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JP2001083942A - Scanning electrode driving ic for liquid crystal panel - Google Patents

Scanning electrode driving ic for liquid crystal panel

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Publication number
JP2001083942A
JP2001083942A JP25508899A JP25508899A JP2001083942A JP 2001083942 A JP2001083942 A JP 2001083942A JP 25508899 A JP25508899 A JP 25508899A JP 25508899 A JP25508899 A JP 25508899A JP 2001083942 A JP2001083942 A JP 2001083942A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
voltage
signal
liquid crystal
crystal panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25508899A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Kamiya
潔 神谷
Akira Suguro
彰 勝呂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Watch Co Ltd
Priority to JP25508899A priority Critical patent/JP2001083942A/en
Publication of JP2001083942A publication Critical patent/JP2001083942A/en
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  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scanning electrode driving IC for liquid crystal panel resistance to internal noise while utilizing the characteristic of an IC operated by an oscillating power source by converting a selection signal outputted from a circuit operated at low voltage by DC by a level shifter, and inputting the resulting signal to an output block. SOLUTION: The output signal group 111 of a control circuit 110 is inputted to a selection signal generating circuit 112, a selection signal 113 that is each output signal of the selection signal generating circuit 112 is inputted to each level shifter 114, and the output signal of each level shifter 114 is inputted to each output block 115. On the other hand, a signal DB 108 is inputted to a level shifter 117, the output of the level shifter 117 is inputted to a level shifter 118, and the output signal of the level shifter 118 is inputted to a total output block 115. The ground VM for driving a liquid crystal panel is inputted to the total output block 115, and each output block 115 outputs each scanning electrode drive signal 116.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この本発明は集積回路基板と
この基板特性を生かした回路構成と電源系に特徴のある
液晶パネルの走査電極揺駆動ICに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated circuit board, a scan electrode swing drive IC for a liquid crystal panel characterized by a circuit configuration utilizing the characteristics of the board and a power supply system.

【0002】[0002]

【従来の技術】パッシブタイプの液晶パネルは、液晶層
を挟んで対向する2枚の透明基板上にそれぞれ信号電極
と走査電極を形成し交差部を画素としたものであり、液
晶の光学的性質が実効値に応答することを利用してマト
リクス表示を行っている。特に液晶パネル内の各画素の
非選択期の実効値が等しなり、選択期間のみに画素ごと
に実効値の差が現れる表示方法を電圧平均化法と呼んで
いる。電圧平均化法にもとづき様々な波形が工夫されて
いるなかで、信号電極に低電圧のデータ信号波形を印加
し走査電極に高電圧の選択パルスを印加するという方法
も多くの製品で使われている。
2. Description of the Related Art A passive type liquid crystal panel has a structure in which a signal electrode and a scanning electrode are formed on two transparent substrates opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and an intersection portion is defined as a pixel. Responds to the effective value to perform matrix display. In particular, a display method in which the effective value of each pixel in the liquid crystal panel in the non-selection period is equal and a difference in the effective value of each pixel appears only during the selection period is called a voltage averaging method. While various waveforms have been devised based on the voltage averaging method, a method of applying a low-voltage data signal waveform to the signal electrode and applying a high-voltage selection pulse to the scan electrode is also used in many products. I have.

【0003】図5においてこの方法を説明する。(A)
はパッシブタイプの液晶パネルの従来例の一部を拡大し
た模式図であり、(B)はその駆動波形図である。
(A)では、縦に長い長方形の信号電極S1,S2,S
3が横方向に配列し、横方向に長い長方形の走査電極T
1,T2,T3が縦方向に配列している。なお信号電極
S1,S2,S3と走査電極T1,T2,T3の間には
液晶層のほかに配向膜や絶縁層などが積層配置している
が図示していない。信号電極S1,S2,S3と走査電
極T1,T2,T3の交差部が画素となり、このうち図
中では信号電極S2,S3と走査電極T2の交差部に形
成された画素G22,G23を斜線で示している。
(B)では選択パルス周辺の期間の様子を示している。
走査電極T1に印加する駆動波形は、最初非選択期間で
あるため液層パネル駆動のグランドレベル(以下VMレ
ベルと称する)であったものが、選択期間になると負極
性で高電圧(本明細書では符号の正負に関わらずVMレ
ベルから大きくはなれた電圧を高電圧と称する)の選択
パルスが現れ、再び非選択期間になるとVMレベルに戻
っている。同様に走査電極T2,T3の駆動波形も、そ
れぞれの選択期間に正極性および負極性の選択パルスが
あり、その他の非選択期間はVMレベルになっている。
信号電極S2,S3の駆動波形は、VMレベルを中心に
した2値(±VD)で低電圧のデータ信号波形である。
説明ため信号電極S2,S3の波形は逆極性で選択期間
ごとに極性が切り替わるようにした。画素G22,G2
3の駆動波形は、走査電極T2の駆動波形と信号電極S
2,S3の駆動波形の差として得られる。画素G22,
G23の駆動波形を見くらべると、非選択期間では極性
が逆になっているが絶対値|±VD|はそれぞれ一定値
になっていることが分かる。このため非選択期間に画素
G22、G23が印加される実効値は等しくなる。一方
選択期間では、画素G22には高い波高値(VT+V
D)のパルスが印加されている一方、画素G23には低
い波高値(VT−VD)のパルスが印加されるので、こ
の期間の実効値は画素G22の方が画素G23より大き
くなる。言い換えれば、選択期間だけの実効値の違いを
利用して画素G22、G23透過率差を作り出してい
る。
FIG. 5 illustrates this method. (A)
FIG. 2 is a schematic diagram enlarging a part of a conventional example of a passive type liquid crystal panel, and FIG. 2 (B) is a driving waveform diagram thereof.
(A), the vertically long rectangular signal electrodes S1, S2, S
3 are arranged in the horizontal direction, and the rectangular scanning electrodes T which are long in the horizontal direction.
1, T2, T3 are arranged in the vertical direction. In addition, between the signal electrodes S1, S2, and S3 and the scanning electrodes T1, T2, and T3, an alignment film, an insulating layer, and the like are stacked in addition to the liquid crystal layer, but are not shown. The intersection of the signal electrodes S1, S2, S3 and the scanning electrodes T1, T2, T3 is a pixel. Of these, the pixels G22, G23 formed at the intersection of the signal electrodes S2, S3 and the scanning electrode T2 are shown by oblique lines. Is shown.
(B) shows the state around the selection pulse.
The drive waveform applied to the scan electrode T1 was initially at the ground level (hereinafter referred to as VM level) for driving the liquid layer panel because it was in the non-selection period. In this case, a selection pulse having a voltage greatly deviating from the VM level regardless of the sign is referred to as a high voltage), and returns to the VM level in the non-selection period. Similarly, the drive waveforms of the scan electrodes T2 and T3 also have positive and negative selection pulses in each selection period, and are at the VM level in other non-selection periods.
The drive waveform of the signal electrodes S2 and S3 is a binary (± VD) low voltage data signal waveform centered on the VM level.
For the sake of explanation, the waveforms of the signal electrodes S2 and S3 have opposite polarities, and the polarities are switched every selection period. Pixels G22, G2
The driving waveform of the scanning electrode T2 and the driving waveform of the scanning electrode T2 and the signal electrode S
2 and S3. Pixel G22,
Comparing the driving waveform of G23, it can be seen that the polarities are reversed in the non-selection period, but the absolute values | ± VD | are constant values. Therefore, the effective values applied to the pixels G22 and G23 during the non-selection period become equal. On the other hand, in the selection period, the pixel G22 has a high peak value (VT + V
While the pulse of D) is applied, a pulse having a low peak value (VT-VD) is applied to the pixel G23, and thus the effective value of the pixel G22 is larger than that of the pixel G23 during this period. In other words, the difference in the transmittance between the pixels G22 and G23 is created by using the difference in the effective value only during the selection period.

【0004】信号電極には低電圧で一定振幅のデータ信
号波形を印加し、選択時に走査電極に高電圧の選択パル
スを印加するという前述の方法は、信号電極を駆動する
ための回路(以下信号電極駆動ICと称する)を低電圧
化できるため、信号電極駆動ICの小型化や低消費電力
化に有利である。しかしながら走査電極を駆動するため
の回路(以下走査電極駆動ICと称する)は、正負の高
電圧パルスを出力するため普通の回路では電圧+VT以
上および電圧−VT以下の電源が必要になる。電源を最
小にするケースとしてC−MOSアナログスイッチの切
り替えで選択パルスを作成する方法でも電源間の電圧差
(2VT)が走査電極駆動ICに印加されることにな
り、走査電極駆動ICには著しい高耐圧構造が必要にな
る。この高耐圧構造はICサイズの増大を招き、さらに
サイズ増が様々なコストアップ要因となるため、当社で
は半分の耐圧で所望の波形が得られる揺動電源を開発し
色々な製品に採用してきた。
The above-described method of applying a low-voltage, constant-amplitude data signal waveform to a signal electrode and applying a high-voltage selection pulse to a scanning electrode at the time of selection is a method for driving a signal electrode (hereinafter referred to as a signal). (Referred to as an electrode driving IC) can be reduced in voltage, which is advantageous for miniaturization and low power consumption of the signal electrode driving IC. However, a circuit for driving the scan electrodes (hereinafter, referred to as a scan electrode drive IC) outputs a positive / negative high-voltage pulse, so that an ordinary circuit requires a power supply having a voltage of + VT or more and a voltage of -VT or less. Even in a method of generating a selection pulse by switching a C-MOS analog switch as a case of minimizing the power supply, a voltage difference (2 VT) between the power supplies is applied to the scan electrode drive IC, which is remarkable for the scan electrode drive IC. A high breakdown voltage structure is required. This high withstand voltage structure causes an increase in IC size, and further increase in size causes various cost increases. Therefore, we have developed a swing power supply that can obtain a desired waveform with half the withstand voltage and adopted it in various products. .

【0005】図6において揺動電源を説明する。(A)
は揺動電源の波形図であり、(B)は揺動電源を作成す
るための回路図である。(A)において、上側の揺動電
源VDDは、最高値を電圧+VT、最低値を電圧+VD
として切り替わる方形波であり、下側の揺動電源VSS
は、最高値を電圧−VD、最低値を電圧−VTとして切
り替わる方形波であり、上下の揺動電源VDD,VSS
は同期している。この切り替わり称して揺動と呼んでい
る。走査電極駆動ICには、上下の揺動電源VDD,V
SSと電圧VMを電源として供給する。なお図示してい
ないが選択開始を示すスタート信号FLM(FIRST
LINE MARKER)、選択期間の切り替わりを
示す信号LP(LATCH PULSE)、選択パルス
など液晶パネル駆動の極性を示す信号DBなどで走査電
極駆動ICを制御する。揺動電源系では選択パルスの極
性は選択期間のVMレベルの論理値反転で与えられる。
たとえば走査電極T1に駆動波形を印加する出力回路
は、走査電極T1の選択期間に下側の揺動電源VSSと
出力端子を接続し、非選択期間はVMレベルと接続する
ので、(B)T1の駆動波形が得られる。この場合、選
択期間はVMレベルがハイレベルになっている。同様に
走査電極T2に駆動波形を出力する回路は出力端子を走
査電極T2の選択期間に上側の揺動電源VDDと接続す
ればよい(選択期間のVMレベルはローレベル)。この
ようにして正負の高電圧選択パルスが出力できる。しか
しながら走査電極駆動ICには電圧(VDD−VSS=
VT+2VD)しか印加されていないので、揺動電源を
採用すればIC耐圧を選択パルス振幅のほぼ半分で済ま
せることが可能となる。
Referring to FIG. 6, a swing power supply will be described. (A)
FIG. 3 is a waveform diagram of the oscillating power supply, and FIG. 3B is a circuit diagram for creating the oscillating power supply. In (A), the upper swing power supply VDD has a maximum value of voltage + VT and a minimum value of voltage + VDD.
Is a square wave that switches as
Is a square wave that switches between the highest value as the voltage -VD and the lowest value as the voltage -VT, and includes upper and lower swing power supplies VDD and VSS.
Are synchronized. This switching is called swinging. The scanning electrode driving IC includes upper and lower swing power supplies VDD, V
SS and the voltage VM are supplied as power supplies. Although not shown, a start signal FLM (FIRST) indicating the start of selection is provided.
The scan electrode driving IC is controlled by a line marker (LINE MARKER), a signal LP (LATCH PULSE) indicating switching of a selection period, a signal DB indicating a polarity of liquid crystal panel driving such as a selection pulse, and the like. In the swing power supply system, the polarity of the selection pulse is given by inversion of the logical value of the VM level during the selection period.
For example, an output circuit for applying a drive waveform to the scan electrode T1 connects the lower swing power supply VSS and the output terminal during the selection period of the scan electrode T1, and connects to the VM level during the non-selection period. Is obtained. In this case, the VM level is at the high level during the selection period. Similarly, a circuit for outputting a drive waveform to the scan electrode T2 may connect the output terminal to the upper swing power supply VDD during the selection period of the scan electrode T2 (the VM level in the selection period is low). In this manner, positive and negative high voltage selection pulses can be output. However, the voltage (VDD-VSS =
Since only VT + 2VD) is applied, the use of an oscillating power supply makes it possible to reduce the IC withstand voltage to almost half the selection pulse amplitude.

【0006】当社の製品のいくつかのものは、図6
(B)に示す回路をプリント基板上で組み前述の揺動電
源波形VDD,VSSを作成している。抵抗R1,R
2、コンデンサーC1,C2には信号DBが入力し、抵
抗R1とコンデンサーC1の他端、および抵抗R2とコ
ンデンサーC2の他端は、それぞれPNPトランジスタ
ーQ1のベース、NPNトランジスターQ2のベースに
接続している。PNPトランジスターQ1とNPNトラ
ンジスターQ2のエミッターはそれぞれ高電圧HVと0
V(回路グランド)に接続し、コレクターは共通になっ
ている。コンデンサーC3,C4の一端はトランジスタ
ーQ1,Q2のコレクターと接続し、他端はそれぞれダ
イオードD1のアノード,ダイオードD2のカソードと
接続している。ダイオードD1のカソードとダイオード
D2のアノードはそれぞれ電圧+VD,−VDとなって
いる。
Some of our products are shown in FIG.
The circuit shown in (B) is assembled on a printed circuit board to create the above-mentioned swing power supply waveforms VDD and VSS. Resistance R1, R
2. The signal DB is input to the capacitors C1 and C2, and the other ends of the resistor R1 and the capacitor C1, and the other ends of the resistor R2 and the capacitor C2 are connected to the base of the PNP transistor Q1 and the base of the NPN transistor Q2, respectively. I have. The emitters of the PNP transistor Q1 and the NPN transistor Q2 are high voltage HV and 0, respectively.
V (circuit ground), the collector is common. One ends of the capacitors C3 and C4 are connected to the collectors of the transistors Q1 and Q2, and the other ends are connected to the anode of the diode D1 and the cathode of the diode D2, respectively. The cathode of the diode D1 and the anode of the diode D2 are at voltages + VD and -VD, respectively.

【0007】抵抗R1,R2とコンデンサーC1,C2
とトランジスターQ1,Q2は反転型のレベルシフター
となって、信号DBのハイレベル電圧を0V、ローレベ
ル電圧を電圧HVにレベル変換する。このレベルシフト
された信号はコンデンサーC3とダイオードD1で最低
電圧を電圧+VDにクランプされるので、クランプされ
た信号が揺動電源の上側電源VDDとなる。同様にレベ
ルシフトされた信号はコンデンサC4とダイオードD2
で最高電圧を電圧−VDにクランプされるので、クラン
プされた信号が揺動電源の下側電源VSSとなる。(ト
ランジスターQ1,Q2やダイオードD1,D2におけ
る電圧ドロップは無視した。以下同様)
The resistors R1 and R2 and the capacitors C1 and C2
And the transistors Q1 and Q2 are inverted level shifters, which convert the high level voltage of the signal DB to 0V and the low level voltage to the voltage HV. Since the level-shifted signal is clamped to the minimum voltage + VDD by the capacitor C3 and the diode D1, the clamped signal becomes the upper power supply VDD of the swing power supply. Similarly, the level-shifted signal is supplied to the capacitor C4 and the diode D2.
, The maximum voltage is clamped to the voltage −VD, and the clamped signal becomes the lower power supply VSS of the swing power supply. (The voltage drop in the transistors Q1 and Q2 and the diodes D1 and D2 was ignored. The same applies hereinafter.)

【0008】揺動電源系で動作する例として図7におい
て当社で設計した走査電極駆動ICのブロック図(A)
と電源システム(B)を示す。(A)において、シリコ
ン基板で作したICチップ700には、電源として上側
揺動電源VDD701、下側揺動電源VSS702、低
電圧ロジック用の上側揺動電源VCC703、上側の低
電圧直流電源VDL704、下側の低電圧直流電源VS
L705、液晶パネル駆動のグランドVM706が入力
する。主な制御信号として、選択開始を示すスタート用
の信号FLM707、選択期間の切り替わりを示す信号
LP708、選択パルスの極性を示す信号DBがICチ
ップ700に入力する。スタート信号FML707、信
号LP708は、レベルシフター710により、揺動電
源VCC702と揺動電源VSS703の間の電圧範囲
で動作する低電圧ロジックに変換された後、やはり揺動
電源VCC702、VSS703で動作する低電圧ロジ
ック回路の制御回路711に入力する。制御回路712
は、信号FLM707、ク信号LP708、及び各種の
動作モード設定入力(図示していない)に基づいて、同
様に低電圧ロジック回路である選択信号発生回路713
に制御信号群712を出力する。この制御信号群712
を用いて選択信号発生回路713は所定のタイミングで
選択信号714を出力する。レベルシフター715は低
電圧ロジック信号である選択信号714を上側揺動電源
VDD701と下側揺動電源VSS702の電圧に変換
し、この信号を上側の揺動電源VDD701と下側の揺
動電源VSS702で動作する出力ブロック716に出
力する。一方、信号DB709は、いったんレベルシフ
ター718で低電圧ロジックに変換されてから、レベル
シフター719で揺動電源VDD701と揺動電源VS
S702の電圧に変換され、全出力ブロック716に入
力する。また液晶パネル駆動のグランドVM706も全
出力ブロック716に入力する。出力ブロック716の
走査電極駆動出力717は、選択信号714が入力しな
い期間(非選択期間)は液晶パネル駆動のグランドVM
706と接続し、選択パルス714が入力する期間(選
択期間)で信号DB709がハイレベルの場合には下側
の揺動電源VSS702と接続し、選択期間で信号DB
709がローレベルの場合には上側の揺動電源VDD7
01と接続する。
FIG. 7 shows a block diagram of a scan electrode drive IC designed by our company as an example of operating with a swing power supply system (A).
And a power supply system (B). 3A, an IC chip 700 made of a silicon substrate has an upper swing power supply VDD701, a lower swing power supply VSS702, an upper swing power supply VCC703 for low-voltage logic, an upper low-voltage DC power supply VDL704 as power supplies. Lower low-voltage DC power supply VS
L705, a ground VM706 for driving the liquid crystal panel is input. As the main control signals, a start signal FLM707 indicating the start of selection, a signal LP708 indicating switching of the selection period, and a signal DB indicating the polarity of the selection pulse are input to the IC chip 700. The start signal FML 707 and the signal LP 708 are converted by the level shifter 710 into low-voltage logic that operates in the voltage range between the swing power supply VCC 702 and the swing power supply VSS 703, and then the low-level logic operates with the swing power supply VCC 702 and VSS 703. It is input to the control circuit 711 of the voltage logic circuit. Control circuit 712
Is a selection signal generation circuit 713, which is also a low-voltage logic circuit, based on the signal FLM707, the lock signal LP708, and various operation mode setting inputs (not shown).
The control signal group 712 is output to the control circuit 712. This control signal group 712
And the selection signal generation circuit 713 outputs the selection signal 714 at a predetermined timing. The level shifter 715 converts the selection signal 714, which is a low-voltage logic signal, into the voltage of the upper swing power supply VDD 701 and the lower swing power supply VSS 702, and converts this signal by the upper swing power supply VDD 701 and the lower swing power supply VSS 702. Output to the operating output block 716. On the other hand, the signal DB 709 is once converted into low-voltage logic by the level shifter 718, and is then changed by the level shifter 719 to the swing power supply VDD 701 and the swing power supply VS.
The voltage is converted to the voltage of S702 and input to all output blocks 716. The ground VM 706 for driving the liquid crystal panel is also input to the entire output block 716. The scan electrode drive output 717 of the output block 716 is used for the period during which the selection signal 714 is not input (non-selection period).
706, and when the signal DB 709 is at a high level during a period in which the selection pulse 714 is input (selection period), it is connected to the lower swing power supply VSS 702, and the signal DB 709 in the selection period.
When 709 is at a low level, the upper swing power supply VDD7
Connect with 01.

【0009】図7(B)において(A)の電源関係を説
明する。上側の揺動電源VDD701の下部側は電圧V
DL704、下側の揺動電源VSS702の上部は電圧
VSL705となっている。電圧VDL704,VSL
705は図6の電圧+VD,−VDと等価なもので信号
電極に印加するデータ信号波形の上下の電圧であり、電
圧VDL704と電圧VSL705の中間に液晶パネル
駆動のグランドVM706がある。揺動電源VCC70
3は、上部が電圧VDL704となっており、電圧(V
CC−VSS)は電圧(VDL−VSL)と等しくなっ
ており、これを電源として(A)の制御回路711や選
択信号発生回路713が動作している。なお図中では説
明のため隙間を設けているが実際には、揺動電源VDD
701,VCC703,VSS702は同期しており、
電圧VDL704,VSL705に係わる隙間はない。
Referring to FIG. 7B, the power supply relation of FIG. The lower side of the upper swing power supply VDD 701 is the voltage V
The voltage VSL 705 is at the top of the DL 704 and the lower swing power supply VSS 702. Voltage VDL704, VSL
Reference numeral 705 denotes a voltage equivalent to the voltages + VD and -VD in FIG. 6, which is the upper and lower voltages of the data signal waveform applied to the signal electrode. A ground VM706 for driving the liquid crystal panel is provided between the voltage VDL704 and the voltage VSL705. Oscillating power supply VCC70
3 has a voltage VDL 704 at the top and a voltage (V
CC-VSS) is equal to the voltage (VDL-VSL), and the control circuit 711 and the selection signal generation circuit 713 of FIG. In the drawing, a gap is provided for explanation, but actually, the swing power supply VDD is used.
701, VCC 703 and VSS 702 are synchronized,
There is no gap related to the voltages VDL704 and VSL705.

【0010】図8は、図7のレベルシフター710、7
15と出力ブロック716の回路図である。当社ではこ
れまで通常の固定電源系から揺動電源系に信号を受け渡
すために様々な工夫を行ってきた。図8(A)のレベル
シフターは、図7(A)の最初の入力に使用するレベル
シフター710で特徴的なものである。Pチャンネルト
ランジスター801とNチャンネルトランジスター80
2、803、およびPチャンネルトランジスター804
とNチャンネルトランジスター805、806はそれぞ
れ直列的に配列している。トランジスター801、80
4のサブストレートとトランジスター801のソースと
トランジスター802、805のゲートは電源VDL7
04に接続している。 トランジスター802、80
3、804、805のサブストレートとトランジスター
803、806のソースは下側の揺動電源VSS702
に 接続している。トランジスター801のゲートとト
ランジスター804のソースが入力端子IN813と接
続し、トランジスター804のゲートが電源VSL70
5と接続している。トランジスター806のゲートはト
ランジスター801、802のドレインと接続し、反転
出力となってトランジスター808のゲートに入力す
る。同様にトランジスター803のゲートはトランジス
ター804、805のドレインと接続し、正置出力とな
ってトランジスター810のゲートに入力する。なおト
ランジスター802のソースとトランジスター803の
ドレイン、およびトランジスター805のソースとトラ
ンジスター806のドレインはそれぞれ接続している。
Pチャンネルトランジスター807とNチャンネルトラ
ンジスター808の共通ドレインはPチャンネルトラン
ジスター809のゲートに接続し、Pチャンネルトラン
ジスター809とNチャンネルトランジスター810の
共通ドレインはPチャンネルトランジスター807、8
11およびNチャンネルトランジスター812のゲート
に接続している。トランジスター807、809、81
1のソースとサブストレートは揺動電源VCC703と
接続し、トランジスター808、810、812のソー
スとサブストレートは揺動電源VSS702に接続して
いる。トランジスター811、812の共通ドレインが
出力端子OUT814となる。
FIG. 8 shows the level shifters 710 and 7 of FIG.
15 is a circuit diagram of an output block 716. Until now, we have made various contrivances to pass signals from the normal fixed power supply system to the swing power supply system. The level shifter of FIG. 8A is characteristic of the level shifter 710 used for the first input of FIG. 7A. P-channel transistor 801 and N-channel transistor 80
2, 803 and P-channel transistor 804
And N-channel transistors 805 and 806 are respectively arranged in series. Transistors 801, 80
4 and the source of the transistor 801 and the gates of the transistors 802 and 805 are connected to the power supply VDL7.
04. Transistors 802, 80
3, 804, 805 and the sources of transistors 803, 806 are connected to the lower swing power supply VSS 702.
Connected to. The gate of the transistor 801 and the source of the transistor 804 are connected to the input terminal IN813, and the gate of the transistor 804 is connected to the power supply VSL70.
5 is connected. The gate of the transistor 806 is connected to the drains of the transistors 801 and 802, and the inverted output is input to the gate of the transistor 808. Similarly, the gate of the transistor 803 is connected to the drains of the transistors 804 and 805, and is output as a non-inverting input to the gate of the transistor 810. Note that the source of the transistor 802 is connected to the drain of the transistor 803, and the source of the transistor 805 is connected to the drain of the transistor 806.
The common drain of the P-channel transistor 807 and the N-channel transistor 808 is connected to the gate of the P-channel transistor 809, and the common drain of the P-channel transistor 809 and the N-channel transistor 810 is connected to the P-channel transistors 807 and 8
11 and the gate of the N-channel transistor 812. Transistors 807, 809, 81
1 is connected to the swing power supply VCC 703, and the sources and substrates of the transistors 808, 810, 812 are connected to the swing power supply VSS 702. The common drain of the transistors 811 and 812 becomes the output terminal OUT814.

【0011】図8(A)のレベルシフターは2段構成に
なっている。トランジスター801、802、803、
804、805、806で構成された初段のレベルシフ
ターは、ハイレベルとローレベルの電源VDL704,
VSL705の電圧である入力信号を、ハイレベルが電
源VDL、ローレベルが揺動電源VSS702の電圧に
変換する。トランジスター804に現れているような通
常のレベルシフターと異なる回路を採用した理由は、下
側の電源が揺動電源VSS702であることに加え、I
Cプロセスルールの制約のため入力端子IN813に入
力する信号の反転信号が作成できなかったためである。
トランジスター807、808、809、810で構成
される次段のレベルシフターは、ハイレベルが電源VD
L704、ローレベルが揺動電源VSS702の電圧で
ある信号を、ハイレベルが揺動電源VCC703、ロー
レベルが揺動電源VSS702の電圧に変換する。トラ
ンジスター811、812は信号反転と波形整形のため
のインバータである。
The level shifter shown in FIG. 8A has a two-stage configuration. Transistors 801, 802, 803,
The first-stage level shifter composed of 804, 805, and 806 is a high-level and low-level power supply VDL 704,
The input signal which is the voltage of the VSL 705 is converted into the voltage of the power supply VDL at a high level and the voltage of the swing power supply VSS 702 at a low level. The reason for adopting a circuit different from a normal level shifter as shown in the transistor 804 is that the lower power supply is the swing power supply VSS702 and
This is because an inverted signal of the signal input to the input terminal IN813 could not be created due to the restriction of the C process rule.
The next-stage level shifter including the transistors 807, 808, 809, and 810 has a high-level power supply VD.
L704, a signal whose low level is the voltage of the swing power supply VSS702 is converted into a voltage of the high level of the swing power supply VCC703 and a low level is the voltage of the swing power supply VSS702. The transistors 811 and 812 are inverters for signal inversion and waveform shaping.

【0012】図8(B)は、図7(A)のレベルシフタ
ー715の回路図である。Pチャンネルトランジスター
821、822とNチャンネルトランジスター823は
直列的に配列している。同様にPチャンネルトランジス
ター824、825とNチャンネルトランジスター82
6も直列的に配列している。選択タイミングを示す信号
714は正置入力端子IN(トランジスター821、8
23のゲート)に入力する。一般にレベルシフターには
信号ペアーとして反転信号も入力させて使用するので、
図7では省略したが、実際の回路では選択タイミングを
示す選択信号714の反転信号828も反転入力端子I
NB(トランジスター824、826のゲート)に入力
する。トランジスター822、823の共通ドレインは
トランジスター825のゲートと接続し、トランジスタ
ー825、826の共通ドレインはトランジスター82
2のゲートと接続しながら出力OUT827となる。上
下の電源は揺動電源VDD701、VSS702であ
り、それぞれトランジスター821、822、824、
825のサブストレートとトランジスター821、82
4のソース、トランジスター823、826のサブスト
レートとソースが接続する。このレベルシフターでハイ
レベルが揺動電源VCC703の電圧、ローレベルが揺
動電源VSS702の電圧である選択信号714を、ハ
イレベルが揺動電源VDD701、ローレベル揺動電源
VSS702の電圧に変換する。
FIG. 8B is a circuit diagram of the level shifter 715 of FIG. 7A. The P-channel transistors 821 and 822 and the N-channel transistor 823 are arranged in series. Similarly, P-channel transistors 824 and 825 and N-channel transistor 82
6 are also arranged in series. The signal 714 indicating the selection timing is supplied to the normal input terminal IN (the transistors 821 and 8
23 gate). Generally, an inverted signal is also input to a level shifter as a signal pair and used.
Although omitted in FIG. 7, in an actual circuit, an inverted signal 828 of the selection signal 714 indicating the selection timing is also supplied to the inverted input terminal I.
NB (gates of transistors 824 and 826). The common drain of the transistors 822 and 823 is connected to the gate of the transistor 825, and the common drain of the transistors 825 and 826 is connected to the transistor 82.
The output OUT827 is connected to the second gate. The upper and lower power supplies are swing power supplies VDD701 and VSS702, and transistors 821, 822, 824,
825 substrate and transistors 821 and 82
4 and the substrate and the source of the transistors 823 and 826 are connected. The level shifter converts the selection signal 714 whose high level is the voltage of the swing power supply VCC 703 and whose low level is the voltage of the swing power supply VSS 702 into the voltage of the swing power supply VDD 701 and the low level swing power supply VSS 702.

【0013】図8(C)は図7(A)の出力ブロック7
16の回路図である。非選択期間では、選択タイミング
を示す信号827((B)の出力OUT827)がロー
レベルなのでアンド831、833によりPチャンネル
トランジスター834とNチャンネルトランジスター8
36は非導通状態なっている。一方このとき信号827
自身とインバータ832により、トランスミッションゲ
ート835が導通し、出力端子717には液晶パネルの
グランドVM706の電圧が現れる。選択期間で選択パ
ルスの極性を示す信号837(図7(A)の信号DB7
09をレベルシフトしたもの)がローレベルの場合、ア
ンド831の出力がローレベルになるのでトランジスタ
ー834が導通し出力端子717には揺動電源VDD7
01の電圧が現れる。同様に選択期間で信号837がハ
イレベルの場合には、トランジスター836が導通し揺
動電源VSS702の電圧が出力端子717に現れる。
なお選択期間はトランスミッションゲート835は非導
通状態である。
FIG. 8C shows the output block 7 shown in FIG.
FIG. 16 is a circuit diagram of FIG. In the non-selection period, since the signal 827 (the output OUT 827 of (B)) indicating the selection timing is at a low level, the P-channel transistor 834 and the N-channel transistor 8 by ANDs 831 and 833.
36 is non-conductive. On the other hand, at this time, the signal 827
The transmission gate 835 is turned on by itself and the inverter 832, and the voltage of the ground VM 706 of the liquid crystal panel appears at the output terminal 717. A signal 837 indicating the polarity of the selection pulse during the selection period (the signal DB7 in FIG.
09 is low level, the output of the AND 831 becomes low level, the transistor 834 is turned on, and the swing power supply VDD7 is connected to the output terminal 717.
A voltage of 01 appears. Similarly, when the signal 837 is at the high level during the selection period, the transistor 836 is turned on and the voltage of the swing power supply VSS 702 appears at the output terminal 717.
Note that the transmission gate 835 is off during the selection period.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】図6(B)で示したよ
うに揺動電源VSSはコンデンサーを介して作成される
ため走査電極駆動ICのグランド(シリコンのウェハー
がP基板の場合)としては弱いものとなる。一方液晶パ
ネル駆動のグランドVMは表示品質劣化(クロストーク
など)を防ぐため、ICチップ外の電圧源からICチッ
プを経由して液晶パネルの走査電極に至るまでの抵抗を
できる限り低くする必要がある。このためICチップ内
では、配線を太くしたり図8(C)のトランスミッショ
ンゲート835の面積を大きくしたりして対応してい
る。この対策の結果、走査電極駆動ICのグランド(V
SS)と液晶パネル駆動のグランドVMとの間に大きな
容量結合ができてしまう。走査電極駆動ICのグランド
(VSS)からみれば液晶パネル駆動のグランドVMは
大振幅で変動しているので、容量結合により走査電極駆
動ICのグランド(VSS)に大きなノイズが乗ってし
まう。このノイズのために低電圧で動作しているロジッ
ク回路(選択信号発生回路713等)が誤動作してしま
う、という課題があった。そこで本発明の第1の目的
は、小型化に有効であるという揺動電源で動作するIC
の特質を生かしながら、内部ノイズに強い液晶パネルの
走査電極駆動ICを提供することである。
As shown in FIG. 6 (B), since the swing power supply VSS is generated via a capacitor, it is used as the ground of the scan electrode drive IC (when the silicon wafer is a P substrate). It will be weak. On the other hand, in order to prevent display quality deterioration (such as crosstalk), the resistance of the ground VM for driving the liquid crystal panel must be as low as possible from the voltage source outside the IC chip to the scanning electrode of the liquid crystal panel via the IC chip. is there. For this reason, in the IC chip, the wiring is thickened and the area of the transmission gate 835 in FIG. 8C is increased. As a result of this countermeasure, the ground (V
SS) and a large capacitive coupling between the ground VM for driving the liquid crystal panel. When viewed from the ground (VSS) of the scan electrode drive IC, the ground VM for driving the liquid crystal panel fluctuates with a large amplitude, so that a large noise is added to the ground (VSS) of the scan electrode drive IC due to capacitive coupling. There is a problem that a logic circuit operating at a low voltage (such as the selection signal generation circuit 713) malfunctions due to the noise. Accordingly, a first object of the present invention is to provide an IC which operates on a swing power supply and is effective for miniaturization.
Another object of the present invention is to provide a scan electrode driving IC for a liquid crystal panel that is resistant to internal noise while making the most of the above characteristics.

【0015】図6(B)で示したように揺動電源を作成
するためには、回路基板上に比較的大容量のコンデンサ
ーをはじめとして多数の部品を実装する必要がある、と
いう課題がある。そこで本発明の第2の目的は、低い耐
圧で済むという揺動電源で動作するICの特性を生かし
ながら、揺動電源に関わる部品を削減した液晶パネルの
走査電極駆動ICを提供することである。
As shown in FIG. 6B, there is a problem that it is necessary to mount a large number of components including a relatively large-capacity capacitor on a circuit board in order to create an oscillating power supply. . Accordingly, a second object of the present invention is to provide a scan electrode driving IC for a liquid crystal panel in which components relating to the oscillating power supply are reduced while utilizing the characteristics of an IC that operates with the oscillating power supply that requires a low withstand voltage. .

【0016】高い選択パルスと低電圧のデータ信号で液
晶パネルを駆動する方法では、選択パルス作成用に高電
圧電源やデータ電圧用の電源が必要となる。揺動電源を
使用しても状況は同じであるので、液晶パネルの走査電
極を駆動するためには多くの電源が必要になるという課
題がある。そこで本発明の第3の目的は、液晶パネルの
走査電極を駆動するのに必要な部品を最小限に押さえた
液晶パネルの走査電極駆動ICを提供することである。
The method of driving a liquid crystal panel with a high selection pulse and a low-voltage data signal requires a high-voltage power supply and a power supply for data voltage for generating the selection pulse. Even if an oscillating power supply is used, the situation is the same, so that there is a problem that a large number of power supplies are required to drive the scanning electrodes of the liquid crystal panel. Accordingly, a third object of the present invention is to provide a scanning electrode driving IC for a liquid crystal panel in which components necessary for driving the scanning electrodes of the liquid crystal panel are minimized.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】前述の第1の目的を達成
するために本発明は、絶縁体上に直流の低電圧で動作す
る回路とレベルシフターと出力ブロックを形成し、出力
ブロックを揺動電源で動作させ、直流で低電圧で動作す
る回路が出力する選択信号がをレベルシフターで揺動電
源系の論理値に変換した後、この信号を出力ブロックに
入力させることを特徴とする。
In order to achieve the first object, the present invention forms a circuit operating at a low DC voltage, a level shifter, and an output block on an insulator, and swings the output block. The circuit is operated by a dynamic power supply, and a selection signal output by a circuit operating at a low voltage with direct current is converted into a logic value of an oscillating power supply system by a level shifter, and this signal is input to an output block.

【0018】前述の第2の目的を達成するために本発明
は、前述の構成に加え揺動電源を作成する上側の揺動電
源回路と下側の揺動電源回路を絶縁体基板に形成し、上
側の揺動電源回路の上下の電源電圧がそれぞれ選択パル
スの最高値付近の高電圧と液晶パネル駆動のグランドレ
ベル付近の低電圧であり、下側の揺動電源回路の上下の
電源電圧がそれぞれ液晶パネル駆動のグランドレベル付
近の低電圧と選択パルスの最低値付近の高電圧であるこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned second object, the present invention provides, in addition to the above-described structure, an upper swing power supply circuit and a lower swing power supply circuit for creating a swing power supply on an insulator substrate. The upper and lower power supply voltages of the upper swing power supply circuit are a high voltage near the maximum value of the selection pulse and a low voltage near the ground level of the liquid crystal panel drive, respectively. Each is characterized by a low voltage near the ground level for driving the liquid crystal panel and a high voltage near the lowest value of the selection pulse.

【0019】前述の第3の目的を達成するために本発明
は、前述の構成に加え絶縁体基板に発振器とスイッチン
グトランジスターとダイオードと電圧検出手段を有し、
コイルとコンデンサーを接続して昇圧回路を形成したこ
とを特徴とする。
In order to achieve the third object, the present invention has an oscillator, a switching transistor, a diode, and voltage detecting means on an insulator substrate in addition to the above-mentioned structure.
A booster circuit is formed by connecting a coil and a capacitor.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施の形
態のブロック図(A)と電源の波形図(B)である。図
1(A)において、ICチップ100は、シリコン基板
の上に絶縁層形成し、さらにその上層に複数のPないし
N型のシリコン領域を形成し、この領域に素子を作り込
む、という集積回路技術(SILICON ON IN
SULATOR、以下SOIと称する)を採用した。電
源として、上側の低電圧で直流の電源VDL101、下
側の低電圧で直流の電源VSL102、上側の揺動電源
VDD103、下側の揺動電源VSS104、液晶パネ
ル駆動のグランドVM105がICチップ100に入力
する。主な制御信号として、選択開始を示すスタート用
の信号FLM106、選択期間の切り替わりを示し選択
する走査電極をシフトさせる信号LP107、選択パル
スおよび液晶パネル駆動の極性を示す信号DB108が
ICチップ100に入力する。信号FML106、信号
LP107は、レベルシフター109に入力し、レベル
シフター109の出力信号は制御回路110に入力し、
制御回路110の出力信号群111は選択信号発生回路
112に入力し、選択信号発生回路の各々の出力信号で
ある選択信号113はそれぞれのレベルシフター114
に入力し、各々のレベルシフター114の出力信号はそ
れぞれの出力ブロック115へ入力する。他方、信号D
B108はレベルシフター117に入力し、レベルシフ
ター117の出力信号はレベルシフター118に入力
し、レベルシフター118の出力信号は全出力ブロック
115に入力する。液晶パネル駆動のグランドVMは全
出力ブロック115に入力し、各出力ブロック115が
それぞれ走査電極駆動信号116を出力する。
FIG. 1 shows a block diagram (A) and a waveform diagram (B) of a power supply according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1A, an IC chip 100 is an integrated circuit in which an insulating layer is formed on a silicon substrate, a plurality of P or N type silicon regions are formed thereon, and elements are formed in this region. Technology (SILICON ON IN
SULATOR, hereinafter referred to as SOI). As the power supply, an IC chip 100 includes an upper low-voltage DC power supply VDL101, a lower low-voltage DC power supply VSL102, an upper swing power supply VDD103, a lower swing power supply VSS104, and a liquid crystal panel driving ground VM105. input. As the main control signals, a start signal FLM106 indicating selection start, a signal LP107 indicating switching of a selection period and shifting a scanning electrode to be selected, a selection pulse and a signal DB108 indicating the polarity of liquid crystal panel driving are input to the IC chip 100. I do. The signal FML106 and the signal LP107 are input to the level shifter 109, and the output signal of the level shifter 109 is input to the control circuit 110,
An output signal group 111 of the control circuit 110 is input to a selection signal generation circuit 112, and a selection signal 113, which is an output signal of each of the selection signal generation circuits, is output to a respective level shifter 114.
, And the output signal of each level shifter 114 is input to each output block 115. On the other hand, signal D
B108 is input to the level shifter 117, the output signal of the level shifter 117 is input to the level shifter 118, and the output signal of the level shifter 118 is input to all the output blocks 115. The ground VM for driving the liquid crystal panel is input to all output blocks 115, and each output block 115 outputs a scan electrode drive signal 116, respectively.

【0021】図1(B)は図1(A)の電源関係を説明
するための波形図である。上側の揺動電源VDD103
の下部の電圧、および下側の揺動電源VSS104の上
部の電圧は、それぞれ電源VDL101、電源VSL1
02の電圧と等しい。なお電源VDL101、電源VS
L102の電圧は、それぞれ信号電極を駆動するための
データ信号波形のハイレベルとローレベルの電圧に等し
い。電源VDL101と電源VSL102の電圧の中間
に液晶パネル駆動のグランドVM105の電圧がある。
また上下の揺動電源VDD103、VSS104の揺動
幅(最高値と最低値の差)は等しい。なお図中では説明
のため電源VDL101の電圧と揺動電源VDD103
の下部の間、および電源VSL102と揺動電源VSS
104の上部の間に隙間を設けた。
FIG. 1B is a waveform diagram for explaining the power supply relation of FIG. 1A. Upper swing power supply VDD103
Are lower than the power supply VDL101 and the upper voltage of the lower swing power supply VSS104, respectively.
It is equal to the voltage of 02. The power supply VDL101 and the power supply VS
The voltage of L102 is equal to the high-level and low-level voltages of the data signal waveform for driving the signal electrodes, respectively. The voltage of the ground VM105 for driving the liquid crystal panel is intermediate between the voltages of the power supply VDL101 and the power supply VSL102.
The swing widths (the difference between the highest value and the lowest value) of the upper and lower swing power supplies VDD103 and VSS104 are equal. In the figure, the voltage of the power supply VDL101 and the swing power supply VDD103 are shown for explanation.
Between the power supply VSL102 and the swing power supply VSS.
A gap was provided between the upper portions of 104.

【0022】図1(A)において、外部システムの電圧
幅(ハイレベルとローレベルの電圧差)で入力してくる
信号FLM106、信号LP107は、レベルシフター
109でハイレベルが電源VDL101の電圧、ローレ
ベルが電源VSL102の電圧に変換される。電源VD
L101と電源VSL102で動作する制御回路111
は、信号FLM106、信号LP107を電圧変換した
信号や、各種の動作モード設定入力(図示していない)
に基づいて制御信号群112を作成する。やはり電源V
DL101と電源VSL102で動作する選択信号発生
回路112はこの制御信号群112に基づいて所定のタ
イミングで選択信号113を出力する。レベルシフター
114は、ハイレベルとローレベルがそれぞれ電源VD
L101と電源VSLの電圧である低電圧の選択信号1
13を、ハイレベルとローレベルがそれぞれ上側の揺動
電源VDD103と下側の揺動電源VSS104の電圧
に変換する。同様に外部システムの電圧幅で入力してく
る信号DB108は、レベルシフター117でハイレベ
ルとローレベルがそれぞれ電源VDL101と電源VS
L102の電圧に変換され、さらにレベルシフター11
8でハイレベルとローレベルがそれぞれ上側の揺動電源
VDD103と下側の揺動電源VSS104の電圧に変
換される。上側の揺動電源VDD103と下側の揺動電
源VSS104で動作する出力ブロック115は、選択
信号113がローレベルになっている非選択期間では液
晶パネル駆動のグランドVM105と導通し、この電圧
を出力する。選択信号113がハイレベルとなる選択期
間の出力ブロック115は、信号DB108がハイレベ
ルの場合に下側の揺動電源VSS104と導通しこの電
圧を出力し、信号DB108がローレベルの場合に上側
の揺動電源VDD103と導通しこの電圧を出力する。
In FIG. 1A, a signal FLM 106 and a signal LP 107 input with the voltage width of the external system (the voltage difference between the high level and the low level) are high level by the level shifter 109 and the voltage of the power source VDL 101 is low. The level is converted to the voltage of the power supply VSL102. Power supply VD
Control circuit 111 operated by L101 and power supply VSL102
Is a signal obtained by converting the voltage of the signal FLM106 and the signal LP107, and various operation mode setting inputs (not shown).
The control signal group 112 is created based on After all power supply V
The selection signal generation circuit 112 operated by the DL 101 and the power supply VSL 102 outputs a selection signal 113 at a predetermined timing based on the control signal group 112. The level shifter 114 has a power supply VD
Low voltage selection signal 1 which is the voltage of L101 and power supply VSL
13 is converted into a voltage of the upper swing power supply VDD 103 and a lower swing power supply VSS 104 of low level, respectively. Similarly, the signal DB 108 input with the voltage width of the external system has a high level and a low level at the power supply VDL 101 and the power supply VS by the level shifter 117, respectively.
Is converted to the voltage of L102, and furthermore the level shifter 11
At 8, the high level and the low level are converted into voltages of the upper swing power supply VDD 103 and the lower swing power supply VSS 104, respectively. The output block 115 operated by the upper swing power supply VDD 103 and the lower swing power supply VSS 104 conducts with the liquid crystal panel driving ground VM 105 during the non-selection period in which the selection signal 113 is at the low level, and outputs this voltage. I do. The output block 115 in the selection period in which the selection signal 113 is at the high level conducts and outputs the lower swing power supply VSS 104 when the signal DB 108 is at the high level and outputs this voltage when the signal DB 108 is at the low level. The oscillation power supply VDD 103 is made conductive and outputs this voltage.

【0023】図2は、図1の第1の実施形態のレベルシ
フター109、117(A)と、レベルシフター11
4、118(B)の回路図である。図2では図1と同等
の電源を同じ番号で示した。(A)ではPチャンネルト
ランジスター201とNチャンネルトランジスター20
2、およびPチャンネルトランジスター203とNチャ
ンネルトランジスター204がそれぞれドレインが共通
になるように接続している。トランジスター201、2
03のサブストレートとソースは電源VDL101に接
続している。トランジスター202、204のサブスト
レートとソースは電源VSL102に接続している。ト
ランジスター202のゲートはレベルシフターの入力端
子INであり、トランジスター204のゲートは基準電
圧Vrefが入力する。トランジスター201、203
のゲートは、トランジスター203、204のドレイン
と接続している。トランジスター201と202の共通
ドレインはインバータ205の入力端子と接続し、イン
バータ205の出力がレベルシフター全体としの出力と
なる。
FIG. 2 shows the level shifters 109 and 117 (A) and the level shifter 11 of the first embodiment shown in FIG.
4 is a circuit diagram of FIG. In FIG. 2, power supplies equivalent to those in FIG. 1 are indicated by the same numbers. (A) shows a P-channel transistor 201 and an N-channel transistor 20.
2, and the P-channel transistor 203 and the N-channel transistor 204 are connected such that their drains are common. Transistors 201, 2
The substrate 03 and the source are connected to the power supply VDL101. The substrates and sources of the transistors 202 and 204 are connected to the power supply VSL102. The gate of the transistor 202 is an input terminal IN of the level shifter, and the gate of the transistor 204 receives the reference voltage Vref. Transistors 201, 203
Is connected to the drains of the transistors 203 and 204. The common drain of the transistors 201 and 202 is connected to the input terminal of the inverter 205, and the output of the inverter 205 becomes the output of the entire level shifter.

【0024】図2(A)において、トランジスター20
1、202、203、204で組まれた回路は、入力端
子INと基準電圧Vrefの電圧を比較を行う最も簡単
なコンパレータである。入力端子INの電圧が基準電圧
Vrefよりも高いときには、トランジスター201、
202のドレインはローレベルになる。反対に入力端子
INの電圧が基準電圧Vrefよりも低いときには、ト
ランジスター201、202のドレインはハイレベルに
なる。インバータ205は、このコンパレータの出力信
号を反転させながら同時に波形整形も行っている。
In FIG. 2A, a transistor 20
The circuit formed by 1, 202, 203, and 204 is the simplest comparator that compares the voltage of the input terminal IN with the reference voltage Vref. When the voltage of the input terminal IN is higher than the reference voltage Vref, the transistor 201,
The drain of 202 goes low. Conversely, when the voltage at the input terminal IN is lower than the reference voltage Vref, the drains of the transistors 201 and 202 go to a high level. The inverter 205 also performs waveform shaping while inverting the output signal of the comparator.

【0025】図2(B)のレベルシフターは、2段構成
になっている。初段のレベルシフターでは、Pチャンネ
ルトランジスター211とNチャンネルトランジスター
212、212、およびPチャンネルトランジスター2
14とNチャンネルトランジスター215。216がそ
れぞれ直列的に配列しており、トランジスター211と
トランジスター212のドレイン、トランジスター21
4とトランジスター215のドレイン、トランジスター
212のソースとトランジスター213のドレイン、お
よびトランジスター215のソースとトランジスター2
16のドレインがそれぞれ接続している。トランジスタ
ー211、212、213、214、215、216の
サブストレートは自身のソースと接続しており、トラン
ジスター211、214のソースおよびトランジスター
213、216のソースはそれぞれ電源VDL101と
下側の揺動電源VSS104に接続している。レベルシ
フター全体および初段のレベルシフターの両方で、トラ
ンジスター211、213のゲートはレベルシフターの
正置入力端子INであり、トランジスター214、21
6のゲートは反転入力端子INBである。トランジスタ
ー215のゲートはトランジスター211、212のド
レインと接続している。同様にトランジスター212の
ゲートはトランジスター214、215のドレインと接
続している。次段のレベルシフターでも、Pチャンネル
トランジスター217、218とNチャンネルトランジ
スター219、およびPチャンネルトランジスター22
0、221とNチャンネルトランジスター222がそれ
ぞれ直列的に配列しており、トランジスター217のド
レインとトランジスター218のソース、トランジスタ
ー220のドレインとトランジスター221のソース、
トランジスター218とトランジスター219のドレイ
ン、およびトランジスター221とトランジスター22
2のドレインがそれぞれ接続している。トランジスター
217、218、219、220、221、222のサ
ブストレートは自身のソースと接続しており、トランジ
スター217、220のソースおよびトランジスター2
19、222のソースはそれぞれ上下の揺動電源VDD
103、VSS104と接続している。トランジスター
217、219のゲートは次段のレベルシフターの正置
入力端子であり、初段のレベルシフターの正置出力(ト
ランジスター214のドレイン他)と接続している。ト
ランジスター220、222のゲートは次段のレベルシ
フターの反転入力端子であり、初段のレベルシフターの
反転出力(トランジスター211のドレイン他)と接続
している。トランジスター221のゲートはトランジス
ター218、219のドレインと接続し、レベルシフタ
ー全体の反転出力OUTBとなる。同様にトランジスタ
ー218のゲートはトランジスター221、222のド
レインと接続し、レベルシフター全体の正置出力OUT
となる。
The level shifter shown in FIG. 2B has a two-stage configuration. In the first-stage level shifter, a P-channel transistor 211, N-channel transistors 212 and 212, and a P-channel transistor 2
14 and N-channel transistors 215 and 216 are arranged in series, respectively.
4 and the drain of the transistor 215, the source of the transistor 212 and the drain of the transistor 213, and the source of the transistor 215 and the transistor 2
16 drains are connected to each other. The substrates of the transistors 211, 212, 213, 214, 215, and 216 are connected to their own sources. The sources of the transistors 211 and 214 and the sources of the transistors 213 and 216 are connected to the power supply VDL101 and the lower swing power supply VSS104, respectively. Connected to In both the entire level shifter and the first-stage level shifter, the gates of the transistors 211 and 213 are the input terminals IN of the level shifters, and the transistors 214 and 21
The gate 6 is an inverting input terminal INB. The gate of the transistor 215 is connected to the drains of the transistors 211 and 212. Similarly, the gate of the transistor 212 is connected to the drains of the transistors 214 and 215. Also in the next level shifter, P-channel transistors 217 and 218, N-channel transistor 219, and P-channel transistor 22
0, 221 and an N-channel transistor 222 are respectively arranged in series, the drain of the transistor 217 and the source of the transistor 218, the drain of the transistor 220 and the source of the transistor 221;
The drains of the transistors 218 and 219, and the transistors 221 and 22
2 are connected to each other. The substrates of transistors 217, 218, 219, 220, 221 and 222 are connected to their sources, and the sources of transistors 217 and 220 and transistor 2
19 and 222 are the upper and lower swing power supply VDD, respectively.
103 and VSS 104. The gates of the transistors 217 and 219 are the positive input terminals of the next-stage level shifter, and are connected to the positive output (the drain of the transistor 214 and the like) of the first-stage level shifter. The gates of the transistors 220 and 222 are inverting input terminals of the next-stage level shifter, and are connected to the inverted output of the first-stage level shifter (the drain of the transistor 211, etc.). The gate of the transistor 221 is connected to the drains of the transistors 218 and 219, and serves as an inverted output OUTB of the entire level shifter. Similarly, the gate of the transistor 218 is connected to the drains of the transistors 221 and 222, and the positive output OUT of the entire level shifter is connected.
Becomes

【0026】図2(B)において、入力端子INに入力
する選択信号113(ないし信号DBをレベルシフター
117で電圧変換した信号)と反転入力端子INBに入
力する反転信号(IC内のレベルシフターは一般に反転
信号も使用するので図1では説明を簡単化させるため図
示しなかった)は、初段のレベルシフターによりハイレ
ベルが電源VDL101の電圧、ローレベルが揺動電源
VSS104の電圧に変換される。つぎに次段のレベル
シフターでハイレベルが揺動電源VDD103の電圧、
ローレベルが揺動電源VSS104の電圧に変換され
る。
In FIG. 2B, a selection signal 113 (or a signal obtained by voltage-converting the signal DB by the level shifter 117) input to the input terminal IN and an inversion signal (level shifter in the IC is input to the inversion input terminal INB) In general, an inverted signal is also used, so that it is not shown in FIG. 1 for the sake of simplicity of description). In the first-stage level shifter, the high level is converted into the voltage of the power supply VDL101, and the low level is converted into the voltage of the swing power supply VSS104. Next, in the next stage of the level shifter, the high level is the voltage of the oscillating power supply VDD103,
The low level is converted to the voltage of the swing power supply VSS104.

【0027】第1の実施の形態は、SOI基板上に、低
電圧で動作する回路領域(レベルシフター109,11
7、制御回路110、選択信号発生回路112)と、高
電圧で動作する回路領域(出力ブロック115)を独立
して形成している。このふたつの領域をレベルシフター
114,118で信号伝達している。さらに詳しくは、
図2(B)でトランジスター212等のサブストレート
が自分自身のソースと接続しているように、トランジス
ターレベルでも、P型ないしN型シリコンの領域は分割
されている。本実施の形態はSOIであるが、絶縁体上
にシリコン領域を独立させて集積回路を作りあげる手法
のなかで、絶縁体としてガラスやサファイを使用する例
も知られている。
In the first embodiment, a low-voltage operating circuit area (level shifters 109, 11) is provided on an SOI substrate.
7, a control circuit 110, a selection signal generation circuit 112) and a circuit region (output block 115) operating at a high voltage are formed independently. Signals are transmitted between these two areas by level shifters 114 and 118. For more information,
In FIG. 2B, the P-type or N-type silicon region is divided at the transistor level as well, such that the substrate such as the transistor 212 is connected to its own source. Although this embodiment is an SOI, an example in which glass or sapphire is used as an insulator is known as a technique for forming an integrated circuit by independently forming a silicon region on an insulator.

【0028】図3は、本発明の第2の実施の形態のブロ
ック図である。図1と図3では同等の電源、回路ブロッ
ク、信号は同じ番号で示した。本実施の形態は、図1の
第1の実施の形態にたいして、上下の揺動電源VDD3
07、VSS308をICチップ100の内部で発生さ
せるようにしたものである。上下の低電圧で直流の電源
VDL101、VSL102、と液晶パネル駆動のグラ
ンドVM105は、図1の第1の実施の形態と同様にI
Cチップ100の外部から入力している。一方、上下の
揺動電源VDD103,VSS104のかわりに正側の
高電圧HV305と負側の高電圧LV306が入力して
いる。ICチップ100の内部で発生させた上下の揺動
電源VDD307、VSS308は、レベルシフター1
14,118や出力ブロック115の電源となってい
る。信号DB108をレベルシフター117で低電圧ロ
ジックに変換し、さらにインバータ309で論理反転し
た信号を、レベルシフター301でいったんハイレベル
が正側の高電圧HV305の電圧、ローレベルが電源V
SLの電圧に変換し、さらにハイレベルが正側の高電圧
電源HV305の電圧、ローレベルが電源VDL101
の電圧に変換して上側の揺動電源VDD307が得られ
る。同様にインバータ309の出力信号をレベルシフタ
ー303でいったんハイレベルが電源VDL101の電
圧、ローレベルが負側の高電圧電源LV306の電圧に
変換し、さらにハイレベルが電源VSL102の電圧、
ローレベルが負側の高電圧電源LV306の電圧に変換
して下側の揺動電源VSS308は、得る。
FIG. 3 is a block diagram of a second embodiment of the present invention. 1 and 3, equivalent power supplies, circuit blocks, and signals are indicated by the same numbers. This embodiment is different from the first embodiment shown in FIG.
07 and VSS 308 are generated inside the IC chip 100. The upper and lower low-voltage and direct-current power supplies VDL101 and VSL102 and the ground VM105 for driving the liquid crystal panel are connected to each other in the same manner as in the first embodiment of FIG.
It is input from outside the C chip 100. On the other hand, a positive high voltage HV305 and a negative high voltage LV306 are input instead of the upper and lower swing power supplies VDD103 and VSS104. The upper and lower swing power supplies VDD 307 and VSS 308 generated inside the IC chip 100 are connected to the level shifter 1.
14, 118 and the output block 115. The signal DB 108 is converted into a low-voltage logic by the level shifter 117, and the logic-inverted signal is further inverted by the inverter 309.
SL, and the high level is the voltage of the high-voltage power supply HV305 on the positive side, and the low level is the power supply VDL101.
And the upper swing power supply VDD 307 is obtained. Similarly, the output signal of the inverter 309 is once converted to a voltage of the power supply VDL101 by a level shifter 303, a low level is converted to a voltage of the high-voltage power supply LV306 on the negative side, and a high level is further converted to a voltage of the power supply VSL102 by a level shifter 303.
The low level is converted into the voltage of the high voltage power supply LV306 on the negative side, and the lower swing power supply VSS308 is obtained.

【0029】図4は、本発明の第3の実施の形態のブロ
ック図である。図3と図4では同等の電源、回路ブロッ
ク、信号は同じ番号で示した。本実施の形態は、図3の
第2の実施の形態にたいして、正の低電圧の電源VDL
417と液晶パネル駆動のグランドVM421をICチ
ップ100の内部で発生させ、さらにICチップ100
外のコイル402とコンデンサ403,404,405
とICチップ内の素子でスイッチングレギュレータを構
成し正負の高電圧HV419、LV420を発生させた
ものである。ICチップ100に供給する電源は、電池
401の正負の電圧で、下側の低電圧の電源VSL41
8は電池の負極(システムグランド)と接続している。
ICチップ100の内部の電源VDL417と液晶パネ
ル駆動のグランドVM421は定電圧発生回路Vreg
406で電池401の正極電圧を昇圧ないし降圧して作
成する。発振器OSC409の出力信号によりスイッチ
ングトランジスター410がコイル402の電流を遮断
するときに発生する逆起電力をダイオード407,40
8とコンデンサ403で整流し、ICチップ100の内
部の正側の高電圧電源HV419が得られる。同様にI
Cチップ100の内部の負側の高電圧電源LVは、コイ
ル402の逆起電力をダイオード416とコンデンサー
405で整流して得られる。
FIG. 4 is a block diagram of a third embodiment of the present invention. 3 and 4, equivalent power supplies, circuit blocks, and signals are indicated by the same numbers. This embodiment is different from the second embodiment shown in FIG.
417 and the ground VM421 for driving the liquid crystal panel are generated inside the IC chip 100, and the IC chip 100
Outer coil 402 and capacitors 403, 404, 405
And a device inside the IC chip to constitute a switching regulator to generate positive and negative high voltages HV419 and LV420. The power supplied to the IC chip 100 is a positive / negative voltage of the battery 401, and a lower low-voltage power supply VSL41.
Reference numeral 8 is connected to the negative electrode (system ground) of the battery.
The power supply VDL 417 inside the IC chip 100 and the ground VM 421 for driving the liquid crystal panel are connected to a constant voltage generation circuit Vreg.
In step 406, the positive electrode voltage of the battery 401 is increased or decreased to create the voltage. The back electromotive force generated when the switching transistor 410 cuts off the current of the coil 402 by the output signal of the oscillator OSC 409 is output to the diodes 407 and 40.
8 and a capacitor 403 to obtain a positive high-voltage power supply HV419 inside the IC chip 100. Similarly I
The negative high-voltage power supply LV inside the C chip 100 is obtained by rectifying the back electromotive force of the coil 402 with the diode 416 and the capacitor 405.

【0030】第3の実施の形態では液晶パネルのグラン
ドレベルVMに対しする高電圧電源HV、LVの電圧を
等しくさせるため、正側の高電圧電源HV419作成に
際し2段のダイオードを使用し、負側の高電圧電源LV
420の作成に際し逆起電力波形のトップレベルを電源
VDLの電圧にクランプしている。逆起電力をVa
(V)、ダイオードの電圧ドロップVd(V)、液晶パ
ネル駆動のグランドレベルVMの電圧をVm(V)とし
たとき、正側の高電圧電源HV419の電圧は、 Va−2Vd となり、正側の高電圧電源HV419の電圧と液晶パネ
ル駆動のグランドレベルVM421との間の電位差は、 Va−2Vd−Vm となる、一方負側の高電圧電源LV420の電圧は、電
源VDL417へのクランプと、電源VDL417の電
圧が2Vmであることから −Va+2Vd+2Vm となり、負側の高電圧電源LV420の電圧と液晶パネ
ル駆動のグランドレベルVM421との間の電位差は、 −(Va−2Vd−Vm) となる。ことから、上下の高圧電源HV419、LV4
20は、液晶パネルのグランドレベルVM421の電圧
に対し対称な電圧値を持つことになる。
In the third embodiment, in order to equalize the voltages of the high-voltage power supplies HV and LV with respect to the ground level VM of the liquid crystal panel, a two-stage diode is used when the positive high-voltage power supply HV419 is created, and a negative diode is used. Side high-voltage power supply LV
In creating 420, the top level of the back electromotive force waveform is clamped to the voltage of the power supply VDL. Back electromotive force is Va
(V), the voltage drop Vd (V) of the diode, and the voltage of the ground level VM for driving the liquid crystal panel are Vm (V), the voltage of the high voltage power supply HV419 on the positive side becomes Va-2Vd, The potential difference between the voltage of the high voltage power supply HV419 and the ground level VM421 for driving the liquid crystal panel is Va−2Vd−Vm, while the voltage of the negative high voltage power supply LV420 is clamped to the power supply VDL417 and the power supply VDL417. Is -Va + 2Vd + 2Vm, and the potential difference between the voltage of the negative high-voltage power supply LV420 and the ground level VM421 for driving the liquid crystal panel is-(Va-2Vd-Vm). Therefore, the upper and lower high-voltage power supplies HV419 and LV4
Reference numeral 20 has a voltage value symmetrical to the voltage of the ground level VM421 of the liquid crystal panel.

【0031】コイル402による昇圧回路は、抵抗41
1と電子ボリューム412と電子ボリュームのコントロ
ーラ414とコンパレータ413で安定化と出力電圧制
御が行われる。正側の高電圧電源HV419を電圧を抵
抗411と電子ボリューム412で分割した電圧が、コ
ンパレータ413の反転入力端子に入力している。また
コンパレータ413の正置入力には基準電圧Vrefが
入力している。分割電圧が基準電圧Vrefよりも高い
場合には、コンパレータ413は発振器OSC409の
制御端子にローレベルの信号を出力し、この信号に基づ
いて発振器OSC409もスイッチングトランジスター
410への出力信号をローレベルにする。この結果スイ
ッチング昇圧が停止する。反対に分割電圧が基準電圧V
refよりも低い場合には、コンパレータ413は発振
器OSC409にハイレベルの信号を出力し、この信号
に基づいて発振器OSC409はスイッチングトランジ
スター410へパルス列を出力し続ける。この結果スイ
ッチング昇圧が継続する。このフィードバック制御によ
って上側の高電圧電源HVは安定する。また液晶パネル
の走査電極駆動では上下の高電圧電源HV419,LV
420に対する消費電力がほとんど等しいので、下側の
高電圧電源LV420も安定したものとなる。電子ボリ
ューム412のコントローラ414は、ICチップ10
0の外部から与えられるパネルブライト情報や、温度補
正データ、抵抗411や基準電圧Vrefのばらつきな
どの調整項目にもとづいて電子ボリュームを制御し、正
負の高電圧HV419、LV420を変動させる。
The booster circuit using the coil 402
1, the electronic volume 412, the controller 414 of the electronic volume, and the comparator 413 perform stabilization and output voltage control. A voltage obtained by dividing the voltage of the high voltage power supply HV 419 on the positive side by the resistor 411 and the electronic volume 412 is input to the inverting input terminal of the comparator 413. The reference voltage Vref is input to the non-inverting input of the comparator 413. When the divided voltage is higher than the reference voltage Vref, the comparator 413 outputs a low level signal to the control terminal of the oscillator OSC 409, and based on this signal, the oscillator OSC 409 also changes the output signal to the switching transistor 410 to low level. . As a result, switching boosting stops. Conversely, the divided voltage is the reference voltage V
If it is lower than ref, the comparator 413 outputs a high-level signal to the oscillator OSC 409, and based on this signal, the oscillator OSC 409 continues to output a pulse train to the switching transistor 410. As a result, switching boosting continues. By this feedback control, the upper high-voltage power supply HV is stabilized. In driving the scanning electrodes of the liquid crystal panel, upper and lower high-voltage power supplies HV419 and LV
Since the power consumption of the low-voltage power supply 420 is almost the same, the lower high-voltage power supply LV420 is also stable. The controller 414 of the electronic volume 412 includes the IC chip 10
The electronic volume is controlled on the basis of adjustment items such as panel brightness information, temperature correction data, and variations in the resistance 411 and the reference voltage Vref, which are given from outside, and the positive and negative high voltages HV419 and LV420 are varied.

【0032】[0032]

【発明の効果】第1の実施の形態から明らかなように、
本発明の走査電極駆動ICは、直流の低電圧で動作する
回路と、高電圧の揺動電源で動作する回路からできてい
る。走査電極駆動ICのサイズは、レベルシフターや出
力ブロックなど高電圧で動作する素子の耐圧が大きく影
響する。耐圧はゲート幅等の寸法ルールにほぼ比例する
ので、耐圧を2倍にするとICチップ面積は4倍にな
る。本発明の走査電極駆動ICは、高耐圧部が揺動電源
で動作するので、走査電極駆動ICの小型化に有効であ
るという揺動電源の特性を保持している。またSOI構
造を使用しているため、低電圧領域を直流電圧で動作さ
せていおくことが可能なうえ、低電圧領域と揺動電源部
とのやりとりをレベルシフターを介する部分に限定して
いるため、低電圧論理回路側と出力ブロック側での電源
同志の容量結合が従来構造の走査電極駆動ICに対し大
幅に減少する。この結果、本発明の液晶パネルの走査電
極駆動ICは、「小型」という揺動電源で動作するIC
の特質を保持したまま、内部ノイズに強くなる、という
効果が現れる。
As is clear from the first embodiment,
The scan electrode driving IC according to the present invention is composed of a circuit that operates with a low DC voltage and a circuit that operates with a high-voltage swing power supply. The size of the scan electrode driving IC is greatly affected by the withstand voltage of elements operating at a high voltage, such as a level shifter and an output block. Since the breakdown voltage is almost proportional to the dimensional rule such as the gate width, if the breakdown voltage is doubled, the IC chip area is quadrupled. The scan electrode driving IC of the present invention maintains the characteristics of the oscillating power supply, which is effective for downsizing the scan electrode driving IC, because the high breakdown voltage section operates with the oscillating power supply. In addition, since the SOI structure is used, the low-voltage region can be operated with a DC voltage, and the exchange between the low-voltage region and the oscillating power supply is limited to a portion via a level shifter. In addition, the capacitive coupling between the power supplies on the low voltage logic circuit side and the output block side is greatly reduced as compared with the scan electrode driving IC having the conventional structure. As a result, the scanning electrode driving IC of the liquid crystal panel of the present invention is an IC that operates with a swing power supply of “small size”.
The effect of becoming strong against internal noise while maintaining the characteristic of is obtained.

【0033】第2の実施の形態から明らかなように、揺
動電源を走査電極駆動ICに内蔵すると、正負の高電圧
を与えるだけでICチップに実装する部品をなくせる。
また揺動電源を作成するためのレベルシフターは、片側
(上下の揺動電源のうちどちらか一方)のみの揺動電源
を作成するため、揺動電源で動作する出力ブロック等と
同等の電圧が印加されるだけになる。この結果、揺動電
源作成用のレベルシフターも出力ブロックと同じ耐圧に
できるため、揺動電源回路の内蔵に際し低い耐圧で済む
という揺動電源で動作するICの特性が保持できる。言
い換えると、本発明の走査電極駆動ICでは、デザイン
ルールが低電圧ロジック用と揺動電源・出力ブロック・
レベルシフター用の2通りで良いこととなる。以上の結
果、本発明の液晶パネルの走査電極駆動ICは、低耐圧
で済むという揺動電源で動作するICの特性を生かしな
がら部品点数を削減する、という効果が現れる。
As is clear from the second embodiment, if the swing power supply is built in the scan electrode driving IC, components mounted on the IC chip can be eliminated only by applying a high positive / negative voltage.
In addition, the level shifter for creating the oscillating power supply creates an oscillating power supply for only one side (either the upper or lower oscillating power supply), so that a voltage equivalent to that of an output block or the like operated by the oscillating power supply is generated. Will only be applied. As a result, the level shifter for generating the oscillating power supply can have the same withstand voltage as that of the output block, so that the characteristics of the IC operated by the oscillating power supply, which requires only a low withstand voltage when the oscillating power supply circuit is incorporated, can be maintained. In other words, in the scan electrode driving IC of the present invention, the design rules are for low-voltage logic and oscillating power supply / output block /
Two types for the level shifter are good. As a result, the scan electrode driving IC for a liquid crystal panel according to the present invention has the effect of reducing the number of components while making use of the characteristics of an IC that operates with an oscillating power supply that requires a low withstand voltage.

【0034】第3の実施例から明らかなように、IC外
に取り付けたのコイルと数個のコンデンサーと走査電極
駆動IC内の素子でスイッチングレギュレータ形成する
ことで容易に正負の高電圧を獲得できる。この結果、本
発明の液晶パネルの走査電極駆動ICは、走査電極駆動
に必要な部品を最小限に押さられる、という効果が現れ
る。
As is apparent from the third embodiment, a positive and negative high voltage can be easily obtained by forming a switching regulator using a coil mounted outside the IC, several capacitors, and elements in the scan electrode driving IC. . As a result, the scan electrode driving IC of the liquid crystal panel according to the present invention has an effect that components necessary for driving the scan electrode can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施の形態のブロック図(A)と
電源の波形図(B)。
FIG. 1 is a block diagram (A) and a waveform diagram of a power supply (B) according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施の形態のレベルシフターの回
路図。
FIG. 2 is a circuit diagram of a level shifter according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2実施の形態のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施の形態のブロック図。FIG. 4 is a block diagram of a third embodiment of the present invention.

【図5】従来例の液晶パネルの模式図(A)と波形図
(B)。
5A and 5B are a schematic diagram and a waveform diagram of a conventional liquid crystal panel.

【図6】従来例の揺動電源の波形図(A)と回路図
(B)。
6A and 6B are a waveform diagram (A) and a circuit diagram (B) of a conventional swing power supply.

【図7】従来例のブロック図(A)と電源の波形図
(B)。
FIG. 7A is a block diagram of a conventional example and FIG. 7B is a waveform diagram of a power supply.

【図8】従来例のレベルシフターと出力ブロックの回路
図。
FIG. 8 is a circuit diagram of a conventional level shifter and an output block.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 SOI基板で作成
したICチップ 101、417、VDL 上側の直流低電圧
電源 102、418、VSL 下側の直流低電圧
電源 103、307、VDD 上側の揺動電源 104、308、VSS 下側の揺動電源 105、421、VM 液晶パネル駆動の
グランド 106、FLM スタート用の信号 107、LP 選択する走査電極
をシフトさせる信号 108、DB 液晶パネルの駆動
極性を示す信号 109、117 レベルシフター 110 制御回路 112 選択信号発生回路 113 選択信号 114、118 レベルシフター 115 出力ブロック 301、302、303、304 レベルシフター 305、419、HV 正側の高電圧電源 306、420、LV 負側の高電圧電源 401 電池 402 コイル 403、404,405 コンデンサー 406 Vreg 定電圧発生回路 407、408、415、416 ダイオード 409、OSC 発振器 410 スイッチングトラ
ンジスター 411 抵抗 412 電子ボリューム 413 コンパレータ 414 電子ボリュームの
コントローラ
100 IC chips 101, 417 made on SOI substrate, DC low voltage power supplies 102, 418 on the upper side of VDL, DC low voltage power supplies 103, 307 on the lower side of VSL, swing power supplies 104, 308 on the upper side of VDD, VSS lower side of VSS Dynamic power supply 105, 421, VM liquid crystal panel driving ground 106, FLM start signal 107, LP signal to shift the scanning electrode to be selected 108, DB signal indicating driving polarity of liquid crystal panel 109, 117 level shifter 110 control circuit 112 Selection signal generation circuit 113 Selection signal 114, 118 Level shifter 115 Output block 301, 302, 303, 304 Level shifter 305, 419, HV positive high voltage power supply 306, 420, LV negative high voltage power supply 401 Battery 402 coil 403, 404, 405 Condensers 406 Vreg controller of the constant voltage generating circuit 407,408,415,416 diode 409, OSC an oscillator 410 switching transistor 411 resistor 412 electronic volume 413 comparator 414 electronic volume

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 622 G09G 3/20 622A Fターム(参考) 2H093 NA07 NB09 NB13 NC03 NC05 NC09 NC21 ND38 ND40 ND42 ND49 5C006 AF64 BC03 BF14 BF32 BF36 BF37 BF46 BF49 EB05 FA31 FA46 5C080 AA10 BB05 DD09 DD12 DD25 JJ02 JJ03 JJ04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/20 622 G09G 3/20 622A F term (Reference) 2H093 NA07 NB09 NB13 NC03 NC05 NC09 NC21 ND38 ND40 ND42 ND49 5C006 AF64 BC03 BF14 BF32 BF36 BF37 BF46 BF49 EB05 FA31 FA46 5C080 AA10 BB05 DD09 DD12 DD25 JJ02 JJ03 JJ04

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶駆動のグランドレベルを中心に液晶
パネルの信号電極には低電圧のデータ信号波形を印加
し、選択時の走査電極には高電圧の正極性ないし負極性
の選択パルスを印加する駆動方式で使用する液晶パネル
の走査電極駆動ICにおいて、絶縁体上に直流の低電圧
で動作する回路とレベルシフターと出力ブロックを有
し、該出力ブロックの電源が揺動電源であり、前記直流
で低電圧で動作する回路が出力する選択信号が前記レベ
ルシフターに入力し、前記レベルシフターが前記選択信
号を揺動電源系の論理値に変換した信号が前記出力ブロ
ックに入力することを特徴とする液晶パネルの走査電極
駆動IC。
1. A low-voltage data signal waveform is applied to a signal electrode of a liquid crystal panel centering on a ground level for driving a liquid crystal, and a high-voltage positive or negative selection pulse is applied to a scanning electrode at the time of selection. In a scan electrode driving IC of a liquid crystal panel used in a driving method, a circuit operating at a low DC voltage, a level shifter, and an output block are provided on an insulator, and a power supply of the output block is a swing power supply. A selection signal output from a circuit operating at a low voltage with direct current is input to the level shifter, and a signal obtained by the level shifter converting the selection signal into a logic value of a swing power supply system is input to the output block. Scanning electrode driving IC of a liquid crystal panel.
【請求項2】 前記揺動電源を作成する上側の揺動電源
回路と下側の揺動電源回路が前記絶縁体基板に形成さ
れ、該上側の揺動電源回路の上下の電源電圧がそれぞれ
前記選択パルスの最高値付近の高電圧と前記液晶パネル
駆動のグランドレベル付近の低電圧であり、前記下側の
揺動電源回路の上下の電源電圧がそれぞれ液晶パネル駆
動のグランドレベル付近の低電圧と前記選択パルスの最
低値付近の高電圧であることを特徴とする請求項1に記
載の液晶パネルの走査電極駆動IC。
2. An upper swing power supply circuit and a lower swing power supply circuit for forming the swing power supply are formed on the insulator substrate, and upper and lower power supply voltages of the upper swing power supply circuit are respectively The high voltage near the maximum value of the selection pulse and the low voltage near the ground level of the liquid crystal panel drive.The upper and lower power supply voltages of the lower swing power supply circuit are the low voltage near the ground level of the liquid crystal panel drive, respectively. 2. The scanning electrode driving IC for a liquid crystal panel according to claim 1, wherein the high voltage is near a minimum value of the selection pulse.
【請求項3】 前記絶縁体基板に発振器とスイッチング
トランジスターとダイオードと電圧検出手段を有し、コ
イルとコンデンサーを接続して昇圧回路を形成したこと
を特徴とする請求項2に記載の液晶パネルの走査電極駆
動IC。
3. The liquid crystal panel according to claim 2, wherein said insulator substrate has an oscillator, a switching transistor, a diode, and voltage detecting means, and a coil and a capacitor are connected to form a booster circuit. Scan electrode drive IC.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024000787A1 (en) * 2022-06-28 2024-01-04 昆山国显光电有限公司 Scan driving circuit and display panel

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