JP2001148508A

JP2001148508A - 窒化物半導体素子及びその製造方法

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Publication number: JP2001148508A
Application number: JP33050899A
Authority: JP
Inventors: Tatsunori Toyoda; 達憲豊田
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 1999-11-19
Filing date: 1999-11-19
Publication date: 2001-05-29
Anticipated expiration: 2019-11-19
Also published as: JP3665243B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の窒化物半導体を用いた素子では、困難で
あった高機能でありながらアニーリングの制御性に優
れ、素子ばらつきの少ないｎ型電極を有する窒化物半導
体素子及びその製造を提供する。【解決手段】ｎ型導電性を有する窒化物半導体上に、電
極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極
が、Ｗを有する第１の層、該第１の層の上にＡｌを有す
る第２の層、該第２の層の上にＰｔを有する第３の層、
該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔを有する第４の層で
あると共に、該第４の層でもって前記電極が電気的に接
続されることを特徴とする。このことにより、薄膜の多
層膜からなるｎ型電極を有していても、各元素拡散の制
御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるｎ型
電極を有する窒化物半導体素子となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、紫外域光から赤色光が
発光可能な発光ダイオード及びレーザーダイオードに用
いることができる発光素子、フォトダイオード、太陽電
池などの受光素子に使用され、窒化物半導体（一般式Ｉ
ｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ、但し、０≦ｘ≦ｙ、ｘ＋ｙ≦
１）を用いた素子に係り、特にｎ導電性を有する窒化物
半導体と良好なオーミック接触をする電極を有する窒化
物半導体素子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化物半導体を用いた素子（以下、窒化
物半導体素子という）は、その半導体の特性から、紫外
域から赤色までの波長の光を発光可能な発光ダイオー
ド、ＤＶＤなどの光記録媒体の高密度化の光源として半
導体レーザ、さらには発光素子以外の素子へもその応用
は及ぶものとして、期待が高まっている。

【０００３】この様なＬＥＤを含めて窒化物半導体素子
は順方向電圧を下げるため、半導体層と各電極との間に
好ましいオーミック接触を得る必要がある。上述の構造
のＬＥＤにおいてもｐ型窒化物半導体と、正電極（以
下、「ｐ型電極」という。）とで良好なオーミック接触
を得ている。同様にｎ型窒化物半導体と接する負電極
（以下、「ｎ型電極」という。）とで良好なオーミック
接触を得ている。

【０００４】しかしながら、Ｎ型窒化物半導体の物性に
ついては十分解明されておらず、より電気特性などが優
れ使用環境が厳しい条件下においても作動する半導体装
置を再現性良く形成することは難しかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このようなｎ型導電性
を有する窒化物半導体（以下、ｎ型窒化物半導体とい
う）の上に形成するｎ型電極は、順方向電圧の低下、半
導体とのオーミック性及び密着性等の性能向上を追求す
ることにより、高度な設計が必要とされるようになっ
た。具体的には、ｎ型電極は、多層膜で形成され、且つ
抵抗値を下げるために、各層は薄膜で構成される。しか
し、このような薄膜の層を多層膜で形成する際には、量
産時において、再現性、同一ウエハ内での素子チップご
とのばらつきを生み出す原因となる。

【０００６】具体的には、ｎ型電極を多層膜とし、さら
にそれを構成する層のほとんどを数千Å以下の薄膜とす
ると、製造の安定性、特に素子ごとの膜厚を含めた層構
成のばらつきが大きくなる傾向にある。加えて、ｎ型電
極として各層を積層した後、多層膜からなる電極の性能
向上を目的としたアニーリングなどの熱処理を行うと、
上記素子ごとの層の膜厚の変化から、このようなアニー
リング効果にもばらつきが生まれる。

【０００７】さらには、上記多層膜の電極では、各層を
構成する元素の拡散も無視できず、こうした電極の層構
成のばらつきのもと、各層の元素が拡散することは、素
子ごとのばらつきを更に増大させるものとなる。

【０００８】以上のような、ｎ型電極に関する問題は、
高機能化が求められる素子において、深刻な特性劣化を
生み出すこと原因となる。また、このことは、素子その
ものの高性能化の速度に、ｎ型電極の性能が追いつけな
くなることとなり、窒化物半導体素子の応用において
も、深刻な問題になる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するものであり、ｎ型電極の高性能化、及び生産性向
上により、多層膜のｎ型電極が薄膜で構成されることに
より、再現性の低下、わずかながらも各層の膜厚が変化
することによる素子特性のばらつき、熱処理による元素
拡散の制御性の低下が発生を解決する窒化物半導体素
子、及びその製造方法を提供するものである。

【００１０】すなわち、本発明は、ｎ型導電性を有する
窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子
であって、前記電極が、Ｗを有する第１の層、該第１の
層の上にＡｌを有する第２の層、該第２の層の上にＰｔ
を有する第３の層、該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔ
を有する第４の層であると共に、該第４の層でもって前
記電極が電気的に接続されることを特徴とする。また、
前記第２の層と第３の層との間に、Ｗ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍ
ｏ，Ｔｉからなる群から選択される１種の中間層を有す
ることである。更に、その窒化物半導体素子の製造方法
としては、基体上に、ｎ型導電性を有する窒化物半導体
を形成する工程と、該窒化物半導体上に電極として、Ｗ
を有する第１の層、該第１の層の上にＡｌを有する第２
の層、Ｗ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔｉからなる群から選択
される１種の中間層、該中間層の上にＰｔを有する第３
の層、該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔを有する第４
の層、を形成する工程とを具備してなることを特徴とす
る。加えて、前記電極を形成した後、該電極のほぼ全面
を覆うように第１の保護膜を形成し、該第１の保護膜の
上に絶縁性を有する第２の保護膜を形成すること、前記
第１の保護膜がＷ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌから
なる群から選択される少なくとも１つの金属であり、前
記第２の保護膜が珪素酸化物若しくは窒素酸化物である
こと、前記第２の保護膜形成後、前記電極上部から開口
部を設けて前記第１の保護膜、第２の保護膜の一部を除
去して、前記第４の層を露出させることである。

【００１１】本願発明は、請求項１記載の構成とするこ
とで、良好なオーミック接触をしつつ、密着力に優れた
ｎ型電極を有する窒化物半導体素子とすることができ
る。本願発明の請求項２記載の構成とすることにより、
各層の構成元素の拡散を適度に抑制し、良好なオーミッ
ク接触のｎ型電極を有する窒化物半導体素子とすること
ができる。また、本願発明の請求項３記載の方法とする
ことで、量産性且つ高機能性に優れるｎ型電極を有する
窒化物半導体素子を製造できる。本願発明の請求項４記
載の方法とすることで、ｎ型電極が高度に絶縁され、密
着された窒化物半導体素子を製造できる。本願発明の請
求項５記載の方法とすることで、ｎ型電極が優れた密着
性でもって絶縁性の保護膜に覆われ、信頼性の高い窒化
物半導体素子を製造できる。本願発明の請求項６記載の
方法とすることで、高い量産性の元、信頼性に優れる窒
化物半導体素子を製造できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について、１実施形
態である図１を用いて詳細に説明する。図１は、模式断
面図であり、基体１１上に窒化物半導体を積層して、素
子構造として発光ダイオードを形成したものである。そ
の層構成としては、活性層１３を導電型の異なる窒化物
半導体層１２，１４で挟み込む構造で、基体１１の同一
面側に、正負電極１５，１６、その取り出し電極１７が
設けられている。

【００１３】（ｎ型電極）本願発明のｎ型導電性を有す
る窒化物半導体用の電極であるｎ型電極４０１は、タン
グステンやアルミニウムの金属及びそれらの合金材料を
蒸着材料やスパッタ材料として用いそれぞれ所望の場所
に蒸着方法やスパッタリング方法などの種々の方法によ
って形成させることができる。ｎ型電極として積層構造
とするためには第１の層をＷにし、第２の層をＡｌとす
ることによってｎ型窒化物半導体と良好なオーミック接
触を得ることができる。第１の層のＷ、第２の層のＡｌ
は合金で形成させてもよい。具体的な合金材料として第
１の層にはＡｌ、Ｓｉから選択される少なくとも１種の
材料を用い、第２の層に用いられる合金材料としては、
Ｗ、Ｃｕ，Ｓｉから選択される少なくとも１種の材料が
あげられる。また、この第１の層、第２の層の上に、第
２の層の金属材料とさらにその上に積層された層との合
金化を防止するため第２の層よりも高融点材料を第３の
層もしくは中間層として積層する。さらに、第３の層上
に外部回路との電気接続が良好な金属をさらに第４の層
として積層する。具体的な中間層としてはＷ、Ｃｒ、ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ｔｉやそれらの合金などがあげられ、第３の
層としてはＰｔがあげられる。第４の層としてはＡｕ及
びその合金が挙げられる。なお、所望に応じてさらに複
数の金属多層膜としてもよいが、外部回路と電気的に接
続するｎ型電極表面は第４の層とすることが好ましい。
またさらに、本願発明のｎ型電極は、Ｓｉまたは／及び
Ｇｅがｎ型ドーパントとして２×１０¹⁸／ｃｍ³から１
×１０¹⁹／ｃｍ³に含有されたｎ型窒化物半導体とのオ
ーミック接触及び密着力が特によい。理由は定かではな
いが、第１の層とｎ型窒化物半導体に含有されたＳｉ及
び／又はＧｅとのなんらかの相関関係が働いていると考
えられる。

【００１４】本願発明の窒化物半導体素子はアニールを
行わなくとも十分なオーミック接触を形成することがで
きるが、より安定で機械的強度の高い半導体素子とする
ためにはアニールを行っても良い。その場合アニール温
度はアニール効果を生じさせると共に、形成されたｎ型
電極と電気的接続部材やｎ型窒化物半導体との密着性な
どに悪影響が生じないよう３５０℃以下であることが好
ましい。より好ましくは８０℃以上２８０℃以下であ
り、さらに好ましくは１００℃以上２２０℃以下であ
る。また、アニールはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ₂などの不活性ガ
ス中において熱処理することが好ましい。この時、本発
明では、比較例１と異なり、Ｐｔを有する第３の層が設
けられていることで、熱処理に優れるｎ型電極となり、
安定してアニーリングによる電極の高機能化を実現でき
る。

【００１５】（窒化物半導体）本願発明に用いられる窒
化物半導体は、液相成長法、ＶＰＥ法（ＶａｐｏｒＰｈ
ａｓｅＥｐｉｔａｘｙ）、ＭＯＶＰＥ法（Ｍｅｔａｌ
ＯｒｇａｎｉｃＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａ
ｘｙ）やＭＯＣＶＤ法（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ
ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）などにより形成される。半導体素子の構造として
は、ＭＩＳ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構
造あるいはダブルへテロ構成、さらにはショットキー接
合など所望に応じて種々のものが挙げられる。半導体の
材料やその混晶度によって発光波長及び受光波長を紫外
光から赤色領域まで種々選択することができる。特に本
願発明のｎ型電極を用いた場合、窒化物半導体素子に過
度の電圧印加をかけずにオーミック接触を得ることがで
きるため半導体が極めて薄い半導体素子において特に有
効となる。具体的には、半導体活性層を構成する一層が
１００オングストローム以下の量子効果を有する構造の
窒化物半導体素子において特に有用となる。

【００１６】窒化ガリウム系化合物半導体は、高温高圧
下において単結晶体として形成することができるため基
体を省略するこもできるが量産性の観点から基板上に形
成させることが好ましい。窒化物半導体を形成させる基
板としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣなどの単結晶半導体基
板、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、
ＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、サファイ
ヤ（Ａｌ2Ｏ3）、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、石英（Ｓ
ｉＯ2）、Ｔｉ2Ｏ、ＭｇＯ、ＭｇＦ2、ＣａＦ2、ＳｒＴ
ｉＯ3、ＺｎＯ等の材料を用いた基板が挙げられる。基
板の厚さは形成する半導体装置や基板材料により種々選
択することができが、基板を通して発光または受光させ
る場合、光の透過率やチップとしての形成のしやすさか
ら薄ければ薄い方が好ましい。一方、素子を形成するプ
ロセス時や取り扱い時においては基板の機械的強度が必
要となる。したがって、好ましい基板の厚さとしては、
０．０１〜３．０ｍｍである。より好ましくは０．０５
〜２．０ｍｍが好ましい。なお結晶性の良い窒化物半導
体を形成させるためにはサファイヤ基板を用いることが
好ましい。このサファイヤ基板上に格子不整合緩和のた
めにＧａＮ、ＡｌＮ等のバッファー層を形成しその上に
ＰＮ接合などを有する窒化物半導体を形成させることに
より発光素子や受光素子を構成させ得る。

【００１７】窒化物半導体は、不純物をドープしない状
態でｎ型導電性を示すが、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、
Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｓｎ等を適宜導入することが好
ましい。また、ｎ型ドーパントと微量のＰ型ドーパント
とをドーピングしたダブルドーピングすることもでき
る。これらのドーパントの種類とドーピング量を変える
ことによってキヤリアー密度を制御し電気抵抗を下げる
ことができる。この場合、キヤリアー密度は〜１０17ｃ
ｍ-3以上が好ましく、より好ましくは〜１０18ｃｍ-3以
上である。一方、Ｐ型窒化物半導体を形成させる場合
は、Ｐ型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化ガリウム半導体は、Ｐ
型ドーパントをドープしただけではＰ型化しにくいため
Ｐ型ドーパント導入後に、低速電子線照射させたり、プ
ラズマ照射等によりアニールさせることでＰ型化させて
もよい。

【００１８】発光観測面側に異なる電極を形成するため
には各半導体を所望の形状にエッチングしてあることが
好ましい。エッチングとしては、ドライエッチングや、
ウエットエッチングがある。ドライエッチングとしては
例えば反応性イオンエッチング、イオンミリング、集束
ビームエッチング、ＥＣＲエッチング等が挙げられる。
又、ウエットエッチングとしては、硝酸と燐酸の混酸を
用いることが出来る。ただし、エッチングを行う前に所
望の形状に窒化珪素や二酸化珪素等の材料を用いてマス
クを形成することは言うまでもない。なお、このような
エッチング面においても本願発明の電極は十分な密着性
と電気特性を示す。

【００１９】（ｐ型電極）ｐ型導電性を有する窒化物半
導体の電極であるｐ型電極は、接触させるｐ型窒化物半
導体層とオーミック接触させる必要がある。また、ｐ型
電極を介して発光素子として発光させる場合は、金属薄
膜等で形成させた透光性（なお、ここで透光性とは発光
素子の発光する光の波長に対して電極を通過すれば良
い。）の電極とする必要がある。

【００２０】これらの条件を満たす材料として、例えば
Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ｔｌ、Ａｇ、Ｒｈ等の金属及びそれらの合金が挙げ
られる。また、透光性を有する電極材料としてＩＴＯ、
ＳｎＯ2、ＮｉＯ2等の金属酸化物もあげられる。さらに
は、これらの上に前記金属薄膜を積層することも可能で
ある。金属等を透光性とするためには蒸着方法、スパッ
タ方法等を用いて極めて薄く形成させれば良い。また、
金属を蒸着あるいはスパッタ方法等によって形成させた
後、アニーリングして金属をｐ型導電性を有する半導体
層中に拡散させると共に外部に飛散させて所望の膜厚
（透光性となる電極の膜厚）に調整させた電極を形成さ
せることもできる。透光性となる金属電極の膜厚は、所
望する発光波長や金属の種類によっても異なるが、好ま
しくは、０．００１〜０．１μｍであり、より好ましく
は、０．０５〜０．２μｍである。更に、電極を透光性
とした場合、ｐ型電極の形状としては、線状、平面状等
目的に応じて形成させることができる。ｐ型導電性を有
する半導体層全体に形成された平面状電極は、電流を全
面に広げ全面発光とすることができる。

【００２１】さらにまた、ｐ型電極を極めて薄く形成さ
せた場合、電極上に直接ワイヤーボンデイングすると、
ボールが接続しにくくなる傾向があるため密着性向上の
ためにｐ型電極とは別にボンデイング用の台座電極を形
成させたり、ｐ型電極を多層構成とすることが好まし
い。台座電極の材質としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ等を使
用することができる。台座電極の膜厚としてはミクロン
オーダーとすることが好ましい。又、ｐ型電極の少なく
とも一部を多層構成とする場合、窒化物半導体と接触さ
せる接触電極にはＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｉｎ、
Ｇａ、Ｔｌ、Ａｇから選択される金属あるいは、これら
の合金が好適に用いられボンデイングと接触するボンデ
イング電極としてはＡｌ、Ａｕ等の金属あるいはこれら
の合金が好適に用いられる。なお、半導体素子通電時、
ｐ型電極中にボンデイング用電極材料がマイグレーショ
ンする場合があるためボンデイング用電極Ａｕ単体ある
いはＡｌ及び／Ｃｒ含有量が少ないＡｕ合金とすること
が特に好ましい。なお、ｐ型窒化物半導体の場合は、ｐ
型電極材料と半導体材料をなじませオーミック特性を向
上させ、さらには窒化物半導体形成時に含有される水素
を抜くために４００℃以上でアニールすることが好まし
い。また、窒化ガリウム半導体の分解を抑制する目的か
ら１１００℃以下でアニールすることが好ましい。さら
に、アニーリングを窒素雰囲気中で行うことにより、窒
化ガリウム系化合物半導体中の窒素が分解して出て行く
のを抑制することができ、結晶性を保つことが出きる。
本願発明においてｐ型電極のアニーリング温度がＮ型電
極のアニーリング温度が高い場合は、ｐ型電極形成後に
Ｎ型電極を形成させることが好ましい。

【００２２】

【実施例】［実施例１］本発明の１実施形態として窒化
物半導体を用いた発光素子について説明する。図１は、
その発光素子の構造を示す模式断面図であり、サファイ
ア基板１１上に、ｎ型導電性を有する窒化物半導体層１
２、活性層１３、ｐ型導電性を有する窒化物半導体層が
順に積層された構造を有する。図１に示すように、各半
導体層を積層した後、所定の領域でｐ型導電性の窒化物
半導体層１４、活性層１３、ｎ型導電性の窒化物半導体
層１２の一部を除去して、ｎ型導電性の窒化物半導体層
に電極を形成するための表面を露出させ、その表面に以
下に示すｎ型電極を形成する。

【００２３】先ずレジスト膜をネガとして形成した後、
第１の層としてＷを２００Å、第２の層としてＡｌを２
０００Å、中間層としてＷを５００Å、第３の層として
Ｐｔを１０００Å、第４の層としてＡｕを３５００Åを
ターゲットを変えながらスパッタリング装置により、順
に積層した。

【００２４】次に、図２に示すように第１の保護膜とし
て、電極３１のほぼ全面となる表面及びその側面を覆う
ようにＮｉを６０Åの膜厚で形成した後（図２
（ａ））、続いて第２の保護膜３３としてＳｉＯ2を３
０００Åの膜厚で形成する。この時、各保護膜は、スパ
ッタリング装置により形成し、所定のパターンとするた
には、リフトオフ法などにより不要となる部分を除去す
る（図２（ｂ））。

【００２５】第２の保護膜を形成した後、図２（ｃ）に
示すように、外部回路と電極とを接続するための開口部
を所定の形状に設けるため、フォトレジストマスク３４
を形成する。続いて、フォトレジストマスク３４開口部
下の第１の保護膜３２、第２の保護膜３３を除去して、
電極３１が露出した開口部３５を形成する（図２
（ｄ））。この時、電極３１の一部を除去して電極にも
凹部を形成すると、Ａｕからなる第４の層を確実に露出
させることができ、外部回路との電気的な接続に有利な
ものとなり好ましい。なぜなら、第１の保護膜と電極と
の境界付近では、保護膜材料、電極材料によっては、元
素の拡散などにより合金化している場合があり、電極に
凹部を形成して、表面から深い位置の電極を露出させる
ことで、この問題を回避でき、電気的な接続が確実に成
されるからである。好ましくは、除去する電極として、
外部回路との電気的な接続を行う電極表面である第４の
層の一部を除去することであり、すなわち、第４の層に
凹部を設けることである。ここでは、Ａｕからなる第４
の層を、表面から３００Åの深さで除去する。

【００２６】この開口部３５を設ける工程において、Ｓ
ｉＯ₂よりなる第１の保護膜３３を、ＲＩＥによってＣ
Ｆ₄ガスを用いて除去した後、Ｎｉよりなる第２の保護
膜３２をＲＩＥによって塩素系ガスにＡｒガスを添加し
たガスを用いて除去し、そのまま引き続いて、電極３１
の第４の層（Ａｕ）を一部除去して開口部を設ける。

【００２７】さらにこのｎ型電極の上記第１、２の保護
膜形成前に、ｐ型導電性の窒化物半導体層１４上に、ｐ
型電極１５、ｐ型取り出し電極１６を設けておいて、上
述のｎ型電極の保護膜をｐ型電極にも設けて、図１に観
るような発光素子を得る。

【００２８】図３，４に、実施例１、比較例１で得られ
た発光素子に、それぞれ５５０℃、５００℃の熱処理を
した後、表面から深さ方向への各元素の分布を示す図で
ある。図３では、各層の境界付近では熱処理による元素
拡散が認められるものの、第１の層から第４の層までの
各層の元素が層構成がはっきりとしており、熱処理にお
いて再現性よくアニーリングされることがわかる。一
方、比較例のｎ型電極である図４では、Ａｌからなる層
の拡散がｎ型電極の全膜厚に及び、多層膜構造が崩れて
いることがわかる。このことから、比較例の発光素子で
は、比較的低い温度の熱処理においても、ｎ型電極の機
能性は失われる危険性があることを示し、製造におい
て、多層膜の各層の膜厚のばらつきが、元素拡散の不安
定につながり、結果としてその拡散が素子特性を劣化さ
せるに至るものが観られた。

【００２９】［比較例１］膜厚２００ÅのＷ、膜厚２０
００ÅのＡｌ、膜厚２００ÅのＷ、膜厚３０００ÅのＡ
ｕを順に積層してｎ型電極を形成する他は、実施例１と
同様にして、発光素子を得る。

【００３０】

【発明の効果】本発明の窒化物半導体素子は、密着性、
オーミック接触に優れた高機能でありながら、再現性に
優れ、高温などの厳しい環境かでの使用が可能である。

【００３１】更に、本発明の製造方法によれば、薄膜に
よる多層膜を形成しても、優れた再現性、アニーリング
が可能で、素子特性のばらつきが少なく、量産性に優れ
るｎ型電極を有した窒化物半導体素子が製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施形態を説明する模式断面図。

【図２】本発明の製造方法を説明する模式断面図。

【図３】本発明の１実施形態に係るｎ型電極の熱処理後
の層構成を説明する図。

【図４】本発明の比較例に係るｎ型電極の熱処理後の層
構成を説明する図。

【符号の説明】１１・・・・基体１２・・・・ｎ型窒化物半導体１３・・・・活性層１４・・・・ｐ型窒化物半導体１５・・・・ｐ型電極１６・・・・取り出し電極１７・・・・ｎ電極１８・・・・第２の保護膜２３・・・・ボール（ボンディング部材）３０・・・・ｎ型窒化物半導体３１・・・・ｎ型電極３２・・・・第１の保護膜３３・・・・第２の保護膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｎ型導電性を有する窒化物半導体上に、電
極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極
が、Ｗを有する第１の層、該第１の層の上にＡｌを有す
る第２の層、該第２の層の上にＰｔを有する第３の層、
該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔを有する第４の層で
あると共に、該第４の層でもって前記電極が電気的に接
続されることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】前記第２の層と第３の層との間に、Ｗ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔｉからなる群から選択される１種の
中間層を有することを特徴とする請求項１記載の窒化物
半導体素子。
【請求項３】基体上に、ｎ型導電性を有する窒化物半導
体を形成する工程と、該窒化物半導体上に電極として、
Ｗを有する第１の層、該第１の層の上にＡｌを有する第
２の層、Ｗ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔｉからなる群から選
択される１種の中間層、該中間層の上にＰｔを有する第
３の層、該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔを有する第
４の層、を形成する工程とを具備してなることを特徴と
する窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】前記電極を形成した後、該電極のほぼ全面
を覆うように第１の保護膜を形成し、該第１の保護膜の
上に絶縁性を有する第２の保護膜を形成することを特徴
とする請求項３記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】前記第１の保護膜がＷ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ａｌからなる群から選択される少なくとも１
つの金属であり、前記第２の保護膜が珪素酸化物若しく
は窒素酸化物であることを特徴とする請求項３又は４記
載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】前記第２の保護膜形成後、前記電極上部か
ら開口部を設けて前記第１の保護膜、第２の保護膜の一
部を除去して、前記第４の層を露出させることを特徴と
する請求項４又は５記載の窒化物半導体素子の製造方
法。