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JP2001053336A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 - Google Patents

Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子

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Publication number
JP2001053336A
JP2001053336A JP22201899A JP22201899A JP2001053336A JP 2001053336 A JP2001053336 A JP 2001053336A JP 22201899 A JP22201899 A JP 22201899A JP 22201899 A JP22201899 A JP 22201899A JP 2001053336 A JP2001053336 A JP 2001053336A
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JP
Japan
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light emitting
layer
emitting device
well
group iii
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP22201899A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayoshi Koike
正好 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP22201899A priority Critical patent/JP2001053336A/ja
Priority to US09/631,980 priority patent/US6620643B1/en
Publication of JP2001053336A publication Critical patent/JP2001053336A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的安価な生産設備により製造が可能で、
照明として使用した際に色再現範囲が十分に広いフルカ
ラー対応の１チップ白色ＬＥＤを提供する。 【解決手段】 中間層１０４の上には、計５層の半導体
層により厚さ約５００ÅのＭＱＷ活性層１６０が形成さ
れている。本ＭＱＷ活性層１６０は、膜厚約１００Åの
GaＮから成る計２層のバリア層１６２と、発光波長が相
異なる計３層の井戸層とが交互に積層されて、ＭＱＷ構
造を成している。この３層の井戸層は、不純物(Zn,Si)
が添加された膜厚約２０ÅのAl0.1In0.9Ｎから成る赤色
発光井戸層１６１Ｒ、膜厚約５０ÅのGa0.8In0.2Ｎから
成る不純物無添加の緑色発光井戸層１６１Ｇ、膜厚約３
０ÅのGa0.95In0.05Ｎから成る不純物無添加の青色発光
井戸層１６１Ｂの順にそれぞれ積層されている。本白色
ＬＥＤでの照明によれば、従来の１チップ白色ＬＥＤで
は見ることができなかった赤色が見える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、色再現範囲の広い
白色発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】白色発光のＬＥＤ（ III族窒化物系化合
物半導体発光素子）としては、「赤崎勇：”青色発光デ
バイスの魅力”，Ｋbooks series 122（株）工業調査
会，1997.5.1」（以下「引用文献１」と言う。）に記載
されているもの、或いは、公開特許公報「特開平５−１
５２６０９：発光ダイオード」（以下「引用文献２」と
言う。）に記載されているもの等が一般に広く知られて
いる。
【０００３】図４に、上記引用文献１の白色発光の半導
体発光素子４００の断面図を示す。本半導体発光素子４
００は、金属カップ内に載置された青色発光の III族窒
化物系化合物半導体発光素子（ダイオード・チップ）の
周囲に、青色光を黄色光に変換するＹＡＧ系の蛍光体を
入れたものである。
【０００４】図５に、この半導体発光素子４００の発光
スペクトルのグラフを示す。チップから直接得られる光
は４５０ｎｍ付近に鋭いピークを示し、蛍光体からの光
は５５０ｎｍ付近をピークとするブロードなスペクトル
を示している。この白色ＬＥＤ（半導体発光素子４０
０）は、使用する蛍光体の量や化学組成比を調整するこ
とにより、発光色の色度を変化させることができる。
【０００５】図６は、半導体発光素子４００の色再現範
囲を示した色度図である。この様に使用する蛍光体の量
や化学組成比を調整することにより、本色度図中央の扇
形内部の任意の色を発光するＬＥＤを実現することが可
能である。
【０００６】また、上記引用文献１に記載されている白
色発光の「３in１フルカラーＬＥＤ」においては、赤色
発光のＬＥＤチップとしてGaAlAsより成る半導体発光素
子を使用している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】例えば、図６に示した
様に、従来の半導体発光素子４００によれば、色再現範
囲が十分に広くはないため、これらを照明として用いた
際、特に緑色や赤色が見えなかった。この様に、従来
は、色再現範囲が十分に広いフルカラー対応の照明を１
チップの半導体発光素子で実現することは容易ではなか
った。
【０００８】また、上記の「３in１フルカラーＬＥＤ」
においては、白色を得るためのチップ数が多くなるため
に、製造工程が複雑になり、製造に時間がかかると共に
生産コストが高くなるという問題があった。
【０００９】また、上記の「３in１フルカラーＬＥＤ」
などの従来の半導体発光素子においては、赤色発光チッ
プを実現するために赤色発光の半導体層の中に砒素(As)
を使用していた。しかし、砒素(As)化合物等を用いた製
品を量産する際には、生態系や環境に対する細かな配慮
が特に必要となり、設備投資や生産性の面で問題があっ
た。
【００１０】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的は、砒素(As)化合物等を使
用せず、よって特別な配慮を必要としない比較的安価な
生産設備により製造が可能な、色再現範囲が十分に広い
フルカラー対応の１チップ白色ＬＥＤを提供することで
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めには、以下の手段が有効である。即ち、第１の手段
は、量子井戸構造を有する（Alx Ga1-x ) y In1-y Ｎ(0
≦ｘ≦１；0 ≦ｙ≦1)からなる III族窒化物系化合物よ
り形成された半導体層が積層された半導体発光素子にお
いて、複数の井戸層の内の少なくとも３層以上の井戸層
の各混晶比を互いに異ならせ、少なくとも１つの井戸層
にはアクセプタ不純物及びドナー不純物を添加すること
で井戸層を構成し、少なくとも３層以上の井戸層から発
光される各光の色度を互いに異ならせることにより、全
井戸層の発光に基づいて光取出面から放射される合成光
を白色光とすることである。
【００１２】尚、上記の各々の井戸層は、単一量子井戸
構造を成す井戸層であっても、多重量子井戸構造を構成
する井戸層であっても良い。また、上記の各々の井戸層
は、その井戸層の中に更に膜厚の薄いバリア層を備えて
いても良い。また、上記の各々の井戸層は、互いに各々
相互干渉するものであっても、互いに各々相互干渉しな
いものであっても良い。
【００１３】また、第２の手段は、上記の第１の手段に
おいて、赤色発光井戸層の混晶比をAly In1-y Ｎ（０≦
ｙ≦0.1 ）とすることである。
【００１４】また、第３の手段は、上記の第１又は第２
の手段において、不純物が添加されていないIn1-y Gay
N （0.7 ≦ｙ＜１）より形成された青色発光井戸層及び
緑色発光井戸層を備えることである。ただし、この青色
発光井戸層は、青色(455nm〜485nm)よりも若干発光波長
の短い青紫色(380nm〜455nm)の光を発光する井戸層であ
っても良い。
【００１５】また、第４の手段は、上記の第１乃至第３
の何れか１つの手段において、アクセプタ不純物及びド
ナー不純物の濃度をそれぞれ１×1017／cm3 以上、１×
1021／cm3 以下にすることである。
【００１６】また、第５の手段は、上記の第１乃至第４
の何れか１つの手段において、アクセプタ不純物とし
て、亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム
（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂ
ａ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）を用いることである。
【００１７】また、第６の手段は、上記の第１乃至第５
の何れか１つの手段において、ドナー不純物として、炭
素（Ｃ）、シリコン(Si)、スズ(Sn)、硫黄(S )、セレン
(Se)、又はテルル(Te)を用いることである。
【００１８】また、第７の手段は、上記の第１乃至第６
の何れか１つの手段において、井戸層を光取出面に近付
く程発光波長が短くなる順に積層することである。
【００１９】更に、第８の手段は、上記の第１乃至第７
の何れか１つの手段において、各井戸層の膜厚、混晶
比、添加不純物の種類、添加不純物の濃度、又は各発光
波長別の層数を各々調整することにより、井戸層から発
光される各光の色度図上における色度座標の、明度によ
る加重平均座標を白色点座標（1/3,1/3 ）に略一致する
様に構成することである。以上の手段により、前記の課
題を解決することができる。
【００２０】
【作用及び発明の効果】本発明の手段によれば、赤色発
光井戸層と、赤色以外に発光する２つ以上の井戸層とが
構成されるため、少なくとも３層以上の井戸層から互い
に色度の異なる光が発光される。従って、本発明の白色
ＬＥＤを照明として用いた場合、従来の１チップ白色Ｌ
ＥＤによる照明では見ることができなかった赤色が見え
るようになる。
【００２１】この時、光取出面から放射される合成光の
色度座標を（ｘ，ｙ) 、各井戸層から発光される光の色
度座標と明度をそれぞれ（ｘi ，ｙi ）、Ｍi とすれ
ば、これらの数値の間には、次の関係が成り立つ。
【数１】 （ i=1ΣN Ｍi ）（ｘ，ｙ) ＝ i=1ΣN ｛Ｍi （ｘi ，ｙi ）｝ …（１） ただし、ここで、Ｎは全井戸層の層数である。
【００２２】ここで、各井戸層の混晶比、添加不純物の
種類、添加不純物の濃度は、各井戸層の発光波長を決定
するパラメーターとなり得、また、各井戸層の膜厚、及
び各発光波長別の層数は、各発光波長毎の発光強度（明
度）を決定するパラメーターとなり得る。従って、上記
の各種パラメーターを各井戸層毎に各々最適に調整すれ
ば、これらの各井戸層から発光される光の色度座標点
（ｘi ，ｙi ）を各頂点とする色度図上における多角形
の内部に位置する任意の色をこれらの光の合成により全
て再現することが可能となる。
【００２３】例えば、計３層の井戸層により上記の多角
形（よって三角形）を構成する場合には、赤色発光井戸
層、緑色発光井戸層、及び青色発光井戸層の３層で全井
戸層を構成することにより、最も広範囲の色を再現する
ことが可能となる（図３）。ただし、この青色発光井戸
層は、青色(455nm〜485nm)よりも若干発光波長の短い青
紫色(380nm〜455nm)の光を発光する井戸層であっても良
い。
【００２４】従って、特に、上記の多角形を色度図上に
広範にとり、全井戸層から発光される各光の色度図上に
おける色度座標の明度による加重平均座標を白色点座標
（1/3,1/3 ）に略一致する様に構成すれば、式（１）に
示す光の合成作用により、白色照明等に利用した際に色
再現範囲が十分に広いフルカラー対応の１チップ白色Ｌ
ＥＤを実現することができる。
【００２５】また、井戸層を光取出面に近付く程発光波
長が短くなる順に積層すれば、各井戸層から発光された
光が光取出面側に存在する井戸層で吸収される光吸収作
用が防止され、光の取出効率が高くなるともに、色度の
制御性が向上する。
【００２６】更に、本発明の手段によれば、製品（ III
族窒化物系化合物半導体発光素子）及び製造工程におい
て、砒素(As)化合物等を使用しなくて良い。このため、
特別な配慮を必要としない比較的安価な生産設備により
白色ＬＥＤを製造することが可能となる。これらの作用
・効果により、前記の課題を解決し、本発明の目的を達
成することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。図１に、本発明によるワイヤー・ボ
ンディング型の半導体発光素子１００の断面図を示す。
サファイヤ基板１０１の上には窒化アルミニウム(AlN)
から成る膜厚約２００Åのバッファ層１０２が設けら
れ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約
4.0 μｍのｎ型コンタクト層１０３が形成されている。
【００２８】このｎ型コンタクト層１０３の上には、ノ
ンドープのIn0.03Ga0.97N から成る膜厚約２０００Åの
中間層１０４が形成されている。
【００２９】そして、中間層１０４の上には、膜厚約２
５０ÅのＧａＮから成るｎ型クラッド層１０５が形成さ
れ、その上に計５層の半導体層により厚さ約３００Åの
ＭＱＷ活性層１６０が形成されている。本ＭＱＷ活性層
１６０は、膜厚約１００ÅのGaＮから成る計４層のバリ
ア層１６２と、発光波長が相異なる計３層の井戸層とが
交互に積層されることによりＭＱＷ構造を成している。
【００３０】この３層の井戸層は、不純物(Zn,Si) が添
加された膜厚約２０ÅのAl0.1In0.9Ｎから成る赤色発光
井戸層１６１Ｒ、膜厚約５０ÅのIn0.2 Ga0.8 Ｎから成
る不純物無添加の緑色発光井戸層１６１Ｇ、膜厚約３０
ÅのIn0.05Ga0.95Ｎから成る不純物無添加の青色発光井
戸層１６１Ｂの順にそれぞれバリア層１６２を介して積
層されている。
【００３１】このＭＱＷ活性層１６０の上には、膜厚約
１００ÅのＧａＮキャップ層１０７が形成され、その上
にｐ型Al0.12Ga0.88N から成る膜厚約２００Åのｐ型ク
ラッド層１０８が形成されており、更に、ｐ型クラッド
層１０８の上にはｐ型Al0.05Ga0.95N から成る膜厚約６
００Åのｐ型コンタクト層１０９が形成されている。
【００３２】又、ｐ型コンタクト層１０９の上には金属
蒸着による透光性薄膜正電極１１０が、ｎ型コンタクト
層１０３上には負電極１４０が形成されている。透光性
薄膜正電極１１０は、ｐ型コンタクト層１０９に接合す
る膜厚約15Åのコバルト(Co)より成る薄膜正電極第１層
１１１と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)より成る薄
膜正電極第２層１１２とで構成されている。
【００３３】厚膜正電極１２０は、膜厚約１７５Åのバ
ナジウム（Ｖ）より成る厚膜正電極第１層１２１と、膜
厚約１５０００Åの金（Ａｕ）より成る厚膜正電極第２
層１２２と、膜厚約１００Åのアルミニウム（Ａｌ）よ
り成る厚膜正電極第３層１２３とを透光性薄膜正電極１
１０の上から順次積層させることにより構成されてい
る。
【００３４】多層構造の負電極１４０は、ｎ型コンタク
ト層１０３の一部露出された部分の上から、膜厚約１７
５Åのバナジウム(V) 層１４１と、膜厚約１０００Åの
アルミニウム(Al)層１４２と、膜厚約５００Åのバナジ
ウム(V) 層１４３と、膜厚約５０００Åのニッケル(Ni)
層１４４と、膜厚８０００Åの金（Ａｕ）層１４５とを
順次積層させることにより構成されている。
【００３５】また、最上部には、ＳｉＯ2 膜より成る保
護膜１３０が形成されており、また、サファイヤ基板１
０１の底面に当たる反対側の最下部には、膜厚約５００
０Åのアルミニウム（Ａｌ）より成る反射金属層１５０
が、金属蒸着により成膜されている。尚、この反射金属
層１５０は、Ｒｈ，Ｔｉ，Ｗ等の金属の他、ＴｉＮ，Ｈ
ｆＮ等の窒化物でも良い。
【００３６】次に、この発光素子１００の製造方法につ
いて説明する。上記発光素子１００は、有機金属気相成
長法（ＭＯＶＰＥ法）による気相成長により製造され
た。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、キャリアガ
ス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)（以下「TM
G 」と記す）、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以
下「TMA 」と記す）、トリメチルインジウム(In(CH3)3)
（以下「TMI 」と記す）、シラン(SiH4)とシクロペンタ
ジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2) （以下「CP2Mg 」と
記す）である。まず、有機洗浄により洗浄したａ面を主
面とした単結晶のサファイア基板１０１をMOVPE 装置の
反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧で
H2を反応室に流しながら温度１１５０℃で基板１０１を
ベーキングした。次に、基板１０１の温度を４００℃ま
で低下させて、H2、NH3 及びTMA を供給してAlN のバッ
ファ層１０２を約２００Åの膜厚に形成した。
【００３７】次に、基板１０１の温度を１１５０℃にま
で上げ、H2、NH3 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.
0 μｍ、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコン（Ｓｉ）ドー
プのGaN から成るｎ型コンタクト層１０３を形成した。
次に、基板１１の温度を８５０℃にし、N2又はH2、N
H3 、TMG 及びTMI を供給して、膜厚約２０００ÅのIn
0.03Ga0.97N から成る中間層１０４を形成した。
【００３８】上記の中間層１０４を形成した後、基板１
０１の温度は８５０℃のままにし、N2又はH2、NH3 、TM
G を供給して、膜厚約２５０ÅのGaN から成るｎ型クラ
ッド層１０５を形成した。次に、N2又はH2、NH3 、TMA
、TMI 、DEZ 及びシランを供給して、亜鉛(Zn)、及び
シリコン(Si)が、それぞれ濃度2 ×1017/cm3のアクセプ
タ不純物、及び濃度３×1017/cm3のドナー不純物として
添加された膜厚約２０ÅのAl0.1In0.9Ｎから成る赤色発
光井戸層１６１Ｒを形成した。
【００３９】次に、N2又はH2、NH3 、TMG を供給して、
膜厚約１００ÅのGaN から成るバリア層１６２を形成し
た。その後、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給し
て、膜厚約５０ÅのIn0.2 Ga 0.8 Ｎから成る不純物無添
加の緑色発光井戸層１６１Ｇを形成した。
【００４０】次に、N2又はH2、NH3 、TMG を供給して、
膜厚約１００ÅのGaN から成るバリア層１６２を形成し
た。その後、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給し
て、膜厚約３０ÅのIn0.05Ga 0.95Ｎから成る不純物無添
加の青色発光井戸層１６１Ｂを形成した。この様にし
て、計５層の半導体層より成る厚さ約３００ÅのＭＱＷ
活性層１６０を形成した。
【００４１】次に、N2又はH2、NH3 、TMG を供給して、
膜厚約１００ÅのGaN から成るキャップ層１０７を形成
した。
【００４２】次に、基板１１の温度を1150℃にし、N2又
はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びCP2Mgを供給して、膜厚約
２００Å、マグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al0.12Ga
0.88N から成るｐ型クラッド層１０８を形成した。次
に、基板１１の温度を1100℃に保持し、N2又はH2、N
H3 、TMG 、TMA 及びCP 2Mg を供給して、膜厚約６００
Å、マグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al0.05Ga 0.95N
から成るｐ型コンタクト層１０９を形成した。
【００４３】次に、ｐ型コンタクト層１０９の上にエッ
チングマスクを形成し、所定領域のマスクを除去して、
マスクで覆われていない部分のｐ型コンタクト層１０
９、ｐ型クラッド層１０８、キャップ層１０７、ＭＱＷ
活性層１６０、ｎ型クラッド層１０５、中間層１０４、
ｎ型コンタクト層１０３の一部を塩素を含むガスによる
反応性イオンエッチングによりエッチングして、ｎ型コ
ンタクト層１０３の表面を露出させた。次に、以下の手
順で、ｎ型コンタクト層１０３に接合する負電極１４０
と、ｐ型コンタクト層１０９に接合する透光性薄膜正電
極１１０とを形成した。
【００４４】(1) 蒸着装置にて、10-4Ｐａオーダ以下の
高真空に排気した後、表面に一様に膜厚約15ÅのCoを成
膜し、このCoより形成された薄膜正電極第１層１１１の
上に膜厚約60ÅのAuより成る薄膜正電極第２層１１２を
成膜する。 (2) 次に、表面上にフォトレジストを一様に塗布して、
フォトリソグラフィにより、ｐ型コンタクト層１０９の
上に積層する、透光性薄膜正電極１１０の形成部分以外
のフォトレジストを除去する。
【００４５】(3) 次に、エッチングにより露出している
Co、Auを除去した後、フォトレジストを除去して、ｐ型
コンタクト層１０９上に透光性薄膜正電極１１０を形成
する。 (4) 次に、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフ
ィによりｎ型コンタクト層１０３の露出面上の所定領域
に窓を形成して、10-4Ｐａオーダ以下の高真空に排気し
た後、膜厚約１７５Åのバナジウム(V) 層１４１と、膜
厚約１．８μｍのアルミニウム(Al)層１４２とを順次蒸
着した。次に、フォトレジストを除去する。これにより
ｎ型コンタクト層１０３の露出面上に負電極１４０が形
成される。上記の工程により形成された透光性薄膜正電
極１１０上に、更に、厚膜正電極１２０を形成するため
に、フォトレジストを一様に塗布して、厚膜正電極１２
０の形成部分のフォトレジストに窓を開ける。その後、
膜厚約１７５Åのバナジウム（Ｖ）層１２１と、膜厚約
１５０００Åの金（Ａｕ）層１２２と、膜厚約１００Å
のアルミニウム（Ａｌ）層１２３とを透光性薄膜正電極
１１０の上に順次蒸着により成膜させ、(4) の工程と同
様にリフトオフ法により厚膜正電極１２０を形成する。
【００４６】(5) その後、ｎ型コンタクト層と負電極１
４０、並びに、ｐ型コンタクト層１０９と透光性薄膜正
電極１１０とのコンタクト抵抗を低減させるための熱処
理（シンタリンブ）を行った。即ち、試料雰囲気を真空
ポンプで排気し、O2ガスを供給して圧力１０Ｐａとし、
その状態で雰囲気温度を約 570℃にして、約4 分程度加
熱した。
【００４７】その後、蒸着により、上部に露出している
最上層に一様にＳｉＯ2 より成る保護膜１３０を形成
し、フォトレジストの塗布、フォトリソグラフィー工程
を経て、厚膜正電極１２０および負電極１４０に外部露
出部分ができるようにほぼ同面積の窓をそれぞれ一つづ
つウエットエッチングにより形成した。また、サファイ
ア基板の裏面には、蒸着により、Ｒｈの反射膜を形成し
た。
【００４８】このようにして、図１に示した半導体発光
素子１００を形成した。図２に、本半導体発光素子１０
０の発光スペクトルのグラフを示す。本グラフより、赤
色発光井戸層１６１Ｒから発光される光は４６０ｎｍ付
近に鋭いピークを持ち、緑色発光井戸層１６１Ｇから発
光される光は５３０ｎｍ付近に鋭いピークを持ち、青色
発光井戸層１６１Ｂから発光される光は６５０ｎｍ付近
に鋭いピークを持つことが判る。
【００４９】図３は、半導体発光素子１００の色再現範
囲を示した色度図である。図中の記号Ｒ，Ｇ，Ｂは、上
記の各光のピーク値付近における色度を表している。上
記の各井戸層１６１Ｒ，１６１Ｇ，１６１Ｂの膜厚を適
当に設定することにより、本半導体発光素子１００にお
いては、式（１）に示した色度座標の明度による加重平
均座標（ｘ，ｙ）が白色点Ｗの座標（1/3,1/3 ）に略一
致する様に構成されている。
【００５０】これにより、白色照明等に利用した際に色
再現範囲が十分に広いフルカラー対応の１チップ白色Ｌ
ＥＤを実現することができた。即ち、本半導体発光素子
１００を照明として使用すれば、本色度図中央の三角形
内部の任意の色をこの照明により再現することができ
る。
【００５１】また、本半導体発光素子１００によれば、
紫外線、及び赤外線が発光されないので、エネルギー効
率が高く、眼に優しい照明を１チップで実現することが
できる。
【００５２】尚、上記の実施例においては、ワイヤボン
ディング型の１チップ白色ＬＥＤを示したが、本発明は
フリップチップ型等の任意の型の１チップ白色ＬＥＤと
して適用することができる。
【００５３】例えば、フリップチップ型の場合において
は、複数の井戸層を上記の実施例とは逆の積層順序で積
層する。これによりフリップチップ型の場合において
も、井戸層を光取出面に近付く程発光波長が短くなる順
で積層できるので、各井戸層から発光された光が光取出
面側に存在する井戸層で吸収される光吸収作用が防止さ
れる。従って、上記の実施例と同様に光の取出効率が高
く、色再現範囲が十分に広いフルカラー対応の１チップ
白色ＬＥＤを得ることができる。
【００５４】尚、フリップチップ型の場合には、反射金
属層１５０は不要であり、透光性薄膜正電極１１０の代
わりに、ロジウム(Rh)等の反射率の良好な金属を用いた
膜厚約２０００Å程度の非透光性の厚膜電極を形成す
る。この場合には、厚膜正電極１２０は不要である。
【００５５】また、上記の実施例では、井戸層を赤色発
光、緑色発光、青色発光の計３層としたが、黄色発光
や、或いは青緑色発光の井戸層を更に設けても良い。こ
の様に発光波長の異なる井戸層の層数を増やせば、図３
の三角形をより広範な多角形に変更することができるの
で、より広範囲の色度を再現可能なフルカラー対応の１
チップ白色ＬＥＤを実現することができる。
【００５６】また、上記の実施例では、各発光波長別の
光の明度を各井戸層の膜厚で調整したが、各発光波長別
の光の明度は、各発光波長別の井戸層の層数により調整
しても良い。
【００５７】また、上記実施例では、ＭＱＷ活性層１６
０を活性層としているが、活性層は、複数の単一量子井
戸より構成しても良い。即ち、本発明における各々の井
戸層は、単一量子井戸構造を成す井戸層であっても、多
重量子井戸構造を構成する井戸層であっても良い。ま
た、本発明の各々の井戸層は、その井戸層の中に更に膜
厚の薄いバリア層を備えていても良い。また、本発明の
各々の井戸層は、互いに各々相互干渉するものであって
も、互いに各々相互干渉しないものであっても良い。本
発明は、これらの任意の量子井戸構造を有する半導体発
光素子に適用することができる。
【００５８】又、亜鉛、及びシリコンの添加量は、1 ×
1017〜1 ×1021/cm3程度で不純物レベル間の遷移による
発光が得られる。又、アクセプタ不純物元素には、亜鉛
の他、II族元素又は、IV族元素を使用でき、ドナー不純
物元素には、シリコンの他、IV族元素、VI族元素を用い
ることができる。尚、本発明において、無添加の層と
は、形成時に故意に不純物を添加しない層のことをい
う。
【００５９】また、上記実施例では、サファイア基板を
用いたが、結晶成長基板にはサファイアの他にも、Si、
SiC 、GaN 、MgAl2O4 等を用いることができる。又、バ
ッファ層にはAlN を用いたがAlGaN 、GaN 、InAlGaN 等
を用いることができる。
【００６０】又、上記の実施例におけるＭＱＷ活性層１
６０のバリア層にはＧａＮ層を用いたが、バリア層には
ＧａＮ層の他にも、井戸層よりもエネルギーバンドギャ
ップが大きい層、即ち、例えば、ＡｌＧａＮ層、ＡｌＮ
層、ＡｌＩｎＮ層、ＩｎＡｌＧａＮ層等を用いることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における白色発光の半導体発光
素子１００の断面図。
【図２】半導体発光素子１００の発光スペクトルを示し
たグラフ。
【図３】半導体発光素子１００の色再現範囲を示した色
度図。
【図４】従来技術による白色発光の半導体発光素子４０
０の断面図。
【図５】半導体発光素子４００の発光スペクトルを示し
たグラフ。
【図６】半導体発光素子４００の色再現範囲を示した色
度図。
【符号の説明】
１００，４００ … 半導体発光素子 １０１ … サファイヤ基板 １０２ … バッファ層 １０３ … 高キャリア濃度ｎ+ 層 １０４ … 中間層 １０５ … ｎ型クラッド層 １６０ … ＭＱＷ活性層 １６１Ｂ… 青色発光井戸層 １６１Ｇ… 緑色発光井戸層 １６１Ｒ… 赤色発光井戸層 １６２ … バリア層 １０７ … キャップ層 １０８ … ｐ型クラッド層 １０９ … ｐ型コンタクト層 １２０ … 正電極 １２１ … 第１金属層 １２２ … 第２金属層 １２３ … 第３金属層 １３０ … 保護膜 １４０ … 負電極 Ｗ … 白色点 Ｂ … 青色発光点 Ｇ … 緑色発光点 Ｒ … 赤色発光点

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 量子井戸構造を有する（Alx Ga1-x ) y
    In1-y Ｎ(0≦ｘ≦１；0 ≦ｙ≦1)からなる III族窒化物
    系化合物より形成された半導体層が積層された半導体発
    光素子において、 複数の井戸層の内の少なくとも３層以上の井戸層の各混
    晶比を互いに異ならせ、少なくとも１つの井戸層にはア
    クセプタ不純物及びドナー不純物を添加することで井戸
    層を構成し、 少なくとも３層以上の井戸層から発光される各光の色度
    を互いに異ならせることにより、 全井戸層の発光に基づいて光取出面から放射される合成
    光を白色光としたことを特徴とする III族窒化物系化合
    物半導体発光素子。
  2. 【請求項２】 前記赤色発光井戸層の混晶比は、 Aly In1-y Ｎ（０≦ｙ≦0.1 ）であることを特徴とする
    請求項１に記載の III族窒化物系化合物半導体発光素
    子。
  3. 【請求項３】 不純物が添加されていないIn1-y Gay N
    （0.7 ≦ｙ＜１）より形成された青色発光井戸層及び緑
    色発光井戸層を有することを特徴とする請求項１又は請
    求項２に記載の III族窒化物系化合物半導体発光素子。
  4. 【請求項４】 前記アクセプタ不純物及び前記ドナー不
    純物の濃度は、 それぞれ１×1017／cm3 以上、１×1021／cm3 以下であ
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１
    項に記載の III族窒化物系化合物半導体発光素子。
  5. 【請求項５】 前記アクセプタ不純物は、 亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃ
    ａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、又
    はマグネシウム（Ｍｇ）であることを特徴とする請求項
    １乃至請求項４のいずれか１項に記載の III族窒化物系
    化合物半導体発光素子。
  6. 【請求項６】 前記ドナー不純物は、 炭素（Ｃ）、シリコン(Si)、スズ(Sn)、硫黄(S )、セレ
    ン(Se)、又はテルル(Te)であることを特徴とする請求項
    １乃至請求項５のいずれか１項に記載の III族窒化物系
    化合物半導体発光素子。
  7. 【請求項７】 前記井戸層は、前記光取出面に近付く程
    発光波長が短くなる順に積層されていることを特徴とす
    る請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の III族
    窒化物系化合物半導体発光素子。
  8. 【請求項８】 前記井戸層から発光される各光の色度図
    上における色度座標の、明度による加重平均座標は、 前記各井戸層の膜厚、混晶比、添加不純物の種類、添加
    不純物の濃度、又は各発光波長別の層数を各々調整する
    ことにより、 白色点座標（1/3,1/3 ）に略一致する様に構成されてい
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１
    項に記載の III族窒化物系化合物半導体発光素子。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002049121A1 (en) * 2000-12-11 2002-06-20 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Multi-wavelength luminous element
WO2002067660A1 (fr) * 2001-02-28 2002-09-06 Ccs Inc. Methode de culture d'une plante et dispositif d'eclairage permettant de cultiver une plante
JP2003163373A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
KR20040013394A (ko) * 2002-08-06 2004-02-14 주식회사 옵토웨이퍼테크 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2004311822A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Solidlite Corp 赤紫色発光ダイオード
WO2005029595A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group iii-nitride-based compound semiconductor device
JP2005260246A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Samsung Electro Mech Co Ltd モノリシック白色発光素子
US6965126B2 (en) * 2001-06-13 2005-11-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
WO2006011675A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Nitride compound semiconductor and process for producing the same
KR100847847B1 (ko) * 2007-01-22 2008-07-23 삼성전기주식회사 백색 발광소자 및 그 제조방법
US8288787B2 (en) 2002-06-26 2012-10-16 Lg Electronics, Inc. Thin film light emitting diode
US9137874B2 (en) 2011-12-02 2015-09-15 Biological Illumination, Llc Illumination and grow light system and associated methods
JP2016111131A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 学校法人 名城大学 周期利得活性層を有する窒化物半導体発光素子
JP2016225568A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2017045787A (ja) * 2015-08-25 2017-03-02 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
CN108365064A (zh) * 2018-03-26 2018-08-03 郭秀丽 一种多量子阱发光二极管及其制备方法
US10257988B2 (en) 2011-12-02 2019-04-16 Biological Illumination, Llc Illumination and grow light system and associated methods

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082384A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsmittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
CN1252837C (zh) * 2000-04-26 2006-04-19 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 在GaN基板上的发光二极管芯片和用GaN基板上的发光二极管芯片制造发光二极管元件的方法
TWI289944B (en) * 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
US20030132433A1 (en) * 2002-01-15 2003-07-17 Piner Edwin L. Semiconductor structures including a gallium nitride material component and a silicon germanium component
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP2004128444A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びそれを用いた照明装置
US6900474B2 (en) * 2002-12-20 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with compact active regions
US20060006375A1 (en) * 2003-04-14 2006-01-12 Chen Ou Light Mixing LED
TW200525779A (en) * 2004-01-27 2005-08-01 Super Nova Optoelectronics Corp White-like light emitting device and its manufacturing method
CN100341162C (zh) * 2004-03-19 2007-10-03 元砷光电科技股份有限公司 发光二极管结构
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7345298B2 (en) * 2005-02-28 2008-03-18 The Regents Of The University Of California Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate
US7022597B2 (en) * 2004-07-16 2006-04-04 Tekcore Co., Ltd. Method for manufacturing gallium nitride based transparent conductive oxidized film ohmic electrodes
US7323721B2 (en) * 2004-09-09 2008-01-29 Blue Photonics Inc. Monolithic multi-color, multi-quantum well semiconductor LED
US7223998B2 (en) * 2004-09-10 2007-05-29 The Regents Of The University Of California White, single or multi-color light emitting diodes by recycling guided modes
US7271418B2 (en) * 2004-09-24 2007-09-18 National Central University Semiconductor apparatus for white light generation and amplification
KR100674831B1 (ko) * 2004-11-05 2007-01-25 삼성전기주식회사 백색 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100691444B1 (ko) * 2005-11-19 2007-03-09 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
DE102006039369A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
KR100771772B1 (ko) * 2006-08-25 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ 모듈
KR20090064474A (ko) 2006-10-02 2009-06-18 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ 시스템 및 방법
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
JP5325506B2 (ja) * 2008-09-03 2013-10-23 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US8101965B2 (en) * 2008-12-02 2012-01-24 Epivalley Co., Ltd. III-nitride semiconductor light emitting device having a multilayered pad
KR100960280B1 (ko) * 2008-12-02 2010-06-04 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
JP5361925B2 (ja) * 2011-03-08 2013-12-04 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US9037204B2 (en) * 2011-09-07 2015-05-19 Covidien Lp Filtered detector array for optical patient sensors
US9450152B2 (en) 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
CN110137326B (zh) * 2019-05-22 2024-07-30 佛山市国星半导体技术有限公司 一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JPH08167737A (ja) 1994-12-09 1996-06-25 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光装置
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
JP3675044B2 (ja) 1996-06-28 2005-07-27 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
JP3543498B2 (ja) 1996-06-28 2004-07-14 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002049121A1 (en) * 2000-12-11 2002-06-20 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Multi-wavelength luminous element
WO2002067660A1 (fr) * 2001-02-28 2002-09-06 Ccs Inc. Methode de culture d'une plante et dispositif d'eclairage permettant de cultiver une plante
US6965126B2 (en) * 2001-06-13 2005-11-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP2003163373A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US10825962B2 (en) 2002-06-26 2020-11-03 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US9281454B2 (en) 2002-06-26 2016-03-08 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US10326059B2 (en) 2002-06-26 2019-06-18 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US9716213B2 (en) 2002-06-26 2017-07-25 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US8288787B2 (en) 2002-06-26 2012-10-16 Lg Electronics, Inc. Thin film light emitting diode
US8384091B2 (en) 2002-06-26 2013-02-26 Lg Electronics Inc. Thin film light emitting diode
US8445921B2 (en) 2002-06-26 2013-05-21 Lg Electronics, Inc. Thin film light emitting diode
KR20040013394A (ko) * 2002-08-06 2004-02-14 주식회사 옵토웨이퍼테크 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2004311822A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Solidlite Corp 赤紫色発光ダイオード
WO2005029595A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group iii-nitride-based compound semiconductor device
CN100386895C (zh) * 2003-09-16 2008-05-07 丰田合成株式会社 Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件
JP2005260246A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Samsung Electro Mech Co Ltd モノリシック白色発光素子
GB2432047B (en) * 2004-07-30 2008-10-08 Sumitomo Chemical Co Nitride compound semiconductor and process for producing the same
GB2432047A (en) * 2004-07-30 2007-05-09 Sumitomo Chemical Co Nitride compound semiconductor and process for producing the same
WO2006011675A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Nitride compound semiconductor and process for producing the same
KR100847847B1 (ko) * 2007-01-22 2008-07-23 삼성전기주식회사 백색 발광소자 및 그 제조방법
US9137874B2 (en) 2011-12-02 2015-09-15 Biological Illumination, Llc Illumination and grow light system and associated methods
US10257988B2 (en) 2011-12-02 2019-04-16 Biological Illumination, Llc Illumination and grow light system and associated methods
JP2016111131A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 学校法人 名城大学 周期利得活性層を有する窒化物半導体発光素子
JP2016225568A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2017045787A (ja) * 2015-08-25 2017-03-02 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
CN108365064A (zh) * 2018-03-26 2018-08-03 郭秀丽 一种多量子阱发光二极管及其制备方法
CN108365064B (zh) * 2018-03-26 2019-05-24 郭秀丽 一种多量子阱发光二极管及其制备方法

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