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JP2001052947A - Coil, electromagnet, and manufacture - Google Patents

Coil, electromagnet, and manufacture

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Publication number
JP2001052947A
JP2001052947A JP11225733A JP22573399A JP2001052947A JP 2001052947 A JP2001052947 A JP 2001052947A JP 11225733 A JP11225733 A JP 11225733A JP 22573399 A JP22573399 A JP 22573399A JP 2001052947 A JP2001052947 A JP 2001052947A
Authority
JP
Japan
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forming
coil
depression
resist
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP11225733A
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Japanese (ja)
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JP2001052947A5 (en
Inventor
Masateru Hara
昌輝 原
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP11225733A priority Critical patent/JP2001052947A/en
Publication of JP2001052947A publication Critical patent/JP2001052947A/en
Publication of JP2001052947A5 publication Critical patent/JP2001052947A5/ja
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  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Electromagnets (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a microfabricated coil and a microfabricated electromagnet each having a three-dimensional structure, and a method of manufacturing these coils and electromagnets with high accuracy. SOLUTION: This method of manufacturing a coil comprises the steps of forming a semicylindrical recess la having a sloped surface (1b) on the surface of a substrate l forming a plurality of first spaced conductors 5a on the surface of the recess 1a with the surface (1b) forming a cylinder 6a made of an insulating substance, a half of which is buried in the recess 1a and the remaining half of which projects from the surface of the substrate and forming a plurality of second spaced conductors 5b to form a single coil on the surface of the cylinder 6a by connecting them with the conductors 5a. Thus, there are provided a coil formed by this method, an electromagnet having the coil formed around its magnetic core, and a method for manufacturing the electromagnet.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路において
インダクタンス素子として用いられる微細コイル、ME
MS(microelectromechanical
system)に用いられる微細電磁石、およびそれ
らの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micro coil, ME, used as an inductance element in an electronic circuit.
MS (microelectromechanical)
The present invention relates to a fine electromagnet used for a system and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子回路のインダクタンス素子と
しては、金属配線を平面的に引き回したプレーナ型のも
のが主流であった。機械作業により配線を巻き付けてコ
イルを作製すると、コイルを小型化した場合に加工精度
や強度が問題となる。そこで、基板上に例えば渦巻き状
の配線をパターニングし、プレーナ型のコイルとして用
いられていた。しかしながら、プレーナ型のコイルの場
合、占有面積が大きいにもかかわらず、一般に磁気効率
(磁気の発生効率や結合効率)が低いという問題があっ
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an inductance element of an electronic circuit, a planar type in which metal wiring is routed in a plane has been mainly used. When a coil is manufactured by winding a wiring by mechanical work, processing accuracy and strength become problems when the coil is miniaturized. Therefore, for example, a spiral wiring is patterned on a substrate and used as a planar coil. However, in the case of a planar coil, there is a problem that the magnetic efficiency (magnetism generation efficiency and coupling efficiency) is generally low despite the large occupied area.

【0003】上記の問題を解消する目的で特開平8−2
64359号公報には、多層めっきにより作製された立
体的な構造のコイルを含む電磁石が開示されている。こ
の電磁石は、図7に示すように、基板101上に絶縁層
102を介して磁性体コア103が形成された構造を有
する。基板101の表面にはコイル底配線104が形成
されている。磁性体コア103を挟んでコイル両側配線
105が形成され、その上層にはコイル天配線106が
形成されている。コイル底配線104はコイル両側配線
105を介してコイル天配線106に電気的に接続し、
これらの配線は1本のコイルを形成する。この電磁石に
よれば、配線の巻き付け工程なしでコイルが形成され、
プレーナ型の場合に比較して電磁石を小型化することが
できる。
To solve the above problem, Japanese Patent Application Laid-Open No.
Japanese Patent No. 64359 discloses an electromagnet including a coil having a three-dimensional structure manufactured by multilayer plating. This electromagnet has a structure in which a magnetic core 103 is formed on a substrate 101 via an insulating layer 102, as shown in FIG. A coil bottom wiring 104 is formed on the surface of the substrate 101. A coil-side wiring 105 is formed with the magnetic core 103 interposed therebetween, and a coil top wiring 106 is formed thereabove. The coil bottom wiring 104 is electrically connected to the coil top wiring 106 via the coil side wiring 105,
These wirings form one coil. According to this electromagnet, the coil is formed without the step of winding the wiring,
The size of the electromagnet can be reduced as compared with the case of the planar type.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来、電子回路のイン
ダクタンス成分として用いられているプレーナ型のコイ
ルまたは電磁石は占有面積が大きいため、電子回路を微
細化する上で妨げとなっている。一方、上記の特開平8
−264359号公報に記載された小型電磁石によれ
ば、プロセス上の制約からコイル断面は矩形となってい
るが、コイル両側配線105およびコイル天配線106
となるめっき層の厚さが20μm程度であることから、
コイル径に相当する矩形の辺の長さは少なくとも40μ
m程度となる。MEMSに適用する電磁石としては、さ
らに小型化された電磁石が要求されている。
Conventionally, a planar coil or an electromagnet used as an inductance component of an electronic circuit occupies a large area, which hinders miniaturization of the electronic circuit. On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open
According to the small electromagnet described in JP-A-264359, the coil cross section is rectangular due to process restrictions, but the coil side wiring 105 and the coil top wiring 106
Since the thickness of the plating layer becomes about 20 μm,
The length of the side of the rectangle corresponding to the coil diameter is at least 40μ
m. As the electromagnet applied to the MEMS, a further downsized electromagnet is required.

【0005】特開平8−264359号公報に記載の電
磁石において、コイル両側配線105は絶縁層102に
形成されたコンタクトホール102aを、めっきで充填
することにより形成される。したがって、コンタクトホ
ール102aを微細化するとアスペクト比が高くなり、
コンタクトホール102aをめっきにより充填できなく
なる場合がある。あるいは、アスペクト比の高い微細な
コンタクトホール102aを、ドライエッチングにより
形成することも困難になる。したがって、特開平8−2
64359号公報に記載の小型電磁石の製造方法によれ
ば、十分に微細化された、MEMSに適用できるコイル
または電磁石を形成するのは困難である。
In the electromagnet described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-264359, the wiring 105 on both sides of the coil is formed by filling the contact hole 102a formed in the insulating layer 102 with plating. Therefore, when the contact hole 102a is miniaturized, the aspect ratio increases,
In some cases, the contact hole 102a cannot be filled by plating. Alternatively, it becomes difficult to form the fine contact hole 102a having a high aspect ratio by dry etching. Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No.
According to the method for manufacturing a small electromagnet described in Japanese Patent No. 64359, it is difficult to form a sufficiently miniaturized coil or electromagnet applicable to MEMS.

【0006】本発明は上記の問題点を鑑みてなされたも
のであり、したがって本発明は、3次元的な構造を有す
る微細コイル、微細電磁石およびそれらの製造方法を提
供することを目的とする。
[0006] The present invention has been made in view of the above problems, and it is therefore an object of the present invention to provide a fine coil, a fine electromagnet having a three-dimensional structure, and a method of manufacturing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のコイルは導線がらせん状に巻かれたコイル
であって、前記導線は前記らせんの1周回のほぼ半分の
長さを有する複数の導線片が接続されたものであること
を特徴とする。本発明のコイルは好適には、前記導線が
等間隔で円柱状に巻かれたソレノイドコイルであること
を特徴とする。本発明のコイルは好適には、前記コイル
の半分は、基板表面に形成された窪み内に埋め込まれて
いることを特徴とする。本発明のコイルは好適には、前
記窪みは、断面が円または楕円である円筒をほぼ2等分
した半円筒状の形状を有することを特徴とする。本発明
のコイルは好適には、前記半円筒状の窪みは、前記窪み
の対向する2つの面の間隔が、前記窪みの底部に比較し
て前記基板表面で広くなるように、前記窪みの対向する
2つの面が傾斜面となっていることを特徴とする。本発
明のコイルは、さらに好適には、前記傾斜面の表面に前
記コイルと接続する配線が形成されていることを特徴と
する。本発明のコイルは好適には、絶縁物からなる円筒
の周囲に巻かれていることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a coil according to the present invention is a coil in which a conductor is spirally wound, and the conductor has a length substantially half of one turn of the spiral. A plurality of conductive wire pieces connected to each other. The coil of the present invention is preferably characterized in that the conductive wire is a solenoid coil wound in a cylindrical shape at equal intervals. The coil of the present invention is preferably characterized in that half of the coil is embedded in a recess formed in the surface of the substrate. Preferably, the coil according to the present invention is characterized in that the depression has a semi-cylindrical shape obtained by substantially bisecting a cylinder having a circular or elliptical cross section. The coil of the present invention is preferably arranged such that the semi-cylindrical depression is opposed to the depression such that a distance between two opposing surfaces of the depression is wider on the substrate surface as compared to a bottom of the depression. The two surfaces are inclined surfaces. The coil of the present invention is further preferably characterized in that a wiring connected to the coil is formed on the surface of the inclined surface. The coil of the present invention is preferably characterized in that it is wound around a cylinder made of an insulating material.

【0008】あるいは、本発明のコイルは好適には、前
記窪みは多角柱をほぼ2等分した形状を有することを特
徴とする。本発明のコイルは好適には、前記多角柱の対
向する2つの底面の間隔が、前記窪みの底部に比較して
前記基板表面で広くなるように、前記底面が傾斜面とな
っていることを特徴とする。本発明のコイルは、さらに
好適には、前記傾斜面の表面に前記コイルと接続する配
線が形成されていることを特徴とする。本発明のコイル
は好適には、絶縁物からなる多角柱の周囲に巻かれてい
ることを特徴とする。
Alternatively, the coil according to the present invention is preferably characterized in that the depression has a shape obtained by substantially dividing a polygonal prism into two equal parts. Preferably, the coil of the present invention is configured such that the bottom surface is an inclined surface such that a distance between two opposing bottom surfaces of the polygonal pillar is wider on the substrate surface as compared to a bottom portion of the depression. Features. The coil of the present invention is further preferably characterized in that a wiring connected to the coil is formed on the surface of the inclined surface. The coil of the present invention is preferably wound around a polygonal pillar made of an insulator.

【0009】これにより、1本の導線を例えば円筒の周
囲に巻きつけることにより形成されるコイルに比較し
て、コイルを微細化することが可能となる。また、本発
明のコイルは、基板表面の窪みに埋め込まれて形成され
るため、導線を細くした場合にもコイルの強度が維持さ
れ、高精度に導線の加工を行うことができる。また、本
発明の微細コイルを半導体集積回路と同一の基板上に、
半導体集積回路と接続するインダクタンス成分として形
成することにより、半導体装置を高集積化・小型化する
ことができる。
[0009] This makes it possible to miniaturize the coil as compared with a coil formed by winding one conductive wire around a cylinder, for example. Further, since the coil of the present invention is formed by being buried in the depression on the surface of the substrate, the strength of the coil is maintained even when the conductor is thinned, and the conductor can be processed with high accuracy. Further, the fine coil of the present invention is mounted on the same substrate as the semiconductor integrated circuit,
By forming the semiconductor device as an inductance component connected to the semiconductor integrated circuit, the semiconductor device can be highly integrated and miniaturized.

【0010】上記の目的を達成するため、本発明の電磁
石は導線がらせん状に巻かれたコイルと、前記コイル内
に形成された磁性体コアとを有する微細電磁石であっ
て、前記導線は前記らせんの1周回のほぼ半分の長さを
有する複数の導線片が接続されたものであることを特徴
とする。本発明の電磁石は好適には、前記コイルは、前
記導線が等間隔で円柱状に巻かれたソレノイドコイルで
あることを特徴とする。本発明の電磁石は好適には、前
記コイルの半分は、基板表面に形成された窪み内に埋め
込まれていることを特徴とする。本発明の電磁石は好適
には、前記窪みは、断面が円または楕円である円筒をほ
ぼ2等分した半円筒状の形状を有することを特徴とす
る。本発明の電磁石は好適には、前記半円筒状の窪み
は、前記窪みの対向する2つの面の間隔が、前記窪みの
底部に比較して前記基板表面で広くなるように、前記窪
みの対向する2つの面が傾斜面となっていることを特徴
とする。本発明の電磁石は、さらに好適には、前記傾斜
面の表面に、前記コイルと接続する配線が形成されてい
ることを特徴とする。
In order to achieve the above object, an electromagnet of the present invention is a fine electromagnet having a coil in which a conductive wire is spirally wound and a magnetic core formed in the coil, wherein the conductive wire is It is characterized in that a plurality of conductor pieces having a length substantially half of one turn of the helix are connected. The electromagnet of the present invention is preferably characterized in that the coil is a solenoid coil in which the conductive wires are wound in a columnar shape at equal intervals. The electromagnet of the present invention is preferably characterized in that half of the coil is embedded in a recess formed on the surface of the substrate. The electromagnet according to the present invention is preferably characterized in that the depression has a semi-cylindrical shape obtained by substantially bisecting a cylinder having a circular or elliptical cross section. The electromagnet of the present invention is preferably such that the semi-cylindrical depression is opposed to the depression such that the distance between two opposing surfaces of the depression is wider on the substrate surface than at the bottom of the depression. The two surfaces are inclined surfaces. The electromagnet of the present invention is further preferably characterized in that a wiring connected to the coil is formed on the surface of the inclined surface.

【0011】あるいは、本発明の電磁石は好適には、前
記窪みは多角柱をほぼ2等分した形状を有することを特
徴とする。本発明の電磁石は好適には、前記多角柱の対
向する2つの底面の間隔が、前記窪みの底部に比較して
前記基板表面で広くなるように、前記底面が傾斜面とな
っていることを特徴とする。本発明の電磁石は、さらに
好適には、前記傾斜面の表面に、前記コイルと接続する
配線が形成されていることを特徴とする。
Alternatively, the electromagnet of the present invention is preferably characterized in that the depression has a shape obtained by substantially dividing a polygonal prism into two equal parts. The electromagnet of the present invention is preferably configured such that the bottom surface is an inclined surface such that a distance between two opposing bottom surfaces of the polygonal pillar is wider on the substrate surface than a bottom portion of the depression. Features. The electromagnet of the present invention is further preferably characterized in that a wiring connected to the coil is formed on the surface of the inclined surface.

【0012】これにより、1本の導線を磁性体コアの周
囲に巻きつけることにより形成される電磁石に比較し
て、電磁石を微細化することが可能となる。したがっ
て、本発明の電磁石はMEMSに好適に用いることがで
きる。また、本発明の電磁石は、基板表面の窪みに埋め
込まれて形成されるため、導線を細くした場合にもコイ
ルの強度が維持され、高精度に導線の加工を行うことが
できる。
This makes it possible to miniaturize the electromagnet as compared with an electromagnet formed by winding one conductive wire around the magnetic core. Therefore, the electromagnet of the present invention can be suitably used for MEMS. Further, since the electromagnet of the present invention is formed by being buried in the depression on the surface of the substrate, the strength of the coil is maintained even when the conductor is made thinner, and the conductor can be processed with high accuracy.

【0013】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明のコイルの製造方法は、基板表面に半円筒状の窪みを
形成する工程と、前記窪みの表面に、離散した複数の第
1の導線を形成する工程と、前記窪みに、半分が前記窪
みを埋め込み、残りの半分が基板表面から突出する絶縁
物からなる円筒を形成する工程と、前記円筒の表面に、
前記第1の導線と接続して1本のコイルを形成する、離
散した複数の第2の導線を形成する工程とを有すること
を特徴とする。
Further, in order to achieve the above object, a method of manufacturing a coil according to the present invention includes a step of forming a semi-cylindrical dent on a substrate surface, and a step of forming a plurality of discrete first conductors on the dent surface. Forming a cylinder made of an insulator half of which is embedded in the depression and the other half of which protrudes from the substrate surface; and
Forming a plurality of discrete second conductors that are connected to the first conductor to form one coil.

【0014】本発明のコイルの製造方法は、好適には、
前記半円筒状の窪みを形成する工程は、前記基板表面に
ほぼ均等な厚さで第1のレジストを形成する工程と、階
調を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィに
より、前記第1のレジストの表面に半円筒状の窪みを形
成する工程と、前記第1のレジストおよび前記基板にエ
ッチングを行い、前記第1のレジストを除去しながら、
前記第1のレジスト表面の窪みを前記基板表面に複製す
る工程とを有することを特徴とする。
The method for manufacturing a coil according to the present invention is preferably
The step of forming the semi-cylindrical recess includes the step of forming a first resist with a substantially uniform thickness on the substrate surface, and the step of forming the first resist by photolithography using a photomask having a gradation. Forming a semi-cylindrical dent on the surface of the substrate, etching the first resist and the substrate, and removing the first resist,
Duplicating a depression on the first resist surface on the substrate surface.

【0015】本発明のコイルの製造方法は、好適には、
前記第1の導線を形成する工程は、前記基板に形成され
た窪みの表面に第1の導電体層を形成する工程と、前記
第1の導電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧することに
より、前記窪み内にほぼ均等な厚さで第2のレジストを
形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記第2の
レジストを前記第1の導線のパターンに加工する工程
と、前記第2のレジストをマスクとして前記第1の導電
体層にエッチングを行う工程とを有することを特徴とす
る。
The method for manufacturing a coil of the present invention is preferably
The step of forming the first conductive wire includes forming a first conductor layer on the surface of the depression formed in the substrate, and spraying a resist resin on the surface of the first conductor layer. Forming a second resist with a substantially uniform thickness in the depression, processing the second resist into a pattern of the first conductive wire by photolithography, and masking the second resist. Etching the first conductor layer.

【0016】本発明のコイルの製造方法は、好適には、
前記円筒を形成する工程は、前記窪み内を含む前記基板
上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面を平坦
化する工程と、前記絶縁膜表面にほぼ均等な厚さで第3
のレジストを形成する工程と、階調を有するフォトマス
クを用いて前記第3のレジストにフォトリソグラフィを
行い、前記基板の窪み上部にのみ、表面が曲面である半
円筒状に前記第3のレジストを残す工程と、前記第3の
レジストおよび前記絶縁膜にエッチングを行い、前記第
3のレジストを除去しながら、前記第3のレジスト表面
の半円筒形状を前記絶縁膜に複製する工程とを有するこ
とを特徴とする。
The method for manufacturing a coil of the present invention is preferably
The step of forming the cylinder includes the steps of forming an insulating film on the substrate including the inside of the depression, flattening the surface of the insulating film, and forming a third layer with a substantially uniform thickness on the surface of the insulating film.
Forming a resist, and performing photolithography on the third resist using a photomask having a gradation, and forming the third resist in a semi-cylindrical shape having a curved surface only above the depression of the substrate. And a step of performing etching on the third resist and the insulating film to remove the third resist and replicating the semi-cylindrical shape of the surface of the third resist into the insulating film. It is characterized by the following.

【0017】本発明のコイルの製造方法は、好適には、
前記第2の導線を形成する工程は、前記基板上に突出し
た前記円筒の表面に第2の導電体層を形成する工程と、
前記第2の導電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧するこ
とにより、ほぼ均等な厚さで第4のレジストを形成する
工程と、フォトリソグラフィにより前記第4のレジスト
を前記第2の導線のパターンに加工する工程と、前記第
4のレジストをマスクとして前記第2の導電体層にエッ
チングを行う工程とを有することを特徴とする。
The method for manufacturing a coil according to the present invention is preferably
Forming the second conductor, forming a second conductor layer on the surface of the cylinder protruding on the substrate;
Forming a fourth resist with a substantially uniform thickness by spraying a resist resin on the surface of the second conductor layer; and applying the fourth resist by photolithography to the pattern of the second conductive wire. And etching the second conductive layer using the fourth resist as a mask.

【0018】本発明のコイルの製造方法は、好適には、
前記半円筒状の窪みを形成する工程は、前記窪みの対向
する2つの面の間隔が、前記窪みの底部に比較して前記
基板表面で広くなるように、前記窪みの対向する2つの
面を傾斜面とする工程を含むことを特徴とする。本発明
のコイルの製造方法は、さらに好適には、前記第1の導
線を形成する工程は、前記傾斜面の表面に前記コイルに
接続する第1の配線を形成する工程を含むことを特徴と
する。
Preferably, the method for manufacturing a coil according to the present invention comprises:
The step of forming the semi-cylindrical dent may include removing two opposing surfaces of the dent so that a distance between two opposing surfaces of the dent is wider on the substrate surface as compared to a bottom of the dent. The method is characterized by including a step of forming an inclined surface. In the method for manufacturing a coil of the present invention, the step of forming the first conductor preferably further includes a step of forming a first wiring connected to the coil on a surface of the inclined surface. I do.

【0019】本発明のコイルの製造方法は、好適には、
前記円筒を形成する工程は、前記円筒の対向する2つの
面の間隔が、前記円筒の前記基板表面から突出した頂部
に比較して前記基板表面で広くなるように、前記円筒の
対向する2つの面を傾斜面とする工程を含むことを特徴
とする。本発明のコイルの製造方法は、さらに好適に
は、前記第2の導線を形成する工程は、前記傾斜面の表
面に前記コイルに接続する第2の配線を形成する工程を
含むことを特徴とする。本発明のコイルの製造方法は、
好適には、前記第2の導線を形成し、前記第1の導線と
接続する前記コイルを形成した後、前記円筒を除去する
工程を有することを特徴とする。
The method for manufacturing a coil according to the present invention is preferably
The step of forming the cylinder includes two opposing surfaces of the cylinder such that a distance between two opposing surfaces of the cylinder is wider on the substrate surface compared to a top portion of the cylinder protruding from the substrate surface. It is characterized by including a step of making the surface an inclined surface. In the method of manufacturing a coil according to the present invention, the step of forming the second conductor preferably further includes a step of forming a second wiring connected to the coil on a surface of the inclined surface. I do. The method for manufacturing a coil according to the present invention includes:
Preferably, the method further comprises a step of removing the cylinder after forming the second conductive wire and forming the coil connected to the first conductive wire.

【0020】また、上記の目的を達成するため、本発明
のコイルの製造方法は、基板表面に多角柱をほぼ2等分
した形状の窪みを形成する工程と、前記窪みの表面に、
離散した複数の第1の導線を形成する工程と、前記窪み
に、半分が前記窪みを埋め込み、残りの半分が基板表面
から突出する絶縁物からなる多角柱を形成する工程と、
前記円筒の表面に、前記第1の導線と接続して1本のコ
イルを形成する、離散した複数の第2の導線を形成する
工程とを有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a coil according to the present invention comprises the steps of: forming a hollow having a shape obtained by substantially dividing a polygonal prism into two on a substrate surface;
Forming a plurality of discrete first conductive wires; and forming a polygonal pillar made of an insulator, half of which is embedded in the recess, and the other half of which protrudes from the substrate surface,
Forming a plurality of discrete second conductors on the surface of the cylinder to form one coil by connecting to the first conductor.

【0021】これにより、立体的な構造を有するコイル
を高精度に形成することが可能となる。本発明のコイル
の製造方法によれば、基板表面の窪みに埋め込まれてコ
イルが形成されるため、導線を細くした場合にも導線お
よびコイルの強度が維持される。また、フォトリソグラ
フィの解像度およびエッチングの加工精度の許容範囲内
で、導線を細くすることができるため、コイルを微細化
することができる。また、コイルの鋳型となる窪みにお
いて、対向する面を傾斜面とし、傾斜面の表面に配線を
形成することにより、コイルに接続する配線の断線を防
止することができる。
Thus, it is possible to form a coil having a three-dimensional structure with high precision. According to the coil manufacturing method of the present invention, since the coil is formed by being embedded in the depression on the substrate surface, the strength of the conductor and the coil is maintained even when the conductor is made thin. Further, the conductive wire can be thinned within the allowable range of the resolution of photolithography and the processing accuracy of etching, so that the coil can be miniaturized. Further, in the depression serving as the coil mold, the facing surface is an inclined surface, and wiring is formed on the surface of the inclined surface, whereby disconnection of the wiring connected to the coil can be prevented.

【0022】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の電磁石の製造方法は、基板表面に半円筒状の窪みを
形成する工程と、前記窪みの表面に、離散した複数の第
1の導線を形成する工程と、前記窪みの表面に、前記第
1の導線を被覆する第1の絶縁膜を形成する工程と、前
記窪みに、半分が前記窪みを埋め込み、残りの半分が基
板表面に突出する磁性体からなる円筒を形成する工程
と、前記円筒の表面に、前記第1の絶縁膜と連続する第
2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の表面
に、前記第1の導線と接続して1本のコイルを形成す
る、離散した複数の第2の導線を形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
Further, in order to achieve the above object, a method for manufacturing an electromagnet according to the present invention comprises a step of forming a semi-cylindrical depression on the surface of a substrate; Forming a first insulating film covering the first conductive wire on the surface of the recess, and embedding half of the recess in the recess and projecting the other half to the substrate surface Forming a cylinder made of a magnetic material to be formed, forming a second insulating film continuous with the first insulating film on the surface of the cylinder, and forming the second insulating film on the surface of the second insulating film. Forming a plurality of discrete second conductors by connecting to one conductor to form one coil.

【0023】本発明の電磁石の製造方法は、好適には、
前記半円筒状の窪みを形成する工程は、前記基板表面に
ほぼ均等な厚さで第1のレジストを形成する工程と、階
調を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィに
より、前記第1のレジストの表面に半円筒状の窪みを形
成する工程と、前記第1のレジストおよび前記基板にエ
ッチングを行い、前記第1のレジストを除去しながら、
前記第1のレジスト表面の窪みを前記基板表面に複製す
る工程とを有することを特徴とする。
The method for producing an electromagnet of the present invention is preferably
The step of forming the semi-cylindrical recess includes the step of forming a first resist with a substantially uniform thickness on the substrate surface, and the step of forming the first resist by photolithography using a photomask having a gradation. Forming a semi-cylindrical dent on the surface of the substrate, etching the first resist and the substrate, and removing the first resist,
Duplicating a depression on the first resist surface on the substrate surface.

【0024】本発明の電磁石の製造方法は、好適には、
前記第1の導線を形成する工程は、前記基板に形成され
た窪みの表面に第1の導電体層を形成する工程と、前記
第1の導電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧することに
より、前記窪み内にほぼ均等な厚さで第2のレジストを
形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記第2の
レジストを前記第1の導線のパターンに加工する工程
と、前記第2のレジストをマスクとして前記第1の導電
体層にエッチングを行う工程とを有することを特徴とす
る。
The method for manufacturing an electromagnet of the present invention is preferably
The step of forming the first conductive wire includes forming a first conductor layer on the surface of the depression formed in the substrate, and spraying a resist resin on the surface of the first conductor layer. Forming a second resist with a substantially uniform thickness in the depression, processing the second resist into a pattern of the first conductive wire by photolithography, and masking the second resist. Etching the first conductor layer.

【0025】本発明の電磁石の製造方法は、好適には、
前記円筒を形成する工程は、前記窪み内を含む前記基板
上に磁性体層を形成する工程と、前記磁性体層の表面を
平坦化する工程と、前記磁性体層表面にほぼ均等な厚さ
で第3のレジストを形成する工程と、階調を有するフォ
トマスクを用いて前記第3のレジストにフォトリソグラ
フィを行い、前記基板の窪み上部にのみ、表面が曲面で
ある半円筒状に前記第3のレジストを残す工程と、前記
第3のレジストおよび前記磁性体層にエッチングを行
い、前記第3のレジストを除去しながら、前記第3のレ
ジスト表面の半円筒形状を前記磁性体層に複製する工程
とを有することを特徴とする。
The method for manufacturing an electromagnet of the present invention is preferably
The step of forming the cylinder includes forming a magnetic layer on the substrate including the inside of the depression, flattening the surface of the magnetic layer, and forming a substantially uniform thickness on the surface of the magnetic layer. Forming a third resist, and performing photolithography on the third resist by using a photomask having a gradation, and forming the third resist in a semi-cylindrical shape having a curved surface only above the depression of the substrate. 3) a step of leaving the resist, and etching the third resist and the magnetic layer to copy the semi-cylindrical shape of the surface of the third resist to the magnetic layer while removing the third resist. And a step of performing

【0026】本発明の電磁石の製造方法は、好適には、
前記第2の導線を形成する工程は、前記第2の絶縁膜の
表面に第2の導電体層を形成する工程と、前記第2の導
電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧することにより、ほ
ぼ均等な厚さで第4のレジストを形成する工程と、フォ
トリソグラフィにより前記第4のレジストを前記第2の
導線のパターンに加工する工程と、前記第4のレジスト
をマスクとして前記第2の導電体層にエッチングを行う
工程とを有することを特徴とする。
The method for producing an electromagnet of the present invention is preferably
The step of forming the second conductive wire includes forming a second conductor layer on the surface of the second insulating film, and spraying a resist resin on the surface of the second conductor layer. A step of forming a fourth resist with a substantially uniform thickness, a step of processing the fourth resist into a pattern of the second conductive wire by photolithography, and a step of forming the second resist using the fourth resist as a mask. Etching the conductor layer.

【0027】本発明の電磁石の製造方法は、好適には、
前記半円筒状の窪みを形成する工程は、前記窪みの対向
する2つの面の間隔が、前記窪みの底部に比較して前記
基板表面で広くなるように、前記窪みの対向する2つの
面を傾斜面とする工程を含むことを特徴とする。本発明
の電磁石の製造方法は、さらに好適には、前記第1の導
線を形成する工程は、前記傾斜面の表面に前記コイルに
接続する第1の配線を形成する工程を含むことを特徴と
する。
The method for producing an electromagnet of the present invention is preferably
The step of forming the semi-cylindrical dent may include removing two opposing surfaces of the dent so that a distance between two opposing surfaces of the dent is wider on the substrate surface as compared to a bottom of the dent. The method is characterized by including a step of forming an inclined surface. In the method for manufacturing an electromagnet according to the present invention, the step of forming the first conductor preferably includes a step of forming a first wiring connected to the coil on a surface of the inclined surface. I do.

【0028】本発明の電磁石の製造方法は、好適には、
前記円筒を形成する工程は、前記円筒の対向する2つの
面の間隔が、前記円筒の前記基板表面から突出した頂部
に比較して前記基板表面で広くなるように、前記円筒の
対向する2つの面を傾斜面とする工程を含むことを特徴
とする。本発明の電磁石の製造方法は、さらに好適に
は、前記第2の導線を形成する工程は、前記傾斜面の表
面に前記コイルに接続する第2の配線を形成する工程を
含むことを特徴とする。
The method for producing an electromagnet of the present invention is preferably
The step of forming the cylinder includes two opposing surfaces of the cylinder such that a distance between two opposing surfaces of the cylinder is wider on the substrate surface compared to a top portion of the cylinder protruding from the substrate surface. It is characterized by including a step of making the surface an inclined surface. In the method for manufacturing an electromagnet according to the present invention, the step of forming the second conductor preferably further includes a step of forming a second wiring connected to the coil on a surface of the inclined surface. I do.

【0029】また、上記の目的を達成するため、本発明
の電磁石の製造方法は、基板表面に多角柱をほぼ2等分
した形状の窪みを形成する工程と、前記窪みの表面に、
離散した複数の第1の導線を形成する工程と、前記窪み
の表面に前記第1の導線を被覆する第1の絶縁膜を形成
する工程と、前記窪みに半分が前記窪みを埋め込み、残
りの半分が基板表面に突出する磁性体からなる多角柱を
形成する工程と、前記多角柱の表面に、前記第1の絶縁
膜と連続する第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2
の絶縁膜の表面に、前記第1の導線と接続して1本のコ
イルを形成する、離散した複数の第2の導線を形成する
工程とを有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an electromagnet according to the present invention comprises the steps of: forming a depression having a shape obtained by substantially dividing a polygonal prism into two equal parts on a substrate surface;
A step of forming a plurality of discrete first conductors, a step of forming a first insulating film covering the first conductor on the surface of the depression, and half of the depression filling the depression, Forming a polygonal prism made of a magnetic material, half of which protrudes from the substrate surface; forming a second insulating film continuous with the first insulating film on the surface of the polygonal prism;
Forming a plurality of discrete second conductive wires on the surface of the insulating film to form one coil by connecting to the first conductive wire.

【0030】これにより、立体的な構造を有する微細コ
イルが磁性体コアの周囲に形成された電磁石を、高精度
に形成することが可能となる。本発明の電磁石の製造方
法によれば、基板表面の窪みに埋め込まれて微細コイル
が形成されるため、導線を細くした場合にも導線および
コイルの強度が維持される。また、フォトリソグラフィ
の解像度およびエッチングの加工精度の許容範囲内で、
導線を細くすることができるため、コイルを含む電磁石
を微細化することができる。また、電磁石の鋳型となる
窪みにおいて、対向する面を傾斜面とし、傾斜面の表面
に配線を形成することにより、コイルに接続する配線の
断線を防止することができる。
This makes it possible to form an electromagnet in which a fine coil having a three-dimensional structure is formed around the magnetic core with high precision. According to the manufacturing method of the electromagnet of the present invention, the fine coil is formed by being embedded in the depression on the surface of the substrate, so that the strength of the conductor and the coil is maintained even when the conductor is thinned. Also, within the allowable range of the resolution of photolithography and the processing accuracy of etching,
Since the conductive wire can be made thinner, the electromagnet including the coil can be made finer. Further, in the depression serving as a mold for the electromagnet, the facing surface is an inclined surface, and wiring is formed on the surface of the inclined surface, whereby disconnection of the wiring connected to the coil can be prevented.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下に、本発明のコイル、電磁石
およびそれらの製造方法の実施の形態について、図面を
参照して説明する。 (実施形態1)図1〜図3は本実施形態のコイルの製造
方法の製造工程を示す図であり、図3(d−1)は本実
施形態のコイルの断面図、図3(d−2)は本実施形態
のコイルの上面図である。本実施形態のコイルの製造方
法によれば、図3(d−1)および(d−2)に示すよ
うに、例えばコイル径4μm、コイル長12μmの微細
化されたコイルを、電子回路(不図示)と同一の基板上
に形成することができる。本実施形態のコイルを電子回
路のインダクタンス成分として用いることにより、電子
回路を微細化することが可能となる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a coil, an electromagnet and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIGS. 1 to 3 are views showing a manufacturing process of a method for manufacturing a coil of this embodiment. FIG. 3 (d-1) is a sectional view of the coil of this embodiment, and FIG. 2) is a top view of the coil of the present embodiment. According to the coil manufacturing method of the present embodiment, as shown in FIGS. 3D-1 and 3D-2, for example, a miniaturized coil having a coil diameter of 4 μm and a coil length of 12 μm is connected to an electronic circuit (non- (Not shown) on the same substrate. By using the coil of the present embodiment as an inductance component of an electronic circuit, it is possible to miniaturize the electronic circuit.

【0032】次に、本実施形態のコイルの製造方法につ
いて説明する。まず、図1(a−1)〜(a−3)に示
すように、基板1上に半円筒形(シリンドリカル)の凹
部2aを有するフォトレジスト2を形成する。図1(a
−2)は上面図であり、図1(a−1)は図1(a−
2)のX−X’における断面図、図1(a−3)は図1
(a−2)のY−Y’における断面図である。図1(a
−3)に示すように、凹部の端部には傾斜面2bが設け
られる。
Next, a method of manufacturing the coil of the present embodiment will be described. First, as shown in FIGS. 1A-1 to 1A-3, a photoresist 2 having a semi-cylindrical concave portion 2a is formed on a substrate 1. FIG. 1 (a
-2) is a top view, and FIG. 1 (a-1) is a top view of FIG.
2) is a cross-sectional view taken along line XX ′, and FIG.
It is sectional drawing in YY 'of (a-2). FIG. 1 (a
As shown in -3), an inclined surface 2b is provided at an end of the concave portion.

【0033】基板1として例えば、LSIが作製されて
いる8インチのSiウェハを用いることにより、LSI
と同一基板上に微細コイルが形成される。また、半円筒
形の凹部を有するフォトレジスト2は、基板1上にレジ
スト材料を塗布した後、階調を有するフォトマスクを用
いて紫外線を露光することにより形成することができ
る。階調を有するフォトマスクは、光透過性のマスク基
板上に遮光材料として例えば有機材料を、所定の階調を
もたせて成膜することにより得られる。
By using, for example, an 8-inch Si wafer on which an LSI is fabricated,
A fine coil is formed on the same substrate. The photoresist 2 having a semicylindrical concave portion can be formed by applying a resist material on the substrate 1 and exposing the substrate to ultraviolet light using a photomask having gradation. A photomask having a gradation can be obtained by forming an organic material, for example, as a light shielding material on a light-transmitting mask substrate with a predetermined gradation.

【0034】次に、図1(b−1)〜(b−3)に示す
ように、フォトレジスト2をマスクとして基板1にエッ
チングを行う。図1(b−2)は上面図であり、図1
(b−1)は図1(b−2)のX−X’における断面
図、図1(b−3)は図1(b−2)のY−Y’におけ
る断面図である。エッチングにより半円筒形の凹部2a
および傾斜面2bのレジストパターンを基板1に転写す
ると、基板1の表面に半円筒形の凹部1aおよび傾斜面
1bが形成される。基板1のエッチングは例えばドライ
エッチングにより、フォトレジスト2と基板1のエッチ
ング選択比が適切となるように行う。
Next, as shown in FIGS. 1 (b-1) to 1 (b-3), the substrate 1 is etched using the photoresist 2 as a mask. FIG. 1B-2 is a top view, and FIG.
1B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG. 1B-2, and FIG. 1B-3 is a cross-sectional view taken along line YY ′ of FIG. 1B-2. Semi-cylindrical recess 2a by etching
When the resist pattern on the inclined surface 2b is transferred to the substrate 1, a semi-cylindrical concave portion 1a and an inclined surface 1b are formed on the surface of the substrate 1. The etching of the substrate 1 is performed by, for example, dry etching so that the etching selectivity between the photoresist 2 and the substrate 1 becomes appropriate.

【0035】基板1表面の半円筒形の凹部1aは、例え
ば幅Wを4μm、最大深さDを2μm、長さLを12μ
mとする。また、図1(b−3)に示すように、基板1
の傾斜面1bの角度θは例えば60°とする。凹部1a
に傾斜面1bを設けることにより、続く工程で凹部1a
内に形成されるAl配線の断線が防止される。したがっ
て、傾斜面1bの角度θはAl配線の断線が防止される
範囲で適宜設定する。
The semi-cylindrical concave portion 1a on the surface of the substrate 1 has, for example, a width W of 4 μm, a maximum depth D of 2 μm, and a length L of 12 μm.
m. Further, as shown in FIG.
The angle θ of the inclined surface 1b is, for example, 60 °. Recess 1a
Is provided with the inclined surface 1b, so that the concave portion 1a
The disconnection of the Al wiring formed therein is prevented. Therefore, the angle θ of the inclined surface 1b is appropriately set within a range in which the disconnection of the Al wiring is prevented.

【0036】次に、図1(c)に示すように、凹部1a
内を含む基板1の表面に、例えばスパッタリングにより
均一な膜厚のAl膜3を形成する。Al膜3の膜厚は例
えば1.0μmとする。続いて、図2(a)に示すよう
に、フォトレジストを噴霧することにより均一な膜厚の
フォトレジスト4を形成する。フォトレジスト4の成膜
方法を通常のスピンコート等でなく噴霧とすることによ
り、表面の凹凸にかかわらず均一な膜厚のフォトレジス
トを形成することができる。ここで、基板1であるシリ
コンウェハにバイアスを印加し、フォトレジストの微粒
子を荷電させることにより、さらに均一な成膜が可能と
なる。
Next, as shown in FIG.
An Al film 3 having a uniform thickness is formed on the surface of the substrate 1 including the inside by, for example, sputtering. The thickness of the Al film 3 is, for example, 1.0 μm. Subsequently, as shown in FIG. 2A, a photoresist 4 having a uniform thickness is formed by spraying the photoresist. By forming the photoresist 4 by spraying instead of ordinary spin coating or the like, a photoresist having a uniform thickness can be formed regardless of surface irregularities. Here, a more uniform film can be formed by applying a bias to the silicon wafer as the substrate 1 and charging the fine particles of the photoresist.

【0037】次に、図2(b−1)および(b−2)に
示すように、Al膜3にエッチングを行いAl配線5a
を形成する。図2(b−2)は上面図であり、図2(b
−1)は図2(b−2)のX−X’における断面図であ
る。図2(a)のフォトレジスト4を形成後、焦点深度
の深い遠距離光学系を有するマスクアライナーを用い
て、凹部1a内のフォトレジスト4に露光を行い、コイ
ルの半分に対応するパターンを転写する。さらに、コイ
ルパターンに加工されたフォトレジスト4をマスクとし
てAl膜3にドライエッチングを行う。これにより、シ
リコン基板1に形成された半円筒形の凹部1a内に、太
さが例えば1μmであるAl配線5aが形成される。図
2(b−2)に示すように、コイルのピッチIは例えば
3μmとする。
Next, as shown in FIGS. 2 (b-1) and (b-2), the Al film 3 is etched to form an Al wiring 5a.
To form FIG. 2B-2 is a top view, and FIG.
-1) is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 2B-2. After forming the photoresist 4 of FIG. 2A, the photoresist 4 in the concave portion 1a is exposed by using a mask aligner having a long-distance optical system having a large depth of focus, and a pattern corresponding to half of the coil is transferred. I do. Further, dry etching is performed on the Al film 3 using the photoresist 4 processed into the coil pattern as a mask. As a result, the Al wiring 5a having a thickness of, for example, 1 μm is formed in the semi-cylindrical concave portion 1a formed in the silicon substrate 1. As shown in FIG. 2B-2, the coil pitch I is, for example, 3 μm.

【0038】次に、図2(c)に示すように、凹部1a
内を含む基板1上に絶縁膜として例えばシリコン酸化膜
6を形成し、半円筒形の凹部1aを完全に埋め込む。シ
リコン酸化膜6は例えばプラズマCVD(chemic
al vapor deposition)法により成
膜することができる。その後、例えばCMP(chem
ical mechanical polishin
g)を行い、シリコン酸化膜6の表面を平坦化する。
Next, as shown in FIG.
For example, a silicon oxide film 6 is formed as an insulating film on the substrate 1 including the inside, and the semi-cylindrical concave portion 1a is completely buried. The silicon oxide film 6 is formed, for example, by plasma CVD (chemical).
The film can be formed by an al deposition method. Then, for example, CMP (chem
ical mechanical polish
g) is performed to flatten the surface of the silicon oxide film 6.

【0039】次に、図2(d)に示すように、シリコン
酸化膜6上に半円筒形のフォトレジスト7を形成する。
半円筒形のフォトレジスト7は、シリコン酸化膜6上に
レジスト材料を塗布した後、階調を有するフォトマスク
を用いて紫外線を照射することにより形成することがで
きる。階調を有するフォトマスクとしては、フォトレジ
スト2を形成するためのフォトマスクと同様なものを用
いることができる。また、図示しないがフォトレジスト
7の端部には傾斜面が形成される。この傾斜面とシリコ
ン酸化膜6の表面とのなす角は、図1(a−3)に示す
角度θとする。傾斜面は、続く工程で形成されるAl配
線5bの断線を防止する目的で設けられる。
Next, as shown in FIG. 2D, a semi-cylindrical photoresist 7 is formed on the silicon oxide film 6.
The semi-cylindrical photoresist 7 can be formed by applying a resist material on the silicon oxide film 6 and then irradiating the ultraviolet rays using a photomask having gradation. As a photomask having a gradation, a photomask similar to the photomask for forming the photoresist 2 can be used. Although not shown, an inclined surface is formed at the end of the photoresist 7. The angle between the inclined surface and the surface of the silicon oxide film 6 is an angle θ shown in FIG. The inclined surface is provided for the purpose of preventing disconnection of Al wiring 5b formed in a subsequent step.

【0040】次に、図3(a)に示すように、フォトレ
ジスト7およびシリコン酸化膜6にエッチングを行う。
フォトレジスト7とシリコン酸化膜6のエッチング選択
比が適切となるように、例えばドライエッチングを行う
ことにより、傾斜面を有する半円筒形のレジストパター
ンがシリコン酸化膜6に転写される。これにより、基板
1の凹部1a上に酸化シリコンからなり、底面に傾斜面
を有する円筒6aが形成される。
Next, as shown in FIG. 3A, the photoresist 7 and the silicon oxide film 6 are etched.
By performing dry etching, for example, so that the etching selectivity between the photoresist 7 and the silicon oxide film 6 is appropriate, a semi-cylindrical resist pattern having an inclined surface is transferred to the silicon oxide film 6. Thus, a cylinder 6a made of silicon oxide and having an inclined surface on the bottom surface is formed on the concave portion 1a of the substrate 1.

【0041】ここで、シリコン酸化膜6にエッチングを
行う際には、基板1の凹部1aの縁部に形成されたAl
配線5a、すなわちAl配線5aの最上部を露出させる
必要がある。Al配線5aの最上部を露出させることに
より、続く工程で形成される配線5bと配線5aが接続
し、コイルが形成される。Al配線5aの最上部を露出
させるため、シリコン酸化膜6を局所的に除去し、円筒
6aに切れ込みを入れてもよい。
Here, when the silicon oxide film 6 is etched, the Al film formed on the edge of the concave portion 1a of the substrate 1 is formed.
It is necessary to expose the wiring 5a, that is, the uppermost part of the Al wiring 5a. By exposing the uppermost portion of the Al wiring 5a, the wiring 5b formed in the subsequent step is connected to the wiring 5a, and a coil is formed. In order to expose the uppermost portion of the Al wiring 5a, the silicon oxide film 6 may be locally removed and a cut may be made in the cylinder 6a.

【0042】次に、図3(b)に示すように、円筒6a
および基板1の表面に、例えばスパッタリングにより均
一な膜厚のAl膜8を形成する。Al膜8はAl膜3と
同じ膜厚、例えば1.0μmで形成する。続いて、図3
(c)に示すように、フォトレジストを噴霧することに
より均一な膜厚のフォトレジスト9を形成する。フォト
レジスト9の成膜方法を通常のスピンコート等でなく噴
霧とすることにより、表面の凹凸にかかわらず均一な膜
厚のフォトレジストを形成することができる。ここで、
基板1であるシリコンウェハにバイアスを印加し、フォ
トレジストの微粒子を荷電させることにより、さらに均
一な成膜が可能となる。
Next, as shown in FIG.
Then, an Al film 8 having a uniform thickness is formed on the surface of the substrate 1 by, for example, sputtering. The Al film 8 is formed with the same thickness as the Al film 3, for example, 1.0 μm. Subsequently, FIG.
As shown in (c), a photoresist 9 having a uniform thickness is formed by spraying the photoresist. By spraying the photoresist 9 instead of spin coating or the like, a photoresist having a uniform film thickness can be formed regardless of surface irregularities. here,
By applying a bias to the silicon wafer as the substrate 1 to charge the fine particles of the photoresist, a more uniform film can be formed.

【0043】次に、図3(d−1)および(d−2)に
示すように、Al膜8にエッチングを行いAl配線5b
を形成する。図3(d−2)は上面図であり、図3(d
−1)は図3(d−2)のX−X’における断面図であ
る。Al配線5bを形成するには、まず、図3(c)の
フォトレジスト9を形成後、焦点深度の深い遠距離光学
系を有するマスクアライナーを用いて、円筒6a表面の
フォトレジスト9に露光を行い、コイルの半分に対応す
るパターンを転写する。さらに、コイルパターンに加工
されたフォトレジスト9をマスクとしてAl膜8にドラ
イエッチングを行う。これにより、円筒6aの表面に太
さが例えば1μmであるAl配線5bが形成される。
Next, as shown in FIGS. 3D-1 and 3D-2, the Al film 8 is etched to form the Al wiring 5b.
To form FIG. 3D-2 is a top view, and FIG.
-1) is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 3D-2. In order to form the Al wiring 5b, first, after forming the photoresist 9 of FIG. 3C, the photoresist 9 on the surface of the cylinder 6a is exposed using a mask aligner having a long-distance optical system having a large depth of focus. Then, a pattern corresponding to half of the coil is transferred. Further, dry etching is performed on the Al film 8 using the photoresist 9 processed into the coil pattern as a mask. Thus, an Al wiring 5b having a thickness of, for example, 1 μm is formed on the surface of the cylinder 6a.

【0044】以上の工程により、Al配線5bとAl配
線5aが接続し、図3(d−2)に示すようにピッチI
が例えば3μmである1本のコイルが形成される。ま
た、このコイルは基板1に形成されたLSIと接続し、
インダクタンス成分となる。上記の本発明の実施形態の
コイルの製造方法によれば、例えばシリコン基板等の基
板上に、3次元構造を有しLSIと接続する微細コイル
を高精度に形成することが可能となる。
Through the above steps, the Al wiring 5b and the Al wiring 5a are connected, and the pitch I is changed as shown in FIG.
Is formed, for example, with a length of 3 μm. This coil is connected to an LSI formed on the substrate 1,
It becomes an inductance component. According to the coil manufacturing method of the embodiment of the present invention described above, it becomes possible to form a fine coil having a three-dimensional structure and connected to an LSI with high accuracy on a substrate such as a silicon substrate.

【0045】(実施形態2)図4〜図6は本実施形態の
電磁石の製造方法の製造工程を示す図である。また、図
1〜図2(b−1)および(b−2)に示す工程は、実
施形態1のコイルの製造方法と共通する。図6(c−
1)は本実施形態の電磁石の断面図、図6(c−2)は
本実施形態の電磁石の上面図である。本実施形態の電磁
石の製造方法によれば、図6(c−1)および(c−
2)に示すように、例えばコイル径4μm、コイル長1
2μmの微細化されたコイルと、Niからなるコイル芯
とを有する微細電磁石を形成することができる。本実施
形態の電磁石はMEMSに好適に用いることができる。
(Embodiment 2) FIGS. 4 to 6 are views showing manufacturing steps of a method of manufacturing an electromagnet according to the present embodiment. The steps shown in FIGS. 1 to 2 (b-1) and (b-2) are common to the coil manufacturing method of the first embodiment. FIG. 6 (c-
1) is a cross-sectional view of the electromagnet of the present embodiment, and FIG. 6C-2 is a top view of the electromagnet of the present embodiment. According to the method of manufacturing an electromagnet of the present embodiment, FIGS.
As shown in 2), for example, a coil diameter of 4 μm and a coil length of 1
A fine electromagnet having a micronized coil of 2 μm and a coil core made of Ni can be formed. The electromagnet of the present embodiment can be suitably used for MEMS.

【0046】次に、本実施形態の電磁石の製造方法につ
いて説明する。まず、図1(a−1)〜(a−3)に示
すように、基板1上に半円筒形(シリンドリカル)の凹
部2aを有するフォトレジスト2を形成する。図1(a
−2)は上面図であり、図1(a−1)は図1(a−
2)のX−X’における断面図、図1(a−3)は図1
(a−2)のY−Y’における断面図である。図1(a
−3)に示すように、凹部の端部には傾斜面2bが設け
られる。
Next, a method for manufacturing the electromagnet of the present embodiment will be described. First, as shown in FIGS. 1A-1 to 1A-3, a photoresist 2 having a semi-cylindrical concave portion 2a is formed on a substrate 1. FIG. 1 (a
-2) is a top view, and FIG. 1 (a-1) is a top view of FIG.
2) is a cross-sectional view taken along line XX ′, and FIG.
It is sectional drawing in YY 'of (a-2). FIG. 1 (a
As shown in -3), an inclined surface 2b is provided at an end of the concave portion.

【0047】基板1として例えば、LSIが作製されて
いる8インチのSiウェハを用いることにより、LSI
と同一基板上に微細電磁石を形成することができる。ま
た、半円筒形の凹部を有するフォトレジスト2は、基板
1上にレジスト材料を塗布した後、階調を有するフォト
マスクを用いて紫外線を照射することにより形成でき
る。階調を有するフォトマスクは、光透過性のマスク基
板上に遮光材料として例えば有機材料を、所定の階調を
もたせて成膜することにより得られる。
By using, for example, an 8-inch Si wafer on which an LSI has been fabricated,
And a fine electromagnet can be formed on the same substrate. The photoresist 2 having a semicylindrical concave portion can be formed by applying a resist material on the substrate 1 and irradiating the substrate with ultraviolet rays using a photomask having gradation. A photomask having a gradation can be obtained by forming an organic material, for example, as a light shielding material on a light-transmitting mask substrate with a predetermined gradation.

【0048】次に、図1(b−1)〜(b−3)に示す
ように、フォトレジスト2をマスクとして基板1にエッ
チングを行う。図1(b−2)は上面図であり、図1
(b−1)は図1(b−2)のX−X’における断面
図、図1(b−3)は図1(b−2)のY−Y’におけ
る断面図である。エッチングにより半円筒形の凹部2a
および傾斜面2bのレジストパターンを基板1に転写す
ると、基板1の表面に半円筒形の凹部1aおよび傾斜面
1bが形成される。基板1のエッチングは例えばドライ
エッチングにより、フォトレジスト2と基板1のエッチ
ング選択比が適切となるように行う。
Next, as shown in FIGS. 1 (b-1) to 1 (b-3), the substrate 1 is etched using the photoresist 2 as a mask. FIG. 1B-2 is a top view, and FIG.
1B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG. 1B-2, and FIG. 1B-3 is a cross-sectional view taken along line YY ′ of FIG. 1B-2. Semi-cylindrical recess 2a by etching
When the resist pattern on the inclined surface 2b is transferred to the substrate 1, a semi-cylindrical concave portion 1a and an inclined surface 1b are formed on the surface of the substrate 1. The etching of the substrate 1 is performed by, for example, dry etching so that the etching selectivity between the photoresist 2 and the substrate 1 becomes appropriate.

【0049】基板1表面の半円筒形の凹部1aは、例え
ば幅Wを4μm、最大深さDを2μm、長さLを12μ
mとする。また、図1(b−3)に示すように、基板1
の傾斜面1bの角度θは例えば60°とする。凹部1a
に傾斜面1bを設けることにより、続く工程で凹部1a
内に形成されるAl配線の断線が防止される。したがっ
て、傾斜面1bの角度θはAl配線の断線が防止される
範囲で適宜設定する。
The semi-cylindrical concave portion 1a on the surface of the substrate 1 has, for example, a width W of 4 μm, a maximum depth D of 2 μm, and a length L of 12 μm.
m. Further, as shown in FIG.
The angle θ of the inclined surface 1b is, for example, 60 °. Recess 1a
Is provided with the inclined surface 1b, so that the concave portion 1a
The disconnection of the Al wiring formed therein is prevented. Therefore, the angle θ of the inclined surface 1b is appropriately set within a range in which the disconnection of the Al wiring is prevented.

【0050】次に、図1(c)に示すように、凹部1a
内を含む基板1の表面に、例えばスパッタリングにより
均一な膜厚のAl膜3を形成する。Al膜3の膜厚は例
えば1.0μmとする。続いて、図2(a)に示すよう
に、フォトレジストを噴霧することにより均一な膜厚の
フォトレジスト4を形成する。フォトレジスト4の成膜
方法を通常のスピンコート等でなく噴霧とすることによ
り、表面の凹凸にかかわらず均一な膜厚のフォトレジス
トを形成することができる。ここで、基板1であるシリ
コンウェハにバイアスを印加し、フォトレジストの微粒
子を荷電させることにより、さらに均一な成膜が可能と
なる。
Next, as shown in FIG.
An Al film 3 having a uniform thickness is formed on the surface of the substrate 1 including the inside by, for example, sputtering. The thickness of the Al film 3 is, for example, 1.0 μm. Subsequently, as shown in FIG. 2A, a photoresist 4 having a uniform thickness is formed by spraying the photoresist. By forming the photoresist 4 by spraying instead of ordinary spin coating or the like, a photoresist having a uniform thickness can be formed regardless of surface irregularities. Here, a more uniform film can be formed by applying a bias to the silicon wafer as the substrate 1 and charging the fine particles of the photoresist.

【0051】次に、図2(b−1)および(b−2)に
示すように、Al膜3にエッチングを行いAl配線5a
を形成する。図2(b−2)は上面図であり、図2(b
−1)は図2(b−2)のX−X’における断面図であ
る。図2(a)のフォトレジスト4を形成後、焦点深度
の深い遠距離光学系を有するマスクアライナーを用い
て、凹部1a内のフォトレジスト4に露光を行い、コイ
ルの半分に対応するパターンを転写する。さらに、コイ
ルパターンに加工されたフォトレジスト4をマスクとし
てAl膜3にドライエッチングを行う。これにより、シ
リコン基板1に形成された半円筒形の凹部1a内に、太
さが例えば1μmであるAl配線5aが形成される。図
2(b−2)に示すように、コイルのピッチIは例えば
3μmとする。
Next, as shown in FIGS. 2 (b-1) and 2 (b-2), the Al film 3 is etched to form an Al wiring 5a.
To form FIG. 2B-2 is a top view, and FIG.
-1) is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 2B-2. After forming the photoresist 4 of FIG. 2A, the photoresist 4 in the concave portion 1a is exposed by using a mask aligner having a long-distance optical system having a large depth of focus, and a pattern corresponding to half of the coil is transferred. I do. Further, dry etching is performed on the Al film 3 using the photoresist 4 processed into the coil pattern as a mask. As a result, the Al wiring 5a having a thickness of, for example, 1 μm is formed in the semi-cylindrical concave portion 1a formed in the silicon substrate 1. As shown in FIG. 2B-2, the coil pitch I is, for example, 3 μm.

【0052】次に、図4(a)に示すように、凹部1a
内および基板1上に絶縁膜として例えばシリコン酸化膜
11を均一な膜厚、例えば0.5μmで形成する。続い
て、図4(b)に示すように、凹部1a内のシリコン酸
化膜11のみ被覆するフォトレジスト12を形成する。
その後、図4(c)に示すように、フォトレジスト12
をマスクとしてシリコン酸化膜11に例えばドライエッ
チングを行って、半円筒形の凹部1a以外のシリコン酸
化膜11を除去する。次に、図4(d)に示すように、
シリコン酸化膜11および基板1上に、例えばスパッタ
リングによりNi膜13を堆積させ、半円筒形の凹部1
aを完全に埋め込む。その後、例えばCMPを行い、N
i膜13の表面を平坦化する。
Next, as shown in FIG.
A silicon oxide film 11 having a uniform thickness, for example, 0.5 μm is formed as an insulating film inside and on the substrate 1. Subsequently, as shown in FIG. 4B, a photoresist 12 covering only the silicon oxide film 11 in the concave portion 1a is formed.
Thereafter, as shown in FIG.
Is used as a mask, for example, dry etching is performed on the silicon oxide film 11 to remove the silicon oxide film 11 other than the semi-cylindrical concave portion 1a. Next, as shown in FIG.
A Ni film 13 is deposited on the silicon oxide film 11 and the substrate 1 by, for example, sputtering to form a semi-cylindrical concave portion 1.
a is completely embedded. Thereafter, for example, CMP is performed, and N
The surface of the i-film 13 is flattened.

【0053】次に、図4(e)に示すように、Ni膜1
3上に半円筒形のフォトレジスト14を形成する。半円
筒形のフォトレジスト14は、Ni膜13上にレジスト
材料を塗布した後、階調を有するフォトマスクを用いて
紫外線を照射することにより形成することができる。階
調を有するフォトマスクとしては、フォトレジスト2を
形成するためのフォトマスクと同様なものを用いること
ができる。また、図示しないがフォトレジスト14の端
部には傾斜面が形成される。この傾斜面とNi膜13の
表面とのなす角は、図1(a−3)に示す角度θ、例え
ば60°とする。傾斜面は、続く工程で形成されるAl
配線5bの断線を防止する目的で設けられる。
Next, as shown in FIG.
A semi-cylindrical photoresist 14 is formed on 3. The semi-cylindrical photoresist 14 can be formed by applying a resist material on the Ni film 13 and then irradiating ultraviolet rays using a photomask having gradation. As a photomask having a gradation, a photomask similar to the photomask for forming the photoresist 2 can be used. Although not shown, an inclined surface is formed at an end of the photoresist 14. The angle between the inclined surface and the surface of the Ni film 13 is an angle θ shown in FIG. 1A-3, for example, 60 °. The inclined surface is formed by Al
It is provided for the purpose of preventing disconnection of the wiring 5b.

【0054】次に、図5(a−1)および(a−2)に
示すように、フォトレジスト14およびNi膜13にエ
ッチングを行う。フォトレジスト14とNi膜13のエ
ッチング選択比が適切となるように、例えばドライエッ
チングを行うことにより、傾斜面を有する半円筒形のレ
ジストパターンがNi膜13に転写される。これによ
り、基板1の凹部1a上にNiからなり、底面に傾斜面
を有する円筒13aが形成される。円筒13aの直径は
ほぼ3μmとなる。また、円筒13aの基板1側の表面
にはシリコン酸化膜11を介してAl配線5aが形成さ
れている。
Next, as shown in FIGS. 5A-1 and 5A-2, the photoresist 14 and the Ni film 13 are etched. By performing dry etching, for example, so that the etching selectivity between the photoresist 14 and the Ni film 13 is appropriate, a semi-cylindrical resist pattern having an inclined surface is transferred to the Ni film 13. As a result, a cylinder 13a made of Ni on the concave portion 1a of the substrate 1 and having an inclined surface on the bottom surface is formed. The diameter of the cylinder 13a is approximately 3 μm. An Al wiring 5a is formed on the surface of the cylinder 13a on the substrate 1 side via the silicon oxide film 11.

【0055】次に、図5(b)に示すように、円筒13
aの表面および基板1上に、絶縁膜として例えばシリコ
ン酸化膜15を均一な膜厚で形成する。この絶縁膜は円
筒13aの半分を被覆している絶縁膜、すなわちシリコ
ン酸化膜11と組成および膜厚を共通させる。シリコン
酸化膜15はシリコン酸化膜11と接続する。
Next, as shown in FIG.
For example, a silicon oxide film 15 having a uniform thickness is formed as an insulating film on the surface a and on the substrate 1. This insulating film has the same composition and thickness as the insulating film covering half of the cylinder 13a, that is, the silicon oxide film 11. Silicon oxide film 15 is connected to silicon oxide film 11.

【0056】次に、図5(c)に示すように、シリコン
酸化膜15上にフォトレジストを噴霧することにより均
一な膜厚のフォトレジスト16を形成する。フォトレジ
スト16の成膜方法を通常のスピンコート等でなく噴霧
とすることにより、表面の凹凸にかかわらず均一な膜厚
のフォトレジストを形成することができる。ここで、基
板1であるシリコンウェハにバイアスを印加し、フォト
レジストの微粒子を荷電させることにより、さらに均一
な成膜が可能となる。
Next, as shown in FIG. 5C, a photoresist 16 having a uniform thickness is formed on the silicon oxide film 15 by spraying the photoresist. By spraying the photoresist 16 instead of spin coating or the like, a photoresist having a uniform film thickness can be formed regardless of surface irregularities. Here, a more uniform film can be formed by applying a bias to the silicon wafer as the substrate 1 and charging the fine particles of the photoresist.

【0057】その後、焦点深度の深い遠距離光学系を有
するマスクアライナーを用いて露光を行い、円筒13a
部分のフォトレジスト16のみ残してフォトレジスト1
6を除去する。次に、円筒13a部分にのみ残されたフ
ォトレジスト16をマスクとしてシリコン酸化膜15に
例えばドライエッチングを行うことにより、図5(d)
に示すように、Niからなる円筒13aがシリコン酸化
膜11、15により被覆される。
Thereafter, exposure is performed using a mask aligner having a long-distance optical system having a large depth of focus, and the cylinder 13a is exposed.
Photoresist 1 leaving only part of photoresist 16
6 is removed. Next, the silicon oxide film 15 is subjected to, for example, dry etching using the photoresist 16 remaining only in the cylinder 13a as a mask, to thereby obtain FIG.
As shown in FIG. 5, a cylinder 13a made of Ni is covered with silicon oxide films 11 and 15.

【0058】ここで、シリコン酸化膜15にエッチング
を行う際には、基板1の凹部1aの縁部に形成されたA
l配線5a、すなわちAl配線5aの最上部を露出させ
る必要がある。Al配線5aの最上部を露出させること
により、続く工程で形成される配線5bと配線5aが接
続し、コイルが形成される。Al配線5aの最上部を露
出させるため、シリコン酸化膜15を局所的に除去し、
切れ込みを入れてもよい。
Here, when etching the silicon oxide film 15, the A formed on the edge of the concave portion 1 a of the substrate 1 is formed.
It is necessary to expose the l wiring 5a, that is, the uppermost part of the Al wiring 5a. By exposing the uppermost portion of the Al wiring 5a, the wiring 5b formed in the subsequent step is connected to the wiring 5a, and a coil is formed. In order to expose the uppermost part of the Al wiring 5a, the silicon oxide film 15 is locally removed,
A cut may be made.

【0059】次に、図6(a)に示すように、円筒13
aおよび基板1の表面に、例えばスパッタリングにより
均一な膜厚のAl膜8を形成する。Al膜8はAl膜3
と同じ膜厚、例えば1.0μmで形成する。続いて、図
6(b)に示すように、Al膜8上にフォトレジストを
噴霧することにより均一な膜厚のフォトレジスト17を
形成する。フォトレジスト17の成膜方法を通常のスピ
ンコート等でなく噴霧とすることにより、表面の凹凸に
かかわらず均一な膜厚のフォトレジストを形成すること
ができる。ここで、基板1であるシリコンウェハにバイ
アスを印加し、フォトレジストの微粒子を荷電させるこ
とにより、さらに均一な成膜が可能となる。
Next, as shown in FIG.
An Al film 8 having a uniform film thickness is formed on the surface of the substrate a and the substrate 1 by, for example, sputtering. The Al film 8 is the Al film 3
It is formed with the same film thickness as, for example, 1.0 μm. Subsequently, as shown in FIG. 6B, a photoresist 17 having a uniform thickness is formed on the Al film 8 by spraying the photoresist. By spraying the photoresist 17 instead of spin coating or the like, it is possible to form a photoresist having a uniform thickness regardless of surface irregularities. Here, a more uniform film can be formed by applying a bias to the silicon wafer as the substrate 1 and charging the fine particles of the photoresist.

【0060】次に、図6(c−1)および(c−2)に
示すように、Al膜8にエッチングを行いAl配線5b
を形成する。図6(c−2)は上面図であり、図6(c
−1)は図6(c−2)のX−X’における断面図であ
る。Al配線5bを形成するには、まず、図6(b)の
フォトレジスト17を形成後、焦点深度の深い遠距離光
学系を有するマスクアライナーを用いて、Al膜8表面
のフォトレジスト17に露光を行い、コイルの半分に対
応するパターンを転写する。さらに、コイルパターンに
加工されたフォトレジスト17をマスクとしてAl膜8
にドライエッチングを行う。これにより、円筒13aの
表面に太さが例えば1μmであるAl配線5bが形成さ
れる。
Next, as shown in FIGS. 6C-1 and 6C-2, the Al film 8 is etched to form the Al wiring 5b.
To form FIG. 6C-2 is a top view, and FIG.
-1) is a sectional view taken along line XX ′ in FIG. 6C-2. To form the Al wiring 5b, first, after forming the photoresist 17 of FIG. 6B, the photoresist 17 on the surface of the Al film 8 is exposed using a mask aligner having a long-distance optical system having a large depth of focus. To transfer the pattern corresponding to half of the coil. Further, using the photoresist 17 processed into the coil pattern as a mask, the Al film 8 is formed.
Dry etching. Thus, an Al wiring 5b having a thickness of, for example, 1 μm is formed on the surface of the cylinder 13a.

【0061】以上の工程により、Al配線5bとAl配
線5aが接続し、図6(c−2)に示すようにピッチI
が例えば3μmである1本のコイルが、コイル芯である
Ni円筒13aの周囲に形成される。上記の本実施形態
の電磁石は、MEMSに好適に使用することができる。
Through the above steps, the Al wiring 5b and the Al wiring 5a are connected, and the pitch I is changed as shown in FIG.
Is formed around the Ni cylinder 13a as the coil core. The above electromagnet of the present embodiment can be suitably used for MEMS.

【0062】本発明のコイル、電磁石および製造方法の
実施形態は、上記の説明に限定されない。例えば、コイ
ルや電磁石の寸法、金属あるいは絶縁膜の種類や、成膜
手段等は適宜変更することができる。また、実施形態1
において円筒6aを構成するシリコン酸化膜のかわり
に、有機シリコン酸化膜等の低誘電体層を用いると、コ
イル完成後にアッシングを行うことによりコイル内部を
空洞化させることができる。また、コイルあるいは電磁
石の断面を円または楕円とせずに、矩形等の多角形とす
ることもできる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々の変更が可能である。
Embodiments of the coil, electromagnet and manufacturing method of the present invention are not limited to the above description. For example, the dimensions of the coil or electromagnet, the type of metal or insulating film, the film forming means, and the like can be appropriately changed. Embodiment 1
When a low dielectric layer such as an organic silicon oxide film is used instead of the silicon oxide film constituting the cylinder 6a in the above, the inside of the coil can be hollowed out by performing ashing after completion of the coil. Also, the cross section of the coil or the electromagnet may be a polygon such as a rectangle instead of a circle or an ellipse. In addition, various changes can be made without departing from the gist of the present invention.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明のコイルによれば、3次元的な構
造を有するため、平面的にコイルを形成する場合に比較
してコイルの占有面積を縮小させることができる。本発
明の電磁石によれば、3次元的な構造を有する微細コイ
ルを含み、MEMSに好適に用いることができる。本発
明のコイルの製造方法によれば、3次元的な構造を有す
る微細コイルを高精度に形成することができる。本発明
の電磁石の製造方法によれば、3次元的な構造を有する
微細コイルを含み、MEMSに好適に用いることができ
る微細電磁石を高精度に形成することができる。
According to the coil of the present invention, since it has a three-dimensional structure, the area occupied by the coil can be reduced as compared with the case where the coil is formed in a plane. According to the electromagnet of the present invention, the electromagnet includes a fine coil having a three-dimensional structure, and can be suitably used for MEMS. According to the coil manufacturing method of the present invention, a fine coil having a three-dimensional structure can be formed with high accuracy. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the manufacturing method of the electromagnet of this invention, the fine electromagnet including the fine coil which has a three-dimensional structure, and can be suitably used for MEMS can be formed with high precision.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(c)は、実施形態1および2にかか
るコイルあるいは電磁石の製造方法の製造工程を示す断
面図あるいは上面図である。
FIGS. 1A to 1C are cross-sectional views or top views showing manufacturing steps of a method for manufacturing a coil or an electromagnet according to Embodiments 1 and 2. FIG.

【図2】(a)〜(d)は、実施形態1にかかるコイル
の製造方法の製造工程を示す断面図あるいは上面図であ
り、(a)および(b)は、実施形態2にかかる電磁石
の製造方法の製造工程を示す断面図あるいは上面図であ
る。
FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views or top views showing manufacturing steps of a method for manufacturing a coil according to the first embodiment, and FIGS. 2A and 2B are electromagnets according to the second embodiment; FIG. 7 is a cross-sectional view or a top view showing the manufacturing process of the manufacturing method of FIG.

【図3】(a)〜(d)は、実施形態1にかかるコイル
の製造方法の製造工程を示す断面図あるいは上面図であ
る。
FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views or top views illustrating a manufacturing process of the coil manufacturing method according to the first embodiment.

【図4】(a)〜(e)は、実施形態2にかかる電磁石
の製造方法の製造工程を示す断面図である。
FIGS. 4A to 4E are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of an electromagnet manufacturing method according to a second embodiment.

【図5】(a)〜(d)は、実施形態2にかかる電磁石
の製造方法の製造工程を示す断面図あるいは上面図であ
る。
FIGS. 5A to 5D are cross-sectional views or top views showing the manufacturing steps of the method for manufacturing an electromagnet according to the second embodiment.

【図6】(a)〜(c)は、実施形態2にかかる電磁石
の製造方法の製造工程を示す断面図あるいは上面図であ
る。
FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views or top views showing manufacturing steps of a method for manufacturing an electromagnet according to the second embodiment.

【図7】従来の3次元的構造を有するコイルの斜視図で
ある。
FIG. 7 is a perspective view of a conventional coil having a three-dimensional structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、101…基板、1a、2a…凹部、1b、2b…傾
斜面、2、4、7、9、12、14、16、17…フォ
トレジスト、3、8…Al膜、5a、5b…Al配線、
6、11、15…シリコン酸化膜、6a…絶縁物(酸化
シリコン)の円筒、13…Ni膜、13a…Niの円筒
(磁性体コア)、102…絶縁層、102a…コンタク
トホール、103…磁性体コア、104…コイル底配
線、105…コイル両側配線、106…コイル天配線。
1, 101: substrate, 1a, 2a: concave portion, 1b, 2b: inclined surface, 2, 4, 7, 9, 12, 14, 16, 17: photoresist, 3, 8: Al film, 5a, 5b: Al wiring,
6, 11, 15: silicon oxide film, 6a: cylinder of insulator (silicon oxide), 13: Ni film, 13a: cylinder of Ni (magnetic core), 102: insulating layer, 102a: contact hole, 103: magnetic Body core, 104: coil bottom wiring, 105: coil both side wiring, 106: coil top wiring.

Claims (41)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】導線が、らせん状に巻かれたコイルであっ
て、 前記導線は前記らせんの1周回のほぼ半分の長さを有す
る複数の導線片が接続されたものであるコイル。
1. A coil in which a conductive wire is spirally wound, wherein the conductive wire is formed by connecting a plurality of conductive wire pieces having a length substantially half of one turn of the spiral.
【請求項2】前記コイルは、前記導線が等間隔で円柱状
に巻かれたソレノイドコイルである請求項1記載のコイ
ル。
2. The coil according to claim 1, wherein said coil is a solenoid coil in which said conductive wires are wound in a cylindrical shape at equal intervals.
【請求項3】前記コイルの半分は、基板表面に形成され
た窪み内に埋め込まれている請求項1記載のコイル。
3. The coil according to claim 1, wherein a half of said coil is embedded in a recess formed in a substrate surface.
【請求項4】前記窪みは、断面が円または楕円である円
筒をほぼ2等分した半円筒状の形状を有する請求項3記
載のコイル。
4. The coil according to claim 3, wherein the recess has a semi-cylindrical shape obtained by substantially bisecting a cylinder having a circular or elliptical cross section.
【請求項5】前記半円筒状の窪みは、前記窪みの対向す
る2つの面の間隔が、前記窪みの底部に比較して前記基
板表面で広くなるように、前記窪みの対向する2つの面
が傾斜面となっている請求項4記載のコイル。
5. The semi-cylindrical depression has two opposing surfaces of the depression such that the distance between two opposing surfaces of the depression is wider on the substrate surface than at the bottom of the depression. The coil according to claim 4, wherein is a slope.
【請求項6】前記傾斜面の表面に、前記コイルと接続す
る配線が形成されている請求項5記載のコイル。
6. The coil according to claim 5, wherein a wiring connected to the coil is formed on a surface of the inclined surface.
【請求項7】前記コイルは、絶縁物からなる円筒の周囲
に巻かれている請求項4記載のコイル。
7. The coil according to claim 4, wherein said coil is wound around a cylinder made of an insulating material.
【請求項8】前記窪みは多角柱をほぼ2等分した形状を
有する請求項3記載のコイル。
8. The coil according to claim 3, wherein said depression has a shape obtained by substantially dividing a polygonal prism into two equal parts.
【請求項9】前記窪みは、前記多角柱の対向する2つの
底面の間隔が、前記窪みの底部に比較して前記基板表面
で広くなるように、前記底面が傾斜面となっている請求
項8記載のコイル。
9. The depression has an inclined surface such that a distance between two opposing bottom surfaces of the polygonal pillar is wider on a surface of the substrate than a bottom portion of the depression. 8. The coil according to 8.
【請求項10】前記傾斜面の表面に、前記コイルと接続
する配線が形成されている請求項9記載のコイル。
10. The coil according to claim 9, wherein a wiring connected to the coil is formed on a surface of the inclined surface.
【請求項11】前記コイルは、絶縁物からなる多角柱の
周囲に巻かれている請求項8記載のコイル。
11. The coil according to claim 8, wherein the coil is wound around a polygonal pillar made of an insulator.
【請求項12】導線が、らせん状に巻かれたコイルと、 前記コイル内に形成された磁性体コアとを有する電磁石
であって、 前記導線は前記らせんの1周回のほぼ半分の長さを有す
る複数の導線片が接続されたものである電磁石。
12. An electromagnet in which a conductive wire has a coil wound in a spiral shape and a magnetic core formed in the coil, wherein the conductive wire has a length substantially half of one turn of the spiral. An electromagnet in which a plurality of conductive wire pieces are connected.
【請求項13】前記コイルは、前記導線が等間隔で円柱
状に巻かれたソレノイドコイルである請求項12記載の
電磁石。
13. The electromagnet according to claim 12, wherein said coil is a solenoid coil in which said conductive wires are wound in a cylindrical shape at equal intervals.
【請求項14】前記コイルの半分は、基板表面に形成さ
れた窪み内に埋め込まれている請求項12記載の電磁
石。
14. The electromagnet according to claim 12, wherein a half of said coil is embedded in a depression formed on a surface of the substrate.
【請求項15】前記窪みは、断面が円または楕円である
円筒をほぼ2等分した半円筒状の形状を有する請求項1
4記載の電磁石。
15. The dent has a semi-cylindrical shape obtained by substantially bisecting a cylinder having a circular or elliptical cross section.
4. The electromagnet according to 4.
【請求項16】前記半円筒状の窪みは、前記窪みの対向
する2つの面の間隔が、前記窪みの底部に比較して前記
基板表面で広くなるように、前記窪みの対向する2つの
面が傾斜面となっている請求項15記載の電磁石。
16. The two semi-cylindrical depressions are arranged such that the distance between two opposing surfaces of the depression is wider on the substrate surface as compared to the bottom of the depression. The electromagnet according to claim 15, wherein is an inclined surface.
【請求項17】前記傾斜面の表面に、前記コイルと接続
する配線が形成されている請求項16記載の電磁石。
17. The electromagnet according to claim 16, wherein a wiring connected to the coil is formed on a surface of the inclined surface.
【請求項18】前記窪みは多角柱をほぼ2等分した形状
を有する請求項14記載の電磁石。
18. The electromagnet according to claim 14, wherein said depression has a shape obtained by substantially bisecting a polygonal prism.
【請求項19】前記窪みは、前記多角柱の対向する2つ
の底面の間隔が、前記窪みの底部に比較して前記基板表
面で広くなるように、前記底面が傾斜面となっている請
求項18記載の電磁石。
19. The depression has an inclined surface such that a distance between two opposing bottom surfaces of the polygonal pillar is wider on a surface of the substrate than a bottom portion of the depression. 18. The electromagnet according to 18.
【請求項20】前記傾斜面の表面に、前記コイルと接続
する配線が形成されている請求項19記載の電磁石。
20. The electromagnet according to claim 19, wherein a wiring connected to the coil is formed on a surface of the inclined surface.
【請求項21】基板表面に半円筒状の窪みを形成する工
程と、 前記窪みの表面に、離散した複数の第1の導線を形成す
る工程と、 前記窪みに、半分が前記窪みを埋め込み、残りの半分が
基板表面から突出する、絶縁物からなる円筒を形成する
工程と、 前記円筒の表面に、前記第1の導線と接続して1本のコ
イルを形成する、離散した複数の第2の導線を形成する
工程とを有するコイルの製造方法。
21. A step of forming a semi-cylindrical depression on the surface of the substrate; a step of forming a plurality of discrete first conductors on the surface of the depression; and half of the depression is embedded with the depression. Forming a cylinder made of an insulator, the other half of which protrudes from the surface of the substrate; and forming a single coil on the surface of the cylinder by connecting to the first conductive wire. Forming a conductive wire of the above.
【請求項22】前記半円筒状の窪みを形成する工程は、
前記基板表面にほぼ均等な厚さで第1のレジストを形成
する工程と、 階調を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ
により、前記第1のレジストの表面に半円筒状の窪みを
形成する工程と、 前記第1のレジストおよび前記基板にエッチングを行
い、前記第1のレジストを除去しながら、前記第1のレ
ジスト表面の窪みを前記基板表面に複製する工程とを有
する請求項21記載のコイルの製造方法。
22. The step of forming the semi-cylindrical depression,
Forming a first resist with a substantially uniform thickness on the surface of the substrate; and forming a semi-cylindrical depression on the surface of the first resist by photolithography using a photomask having a gradation. 22. The coil according to claim 21, further comprising: etching the first resist and the substrate to remove the first resist while replicating a depression in the first resist surface on the substrate surface. Manufacturing method.
【請求項23】前記第1の導線を形成する工程は、前記
基板に形成された窪みの表面に第1の導電体層を形成す
る工程と、 前記第1の導電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧するこ
とにより、前記窪み内にほぼ均等な厚さで第2のレジス
トを形成する工程と、 フォトリソグラフィにより前記第2のレジストを前記第
1の導線のパターンに加工する工程と、 前記第2のレジストをマスクとして前記第1の導電体層
にエッチングを行う工程とを有する請求項21記載のコ
イルの製造方法。
23. The step of forming the first conductor, the step of forming a first conductor layer on the surface of a depression formed in the substrate, and the step of forming a resist resin on the surface of the first conductor layer. Forming a second resist with a substantially uniform thickness in the recess by spraying the second resist; processing the second resist into a pattern of the first conductive wire by photolithography; 22. The method according to claim 21, further comprising the step of: etching the first conductive layer using the second resist as a mask.
【請求項24】前記円筒を形成する工程は、前記窪み内
を含む前記基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、 前記絶縁膜表面にほぼ均等な厚さで第3のレジストを形
成する工程と、 階調を有するフォトマスクを用いて前記第3のレジスト
にフォトリソグラフィを行い、前記基板の窪み上部にの
み、表面が曲面である半円筒状に前記第3のレジストを
残す工程と、 前記第3のレジストおよび前記絶縁膜にエッチングを行
い、前記第3のレジストを除去しながら、前記第3のレ
ジスト表面の半円筒形状を前記絶縁膜に複製する工程と
を有する請求項21記載のコイルの製造方法。
24. A step of forming the cylinder, the step of forming an insulating film on the substrate including the inside of the depression, the step of flattening the surface of the insulating film, A step of forming a third resist with a thickness, and performing photolithography on the third resist using a photomask having a gradation to form a semi-cylindrical surface having a curved surface only above the depression of the substrate. Leaving the third resist; and etching the third resist and the insulating film to copy the semi-cylindrical shape of the third resist surface to the insulating film while removing the third resist. 22. The method for manufacturing a coil according to claim 21, further comprising:
【請求項25】前記第2の導線を形成する工程は、前記
基板上に突出した前記円筒の表面に第2の導電体層を形
成する工程と、 前記第2の導電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧するこ
とにより、ほぼ均等な厚さで第4のレジストを形成する
工程と、 フォトリソグラフィにより前記第4のレジストを前記第
2の導線のパターンに加工する工程と、 前記第4のレジストをマスクとして前記第2の導電体層
にエッチングを行う工程とを有する請求項21記載のコ
イルの製造方法。
25. The step of forming the second conductor, the step of forming a second conductor layer on the surface of the cylinder protruding on the substrate, and the step of forming a resist on the surface of the second conductor layer. Forming a fourth resist with a substantially uniform thickness by spraying a resin; processing the fourth resist into a pattern of the second conductive wire by photolithography; and forming the fourth resist. 22. The method of manufacturing a coil according to claim 21, further comprising the step of: etching the second conductor layer using a mask as a mask.
【請求項26】前記半円筒状の窪みを形成する工程は、
前記窪みの対向する2つの面の間隔が、前記窪みの底部
に比較して前記基板表面で広くなるように、前記窪みの
対向する2つの面を傾斜面とする工程を含む請求項21
記載のコイルの製造方法。
26. The step of forming the semi-cylindrical depression,
22. The method according to claim 21, further comprising the step of making the two opposing surfaces of the depression inclined so that the distance between the two opposing surfaces of the depression is wider on the substrate surface compared to the bottom of the depression.
A method for manufacturing the coil described in the above.
【請求項27】前記第1の導線を形成する工程は、前記
傾斜面の表面に前記コイルに接続する第1の配線を形成
する工程を含む請求項26記載のコイルの製造方法。
27. The method of manufacturing a coil according to claim 26, wherein the step of forming the first conductive wire includes the step of forming a first wiring connected to the coil on the surface of the inclined surface.
【請求項28】前記円筒を形成する工程は、前記円筒の
対向する2つの面の間隔が、前記円筒の前記基板表面か
ら突出した頂部に比較して前記基板表面で広くなるよう
に、前記円筒の対向する2つの面を傾斜面とする工程を
含む請求項21記載のコイルの製造方法。
28. The step of forming the cylinder, wherein the distance between two opposing surfaces of the cylinder is wider on the substrate surface than at the top of the cylinder protruding from the substrate surface. 22. The method for manufacturing a coil according to claim 21, further comprising the step of making the two opposing surfaces inclined.
【請求項29】前記第2の導線を形成する工程は、前記
傾斜面の表面に前記コイルに接続する第2の配線を形成
する工程を含む請求項28記載のコイルの製造方法。
29. The coil manufacturing method according to claim 28, wherein the step of forming the second conductive wire includes the step of forming a second wiring connected to the coil on the surface of the inclined surface.
【請求項30】前記第2の導線を形成し、前記第1の導
線と接続する前記コイルを形成した後、前記円筒を除去
する工程を有する請求項21記載のコイルの製造方法。
30. The method for manufacturing a coil according to claim 21, further comprising the step of forming the second conductor, forming the coil connected to the first conductor, and removing the cylinder.
【請求項31】基板表面に多角柱をほぼ2等分した形状
の窪みを形成する工程と、 前記窪みの表面に、離散した複数の第1の導線を形成す
る工程と、 前記窪みに、半分が前記窪みを埋め込み、残りの半分が
基板表面から突出する、絶縁物からなる多角柱を形成す
る工程と、 前記多角柱の表面に、前記第1の導線と接続して1本の
コイルを形成する、離散した複数の第2の導線を形成す
る工程とを有するコイルの製造方法。
31. A step of forming a depression having a shape obtained by substantially dividing a polygonal prism into two on the surface of a substrate; a step of forming a plurality of discrete first conductive wires on the surface of the depression; Forming a polygonal prism made of an insulator, the other half of which protrudes from the surface of the substrate; and forming a single coil on the surface of the polygonal prism by connecting with the first conductive wire. Forming a plurality of discrete second conductive wires.
【請求項32】基板表面に半円筒状の窪みを形成する工
程と、 前記窪みの表面に、離散した複数の第1の導線を形成す
る工程と、 前記窪みの表面に、前記第1の導線を被覆する第1の絶
縁膜を形成する工程と、 前記窪みに、半分が前記窪みを埋め込み、残りの半分が
基板表面に突出する磁性体からなる円筒を形成する工程
と、 前記円筒の表面に、前記第1の絶縁膜と連続する第2の
絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜の表面に、前記第1の導線と接続して
1本のコイルを形成する、離散した複数の第2の導線を
形成する工程とを有する電磁石の製造方法。
32. A step of forming a semi-cylindrical depression on the surface of the substrate; a step of forming a plurality of discrete first conductors on the surface of the depression; and a step of forming the first conductor on the surface of the depression. Forming a first insulating film that covers the substrate, forming a cylinder made of a magnetic material, half of which is embedded in the recess, and the other half of which projects to the substrate surface; Forming a second insulating film continuous with the first insulating film; forming a single coil on the surface of the second insulating film by connecting to the first conductive wire; Forming a plurality of second conductive wires.
【請求項33】前記半円筒状の窪みを形成する工程は、
前記基板表面にほぼ均等な厚さで第1のレジストを形成
する工程と、 階調を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ
により、前記第1のレジストの表面に半円筒状の窪みを
形成する工程と、 前記第1のレジストおよび前記基板にエッチングを行
い、前記第1のレジストを除去しながら、前記第1のレ
ジスト表面の窪みを前記基板表面に複製する工程とを有
する請求項32記載の電磁石の製造方法。
33. The step of forming the semi-cylindrical depression,
Forming a first resist with a substantially uniform thickness on the surface of the substrate; and forming a semi-cylindrical depression on the surface of the first resist by photolithography using a photomask having a gradation. 33. The electromagnet according to claim 32, further comprising: etching the first resist and the substrate to remove the first resist while replicating a depression in the surface of the first resist on the surface of the substrate. Manufacturing method.
【請求項34】前記第1の導線を形成する工程は、前記
基板に形成された窪みの表面に第1の導電体層を形成す
る工程と、 前記第1の導電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧するこ
とにより、前記窪み内にほぼ均等な厚さで第2のレジス
トを形成する工程と、 フォトリソグラフィにより前記第2のレジストを前記第
1の導線のパターンに加工する工程と、 前記第2のレジストをマスクとして前記第1の導電体層
にエッチングを行う工程とを有する請求項32記載の電
磁石の製造方法。
34. The step of forming the first conductive wire includes forming a first conductor layer on a surface of a depression formed in the substrate; and forming a resist resin on the surface of the first conductor layer. Forming a second resist with a substantially uniform thickness in the recess by spraying the second resist; processing the second resist into a pattern of the first conductive wire by photolithography; 33. The method according to claim 32, further comprising the step of: etching the first conductive layer using the second resist as a mask.
【請求項35】前記円筒を形成する工程は、前記窪み内
を含む前記基板上に磁性体層を形成する工程と、 前記磁性体層の表面を平坦化する工程と、 前記磁性体層表面にほぼ均等な厚さで第3のレジストを
形成する工程と、 階調を有するフォトマスクを用いて前記第3のレジスト
にフォトリソグラフィを行い、前記基板の窪み上部にの
み、表面が曲面である半円筒状に前記第3のレジストを
残す工程と、 前記第3のレジストおよび前記磁性体層にエッチングを
行い、前記第3のレジストを除去しながら、前記第3の
レジスト表面の半円筒形状を前記磁性体層に複製する工
程とを有する請求項32記載の電磁石の製造方法。
35. The step of forming the cylinder, the step of forming a magnetic layer on the substrate including the inside of the depression, the step of flattening the surface of the magnetic layer, A step of forming a third resist with a substantially uniform thickness; and performing photolithography on the third resist using a photomask having a gradation, and forming a half-surface having a curved surface only above the depression of the substrate. Leaving the third resist in a cylindrical shape, etching the third resist and the magnetic layer, and removing the third resist while changing the semi-cylindrical shape of the surface of the third resist to 33. The method for producing an electromagnet according to claim 32, further comprising a step of replicating the electromagnet on a magnetic layer.
【請求項36】前記第2の導線を形成する工程は、前記
第2の絶縁膜の表面に第2の導電体層を形成する工程
と、 前記第2の導電体層の表面にレジスト樹脂を噴霧するこ
とにより、ほぼ均等な厚さで第4のレジストを形成する
工程と、 フォトリソグラフィにより前記第4のレジストを前記第
2の導線のパターンに加工する工程と、 前記第4のレジストをマスクとして前記第2の導電体層
にエッチングを行う工程とを有する請求項32記載の電
磁石の製造方法。
36. A step of forming the second conductor, the step of forming a second conductor layer on the surface of the second insulating film, and the step of forming a resist resin on the surface of the second conductor layer. Forming a fourth resist with a substantially uniform thickness by spraying; processing the fourth resist into a pattern of the second conductive wire by photolithography; and masking the fourth resist. 33. The method according to claim 32, further comprising: etching the second conductor layer.
【請求項37】前記半円筒状の窪みを形成する工程は、
前記窪みの対向する2つの面の間隔が、前記窪みの底部
に比較して前記基板表面で広くなるように、前記窪みの
対向する2つの面を傾斜面とする工程を含む請求項32
記載の電磁石の製造方法。
37. The step of forming the semi-cylindrical depression,
33. The method of claim 32, further comprising the step of making the two opposing surfaces of the depression inclined so that the distance between the two opposing surfaces of the depression is wider on the substrate surface than the bottom of the depression.
A method for producing the electromagnet according to the above.
【請求項38】前記第1の導線を形成する工程は、前記
傾斜面の表面に前記コイルに接続する第1の配線を形成
する工程を含む請求項37記載の電磁石の製造方法。
38. The method for manufacturing an electromagnet according to claim 37, wherein the step of forming the first conductive wire includes the step of forming a first wiring connected to the coil on the surface of the inclined surface.
【請求項39】前記円筒を形成する工程は、前記円筒の
対向する2つの面の間隔が、前記円筒の前記基板表面か
ら突出した頂部に比較して前記基板表面で広くなるよう
に、前記円筒の対向する2つの面を傾斜面とする工程を
含む請求項32記載の電磁石の製造方法。
39. The step of forming the cylinder, wherein the distance between two opposing surfaces of the cylinder is wider on the surface of the substrate than at the top of the cylinder protruding from the surface of the substrate. 33. The method for manufacturing an electromagnet according to claim 32, further comprising the step of: setting two opposing surfaces to be inclined surfaces.
【請求項40】前記第2の導線を形成する工程は、前記
傾斜面の表面に前記コイルに接続する第2の配線を形成
する工程を含む請求項39記載の電磁石の製造方法。
40. The method of manufacturing an electromagnet according to claim 39, wherein the step of forming the second conductive wire includes the step of forming a second wiring connected to the coil on the surface of the inclined surface.
【請求項41】基板表面に多角柱をほぼ2等分した形状
の窪みを形成する工程と、 前記窪みの表面に、離散した複数の第1の導線を形成す
る工程と、 前記窪みの表面に、前記第1の導線を被覆する第1の絶
縁膜を形成する工程と、 前記窪みに、半分が前記窪みを埋め込み、残りの半分が
基板表面に突出する磁性体からなる多角柱を形成する工
程と、 前記多角柱の表面に、前記第1の絶縁膜と連続する第2
の絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜の表面に、前記第1の導線と接続して
1本のコイルを形成する、離散した複数の第2の導線を
形成する工程とを有する電磁石の製造方法。
41. A step of forming a depression having a shape obtained by substantially dividing a polygonal prism into two on the surface of a substrate; a step of forming a plurality of discrete first conductive wires on the surface of the depression; Forming a first insulating film covering the first conductive wire; and forming a polygonal prism made of a magnetic material in which half is embedded in the recess and the other half projects to the substrate surface. And a second continuous with the first insulating film on the surface of the polygonal prism.
Forming a plurality of discrete second conductors on the surface of the second insulation film, the plurality of discrete second conductors being connected to the first conductor to form one coil. Of manufacturing an electromagnet having the same.
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