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JP2001064274A - Production of phthalic anhydride - Google Patents

Production of phthalic anhydride

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Publication number
JP2001064274A
JP2001064274A JP2000189962A JP2000189962A JP2001064274A JP 2001064274 A JP2001064274 A JP 2001064274A JP 2000189962 A JP2000189962 A JP 2000189962A JP 2000189962 A JP2000189962 A JP 2000189962A JP 2001064274 A JP2001064274 A JP 2001064274A
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JP
Japan
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catalyst layer
catalyst
phthalic anhydride
naphthalene
conversion
Prior art date
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JP2000189962A
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Japanese (ja)
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Inventor
Masaaki Okuno
政昭 奥野
Tsukasa Takahashi
典 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Shokubai Co Ltd
Original Assignee
Nippon Shokubai Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for safely and stably producing phthalic anhydride continuously in a high yield even in case of feeding a feedstock gas in high concentrations with slight catalyst deterioration with time. SOLUTION: This method for producing phthalic anhydride comprises catalytic vapor phase oxidation of o-xylene and/or naphthalene with an oxygen- contg. gas using at least one fixed bed reactor, wherein the catalyst bed where the catalytic vapor phase reaction is conducted is divided into three or more; and the conversion of the o-xylene and/or naphthalene is 30-70% at the exit of the 1st catalyst bed, while that at the exit of the 2nd catalyst bed is >=70%.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固定床反応器を用
いた無水フタル酸の製造方法に関し、特に、固定床反応
器を用いてオルソキシレン及び/またはナフタレンを分
子状酸素又は分子状酸素含有ガスにより接触気相酸化し
て無水フタル酸を高収率で製造する方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing phthalic anhydride using a fixed-bed reactor, and more particularly, to a method for preparing orthoxylene and / or naphthalene using molecular oxygen or molecular oxygen using a fixed-bed reactor. The present invention relates to a method for producing phthalic anhydride in a high yield by catalytic gas phase oxidation with a gas.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】オルソ
キシレン及び/またはナフタレンを分子状酸素又は分子
状酸素含有ガス(以下、これらをまとめて、「酸素含有
ガス」という)により、触媒層で接触気相酸化して無水
フタル酸を製造する方法においては、酸化バナジウム及
び酸化チタンを主成分とする触媒活性物質を不活性担体
に担持させた触媒を用いることが広く知られている。例
えば、特公昭47―15323号、特公昭49―410
36号、特公昭52―4538号、特開昭47−566
1号、特開昭49−89694号、特開昭57―105
241号の各公報に記載されている。これらの触媒は、
夫々特徴を有し、工業的に使用されて実績を上げている
ものもある。
BACKGROUND OF THE INVENTION Ortho-xylene and / or naphthalene are brought into contact with a catalyst layer by molecular oxygen or a molecular oxygen-containing gas (hereinafter collectively referred to as "oxygen-containing gas"). In a method for producing phthalic anhydride by gas phase oxidation, it is widely known to use a catalyst in which a catalytically active substance mainly composed of vanadium oxide and titanium oxide is supported on an inert carrier. For example, JP-B-47-15323, JP-B-49-410
No. 36, JP-B-52-4538, JP-A-47-566
No. 1, JP-A-49-89694, JP-A-57-105
241 is described in each gazette. These catalysts
Each has its own characteristics, and some have been used industrially and have achieved good results.

【0003】しかし、触媒性能の向上の余地は未だ残さ
れている。例えば、触媒の選択率を上げることにより、
無水フタル酸の収率を上げることができる。製造装置の
規模からして、1%の収率の向上であってもその経済的
効果は大きい。また選択率の向上は、製品を得るまでの
熱処理や蒸留操作を容易にすることから、この選択率の
向上によって高品質の製品を安価に製造できるという効
果も期待できる。
[0003] However, there is still room for improvement in catalyst performance. For example, by increasing the selectivity of the catalyst,
The yield of phthalic anhydride can be increased. Due to the scale of the manufacturing apparatus, even if the yield is improved by 1%, the economic effect is large. In addition, the improvement of the selectivity facilitates the heat treatment and the distillation operation until the product is obtained. Therefore, it is expected that the improvement of the selectivity can produce a high-quality product at low cost.

【0004】その他、生産性の向上及び触媒活性維持に
よる安定した生産の確保も重要である。生産性を向上さ
せる方法の1つは、触媒層が形成された反応器に供給す
るフィードガスに対する原料ガス(オルソキシレン及び
/またはナフタレン)の濃度を上げるなど、高負荷条件
下に酸化反応を行うものである。しかし、オルソキシレ
ン及び/またはナフタレンから無水フタル酸を得る反応
は、著しい発熱を伴うので、高濃度条件下ではホットス
ポット部における温度上昇が激しく、過度の酸化反応が
生じて、触媒の劣化が著しく促進され、結局無水フタル
酸の収率が低下することになる。また、ホットスポット
部での温度上昇が激しくなりすぎると、反応管の除熱が
困難になり、暴走反応を起こしてしまう。
[0004] In addition, it is also important to improve productivity and secure stable production by maintaining catalyst activity. One of the methods for improving the productivity is to carry out an oxidation reaction under high load conditions, for example, by increasing the concentration of a raw material gas (ortho-xylene and / or naphthalene) with respect to a feed gas supplied to a reactor having a catalyst layer formed thereon. Things. However, the reaction of obtaining phthalic anhydride from ortho-xylene and / or naphthalene involves a remarkable heat generation, so that under high concentration conditions, the temperature in the hot spot is sharply increased, and an excessive oxidation reaction occurs, resulting in marked deterioration of the catalyst. Is accelerated, resulting in a decrease in the yield of phthalic anhydride. Further, if the temperature rise in the hot spot part becomes too severe, it becomes difficult to remove heat from the reaction tube, and a runaway reaction occurs.

【0005】耐熱性に優れ、このような高負荷条件での
使用に耐える触媒が、例えば特公昭59−1378号等
に提案されている。しかし、このような触媒を使用した
としても、ホットスポット部での過度の温度上昇を抑制
できないと、やはり無水フタル酸の収率の低下、触媒の
劣化は避けられず、またホットスポット部での暴走反応
の抑制については、根本的な解決に至らない。
A catalyst having excellent heat resistance and capable of withstanding use under such a high load condition has been proposed in, for example, Japanese Patent Publication No. 59-1378. However, even if such a catalyst is used, if the excessive temperature rise in the hot spot cannot be suppressed, the yield of phthalic anhydride and the deterioration of the catalyst are inevitable, and the hot spot in the hot spot is also inevitable. There is no fundamental solution to the suppression of the runaway reaction.

【0006】このような事情から、高濃度条件での操業
を実施するために、近年、触媒層を触媒活性の異なる2
層以上に分割して、ホットスポット部での過度の温度上
昇を抑制することが試みられている。しかし、各触媒層
における原料の転化のバランスが悪い場合、やはりホッ
トスポット部における温度上昇が激しくなって過度の酸
化反応が生じる結果、無水フタル酸の収率が低下し、触
媒の劣化が促進されるという問題を解決できない。また
ひどい場合には、ホットスポット部で暴走反応が起こり
得る。
[0006] Under such circumstances, in order to carry out operation under high concentration conditions, in recent years, catalyst layers having different catalytic activities have been used.
Attempts have been made to suppress excessive temperature rise at the hot spot portion by dividing into layers or more. However, if the conversion of the raw materials in each catalyst layer is not well balanced, the temperature in the hot spot becomes too high and an excessive oxidation reaction occurs. As a result, the yield of phthalic anhydride is reduced, and the deterioration of the catalyst is promoted. Problem cannot be solved. In severe cases, a runaway reaction may occur at the hot spot.

【0007】本発明は、上記問題を解決するためのなさ
れたものであり、その目的は、高濃度な原料ガスを供給
する場合であっても、高いフタル酸収率が得られ、触媒
の経時劣化が少なくて済み、安定で且つ安全に無水フタ
ル酸を製造しつづけることができる無水フタル酸の製造
方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain a high phthalic acid yield even when a high-concentration raw material gas is supplied, and to obtain a long-term catalyst. It is an object of the present invention to provide a method for producing phthalic anhydride, which requires less deterioration and is capable of stably and safely producing phthalic anhydride.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の無水
フタル酸の製造方法は、固定床反応器を用いて、オルソ
キシレン及び/又はナフタレンを、酸素含有ガスで接触
気相酸化して無水フタル酸を製造する方法であって、前
記接触気相酸化工程が行われる触媒層を3つ以上に分割
し、各触媒層でのオルソキシレン及び/又はナフタレン
の転化率を規定の範囲とすることで達成される。
That is, the method for producing phthalic anhydride of the present invention comprises subjecting orthoxylene and / or naphthalene to catalytic gas phase oxidation with an oxygen-containing gas using a fixed-bed reactor to produce phthalic anhydride. In the method for producing an acid, the catalyst layer in which the catalytic gas phase oxidation step is performed is divided into three or more layers, and the conversion of orthoxylene and / or naphthalene in each catalyst layer is set in a specified range. Achieved.

【0009】本発明の無水フタル酸の製造方法は、1又
は2以上の固定床反応器を用いて、オルソキシレン及び
/又はナフタレンを、酸素含有ガスで接触気相酸化して
無水フタル酸を製造する方法であって、前記気相接触反
応が行われる触媒層が3つ以上に分割されていて、第1
触媒層の出口での、オルソキシレン及び/又はナフタレ
ンの転化率が30〜70%であり、第2触媒層の出口で
の、オルソキシレン及び/又はナフタレンの転化率が7
0%以上である。
The method for producing phthalic anhydride according to the present invention comprises producing one or more fixed bed reactors by subjecting orthoxylene and / or naphthalene to catalytic gas phase oxidation with an oxygen-containing gas to produce phthalic anhydride. Wherein the catalyst layer in which the gas phase contact reaction is performed is divided into three or more,
The conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the catalyst layer is 30 to 70%, and the conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the second catalyst layer is 7%.
0% or more.

【0010】各触媒層におけるホットスポット温度
(℃)をHSとし、各触媒層の保持温度(℃)をMと
し、標準状態で1m3あたりの酸素含有ガスに対するオ
ルソキシレン及びナフタレンの総質量(g)をWとし、
下記式で定義されるΔTが、第1触媒層では0.35〜
0.85℃/(g/Nm3)であり、第2触媒層では
0.45〜1.20℃/(g/Nm3)であることが好
ましい。 ΔT=(HS−M)/W
The hot spot temperature (° C.) of each catalyst layer is denoted by HS, the holding temperature (° C.) of each catalyst layer is denoted by M, and the total mass (g) of ortho-xylene and naphthalene per 1 m 3 of oxygen-containing gas under standard conditions ) Is W,
ΔT defined by the following equation is 0.35 to
0.85 ° C./(g/Nm 3 ), and preferably 0.45 to 1.20 ° C./(g/Nm 3 ) in the second catalyst layer. ΔT = (HS−M) / W

【0011】また、本発明の無水フタル酸の製造方法
は、前記触媒層の分割が3つであって、第1触媒層の出
口における、オルソキシレン及び/又はナフタレンの転
化率が30〜70%であり、第1触媒層に続く第2触媒
層の出口における、オルソキシレン及び/又はナフタレ
ンの転化率が70〜95%であり、第2触媒層に続く第
3触媒層の出口における、オルソキシレン及び/又はナ
フタレンの転化率が99%以上であることが好ましい。
この場合、各触媒層におけるホットスポット温度(℃)
をHSとし、各触媒層の保持温度(℃)をMとし、標準
状態で1m3あたりの酸素含有ガスに対するオルソキシ
レン及びナフタレンの総質量(g)をWとし、下記式で
定義されるΔTが、第1触媒層では0.35〜0.85
℃/(g/Nm3)、第2触媒層では0.45〜1.2
0℃/(g/Nm3)、第3触媒層では0.25〜0.
70℃/(g/Nm3)であることが好ましい。 ΔT=(HS−M)/W
Further, in the method for producing phthalic anhydride of the present invention, the catalyst layer is divided into three parts, and the conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the first catalyst layer is 30 to 70%. Wherein the conversion of ortho-xylene and / or naphthalene at the outlet of the second catalyst layer following the first catalyst layer is 70 to 95%, and that of the ortho-xylene at the outlet of the third catalyst layer following the second catalyst layer. And / or the conversion of naphthalene is preferably 99% or more.
In this case, the hot spot temperature (° C) in each catalyst layer
Is HS, the holding temperature (° C.) of each catalyst layer is M, and the total mass (g) of ortho-xylene and naphthalene with respect to the oxygen-containing gas per 1 m 3 in a standard state is W, and ΔT defined by the following formula is , 0.35 to 0.85 for the first catalyst layer
° C / (g / Nm 3 ), 0.45 to 1.2 for the second catalyst layer
0 ° C./(g/Nm 3 ), 0.25-0.
It is preferably 70 ° C./(g/Nm 3 ). ΔT = (HS−M) / W

【0012】さらに、第1触媒層、第2触媒層、及び第
3触媒層の総高さに対する、第1触媒層の長さは25〜
54%、第2触媒層の長さは21〜54%、第3触媒層
の長さは14〜46%であることが好ましい。
Further, the length of the first catalyst layer relative to the total height of the first catalyst layer, the second catalyst layer and the third catalyst layer is 25 to
Preferably, the length of the second catalyst layer is 54 to 54%, and the length of the third catalyst layer is 14 to 46%.

【0013】本発明の無水フタル酸の製造方法におい
て、前記各触媒層に用いられている各触媒は、酸化バナ
ジウム及び酸化チタンを含んでいることが好ましく、さ
らにニオブと、リンと、アンチモンと、ナトリウム、カ
リウム、ルビジウム、セシウム、及びタリウムからなる
群より選ばれる少なくとも1種とを含むことが好まし
い。
In the method for producing phthalic anhydride of the present invention, each catalyst used in each of the catalyst layers preferably contains vanadium oxide and titanium oxide, and further contains niobium, phosphorus, antimony, It preferably contains at least one selected from the group consisting of sodium, potassium, rubidium, cesium, and thallium.

【0014】上記転化率とするためには、(1)前記各触
媒層に充填されている触媒は、不活性担体に担持されて
いて、第1触媒層からその後に続く触媒層に従って、順
次該触媒層の空隙率が小さくなるように充填されている
方法;(2)前記各触媒層には、各触媒と不活性物質との
混合物が用いられていて、該混合物中の前記不活性物質
の含有率が、第1触媒層からその後に続く触媒層に従っ
て、順に少なくなっている方法;(3)前記触媒の各触媒
層に充填されている触媒は、不活性担体に担持されてい
て、担持率が、第1触媒層からその後に続く触媒層に従
って、順に高くなっている方法;(4)第1触媒層からそ
の後に続く触媒層に従って、各触媒層に用いられている
触媒のリン含有率が順に高くなっている方法;(5)前記
各触媒における、ナトリウム、カリウム、セシウム、ル
ビジウム及びタリウムの含有総量は、第1触媒層からそ
の後に続く触媒層に従って順に少なくなっている方法;
(6)前記触媒層の保持温度が、第1触媒層からその後に
続く触媒層に従って順に高くなっている方法が好ましく
用いられる。
In order to achieve the above conversion, (1) the catalyst filled in each of the catalyst layers is supported on an inert carrier, and the catalysts are successively arranged from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer. A method in which the catalyst layer is filled so as to reduce the porosity; (2) a mixture of each catalyst and an inactive substance is used in each of the catalyst layers, and a mixture of the inactive substance in the mixture is used. A method in which the content decreases in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer; (3) the catalyst filled in each catalyst layer of the catalyst is supported on an inert carrier; (4) the phosphorus content of the catalyst used in each catalyst layer from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer, in which the rate increases in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer; (5) sodium in each of the catalysts Potassium, cesium, a method comprising the total amount of rubidium and thallium, which is sequentially decreased in accordance with the catalyst layer followed by subsequent from the first catalyst layer;
(6) It is preferable to use a method in which the holding temperature of the catalyst layer increases in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer.

【0015】本発明の無水フタル酸の製造方法は、1つ
の反応器を使用し、該反応器中に、前記各触媒層が積層
して形成されていてもよいし、複数の反応器を使用し、
該反応器に形成された触媒層が、前記転化率を有するよ
うに接続されていてもよい。
In the method for producing phthalic anhydride of the present invention, one reactor may be used, and the respective catalyst layers may be formed by lamination in the reactor, or a plurality of reactors may be used. And
The catalyst layer formed in the reactor may be connected so as to have the conversion.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明者らは、接触酸化工程を行
う触媒層を3つ以上に分割し、各触媒層での転化率を規
定して、各触媒層での反応量をバランスよくすることに
より、各触媒層でのホットスポット部の過度の温度上昇
を抑えることができることを見い出し、本発明に到達し
た。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present inventors divide a catalyst layer for performing a catalytic oxidation step into three or more layers, regulate the conversion rate in each catalyst layer, and balance the reaction amount in each catalyst layer in a well-balanced manner. By doing so, it has been found that an excessive rise in the temperature of the hot spot portion in each catalyst layer can be suppressed, and the present invention has been achieved.

【0017】すなわち、本発明のフタル酸の製造方法
は、固定床反応器を用いて、オルソキシレン及び/又は
ナフタレンを、酸素含有ガスで接触気相酸化して無水フ
タル酸を製造する方法であって、前記接触気相酸化工程
が行われる3つ以上に分割されていて、第1触媒層の出
口での、オルソキシレン及び/又はナフタレンの転化率
が30〜70%であり、第2触媒層の出口での、オルソ
キシレン及び/又はナフタレンの転化率が70%以上で
ある。
That is, the method for producing phthalic acid of the present invention is a method for producing phthalic anhydride by subjecting orthoxylene and / or naphthalene to catalytic gas-phase oxidation with an oxygen-containing gas using a fixed-bed reactor. Wherein the conversion rate of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the first catalyst layer is 30 to 70%, and the second catalyst layer The conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of is 70% or more.

【0018】好ましくは、触媒層が3つに分割されてい
る場合であって、第1触媒層の出口でのオルソキシレン
及び/又はナフタレンの転化率が30〜70%、第2触
媒層出口でのオルソキシレン及び/又はナフタレンの転
化率が70〜95%、第3触媒層の出口でのオルソキシ
レン及び/又はナフタレンの転化率が99%以上であ
る。
Preferably, the catalyst layer is divided into three, wherein the conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the first catalyst layer is 30 to 70%, and the conversion at the outlet of the second catalyst layer is 30%. And the conversion of ortho-xylene and / or naphthalene at the outlet of the third catalyst layer is at least 99%.

【0019】上記のような転化率は、各触媒層を形成す
る触媒の活性を、第1触媒層から第2触媒層、第3触媒
層と順に上げていくことにより達成される。
The above conversion can be achieved by increasing the activity of the catalyst forming each catalyst layer in the order of the first catalyst layer, the second catalyst layer, and the third catalyst layer.

【0020】ここで、転化率とは、無水フタル酸の原料
となるオルソキシレン及び/又はナフタレンが転化する
割合をいい、転化により生成される化合物は、最終生産
物である無水フタル酸だけでなく、無水フタル酸にいた
るまでに生成される中間体や無水フタル酸からさらに酸
化の進んだ無水マレイン酸、安息香酸、一酸化炭素、二
酸化炭素なども含まれる。
Here, the conversion refers to a conversion ratio of ortho-xylene and / or naphthalene, which is a raw material of phthalic anhydride. The compound produced by the conversion is not only phthalic anhydride as a final product but also phthalic anhydride. And phthalic anhydride, intermediates and phthalic anhydride, and further oxidized maleic anhydride, benzoic acid, carbon monoxide, carbon dioxide and the like.

【0021】本発明において、転化率の測定は以下のよ
うにして行う。
In the present invention, the conversion is measured as follows.

【0022】第1触媒層から測定したい触媒層までを形
成し、それ以降の工程に係る触媒層に該当する部分に不
活性物質を充填する。例えば、第1触媒層の転化率を測
定する場合には、第1触媒層以外の触媒層に該当する部
分に、触媒活性を有しない不活性物質を充填した状態で
測定し、第2触媒層の転化率を測定する場合は、第1触
媒層を形成し、次いで第2触媒層を形成し、第3触媒層
以降の触媒層に該当する部分に不活性物質を充填する。
このような状態で、実際の運転条件で原料ガス(オルソ
キシレン及び/又はナフタレン)及び酸素含有ガスを導
入し、反応管出口ガスを捕集する。捕集した出口ガスを
アセトンに溶解させ、そのアセトン溶液をガスクロマト
グラフィで分析して反応しなかった原料ガスの量を調べ
る。転化率は以下の式により求められる。 転化率(%)=〔1−(u/i)〕×100 式中、uは捕集された出口ガスに含まれる原料ガス量
(g)であり、iは捕集された出口ガス量に相当する導
入した原料ガス量(g)を示す。
[0022] From the first catalyst layer to the catalyst layer to be measured, a portion corresponding to the catalyst layer in the subsequent steps is filled with an inert substance. For example, when measuring the conversion rate of the first catalyst layer, the measurement is performed in a state in which a portion corresponding to the catalyst layer other than the first catalyst layer is filled with an inert substance having no catalytic activity, and the second catalyst layer is measured. When measuring the conversion rate of the first catalyst layer, the first catalyst layer is formed, then the second catalyst layer is formed, and portions corresponding to the third and subsequent catalyst layers are filled with an inert substance.
In such a state, the raw material gas (ortho-xylene and / or naphthalene) and the oxygen-containing gas are introduced under actual operating conditions, and the gas at the outlet of the reaction tube is collected. The collected outlet gas is dissolved in acetone, and the acetone solution is analyzed by gas chromatography to determine the amount of unreacted raw material gas. The conversion is determined by the following equation. Conversion rate (%) = [1− (u / i)] × 100 where u is the amount (g) of the raw material gas contained in the collected outlet gas, and i is the amount of the collected outlet gas. The corresponding amount of introduced source gas (g) is shown.

【0023】第1触媒層の出口における転化率を30%
以上とする理由は、30%未満では、多量の原料を含ん
だガスが第2触媒層に導入されることになるため、第2
触媒層での負荷が高くなり、第2触媒層でのホットスポ
ット温度が高くなりすぎて、無水フタル酸の収率が低下
するからである。
The conversion at the outlet of the first catalyst layer is 30%
The reason for this is that if it is less than 30%, a gas containing a large amount of raw material will be introduced into the second catalyst layer.
This is because the load on the catalyst layer increases and the hot spot temperature on the second catalyst layer becomes too high, and the yield of phthalic anhydride decreases.

【0024】一方、第1触媒層の出口における転化率を
70%未満とする理由は、70%超にすると、第1触媒
層での発熱が非常に大きいためにホットスポット温度が
高くなり、第1触媒層での反応が非常に不安定となるか
らである。このような場合、ホットスポット部が制御が
不能となって暴走反応が起こってしまう。たとえ暴走反
応が起こらない場合であっても、ホットスポット部での
触媒の熱的劣化が起こり、無水フタル酸収率の経時的低
下が促進されることになる。
On the other hand, the reason why the conversion at the outlet of the first catalyst layer is set to less than 70% is that if the conversion exceeds 70%, the heat generated in the first catalyst layer is extremely large, so that the hot spot temperature becomes high, This is because the reaction in one catalyst layer becomes very unstable. In such a case, the hot spot cannot be controlled, and a runaway reaction occurs. Even when the runaway reaction does not occur, the catalyst is thermally degraded at the hot spot, and the phthalic anhydride yield is reduced over time.

【0025】第2触媒層における転化率を70%以上と
する理由は、70%未満では第3触媒層以降の負荷が高
くなり、第3触媒層以降の触媒層でのホットスポット温
度が上昇して、無水フタル酸の収率が低下するからであ
る。またこのような場合には、第3触媒層以降、最終触
媒層までの触媒層で反応を完結させることができなくな
り、生成される無水フタル酸の品質維持が難しくなるか
らである。
The reason for setting the conversion rate in the second catalyst layer to 70% or more is that if the conversion rate is less than 70%, the load after the third catalyst layer increases, and the hot spot temperature in the catalyst layers after the third catalyst layer increases. This is because the yield of phthalic anhydride decreases. In addition, in such a case, the reaction cannot be completed in the catalyst layers from the third catalyst layer to the final catalyst layer, and it becomes difficult to maintain the quality of the generated phthalic anhydride.

【0026】分割された各触媒層は、具体的には以下の
ようにして形成される。触媒層を3つに分割した場合を
例に、図1〜図4に基づいて説明する。
Each of the divided catalyst layers is specifically formed as follows. An example in which the catalyst layer is divided into three will be described with reference to FIGS.

【0027】第1の態様は、図1に示すように、単一の
反応器に、ガス導入側から順に第1触媒層、第2触媒
層、第3触媒層を積層して形成した場合である(触媒層
連続タイプ)。ここで使用している反応器は、複数の反
応管を備えた多管式固定床反応器であり、各反応管につ
いて、第1触媒層、第2触媒層、第3触媒層が順に積層
形成されている。図1では、反応器の上方から原料ガス
及び酸素含有ガスを供給して、下方から無水フタル酸を
排出する態様を示しているが、これに限定されるもので
はなく、反応器の下方からガスを供給し、上方から無水
フタル酸を排出するようにしてもよい。
The first embodiment is a case where, as shown in FIG. 1, a first catalyst layer, a second catalyst layer, and a third catalyst layer are sequentially stacked in a single reactor from the gas introduction side. Yes (catalyst layer continuous type). The reactor used here is a multitubular fixed-bed reactor provided with a plurality of reaction tubes. For each reaction tube, a first catalyst layer, a second catalyst layer, and a third catalyst layer are sequentially laminated. Have been. FIG. 1 shows an embodiment in which a raw material gas and an oxygen-containing gas are supplied from above the reactor and phthalic anhydride is discharged from below, but the present invention is not limited to this. And phthalic anhydride may be discharged from above.

【0028】第2の態様では、図2に示すように、1つ
の触媒層が形成された複数の反応器を直列につなぐ場合
である(触媒層不連続タイプ)。この場合、ガス供給側
から順に第1反応器、第2反応器、第3反応器として、
それぞれ第1触媒層、第2触媒層、第3触媒層が順に形
成されることになる。図2では、各反応器いずれも、反
応器の上方からガスを供給しているが、これに限らず、
触媒層の配列を逆にして下方からガスが供給されるよう
に接続されていてもよい。また、各反応器には1本の反
応管を備えただけであったが、工業生産において収量を
上げるために、図1で用いた反応器のように複数の反応
管を備えた多管式固定床反応器を用いてもよい。
In the second embodiment, as shown in FIG. 2, a plurality of reactors each having one catalyst layer are connected in series (catalyst layer discontinuous type). In this case, as a first reactor, a second reactor, and a third reactor in order from the gas supply side,
Each of the first catalyst layer, the second catalyst layer, and the third catalyst layer is sequentially formed. In FIG. 2, each of the reactors supplies gas from above the reactor, but is not limited to this.
The arrangement may be such that the arrangement of the catalyst layers is reversed so that gas is supplied from below. Although each reactor had only one reaction tube, in order to increase the yield in industrial production, a multi-tube reactor having a plurality of reaction tubes like the reactor used in FIG. 1 was used. A fixed bed reactor may be used.

【0029】第3の態様は、触媒層連続タイプと触媒層
不連続タイプを組み合わせた場合である。図3は、入り
口側に設置された反応器(第1反応器)に第1触媒層と
第2触媒層を積層形成し、出口側に設置された反応器
(第2反応器)に第3触媒層を形成している。図4は、
入り口側に設置された第1反応器に第1触媒層を形成
し、出口側に設置された第2反応器に第2触媒層及び第
3触媒層を積層形成している。
The third mode is a case where the catalyst layer continuous type and the catalyst layer discontinuous type are combined. FIG. 3 shows that a first catalyst layer and a second catalyst layer are laminated on a reactor (first reactor) installed on the inlet side, and a third catalyst layer is formed on the reactor (second reactor) installed on the outlet side. A catalyst layer is formed. FIG.
A first catalyst layer is formed in a first reactor provided on the inlet side, and a second catalyst layer and a third catalyst layer are formed in a lamination on a second reactor provided on the outlet side.

【0030】本発明に用いられる反応器は、いずれも触
媒を充填した反応管の周囲に、一定温度に保持した熱媒
体を循環させることより、触媒層の温度を一定に保持し
ている。従って、図2に示す態様では、各反応器に用い
られる熱媒体の温度を変えることにより、触媒層毎に保
持温度を設定することができる。また、触媒層連続タイ
プの場合であっても、例えば図4に示す第2反応器のよ
うに、反応器内を断熱板で区切り、各触媒層に対応する
周囲に、異なる温度の熱媒体を循環させることにより、
保持温度を変えることができる。
In each of the reactors used in the present invention, the temperature of the catalyst layer is kept constant by circulating a heating medium kept at a constant temperature around the reaction tube filled with the catalyst. Therefore, in the embodiment shown in FIG. 2, the holding temperature can be set for each catalyst layer by changing the temperature of the heat medium used in each reactor. Further, even in the case of the continuous catalyst layer type, for example, as in the second reactor shown in FIG. 4, the inside of the reactor is divided by a heat insulating plate, and heat mediums having different temperatures are provided around the respective catalyst layers. By circulating,
The holding temperature can be changed.

【0031】各触媒層は、いずれも独立のホットスポッ
ト温度を示す酸化工程を行う部分をいう。すなわち、使
用する触媒の組成が同じであっても、異なるホットスポ
ット温度を示す場合(例えば図2の構成で各反応器の熱
媒体温度を変えることによる触媒活性を変えた場合)に
は、独立した触媒層の連続であるとみなす。逆に、2種
類の触媒が積層されてなる2層構造の触媒層であって
も、単一のホットスポット温度しか示さない場合には、
この2層構造の触媒層は、単一の触媒層とみなす。
Each of the catalyst layers is a portion for performing an oxidation step showing an independent hot spot temperature. In other words, even if the composition of the catalyst used is the same, when different hot spot temperatures are shown (for example, when the catalytic activity is changed by changing the temperature of the heating medium of each reactor in the configuration of FIG. 2), it is independent. It is assumed that the catalyst layer is continuous. Conversely, even if the catalyst layer has a two-layer structure in which two types of catalysts are stacked, if it shows only a single hot spot temperature,
This two-layer catalyst layer is regarded as a single catalyst layer.

【0032】ここで、ホットスポット温度とは、その触
媒層で最も高い温度をいい、具体的には反応時に触媒層
の様々な位置での温度を測定したときに得られる最高温
度となる。従って、触媒層を3層に分割した場合、本発
明の無水フタル酸の製造における触媒層の温度を測定す
ると、図5のようになる。図5において、各触媒層は、
それぞれ異なるピーク温度を示している。すなわち、第
1触媒層でのホットスポット温度がHS1、第2触媒層
でのホットスポット温度がHS2、第3触媒層でのホッ
トスポット温度がHS3で示されている。
Here, the hot spot temperature refers to the highest temperature in the catalyst layer, specifically, the highest temperature obtained when measuring the temperature at various positions of the catalyst layer during the reaction. Therefore, when the catalyst layer is divided into three layers, the temperature of the catalyst layer in the production of phthalic anhydride of the present invention is measured, as shown in FIG. In FIG. 5, each catalyst layer is
Each shows a different peak temperature. That is, the hot spot temperature in the first catalyst layer is indicated by HS 1 , the hot spot temperature in the second catalyst layer is indicated by HS 2 , and the hot spot temperature in the third catalyst layer is indicated by HS 3 .

【0033】本発明によれば、下記式で定義されるΔT
が、第1触媒層では0.35〜0.85℃/(g/Nm
3)、第2触媒層では0.45〜1.20℃/(g/N
3)であることが好ましく、触媒層を3層に分割した
場合には、さらに第3触媒層のΔTが0.25〜0.7
0℃/(g/Nm3)であることが好ましい。 ΔT=(HS−M)/W 式中、HSは各触媒層におけるホットスポット温度
(℃)であり、Mは各触媒層を加熱する熱媒体温度
(℃)であり、Wは標準状態で1m3あたりの酸素含有
ガスに対する原料ガスの量(オルソキシレン及びナフタ
レンの総質量(g))である。
According to the present invention, ΔT defined by the following equation:
However, in the first catalyst layer, 0.35 to 0.85 ° C./(g/Nm
3 ), 0.45 to 1.20 ° C / (g / N
m 3 ), and when the catalyst layer is divided into three layers, ΔT of the third catalyst layer is further 0.25 to 0.7.
It is preferably 0 ° C./(g/Nm 3 ). ΔT = (HS−M) / W where HS is a hot spot temperature (° C.) in each catalyst layer, M is a heating medium temperature (° C.) for heating each catalyst layer, and W is 1 m in a standard state. It is the amount of the source gas relative to the oxygen-containing gas per 3 (total mass (g) of ortho-xylene and naphthalene).

【0034】各触媒層において、ΔTが上記範囲の上限
値を超える場合には、その触媒層における発熱が大きく
なりすぎたことを意味し、本発明に規定する転化率を達
成しにくくなる。一方、ΔTが上記範囲の下限値未満の
場合には、その触媒層における反応量が少なくなりすぎ
たことを意味し、他の触媒層での負荷が高くなって、反
応のバランスがくずれ、結果として収率の低下を招き、
ひどい場合には他の触媒層での発熱が大きくなりすぎ
て、本発明で規定する転化率を達成しにくくなる。
If ΔT exceeds the upper limit of the above range in each catalyst layer, it means that the heat generation in the catalyst layer has become too large, and it is difficult to achieve the conversion specified in the present invention. On the other hand, when ΔT is less than the lower limit of the above range, it means that the reaction amount in the catalyst layer has become too small, the load on the other catalyst layers increases, and the balance of the reaction is lost. Causes a decrease in yield,
In severe cases, the heat generated in the other catalyst layers becomes too large, making it difficult to achieve the conversion specified in the present invention.

【0035】尚、触媒層温度の測定は、通常、触媒層の
ガス流通方向に沿って反応管断面の中心に挿入した多点
式温度計で測定する。この場合、温度計を挿入しない場
合と同等の触媒層温度を得るために、温度計の太さを考
慮した太さの反応管を用いて、触媒層の温度を測定す
る。
The temperature of the catalyst layer is usually measured with a multipoint thermometer inserted at the center of the cross section of the reaction tube along the gas flow direction of the catalyst layer. In this case, in order to obtain the same catalyst layer temperature as when no thermometer is inserted, the temperature of the catalyst layer is measured using a reaction tube having a thickness that takes into account the thickness of the thermometer.

【0036】本発明の方法において、各触媒層での転化
率を規定範囲内に調整するためには、各触媒層での触媒
活性を、第1触媒層、第2触媒層と順に高くなるように
する必要がある。
In the method of the present invention, in order to adjust the conversion in each catalyst layer within the specified range, the catalyst activity in each catalyst layer is increased in order of the first catalyst layer and the second catalyst layer. Need to be

【0037】触媒活性を順に高める方法としては、具体
的に以下のような方法がある。 各触媒層で使用する触媒として、リンを含有する触
媒を使用し、第1触媒層からその後に続く触媒層に従っ
て、順に触媒のリンの含有率を順に高くすることにより
触媒層での活性を順に上げていく方法、 前記各触媒層に充填されている各触媒は、不活性担
体に担持されていて、担持率が、第1触媒層からその後
に続く触媒層に従って高くすることにより触媒層での活
性を順に上げていく方法、 前記各触媒層に充填されている各触媒には、ナトリ
ウム、カリウム、セシウム、ルビジウム及びタリウムか
ら選ばれる少なくとも1種の元素を含有していて、前記
各触媒における、ナトリウム、カリウム、セシウム、ル
ビジウム及びタリウムの含有総量を、第1触媒層からそ
の後に続く触媒層に従って少なくすることにより触媒活
性を順に上げていく方法、 前記各触媒層に充填されている各触媒は、不活性担
体に担持されていて、第1触媒層からその後に続く触媒
層に従って、該触媒層の空隙率を小さくしていく方法、 前記各触媒層には、各触媒と不活性物質との混合物
が充填されていて、混合物中の該不活性物質の含有率
を、第1触媒層からその後に続く触媒層に従って少なく
することにより触媒活性を順に上げていく方法、 第1触媒層から順にその後に続く触媒層に従って、
触媒層の保持温度を高めていくことにより、触媒層での
活性を順に上げていく方法。
As a method for sequentially increasing the catalytic activity, the following method is specifically mentioned. As a catalyst used in each catalyst layer, a catalyst containing phosphorus is used, and the activity in the catalyst layer is sequentially increased by sequentially increasing the phosphorus content of the catalyst in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer. Each catalyst loaded in each of the catalyst layers is supported on an inert carrier, and the supporting rate is increased in the catalyst layers from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layers. A method of sequentially increasing the activity, each catalyst filled in each catalyst layer contains at least one element selected from sodium, potassium, cesium, rubidium and thallium, and in each of the catalysts, The catalytic activity is increased in order by decreasing the total content of sodium, potassium, cesium, rubidium and thallium from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer. The method, wherein each catalyst filled in each of the catalyst layers is carried on an inert carrier, and the porosity of the catalyst layers is reduced according to the catalyst layers that follow from the first catalyst layer, Each catalyst layer is filled with a mixture of each catalyst and an inert substance, and the content of the inert substance in the mixture is reduced from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer to thereby increase the catalytic activity. In the order from the first catalyst layer to the catalyst layer following the first catalyst layer,
A method in which the activity in the catalyst layer is increased in order by increasing the holding temperature of the catalyst layer.

【0038】からの方法は、夫々単独で採用しても
よいし、組み合わせて採用してもよい。特に、との
組み合わせ、との組み合わせは、幅広く触媒活性を
変えることができるので好ましい。
The above methods may be used alone or in combination. In particular, the combination with is preferable because the catalyst activity can be widely changed.

【0039】の触媒層の空隙率とは、触媒層における
触媒が充填されていない部分、すなわち空間が占める割
合をいい、例えば、不活性担体に担持された触媒のサイ
ズを変えることにより、当該触媒の充填度合いが変わ
り、結果として空隙率を変えることができる。
The porosity of the catalyst layer refers to the proportion of the catalyst layer not filled with the catalyst, that is, the space occupied by the catalyst. For example, by changing the size of the catalyst supported on an inert carrier, And the porosity can be changed as a result.

【0040】の方法は、各触媒層で使用する触媒が異
なる場合だけでなく、同じ場合にも採用できる。各触媒
層を別々の温度に保持するためには、図2に示すよう
に、独立した複数の反応管を直列に接続した装置を使用
し、各反応器に循環させる熱媒体の温度を変えるように
してもよいし、触媒層連続タイプの場合であっても、単
一の反応器が触媒層に対応して区切られていて、各触媒
層に対応する部分に所定の保持温度を有する熱媒体を循
環させるようにすればよい。
The above method can be employed not only when the catalysts used in the respective catalyst layers are different but also when they are the same. In order to maintain each catalyst layer at a different temperature, as shown in FIG. 2, a device in which a plurality of independent reaction tubes are connected in series is used, and the temperature of the heat medium circulated through each reactor is changed. Alternatively, even in the case of the continuous catalyst layer type, a single reactor is divided corresponding to the catalyst layer, and a heat medium having a predetermined holding temperature in a portion corresponding to each catalyst layer. Should be circulated.

【0041】各触媒層に用いられる触媒としては、酸化
バナジウム及び酸化チタンを含有する触媒が好ましい。
さらに、ニオブ、リン及びアンチモンを含有することが
好ましく、より好ましくはさらにナトリウム、カリウ
ム、ルビジウム、セシウム及びタリウムからなる群より
選ばれる少なくとも1種を含有する触媒である。より好
ましくは、前記酸化チタンとして、比表面積が10〜6
0m2/gのアナターゼ型酸化チタンを用いることが好
ましい。さらに好ましくは、酸化バナジウムと、比表面
積が10〜60m2/gのアナターゼ型酸化チタンと、
ニオブ、リン、アンチモン、ナトリウム、カリウム、セ
シウム、ルビジウム、及びタリウムからなるから選ばれ
る少なくとも1種とを、不活性担体に担持した状態で5
00〜600℃で、空気流通下2〜10時間焼成してな
る触媒である。このような触媒は、担持率を変えること
により、あるいはナトリウム、カリウム、セシウム、ル
ビジウム、又はタリウムの含有率を変えることにより、
あるいはリンの含有率を変えることにより、容易に触媒
活性を変えることができる。
The catalyst used for each catalyst layer is preferably a catalyst containing vanadium oxide and titanium oxide.
Further, the catalyst preferably contains niobium, phosphorus and antimony, and more preferably further contains at least one selected from the group consisting of sodium, potassium, rubidium, cesium and thallium. More preferably, the titanium oxide has a specific surface area of 10 to 6
It is preferable to use 0 m 2 / g of anatase type titanium oxide. More preferably, vanadium oxide, anatase type titanium oxide having a specific surface area of 10 to 60 m 2 / g,
At least one selected from the group consisting of niobium, phosphorus, antimony, sodium, potassium, cesium, rubidium, and thallium, and 5
It is a catalyst obtained by calcining at 00 to 600 ° C for 2 to 10 hours under flowing air. Such catalysts can be prepared by changing the loading or by changing the content of sodium, potassium, cesium, rubidium, or thallium.
Alternatively, the catalytic activity can be easily changed by changing the phosphorus content.

【0042】本発明で使用する不活性担体としては、触
媒の焼成温度及び無水フタル酸を製造する際の触媒温度
よりも充分高い温度で長時間安定であり、また触媒活性
物質と反応しないことが必要である。このような不活性
担体としては、シリコンカーバイド(SiC)、ステア
タイト、コージライト、アルミナ、酸化ジルコニウム、
酸化チタンなどを使用することができる。これらのうち
でも、アルミナ(Al 23)含量が20質量%以下、好
ましくは5質量%以下であり、また見かけの気孔率が1
0%以上、好ましくは15〜45%のシリコンカーバイ
ド担体が好適に使用される。さらに好適なものとして
は、純度98%以上のシリコンカーバイドの粉末を自焼
結させて得られるシリコンカーバイド担体を挙げること
ができる。上記耐熱性無機質不活性担体の形状について
は、特に制限はなく、その平均粒径が2〜15mm程
度、特に3〜12mmのものであればどのようなもので
もよい。代表的な例としては、球状、ペレット状、シリ
ンダー状、リング状などがある。
The inert carrier used in the present invention includes
Calcination temperature of the medium and catalyst temperature in producing phthalic anhydride
Stable for a long time at a temperature sufficiently higher than
It is necessary not to react with the substance. Such inertness
Carriers include silicon carbide (SiC), steer
Tight, cordierite, alumina, zirconium oxide,
Titanium oxide or the like can be used. Of these
However, alumina (Al TwoOThree) Content is less than 20% by mass,
It is preferably 5% by mass or less and the apparent porosity is 1%.
0% or more, preferably 15 to 45% silicon carbide
A carrier is preferably used. More preferred
Self-fires silicon carbide powder with a purity of 98% or more
List the silicon carbide carrier obtained by sintering
Can be. Shape of the heat-resistant inorganic inert carrier
Is not particularly limited, and its average particle size is about 2 to 15 mm.
Degree, especially what is 3-12mm
Is also good. Typical examples are spherical, pellet,
And a ring shape.

【0043】触媒活性成分を不活性担体に担持せしめる
方法は特に限定しないが、外部より加熱できる回転ドラ
ムに一定量の不活性担体を入れ、200〜300℃に保
ちつつ、触媒活性物質を含有する液状物(スラリー)を
噴霧し、活性物質を担持せしめる方法がもっとも簡便で
ある。不活性担体に対する活性物質の担持量は、使用す
る不活性担体の大きさおよび形状によって異なるが、球
状又は円筒状の不活性担体を用いる場合、100mlの
不活性担体に対する活性物質の担持量は、3〜30gが
好ましく、より好ましくは5〜20gである。
The method of supporting the catalytically active component on the inert carrier is not particularly limited, but a certain amount of the inert carrier is put in a rotating drum which can be heated from the outside, and the catalyst contains the catalytically active substance while maintaining the temperature at 200 to 300 ° C. The simplest method is to spray a liquid material (slurry) to carry the active substance. The amount of the active substance carried on the inert carrier varies depending on the size and shape of the inert carrier to be used.However, when a spherical or cylindrical inert carrier is used, the amount of the active substance carried on the 100 ml of the inert carrier is: It is preferably 3 to 30 g, and more preferably 5 to 20 g.

【0044】尚、上記不活性担体は、各触媒層における
触媒活性を変えるため不活性物質として用いることもで
きる。この場合、第1触媒層から順に、触媒層で用いる
混合物中の不活性物質の含有率を小さくすることによ
り、触媒活性を順に高めていくことができる。
The inert carrier can be used as an inert substance for changing the catalytic activity in each catalyst layer. In this case, by decreasing the content of the inert substance in the mixture used in the catalyst layer in order from the first catalyst layer, the catalyst activity can be increased in order.

【0045】本発明の製造方法は、触媒層が形成された
固定床反応器に、原料ガス及び酸素含有ガスを導入し、
気相接触酸化することにより無水フタル酸を製造する方
法であり、前記触媒層を3層以上に分割して、各触媒層
で行われる酸化工程の原料の転化率を所定範囲となるよ
うに、上記方法により触媒活性をガス導入側から順に高
めていけばよい。
According to the production method of the present invention, a raw material gas and an oxygen-containing gas are introduced into a fixed bed reactor having a catalyst layer formed thereon,
A method for producing phthalic anhydride by gas phase catalytic oxidation, wherein the catalyst layer is divided into three or more layers so that the conversion of the raw material in the oxidation step performed in each catalyst layer falls within a predetermined range. The catalyst activity may be increased in order from the gas introduction side by the above method.

【0046】原料ガスとしては、オルソキシレン又はナ
フタレンまたはこれらの混合物を用いることができる。
酸素含有ガスとしては、酸素ガスだけであってもよい
し、空気を用いてもよい。
As the source gas, orthoxylene, naphthalene or a mixture thereof can be used.
As the oxygen-containing gas, only oxygen gas may be used, or air may be used.

【0047】触媒層を3層に分割する場合において、本
発明の好ましい具体的製造条件は以下の通りである。
When the catalyst layer is divided into three layers, preferred specific production conditions of the present invention are as follows.

【0048】すなわち、内径15〜40mm、好ましく
は15〜27mmの反応管を使用し、これに、第1触媒
層、第2触媒層、第3触媒層の総高さが1.5〜4m、
好ましくは2〜3.5mの高さとなるように触媒を充填
する。全触媒層高に対する第1触媒層の層高(又は長
さ)を25〜54%、第2触媒層の層高(又は長さ)を
21〜54%、第3触媒層の層高(又は長さ)を14〜
46%とすることが好ましい。また、触媒層の保持温度
は300〜400℃、好ましくは330〜380℃とす
ることが好ましい。原料ガスは、酸素含有率が10〜2
1容量%の酸素含有ガス、例えば空気とともに反応器に
導入することが好ましく、標準状態で1m 3の酸素含有
ガスに対して原料ガス濃度を70g(以下、これを70
g/Nm3で表わす)以上とすることが好ましい。特に
原料としてオルソキシレンを用いる場合には、90g/
Nm3以上、ナフタレンを用いる場合は75g/Nm3
上とし、標準状態でガス空間速度1000〜6000h
-1、好ましくは1500〜4000hr-1とすること
が好ましい。
That is, the inner diameter is 15 to 40 mm, preferably
Used a reaction tube of 15 to 27 mm, in which the first catalyst
Layer, the second catalyst layer, the total height of the third catalyst layer is 1.5 to 4 m,
Fill the catalyst to a height of preferably 2 to 3.5 m
I do. The height (or length) of the first catalyst layer relative to the total catalyst layer height
25) to 54%, and the height (or length) of the second catalyst layer
21 to 54%, the height (or length) of the third catalyst layer is 14 to
Preferably, it is 46%. Also, the catalyst layer holding temperature
Is 300 to 400 ° C, preferably 330 to 380 ° C.
Preferably. The source gas has an oxygen content of 10 to 2
1% by volume oxygen-containing gas, eg air, into the reactor
Preferably introduced, 1m in standard condition ThreeOxygen content of
The raw material gas concentration is set to 70 g (hereinafter referred to as 70 g
g / NmThree) Or more. In particular
When using orthoxylene as a raw material, 90 g /
NmThreeAs described above, when naphthalene is used, 75 g / NmThreeLess than
Above, gas space velocity 1000-6000h in standard condition
r-1, Preferably 1500 to 4000 hr-1To do
Is preferred.

【0049】本発明の製造方法は、上記条件に限定され
ず、オルソキシレン及び/又はナフタレンの酸化工程を
行う触媒層を3つ以上に分割し、各触媒層における原料
ガスの転化率が規定範囲内となれば、装置の態様、各触
媒層の保持温度、原料ガスの導入速度等を適宜選択して
もよい。
The production method of the present invention is not limited to the above conditions. The catalyst layer for performing the step of oxidizing ortho-xylene and / or naphthalene is divided into three or more layers, and the conversion rate of the raw material gas in each catalyst layer is within a specified range. If it is within the range, the mode of the apparatus, the holding temperature of each catalyst layer, the introduction speed of the raw material gas, and the like may be appropriately selected.

【0050】本発明の製造方法によれば、高濃度の原料
ガスを導入しても、各触媒層におけるホットスポット部
での温度上昇が抑制され、触媒の経時劣化を少なくし、
安定して、高い収率で無水フタル酸を製造することがで
きる。
According to the production method of the present invention, even if a high-concentration raw material gas is introduced, the temperature rise at the hot spot portion in each catalyst layer is suppressed, and the deterioration with time of the catalyst is reduced.
Phthalic anhydride can be produced stably with high yield.

【0051】[0051]

【実施例】〔転化率の測定方法〕 A.触媒層連続タイプの場合の転化率 第1触媒層の転化率は以下のようにして測定した。EXAMPLES [Method of Measuring Conversion] Conversion in case of continuous catalyst layer type The conversion of the first catalyst layer was measured as follows.

【0052】内径25mm、長さ3.5mの鉄製反応管
の出口部に、直径6mmの球状のSiC自焼結担体(見
かけ気孔率35%、純度98.5質量%)を、第3触媒
層及び第2触媒層に該当する分、すなわち1.8mの高
さに充填した。このSiC自焼結担体層の上に、第1触
媒を0.9mの高さに充填して第1触媒層を形成した。
At the outlet of an iron reaction tube having an inner diameter of 25 mm and a length of 3.5 m, a spherical SiC self-sintering carrier having a diameter of 6 mm (apparent porosity 35%, purity 98.5% by mass) was added to the third catalyst layer. And a portion corresponding to the second catalyst layer, that is, a height of 1.8 m. On the SiC self-sintering carrier layer, the first catalyst was filled to a height of 0.9 m to form a first catalyst layer.

【0053】このような反応管を溶融塩浴中に浸した反
応器を用いて、下記製造方法に従った条件下で、反応器
の入り口から原料ガス及び空気の混合ガスを導入し、出
口部で捕集されたガス中に含まれる原料ガスの量(u)
を測定し、捕集された出口でのガス量に相当する原料ガ
ス量(i)とから、下記(1)式に従って、原料の転化
率を測定した。 原料転化率=〔1−(u/i)〕×100 ……(1)
Using a reactor in which such a reaction tube is immersed in a molten salt bath, a mixed gas of raw material gas and air is introduced from the inlet of the reactor under the conditions according to the following production method, and Of raw material gas contained in the gas collected at (u)
Was measured, and the conversion rate of the raw material was measured from the raw material gas amount (i) corresponding to the collected gas amount at the outlet according to the following equation (1). Raw material conversion rate = [1- (u / i)] × 100 (1)

【0054】第2触媒層の転化率を測定する場合は、上
記鉄製反応管の出口部に、SiC自焼結担体を、第3触
媒層に該当する0.9mの高さだけ充填し、このSiC
自焼結担体層の上に、第2触媒を0.9mの高さに充填
して第2触媒層を形成し、さらにその上に、第1触媒を
0.9mの高さに充填して第1触媒層を形成した。
When measuring the conversion of the second catalyst layer, the outlet of the iron reaction tube was filled with a SiC self-sintering support at a height of 0.9 m corresponding to the third catalyst layer. SiC
On the self-sintering carrier layer, the second catalyst is filled at a height of 0.9 m to form a second catalyst layer, and further thereon, the first catalyst is filled at a height of 0.9 m. A first catalyst layer was formed.

【0055】このような反応管を溶融塩浴中に浸した反
応器を用いて、下記製造方法に従った条件下で、反応器
の入り口から原料ガス及び空気の混合ガスを導入した場
合の転化率を測定した。
Using a reactor in which such a reaction tube is immersed in a molten salt bath, under the conditions according to the following production method, the conversion in the case where a mixed gas of raw material gas and air is introduced from the inlet of the reactor. The rate was measured.

【0056】B.触媒層不連続タイプの場合の転化率 接続された3本の反応器のうち、ガス入り口側に設置さ
れた第1反応器に第1触媒層を形成し、下記製造方法に
従った条件でこの第1反応器に原料ガス及び空気の混合
ガスを導入し、第1反応器の出口ガスにおける原料ガス
の転化率を、第1触媒層の転化率として測定した。
B. Conversion rate in case of discontinuous catalyst layer type Of the three connected reactors, the first catalyst layer is formed in the first reactor installed on the gas inlet side, and the first catalyst layer is formed under the conditions according to the following production method. A mixed gas of the raw material gas and air was introduced into the first reactor, and the conversion of the raw material gas at the outlet gas of the first reactor was measured as the conversion of the first catalyst layer.

【0057】第2触媒層の転化率を測定する場合には、
ガス入り口側に設置された第1反応器及びこれに接続し
た第2反応器にそれぞれ第1触媒層及び第2触媒層を形
成し、第1反応器の入り口から下記製造方法に従った条
件で原料ガス及び空気の混合ガスを導入し、第2反応器
の出口ガスにおける原料ガスの転化率を、第2触媒層の
転化率として測定した。
When measuring the conversion of the second catalyst layer,
A first catalyst layer and a second catalyst layer are formed in a first reactor installed on the gas inlet side and a second reactor connected to the first reactor, respectively, and are formed from the inlet of the first reactor under the conditions according to the following manufacturing method. A mixed gas of the raw material gas and air was introduced, and the conversion rate of the raw material gas at the outlet gas of the second reactor was measured as the conversion rate of the second catalyst layer.

【0058】〔ホットスポット温度の測定方法〕 A.触媒層連続タイプの場合のホットスポット温度 内径30mm、長さ3.5mの鉄製反応管に、太さ10
mmの多点式温度計(12測定点)を挿入し、該温度計
が反応管の中心に位置するようにして、反応管の出口部
に、第3触媒を0.9mの高さに充填して第3触媒層を
形成し、次に第2触媒を0.9mの高さに充填して第2
触媒層を形成し、その上に第1触媒を0.9mの高さに
充填して第1触媒層を形成した。このようにして充填し
て測定される触媒層温度は、下記製造例で充填された触
媒層温度とほぼ同等である。
[Method of Measuring Hot Spot Temperature] Hot spot temperature in the case of continuous catalyst layer type An iron reaction tube with an inner diameter of 30 mm and a length of 3.5 m was added with a thickness of 10 mm.
mm multi-point thermometer (12 measurement points) is inserted, the thermometer is positioned at the center of the reaction tube, and the outlet of the reaction tube is filled with a third catalyst to a height of 0.9 m. To form a third catalyst layer, and then fill the second catalyst to a height of 0.9 m to form a second catalyst layer.
A catalyst layer was formed, and the first catalyst was filled thereon to a height of 0.9 m to form a first catalyst layer. The temperature of the catalyst layer measured by filling in this manner is substantially equal to the temperature of the catalyst layer filled in the following production example.

【0059】この反応管が浸されている溶融塩浴の温度
を350℃に保持し、原料ガス及び空気の混合ガスを下
記製造例に示す条件で導入して酸化反応を行わせ、反応
初期及び反応初期3月後の触媒層の温度を測定した。第
1触媒層で測定された最高温度が第1触媒層でのホット
スポット温度(HS1)であり、第2触媒層で測定され
た最高温度が第2触媒層でのホットスポット温度(HS
2)であり、第3触媒層で測定された最高温度が第3触
媒層でのホットスポット温度(HS3)である。
The temperature of the molten salt bath in which the reaction tube is immersed is maintained at 350 ° C., and a mixed gas of a raw material gas and air is introduced under the conditions shown in the following production example to cause an oxidation reaction. Three months after the beginning of the reaction, the temperature of the catalyst layer was measured. The highest temperature measured at the first catalyst layer is the hot spot temperature (HS 1 ) at the first catalyst layer, and the highest temperature measured at the second catalyst layer is the hot spot temperature (HS 1 ) at the second catalyst layer.
2 ), and the highest temperature measured in the third catalyst layer is the hot spot temperature (HS 3 ) in the third catalyst layer.

【0060】B.触媒層不連続タイプの場合のホットス
ポット温度 内径30mm、長さ1.5mの鉄製反応管3本を、直列
に接続し、各反応管に、太さ10mmの多点式温度計
(12測定点)を挿入し、該温度計が反応管の中心に位
置するようにして、各反応管に0.9mの高さの触媒層
を形成した。各反応管が浸されている溶融塩浴の温度
を、下記製造方法に従って設定し、原料ガス及び空気の
混合ガスを下記製造例に示す条件で導入し、酸化反応を
行っているときの各触媒層の温度を測定した。第1反応
管で測定された最高温度が第1触媒層でのホットスポッ
ト温度(HS1)であり、第2反応管で測定された最高
温度が第2触媒層でのホットスポット温度(HS2)で
あり、第3反応管で測定された最高温度が第3触媒層で
のホットスポット温度(HS3)である。
B. Hot spot temperature in the case of a discontinuous catalyst layer type Three iron reaction tubes having an inner diameter of 30 mm and a length of 1.5 m are connected in series, and a 10 mm-thick multipoint thermometer (12 measurement points) is connected to each reaction tube. ) Was inserted so that the thermometer was positioned at the center of the reaction tube, and a catalyst layer having a height of 0.9 m was formed in each reaction tube. The temperature of the molten salt bath in which each reaction tube is immersed is set in accordance with the following production method, and a mixed gas of a raw material gas and air is introduced under the conditions shown in the following production example, and each of the catalysts during the oxidation reaction is performed. The temperature of the layer was measured. The maximum temperature measured in the first reaction tube is the hot spot temperature (HS 1) of the first catalyst layer, the maximum temperature measured by the second reaction tube is hot spot temperature in the second catalyst layer (HS 2 ), And the highest temperature measured in the third reaction tube is the hot spot temperature (HS 3 ) in the third catalyst layer.

【0061】〔ΔTの算出〕 各触媒層でのΔTは、下記式により求めた。 ΔT=(HS−M)/W HSは各触媒層で測定されたホットスポット温度(℃)
であり、Mは反応管が浸されている熱媒体たる溶融塩浴
の設定温度(℃)であり、Wは標準状態で空気1m3
たりの原料(オルソキシレンまたはナフタレン)の質量
(g)である。
[Calculation of ΔT] ΔT in each catalyst layer was determined by the following equation. ΔT = (HS−M) / W HS is the hot spot temperature (° C.) measured in each catalyst layer
And M is a set temperature (° C.) of a molten salt bath as a heating medium in which the reaction tube is immersed, and W is a mass (g) of a raw material (ortho-xylene or naphthalene) per m 3 of air under standard conditions. is there.

【0062】〔酸化チタンの調製〕触媒活性成分として
使用する酸化チタンを、以下のようにして調製した。
[Preparation of Titanium Oxide] Titanium oxide used as a catalytically active component was prepared as follows.

【0063】イルメナイトに80%の濃硫酸を混合し、
十分反応を行った後、水で希釈して、硫酸チタン水溶液
を得た。これに、還元剤として鉄片を加え、イルメナイ
ト中の鉄分を第1鉄イオンに還元した後、冷却して、硫
酸第1鉄として析出分離した。このようにして得られた
硫酸チタン水溶液に、150℃に加熱した水蒸気を吹き
込んで、含水酸化チタンを沈殿させた。含水酸化チタン
の沈殿物を水洗後、酸洗し、さらに二次水洗した後、8
00℃で空気流通下に4時間焼成した。焼成物をジェッ
ト気流粉砕処理して、平均粒子径0.5μmで、比表面
積22m2/gのアナターゼ型酸化チタンを得た。
Mix ilmenite with 80% concentrated sulfuric acid,
After sufficient reaction, the reaction mixture was diluted with water to obtain an aqueous solution of titanium sulfate. To this, iron pieces were added as a reducing agent to reduce the iron content in the ilmenite to ferrous ions, and then cooled to precipitate and separate as ferrous sulfate. Steam heated to 150 ° C. was blown into the aqueous titanium sulfate solution thus obtained to precipitate hydrous titanium oxide. The precipitate of hydrous titanium oxide was washed with water, then with acid, and further washed with secondary water.
It was calcined at 00 ° C. for 4 hours under flowing air. The calcined product was subjected to jet stream pulverization to obtain anatase-type titanium oxide having an average particle size of 0.5 μm and a specific surface area of 22 m 2 / g.

【0064】〔触媒の調製〕触媒A〜Uの原料となるス
ラリー液を調製した。
[Preparation of Catalyst] A slurry liquid to be a raw material of the catalysts A to U was prepared.

【0065】このスラリー液は、表1に示すような組成
を有する触媒スラリー液1又は2において、表2に示す
ように、第1リン酸アンモニウム又は硫酸セシウムを変
更することによって得られる。尚、スラリー液の調製
は、はじめにシュウ酸水溶液を調製し、これに所定量の
メタバナジン酸アンモニウム、第1リン酸アンモニウ
ム、塩化ニオブ、硫酸セシウム、硫酸カリウム及び三酸
化アンチモンを添加し、攪拌した後、酸化チタンを加
え、乳化機により攪拌することにより行った。
This slurry liquid is obtained by changing the ammonium monophosphate or cesium sulfate as shown in Table 2 in the catalyst slurry liquid 1 or 2 having the composition shown in Table 1. The slurry was prepared by first preparing an aqueous solution of oxalic acid, adding predetermined amounts of ammonium metavanadate, monobasic ammonium phosphate, niobium chloride, cesium sulfate, potassium sulfate, and antimony trioxide, followed by stirring. , Titanium oxide and stirring by an emulsifier.

【0066】一方、直径35cm、長さ80cmのステ
ンレス製回転炉中に、SiC自焼結担体2000ml入
れて、200〜250℃で加熱した。予め加熱しておい
た担体上に、炉を回転させながら、上記で調製したスラ
リー液を噴霧して、触媒活性物質を担持させた。その
後、空気を流通させながら、570℃で6時間焼成し
て、触媒A〜Uを調製した。
On the other hand, in a stainless steel rotary furnace having a diameter of 35 cm and a length of 80 cm, 2000 ml of the SiC self-sintering support was placed and heated at 200 to 250 ° C. The slurry liquid prepared above was sprayed onto the pre-heated support while rotating the furnace to support the catalytically active substance. Thereafter, the mixture was calcined at 570 ° C. for 6 hours while flowing air to prepare Catalysts A to U.

【0067】触媒A〜Uで使用した担体は、表2に示す
ような直径を有し、見かけ気孔率35%、純度98.5
%のSiCの球状焼結体である。各触媒の担持率は、表
2に示す通りである。
The supports used in catalysts A to U had diameters as shown in Table 2 and had an apparent porosity of 35% and a purity of 98.5.
% Of SiC. The loading ratio of each catalyst is as shown in Table 2.

【0068】[0068]

【表1】 [Table 1]

【0069】[0069]

【表2】 [Table 2]

【0070】〔オルソキシレン酸化による無水フタル酸
の製造〕 製造例No.1;内径25mm、長さ3.5mの鉄製反
応管に、出口部から第3触媒(触媒C)を高さ0.9m
充填し、次いで第2触媒(触媒B)を0.9mの高さに
充填し、さらにその上に第1触媒(触媒A)を高さ0.
9m充填した。
[Production of phthalic anhydride by orthoxylene oxidation] 1: a third catalyst (catalyst C) having a height of 0.9 m from an outlet to an iron reaction tube having an inner diameter of 25 mm and a length of 3.5 m.
Then, the second catalyst (catalyst B) is filled to a height of 0.9 m, and the first catalyst (catalyst A) is further filled with a height of 0.9 m.
9 m was filled.

【0071】この反応管を350℃の溶融塩浴に浸した
状態で、オルソキシレンを空気と100g/Nm3の割
合(標準状態の空気1m3あたりオルソキシレン100
g)で混合した混合ガスを、4.0Nm3/hrの速度
(標準状態での空間速度3000Hr-1)で導入した。
While the reaction tube was immersed in a molten salt bath at 350 ° C., ortho-xylene was mixed with air at a ratio of 100 g / Nm 3 (ortho-xylene 100 m / m 3 of standard air).
The mixed gas obtained in g) was introduced at a speed of 4.0 Nm 3 / hr (space velocity in a standard state of 3000 Hr −1 ).

【0072】反応初期、反応初期から3月後の無水フタ
ル酸の収率および未反応副生物であるフタライド量を測
定した。また、反応初期、3月後のそれぞれについて、
上記製造条件での第1触媒層及び第2触媒層の転化率、
並びに第1、第2、第3触媒層でのホットスポット温度
を、上記触媒層連続タイプの測定方法に準じて測定し
た。反応初期の結果を表3に、3月後の測定結果を表4
に示す。
At the beginning of the reaction, three months after the beginning of the reaction, the yield of phthalic anhydride and the amount of phthalide as an unreacted by-product were measured. In addition, for each of the initial reaction and after 3 months,
Conversion rate of the first catalyst layer and the second catalyst layer under the above-mentioned production conditions,
In addition, the hot spot temperatures in the first, second, and third catalyst layers were measured according to the above-described method of measuring the catalyst layer continuous type. Table 3 shows the results of the initial reaction, and Table 4 shows the measurement results after 3 months.
Shown in

【0073】尚、オルソキシレンの転化率はほぼ100
%であり、無水フタル酸の収率は、フタル酸の選択率と
みなすことができる。
The conversion of ortho-xylene was almost 100.
%, And the yield of phthalic anhydride can be regarded as the selectivity of phthalic acid.

【0074】製造例No.2〜4;第1〜3触媒として
表3及び表4に示す触媒に変更し、溶融塩浴温度(M)
を表3及び表4に示す温度に変更した以外は、製造例1
と同様にして、無水フタル酸を製造した。
Production Example No. 2 to 4; the first to third catalysts were changed to the catalysts shown in Tables 3 and 4, and the molten salt bath temperature (M)
Production Example 1 except that was changed to the temperatures shown in Tables 3 and 4.
In the same manner as in the above, phthalic anhydride was produced.

【0075】反応初期及び反応初期から3月後の第1触
媒層及び第2触媒層の転化率並びにホットスポット温度
を上記触媒層連続タイプの測定方法に準じて測定した。
また、無水フタル酸の収率およびフタライド量を測定し
た。測定結果を表3(反応初期)及び表4(3月後)に
示す。
The conversion rate and the hot spot temperature of the first catalyst layer and the second catalyst layer at the beginning of the reaction and three months after the beginning of the reaction were measured in accordance with the above-described method of measuring the continuous catalyst layer type.
Further, the yield of phthalic anhydride and the amount of phthalide were measured. The measurement results are shown in Table 3 (early stage of reaction) and Table 4 (after three months).

【0076】製造例No.5;各触媒層を、触媒Jと直
径6mmの球状のSiC自焼結担体(気孔率35%、純
度98.5%)との混合物で形成した。そして、混合物
中の触媒Jの含有率を、第1触媒層では35質量%と
し、第2触媒層では60質量%とし、第3触媒層では1
00質量%とした。
Production Example No. 5: Each catalyst layer was formed of a mixture of the catalyst J and a spherical SiC self-sintering support having a diameter of 6 mm (porosity 35%, purity 98.5%). The content of the catalyst J in the mixture was 35% by mass in the first catalyst layer, 60% by mass in the second catalyst layer, and 1% in the third catalyst layer.
It was set to 00% by mass.

【0077】反応初期及び反応初期から3月後の第1触
媒層及び第2触媒層の転化率並びにホットスポット温度
を上記触媒層連続タイプの測定方法に準じて測定した。
また、無水フタル酸の収率およびフタライド量を測定し
た。測定結果を表3(反応初期)及び表4(3月後)に
示す。
The conversion rate and the hot spot temperature of the first catalyst layer and the second catalyst layer at the beginning of the reaction and three months after the beginning of the reaction were measured according to the above-mentioned method of measuring the continuous catalyst layer type.
Further, the yield of phthalic anhydride and the amount of phthalide were measured. The measurement results are shown in Table 3 (early stage of reaction) and Table 4 (after three months).

【0078】製造例No.6;内径25mm、長さ1.
5mの鉄製反応管3本を、直列に接続した。各反応管
に、触媒Bを高さ0.9m充填することにより、ガス導
入側から第1触媒層、第2触媒層、第3触媒層を形成し
た。
Production Example No. 6; inner diameter 25 mm, length 1.
Three 5 m iron reaction tubes were connected in series. By filling each reaction tube with catalyst B at a height of 0.9 m, a first catalyst layer, a second catalyst layer, and a third catalyst layer were formed from the gas introduction side.

【0079】第1触媒層が形成されたガス入り口側の反
応管(第1反応管)を浸している溶融塩浴の温度
(M1)を335℃に保持し、第2触媒層が形成された
反応管(第2反応管)を浸している溶融塩浴の温度(M
2)を350℃に保持し、第3触媒層が形成されたガス
出口側の反応管(第3反応管)を浸している溶融塩浴の
温度(M3)を370℃に保持した。
The temperature (M 1 ) of the molten salt bath immersing the reaction tube (first reaction tube) on the gas inlet side on which the first catalyst layer was formed was maintained at 335 ° C., and the second catalyst layer was formed. Temperature (M) of the molten salt bath immersed in the reaction tube (second reaction tube)
2 ) was maintained at 350 ° C., and the temperature (M 3 ) of the molten salt bath in which the reaction tube (third reaction tube) on the gas outlet side on which the third catalyst layer was formed was maintained at 370 ° C.

【0080】このような状態で、製造例1の場合と同様
の条件で、原料ガス及び空気の混合ガスを第1触媒層が
充填された反応管の入り口に導入して、酸化反応を行っ
った。そして、反応初期及び反応初期から3月後の第1
触媒層及び第2触媒層の転化率並びにホットスポット温
度を、上記触媒層不連続タイプの測定方法に準じて測定
した。また、無水フタル酸の収率およびフタライド量を
測定した。測定結果を表3(反応初期)及び表4(3月
後)に示す。
In such a state, a mixed gas of the raw material gas and air was introduced into the inlet of the reaction tube filled with the first catalyst layer under the same conditions as in Production Example 1 to perform an oxidation reaction. Was. And the first stage of the reaction and three months after the beginning of the reaction
The conversion and the hot spot temperature of the catalyst layer and the second catalyst layer were measured in accordance with the above-mentioned measurement method of the catalyst layer discontinuous type. Further, the yield of phthalic anhydride and the amount of phthalide were measured. The measurement results are shown in Table 3 (early stage of reaction) and Table 4 (after three months).

【0081】[0081]

【表3】 [Table 3]

【0082】[0082]

【表4】 [Table 4]

【0083】上記製造例のうち、No.1〜6は本発明
の実施例に該当し、No.7〜9は比較例に該当する。
Of the above production examples, No. Nos. 1 to 6 correspond to the examples of the present invention. 7 to 9 correspond to comparative examples.

【0084】表3及び表4から、第1触媒層での転化率
が低い場合(No.7)には、無水フタル酸の収率が他
よりも劣っていた。また、第1触媒層での転化率が高す
ぎる場合(No.8)には、反応開始6日後から暴走し
てしまった。また、第1触媒層での転化率が適正であっ
ても、第2触媒層での転化率が低い場合(No.9)に
は、やはり無水フタル酸の収率が本発明の実施例(N
o.1〜6)よりも劣り、副生成物であるフタライドの
生成率が高めであった。
As shown in Tables 3 and 4, when the conversion in the first catalyst layer was low (No. 7), the yield of phthalic anhydride was inferior to the others. When the conversion in the first catalyst layer was too high (No. 8), runaway occurred six days after the start of the reaction. In addition, even if the conversion rate in the first catalyst layer is appropriate, when the conversion rate in the second catalyst layer is low (No. 9), the yield of phthalic anhydride is still lower than that in the example of the present invention ( N
o. 1) to 6), and the yield of phthalide as a by-product was high.

【0085】一方、本発明の実施例に該当する製造例N
o.1〜6は、いずれも反応初期3月後であっても、各
触媒層での転化率、ホットスポット温度は反応初期と同
程度であり、安定した反応が起こっていることがわか
る。また、無水フタル酸の収率も高い。
On the other hand, Production Example N corresponding to the embodiment of the present invention
o. In all of the samples Nos. 1 to 6, even after three months from the beginning of the reaction, the conversion ratio and the hot spot temperature in each catalyst layer were almost the same as those in the initial stage of the reaction, indicating that a stable reaction had occurred. Also, the yield of phthalic anhydride is high.

【0086】〔ナフタレン酸化によるフタル酸の製造〕 製造例No.10;内径25mm、長さ3.5mの鉄製
反応管に、出口部から第3触媒として触媒Mを高さ0.
9m充填して第3触媒層を形成し、次いで触媒Lを0.
9mの高さに充填して第2触媒層を形成し、さらにその
上に触媒Kを高さ0.9m充填して第1触媒層を形成し
た。
[Production of phthalic acid by naphthalene oxidation] 10: A catalyst M having a height of 0. 3 as a third catalyst was placed in an iron reaction tube having an inner diameter of 25 mm and a length of 3.5 m from the outlet.
The third catalyst layer was formed by filling 9 m, and then the catalyst L was added to 0.1.
The second catalyst layer was formed by filling to a height of 9 m, and the first catalyst layer was formed thereon by further filling the catalyst K to a height of 0.9 m.

【0087】この反応管を365℃の溶融塩浴に浸した
状態で、90g/Nm3のナフタレンと空気の混合ガス
を、4.0Nm3/hrの速度(標準状態で空間速度2
900Hr-1)で導入した。
While the reaction tube was immersed in a molten salt bath at 365 ° C., a mixed gas of 90 g / Nm 3 of naphthalene and air was supplied at a speed of 4.0 Nm 3 / hr (space velocity of 2 at the standard state).
900 Hr -1 ).

【0088】反応初期、反応初期から3月後の無水フタ
ル酸の収率および未反応副生物であるナフトキノン量を
測定した。測定結果を表5に示す。尚、ナフタレンの転
化率はほぼ100%であり、無水フタル酸の収率は、フ
タル酸の選択率とみなすことができる。
At the beginning of the reaction, three months after the beginning of the reaction, the yield of phthalic anhydride and the amount of unreacted by-product naphthoquinone were measured. Table 5 shows the measurement results. The conversion of naphthalene is almost 100%, and the yield of phthalic anhydride can be regarded as the selectivity of phthalic acid.

【0089】また、反応初期及び反応初期から3月後の
第1触媒層及び第2触媒層の転化率、各工程のホットス
ポット温度を、上記触媒層連続タイプの測定方法に基づ
いて測定した。測定結果を表5に示す。
The conversion rates of the first catalyst layer and the second catalyst layer at the beginning of the reaction and three months after the beginning of the reaction, and the hot spot temperature of each step were measured based on the above-described method of measuring the continuous catalyst layer type. Table 5 shows the measurement results.

【0090】製造例No.11〜14;各触媒層の触
媒、溶融塩浴温度(M)を表5に示すように変更した以
外は、製造例No.10と同様にして、ナフタレンの酸
化反応を行わせ、フタル酸を製造した。また、反応初
期、反応初期から3月後の無水フタル酸の収率、ナフト
キノン量を測定した。また、第1触媒層及び第2触媒層
の転化率、並びに各触媒層のホットスポット温度を、上
記触媒層連続タイプの方法に準じて測定した。結果を表
5に示す。
Production Example No. Production Examples No. 11 to 14: Except that the catalyst of each catalyst layer and the molten salt bath temperature (M) were changed as shown in Table 5, In the same manner as in Example 10, naphthalene was oxidized to produce phthalic acid. The yield of phthalic anhydride and the amount of naphthoquinone were measured at the beginning of the reaction and three months after the beginning of the reaction. In addition, the conversion rates of the first catalyst layer and the second catalyst layer, and the hot spot temperature of each catalyst layer were measured according to the above-described method of the catalyst layer continuous type. Table 5 shows the results.

【0091】[0091]

【表5】 [Table 5]

【0092】本発明の実施例に該当する製造例No.1
0,11は、反応初期から3月後まで、ナフタレン転化
率、ホットスポット温度の値が安定しており、高い無水
フタル酸の収率を反応初期だけでなく3月後も維持して
いた。
Manufacturing Example No. corresponding to the embodiment of the present invention. 1
In Nos. 0 and 11, the values of naphthalene conversion and hot spot temperature were stable from the beginning of the reaction to March, and a high phthalic anhydride yield was maintained not only at the beginning of the reaction but also after March.

【0093】これに対して、第1触媒層での転化率が低
い製造例No.12は、第2触媒層でのホットスポット
温度が高くなりすぎて、反応初期から無水フタル酸の収
率が劣っていた。逆に、第1触媒層での転化率が高すぎ
る製造例No.13は、第1触媒層でのホットスポット
温度が高くなりすぎ、反応初期から3月後には無水フタ
ル酸収率が3質量%も低下した。また第1触媒層での転
化率を本発明の範囲内としても第2触媒層での転化率が
低すぎると、第3触媒層でのホットスポット温度が高く
なり、結局、無水フタル酸の収率が劣り、しかもナフト
キノンの副生が多くなった。
On the other hand, in Production Example No. having a low conversion rate in the first catalyst layer. In No. 12, the hot spot temperature in the second catalyst layer was too high, and the yield of phthalic anhydride was inferior from the beginning of the reaction. Conversely, in the case of Production Example No. In No. 13, the hot spot temperature in the first catalyst layer was too high, and the phthalic anhydride yield decreased by 3% by mass three months after the initial stage of the reaction. Also, even if the conversion in the first catalyst layer is within the range of the present invention, if the conversion in the second catalyst layer is too low, the hot spot temperature in the third catalyst layer will increase, and eventually the yield of phthalic anhydride will increase. The rate was poor, and naphthoquinone by-product increased.

【0094】[0094]

【発明の効果】本発明の製造方法は、触媒層を分割する
とともに、各触媒層の転化率を調節しているので、高濃
度の原料ガスを導入しても、各触媒層におけるホットス
ポット部での温度上昇が抑制され、触媒の経時劣化を少
なくし、暴走反応を起こすことなく安定に、しかも高い
収率で無水フタル酸を製造することができる。
According to the production method of the present invention, since the catalyst layers are divided and the conversion of each catalyst layer is adjusted, even if a high-concentration raw material gas is introduced, hot spots in each catalyst layer can be obtained. Phthalic anhydride can be produced stably without a runaway reaction and with a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の製造方法を実施する製造装置の第1の
実施形態の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a first embodiment of a manufacturing apparatus that performs a manufacturing method of the present invention.

【図2】本発明の製造方法を実施する製造装置の第2の
実施形態の構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a second embodiment of a manufacturing apparatus that performs the manufacturing method of the present invention.

【図3】本発明の製造方法を実施する製造装置の第3の
実施形態の構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a third embodiment of a manufacturing apparatus that performs the manufacturing method of the present invention.

【図4】本発明の製造方法を実施する製造装置の第4の
実施形態の構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a fourth embodiment of a manufacturing apparatus that performs the manufacturing method of the present invention.

【図5】本発明の製造方法における触媒層での温度変化
を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing a temperature change in a catalyst layer in the production method of the present invention.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1又は2以上の固定床反応器を用いて、
オルソキシレン及び/又はナフタレンを、酸素含有ガス
で接触気相酸化して無水フタル酸を製造する方法であっ
て、 前記気相接触反応が行われる触媒層が3つ以上に分割さ
れていて、 第1触媒層の出口での、オルソキシレン及び/又はナフ
タレンの転化率が30〜70%であり、 第2触媒層の出口での、オルソキシレン及び/又はナフ
タレンの転化率が70%以上である無水フタル酸の製造
方法。
1. Using one or more fixed bed reactors,
A method for producing phthalic anhydride by catalytic vapor-phase oxidation of ortho-xylene and / or naphthalene with an oxygen-containing gas, wherein a catalyst layer in which the gas-phase catalytic reaction is performed is divided into three or more, Anhydrous wherein the conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the first catalyst layer is 30 to 70%, and the conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the second catalyst layer is 70% or more. A method for producing phthalic acid.
【請求項2】 各触媒層におけるホットスポット温度
(℃)をHSとし、各触媒層の保持温度(℃)をMと
し、標準状態で1m3あたりの酸素含有ガスに対するオ
ルソキシレン及びナフタレンの総質量(g)をWとし、
下記式で定義されるΔTが、第1触媒層では0.35〜
0.85℃/(g/Nm3)であり、第2触媒層では
0.45〜1.20℃/(g/Nm3)である請求項1
に記載の無水フタル酸の製造方法。 ΔT=(HS−M)/W
2. The hot spot temperature (° C.) of each catalyst layer is defined as HS, the holding temperature (° C.) of each catalyst layer is defined as M, and the total mass of orthoxylene and naphthalene per 1 m 3 of oxygen-containing gas under standard conditions (G) is W,
ΔT defined by the following equation is 0.35 to
2. The temperature is 0.85 ° C./(g/Nm 3 ) and 0.45 to 1.20 ° C./(g/Nm 3 ) in the second catalyst layer.
3. The method for producing phthalic anhydride according to 1.). ΔT = (HS−M) / W
【請求項3】 前記触媒層の分割は3つであって、第1
触媒層の出口における、オルソキシレン及び/又はナフ
タレンの転化率が30〜70%であり、 第1触媒層に続く第2触媒層の出口における、オルソキ
シレン及び/又はナフタレンの転化率が70〜95%で
あり、 第2触媒層に続く第3触媒層の出口における、オルソキ
シレン及び/又はナフタレンの転化率が99%以上であ
る請求項1に記載の無水フタル酸の製造方法。
3. The catalyst layer is divided into three parts.
The conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the catalyst layer is 30 to 70%, and the conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the second catalyst layer following the first catalyst layer is 70 to 95%. The method for producing phthalic anhydride according to claim 1, wherein the conversion of orthoxylene and / or naphthalene at the outlet of the third catalyst layer following the second catalyst layer is 99% or more.
【請求項4】 各触媒層におけるホットスポット温度
(℃)をHSとし、各触媒層の保持温度(℃)をMと
し、標準状態で1m3あたりの酸素含有ガスに対するオ
ルソキシレン及びナフタレンの総質量(g)をWとし、
下記式で定義されるΔTが、第1触媒層では0.35〜
0.85℃/(g/Nm3)、第2触媒層では0.45
〜1.20℃/(g/Nm3)、第3触媒層では0.2
5〜0.70℃/(g/Nm3)である請求項3に記載
の無水フタル酸の製造方法。 ΔT=(HS−M)/W
4. The hot spot temperature (° C.) of each catalyst layer is HS, the holding temperature (° C.) of each catalyst layer is M, and the total mass of orthoxylene and naphthalene per 1 m 3 of oxygen-containing gas under standard conditions (G) is W,
ΔT defined by the following equation is 0.35 to
0.85 ° C./(g/Nm 3 ), 0.45 in the second catalyst layer
1.21.20 ° C./(g/Nm 3 ), and 0.2 g for the third catalyst layer.
5~0.70 ℃ / (g / Nm 3 ) a method for producing phthalic anhydride according to claim 3. ΔT = (HS−M) / W
【請求項5】 第1触媒層、第2触媒層、及び第3触媒
層の総高さに対する、 第1触媒層の長さは25〜54%、第2触媒層の長さは
21〜54%、第3触媒層の長さは14〜46%である
請求項3または4のいずれかに記載の無水フタル酸の製
造方法。
5. The length of the first catalyst layer is 25% to 54% of the total height of the first catalyst layer, the second catalyst layer, and the third catalyst layer, and the length of the second catalyst layer is 21% to 54%. 5. The method for producing phthalic anhydride according to claim 3, wherein the third catalyst layer has a length of 14 to 46%.
【請求項6】 前記各触媒層に用いられている各触媒
は、 酸化バナジウム及び酸化チタンを含んでいる請求項1〜
5のいずれかに記載の無水フタル酸の製造方法。
6. Each of the catalysts used in each of the catalyst layers contains vanadium oxide and titanium oxide.
5. The method for producing phthalic anhydride according to any one of 5.
【請求項7】 前記触媒には、さらにニオブと、リン
と、アンチモンと、ナトリウム、カリウム、ルビジウ
ム、セシウム、及びタリウムからなる群より選ばれる少
なくとも1種と、を含む請求項6に記載の無水フタル酸
の製造方法。
7. The anhydrous catalyst according to claim 6, wherein the catalyst further comprises niobium, phosphorus, antimony, and at least one selected from the group consisting of sodium, potassium, rubidium, cesium, and thallium. A method for producing phthalic acid.
【請求項8】 前記各触媒層に充填されている触媒は、
不活性担体に担持されていて、 第1触媒層からその後に続く触媒層に従って、順次該触
媒層の空隙率が小さくなるように充填されている請求項
1〜7のいずれかに記載の無水フタル酸の製造方法。
8. The catalyst filled in each of the catalyst layers,
The anhydrous phthalate according to any one of claims 1 to 7, wherein the phthalic anhydride is supported on an inert carrier and is packed so that the porosity of the catalyst layer decreases in order from the first catalyst layer to the catalyst layer that follows. Method for producing acid.
【請求項9】 前記各触媒層には、各触媒と不活性物質
との混合物が用いられていて、 該混合物中の前記不活性物質の含有率が、第1触媒層か
らその後に続く触媒層に従って、順に少なくなっている
請求項1〜7のいずれかに記載の無水フタル酸の製造方
法。
9. A mixture of each catalyst and an inert substance is used for each of the catalyst layers, and the content of the inert substance in the mixture is such that the content of the inert substance in the mixture continues from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer. The method for producing phthalic anhydride according to any one of claims 1 to 7, wherein the amount of the phthalic anhydride decreases in order.
【請求項10】 前記触媒の各触媒層に充填されている
触媒は、不活性担体に担持されていて、 担持率が、第1触媒層からその後に続く触媒層に従っ
て、順に高くなっている請求項1〜7のいずれかに記載
の無水フタル酸の製造方法。
10. The catalyst filled in each catalyst layer of the catalyst is supported on an inert carrier, and the supporting rate increases in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer. Item 8. The method for producing phthalic anhydride according to any one of Items 1 to 7.
【請求項11】 第1触媒層からその後に続く触媒層に
従って、各触媒層に用いられている触媒のリン含有率が
順に高くなっている請求項7〜10のいずれかに記載の
無水フタル酸の製造方法。
11. The phthalic anhydride according to claim 7, wherein the phosphorus content of the catalyst used in each of the catalyst layers increases in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer. Manufacturing method.
【請求項12】 前記各触媒における、ナトリウム、カ
リウム、セシウム、ルビジウム及びタリウムの含有総量
は、第1触媒層からその後に続く触媒層に従って順に少
なくなっている請求項7〜10のいずれかに記載の無水
フタル酸の製造方法。
12. The catalyst according to claim 7, wherein the total content of sodium, potassium, cesium, rubidium and thallium in each of the catalysts decreases in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer. For producing phthalic anhydride.
【請求項13】 前記触媒層の保持温度が、第1触媒層
からその後に続く触媒層に従って順に高くなっている請
求項1〜12のいずれかに記載の無水フタル酸の製造方
法。
13. The method for producing phthalic anhydride according to claim 1, wherein the holding temperature of the catalyst layer increases in order from the first catalyst layer to the subsequent catalyst layer.
【請求項14】 1つの反応器を使用し、 該反応器中に、前記各触媒層が積層して形成されている
請求項1〜13のいずれかに記載の無水フタル酸の製造
方法。
14. The method for producing phthalic anhydride according to claim 1, wherein a single reactor is used, and each of said catalyst layers is formed by laminating in said reactor.
【請求項15】 複数の反応器を使用し、 該反応器に形成された触媒層が、前記転化率を有するよ
うに接続されている請求項1〜13のいずれかに記載の
無水フタル酸の製造方法。
15. The phthalic anhydride according to claim 1, wherein a plurality of reactors are used, and a catalyst layer formed in the reactors is connected to have the conversion. Production method.
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