。

【００２２】なお、本願明細書における、第１励起状態
および第２励起状態は、任意の２つの励起状態のうち、
エネルギーレベルの低い方を第１励起状態、高い方を第
２励起状態と呼び、基底状態から順に、第１、第２、・
・と名付けられる厳密な意味での第１励起状態や第２励
起状態と異なる場合がある。また、「第２励起状態にあ
る電子が信号光と同じ波長の光を放出しながら緩和する
（第２励起状態を介した誘導放出）」は、少なくとも一
旦第２励起状態に励起された電子の緩和過程における誘
導放出を意味し、例えば、第２励起状態から無輻射過程
で第３の励起状態に緩和し、この第３励起状態にある電
子の緩和に伴う誘導放出をも含む。

【００２３】（実施形態１）本発明による実施形態のＥ
ＤＦを用いた光ファイバアンプ（以下「ＥＤＦＡ」と称
する。）を図３（ａ）および（ｂ）に模式的に示す。こ
こでは、シリカ系ＥＤＦを用いた例を示す。

【００２４】図３（ａ）に示したＥＤＦＡ１００は、Ｅ
ＤＦ１０と、第１励起用ＬＤ１２ａと、第２励起用ＬＤ
１２ｂと、第１ＬＤ１２ａから出射された第１励起光と
信号光とを合波するための波長合波機ＷＤＭ１４ａと、
第２ＬＤ１２ｂから出射された第２励起光と信号光とを
合波するためのＷＤＭ１４ｂと、アイソレータ１６ａお
よび１６ｂを有している。ＥＤＦＡ１００は、コネクタ
１８ａおよび１８ｂを介して、従来のＥＤＦＡと同様
に、光ファイバネットワークシステムに挿入・結合され
ている。第１励起用ＬＤ１２ａから出射される第１励起
光の波長と、第２励起用ＬＤ１２ｂとから出射される第
２励起光の波長とは、互いに異なり、少なくとも一方は
１．６２μｍよりも長い。

【００２５】ＥＤＦＡ１００は、以下のように動作し、
従来のＥＤＦＡでは増幅することができなかった、波長
が１．６２μｍよりも長い信号光を増幅する。

【００２６】コネクタ１８ａに接続された光ファイバ３
２ａから入力された信号光（例えば、波長１．６６μｍ
帯）は、ＷＤＭ１４ａによって、第１励起用ＬＤ１２ａ
から出射された第１励起光（例えば、波長１．４８μｍ
帯または波長０．９８μｍ帯）と合波され、ＥＤＦ１０
に伝搬する。また、信号光（例えば、波長１．６６μｍ
帯）は、ＷＤＭ１４ｂによって、第２励起用ＬＤ１２ｂ
から出射された第２励起光（例えば、波長１．６３μｍ
帯）と合波される。この信号光は、上述した励起状態吸
収を伴う機構によって、ＥＤＦ１０内で増幅される。

【００２７】ＥＤＦ１０によって増幅された信号光は、
コネクタ１８ｂに接続された光ファイバ３２ｂに出力さ
れる。なお、アイソレータ１６ａおよび１６ｂは、従来
と同様に、入出力コネクタ１８ａおよび１８ｂおよび励
起用ＬＤ１２ａおよびＬＤ１２ｂなどからの反射、ＥＤ
Ｆ１０や光ファイバ３２ａおよび３２ｂ中の散乱による
寄生発振の発生、信号光の多重反射、ＡＳＥの発生を抑
制し、利得および出力強度の向上や雑音特性を改善す
る。

【００２８】本実施形態のＥＤＦを用いた光ファイバア
ンプは、上記に例に限られず、例えば、図３（ｂ）に示
した光ファイバアンプ１００’を構成することもでき
る。図３（ｂ）において、図３（ａ）の光ファイバアン
プ１００の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要
素は同じ参照符号で示し、その説明をここでは省略す
る。

【００２９】図３（ｂ）に示した光ファイバアンプ１０
０’は、第１励起用ＬＤ１２ａから出射される第１励起
光および第２励起用ＬＤ１２ｂから出射される第２励起
光をいずれも前方（信号光と同じ側）からＥＤＦ１０に
導入する点において図３（ａ）に示した光ファイバアン
プ１００と異なる。第１励起用ＬＤ１２ａから出射され
た第１励起光と第２励起用ＬＤ１２ｂから出射された第
２励起光とは、ＷＤＭ１４ａで合波される。信号光は、
ＷＤＭ１４ｂによって、第１および第２励起光と合波さ
れ、ＥＤＦ１０に伝搬する。この信号光は、ＥＤＦ１０
内で増幅された後、光アイソレータ１６ｂを介してコネ
クタ１８ｂに接続された光ファイバ３２ｂに出力され
る。

【００３０】本実施形態のＥＤＦＡ１００および１０
０’は、ＥＤＦの励起状態吸収を利用することによっ
て、波長が１．６２μｍよりも長い信号光を増幅する。
また、光増幅にＥＤＦを利用しているので、ラマン現象
を利用した光増幅よりも効率が良い。さらに、ファイバ
長を長くする必要がないので、ラマン散乱、波長分散や
偏波分散の影響も受けにくく、また、装置を小型化でき
る利点もある。

【００３１】（実施形態２）図４は、本発明による実施
形態の光ファイバアンプ２００を模式的に示しいてる。

【００３２】光ファイバアンプ２００は、ループ状の光
ファイバ２０と、第１励起用ＬＤ１２ａと、第２励起用
ＬＤ２１ｂと、ＷＤＭ１４と、カプラ２４と、光サーキ
ュレータ１６とを有している。光ファイバアンプ２００
は、コネクタ２８ａおよび２８ｂを介して、光ファイバ
ネットワークシステムに挿入・結合されている。ループ
状の光ファイバ２０は、典型的にはその一部にＥＤＦを
有している。第１励起用ＬＤ１２ａから出射される第１
励起光の波長と、第２励起用ＬＤ１２ｂとから出射され
る第２励起光の波長とは、互いに異なり、少なくとも一
方は１．６２μｍよりも長い。第１励起光（例えば、波
長１．４８μｍ帯または波長０．９８μｍ帯）と第２励
起光（例えば、波長１．６３μｍ帯）とは、ＷＤＭ１４
によって互いに合波される。

【００３３】本実施形態の光ファイバアンプ２００にお
いては、信号光と励起光（第１励起光と第２励起光とが
合波された）との合波は、カプラ（合波器）２４で行わ
れる。ここでは、カプラ２４として、波長無依存型の３
ｄＢカプラ（分岐度５０％のカプラ）を用いる。３ｄＢ
カプラ２４は、第１ポート２４ａおよび第２ポート２４
ｂを有する一端と、第３ポート２４ｃおよび第４ポート
２４ｄとを有する他端とを備えている。３ｄＢカプラ２
４は、単体のとき、第１ポート２４ａからの入力を第３
および第４ポート２４ｃ、２４ｄに半分ずつ、第２ポー
ト２４ｂからの入力も第３および第４ポート２４ｃ、２
４ｄに半分ずつ出力し、また、第３ポート２４ｃからの
入力を第１および第２ポート２４ａ、２４ｂに半分ず
つ、第４ポート２４ｄからの入力も第１および第２ポー
ト２４ａ、２４ｂに半分ずつ出力する特性を有する。３
ｄＢカプラ２４の一端に設けられている第１ポート２４
ａおよび第２ポート２４ｂには、ループ状の光ファイバ
２０の両端がそれぞれ接続されており、３ｄＢカプラ２
４とループ状の光ファイバ２０とで光ファイバループミ
ラー（ＦＬＭ）を構成している。

【００３４】ＬＤ１２ａおよびＬＤ１２ｂから出射さ
れ、ＷＤＭ１４で合波された励起光は、３ｄＢカプラ２
４の第３ポート２４ｃに入力される。一方、光ファイバ
３２ａからコネクタ２８ａを介して、光ファイバアンプ
２００に入力される信号光（例えば、波長１．６６μｍ
帯）は、光サーキュレータ２６の第１端子２６ａに入力
され、第２端子２６ｂから３ｄＢカプラ２４の第４ポー
ト２４ｄに向けて出力される。

【００３５】３ｄＢカプラ２４の第３ポート２４ｃに入
力された励起光および第４ポート２４ｄに入力された信
号光は、３ｄＢカプラ２４内で合波され、それぞれの５
０％ずつが、第１ポート２４ａおよび第２ポート２４ｂ
からループ状の光ファイバ２０に出力される。ループ状
の光ファイバ２０は、典型的には、希土類元素ドープ光
ファイバであり、実施形態１と同様に、励起状態吸収を
伴う機構で、光ファイバ２０中を伝搬する信号光による
誘導放出によって信号光を増幅する。ループ状の光ファ
イバ２０は、コアに希土類元素がドープされた領域を長
手方向の少なくとも一部に有すれば良い。

【００３６】増幅された信号光は、第１ポート２４ａお
よび第２ポート２４ｂから再び３ｄＢカプラ２４に入力
され、その信号のほぼ全てが第４ポート２４ｄから出力
される。この増幅された信号光は、サーキュレータ２６
の第２端子２６ｂに入力され、第３端子２６ｃから出力
される。サーキュレータ２６の第３端子２６ｃから出力
された信号光は、コネクタ２８ｂを介して接続された光
ファイバ３２ｂに出力される。

【００３７】本実施形態の光ファイバアンプ２００は、
実施形態１の光ファイバアンプと同様の効果を有すると
ともに、さらに、下記に説明する特徴を有する。

【００３８】上述したように、本実施形態の光ファイバ
アンプ２００は、３ｄＢカプラ２４と３ｄＢカプラ２４
の一端に接続されたループ状の光ファイバ２０とで構成
されるＦＬＭによって、信号光と励起光との合波を行っ
ているので、実施形態１の光ファイバアンプ１００の２
つのＷＤＭ１４ａおよび１４ｂの１つに代えて、例示し
たように、安価な３ｄＢカプラを用いることが可能であ
る。なお、カプラとしては、特に波長無依存型のカプラ
を用いることが好ましい。また、３ｄＢカプラに限ら
ず、種々の分岐比のカプラを用いることができ、溶融延
伸ファイバ型でも、バルクミラー型でもよい。ＦＬＭを
構成するループ状の光ファイバ２０としては、光増幅の
機能を有するものを広く用いることができるが、性能の
観点から、例示した希土類元素ドープ光ファイバ、特に
ＥＤＦを用いることが好ましい。

【００３９】光ファイバアンプ１００の光サーキュレー
タ１４は、図５に示した従来の光ファイバアンプ３００
における２つのアイソレータ３６ａおよび３６ｂと同様
に、コネクタ２８ａおよび２８ｂやＬＤ１２ａおよび１
２ｂなどからの反射、ＥＤＦ２０や光ファイバ３２ａお
よび３２ｂ中の散乱による寄生発振の発生、信号光の多
重反射、ＡＳＥの発生を抑制し、利得および出力強度の
向上や雑音特性を改善する。さらに、従来の構成よりも
部品点数を減少することができるので、光ファイバの接
合部の数を減らすことが可能となり、接合部において発
生する性能の低下を抑制できる利点がある。勿論、光サ
ーキュレータ１６として、４端子以上の光サーキュレー
タを用いても良い。

【００４０】なお、ループ状に変形された光ファイバを
用いると、その中を伝搬する光の偏波方向がずれる（変
化する）ことがある。必要に応じて、この偏波方向のず
れを補償するために、偏波制御素子を設けてもよい。偏
波制御素子としては、位相差板（１／４波長板や１／２
波長板、およびこれらの組み合わせ等）や光ファイバを
マンドレルに巻きつけたパドルなど、公知の偏波制御素
子を用いることができる。この偏波制御素子は、ループ
中に設けることが好ましい。

【００４１】

【発明の効果】本発明によると、励起状態吸収を利用す
ることによって、長波長の光を効率良く増幅することが
可能な光ファイバアンプが提供される。例えば、光増幅
用ファイバとして、希土類元素がドープされた光ファイ
バ（特に、Ｅｒドープ光ファイバ）を用いることによっ
て、波長が１．６２μｍよりも長い光を効率よく増幅す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光ファイバアンプにおける光増幅機構
（ａ）と、本発明の光ファイバアンプにおける光増幅機
構（ｂ）の原理を説明するためのエネルギーバンド図で
ある。

【図２】Ｅｒドープ光ファイバの誘導放出断面積σｅお
よび励起状態吸収断面積σａ_ES _Aの波長依存性を模式的
に示すグラフである。

【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態
１の光ファイバアンプ１００および１００’をそれぞれ
示す模式図である。

【図４】本発明による実施形態２の光ファイバアンプ２
００を示す模式図である。

【図５】従来の光ファイバアンプ３００を示す模式図で
ある。

【符号の説明】

１０、３０ＥＤＦ１２ａ、１２ｂ、２２ＬＤ２０ループ状の光ファイバ１６ａ、１６ｂ、３６ａ、３６ｂアイソレータ１４、１４ａ、１４ｂ、３４波長合波機（ＷＤＭ）１８ａ、１８ｂ、２８ａ、２８ｂ、３８ａ、３８ｂコ
ネクタ２４カプラ２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄポート２６光サーキュレータ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ端子３２ａ、３２ｂ光ファイバ１００、１００’、２００、３００光ファイバアンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者今村一雄兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地三菱電線工業株式会社伊丹製作所内Ｆターム(参考） 5F072 AB09 AK06 JJ02 JJ04 JJ09 KK30 PP07 RR01 YY17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１波長の第１励起光を出力する第１励
起光源と、前記第１波長と異なる第２波長の第２励起光を出力する
第２励起光源と、前記第１および第２励起光と、前記第１および第２波長
のいずれよりも長い第３波長の信号光とを合波する合波
器と、前記合波器によって合波された前記第１および第２励起
光と前記信号光とが導かれる光増幅用ファイバと、を有し、前記光増幅用ファイバは、前記第１励起光を吸収し基底
状態から第１励起状態に励起され、前記第２励起光を吸
収し前記第１励起状態から第２励起状態に励起され、前
記信号光による誘導放出によって前記信号光を増幅する
光ファイバアンプ。
【請求項２】前記第１波長は１．４８μｍまたは０．
９８μｍであり、前記第２波長は１．６２μｍより長
い、請求項１に記載の光ファイバアンプ。
【請求項３】前記合波器は、ファイバループミラー型
合波器である請求項１または２に記載の光ファイバアン
プ。
【請求項４】前記光増幅用ファイバは、コアおよびク
ラッドを有し、前記コアに希土類元素がドープされた光
ファイバである請求項１から３のいずれかに記載の光フ
ァイバアンプ。