JP2001077136A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ底面にランド電極が配置されたＬ
ＧＡ構造の半導体装置では、そのリードフレーム構造に
よりランド電極面を封止樹脂が覆ってしまうという課題
があった。 【解決手段】 樹脂封止の注入圧によるランドリード部
４の浮き上がりを防止するために、粘着剤２４を有した
金属シート２５を用いてリードフレーム底面を覆い、そ
の状態で樹脂封止することにより、ランドリード部４の
ランド電極１６の面が金属シート２５の粘着剤２４に密
着しているので、ランド電極１６の面に封止樹脂が回り
込むことがなく、ランドリード部４のランド電極１６の
面への樹脂バリの発生を抑えることができるものであ
る。
ＧＡ構造の半導体装置では、そのリードフレーム構造に
よりランド電極面を封止樹脂が覆ってしまうという課題
があった。 【解決手段】 樹脂封止の注入圧によるランドリード部
４の浮き上がりを防止するために、粘着剤２４を有した
金属シート２５を用いてリードフレーム底面を覆い、そ
の状態で樹脂封止することにより、ランドリード部４の
ランド電極１６の面が金属シート２５の粘着剤２４に密
着しているので、ランド電極１６の面に封止樹脂が回り
込むことがなく、ランドリード部４のランド電極１６の
面への樹脂バリの発生を抑えることができるものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームよ
りなる樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するもの
で、特にランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）型の樹脂
封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームよ
りなる樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するもの
で、特にランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）型の樹脂
封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図２３は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２３に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０
１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部
１０２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード部
１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半
導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続する
ビーム状のインナーリード部１０４と、そのインナーリ
ード部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続の
ためのアウターリード部１０５と、アウターリード部１
０５どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとな
るタイバー部１０６とより構成されていた。
示す平面図である。図２３に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０
１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部
１０２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード部
１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半
導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続する
ビーム状のインナーリード部１０４と、そのインナーリ
ード部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続の
ためのアウターリード部１０５と、アウターリード部１
０５どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとな
るタイバー部１０６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図２３に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２４は、図２３に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
説明する。図２４は、図２３に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図２４に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、そ
の半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属
細線１０８により電気的に接続されている。そしてダイ
パッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード
部１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されてい
る。封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０
５が突出して設けられ、先端部はベンディングされてい
る。
イパッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、そ
の半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属
細線１０８により電気的に接続されている。そしてダイ
パッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード
部１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されてい
る。封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０
５が突出して設けられ、先端部はベンディングされてい
る。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２５に示すように、リードフレームのダイパッド
部１０２上に半導体素子１０７を接着剤により接合した
後（ダイボンド工程）、半導体素子１０７とインナーリ
ード部１０４の先端部とを金属細線１０８により接続す
る（ワイヤーボンド工程）。その後、半導体素子１０７
の外囲を封止するが、封止領域はリードフレームのタイ
バー部１０６で包囲された領域内を封止樹脂１０９によ
り封止し、アウターリード部１０５を外部に突出させて
封止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部１０６で
封止樹脂１０９の境界部をカッティングし、各アウター
リード部１０５を分離し、フレーム枠１０１を除去する
とともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディ
ングすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、
図２４に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造する
ことができる。ここで図２５において、破線で示した領
域が封止樹脂１０９で封止する領域である。
は、図２５に示すように、リードフレームのダイパッド
部１０２上に半導体素子１０７を接着剤により接合した
後（ダイボンド工程）、半導体素子１０７とインナーリ
ード部１０４の先端部とを金属細線１０８により接続す
る（ワイヤーボンド工程）。その後、半導体素子１０７
の外囲を封止するが、封止領域はリードフレームのタイ
バー部１０６で包囲された領域内を封止樹脂１０９によ
り封止し、アウターリード部１０５を外部に突出させて
封止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部１０６で
封止樹脂１０９の境界部をカッティングし、各アウター
リード部１０５を分離し、フレーム枠１０１を除去する
とともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディ
ングすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、
図２４に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造する
ことができる。ここで図２５において、破線で示した領
域が封止樹脂１０９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。
【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが突出
して設けられており、その外部リードと基板電極とを接
合して実装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡ
タイプの半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低い
ものとなってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイ
プの半導体装置は、配線基板を用いているため、コスト
的に高価となるという課題がある。
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが突出
して設けられており、その外部リードと基板電極とを接
合して実装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡ
タイプの半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低い
ものとなってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイ
プの半導体装置は、配線基板を用いているため、コスト
的に高価となるという課題がある。
【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるリードフレームタイプの
樹脂封止型半導体装置を提供するものであり、底面側で
基板実装できる半導体装置をフレーム体を用いて構成す
ることを目的とするものである。そしてパッケージ底面
で外部端子を列構成で配置し、また各外部電極の表面が
確実に露出し、樹脂バリの発生を防止できるリードフレ
ームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供するものである。
半導体装置の動向に対応できるリードフレームタイプの
樹脂封止型半導体装置を提供するものであり、底面側で
基板実装できる半導体装置をフレーム体を用いて構成す
ることを目的とするものである。そしてパッケージ底面
で外部端子を列構成で配置し、また各外部電極の表面が
確実に露出し、樹脂バリの発生を防止できるリードフレ
ームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となる第１の
リード部と、前記第１のリード部の先端部領域に延在し
てその先端部が配置され、他端部が前記フレーム枠と接
続し、底面がランド電極となる第２のリード部とよりな
り、前記第１のリード部の底面のランド電極と前記第２
のリード部の底面のランド電極とで２列のランド電極を
構成するリードフレームを用意する工程と、前記用意し
たリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を
搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半
導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレーム
の第１のリード部、第２のリード部の各上面とを金属細
線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側
の少なくともダイパッド部、第１のリード部、第２のリ
ード部の各底面に金属シートを密着させる工程と、少な
くとも前記第１のリード部、第２のリード部の端部に押
圧力を付加し、前記第１のリード部のランド電極面と第
２のリード部のランド電極面とを前記封止シートに押圧
した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半
導体素子、ダイパッド部、金属細線の領域を封止樹脂に
より樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記金属シート
を前記リードフレームより除去する工程とよりなる樹脂
封止型半導体装置の製造方法である。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となる第１の
リード部と、前記第１のリード部の先端部領域に延在し
てその先端部が配置され、他端部が前記フレーム枠と接
続し、底面がランド電極となる第２のリード部とよりな
り、前記第１のリード部の底面のランド電極と前記第２
のリード部の底面のランド電極とで２列のランド電極を
構成するリードフレームを用意する工程と、前記用意し
たリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を
搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半
導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレーム
の第１のリード部、第２のリード部の各上面とを金属細
線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側
の少なくともダイパッド部、第１のリード部、第２のリ
ード部の各底面に金属シートを密着させる工程と、少な
くとも前記第１のリード部、第２のリード部の端部に押
圧力を付加し、前記第１のリード部のランド電極面と第
２のリード部のランド電極面とを前記封止シートに押圧
した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半
導体素子、ダイパッド部、金属細線の領域を封止樹脂に
より樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記金属シート
を前記リードフレームより除去する工程とよりなる樹脂
封止型半導体装置の製造方法である。
【００１４】具体的には、金属シートとしてはリードフ
レームと同素材よりなる金属シートを用いる樹脂封止型
半導体装置の製造方法である。
レームと同素材よりなる金属シートを用いる樹脂封止型
半導体装置の製造方法である。
【００１５】また、金属シートとしてはリードフレーム
と接する面に粘着剤層を有している金属シートを用いる
樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
と接する面に粘着剤層を有している金属シートを用いる
樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１６】前記構成の通り、樹脂封止型半導体装置の
底面、すなわちパッケージ底面領域内には、ランドリー
ド部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外側
にはリード部の底面が配置されて２列配置の外部端子を
構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレ
イ）型パッケージを構成することができる。
底面、すなわちパッケージ底面領域内には、ランドリー
ド部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外側
にはリード部の底面が配置されて２列配置の外部端子を
構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレ
イ）型パッケージを構成することができる。
【００１７】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、樹脂封止工程前に金属テープをリードフレー
ムに密着させ、その状態で樹脂封止するので、シート自
体の熱収縮によるリード／封止樹脂部との境界での溝の
発生はなく、また粘着剤でリードフレームの第１のリー
ド部、第２のリード部、ダイパッド部に金属シートを密
着させているので、樹脂封止工程でのシートの剥がれ、
第２のリード部の浮き上がりを防止し、ランド電極の面
に封止樹脂が回り込むことがなく、第２のリード部のラ
ンド電極の面への樹脂バリの発生を抑えることができる
ものである。
造方法は、樹脂封止工程前に金属テープをリードフレー
ムに密着させ、その状態で樹脂封止するので、シート自
体の熱収縮によるリード／封止樹脂部との境界での溝の
発生はなく、また粘着剤でリードフレームの第１のリー
ド部、第２のリード部、ダイパッド部に金属シートを密
着させているので、樹脂封止工程でのシートの剥がれ、
第２のリード部の浮き上がりを防止し、ランド電極の面
に封止樹脂が回り込むことがなく、第２のリード部のラ
ンド電極の面への樹脂バリの発生を抑えることができる
ものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の主とした実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の主とした実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
【００１９】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
説明する。
【００２０】図１は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームのリ
ード部分を示す拡大図であり、図１における円内部分の
拡大図として、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ１、Ｂ−Ｂ１箇所の各断面図であ
る。なお、図１において、二点鎖線で示した領域は、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載
し、樹脂封止する際の封止領域を示している。
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームのリ
ード部分を示す拡大図であり、図１における円内部分の
拡大図として、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ１、Ｂ−Ｂ１箇所の各断面図であ
る。なお、図１において、二点鎖線で示した領域は、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載
し、樹脂封止する際の封止領域を示している。
【００２１】図１，図２に示すように本実施形態のリー
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属板よりなり、半導体
素子を搭載するダイパッド部１と、その末端でフレーム
枠２と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅を支持す
る吊りリード部３と、その先端部がダイパッド部１に対
向し、末端部がフレーム枠２と接続して配置された直線
状のランドリード部４（第２のリード部）と直線状のリ
ード部５（第１のリード部）とよりなるリードフレーム
であり、ランドリード部４とリード部５はそれぞれその
底面で外部端子（ランド部）を構成するものであり、リ
ード部５はその底面に加えて外方側面でも外部端子とし
て実装基板と接続できるものである。
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属板よりなり、半導体
素子を搭載するダイパッド部１と、その末端でフレーム
枠２と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅を支持す
る吊りリード部３と、その先端部がダイパッド部１に対
向し、末端部がフレーム枠２と接続して配置された直線
状のランドリード部４（第２のリード部）と直線状のリ
ード部５（第１のリード部）とよりなるリードフレーム
であり、ランドリード部４とリード部５はそれぞれその
底面で外部端子（ランド部）を構成するものであり、リ
ード部５はその底面に加えて外方側面でも外部端子とし
て実装基板と接続できるものである。
【００２２】そして詳細には、ダイパッド部１にはその
表面の略中央部分に円形の突出部６が設けられ、その突
出部６は、ダイパッド部１を構成している平板に対して
プレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突
出させたものである。この突出部６が実質的に半導体素
子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダ
イパッド部１の突出部６を除く表面と半導体素子裏面と
の間には間隙が形成されるよう構成されている。またダ
イパッド部１の表面の突出部６を包囲する領域には溝部
７が設けられ、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に
封止樹脂がその溝部７に入り込むように設けられてい
る。本実施形態では溝部７は円形の環状の溝部７を設け
たものである。この溝部７により、ダイパッド部１の突
出部６上に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止
した際に封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張
による応力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に
樹脂剥離が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップ
することができ、信頼性低下を防止することができるも
のである。もちろん、溝部７の構成としては、環状の構
成以外、部分的に溝部を連結した構成でもよく、その数
も２本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダイ
パッド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさによ
り設定することができる。
表面の略中央部分に円形の突出部６が設けられ、その突
出部６は、ダイパッド部１を構成している平板に対して
プレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突
出させたものである。この突出部６が実質的に半導体素
子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダ
イパッド部１の突出部６を除く表面と半導体素子裏面と
の間には間隙が形成されるよう構成されている。またダ
イパッド部１の表面の突出部６を包囲する領域には溝部
７が設けられ、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に
封止樹脂がその溝部７に入り込むように設けられてい
る。本実施形態では溝部７は円形の環状の溝部７を設け
たものである。この溝部７により、ダイパッド部１の突
出部６上に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止
した際に封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張
による応力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に
樹脂剥離が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップ
することができ、信頼性低下を防止することができるも
のである。もちろん、溝部７の構成としては、環状の構
成以外、部分的に溝部を連結した構成でもよく、その数
も２本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダイ
パッド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさによ
り設定することができる。
【００２３】また、本実施形態のリードフレームのラン
ドリード部４とリード部５は、フレーム枠２と接続した
状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド
部１に対向する配置においては、ランドリード部４の先
端部がリード部５の先端部よりもダイパッド部１側に延
在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置
されているものである。この配置は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部
端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、ラン
ドリード部４の先端部底面とリード部５の底面とがパッ
ケージ底面に配置されるものである。そして特に図２に
示すように、ランドリード部４は直線形状のリードであ
り、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が曲
率を有したランド部８が形成されており、ランド部８を
形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄く
加工され、ランド部８はリード本来の厚みを有するもの
である。
ドリード部４とリード部５は、フレーム枠２と接続した
状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド
部１に対向する配置においては、ランドリード部４の先
端部がリード部５の先端部よりもダイパッド部１側に延
在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置
されているものである。この配置は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部
端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、ラン
ドリード部４の先端部底面とリード部５の底面とがパッ
ケージ底面に配置されるものである。そして特に図２に
示すように、ランドリード部４は直線形状のリードであ
り、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が曲
率を有したランド部８が形成されており、ランド部８を
形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄く
加工され、ランド部８はリード本来の厚みを有するもの
である。
【００２４】すなわちランドリード部４においてランド
部８は下方に突出した形状を有し、ランドリード部４自
体は上面が下面よりも広い面積を有している。なお図１
では、ランドリード部４の先端底面の破線で示した部分
がランド部８を示し、図２では格子状ハッチング領域が
ハーフエッチされている部分を示している。またリード
部５は同様に図２に示すように、その先端部の外周部分
がハーフエッチ加工により薄厚に加工され、先端部が幅
広部９を有し、その幅広部９の根本付近には溝部１０が
設けられている。また先端部の底面には先端部が曲率を
有した形状でランド部が形成されている。図１，図２に
おいてハッチングを付した部分が溝部１０である。本実
施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際、リード部５自体は底面と側面が露出さ
れる片面封止構成となるため、従来のようなフルモール
ドパッケージのリード部とは異なり、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力がリード部に印加される場合があ
る。しかし、この溝部１０により、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力によりリード部５自体に応力が印
加されても、溝部１０で応力を吸収できるものであり、
金属細線の接続部分の破壊を防止し、実装後の製品の信
頼性を維持できるものである。なお、ここでランドリー
ド部４のランド部８の表面領域、リード部５の幅広部９
は金属細線が接続されるボンディングパッドを構成する
ものである。
部８は下方に突出した形状を有し、ランドリード部４自
体は上面が下面よりも広い面積を有している。なお図１
では、ランドリード部４の先端底面の破線で示した部分
がランド部８を示し、図２では格子状ハッチング領域が
ハーフエッチされている部分を示している。またリード
部５は同様に図２に示すように、その先端部の外周部分
がハーフエッチ加工により薄厚に加工され、先端部が幅
広部９を有し、その幅広部９の根本付近には溝部１０が
設けられている。また先端部の底面には先端部が曲率を
有した形状でランド部が形成されている。図１，図２に
おいてハッチングを付した部分が溝部１０である。本実
施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際、リード部５自体は底面と側面が露出さ
れる片面封止構成となるため、従来のようなフルモール
ドパッケージのリード部とは異なり、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力がリード部に印加される場合があ
る。しかし、この溝部１０により、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力によりリード部５自体に応力が印
加されても、溝部１０で応力を吸収できるものであり、
金属細線の接続部分の破壊を防止し、実装後の製品の信
頼性を維持できるものである。なお、ここでランドリー
ド部４のランド部８の表面領域、リード部５の幅広部９
は金属細線が接続されるボンディングパッドを構成する
ものである。
【００２５】本実施形態のリードフレームは、ランドリ
ード部４、リード部５は互いに直線状のリードであっ
て、それら底面のランド部８を構成する部分は、先端部
が曲率を有した形状であり、また互いに直線状であるた
め、パッケージ配置において、ランド部８どうしは千鳥
状を構成するものである。
ード部４、リード部５は互いに直線状のリードであっ
て、それら底面のランド部８を構成する部分は、先端部
が曲率を有した形状であり、また互いに直線状であるた
め、パッケージ配置において、ランド部８どうしは千鳥
状を構成するものである。
【００２６】また、本実施形態のリードフレームのダイ
パッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底面に
は、矩形状の環状の溝部１１を設けている。この溝部１
１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接合材料
を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がりを防止
し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子からの
放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収できる
ものである。また本実施形態では溝部１１を１つとして
いるが、ダイパッド部１の底面の外周部近傍にも環状の
溝部を形成してもさらなる実装精度向上を達成できる。
さらに吊りリード部３にダミーランド部を設けたり、吊
りリード部３に屈曲部を設けてもよい。
パッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底面に
は、矩形状の環状の溝部１１を設けている。この溝部１
１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接合材料
を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がりを防止
し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子からの
放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収できる
ものである。また本実施形態では溝部１１を１つとして
いるが、ダイパッド部１の底面の外周部近傍にも環状の
溝部を形成してもさらなる実装精度向上を達成できる。
さらに吊りリード部３にダミーランド部を設けたり、吊
りリード部３に屈曲部を設けてもよい。
【００２７】なお、ランドリード部４、リード部５の数
は、搭載する半導体素子のピン数などにより、その数を
適宜設定できるものである。また本実施形態のリードフ
レームはその表面がメッキ処理されたものであり、必要
に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッ
キされているものである。また本実施形態のリードフレ
ームは図１に示したようなパターンが１つよりなるもの
ではなく、左右・上下に連続して形成できるものであ
る。
は、搭載する半導体素子のピン数などにより、その数を
適宜設定できるものである。また本実施形態のリードフ
レームはその表面がメッキ処理されたものであり、必要
に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッ
キされているものである。また本実施形態のリードフレ
ームは図１に示したようなパターンが１つよりなるもの
ではなく、左右・上下に連続して形成できるものであ
る。
【００２８】本実施形態のリードフレームにより、半導
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケージ
底面には、ランドリード部４の先端部が曲率を有したラ
ンド部８の底面が配置され、そのランド部８の外側には
リード部５の先端部が曲率を有した底面部分が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。そして本実施形態のリードフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成することによ
り、ダイパッド部１の表面には溝部７が設けられてお
り、樹脂封止後の樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝
部７でトラップできるため、樹脂封止型半導体装置とし
て信頼性を維持できるものである。その他、放熱特性の
向上、基板実装時のハンダ接合の精度向上、大きい面積
の半導体素子を搭載できるなどの利点もある。
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケージ
底面には、ランドリード部４の先端部が曲率を有したラ
ンド部８の底面が配置され、そのランド部８の外側には
リード部５の先端部が曲率を有した底面部分が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。そして本実施形態のリードフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成することによ
り、ダイパッド部１の表面には溝部７が設けられてお
り、樹脂封止後の樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝
部７でトラップできるため、樹脂封止型半導体装置とし
て信頼性を維持できるものである。その他、放熱特性の
向上、基板実装時のハンダ接合の精度向上、大きい面積
の半導体素子を搭載できるなどの利点もある。
【００２９】次に本発明の樹脂封止型半導体装置につい
て図面を参照しながら説明する。図３は本実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図４は本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す底面図であ
り、図５，図６は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。図５の断面図は、図３における
Ｃ−Ｃ１箇所、図４におけるＥ−Ｅ１箇所の断面を示
し、図６の断面図は、図３におけるＤ−Ｄ１箇所、図４
におけるＦ−Ｆ１箇所の断面を示す。また本実施形態で
は図１，図２に示したリードフレームを例として用いた
樹脂封止型半導体装置である。
て図面を参照しながら説明する。図３は本実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図４は本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す底面図であ
り、図５，図６は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。図５の断面図は、図３における
Ｃ−Ｃ１箇所、図４におけるＥ−Ｅ１箇所の断面を示
し、図６の断面図は、図３におけるＤ−Ｄ１箇所、図４
におけるＦ−Ｆ１箇所の断面を示す。また本実施形態で
は図１，図２に示したリードフレームを例として用いた
樹脂封止型半導体装置である。
【００３０】図３，図４，図５および図６に示すよう
に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、表面に突出
部６と、その突出部６を包囲する円形または矩形または
それらの組み合わせの環状の溝部７と、底面に環状の溝
部１１を有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１
の突出部６上に銀ペースト等の導電性接着剤（図示せ
ず）を介して搭載された半導体素子１２と、表面に溝部
１０を有し、底面が露出したリード部５と、リード部５
の先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置さ
れ、その先端部の底面が露出してランド電極を構成する
ランドリード部４と、半導体素子１２の主面の電極パッ
ド（図示せず）とランドリード部４、リード部５のボン
ディングパッド部１３とを電気的に接続した金属細線１
４と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載された半
導体素子１２、ランドリード部４の底面を除く領域、リ
ード部５の外部側面と底面とを除く領域、および金属細
線１４を封止した封止樹脂１５とよりなるものである。
そして封止樹脂１５よりなるパッケージ部より露出した
ランドリード部４の先端部底面と、リード部５の外部側
面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実装の
際、外部電極を構成するランド電極１６を構成してお
り、リード部５の底面とその先端部領域のランドリード
部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構成
を有しているものである。そしてランド電極１６は封止
樹脂１５より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差
を有して突出して露出しているものであり、基板実装時
のスタンドオフを有しているものである。同様にダイパ
ッド部１の底面も突出して露出しているものであり、基
板実装時はハンダ接合により放熱効率を向上させること
ができる。さらに、ダイパッド部１の底面には、凹部１
７が形成されており、これは突出部６をダイパッド部１
の上面にプレス加工による半切断状態で形成しているた
め、その突出量分の凹部が対応して底面に形成されてい
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の金属
板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚み
に対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自
体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出した突出部６
を形成している。
に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、表面に突出
部６と、その突出部６を包囲する円形または矩形または
それらの組み合わせの環状の溝部７と、底面に環状の溝
部１１を有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１
の突出部６上に銀ペースト等の導電性接着剤（図示せ
ず）を介して搭載された半導体素子１２と、表面に溝部
１０を有し、底面が露出したリード部５と、リード部５
の先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置さ
れ、その先端部の底面が露出してランド電極を構成する
ランドリード部４と、半導体素子１２の主面の電極パッ
ド（図示せず）とランドリード部４、リード部５のボン
ディングパッド部１３とを電気的に接続した金属細線１
４と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載された半
導体素子１２、ランドリード部４の底面を除く領域、リ
ード部５の外部側面と底面とを除く領域、および金属細
線１４を封止した封止樹脂１５とよりなるものである。
そして封止樹脂１５よりなるパッケージ部より露出した
ランドリード部４の先端部底面と、リード部５の外部側
面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実装の
際、外部電極を構成するランド電極１６を構成してお
り、リード部５の底面とその先端部領域のランドリード
部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構成
を有しているものである。そしてランド電極１６は封止
樹脂１５より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差
を有して突出して露出しているものであり、基板実装時
のスタンドオフを有しているものである。同様にダイパ
ッド部１の底面も突出して露出しているものであり、基
板実装時はハンダ接合により放熱効率を向上させること
ができる。さらに、ダイパッド部１の底面には、凹部１
７が形成されており、これは突出部６をダイパッド部１
の上面にプレス加工による半切断状態で形成しているた
め、その突出量分の凹部が対応して底面に形成されてい
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の金属
板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚み
に対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自
体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出した突出部６
を形成している。
【００３１】また、ランドリード部４、リード部５にお
けるボンディングパッド部１３の面積は、１００［μ
ｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであればよ
く、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の８０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
けるボンディングパッド部１３の面積は、１００［μ
ｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであればよ
く、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の８０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
【００３２】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂１５に封止されたランドリード部４の先端
部、リード部５の先端部の上面の面積が、封止樹脂１５
から露出、突出した側のランド電極１６側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂１５との食いつきを良
好にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際
の接続の信頼性を得ることができるものである。
は、封止樹脂１５に封止されたランドリード部４の先端
部、リード部５の先端部の上面の面積が、封止樹脂１５
から露出、突出した側のランド電極１６側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂１５との食いつきを良
好にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際
の接続の信頼性を得ることができるものである。
【００３３】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、パッケージ底面には、ランドリード部４の
ランド電極１６の底面が配置され、そのランド電極１６
の外側にはリード部５の底面であるランド電極１６が配
置されて千鳥状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。またダイパッド部１の表面
には溝部７が設けられており、半導体素子１２の裏面と
ダイパッド部１表面との間で封止樹脂１５の樹脂剥離が
起こっても、その剥離を溝部７でトラップできるため、
樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持できるもので
ある。その他、放熱特性の向上、基板実装時のハンダ接
合の精度向上、大きい面積の半導体素子を搭載できるな
どの利点もある。
導体装置は、パッケージ底面には、ランドリード部４の
ランド電極１６の底面が配置され、そのランド電極１６
の外側にはリード部５の底面であるランド電極１６が配
置されて千鳥状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。またダイパッド部１の表面
には溝部７が設けられており、半導体素子１２の裏面と
ダイパッド部１表面との間で封止樹脂１５の樹脂剥離が
起こっても、その剥離を溝部７でトラップできるため、
樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持できるもので
ある。その他、放熱特性の向上、基板実装時のハンダ接
合の精度向上、大きい面積の半導体素子を搭載できるな
どの利点もある。
【００３４】さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のように配線基板、回路基板を用いず、リード
フレームを用いたＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置にお
いて、基板実装の実装強度を向上させた樹脂封止型半導
体装置である。図７は図６に示した本実施形態の樹脂封
止型半導体装置の実装状態の一例を示す断面図である。
は、従来のように配線基板、回路基板を用いず、リード
フレームを用いたＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置にお
いて、基板実装の実装強度を向上させた樹脂封止型半導
体装置である。図７は図６に示した本実施形態の樹脂封
止型半導体装置の実装状態の一例を示す断面図である。
【００３５】図７に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、パッケージ底面のランド電極１６とプ
リント基板等の実装基板１８とをハンダ等の接合剤１９
により接続し、実装している。ここでランドリード部の
底面のランド電極はその底面部分のみが接合剤と接触し
て実装されているが、リード部５のランド電極１６はそ
の底面部分が接合剤１９と接触して実装されることに加
えて、リード部５の外部側面が露出していることによ
り、接合剤１９がそのリード部５の側面とも接触して実
装されている。
型半導体装置は、パッケージ底面のランド電極１６とプ
リント基板等の実装基板１８とをハンダ等の接合剤１９
により接続し、実装している。ここでランドリード部の
底面のランド電極はその底面部分のみが接合剤と接触し
て実装されているが、リード部５のランド電極１６はそ
の底面部分が接合剤１９と接触して実装されることに加
えて、リード部５の外部側面が露出していることによ
り、接合剤１９がそのリード部５の側面とも接触して実
装されている。
【００３６】すなわち、通常はランド電極として、その
底面部分のみが接合剤を介して実装基板に接合されるも
のであるが、本実施形態では、列構成のランド電極にお
いて外側のランド電極は、リード部５よりなるものであ
り、その外側部分はパッケージ部分（封止樹脂１５）よ
り露出しているので、その外部側面に対して、接合剤を
設けることにより、底面＋側面の２点接合構造となり、
実装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性
を向上させることができる。これは通常のリードフレー
ムＬＧＡ型半導体装置では達成できなかった実装構造で
あり、本実施形態では、ランド電極の構成をランド電
極、リード型ランド電極の２種類で２列構成としている
ため、パッケージの外側にも接続部分を設けることがで
き、底面＋側面の２点接合構造により、接続の信頼性を
向上させることができる革新的な構造を有している。
底面部分のみが接合剤を介して実装基板に接合されるも
のであるが、本実施形態では、列構成のランド電極にお
いて外側のランド電極は、リード部５よりなるものであ
り、その外側部分はパッケージ部分（封止樹脂１５）よ
り露出しているので、その外部側面に対して、接合剤を
設けることにより、底面＋側面の２点接合構造となり、
実装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性
を向上させることができる。これは通常のリードフレー
ムＬＧＡ型半導体装置では達成できなかった実装構造で
あり、本実施形態では、ランド電極の構成をランド電
極、リード型ランド電極の２種類で２列構成としている
ため、パッケージの外側にも接続部分を設けることがで
き、底面＋側面の２点接合構造により、接続の信頼性を
向上させることができる革新的な構造を有している。
【００３７】以上、本実施形態で示したようなリードフ
レームを用いることにより、半導体素子を搭載し、樹脂
封止することにより、樹脂封止型半導体装置の底面部分
に半導体素子と電気的に接続したランド電極を直線状ま
たは千鳥状の２列で配列することができる。その結果、
面実装タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリー
ド接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上さ
せることができる。
レームを用いることにより、半導体素子を搭載し、樹脂
封止することにより、樹脂封止型半導体装置の底面部分
に半導体素子と電気的に接続したランド電極を直線状ま
たは千鳥状の２列で配列することができる。その結果、
面実装タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリー
ド接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上さ
せることができる。
【００３８】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド
電極を設けた回路基板等の基板を用いるものでなく、リ
ードフレームという金属板からなるフレーム本体からＬ
ＧＡ型の半導体装置を構成するものであり、量産性、コ
スト性などの面においては、従来のＢＧＡタイプの半導
体装置よりも有利となる。
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド
電極を設けた回路基板等の基板を用いるものでなく、リ
ードフレームという金属板からなるフレーム本体からＬ
ＧＡ型の半導体装置を構成するものであり、量産性、コ
スト性などの面においては、従来のＢＧＡタイプの半導
体装置よりも有利となる。
【００３９】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置で
は、列構成のランド電極において外側のランド電極は、
リード部よりなるものであり、その外側部分の側端はパ
ッケージ部分より露出しているので、その外部側面に対
して、接合剤を設けることによりフィレットが形成さ
れ、底面＋側面の２点接合構造となり、実装基板との接
続の実装強度を向上させ、接続の信頼性を向上させるこ
とができる。これは通常のリードフレームＬＧＡ型半導
体装置では達成できなかった実装構造であり、本実施形
態では、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、実装強度を向上させることができ
る構造である。
は、列構成のランド電極において外側のランド電極は、
リード部よりなるものであり、その外側部分の側端はパ
ッケージ部分より露出しているので、その外部側面に対
して、接合剤を設けることによりフィレットが形成さ
れ、底面＋側面の２点接合構造となり、実装基板との接
続の実装強度を向上させ、接続の信頼性を向上させるこ
とができる。これは通常のリードフレームＬＧＡ型半導
体装置では達成できなかった実装構造であり、本実施形
態では、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、実装強度を向上させることができ
る構造である。
【００４０】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図８〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形
態では、図１に示したようなリードフレームを用いてＬ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説明す
る。また本実施形態では便宜的にランドリード部４の断
面方向の図を用いて説明するので、図中、リード部５は
示されていない。
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図８〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形
態では、図１に示したようなリードフレームを用いてＬ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説明す
る。また本実施形態では便宜的にランドリード部４の断
面方向の図を用いて説明するので、図中、リード部５は
示されていない。
【００４１】まず図８に示すように、金属板よりなるフ
レーム本体と、そのフレーム本体の開口した領域内に配
設されて、表面に突出部６と、その突出部６を包囲する
円形または矩形の環状の溝部７と、底面に環状の溝部１
１と凹部１７を有した半導体素子搭載用のダイパッド部
１と、先端部でそのダイパッド部１を支持し、他端部で
フレーム枠（図示せず）と接続した吊りリード部（図示
せず）と、図示されないが、底面がランド電極となり、
その先端部表面に金属細線が接続される幅広のボンディ
ングパッド部を有し、そのボンディングパッド部の近傍
に溝部が設けられ、規則性を有して配列され、他端部が
フレーム枠と接続したリード部と、底面がランド電極１
６となり、その先端部表面に金属細線が接続される幅広
のボンディングパッド部１３を有し、上面が下面よりも
面積的に大きく、前記したリード部の先端部に千鳥状に
その先端部が配置されてそのリード部とともに２列構成
を形成し、他端部がフレーム枠と接続したランドリード
部４とを有するリードフレームを用意する。
レーム本体と、そのフレーム本体の開口した領域内に配
設されて、表面に突出部６と、その突出部６を包囲する
円形または矩形の環状の溝部７と、底面に環状の溝部１
１と凹部１７を有した半導体素子搭載用のダイパッド部
１と、先端部でそのダイパッド部１を支持し、他端部で
フレーム枠（図示せず）と接続した吊りリード部（図示
せず）と、図示されないが、底面がランド電極となり、
その先端部表面に金属細線が接続される幅広のボンディ
ングパッド部を有し、そのボンディングパッド部の近傍
に溝部が設けられ、規則性を有して配列され、他端部が
フレーム枠と接続したリード部と、底面がランド電極１
６となり、その先端部表面に金属細線が接続される幅広
のボンディングパッド部１３を有し、上面が下面よりも
面積的に大きく、前記したリード部の先端部に千鳥状に
その先端部が配置されてそのリード部とともに２列構成
を形成し、他端部がフレーム枠と接続したランドリード
部４とを有するリードフレームを用意する。
【００４２】次に図９に示すように、用意したリードフ
レームのダイパッド部１の突出部６上に銀ペースト等の
導電性接着剤を介して半導体素子１２をその主面を上に
して接合する。
レームのダイパッド部１の突出部６上に銀ペースト等の
導電性接着剤を介して半導体素子１２をその主面を上に
して接合する。
【００４３】次に図１０に示すように、ダイパッド部１
上に接合により搭載した半導体素子１２の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部（図示せず）の各上面のボンディングパッド部１３と
を金属細線１４により電気的に接続する。ここで金属細
線１４が接続される各ボンディングパッド部の面積は、
一例として１００［μｍ］以上である。
上に接合により搭載した半導体素子１２の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部（図示せず）の各上面のボンディングパッド部１３と
を金属細線１４により電気的に接続する。ここで金属細
線１４が接続される各ボンディングパッド部の面積は、
一例として１００［μｍ］以上である。
【００４４】次に図１１に示すように、リードフレーム
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４のランド電極１６、リード部（図示せず）の各底
面に密着するようにリードフレームの裏面側に封止テー
プまたは封止シート２０を密着させる。ここで使用する
封止シート２０は、リードフレームに対して接着力がな
く、樹脂後は容易にピールオフ等により除去できる樹脂
シートであり、樹脂封止工程でのリードフレームの裏面
側への封止樹脂の回り込みを確実に防止でき、その結
果、ダイパッド部１、ランドリード部４、リード部（図
示せず）の裏面への樹脂バリの付着を防止できる。その
ため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のためのウォータージ
ェット工程を省略することができる。
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４のランド電極１６、リード部（図示せず）の各底
面に密着するようにリードフレームの裏面側に封止テー
プまたは封止シート２０を密着させる。ここで使用する
封止シート２０は、リードフレームに対して接着力がな
く、樹脂後は容易にピールオフ等により除去できる樹脂
シートであり、樹脂封止工程でのリードフレームの裏面
側への封止樹脂の回り込みを確実に防止でき、その結
果、ダイパッド部１、ランドリード部４、リード部（図
示せず）の裏面への樹脂バリの付着を防止できる。その
ため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のためのウォータージ
ェット工程を省略することができる。
【００４５】次に図１２に示すように、封止シート２０
を密着させた状態でリードフレームの上面側を封止樹脂
１５により樹脂封止し、半導体素子１２、ダイパッド部
１、金属細線１４の領域を樹脂封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。すなわち、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部（図示せず）の底面部分を除いた片面封止
構造となる。また特にランドリード部４、リード部（図
示せず）のフレーム枠２と接続した部分、つまり樹脂封
止されないリード部分を封止シート２０を介して上下金
型の第１の金型により第２の金型に対して押圧すること
により、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各
底面を封止シート２０に押圧、密着させた状態で樹脂封
止することにより、樹脂バリの発生を防止するととも
に、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各底面
をパッケージ底面（封止樹脂１５底面）からスタンドオ
フを有して配置させることができる。
を密着させた状態でリードフレームの上面側を封止樹脂
１５により樹脂封止し、半導体素子１２、ダイパッド部
１、金属細線１４の領域を樹脂封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。すなわち、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部（図示せず）の底面部分を除いた片面封止
構造となる。また特にランドリード部４、リード部（図
示せず）のフレーム枠２と接続した部分、つまり樹脂封
止されないリード部分を封止シート２０を介して上下金
型の第１の金型により第２の金型に対して押圧すること
により、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各
底面を封止シート２０に押圧、密着させた状態で樹脂封
止することにより、樹脂バリの発生を防止するととも
に、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各底面
をパッケージ底面（封止樹脂１５底面）からスタンドオ
フを有して配置させることができる。
【００４６】なお、封止シート２０のリードフレーム裏
面への密着、貼付は、樹脂封止する封止用の上下金型に
予め供給しておいた封止シートを樹脂封止前に密着させ
てもよいし、樹脂封止前に別工程で封止シートをリード
フレームに密着、貼付したものを封止金型に供給し、樹
脂封止してもよい。
面への密着、貼付は、樹脂封止する封止用の上下金型に
予め供給しておいた封止シートを樹脂封止前に密着させ
てもよいし、樹脂封止前に別工程で封止シートをリード
フレームに密着、貼付したものを封止金型に供給し、樹
脂封止してもよい。
【００４７】次に図１３に示すように、樹脂封止後は封
止シートをピールオフ等により除去した後、吊りリード
部やランドリード部４、リード部の各リード部のフレー
ム枠と接続した部分を切断する。この段階で実質的に各
リード部の端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一
面に配列するように切断する。そしてランドリード部
４、リード部の底面はランド電極１６を構成し、またリ
ード部の外側の側面部分も外部電極を構成し、ダイパッ
ド部１の底面も露出し、放熱構造を有するものである。
止シートをピールオフ等により除去した後、吊りリード
部やランドリード部４、リード部の各リード部のフレー
ム枠と接続した部分を切断する。この段階で実質的に各
リード部の端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一
面に配列するように切断する。そしてランドリード部
４、リード部の底面はランド電極１６を構成し、またリ
ード部の外側の側面部分も外部電極を構成し、ダイパッ
ド部１の底面も露出し、放熱構造を有するものである。
【００４８】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法により、パッケージ底面の内側列には、ラン
ドリード部４のランド電極１６の底面が配置され、その
ランド電極１６の外側列にはリード部の底面であるラン
ド電極が配置されて直線状もしくは千鳥状の２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
さらに、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、接続の信頼性を向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
の製造方法により、パッケージ底面の内側列には、ラン
ドリード部４のランド電極１６の底面が配置され、その
ランド電極１６の外側列にはリード部の底面であるラン
ド電極が配置されて直線状もしくは千鳥状の２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
さらに、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、接続の信頼性を向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００４９】次に、本実施形態で示したリードフレーム
の構造では、別途、新たな問題が顕在化してきている。
の構造では、別途、新たな問題が顕在化してきている。
【００５０】以下、図面を参照して説明する。図１４は
本実施形態のリードフレームにおける通常のランドリー
ド部４（２列目リード）の一部分を拡大して示した図面
であり、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は図１４
（ａ）のＧ−Ｇ１箇所の断面図である。図１５は樹脂封
止する場合の注入した樹脂によるランドリード部４、リ
ード部５に対する影響を示す部分的な断面図である。図
１６は図１５と同様、ランドリード部４の部分の注入し
た樹脂によるランドリード部４、リード部５に対する影
響を示す部分的な断面図である。図１７は樹脂封止後の
樹脂封止型半導体装置の一部分を示す断面図である。
本実施形態のリードフレームにおける通常のランドリー
ド部４（２列目リード）の一部分を拡大して示した図面
であり、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は図１４
（ａ）のＧ−Ｇ１箇所の断面図である。図１５は樹脂封
止する場合の注入した樹脂によるランドリード部４、リ
ード部５に対する影響を示す部分的な断面図である。図
１６は図１５と同様、ランドリード部４の部分の注入し
た樹脂によるランドリード部４、リード部５に対する影
響を示す部分的な断面図である。図１７は樹脂封止後の
樹脂封止型半導体装置の一部分を示す断面図である。
【００５１】図１４に示すように通常の第２のリード部
であるランドリード部４は、ランド部８をその先端に有
し、底面はランド電極１６となるものである。しかし樹
脂封止の際は、図１５に示すように、ランドリード部４
の端部（フレーム枠側）は第１の金型２１により第２の
金型２２に対して封止シート２０を介して押圧される
が、押圧される箇所からランドリード部４のランド部８
が距離的に離れており、ランド部８のランド電極１６が
封止シート２０に対して密着する力が弱くなってしま
う。その結果、矢印に示される注入した封止樹脂の注入
圧により、ランドリード部４のランド部８のランド電極
１６が封止シート２０から浮き上がり、剥離した状態で
樹脂封止されてしまう。なお、第１のリード部であるリ
ード部５の場合は押圧される箇所から距離的に短いた
め、押圧力でリード部５の底面は封止シート２０に密着
し、封止シート２０から剥離するようなことはない。
であるランドリード部４は、ランド部８をその先端に有
し、底面はランド電極１６となるものである。しかし樹
脂封止の際は、図１５に示すように、ランドリード部４
の端部（フレーム枠側）は第１の金型２１により第２の
金型２２に対して封止シート２０を介して押圧される
が、押圧される箇所からランドリード部４のランド部８
が距離的に離れており、ランド部８のランド電極１６が
封止シート２０に対して密着する力が弱くなってしま
う。その結果、矢印に示される注入した封止樹脂の注入
圧により、ランドリード部４のランド部８のランド電極
１６が封止シート２０から浮き上がり、剥離した状態で
樹脂封止されてしまう。なお、第１のリード部であるリ
ード部５の場合は押圧される箇所から距離的に短いた
め、押圧力でリード部５の底面は封止シート２０に密着
し、封止シート２０から剥離するようなことはない。
【００５２】このような状態で樹脂封止されると、図１
７に示すように、封止樹脂がランドリード部４の底面
（ランド電極１６）に回り込み、ランドリード部４のラ
ンド電極１６の表面に樹脂バリ２３が形成され、外部電
極として機能しないという問題が発生し得る。このよう
な問題に対して、ランドリード部４の底面を確実に封止
シート２０に密着させ、樹脂バリ２３を防止することは
技術的に重要な課題となっている。
７に示すように、封止樹脂がランドリード部４の底面
（ランド電極１６）に回り込み、ランドリード部４のラ
ンド電極１６の表面に樹脂バリ２３が形成され、外部電
極として機能しないという問題が発生し得る。このよう
な問題に対して、ランドリード部４の底面を確実に封止
シート２０に密着させ、樹脂バリ２３を防止することは
技術的に重要な課題となっている。
【００５３】以下、本発明のリードフレームとそれを用
いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について、課題解
決のための実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について、課題解
決のための実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
【００５４】ここでは、ランドリード部４のランド電極
１６の表面を確実に封止シートに密着させることができ
る実施形態について説明する。
１６の表面を確実に封止シートに密着させることができ
る実施形態について説明する。
【００５５】図１８〜図２２は本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図であり、
特にリードフレームに対して樹脂封止する前の工程から
樹脂封止後までの工程を示したものである。また図１８
〜図２２においては、便宜上、一部の構成を示してい
る。なお、本実施形態においても、前記した図３〜図１
０に示したように、リードフレームに対して半導体素子
を搭載し、金属細線による接続を行う工程は同様であ
る。
半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図であり、
特にリードフレームに対して樹脂封止する前の工程から
樹脂封止後までの工程を示したものである。また図１８
〜図２２においては、便宜上、一部の構成を示してい
る。なお、本実施形態においても、前記した図３〜図１
０に示したように、リードフレームに対して半導体素子
を搭載し、金属細線による接続を行う工程は同様であ
る。
【００５６】まず図１８に示すように、ダイパッド部１
上に半導体素子１２が搭載され、その半導体素子１２と
ランドリード部４，リード部５の各上面のボンディング
パッド部１３とを金属細線１４で接続した状態のリード
フレームに対して、図１９に示すように、少なくともダ
イパッド部１，ランドリード部４，リード部５の各底面
に対して、粘着剤２４を有した金属シート２５をその粘
着剤２４により密着させる。
上に半導体素子１２が搭載され、その半導体素子１２と
ランドリード部４，リード部５の各上面のボンディング
パッド部１３とを金属細線１４で接続した状態のリード
フレームに対して、図１９に示すように、少なくともダ
イパッド部１，ランドリード部４，リード部５の各底面
に対して、粘着剤２４を有した金属シート２５をその粘
着剤２４により密着させる。
【００５７】そして図２０に示すように、封止金型内の
第２の金型２２上に載置し、第１の金型２１により、少
なくともリード部５、ランドリード部４の端部に押圧力
を付加し、リード部５のランド電極１６面とランドリー
ド部４のランド電極１６面とを金属シート２５に押圧し
た状態で、リードフレームの上面側として半導体素子１
２、ダイパッド部１、金属細線１４の領域を封止樹脂に
より樹脂封止する。この時、リード部５のランド電極１
６と、ランドリード部４のランド電極１６とは、金属シ
ート２５の粘着剤２４に押圧されて、一部食い込み、特
にランドリード部４のランド電極１６の浮き上がりは発
生しない。
第２の金型２２上に載置し、第１の金型２１により、少
なくともリード部５、ランドリード部４の端部に押圧力
を付加し、リード部５のランド電極１６面とランドリー
ド部４のランド電極１６面とを金属シート２５に押圧し
た状態で、リードフレームの上面側として半導体素子１
２、ダイパッド部１、金属細線１４の領域を封止樹脂に
より樹脂封止する。この時、リード部５のランド電極１
６と、ランドリード部４のランド電極１６とは、金属シ
ート２５の粘着剤２４に押圧されて、一部食い込み、特
にランドリード部４のランド電極１６の浮き上がりは発
生しない。
【００５８】そして図２１に示すように、外囲が封止樹
脂１５で封止されたリードフレームの底面から金属シー
ト２５をその粘着剤２４とともに剥離させて除去するこ
とにより、図２２に示すようにランドリード部４のラン
ド電極１６の表面に樹脂バリの発生がない樹脂封止型半
導体装置を得る。
脂１５で封止されたリードフレームの底面から金属シー
ト２５をその粘着剤２４とともに剥離させて除去するこ
とにより、図２２に示すようにランドリード部４のラン
ド電極１６の表面に樹脂バリの発生がない樹脂封止型半
導体装置を得る。
【００５９】本実施形態のリードフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を製造することにより、樹脂封止時の
ランドリード部４のランド電極１６への樹脂バリの発生
を抑えて、封止樹脂部からランド電極１６が確実にスタ
ンドオフを有して露出した樹脂封止型半導体装置を実現
することができる。
封止型半導体装置を製造することにより、樹脂封止時の
ランドリード部４のランド電極１６への樹脂バリの発生
を抑えて、封止樹脂部からランド電極１６が確実にスタ
ンドオフを有して露出した樹脂封止型半導体装置を実現
することができる。
【００６０】また、本実施形態では、樹脂封止工程前に
使用する金属シート２５としては、リードフレームと同
素材よりなる金属シートを用い、リードフレームが銅
（Ｃｕ）を主成分とした素材の場合は、銅（Ｃｕ）シー
トを用い、熱膨張率を近似させて樹脂封止することによ
り、シート自体の収縮、膨張を抑えて樹脂封止した面へ
のシワや溝の発生を防止できるものである。
使用する金属シート２５としては、リードフレームと同
素材よりなる金属シートを用い、リードフレームが銅
（Ｃｕ）を主成分とした素材の場合は、銅（Ｃｕ）シー
トを用い、熱膨張率を近似させて樹脂封止することによ
り、シート自体の収縮、膨張を抑えて樹脂封止した面へ
のシワや溝の発生を防止できるものである。
【００６１】またリード部材に金属シート２５を密着さ
せるために用いる粘着剤２４は、シリコーンゲルであ
り、樹脂封止後においても、容易に剥離できるものを使
用し、熱硬化性を有する接着剤は使用しない。なお、剥
離後にリード部材上にシリコーンゲルが残留した場合
は、別途、洗浄工程を設けて、リード面のシリコーンゲ
ルを除去する。
せるために用いる粘着剤２４は、シリコーンゲルであ
り、樹脂封止後においても、容易に剥離できるものを使
用し、熱硬化性を有する接着剤は使用しない。なお、剥
離後にリード部材上にシリコーンゲルが残留した場合
は、別途、洗浄工程を設けて、リード面のシリコーンゲ
ルを除去する。
【００６２】なお、本実施形態では金属シート２５の付
設をリードフレームに対して半導体素子が搭載され、金
属細線の接続が完了した樹脂封止前の段階で行ったが、
リードフレーム状態の時に予め金属シート２５を付設
し、その状態で半導体素子の搭載、金属細線の接続等、
それ以降の工程を行ってもよい。さらに金属シートはロ
ール供給により封止金型装置に設けても供給してもよ
い。
設をリードフレームに対して半導体素子が搭載され、金
属細線の接続が完了した樹脂封止前の段階で行ったが、
リードフレーム状態の時に予め金属シート２５を付設
し、その状態で半導体素子の搭載、金属細線の接続等、
それ以降の工程を行ってもよい。さらに金属シートはロ
ール供給により封止金型装置に設けても供給してもよ
い。
【００６３】以上、本実施形態で示したように、樹脂封
止の注入圧によるランドリード部４の浮き上がりを防止
するために、金属シートを用いてリードフレーム底面を
覆い、その状態で樹脂封止することにより、ランドリー
ド部４のランド電極１６の面が金属シート２５の粘着剤
２４に密着し、ランド電極１６の面に封止樹脂が回り込
むことがなく、ランドリード部４のランド電極１６の面
への樹脂バリの発生を抑えることができるものである。
止の注入圧によるランドリード部４の浮き上がりを防止
するために、金属シートを用いてリードフレーム底面を
覆い、その状態で樹脂封止することにより、ランドリー
ド部４のランド電極１６の面が金属シート２５の粘着剤
２４に密着し、ランド電極１６の面に封止樹脂が回り込
むことがなく、ランドリード部４のランド電極１６の面
への樹脂バリの発生を抑えることができるものである。
【００６４】なお、本実施形態では第１のリード部と第
２のリード部とによる２列構成のリード部を有したリー
ドフレームを例として説明したが、２列に限定するもの
ではなく、２列以上の３列，４列等の複数列を構成する
リード部を有したリードフレームに対しても有効である
ことは言うまでもない。
２のリード部とによる２列構成のリード部を有したリー
ドフレームを例として説明したが、２列に限定するもの
ではなく、２列以上の３列，４列等の複数列を構成する
リード部を有したリードフレームに対しても有効である
ことは言うまでもない。
【００６５】
【発明の効果】以上、本発明により、従来のようなビー
ム状のリード電極に代えて、ランド電極を有した樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。そして本発明
により、樹脂封止型半導体装置の底面のランド電極を回
路基板等を用いることなく、フレーム状態から形成で
き、製造コストを低下させ、従来のようなリード接合に
よる実装に比べて、基板実装の信頼性を向上させること
ができる。
ム状のリード電極に代えて、ランド電極を有した樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。そして本発明
により、樹脂封止型半導体装置の底面のランド電極を回
路基板等を用いることなく、フレーム状態から形成で
き、製造コストを低下させ、従来のようなリード接合に
よる実装に比べて、基板実装の信頼性を向上させること
ができる。
【００６６】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法においては、従来のように突出したリード形成が必
要ない分、リードベンド工程が不要であって、樹脂封止
後はパッケージ底面の内側列には、ランドリード部のラ
ンド電極の底面が配置され、そのランド電極の外側列に
はリード部の底面であるランド電極が配置されて直線状
もしくは千鳥状の２列配置の外部端子を構成し、ＬＧＡ
型パッケージを構成することができる。そして本発明の
樹脂封止型半導体装置の底面の列構成のランド電極にお
いて、外側のランド電極はリード部よりなるものであ
り、その外側部分の側端はパッケージ部分より露出して
いるので、その外部側面に対して、ハンダ等の接合剤を
設けることによりフィレット部が形成され、底面＋側面
の２点接合構造となり、実装基板との接続の実装強度を
向上させ、接続の信頼性を向上させることができる。
方法においては、従来のように突出したリード形成が必
要ない分、リードベンド工程が不要であって、樹脂封止
後はパッケージ底面の内側列には、ランドリード部のラ
ンド電極の底面が配置され、そのランド電極の外側列に
はリード部の底面であるランド電極が配置されて直線状
もしくは千鳥状の２列配置の外部端子を構成し、ＬＧＡ
型パッケージを構成することができる。そして本発明の
樹脂封止型半導体装置の底面の列構成のランド電極にお
いて、外側のランド電極はリード部よりなるものであ
り、その外側部分の側端はパッケージ部分より露出して
いるので、その外部側面に対して、ハンダ等の接合剤を
設けることによりフィレット部が形成され、底面＋側面
の２点接合構造となり、実装基板との接続の実装強度を
向上させ、接続の信頼性を向上させることができる。
【００６７】さらに本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法により、形成した樹脂封止型半導体装置の底面の
ランド電極面に樹脂バリの発生をなくし、外部電極の不
良、実装不良を防止した樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができる。
造方法により、形成した樹脂封止型半導体装置の底面の
ランド電極面に樹脂バリの発生をなくし、外部電極の不
良、実装不良を防止した樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す平面図
示す平面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図
示す底面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
実装構造を示す断面図
実装構造を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態のランドリード部を示す
部分的な図
部分的な図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止の状態を示す
部分的な断面図
部分的な断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止の状態を示す
部分的な断面図
部分的な断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止後の状態を示
す部分的な断面図
す部分的な断面図
【図１８】本発明の課題解決の実施形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図
導体装置の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の課題解決の実施形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図
導体装置の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の課題解決の実施形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図
導体装置の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の課題解決の実施形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図
導体装置の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の課題解決の実施形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図
導体装置の製造方法を示す断面図
【図２３】従来のリードフレームを示す平面図
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図
す平面図
１ ダイパッド部 ２ フレーム枠 ３ 吊りリード部 ４ ランドリード部 ５ リード部 ６ 突出部 ７ 溝部 ８ ランド部 ９ 幅広部 １０ 溝部 １１ 溝部 １２ 半導体素子 １３ ボンディングパッド部 １４ 金属細線 １５ 封止樹脂 １６ ランド電極 １７ 凹部 １８ 実装基板 １９ 接合剤 ２０ 封止シート ２１ 第１の金型 ２２ 第２の金型 ２３ 樹脂バリ ２４ 粘着剤 ２５ 金属シート １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ インナーリード部 １０５ アウターリード部 １０６ タイバー部 １０７ 半導体素子 １０８ 金属細線 １０９ 封止樹脂
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 DA10 DB02 FA00 GA05 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 CB13 DD12 DD13 EA03 FA05 5F067 AA01 AA03 AA09 AB04 BB01 BC04 BC05 BC06 BC12 BD05 BE02 DA16 DE14 EA04
Claims (3)
- 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド電極と
なる第１のリード部と、前記第１のリード部の先端部領
域に延在してその先端部が配置され、他端部が前記フレ
ーム枠と接続し、底面がランド電極となる第２のリード
部とよりなり、前記第１のリード部の底面のランド電極
と前記第２のリード部の底面のランド電極とで２列のラ
ンド電極を構成するリードフレームを用意する工程と、
前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載
した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リー
ドフレームの第１のリード部、第２のリード部の各上面
とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレー
ムの裏面側の少なくともダイパッド部、第１のリード
部、第２のリード部の各底面に金属シートを密着させる
工程と、少なくとも前記第１のリード部、第２のリード
部の端部に押圧力を付加し、前記第１のリード部のラン
ド電極面と第２のリード部のランド電極面とを前記封止
シートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側
として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線の領域
を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前
記金属シートを前記リードフレームより除去する工程と
よりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 金属シートとしてはリードフレームと同
素材よりなる金属シートを用いることを特徴とする請求
項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 金属シートとしてはリードフレームと接
する面に粘着剤層を有している金属シートを用いること
を特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24753299A JP3959898B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24753299A JP3959898B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077136A true JP2001077136A (ja) | 2001-03-23 |
| JP3959898B2 JP3959898B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=17164909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24753299A Expired - Fee Related JP3959898B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3959898B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008122382A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Ajuhitek Inc | 光学検査システム及び光学検査方法 |
| JP2011155293A (ja) * | 2001-12-14 | 2011-08-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011192817A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Sanken Electric Co Ltd | 面実装半導体装置及び面実装半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-09-01 JP JP24753299A patent/JP3959898B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2008122382A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Ajuhitek Inc | 光学検査システム及び光学検査方法 |
| JP2011192817A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Sanken Electric Co Ltd | 面実装半導体装置及び面実装半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3959898B2 (ja) | 2007-08-15 |
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