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JP2001154610A - Electro-optical device, mounting structure of semiconductor device used therefor, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, mounting structure of semiconductor device used therefor, and electronic apparatus

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Publication number
JP2001154610A
JP2001154610A JP34093899A JP34093899A JP2001154610A JP 2001154610 A JP2001154610 A JP 2001154610A JP 34093899 A JP34093899 A JP 34093899A JP 34093899 A JP34093899 A JP 34093899A JP 2001154610 A JP2001154610 A JP 2001154610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
electro
semiconductor device
optical device
peripheral portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP34093899A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Chino
英治 千野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP34093899A priority Critical patent/JP2001154610A/en
Publication of JP2001154610A publication Critical patent/JP2001154610A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の実装面積を低減させ、狭額縁化
を可能とした電気光学装置及びそれに用いる半導体装置
の実装構造体を提供する。 【解決手段】 一対の基板30、32間に電気光学物質
を有し、一対の基板30、32のうち少なくとも一方の
基板32の周縁部32aには半導体装置2が実装されて
いる電気光学装置であって、周縁部32aは、周縁部3
2aと対向する位置における他方の基板30の端面30
eより外側に位置し、周縁部32aの表面及び/又は他
方の基板30の端面30eには基板端子部6a、6bが
表出し、半導体装置2の表面に形成された電極部2a、
2bが基板端子部6a、6bに電気的に接続されてい
る。
(57) [Problem] To provide an electro-optical device capable of reducing a mounting area of a semiconductor device and narrowing a frame, and a mounting structure of a semiconductor device used for the electro-optical device. An electro-optical device having an electro-optical material between a pair of substrates (30, 32) and a semiconductor device (2) mounted on a peripheral portion (32a) of at least one of the pair of substrates (30, 32). In addition, the peripheral portion 32a is the peripheral portion 3
End surface 30 of the other substrate 30 at a position facing 2a
e, substrate terminal portions 6a, 6b are exposed on the surface of the peripheral portion 32a and / or the end surface 30e of the other substrate 30, and the electrode portions 2a, 2b formed on the surface of the semiconductor device 2,
2b is electrically connected to the substrate terminal portions 6a and 6b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
それに用いる半導体装置の実装構造体、並びに電子機器
に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an electro-optical device, a mounting structure of a semiconductor device used therein, and an electronic apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置、プラズマディスプレイ、
EL(エレクトロルミネッセンス)などの電気光学装置
は、例えば所定の電極が形成された一対の基板間に液晶
などの電気光学物質(電圧を印加することにより光学的
性質が変化する物質)を配したパネル状に構成され、電
極間の電圧等を制御することによって、通常は該パネル
の表面方向に画像が表示されるようになっている。そし
て、この電気光学装置には、例えば画像信号や画像制御
信号を供給する駆動回路である半導体装置(IC等)
が、通常は前記パネルの額縁部に実装されている。かか
る従来の電気光学装置を、図11ないし図13に示す液
晶表示装置を例にして説明する。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices, plasma displays,
2. Description of the Related Art An electro-optical device such as an EL (electroluminescence) is a panel in which an electro-optical material such as a liquid crystal (a material whose optical property changes when a voltage is applied) is disposed between a pair of substrates on which predetermined electrodes are formed. By controlling the voltage between the electrodes and the like, an image is normally displayed in the direction of the surface of the panel. The electro-optical device includes, for example, a semiconductor device (such as an IC) which is a drive circuit for supplying an image signal or an image control signal.
However, it is usually mounted on the frame of the panel. Such a conventional electro-optical device will be described by taking a liquid crystal display device shown in FIGS. 11 to 13 as an example.

【0003】図11は、アクティブマトリクス型のTF
D(Thin Film Diode)液晶表示装置の等価回路を示し
ている。この液晶表示装置110には、複数の走査線1
12及びこれと交差する複数のデータ線114が設けら
れ、2端子型スイッチング素子である薄膜ダイオード1
20が各画素のスイッチング制御に用いられている。そ
して、各画素領域116において、走査線112とデー
タ線114との間には、上記した薄膜ダイオード12
0、及び液晶(電気光学材料)141が直列に接続され
ている。さらに、液晶表示装置110には、後述する態
様により、走査信号駆動回路200及びデータ信号駆動
回路210が実装されている。
FIG. 11 shows an active matrix type TF.
2 shows an equivalent circuit of a D (Thin Film Diode) liquid crystal display device. The liquid crystal display device 110 includes a plurality of scanning lines 1.
12 and a plurality of data lines 114 intersecting with the thin film diode 1 which is a two-terminal switching element.
Reference numeral 20 is used for switching control of each pixel. In each pixel region 116, the thin film diode 12 described above is provided between the scanning line 112 and the data line 114.
0 and a liquid crystal (electro-optical material) 141 are connected in series. Further, the scanning signal driving circuit 200 and the data signal driving circuit 210 are mounted on the liquid crystal display device 110 in a manner described later.

【0004】この液晶表示装置110の全体構造は図1
2に示すようになっていて、素子基板130と対向基板
132とがほぼ接して設けられ、これら基板130、1
32の間に図示しない液晶が封入されている。素子基板
130の上には絶縁膜131が形成され、絶縁膜131
の上には走査線112が複数設けられている。そして、
ITO等の透明電極から成る画素電極134が薄膜ダイ
オード120を介して走査線112に接続されている。
一方、対向基板132には、走査線112と交差するよ
うにして、透明電極から成るデータ線114が短冊状に
複数形成され、その下には図示しないカラーフィルタ、
ブラックマトリクス等が形成されている。
The overall structure of the liquid crystal display device 110 is shown in FIG.
2, an element substrate 130 and a counter substrate 132 are provided substantially in contact with each other.
A liquid crystal (not shown) is sealed between 32. An insulating film 131 is formed on the element substrate 130.
Are provided with a plurality of scanning lines 112. And
A pixel electrode 134 made of a transparent electrode such as ITO is connected to the scanning line 112 via the thin film diode 120.
On the other hand, a plurality of data lines 114 made of transparent electrodes are formed in a rectangular shape on the opposite substrate 132 so as to intersect with the scanning lines 112, and a color filter (not shown)
A black matrix or the like is formed.

【0005】なお、薄膜ダイオード120は、走査線1
12から画素電極134側に延設された片状の素子部1
12aを備え、素子部112a上には絶縁膜が形成され
ている。そして、当該素子部112aを覆うように、か
つ、画素電極134と一部重なるようにして導電膜11
3が形成されている(MIM構造)。そして、走査線1
12とデータ線114とに印加された信号に基づいて、
電気光学材料である液晶を表示状態、非表示状態または
その中間状態に切り替えて表示動作の制御が行われる。
The thin-film diode 120 is connected to the scanning line 1
A flaky element portion 1 extending from 12 to the pixel electrode 134 side
12a, and an insulating film is formed on the element portion 112a. Then, the conductive film 11 is formed so as to cover the element portion 112a and partially overlap the pixel electrode 134.
3 (MIM structure). And scanning line 1
12 and a signal applied to the data line 114,
The display operation is controlled by switching the liquid crystal, which is an electro-optical material, to a display state, a non-display state, or an intermediate state.

【0006】ところで、上記したTFD方式の液晶装置
の場合、走査線とデータ線がそれぞれ素子基板と対向基
板とに別個に配設されているため、通常は図13に示す
ように、素子基板と対向基板とにそれぞれ駆動回路が実
装されている。
In the case of the above-mentioned TFD type liquid crystal device, since the scanning lines and the data lines are separately provided on the element substrate and the counter substrate, respectively, usually, as shown in FIG. A drive circuit is mounted on each of the opposing substrates.

【0007】この図において、対向基板132の上にシ
ール部150を介して素子基板130が対向配置されて
いる。シール部150は封止部152により封止されて
いる。そして、対向基板132の左右の辺は素子基板1
30の左右の辺より長く、対向基板132の右辺側にお
ける周縁部132aは素子基板130より張り出してい
る。この場合、対向基板132に形成されたデータ線1
14が当該周縁部132aの表面に延設され、この部分
にデータ信号駆動回路210が実装されてデータ線と接
続している。さらに、データ信号駆動回路210は、外
部から信号が入力される入出力端子310に導通してい
る。
In FIG. 1, an element substrate 130 is opposed to an opposing substrate 132 via a seal 150. The sealing section 150 is sealed by the sealing section 152. The left and right sides of the counter substrate 132 are the element substrates 1
The peripheral portion 132 a on the right side of the counter substrate 132 is longer than the left and right sides of the counter substrate 30 and protrudes from the element substrate 130. In this case, the data line 1 formed on the opposite substrate 132
14 extends on the surface of the peripheral portion 132a, and the data signal drive circuit 210 is mounted on this portion and connected to the data line. Further, the data signal drive circuit 210 is electrically connected to the input / output terminal 310 to which a signal is input from the outside.

【0008】一方、素子基板130の上下の辺は対向基
板132の上下の辺より長く、素子基板130の下辺側
における周縁部130aは対向基板132より張り出し
ている。そして、素子基板130に形成された走査線1
12は当該周縁部130aの表面(図における基板の裏
側)に延設され、この部分に走査信号駆動回路200が
実装されて走査線と接続している。さらに、走査信号駆
動回路200は入出力端子300に導通している。この
場合、各駆動回路200、210の実装は、例えばこれ
らの駆動回路を基板上の走査線やデータ線にバンプによ
り接続するCOG方式(Chip On Glass)方式で行うこ
とができる。
On the other hand, the upper and lower sides of the element substrate 130 are longer than the upper and lower sides of the opposing substrate 132, and a peripheral portion 130 a on the lower side of the element substrate 130 projects from the opposing substrate 132. Then, the scanning line 1 formed on the element substrate 130
Numeral 12 extends on the surface of the peripheral portion 130a (the back side of the substrate in the figure), and the scanning signal drive circuit 200 is mounted on this portion and connected to the scanning lines. Further, the scanning signal driving circuit 200 is electrically connected to the input / output terminal 300. In this case, the drive circuits 200 and 210 can be mounted by, for example, a COG (Chip On Glass) method in which these drive circuits are connected to scanning lines and data lines on a substrate by bumps.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した電
気光学装置においては、基板の周縁部に駆動回路(半導
体装置)を実装するためのスペースを設ける必要がある
が、かかるスペースがあまり大きくなると、電気光学装
置の額縁部(画像非表示領域)の占める面積が増大する
という問題がある。特に、TFD方式の電気光学装置の
ように、データ線と走査線が各基板に別個に設けられて
いる場合、データ信号駆動回路と走査信号駆動回路とを
各基板に別々に実装する必要があるため、額縁部分の面
積がさらに大きくなる傾向にある。
In the above-mentioned electro-optical device, it is necessary to provide a space for mounting a drive circuit (semiconductor device) on the peripheral portion of the substrate. There is a problem that the area occupied by the frame portion (image non-display region) of the electro-optical device increases. In particular, when a data line and a scanning line are separately provided on each substrate as in an electro-optical device of a TFD system, it is necessary to separately mount a data signal driving circuit and a scanning signal driving circuit on each substrate. Therefore, the area of the frame portion tends to be further increased.

【0010】本発明は、電気光学装置における上記した
問題を解決し、半導体装置の実装面積を低減させ、狭額
縁化を可能とした電気光学装置及びそれに用いる半導体
装置の実装構造体、並びに電子機器の提供を目的とす
る。
The present invention solves the above-mentioned problems in the electro-optical device, reduces the mounting area of the semiconductor device, enables the frame to be narrowed, the mounting structure of the semiconductor device used for the electro-optical device, and electronic equipment. The purpose is to provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明は、一対の基板間に電気光学物質を有
し、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の周縁
部には半導体装置が実装されている電気光学装置であっ
て、前記周縁部は、該周縁部と対向する位置における他
方の基板の端面より外側に位置し、前記周縁部の表面及
び/又は前記他方の基板の端面には基板端子部が表出
し、前記半導体装置の表面に形成された電極部が前記基
板端子部に電気的に接続されていることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention has an electro-optical material between a pair of substrates, and a semiconductor is provided on a peripheral portion of at least one of the pair of substrates. An electro-optical device in which the device is mounted, wherein the peripheral portion is located outside an end surface of the other substrate at a position facing the peripheral portion, and a surface of the peripheral portion and / or a surface of the other substrate. A substrate terminal portion is exposed on an end face, and an electrode portion formed on a surface of the semiconductor device is electrically connected to the substrate terminal portion.

【0012】このような構成によれば、基板の周縁部の
表面、あるいは端面に表出した基板端子部に半導体装置
の電極部を直接接続することができるため、半導体装置
と基板との間の無駄な配線部分を省略させ、半導体装置
の実装面積を著しく低減させることができる。
According to such a configuration, the electrode portion of the semiconductor device can be directly connected to the surface of the peripheral portion of the substrate or the substrate terminal portion exposed on the end surface. Useless wiring portions can be omitted, and the mounting area of the semiconductor device can be significantly reduced.

【0013】また、本発明においては、前記他方の基板
の端面は、該基板の表面に対して傾斜していることが好
ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that an end face of the other substrate is inclined with respect to a surface of the substrate.

【0014】さらに、本発明においては、前記半導体装
置は2つの端面を備え、該2つの端面の少なくとも一方
には電極部が形成され、前記2つの端面同士のなす角は
前記周縁部の表面と前記他方の基板の端面とのなす角と
略同一になっていて、前記2つの端面が前記周縁部の表
面及び前記他方の基板の端面にそれぞれほぼ接した状態
で、前記電極部が前記基板端子部に電気的に接続されて
いることが好ましい。
Further, in the present invention, the semiconductor device has two end faces, an electrode portion is formed on at least one of the two end faces, and an angle formed between the two end faces is equal to a surface of the peripheral edge portion. The electrode portion is connected to the substrate terminal in a state in which the angle is substantially the same as the angle formed by the end surface of the other substrate, and the two end surfaces are substantially in contact with the surface of the peripheral portion and the end surface of the other substrate, respectively. Preferably, it is electrically connected to the unit.

【0015】このような構成によれば、半導体装置の該
2つの端面を各基板の表面及び端面にほぼ接しさせ、基
板と半導体装置との間の死空間をなくすことができるの
で、半導体装置の実装面積をさらに低減させることがで
きる。
According to such a configuration, the two end surfaces of the semiconductor device can be brought into almost contact with the surface and the end surface of each substrate, and the dead space between the substrate and the semiconductor device can be eliminated. The mounting area can be further reduced.

【0016】そして、本発明は、一対の基板間に電気光
学物質を有し、前記一対の基板のうち少なくとも一方の
基板の周縁部には半導体装置が実装されている電気光学
装置であって、前記周縁部は、該周縁部と対向する位置
における他方の基板の端面より外側に位置し、前記周縁
部の表面及び/又は前記他方の基板の端面には基板端子
部が表出し、前記半導体装置は実装部材に装着され、か
つ該半導体装置におけるリード部は前記実装部材の表面
に形成された電極部に電気的に接続され、前記電極部が
前記基板端子部に電気的に接続されていることを特徴と
する。
The present invention is an electro-optical device having an electro-optical material between a pair of substrates, wherein a semiconductor device is mounted on a peripheral portion of at least one of the pair of substrates, The peripheral portion is located outside an end surface of the other substrate at a position facing the peripheral portion, and a substrate terminal portion is exposed on a surface of the peripheral portion and / or an end surface of the other substrate, and Is mounted on a mounting member, and a lead portion of the semiconductor device is electrically connected to an electrode portion formed on a surface of the mounting member, and the electrode portion is electrically connected to the substrate terminal portion. It is characterized by.

【0017】また、本発明においては、前記他方の基板
の端面は、該基板の表面に対して傾斜していることが好
ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that an end surface of the other substrate is inclined with respect to a surface of the substrate.

【0018】さらに、本発明においては、前記実装部材
は2つの端面を備え、該2つの端面の少なくとも一方に
は前記電極部が形成され、前記2つの端面同士のなす角
は前記周縁部の表面と前記他方の基板の端面とのなす角
と略同一になっていて、前記2つの端面が前記周縁部の
表面及び前記他方の基板の端面にそれぞれほぼ接した状
態で、前記電極部が前記基板端子部に電気的に接続され
ていることが好ましい。
Further, in the present invention, the mounting member has two end faces, the electrode portion is formed on at least one of the two end faces, and an angle formed between the two end faces is a surface of the peripheral portion. And the electrode portion is substantially the same as the angle formed between the substrate and the other substrate and the two end surfaces are substantially in contact with the surface of the peripheral portion and the end surface of the other substrate. Preferably, it is electrically connected to the terminal.

【0019】そして、前記実装部材は樹脂から成り、前
記電極部は金属箔から成っていて、かつ該電極部の一部
は前記樹脂中に埋没していることが好ましい。
Preferably, the mounting member is made of resin, the electrode part is made of metal foil, and a part of the electrode part is buried in the resin.

【0020】又、前記電極部と前記基板端子部の間には
導電膜が介装されていることが好ましい。
Preferably, a conductive film is interposed between the electrode portion and the substrate terminal portion.

【0021】前記半導体装置は、球状半導体の表面に回
路が形成されたものであることが好ましい。
Preferably, the semiconductor device has a circuit formed on the surface of a spherical semiconductor.

【0022】そして、前記電気光学装置は、2端子型ス
イッチング素子を備えたマトリクス方式のものであるこ
とが好ましい。
It is preferable that the electro-optical device is of a matrix type having two-terminal switching elements.

【0023】本発明の半導体装置の実装構造体は、上記
した各電気光学装置に用いられ、前記半導体装置又は前
記実装部材に形成された電極部が、前記一方の基板又は
前記他方の基板の基板端子部に電気的に接続されている
ことを特徴とする。
The mounting structure of a semiconductor device according to the present invention is used in each of the above-described electro-optical devices, and the electrode portion formed on the semiconductor device or the mounting member is provided on one of the substrates or the other substrate. It is characterized by being electrically connected to the terminal portion.

【0024】又、本発明の電子機器は、上記した各電気
光学装置を備えたことを特徴とする。
According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the above-described electro-optical devices.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】まず、本発明の第1の発明に係る
電気光学装置について、図1ないし図3に基づいて説明
する。なお、以下の説明では、半導体装置が後述する実
装部材を介さずに基板に実装されているものを第1の発
明と称し、実装部材を用いたものを第2の発明と称する
こととする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, an electro-optical device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the following description, a device in which a semiconductor device is mounted on a substrate without a mounting member to be described later is referred to as a first invention, and a device using a mounting member is referred to as a second invention.

【0026】図1において、この電気光学装置80は、
複数の画素をマトリクス状に備えたアクティブマトリク
ス型のTFD液晶表示装置であり、各画素の制御用のダ
イオード(図示せず)及び走査線12が配設された素子
基板(他方の基板)30と、この素子基板30の下にシ
ール部60を介して対向配置され、データ線14が配設
された対向基板(一方の基板)32とを有している。各
基板30、32の間隔は、所定径のビーズ状スペーサ及
びシール部60に含有されるグラスファイバによって規
定され、シール部60と各基板30、32で囲まれる内
部空間に液晶(電気光学物質)が封入されている。な
お、本発明においては、後述する半導体装置の実装態様
に特徴があり、その他の各基板30、32の構造や液晶
表示の動作等については公知の電気光学装置(TFD液
晶表示装置等)と略同様であるので、その説明を省略す
る。
In FIG. 1, this electro-optical device 80
An active matrix type TFD liquid crystal display device having a plurality of pixels arranged in a matrix. The device substrate (the other substrate) 30 on which a control diode (not shown) for each pixel and a scanning line 12 are provided. A counter substrate (one substrate) 32 is disposed under the element substrate 30 with a seal portion 60 interposed therebetween, and has the data line 14 disposed thereon. The distance between the substrates 30 and 32 is defined by a bead-shaped spacer having a predetermined diameter and glass fibers contained in the sealing portion 60, and a liquid crystal (electro-optical material) is provided in the internal space surrounded by the sealing portion 60 and the substrates 30 and 32. Is enclosed. Note that the present invention is characterized by the mounting mode of the semiconductor device described later, and the other structures of the substrates 30 and 32 and the operation of the liquid crystal display are substantially the same as those of a known electro-optical device (TFD liquid crystal display device or the like). The description is omitted because it is similar.

【0027】この電気光学装置において、対向基板32
の左右の辺は素子基板30の左右の辺より長く、対向基
板32の左辺側における周縁部32aが素子基板30よ
り張り出している(例えば張り出し部の長さ3mm)。
つまり、周縁部32aは、これと対向する位置における
素子基板30の端面30eより外側に位置している。
又、素子基板30の端面30eは、その上面に対して角
γ=45°をなすように傾斜面状に形成され、詳しくは
後述する半導体装置2の実装が容易かつ確実に行われる
ようになっている。
In this electro-optical device, the opposing substrate 32
Left and right sides of the element substrate 30 are longer than the left and right sides thereof, and a peripheral portion 32a on the left side of the counter substrate 32 projects from the element substrate 30 (for example, the length of the overhang portion is 3 mm).
That is, the peripheral portion 32a is located outside the end surface 30e of the element substrate 30 at a position facing the peripheral portion 32a.
The end surface 30e of the element substrate 30 is formed in an inclined surface so as to form an angle γ = 45 ° with respect to the upper surface thereof, so that mounting of the semiconductor device 2 described later can be performed easily and reliably. ing.

【0028】そして、上記した周縁部32aの上面に、
走査信号及びデータ信号の駆動回路である半導体装置2
が実装され、電気光学装置80を構成している。つま
り、本発明においては、素子基板30に配設された走査
線12と、対向基板32に配設されたデータ線14と
は、1つの半導体装置2に接続されて駆動される。この
ようにするため、対向基板32上のデータ線14は、周
縁部32aの近傍で走査線12の方向に曲折されて延設
され、半導体装置2の上下方向の端部に接続されるよう
になっている。なお、周縁部32aの端縁上には、外部
から信号が入力される入出力端子50が配置され、半導
体装置2は該入出力端子50に接続されている。
Then, on the upper surface of the peripheral portion 32a,
Semiconductor device 2 which is a driving circuit for a scanning signal and a data signal
Are mounted to constitute the electro-optical device 80. That is, in the present invention, the scanning lines 12 provided on the element substrate 30 and the data lines 14 provided on the counter substrate 32 are connected to one semiconductor device 2 and driven. To do so, the data lines 14 on the counter substrate 32 are bent and extended in the direction of the scanning lines 12 near the peripheral portion 32a so as to be connected to the upper and lower ends of the semiconductor device 2. Has become. Note that an input / output terminal 50 to which a signal is input from the outside is arranged on the edge of the peripheral portion 32a, and the semiconductor device 2 is connected to the input / output terminal 50.

【0029】上記した電気光学装置80の断面構造は、
図2に示すようになっている。この図において、半導体
装置2は所定の半導体回路を樹脂等でモールドして成っ
ている。半導体装置2は、左右方向の断面が略台形状で
(例えば高さ1mm、底面の長さ2mm)、その長手方
向の長さがこの例では素子基板30の上下の辺と略同一
に構成され、その底面2aと側面2bにはそれぞれラン
ド状の電極部4a、4bが形成されている。そして、こ
の半導体装置2が実装された状態で、半導体装置2の上
面は素子基板30の上面とほぼ面一になっている。一
方、素子基板30の端面30eには走査線12が適宜引
回され(延設され)、ランド状の基板端子部6bとして
表出し、対向基板32の周縁部32aの表面にはデータ
線14が適宜引回され(延設され)、ランド状の基板端
子部6aとして表出している。
The sectional structure of the above-described electro-optical device 80 is as follows.
As shown in FIG. In this figure, a semiconductor device 2 is formed by molding a predetermined semiconductor circuit with a resin or the like. The semiconductor device 2 has a substantially trapezoidal cross section in the left-right direction (for example, a height of 1 mm and a bottom length of 2 mm), and the length in the longitudinal direction is substantially the same as the upper and lower sides of the element substrate 30 in this example. Land-shaped electrode portions 4a and 4b are formed on the bottom surface 2a and the side surface 2b, respectively. When the semiconductor device 2 is mounted, the upper surface of the semiconductor device 2 is substantially flush with the upper surface of the element substrate 30. On the other hand, the scanning lines 12 are appropriately routed (extended) on the end face 30 e of the element substrate 30 to be exposed as land-like substrate terminal portions 6 b, and the data lines 14 are formed on the surface of the peripheral portion 32 a of the counter substrate 32. It is appropriately routed (extended) and exposed as a land-shaped substrate terminal portion 6a.

【0030】そして、半導体装置2における底面2aと
側面2bとのなす角θは、周縁部32aの表面と素子基
板30の端面30eとのなす角(=γ)と略同一になっ
ていて、半導体装置2を実装した際に、底面2aが周縁
部32aの表面にほぼ接し、側面2bが端面30eにほ
ぼ接するようになっている。この場合、上記したよう
に、端面30eが基板30の表面に対して斜めになって
いると、端面30eと側面2bとの対向面積は大きくな
り、電極部と基板端子部6bの接続がより確実となる。
又、上記角γを鋭角にすると、実装後に半導体装置2が
基板32から外れにくくなる。この場合、底面2a及び
側面2bに例えばACF(Anisotropic conductive fil
m:異方性導電膜)等の導電粒子を含有するフィルム状
導電膜70をそれぞれ貼着し、各電極部4a、4bとの
間で熱圧着することにより、電極部4aが基板端子部6
aに電気的に接続され、電極部4bが基板端子部6bに
電気的に接続される。
The angle θ between the bottom surface 2a and the side surface 2b in the semiconductor device 2 is substantially the same as the angle (= γ) between the surface of the peripheral portion 32a and the end surface 30e of the element substrate 30. When the device 2 is mounted, the bottom surface 2a is almost in contact with the surface of the peripheral portion 32a, and the side surface 2b is almost in contact with the end surface 30e. In this case, as described above, when the end surface 30e is inclined with respect to the surface of the substrate 30, the facing area between the end surface 30e and the side surface 2b increases, and the connection between the electrode portion and the substrate terminal portion 6b is more reliable. Becomes
Further, when the angle γ is an acute angle, the semiconductor device 2 is less likely to come off the substrate 32 after mounting. In this case, for example, an ACF (Anisotropic conductive film) is formed on the bottom surface 2a and the side surface 2b.
m: anisotropic conductive film), and a film-like conductive film 70 containing conductive particles is adhered to each other and thermocompression-bonded to each of the electrode portions 4a and 4b, so that the electrode portion 4a
a, and the electrode portion 4b is electrically connected to the substrate terminal portion 6b.

【0031】上記したように、本発明においては、基板
の周縁部の表面あるいは端面に基板端子部を表出させ、
これらの基板端子部に半導体装置の電極部を直接接続し
ている。そのため、半導体装置と基板との間の無駄な配
線部分を省略することができ、半導体装置の実装面積を
著しく低減させて電気光学装置の狭額縁化を図ることが
できる。特に、半導体装置に2つの端面を形成し、この
2つの端面同士のなす角を、基板の周縁部の表面と他方
の基板の端面とのなす角と略同一にすると、半導体装置
の当該端面は各基板にほぼ接し(密着し)、基板と半導
体装置との間の死空間をなくすことができるので、半導
体装置の実装面積はさらに低減される。
As described above, according to the present invention, the substrate terminal is exposed on the surface or the end surface of the peripheral portion of the substrate.
The electrode portions of the semiconductor device are directly connected to these substrate terminal portions. Therefore, a useless wiring portion between the semiconductor device and the substrate can be omitted, and the mounting area of the semiconductor device can be significantly reduced, and the frame of the electro-optical device can be narrowed. In particular, when two end faces are formed in a semiconductor device, and the angle between the two end faces is substantially the same as the angle between the surface of the peripheral portion of the substrate and the end face of the other substrate, the end face of the semiconductor device becomes The semiconductor device is substantially in contact with (close to) each substrate, and a dead space between the substrate and the semiconductor device can be eliminated, so that the mounting area of the semiconductor device is further reduced.

【0032】さらに、素子基板と対向基板のいずれにも
半導体装置を接続する必要があるTFD液晶装置等の電
気光学装置においては、基板の端面に直接半導体装置を
実装できるので実装面積の低減効果が大であるととも
に、素子基板と対向基板に設けられた走査線とデータ線
の制御を1つの半導体装置で行うことも可能である。
Further, in an electro-optical device such as a TFD liquid crystal device in which a semiconductor device needs to be connected to both the element substrate and the counter substrate, the semiconductor device can be mounted directly on the end face of the substrate. It is also possible to control the scanning lines and the data lines provided on the element substrate and the counter substrate with one semiconductor device.

【0033】基板端子部6a、6bの形成方法として
は、例えば各基板30、32の表面や端面に所定のマス
クを用いて金属膜を成膜すればよい。特に、素子基板の
端面に基板端子部(及びその引き回し配線)を形成する
場合は、素子基板の表面側にITO等の電極を成膜した
後、次工程で端面部に基板端子部と引き回し配線を成膜
するとよい。この際、予め基板の端面と表面側との間の
縁部を面取りしておくと、上記した基板端子部(引き回
し配線)の成膜を確実に行うことができる。
As a method of forming the substrate terminal portions 6a and 6b, for example, a metal film may be formed on the surface or end surface of each of the substrates 30 and 32 using a predetermined mask. In particular, when forming a substrate terminal portion (and its lead wiring) on the end surface of the element substrate, an electrode such as ITO is formed on the front surface side of the element substrate, and then, in the next step, the substrate terminal portion and the lead wiring are provided on the end surface portion. Is preferably formed. At this time, if the edge portion between the end surface and the front surface side of the substrate is chamfered in advance, the above-described film formation of the substrate terminal portion (routing wiring) can be reliably performed.

【0034】なお、上記した実施形態においては、電気
光学装置としてTFD液晶表示装置を例示したが、本発
明はこれに限定されることなく、TFTやSTN等の他
の液晶装置や、プラズマディスプレイ、EL(エレクト
ロルミネッセンス)などにも適用することができる。
又、半導体装置としては、走査信号やデータ信号の駆動
回路に限定されることはなく、他の制御回路等であって
もよい。そして、走査信号やデータ信号を1つの半導体
装置で駆動してもよく、又、それぞれ別個の半導体装置
で駆動してもよい。さらに、半導体装置の形状、大き
さ、実装個数や実装位置についても制限はなく、例えば
一方の基板の複数の辺にそれぞれ周縁部を設け、そこに
半導体装置をそれぞれ実装することもできる。半導体装
置の具体的な実装方法についても制限はなく、例えばワ
イヤボンデイング、フリップチップ方式、バンプ方式、
TAB(Tape Automated Bonding)方式等を用いること
ができる。
In the above embodiment, a TFD liquid crystal display device is exemplified as an electro-optical device. However, the present invention is not limited to this, and other liquid crystal devices such as TFT and STN, a plasma display, The invention can be applied to EL (electroluminescence) and the like.
Further, the semiconductor device is not limited to a driving circuit for a scanning signal or a data signal, but may be another control circuit or the like. The scanning signal and the data signal may be driven by one semiconductor device, or may be driven by separate semiconductor devices. Further, there is no limitation on the shape, size, number of mountings, and mounting positions of the semiconductor device. For example, it is possible to provide peripheral portions on a plurality of sides of one substrate, and mount the semiconductor devices there. There is no limitation on the specific mounting method of the semiconductor device, for example, wire bonding, flip chip method, bump method,
A TAB (Tape Automated Bonding) method or the like can be used.

【0035】又、上記電極部としては、例えばバンプや
ボンデイングパッド等を用いることもできる。電極部や
基板端子部の個数についても制限はなく、例えば一方の
基板の周縁部の表面にのみ基板端子部を形成し、これに
対応して半導体装置の底面にのみ電極部を設けてもよ
い。さらに、他方の基板の端面が該基板の表面に対して
傾斜する角度(=γ)についても制限はない。
As the electrode section, for example, a bump or a bonding pad can be used. There is no limitation on the number of electrode portions and substrate terminal portions. For example, the substrate terminal portion may be formed only on the surface of the peripheral portion of one substrate, and the electrode portion may be provided only on the bottom surface of the semiconductor device correspondingly. . Further, there is no limitation on the angle (= γ) at which the end surface of the other substrate is inclined with respect to the surface of the other substrate.

【0036】次に、本発明の第1の発明に係る電気光学
装置の別の態様について、図3に基づいて説明する。こ
の実施態様において、電気光学装置90はアクティブマ
トリクス型のTFT液晶表示装置であり、素子基板(他
方の基板)35の下面に対向して対向基板(一方の基
板)37が配設されている。素子基板35は、対向基板
37より左右の辺及び上下の辺がともに短く、対向基板
37の左辺及び下辺における周縁部はともに素子基板3
5から張り出し、これら周縁部にそれぞれ半導体装置2
2、24が実装されている。
Next, another embodiment of the electro-optical device according to the first aspect of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the electro-optical device 90 is an active matrix type TFT liquid crystal display device, and an opposing substrate (one substrate) 37 is disposed to face the lower surface of the element substrate (the other substrate) 35. The left and right sides and the upper and lower sides of the element substrate 35 are shorter than the counter substrate 37, and the peripheral portions of the left side and the lower side of the counter substrate 37 are both the element substrate 3.
5 and the semiconductor device 2
2, 24 are implemented.

【0037】このTFT方式の電気光学装置90の場
合、素子基板35側に走査線17とデータ線19がとも
に配設されているため、素子基板35に駆動回路である
半導体装置22、24を接続する必要がある。従って、
素子基板35の左方端面35aには走査線22が適宜引
回され(延設され)、基板端子部として表出し、下方端
面35bにはデータ線24が適宜引回され(延設さ
れ)、別の基板端子部として表出している。一方、半導
体装置22、24の側端面にはいずれも所定の電極部が
形成され、各電極部が上記した各基板端子部にそれぞれ
接続されるとともに、半導体装置22、24は入出力端
子55a、55bにそれぞれ接続されている。なお、各
端面35a、35bは、素子基板35の表面に対して直
角に形成されている。このように、素子基板側に走査線
とデータ線が配設されている場合であっても、本発明を
有効に適用することができる。
In the case of the electro-optical device 90 of the TFT type, since the scanning lines 17 and the data lines 19 are both provided on the element substrate 35 side, the semiconductor devices 22 and 24 as drive circuits are connected to the element substrate 35. There is a need to. Therefore,
The scanning lines 22 are appropriately routed (extended) on the left end surface 35a of the element substrate 35, are exposed as substrate terminals, and the data lines 24 are appropriately routed (extended) on the lower end surface 35b. It is exposed as another board terminal part. On the other hand, predetermined electrode portions are formed on both side end surfaces of the semiconductor devices 22 and 24, and each electrode portion is connected to each of the above-described substrate terminal portions. 55b. The end surfaces 35 a and 35 b are formed at right angles to the surface of the element substrate 35. As described above, the present invention can be effectively applied even when the scanning lines and the data lines are provided on the element substrate side.

【0038】次に、本発明の第2の発明に係る電気光学
装置について、図4に基づいて説明する。この電気光学
装置は、第1の発明に代え、半導体装置が実装部材を介
して基板に実装されているものであり、その他の構成に
ついては、図1及び図2に示したTFD液晶表示装置と
同様であるのでその説明を省略する。なお、図4は、図
2に対応する断面図(図1のA−A’線に沿う断面図に
相当)である。
Next, an electro-optical device according to a second aspect of the present invention will be described with reference to FIG. In this electro-optical device, instead of the first invention, a semiconductor device is mounted on a substrate via a mounting member, and other configurations are the same as those of the TFD liquid crystal display device shown in FIGS. The description is omitted because it is the same. FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 2 (corresponding to a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1).

【0039】この図において、半導体装置2Aは例えば
ポリイミド樹脂から成る実装部材8にモールドされてい
る。半導体装置2Aのリード部2cには、狭幅の銅箔等
の導電体から成る配線が接続され、この配線は実装部材
8の中を通って実装部材8の底面8a及び側面8bにそ
れぞれ表出し、ランド状の電極部4c、4dとなってい
る。そして、上記した第1の発明と同様に、底面8aと
側面8bとのなす角は、周縁部32aの表面と素子基板
30の端面30eとのなす角と略同一になっていて、底
面8a及び側面8bに適宜導電膜70を貼着し、各電極
部4c、4dとの間で熱圧着することにより、電極部4
c、4dと基板端子部6a、6bがそれぞれ電気的に接
続される。
In this figure, the semiconductor device 2A is molded on a mounting member 8 made of, for example, a polyimide resin. A wiring made of a conductor such as a narrow copper foil is connected to the lead portion 2c of the semiconductor device 2A. The wiring passes through the mounting member 8 and is exposed on the bottom surface 8a and the side surface 8b of the mounting member 8, respectively. And land-shaped electrode portions 4c and 4d. Then, as in the first aspect described above, the angle formed by the bottom surface 8a and the side surface 8b is substantially the same as the angle formed by the surface of the peripheral portion 32a and the end surface 30e of the element substrate 30. A conductive film 70 is appropriately adhered to the side surface 8b, and thermocompression-bonded to each of the electrode portions 4c and 4d.
c, 4d are electrically connected to the substrate terminal portions 6a, 6b, respectively.

【0040】このように、実装部材8を用いた場合であ
っても、第1の発明と同様にして半導体装置の実装面積
の低減、及び電気光学装置の狭額縁化を図ることができ
る。ここで、実装部材8を作製する方法としては、半導
体装置2A及び上記配線をモールドした後、所定の端面
をスライスすることにより、電極部が表出した底面8a
及び側面8bとを形成することができる。なお、この図
においては、入出力端子を省略してあるが、実装部材8
を適宜入出力端子に接続してもよい。
Thus, even when the mounting member 8 is used, the mounting area of the semiconductor device can be reduced and the frame of the electro-optical device can be narrowed in the same manner as in the first invention. Here, as a method of manufacturing the mounting member 8, the semiconductor device 2A and the above-described wiring are molded, and then a predetermined end surface is sliced to obtain a bottom surface 8a on which an electrode portion is exposed.
And the side surface 8b. Although the input / output terminals are omitted in FIG.
May be appropriately connected to the input / output terminal.

【0041】さらに、半導体装置2Aを実装部材8にモ
ールドする(埋め込む)のに代えて、図5に示すよう
に、実装部材8の表面(図では上面)に半導体装置2A
を脱着自在に装着してもよい。このようにすると、半導
体装置2Aの付け替え等が簡便になるという利点があ
る。又、この図に示したように、実装部材8の底面8a
や側面8bに沿って前記配線を延設する(引き回す)よ
うにして電極部4e、4fを形成すると、各電極部4
e、4fと各基板端子部6a、6bとの接触面積が大き
くなるので好ましい。
Further, instead of molding (embedding) the semiconductor device 2A on the mounting member 8, as shown in FIG. 5, the semiconductor device 2A is mounted on the surface (the upper surface in the figure) of the mounting member 8.
May be detachably attached. This has the advantage that replacement of the semiconductor device 2A and the like can be simplified. Also, as shown in FIG.
When the electrode portions 4e and 4f are formed by extending (routing) the wiring along the side and the side surface 8b, each of the electrode portions 4
e, 4f and the contact area between the board terminal portions 6a, 6b are preferably large.

【0042】そして、図6に示すように、素子基板30
の端面30e’より内部では配線部を基板内に埋め込ん
でもよい。特に、端面30e’の傾斜角(=γ)が90
°になっている(あるいは90°に近い)場合、当該他
方の基板の裏面側から端面に沿って走査線やデータ線を
引き回すことが困難になる。そこで上記したように、基
板の端面の内側に走査線(データ線)を埋込ませるよう
にすると、基板端面への配線の引き回しが容易になる。
Then, as shown in FIG.
The wiring portion may be embedded in the substrate inside the end face 30e '. In particular, the inclination angle (= γ) of the end face 30e ′ is 90
When it is (or near 90), it is difficult to route scanning lines and data lines along the end face from the back surface of the other substrate. Therefore, as described above, when the scanning lines (data lines) are embedded inside the end face of the substrate, the wiring can be easily routed to the end face of the substrate.

【0043】ところで、上記した各実施形態において
は、半導体装置として通常の半導体ウェ−ハ上に所定の
回路を形成したものを用いたが、これに代えて、図7に
示すように、球状半導体の表面に回路を形成したもの
(球面半導体集積回路)を用いることもできる。なお、
この実施形態においては、半導体装置の他は図1及び図
2に示したTFD液晶表示装置と同様であるのでその説
明を省略する。又、図7は、図2に対応する断面図(図
1のA−A’線に沿う断面図に相当)である。
In each of the above embodiments, a semiconductor device in which a predetermined circuit is formed on a normal semiconductor wafer is used. Alternatively, as shown in FIG. (Spherical semiconductor integrated circuit) having a circuit formed on the surface thereof can also be used. In addition,
This embodiment is the same as the TFD liquid crystal display device shown in FIGS. 1 and 2 except for the semiconductor device, and thus the description thereof is omitted. FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 2 (corresponding to a cross-sectional view along the line AA ′ in FIG. 1).

【0044】この図において、半導体装置26は、直径
約1mmのシリコン球から成る球面半導体集積回路であ
り、その表面の所定部分には、複数のバンプが円周状に
配設された電極部40a、40bがそれぞれ設けられて
いる。そして、各電極部40a、40bを各基板端子部
6a、6bに例えばフリップチップ方式で接続すること
により、半導体装置26が対向基板32に実装されてい
る。なお、半導体装置26の上には、別の球面半導体集
積回路28が載置され、両者は上記と同様なバンプを介
して接続されている。
In this figure, a semiconductor device 26 is a spherical semiconductor integrated circuit composed of a silicon sphere having a diameter of about 1 mm, and a predetermined portion of the surface thereof has an electrode portion 40a in which a plurality of bumps are arranged circumferentially. , 40b are provided. The semiconductor device 26 is mounted on the counter substrate 32 by connecting the electrode portions 40a and 40b to the substrate terminal portions 6a and 6b, for example, by a flip-chip method. Note that another spherical semiconductor integrated circuit 28 is mounted on the semiconductor device 26, and both are connected via the same bumps as described above.

【0045】このように、球状の半導体装置を用いる
と、当該半導体装置の表面は基板の周縁部の表面と他方
の基板の端面とにそれぞれ確実に接するので、半導体装
置上の電極部を基板端子部に容易に接続させることがで
きる。なお、この実施形態においては、球状の半導体装
置26を直接各基板30、32に実装した場合について
例示したが、半導体装置26を所定の実装部材に装着
し、この実装部材を介して基板に実装してもよい。
As described above, when a spherical semiconductor device is used, the surface of the semiconductor device surely comes into contact with the surface of the peripheral portion of the substrate and the end surface of the other substrate. It can be easily connected to the unit. In this embodiment, the case where the spherical semiconductor device 26 is directly mounted on each of the substrates 30 and 32 is exemplified. However, the semiconductor device 26 is mounted on a predetermined mounting member, and mounted on the substrate via this mounting member. May be.

【0046】[電子機器]以下、本発明の電気光学装置
を備えた電子機器の具体例について説明する。
[Electronic Equipment] Specific examples of electronic equipment having the electro-optical device of the present invention will be described below.

【0047】図8は、携帯電話の一例を示した斜視図で
ある。
FIG. 8 is a perspective view showing an example of a mobile phone.

【0048】図8において、符号1000は携帯電話本
体を示し、符号1001は上記の電気光学装置を用いた
液晶表示部を示している。
In FIG. 8, reference numeral 1000 denotes a portable telephone body, and reference numeral 1001 denotes a liquid crystal display unit using the above-described electro-optical device.

【0049】図9は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing an example of a wristwatch-type electronic device.

【0050】図9において、符号1100は時計本体を
示し、符号1101は上記の電気光学装置を用いた液晶
表示部を示している。
In FIG. 9, reference numeral 1100 denotes a watch main body, and reference numeral 1101 denotes a liquid crystal display unit using the above-described electro-optical device.

【0051】図10は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer.

【0052】図10において、符号1200は情報処理
装置、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1
204は情報処理装置本体、符号1206は上記の電気
光学装置を用いた液晶表示部を示している。
In FIG. 10, reference numeral 1200 denotes an information processing device, reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, and reference numeral 1 denotes an input unit.
Reference numeral 204 denotes an information processing apparatus main body, and reference numeral 1206 denotes a liquid crystal display unit using the above-described electro-optical device.

【0053】図8ないし図10に示す電子機器は、上記
の電気光学装置を用いた液晶表示部を備えたものである
ので、額縁部の面積が小さく、軽量化・小型化された電
子機器を実現することができる。
Since the electronic apparatus shown in FIGS. 8 to 10 is provided with a liquid crystal display unit using the above-described electro-optical device, the electronic apparatus having a small frame area and reduced weight and size can be used. Can be realized.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、基板の周縁部の表面、あるいは端面に基板端子
部を表出させ、この基板端子部に半導体装置の電極部を
直接接続している。そのため、半導体装置と基板との間
の無駄な配線部分を省略することができ、半導体装置の
実装面積を著しく低減させて電気光学装置の狭額縁化を
図ることができる。特に、半導体装置に2つの端面を形
成し、この2つの端面同士のなす角を、基板の周縁部の
表面と他方の基板の端面とのなす角と略同一にすると、
半導体装置の当該端面を各基板に密着させて基板と半導
体装置との間の死空間をなくすことができるので、半導
体装置の実装面積をさらに低減させることができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the substrate terminal is exposed on the surface or the end surface of the peripheral portion of the substrate, and the electrode of the semiconductor device is directly connected to the substrate terminal. Connected. Therefore, a useless wiring portion between the semiconductor device and the substrate can be omitted, and the mounting area of the semiconductor device can be significantly reduced, and the frame of the electro-optical device can be narrowed. In particular, when two end faces are formed in a semiconductor device, and an angle formed between the two end faces is substantially the same as an angle formed between the surface of the peripheral portion of the substrate and the end face of the other substrate,
Since the end surface of the semiconductor device can be brought into close contact with each substrate to eliminate a dead space between the substrate and the semiconductor device, the mounting area of the semiconductor device can be further reduced.

【0055】さらに、素子基板と対向基板のいずれにも
半導体装置を接続する必要があるTFD液晶装置等の場
合、基板の端面に直接半導体装置を実装できるので実装
面積の低減効果が大であるとともに、素子基板と対向基
板に設けられた走査線とデータ線の制御を1つの半導体
装置で行うことも可能である。
Further, in the case of a TFD liquid crystal device or the like in which the semiconductor device needs to be connected to both the element substrate and the counter substrate, the semiconductor device can be directly mounted on the end face of the substrate, so that the mounting area can be greatly reduced. It is also possible to control the scanning lines and the data lines provided on the element substrate and the counter substrate with one semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の発明に係る電気光学装置を示
す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an electro-optical device according to a first invention of the present invention.

【図2】 図1のA−A’線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line A-A 'of FIG.

【図3】 本発明の第1の発明に係る電気光学装置の別
の例を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing another example of the electro-optical device according to the first invention of the present invention.

【図4】 本発明の第2の発明に係る電気光学装置を示
す部分断面図である。
FIG. 4 is a partial sectional view showing an electro-optical device according to a second invention of the present invention.

【図5】 本発明の第2の発明に係る電気光学装置の別
の例を示す部分断面図である。
FIG. 5 is a partial sectional view showing another example of the electro-optical device according to the second invention of the present invention.

【図6】 本発明の第2の発明に係る電気光学装置のさ
らに別の例を示す部分断面図である。
FIG. 6 is a partial sectional view showing still another example of the electro-optical device according to the second invention of the present invention.

【図7】 半導体装置として球面半導体集積回路を用い
た電気光学装置を示す部分断面図である。
FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing an electro-optical device using a spherical semiconductor integrated circuit as a semiconductor device.

【図8】 本発明の電気光学装置を備えた電子機器の一
例を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus including the electro-optical device according to the invention.

【図9】 同、電子機器の他の例を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing another example of the electronic device.

【図10】 同、電子機器のさらに他の例を示す斜視図
である。
FIG. 10 is a perspective view showing still another example of the electronic device.

【図11】 従来のアクティブマトリクス型のTFD液
晶表示装置における等価回路である。
FIG. 11 is an equivalent circuit in a conventional active matrix type TFD liquid crystal display device.

【図12】 従来のアクティブマトリクス型のTFD液
晶表示装置の構造を示す部分断面斜視図である。
FIG. 12 is a partial cross-sectional perspective view showing a structure of a conventional active matrix type TFD liquid crystal display device.

【図13】 従来のアクティブマトリクス型のTFD液
晶表示装置を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing a conventional active matrix type TFD liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2、2A、22、24、26、28 半導体装置 2a、2b 半導体装置の端面 2c リード部 4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h、4
0a、40b電極部 6a、6b 基板端子部 8 実装部材 12、17 走査線 14、19 データ線 30、35 素子基板(他方の基
板) 32、37 対向基板(一方の基
板) 32a 基板の周縁部 30e、30e’ 基板の端面
2, 2A, 22, 24, 26, 28 Semiconductor device 2a, 2b End face 2c of semiconductor device Lead portion 4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f, 4g, 4h, 4
0a, 40b Electrode part 6a, 6b Substrate terminal part 8 Mounting member 12, 17 Scan line 14, 19 Data line 30, 35 Element substrate (the other substrate) 32, 37 Opposite substrate (one substrate) 32a Peripheral portion 30e of substrate , 30e 'Edge of the substrate

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の基板間に電気光学物質を有し、前
記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の周縁部には
半導体装置が実装されている電気光学装置であって、 前記周縁部は、該周縁部と対向する位置における他方の
基板の端面より外側に位置し、前記周縁部の表面及び/
又は前記他方の基板の端面には基板端子部が表出し、 前記半導体装置の表面に形成された電極部が前記基板端
子部に電気的に接続されていることを特徴とする電気光
学装置。
1. An electro-optical device having an electro-optical material between a pair of substrates, wherein a semiconductor device is mounted on a peripheral portion of at least one of the pair of substrates, wherein the peripheral portion is , Located outside the end surface of the other substrate at a position facing the peripheral portion, and the surface of the peripheral portion and / or
Alternatively, a substrate terminal portion is exposed on an end surface of the other substrate, and an electrode portion formed on a surface of the semiconductor device is electrically connected to the substrate terminal portion.
【請求項2】 前記他方の基板の端面は、該基板の表面
に対して傾斜していることを特徴とする請求項1に記載
の電気光学装置。
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein an end surface of the other substrate is inclined with respect to a surface of the substrate.
【請求項3】 前記半導体装置は2つの端面を備え、該
2つの端面の少なくとも一方には電極部が形成され、前
記2つの端面同士のなす角は前記周縁部の表面と前記他
方の基板の端面とのなす角と略同一になっていて、 前記2つの端面が前記周縁部の表面及び前記他方の基板
の端面にそれぞれほぼ接した状態で、前記電極部が前記
基板端子部に電気的に接続されていることを特徴とする
請求項1又は2に記載の電気光学装置。
3. The semiconductor device has two end faces, an electrode portion is formed on at least one of the two end faces, and an angle formed between the two end faces is defined by a surface of the peripheral portion and a surface of the other substrate. The electrode portion is electrically connected to the substrate terminal portion in a state where the two end surfaces are substantially in contact with the surface of the peripheral portion and the end surface of the other substrate, respectively. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is connected.
【請求項4】 一対の基板間に電気光学物質を有し、前
記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の周縁部には
半導体装置が実装されている電気光学装置であって、 前記周縁部は、該周縁部と対向する位置における他方の
基板の端面より外側に位置し、前記周縁部の表面及び/
又は前記他方の基板の端面には基板端子部が表出し、 前記半導体装置は実装部材に装着され、かつ該半導体装
置におけるリード部は前記実装部材の表面に形成された
電極部に電気的に接続され、 前記電極部が前記基板端子部に電気的に接続されている
ことを特徴とする電気光学装置。
4. An electro-optical device in which an electro-optical material is provided between a pair of substrates, and a semiconductor device is mounted on a peripheral portion of at least one of the pair of substrates. , Located outside the end surface of the other substrate at a position facing the peripheral portion, and the surface of the peripheral portion and / or
Alternatively, a substrate terminal portion is exposed on an end surface of the other substrate, the semiconductor device is mounted on a mounting member, and a lead portion of the semiconductor device is electrically connected to an electrode portion formed on a surface of the mounting member. An electro-optical device, wherein the electrode portion is electrically connected to the substrate terminal portion.
【請求項5】 前記他方の基板の端面は、該基板の表面
に対して傾斜していることを特徴とする請求項4に記載
の電気光学装置。
5. The electro-optical device according to claim 4, wherein an end surface of the other substrate is inclined with respect to a surface of the substrate.
【請求項6】 前記実装部材は2つの端面を備え、該2
つの端面の少なくとも一方には前記電極部が形成され、
前記2つの端面同士のなす角は前記周縁部の表面と前記
他方の基板の端面とのなす角と略同一になっていて、 前記2つの端面が前記周縁部の表面及び前記他方の基板
の端面にそれぞれほぼ接した状態で、前記電極部が前記
基板端子部に電気的に接続されていることを特徴とする
請求項4又は5に記載の電気光学装置。
6. The mounting member has two end faces,
The electrode portion is formed on at least one of the two end faces,
The angle between the two end surfaces is substantially the same as the angle between the surface of the peripheral portion and the end surface of the other substrate, and the two end surfaces are the surface of the peripheral portion and the end surface of the other substrate. 6. The electro-optical device according to claim 4, wherein the electrode portion is electrically connected to the substrate terminal portion in a state where the electrode portion is substantially in contact with each other.
【請求項7】 前記実装部材は樹脂から成り、前記電極
部は金属箔から成っていて、かつ該電極部の一部は前記
樹脂中に埋没していることを特徴とする請求項4ないし
6のいずれかに記載の電気光学装置。
7. The device according to claim 4, wherein said mounting member is made of resin, said electrode part is made of metal foil, and a part of said electrode part is buried in said resin. The electro-optical device according to any one of the above.
【請求項8】 前記電極部と前記基板端子部の間には導
電膜が介装されていることを特徴とする請求項1ないし
7のいずれかに記載の電気光学装置。
8. The electro-optical device according to claim 1, wherein a conductive film is interposed between the electrode portion and the substrate terminal portion.
【請求項9】 前記半導体装置は、球状半導体の表面に
回路が形成されたものであることを特徴とする請求項1
ないし8のいずれかに記載の電気光学装置。
9. The semiconductor device according to claim 1, wherein a circuit is formed on a surface of a spherical semiconductor.
9. The electro-optical device according to any one of items 1 to 8.
【請求項10】 前記電気光学装置は、2端子型スイッ
チング素子を備えたマトリクス方式のものであることを
特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の電気光
学装置。
10. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is of a matrix type having two-terminal switching elements.
【請求項11】 請求項1ないし10のいずれかに記載
の電気光学装置に用いられる半導体装置の実装構造体で
あって、 前記半導体装置又は前記実装部材に形成された電極部
が、前記一方の基板又は前記他方の基板の基板端子部に
電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の
実装構造体。
11. A mounting structure for a semiconductor device used in the electro-optical device according to claim 1, wherein the electrode portion formed on the semiconductor device or the mounting member is the one of the one or more electrodes. A mounting structure for a semiconductor device, wherein the mounting structure is electrically connected to a substrate or a substrate terminal portion of the other substrate.
【請求項12】 請求項1ないし10のいずれかに記載
の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
12. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
JP34093899A 1999-11-30 1999-11-30 Electro-optical device, mounting structure of semiconductor device used therefor, and electronic apparatus Withdrawn JP2001154610A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006127916A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Matsushita Electric Works Ltd Organic electroluminescent device sealing member and organic electroluminescent device
JP4846711B2 (en) * 2004-04-08 2011-12-28 フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド Polymer-dispersed liquid crystal formulation for modulator manufacturing

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