JP2001056919A

JP2001056919A - 磁気ヘッド用基板及びこれを用いた磁気ヘッド

Info

Publication number: JP2001056919A
Application number: JP11227957A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Yokote; 博行横手; Tatsuya Kimura; 達哉木村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-08-11
Filing date: 1999-08-11
Publication date: 2001-02-27
Also published as: US6437943B1

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系と同等の機械的強
度及びミリング性を維持しつつ、放熱性を上げると共に
更に素子のメディア面への接触を防止し、更に膜密着強
度、電気的な耐圧、面品位に優れた磁気ヘッド用基板を
提供する。【解決手段】炭化ケイ素を９９重量％以上、遊離カーボ
ン０．３重量％以下含有し、相対密度が９９％以上の焼
結体で磁気ヘッド用基板を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はコンピューターの記
録装置であるハードディスクドライブやテープドライブ
等に用いられる磁気ヘッド並びにそれに用いる磁気ヘッ
ド用基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化は急速に進ん
でおり、ハードディスク、８ｍｍＶＴＲ、電子スチルカ
メラ、ビデオフロッピーやデジタルオーディオ等の高保
持力媒体の記録再生用磁気ヘッドとして、従来のフェラ
イト等を使用した磁気ヘッドに代わって、磁性薄膜を利
用した磁気記録高密度化に好適な薄膜磁気ヘッドが使用
されている。この薄膜磁気ヘッド用スライダ材料には、
（１）耐摩耗性に優れること、（２）摺動面の表面平滑
性に優れること、（３）機械加工性に優れること、
（４）イオンミリング、反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）といったミリング特性に優れること、等の特性が要
求されており、このような要求に対して、アルミナ−炭
化チタン（ＴｉＣ）系セラミックスが採用されている。

【０００３】更に近年、記録密度の向上のため、主とし
て磁気ヘッドの素子には磁気抵抗効果を用いたＭＲ（Ｍ
ａｇｎｅｔｒｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）、或いはＧＭＲ
（ＧｉａｎｔＭＲ）といった技術が導入されている。
このＭＲ、或いはＧＭＲ素子の読みとり感度向上の為
に、センス電流を上げることが必要となってきた。更
に、記録密度を向上させるには、磁気ディスク上の媒体
の磁化される体積を小さくする必要がある。ハードディ
スクドライブ用ＭＲ、ＧＭＲヘッドスライダーの場合に
は、ヘッドスライダーの浮上量が１μ”程度、即ちニア
コンタクトに近くなってきており、摺動時のメディアと
の接触でＭＲ素子部の温度変化を生じやすくなり、先の
媒体の磁化される体積が小さくなる程、ピン層の磁化方
向が不安定になり、この結果ヘッドの特性が劣化してし
まうという、いわゆるサーマルアスペリティ現象も非常
に大きな問題となってきた。この結果、素子周りの放熱
性を上げることが必要となってきた。

【０００４】この対策としてＧＡＰ膜を熱伝導性の高
いＡｌＮやＤＬＣにしたり、従来用いられているＡｌ₂
Ｏ₃−ＴｉＣ系基板上のアモルファスアルミナの膜厚を
薄くすることで、（１）ＭＲ素子をＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ
基板に近づけ放熱性を上げる、（２）Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔｉ
Ｃ基板とアルミナ膜の硬度差によるリセスを利用して素
子がメディア面と衝突することを防止する等の対策がと
られている。或いはアモルファスアルミナとＡｌ₂Ｏ₃
−ＴｉＣ系基板の間に熱伝導性の高いＤＬＣ膜を成膜す
ることで放熱性を上げている。

【０００５】しかしながらこれら素子周りの放熱性を向
上させるのみでは十分な対策に至っておらず基板自体も
放熱性の高い材料が必要になってきた。従来のＡｌ₂Ｏ
₃−ＴｉＣ系基板材料では熱伝導率が２５Ｗ／ｍ・Ｋ程
度であり、基板上への成膜に高熱伝導膜を使用しても磁
気ヘッド全体として十分な放熱性が得られない。

【０００６】そこで基板材料の放熱性が良好な点から熱
伝導率の高い炭化ケイ素質焼結体を磁気記録用部品に応
用する試みは、特開昭６３−１２８８８５号において、
焼結助剤を添加した焼結体の例が記載されている。また
特開平５−２５８２４１号においてＳｉＣ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ相とＴｉＮ、ＴｉＣ相の複合相とした焼結体をスライ
ダーとして用いることが提案されている。更に、特開平
１０−２５１０８６号にはシリコン（Ｓｉ）を含浸した
反応焼結の炭化ケイ素焼結体をスライダーとして用いる
ことが提案されている。

【０００７】一方、磁気ヘッドは、一般に以下のように
して作製される。まず、直径３〜６インチ程度の基板表
面にアルミナスパッタ膜を絶縁膜として形成した後、こ
の絶縁膜の上面にリソグラフィー技術を用い数千個の素
子を形成する。その上に更に絶縁性アルミナ膜を形成す
る。そしてスライダーとしての研磨代を考慮して、複数
個の磁気ヘッドを含むバーに切り出し、そのバーの切り
出し面の一面を摺動面として精密鏡面加工後、イオンミ
リング或いは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）といっ
た手法を用いて高精度の溝加工を行い負圧部を形成す
る。その後、個々の磁気ヘッドを切り出すことにより１
つの磁気ヘッドが形成される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−１２８８８５号に示されるようなＳｉＣ−Ａｌ−
Ｏ−Ｎ相とＴｉＮ、ＴｉＣ相の複合相とすること、或い
は特開平１０−２５１０８６号に示されるようなシリコ
ン（Ｓｉ）を含浸した反応焼結の炭化ケイ素焼結体は、
例えば後者においてシリコンと炭化ケイ素粒子との混在
物であるためにシリコンと炭化ケイ素粒子の硬度が異な
り、また鏡面加工におけるラッピングレート、或いは負
圧部加工のイオンミリングレートが異なる為に、加工後
に段差を生じやすくなり実用には耐えられないものであ
った。

【０００９】更に特開昭６３−１２８８８５号に示され
るような焼結助剤を添加含有する炭化ケイ素質焼結体と
しては、アルミナやイットリアを焼結助剤とする焼結体
が知られているが、この焼結体の粒界相には、助剤と炭
化ケイ素粉末中に含まれるシリカの反応で生成する複合
酸化物が形成されている為に、粒界相と炭化ケイ素粒子
との硬度、イオンミリング性の違いにより加工後に表面
が荒れてしまうものであった。

【００１０】更に焼結助剤としてホウ素及び炭素を添加
含有する炭化ケイ素質焼結体は、炭素を必須成分として
多く添加するために、焼結体中に遊離カーボンとして粒
子状に残存する。この結果、この残存したカーボン粒子
と、炭化ケイ素粒子との硬度や化学的特性の違いにより
加工性が異なり、加工後にボイドが多数発生してしまう
ものであった。

【００１１】従って本発明は鏡面加工、イオンミリング
等の加工後においてもボイド或いは段差の発生を抑制
し、精密加工性が高く、且つ緻密で優れた平滑性を達成
できる磁気ヘッドスライダーを提供することを目的とす
るものである。

【００１２】また、磁気シールドと基板の絶縁性を持た
せ、且つ素子のメディア面への接触を防止し、更に膜密
着強度、電気的な耐圧、面品位に優れたアモルファス絶
縁膜を付けた基板を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁気ヘッド用
基板及び磁気ヘッドとして必要な熱伝導率、体積固有抵
抗値を有し、且つ良好な強度、摺動特性を有する材料に
ついて、種々検討を重ねた結果、シリコン（Ｓｉ）の炭
化物において、その純度、緻密度、その他特性を特定範
囲で制御することにより、前記目的が達成できることを
知見し、本発明に至った。

【００１４】即ち本発明の磁気ヘッド用基板は主成分で
あるシリコンカーバイド（ＳｉＣ）が全体の９９重量％
以上であり、遊離カーボンの含有量が０．３重量％以下
であり、且つ相対密度の９９％以上のセラミックスから
成ることを特徴とする。

【００１５】更に本発明の磁気ヘッドは、本発明の磁気
ヘッド用基板に絶縁下地膜であるアルミナやＡｌＮ、Ｂ
Ｎを形成してなることを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。

【００１７】本発明の磁気ヘッド用基板は炭化ケイ素を
９９重量％以上含み、遊離カーボンの含有量が０．３重
量％以下の高純度の炭化ケイ素質焼結体からなるもので
ある。しかも、炭化ケイ素の理論密度（３．２１）に対
する比率、即ち相対密度が９９％以上、好ましくは９
９．５％以上とすることが重要であり、イオン照射によ
る磁気ヘッドスライダーの摺動面、即ちＡＢＳの加工に
用いられるイオンミリング、或いはＲＩＥによる加工面
状態がスムースとなり、ヘッドの浮上量が安定し、ヘッ
ドの特性が安定するために磁気ヘッドとして好適であ
る。

【００１８】このような炭化ケイ素質焼結体は、鏡面加
工により表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
による測定で２０Å以下とすることができ、磁気ヘッド
用基板の薄膜素子形成面をこのような鏡面としておくこ
とが好ましい。しかも、実質的に単一相の高純度の炭化
ケイ素質焼結体であるため、イオンミリングあるいはＲ
ＩＥによる加工の際に表面が滑らかになり、表面粗さ
（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による測定で１０
０Å以下とすることができる。

【００１９】また、このような相対密度が９９重量％以
上の炭化ケイ素質焼結体は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・
Ｋと高くなり、磁気ヘッド素子の発熱に対する放熱性に
優れる為にメディアの温度変化を起こしにくくなり、サ
ーマルアスペリティ現象が発現しにくくなる。

【００２０】且つ、このような炭化ケイ素質焼結体は従
来のＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系基板と同等の４００ＧＰａ以
上のヤング率を有するために機械加工時或いは加工後の
剛性に優れ、平均結晶粒子径を１０．０μｍ以下と制御
することにより、強度増加に伴う基板からバー加工時の
切断折れを抑止することができ、更にはミリング後の平
滑性を高めることができる。

【００２１】さらに、この炭化ケイ素質焼結体は、室温
における体積固有抵抗値が１０⁹〜１０⁶Ω・ｃｍであ
り、磁気ヘッド用基板として最適である。

【００２２】なお、上記炭化ケイ素質焼結体は、焼結助
剤として炭化ホウ素を０．１〜０．４重量％の範囲で含
有することが好ましい。

【００２３】また、本発明の磁気ヘッド用基板上には磁
気シールド膜間の絶縁下地膜として、スパッタリング法
によりアモルファス膜を３〜２０μｍ形成する。あるい
は、上記絶縁下地膜として、基板上にスパッタリング法
により形成した厚み０．２〜２．４μｍの第１アモルフ
ァスアルミナ膜と、ＥＣＲスパッタリング法により形成
した１０Å〜０．５５μｍの第２のアモルファスアルミ
ナ膜とをこの順序または逆の順序で積層することが好ま
しい。このような絶縁下地膜とすることで、炭化ケイ素
質基板材料本体と共に磁気ヘッド素子部の放熱性を飛躍
的に向上させることができ、更には素子のメディア面へ
の接触を防止し、更に膜密着強度、電気的な耐圧、面品
位に優れた磁気ヘッド用基板を提供することができる。

【００２４】図１に本発明の磁気ヘッド用基板から作製
される磁気ヘッドの概要を示す。この磁気ヘッドにおい
て１は本発明の磁気ヘッド用基板からなるスライダー、
２は浮上面、３はＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフェ
イス）、４はステップ部、５は磁気素子である。そし
て、図２に示すように、スライダー１に絶縁下地膜７を
介して形成した磁気素子５をメディア６上で浮上させる
ことによって、記録再生を行なう。

【００２５】このような磁気ヘッドの製造方法は以下の
通りである。まず、直径３〜６インチ程度の磁気ヘッド
用基板表面に絶縁下地膜７を形成した後、この絶縁下地
膜７の上面にリソグラフィー技術を用い数千個の磁気素
子５を形成する。その上に更に絶縁性アルミナ膜を形成
する。そしてスライダーとしての研磨代を考慮して、複
数個の磁気ヘッドを含むバーに切り出し、そのバーの切
り出し面の一面を摺動面（浮上面２）として精密鏡面加
工後、イオンミリング或いは反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）といった手法を用いて高精度の溝加工を行い
負圧部をなす深さ１μｍ以下のステップ部４を形成す
る。その後、個々の磁気ヘッドを切り出すことにより１
つの磁気ヘッドが形成される。

【００２６】この時、上述したように本発明の炭化ケイ
素質焼結体は鏡面研磨やイオンミリングまたはＲＩＥに
より極めて平滑な面とでき、上記摺動面（浮上面２）は
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による測定で７Å以下、ステ
ップ部は同じく１００Å以下とすることが好ましい。

【００２７】なお、本発明の炭化ケイ素質焼結体の製造
方法には主に常圧焼結、ホットプレス、ＣＶＤ法などを
挙げることができ、ホットプレス、ＣＶＤ法においては
緻密な基板を製造することは可能であり、また比較的熱
伝導率が高い。それに対し、特開平５−３３０９１７で
示されるように常圧焼結においては熱伝導率が６０〜８
０Ｗ／ｍ・Ｋと低く、また完全な緻密体を得難い。その
為、１７００〜２０００℃の高圧不活性ガス中で熱処理
を施すことにより緻密化させ、また熱伝導率を効果的に
向上させることが知られている。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定される
ものではない。

【００２９】（実施例１）アチソン法によって合成され
た平均粒子径０．５μｍ、遊離シリカ２重量％、遊離カ
ーボン０．３重量％の炭化珪素粉末に平均粒子径０．８
μｍの炭化ホウ素粉末を用いて、種々の比率にてポリエ
チレン製容器にポリイミドボールを用いてボールミルに
混合し、炭化率４０％のフェノール樹脂を溶解させた有
機溶媒に混合粉末を添加混合後、有機溶媒を除去し、造
粒した。この造粒粉末をカーボン型に充填し、種々の温
度にて、アルゴン雰囲気中で３０ＭＰａの圧力を印加し
ながら１時間ホットプレス焼成し、直径４０ｍｍの焼結
体を得た。

【００３０】得られた焼結体を鏡面に研磨し、平均結晶
粒子径とアルキメデス法により密度を測定し、理論密度
を３．２０ｇ／ｃｍ³として相対密度を求めた。遊離カ
ーボンの量の測定はＪＩＳＲ１６１６に基づいて測定し
た。平均結晶粒子径は（ＮａＯＨ＋ＫＮＯ₃）混合液中
でエッチングし、炭化珪素結晶粒子の平均径をコード法
を用いて測定した。

【００３１】また、焼結体からＪＩＳＣ２１４１に基づ
いた試料を切り出し、熱伝導率、ヤング率、体積固有抵
抗を測定した。

【００３２】また、得られた鏡面の面粗さ（Ｒａ）を原
子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定し、更に鏡面基板から
バーに切り出し、鏡面に精密加工した後、ヘッド摺動部
をフォトレジストを用いてマスキングし、５．２×１０
^-4Ｔｏｒｒの真空中で保持し、３００Ｖ、２００ｍＡの
アルゴンビームにより０．６μｍの深さまでヘッドステ
ップ部の表面加工を行い、処理後の面粗さ（Ｒａ）をＡ
ＦＭにて測定した。それらの結果は表１の試料Ｎｏ．１
〜６に示す。

【００３３】また、比較として平均粒子径が１．５μ
ｍ、遊離ケイ素が１．５重量％、遊離カーボンが０．２
重量％のα型炭化ケイ素を用いて同様に焼結体を作製
し、同様の評価を行い、その結果を表１の試料Ｎｏ．７
に示す。

【００３４】更に、前記α型炭化ケイ素粉末とシリカ還
元法によって作製された平均粒子径０．５μｍ、遊離シ
リカ０．６重量％、遊離カーボン１．３重量％のβ型炭
化ケイ素粉末β型炭化ケイ素粉末を種々の割合で混合す
ると共に、平均粒子径０．８μｍの炭化ホウ素粉末を炭
化ケイ素粉末の合計に対して０．４重量％の割合で秤量
し、先の実施例と同様にして混合乾燥後、造粒した。こ
の造粒粉末をカーボン型に充填し、種々の温度で３０Ｍ
Ｐａの圧力を印加してホットプレス焼成し、得られた焼
結体を同様の評価を行い、結果を表１、２の試料８〜１
３に示した。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【表２】

【００３７】表１によると、相対密度が９９％より小さ
いと熱伝導率が極端に低くなる傾向にあり、十分な放熱
性が得られない。また優れた鏡面加工性が得られず、鏡
面加工後の基板表面部の面粗度が大きくなる。相対密度
が低いことに起因してボイドが基板内部に残存し、また
基板鏡面加工性が優れないために、イオンミリング後ス
テップ部の面粗度が著しく大きくなっており、いずれも
１００Åより大きい。浮上動圧部の面粗さが１００Åを
越えると浮上特性が不安定となり、安定したヘッド特性
が得られない恐れがある。

【００３８】また、炭化ケイ素の焼結に於いて添加カー
ボン及び遊離カーボンは炭化ケイ素粉末中に含まれる遊
離シリカと反応して炭化ケイ素を生成することにより、
焼結性が向上することが知られているが、焼結後に未反
応の遊離カーボンが残存すると化学量論組成による炭化
ケイ素に対する相対密度が低下するだけでなく、ヘッド
加工時のイオンミリング、ＲＩＥ等に於いてミリングレ
ートが炭化ケイ素と異なるために優先的にミリングされ
るため段差が生じ、急激にミリング後の面粗度が大きく
なる。また熱伝導率も低下する傾向にある。

【００３９】更に化学量論組成による炭化ケイ素に対す
る相対密度が小さい、或いは焼結体中の遊離カーボン量
の割合が大きいと電導性に大きく影響を与え、相対密度
が小さいと内部に存在する欠陥によって抵抗値が大きく
なり、遊離カーボンの割合が増加すると、カーボン自身
の導電性のために抵抗値が低下する。ヘッドを製造する
上で、材料は半導通程度、即ち体積固有抵抗値で１０⁶
〜１０⁹Ω・ｃｍ程度が望ましい。ここで炭化ケイ素の
純度も重要であり、純度が低い、即ち不純物が存在する
ことによって十分な導電性、イオンミリング性を得難
い。

【００４０】試料Ｎｏ．７は純度、カーボン量、相対密
度等、上記項目に対して十分な範囲内にあるが、結晶粒
子径が大きくなっており、それに伴いヘッドステップ部
ミリング後の面粗度が大きくなっている。これはステッ
プ部の深さが１μｍと結晶粒子径に対して非常に小さい
為、ミリングによる不均一な部分の残存に起因するもの
である。その為、結晶のサイズは小さいものが良く、平
均結晶粒子径で１０．０μｍ以下、より好ましくは４．
０μｍ以下である。

【００４１】本発明の試料ではいずれも炭化ケイ素が９
９重量％以上、遊離カーボン量が０．３重量％以下、相
対密度が９９％以上であり、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ
以上、ヤング率が４００ＧＰａ以上、平均結晶粒子径が
１０．０μm 以下、体積固有抵抗値が１０⁶〜１０⁹Ω
・ cmであった。

【００４２】また、これらの試料はいずれも、鏡面加工
後の面粗さ（Ｒａ）が２０Å、ヘッドステップ部のイオ
ンミリング後の面粗さ（Ｒａ）が１００Å以下、更には
ヘッド摺動部面粗さが７Å以下であった。

【００４３】（実施例２）実施例１の試料Ｎｏ．４の表
面粗度Ｒａが９Åの基板にスパッタリング法を用いて純
度９９．５％のアルミナターゲットを用いてスパッタリ
ング法にてアモルファスアルミナを成膜し、その後、球
状アルミナ微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて鏡面
加工を行った後、球状セリア微粉末を純水中に懸濁させ
た研磨液にて最終精密加工を行い、膜面表面粗度（Ｒ
ａ）３Åの膜厚１〜２５μm までのアモルファスアルミ
ナを作製した。

【００４４】これらの各試料に対し、加熱処理後の膜剥
離、及び常温抵抗値を測定し、その結果を表３に示す。

【００４５】加熱処理後の膜剥離については、各試料を
真空雰囲気内で６００℃の温度で加熱し、微分干渉顕微
鏡（５０倍）にて成膜段階の剥離状態を確認した。ま
た、常温抵抗値についてはＴｉ／Ａｕの電極を膜面に２
０ヶ所／φ４マイクロインチ形成し、常温で印加電圧１
０Ｖでもって三端子法を用いて膜表面と、基板の裏面と
の間の抵抗値を測定し、最低抵抗値を求めた。

【００４６】

【表３】

【００４７】表３に示す結果から明らかな通り、本発明
の試料Ｎｏ．２〜７についてはアモルファスアルミナ膜
厚みを３μｍ以上にすれば１０¹¹Ω以上の抵抗値とな
り、優れた耐電圧が得られるが、膜厚みが２０μｍを越
えるとスパッタリング時の膜内部の応力が高いために加
熱処理後の膜剥離が生じてしまう。従って、アモルファ
スアルミナの膜厚さは３〜２０μｍが望ましい。

【００４８】また、絶縁下地膜として、ＡｌＮ、ＢＮを
３〜２０μｍの範囲内としても同様の特性を得ることが
できる。

【００４９】（実施例３）実施例１の試料Ｎｏ．４の表
面粗度Ｒａが９Åの基板を用いて、表３に示すように、
純度９９．５％のアルミナターゲットを用いてスパッタ
リング法にてアモルファスアルミナを成膜し、その後、
球状アルミナ微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて鏡
面加工を行った後、球状セリア微粉末を純水中に懸濁さ
せた研磨液にて最終精密加工を行い、試料Ｎｏ．１〜７
の通り膜厚１〜２μｍ、膜面表面粗度（Ｒａ）３Åの第
１のアモルファスアルミナを形成した。

【００５０】しかる後、同表に示す通り、ＥＣＲスパッ
タリング法を用いて、膜厚を幾通りにも変えた第２のア
モルファスアルミナ膜を形成した。更に第２のアモルフ
ァスアルミナ膜に代えて通常のスパッタリング法により
アモルファスアルミナ膜をつづけて成膜した場合を試料
Ｎｏ．１として示す。

【００５１】実施例２と同様に加熱処理後の膜剥離、及
び抵抗値、更に表面粗度を測定し、評価した。

【００５２】

【表４】

【００５３】本発明の資料Ｎｏ．２〜６についてはアモ
ルファスアルミナ膜の厚みを２．５μｍ以内にしても、
抵抗値は１０¹¹Ω以上になり、優れた耐電圧が得られ、
更に加熱処理後に膜剥離が生じなくなり、表面粗度Ｒａ
も５Å以下であった。

【００５４】ＥＣＲスパッタによりアモルファスアルミ
ナ膜をつけると面粗さが大きくなる傾向があるが、その
反面、非常に高密度な膜が形成でき、成膜面の面粗度で
もＲａ１０Åを越えない非常に平滑な面が得られた。な
お、このような高密度膜であれば、ＣＭＰ加工すること
で、更に平滑な面が得られる。また、試料Ｎｏ．７の通
り、ＥＣＲスパッタリング法による第２のアモルファス
アルミナ膜を０．６μｍの厚みで形成した場合には２層
膜間の密度差による応力が高すぎるために、真空中の加
熱処理にて膜剥離が生じた。

【００５５】また、第１のスパッタリング法によるアモ
ルファス層の形成と第２のＥＣＲスパッタリング法によ
るアモルファス層の形成の順序を正転させても特性が失
われることはない。

【００５６】更に、第１のアモルファス層、及び第２の
アモルファス層はＡｌＮ、ＢＮを使用しても同様の特性
が得られる。

【００５７】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば高純
度の炭化ケイ素質焼結体の相対密度や粒子径を制御する
ことにより、鏡面加工性やミリング性に優れ、また諸材
料特性においても磁気ヘッドとして良好なヘッド特性を
得ることのでき、また基板上に絶縁下地膜を形成するこ
とにより炭化ケイ素質基板と磁気シールド膜間の絶縁が
とれ、炭化ケイ素質基板材料本体と共に磁気ヘッド素子
部の放熱性を飛躍的に向上させることができ、更には素
子のメディア面への接触を防止し、更に膜密着強度、電
気的な耐圧、面品位に優れた磁気ヘッド用基板を提供す
ることができる。。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッド用基板を用いた作製した磁
気ヘッドスライダーの斜視図である。

【図２】図１の磁気ヘッドの使用状態を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１スライダー２浮上面３ＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフェイス）４ステップ部５ＭＲ素子６メディア７絶縁下地膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭化珪素を９９重量％以上含み、遊離カー
ボン含有量が０．３重量％以下で、相対密度が９９％以
上の焼結体からなることを特徴とする磁気ヘッド用基
板。
【請求項２】上記焼結体が、室温における熱伝導率が１
００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、室温におけるヤング率が４００Ｇ
Ｐａ以上、平均結晶粒子径が１０．０μｍ以下、室温に
おける体積固有抵抗値が１０⁹〜１０⁶Ω・ｃｍである
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項３】薄膜素子形成面の表面粗度（Ｒａ）が、原
子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による測定で２０Å以下である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項４】表面に、絶縁下地膜としてアルミナ、Ａｌ
Ｎ、ＢＮから選ばれるスパッタリング法により形成した
厚み３〜２０μｍのアモルファス膜を成膜したことを特
徴とする請求項１記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項５】表面に、絶縁下地膜としてアルミナ、Ａｌ
Ｎ、ＢＮから選ばれるスパッタリング法により形成した
厚み０．２〜２．４μｍの第１のアモルファス膜と、Ｅ
ＣＲスパッタリング法による厚み１０〜５５００Åの第
２のアモルファス膜とを積層したことを特徴とする請求
項１記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項６】請求項１の磁気ヘッド用基板を用いて作製
された磁気ヘッドであって、摺動面の面粗度（Ｒａ）が
原子間力顕微鏡による測定で７Å以下であり、摺動面近
傍に備えた１μｍ以下の深さを有する浮上動圧用のステ
ップ部の面粗度（Ｒａ）が原子間力顕微鏡による測定で
１００Å以下であることを特徴とする磁気ヘッド。