JP2001168090A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
成膜方法及び成膜装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板に発生するプラズマダメージを低
減することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。 【解決手段】 処理チャンバ２内にプラズマを発生させ
た状態で、ＳｉＨ4ガスとＯ2ガスとＡｒガスとを含む成
膜ガスを処理チャンバ２内に導入し、ウェハＷの成膜処
理を行う場合、まず、ＳｉＨ4ガスをトップノズル２０
のみから供給すると共に、Ｏ2ガス及びＡｒガスをトッ
プノズル２０及びサイドノズル２４から供給する。そし
て、所定時間経過後、ＳｉＨ4ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガ
スをそれぞれトップノズル２０及びサイドノズル２４か
ら供給する。これにより、成膜初期時には、ウェハＷの
表面における中央部に形成される絶縁膜の膜厚が周辺部
に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくなる。
減することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。 【解決手段】 処理チャンバ２内にプラズマを発生させ
た状態で、ＳｉＨ4ガスとＯ2ガスとＡｒガスとを含む成
膜ガスを処理チャンバ２内に導入し、ウェハＷの成膜処
理を行う場合、まず、ＳｉＨ4ガスをトップノズル２０
のみから供給すると共に、Ｏ2ガス及びＡｒガスをトッ
プノズル２０及びサイドノズル２４から供給する。そし
て、所定時間経過後、ＳｉＨ4ガス、Ｏ2ガス及びＡｒガ
スをそれぞれトップノズル２０及びサイドノズル２４か
ら供給する。これにより、成膜初期時には、ウェハＷの
表面における中央部に形成される絶縁膜の膜厚が周辺部
に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理チャンバ内に
プラズマを生成すると共に、処理チャンバ内に成膜ガス
を導入することにより、被処理基板の表面に絶縁膜を形
成する成膜方法及び成膜装置に関するものである。
プラズマを生成すると共に、処理チャンバ内に成膜ガス
を導入することにより、被処理基板の表面に絶縁膜を形
成する成膜方法及び成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】成膜装置の１つである高密度プラズマ
（ＨＤＰ）式ＣＶＤ装置は、例えば、処理チャンバと、
この処理チャンバ内に設置され基板を支持する支持部材
と、処理チャンバ内に成膜ガスを導入するガス導入手段
と、処理チャンバ内に誘導結合高周波プラズマ（ＩＣ
Ｐ）を発生させるプラズマ発生手段とを備えている。こ
のようなＨＤＰ式ＣＶＤ装置を用いて成膜を行う場合、
処理チャンバ内にプラズマを発生させた状態で、処理チ
ャンバ内に成膜ガスを導入することにより、支持部材に
支持された基板の表面にＳｉＯ2等の絶縁膜を形成す
る。
（ＨＤＰ）式ＣＶＤ装置は、例えば、処理チャンバと、
この処理チャンバ内に設置され基板を支持する支持部材
と、処理チャンバ内に成膜ガスを導入するガス導入手段
と、処理チャンバ内に誘導結合高周波プラズマ（ＩＣ
Ｐ）を発生させるプラズマ発生手段とを備えている。こ
のようなＨＤＰ式ＣＶＤ装置を用いて成膜を行う場合、
処理チャンバ内にプラズマを発生させた状態で、処理チ
ャンバ内に成膜ガスを導入することにより、支持部材に
支持された基板の表面にＳｉＯ2等の絶縁膜を形成す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＭＯＳトランジ
スタのゲート酸化膜が１０ｎｍ以下と薄くなるにつれ、
プラズマを用いる半導体製造装置において、チャージア
ップによるゲート酸化膜の破壊が増えてきている。その
ようなゲート酸化膜に生じるプラズマダメージを軽減す
る方法として、従来は、プラズマのポテンシャルを低減
したり、プラズマを均一化したり、あるいはイオン注入
装置のようにウェハに注入される電荷量を制御するよう
にしていた。これらの技術は、エッチング装置やイオン
注入装置では非常に有効な方法であるが、上記のＨＤＰ
式ＣＶＤ装置等といった基板の表面に絶縁膜を成膜する
装置では、そのような対策だけでは不十分であった。
スタのゲート酸化膜が１０ｎｍ以下と薄くなるにつれ、
プラズマを用いる半導体製造装置において、チャージア
ップによるゲート酸化膜の破壊が増えてきている。その
ようなゲート酸化膜に生じるプラズマダメージを軽減す
る方法として、従来は、プラズマのポテンシャルを低減
したり、プラズマを均一化したり、あるいはイオン注入
装置のようにウェハに注入される電荷量を制御するよう
にしていた。これらの技術は、エッチング装置やイオン
注入装置では非常に有効な方法であるが、上記のＨＤＰ
式ＣＶＤ装置等といった基板の表面に絶縁膜を成膜する
装置では、そのような対策だけでは不十分であった。
【０００４】本発明の目的は、被処理基板に発生するプ
ラズマダメージを低減することができる成膜方法及び成
膜装置を提供することである。
ラズマダメージを低減することができる成膜方法及び成
膜装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
を重ねた結果、成膜初期時に、基板中央部に形成される
絶縁膜の膜厚よりも基板周辺部に形成される絶縁膜の膜
厚が大きいと、絶縁膜の表面に帯電したプラズマ中の荷
電粒子が基板周辺部から中央部に向かって移動し、基板
中央部の電荷密度が高くなり、その部分の電荷が薄い絶
縁膜を通ってゲート酸化膜に入り込み、その結果ゲート
酸化膜にプラズマダメージが起きやすくなることを見出
し、本発明を完成するに至った。
を重ねた結果、成膜初期時に、基板中央部に形成される
絶縁膜の膜厚よりも基板周辺部に形成される絶縁膜の膜
厚が大きいと、絶縁膜の表面に帯電したプラズマ中の荷
電粒子が基板周辺部から中央部に向かって移動し、基板
中央部の電荷密度が高くなり、その部分の電荷が薄い絶
縁膜を通ってゲート酸化膜に入り込み、その結果ゲート
酸化膜にプラズマダメージが起きやすくなることを見出
し、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、処理チャンバ内にプラズマを発
生させると共に、処理チャンバ内に成膜ガスを導入する
ことによって、処理チャンバ内に収容された被処理基板
の表面に絶縁膜を形成する成膜方法であって、成膜を開
始してから所定の期間、被処理基板の表面における中心
部を含む第１領域に形成される絶縁膜の膜厚が第１領域
の外側の第２領域に形成される絶縁膜の膜厚よりも大き
くなるように、成膜ガスを被処理基板の表面に向けて供
給することを特徴とするものである。
生させると共に、処理チャンバ内に成膜ガスを導入する
ことによって、処理チャンバ内に収容された被処理基板
の表面に絶縁膜を形成する成膜方法であって、成膜を開
始してから所定の期間、被処理基板の表面における中心
部を含む第１領域に形成される絶縁膜の膜厚が第１領域
の外側の第２領域に形成される絶縁膜の膜厚よりも大き
くなるように、成膜ガスを被処理基板の表面に向けて供
給することを特徴とするものである。
【０００７】このように成膜ガスを処理チャンバ内に導
入することにより、成膜初期時には、絶縁膜の表面に帯
電したプラズマ中の荷電粒子は被処理基板の中央部から
周辺部に向かって移動するようになるため、基板から側
方に逃げる荷電粒子が多くなり、絶縁膜に残る電荷が少
なくなる。また、多少の荷電粒子が被処理基板にたまっ
ても、荷電粒子は被処理基板の中央部から周辺部に向か
うことで分散された状態となるため、その電荷密度は小
さい。したがって、ゲート酸化膜に生じるプラズマダメ
ージが低減される。
入することにより、成膜初期時には、絶縁膜の表面に帯
電したプラズマ中の荷電粒子は被処理基板の中央部から
周辺部に向かって移動するようになるため、基板から側
方に逃げる荷電粒子が多くなり、絶縁膜に残る電荷が少
なくなる。また、多少の荷電粒子が被処理基板にたまっ
ても、荷電粒子は被処理基板の中央部から周辺部に向か
うことで分散された状態となるため、その電荷密度は小
さい。したがって、ゲート酸化膜に生じるプラズマダメ
ージが低減される。
【０００８】好ましくは、成膜ガスを被処理基板の表面
に向けて供給するときに、まず成膜ガスを第１領域のみ
に向けて供給し、続いて成膜ガスを第１領域及び第２領
域に向けて供給する。これにより、成膜初期時におい
て、被処理基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周
辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることが
できる。
に向けて供給するときに、まず成膜ガスを第１領域のみ
に向けて供給し、続いて成膜ガスを第１領域及び第２領
域に向けて供給する。これにより、成膜初期時におい
て、被処理基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周
辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることが
できる。
【０００９】また、好ましくは、成膜ガスとして、ケイ
素含有ガスと酸化系ガスとを含むガスを使用する。この
場合には、被処理基板の表面に、絶縁膜としてＳｉＯ2
膜を形成できる。
素含有ガスと酸化系ガスとを含むガスを使用する。この
場合には、被処理基板の表面に、絶縁膜としてＳｉＯ2
膜を形成できる。
【００１０】この場合、好ましくは、成膜ガスを被処理
基板の表面に向けて供給するときに、ケイ素含有ガスを
第１領域のみに向けて供給すると共に、酸化系ガスを第
１領域及び第２領域に向けて供給し、その後、ケイ素含
有ガス及び酸化系ガスの各々を第１領域及び第２領域に
向けて供給する。これにより、成膜初期時において、被
処理基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周辺部に
形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることができ
る。
基板の表面に向けて供給するときに、ケイ素含有ガスを
第１領域のみに向けて供給すると共に、酸化系ガスを第
１領域及び第２領域に向けて供給し、その後、ケイ素含
有ガス及び酸化系ガスの各々を第１領域及び第２領域に
向けて供給する。これにより、成膜初期時において、被
処理基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周辺部に
形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることができ
る。
【００１１】また、好ましくは、成膜ガスとして、更に
不活性ガスを含むガスを使用し、不活性ガスを処理チャ
ンバ内に導入してプラズマを生成し、その後、ケイ素含
有ガスと酸化系ガスと不活性ガスとの混合ガスを処理チ
ャンバ内に導入する。これにより、成膜ガスを処理チャ
ンバ内に導入する前に、処理チャンバ内の圧力が安定し
た状態となる。
不活性ガスを含むガスを使用し、不活性ガスを処理チャ
ンバ内に導入してプラズマを生成し、その後、ケイ素含
有ガスと酸化系ガスと不活性ガスとの混合ガスを処理チ
ャンバ内に導入する。これにより、成膜ガスを処理チャ
ンバ内に導入する前に、処理チャンバ内の圧力が安定し
た状態となる。
【００１２】この場合、好ましくは、不活性ガスを処理
チャンバ内に導入してプラズマを生成した後、ケイ素含
有ガスを処理チャンバ内に導入する前に、酸化系ガスを
処理チャンバ内に導入して被処理基板の加熱を行う。こ
れにより、被処理基板の加熱処理が効率よく行える。
チャンバ内に導入してプラズマを生成した後、ケイ素含
有ガスを処理チャンバ内に導入する前に、酸化系ガスを
処理チャンバ内に導入して被処理基板の加熱を行う。こ
れにより、被処理基板の加熱処理が効率よく行える。
【００１３】例えば、ケイ素含有ガスとしてＳｉＨ4ガ
スを使用し、酸化系ガスとしてＯ2ガスを使用する。
スを使用し、酸化系ガスとしてＯ2ガスを使用する。
【００１４】さらに、好ましくは、成膜ガスを被処理基
板の第１領域に向けて供給するときは、処理チャンバの
上部に設けられた第１ノズルから第１領域に向けて成膜
ガスを噴射させ、成膜ガスを被処理基板の第２領域に向
けて供給するときは、処理チャンバの側部に設けられた
複数の第２ノズルから第２領域に向けて成膜ガスを噴射
させる。これにより、成膜ガスを被処理基板の第１領域
及び第２領域に向けて効率よく供給できる。
板の第１領域に向けて供給するときは、処理チャンバの
上部に設けられた第１ノズルから第１領域に向けて成膜
ガスを噴射させ、成膜ガスを被処理基板の第２領域に向
けて供給するときは、処理チャンバの側部に設けられた
複数の第２ノズルから第２領域に向けて成膜ガスを噴射
させる。これにより、成膜ガスを被処理基板の第１領域
及び第２領域に向けて効率よく供給できる。
【００１５】例えば、被処理基板の表面に形成される絶
縁膜の膜厚が１０００Ａ以下である期間、第１領域に形
成される絶縁膜の膜厚が第２領域に形成される絶縁膜の
膜厚よりも大きくなるように、成膜ガスを第１領域及び
第２領域に向けて供給する。
縁膜の膜厚が１０００Ａ以下である期間、第１領域に形
成される絶縁膜の膜厚が第２領域に形成される絶縁膜の
膜厚よりも大きくなるように、成膜ガスを第１領域及び
第２領域に向けて供給する。
【００１６】また、好ましくは、成膜を開始してから所
定時間経過後、被処理基板を支持する支持部材にバイア
ス用高周波電力を印加してプラズマを被処理基板に引き
込み、成膜終了時には、処理チャンバ内への成膜ガスの
導入を継続した状態で、支持部材へのバイアス用高周波
電力の印加を停止し、その後で成膜ガスの導入を停止す
る。処理チャンバ内への成膜ガスの導入を継続している
成膜処理中は、被処理基板の表面に形成される絶縁膜の
膜厚がほぼ均一になるように成膜ガスの供給流量が設定
される。このため、被処理基板の上方のプラズマ密度は
ほぼ均一であり、その状態でプラズマが被処理基板の表
面に均一に引き込まれることになる。従って、処理チャ
ンバ内への成膜ガスの導入を継続した状態で、バイアス
用高周波電力の印加を停止しても、被処理基板の表面の
電荷バランスが比較的良好な状態に維持される。これに
より、ゲート酸化膜に生じるプラズマダメージがより低
減される。
定時間経過後、被処理基板を支持する支持部材にバイア
ス用高周波電力を印加してプラズマを被処理基板に引き
込み、成膜終了時には、処理チャンバ内への成膜ガスの
導入を継続した状態で、支持部材へのバイアス用高周波
電力の印加を停止し、その後で成膜ガスの導入を停止す
る。処理チャンバ内への成膜ガスの導入を継続している
成膜処理中は、被処理基板の表面に形成される絶縁膜の
膜厚がほぼ均一になるように成膜ガスの供給流量が設定
される。このため、被処理基板の上方のプラズマ密度は
ほぼ均一であり、その状態でプラズマが被処理基板の表
面に均一に引き込まれることになる。従って、処理チャ
ンバ内への成膜ガスの導入を継続した状態で、バイアス
用高周波電力の印加を停止しても、被処理基板の表面の
電荷バランスが比較的良好な状態に維持される。これに
より、ゲート酸化膜に生じるプラズマダメージがより低
減される。
【００１７】また、本発明は、処理チャンバ内に収容さ
れた被処理基板の表面に絶縁膜を形成する成膜装置であ
って、処理チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ
発生手段と、処理チャンバ内に成膜ガスを導入するガス
導入手段と、成膜を開始してから所定の期間、被処理基
板の表面における中心部を含む第１領域に形成される絶
縁膜の膜厚が第１領域の外側の第２領域に形成される絶
縁膜の膜厚よりも大きくなるように、ガス導入手段を制
御する第１制御手段とを備えることを特徴とするもので
ある。
れた被処理基板の表面に絶縁膜を形成する成膜装置であ
って、処理チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ
発生手段と、処理チャンバ内に成膜ガスを導入するガス
導入手段と、成膜を開始してから所定の期間、被処理基
板の表面における中心部を含む第１領域に形成される絶
縁膜の膜厚が第１領域の外側の第２領域に形成される絶
縁膜の膜厚よりも大きくなるように、ガス導入手段を制
御する第１制御手段とを備えることを特徴とするもので
ある。
【００１８】このようにプラズマ発生手段、ガス導入手
段及び第１制御手段を設けることにより、上記の成膜方
法を実施できるため、ゲート酸化膜に生じるプラズマダ
メージを低減することができる。
段及び第１制御手段を設けることにより、上記の成膜方
法を実施できるため、ゲート酸化膜に生じるプラズマダ
メージを低減することができる。
【００１９】好ましくは、ガス導入手段は、処理チャン
バの上部に設けられ、成膜ガスを被処理基板の第１領域
に向けて噴射する第１ノズルと、処理チャンバの側部に
設けられ、成膜ガスを被処理基板の第２領域に向けて噴
射する複数の第２ノズルとを有する。これにより、成膜
ガスを被処理基板の第１領域及び第２領域に向けて効率
よく供給できる。
バの上部に設けられ、成膜ガスを被処理基板の第１領域
に向けて噴射する第１ノズルと、処理チャンバの側部に
設けられ、成膜ガスを被処理基板の第２領域に向けて噴
射する複数の第２ノズルとを有する。これにより、成膜
ガスを被処理基板の第１領域及び第２領域に向けて効率
よく供給できる。
【００２０】この場合、好ましくは、第１制御手段は、
まず成膜ガスを第１ノズルのみに供給し、続いて成膜ガ
スを第１ノズル及び第２ノズルに供給するように、ガス
導入手段を制御する。これにより、成膜初期時におい
て、被処理基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周
辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることが
できる。
まず成膜ガスを第１ノズルのみに供給し、続いて成膜ガ
スを第１ノズル及び第２ノズルに供給するように、ガス
導入手段を制御する。これにより、成膜初期時におい
て、被処理基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周
辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることが
できる。
【００２１】また、好ましくは、ガス導入手段は、ケイ
素含有ガスを第１ノズル及び第２ノズルに供給するため
のケイ素含有ガス供給系と、酸化系ガスを第１ノズル及
び第２ノズルに供給するための酸化系ガス供給系とを更
に有する。この場合には、ケイ素含有ガスと酸化系ガス
とを含むガスが成膜ガスとして処理チャンバ内に導入さ
れる。
素含有ガスを第１ノズル及び第２ノズルに供給するため
のケイ素含有ガス供給系と、酸化系ガスを第１ノズル及
び第２ノズルに供給するための酸化系ガス供給系とを更
に有する。この場合には、ケイ素含有ガスと酸化系ガス
とを含むガスが成膜ガスとして処理チャンバ内に導入さ
れる。
【００２２】この場合、好ましくは、第１制御手段は、
まずケイ素含有ガスを第１ノズルのみに供給し、続いて
ケイ素含有ガスを第１ノズル及び第２ノズルに供給する
ように、ケイ素含有ガス供給系を制御する。これによ
り、成膜初期時において、被処理基板の中央部に形成さ
れる絶縁膜の膜厚を周辺部に形成される絶縁膜の膜厚よ
りも大きくすることができる。
まずケイ素含有ガスを第１ノズルのみに供給し、続いて
ケイ素含有ガスを第１ノズル及び第２ノズルに供給する
ように、ケイ素含有ガス供給系を制御する。これによ
り、成膜初期時において、被処理基板の中央部に形成さ
れる絶縁膜の膜厚を周辺部に形成される絶縁膜の膜厚よ
りも大きくすることができる。
【００２３】また、好ましくは、ケイ素含有ガス供給系
は、第１ノズルに供給されるケイ素含有ガスの流量を調
整する手段と、第２ノズルに供給されるケイ素含有ガス
の流量を調整する手段とを有する。これにより、第１ノ
ズル及び第２ノズルに供給されるケイ素含有ガスの供給
流量を調整することによっても、成膜初期時に、被処理
基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周辺部に形成
される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることができる。
は、第１ノズルに供給されるケイ素含有ガスの流量を調
整する手段と、第２ノズルに供給されるケイ素含有ガス
の流量を調整する手段とを有する。これにより、第１ノ
ズル及び第２ノズルに供給されるケイ素含有ガスの供給
流量を調整することによっても、成膜初期時に、被処理
基板の中央部に形成される絶縁膜の膜厚を周辺部に形成
される絶縁膜の膜厚よりも大きくすることができる。
【００２４】さらに、好ましくは、ガス導入手段は、不
活性ガスを第１ノズル及び第２ノズルに供給するための
不活性ガス供給系を更に有し、第１制御手段は、不活性
ガスを処理チャンバ内に導入するよう不活性ガス供給系
を制御し、その後で、ケイ素含有ガスと酸化系ガスと不
活性ガスとの混合ガスを処理チャンバ内に導入するよう
ケイ素含有ガス供給系、酸化系ガス供給系及び不活性ガ
ス供給系をそれぞれ制御する。これにより、成膜ガスを
処理チャンバ内に導入する前に、処理チャンバ内の圧力
が安定した状態となる。
活性ガスを第１ノズル及び第２ノズルに供給するための
不活性ガス供給系を更に有し、第１制御手段は、不活性
ガスを処理チャンバ内に導入するよう不活性ガス供給系
を制御し、その後で、ケイ素含有ガスと酸化系ガスと不
活性ガスとの混合ガスを処理チャンバ内に導入するよう
ケイ素含有ガス供給系、酸化系ガス供給系及び不活性ガ
ス供給系をそれぞれ制御する。これにより、成膜ガスを
処理チャンバ内に導入する前に、処理チャンバ内の圧力
が安定した状態となる。
【００２５】この場合、好ましくは、第１制御手段は、
不活性ガスを処理チャンバ内に導入するよう不活性ガス
供給系を制御した後、ケイ素含有ガスを処理チャンバ内
に導入するようケイ素含有ガス供給系を制御する前に、
酸化系ガスを処理チャンバ内に導入するよう酸化系ガス
供給系を制御する。これにより、被処理基板の加熱処理
が効率よく行える。
不活性ガスを処理チャンバ内に導入するよう不活性ガス
供給系を制御した後、ケイ素含有ガスを処理チャンバ内
に導入するようケイ素含有ガス供給系を制御する前に、
酸化系ガスを処理チャンバ内に導入するよう酸化系ガス
供給系を制御する。これにより、被処理基板の加熱処理
が効率よく行える。
【００２６】また、好ましくは、第１ノズルは、処理チ
ャンバ内に被処理基板が収容された時の当該被処理基板
の中心部の直上位置に設けられている。これにより、成
膜ガスが第１ノズルから被処理基板の第１領域に向けて
効果的に噴射される。
ャンバ内に被処理基板が収容された時の当該被処理基板
の中心部の直上位置に設けられている。これにより、成
膜ガスが第１ノズルから被処理基板の第１領域に向けて
効果的に噴射される。
【００２７】さらに、好ましくは、処理チャンバ内に配
置され、被処理基板を支持する支持部材と、支持部材に
バイアス用高周波電力を印加することで、プラズマ発生
手段で発生させたプラズマを被処理基板に引き込むプラ
ズマ引込手段と、処理チャンバ内への成膜ガスの導入を
継続した状態で、支持部材へのバイアス用高周波電力の
印加を停止するようプラズマ引込手段を制御し、その後
で成膜ガスの導入を停止するようガス導入手段を制御す
る第２制御手段とを更に備える。これにより、上述した
ように、バイアス用高周波電力の印加を停止しても、被
処理基板の表面の電荷バランスが比較的良好な状態に維
持されるため、ゲート酸化膜に生じるプラズマダメージ
をより低減できる。
置され、被処理基板を支持する支持部材と、支持部材に
バイアス用高周波電力を印加することで、プラズマ発生
手段で発生させたプラズマを被処理基板に引き込むプラ
ズマ引込手段と、処理チャンバ内への成膜ガスの導入を
継続した状態で、支持部材へのバイアス用高周波電力の
印加を停止するようプラズマ引込手段を制御し、その後
で成膜ガスの導入を停止するようガス導入手段を制御す
る第２制御手段とを更に備える。これにより、上述した
ように、バイアス用高周波電力の印加を停止しても、被
処理基板の表面の電荷バランスが比較的良好な状態に維
持されるため、ゲート酸化膜に生じるプラズマダメージ
をより低減できる。
【００２８】また、好ましくは、処理チャンバは、内部
に支持部材が配置されたチャンバ本体と、このチャンバ
本体の上部に設けられ、絶縁材料で形成された蓋体とを
有し、この蓋体の外面部にはコイルアンテナが取り付け
られており、プラズマ発生手段は、コイルアンテナにソ
ース用高周波電力を印加することで、処理チャンバ内に
プラズマを発生させる。これにより、処理チャンバ内に
プラズマを効果的に発生させることができる。
に支持部材が配置されたチャンバ本体と、このチャンバ
本体の上部に設けられ、絶縁材料で形成された蓋体とを
有し、この蓋体の外面部にはコイルアンテナが取り付け
られており、プラズマ発生手段は、コイルアンテナにソ
ース用高周波電力を印加することで、処理チャンバ内に
プラズマを発生させる。これにより、処理チャンバ内に
プラズマを効果的に発生させることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る成膜方法及び
成膜装置の好適な実施形態について図面を参照して説明
する。
成膜装置の好適な実施形態について図面を参照して説明
する。
【００３０】図１は、本発明に係る成膜装置の一実施形
態として高密度プラズマ（ＨＤＰ）式ＣＶＤ装置を示す
概略構成図である。同図において、ＨＤＰ式ＣＶＤ装置
１は処理チャンバ２を備え、この処理チャンバ２は、チ
ャンバ本体３と、このチャンバ本体３の上部に当該チャ
ンバ本体３を覆うように設けられたドーム状の蓋体４と
を有している。この蓋体４は、セラミック等の絶縁体で
形成されている。蓋体４上には、ドーム温度を設定する
加熱プレート５ａ、冷却プレート５ｂ及び支持プレート
６が設置されている。
態として高密度プラズマ（ＨＤＰ）式ＣＶＤ装置を示す
概略構成図である。同図において、ＨＤＰ式ＣＶＤ装置
１は処理チャンバ２を備え、この処理チャンバ２は、チ
ャンバ本体３と、このチャンバ本体３の上部に当該チャ
ンバ本体３を覆うように設けられたドーム状の蓋体４と
を有している。この蓋体４は、セラミック等の絶縁体で
形成されている。蓋体４上には、ドーム温度を設定する
加熱プレート５ａ、冷却プレート５ｂ及び支持プレート
６が設置されている。
【００３１】処理チャンバ２内には、被処理基板である
ウェハＷを支持する支持部材７が設置されており、この
支持部材７には、ウェハＷを固定するための静電チャッ
ク８が設けられている。また、処理チャンバ２内におけ
る支持部材７の下方には、スロットルバルブ９が配置さ
れている。また、処理チャンバ２の下方には、ゲートバ
ルブ１０を介してターボ分子ポンプ１１が設置され、こ
のターボ分子ポンプ１１により処理チャンバ２内が真空
排気される。
ウェハＷを支持する支持部材７が設置されており、この
支持部材７には、ウェハＷを固定するための静電チャッ
ク８が設けられている。また、処理チャンバ２内におけ
る支持部材７の下方には、スロットルバルブ９が配置さ
れている。また、処理チャンバ２の下方には、ゲートバ
ルブ１０を介してターボ分子ポンプ１１が設置され、こ
のターボ分子ポンプ１１により処理チャンバ２内が真空
排気される。
【００３２】蓋体４の外面部には、トップコイル１２ｔ
及びサイドコイル１２ｓが取り付けられている。各コイ
ル１２ｔ，１２ｓには、マッチングネットワーク（整合
器）１３ｔ，１３ｓを介してＲＦジェネレータ１４ｔ，
１４ｓが接続され、このＲＦジェネレータ１４ｔ，１４
ｓにより各コイル１２ｔ，１２ｓにソース用高周波電力
を印加することで、処理チャンバ２内にプラズマを発生
させる。また、支持部材７には、マッチングネットワー
ク１５を介してＲＦジェネレータ１６が接続され、この
ＲＦジェネレータ１６により支持部材７にバイアス用高
周波電力を印加することで、処理チャンバ２内に発生し
たプラズマがウェハＷ表面に引き込まれる。なお、処理
チャンバ２には、クリーニングプロセスに使用するプラ
ズマを処理チャンバ２内に発生させるためのクリーニン
グ用プラズマ発生部１７が接続されている。
及びサイドコイル１２ｓが取り付けられている。各コイ
ル１２ｔ，１２ｓには、マッチングネットワーク（整合
器）１３ｔ，１３ｓを介してＲＦジェネレータ１４ｔ，
１４ｓが接続され、このＲＦジェネレータ１４ｔ，１４
ｓにより各コイル１２ｔ，１２ｓにソース用高周波電力
を印加することで、処理チャンバ２内にプラズマを発生
させる。また、支持部材７には、マッチングネットワー
ク１５を介してＲＦジェネレータ１６が接続され、この
ＲＦジェネレータ１６により支持部材７にバイアス用高
周波電力を印加することで、処理チャンバ２内に発生し
たプラズマがウェハＷ表面に引き込まれる。なお、処理
チャンバ２には、クリーニングプロセスに使用するプラ
ズマを処理チャンバ２内に発生させるためのクリーニン
グ用プラズマ発生部１７が接続されている。
【００３３】処理チャンバ２の上部には、成膜ガスを上
方より処理チャンバ２内に導入するためのガス導入部１
８が設けられている。ここでは、成膜ガスとして、ケイ
素含有ガスであるシラン（ＳｉＨ4）ガス、酸化系ガス
である酸素（Ｏ2）ガス、不活性ガスであるアルゴン
（Ａｒ）ガスの混合ガスを使用する。
方より処理チャンバ２内に導入するためのガス導入部１
８が設けられている。ここでは、成膜ガスとして、ケイ
素含有ガスであるシラン（ＳｉＨ4）ガス、酸化系ガス
である酸素（Ｏ2）ガス、不活性ガスであるアルゴン
（Ａｒ）ガスの混合ガスを使用する。
【００３４】ガス導入部１８は、図１及び図２に示すよ
うに、ガス導入口を有する２つのガス通路１９ａ，１９
ｂと、このガス通路１９ａ，１９ｂに連通し、下側に突
出したトップノズル２０とを有している。ここでは、ガ
ス通路１９ａは、ＳｉＨ4ガス及びＡｒガスの供給通路
であり、ガス通路１９ｂは、Ｏ2ガスの供給通路であ
る。トップノズル２０は、支持部材７にウェハＷが支持
された時のウェハＷの中心部の直上位置に設けられてい
る。これにより、ガス通路１９ａ，１９ｂからのガスが
ウェハＷの表面における中心部を含む第１領域（ウェハ
中央部）に向けて効率よく噴射される。なお、トップノ
ズル２０の設置位置は支持部材７の上方であればよく、
またトップノズル２０を複数設けてもよい。
うに、ガス導入口を有する２つのガス通路１９ａ，１９
ｂと、このガス通路１９ａ，１９ｂに連通し、下側に突
出したトップノズル２０とを有している。ここでは、ガ
ス通路１９ａは、ＳｉＨ4ガス及びＡｒガスの供給通路
であり、ガス通路１９ｂは、Ｏ2ガスの供給通路であ
る。トップノズル２０は、支持部材７にウェハＷが支持
された時のウェハＷの中心部の直上位置に設けられてい
る。これにより、ガス通路１９ａ，１９ｂからのガスが
ウェハＷの表面における中心部を含む第１領域（ウェハ
中央部）に向けて効率よく噴射される。なお、トップノ
ズル２０の設置位置は支持部材７の上方であればよく、
またトップノズル２０を複数設けてもよい。
【００３５】チャンバ本体３の側壁上部には、成膜ガス
を側方より処理チャンバ２内に導入するためのガス導入
部２１が設けられている。ガス導入部２１は、図２及び
図３に示すように、ガス導入口を有するガス通路２２
ａ，２２ｂと、このガス通路２２ａ，２２ｂと連通した
ガス供給リング２３ａ，２３ｂと、チャンバ本体３の内
側に突出した複数（ここでは１２個）のサイドノズル
（第２ノズル）２４とを有している。ここでは、ガス通
路２２ａにはＳｉＨ4ガス及びＡｒガスが導入され、ガ
ス通路２２ｂにはＯ2ガスが導入されるようになってい
る。
を側方より処理チャンバ２内に導入するためのガス導入
部２１が設けられている。ガス導入部２１は、図２及び
図３に示すように、ガス導入口を有するガス通路２２
ａ，２２ｂと、このガス通路２２ａ，２２ｂと連通した
ガス供給リング２３ａ，２３ｂと、チャンバ本体３の内
側に突出した複数（ここでは１２個）のサイドノズル
（第２ノズル）２４とを有している。ここでは、ガス通
路２２ａにはＳｉＨ4ガス及びＡｒガスが導入され、ガ
ス通路２２ｂにはＯ2ガスが導入されるようになってい
る。
【００３６】サイドノズル２４は、ＳｉＨ4ガス用ノズ
ルとＯ2ガス用ノズルに分けられており、ガス供給リン
グ２３ａと連通したサイドノズル２４がＳｉＨ4ガス用
ノズルであり、ガス供給リング２３ｂと連通したサイド
ノズル２４がＯ2ガス用ノズルとなっている。これらの
サイドノズル２４は、ガス供給リング２３ａ，２３ｂか
らのガスがウェハＷの表面における第１領域の外側の第
２領域（ウェハ周辺部）に向けて噴射されるように構成
されている。
ルとＯ2ガス用ノズルに分けられており、ガス供給リン
グ２３ａと連通したサイドノズル２４がＳｉＨ4ガス用
ノズルであり、ガス供給リング２３ｂと連通したサイド
ノズル２４がＯ2ガス用ノズルとなっている。これらの
サイドノズル２４は、ガス供給リング２３ａ，２３ｂか
らのガスがウェハＷの表面における第１領域の外側の第
２領域（ウェハ周辺部）に向けて噴射されるように構成
されている。
【００３７】図１に戻り、上記のガス導入部１８，２１
は、ガス供給ライン２５ａ〜２５ｆを介してガス供給源
２６Ｘ〜２６Ｚと接続されている。ガス供給源２６Ｘは
ＳｉＨ4ガスの供給源であり、ガス供給源２６ＹはＯ2ガ
スの供給源であり、ガス供給源２６ＺはＡｒガスの供給
源である。各ガス供給ライン２５ａ〜２５ｆには、ガス
導入部１８，２１へのガスの供給をオンオフする開閉バ
ルブ２７ａ〜２７ｆと、ガス導入部１８，２１に供給さ
れるガスの流量を調整する質量流量コントローラ（ＭＦ
Ｃ）２８ａ〜２８ｆとが設けられている。
は、ガス供給ライン２５ａ〜２５ｆを介してガス供給源
２６Ｘ〜２６Ｚと接続されている。ガス供給源２６Ｘは
ＳｉＨ4ガスの供給源であり、ガス供給源２６ＹはＯ2ガ
スの供給源であり、ガス供給源２６ＺはＡｒガスの供給
源である。各ガス供給ライン２５ａ〜２５ｆには、ガス
導入部１８，２１へのガスの供給をオンオフする開閉バ
ルブ２７ａ〜２７ｆと、ガス導入部１８，２１に供給さ
れるガスの流量を調整する質量流量コントローラ（ＭＦ
Ｃ）２８ａ〜２８ｆとが設けられている。
【００３８】このようなＨＤＰ式ＣＶＤ装置１の主要部
は、制御装置３０からの制御信号により制御される。制
御装置３０は、処理チャンバ２内にプラズマを発生させ
るようＲＦジェネレータ１４ｔ，１４ｓを制御すると共
に、そのプラズマをウェハＷに引き込ませるようＲＦジ
ェネレータ１６を制御する。また、制御装置３０は、ガ
ス供給源２６Ｘ〜２６Ｚのガスを所望の流量で処理チャ
ンバ２内に導入するよう開閉バルブ２７ａ〜２７ｆ及び
ＭＦＣ２８ａ〜２８ｆを制御する。さらに、制御装置３
０は、図示はしないが、ウェハＷの搬入・搬出を行うウ
ェハ搬送ロボット（図示せず）を制御したり、処理チャ
ンバ２内の圧力を調整すべくスロットルバルブ９及びゲ
ートバルブ１０を制御する。
は、制御装置３０からの制御信号により制御される。制
御装置３０は、処理チャンバ２内にプラズマを発生させ
るようＲＦジェネレータ１４ｔ，１４ｓを制御すると共
に、そのプラズマをウェハＷに引き込ませるようＲＦジ
ェネレータ１６を制御する。また、制御装置３０は、ガ
ス供給源２６Ｘ〜２６Ｚのガスを所望の流量で処理チャ
ンバ２内に導入するよう開閉バルブ２７ａ〜２７ｆ及び
ＭＦＣ２８ａ〜２８ｆを制御する。さらに、制御装置３
０は、図示はしないが、ウェハＷの搬入・搬出を行うウ
ェハ搬送ロボット（図示せず）を制御したり、処理チャ
ンバ２内の圧力を調整すべくスロットルバルブ９及びゲ
ートバルブ１０を制御する。
【００３９】このような制御装置３０には、オペレータ
が入力操作する入力装置３１が接続されており、入力装
置３１から成膜処理開始信号が出力されると、制御装置
３０は上記の制御処理を実行する。制御装置３０による
ガス供給制御および高周波印加制御の処理手順を図４に
示す。
が入力操作する入力装置３１が接続されており、入力装
置３１から成膜処理開始信号が出力されると、制御装置
３０は上記の制御処理を実行する。制御装置３０による
ガス供給制御および高周波印加制御の処理手順を図４に
示す。
【００４０】まず、入力装置３１から成膜処理開始信号
が送出されたかどうかを判断し（手順１０１）、成膜処
理開始信号が送出されたと判断されると、開閉バルブ２
７ｅ，２７ｆを開くと共にＭＦＣ２８ｅ，２８ｆを調整
し、ガス供給源２６ＺのＡｒガスをトップノズル２０及
びサイドノズル２４に供給する（手順１０２）。
が送出されたかどうかを判断し（手順１０１）、成膜処
理開始信号が送出されたと判断されると、開閉バルブ２
７ｅ，２７ｆを開くと共にＭＦＣ２８ｅ，２８ｆを調整
し、ガス供給源２６ＺのＡｒガスをトップノズル２０及
びサイドノズル２４に供給する（手順１０２）。
【００４１】そして、所定時間経過後、ＲＦジェネレー
タ１４ｔ，１４ｓをオンにし、コイル１２ｔ，１２ｓに
ソース用高周波電力を印加する（手順１０３）。次い
で、開閉バルブ２７ｄを開くと共にＭＦＣ２８ｄを調整
し、ガス供給源２６ＹのＯ2ガスをサイドノズル２４に
供給する（手順１０４）。続いて、開閉バルブ２７ｃを
開くと共にＭＦＣ２８ｃを調整し、ガス供給源２６Ｙの
Ｏ2ガスをトップノズル２０にも供給する（手順１０
５）。
タ１４ｔ，１４ｓをオンにし、コイル１２ｔ，１２ｓに
ソース用高周波電力を印加する（手順１０３）。次い
で、開閉バルブ２７ｄを開くと共にＭＦＣ２８ｄを調整
し、ガス供給源２６ＹのＯ2ガスをサイドノズル２４に
供給する（手順１０４）。続いて、開閉バルブ２７ｃを
開くと共にＭＦＣ２８ｃを調整し、ガス供給源２６Ｙの
Ｏ2ガスをトップノズル２０にも供給する（手順１０
５）。
【００４２】次いで、開閉バルブ２７ａを開くと共にＭ
ＦＣ２８ａを調整し、ガス供給源２６ＸのＳｉＨ4ガス
をトップノズル２０に供給する（手順１０６）。続い
て、開閉バルブ２７ｂを開くと共にＭＦＣ２８ｂを調整
し、ガス供給源２６ＸのＳｉＨ 4ガスをサイドノズル２
４にも供給する（手順１０７）。そして、ＲＦジェネレ
ータ１６をオンにし、支持部材７にバイアス用高周波電
力を印加する（手順１０８）。
ＦＣ２８ａを調整し、ガス供給源２６ＸのＳｉＨ4ガス
をトップノズル２０に供給する（手順１０６）。続い
て、開閉バルブ２７ｂを開くと共にＭＦＣ２８ｂを調整
し、ガス供給源２６ＸのＳｉＨ 4ガスをサイドノズル２
４にも供給する（手順１０７）。そして、ＲＦジェネレ
ータ１６をオンにし、支持部材７にバイアス用高周波電
力を印加する（手順１０８）。
【００４３】その後、所定時間が経過したか否かによっ
てウェハＷの成膜処理が終了したかどうかを判断し（手
順１０９）、成膜処理が終了したと判断されると、ＲＦ
ジェネレータ１６をオフにし、支持部材７へのバイアス
用高周波電力の印加を停止する（手順１１０）。
てウェハＷの成膜処理が終了したかどうかを判断し（手
順１０９）、成膜処理が終了したと判断されると、ＲＦ
ジェネレータ１６をオフにし、支持部材７へのバイアス
用高周波電力の印加を停止する（手順１１０）。
【００４４】次いで、開閉バルブ２７ａ，２７ｂを閉
じ、ＳｉＨ4ガスの供給を停止する（手順１１１）。そ
して、開閉バルブ２７ｃ〜２７ｆを閉じ、Ｏ2ガス及び
Ａｒガスの供給を停止する（手順１１２）。そして、Ｒ
Ｆジェネレータ１４ｔ，１４ｓをオフにし、コイル１２
ｔ，１２ｓへのソース用高周波電力の印加を停止する
（手順１１３）。
じ、ＳｉＨ4ガスの供給を停止する（手順１１１）。そ
して、開閉バルブ２７ｃ〜２７ｆを閉じ、Ｏ2ガス及び
Ａｒガスの供給を停止する（手順１１２）。そして、Ｒ
Ｆジェネレータ１４ｔ，１４ｓをオフにし、コイル１２
ｔ，１２ｓへのソース用高周波電力の印加を停止する
（手順１１３）。
【００４５】以上において、手順１０１〜１０８は、成
膜を開始してから所定の期間、被処理基板Ｗの表面にお
ける中心部を含む第１領域（ウェハ中央部）に形成され
る絶縁膜の膜厚が第１領域の外側の第２領域（ウェハ周
辺部）に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくなるよう
に、ガス導入手段２７ａ〜２７ｆ，２８ａ〜２８ｆを制
御する第１制御手段を構成する。手順１０９〜１１３
は、処理チャンバ２内への成膜ガスの導入を継続した状
態で、支持部材７へのバイアス用高周波電力の印加を停
止するようプラズマ引込手段１６を制御し、その後で成
膜ガスの導入を停止するようガス導入手段２７ａ〜２７
ｆ，２８ａ〜２８ｆを制御する第２制御手段を構成す
る。
膜を開始してから所定の期間、被処理基板Ｗの表面にお
ける中心部を含む第１領域（ウェハ中央部）に形成され
る絶縁膜の膜厚が第１領域の外側の第２領域（ウェハ周
辺部）に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくなるよう
に、ガス導入手段２７ａ〜２７ｆ，２８ａ〜２８ｆを制
御する第１制御手段を構成する。手順１０９〜１１３
は、処理チャンバ２内への成膜ガスの導入を継続した状
態で、支持部材７へのバイアス用高周波電力の印加を停
止するようプラズマ引込手段１６を制御し、その後で成
膜ガスの導入を停止するようガス導入手段２７ａ〜２７
ｆ，２８ａ〜２８ｆを制御する第２制御手段を構成す
る。
【００４６】以上のように構成したＨＤＰ式ＣＶＤ装置
１を用いた成膜方法について、図５に示すプロセスタイ
ムテーブル表により説明する。
１を用いた成膜方法について、図５に示すプロセスタイ
ムテーブル表により説明する。
【００４７】（１）まず、ゲートバルブ１０を開くと共
に、スロットルバルブ９を所定の角度で開いた状態で、
ターボ分子ポンプ１１により処理チャンバ２内を真空引
きする。また、ガス供給源２６ＸのＡｒガスをノズル２
０，２４より処理チャンバ２内に導入する。このとき、
トップノズル２０へのＡｒガスの供給流量は、例えば１
６sccmであり、サイドノズル２４へのＡｒガスの供給流
量は、例えば１８０sccmである。これにより、処理チャ
ンバ２内の圧力が、例えば０．０５Torrまで減圧され
る。
に、スロットルバルブ９を所定の角度で開いた状態で、
ターボ分子ポンプ１１により処理チャンバ２内を真空引
きする。また、ガス供給源２６ＸのＡｒガスをノズル２
０，２４より処理チャンバ２内に導入する。このとき、
トップノズル２０へのＡｒガスの供給流量は、例えば１
６sccmであり、サイドノズル２４へのＡｒガスの供給流
量は、例えば１８０sccmである。これにより、処理チャ
ンバ２内の圧力が、例えば０．０５Torrまで減圧され
る。
【００４８】（２）そして、例えば１５秒経過後、ＲＦ
ジェネレータ１４ｔによりトップコイル１２ｔにソース
用高周波電力を印加し、処理チャンバ２内にプラズマを
発生させる。このソース用高周波電力の周波数は例えば
２．０ＭＨｚであり、電力値は例えば１ＫＷである。な
お、上記（１）でＡｒガスの供給時間を１５秒としたの
は、処理チャンバ２内の圧力を安定させるためである。
ジェネレータ１４ｔによりトップコイル１２ｔにソース
用高周波電力を印加し、処理チャンバ２内にプラズマを
発生させる。このソース用高周波電力の周波数は例えば
２．０ＭＨｚであり、電力値は例えば１ＫＷである。な
お、上記（１）でＡｒガスの供給時間を１５秒としたの
は、処理チャンバ２内の圧力を安定させるためである。
【００４９】（３）そして、例えば２秒経過後、静電チ
ャック８をオンにし、ウェハ搬送ロボット（図示せず）
により搬入したウェハＷを支持部材７に固定する。これ
とほぼ同時に、サイドノズル２４から供給されるＡｒガ
スの流量を例えば１１０sccmに減らすと共に、ガス供給
源２６ＹのＯ2ガスをサイドノズル２４より処理チャン
バ２内に導入する。この時のＯ2ガスの供給流量は、例
えば３０sccmである。また、ＲＦジェネレータ１４ｓに
よりサイドコイル１２ｓにソース用高周波電力を印加す
る。この時の高周波電力は、例えば２ＫＷである。
ャック８をオンにし、ウェハ搬送ロボット（図示せず）
により搬入したウェハＷを支持部材７に固定する。これ
とほぼ同時に、サイドノズル２４から供給されるＡｒガ
スの流量を例えば１１０sccmに減らすと共に、ガス供給
源２６ＹのＯ2ガスをサイドノズル２４より処理チャン
バ２内に導入する。この時のＯ2ガスの供給流量は、例
えば３０sccmである。また、ＲＦジェネレータ１４ｓに
よりサイドコイル１２ｓにソース用高周波電力を印加す
る。この時の高周波電力は、例えば２ＫＷである。
【００５０】（４）そして、例えば２秒経過後、サイド
ノズル２４より供給されるＯ2ガスの流量を例えば１３
６sccmに増やすと共に、Ｏ2ガスをトップノズル２０よ
り処理チャンバ２内に導入する。このとき、トップノズ
ル２０からのＯ2ガスの供給流量は、例えば２２．３scc
mである。これにより、プラズマの熱によってウェハＷ
の表面が効果的に加熱される。
ノズル２４より供給されるＯ2ガスの流量を例えば１３
６sccmに増やすと共に、Ｏ2ガスをトップノズル２０よ
り処理チャンバ２内に導入する。このとき、トップノズ
ル２０からのＯ2ガスの供給流量は、例えば２２．３scc
mである。これにより、プラズマの熱によってウェハＷ
の表面が効果的に加熱される。
【００５１】（５）そして、例えば２０秒経過後、トッ
プコイル２０に印加する高周波電力を１．３ＫＷに上げ
ると共に、サイドコイル２４に印加する高周波電力を
３．１ＫＷに上げる。これとほぼ同時に、Ａｒガス及び
Ｏ2ガスに加えて、ガス供給源２６ＸのＳｉＨ4ガスをト
ップノズル２０より処理チャンバ２内に導入し、ウェハ
Ｗの成膜処理を開始する。この時のＳｉＨ4ガスの供給
流量は、例えば２５sccmである。これにより、ＳｉＨ4
及びＯ2は、イオンまたはラジカルに電離された状態で
ウェハ中央部に達し、その部分にＳｉＯ2膜が形成され
る。
プコイル２０に印加する高周波電力を１．３ＫＷに上げ
ると共に、サイドコイル２４に印加する高周波電力を
３．１ＫＷに上げる。これとほぼ同時に、Ａｒガス及び
Ｏ2ガスに加えて、ガス供給源２６ＸのＳｉＨ4ガスをト
ップノズル２０より処理チャンバ２内に導入し、ウェハ
Ｗの成膜処理を開始する。この時のＳｉＨ4ガスの供給
流量は、例えば２５sccmである。これにより、ＳｉＨ4
及びＯ2は、イオンまたはラジカルに電離された状態で
ウェハ中央部に達し、その部分にＳｉＯ2膜が形成され
る。
【００５２】（６）そして、例えば２秒経過後、トップ
ノズル２０から供給されるＳｉＨ4ガスの流量を例えば
１２．３sccmに減らすと共に、ＳｉＨ4ガスをサイドノ
ズル２４からも処理チャンバ２内に導入する。このと
き、サイドノズル２４からのＳｉＨ4ガスの供給流量
は、例えば７６sccmである。これにより、ウェハ中央部
だけでなく、ウェハ周辺部にもＳｉＯ2膜が形成される
ようになる。なお、サイドノズル２４に供給するＳｉＨ
4ガスの流量をトップノズル２０に供給するＳｉＨ4ガス
の流量よりも多くしているのは、ウェハＷの表面に形成
されるＳｉＯ2膜の膜厚が均一になるようにするためで
ある。
ノズル２０から供給されるＳｉＨ4ガスの流量を例えば
１２．３sccmに減らすと共に、ＳｉＨ4ガスをサイドノ
ズル２４からも処理チャンバ２内に導入する。このと
き、サイドノズル２４からのＳｉＨ4ガスの供給流量
は、例えば７６sccmである。これにより、ウェハ中央部
だけでなく、ウェハ周辺部にもＳｉＯ2膜が形成される
ようになる。なお、サイドノズル２４に供給するＳｉＨ
4ガスの流量をトップノズル２０に供給するＳｉＨ4ガス
の流量よりも多くしているのは、ウェハＷの表面に形成
されるＳｉＯ2膜の膜厚が均一になるようにするためで
ある。
【００５３】（７）そして、例えば４秒経過後、ＲＦジ
ェネレータ１６により支持部材７にバイアス用高周波電
力を印加する。このバイアス用高周波電力の周波数は例
えば１３．６ＭＨｚであり、電力値は例えば３．５ＫＷ
である。これにより、ＲＦジェネレータ１４ｔ，１４ｓ
により生成されたプラズマ種のウェハＷ表面への移送が
促進され、ウェハＷの成膜が進行していく。
ェネレータ１６により支持部材７にバイアス用高周波電
力を印加する。このバイアス用高周波電力の周波数は例
えば１３．６ＭＨｚであり、電力値は例えば３．５ＫＷ
である。これにより、ＲＦジェネレータ１４ｔ，１４ｓ
により生成されたプラズマ種のウェハＷ表面への移送が
促進され、ウェハＷの成膜が進行していく。
【００５４】（８）その後、例えば１８０秒経過して、
ウェハＷの表面に形成されるＳｉＯ 2膜の膜厚が所望の
厚さになると、処理チャンバ２内へのＳｉＨ4ガス、Ｏ2
ガス、Ａｒガスの導入を継続した状態で、支持部材７へ
のバイアス用高周波電力の印加を停止する。また、トッ
プコイル１２ｔに印加する高周波電力を１ＫＷに下げる
と共に、サイドコイル１２ｓに印加する高周波電力を２
ＫＷに下げる。
ウェハＷの表面に形成されるＳｉＯ 2膜の膜厚が所望の
厚さになると、処理チャンバ２内へのＳｉＨ4ガス、Ｏ2
ガス、Ａｒガスの導入を継続した状態で、支持部材７へ
のバイアス用高周波電力の印加を停止する。また、トッ
プコイル１２ｔに印加する高周波電力を１ＫＷに下げる
と共に、サイドコイル１２ｓに印加する高周波電力を２
ＫＷに下げる。
【００５５】（９）そして、例えば１秒経過後、処理チ
ャンバ２内へのＳｉＨ4ガスの導入を停止する。
ャンバ２内へのＳｉＨ4ガスの導入を停止する。
【００５６】（１０）そして、例えば３秒経過後、静電
チャック８をオフにし、ウェハ搬送ロボット（図示せ
ず）によりウェハＷを処理チャンバ２の外部へ搬出す
る。また、処理チャンバ２内へのＡｒガス及びＯ2ガス
の導入を停止すると共に、コイル１２ｔ，１２ｓへのソ
ース用高周波電力の印加を停止する。以上により、ウェ
ハＷの成膜処理が終了する。
チャック８をオフにし、ウェハ搬送ロボット（図示せ
ず）によりウェハＷを処理チャンバ２の外部へ搬出す
る。また、処理チャンバ２内へのＡｒガス及びＯ2ガス
の導入を停止すると共に、コイル１２ｔ，１２ｓへのソ
ース用高周波電力の印加を停止する。以上により、ウェ
ハＷの成膜処理が終了する。
【００５７】このような成膜処理においては、上述した
ように、ウェハＷ上に形成される絶縁膜の膜厚を均一に
すべく、ＳｉＨ4ガスのサイドノズル２４への供給流量
をトップノズル２０への供給流量よりも多くするが、こ
のようにすると、成膜初期時には、配管のコンダクタン
スの相違等によって、ウェハ周辺部に形成される絶縁膜
の膜厚がウェハ中央部に対して厚くなる傾向にある。こ
の場合には、たとえプラズマ密度やプラズマポテンシャ
ルが空間的に均一であっても、ゲート酸化膜に起きるプ
ラズマダメージを軽減することは困難である。
ように、ウェハＷ上に形成される絶縁膜の膜厚を均一に
すべく、ＳｉＨ4ガスのサイドノズル２４への供給流量
をトップノズル２０への供給流量よりも多くするが、こ
のようにすると、成膜初期時には、配管のコンダクタン
スの相違等によって、ウェハ周辺部に形成される絶縁膜
の膜厚がウェハ中央部に対して厚くなる傾向にある。こ
の場合には、たとえプラズマ密度やプラズマポテンシャ
ルが空間的に均一であっても、ゲート酸化膜に起きるプ
ラズマダメージを軽減することは困難である。
【００５８】つまり、絶縁膜の膜厚がある程度の厚さに
なると、絶縁膜を突き抜ける荷電粒子よりも、絶縁膜の
表面に帯電して横方向にドリフトする荷電粒子の方が多
くなる。このため、上記のようにウェハ周辺部の絶縁膜
の膜厚がウェハ中央部の絶縁膜の膜厚よりも厚くなる
と、荷電粒子がウェハ周辺部からウェハ中央部に向かっ
て移動し、ウェハ中央部の電荷密度が高くなる。そし
て、ウェハ中央部に蓄積された荷電粒子が薄い絶縁膜を
突き抜けてゲート酸化膜に達し、その結果ゲート酸化膜
に生じるプラズマダメージが激しくなると考えられる。
なると、絶縁膜を突き抜ける荷電粒子よりも、絶縁膜の
表面に帯電して横方向にドリフトする荷電粒子の方が多
くなる。このため、上記のようにウェハ周辺部の絶縁膜
の膜厚がウェハ中央部の絶縁膜の膜厚よりも厚くなる
と、荷電粒子がウェハ周辺部からウェハ中央部に向かっ
て移動し、ウェハ中央部の電荷密度が高くなる。そし
て、ウェハ中央部に蓄積された荷電粒子が薄い絶縁膜を
突き抜けてゲート酸化膜に達し、その結果ゲート酸化膜
に生じるプラズマダメージが激しくなると考えられる。
【００５９】さらに、成膜終了時におけるバイアス用高
周波電力の印加の停止タイミングも、ウェハＷのプラズ
マダメージに影響すると考えられる。すなわち、ＳｉＨ
4ガスを処理チャンバ２の上方および側方よりウェハＷ
に向けて供給する構造のものでは、トップノズル２０へ
のＳｉＨ4ガスの供給系（ガス供給ライン２５ａ）とサ
イドノズル２４への供給系（ガス供給ライン２５ｂ）と
では、上述したように配管のコンダクタンスやＳｉＨ4
ガスの供給流量が異なる。このような相違によって、Ｓ
ｉＨ4ガスの供給を停止したときには、ガス供給ライン
２５ｂの配管内に残留するＳｉＨ4ガスの量がガス供給
ライン２５ａの配管内に残留するＳｉＨ4ガスの量より
も多くなる。このため、ウェハエッジ部の上方のプラズ
マ密度がウェハ中央部の上方のプラズマ密度よりも高く
なる傾向にあり、このようにプラズマ密度が不均一な状
態でイオンがウェハＷに引き込まれると、ウェハＷ表面
の電荷バランスが悪化する。ところで、ウェハＷに生じ
るプラズマダメージは、バイアス用高周波電力の印加を
オン／オフした時が特に誘起されやすい。従って、ウェ
ハＷ表面の電荷バランスが不均一な状態で、バイアス用
高周波電力の印加を停止すると、荷電粒子がウェハＷ表
面を移動しやすくなり、その結果ゲート酸化膜にプラズ
マダメージが生じやすくなる。
周波電力の印加の停止タイミングも、ウェハＷのプラズ
マダメージに影響すると考えられる。すなわち、ＳｉＨ
4ガスを処理チャンバ２の上方および側方よりウェハＷ
に向けて供給する構造のものでは、トップノズル２０へ
のＳｉＨ4ガスの供給系（ガス供給ライン２５ａ）とサ
イドノズル２４への供給系（ガス供給ライン２５ｂ）と
では、上述したように配管のコンダクタンスやＳｉＨ4
ガスの供給流量が異なる。このような相違によって、Ｓ
ｉＨ4ガスの供給を停止したときには、ガス供給ライン
２５ｂの配管内に残留するＳｉＨ4ガスの量がガス供給
ライン２５ａの配管内に残留するＳｉＨ4ガスの量より
も多くなる。このため、ウェハエッジ部の上方のプラズ
マ密度がウェハ中央部の上方のプラズマ密度よりも高く
なる傾向にあり、このようにプラズマ密度が不均一な状
態でイオンがウェハＷに引き込まれると、ウェハＷ表面
の電荷バランスが悪化する。ところで、ウェハＷに生じ
るプラズマダメージは、バイアス用高周波電力の印加を
オン／オフした時が特に誘起されやすい。従って、ウェ
ハＷ表面の電荷バランスが不均一な状態で、バイアス用
高周波電力の印加を停止すると、荷電粒子がウェハＷ表
面を移動しやすくなり、その結果ゲート酸化膜にプラズ
マダメージが生じやすくなる。
【００６０】これに対し本実施形態においては、成膜初
期時には、まずＳｉＨ4ガスをトップノズル２０のみか
ら処理チャンバ２内に導入し、所定時間経過後にＳｉＨ
4ガスをトップノズル２０及びサイドノズル２４の両方
から導入することによって、ウェハ中央部に形成される
絶縁膜の膜厚がウェハ周辺部に形成される絶縁膜の膜厚
よりも大きくなるようにしたので、絶縁膜の表面に帯電
したプラズマ中の荷電粒子はウェハ中央部からウェハ周
辺部に向かってドリフトするようになる。この場合に
は、絶縁膜の表面に帯電した荷電粒子がウェハＷから側
方に逃げやすくなるため、絶縁膜に残る電荷が減少す
る。また、絶縁膜に電荷が残ったとしても、荷電粒子は
ウェハ周辺部に分散した状態となるため、電荷密度は極
めて小さい。したがって、薄い絶縁膜を突き抜けてゲー
ト酸化膜に達する電荷が減少し、ゲート酸化膜に生じる
プラズマダメージが低減される。
期時には、まずＳｉＨ4ガスをトップノズル２０のみか
ら処理チャンバ２内に導入し、所定時間経過後にＳｉＨ
4ガスをトップノズル２０及びサイドノズル２４の両方
から導入することによって、ウェハ中央部に形成される
絶縁膜の膜厚がウェハ周辺部に形成される絶縁膜の膜厚
よりも大きくなるようにしたので、絶縁膜の表面に帯電
したプラズマ中の荷電粒子はウェハ中央部からウェハ周
辺部に向かってドリフトするようになる。この場合に
は、絶縁膜の表面に帯電した荷電粒子がウェハＷから側
方に逃げやすくなるため、絶縁膜に残る電荷が減少す
る。また、絶縁膜に電荷が残ったとしても、荷電粒子は
ウェハ周辺部に分散した状態となるため、電荷密度は極
めて小さい。したがって、薄い絶縁膜を突き抜けてゲー
ト酸化膜に達する電荷が減少し、ゲート酸化膜に生じる
プラズマダメージが低減される。
【００６１】ここで、成膜初期時には、ウェハ中央部の
絶縁膜の膜厚がウェハ周辺部の絶縁膜の膜厚よりも大き
くなるが、ＳｉＨ4ガスのサイドノズル２４への供給流
量はトップノズル２０への供給流量よりも多いので、時
間の経過と共に絶縁膜の膜厚はウェハＷ全体にわたって
ほぼ均一になっていき、結果的に膜厚均一性を損なうこ
とはほとんど無い。なお、成膜初期時とは、絶縁膜の膜
厚が例えば１０００Ａ（オングストロ−ム）以下である
期間をいう。
絶縁膜の膜厚がウェハ周辺部の絶縁膜の膜厚よりも大き
くなるが、ＳｉＨ4ガスのサイドノズル２４への供給流
量はトップノズル２０への供給流量よりも多いので、時
間の経過と共に絶縁膜の膜厚はウェハＷ全体にわたって
ほぼ均一になっていき、結果的に膜厚均一性を損なうこ
とはほとんど無い。なお、成膜初期時とは、絶縁膜の膜
厚が例えば１０００Ａ（オングストロ−ム）以下である
期間をいう。
【００６２】また、成膜終了時には、ノズル２０，２４
へのＳｉＨ4ガスの供給を継続した状態で、支持部材７
へのバイアス用高周波電力の印加を停止し、その後でＳ
ｉＨ 4ガスの供給を停止するようにしたので、成膜終了
時に起因するプラズマダメージも低減できる。つまり、
ＳｉＨ4ガスの供給継続中は、上述したようにウェハＷ
の表面に形成される絶縁膜の膜厚が均一になるようにノ
ズル２０，２４へのＳｉＨ4ガスの供給流量を設定して
いる。このため、ウェハＷの上方のプラズマ密度がほぼ
均一であり、その状態でイオンがウェハＷの表面に引き
込まれることになるので、ウェハＷ表面の電荷バランス
は比較的良好である。従って、このような状態でバイア
ス用高周波電力の印加を停止しても、ウェハＷ表面の電
荷バランスは良好な状態に維持され、荷電粒子がウェハ
Ｗ表面を移動しにくくなる。これにより、ゲート酸化膜
に生じるプラズマダメージがより一層低減される。
へのＳｉＨ4ガスの供給を継続した状態で、支持部材７
へのバイアス用高周波電力の印加を停止し、その後でＳ
ｉＨ 4ガスの供給を停止するようにしたので、成膜終了
時に起因するプラズマダメージも低減できる。つまり、
ＳｉＨ4ガスの供給継続中は、上述したようにウェハＷ
の表面に形成される絶縁膜の膜厚が均一になるようにノ
ズル２０，２４へのＳｉＨ4ガスの供給流量を設定して
いる。このため、ウェハＷの上方のプラズマ密度がほぼ
均一であり、その状態でイオンがウェハＷの表面に引き
込まれることになるので、ウェハＷ表面の電荷バランス
は比較的良好である。従って、このような状態でバイア
ス用高周波電力の印加を停止しても、ウェハＷ表面の電
荷バランスは良好な状態に維持され、荷電粒子がウェハ
Ｗ表面を移動しにくくなる。これにより、ゲート酸化膜
に生じるプラズマダメージがより一層低減される。
【００６３】図６は、本発明に係る成膜方法の試験に使
用する試験用素子群（ＴＥＧ）を示したものである。同
図において、ＴＥＧ５０は、厚さが４０Ａのゲート酸化
膜５１と、ポリシリコンゲート５２と、アンテナ比が２
０Ｋのアルミニウムアンテナ５３とを含むアンテナＴＥ
Ｇである。このようなアンテナＴＥＧ５０が全体にわた
って複数組み込まれたウェハを用意し、ＩＣテスター５
４を使用して、成膜初期時におけるゲート酸化膜５１の
リーク電流を測定した。その測定結果を図７に示す。図
７（ａ）は、ウェハ中央部の膜厚がウェハ周辺部の膜厚
よりも小さくなるように初期絶縁膜を形成した場合の測
定結果であり、図７（ｂ）は、ウェハ中央部の膜厚がウ
ェハ周辺部の膜厚よりも大きくなるように初期絶縁膜を
形成した場合の測定結果である。また、ひし形（◆）は
面積アンテナ比（Ａ／Ｒ）を２Ｋとしたとき、四角形
（■）はＡ／Ｒを２０Ｋとしたとき、三角形（▲）はＡ
／Ｒを４０Ｋとしたとき、丸（●）はＡ／Ｒを１００Ｋ
としたときのものである。ウェハ中央部の初期絶縁膜の
膜厚がウェハ周辺部の初期絶縁膜の膜厚よりも薄い場合
には、図７（ａ）に示すように、ゲート酸化膜５１のリ
ーク電流にバラツキがあるのが分かる。これは、ウェハ
中央部に集中して電荷が貯まることで、ウェハ中央部に
組み込まれたアンテナＴＥＧ５０のゲート酸化膜５１が
破壊したためであると考えられる。
用する試験用素子群（ＴＥＧ）を示したものである。同
図において、ＴＥＧ５０は、厚さが４０Ａのゲート酸化
膜５１と、ポリシリコンゲート５２と、アンテナ比が２
０Ｋのアルミニウムアンテナ５３とを含むアンテナＴＥ
Ｇである。このようなアンテナＴＥＧ５０が全体にわた
って複数組み込まれたウェハを用意し、ＩＣテスター５
４を使用して、成膜初期時におけるゲート酸化膜５１の
リーク電流を測定した。その測定結果を図７に示す。図
７（ａ）は、ウェハ中央部の膜厚がウェハ周辺部の膜厚
よりも小さくなるように初期絶縁膜を形成した場合の測
定結果であり、図７（ｂ）は、ウェハ中央部の膜厚がウ
ェハ周辺部の膜厚よりも大きくなるように初期絶縁膜を
形成した場合の測定結果である。また、ひし形（◆）は
面積アンテナ比（Ａ／Ｒ）を２Ｋとしたとき、四角形
（■）はＡ／Ｒを２０Ｋとしたとき、三角形（▲）はＡ
／Ｒを４０Ｋとしたとき、丸（●）はＡ／Ｒを１００Ｋ
としたときのものである。ウェハ中央部の初期絶縁膜の
膜厚がウェハ周辺部の初期絶縁膜の膜厚よりも薄い場合
には、図７（ａ）に示すように、ゲート酸化膜５１のリ
ーク電流にバラツキがあるのが分かる。これは、ウェハ
中央部に集中して電荷が貯まることで、ウェハ中央部に
組み込まれたアンテナＴＥＧ５０のゲート酸化膜５１が
破壊したためであると考えられる。
【００６４】これに対し、ウェハ中央部の初期絶縁膜の
膜厚をウェハ周辺部の初期絶縁膜の膜厚よりも厚くした
場合には、図７（ｂ）に示すように、ゲート酸化膜５１
のリーク電流にバラツキはほとんど見られず、ゲート酸
化膜５１の破壊がかなり改善されていることが分かる。
膜厚をウェハ周辺部の初期絶縁膜の膜厚よりも厚くした
場合には、図７（ｂ）に示すように、ゲート酸化膜５１
のリーク電流にバラツキはほとんど見られず、ゲート酸
化膜５１の破壊がかなり改善されていることが分かる。
【００６５】また、上記のアンテナＴＥＧ５０が全体に
わたって複数組み込まれたウェハを用意し、成膜終了時
におけるウェハの破壊についての評価を行った。具体的
には、ウェハに印加する電圧を最大４．２Ｖまで徐々に
上げていき、ＩＣテスター５４を用いて、何ボルトでゲ
ート酸化膜５１が破壊するかを測定した。その測定結果
を図８に示す。図８（ａ）は、ＳｉＨ4ガスの供給を停
止した後に、バイアス用高周波電力の印加を停止した場
合の測定結果であり、図８（ｂ）は、バイアス用高周波
電力の印加を停止した後に、ＳｉＨ4ガスの供給を停止
した場合の測定結果である。ここで、黒く塗りつぶした
部分が、ゲート酸化膜５１にダメージが生じたウェハ上
の不良を表わしている。
わたって複数組み込まれたウェハを用意し、成膜終了時
におけるウェハの破壊についての評価を行った。具体的
には、ウェハに印加する電圧を最大４．２Ｖまで徐々に
上げていき、ＩＣテスター５４を用いて、何ボルトでゲ
ート酸化膜５１が破壊するかを測定した。その測定結果
を図８に示す。図８（ａ）は、ＳｉＨ4ガスの供給を停
止した後に、バイアス用高周波電力の印加を停止した場
合の測定結果であり、図８（ｂ）は、バイアス用高周波
電力の印加を停止した後に、ＳｉＨ4ガスの供給を停止
した場合の測定結果である。ここで、黒く塗りつぶした
部分が、ゲート酸化膜５１にダメージが生じたウェハ上
の不良を表わしている。
【００６６】ＳｉＨ4ガスの供給を停止してからバイア
ス用高周波電力の印加を停止した場合には、図８（ａ）
に示すようにダメージ発生率が９％であるのに対し、バ
イアス用高周波電力の印加を停止してからＳｉＨ4ガス
の供給を停止した場合には、図８（ｂ）に示すようにダ
メージ発生率が２％であり、ゲート酸化膜５１の破壊が
かなり改善されていることが分かる。
ス用高周波電力の印加を停止した場合には、図８（ａ）
に示すようにダメージ発生率が９％であるのに対し、バ
イアス用高周波電力の印加を停止してからＳｉＨ4ガス
の供給を停止した場合には、図８（ｂ）に示すようにダ
メージ発生率が２％であり、ゲート酸化膜５１の破壊が
かなり改善されていることが分かる。
【００６７】以上、本発明に係る成膜方法及び成膜方法
の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は、
上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。例
えば、上記実施形態では、成膜初期において、ＳｉＨ4
ガスをトップノズル２０のみから供給し、その後、Ｓｉ
Ｈ4ガスをトップノズル２０及びサイドノズル２４から
供給するようにしたが、トップノズル２０及びサイドノ
ズル２４から供給されるＳｉＨ4ガスの流量を調整する
ことによって、ウェハ表面における中央部に形成される
絶縁膜の膜厚が周辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも
大きくなるようにしてもよい。
の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は、
上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。例
えば、上記実施形態では、成膜初期において、ＳｉＨ4
ガスをトップノズル２０のみから供給し、その後、Ｓｉ
Ｈ4ガスをトップノズル２０及びサイドノズル２４から
供給するようにしたが、トップノズル２０及びサイドノ
ズル２４から供給されるＳｉＨ4ガスの流量を調整する
ことによって、ウェハ表面における中央部に形成される
絶縁膜の膜厚が周辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも
大きくなるようにしてもよい。
【００６８】また、上記実施形態では、成膜ガスとし
て、ケイ素含有ガスであるＳｉＨ4と酸化系ガスである
Ｏ2ガスと不活性ガスであるＡｒガスとの混合ガスを使
用したが、成膜ガスは、特にそのようなガスに限定され
ない。例えば、ケイ素含有ガスとしてＳｉＦ4ガスやＳ
ｉＨＣｌ3ガス等を使用し、酸化系ガスとしてＮＯガ
ス、Ｎ2Ｏガス、ＮＯ2ガス等を使用してもよい。また、
ウェハＷの表面に形成する絶縁膜は、上記のようなシリ
コン酸化膜ＳｉＯ2に限らず、Ｓｉ3Ｎ4等のシリコン窒
化膜としてもよく、その場合には、成膜ガスとして、ケ
イ素含有ガスとＮ2、ＮＨ3等の窒化系ガスとを含むガス
を使用する。
て、ケイ素含有ガスであるＳｉＨ4と酸化系ガスである
Ｏ2ガスと不活性ガスであるＡｒガスとの混合ガスを使
用したが、成膜ガスは、特にそのようなガスに限定され
ない。例えば、ケイ素含有ガスとしてＳｉＦ4ガスやＳ
ｉＨＣｌ3ガス等を使用し、酸化系ガスとしてＮＯガ
ス、Ｎ2Ｏガス、ＮＯ2ガス等を使用してもよい。また、
ウェハＷの表面に形成する絶縁膜は、上記のようなシリ
コン酸化膜ＳｉＯ2に限らず、Ｓｉ3Ｎ4等のシリコン窒
化膜としてもよく、その場合には、成膜ガスとして、ケ
イ素含有ガスとＮ2、ＮＨ3等の窒化系ガスとを含むガス
を使用する。
【００６９】さらに、上記実施形態は、成膜初期時に、
ウェハ表面における中央部に形成される絶縁膜の膜厚が
周辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくなるよう
に成膜ガスを導入するものであるが、もちろん初期絶縁
膜の膜厚がウェハ表面全体で均一であってもよい。この
場合には、荷電粒子がウェハＷの周辺部から中央部にド
リフトすることはほとんど無いので、ウェハ中央部の膜
厚がウェハ周辺部の膜厚よりも薄い場合に比べて、ゲー
ト酸化膜に生じるプラズマダメージが低減するのは言う
までもない。
ウェハ表面における中央部に形成される絶縁膜の膜厚が
周辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくなるよう
に成膜ガスを導入するものであるが、もちろん初期絶縁
膜の膜厚がウェハ表面全体で均一であってもよい。この
場合には、荷電粒子がウェハＷの周辺部から中央部にド
リフトすることはほとんど無いので、ウェハ中央部の膜
厚がウェハ周辺部の膜厚よりも薄い場合に比べて、ゲー
ト酸化膜に生じるプラズマダメージが低減するのは言う
までもない。
【００７０】また、上記実施形態はＨＤＰ式ＣＶＤ装置
であるが、本発明の成膜装置は、処理チャンバ内にプラ
ズマを生成すると共に処理チャンバ内に成膜ガスを導入
することによって成膜を行うものであれば、適用可能で
ある。
であるが、本発明の成膜装置は、処理チャンバ内にプラ
ズマを生成すると共に処理チャンバ内に成膜ガスを導入
することによって成膜を行うものであれば、適用可能で
ある。
【００７１】
【発明の効果】本発明によれば、成膜初期時には、被処
理基板の表面における中心部を含む第１領域に形成され
る絶縁膜の膜厚が第１領域の外側の第２領域に形成され
る絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように、成膜ガスを被
処理基板の表面に向けて供給するので、被処理基板の破
壊を低減できる。
理基板の表面における中心部を含む第１領域に形成され
る絶縁膜の膜厚が第１領域の外側の第２領域に形成され
る絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように、成膜ガスを被
処理基板の表面に向けて供給するので、被処理基板の破
壊を低減できる。
【００７２】また、成膜終了時において、処理チャンバ
内への成膜ガスの導入を継続した状態で、支持部材への
バイアス用高周波電力の印加を停止し、その後で成膜ガ
スの導入を停止するようにした場合には、被処理基板の
破壊をより低減できる。
内への成膜ガスの導入を継続した状態で、支持部材への
バイアス用高周波電力の印加を停止し、その後で成膜ガ
スの導入を停止するようにした場合には、被処理基板の
破壊をより低減できる。
【図１】本発明に係る成膜装置の一実施形態である高密
度プラズマ（ＨＤＰ）式ＣＶＤ装置を示す概略構成図で
ある。
度プラズマ（ＨＤＰ）式ＣＶＤ装置を示す概略構成図で
ある。
【図２】図１に示す処理チャンバの上部部分を示す拡大
断面図である。
断面図である。
【図３】図２のIII−III線断面図である。
【図４】図１に示す制御装置によるガス供給制御および
高周波印加制御の処理手順を示すフローチャートであ
る。
高周波印加制御の処理手順を示すフローチャートであ
る。
【図５】本発明に係る成膜方法を示すプロセスタイムテ
ーブル表である。
ーブル表である。
【図６】本発明に係る成膜方法の試験に使用するアンテ
ナＴＥＧを示す図である。
ナＴＥＧを示す図である。
【図７】図６に示すアンテナＴＥＧのゲート酸化膜の成
膜初期時におけるダメージ測定を行ったときの結果を示
す図である。
膜初期時におけるダメージ測定を行ったときの結果を示
す図である。
【図８】図６に示すアンテナＴＥＧのゲート酸化膜の成
膜終了時におけるダメージ測定を行ったときの結果を示
す図である。
膜終了時におけるダメージ測定を行ったときの結果を示
す図である。
１…高密度プラズマ式ＣＶＤ装置（成膜装置）、２…処
理チャンバ、３…チャンバ本体、４…蓋体、７…支持部
材、１２ｔ…トップコイル（コイルアンテナ）、１２ｓ
…サイドコイル（コイルアンテナ）、１３ｔ，１３ｓ…
マッチングネットワーク（プラズマ発生手段）、１４
ｔ，１４ｓ…ソース用ＲＦジェネレータ（プラズマ発生
手段）、１５…マッチングネットワーク（プラズマ引込
手段）、１６…バイアス用ＲＦジェネレータ（プラズマ
引込手段）、１８…ガス導入部、２０…トップノズル
（第１ノズル）、２１…ガス導入部、２０…サイドノズ
ル（第２ノズル）、２５ａ，２５ｂ…ガス供給ライン
（ケイ素含有ガス供給系）、２５ｃ，２５ｄ…ガス供給
ライン（酸化系ガス供給系）、２５ｅ，２５ｆ…ガス供
給ライン（不活性ガス供給系）、２６Ｘ…ガス供給源
（ケイ素含有ガス供給系）、２６Ｙ…ガス供給源（酸化
系ガス供給系）、２６Ｚ…ガス供給源（不活性ガス供給
系）、２７ａ，２７ｂ…開閉バルブ（ケイ素含有ガス供
給系）、２７ｃ，２７ｄ…開閉バルブ（酸化系ガス供給
系）、２７ｅ，２７ｆ…開閉バルブ（不活性ガス供給
系）、２８ａ，２８ｂ…ＭＦＣ（ケイ素含有ガス供給
系）、２８ｃ，２８ｄ…ＭＦＣ（酸化系ガス供給系）、
２８ｅ，２８ｆ…ＭＦＣ（不活性ガス供給系）、３０…
制御装置、Ｗ…ウェハ（被処理基板）。
理チャンバ、３…チャンバ本体、４…蓋体、７…支持部
材、１２ｔ…トップコイル（コイルアンテナ）、１２ｓ
…サイドコイル（コイルアンテナ）、１３ｔ，１３ｓ…
マッチングネットワーク（プラズマ発生手段）、１４
ｔ，１４ｓ…ソース用ＲＦジェネレータ（プラズマ発生
手段）、１５…マッチングネットワーク（プラズマ引込
手段）、１６…バイアス用ＲＦジェネレータ（プラズマ
引込手段）、１８…ガス導入部、２０…トップノズル
（第１ノズル）、２１…ガス導入部、２０…サイドノズ
ル（第２ノズル）、２５ａ，２５ｂ…ガス供給ライン
（ケイ素含有ガス供給系）、２５ｃ，２５ｄ…ガス供給
ライン（酸化系ガス供給系）、２５ｅ，２５ｆ…ガス供
給ライン（不活性ガス供給系）、２６Ｘ…ガス供給源
（ケイ素含有ガス供給系）、２６Ｙ…ガス供給源（酸化
系ガス供給系）、２６Ｚ…ガス供給源（不活性ガス供給
系）、２７ａ，２７ｂ…開閉バルブ（ケイ素含有ガス供
給系）、２７ｃ，２７ｄ…開閉バルブ（酸化系ガス供給
系）、２７ｅ，２７ｆ…開閉バルブ（不活性ガス供給
系）、２８ａ，２８ｂ…ＭＦＣ（ケイ素含有ガス供給
系）、２８ｃ，２８ｄ…ＭＦＣ（酸化系ガス供給系）、
２８ｅ，２８ｆ…ＭＦＣ（不活性ガス供給系）、３０…
制御装置、Ｗ…ウェハ（被処理基板）。
フロントページの続き (72)発明者 有賀 美知雄 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 田畑 篤 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA14 BA44 EA06 FA04 JA01 KA24 KA41 LA02 5F045 AA08 AB32 AB33 AC01 AC03 AC11 AC12 AC15 AC16 BB16 DP03 DP04 EE12 EE14 EE17 EE18 EH11 5F058 BA06 BA20 BC02 BC08 BF07 BF23 BF29 BF30 BF37 BG02
Claims (21)
- 【請求項１】 処理チャンバ内にプラズマを発生させる
と共に、前記処理チャンバ内に成膜ガスを導入すること
によって、前記処理チャンバ内に収容された被処理基板
の表面に絶縁膜を形成する成膜方法であって、 成膜を開始してから所定の期間、前記被処理基板の表面
における中心部を含む第１領域に形成される前記絶縁膜
の膜厚が前記第１領域の外側の第２領域に形成される前
記絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように、前記成膜ガス
を前記被処理基板の表面に向けて供給する成膜方法。 - 【請求項２】 前記成膜ガスを前記被処理基板の表面に
向けて供給するときに、まず前記成膜ガスを前記第１領
域のみに向けて供給し、続いて前記成膜ガスを前記第１
領域及び前記第２領域に向けて供給する請求項１記載の
成膜方法。 - 【請求項３】 前記成膜ガスとして、ケイ素含有ガスと
酸化系ガスとを含むガスを使用する請求項１または２記
載の成膜方法。 - 【請求項４】 前記成膜ガスを前記被処理基板の表面に
向けて供給するときに、前記ケイ素含有ガスを前記第１
領域のみに向けて供給すると共に、前記酸化系ガスを前
記第１領域及び前記第２領域に向けて供給し、その後、
前記ケイ素含有ガス及び前記酸化系ガスの各々を前記第
１領域及び前記第２領域に向けて供給する請求項３記載
の成膜方法。 - 【請求項５】 前記成膜ガスとして、更に不活性ガスを
含むガスを使用し、前記不活性ガスを前記処理チャンバ
内に導入して前記プラズマを生成し、その後、前記ケイ
素含有ガスと前記酸化系ガスと前記不活性ガスとの混合
ガスを前記処理チャンバ内に導入する請求項３または４
記載の成膜方法。 - 【請求項６】 前記不活性ガスを前記処理チャンバ内に
導入して前記プラズマを生成した後、前記ケイ素含有ガ
スを前記処理チャンバ内に導入する前に、前記酸化系ガ
スを前記処理チャンバ内に導入して前記被処理基板の加
熱を行う請求項５記載の成膜方法。 - 【請求項７】 前記ケイ素含有ガスとしてＳｉＨ4ガス
を使用し、前記酸化系ガスとしてＯ2ガスを使用する請
求項３〜６のいずれか一項記載の成膜方法。 - 【請求項８】 前記成膜ガスを前記被処理基板の前記第
１領域に向けて供給するときは、前記処理チャンバの上
部に設けられた第１ノズルから前記第１領域に向けて前
記成膜ガスを噴射させ、前記成膜ガスを前記被処理基板
の前記第２領域に向けて供給するときは、前記処理チャ
ンバの側部に設けられた複数の第２ノズルから前記第２
領域に向けて前記成膜ガスを噴射させる請求項１〜７の
いずれか一項記載の成膜方法。 - 【請求項９】 前記被処理基板の表面に形成される前記
絶縁膜の膜厚が１０００Ａ以下である期間、前記第１領
域に形成される前記絶縁膜の膜厚が前記第２領域に形成
される前記絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように、前記
成膜ガスを前記第１領域及び前記第２領域に向けて供給
する請求項１〜８のいずれか一項記載の成膜方法。 - 【請求項１０】 成膜を開始してから所定時間経過後、
前記被処理基板を支持する支持部材にバイアス用高周波
電力を印加して前記プラズマを前記被処理基板に引き込
み、 成膜終了時には、前記処理チャンバ内への前記成膜ガス
の導入を継続した状態で、前記支持部材への前記バイア
ス用高周波電力の印加を停止し、その後で前記成膜ガス
の導入を停止する請求項１〜９のいずれか一項記載の成
膜方法。 - 【請求項１１】 処理チャンバ内に収容された被処理基
板の表面に絶縁膜を形成する成膜装置であって、 前記処理チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発
生手段と、 前記処理チャンバ内に成膜ガスを導入するガス導入手段
と、 成膜を開始してから所定の期間、前記被処理基板の表面
における中心部を含む第１領域に形成される前記絶縁膜
の膜厚が前記第１領域の外側の第２領域に形成される前
記絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように、前記ガス導入
手段を制御する第１制御手段とを備える成膜装置。 - 【請求項１２】 前記ガス導入手段は、前記処理チャン
バの上部に設けられ、前記成膜ガスを前記被処理基板の
前記第１領域に向けて噴射する第１ノズルと、前記処理
チャンバの側部に設けられ、前記成膜ガスを前記被処理
基板の前記第２領域に向けて噴射する複数の第２ノズル
とを有する請求項１１記載の成膜装置。 - 【請求項１３】 前記第１制御手段は、まず前記成膜ガ
スを前記第１ノズルのみに供給し、続いて前記成膜ガス
を前記第１ノズル及び前記第２ノズルに供給するよう
に、前記ガス導入手段を制御する請求項１２記載の成膜
装置。 - 【請求項１４】 前記ガス導入手段は、ケイ素含有ガス
を前記第１ノズル及び前記第２ノズルに供給するための
ケイ素含有ガス供給系と、酸化系ガスを前記第１ノズル
及び前記第２ノズルに供給するための酸化系ガス供給系
とを更に有する請求項１２または１３記載の成膜装置。 - 【請求項１５】 前記第１制御手段は、まず前記ケイ素
含有ガスを前記第１ノズルのみに供給し、続いて前記ケ
イ素含有ガスを前記第１ノズル及び前記第２ノズルに供
給するように、前記ケイ素含有ガス供給系を制御する請
求項１４記載の成膜装置。 - 【請求項１６】 前記ケイ素含有ガス供給系は、前記第
１ノズルに供給される前記ケイ素含有ガスの流量を調整
する手段と、前記第２ノズルに供給される前記ケイ素含
有ガスの流量を調整する手段とを有する請求項１４また
は１５記載の成膜装置。 - 【請求項１７】 前記ガス導入手段は、不活性ガスを前
記第１ノズル及び前記第２ノズルに供給するための不活
性ガス供給系を更に有し、 前記第１制御手段は、前記不活性ガスを前記処理チャン
バ内に導入するよう前記不活性ガス供給系を制御し、そ
の後で、前記ケイ素含有ガスと前記酸化系ガスと前記不
活性ガスとの混合ガスを前記処理チャンバ内に導入する
よう前記ケイ素含有ガス供給系、前記酸化系ガス供給系
及び前記不活性ガス供給系をそれぞれ制御する請求項１
４〜１６のいずれか一項記載の成膜装置。 - 【請求項１８】 前記第１制御手段は、前記不活性ガス
を前記処理チャンバ内に導入するよう前記不活性ガス供
給系を制御した後、前記ケイ素含有ガスを前記処理チャ
ンバ内に導入するよう前記ケイ素含有ガス供給系を制御
する前に、前記酸化系ガスを前記処理チャンバ内に導入
するよう前記酸化系ガス供給系を制御する請求項１７記
載の成膜装置。 - 【請求項１９】 前記第１ノズルは、前記処理チャンバ
内に前記被処理基板が収容された時の当該被処理基板の
中心部の直上位置に設けられている請求項１２〜１８の
いずれか一項記載の成膜装置。 - 【請求項２０】 前記処理チャンバ内に配置され、前記
被処理基板を支持する支持部材と、 前記支持部材にバイアス用高周波電力を印加すること
で、前記プラズマ発生手段で発生させたプラズマを前記
被処理基板に引き込むプラズマ引込手段と、 前記処理チャンバ内への前記成膜ガスの導入を継続した
状態で、前記支持部材への前記バイアス用高周波電力の
印加を停止するよう前記プラズマ引込手段を制御し、そ
の後で前記成膜ガスの導入を停止するよう前記ガス導入
手段を制御する第２制御手段とを更に備える請求項１１
〜１９のいずれか一項記載の成膜装置。 - 【請求項２１】 前記処理チャンバは、内部に前記支持
部材が配置されたチャンバ本体と、このチャンバ本体の
上部に設けられ、絶縁材料で形成された蓋体とを有し、
この蓋体の外面部にはコイルアンテナが取り付けられて
おり、 前記プラズマ発生手段は、前記コイルアンテナにソース
用高周波電力を印加することで、前記処理チャンバ内に
プラズマを発生させる請求項１１〜２０のいずれか一項
記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000263631A JP4606554B2 (ja) | 1999-09-29 | 2000-08-31 | 成膜方法及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-276797 | 1999-09-29 | ||
| JP27679799 | 1999-09-29 | ||
| JP2000263631A JP4606554B2 (ja) | 1999-09-29 | 2000-08-31 | 成膜方法及び成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168090A true JP2001168090A (ja) | 2001-06-22 |
| JP4606554B2 JP4606554B2 (ja) | 2011-01-05 |
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ID=26552115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000263631A Expired - Fee Related JP4606554B2 (ja) | 1999-09-29 | 2000-08-31 | 成膜方法及び成膜装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4606554B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249625A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 窒化珪素膜の製造方法及び装置 |
| KR20140036218A (ko) * | 2011-05-06 | 2014-03-25 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 베벨 상의 실리사이드 형성의 완화 |
| US9171734B1 (en) | 2014-08-25 | 2015-10-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04230032A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-08-19 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPH0766291A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08203694A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000263631A patent/JP4606554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04230032A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-08-19 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPH0766291A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08203694A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249625A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 窒化珪素膜の製造方法及び装置 |
| US8889568B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-11-18 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and apparatus for producing silicon nitride film |
| KR20140036218A (ko) * | 2011-05-06 | 2014-03-25 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 베벨 상의 실리사이드 형성의 완화 |
| KR101950046B1 (ko) * | 2011-05-06 | 2019-02-19 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 베벨 상의 실리사이드 형성의 완화 |
| KR20190018753A (ko) * | 2011-05-06 | 2019-02-25 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 베벨 상의 실리사이드 형성의 완화 |
| KR102059312B1 (ko) * | 2011-05-06 | 2019-12-24 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 베벨 상의 실리사이드 형성의 완화 |
| US9171734B1 (en) | 2014-08-25 | 2015-10-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
| JP5840268B1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-01-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
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| JP4606554B2 (ja) | 2011-01-05 |
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