JP2001107246A - 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 - Google Patents
炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法Info
- Publication number
- JP2001107246A JP2001107246A JP2000239277A JP2000239277A JP2001107246A JP 2001107246 A JP2001107246 A JP 2001107246A JP 2000239277 A JP2000239277 A JP 2000239277A JP 2000239277 A JP2000239277 A JP 2000239277A JP 2001107246 A JP2001107246 A JP 2001107246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- plasma
- film
- reaction chamber
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 90
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 90
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭素または炭素を主成分とする被膜の密着性
を改善する。 【解決手段】反応室の内壁など不要箇所に付着した炭素
または炭素を主成分とする被膜を水素及び酸素または弗
化物気体をプラズマ化してエッチングし、続いてアルゴ
ン等の不活性気体または水素をプラズマして反応室内を
清浄した後、炭素または炭素を主成分とする膜を形成す
る。
を改善する。 【解決手段】反応室の内壁など不要箇所に付着した炭素
または炭素を主成分とする被膜を水素及び酸素または弗
化物気体をプラズマ化してエッチングし、続いてアルゴ
ン等の不活性気体または水素をプラズマして反応室内を
清浄した後、炭素または炭素を主成分とする膜を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭素または炭素を
主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法に
関するものである。
主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】炭素膜は、従来より耐摩耗性、高平滑
性、絶縁性及び耐薬品性等に優れており、多くの特性を
有する材料としてその応用が期待されており、その炭素
膜をコーティングする技術としては、特開昭56-146930
号公報が知られている。
性、絶縁性及び耐薬品性等に優れており、多くの特性を
有する材料としてその応用が期待されており、その炭素
膜をコーティングする技術としては、特開昭56-146930
号公報が知られている。
【０００３】しかし、同一反応器による複数回の成膜
は、真空度の低下、フレークの問題等により困難であり
１回ないし２回成膜後は、反応器内部のクリーニングが
必要となる。従来のクリーニングに用いられる気体は、
固体被膜の成分から、例えば炭素系であればプラズマ反
応によって揮発性ガスとする為、水素、酸素、弗化物気
体があげられる。
は、真空度の低下、フレークの問題等により困難であり
１回ないし２回成膜後は、反応器内部のクリーニングが
必要となる。従来のクリーニングに用いられる気体は、
固体被膜の成分から、例えば炭素系であればプラズマ反
応によって揮発性ガスとする為、水素、酸素、弗化物気
体があげられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】炭素膜または炭素膜を
主成分とする被膜をエッチングする技術は、炭素膜を応
用する上で大きな問題となっている。例えば、エッチン
グの際水素を用いて炭素膜と反応させＣxＨy等を生じさ
せる炭化水素系ガス化反応を行わせる方法は、反応器内
の汚染は低減されるが、エッチング速度が遅く量産性の
面で問題が多い。
主成分とする被膜をエッチングする技術は、炭素膜を応
用する上で大きな問題となっている。例えば、エッチン
グの際水素を用いて炭素膜と反応させＣxＨy等を生じさ
せる炭化水素系ガス化反応を行わせる方法は、反応器内
の汚染は低減されるが、エッチング速度が遅く量産性の
面で問題が多い。
【０００５】一方、炭素膜のプラズマエッチングに用い
るガスとしては、Ｏ2が最も簡便で揮発性ガス化反応に
よりＣＯ、ＣＯ2等として排気されるものが大部分であ
るが、未反応の壁でＯ、Ｏ2あるいはＣＯ、ＣＯ2として
反応室内壁に吸着し、クリーニング後に成膜する際それ
らが内壁から離脱し、気相中にアウトディフェージョン
し、膜内にオートドーピングあるいは界面にトラップさ
れ、膜質、界面特性（主に密着性）を低下させる原因と
なっていた。
るガスとしては、Ｏ2が最も簡便で揮発性ガス化反応に
よりＣＯ、ＣＯ2等として排気されるものが大部分であ
るが、未反応の壁でＯ、Ｏ2あるいはＣＯ、ＣＯ2として
反応室内壁に吸着し、クリーニング後に成膜する際それ
らが内壁から離脱し、気相中にアウトディフェージョン
し、膜内にオートドーピングあるいは界面にトラップさ
れ、膜質、界面特性（主に密着性）を低下させる原因と
なっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題を解
決する為に従来のエッチングガスによる反応容器内部の
基体、または基板等の被膜成形面以外に堆積している炭
素系被膜の除去後に不活性ガス、例えばＡｒまたは活性
ガス、例えばＨ2によるプラズマクリーニング処理を行
ない、内壁に残存しているＯ、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2等を除
去または置換することにより、反応室内を清浄化するこ
とを特徴とする。
決する為に従来のエッチングガスによる反応容器内部の
基体、または基板等の被膜成形面以外に堆積している炭
素系被膜の除去後に不活性ガス、例えばＡｒまたは活性
ガス、例えばＨ2によるプラズマクリーニング処理を行
ない、内壁に残存しているＯ、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2等を除
去または置換することにより、反応室内を清浄化するこ
とを特徴とする。
【０００７】図１にエッチング用気体であるＮＦ3、
Ｈ2、Ｏ2を用いてビッカース硬度1000kg／mm2及び2000k
g／mm2の硬質炭素膜をエッチングした場合のエッチング
速度及び高周波印加電極側に生じるセルフバイアスを示
した。
Ｈ2、Ｏ2を用いてビッカース硬度1000kg／mm2及び2000k
g／mm2の硬質炭素膜をエッチングした場合のエッチング
速度及び高周波印加電極側に生じるセルフバイアスを示
した。
【０００８】図中○は、セルフバイアスを表し、□はビ
ッカース硬度1000kg／mm2、◇はビッカース硬度2000kg
／mm2に対するエッチング速度を表す。この場合、高周
波エネルギーは60ｗ、エッチング用気体の流量は50ＳＣ
ＣＭ、温度は室温、反応圧力は３Ｐaで行った。
ッカース硬度1000kg／mm2、◇はビッカース硬度2000kg
／mm2に対するエッチング速度を表す。この場合、高周
波エネルギーは60ｗ、エッチング用気体の流量は50ＳＣ
ＣＭ、温度は室温、反応圧力は３Ｐaで行った。
【０００９】次に本発明において、反応容器内部のエッ
チングとクリーニング及び置換方法についての組合せの
例を以下に示す。 〔１〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリーニ
ング 〔２〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリー
ニング 〔３〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ 〔４〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニ
ング 〔５〕Ｈ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ
チングとクリーニング及び置換方法についての組合せの
例を以下に示す。 〔１〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリーニ
ング 〔２〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ａｒプラズマクリー
ニング 〔３〕Ｏ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ 〔４〕ＮＦ3プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニ
ング 〔５〕Ｈ2プラズマエッチング＋Ｈ2プラズマクリーニン
グ
【００１０】
【実施例】 以下に本発明を実施例に従って説明する。
図２に本発明の実施に使用した炭素または炭素を主成分
とする被膜をエッチング除去した後プラズマクリーニン
グするための平行平板形のプラズマ装置の概要を示す。
図２に本発明の実施に使用した炭素または炭素を主成分
とする被膜をエッチング除去した後プラズマクリーニン
グするための平行平板形のプラズマ装置の概要を示す。
【００１１】図面では、ガス系（１）においてキャリア
ガスである水素を（２）より、反応性気体である炭化水
素気体、例えばメタン、エチレンを（３）より、炭素膜
のエッチング用気体である弗化物気体、例えばＮＦ3を
（３）より、またアルゴン、水素、酸素等のエッチング
及びクリーニング用気体を（４）よりバルブ（６）、流
量計（７）をへて反応系（８）中のノズル（９）より導
入する反応系（８）では、減圧下にて炭素膜の成膜また
は炭素膜のエッチング処理を行った。
ガスである水素を（２）より、反応性気体である炭化水
素気体、例えばメタン、エチレンを（３）より、炭素膜
のエッチング用気体である弗化物気体、例えばＮＦ3を
（３）より、またアルゴン、水素、酸素等のエッチング
及びクリーニング用気体を（４）よりバルブ（６）、流
量計（７）をへて反応系（８）中のノズル（９）より導
入する反応系（８）では、減圧下にて炭素膜の成膜また
は炭素膜のエッチング処理を行った。
【００１２】反応室（８）では第１の電極（１０）、第
２の電極（１１）を有し、一対の電極（１０）、（１
１）間には高周波電源（１２）よりマッチングトランス
（１３）、直流バイアス電源（１４）より電気エネルギ
ーが加えられ、プラズマが発生する。
２の電極（１１）を有し、一対の電極（１０）、（１
１）間には高周波電源（１２）よりマッチングトランス
（１３）、直流バイアス電源（１４）より電気エネルギ
ーが加えられ、プラズマが発生する。
【００１３】反応性気体のより一層の分析を行なうため
には、2.45ＧＨｚのマイクロ波にて200ｗ〜２ｋｗのマ
イクロ波励起（１５）を与えてもよい。すると活性の反
応性気体の量を増やすことができ、例えば炭素系被膜の
酸素によるエッチング速度を約４倍に向上することがで
きた。
には、2.45ＧＨｚのマイクロ波にて200ｗ〜２ｋｗのマ
イクロ波励起（１５）を与えてもよい。すると活性の反
応性気体の量を増やすことができ、例えば炭素系被膜の
酸素によるエッチング速度を約４倍に向上することがで
きた。
【００１４】これらの反応性気体は、反応空間（１６）
で0.01〜１Torr例えば0.１Torrとし、高周波による電磁
エネルギーにより50ｗ〜５ｋｗのエネルギーが加えられ
る。直流バイアスは、被膜形成面上に−200〜600ｖ（実
質的には−400〜400ｖ）を加えられる。なぜなら、直流
バイアスが零のときは、自己バイアスが−200ｖ（第２
の電極を接地レベルとして）を有しているためである。
で0.01〜１Torr例えば0.１Torrとし、高周波による電磁
エネルギーにより50ｗ〜５ｋｗのエネルギーが加えられ
る。直流バイアスは、被膜形成面上に−200〜600ｖ（実
質的には−400〜400ｖ）を加えられる。なぜなら、直流
バイアスが零のときは、自己バイアスが−200ｖ（第２
の電極を接地レベルとして）を有しているためである。
【００１５】基板としてＳｉウェハを用いたものと、Al
の板に磁気記録媒体であるγＦｅ2Ｏ3をつけたものとを
用いて本発明方法により反応室を清浄化した後、公知の
方法により図３に示すように炭素系被膜を成膜した。本
実施例では反応室の清浄化方法としてエッチング用気体
にＨ2プラズマのみを用いる方法とエッチング用気体に
Ｏ2プラズマのみを用いる方法と、エッチング用気体に
Ｏ2プラズマを用いその後にＨ2プラズマクリーニングす
る方法とを行った。
の板に磁気記録媒体であるγＦｅ2Ｏ3をつけたものとを
用いて本発明方法により反応室を清浄化した後、公知の
方法により図３に示すように炭素系被膜を成膜した。本
実施例では反応室の清浄化方法としてエッチング用気体
にＨ2プラズマのみを用いる方法とエッチング用気体に
Ｏ2プラズマのみを用いる方法と、エッチング用気体に
Ｏ2プラズマを用いその後にＨ2プラズマクリーニングす
る方法とを行った。
【００１６】表１に成膜した炭素系被膜に対して粒径１
〜２μｍのダイヤモンドペーストを使用したアブレシブ
テストを行った結果を示す。
〜２μｍのダイヤモンドペーストを使用したアブレシブ
テストを行った結果を示す。
【００１７】評価は○、○△、△、△×、×の５段階で
おこなった。その結果、酸素プラズマエッチッグのみの
場合に比べて顕著な差が見られた。
おこなった。その結果、酸素プラズマエッチッグのみの
場合に比べて顕著な差が見られた。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１の如くγＦｅ2Ｏ3と炭素系被膜は、通
常界面にＣ−Ｏボンディングを形成する為、密着性が極
端に低下することがあり、磁気ディスク等の保護膜とし
て応用する場合大きな問題となっている。
常界面にＣ−Ｏボンディングを形成する為、密着性が極
端に低下することがあり、磁気ディスク等の保護膜とし
て応用する場合大きな問題となっている。
【００２０】そこで、表１に示すような比較をおこなっ
た結果基本的にはＯ2を使わないプロセスが良いと思わ
れるが、例え使ってもＨ2でプラズマ処理して置換する
工程を取り入れれば、密着性は大きく改善されることが
判明した。Ｓｉウエハの場合は界面の化学結合がＳｉ−
Ｃとなる為、大きな差は出ないがＳｉ表面に酸素原子、
分子、ラジカル等が吸着していると密着性を低下させる
原因となる。
た結果基本的にはＯ2を使わないプロセスが良いと思わ
れるが、例え使ってもＨ2でプラズマ処理して置換する
工程を取り入れれば、密着性は大きく改善されることが
判明した。Ｓｉウエハの場合は界面の化学結合がＳｉ−
Ｃとなる為、大きな差は出ないがＳｉ表面に酸素原子、
分子、ラジカル等が吸着していると密着性を低下させる
原因となる。
【００２１】Ｈ2プラズマエッチングは、エッチング速
度が極端に遅いのでスループットを上げ、量産性を考え
れば、Ｏ2プラズマエッチングとＨ2プラズマクリーニン
グの併用による方法が現時点では良好と考える。
度が極端に遅いのでスループットを上げ、量産性を考え
れば、Ｏ2プラズマエッチングとＨ2プラズマクリーニン
グの併用による方法が現時点では良好と考える。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、炭素または炭素を主成
分とする被膜を除去した後に、クリーニング用気体例え
ばＡｒ、Ｈ2を用い、反応室内を清浄化することが可能
になった。また、上記方法にて、清浄化後通常の膜を形
成すると、密着性に大きな改善がみられた。
分とする被膜を除去した後に、クリーニング用気体例え
ばＡｒ、Ｈ2を用い、反応室内を清浄化することが可能
になった。また、上記方法にて、清浄化後通常の膜を形
成すると、密着性に大きな改善がみられた。
【００２３】このことから、磁気記録媒体である磁気テ
ーブ、磁気ディスク等のファイナルパシベーション膜に
用いることが始めて可能となった。また、半導体集積回
路等のファイナルコーティングの絶縁膜に用いることが
可能となった。
ーブ、磁気ディスク等のファイナルパシベーション膜に
用いることが始めて可能となった。また、半導体集積回
路等のファイナルコーティングの絶縁膜に用いることが
可能となった。
【図１】各エッチング気体におけるエッチング速度及び
セルフバイアスを示した図。
セルフバイアスを示した図。
【図２】本発明に使用したプラズマ装置の概略図を示す
図。
図。
【図３】実施例で用いた基板と基板上に形成された炭素
系被膜を示す図。
系被膜を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
Claims (10)
- 【請求項１】 酸素のプラズマを発生して、炭素または
炭素を主成分とする被膜を形成する装置の反応室内の不
要部分に付着した炭素または炭素を主成分とする膜を除
去し、 前記酸素のプラズマを発生した後に、前記反応室内で不
活性気体または水素のプラズマを発生させ、 前記不活性気体または水素のプラズマを発生させた後
に、前記反応室内で基板に炭素または炭素を主成分とす
る被膜を形成することを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項２】 弗化物気体のプラズマを発生して、炭素
または炭素を主成分とする被膜を形成する装置の反応室
内の不要部分に付着した炭素または炭素を主成分とする
膜を除去し、 前記弗化物気体のプラズマを発生した後に、前記反応室
内で不活性気体または水素のプラズマを発生させ、 前記不活性気体または水素のプラズマを発生させた後
に、前記反応室内で基板に炭素または炭素を主成分とす
る被膜を形成することを特徴とする炭素または炭素を主
成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項３】 酸素のプラズマを発生して、炭素または
炭素を主成分とする被膜を形成する装置の反応室内の不
要部分に付着した炭素または炭素を主成分とする膜を除
去し、 前記酸素のプラズマを発生した後に、前記反応室内で不
活性気体または水素のプラズマを発生させ、 前記不活性気体または水素のプラズマを発生させた後
に、前記反応室内で、磁気テープのファイナルパシベー
ション膜として炭素または炭素を主成分とする被膜を形
成することを特徴とする炭素または炭素を主成分とする
被膜の形成方法。 - 【請求項４】 弗化物気体のプラズマを発生して、炭素
または炭素を主成分とする被膜を形成する装置の反応室
内の不要部分に付着した炭素または炭素を主成分とする
膜を除去し、 前記弗化物気体のプラズマを発生した後に、前記反応室
内で不活性気体または水素のプラズマを発生させ、 前記不活性気体または水素のプラズマを発生させた後
に、前記反応室内で、磁気テープのファイナルパシベー
ション膜として炭素または炭素を主成分とする被膜を形
成することを特徴とする炭素または炭素を主成分とする
被膜の形成方法。 - 【請求項５】 酸素のプラズマを発生して、炭素または
炭素を主成分とする被膜を形成する装置の反応室内の不
要部分に付着した炭素または炭素を主成分とする膜を除
去し、 前記酸素のプラズマを発生した後に、前記反応室内で不
活性気体または水素のプラズマを発生させ、 前記不活性気体または水素のプラズマを発生させた後
に、前記反応室内で、半導体集積回路のファイナルコー
ティング膜として炭素または炭素を主成分とする被膜を
形成することを特徴とする炭素または炭素を主成分とす
る被膜の形成方法。 - 【請求項６】 弗化物気体のプラズマを発生して、炭素
または炭素を主成分とする被膜を形成する装置の反応室
内の不要部分に付着した炭素または炭素を主成分とする
膜を除去し、 前記弗化物気体のプラズマを発生した後に、前記反応室
内で不活性気体または水素のプラズマを発生させ、 前記不活性気体または水素のプラズマを発生させた後
に、前記反応室内で、磁半導体集積回路のファイナルコ
ーティング膜として炭素または炭素を主成分とする被膜
を形成することを特徴とする炭素または炭素を主成分と
する被膜の形成方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項におい
て、前記反応室内で、炭化水素気体のプラズマを発生さ
せて、前記炭素または炭素を主成分とする被膜を形成す
ることを特徴とする炭素または炭素を主成分とする被膜
の形成方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし６のいずれか１項におい
て、前記反応室内で、炭化水素気体に高周波エネルギー
を加えてプラズマを発生させて、炭素または炭素を主成
分とする被膜を形成することを特徴とする炭素または炭
素を主成分とする被膜の形成方法。 - 【請求項９】 請求項１ないし６のいずれか１項におい
て、前記反応室内で、２．４５GHzのマイクロ波によっ
て前記炭化水素気体にエネルギーを加えてプラズマを発
生させ、炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する
ことを特徴とする炭素または炭素を主成分とする被膜の
形成方法。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１項におい
て、前記不活性気体はアルゴンであることを特徴とする
炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239277A JP3513811B2 (ja) | 1988-08-11 | 2000-08-08 | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36989799A JP3453337B2 (ja) | 1988-08-11 | 1999-12-27 | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する反応室のクリーニング方法 |
| JP2000239277A JP3513811B2 (ja) | 1988-08-11 | 2000-08-08 | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36989799A Division JP3453337B2 (ja) | 1988-08-11 | 1999-12-27 | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する反応室のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001107246A true JP2001107246A (ja) | 2001-04-17 |
| JP3513811B2 JP3513811B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=32095326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000239277A Expired - Lifetime JP3513811B2 (ja) | 1988-08-11 | 2000-08-08 | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3513811B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105114A1 (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Limited | フッ素添加カーボン膜の形成方法 |
| JP2006169589A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Shinko Seiki Co Ltd | 表面処理装置 |
| JP2012019194A (ja) * | 2010-06-08 | 2012-01-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
| JP2014525982A (ja) * | 2011-06-07 | 2014-10-02 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 硬質の炭素層のためのコーティング除去方法 |
| WO2021131480A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
-
2000
- 2000-08-08 JP JP2000239277A patent/JP3513811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105114A1 (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Limited | フッ素添加カーボン膜の形成方法 |
| CN100447961C (zh) * | 2003-05-22 | 2008-12-31 | 东京毅力科创株式会社 | 氟化碳膜的形成方法 |
| US7538012B2 (en) | 2003-05-22 | 2009-05-26 | Tadahiro Ohmi | Fluorine-containing carbon film forming method |
| JP2006169589A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Shinko Seiki Co Ltd | 表面処理装置 |
| JP2012019194A (ja) * | 2010-06-08 | 2012-01-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
| JP2014525982A (ja) * | 2011-06-07 | 2014-10-02 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 硬質の炭素層のためのコーティング除去方法 |
| WO2021131480A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2021105199A (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| KR20220116496A (ko) * | 2019-12-26 | 2022-08-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
| JP7422540B2 (ja) | 2019-12-26 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| KR102751036B1 (ko) * | 2019-12-26 | 2025-01-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3513811B2 (ja) | 2004-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5006220A (en) | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma | |
| US5176791A (en) | Method for forming carbonaceous films | |
| JP3547402B2 (ja) | プラズマ処理システムおよび方法 | |
| US5366579A (en) | Industrial diamond coating and method of manufacturing | |
| JP2001335937A (ja) | 金属汚染低減方法及びプラズマ装置の再生方法 | |
| JPH10251849A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3453337B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する反応室のクリーニング方法 | |
| JP3520577B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001107246A (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JP3187487B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜の保護膜付き物品 | |
| JP3180332B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法 | |
| JP3256209B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JPH1167727A (ja) | プラズマ処理装置及びその方法 | |
| JP3616315B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JPH02228035A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3083008B2 (ja) | 被膜形成装置および被膜形成方法 | |
| JPH06248458A (ja) | プラズマ処理装置およびその装置を用いた磁気ディスク製造方法 | |
| JP3056827B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素保護膜を有する物品とその製造方法 | |
| JP2547156B2 (ja) | 化学的気相合成法による硬質炭素質薄膜の形成方法及びその装置 | |
| JP3172384B2 (ja) | 硬質炭素被膜形成装置及びこれを用いた被膜形成方法 | |
| JP4029624B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP2669249B2 (ja) | プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JPH097949A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JPH10177993A (ja) | 平行平板狭電極型のプラズマ処理装置 | |
| JP3236569B2 (ja) | 被膜作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20031224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20031226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 |