JP2001141798A - 磁気インピーダンス効果素子 - Google Patents
磁気インピーダンス効果素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性薄膜に損傷を与えることなく、非磁性基
板にバイアスコイルを装着できる磁気インピーダンス効
果素子を提供する。 【解決手段】 非磁性基板２の一面に形成した磁性薄膜
３の両端部に電極４，５を設け、非磁性基板２を嵌合さ
れた巻枠６にバイアスコイル１１を巻回し、バイアスコ
イル１１の巻回部１１ａ内に磁性膜膜３を位置させ、巻
枠６の両端部から突出した電極４，５に絶縁基板１２の
一面に形成した配線パターン１５，１６をそれぞれ接続
させるとともに、巻枠６に設けられたコイル端子９，１
０にバイアスコイル１１を接続した。
板にバイアスコイルを装着できる磁気インピーダンス効
果素子を提供する。 【解決手段】 非磁性基板２の一面に形成した磁性薄膜
３の両端部に電極４，５を設け、非磁性基板２を嵌合さ
れた巻枠６にバイアスコイル１１を巻回し、バイアスコ
イル１１の巻回部１１ａ内に磁性膜膜３を位置させ、巻
枠６の両端部から突出した電極４，５に絶縁基板１２の
一面に形成した配線パターン１５，１６をそれぞれ接続
させるとともに、巻枠６に設けられたコイル端子９，１
０にバイアスコイル１１を接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気インピーダン
ス効果を利用して外部磁界を検出する磁気インピーダン
ス効果素子に関するものである。
ス効果を利用して外部磁界を検出する磁気インピーダン
ス効果素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気インピーダンス効果素子は、高い外
部磁界検出感度を有しているため、磁気検出素子として
自動車用方位センサやモータの回転センサ等に適用され
始めている。図１６は、このような従来の磁気インピー
ダンス効果素子の構造を示す斜視図であって、この磁気
インピーダンス素子３１は、非磁性基板３２が一対の配
線パターン３３，３４を形成した絶縁基板３５に固定さ
れ、非磁性基板３２の一端面に形成された高い透磁率を
有する磁性薄膜３６の長手方向両端部に設けられた電極
３７，３８が上記一対の配線パターン３３，３４とそれ
ぞれ半田３９によって接続されている。そして、非磁性
基板３２には、絶縁基板３５を含めた形で交流バイアス
磁界発生用のバイアスコイル４０が巻回されて装着さ
れ、その巻回部４０ａ内に磁性薄膜３６が位置した状態
となっている。
部磁界検出感度を有しているため、磁気検出素子として
自動車用方位センサやモータの回転センサ等に適用され
始めている。図１６は、このような従来の磁気インピー
ダンス効果素子の構造を示す斜視図であって、この磁気
インピーダンス素子３１は、非磁性基板３２が一対の配
線パターン３３，３４を形成した絶縁基板３５に固定さ
れ、非磁性基板３２の一端面に形成された高い透磁率を
有する磁性薄膜３６の長手方向両端部に設けられた電極
３７，３８が上記一対の配線パターン３３，３４とそれ
ぞれ半田３９によって接続されている。そして、非磁性
基板３２には、絶縁基板３５を含めた形で交流バイアス
磁界発生用のバイアスコイル４０が巻回されて装着さ
れ、その巻回部４０ａ内に磁性薄膜３６が位置した状態
となっている。
【０００３】このように構成された磁気インピーダンス
効果素子３１は、磁性薄膜３６の長手方向が図示せぬ被
検出体から発せられる外部磁界Ｈに沿うように配置さ
れ、一対の配線パターン３３，３４を介して磁性薄膜３
６にＭＨｚ帯域の高周波電流を通電すると、磁性薄膜３
６の長手方向両端部間のインピーダンスが変化し、この
変化を電気信号に変換して外部磁界Ｈの検出出力が得ら
れるようになっている。
効果素子３１は、磁性薄膜３６の長手方向が図示せぬ被
検出体から発せられる外部磁界Ｈに沿うように配置さ
れ、一対の配線パターン３３，３４を介して磁性薄膜３
６にＭＨｚ帯域の高周波電流を通電すると、磁性薄膜３
６の長手方向両端部間のインピーダンスが変化し、この
変化を電気信号に変換して外部磁界Ｈの検出出力が得ら
れるようになっている。
【０００４】この高周波電流の通電時に、この高周波電
流よりも低周波の交流電流をバイアスコイル４０に通電
して磁性薄膜３６にバイアス磁界を印加すると、磁性薄
膜３６の長手方向両端部間のインピーダンスの変化に線
形性を持たせることができ、外部磁界Ｈの方向をも検知
することが可能となる。
流よりも低周波の交流電流をバイアスコイル４０に通電
して磁性薄膜３６にバイアス磁界を印加すると、磁性薄
膜３６の長手方向両端部間のインピーダンスの変化に線
形性を持たせることができ、外部磁界Ｈの方向をも検知
することが可能となる。
【０００５】この磁気インピーダンス効果素子３１は、
非磁性基板３２を絶縁基板３５に固定し、電極３７，３
８と一対の配線パターン３３，３４とをそれぞれ半田３
９によって接続した後、絶縁基板３５を含め非磁性基板
３２にバイアスコイル４０を巻回して製造される。
非磁性基板３２を絶縁基板３５に固定し、電極３７，３
８と一対の配線パターン３３，３４とをそれぞれ半田３
９によって接続した後、絶縁基板３５を含め非磁性基板
３２にバイアスコイル４０を巻回して製造される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の磁気インピーダンス効果素子３１にあっては、
磁性薄膜３６が非磁性基板３２の一端面に露出した状態
になっているため、非磁性基板３２にバイアスコイル４
０を巻回して装着する作業の際、バイアスコイル４０を
巻回しているうちに、作業者の手指が磁性薄膜３６に触
れ、これに断線等の損傷を与えるという問題があった。
た従来の磁気インピーダンス効果素子３１にあっては、
磁性薄膜３６が非磁性基板３２の一端面に露出した状態
になっているため、非磁性基板３２にバイアスコイル４
０を巻回して装着する作業の際、バイアスコイル４０を
巻回しているうちに、作業者の手指が磁性薄膜３６に触
れ、これに断線等の損傷を与えるという問題があった。
【０００７】本発明は、上述した従来技術の事情に鑑み
てなされたもので、その目的は、磁性薄膜に損傷を与え
ることなく、非磁性基板にバイアスコイルを装着できる
磁気インピーダンス効果素子を提供することにある。
てなされたもので、その目的は、磁性薄膜に損傷を与え
ることなく、非磁性基板にバイアスコイルを装着できる
磁気インピーダンス効果素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気インピーダンス効果素子は、非磁性基
板の一面に形成した磁性薄膜の両端部に電極が設けら
れ、前記非磁性基板がバイアスコイルを巻回した巻枠に
嵌合されて取り付けられており、前記バイアスコイルの
巻回部内に前記磁性膜が位置し、前記巻枠の両端部から
突出した前記電極に絶縁基板の一面に形成した配線パタ
ーンがそれぞれ接続されているとともに、前記巻枠に設
けられたコイル端子に前記バイアスコイルが接続されて
いることを最も主要な特徴としている。
に、本発明の磁気インピーダンス効果素子は、非磁性基
板の一面に形成した磁性薄膜の両端部に電極が設けら
れ、前記非磁性基板がバイアスコイルを巻回した巻枠に
嵌合されて取り付けられており、前記バイアスコイルの
巻回部内に前記磁性膜が位置し、前記巻枠の両端部から
突出した前記電極に絶縁基板の一面に形成した配線パタ
ーンがそれぞれ接続されているとともに、前記巻枠に設
けられたコイル端子に前記バイアスコイルが接続されて
いることを最も主要な特徴としている。
【０００９】また、上記構成において、前記巻枠の両端
部に一対の鍔部を設け、前記絶縁基板に切欠部を形成
し、この切欠部に前記一対の鍔部を嵌合させて、前記絶
縁基板を前記巻枠に取り付けた。
部に一対の鍔部を設け、前記絶縁基板に切欠部を形成
し、この切欠部に前記一対の鍔部を嵌合させて、前記絶
縁基板を前記巻枠に取り付けた。
【００１０】また、上記構成において、前記非磁性基板
及び絶縁基板が嵌合された巻枠は回路基板に搭載される
ものであって、前記コイル端子を前記巻枠から突出さ
せ、この突出方向と同一方向に前記配線パターンを延出
して設け、前記配線パターンと前記コイル端子とを前記
回路基板に半田付けした。
及び絶縁基板が嵌合された巻枠は回路基板に搭載される
ものであって、前記コイル端子を前記巻枠から突出さ
せ、この突出方向と同一方向に前記配線パターンを延出
して設け、前記配線パターンと前記コイル端子とを前記
回路基板に半田付けした。
【００１１】また、上記構成において、前記コイル端子
を線状に設けた前記磁性薄膜の長手方向に対し略垂直に
突出させるとともに、前記配線パターンを前記磁性薄膜
の長手方向に対し略垂直に延出させ、前記磁性薄膜の長
手方向に対して前記回路基板を略平行に配置した。
を線状に設けた前記磁性薄膜の長手方向に対し略垂直に
突出させるとともに、前記配線パターンを前記磁性薄膜
の長手方向に対し略垂直に延出させ、前記磁性薄膜の長
手方向に対して前記回路基板を略平行に配置した。
【００１２】また、上記構成において、前記コイル端子
を線状に設けた前記磁性薄膜の長手方向に対し略平行に
突出させるとともに、前記配線パターンを前記磁性薄膜
の長手方向に対し略平行に延出させ、前記磁性薄膜の長
手方向に対して前記回路基板を略垂直に配置した。
を線状に設けた前記磁性薄膜の長手方向に対し略平行に
突出させるとともに、前記配線パターンを前記磁性薄膜
の長手方向に対し略平行に延出させ、前記磁性薄膜の長
手方向に対して前記回路基板を略垂直に配置した。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気インピーダン
ス効果素子の一実施形態を図１乃至図１２に基づいて説
明する。
ス効果素子の一実施形態を図１乃至図１２に基づいて説
明する。
【００１４】この磁気インピーダンス素子１は、両端部
に電極４，５が設けられた磁性薄膜３を有する非磁性基
板２が嵌合された巻枠６にバイアスコイル１１が巻回さ
れ、この巻枠６の両端部から突出した電極４，５に、絶
縁基板１２に形成された配線パターン１５，１６がそれ
ぞれ接続されて構成されている。
に電極４，５が設けられた磁性薄膜３を有する非磁性基
板２が嵌合された巻枠６にバイアスコイル１１が巻回さ
れ、この巻枠６の両端部から突出した電極４，５に、絶
縁基板１２に形成された配線パターン１５，１６がそれ
ぞれ接続されて構成されている。
【００１５】非磁性基板２は、セラミック等の非磁性材
料を矩形状に成形してなるもので、図４に示すように、
その一面にＦｅＨｆＣを含みｂｃｃＦｅ微結晶粒を主体
とする透磁率の高い磁性薄膜３が直線状に形成されてお
り、磁性薄膜の長手方向両端部には、銅製の電極４，５
が設けられている。
料を矩形状に成形してなるもので、図４に示すように、
その一面にＦｅＨｆＣを含みｂｃｃＦｅ微結晶粒を主体
とする透磁率の高い磁性薄膜３が直線状に形成されてお
り、磁性薄膜の長手方向両端部には、銅製の電極４，５
が設けられている。
【００１６】巻枠６は、絶縁合成樹脂材料から筒状に形
成され、図５乃至図７に示すように、その両端部に一対
の鍔部７，８が設けられており、この鍔部７，８には、
各々コイル端子９，１０が貫通して固定された端子支持
部７ａ，８ａが一体に形成されている。
成され、図５乃至図７に示すように、その両端部に一対
の鍔部７，８が設けられており、この鍔部７，８には、
各々コイル端子９，１０が貫通して固定された端子支持
部７ａ，８ａが一体に形成されている。
【００１７】そして、巻枠６の透孔６ａには、非磁性基
板２が強嵌合で挿入されて取り付けられており、巻枠６
の両端部から電極４，５が突出して露出し、透孔６ａに
磁性薄膜３が位置しているとともに、透孔６ａの内壁面
と磁性薄膜３との間に若干のクリアランスが設けられて
いる。また、図１乃至図３に示すように、巻枠６には、
一対の鍔部７，８間において導電線材からなる交流バイ
アス磁界発生用のバイアスコイル１１が巻回されて装着
され、そのバイアスコイル１１の一端および他端がコイ
ル端子９，１０に各々絡げられて接続されるようになっ
ている。
板２が強嵌合で挿入されて取り付けられており、巻枠６
の両端部から電極４，５が突出して露出し、透孔６ａに
磁性薄膜３が位置しているとともに、透孔６ａの内壁面
と磁性薄膜３との間に若干のクリアランスが設けられて
いる。また、図１乃至図３に示すように、巻枠６には、
一対の鍔部７，８間において導電線材からなる交流バイ
アス磁界発生用のバイアスコイル１１が巻回されて装着
され、そのバイアスコイル１１の一端および他端がコイ
ル端子９，１０に各々絡げられて接続されるようになっ
ている。
【００１８】絶縁基板１２は、図８に示すように、その
一面の両側部にランド１３，１４が形成され、これらラ
ンド１３，１４から各々配線パターン１５，１６が絶縁
基板１２の一端部に至るように延出して設けられてお
り、配線パターン１５，１６の一端部側は他端部側に比
べ幅広の接続部１５ａ，１６ａとされている。また、絶
縁基板１２の他端部には矩形状の切欠部１２ａが形成さ
れ、この切欠部１２ａを挟んでランド１３，１４が対向
しており、ランド１３，１４には、図９に示すように、
表面が半田１７ａによってメッキされた銅製の突起１７
ｂからなる半田バンプ１７が複数個設けられている。
尚、ランド１３，１４および配線パターン１５，１６は
いずれも銅箔にて形成され、配線パターン１５，１６の
接続部１５ａ，１６ｂを除く部分およびランド１３，１
４の半田バンプ１７を除く部分がポリイミド樹脂等でな
る絶縁被膜２０によって被覆されている。
一面の両側部にランド１３，１４が形成され、これらラ
ンド１３，１４から各々配線パターン１５，１６が絶縁
基板１２の一端部に至るように延出して設けられてお
り、配線パターン１５，１６の一端部側は他端部側に比
べ幅広の接続部１５ａ，１６ａとされている。また、絶
縁基板１２の他端部には矩形状の切欠部１２ａが形成さ
れ、この切欠部１２ａを挟んでランド１３，１４が対向
しており、ランド１３，１４には、図９に示すように、
表面が半田１７ａによってメッキされた銅製の突起１７
ｂからなる半田バンプ１７が複数個設けられている。
尚、ランド１３，１４および配線パターン１５，１６は
いずれも銅箔にて形成され、配線パターン１５，１６の
接続部１５ａ，１６ｂを除く部分およびランド１３，１
４の半田バンプ１７を除く部分がポリイミド樹脂等でな
る絶縁被膜２０によって被覆されている。
【００１９】そして、図１乃至図３に示すように、この
絶縁基板１２は、切欠部１２ａに一対の鍔部７，８を嵌
合させて巻枠６に取り付けられ、ランド１３，１４が各
々時磁性基板２の電極４，５と半田１７ａによって接続
されている。これにより、ランド１３，１４と電極４，
５との接続部が、絶縁基板１２および非磁性基板２で覆
われて保護され、配線パターン１５，１６が、ランド１
３、電極４、磁性薄膜３、電極５およびランド１４を介
して導通した状態となっている。
絶縁基板１２は、切欠部１２ａに一対の鍔部７，８を嵌
合させて巻枠６に取り付けられ、ランド１３，１４が各
々時磁性基板２の電極４，５と半田１７ａによって接続
されている。これにより、ランド１３，１４と電極４，
５との接続部が、絶縁基板１２および非磁性基板２で覆
われて保護され、配線パターン１５，１６が、ランド１
３、電極４、磁性薄膜３、電極５およびランド１４を介
して導通した状態となっている。
【００２０】次に、このように構成された磁気インピー
ダンス効果素子１の組立方法について説明すると、先
ず、非磁性基板２を巻枠６の透孔６ａに挿入し、透孔６
ａの内壁面に強嵌合させて非磁性基板２を巻枠６に取り
付け、巻枠６の両端部から電極４，５が突出した状態に
する。次に、巻枠６の一対の鍔部７，８間にバイアスコ
イル１１を巻回し、バイアスコイル１１の一端および他
端をコイル端子９，１０に各々絡げて接続する。このと
き、透孔６ａ内に磁性薄膜３が位置して巻枠６で覆われ
ているため、バイアスコイル１１を巻回する作業者の手
指が磁性薄膜３に触れることがなく、手指の接触に起因
する磁性薄膜３の断線等の損傷を防ぐことができる。
ダンス効果素子１の組立方法について説明すると、先
ず、非磁性基板２を巻枠６の透孔６ａに挿入し、透孔６
ａの内壁面に強嵌合させて非磁性基板２を巻枠６に取り
付け、巻枠６の両端部から電極４，５が突出した状態に
する。次に、巻枠６の一対の鍔部７，８間にバイアスコ
イル１１を巻回し、バイアスコイル１１の一端および他
端をコイル端子９，１０に各々絡げて接続する。このと
き、透孔６ａ内に磁性薄膜３が位置して巻枠６で覆われ
ているため、バイアスコイル１１を巻回する作業者の手
指が磁性薄膜３に触れることがなく、手指の接触に起因
する磁性薄膜３の断線等の損傷を防ぐことができる。
【００２１】次に、図１０に示すように、巻枠６の側方
に絶縁基板１２を位置させて、切欠部１２ａに一対の鍔
部７，８を嵌合させることにより、絶縁基板１２を巻枠
６に取り付ける。しかる後、ランド１３，１４に対応す
る絶縁基板１２の他面を図示せぬチップヒーターで加熱
・加圧すると、半田１１ａが融解してランド１３と電極
４およびランド１４と電極５とが接続される。
に絶縁基板１２を位置させて、切欠部１２ａに一対の鍔
部７，８を嵌合させることにより、絶縁基板１２を巻枠
６に取り付ける。しかる後、ランド１３，１４に対応す
る絶縁基板１２の他面を図示せぬチップヒーターで加熱
・加圧すると、半田１１ａが融解してランド１３と電極
４およびランド１４と電極５とが接続される。
【００２２】このようにして、磁気インピーダンス効果
素子１の組立は完了するが、組立後においては、バイア
スコイル１１の巻回部１１ａ内に磁性薄膜３が位置し、
磁性薄膜３の長手方向に対しコイル端子９，１０が巻枠
６から略垂直に突出しているとともに、この突出方向と
同一方向に配線パターン１５，１６がランド１３，１４
から延出して設けられ、磁性薄膜３の長手方向に対し配
線パターン１５，１６が略垂直に延出された状態となっ
ている。
素子１の組立は完了するが、組立後においては、バイア
スコイル１１の巻回部１１ａ内に磁性薄膜３が位置し、
磁性薄膜３の長手方向に対しコイル端子９，１０が巻枠
６から略垂直に突出しているとともに、この突出方向と
同一方向に配線パターン１５，１６がランド１３，１４
から延出して設けられ、磁性薄膜３の長手方向に対し配
線パターン１５，１６が略垂直に延出された状態となっ
ている。
【００２３】このように構成・組み立てられた磁気イン
ピーダンス効果素子１は、図１１乃至図１２に示すよう
に、磁性薄膜３の長手方向に対して平行に配置された回
路基板１８に搭載され、その裏面側で配線パターン１
５，１６の接続部１５ａ，１６ａおよびコイル端子９，
１０が半田付けにより回路基板１８と電気的に接続され
る。
ピーダンス効果素子１は、図１１乃至図１２に示すよう
に、磁性薄膜３の長手方向に対して平行に配置された回
路基板１８に搭載され、その裏面側で配線パターン１
５，１６の接続部１５ａ，１６ａおよびコイル端子９，
１０が半田付けにより回路基板１８と電気的に接続され
る。
【００２４】そして、この磁気インピーダンス効果素子
１は、磁性薄膜３の長手方向が図示せぬ被検出体から発
せられる外部磁界Ｈに沿うように配置された状態で、回
路基板１８から配線パターン１５，１６を介して磁性薄
膜３にＭＨｚ帯域の高周波電流を通電すると、磁性薄膜
３の長手方向両端部間のインピーダンスが変化し、この
変化を回路基板１８が電気信号に変換して外部磁界Ｈの
検出出力が得られるようになっている。
１は、磁性薄膜３の長手方向が図示せぬ被検出体から発
せられる外部磁界Ｈに沿うように配置された状態で、回
路基板１８から配線パターン１５，１６を介して磁性薄
膜３にＭＨｚ帯域の高周波電流を通電すると、磁性薄膜
３の長手方向両端部間のインピーダンスが変化し、この
変化を回路基板１８が電気信号に変換して外部磁界Ｈの
検出出力が得られるようになっている。
【００２５】この高周波電流の通電時に、この高周波電
流よりも低周波の交流電流を回路基板１８からコイル端
子９，１０を介してバイアスコイル１１に通電して磁性
薄膜３にバイアス磁界を印加すると、磁性薄膜３の長手
方向両端部間のインピーダンスの変化に線形性を持たせ
ることができ、外部磁界Ｈの方向をも検知することが可
能となる。
流よりも低周波の交流電流を回路基板１８からコイル端
子９，１０を介してバイアスコイル１１に通電して磁性
薄膜３にバイアス磁界を印加すると、磁性薄膜３の長手
方向両端部間のインピーダンスの変化に線形性を持たせ
ることができ、外部磁界Ｈの方向をも検知することが可
能となる。
【００２６】しかして、この磁気インピーダンス効果素
子１にあっては、コイル端子９，１０の突出方向と配線
パターン１５，１６の延出方向とが揃っているため、こ
れらを回路基板１８に半田付けする作業を回路基板１８
の裏面側にて連続して行うことができ、コイル端子９，
１０および配線パターン１５，１６と回路基板１８とを
迅速に接続することができる。また、絶縁基板１２の巻
枠６への取付は、切欠部１２ａに一対の鍔部７，８を嵌
合させるだけで簡単に行うことができ、また、配線パタ
ーン１５，１６がいずれも絶縁基板１２の一面に設けら
れているため、配線パターン１５，１６の接続部１５
ａ，１６ａと回路基板１８との半田付け作業は、絶縁基
板１８の一面側にて連続して行うことができる。
子１にあっては、コイル端子９，１０の突出方向と配線
パターン１５，１６の延出方向とが揃っているため、こ
れらを回路基板１８に半田付けする作業を回路基板１８
の裏面側にて連続して行うことができ、コイル端子９，
１０および配線パターン１５，１６と回路基板１８とを
迅速に接続することができる。また、絶縁基板１２の巻
枠６への取付は、切欠部１２ａに一対の鍔部７，８を嵌
合させるだけで簡単に行うことができ、また、配線パタ
ーン１５，１６がいずれも絶縁基板１２の一面に設けら
れているため、配線パターン１５，１６の接続部１５
ａ，１６ａと回路基板１８との半田付け作業は、絶縁基
板１８の一面側にて連続して行うことができる。
【００２７】図１３乃至図１５は本発明の他の応用例を
示す図であって、この磁気インピーダンス効果素子１９
が上述した磁気インピーダンス効果素子１と異なる点
は、コイル端子９，１０を両端子支持部７ａ，８ａに貫
通させて固定し、これらコイル端子９，１０を巻枠６か
ら磁性薄膜３の長手方向に略平行に突出させた点と、絶
縁基板１２の形状を若干変更し、磁性薄膜３の長手方向
に対し略平行に配線パターン１５，１６を絶縁基板１２
の一側部に至るように延出させて設けた点の２点が異な
るのみで、他は磁気インピーダンス効果素子１と同様で
ある。
示す図であって、この磁気インピーダンス効果素子１９
が上述した磁気インピーダンス効果素子１と異なる点
は、コイル端子９，１０を両端子支持部７ａ，８ａに貫
通させて固定し、これらコイル端子９，１０を巻枠６か
ら磁性薄膜３の長手方向に略平行に突出させた点と、絶
縁基板１２の形状を若干変更し、磁性薄膜３の長手方向
に対し略平行に配線パターン１５，１６を絶縁基板１２
の一側部に至るように延出させて設けた点の２点が異な
るのみで、他は磁気インピーダンス効果素子１と同様で
ある。
【００２８】この磁気インピーダンス効果素子１９は、
磁性薄膜３の長手方向に対して略垂直に配置された回路
基板１８に搭載され、その裏面側で配線パターン１５，
１６の接続部１５ａ，１６ａおよびコイル端子９，１０
が半田付けされて回路基板１８と電気的に接続される。
そして、この磁気インピーダンス効果素子１９は、磁性
薄膜３の長手方向が図示せぬ被検出体から発せられる外
部磁界Ｈに沿うように配置され、上記磁気インピーダン
ス効果素子１と同様に動作する。
磁性薄膜３の長手方向に対して略垂直に配置された回路
基板１８に搭載され、その裏面側で配線パターン１５，
１６の接続部１５ａ，１６ａおよびコイル端子９，１０
が半田付けされて回路基板１８と電気的に接続される。
そして、この磁気インピーダンス効果素子１９は、磁性
薄膜３の長手方向が図示せぬ被検出体から発せられる外
部磁界Ｈに沿うように配置され、上記磁気インピーダン
ス効果素子１と同様に動作する。
【００２９】このように構成された磁気インピーダンス
効果素子１９にあっては、上記磁気インピーダンス効果
素子１よりも回路基板１８の表裏面方向（矢印Ａ方向）
に背丈が高くなるものの、回路基板１８上に占める実装
面積を小さくすることができるため、回路基板１８の小
型化を図る上で有効である。
効果素子１９にあっては、上記磁気インピーダンス効果
素子１よりも回路基板１８の表裏面方向（矢印Ａ方向）
に背丈が高くなるものの、回路基板１８上に占める実装
面積を小さくすることができるため、回路基板１８の小
型化を図る上で有効である。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００３１】非磁性基板の一面に形成した磁性薄膜の両
端部に電極が設けられ、前記非磁性基板がバイアスコイ
ルを巻回した巻枠に嵌合されて取り付けられており、前
記バイアスコイルの巻回部内に前記磁性膜が位置し、前
記巻枠の両端部から突出した前記電極に絶縁基板の一面
に形成した配線パターンがそれぞれ接続されているとと
もに、前記巻枠に設けられたコイル端子に前記バイアス
コイルが接続されているので、前記磁性薄膜を前記巻枠
で覆うことができ、前記巻枠に前記バイアスコイルを巻
回する作業者の手指が前記磁性薄膜に触れる心配を解消
することができるため、これに起因する断線等の損傷を
前記磁性薄膜に与えることなく前記非磁性基板に前記バ
イアスコイルを装着できる。
端部に電極が設けられ、前記非磁性基板がバイアスコイ
ルを巻回した巻枠に嵌合されて取り付けられており、前
記バイアスコイルの巻回部内に前記磁性膜が位置し、前
記巻枠の両端部から突出した前記電極に絶縁基板の一面
に形成した配線パターンがそれぞれ接続されているとと
もに、前記巻枠に設けられたコイル端子に前記バイアス
コイルが接続されているので、前記磁性薄膜を前記巻枠
で覆うことができ、前記巻枠に前記バイアスコイルを巻
回する作業者の手指が前記磁性薄膜に触れる心配を解消
することができるため、これに起因する断線等の損傷を
前記磁性薄膜に与えることなく前記非磁性基板に前記バ
イアスコイルを装着できる。
【００３２】前記巻枠の両端部に一対の鍔部を設け、前
記絶縁基板に切欠部を形成し、この切欠部に前記一対の
鍔部を嵌合させて、前記絶縁基板を前記巻枠に取り付け
たので、前記切欠部に前記一対の鍔部を嵌合させるだけ
で前記絶縁基板を前記巻枠に簡単に取り付けることがで
き、素子の組立の簡素化を図ることができる。
記絶縁基板に切欠部を形成し、この切欠部に前記一対の
鍔部を嵌合させて、前記絶縁基板を前記巻枠に取り付け
たので、前記切欠部に前記一対の鍔部を嵌合させるだけ
で前記絶縁基板を前記巻枠に簡単に取り付けることがで
き、素子の組立の簡素化を図ることができる。
【００３３】前記非磁性基板及び絶縁基板が嵌合された
巻枠は回路基板に搭載されるものであり、前記コイル端
子を前記巻枠から突出させ、この突出方向と同一方向に
前記配線パターンを延出して設け、前記配線パターンと
前記コイル端子とを前記回路基板に半田付けした前記コ
イル端子の突出方向と前記配線パターンの延出方向とが
揃っているため、これらを回路基板等に半田付けする作
業を連続して行うことができ、前記コイル端子および前
記配線パターンを回路基板等に迅速に接続することがで
きる。
巻枠は回路基板に搭載されるものであり、前記コイル端
子を前記巻枠から突出させ、この突出方向と同一方向に
前記配線パターンを延出して設け、前記配線パターンと
前記コイル端子とを前記回路基板に半田付けした前記コ
イル端子の突出方向と前記配線パターンの延出方向とが
揃っているため、これらを回路基板等に半田付けする作
業を連続して行うことができ、前記コイル端子および前
記配線パターンを回路基板等に迅速に接続することがで
きる。
【００３４】前記コイル端子を線状に設けた前記磁性薄
膜の長手方向に対し略垂直に突出させるとともに、前記
配線パターンを前記磁性薄膜の長手方向に対し略垂直に
延出させ、前記磁性薄膜の長手方向に対して前記回路基
板を略平行に配置したので、前記回路基板の表裏面方向
における素子の背丈を小さくすることができる。
膜の長手方向に対し略垂直に突出させるとともに、前記
配線パターンを前記磁性薄膜の長手方向に対し略垂直に
延出させ、前記磁性薄膜の長手方向に対して前記回路基
板を略平行に配置したので、前記回路基板の表裏面方向
における素子の背丈を小さくすることができる。
【００３５】前記コイル端子を線状に設けた前記磁性薄
膜の長手方向に対し略平行に突出させるとともに、前記
配線パターンを前記磁性薄膜の長手方向に対し略平行に
延出させ、前記磁性薄膜の長手方向に対して前記回路基
板を略垂直に配置したので、前記回路基板上に占める素
子の実装面積を小さくすることができるため、前記回路
基板の小型化を図ることができる。
膜の長手方向に対し略平行に突出させるとともに、前記
配線パターンを前記磁性薄膜の長手方向に対し略平行に
延出させ、前記磁性薄膜の長手方向に対して前記回路基
板を略垂直に配置したので、前記回路基板上に占める素
子の実装面積を小さくすることができるため、前記回路
基板の小型化を図ることができる。
【図１】本発明の磁気インピーダンス効果素子の平面
図。
図。
【図２】本発明の磁気インピーダンス効果素子の正面
図。
図。
【図３】本発明の磁気インピーダンス効果素子の側面
図。
図。
【図４】本発明の磁気インピーダンス効果素子に係る非
磁性基板の平面図。
磁性基板の平面図。
【図５】本発明の磁気インピーダンス効果素子に係る巻
枠に非磁性基板が取り付けられた状態を示す平面図。
枠に非磁性基板が取り付けられた状態を示す平面図。
【図６】本発明の磁気インピーダンス効果素子に係る巻
枠に非磁性基板が取り付けられた状態を示す正面図。
枠に非磁性基板が取り付けられた状態を示す正面図。
【図７】図５の７−７線に沿う断面図。
【図８】本発明の磁気インピーダンス効果素子に係る絶
縁基板の平面図。
縁基板の平面図。
【図９】本発明の磁気インピーダンス効果素子に係る絶
縁基板に設けられた半田バンプを示す説明図。
縁基板に設けられた半田バンプを示す説明図。
【図１０】本発明の磁気インピーダンス効果素子の組立
を示す説明図。
を示す説明図。
【図１１】本発明の磁気インピーダンス効果素子が回路
基板に取り付けられた状態を示す正面図。
基板に取り付けられた状態を示す正面図。
【図１２】本発明の磁気インピーダンス効果素子が回路
基板に取り付けられた状態を示す側面図。
基板に取り付けられた状態を示す側面図。
【図１３】本発明の応用例を説明する平面図。
【図１４】本発明の応用例を説明する正面図。
【図１５】本発明の応用例を説明する側面図。
【図１６】従来の磁気インピーダンス効果素子の斜視
図。
図。
１ 磁気インピーダンス効果素子 ２ 非磁性基板 ３ 磁性薄膜 ４ 電極 ５ 電極 ６ 巻枠 ６ａ 透孔 ７ 鍔部 ７ａ端子支持部 ８ 鍔部 ８ａ端子支持部 ９ コイル端子 １０ コイル端子 １１ バイアスコイル １１ａ 巻回部 １２ 絶縁基板 １２ａ 切欠部 １３ ランド １４ ランド １５ 配線パターン １５ａ 接続部 １６ 配線パターン １６ａ 接続部 １７ 半田バンプ １７ａ 半田 １７ｂ 突起 １８ 回路基板 １９ 磁気インピーダンス効果素子
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基板の一面に形成した磁性薄膜の
両端部に電極が設けられ、前記非磁性基板がバイアスコ
イルを巻回した巻枠に嵌合されて取り付けられており、
前記バイアスコイルの巻回部内に前記磁性膜が位置し、
前記巻枠の両端部から突出した前記電極に絶縁基板の一
面に形成した配線パターンがそれぞれ接続されていると
ともに、前記巻枠に設けられたコイル端子に前記バイア
スコイルが接続されていることを特徴とする磁気インピ
ーダンス効果素子。 - 【請求項２】 前記巻枠の両端部に一対の鍔部を設け、
前記絶縁基板に切欠部を形成し、この切欠部に前記一対
の鍔部を嵌合させて、前記絶縁基板を前記巻枠に取り付
けたことを特徴とする請求項１に記載の磁気インピーダ
ンス効果素子。 - 【請求項３】 前記非磁性基板及び絶縁基板が嵌合され
た巻枠は回路基板に搭載されるものであって、前記コイ
ル端子を前記巻枠から突出させ、この突出方向と同一方
向に前記配線パターンを延出して設け、前記配線パター
ンと前記コイル端子とを前記回路基板に半田付けしたこ
とを特徴とする請求項２に記載の磁気インピーダンス効
果素子。 - 【請求項４】 前記コイル端子を線状に設けた前記磁性
薄膜の長手方向に対し略垂直に突出させるとともに、前
記配線パターンを前記磁性薄膜の長手方向に対し略垂直
に延出させ、前記磁性薄膜の長手方向に対して前記回路
基板を略平行に配置したことを特徴とする請求項３に記
載の磁気インピーダンス効果素子。 - 【請求項５】 前記コイル端子を線状に設けた前記磁性
薄膜の長手方向に対し略平行に突出させるとともに、前
記配線パターンを前記磁性薄膜の長手方向に対し略平行
に延出させ、前記磁性薄膜の長手方向に対して前記回路
基板を略垂直に配置したことを特徴とする請求項３に記
載の磁気インピーダンス効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32084099A JP4076687B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | 磁気インピーダンス効果素子及び磁気インピーダンス効果素子搭載回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32084099A JP4076687B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | 磁気インピーダンス効果素子及び磁気インピーダンス効果素子搭載回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001141798A true JP2001141798A (ja) | 2001-05-25 |
| JP4076687B2 JP4076687B2 (ja) | 2008-04-16 |
Family
ID=18125838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32084099A Expired - Fee Related JP4076687B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | 磁気インピーダンス効果素子及び磁気インピーダンス効果素子搭載回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4076687B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016048250A (ja) * | 2015-11-06 | 2016-04-07 | 日本電産サンキョー株式会社 | 磁気センサ素子 |
| WO2024047726A1 (ja) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
-
1999
- 1999-11-11 JP JP32084099A patent/JP4076687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016048250A (ja) * | 2015-11-06 | 2016-04-07 | 日本電産サンキョー株式会社 | 磁気センサ素子 |
| WO2024047726A1 (ja) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4076687B2 (ja) | 2008-04-16 |
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