JP2001177011A - Mounting board manufacturing method and mounting board manufactured by the same - Google Patents
Mounting board manufacturing method and mounting board manufactured by the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 正確なピッチで埋設された貫通導体を有する
実装基板を再現性よく製造できる方法の提供。
【解決手段】 枠状巻付け治具2に線状の導電体1を張
力をかけて巻回したのち、治具2を軟化した絶縁材料中
に埋没させ、次いで絶縁材料を固化させてブロック化し
たのち、ブロックを2片以上に切断する。線状導電体の
配列を、枠状巻付け治具2の代わりに、毛細管内に入れ
た線状導電体を使って行ってもよく、溝を設けた絶縁材
料の板又は溝に導電体材料を充填した絶縁材料の板を使
って行ってもよい。あるいは、熱可塑性樹脂で被覆した
線状導電体を使用し、それらを絶縁材料の板に形成した
スルーホールに挿入して実装基板を製造してもよく、又
はそれらを束ねてブロック化してから切断により実装基
板を製造してもよい。
(57) [Problem] To provide a method for manufacturing a mounting substrate having through conductors embedded at an accurate pitch with good reproducibility. SOLUTION: After a linear conductor 1 is wound around a frame-shaped winding jig 2 under tension, the jig 2 is buried in a softened insulating material, and then the insulating material is solidified to form a block. After that, the block is cut into two or more pieces. The arrangement of the linear conductors may be performed by using a linear conductor placed in a capillary tube instead of the frame-shaped winding jig 2. May be carried out using a plate of an insulating material filled with. Alternatively, it is possible to use a linear conductor coated with a thermoplastic resin and insert it into a through hole formed in a plate of an insulating material to manufacture a mounting board, or cut and bundle them to form a block. May be used to manufacture a mounting substrate.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は実装基板に関するも
のであり、特に、半導体装置等の電子部品を実装するた
めの配線基板等に有用な導電体が表裏貫通した実装基板
の製造方法と、それにより製造された実装基板に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mounting board, and more particularly, to a method of manufacturing a mounting board having a conductor penetrating a conductive material useful for a wiring board for mounting electronic components such as a semiconductor device. The present invention relates to a mounting substrate manufactured by the method described above.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来よりICやLSI等の半導体装置等
の電子部品を実装するための上記のような実装基板とし
て、プリント配線基板をはじめとして種々のものが提案
されているが、半導体装置の高性能化・高集積度化の進
展に伴って、実装基板には高い平坦性と平滑性が要請さ
れている。2. Description of the Related Art Various types of mounting boards, such as printed wiring boards, for mounting electronic components such as semiconductor devices such as ICs and LSIs have been proposed. With the progress of higher performance and higher integration, mounting substrates are required to have high flatness and smoothness.
【0003】ガラスは研磨すると非常に高い平滑性が得
られるので、高密度実装基板として適しているが、ガラ
ス基板そのままの状態ではガラスの上下面に導通をもた
せることは困難である。[0003] Glass is very suitable for a high-density mounting substrate because a very high smoothness can be obtained by polishing. However, it is difficult to make the upper and lower surfaces of the glass conductive with the glass substrate as it is.
【0004】そこで、ガラス基板の上下面に導通をもた
せる一般的な方法としては、ガラス基板に貫通孔を空
け、その貫通孔の壁面をメッキ法によってメタライズす
る方法があり、例えば、ガラス基板に絞ったレーザビー
ムを照射して貫通孔を空けたり、或いは、感光性ガラス
等、予め貫通孔を空けたガラス基板を用いて、その貫通
孔の壁面をメッキ法によってメタライズすることによっ
て、ガラス基板の上下面に導通を持たせることが可能に
なる。Therefore, as a general method of providing conduction between the upper and lower surfaces of the glass substrate, there is a method of forming a through hole in the glass substrate and metalizing the wall surface of the through hole by plating. A laser beam is applied to open a through-hole, or a glass substrate, such as photosensitive glass, which has a through-hole formed in advance, and the wall surface of the through-hole is metallized by a plating method. It is possible to make the lower surface conductive.
【0005】しかし、この様なメッキ法にはいくつかの
欠点があり、まず、工程が長いために高コストになるこ
と、次に、メッキ法によって導電体を形成するため、導
電体の種類に制約が大きいこと、さらに、近年の半導体
装置に対するさらなる高密度集積化の要請に伴って、1
00μm以下の微小ピッチで配線することが必要になっ
てくるが、ガラス基板の場合には、このような微小ピッ
チでガラスの破損を防止しながら貫通孔を形成すること
はかなり困難であること、を挙げることができる。[0005] However, such a plating method has several disadvantages. First, the cost is increased due to the long process. Secondly, since the conductor is formed by the plating method, the type of the conductor is limited. Due to the large restrictions and the recent demand for higher density integration of semiconductor devices,
It is necessary to wire at a fine pitch of not more than 00 μm, but in the case of a glass substrate, it is very difficult to form a through hole while preventing breakage of glass at such a fine pitch, Can be mentioned.
【0006】この様なメッキ法における問題を解決する
ために、ガラス基板の厚さ方向に導電体を配向させた状
態で埋設したのち、ガラス基板をスライスすることによ
って実装基板を製造することが提案(必要ならば、特開
平10−190190号公報参照)されているので、図
3を参照して説明する。In order to solve such a problem in the plating method, it has been proposed to manufacture a mounting substrate by embedding the conductor in a state where the conductor is oriented in the thickness direction of the glass substrate and then slicing the glass substrate. (If necessary, refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-190190).
【0007】図3(a)に示したように、まず、線状の
導電体22を張った成形枠21内に、坩堝23を用いて
加熱溶融した溶融ガラス24を流し込む。なお、この場
合の線状の導電体22は常に張力を掛けておくものであ
り、Au、W、Pt、コバール、ステンレス鋼等によっ
て構成されるものであり、また、ガラスは必ずしも溶融
ガラス24である必要はなく、塊状或いは粉状等のガラ
スを成形枠内に充填して加熱溶融しても良いものであ
る。As shown in FIG. 3A, first, a molten glass 24 heated and melted using a crucible 23 is poured into a forming frame 21 on which a linear conductor 22 is stretched. In this case, the linear conductor 22 is always kept under tension, and is made of Au, W, Pt, Kovar, stainless steel, or the like. It is not necessary that the glass be in a lump or a powder form be filled in a molding frame and then heated and melted.
【0008】次いで、図3(b)に示したように、室温
まで徐冷して溶融ガラス24を固化してガラスブロック
25としたのち、成形枠21を除去する。Next, as shown in FIG. 3 (b), the molten glass 24 is gradually cooled to room temperature to solidify the molten glass 24 into a glass block 25, and then the molding frame 21 is removed.
【0009】次いで、図3(c)に示したように、破線
で示す切断線26に沿ってガラスブロック26を切断す
る。Next, as shown in FIG. 3C, the glass block 26 is cut along a cutting line 26 shown by a broken line.
【0010】次いで、図3(d)に示したように、切断
したガラス基板27の切断面を研磨することによって、
上下面に貫通導体28が露出した実装基板が得られるも
のである。Next, as shown in FIG. 3D, the cut surface of the cut glass substrate 27 is polished,
A mounting board with the through conductor 28 exposed on the upper and lower surfaces is obtained.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の実装基
板の製造方法においては、成形枠にどの様にして導電体
を張るか、また、どの様にして導電体に常に張力を掛け
ておくかについての具体的方法は全く開示されておら
ず、また、成形枠をどの様に除去するかについての具体
的方法も開示されていない。However, in the above-described method of manufacturing a mounting board, how to apply a conductor to a molding frame and how to always apply tension to the conductor are described. No specific method is disclosed at all, and no specific method for how to remove the molding frame is disclosed.
【0012】例えば、張力のかけ方が不十分であれば、
加熱時に弛んで非平行になり、極端な場合には、隣接す
る線状の導電体が互いに接触して電気的に短絡するとい
う問題が発生する。For example, if the method of applying tension is insufficient,
At the time of heating, it becomes loose and non-parallel, and in extreme cases, there arises a problem that adjacent linear conductors come into contact with each other to cause an electrical short circuit.
【0013】したがって、上記の提案からは、設計値通
りの正確なピッチで埋設された貫通導体を有する実装基
板、特に、貫通導体が実装基板の表面において二次元的
に並ぶように埋設された実装基板をどの様に製造するか
については全く不明であった。Accordingly, the above proposal suggests a mounting substrate having through conductors embedded at an accurate pitch as designed, and in particular, a mounting substrate in which the through conductors are embedded two-dimensionally on the surface of the mounting substrate. It was completely unknown how to manufacture the substrate.
【0014】そこで、本発明は、設計値通りの正確なピ
ッチで埋設された貫通導体を有する実装基板の提供と、
そのような実装基板を再現性良く製造することができる
方法の提供を目的とする。Therefore, the present invention provides a mounting board having through conductors embedded at an accurate pitch as designed.
It is an object of the present invention to provide a method capable of manufacturing such a mounting board with good reproducibility.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】第一の側面において、本
発明の実装基板製造方法は、線状の導電体を張力をかけ
て巻回することができる枠状巻付け治具を使用して実装
基板を製造する。具体的には、この実装基板製造方法
は、枠状巻付け治具に線状の導電体を張力を掛けて巻回
したのち、前記枠状巻付け治具を軟化した絶縁材料中に
埋没させ、次いで、前記軟化した絶縁材料を固化させて
絶縁体ブロックとしたのち、前記絶縁体ブロックを2片
以上に切断することによって線状の導電体が表裏両面に
貫通した表裏導通基板とすることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, a method of manufacturing a mounting substrate according to the present invention uses a frame-shaped winding jig capable of winding a linear conductor under tension. Manufacture mounting boards. Specifically, in this mounting board manufacturing method, after winding a linear conductor on a frame-shaped winding jig under tension, the frame-shaped winding jig is buried in a softened insulating material. Then, after solidifying the softened insulating material into an insulator block, the insulator block is cut into two or more pieces to form a front-to-back conductive substrate in which a linear conductor penetrates both the front and back surfaces. Features.
【0016】第二の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、線状の導電体の配列のために実装基板の絶縁
材料よりも高融点の材料製の毛細管を使用して実装基板
を製造する。具体的には、この側面における実装基板製
造方法は、実装基板の絶縁材料より高融点の材料製の毛
細管内に線状の導電体を通す工程と、線状導電体を通し
た毛細管と絶縁材料とを同時に熱処理してブロック化す
る工程と、得られたブロックを切断する工程を含む。In a second aspect, a method of manufacturing a mounting substrate according to the present invention includes the steps of manufacturing a mounting substrate using a capillary made of a material having a higher melting point than an insulating material of the mounting substrate for arranging linear conductors. I do. Specifically, the mounting substrate manufacturing method according to this aspect includes a step of passing a linear conductor through a capillary made of a material having a higher melting point than the insulating material of the mounting substrate, and a step of passing the capillary and the insulating material through the linear conductor. And a step of cutting the obtained block at the same time.
【0017】線状導電体を通した毛細管と絶縁材料の熱
処理によるブロック化は、例えば、(1)線状導電体を
通した毛細管を絶縁材料の板の間に方向を揃えて並べ、
絶縁材料の板と毛細管及び導電体を同時に熱処理する
か、(2)溝を形成した絶縁材料の板の間に毛細管をそ
れぞれの溝に入るように並べ、絶縁材料の板と毛細管及
び導電体を同時に熱処理するか、あるいは、(3)毛細
管を方向を揃えて絶縁材料の粉末中に埋設し、絶縁材料
粉末と毛細管及び導電体を同時に熱処理することによっ
て、行うことができる。Blocking of the capillary tube and the insulating material through the linear conductor by heat treatment can be performed, for example, by (1) arranging the capillary tube through the linear conductor between the plates of the insulating material,
Heat-treating the plate of insulating material, the capillary and the conductor at the same time, or (2) arranging the capillary between the grooves of the insulating material so as to enter the respective grooves, and simultaneously heat-treating the plate of the insulating material, the capillary and the conductor. Or (3) burying the capillaries in the insulating material powder in the same direction, and heat-treating the insulating material powder, the capillaries and the conductor simultaneously.
【0018】第三の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、線状の導電体を配列することができる溝を形
成した絶縁材料の板と、これらの絶縁材料の板の間に挿
入する絶縁材料のペーストを使用して実装基板を製造す
る。具体的には、この実装基板製造方法は、絶縁材料の
板に形成した溝に線状の導電体を入れ、当該絶縁材料の
板をそれらの間に絶縁性のペーストを介在させて積み重
ねることにより積重体を作る工程と、この積重体をその
積重方向に加圧しながら熱処理してブロック化する工程
と、得られたブロックを切断する工程を含む。In a third aspect, the present invention provides a method for manufacturing a mounting board, comprising the steps of: forming an insulating material plate having grooves in which linear conductors can be arranged; and inserting an insulating material inserted between these insulating material plates. A mounting board is manufactured by using the paste. Specifically, this method of manufacturing a mounting board is such that a linear conductor is put in a groove formed in a plate of an insulating material, and the plate of the insulating material is stacked with an insulating paste interposed therebetween. The method includes a step of forming a stack, a step of heat-treating the stack while applying pressure in the stacking direction to form a block, and a step of cutting the obtained block.
【0019】第四の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、溝に導電体を充填した絶縁材料の板と、これ
らの絶縁材料の板の間に挿入する絶縁材料のペーストを
使用して実装基板を製造する。具体的には、この実装基
板製造方法は、絶縁材料の板に形成した溝に導電体を充
填する工程と、絶縁材料の板をそれらの間に絶縁性のペ
ーストを介在させて積み重ねることにより積重体を作る
工程と、この積重体をその積重方向に加圧しながら熱処
理してブロック化する工程と、得られたブロックを切断
する工程を含む。In a fourth aspect, a method of manufacturing a mounting board according to the present invention is directed to a mounting board using a board of an insulating material in which a groove is filled with a conductor and a paste of the insulating material inserted between the boards of the insulating material. To manufacture. Specifically, this mounting board manufacturing method includes a step of filling a groove formed in a plate of an insulating material with a conductor, and stacking the plate of the insulating material with an insulating paste interposed therebetween. A step of forming a body, a step of heat-treating the stack while applying pressure in the stacking direction to form a block, and a step of cutting the obtained block.
【0020】第五の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、スルーホールを備えた絶縁材料の板と、熱可
塑性樹脂で被覆した線状の導電体を使用して実装基板を
製造する。具体的には、この実装基板製造方法は、絶縁
材料の板に形成したスルーホールに、熱可塑性樹脂で被
覆した線状の導電体を入れる工程と、絶縁材料の板と導
電体及び熱可塑性樹脂を同時に熱処理する工程を含む。
この方法によれば、絶縁材料の板と、周囲を熱可塑性樹
脂で被覆され、絶縁材料の板に端面がその表裏面に露出
するよう埋設された導電体とを有する実装基板が得られ
る。According to a fifth aspect of the present invention, in a method of manufacturing a mounting board according to the present invention, a mounting board is manufactured using a plate made of an insulating material having through holes and a linear conductor covered with a thermoplastic resin. Specifically, this method of manufacturing a mounting board includes a step of putting a linear conductor coated with a thermoplastic resin into a through hole formed in a plate of an insulating material, and a step of putting a plate of the insulating material and a conductor and a thermoplastic resin. At the same time.
According to this method, it is possible to obtain a mounting substrate having a plate of an insulating material and a conductor whose periphery is covered with a thermoplastic resin and which is embedded in the plate of the insulating material such that an end face is exposed on the front and back surfaces thereof.
【0021】第六の側面において、本発明の実装基板製
造方法は、熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体を使っ
て実装基板を製造する。具体的には、この実装基板製造
方法は、熱可塑性樹脂で被覆した所定の長さの線状導電
体の束を作る工程と、この束を熱処理してブロック化す
る工程と、得られたブロックを切断する工程を含む。According to a sixth aspect, in a method of manufacturing a mounting board according to the present invention, a mounting board is manufactured using a linear conductor coated with a thermoplastic resin. Specifically, this mounting board manufacturing method includes a step of forming a bundle of linear conductors of a predetermined length covered with a thermoplastic resin, a step of heat-treating the bundle and blocking the obtained bundle, And cutting the same.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】まず、図1を参照して、本発明の
第一の側面の実装基板製造方法を説明する。なお、図1
は、この方法の実施に用いる治具の概略的構成を示して
もいる。この図に示したように、まず、枠状巻付け治具
2に線状の導電体1を張力を掛けて巻回し、この枠状巻
付け治具2を軟化した絶縁材料(図示せず)中に埋設さ
せ、次いで、軟化した絶縁材料を固化させて導電体1を
巻回した治具2と絶縁材料をブロックとしたのち、この
ブロックを2片以上に切断することによって、線状の導
電体が表裏両面に貫通した表裏導通基板が得られる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a method for manufacturing a mounting board according to a first aspect of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
Also shows a schematic configuration of a jig used for carrying out this method. As shown in this figure, first, a wire-shaped conductor 1 is wound around a frame-shaped winding jig 2 under tension, and the frame-shaped winding jig 2 is softened by an insulating material (not shown). After the jig 2 around which the conductor 1 is wound and the insulating material are solidified by solidifying the softened insulating material, the block is cut into two or more pieces to obtain a linear conductive material. A front and back conductive substrate having a body penetrated on both sides is obtained.
【0023】この様に、枠状巻付け治具2を用いること
によって、線状の導電体1を安定した張力を掛けて張る
ことができるので、隣接する線状の導電体1が接触して
短絡することがなく、且つ、一枚の枠状巻付け治具2に
よって線状の導電体1を二列に配列することができるの
で、規則正しい微小ピッチによって二列に配列した貫通
導体を有する実装基板を実現することができる。また、
列ピッチは枠状巻付け治具2の厚さによって任意に設定
することができる。線状導電体1の張力を維持し且つ微
少ピッチを維持するために、治具2には導電体を所定の
位置に固定できる溝あるいはノッチ等(図示せず)を設
けるのが好ましい。As described above, by using the frame-shaped winding jig 2, the linear conductor 1 can be stretched with a stable tension, so that the adjacent linear conductors 1 come into contact with each other. Since the linear conductors 1 can be arranged in two rows by one frame-shaped winding jig 2 without short-circuiting, the mounting having the through conductors arranged in two rows at regular minute pitches A substrate can be realized. Also,
The row pitch can be arbitrarily set according to the thickness of the frame-shaped winding jig 2. In order to maintain the tension of the linear conductor 1 and maintain a minute pitch, the jig 2 is preferably provided with a groove or a notch (not shown) for fixing the conductor in a predetermined position.
【0024】線状の導電体1を張力を掛けて巻回した枠
状巻付け治具2を、スペーサ3を介して複数個積層させ
たのち、軟化した絶縁材料中に埋設することも可能であ
る。この様に、線状の導電体1を張力を掛けて巻回した
枠状巻付け治具2を、スペーサ3を介して複数個積層さ
せることによって、4列以上に配列した表裏導通基板を
再現性良く実現することができ、且つ、スペーサ3の厚
さによって任意の列ピッチの実装基板を実現することが
できる。なお、この場合の枠状巻付け治具2の厚さ或い
はスペーサ3の厚さは、同じ実装基板内で異なった厚さ
にしても差し支えない。It is also possible to stack a plurality of frame-shaped winding jigs 2 formed by winding the linear conductors 1 under tension and to embed them in a softened insulating material after laminating them via a spacer 3. is there. In this manner, by stacking a plurality of frame-shaped winding jigs 2 in which the linear conductors 1 are wound under tension and via the spacers 3, the front and back conductive substrates arranged in four or more rows are reproduced. It is possible to realize a mounting board having an arbitrary row pitch depending on the thickness of the spacer 3. In this case, the thickness of the frame-shaped winding jig 2 or the thickness of the spacer 3 may be different in the same mounting substrate.
【0025】ここで、図2を参照して、枠状巻付け治具
を使用する本発明の態様を更に詳しく説明する。なお、
図2(a)はこの態様で用いる製造装置の分解斜視図で
あり、図2(b)は製造装置を構成する枠状巻付け治具
の部分斜視図である。Referring now to FIG. 2, an embodiment of the present invention using a frame-shaped winding jig will be described in more detail. In addition,
FIG. 2A is an exploded perspective view of the manufacturing apparatus used in this embodiment, and FIG. 2B is a partial perspective view of a frame-shaped winding jig constituting the manufacturing apparatus.
【0026】図2(a)に示した製造装置は、貫通孔1
2を有し、タングステン(W)ワイヤからなり埋込導電
体となる線状導電体20を巻回する枠状巻付け治具1
1、枠状巻付け治具11の間隔を所定列ピッチ分だけ空
ける、貫通孔14を有するスペーサ13、各貫通孔1
2、14を貫通して枠状巻付け治具11とスペーサ13
とを固定する棒状固定治具15、貫通孔17を有し、枠
状巻付け治具11とスペーサ13を上から押さえつける
枠状押さえ部材16、及び、枠状押さえ部材16を介し
て全体を固定するネジ18から構成され、これらを坩堝
19内で組み立てる。線状導電体1の張力を維持し且つ
微少ピッチを維持するために、枠状巻付け治具2には導
電体を所定の位置に固定できる溝あるいはノッチ等の手
段(図示せず)を設けるのが好ましい。The manufacturing apparatus shown in FIG.
2, a frame-shaped winding jig for winding a linear conductor 20, which is made of a tungsten (W) wire and is an embedded conductor
1. Spacer 13 having through-holes 14 for spacing frame-shaped winding jigs 11 by a predetermined row pitch, each through-hole 1
2 and 14, the frame-shaped winding jig 11 and the spacer 13
Fixing jig 15 for fixing the fixing member, a frame-shaped pressing member 16 having a through-hole 17 and pressing the frame-shaped winding jig 11 and the spacer 13 from above, and the whole is fixed via the frame-shaped pressing member 16. And assembled in a crucible 19. In order to maintain the tension of the linear conductor 1 and maintain a fine pitch, the frame-shaped winding jig 2 is provided with a means (not shown) such as a groove or a notch capable of fixing the conductor in a predetermined position. Is preferred.
【0027】スペーサ13、固定治具15、及び坩堝1
9は、ガラス等の絶縁材料と濡れ性の悪い、例えばジル
コニウム等の材料から製作するのが好ましい。絶縁材料
との濡れ性の悪い材料を使用することによって、少なく
ともスペーサ13及び固定治具15を、熱処理後に得ら
れるブロックから簡単に抜き出すことができ、切断工程
が容易になるとともに、スペーサ13や枠状押さえ部材
16等の再利用が可能になる。絶縁材料がガラスの場
合、ジルコニウムに代えて、ガラスとの濡れ性が更に悪
い窒化硼素を使用するのが更に有利である。なお、坩堝
19の材料として通常用いられているアルミナ等は、ガ
ラスとの濡れ性が良く、熱処理により形成されたブロッ
クと坩堝のアルミナが反応してブロックの抜き出しがで
きなくなるので好ましくない。Spacer 13, fixing jig 15, and crucible 1
9 is preferably made of a material having poor wettability with an insulating material such as glass, such as zirconium. By using a material having poor wettability with the insulating material, at least the spacer 13 and the fixing jig 15 can be easily extracted from the block obtained after the heat treatment. It is possible to reuse the pressing member 16 and the like. When the insulating material is glass, it is more advantageous to use, instead of zirconium, boron nitride having a lower wettability with glass. Alumina or the like, which is usually used as a material for the crucible 19, is not preferable because it has good wettability with glass, and the block formed by the heat treatment reacts with the alumina in the crucible so that the block cannot be extracted.
【0028】図2(b)は、図2(a)で説明した装置
で用いる枠状巻付け治具11の部分斜視図であり、この
治具11は、例えば、厚さtが1.27mmで、線状導
電体20を巻き付ける方向の長さLが100mmで、そ
れと直交する方向の長さが80mmのステンレス鋼製の
枠状体で構成する。ジルコニウム等の耐熱性の材料で枠
状巻付け治具11を製作することも可能である。FIG. 2B is a partial perspective view of the frame-shaped winding jig 11 used in the apparatus described with reference to FIG. 2A. The jig 11 has, for example, a thickness t of 1.27 mm. The length L in the direction in which the linear conductor 20 is wound is 100 mm, and the length in the direction perpendicular to the direction is 80 mm. The frame-shaped winding jig 11 can be made of a heat-resistant material such as zirconium.
【0029】この枠状巻付け治具11には、例えばコー
ニング社製ガラス7740(商品名)のガラス粉末の作
業点温度に耐え得る、直径0.15mmのタングステン
ワイヤ(熱膨張係数4.5×10-6℃-1、融点3653
℃)を用い、例えば、1.27mmのピッチdになるよ
うに巻き付ける。なお、ワイヤを巻付ける際には、使用
するガラスの作業点温度で弛まないように、張力を掛け
て巻回する。また、治具11は、ワイヤの張力とピッチ
の維持のために、図示しない溝を有する。The frame-shaped winding jig 11 has a tungsten wire having a diameter of 0.15 mm (coefficient of thermal expansion: 4.5 ×) capable of withstanding the working point temperature of glass powder of, for example, Corning glass 7740 (trade name). 10 -6 ° C -1 , melting point 3653
C.), for example, to form a pitch d of 1.27 mm. When winding the wire, the wire is wound under tension so as not to loosen at the working point temperature of the glass used. The jig 11 has a groove (not shown) for maintaining the tension and the pitch of the wire.
【0030】この様に線状導電体20を巻回した枠状巻
付け治具11を、例えば厚さが治具11と同じ1.27
mmのスペーサ13を介して積み重ねて、積重体を組み
立てる。例えば、発明者らは枠状巻付け治具11を12
枚、スペーサ13を13枚交互に積み重ねて、積重体を
組み立てた。The frame-shaped winding jig 11 on which the linear conductor 20 is wound as described above is, for example, 1.27 having the same thickness as the jig 11.
The stacked body is assembled by stacking via the spacer 13 of mm. For example, the inventors set the frame-shaped winding jig 11 to 12
A stack was assembled by alternately stacking 13 pieces and 13 pieces of spacers 13.
【0031】次に、枠状巻付け治具を使用する本発明の
態様の実例を説明する。まず、窒化硼素製の坩堝19内
で上述の治具とスペーサ(ともに窒化硼素製)の組み立
てをやはり窒化硼素製の部品を使って行ったのち、コー
ニング社製ガラス7740(商品名)のガラス粉末を計
量し、坩堝19内に入れる。このコーニング社製ガラス
7740(商品名)はホウケイ酸からなり、熱膨張係数
は3.25×10-6℃-1、融点は821℃、作業点は1
252℃、密度は2.23g/cm3 であり、その熱膨
張係数は製作した実装基板に実装する半導体装置を構成
するシリコン(Si)ウェハの熱膨張係数(4.0×1
0-6℃-1)やタングステンワイヤの熱膨張係数(4.5
×10-6℃-1)に近いものである。Next, an embodiment of the present invention using a frame-shaped winding jig will be described. First, after assembling the above-mentioned jig and spacer (both made of boron nitride) using a part made of boron nitride in a crucible 19 made of boron nitride, glass powder of glass 7740 (trade name) manufactured by Corning Incorporated is used. Is weighed and placed in the crucible 19. The Corning glass 7740 (trade name) is made of borosilicate, has a coefficient of thermal expansion of 3.25 × 10 −6 ° C. −1 , a melting point of 821 ° C., and a working point of 1 °.
The density was 252 ° C., the density was 2.23 g / cm 3 , and the coefficient of thermal expansion was the coefficient of thermal expansion (4.0 × 1) of the silicon (Si) wafer constituting the semiconductor device mounted on the manufactured mounting substrate.
0 -6 ° C -1 ) and the thermal expansion coefficient of a tungsten wire (4.5
× 10 -6 ° C -1 ).
【0032】次いで、坩堝19に、坩堝19全体を覆う
ように上下から蓋(図示せず)をし、そしてN2 雰囲気
炉中に設置し、ガラスの作業点付近で3〜4時間焼成し
てガラス粉末を溶融して、ワイヤとガラスをブロック化
する。なお、N2 雰囲気炉を使用する理由は、大気炉内
でタングステンワイヤを高温焼成すると、タングステン
ワイヤが酸化してガラス内で分散してしまうためであ
る。Next, the crucible 19 is covered with a lid (not shown) from above and below so as to cover the entire crucible 19, and placed in an N 2 atmosphere furnace, and fired near the working point of glass for 3 to 4 hours. The glass powder is melted to block the wire and glass. The reason why the N 2 atmosphere furnace is used is that when the tungsten wire is fired at a high temperature in an atmospheric furnace, the tungsten wire is oxidized and dispersed in the glass.
【0033】次いで、ガラスにクラックが入らないよう
に融点付近まで徐冷し、続いて室温まで冷やしてから坩
堝19をN2 雰囲気炉から取り出し、ネジ18を外し、
坩堝19からブロックを治具ごと取り出す。この場合、
窒化硼素はガラスとの濡れ性が悪いので、坩堝19内に
固定された棒状固定治具15は坩堝19内に残存する。Next, the glass was gradually cooled to near the melting point so that cracks did not enter the glass, and then cooled to room temperature. Then, the crucible 19 was taken out of the N 2 atmosphere furnace, and the screws 18 were removed.
The block together with the jig is taken out of the crucible 19. in this case,
Since boron nitride has poor wettability with glass, the rod-shaped fixing jig 15 fixed in the crucible 19 remains in the crucible 19.
【0034】次いで、ガラスとの濡れ性の悪さを利用し
て、枠状押さえ部材16及びスペーサ13をブロックか
ら抜き出したのち、枠状巻付け治具11をブロックごと
切断して枠状巻付け治具11を除去する。Next, utilizing the poor wettability with glass, the frame-shaped pressing member 16 and the spacer 13 are extracted from the block, and then the frame-shaped winding jig 11 is cut together with the block to form a frame-shaped winding jig. The tool 11 is removed.
【0035】次いで、切り出したガラスブロックを線状
導電体20の軸方向に垂直に所定の厚さ、例えば、2.
0mmの厚さにスライスしたのち、表面と裏面を0.1
μm以下のダイヤモンドディスクなどで研磨するととも
に、4つの側面は面取りして、表面のそり量が3μm/
cm以下の表裏貫通基板とする。以降は、基板の表面と
裏面に露出する導電体に接続する電極又は配線層を形成
する導電性薄膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁
膜やその他の配線層を必要に応じ形成して、実装基板が
完成する。これらの電極又は配線層や絶縁膜の形成は周
知の方法で行うことができ、ここで詳しく説明するには
及ばない。Next, the cut glass block is cut into a predetermined thickness perpendicular to the axial direction of the linear conductor 20, for example, 2.
After slicing to a thickness of 0 mm, 0.1
While polishing with a diamond disc of μm or less, the four side faces are chamfered, and the warpage of the surface is 3 μm /
cm or less. Thereafter, formation and patterning of a conductive thin film for forming electrodes or wiring layers connected to the conductors exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed, and further, an insulating film and other wiring layers are formed as necessary, and mounted. The substrate is completed. The formation of these electrodes, wiring layers, and insulating films can be performed by a well-known method, and does not need to be described in detail here.
【0036】この様に、この実例においては、枠状巻付
け治具11を用いて線状導電体20を巻き付けているの
で、それらを精度の高いピッチで且つ、安定した張力を
掛けた状態でガラス中に埋設することができ、埋め込ん
だ線状導電体20同士の短絡のない高密度実装基板を実
現することができる。As described above, in this embodiment, since the linear conductors 20 are wound using the frame-shaped winding jig 11, they are wound at a high precision pitch and under a stable tension. A high-density mounting substrate that can be embedded in glass and has no short circuit between the embedded linear conductors 20 can be realized.
【0037】また、複数の枠状巻付け治具11をスペー
サ13を介して積層させているので、精度の高い列ピッ
チを有する二次元マトリクス状に線状導電体20を埋設
した高密度実装基板を実現することができる。Further, since the plurality of frame-shaped winding jigs 11 are laminated via the spacers 13, a high-density mounting board in which the linear conductors 20 are embedded in a two-dimensional matrix having a highly accurate column pitch. Can be realized.
【0038】更に、実装する半導体装置を構成するSi
ウェハと同程度の熱膨張係数を有するガラス及び線状導
電体を用いて実装基板を構成しているので、半導体装置
を実装した場合に、耐環境性、特に、耐熱特性にすぐ
れ、高温環境で動作させた場合に、実装した半導体装置
が熱膨張によって脱落することがない。Further, Si constituting the semiconductor device to be mounted is
Since the mounting substrate is composed of glass and linear conductors having the same thermal expansion coefficient as the wafer, when semiconductor devices are mounted, they are excellent in environmental resistance, especially in heat resistance, in high temperature environments. When operated, the mounted semiconductor device does not fall off due to thermal expansion.
【0039】次に、枠状巻付け治具を使用する本発明の
態様のもう一つの実例を説明する。まず、ジルコニウム
製の坩堝19内で上述の治具の組み立てを行った後、日
本フェロー社製ガラスMSX−81P(商品名)のガラ
ス粉末を計量し、坩堝19内に入れる。日本フェロー社
製ガラスMSX−81P(商品名)は酸化鉛入りガラス
であり、熱膨張係数は10×10-6℃-1、軟化点は38
0℃、作業点は1252℃以下(大凡600℃)、密度
は6.23g/cm3 であり、その熱膨張係数は製作し
た実装基板に実装する半導体装置を構成するSiウェハ
の熱膨張係数(4.0×10-6℃-1)より大きいもの
の、流動性が良好である。Next, another embodiment of the present invention using a frame-shaped winding jig will be described. First, after assembling the above jig in a crucible 19 made of zirconium, glass powder of glass MSX-81P (trade name) manufactured by Nippon Fellow Co., Ltd. is weighed and put into the crucible 19. Nippon Fellow glass MSX-81P (trade name) is a glass containing lead oxide, has a coefficient of thermal expansion of 10 × 10 -6 ° C. -1 and a softening point of 38.
The working point is 0 ° C., the working point is 1252 ° C. or less (approximately 600 ° C.), the density is 6.23 g / cm 3 , and the coefficient of thermal expansion is the coefficient of thermal expansion of the Si wafer constituting the semiconductor device mounted on the manufactured mounting board ( Although it is larger than 4.0 × 10 −6 ° C. −1 ), the fluidity is good.
【0040】この例においては、枠状巻付け治具11
に、MSX−81P(商品名)のガラス粉末の作業点温
度に耐え得る直径0.15mmの白金(Pt)ワイヤ
(熱膨張係数9.1×10-6℃-1、融点2042℃)を
用い、例えば、1.27mmのピッチdになるように巻
き付ける。なお、Ptワイヤを巻付ける際に、作業点温
度で弛まないように、張力を掛けて巻回する。In this example, the frame-shaped winding jig 11
A platinum (Pt) wire having a diameter of 0.15 mm (thermal expansion coefficient: 9.1 × 10 −6 ° C. −1 , melting point: 2042 ° C.) that can withstand the working point temperature of the glass powder of MSX-81P (trade name) was used. For example, it is wound so as to have a pitch d of 1.27 mm. When winding the Pt wire, it is wound under tension so as not to loosen at the working point temperature.
【0041】次いで、坩堝19に、坩堝19を密封する
ように上下から蓋(図示せず)をし、そして大気炉中に
設置し、ガラスの作業点付近で3〜4時間焼成してガラ
ス粉末を溶融して、ワイヤとガラスをブロック化する。
この場合、日本フェロー社製ガラスMSX−81P(商
品名)の作業点温度はコーニング社製ガラス7740
(商品名)の作業点温度より低いため、焼成温度が低く
なり、且つ、Ptワイヤは酸化しにくいので、焼成時に
Ptワイヤが酸化によりガラス内で分散することはな
い。Next, a lid (not shown) is placed on the crucible 19 from above and below so as to seal the crucible 19, and the crucible 19 is placed in an atmospheric furnace, and is baked for 3 to 4 hours near the glass working point to obtain glass powder. To block the wire and glass.
In this case, the working point temperature of glass MSX-81P (trade name) manufactured by Nippon Fellow Co., Ltd.
Since the firing temperature is lower than the working point temperature of (trade name), the firing temperature is low, and the Pt wire is hardly oxidized. Therefore, the Pt wire does not disperse in the glass due to oxidation during firing.
【0042】以降は、先に説明した例と同様に、ガラス
にクラックが入らないように融点付近まで徐冷し、続い
て室温まで冷やしてから坩堝19を大気炉から取り出
し、次いでネジ18を外し、坩堝19からブロックを治
具ごと取り出す。この場合、ジルコニウムはガラスとの
濡れ性が悪いので、坩堝19内に固定された棒状固定治
具15は坩堝19内に残存する。Thereafter, in the same manner as in the above-described example, the glass is gradually cooled to a temperature near the melting point so that cracks do not enter the glass, then cooled to room temperature, the crucible 19 is taken out of the atmospheric furnace, and then the screw 18 is removed. Then, the block is taken out of the crucible 19 together with the jig. In this case, since zirconium has poor wettability with glass, the rod-shaped fixing jig 15 fixed in the crucible 19 remains in the crucible 19.
【0043】次いで、ガラスとの濡れ性の悪さを利用し
て、枠状押さえ部材16及びスペーサ13をブロックか
ら抜き出したのち、枠状巻付け治具11をブロックごと
切断して枠状巻付け治具11を除去する。Next, after taking out the frame-shaped pressing member 16 and the spacer 13 from the block by utilizing the poor wettability with the glass, the frame-shaped winding jig 11 is cut together with the block to form the frame-shaped winding jig. The tool 11 is removed.
【0044】次いで、切り出したガラスブロックを所定
の厚さ、例えば、2.0mmの厚さにスライスしたの
ち、表面と裏面を0.1μm以下のダイヤモンドディス
クで研磨するとともに、4つの側面は面取りして、表面
のそり量が3μm/cm以下の表裏貫通基板とする。以
降は、基板の表面と裏面に露出する導電体に接続する電
極又は配線層を形成する導電性薄膜の形成とパターニン
グを行い、更に絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形
成して、実装基板が完成する。Next, the sliced glass block is sliced to a predetermined thickness, for example, 2.0 mm, and the front and back surfaces are polished with a diamond disk of 0.1 μm or less, and the four side surfaces are chamfered. Thus, the front and back through substrate has a surface warpage of 3 μm / cm or less. Thereafter, formation and patterning of a conductive thin film for forming electrodes or wiring layers connected to the conductors exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed, and further, an insulating film and other wiring layers are formed as necessary, and mounted. The substrate is completed.
【0045】この様に、この例においては、ガラスとし
て、流動性の良好な日本フェロー社製ガラスMSX−8
1P(商品名)を用いているので、Ptワイヤのピッチ
間にガラスが間隙なく入り込めるため、線状導電体20
の埋込がより確実になる。その他の高密度実装化等の作
用効果は、先の例の場合と実質的に同等である。なお、
日本フェロー社製ガラスMSX−81P(商品名)は、
酸化鉛入りガラスであり、酸素のない雰囲気下で焼成す
ると、鉛が析出し、析出した鉛がPtワイヤと反応する
ので、酸素を含む雰囲気、典型的には大気中での焼成が
必要になる。As described above, in this example, the glass MSX-8 manufactured by Nippon Fellow Co., Ltd.
Since 1P (trade name) is used, the glass can enter between the pitches of the Pt wire without any gap.
Is more reliable. Other effects such as high-density mounting are substantially the same as those in the above-described example. In addition,
Nippon Fellow Glass MSX-81P (trade name)
It is a glass containing lead oxide, and when fired in an oxygen-free atmosphere, lead precipitates and the deposited lead reacts with the Pt wire, so firing in an oxygen-containing atmosphere, typically in the air, is required. .
【0046】次に、線状の導電体の配列のために実装基
板の絶縁材料よりも高融点の材料製の毛細管を使用する
実装基板製造方法を説明する。この場合には、製造する
実装基板を構成する例えばガラス等の絶縁材料の融点よ
りも高い融点を有し、熱処理に用いられる高温において
絶縁材料とも導電体材料とも反応しない材料から、毛細
管を製作する。毛細管材料は、絶縁材料の融点よりもか
なり高い融点を持つことが必要であり、両者の差が例え
ば少なくとも500〜600℃程度になるように選ぶの
が好ましい。一例として、絶縁材料としてガラスを採用
する場合には、毛細管材料として石英を好ましく使用す
ることができる。なお、毛細管材料としては一般に電気
絶縁性のものが用いられるが、本発明の目的のために
は、毛細管材料は導電性であっても差し支えない。Next, a method of manufacturing a mounting substrate using a capillary made of a material having a higher melting point than the insulating material of the mounting substrate for arranging the linear conductors will be described. In this case, the capillary is manufactured from a material having a melting point higher than the melting point of the insulating material such as glass, which constitutes the mounting substrate to be manufactured, and which does not react with the insulating material or the conductor material at the high temperature used for the heat treatment. . The capillary material needs to have a melting point much higher than the melting point of the insulating material, and it is preferable that the difference between the two is, for example, at least about 500 to 600 ° C. As an example, when glass is used as the insulating material, quartz can be preferably used as the capillary material. As the capillary material, an electrically insulating material is generally used, but for the purpose of the present invention, the capillary material may be conductive.
【0047】毛細管内には、実装基板の導電体を構成す
る線状の導電体材料を挿入する。この線状導電体材料
は、導電体材料のワイヤでよく、その直径は、製造する
実装基板に応じて様々でよいが、通常は1mm以下の直
径のものが使用され、これより太い導電体材料の使用も
可能である。A linear conductor material constituting the conductor of the mounting board is inserted into the capillary. The linear conductor material may be a wire of the conductor material, and its diameter may vary depending on the mounting substrate to be manufactured. Usually, a wire having a diameter of 1 mm or less is used. Can also be used.
【0048】線状導電体を通した毛細管は、(1)毛細
管を絶縁材料の板の間に方向を揃えて並べ、絶縁材料の
板と毛細管及び導電体を同時に熱処理するか、(2)溝
を形成した絶縁材料の板の間に毛細管をそれぞれの溝に
入るように並べ、絶縁材料の板と毛細管及び導電体を同
時に熱処理するか、あるいは、(3)毛細管を方向を揃
えて絶縁材料の粉末中に埋設し、絶縁材料粉末と毛細管
及び導電体を同時に熱処理することによって、絶縁材料
とともにブロック化される。このブロック化は、熱処理
を施すべき各材料の組み合わせを坩堝等の容器内に入れ
て、加熱することにより実施することができる。加熱温
度は、絶縁材料は溶融するが、毛細管材料(及びその内
部の導電体)は溶融しない温度とする。このような温度
での加熱により絶縁材料のみを溶融させてから冷却する
ことにより、絶縁材料中に線状導電体が埋設されたブロ
ックが得られる。The capillary passing through the linear conductor can be formed by (1) arranging the capillaries between the plates of the insulating material so as to be aligned, and heat-treating the plate of the insulating material, the capillaries and the conductor simultaneously, or (2) forming a groove. The capillaries are arranged in the respective grooves between the plates of the insulating material, and the heat treatment is performed on the plates of the insulating material, the capillaries and the conductor at the same time, or (3) the capillaries are aligned and buried in the powder of the insulating material. Then, by simultaneously heat-treating the insulating material powder, the capillary and the conductor, the insulating material is blocked together with the insulating material. This blocking can be performed by putting a combination of each material to be subjected to the heat treatment in a container such as a crucible and heating. The heating temperature is set to a temperature at which the insulating material is melted but the capillary material (and the conductor therein) is not melted. By melting only the insulating material by heating at such a temperature and then cooling, a block in which the linear conductor is embedded in the insulating material is obtained.
【0049】こうして得られたブロックは、所定の厚さ
にスライスして、実装基板とすることができる。この実
装基板は、必要に応じ、表面を研磨して平滑にすること
ができ、またその表面上に電極又は配線層や絶縁膜を形
成することもできる。The block thus obtained can be sliced into a predetermined thickness to form a mounting board. The surface of the mounting substrate can be polished and smoothed as necessary, and an electrode, a wiring layer, or an insulating film can be formed on the surface.
【0050】線状導電体と絶縁材料を選択する際には、
製造した基板にクラック等を生じさせないために、熱膨
張係数が互いに近くなるようにするのが望ましい。ま
た、毛細管材料と線状導電体とのなじみをよくして両者
間の隙間等をなくす方が、完成した基板上に配線等を作
製する際のウエットプロセスにより基板内に水分が染み
込んで配線等が膨れる可能性を防止できるので好まし
い。When selecting a linear conductor and an insulating material,
In order to prevent cracks and the like from occurring in the manufactured substrates, it is desirable that the thermal expansion coefficients be close to each other. In addition, it is better to remove the gaps and the like between the capillary material and the linear conductor by improving the compatibility between the capillary material and the linear conductor, because the wet process when the wiring and the like are formed on the completed substrate causes moisture to penetrate into the substrate and the wiring and the like. This is preferable because the possibility of swelling can be prevented.
【0051】毛細管と線状導電体との組み合わせを用い
た場合には、下記の利点が得られる。第一に、絶縁材料
よりも高融点でありすなわち絶縁材料よりも耐熱性に優
れる毛細管を絶縁材料と共に熱処理することにより、絶
縁材料が溶融した状態においても毛細管はなお溶融ある
いは軟化しないため、線状導電体にかかる張力を保持し
たまま(線状導電体の毛細管内の姿勢を保持したま
ま)、絶縁材料を溶融することができ、ブロック化の過
程で線状導電体が熱により切れたり、たるんだりする問
題をなくすことができる。これにより、導電体が基板の
表裏を貫通し、且つ隣接導電体間に短絡のない、高信頼
性の実装基板の作製が容易になる。When a combination of a capillary and a linear conductor is used, the following advantages are obtained. First, by heat-treating a capillary having a higher melting point than the insulating material, that is, having higher heat resistance than the insulating material, together with the insulating material, the capillary is not melted or softened even in a state where the insulating material is molten. The insulating material can be melted while maintaining the tension applied to the conductor (while maintaining the position of the linear conductor in the capillary), and the linear conductor is cut or sagged by heat in the process of blocking. It can eliminate the problem of sluggishness. This facilitates the production of a highly reliable mounting substrate in which the conductor penetrates the front and back of the substrate and has no short circuit between adjacent conductors.
【0052】第二に、毛細管材料として石英のように融
点の極めて高い材料を使用することにより、融点は高い
が熱膨張係数の小さいホウケイ酸ガラス等を絶縁材料と
して用いることができ、実装基板として適した熱膨張係
数の小さい基板を作製することができる。Secondly, by using a material having a very high melting point, such as quartz, as a capillary material, borosilicate glass or the like having a high melting point but a small coefficient of thermal expansion can be used as an insulating material. A suitable substrate having a small coefficient of thermal expansion can be manufactured.
【0053】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用
する実装基板の製造の例を、図面を参照して説明する。An example of manufacturing a mounting substrate using a combination of a capillary and a linear conductor will be described with reference to the drawings.
【0054】最初に、上記の(1)によるブロック化の
例を説明すると、図4に示すように内径0.15mmの
石英(作業点:2300℃前後、熱膨張係数:1×10
-6℃ -1前後)製毛細管41(外径:0.40mm)に、
外径0.15mmのタングステンワイヤ42(熱膨張係
数:4.5×10-6℃-1、融点:3653℃)を通し、
このタングステンワイヤ入りの毛細管41を、厚さ1m
mのコーニング社製のパイレックスガラス(熱膨張係
数:4×10-6℃-1前後、作業点:1250℃前後)の
板43の間に、一定間隔で一定方向に並べる。ワイヤ入
り毛細管41の位置を固定するため、ワイヤ41の両端
に耐熱性のある金属等の重し(図示せず)をつけておく
と望ましい。First, the block of (1)
To explain the example, as shown in FIG.
Quartz (working point: around 2300 ° C, coefficient of thermal expansion: 1 × 10
-6° C -1Before and after) Capillary tube 41 (outer diameter: 0.40 mm)
0.15 mm outer diameter tungsten wire 42 (thermal expansion
Number: 4.5 × 10-6° C-1, Melting point: 3653 ° C).
The capillary 41 containing the tungsten wire is 1 m thick.
m Pyrex glass manufactured by Corning
Number: 4 × 10-6° C-1Before and after, working point: around 1250 ° C)
It is arranged in a certain direction at a certain interval between the plates 43. With wire
In order to fix the position of the capillary 41, both ends of the wire 41
A heat resistant metal (not shown)
And desirable.
【0055】次に、これらのワイヤ入り毛細管41とガ
ラス板43を電気化学工業社製の純度99%以上の窒化
硼素の容器44内に入れ、やはり窒化硼素の蓋45で容
器を密閉し、窒素雰囲気の炉内で1250℃、3時間の
条件で熱処理してガラスを溶融させる。溶融後のガラス
は、作業点付近で熱処理したため、ガラス板どうしが一
体化して、ワイヤ入りの毛細管41とともにブロック状
になる。ブロックのガラスのクラック等を防止するた
め、炉内で融点(800℃前後)付近まで徐冷し、続い
て室温まで冷やした状態で炉から容器44を取り出す。
容器44からブロック(図示せず)を取り出し、ワイヤ
42の位置固定用の重し等があれば外す。次いで、取り
出したブロックを所望の厚さにスライスして、ワイヤが
表裏貫通した基板とする。スライス後の基板表面を研磨
し、4 つの側面は面取りして、その後の工程で支障をき
たさないようにする。続いて、基板の表面と裏面に露出
する導電体に接続する電極又は配線層を形成する導電性
薄膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やその他
の配線層を必要に応じ形成して、実装基板を完成する。Next, the capillary tube 41 with wire and the glass plate 43 are placed in a container 44 made of Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. made of boron nitride having a purity of 99% or more, and the container is sealed with a lid 45 made of boron nitride. The glass is melted by heat treatment in an atmosphere furnace at 1250 ° C. for 3 hours. Since the glass after melting is heat-treated near the working point, the glass plates are integrated into a block shape together with the capillary tube 41 containing the wire. In order to prevent cracks and the like in the glass of the block, the container 44 is gradually cooled to around the melting point (around 800 ° C.) in the furnace, and then taken out of the furnace while being cooled to room temperature.
The block (not shown) is taken out of the container 44 and removed if there is a weight for fixing the position of the wire 42. Next, the taken-out block is sliced to a desired thickness to obtain a substrate on which wires penetrate the front and back. Polish the substrate surface after slicing and chamfer the four sides so that they do not interfere with subsequent steps. Subsequently, formation and patterning of a conductive thin film for forming an electrode or a wiring layer connected to a conductor exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed, and further, an insulating film and other wiring layers are formed as necessary, and mounted. Complete the substrate.
【0056】続いて、上記の(2)によるブロック化の
例を説明する。図5に示すように、電気化学工業社製純
度99%以上の窒化硼素容器54内に、外径0.15m
mのゲルマニウム(Ge)ワイヤ52(熱膨張係数:
5.7×10-6℃-1、融点:960℃)を通した内径
0.15mmの石英製毛細管51を一定方向に一定間隔
で並べて、これらの毛細管51の間に日本フェロー社製
MSX−82P(熱膨張係数:4.2×10-6℃-1、作
業点:1000℃)のガラス粉末55を充填する。な
お、窒化硼素容器54には、容器内のガラス粉末55の
溶融による体積減少を考慮したテーパー部56が設けら
れている。ガラス粉末を使用する場合の体積減少はかな
り大きく、作製しようとするブロックの体積のおよそ3
〜6倍の体積のガラス粉末を消費するので、容器54は
その分を見込んだ容量を持つように設計すべきである。Next, an example of blocking according to the above (2) will be described. As shown in FIG. 5, an outer diameter of 0.15 m was placed in a boron nitride container 54 having a purity of 99% or more manufactured by Denki Kagaku Kogyo.
m germanium (Ge) wire 52 (thermal expansion coefficient:
5.7 × 10 −6 ° C. −1 , melting point: 960 ° C.), quartz capillary tubes 51 having an inner diameter of 0.15 mm and arranged in a fixed direction at a constant interval, and MSX- manufactured by Nippon Fellows Co., Ltd. A glass powder 55 of 82P (thermal expansion coefficient: 4.2 × 10 −6 ° C. −1 , working point: 1000 ° C.) is filled. Incidentally, the boron nitride container 54 is provided with a tapered portion 56 in consideration of a volume reduction due to melting of the glass powder 55 in the container. The volume reduction when using glass powder is quite large, about 3 times the volume of the block to be made.
The container 54 should be designed to have a capacity to allow for this, since it consumes up to six times the volume of glass powder.
【0057】これらのワイヤ入り毛細管52とガラス粉
末55の入った容器54を蓋57で密閉して、窒素雰囲
気の炉内で1000℃、3時間の条件で熱処理してガラ
ス粉末55とゲルマニウムワイヤ52を溶融させる。こ
の溶融により、ワイヤ入りの毛細管52とともにガラス
がブロック化する。ブロックのガラスのクラック等を防
止するため、炉内でガラス粉末の軟化点(630℃)付
近まで徐冷してから、室温まで冷やした状態で炉から容
器54を取り出す。容器54からブロック(図示せず)
を取りだし、スライスして所望の厚さの基板を得る。ス
ライス後の基板表面を研磨し、側面は面取りして、その
後の工程で支障をきたさないようにする。続いて、基板
の表面と裏面に露出する導電体に接続する電極又は配線
層を形成する導電性薄膜の形成とパターニングを行い、
更に絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形成して、実
装基板を完成する。The container 54 containing the wire-containing capillary tube 52 and the glass powder 55 is sealed with a lid 57, and heat-treated at 1,000 ° C. for 3 hours in a furnace in a nitrogen atmosphere, and the glass powder 55 and the germanium wire 52 are heated. Is melted. This melting blocks the glass together with the capillary tube 52 containing the wire. In order to prevent cracks in the glass of the block, the container 54 is gradually cooled in the furnace to a temperature near the softening point (630 ° C.) of the glass powder, and then the container 54 is taken out of the furnace while being cooled to room temperature. Block from container 54 (not shown)
And slicing to obtain a substrate having a desired thickness. The surface of the substrate after the slicing is polished and the side surfaces are chamfered so as not to hinder the subsequent steps. Subsequently, the formation and patterning of a conductive thin film forming an electrode or a wiring layer connected to the conductor exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed,
Further, an insulating film and other wiring layers are formed as necessary, and the mounting substrate is completed.
【0058】次に、上記(3)によるブロック化の例を
説明する。図6に示すように、内径0.15mmの石英
製毛細管61中に外径0.15mmのゲルマニウムワイ
ヤ62(熱膨張係数:5.7×10-6℃-1、融点:96
0℃)を通しておく。コーニング社製のパイレックスガ
ラス(熱膨張係数:4×10-6℃-1前後、作業点:12
50℃前後)の板63の表面に、毛細管61が入る大き
さで、一定間隔で一定方向に溝67を掘り、溝67の内
面に日本フェロー社製MSX−82P(熱膨張係数:
4.2×10-6℃-1、作業点:1000℃)のガラス粉
末(図示せず)をまぶしておく。溝67に1本ずつ毛細
管61を並べ、毛細管61の周囲に日本フェロー社製M
SX−82Pのガラス粉末(図示せず)を詰めながら、
別のガラス板63を重ねる。この作業を所定の回数だけ
繰り返して、ワイヤ入りの毛細管61を挟んでガラス板
63を積み重ねた積重体を68を形成する。Next, an example of blocking according to the above (3) will be described. As shown in FIG. 6, a 0.15 mm outer diameter germanium wire 62 (thermal expansion coefficient: 5.7 × 10 −6 ° C. −1 , melting point: 96) in a quartz capillary 61 having an inner diameter of 0.15 mm.
0 ° C). Pyrex glass manufactured by Corning (Coefficient of thermal expansion: about 4 × 10 -6 ° C -1 ; working point: 12
A groove 67 is dug in a certain direction at a certain interval on the surface of the plate 63 (at about 50 ° C.) so that the capillary 61 can be inserted therein, and MSF-82P (manufactured by Nippon Fellow Co., Ltd.)
Spray glass powder (not shown) of 4.2 × 10 −6 ° C. −1 , working point: 1000 ° C.). The capillaries 61 are arranged one by one in the groove 67, and M
While packing SX-82P glass powder (not shown),
Another glass plate 63 is stacked. This operation is repeated a predetermined number of times to form a stacked body 68 in which the glass plates 63 are stacked with the wire-containing capillary tube 61 interposed therebetween.
【0059】得られた積重体68を、電気化学工業社製
純度99%以上の窒化硼素容器64内に入れて、容器6
4を密閉する。次いで、容器64を炉に移し、窒素雲囲
気中で1000℃、3時間の条件で熱処理して、ワイヤ
入り毛細管61とともにガラス(パイレックスガラス及
びMSX−82P)をブロック化する。ブロックのガラ
スのクラック等を防止するため、炉内でMSX−82P
ガラス粉末の軟化点(630℃)付近まで徐冷してか
ら、室温まで冷やして、炉から容器64を取り出す。続
いて容器64からブロック(図示せず)を取りだし、ス
ライスして所望の厚さの基板を得る。スライス後の基板
表面を研磨し、側面は面取りして、その後の工程で支障
をきたさないようにする。続いて、基板の表面と裏面に
露出する導電体に接続する電極又は配線層を形成する導
電性薄膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やそ
の他の配線層を必要に応じ形成して、実装基板を完成す
る。The obtained stack 68 is placed in a boron nitride container 64 having a purity of 99% or more manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
Seal 4 Next, the container 64 is transferred to a furnace and heat-treated in a nitrogen cloud atmosphere at 1000 ° C. for 3 hours to block the glass (Pyrex glass and MSX-82P) together with the wire-containing capillary tube 61. In order to prevent cracks in the glass of the block, MSX-82P
The glass powder is gradually cooled to around the softening point (630 ° C.), then cooled to room temperature, and the container 64 is taken out of the furnace. Subsequently, a block (not shown) is removed from the container 64 and sliced to obtain a substrate having a desired thickness. The surface of the substrate after the slicing is polished and the side surfaces are chamfered so as not to hinder the subsequent steps. Subsequently, formation and patterning of a conductive thin film for forming an electrode or a wiring layer connected to a conductor exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed, and further, an insulating film and other wiring layers are formed as necessary, and mounted. Complete the substrate.
【0060】次に、溝を形成した絶縁材料の板と絶縁材
料のペーストを使用する実装基板製造方法を説明する。
溝を形成する絶縁材料の板としては、上記の例で言及し
たようなガラス板が使用可能である。溝の形成は、エッ
チング等の周知の方法で容易に行うことができる。Next, a description will be given of a method of manufacturing a mounting substrate using a plate of an insulating material having grooves and a paste of the insulating material.
As the plate of the insulating material forming the groove, a glass plate as mentioned in the above example can be used. The groove can be easily formed by a known method such as etching.
【0061】ペーストは、ガラス粉末等の絶縁性の粉末
を使って調製することができる。粉末は、その融点が板
材料の融点より低くなるように選択するのが好ましく、
こうすることで、板材料の溝に収容した線状導電体にか
かる張力やその姿勢を保持したままペースト材料を溶融
させて、絶縁材料の板を線上導電体とともに一体化して
ブロック状にすることができる。ペーストの調製は、絶
縁材料粉末とバインダを少量の液体とともに混合する方
法で行うのが一般的であり、バインダと液体成分は、ブ
ロック化のための熱処理前に除去される。The paste can be prepared using an insulating powder such as a glass powder. The powder is preferably selected such that its melting point is lower than the melting point of the plate material,
By doing so, the paste material is melted while maintaining the tension and the posture applied to the linear conductor accommodated in the groove of the plate material, and the plate of the insulating material is integrated with the linear conductor into a block shape. Can be. Generally, the paste is prepared by mixing the insulating material powder and the binder with a small amount of liquid, and the binder and the liquid component are removed before the heat treatment for blocking.
【0062】絶縁材料の板の溝に収容する線状導電体
は、先に言及したように導電体材料のワイヤでよい。こ
のような線状導電体を絶縁材料の板の溝に入れて、この
絶縁材料の板を同じように溝に線状導電体を入れた別の
板と、それらの間にペーストを介在させて積み重ね、一
番上にもう1枚の板(その下の板に収容されている導電
体の位置に対応する箇所に溝が形成されている)を重ね
て、積重体を形成する。次に、積重体を加圧しながら熱
処理してペーストを溶融させ、絶縁材料の板どうしを接
合して、線状導電体を含むブロックを形成させる。こう
して形成したブロックは、所定の厚さにスライスして、
実装基板とすることができる。この実装基板は、必要に
応じ、表面を研磨して平滑にすることができる。The linear conductor housed in the groove of the plate of insulating material may be a wire of conductor material as mentioned above. Put such a linear conductor in the groove of the plate of insulating material, put the insulating material plate in the same way with another plate with the linear conductor in the groove, and put a paste between them A stack is formed by stacking another plate (a groove is formed at a position corresponding to the position of the conductor contained in the plate below) on top of the stack. Next, a heat treatment is applied to the stacked body under pressure to melt the paste, and the plates of the insulating material are joined together to form a block including the linear conductor. The block thus formed is sliced to a predetermined thickness,
It can be a mounting substrate. The surface of this mounting substrate can be polished and smoothed as necessary.
【0063】溝を形成した絶縁材料の板と絶縁材料のペ
ーストを使用する実装基板の製造方法の例を、図7を参
照して説明する。An example of a method of manufacturing a mounting board using a plate of an insulating material having grooves and a paste of the insulating material will be described with reference to FIG.
【0064】まず、厚さ1.27mmのコーニング社製
のパイレックスガラス(熱膨張係数:4×10-6℃-1前
後、作業点:1250℃前後)の板71の表面に、半円
(直径0.15mm)の溝72を1.27mmピッチで
掘る。日本フェロー社製ガラス粉末MSX−82P(熱
膨張係数:4.2×10-6℃-1、作業点:1000℃)
570gと、セキスイ化学社製バインダBR−101
(ガラス転移点:260℃前後)30g及び15mmφ
のAl2 O3 ボールをボールミルで乾式にて5時間以上
混ぜる。この混合物にテルピネオールを数滴加えて、ら
いかい機で3時間以上混ぜてガラスペーストを調製す
る。このぺ一ストをガラス板71の後に別のガラス板と
接合する表面に塗布し、ペースト層74を形成する。直
径0.15mmのタングステンワイヤ73(熱膨張係
数:4.5×10-6℃-1、融点:3653℃)を、溝7
2に入れる。ワイヤ73の両端に耐熱性のある錘をつけ
ておくと望ましい。First, a semicircle (diameter) was placed on the surface of a 1.27 mm thick Pyrex glass plate manufactured by Corning (thermal expansion coefficient: about 4 × 10 −6 ° C.- 1 ; working point: about 1250 ° C.). 0.15 mm) grooves 72 are dug at a pitch of 1.27 mm. Nippon Fellows glass powder MSX-82P (Coefficient of thermal expansion: 4.2 × 10 -6 ° C -1 , working point: 1000 ° C)
570 g and a binder BR-101 manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.
(Glass transition point: around 260 ° C) 30g and 15mmφ
The Al 2 O 3 balls are mixed in a ball mill for 5 hours or more in a dry system. A few drops of terpineol are added to the mixture, and the mixture is mixed for 3 hours or more with a grinder to prepare a glass paste. This paste is applied to the surface joined to another glass plate after the glass plate 71 to form a paste layer 74. A tungsten wire 73 having a diameter of 0.15 mm (coefficient of thermal expansion: 4.5 × 10 −6 ° C. −1 , melting point: 3653 ° C.) is inserted into the groove 7.
Put in 2. It is desirable to attach heat-resistant weights to both ends of the wire 73.
【0065】上面の溝72にワイヤ73を収容した複数
枚のガラス板71を、おのおのの溝72どうしの位置を
合わせて積み重ね、一番上にもう1枚の板71を載せ
て、積重体78を形成する。この積重体78を、電気化
学工業社製の純度99%以上の窒化硼素で作製した容器7
5の中に入れる。積重体78の上にジルコニア製の耐熱
性の蓋(図示せず)を載せて密閉し、容器75を加熱炉
に入れる。最初に、積重体78の入った容器75を35
0℃付近で数時間大気中で熱処理して、ぺースト中のバ
インダ成分を抜く。その後、積重体78の入った容器7
5を700℃、数十分の熱処理条件で、窒素雰囲気中で
熱処理して、溶融したペーストによる圧着により積重体
78をブロック化する。得られたブロックのガラスのク
ラック等を防止するため、炉内でMSX−82Pガラス
粉末の融点(630℃)付近まで徐冷してから、室温ま
で冷やして、炉から容器75を取り出す。続いて容器7
5からブロック(図示せず)を取りだし、スライスして
所望の厚さの基板を得る。スライス後の基板表面を研磨
し、側面は面取りして、その後の工程で支障をきたさな
いようにする。続いて、基板の表面と裏面に露出する導
電体に接続する電極又は配線層を形成する導電性薄膜の
形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やその他の配線
層を必要に応じ形成して、実装基板を完成する。A plurality of glass plates 71 accommodating the wires 73 in the grooves 72 on the upper surface are stacked so that the positions of the grooves 72 are aligned with each other, and another plate 71 is placed on the top, and the stack 78 To form This stack 78 was made of a container 7 made of boron nitride having a purity of 99% or more manufactured by Denki Kagaku Kogyo.
Put in 5. A heat-resistant lid (not shown) made of zirconia is placed on the stack 78 and hermetically closed, and the container 75 is placed in a heating furnace. First, the container 75 containing the stack 78 is placed in 35
Heat treatment in the air at about 0 ° C. for several hours to remove the binder component in the paste. Then, the container 7 containing the stack 78 is
5 is heat-treated in a nitrogen atmosphere at 700 ° C. under a heat treatment condition of several tens of minutes, and the stacked body 78 is blocked by pressure bonding with a molten paste. In order to prevent cracks and the like of the glass of the obtained block, the MSX-82P glass powder is gradually cooled in the furnace to near the melting point (630 ° C.), then cooled to room temperature, and the container 75 is taken out of the furnace. Then container 7
A block (not shown) is removed from 5 and sliced to obtain a substrate having a desired thickness. The surface of the substrate after the slicing is polished and the side surfaces are chamfered so as not to hinder the subsequent steps. Subsequently, formation and patterning of a conductive thin film for forming an electrode or a wiring layer connected to a conductor exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed, and further, an insulating film and other wiring layers are formed as necessary, and mounted. Complete the substrate.
【0066】次に、溝に導電体を充填した絶縁材料の板
と絶縁材料のペーストを使用する実装基板製造方法を説
明する。溝のある絶縁材料の板は、先に言及したとおり
のガラス板を使用可能である。ペーストも、やはり先に
言及したとおりである。Next, a method of manufacturing a mounting board using a plate of an insulating material in which a conductor is filled in a groove and a paste of the insulating material will be described. As the plate of the insulating material having the groove, a glass plate as mentioned above can be used. The paste is also as mentioned above.
【0067】この方法では、絶縁材料の板の溝に、ワイ
ヤを入れるのではなく、導電体材料を充填する。導電性
材料としては、絶縁材料の板の溝に充填できるものであ
ればいかなるものでも使用可能であるが、導電性材料は
絶縁材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するのが好
ましい。例えば、絶縁材料としてガラスを使用する場合
には、シリコン(Si)を導電性材料として使用するこ
とができる。シリコンを使用する場合には、化学気相成
長(CVD)等の周知の方法によって、絶縁材料の板の
溝に容易に充填することができる。In this method, a conductive material is filled in the groove of the insulating material plate instead of inserting a wire into the groove. As the conductive material, any material can be used as long as it can fill the grooves of the insulating material plate. However, the conductive material preferably has a thermal expansion coefficient close to that of the insulating material. For example, when glass is used as the insulating material, silicon (Si) can be used as the conductive material. When silicon is used, the grooves of the plate of insulating material can be easily filled by a known method such as chemical vapor deposition (CVD).
【0068】溝に導電体を充填した絶縁材料の複数枚の
板を、それらの間にペーストを介在させて積み重ねて、
積重体を形成する。次に、積重体を加圧しながら熱処理
してペーストを溶融させ、絶縁材料の板どうしを接合し
て、導電体を含むブロックを形成させる。このブロック
を所定の厚さにスライスして、実装基板とすることがで
き、そしてこの実装基板は、必要に応じ、表面を研磨し
て平滑にすることができる。A plurality of plates of an insulating material having grooves filled with a conductor are stacked with a paste interposed therebetween.
Form a stack. Next, a heat treatment is performed while the stack is being pressurized to melt the paste, and the plates of the insulating material are joined to form a block including a conductor. The block can be sliced to a predetermined thickness to form a mounting substrate, and the mounting substrate can be polished and smoothed as necessary.
【0069】溝に導電体を充填した絶縁材料の板と絶縁
材料のペーストを使用する実装基板の製造方法の例を、
図8を参照して説明する。An example of a method of manufacturing a mounting board using a plate of an insulating material in which a conductor is filled in a groove and a paste of the insulating material will be described.
This will be described with reference to FIG.
【0070】まず、図8(a)に示したように、厚さ
1.27mmのコーニング社製パイレックスガラス(熱
膨張係数:4×10-6℃-1前後、作業点:1250℃前
後)の板81(厚さ1.27mm)の片面に深さ0.1
5mmの溝82を1,27mmピッチで掘り、この面に
CVD法でシリコン(Si)膜83を150μm成膜す
る。その後、ガラス板81上の溝を掘ってない部分のS
i膜を反応性イオンエッチング(RIE)にて除去する
(図8(b))。First, as shown in FIG. 8A, a 1.27 mm thick Pyrex glass manufactured by Corning (thermal expansion coefficient: about 4 × 10 −6 ° C.- 1 ; working point: about 1250 ° C.) One side of the plate 81 (thickness: 1.27 mm) has a depth of 0.1
A 5 mm groove 82 is dug at a pitch of 1,27 mm, and a silicon (Si) film 83 is formed on this surface by a CVD method to a thickness of 150 μm. After that, the S on the portion of the glass plate 81 where the groove is not dug
The i film is removed by reactive ion etching (RIE) (FIG. 8B).
【0071】次いで、日本フェロー社製ガラス粉末MS
X−82P(熱膨張係数:4.2×10-6℃-1、作業
点:1000℃)570gと、セキスイ化学社製バイン
ダBR−101(ガラス転移点:260℃前後)30g
をボールミルで乾式にて5時間以上混ぜる。この混合物
にテルピオールを数滴加えて、らいかい機で3時間以上
混ぜてガラスペーストを調製する。このペーストを、図
8(c)に示したようにガラス板81の溝82にSiを
充填した面に塗布してペースト層84を形成する。Next, glass powder MS manufactured by Nippon Fellow Co., Ltd.
570 g of X-82P (coefficient of thermal expansion: 4.2 × 10 −6 ° C. −1 , working point: 1000 ° C.) and 30 g of binder BR-101 manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. (glass transition point: around 260 ° C.)
Is mixed in a ball mill for 5 hours or more in a dry system. A few drops of terpiol are added to the mixture, and the mixture is mixed for at least 3 hours with a raiser to prepare a glass paste. This paste is applied to the surface of the glass plate 81 in which the grooves 82 are filled with Si, as shown in FIG.
【0072】続いて、これらのガラス板を積み重ね、一
番上に溝のないガラス板を乗せて、積重体86(図8
(d))を作り、そしてこれを電気化学工業社製の純度
99%以上の窒化硼素で作製した容器87に入れる。積重
体86の上にジルコニア製の耐熱性の蓋(図示せず)を
載せて密閉し、容器87を加熱炉に入れる。最初に、積
重体86の入った容器87を350℃付近で数時間大気
中で熱処理して、ぺースト中のバインダ成分を抜く。そ
の後、容器87を700℃、数十分の熱処理条件で、窒
素雰囲気中で熱処理して、溶融したペーストによる圧着
により積重体86をブロック化する。得られたブロック
のガラスのクラック等を防止するため、炉内でMSX−
82Pガラス粉末の融点(630℃)付近まで徐冷して
から、室温まで冷やして、容器87を炉から取り出す。Subsequently, these glass plates are stacked, and a glass plate without a groove is placed on the top, and the stack 86 (FIG. 8)
(D)), and this is the purity manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
The container 87 is made of 99% or more boron nitride. A heat-resistant lid (not shown) made of zirconia is placed on the stack 86 and hermetically closed, and the container 87 is placed in a heating furnace. First, the container 87 containing the stack 86 is heat-treated in the atmosphere at about 350 ° C. for several hours to remove the binder component in the paste. Thereafter, the container 87 is heat-treated at 700 ° C. under a heat treatment condition of several tens of minutes in a nitrogen atmosphere, and the stacked body 86 is blocked by pressure bonding with a molten paste. In order to prevent cracking of the glass of the obtained block, MSX-
After gradually cooling to around the melting point (630 ° C.) of the 82P glass powder, the container 87 is cooled to room temperature, and the container 87 is taken out of the furnace.
【0073】その後、容器87からブロック(図示せ
ず)を取り出し、スライスして所望の厚さの基板を得
る。スライス後の基板表面を研磨し、側面は面取りし
て、その後の工程で支障をきたさないようにする。続い
て、基板の表面と裏面に露出する導電体に接続する電極
又は配線層を形成する導電性薄膜の形成とパターニング
を行い、更に絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形成
して、実装基板を完成する。Thereafter, a block (not shown) is taken out of the container 87 and sliced to obtain a substrate having a desired thickness. The surface of the substrate after the slicing is polished and the side surfaces are chamfered so as not to hinder the subsequent steps. Subsequently, formation and patterning of a conductive thin film for forming an electrode or a wiring layer connected to a conductor exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed, and further, an insulating film and other wiring layers are formed as necessary, and mounted. Complete the substrate.
【0074】このように、基板を切り出すブロックの作
製のために溝を設けた絶縁材料の板とペーストを用いる
ことにより、線状導電体にかかる張力を保持したまま、
あるいは充填した導電体を溝に保持したまま、ブロック
化を行うことができる。As described above, by using a plate and a paste of an insulating material provided with a groove for manufacturing a block for cutting a substrate, the tension applied to the linear conductor can be maintained.
Alternatively, blocking can be performed while the filled conductor is held in the groove.
【0075】次に、スルーホールを備えた絶縁材料の板
と熱可塑性樹脂で被覆した線状導電体を使用する実装基
板の製造方法を説明する。線状導電体は、導電性のある
どのような材料から製作してもよい。好ましくは、線状
導電体は使用する絶縁材料の熱膨張係数に近い熱膨張係
数を有する材料から製作する。一例として、絶縁材料と
してガラスを使用する場合には、線状導電体はカーボン
製とすることができる。Next, a method of manufacturing a mounting substrate using a plate of an insulating material having through holes and a linear conductor covered with a thermoplastic resin will be described. The linear conductor may be made of any conductive material. Preferably, the linear conductor is made of a material having a coefficient of thermal expansion close to that of the insulating material used. As an example, when glass is used as the insulating material, the linear conductor can be made of carbon.
【0076】線状導電体に被覆する熱可塑性樹脂(これ
も絶縁材料の一つを構成する)は、製造する実装基板の
使用条件を考慮に入れて、耐熱性のものを選択するのが
好ましく、例えば熱可塑性ポリイミド樹脂などを使用す
ることができる。The thermoplastic resin (which also constitutes one of the insulating materials) to be coated on the linear conductor is preferably selected from heat-resistant ones in consideration of the use conditions of the mounting substrate to be manufactured. For example, a thermoplastic polyimide resin or the like can be used.
【0077】この方法では、樹脂で被覆した線状導電体
を絶縁材料の板のスルーホール内に挿入する。この板は
どのような絶縁材料から製作してもよく、またスルーホ
ールもどのような手法で形成してもよい。一例として、
HOYA社から入手できる所定のスルーホールをホトリ
ソグラフィー法で予め形成した感光性ガラスPEG3の
板などを好適に使用できる。この場合には、任意の厚さ
の板を使用可能であり、実装基板に要求される厚みに合
わせた板を使用することで、上記の各方法で行っていた
ブロック化後の切断工程を省くことができる。In this method, a linear conductor covered with a resin is inserted into a through hole of a plate made of an insulating material. The plate may be made from any insulating material and the through holes may be formed in any manner. As an example,
A plate of photosensitive glass PEG3 having predetermined through holes available from HOYA and formed in advance by photolithography can be suitably used. In this case, a plate of any thickness can be used, and by using a plate that matches the thickness required for the mounting substrate, the cutting step after blocking performed by each of the above methods can be omitted. be able to.
【0078】樹脂で被覆した導電体を挿入した絶縁材料
の板を、これまで説明した方法の場合と同様に熱処理す
れば、実装基板が得られる。得られた基板は、必要に応
じ、表面を研磨して平滑にすることができる。When a plate of an insulating material into which a conductor covered with a resin is inserted is heat-treated in the same manner as in the method described above, a mounting substrate is obtained. The surface of the obtained substrate can be polished and smoothed as necessary.
【0079】スルーホール付きの絶縁材料の板と樹脂被
覆した線状導電体を使用する実装基板の製造方法の例
を、図9を参照して説明する。An example of a method of manufacturing a mounting substrate using a plate of an insulating material with through holes and a linear conductor coated with a resin will be described with reference to FIG.
【0080】予め直径0.2mmのスルーホール92を
あけた感光性ガラス(PEG3)の板(HOYA社より
入手、厚さ2.0mm)91を用意する。直径が0.1
5mmで長さが2.0mmの線状カーボン材料93(虹
技株式会社より入手、熱膨張係数:3.1×10-6℃-1
前後、融点:3500℃)の側面に、デュポン社製熱可
塑性ポリイミド樹脂PI2611(熱膨張係数:5.2
×10-6℃-1、ガラス転移点:370℃前後)を厚さ2
5μmに被覆して、皮膜94を形成する。次いで、皮膜
94を形成したカーボン材料93を板91のスルーホー
ル92に挿入し、そしてこの板91を炉に入れて、窒素
雰囲気中で375℃、数十分の条件で熱処理する。樹脂
皮膜94の溶融により、カーボン材料93とガラス板9
1との隙間が埋められて実装基板が得られる。基板表面
を研磨し、必要に応じ側面を面取りしてから、基板の表
面と裏面に露出する導電体に接続する電極又は配線層を
形成する導電性薄膜の形成とパターニングを行い、更に
絶縁膜やその他の配線層を必要に応じ形成して、実装基
板を完成する。A photosensitive glass (PEG3) plate (obtained from HOYA, thickness: 2.0 mm) 91 having a through hole 92 having a diameter of 0.2 mm is prepared in advance. 0.1 diameter
Linear carbon material 93 having a length of 5 mm and a length of 2.0 mm (obtained from Nijigyo Co., Ltd., thermal expansion coefficient: 3.1 × 10 −6 ° C. −1)
Before and after, melting point: 3500 ° C.), thermoplastic polyimide resin PI2611 manufactured by DuPont (coefficient of thermal expansion: 5.2)
× 10 −6 ° C. −1 , glass transition point: around 370 ° C.)
A coating 94 is formed by coating to a thickness of 5 μm. Next, the carbon material 93 on which the film 94 has been formed is inserted into the through hole 92 of the plate 91, and the plate 91 is placed in a furnace and heat-treated at 375 ° C. in a nitrogen atmosphere at several tens of minutes. By melting the resin film 94, the carbon material 93 and the glass plate 9 are melted.
1 and the mounting substrate is obtained. After polishing the substrate surface and chamfering the side surface as necessary, forming and patterning a conductive thin film for forming an electrode or a wiring layer connected to a conductor exposed on the front and back surfaces of the substrate, and further performing an insulating film or Other wiring layers are formed as necessary to complete the mounting substrate.
【0081】次に、熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電
体を使用する実装基板の製造方法を説明する。線状の導
電体は、先に言及した導電体材料のワイヤでよい。ま
た、線状導電体に被覆する熱可塑性樹脂は、先に言及し
たポリイミド樹脂等の耐熱性熱可塑性樹脂であるのが好
ましい。Next, a method of manufacturing a mounting substrate using a linear conductor covered with a thermoplastic resin will be described. The linear conductor may be a wire of the previously mentioned conductor material. Further, the thermoplastic resin coated on the linear conductor is preferably a heat-resistant thermoplastic resin such as the above-mentioned polyimide resin.
【0082】側面に熱可塑性樹脂を被覆した所定の長さ
のワイヤを束ね、その束を炉に入れて熱処理を施し、熱
可塑性樹脂の溶融によりワイヤと樹脂をブロック化す
る。このブロックを所定の厚さにスライスして、実装基
板とする。得られた実装基板は、必要に応じ、表面を研
磨して平滑にすることができる。Wires of a predetermined length each having a side surface coated with a thermoplastic resin are bundled, and the bundle is put into a furnace and subjected to a heat treatment, and the thermoplastic resin is melted to block the wires and the resin. This block is sliced into a predetermined thickness to form a mounting board. The surface of the obtained mounting board can be polished and smoothed as necessary.
【0083】熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体から
実装基板を製造する例を、図10を参照して説明する。An example of manufacturing a mounting substrate from a linear conductor covered with a thermoplastic resin will be described with reference to FIG.
【0084】まず、図10(a)に示したように、直径
0.15mmのタングステンワイヤ101(熱膨張係
数:4.5×10-6℃-1、融点:3653℃)の側面に
デュポン社製熱可塑性ポリイミド樹脂PI2611(熱
膨張係数:5.2×10-6℃-1、ガラス転移点:370
℃前後)を1mmの厚さで被覆して皮膜102を形成し
たものを、ワイヤ101が格子状に並ぶように束ねる。
この束を炉に入れて、窒素雰囲気中で375℃、数十分
の条件で熱処理する。樹脂皮膜102の溶融により、樹
脂材料中にワイヤが埋設されたブロックが得られる。炉
から取り出したブロックをスライスして所望の厚さの基
板103(図10(b))にする。この基板表面を研磨
し、側面は面取りし、続いて基板の表面と裏面に露出す
る導電体に接続する電極又は配線層を形成する導電性薄
膜の形成とパターニングを行い、更に絶縁膜やその他の
配線層を必要に応じ形成して、実装基板を完成する。[0084] First, as shown in FIG. 10 (a), a tungsten wire 101 with a diameter of 0.15 mm (thermal expansion coefficient: 4.5 × 10 -6 ℃ -1, mp: 3653 ° C.) DuPont to the side of Thermoplastic polyimide resin PI2611 (coefficient of thermal expansion: 5.2 × 10 −6 ° C. −1 , glass transition point: 370)
(Approx. ° C.) is coated with a thickness of 1 mm to form a film 102, which is bundled so that the wires 101 are arranged in a grid.
This bundle is placed in a furnace and heat-treated at 375 ° C. in a nitrogen atmosphere at tens of minutes. By melting the resin film 102, a block in which the wires are embedded in the resin material is obtained. The block taken out of the furnace is sliced into a substrate 103 having a desired thickness (FIG. 10B). The surface of the substrate is polished, the side surfaces are chamfered, and then the formation and patterning of a conductive thin film for forming an electrode or a wiring layer connected to a conductor exposed on the front and back surfaces of the substrate are performed. A wiring layer is formed as needed to complete a mounting substrate.
【0085】このように、基板を切り出すブロックの作
製のために熱可塑性樹脂で被覆した線状導電体を使用す
る場合、導電体の酸化を防ぐことができ、そのため熱処
理時の高温で酸化しやすい金属などを導電体として用い
るのが可能になる。例えば、導電体としてタングステン
やモリブデン等の熱膨張係数の小さい金属を用いる場
合、これらの金属は高温で酸化しやすい性質を持つた
め、絶縁材料としてガラスを使用するとその溶融を不活
性雰囲気下で行う必要があるが、軟化点の低いガラスは
酸化鉛等を多く含むため、不活性雰囲気下での溶融では
酸化鉛が還元されて鉛が析出する等、導電体とガラス粉
末の性質により、ガラスを溶融する炉が限定される問題
がある。熱可塑性樹脂で被覆した線状導電体を使用する
ことにより、このような問題を回避することができる。As described above, when a linear conductor coated with a thermoplastic resin is used for manufacturing a block for cutting a substrate, the conductor can be prevented from being oxidized, and therefore easily oxidized at a high temperature during heat treatment. It becomes possible to use metal or the like as the conductor. For example, when a metal having a small coefficient of thermal expansion such as tungsten or molybdenum is used as a conductor, these metals have a property of easily oxidizing at a high temperature. Therefore, when glass is used as an insulating material, the melting is performed in an inert atmosphere. Although it is necessary, since the glass having a low softening point contains a large amount of lead oxide, etc., the melting of the lead in an inert atmosphere reduces the lead oxide and deposits lead. There is a problem that the melting furnace is limited. Such a problem can be avoided by using a linear conductor covered with a thermoplastic resin.
【0086】以上、本発明の例を説明してきたが、本発
明は各例に記載した構成及び条件に限られるものではな
く、各種の変更が可能である。例えば、本発明の各例に
おいては、埋め込む線状導電体としてW、Ptあるいは
Geを用いているが、導電体はW、PtあるいはGeに
限られるものではなく、ステンレス鋼やコバール等を用
いても良いものである。また、ガラスとして作業点の低
いガラスを用いた場合には、Au(融点1064.4
℃)やCu(融点1084.5℃)等の低抵抗材料を用
いても良いものである。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configurations and conditions described in each example, and various modifications are possible. For example, in each example of the present invention, W, Pt, or Ge is used as a linear conductor to be embedded, but the conductor is not limited to W, Pt, or Ge, and may be made of stainless steel, Kovar, or the like. Is also good. When glass having a low working point is used as the glass, Au (melting point: 1064.4) is used.
C.) or Cu (melting point 1084.5.degree. C.).
【0087】また、上記の例においては、線状導電体の
断面の直径を0.15mmとしているが、0.15mmに限
られるのではない。高密度実装化のためには、直径1m
m以下のものが好ましいが、直径1mmを超える線状導
電体を用いても、もちろん本発明は実施可能である。さ
らに、線状導電体の断面は必ずしも円形である必要はな
く、楕円形、正方形、長方形、多角形、或いは、星型な
どであっても良いものである。In the above example, the diameter of the cross section of the linear conductor is 0.15 mm, but it is not limited to 0.15 mm. 1m diameter for high density mounting
m or less is preferable, but the present invention is of course practicable even if a linear conductor having a diameter exceeding 1 mm is used. Further, the cross section of the linear conductor does not necessarily have to be circular, but may be elliptical, square, rectangular, polygonal, or star-shaped.
【0088】また、上記の各例においては、絶縁材料の
ガラスとして、日本フェロー社製ガラスMSX−81P
(商品名)、コーニング社製ガラス7740(商品名)
やパイレックスガラス、あるいはデュポン社製熱可塑性
ポリイミド樹脂PI2611を用いているが、絶縁材料
はこれらに限られないことは言うまでもないことであ
り、絶縁性と、硬度と、溶融時に線状導電体のピッチ間
に入り込める粘度があれば、いずれの絶縁性の材料を用
いても良いものである。In each of the above examples, glass MSX-81P manufactured by Nippon Fellow Co., Ltd. was used as the insulating material glass.
(Product name), Corning 7740 glass (Product name)
Or Pyrex glass, or a thermoplastic polyimide resin PI2611 manufactured by DuPont. However, it is needless to say that the insulating material is not limited to these materials. Any insulating material may be used as long as it has a viscosity that can be interposed therebetween.
【0089】また、枠状巻付け治具を用いる上記の例で
は粉末状のガラスを用いているが、予め溶融したガラス
を組み立てた治具を収容した坩堝内に流し込むようにし
ても良いものである。In the above example using the frame-shaped winding jig, powdery glass is used. However, the glass may be poured into a crucible containing a jig assembled with pre-melted glass. is there.
【0090】基板において配列する導電体のピッチは、
同一であってもよく、部分的に異なるようにしてもよ
い。例えば枠状巻付け治具を用いる場合、一つの枠状巻
付け治具において導電体を同一ピッチで巻回しても部分
的にピッチを変えて巻回しても良く、さらには、枠状巻
付け治具ごとに異なるピッチで導電体を巻回しても良い
ものである。同じく枠状巻付け治具を用いる上記の例に
おいては、列ピッチを枠状巻付け治具の厚さ及びスペー
サの厚さで規定しているが、これらの厚さは全て同じで
ある必要はなく、必要に応じて、各枠状巻付け治具毎或
いは各スペーサ毎に変えても良いものである。線状導電
体の周囲を取り巻く毛細管を用いる場合には、毛細管を
配列する間隔を調整することで、導電体のピッチを自由
に変えることができる。また、線状導電体を挿入する絶
縁材料の板のスルーホールの間隔を調整することによっ
ても、あるいは線状導電体を被覆する樹脂の厚みを調整
することによっても、導電体のピッチを容易に変えるこ
とができる。The pitch of the conductors arranged on the substrate is
It may be the same or partially different. For example, when a frame-shaped winding jig is used, the conductors may be wound at the same pitch or partially changed pitches in one frame-shaped winding jig. The conductor may be wound at a different pitch for each jig. Similarly, in the above example using the frame-shaped winding jig, the row pitch is defined by the thickness of the frame-shaped winding jig and the thickness of the spacer, but these thicknesses need not be all the same. Instead, it may be changed for each frame-shaped winding jig or each spacer as needed. In the case where a capillary surrounding the linear conductor is used, the pitch of the conductor can be freely changed by adjusting the interval at which the capillaries are arranged. Also, the pitch of the conductors can be easily adjusted by adjusting the distance between the through holes of the insulating material plate into which the linear conductors are inserted, or by adjusting the thickness of the resin covering the linear conductors. Can be changed.
【0091】また、枠状巻付け治具を用いる上記の例に
おいては、枠状巻付け治具やそれ以外の治具(スペー
サ)及び坩堝をジルコニウムで構成しているが、絶縁材
料として作業点の低い日本フェロー社製ガラスMSX−
81Pを使用する場合には、そのような材料との濡れ性
の悪い例えばステンレス鋼等を用いても良いものであ
る。In the above example using the frame-shaped winding jig, the frame-shaped winding jig, other jigs (spacers) and the crucible are made of zirconium. Low glass MSX- manufactured by Japan Fellow
When 81P is used, for example, stainless steel having poor wettability with such a material may be used.
【0092】[0092]
【発明の効果】本発明によれば、線状導電体をガラス等
の絶縁材料に埋め込む際に、線状導電体どうしの短絡を
生ずることなく、設計値通りの正確な微小ピッチで線状
導電体を埋め込んだ高密度実装基板を再現性良く実現す
ることができ、ひいては、高密度実装基板の低コスト化
及び信頼性の向上に寄与するところが大きい。According to the present invention, when a linear conductor is buried in an insulating material such as glass, a short circuit between the linear conductors does not occur and the linear conductors are formed at an accurate minute pitch as designed. A high-density mounting substrate in which a body is embedded can be realized with good reproducibility, and this greatly contributes to cost reduction and improvement in reliability of the high-density mounting substrate.
【図1】枠状巻付け治具を使用する本発明の製造方法の
説明図である。FIG. 1 is an explanatory view of a manufacturing method of the present invention using a frame-shaped winding jig.
【図2】枠状巻付け治具を使用する本発明の製造方法に
よる実装基板の製造を例示する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the manufacture of a mounting board by a manufacturing method of the present invention using a frame-shaped winding jig.
【図3】枠状巻付け治具を使用する従来の製造方法の説
明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a conventional manufacturing method using a frame-shaped winding jig.
【図4】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用する
本発明の製造方法の一つの態様を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating one embodiment of the manufacturing method of the present invention using a combination of a capillary and a linear conductor.
【図5】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用する
本発明の製造方法のもう一つの態様を説明する図であ
る。FIG. 5 is a diagram illustrating another embodiment of the manufacturing method of the present invention using a combination of a capillary and a linear conductor.
【図6】毛細管と線状導電体との組み合わせを使用する
本発明の製造方法の更にもう一つの態様を説明する図で
ある。FIG. 6 is a diagram illustrating still another embodiment of the production method of the present invention using a combination of a capillary and a linear conductor.
【図7】溝を形成した絶縁材料の板と絶縁材料のペース
トを使用する本発明の製造方法を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing method of the present invention using a plate of an insulating material having grooves formed therein and a paste of the insulating material.
【図8】溝に導電体を充填した絶縁材料の板と絶縁材料
のペーストを使用する本発明の製造方法を説明する図で
ある。FIG. 8 is a diagram illustrating a manufacturing method of the present invention using a plate of an insulating material in which a groove is filled with a conductor and a paste of the insulating material.
【図9】スルーホール付きの絶縁材料の板と樹脂被覆し
た線状導電体を使用する本発明の製造方法を説明する図
である。FIG. 9 is a diagram illustrating a manufacturing method of the present invention using a plate of an insulating material having through holes and a linear conductor coated with a resin.
【図10】熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体から実
装基板を製造する本発明の方法を説明する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the method of the present invention for manufacturing a mounting substrate from a linear conductor covered with a thermoplastic resin.
1…線状の導電体 2…枠状巻付け治具 3…スペーサ 4…坩堝 5…固定治具 11…枠状巻付け治具 12…貫通孔 13…スペーサ 14…貫通孔 15…棒状固定治具 16…枠状押さえ部材 17…貫通孔 18…ネジ 19…坩堝 20…線状導電体 21…成形枠 22…線状の導電体 23…坩堝 24…溶融ガラス 25…ガラスブロック 26…切断線 27…ガラス基板 28…貫通導体 41、51、61…毛細管 42、52、73、101…ワイヤ 43、63、71、81…ガラス板 44、54、64、75、87…容器 55…ガラス粉末 67、72、82…溝 74、84…ペースト層 91…感光性ガラスの板 92…スルーホール 93…線状カーボン材料 94、102…樹脂皮膜 103…基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Linear electric conductor 2 ... Frame-shaped winding jig 3 ... Spacer 4 ... Crucible 5 ... Fixed jig 11 ... Frame-shaped winding jig 12 ... Through-hole 13 ... Spacer 14 ... Through-hole 15 ... Bar-shaped fixed jig Tool 16 ... Frame-shaped pressing member 17 ... Through hole 18 ... Screw 19 ... Crucible 20 ... Linear conductor 21 ... Forming frame 22 ... Linear conductor 23 ... Crucible 24 ... Molten glass 25 ... Glass block 26 ... Cutting line 27 ... glass substrate 28 ... through conductors 41, 51, 61 ... capillaries 42, 52, 73, 101 ... wires 43, 63, 71, 81 ... glass plates 44, 54, 64, 75, 87 ... containers 55 ... glass powder 67, 72, 82 groove 74, 84 paste layer 91 photosensitive glass plate 92 through hole 93 linear carbon material 94, 102 resin film 103 substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今中 佳彦 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 5E317 AA27 BB01 BB11 CC08 CC10 CD31 GG01 GG16 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yoshihiko Imanaka 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term in Fujitsu Limited (reference) 5E317 AA27 BB01 BB11 CC08 CC10 CD31 GG01 GG16
Claims (9)
掛けて巻回したのち、前記枠状巻付け治具を軟化した絶
縁材料中に埋没させ、次いで、前記軟化した絶縁材料を
固化させて絶縁体ブロックとしたのち、前記絶縁体ブロ
ックを2片以上に切断することによって線状の導電体が
表裏両面に貫通した表裏導通基板とすることを特徴とす
る実装基板の製造方法。After winding a linear conductor on a frame-shaped winding jig under tension, the frame-shaped winding jig is buried in a softened insulating material, and then the softened insulating material is immersed in the softened insulating material. After the material is solidified to form an insulator block, the insulator block is cut into two or more pieces to form a front-to-back conduction substrate having a linear conductor penetrating both the front and back surfaces. Method.
た枠状巻付け治具を、スペーサを介して複数個積層させ
たのち、上記軟化した絶縁材料中に埋設することを特徴
とする請求項1記載の実装基板の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein a plurality of frame-shaped winding jigs formed by winding the linear conductor under tension are laminated via a spacer, and then embedded in the softened insulating material. The method for manufacturing a mounting board according to claim 1.
の毛細管内に線状の導電体を通す工程と、線状導電体を
通した毛細管と絶縁材料とを同時に熱処理してブロック
化する工程と、得られたブロックを切断する工程を含
む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造方法。3. A step of passing a linear conductor through a capillary made of a material having a higher melting point than the insulating material of the mounting substrate, and simultaneously heat-treating the capillary and the insulating material passing through the linear conductor into blocks. A method for manufacturing a mounting board having a conductor penetrating from front to back, including a step of cutting the obtained block.
通した毛細管を絶縁材料の板の間に方向を揃えて並べ、
絶縁材料の板と毛細管及び導電体を同時に熱処理するこ
と、(2)溝を形成した絶縁材料の板の間に毛細管をそ
れぞれの溝に入るように並べ、絶縁材料の板と毛細管及
び導電体を同時に熱処理すること、あるいは、(3)毛
細管を方向を揃えて絶縁材料の粉末中に埋設し、絶縁材
料粉末と毛細管及び導電体を同時に熱処理することによ
って行う、請求項3記載の実装基板の製造方法。4. The blocking is performed by (1) arranging capillaries passing through a linear conductor between plates of an insulating material in the same direction;
Heat-treating the insulating material plate, the capillary and the conductor at the same time; (2) heat-treating the insulating material plate, the capillary and the conductor at the same time by arranging the capillaries between the grooved insulating material plates so as to enter the respective grooves; 4. The method according to claim 3, wherein (3) the capillaries are buried in a powder of an insulating material in the same direction, and the heat treatment is performed on the insulating material powder, the capillaries and the conductor at the same time.
体を入れ、当該絶縁材料の板をそれらの間に絶縁性のペ
ーストを介在させて積み重ねることにより積重体を作る
工程と、この積重体をその積重方向に加圧しながら熱処
理してブロック化する工程と、得られたブロックを切断
する工程を含む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造
方法。5. A step of placing a linear conductor in a groove formed in a plate of an insulating material and stacking the plate of the insulating material with an insulating paste interposed therebetween to form a stack; A method of manufacturing a mounting substrate in which a conductor penetrates the front and back sides, including a step of heat-treating the stacked body while applying pressure in the stacking direction to form a block, and a step of cutting the obtained block.
填する工程と、絶縁材料の板をそれらの間に絶縁性のペ
ーストを介在させて積み重ねることにより積重体を作る
工程と、この積重体をその積重方向に加圧しながら熱処
理してブロック化する工程と、得られたブロックを切断
する工程を含む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造
方法。6. A step of filling a conductor formed in a groove formed in a plate of insulating material, a step of forming a stack by stacking plates of insulating material with an insulating paste interposed therebetween. A method for manufacturing a mounting substrate having a conductor penetrating from front to back, comprising a step of heat-treating a stacked body while applying pressure in the stacking direction to form a block, and a step of cutting the obtained block.
に、熱可塑性樹脂で被覆した線状の導電体を入れる工程
と、絶縁材料の板と導電体及び熱可塑性樹脂を同時に熱
処理する工程を含む、導電体が表裏貫通した実装基板の
製造方法。7. A step of inserting a linear conductor coated with a thermoplastic resin into a through hole formed in a plate of an insulating material, and a step of simultaneously heat-treating the plate of the insulating material, the conductor, and the thermoplastic resin. And a method of manufacturing a mounting board in which a conductor penetrates the front and back.
状導電体の束を作る工程と、この束を熱処理してブロッ
ク化する工程と、得られたブロックを切断する工程を含
む、導電体が表裏貫通した実装基板の製造方法。8. A step of forming a bundle of linear conductors of a predetermined length covered with a thermoplastic resin, a step of heat-treating the bundle to form a block, and a step of cutting the obtained block. A method for manufacturing a mounting substrate in which a conductor penetrates the front and back.
被覆され、当該絶縁材料の板に端面がその表裏面に露出
するよう埋設されている導電体とを有することを特徴と
する実装基板。9. A mounting, comprising: a plate of an insulating material; and a conductor whose periphery is covered with a thermoplastic resin and which is embedded in the plate of the insulating material so that an end face is exposed on the front and back surfaces. substrate.
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