JP2001155309A - Thin film magnetic head and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。The present invention relates to a thin-film magnetic head having at least an inductive electromagnetic transducer and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗(以下、MR(Magnetoresistive)とも記す。)素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。2. Description of the Related Art In recent years, as the areal recording density of a hard disk drive has been improved, the performance of a thin film magnetic head has been required to be improved. As the thin-film magnetic head, a composite thin-film magnetic layer having a structure in which a recording head having an inductive electromagnetic transducer for writing and a reproducing head having a magnetoresistive (hereinafter also referred to as MR (Magnetoresistive)) element for reading is laminated. Heads are widely used.
【0003】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面(媒体対向面)での幅、すなわちトラ
ック幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした
狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、こ
れを達成するために半導体加工技術が利用されている。In order to increase the recording density of the performance of the recording head, it is necessary to increase the track density in the magnetic recording medium. For this purpose, a narrow track in which the width of the lower magnetic pole and the upper magnetic pole formed above and below the recording gap layer on the air bearing surface (the medium facing surface), that is, the track width is reduced from several microns to submicron dimensions. It is necessary to realize a recording head having a structure, and semiconductor processing technology is used to achieve this.
【0004】ここで、図12ないし図15を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図12ないし図15において、(a)は薄膜磁気ヘ
ッドのエアベアリング面に垂直な断面を示し、(b)は
薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。Here, referring to FIGS. 12 to 15,
As an example of a conventional method of manufacturing a thin film magnetic head, an example of a method of manufacturing a composite thin film magnetic head will be described. 12 to 15, (a) shows a cross section perpendicular to the air bearing surface of the thin film magnetic head, and (b) shows a cross section of the magnetic pole portion of the thin film magnetic head parallel to the air bearing surface.
【0005】この製造方法では、まず、図12に示した
ように、例えばアルティック(Al 2O3・TiC)より
なる基板101の上に、例えばアルミナ(Al2O3)よ
りなる絶縁層102を、約5〜10μm程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層102の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層103を形成する。In this manufacturing method, first, as shown in FIG.
So, for example, Altic (Al TwoOThree・ From TiC)
On a substrate 101 made of, for example, alumina (AlTwoOThree)
The insulating layer 102 having a thickness of about 5 to 10 μm.
Stack. Next, a magnetic material is formed on the insulating layer 102.
A lower shield layer 103 for a reproducing head is formed.
【0006】次に、下部シールド層103の上に、例え
ばアルミナをスパッタリングにより100〜200nm
の厚みに堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ
膜104を形成する。次に、下部シールドギャップ膜1
04の上に、再生用のMR素子105を、数十nmの厚
みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜104の
上に、MR素子105に電気的に接続される一対の電極
層106を形成する。Next, on the lower shield layer 103, for example, alumina is sputtered by 100 to 200 nm.
To form a lower shield gap film 104 as an insulating layer. Next, the lower shield gap film 1
The MR element 105 for reproduction is formed to a thickness of several tens nm on the substrate 04. Next, a pair of electrode layers 106 that are electrically connected to the MR element 105 are formed on the lower shield gap film 104.
【0007】次に、下部シールドギャップ膜104およ
びMR素子105の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜107を形成し、MR素子105をシールド
ギャップ膜104,107内に埋設する。Next, an upper shield gap film 107 as an insulating layer is formed on the lower shield gap film 104 and the MR element 105, and the MR element 105 is embedded in the shield gap films 104, 107.
【0008】次に、上部シールドギャップ膜107の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層(以下、下部
磁極層と記す。)108を、約3μmの厚みに形成す
る。Next, on the upper shield gap film 107, an upper shield layer and lower magnetic pole layer (hereinafter, referred to as a lower magnetic pole layer) 108 made of a magnetic material and used for both the read head and the write head is formed. It is formed to a thickness of about 3 μm.
【0009】次に、図13に示したように、下部磁極層
108の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層109を0.2μmの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層109を部分的
にエッチングして、コンタクトホール109aを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層109の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ1
10を、0.5〜1.0μmの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール109a
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層11
9を形成する。Next, as shown in FIG. 13, a recording gap layer 109 made of an insulating film, for example, an alumina film is formed on the lower magnetic pole layer 108 to a thickness of 0.2 μm. Next, to form a magnetic path, the recording gap layer 109 is partially etched to form a contact hole 109a. Next, on the recording gap layer 109 in the magnetic pole portion, the upper magnetic pole chip 1 made of a magnetic material for a recording head is formed.
10 is formed to a thickness of 0.5 to 1.0 μm. At this time, at the same time, contact holes 109a for forming magnetic paths are formed.
A magnetic layer 11 made of a magnetic material for forming a magnetic path
9 is formed.
【0010】次に、図14に示したように、上部磁極チ
ップ110をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層109と下部磁極層108をエッチング
する。図14(b)に示したように、上部磁極部分(上
部磁極チップ110)、記録ギャップ層109および下
部磁極層108の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム(Trim)構造と呼ばれる。Next, as shown in FIG. 14, the upper magnetic pole tip 110 is used as a mask to perform ion milling.
The recording gap layer 109 and the lower magnetic pole layer 108 are etched. As shown in FIG. 14B, the structure in which the side walls of the upper magnetic pole portion (the upper magnetic pole tip 110), the write gap layer 109, and a part of the lower magnetic pole layer 108 are formed vertically and self-aligned is a trim. (Trim) structure.
【0011】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層111を、約3μmの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層111を、上部磁極チップ110および磁性層
119の表面に至るまで研磨して平坦化する。Next, an insulating layer 111 made of, for example, an alumina film is formed on the entire surface to a thickness of about 3 μm. Next, the insulating layer 111 is polished and flattened to reach the surfaces of the upper pole tip 110 and the magnetic layer 119.
【0012】次に、平坦化された絶縁層111の上に、
例えば銅(Cu)よりなる誘導型の記録ヘッド用の第1
層目の薄膜コイル112を形成する。次に、絶縁層11
1およびコイル112の上に、フォトレジスト層113
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層113の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層113の上に、第2層目
の薄膜コイル114を形成する。次に、フォトレジスト
層113およびコイル114上に、フォトレジスト層1
15を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層115の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。Next, on the flattened insulating layer 111,
For example, a first type for an induction type recording head made of copper (Cu)
The thin-film coil 112 of the layer is formed. Next, the insulating layer 11
1 and the coil 112, a photoresist layer 113
Is formed in a predetermined pattern. Next, heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the surface of the photoresist layer 113. Next, a second-layer thin-film coil 114 is formed on the photoresist layer 113. Next, the photoresist layer 1 is formed on the photoresist layer 113 and the coil 114.
15 are formed in a predetermined pattern. Next, heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the surface of the photoresist layer 115.
【0013】次に、図15に示したように、上部磁極チ
ップ110、フォトレジスト層113,115および磁
性層119の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層116を形成する。次に、
上部磁極層116の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層117を形成する。最後に、上記各層を含
むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生
ヘッドのエアベアリング面118を形成して、薄膜磁気
ヘッドが完成する。Next, as shown in FIG. 15, an upper magnetic pole layer 116 made of a magnetic material for a recording head, for example, permalloy is formed on the upper magnetic pole tip 110, the photoresist layers 113 and 115, and the magnetic layer 119. I do. next,
On the upper magnetic pole layer 116, an overcoat layer 117 made of, for example, alumina is formed. Finally, the slider including the above layers is machined to form the air bearing surfaces 118 of the recording head and the reproducing head, thereby completing the thin-film magnetic head.
【0014】図16は、図15に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
117や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。FIG. 16 is a plan view of the thin-film magnetic head shown in FIG. Note that, in this drawing, the overcoat layer 117, other insulating layers and insulating films are omitted.
【0015】図15において、THは、スロートハイト
を表し、MR−Hは、MRハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、2つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分すなわち磁極部分の、エアベアリン
グ面側の端部から反対側の端部までの長さ(高さ)をい
う。また、MRハイトとは、MR素子のエアベアリング
面側の端部から反対側の端部までの長さ(高さ)をい
う。また、図15において、P2Wは、磁極幅すなわち
記録トラック幅を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を
決定する要因として、スロートハイトやMRハイト等の
他に、図15においてθで示したようなエイペックスア
ングル(Apex Angle)がある。このエイペックスアング
ルは、フォトレジスト層113,115で覆われて山状
に盛り上がったコイル部分(以下、エイペックス部と言
う。)における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層
111の上面とのなす角度をいう。In FIG. 15, TH indicates the throat height, and MR-H indicates the MR height. In addition,
The throat height refers to the length (height) of the portion where the two magnetic pole layers face each other via the recording gap layer, that is, the magnetic pole portion, from the end on the air bearing surface side to the end on the opposite side. The MR height refers to the length (height) from the end on the air bearing surface side of the MR element to the end on the opposite side. In FIG. 15, P2W represents the magnetic pole width, that is, the recording track width. As a factor that determines the performance of the thin-film magnetic head, there is an Apex Angle as indicated by θ in FIG. 15 in addition to the throat height and the MR height. The apex angle is a top surface of the insulating layer 111 and a straight line connecting a corner of a side surface on a magnetic pole side in a coil portion (hereinafter, referred to as an apex portion) which is covered with the photoresist layers 113 and 115 and is raised in a mountain shape. With the angle.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図15に示したようなスロートハイ
トTH、MRハイトMR−H、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅P2Wを正確に形成することが重
要である。To improve the performance of the thin-film magnetic head, the throat height TH, MR height MR-H, apex angle .theta.
It is important to accurately form the recording track width P2W.
【0017】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅P2Wには1.0μm以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。In particular, in recent years, in order to enable high areal density recording, that is, to form a recording head having a narrow track structure, a submicron size of 1.0 μm or less is required for the track width P2W. For this purpose, a technology for processing the upper magnetic pole into a submicron size using a semiconductor processing technology is required.
【0018】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。The problem here is that it is difficult to finely form the upper magnetic pole layer formed on the apex portion.
【0019】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平7−262519号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム(外枠)を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。As a method of forming the upper magnetic pole layer, for example, a frame plating method is used as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-262519. When the upper magnetic pole layer is formed by using the frame plating method, first, a thin electrode film made of, for example, permalloy is entirely formed on the apex portion by, for example, sputtering. Next, a photoresist is applied thereon and patterned by a photolithography process to form a frame (outer frame) for plating. Then, the upper magnetic pole layer is formed by plating using the previously formed electrode film as a seed layer.
【0020】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば7〜10μm以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを3〜4μmの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低3μm以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば8〜10μm以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。However, there is a height difference of, for example, 7 to 10 μm or more between the apex portion and other portions. On this apex portion, a photoresist is applied in a thickness of 3 to 4 μm. If the thickness of the photoresist on the apex portion is required to be at least 3 μm or more, the photoresist having fluidity is gathered on the lower side, so that the photoresist having a thickness of, for example, 8 to 10 μm or more below the apex portion. A resist film is formed.
【0021】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の間隔のレジストトレンチパターンを形成
する必要がある。従って、エイペックス部上で、8〜1
0μm以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サ
ブミクロン寸法の微細なトレンチパターンを形成しなけ
ればならない。ところが、このような厚い膜厚のフォト
レジストパターンを狭間隔で形成することは製造工程上
極めて困難であった。In order to realize a recording track width of a submicron size as described above, it is necessary to form a resist trench pattern with a submicron size interval using a photoresist film. Therefore, on the Apex section, 8 to 1
A submicron trench pattern must be formed with a photoresist film having a thickness of 0 μm or more. However, it is extremely difficult in the manufacturing process to form such a thick photoresist pattern at narrow intervals.
【0022】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。Moreover, at the time of photolithographic exposure,
Exposure light is reflected by a base electrode film as a seed layer,
The photoresist is also exposed to the reflected light, causing the photoresist pattern to be distorted and the like, making it impossible to obtain a sharp and accurate photoresist pattern.
【0023】特に、エイペックス部の斜面上の領域で
は、露光用の光が下地電極膜で反射して戻ってくる反射
光には、垂直方向の反射光のみならず、エイペックス部
の斜面からの斜め方向または横方向の反射光も含まれる
ため、これらの反射光によってフォトレジストが感光し
て、フォトレジストパターンのくずれが大きくなる。In particular, in the region on the slope of the apex portion, not only the reflected light in the vertical direction but also the reflected light returning from the base electrode film when the exposure light is reflected by the base electrode film is reflected from the slope of the apex portion. The reflected light in the oblique direction or the horizontal direction is also included, so that the photoresist is exposed to the reflected light, and the photoresist pattern is greatly deformed.
【0024】一方、例えば特開平6−68424号公報
や、特開平6−309621号公報や、特開平6−31
4413号公報に示されるように、上部磁極層を平坦な
面に上に形成した薄膜磁気ヘッドも提案されている。こ
のような薄膜磁気ヘッドによれば、エイペックス部の上
に上部磁極層を形成する場合における問題点は解決され
る。On the other hand, for example, JP-A-6-68424, JP-A-6-309621, and JP-A-6-31
As disclosed in Japanese Patent No. 4413, a thin-film magnetic head having an upper pole layer formed on a flat surface has also been proposed. According to such a thin film magnetic head, the problem in forming the upper magnetic pole layer on the apex portion is solved.
【0025】ここで、磁極部分のエアベアリング面とは
反対側の端部の位置をスロートハイトゼロ位置と呼ぶ。
特開平6−68424号公報に示された薄膜磁気ヘッド
ではスロートハイトゼロ位置は上部磁極の端部によって
規定され、特開平6−309621号公報に示された薄
膜磁気ヘッドではスロートハイトゼロ位置は下部磁極の
端部によって規定され、特開平6−314413号公報
に示された薄膜磁気ヘッドではスロートハイトゼロ位置
は上部磁極の端部および下部磁極の端部によって規定さ
れている。いずれの薄膜磁気ヘッドにおいても、スロー
トハイトゼロ位置を規定する磁極の端面は、記録ギャッ
プ層に対して垂直な面となっている。そのため、いずれ
の薄膜磁気ヘッドにおいても、下部磁極層と上部磁極層
との間の間隔は、エアベアリング面からスロートハイト
ゼロ位置までは記録ギャップ層の厚みに等しい一定の間
隔になっており、スロートハイトゼロ位置からエアベア
リング面とは反対側で急に大きくなるようになってい
る。Here, the position of the end of the magnetic pole portion opposite to the air bearing surface is called a throat height zero position.
In the thin-film magnetic head disclosed in JP-A-6-68424, the throat height zero position is defined by the end of the upper magnetic pole. In the thin-film magnetic head disclosed in JP-A-6-309621, the throat height zero position is set to the lower part. The throat height zero position is defined by the ends of the upper magnetic pole and the lower magnetic pole in the thin-film magnetic head disclosed in JP-A-6-314413. In any of the thin film magnetic heads, the end faces of the magnetic poles defining the throat height zero position are perpendicular to the recording gap layer. Therefore, in any of the thin-film magnetic heads, the distance between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer is a constant distance equal to the thickness of the recording gap layer from the air bearing surface to the throat height zero position. From the height zero position, it suddenly increases on the side opposite to the air bearing surface.
【0026】ところが、このようにスロートハイトゼロ
位置の近傍で下部磁極層と上部磁極層との間の間隔が急
激に変化する構造では、磁極層を通って記録ギャップ層
に向かう磁束の流れがスロートハイトゼロ位置の近傍で
急激に変化し、その結果、スロートハイトゼロ位置の近
傍で磁束が飽和し、薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性が劣
化することが分かった。電磁変換特性とは、具体的に
は、記録媒体上の既にデータを書き込んである領域にデ
ータを重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特
性や、非線形トランジションシフト(Non-linear Trans
ition Shift;以下、NLTSと記す。)等である。However, in the structure in which the distance between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer changes rapidly near the throat height zero position, the flow of magnetic flux passing through the magnetic pole layer toward the recording gap layer is reduced. It was found that the magnetic flux rapidly changed near the zero height position, and as a result, the magnetic flux was saturated near the zero throat height position, and the electromagnetic conversion characteristics of the thin film magnetic head deteriorated. Specifically, the electromagnetic conversion characteristics include an overwrite characteristic, which is a characteristic when data is overwritten in an area of the recording medium on which data has already been written, and a non-linear transition shift.
ition Shift; hereinafter, referred to as NLTS. ).
【0027】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極部分を精度よく形成でき、且つ
電磁変換特性を向上させることができるようにした薄膜
磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a thin film magnetic head capable of forming a magnetic pole portion with high accuracy and improving electromagnetic conversion characteristics, and a method of manufacturing the same. To provide.
【0028】[0028]
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体
対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それ
ぞれ少なくとも1つの層を含む第1および第2の磁性層
と、第1の磁性層の磁極部分と第2の磁性層の磁極部分
との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第
1および第2の磁性層の間に、第1および第2の磁性層
に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備
え、第2の磁性層は、ギャップ層を含む平坦な面に接す
ると共に媒体対向面から離れた所定の位置においてギャ
ップ層との間に部分的に空隙部を形成する形状をなし、
空隙部の媒体対向面側の端部によってスロートハイトを
規定するスロートハイト規定層を有するものである。A thin-film magnetic head according to the present invention is magnetically coupled to each other, includes magnetic pole portions facing each other on a medium facing surface side facing a recording medium, and includes at least one layer. A first magnetic layer, a second magnetic layer, a gap layer provided between a magnetic pole portion of the first magnetic layer and a magnetic pole portion of the second magnetic layer, at least a part of the first magnetic layer and the second magnetic layer. A thin-film coil provided in a state insulated from the first and second magnetic layers, wherein the second magnetic layer is in contact with a flat surface including the gap layer and is separated from the medium facing surface. At a predetermined position to form a gap partly with the gap layer,
It has a throat height defining layer that defines the throat height by the end of the gap on the medium facing surface side.
【0029】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、互
いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面
側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少
なくとも1つの層を含む第1および第2の磁性層と、第
1の磁性層の磁極部分と第2の磁性層の磁極部分との間
に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第1およ
び第2の磁性層の間に、第1および第2の磁性層に対し
て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
膜磁気ヘッドを製造する方法であって、第1の磁性層を
形成する工程と、第1の磁性層の上にギャップ層を形成
する工程と、ギャップ層の上に第2の磁性層を形成する
工程と、薄膜コイルを形成する工程とを含み、第2の磁
性層を形成する工程は、ギャップ層を含む平坦な面に接
すると共に媒体対向面から離れた所定の位置においてギ
ャップ層との間に部分的に空隙部を形成する形状をな
し、空隙部の媒体対向面側の端部によってスロートハイ
トを規定するスロートハイト規定層を形成する工程を含
むものである。A method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention includes a first and a first magnetic layer which are magnetically connected to each other, include magnetic pole portions facing each other on a medium facing surface side facing a recording medium, and each include at least one layer. A second magnetic layer, a gap layer provided between a magnetic pole portion of the first magnetic layer and a magnetic pole portion of the second magnetic layer, and at least a part between the first and second magnetic layers. A method for manufacturing a thin-film magnetic head comprising: a thin-film coil provided in a state insulated from first and second magnetic layers, the method comprising: forming a first magnetic layer; A step of forming a gap layer on the magnetic layer, a step of forming a second magnetic layer on the gap layer, and a step of forming a thin-film coil, wherein the step of forming the second magnetic layer comprises: In contact with the flat surface including the gap layer, Forming a throat height defining layer that has a shape that partially forms a gap with the gap layer at a predetermined position away from the surface, and defines a throat height by an end of the gap on the medium facing surface side Is included.
【0030】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、スロートハイト規定層とギャップ層との間に部
分的に形成される空隙部の媒体対向面側の端部によって
スロートハイトが規定される。スロートハイト規定層を
通ってギャップ層に向かう磁束の流れは、空隙部の媒体
対向面側の端部の近傍すなわちスロートハイトゼロ位置
の近傍で滑らかに変化する。In the thin film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the throat height is defined by the end on the medium facing surface side of the gap formed partially between the throat height defining layer and the gap layer. The flow of the magnetic flux toward the gap layer through the throat height defining layer smoothly changes near the end of the gap on the medium facing surface side, that is, near the throat height zero position.
【0031】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法において、空隙部とスロートハイト規定層との境界面
は曲面をなしていてもよい。In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the boundary between the gap and the throat height defining layer may be curved.
【0032】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第1の磁性層は、薄膜コイルの少な
くとも一部に対向する位置に配置された第1の部分と、
第1の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極
部分を含む第2の部分とを有し、薄膜コイルの少なくと
も一部は、第1の磁性層の第2の部分の側方に配置され
てもよい。この場合、第1の磁性層の第2の部分の側方
に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、その
ギャップ層側の面が第1の磁性層の第2の部分における
ギャップ層側の面と共に平坦化された絶縁層を設けても
よい。また、空隙部の媒体対向面側の端部は、第1の磁
性層の第2の部分の媒体対向面とは反対側の端部よりも
媒体対向面側の位置に配置されてもよい。In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the first magnetic layer includes a first portion disposed at a position facing at least a part of the thin-film coil;
A second portion including a magnetic pole portion, the second portion including a magnetic pole portion, wherein at least a portion of the thin film coil is disposed on a side of the second portion of the first magnetic layer. May be done. In this case, at least a portion of the thin-film coil disposed on the side of the second portion of the first magnetic layer is covered, and the surface of the gap layer on the side of the gap layer in the second portion of the first magnetic layer. May be provided with a flattened insulating layer. The end of the gap on the medium facing surface side may be arranged at a position closer to the medium facing surface than the end of the second portion of the first magnetic layer opposite to the medium facing surface.
【0033】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、スロートハイト規定層は、トラック
幅を規定する部分を含んでいてもよい。In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the throat height defining layer may include a portion defining a track width.
【0034】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、スロートハイト規定層を形成する工程は、ギ
ャップ層の上にめっき用のシード層を形成する工程と、
シード層の上にポジ型のレジスト層を形成する工程と、
スロートハイト規定層をめっき法によって形成するため
のフレームの形状に対応した遮光領域と、空隙部に対応
する位置に設けられ、露光用の光の少なくとも一部を遮
断する空隙部対応領域と、遮光領域および空隙部対応領
域以外の光透過領域とを有するフォトマスクを用いてレ
ジスト層を露光し、その後現像して、シード層の上にフ
レームを形成すると共にシード層の上の空隙部に対応す
る位置にレジスト残存部を形成する工程と、フレームを
用いてめっき法によりスロートハイト規定層を形成する
工程と、フレームおよびレジスト残存部を除去して空隙
部を形成する工程とを含んでいてもよい。In the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, the step of forming the throat height defining layer includes the steps of: forming a seed layer for plating on the gap layer;
Forming a positive resist layer on the seed layer;
A light-shielding region corresponding to the shape of the frame for forming the throat height defining layer by a plating method, a void-corresponding region provided at a position corresponding to the void, and blocking at least a part of light for exposure; The resist layer is exposed using a photomask having a region and a light transmitting region other than the region corresponding to the void, and then developed to form a frame on the seed layer and correspond to the void on the seed layer. The method may include a step of forming a resist remaining portion at a position, a step of forming a throat height defining layer by a plating method using a frame, and a step of removing the frame and the resist remaining portion to form a void portion. .
【0035】[0035]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まず、図3ないし図
11を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図
3ないし図8において、(a)はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、(b)は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, a thin-film magnetic head and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 8, (a) shows a cross section perpendicular to the air bearing surface, and (b) shows a cross section of the magnetic pole portion parallel to the air bearing surface.
【0036】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図3に示したように、例えばアルティ
ック(Al2O3・TiC)よりなる基板1の上に、例え
ばアルミナ(Al2O3)よりなる絶縁層2を、約5μm
の厚みで堆積する。次に、絶縁層2の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層3を、約3μmの厚みに形成する。下部シールド層3
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層2の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば4〜5μmの厚みに形成し、例えばCMP
(化学機械研磨)によって、下部シールド層3が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。In the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present embodiment, first, as shown in FIG. 3, for example, alumina (Al) is formed on a substrate 1 made of AlTiC (Al 2 O 3 .TiC). The insulating layer 2 made of 2 O 3 ) is about 5 μm
Is deposited with a thickness of Next, a magnetic material,
For example, a lower shield layer 3 made of permalloy for a reproducing head is formed to a thickness of about 3 μm. Lower shield layer 3
Is selectively formed on the insulating layer 2 by plating using a photoresist film as a mask, for example. next,
Although not shown, an insulating layer made of, for example, alumina is formed to a thickness of, for example, 4 to 5 μm, and
Polishing is performed by (chemical mechanical polishing) until the lower shield layer 3 is exposed, and the surface is flattened.
【0037】次に、図4に示したように、下部シールド
層3の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜4
を、例えば約20〜40nmの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜4の上に、再生用のMR素子5
を、数十nmの厚みに形成する。MR素子5は、例え
ば、スパッタによって形成したMR膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、MR素子5に
は、AMR素子、GMR素子、あるいはTMR(トンネ
ル磁気抵抗効果)素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜4の上に、MR素子5に電気的に接続される
一対の電極層6を、数十nmの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜4およびMR素子5の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜7を、例えば約2
0〜40nmの厚みに形成し、MR素子5をシールドギ
ャップ膜4,7内に埋設する。シールドギャップ膜4,
7に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)等があ
る。また、シールドギャップ膜4,7は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、化学的気相成長(CVD)法
によって形成してもよい。アルミナ膜よりなるシールド
ギャップ膜4,7をCVD法によって形成する場合に
は、材料としては例えばトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)およびH2Oを用いる。CVD法を用いる
と、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールドギャ
ップ膜4,7を形成することが可能となる。Next, as shown in FIG. 4, on the lower shield layer 3, a lower shield gap film 4 as an insulating film is formed.
Is formed to a thickness of, for example, about 20 to 40 nm. next,
On the lower shield gap film 4, a reproducing MR element 5
Is formed to a thickness of several tens of nm. The MR element 5 is formed, for example, by selectively etching an MR film formed by sputtering. As the MR element 5, an element using a magneto-sensitive film exhibiting a magnetoresistance effect, such as an AMR element, a GMR element, or a TMR (tunnel magnetoresistance effect) element can be used. Next, a pair of electrode layers 6 electrically connected to the MR element 5 are formed on the lower shield gap film 4 to a thickness of several tens of nm. next,
An upper shield gap film 7 as an insulating film is formed on the lower shield gap
The MR element 5 is formed in a thickness of 0 to 40 nm and is buried in the shield gap films 4 and 7. Shield gap film 4,
Examples of the insulating material used for 7 include alumina, aluminum nitride, diamond-like carbon (DLC), and the like. Further, the shield gap films 4 and 7 may be formed by a sputtering method or may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method. When the shield gap films 4 and 7 made of an alumina film are formed by the CVD method, the material is, for example, trimethyl aluminum (Al).
(CH 3 ) 3 ) and H 2 O are used. When the CVD method is used, it is possible to form the thin, dense shield gap films 4 and 7 with few pinholes.
【0038】次に、上部シールドギャップ膜7の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層(以下、下部磁極
層と記す。)8の第1の部分8aを、約1.0〜1.5
μmの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層8
は、この第1の部分8aと、後述する第2の部分8b、
第3の部分8cとで構成される。下部磁極層8の第1の
部分8aは、後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対
向する位置に配置される。Next, on the upper shield gap film 7,
The first portion 8a of the upper shield layer and lower magnetic pole layer (hereinafter, referred to as lower magnetic pole layer) 8 made of a magnetic material and used for both the read head and the write head is approximately 1.0 to 1.5.
It is selectively formed with a thickness of μm. The lower pole layer 8
The first part 8a and the second part 8b described later,
And a third portion 8c. The first portion 8a of the lower magnetic pole layer 8 is arranged at a position facing at least a part of a thin film coil described later.
【0039】次に、下部磁極層8の第1の部分8aの上
に、下部磁極層8の第2の部分8bおよび第3の部分8
cを、約1.5〜2.5μmの厚みに形成する。第2の
部分8bは、下部磁極層8の磁極部分を形成し、第1の
部分8aの薄膜コイルが形成される側(図において上
側)の面に接続される。第3の部分8cは、第1の部分
8aと後述する上部磁極層とを接続するための部分であ
る。Next, the second portion 8b and the third portion 8b of the lower pole layer 8 are placed on the first portion 8a of the lower pole layer 8.
c is formed to a thickness of about 1.5 to 2.5 μm. The second portion 8b forms the magnetic pole portion of the lower magnetic pole layer 8, and is connected to the surface (upper side in the drawing) of the first portion 8a on which the thin film coil is formed. The third portion 8c is a portion for connecting the first portion 8a and an upper magnetic pole layer described later.
【0040】下部磁極層8の第1の部分8a、第2の部
分8bおよび第3の部分8cは、NiFe(Ni:80
重量%,Fe:20重量%)や、高飽和磁束密度材料で
あるNiFe(Ni:45重量%,Fe:55重量%)
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるFeN,FeZrN等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるCoFe,Co系アモルファス
材等を用いてもよい。The first portion 8a, the second portion 8b, and the third portion 8c of the lower magnetic pole layer 8 are made of NiFe (Ni: 80).
Wt%, Fe: 20 wt%) or NiFe which is a high saturation magnetic flux density material (Ni: 45 wt%, Fe: 55 wt%)
Or the like, and may be formed by a sputtering method using a material such as FeN or FeZrN which is a high saturation magnetic flux density material. In addition, CoFe, Co-based amorphous material or the like, which is a high saturation magnetic flux density material, may be used.
【0041】次に、図5に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜9を、約0.3〜0.6μm
の厚みに形成する。Next, as shown in FIG. 5, an insulating film 9 made of, for example, alumina is entirely
Formed to a thickness of
【0042】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレーム
めっき法によって形成するためのフレーム19を形成す
る。次に、このフレーム19を用いて、フレームめっき
法によって、例えば銅(Cu)よりなる薄膜コイル10
を、例えば約1.0〜2.0μmの厚みおよび1.2〜
2.0μmのコイルピッチで形成する。次に、フレーム
19を除去する。なお、図中、符号10aは、薄膜コイ
ル10を、後述する導電層(リード)と接続するための
接続部を示している。Next, the photoresist is patterned by a photolithography process to form a frame 19 for forming a thin film coil by a frame plating method. Next, the thin film coil 10 made of, for example, copper (Cu) is
For example, a thickness of about 1.0 to 2.0 μm and 1.2 to 2.0 μm.
It is formed with a coil pitch of 2.0 μm. Next, the frame 19 is removed. In the drawing, reference numeral 10a indicates a connection portion for connecting the thin-film coil 10 to a conductive layer (lead) described later.
【0043】次に、図6に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層11を、約3〜4μmの厚み
で形成する。次に、例えばCMPによって、下部磁極層
8の第2の部分8bおよび第3の部分8cが露出するま
で、絶縁層11を研磨して、表面を平坦化処理する。こ
こで、図6では、薄膜コイル10は露出していないが、
薄膜コイル10が露出するようにしてもよい。Next, as shown in FIG. 6, an insulating layer 11 made of, for example, alumina is formed with a thickness of about 3 to 4 μm on the whole. Next, the insulating layer 11 is polished by, for example, CMP until the second portion 8b and the third portion 8c of the lower magnetic pole layer 8 are exposed, and the surface is flattened. Here, in FIG. 6, the thin film coil 10 is not exposed,
The thin-film coil 10 may be exposed.
【0044】次に、露出した下部磁極層8の第2の部分
8bおよび第3の部分8cと絶縁層11の上に、絶縁材
料よりなる記録ギャップ層12を、例えば0.2〜0.
3μmの厚みに形成する。記録ギャップ層12に使用す
る絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材
料、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)等がある。
また、記録ギャップ層12は、スパッタ法によって形成
してもよいし、CVD法によって形成してもよい。アル
ミナ膜よりなる記録ギャップ層12をCVD法によって
形成する場合には、材料としては例えばトリメチルアル
ミニウム(Al(CH3)3)およびH2Oを用いる。C
VD法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少な
い記録ギャップ層12を形成することが可能となる。Next, on the exposed second and third portions 8b and 8c of the lower magnetic pole layer 8 and the insulating layer 11, a recording gap layer 12 made of an insulating material, for example, 0.2 to 0.
It is formed to a thickness of 3 μm. Generally, the insulating material used for the recording gap layer 12 includes alumina, aluminum nitride, silicon oxide-based material, silicon nitride-based material, diamond-like carbon (DLC), and the like.
Further, the recording gap layer 12 may be formed by a sputtering method or a CVD method. When the recording gap layer 12 made of an alumina film is formed by the CVD method, for example, trimethyl aluminum (Al (CH 3 ) 3 ) and H 2 O are used as materials. C
The use of the VD method makes it possible to form a thin, dense recording gap layer 12 with few pinholes.
【0045】次に、磁路形成のために、下部磁極層8の
第3の部分8cの上において、記録ギャップ層12を部
分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。ま
た、薄膜コイル10の接続部10aの上の部分におい
て、記録ギャップ層12および絶縁層11を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。Next, in order to form a magnetic path, a contact hole is formed by partially etching the recording gap layer 12 on the third portion 8c of the lower magnetic pole layer 8. In the portion above the connection portion 10a of the thin film coil 10, the recording gap layer 12 and the insulating layer 11 are partially etched to form a contact hole.
【0046】次に、図7に示したように、記録ギャップ
層12の上において、エアベアリング面(媒体対向面)
30から下部磁極層8の第3の部分8cの上の部分にか
けて上部磁極層13を約2.0〜3.0μmの厚みに形
成すると共に、薄膜コイル10の接続部10aに接続さ
れるように導電層21を約2.0〜3.0μmの厚みに
形成する。上部磁極層13は、下部磁極層8の第3の部
分8cの上の部分に形成されたコンタクトホールを介し
て、下部磁極層8の第3の部分8cに接続され、磁気的
に連結されている。Next, as shown in FIG. 7, on the recording gap layer 12, an air bearing surface (a medium facing surface) is formed.
The upper pole layer 13 is formed to have a thickness of about 2.0 to 3.0 μm from 30 to a portion above the third portion 8 c of the lower pole layer 8, and is connected to the connection portion 10 a of the thin-film coil 10. The conductive layer 21 is formed to a thickness of about 2.0 to 3.0 μm. The upper magnetic pole layer 13 is connected to and magnetically coupled to the third portion 8c of the lower magnetic pole layer 8 through a contact hole formed in a portion above the third portion 8c of the lower magnetic pole layer 8. I have.
【0047】上部磁極層13は、NiFe(Ni:80
重量%,Fe:20重量%)や、高飽和磁束密度材料で
あるNiFe(Ni:45重量%,Fe:55重量%)
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるFeN,FeZrN等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるCoFe,Co系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
上部磁極層13を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁
性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。The upper magnetic pole layer 13 is made of NiFe (Ni: 80).
Wt%, Fe: 20 wt%) or NiFe which is a high saturation magnetic flux density material (Ni: 45 wt%, Fe: 55 wt%)
Or the like, and may be formed by a sputtering method using a material such as FeN or FeZrN which is a high saturation magnetic flux density material. In addition, CoFe, Co-based amorphous material or the like, which is a high saturation magnetic flux density material, may be used. Also, to improve high frequency characteristics,
The upper magnetic pole layer 13 may have a structure in which an inorganic insulating film and a magnetic layer such as permalloy are stacked in any number of layers.
【0048】本実施の形態では、上部磁極層13は、平
坦な記録ギャップ層12の上面に接している。また、上
部磁極層13は、エアベアリング面30から離れた所定
の位置において記録ギャップ層12との間に部分的に空
隙部60を形成する形状をなし、この空隙部60のエア
ベアリング面30側の端部によってスロートハイトを規
定するようになっている。空隙部60と上部磁極層13
との境界面は曲面をなしている。より詳しく説明する
と、空隙部60と上部磁極層13との境界面は、エアベ
アリング面30に平行で且つ記録ギャップ層12に平行
な軸を中心とした円筒面の一部をなすような形状となっ
ている。In this embodiment, the upper magnetic pole layer 13 is in contact with the upper surface of the flat recording gap layer 12. The upper magnetic pole layer 13 has a shape in which a gap 60 is partially formed between the upper magnetic pole layer 13 and the recording gap layer 12 at a predetermined position away from the air bearing surface 30. The throat height is defined by the end of the. Void 60 and upper pole layer 13
Is a curved surface. More specifically, the boundary surface between the air gap 60 and the upper magnetic pole layer 13 has a shape that forms a part of a cylindrical surface centered on an axis parallel to the air bearing surface 30 and parallel to the recording gap layer 12. Has become.
【0049】また、空隙部60のエアベアリング面30
側の端部は、下部磁極層8の第2の部分8bのエアベア
リング面30とは反対側の端部よりもエアベアリング面
30側の位置に配置されている。また、空隙部60のエ
アベアリング面30とは反対側の端部は、下部磁極層8
の第2の部分8bのエアベアリング面30とは反対側の
端部よりもエアベアリング面30から離れた位置に配置
されている。すなわち、空隙部60は、下部磁極層8の
第2の部分8bのエアベアリング面30とは反対側の端
部の位置を跨ぐように配置されている。The air bearing surface 30 of the gap 60
The end on the side is located closer to the air bearing surface 30 than the end of the second portion 8b of the lower magnetic pole layer 8 opposite to the air bearing surface 30. The end of the gap 60 on the side opposite to the air bearing surface 30 is provided with the lower magnetic pole layer 8.
The second portion 8b is located at a position farther from the air bearing surface 30 than the end opposite to the air bearing surface 30. That is, the gap 60 is arranged so as to straddle the position of the end of the second portion 8b of the lower pole layer 8 opposite to the air bearing surface 30.
【0050】なお、上部磁極層13と空隙部60の形成
方法については、後で詳しく説明する。The method for forming the upper magnetic pole layer 13 and the gap 60 will be described later in detail.
【0051】次に、上部磁極層13をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層12を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、BCl2,Cl2等の塩素系ガスや、CF4,SF6
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング(RIE)が用いられる。次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層8の第2の部分8b
を選択的に約0.3〜0.6μm程度エッチングして、
図7(b)に示したようなトリム構造とする。このトリ
ム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁
束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止する
ことができる。Next, using the upper pole layer 13 as a mask, the recording gap layer 12 is selectively etched by dry etching. For the dry etching at this time, for example, a chlorine-based gas such as BCl 2 or Cl 2 or CF 4 or SF 6
And reactive ion etching (RIE) using a gas such as a fluorine-based gas. Next, the second portion 8b of the lower magnetic pole layer 8 is formed by, for example, argon ion milling.
Is selectively etched by about 0.3 to 0.6 μm,
The trim structure is as shown in FIG. According to this trim structure, it is possible to prevent the effective track width from increasing due to the spread of the magnetic flux generated when writing in a narrow track.
【0052】次に、図8に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるオーバーコート層17を、20〜4
0μmの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上
に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記
各層を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドお
よび再生ヘッドのエアベアリング面30を形成して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。Next, as shown in FIG. 8, an overcoat layer 17 made of, for example, alumina
It is formed to a thickness of 0 μm, its surface is flattened, and an electrode pad (not shown) is formed thereon. Finally, the slider including the above layers is polished to form the air bearing surfaces 30 of the recording head and the reproducing head, thereby completing the thin-film magnetic head according to the present embodiment.
【0053】本実施の形態では、第1の部分8a、第2
の部分8bおよび第3の部分8cよりなる下部磁極層8
が、本発明における第1の磁性層に対応し、上部磁極層
13が、本発明における第2の磁性層に対応する。本実
施の形態では、上部磁極層13は1つの層からなり、こ
の上部磁極層13は本発明におけるスロートハイト規定
層にも対応する。In this embodiment, the first portion 8a and the second
Magnetic pole layer 8 composed of a portion 8b and a third portion 8c
Corresponds to the first magnetic layer in the present invention, and the upper magnetic pole layer 13 corresponds to the second magnetic layer in the present invention. In the present embodiment, the upper magnetic pole layer 13 is composed of one layer, and the upper magnetic pole layer 13 also corresponds to the throat height defining layer in the present invention.
【0054】図9は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図(図9において上側に配
置された図)と断面図(図9において下側に配置された
図)とを対応付けて示す説明図である。なお、図9中の
平面図では、オーバーコート層17や、その他の絶縁層
および絶縁膜を省略している。図9において、符号TH
はスロートハイトを表し、TH0はスロートハイトゼロ
位置を表し、MR−HはMRハイトを表している。FIG. 9 is a plan view (a diagram arranged on the upper side in FIG. 9) and a sectional view (a diagram arranged on the lower side in FIG. 9) of a main part of the thin-film magnetic head according to the present embodiment. FIG. In the plan view in FIG. 9, the overcoat layer 17, other insulating layers and insulating films are omitted. In FIG. 9, the symbol TH
Represents the throat height, TH0 represents the throat height zero position, and MR-H represents the MR height.
【0055】図9に示したように、上部磁極層13は、
エアベアリング面30側から順に配置された第1の部分
13Aと第2の部分13Bとを有している。第1の部分
13Aの幅は記録トラック幅に等しく、第2の部分13
Bの幅は第1の部分13Aの幅よりも大きくなってい
る。第2の部分13Bの幅は、エアベアリング面30に
近づく従って徐々に小さくなっている。また、上部磁極
層13において、第1の部分13Aの幅方向の端縁と第
2の部分13Bの幅方向の端縁とを結ぶ端縁は、エアベ
アリング面30に平行になっている。上部磁極層13に
おいて、第1の部分13Aと第2の部分13Bとの境界
の位置は、スロートハイトゼロ位置TH0よりも、エア
ベアリング面30から離れた位置に配置されている。As shown in FIG. 9, the upper magnetic pole layer 13
It has a first portion 13A and a second portion 13B arranged in order from the air bearing surface 30 side. The width of the first portion 13A is equal to the recording track width, and
The width of B is larger than the width of the first portion 13A. The width of the second portion 13B gradually decreases as approaching the air bearing surface 30. In the upper magnetic pole layer 13, an edge connecting the widthwise edge of the first portion 13 </ b> A and the widthwise edge of the second portion 13 </ b> B is parallel to the air bearing surface 30. In the upper magnetic pole layer 13, the position of the boundary between the first portion 13A and the second portion 13B is arranged at a position farther from the air bearing surface 30 than the throat height zero position TH0.
【0056】図10は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける下部シールド層3から下部磁極層8の第2
の部分8b、絶縁膜9および薄膜コイル10までの部分
を、一部切り欠いて示す斜視図である。図10におい
て、符号8Bは、トリム構造とするために下部磁極層8
の第2の部分8bがエッチングされている部分を表して
いる。FIG. 10 is a sectional view of the lower shield layer 3 to the lower pole layer 8 of the thin-film magnetic head according to the present embodiment.
2 is a perspective view showing a part 8b, an insulating film 9 and a part up to the thin film coil 10 with a part cut away. In FIG. 10, reference numeral 8B denotes a lower magnetic pole layer 8 for forming a trim structure.
Represents a portion where the second portion 8b is etched.
【0057】図11は、図10に示した部分に更に記録
ギャップ層12および上部磁極層13を加えた部分を、
一部切り欠いて示す斜視図である。FIG. 11 shows a portion obtained by adding the recording gap layer 12 and the upper magnetic pole layer 13 to the portion shown in FIG.
It is a perspective view which cuts out and shows a part.
【0058】次に、図1および図2を参照して、本実施
の形態における上部磁極層13と空隙部60の形成方法
について詳しく説明する。Next, with reference to FIGS. 1 and 2, a method of forming the upper magnetic pole layer 13 and the gap 60 in this embodiment will be described in detail.
【0059】この形成方法では、まず、図1に示したよ
うに、記録ギャップ層12の上にめっき用のシード層
(電極膜)51を形成する。次に、このシード層51の
上にポジ型のレジスト層を形成する。次に、フォトマス
ク52を用いてレジスト層を露光する。フォトマスク5
2は、上部磁極層13をフレームめっき法によって形成
するためのレジストフレームの形状に対応した遮光領域
52aと、形成しようとする空隙部60に対応する位置
に設けられ、露光用の光の少なくとも一部を遮断する空
隙部対応領域52bと、遮光領域52aおよび空隙部対
応領域52b以外の光透過領域52cとを有している。
空隙部対応領域52bは、露光用の光を完全に遮断する
ものでもよいし、露光用の光の一部を遮断し残りを透過
させる(例えば透過率80%)ものでもよい。In this forming method, first, a seed layer (electrode film) 51 for plating is formed on the recording gap layer 12 as shown in FIG. Next, a positive resist layer is formed on the seed layer 51. Next, the resist layer is exposed using the photomask 52. Photo mask 5
Reference numeral 2 denotes a light-shielding region 52a corresponding to the shape of a resist frame for forming the upper magnetic pole layer 13 by the frame plating method, and a position corresponding to the gap 60 to be formed. It has a gap corresponding region 52b for blocking the portion, and a light transmitting region 52c other than the light shielding region 52a and the gap corresponding region 52b.
The gap corresponding region 52b may completely block the light for exposure, or may block a part of the light for exposure and transmit the rest (for example, transmittance of 80%).
【0060】フォトマスク52を用いてレジスト層を露
光した後は、現像して、シード層51の上にレジストフ
レーム53を形成すると共に、レジストフレーム53の
トレンチ部54の底部において、シード層51の上の空
隙部に対応する位置にレジスト残存部55を形成する。
なお、レジスト残存部55は、フォトマスク52の空隙
部対応領域52bによって露光用の光の少なくとも一部
が遮断されるため、感光しないレジストが現像後に残る
ことによって形成される。After exposing the resist layer using the photomask 52, the resist layer 53 is developed to form a resist frame 53 on the seed layer 51, and at the bottom of the trench portion 54 of the resist frame 53, the resist layer 53 is exposed. A resist remaining portion 55 is formed at a position corresponding to the upper gap.
Note that the resist remaining portion 55 is formed by the non-photosensitive resist remaining after development because at least a part of the exposure light is blocked by the gap corresponding region 52b of the photomask 52.
【0061】レジスト残存部55は、そのエアベアリン
グ面側の端部がスロートハイトゼロ位置TH0に配置さ
れるように形成する。レジスト残存部55の大きさは、
例えば、エアベアリング面に垂直な方向の長さが0.3
〜3μmで、高さが0.1〜1μmとなるようにする。The resist remaining portion 55 is formed such that the end on the air bearing surface side is located at the throat height zero position TH0. The size of the remaining resist portion 55 is
For example, the length in the direction perpendicular to the air bearing surface is 0.3
33 μm and the height is 0.1-1 μm.
【0062】次に、図2に示したように、レジストフレ
ーム53を用いてフレームめっき法により上部磁極層1
3を形成する。その際、レジスト残存部55の上にはシ
ード層は形成されていない。しかし、上部磁極層13を
形成するめっき膜の厚みは、レジスト残存部55の高さ
よりも大きく、且つレジスト残存部55のエアベアリン
グ面に垂直な方向の長さの2分の1よりも大きい。従っ
て、めっき層がレジスト残存部55の上にオーバーハン
グすることにより、レジスト残存部55の上にもめっき
層が形成され、レジスト残存部55の前後で連続した上
部磁極層13が得られる。Next, as shown in FIG. 2, the upper magnetic pole layer 1 is formed by frame plating using a resist frame 53.
Form 3 At this time, no seed layer is formed on the remaining resist portion 55. However, the thickness of the plating film forming the upper magnetic pole layer 13 is larger than the height of the resist remaining portion 55 and is larger than half the length of the resist remaining portion 55 in the direction perpendicular to the air bearing surface. Therefore, when the plating layer overhangs on the remaining resist portion 55, a plating layer is also formed on the remaining resist portion 55, and the upper magnetic pole layer 13 continuous before and after the remaining resist portion 55 is obtained.
【0063】次に、レジストフレーム53およびレジス
ト残存部55とこれらの下に存在するシード層51とを
除去して空隙部60を形成する。シード層51をウェッ
トエッチングによって除去する場合には、空隙部60の
下にシード層51が残ることなくシード層51を除去す
ることができる。シード層51をドライエッチングによ
って除去する場合には、空隙部60の下にシード層51
が一部残る場合があるが、これは電磁変換特性にはほと
んど影響しない。Next, the gap 60 is formed by removing the resist frame 53, the resist remaining portion 55, and the seed layer 51 existing thereunder. When the seed layer 51 is removed by wet etching, the seed layer 51 can be removed without leaving the seed layer 51 under the gap 60. When the seed layer 51 is removed by dry etching, the seed layer 51
May remain, but this hardly affects the electromagnetic conversion characteristics.
【0064】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、MR素子5と、記録媒体に対向す
る側の一部がMR素子5を挟んで対向するように配置さ
れた、MR素子5をシールドするための下部シールド層
3および上部シールド層(下部磁極層8)とを有してい
る。As described above, the thin-film magnetic head according to the present embodiment has a read head and a write head. The reproducing head has a lower shield layer 3 and an upper shield layer (for shielding the MR element 5) which are arranged so that a part of the side facing the recording medium faces the recording medium with the MR element 5 interposed therebetween. A lower magnetic pole layer 8).
【0065】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
記録媒体に対向する側において互いに対向する磁極部分
を含み、それぞれ少なくとも1つの層を含む下部磁極層
8(第1の部分8a、第2の部分8bおよび第3の部分
8c)および上部磁極層13と、この下部磁極層8の磁
極部分と上部磁極層13の磁極部分との間に設けられた
記録ギャップ層12と、少なくとも一部が下部磁極層8
および上部磁極層13の間に、これらに対して絶縁され
た状態で配設された薄膜コイル10とを有している。The recording heads are magnetically connected to each other,
A lower pole layer 8 (first portion 8a, second portion 8b, and third portion 8c) and an upper pole layer 13 each including at least one layer on the side facing the recording medium. A write gap layer 12 provided between the magnetic pole portion of the lower magnetic pole layer 8 and the magnetic pole portion of the upper magnetic pole layer 13;
And a thin film coil 10 disposed between the upper magnetic pole layer 13 and the upper magnetic pole layer 13 in a state insulated therefrom.
【0066】本実施の形態では、下部磁極層8は、薄膜
コイル10の少なくとも一部に対向する位置に配置され
た第1の部分8aと、この第1の部分8aにおける薄膜
コイル10側(図8(a)において上側)の面に接続さ
れ、磁極部分を形成する第2の部分8bとを有し、薄膜
コイル10は、下部磁極層8の第2の部分8bの側方
(図8(a)において右側)に配置されている。In the present embodiment, the lower magnetic pole layer 8 includes a first portion 8a arranged at a position facing at least a part of the thin film coil 10, and a first portion 8a on the side of the thin film coil 10 (see FIG. 8 (a), and a second portion 8b forming a magnetic pole portion, and the thin-film coil 10 is provided on the side of the second portion 8b of the lower magnetic pole layer 8 (see FIG. a)).
【0067】本実施の形態では、上部磁極層13は、平
坦な記録ギャップ層12の上面に形成されている。ま
た、上部磁極層13は、エアベアリング面30から離れ
た所定の位置において記録ギャップ層12との間に部分
的に空隙部60を形成する形状をなし、この空隙部60
のエアベアリング面30側の端部によってスロートハイ
トを規定している。In this embodiment, the upper magnetic pole layer 13 is formed on the upper surface of the flat recording gap layer 12. The upper magnetic pole layer 13 has a shape that partially forms a gap 60 with the recording gap layer 12 at a predetermined position away from the air bearing surface 30.
The throat height is defined by the end on the air bearing surface 30 side.
【0068】本実施の形態によれば、薄膜コイル10を
下部磁極層8の第1の部分8aの上であって第2の部分
8bの側方に配置し、薄膜コイル10を覆う絶縁層11
の上面を下部磁極層8の第2の部分8bの上面と共に平
坦化したので、記録トラック幅を規定する第1の部分1
3Aを有する上部磁極層13を平坦な面の上に形成する
ことができる。そのため、本実施の形態によれば、記録
トラック幅を例えばハーフミクロン寸法やクォータミク
ロン寸法にも小さくしても、上部磁極層13を精度よく
形成することができ、記録トラック幅を正確に制御する
ことが可能になる。According to the present embodiment, the thin-film coil 10 is arranged on the first portion 8a of the lower magnetic pole layer 8 and beside the second portion 8b, and the insulating layer 11 covering the thin-film coil 10 is provided.
Is flattened together with the upper surface of the second portion 8b of the lower pole layer 8, so that the first portion 1 that defines the recording track width is formed.
The upper magnetic pole layer 13 having 3A can be formed on a flat surface. Therefore, according to the present embodiment, even when the recording track width is reduced to, for example, a half-micron dimension or a quarter-micron dimension, the upper magnetic pole layer 13 can be formed with high accuracy, and the recording track width is accurately controlled. It becomes possible.
【0069】また、本実施の形態では、上部磁極層13
と記録ギャップ層12との間に空隙部60を形成し、こ
の空隙部60のエアベアリング面30側の端部によって
スロートハイトを規定するようにしたので、上部磁極層
13を通って記録ギャップ層12に向かう磁束は、空隙
部60によって一旦絞られた後、記録ギャップ層12に
向かうように流れる。従って、本実施の形態によれば、
上部磁極層13を通って記録ギャップ層12に向かう磁
束の流れを、空隙部60のエアベアリング面30側の端
部の近傍、すなわちスロートハイトゼロ位置TH0の近
傍で滑らかに変化させることができる。その結果、本実
施の形態によれば、記録ヘッドの電磁変換特性、例えば
オーバーライト特性やNLTSを向上させることができ
る。In this embodiment, the upper pole layer 13
A gap 60 is formed between the gap 60 and the recording gap layer 12, and the throat height is defined by the end of the gap 60 on the air bearing surface 30 side. The magnetic flux heading toward the recording gap layer 12 flows once toward the recording gap layer 12 after being once narrowed down by the gap 60. Therefore, according to the present embodiment,
The flow of magnetic flux toward the recording gap layer 12 through the upper magnetic pole layer 13 can be smoothly changed near the end of the air gap 60 on the air bearing surface 30 side, that is, near the throat height zero position TH0. As a result, according to the present embodiment, the electromagnetic conversion characteristics of the recording head, for example, the overwrite characteristics and the NLTS can be improved.
【0070】また、本実施の形態によれば、空隙部60
と上部磁極層13との境界面を曲面としたので、磁束の
流れをより滑らかに変化させることができる。According to the present embodiment, the gap 60
Since the boundary surface between the magnetic pole and the upper magnetic pole layer 13 is a curved surface, the flow of magnetic flux can be changed more smoothly.
【0071】また、本実施の形態では、空隙部60のエ
アベアリング面30側の端部を、下部磁極層8の第2の
部分8bのエアベアリング面30とは反対側の端部より
もエアベアリング面30側の位置に配置している。従っ
て、本実施の形態によれば、空隙部60のエアベアリン
グ面30側の端部の位置、すなわちスロートハイトゼロ
位置TH0よりもエアベアリング面30とは反対側にお
いて、下部磁極層8の第2の部分8bと上部磁極層13
との間隔が急激に大きくなることを防止して、電磁変換
特性を向上させることができる。なお、電磁変換特性を
向上させることに関しては、空隙部60は、下部磁極層
8の第2の部分8bのエアベアリング面30とは反対側
の端部の位置を跨ぐように配置するのが好ましい。In the present embodiment, the end of the air gap 60 on the air bearing surface 30 side is more air than the end of the second portion 8 b of the lower magnetic pole layer 8 on the side opposite to the air bearing surface 30. It is arranged at a position on the bearing surface 30 side. Therefore, according to the present embodiment, at the position of the end of the air gap 60 on the air bearing surface 30 side, that is, at the side opposite to the air bearing surface 30 with respect to the throat height zero position TH0, the second magnetic pole layer 8 8b and upper pole layer 13
Can be prevented from increasing sharply, and the electromagnetic conversion characteristics can be improved. In order to improve the electromagnetic conversion characteristics, it is preferable that the gap portion 60 be disposed so as to straddle the position of the end of the second portion 8b of the lower magnetic pole layer 8 on the side opposite to the air bearing surface 30. .
【0072】また、本実施の形態によれば、フレームめ
っき法によって上部磁極層13を形成すると共に、その
際にレジスト残存部55を形成し、このレジスト残存部
55を用いて空隙部60を形成するようにしたので、容
易に空隙部60を形成することができる。Further, according to the present embodiment, the upper magnetic pole layer 13 is formed by the frame plating method, the resist remaining portion 55 is formed at that time, and the void portion 60 is formed by using the resist remaining portion 55. As a result, the gap 60 can be easily formed.
【0073】また、本実施の形態では、薄膜コイル10
を下部磁極層8の第2の部分8bの側方に配置し、平坦
な絶縁膜9の上に形成している。そのため、本実施の形
態によれば、薄膜コイル10を微細に精度よく形成する
ことが可能になる。更に、本実施の形態によれば、エイ
ペックス部が存在しないので、下部磁極層8の第2の部
分8bのエアベアリング面30とは反対側の端部の近く
に薄膜コイル10の端部を配置することができる。これ
らのことから、本実施の形態によれば、磁路長の縮小が
可能になる。In this embodiment, the thin film coil 10
Is formed on the side of the second portion 8b of the lower magnetic pole layer 8, and is formed on the flat insulating film 9. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to form the thin-film coil 10 finely and precisely. Further, according to the present embodiment, since the apex portion does not exist, the end of the thin-film coil 10 is located near the end of the second portion 8b of the lower magnetic pole layer 8 opposite to the air bearing surface 30. Can be arranged. From these facts, according to the present embodiment, the magnetic path length can be reduced.
【0074】また、本実施の形態によれば、磁路長の縮
小が可能となることから、巻き数を変えることなく薄膜
コイル10の全長を大幅に短くすることができる。これ
により、薄膜コイル10の抵抗を小さくすることができ
るので、その分、薄膜コイル10の厚みを小さくするこ
とが可能となる。Further, according to the present embodiment, since the magnetic path length can be reduced, the total length of the thin-film coil 10 can be greatly reduced without changing the number of turns. As a result, the resistance of the thin-film coil 10 can be reduced, and accordingly, the thickness of the thin-film coil 10 can be reduced.
【0075】また、本実施の形態では、下部磁極層8の
第1の部分8aと薄膜コイル10の間に、薄く且つ十分
な絶縁耐圧が得られる無機材料よりなる絶縁膜9が設け
られるので、下部磁極層8の第1の部分8aと薄膜コイ
ル10との間に大きな絶縁耐圧を得ることができる。In the present embodiment, since the insulating film 9 made of an inorganic material that is thin and has a sufficient withstand voltage is provided between the first portion 8a of the lower magnetic pole layer 8 and the thin-film coil 10, A large withstand voltage can be obtained between the first portion 8 a of the lower magnetic pole layer 8 and the thin-film coil 10.
【0076】また、本実施の形態では、薄膜コイル10
を無機絶縁材料よりなる絶縁層11で覆ったので、薄膜
磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル10の周辺で発生す
る熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側に突出す
ることを防止することができる。In this embodiment, the thin film coil 10
Is covered with the insulating layer 11 made of an inorganic insulating material, so that the magnetic pole portion can be prevented from protruding toward the recording medium due to expansion due to heat generated around the thin film coil 10 during use of the thin film magnetic head. .
【0077】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記実施の形態
では、上部磁極層13を1つの層で構成したが、上部磁
極層13を、複数の層で構成してもよい。この場合に
は、磁極部分を含む層が本発明におけるスロートハイト
規定層に対応する。The present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made. For example, in the above-described embodiment, the upper magnetic pole layer 13 is constituted by one layer, but the upper magnetic pole layer 13 may be constituted by a plurality of layers. In this case, the layer including the magnetic pole portion corresponds to the throat height defining layer in the present invention.
【0078】また、上記実施の形態では、基体側に読み
取り用のMR素子を形成し、その上に、書き込み用の誘
導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。In the above-described embodiment, a thin-film magnetic head having a structure in which a reading MR element is formed on the substrate side and an inductive electromagnetic transducer for writing is stacked thereon has been described. The order may be reversed.
【0079】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のMR素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型電磁変換素
子の上部磁極層とMR素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。That is, an inductive electromagnetic transducer for writing may be formed on the substrate side, and an MR element for reading may be formed thereon. In such a structure, for example, the magnetic film having the function of the upper magnetic pole layer shown in the above-described embodiment is formed on the substrate side as a lower magnetic pole layer, and the magnetic film having the above-described structure is opposed to the magnetic pole layer via a recording gap film. It can be realized by forming the magnetic film having the function of the lower magnetic pole layer shown in the embodiment as the upper magnetic pole layer. In this case, it is preferable to use the upper magnetic pole layer of the induction type electromagnetic transducer and the lower shield layer of the MR element together.
【0080】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。The present invention can also be applied to a thin-film magnetic head exclusively for recording provided with only an inductive electromagnetic transducer, and a thin-film magnetic head which performs recording and reproduction by using an inductive electromagnetic transducer.
【0081】[0081]
【発明の効果】以上説明したように請求項1ないし6の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項7ないし
13のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、ギャップ層を含む平坦な面に接するようにスロー
トハイト規定層を形成するようにしたので、磁極部分を
精度よく形成することが可能となると共に、スロートハ
イト規定層とギャップ層との間に部分的に形成される空
隙部の媒体対向面側の端部によってスロートハイトを規
定するようにしたので、スロートハイト規定層を通って
ギャップ層に向かう磁束の流れを空隙部の媒体対向面側
の端部の近傍で滑らかに変化させることができ、その結
果、電磁変換特性を向上させることができるという効果
を奏する。As described above, according to the method of manufacturing a thin film magnetic head according to any one of claims 1 to 6 or the method of manufacturing a thin film magnetic head according to any one of claims 7 to 13, a gap layer is included. Since the throat height defining layer is formed so as to be in contact with the flat surface, the magnetic pole portion can be formed with high accuracy, and is partially formed between the throat height defining layer and the gap layer. Since the throat height is defined by the end of the gap on the medium facing surface side, the flow of magnetic flux toward the gap layer through the throat height defining layer is smoothed near the end of the gap on the medium facing surface side. , And as a result, there is an effect that the electromagnetic conversion characteristics can be improved.
【0082】また、請求項2記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
空隙部とスロートハイト規定層との境界面を曲面とした
ので、磁束の流れをより滑らかに変化させることができ
るという効果を奏する。Further, according to the method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 2 or the method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 8,
Since the boundary surface between the air gap and the throat height defining layer is a curved surface, the flow of the magnetic flux can be more smoothly changed.
【0083】また、請求項5記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項11記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第1の磁性層が、薄膜コイルの少なくとも一部に対
向する位置に配置された第1の部分と、第1の部分にお
ける薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を含む第2
の部分とを有するようにし、薄膜コイルの少なくとも一
部を、第1の磁性層の第2の部分の側方に配置し、空隙
部の媒体対向面側の端部を、第1の磁性層の第2の部分
の媒体対向面とは反対側の端部よりも媒体対向面側の位
置に配置したので、空隙部の媒体対向面側の端部の位置
よりも媒体対向面とは反対側において第1の磁性層と第
2の磁性層との間隔が急激に大きくなることを防止し
て、電磁変換特性を向上させることができるという効果
を奏する。According to the thin film magnetic head of the fifth aspect or the method of manufacturing a thin film magnetic head of the eleventh aspect, the first magnetic layer is disposed at a position facing at least a part of the thin film coil. A first portion connected to a surface of the first portion on the thin film coil side, the second portion including a magnetic pole portion;
At least a portion of the thin-film coil is disposed on the side of the second portion of the first magnetic layer, and the end of the gap on the medium facing surface side is placed on the first magnetic layer. Since the second portion is disposed at a position closer to the medium facing surface than an end of the second portion opposite to the medium facing surface, the second portion is located on a side opposite to the medium facing surface than a position of an end of the gap on the medium facing surface side. In this case, it is possible to prevent an abrupt increase in the distance between the first magnetic layer and the second magnetic layer, thereby improving the electromagnetic conversion characteristics.
【0084】また、請求項6記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項12記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、スロートハイト規定層がトラック幅を規定する部分
を含むようにしたので、トラック幅を正確に制御するこ
とが可能になるという効果を奏する。According to the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the sixth aspect or the thin film magnetic head of the twelfth aspect, the throat height defining layer includes a portion defining the track width. This has the effect of enabling accurate control.
【0085】また、請求項13記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、レジスト残存部を用いて空隙部を形
成するようにしたので、容易に空隙部を形成することが
できるという効果を奏する。According to the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the thirteenth aspect, since the gap is formed by using the remaining resist, there is an effect that the gap can be easily formed. .
【図1】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに
おける上部磁極層と空隙部の形成方法を説明するための
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view for explaining a method of forming an upper pole layer and a gap in a thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに
おける上部磁極層と空隙部の形成方法を説明するための
斜視図である。FIG. 2 is a perspective view for explaining a method of forming an upper pole layer and a gap in the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention.
【図3】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法における一工程を説明するための断面図であ
る。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining one step in the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention.
【図4】図3に続く工程を説明するための断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 3;
【図5】図4に続く工程を説明するための断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 4;
【図6】図5に続く工程を説明するための断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 5;
【図7】図6に続く工程を説明するための断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 6;
【図8】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention.
【図9】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
主要部分についての平面図と断面図とを対応付けて示す
説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a plan view and a cross-sectional view of a main part of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention in association with each other.
【図10】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の主要部を一部切り欠いて示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a main part of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention, with a part cut away.
【図11】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の主要部を一部切り欠いて示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a main part of the thin-film magnetic head according to one embodiment of the present invention, with a part cut away.
【図12】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining one step in a conventional method of manufacturing a thin-film magnetic head.
【図13】図12に続く工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 12;
【図14】図13に続く工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 14 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 13;
【図15】図14に続く工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 15 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 14;
【図16】従来の磁気ヘッドの平面図である。FIG. 16 is a plan view of a conventional magnetic head.
1…基板、2…絶縁層、3…下部シールド層、5…MR
素子、8…下部磁極層、8a…第1の部分、8b…第2
の部分、8c…第3の部分、10…薄膜コイル、11…
絶縁層、12…記録ギャップ層、13…上部磁極層、1
7……オーバーコート層、60…空隙部。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Insulating layer, 3 ... Lower shield layer, 5 ... MR
Element 8, lower magnetic pole layer, 8a first part, 8b second
, 8c: third part, 10: thin-film coil, 11 ...
Insulating layer, 12: recording gap layer, 13: upper magnetic pole layer, 1
7 ... overcoat layer, 60 ... voids.
Claims (13)
向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
含み、それぞれ少なくとも1つの層を含む第1および第
2の磁性層と、 前記第1の磁性層の磁極部分と前記第2の磁性層の磁極
部分との間に設けられたギャップ層と、 少なくとも一部が前記第1および第2の磁性層の間に、
前記第1および第2の磁性層に対して絶縁された状態で
設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであっ
て、 前記第2の磁性層は、前記ギャップ層を含む平坦な面に
接すると共に媒体対向面から離れた所定の位置において
前記ギャップ層との間に部分的に空隙部を形成する形状
をなし、前記空隙部の媒体対向面側の端部によってスロ
ートハイトを規定するスロートハイト規定層を有するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。A first and a second magnetic layer magnetically coupled to each other and including magnetic pole portions facing each other on a medium facing surface side facing a recording medium, each including at least one layer; A gap layer provided between the magnetic pole portion of the magnetic layer and the magnetic pole portion of the second magnetic layer, at least a part of which is between the first and second magnetic layers;
A thin-film coil provided in a state insulated from the first and second magnetic layers, wherein the second magnetic layer is formed on a flat surface including the gap layer. A throat height having a shape that partially forms a gap between the gap layer at a predetermined position in contact with and away from the medium facing surface, and defining a throat height by an end of the gap on the medium facing surface side; A thin-film magnetic head having a definition layer.
との境界面は曲面をなすことを特徴とする請求項1記載
の薄膜磁気ヘッド。2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein a boundary surface between the gap and the throat height defining layer forms a curved surface.
少なくとも一部に対向する位置に配置された第1の部分
と、前記第1の部分における前記薄膜コイル側の面に接
続され、磁極部分を含む第2の部分とを有し、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第1の磁性層
の前記第2の部分の側方に配置されていることを特徴と
する請求項1または2記載の薄膜磁気ヘッド。3. The first magnetic layer is connected to a first portion disposed at a position facing at least a part of the thin-film coil, and is connected to a surface of the first portion on the thin-film coil side, A second portion including a magnetic pole portion, wherein at least a part of the thin-film coil is arranged on a side of the second portion of the first magnetic layer. Or the thin-film magnetic head according to 2.
分の側方に配置された前記薄膜コイルの少なくとも一部
を覆い、そのギャップ層側の面が前記第1の磁性層の第
2の部分におけるギャップ層側の面と共に平坦化された
絶縁層を備えたことを特徴とする請求項3記載の薄膜磁
気ヘッド。4. The first magnetic layer further covers at least a part of the thin film coil disposed on the side of the second portion of the first magnetic layer, and a surface of the thin film coil on a side of the gap layer is formed of the first magnetic layer. 4. The thin-film magnetic head according to claim 3, further comprising an insulating layer planarized with a surface of the second portion on the gap layer side.
記第1の磁性層の前記第2の部分の媒体対向面とは反対
側の端部よりも媒体対向面側の位置に配置されているこ
とを特徴とする請求項3または4記載の薄膜磁気ヘッ
ド。5. The end of the gap on the medium facing surface side is located closer to the medium facing surface than the end of the second portion of the first magnetic layer on the side opposite to the medium facing surface. 5. The thin-film magnetic head according to claim 3, wherein the thin-film magnetic head is arranged.
幅を規定する部分を含むことを特徴とする請求項1ない
し5のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。6. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the throat height defining layer includes a portion for defining a track width.
向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
含み、それぞれ少なくとも1つの層を含む第1および第
2の磁性層と、前記第1の磁性層の磁極部分と前記第2
の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が前記第1および第2の磁性層の間に、
前記第1および第2の磁性層に対して絶縁された状態で
設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、 前記第1の磁性層を形成する工程と、 前記第1の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
と、 前記ギャップ層の上に前記第2の磁性層を形成する工程
と、 前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、 前記第2の磁性層を形成する工程は、前記ギャップ層を
含む平坦な面に接すると共に媒体対向面から離れた所定
の位置において前記ギャップ層との間に部分的に空隙部
を形成する形状をなし、前記空隙部の媒体対向面側の端
部によってスロートハイトを規定するスロートハイト規
定層を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。7. A first and a second magnetic layer magnetically coupled to each other and including magnetic pole portions facing each other on a medium facing surface side facing a recording medium, each including at least one layer; The magnetic pole portion of the magnetic layer and the second
A gap layer provided between the magnetic pole portion of the magnetic layer,
At least a portion between the first and second magnetic layers,
A method of manufacturing a thin-film magnetic head, comprising: a thin-film coil provided in a state insulated from the first and second magnetic layers, wherein the step of forming the first magnetic layer; Forming the gap layer on the first magnetic layer; forming the second magnetic layer on the gap layer; and forming the thin-film coil; The step of forming a layer has a shape in which a gap is formed in contact with the flat surface including the gap layer and partially with the gap layer at a predetermined position away from the medium facing surface. Forming a throat height defining layer for defining a throat height by an end portion on the medium facing surface side of the thin film magnetic head.
との境界面は曲面をなすことを特徴とする請求項7記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。8. The method according to claim 7, wherein a boundary surface between the gap and the throat height defining layer forms a curved surface.
記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置さ
れた第1の部分と、前記第1の部分における前記薄膜コ
イル側の面に接続され、磁極部分を含む第2の部分とを
形成し、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
なくとも一部を前記第1の磁性層の前記第2の部分の側
方に配置することを特徴とする請求項7または8記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。9. The step of forming the first magnetic layer includes: a first portion disposed at a position facing at least a part of the thin film coil; and a surface of the first portion on the thin film coil side. And forming a second portion including a magnetic pole portion, wherein the step of forming the thin film coil comprises: placing at least a portion of the thin film coil on a side of the second portion of the first magnetic layer. 9. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 7, wherein the thin-film magnetic head is disposed.
部分の側方に配置された前記薄膜コイルの少なくとも一
部を覆い、そのギャップ層側の面が前記第1の磁性層の
第2の部分におけるギャップ層側の面と共に平坦化され
た絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
9記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。10. The first magnetic layer further covers at least a portion of the thin-film coil disposed on the side of the second portion of the first magnetic layer, and a surface of the thin-film coil on a gap layer side is formed of the first magnetic layer. 10. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 9, further comprising a step of forming a planarized insulating layer together with the surface of the second portion on the gap layer side.
前記第1の磁性層の前記第2の部分の媒体対向面とは反
対側の端部よりも媒体対向面側の位置に配置されること
を特徴とする請求項9または10記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。11. An end of the gap on the medium facing surface side,
11. The thin-film magnetic head according to claim 9, wherein the first magnetic layer is disposed at a position closer to the medium facing surface than an end of the second portion opposite to the medium facing surface. Manufacturing method.
ク幅を規定する部分を含むことを特徴とする請求項7な
いし11のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。12. The method according to claim 7, wherein the throat height defining layer includes a portion for defining a track width.
工程は、 前記ギャップ層の上にめっき用のシード層を形成する工
程と、 前記シード層の上にポジ型のレジスト層を形成する工程
と、 前記スロートハイト規定層をめっき法によって形成する
ためのフレームの形状に対応した遮光領域と、前記空隙
部に対応する位置に設けられ、露光用の光の少なくとも
一部を遮断する空隙部対応領域と、前記遮光領域および
空隙部対応領域以外の光透過領域とを有するフォトマス
クを用いて前記レジスト層を露光し、その後現像して、
前記シード層の上に前記フレームを形成すると共に前記
シード層の上の前記空隙部に対応する位置にレジスト残
存部を形成する工程と、 前記フレームを用いてめっき法により前記スロートハイ
ト規定層を形成する工程と、 前記フレームおよび前記レジスト残存部を除去して前記
空隙部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項
7ないし12のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。13. The step of forming the throat height defining layer includes: a step of forming a seed layer for plating on the gap layer; and a step of forming a positive resist layer on the seed layer. A light-shielding region corresponding to the shape of a frame for forming the throat height defining layer by a plating method, and a void portion corresponding region provided at a position corresponding to the void portion and blocking at least a part of light for exposure. Exposure of the resist layer using a photomask having a light-transmitting region other than the light-shielding region and the cavity corresponding region, and then developed,
Forming the frame on the seed layer and forming a resist remaining portion at a position corresponding to the gap on the seed layer; forming the throat height defining layer by plating using the frame; 13. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 7, further comprising: a step of forming the gap by removing the frame and the remaining resist.
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