JP2001049110A - 低誘電性樹脂組成物 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 66
- -1 aryl ether ketone Chemical class 0.000 claims abstract description 64
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 17
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 18
- 238000005727 Friedel-Crafts reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 150000005224 alkoxybenzenes Chemical class 0.000 abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 12
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 8
- MYHOHFDYWMPGJY-UHFFFAOYSA-N pentafluorobenzoyl chloride Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C(Cl)=O)C(F)=C1F MYHOHFDYWMPGJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DQEPMTIXHXSFOR-UHFFFAOYSA-N benzo[a]pyrene diol epoxide I Chemical compound C1=C2C(C3OC3C(C3O)O)=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 DQEPMTIXHXSFOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 5
- 238000006900 dealkylation reaction Methods 0.000 description 5
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101001071152 Unknown prokaryotic organism Phosphate-binding protein Proteins 0.000 description 4
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 238000000806 fluorine-19 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 4
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 4
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- LSQARZALBDFYQZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-difluorobenzophenone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LSQARZALBDFYQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- RHDARYFKYJZGDD-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F RHDARYFKYJZGDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSBDGXGICLIJGD-UHFFFAOYSA-N 4-phenoxyphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 ZSBDGXGICLIJGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N carbon disulfide-14c Chemical compound S=[14C]=S QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M chloromercury Chemical compound [Hg]Cl RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- AOJFQRQNPXYVLM-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC=[NH+]C=C1 AOJFQRQNPXYVLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 2
- RDSGYZWFHYHMCG-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F RDSGYZWFHYHMCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002030 1,2-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([*:2])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 1
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- ZRJGNCLNUWKEFU-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-4-phenoxybenzene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 ZRJGNCLNUWKEFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N biphenyl ether Natural products C1=C(CC=C)C(O)=CC(OC=2C(=CC(CC=C)=CC=2)O)=C1 ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 230000020335 dealkylation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 1
- HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N iodoethane Chemical compound CCI HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 1
- YZERDTREOUSUHF-UHFFFAOYSA-N pentafluorobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F YZERDTREOUSUHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-(2-chloroacetyl)piperazine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCN(C(=O)CCl)CC1 PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N triiodide Chemical compound I[I-]I WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Polyethers (AREA)
Abstract
方を兼ね備えた低誘電性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(I): 【化1】 で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含
む低誘電性樹脂組成物。
Description
に関するものである。より詳しくは、本発明は、優れた
電気的特性(低誘電性)及び耐熱性を有し、特に、配線
基板や絶縁材料等の高周波電子部品に有用な低誘電性樹
脂組成物に関するものである。
・電気部品、自動車部品や機械部品などの用途に用いら
れるプラスチックであり、一般に、その耐熱温度が高く
なるほど誘電率及び誘電正接が高くなる傾向にあるた
め、耐熱性及び低誘電性を双方とも有するプラスチック
は存在しなかった。
チックとして代表的な、ポリイミド(PI)、ポリエー
テルイミド(PEI)、ポリフェニレンサルファイド
(PPS)、ポリアリレート(PAR)、液晶ポリマー
(LCP)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリケ
トン(PK)等は優れた耐熱性及び機械特性を有し、様
々な用途に用いられているが、これらのポリマーは特に
高周波領域における誘電率が高いため、これらを高周波
電子機器に使用するには限界があるという問題がある。
また、ポリアセタール(POM)、ポリエチレンテレフ
タレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(P
BT)、ポリアミド(PA)等のエンジニアリングプラ
スチックは耐熱性の面でも不十分である上、高誘電性で
もあり、高周波電子機器への使用には適さない。
でも耐熱温度の低い変性ポリフェニレンエーテル(PP
E)、ポリカーボネート(PC)、また、ポリエチレン
(PE)、ポリプロピレン(PP)やポリスチレン(P
St)等汎用プラスチックは、誘電率が低い点では高周
波信号を利用する電子機器に適した絶縁材料といえる
が、やはり耐熱温度の低さにより使用環境が大きく限定
される。よって、現在のところ耐熱性と低誘電性を兼ね
備えた重合体は存在していない。
目的は、優れた電気的特性(低誘電性)及び耐熱性双方
を兼ね備えた低誘電性樹脂組成物を提供することにあ
る。
を鑑みて鋭意検討を行なった結果、本願発明者らがこれ
まで研究を行ってきた含フッ素アリールエーテルケトン
重合体が低誘電性及び耐熱性双方に優れていること着目
し、このような重合体を使用することにより耐熱性と低
誘電性を兼ね備えた樹脂組成物が得られることを発見
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
(7)により達成される。
基または低級アルコキシ基を表わし、qは0〜4の整数
であり、nは重合度を表し、mは0または1の整数であ
り、およびR1は下記式(II):
ル基または低級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の
整数であり、pは0または1の整数であり、およびR2
は2価の芳香族基を表わす、で示される含フッ素アリー
ルエーテルケトン重合体を含む低誘電性樹脂組成物。
ン重合体は、下記式(III):
1の整数であり、およびR1は下記式(II):
ル基または低級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の
整数であり、pは0または1の整数であり、およびR2
は2価の芳香族基を表わす、で示される、前記(1)に
記載の低誘電性樹脂組成物。
式(IV):
よびR2は2価の芳香族基を表わす、で示される、前記
(1)または(2)に記載の低誘電性樹脂組成物。
記7種:
いずれか一に記載の低誘電性樹脂組成物。
ン重合体は下記式(V):
前記(1)に記載の低誘電性樹脂組成物。
ン重合体は下記式(VI):
前記(1)に記載の低誘電性樹脂組成物。
ン重合体は下記式(VII):
下記7種:
(1)に記載の低誘電性樹脂組成物。
ル基または低級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の
整数であり、pは0または1の整数であり、およびR2
は2価の芳香族基を表わす、で示される含フッ素アリー
ルエーテルケトン重合体を含む低誘電性樹脂組成物。
1の整数であり、およびR1は下記式(IV):
よびR2は下記7種:
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含
む低誘電性樹脂組成物。
ン重合体(以下、単に「含フッ素アリールエーテルケト
ン重合体」ともいう)を含む低誘電性樹脂組成物を提供
するものである。
エーテルケトン重合体の各繰り返し単位は、下記式:
ン基(本明細書では、単に「p−テトラフルオロベンゾ
イレン基」ともいう)及び下記式:
では、単に「オキシアルキレン基」ともいう)がベンゼ
ン環の任意の位置に(オルト位、メタ位またはパラ位
に、特に好ましくはパラ位に)それぞれ結合し、残位が
Xで置換されるまたは置換されない構造を有するもので
ある。
子、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子及びヨウ
素原子、好ましくはフッ素原子;低級アルキル基、例え
ば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル及びブチ
ル等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原子数1〜4
の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、好ましくはメチル
及びエチル、ならびにトリフルオロメチル等のこれらの
ハロゲン化アルキル基;低級アルコキシ基、例えば、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ及びブ
トキシ等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原子数1
〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基、好ましくは
メトキシ及びエトキシ、ならびにトリフルオロメトキシ
等のこれらのハロゲン化アルコキシ基などを表わす。こ
れらのうち、フッ素原子が特にXとして好ましく使用さ
れる。上述したように、Xは、p−テトラフルオロベン
ゾイレン基及びオキシアルキレン基が結合しない残位の
水素原子の代わりに置換される基であるが、ベンゼン環
へのXの結合数、即ち、式(I)におけるqの値は、0
〜4の整数である。
は1の整数であり、R1は、下記式(II):
ン原子、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子及び
ヨウ素原子、好ましくはフッ素原子;低級アルキル基、
例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル及び
ブチル等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原子数1
〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、好ましくはメ
チル及びエチル、ならびにトリフルオロメチル等のこれ
らのハロゲン化アルキル基;低級アルコキシ基、例え
ば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ
及びブトキシ等の炭素原子数1〜6、好ましくは炭素原
子数1〜4の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基、好ま
しくはメトキシ及びエトキシ、ならびにトリフルオロメ
トキシ等のこれらのハロゲン化アルコキシ基などを表わ
す。これらのうち、フッ素原子が特にX’として好まし
く使用される。また、X’のベンゼン環への結合数、即
ち、式(II)におけるq’の値は、0〜4の整数であ
る。すなわち、本発明において、R1は、好ましくは、
下記式(IV):
て、pは0または1の整数である。R2は、2価の芳香
族基、例えば、o−、m−またはp−フェニレン、2価
のナフタレン、ビフェニル、アントラセン、o−、m−
またはp−テルフェニル、フェナントレン、ジベンゾフ
ラン、ビフェニルエーテル、ビフェニルスルホン、およ
び下記5式:
お、本発明による2価の芳香族基において、芳香環に直
接結合する水素がハロゲン原子、低級アルキル基または
低級アルコキシ基で置換されていてもよい。これらのう
ち、下記7種:
使用される。
合度を表わし、具体的には、2〜5000、好ましくは
5〜500である。さらに、本発明において、含フッ素
アリールエーテルケトン重合体は、同一の繰り返し単位
からなるものであってもまたは異なる繰り返し単位から
なるものであってもよく、後者の場合には、その繰り返
し単位はブロック状であったもまたはランダム状であっ
てもよい。
く使用される含フッ素アリールエーテルケトン重合体
は、下記式(III):
II)において、R1及びmは、上記式(I)における定
義と同様である。
テルケトン重合体の製造方法については詳述するが、こ
の記載から、式(I)で示される含フッ素アリールエー
テルケトン重合体の末端は、p−テトラフルオロベンゾ
イレン基側がフッ素であり、オキシアルキレン基側が水
素原子であると、即ち、式(I)で示される含フッ素ア
リールエーテルケトン重合体は、下記式(VIII):
X):
上記式(III)で示される含フッ素アリールエーテル
ケトン重合体について以下に詳述するが、上記式(I)
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、
例えば、置換した化合物を代わりに出発原料として使用
する、または下記合成方法において各工程間若しくは全
工程終了後の生成物の相当するベンゼン環に所望の置換
基を公知の方法を用いて導入するなどによって、当業者
により同様にして調製できる。
には、下記式(V):
フッ素アリールエーテルケトン重合体となる。
でありかつpが0である場合には、下記式(VI):
フッ素アリールエーテルケトン重合体となる。
1でありかつpが1である場合には、下記式(VI
I):
前記のとおりである、で示される含フッ素アリールエー
テルケトン重合体となる。なお、上記式(VII)で
は、nは、重合度を表わすが、好ましくは、2〜200
0、より好ましくは5〜200である。
単一の種類の含フッ素アリールエーテルケトン重合体か
らなってもあるいは2種以上の含フッ素アリールエーテ
ルケトン重合体からなってもよく、所望の電気的特性
(低誘電性)及び耐熱性等の諸特性を考慮して適宜選択
される。具体的には、以下の実施例で製造される4F−
PEK、4F−PEEK、BPDE−6FBA、BPD
E−BA、BPDE−HF、BPDE−BF、BPDE
−HQ、BPDE−RS及びBPDE−(3,4’−B
A)からなる群より選ばれる少なくとも2種の組み合わ
せなどが挙げられる。
含フッ素アリールエーテルケトン重合体に加えて、電気
特性及び耐熱性が著しく低下しない範囲で、構造の異な
る他の樹脂を配合してもよい。この際使用される他の樹
脂としては、具体的には、ポリエチレン(PE)、ポリ
プロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)、ポリメチ
ルメタクリレート(PMMA)、ABS樹脂及びAS樹
脂等の汎用樹脂;ポリアセテート(POM)、ポリカー
ボネート(PC)、ポリアミド(PA:ナイロン)、ポ
リエチレンテレフタレート(PET)及びポリブチレン
テレフタレート(PBT)等のエンジニアリングプラス
チック;ならびにポリフェニレンスルフィド(PP
S)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリケトン
(PK)、ポリイミド(PI)、ポリシクロヘキサンジ
メタノールテレフタレート(PCT)、ポリアリレート
(PAR)及び各種液晶ポリマー(LCP)等の熱可塑
性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹
脂等の熱硬化性樹脂などが挙げられる。また、他の樹脂
を本発明の低誘電性樹脂組成物中に配合する場合、他の
樹脂の配合量は、電気特性及び耐熱性が著しく低下しな
い範囲であれば特に制限されないが、通常、全原料に対
して、0〜50重量%、好ましくは、全原料に対して、
0〜30重量%である。
トン重合体は、例えば、K. Kimuraet al., Polymer Pre
prints, Vol. 39, No. 2, 1998に記載される方法によっ
て製造される。
素アリールエーテルケトン重合体が上記式(V)または
上記式(VI)で示される際の、含フッ素アリールエー
テルケトン重合体の製造方法を以下に説明する。
ロベンゾイルクロライドを、有機溶剤中でフリーデルク
ラフツ触媒の存在下で、例えば、メトキシベンゼンやエ
トキシベンゼン等のアルコキシベンゼンまたは4−メト
キシジフェニルエーテルや4−エトキシジフェニルエー
テル等の4−アルコキシジフェニルエーテルとフリーデ
ルクラフツ反応させることにより、p−(2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)アルコキシベンゼ
ンまたは4−アルコキシ−4’−(2,3,4,5,6
−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテルをそ
れぞれ得、この反応産物を脱アルキル化反応することよ
って、下記式(X):
示される2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイ
ル化合物を得る。
ルコキシベンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエー
テルの使用量は、2,3,4,5,6−ペンタフルオロ
ベンゾイルクロライド1モル当たり、0.8〜1.2モ
ル、好ましくは0.9〜1.1モルである。この際、ア
ルコキシベンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエー
テルの使用量が0.8モル未満では、アルコキシベンゼ
ンまたは4−アルコキシジフェニルエーテルに過剰に
2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル基が導
入されてしまい好ましくない。これに対して、アルコキ
シベンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエーテルの
使用量が1.2モルを越えると、未反応のアルコキシベ
ンゼンまたは4−アルコキシジフェニルエーテルが多量
に残り、生産性の面で好ましくない。
的に使用されるフリーデルクラフツ触媒としては、塩化
アルミニウム、塩化アンチモン、塩化第二鉄、塩化第一
鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、四塩化錫、塩化ビ
スマス、塩化亜鉛、塩化水銀及び硫酸等が挙げられる。
また、フリーデルクラフツ触媒の使用量は、2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイルクロライド1モ
ルに対して、0.5〜10モル、好ましくは1〜5モル
である。
される有機溶剤は、酸クロライドと反応しないものでな
ければならない。このような有機溶剤としては、例え
ば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、二
硫化炭素及びニトロベンゼン等が挙げられる。この有機
溶剤における2,3,4,5,6−ペンタフルオロベン
ゾイルクロライドの濃度は、1〜50重量%、好ましく
は5〜30重量%である。反応は、反応系を撹拌状態に
保ちながら、0〜150℃、好ましくは0〜100℃の
温度で行なわれる。
は、反応混合物に水を注加し、ジクロロメタン、ジクロ
ロエタンまたは四塩化炭素等の抽出剤で抽出した後、有
機層を抽出物から分離し、抽出剤を留去することにより
得られる。さらに、この生成物を、必要であれば、メタ
ノールまたはエタノールで再結晶化することによって、
白色結晶として得てもよい。
説明する。すなわち、脱アルキル化反応は、酸、アルカ
リまたは有機金属試薬などを用いて行うことができる。
試薬としては、例えば、臭化水素、ヨウ化水素、トリフ
ルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、濃塩酸、ヨウ化マグネ
シウムエーテラート(magnesium iodide etherate)、塩
化アルミニウム、臭化アルミニウム、三塩化ホウ素、三
ヨウ化ホウ素、水酸化カリウム及びグリニヤール試薬な
どが挙げられる。試薬の使用量は、p−(2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)アルコキシベンゼ
ンまたは4−アルコキシ−4’−(2,3,4,5,6
−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテル1モ
ルに対して、0.1モル以上、好ましくは0.1〜30
モルである。
溶媒下で行われてもあるいは溶媒中で行われてもよい
が、反応効率や反応制御などを考慮すると、溶媒中で行
われることが好ましい。
応を行う際に効果的に使用される溶媒としては、例え
ば、水、酢酸、無水酢酸、ベンゼン及びテトラヒドロフ
ランなどが挙げられる。また、この溶媒中でのp−
(2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ア
ルコキシベンゼンまたは4−アルコキシ−4’−(2,
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテルの濃度は、1〜50重量%、好ましくは5〜
30重量%である。反応は、0〜250℃、好ましくは
50〜200℃の温度で行なわれる。
(X)で示される2,3,4,5,6−ペンタフルオロ
ベンゾイル化合物を、塩基性化合物の存在下で有機溶媒
中で、30〜250℃、好ましくは50〜200℃の反
応温度で加熱することによって、上記式(V)および
(VI)で示される含フッ素アリールエーテルケトン重
合体が得られる。
は、例えば、N−メチル−2−ピロリジノン、N,N−
ジメチルアセトアミド及びメタノール等の極性溶媒やト
ルエンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で
または2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
される2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル
化合物の濃度は、5〜50重量%、好ましくは、10〜
30重量%である。
階に使用する際には、フェノキシド生成の際に副生する
水を、重合溶媒に関係なく、トルエンの共沸物として除
去できる。
は、重縮合反応によって生成するフッ化水素を捕集する
ことにより重縮合反応を促進するよう作用する。このよ
うな塩基性化合物としては、例えば、炭酸カリウム、炭
酸リチウム及び水酸化カリウムが挙げられる。
物の使用量は、使用される上記式(X)の2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾイル化合物1モルに対し
て、0.5〜10モル、好ましくは0.5〜5モルであ
る。
より溶媒の除去を行ない、必要により留出物を洗浄する
ことによって、所望の重合体が得られる。または、反応
溶液を重合体の溶解度が低い溶媒中に加えることによ
り、重合体を固体として沈殿させ、沈殿物を濾過により
分離することによって、重合体を得てもよい。
テルケトン重合体が上記式(VII)で示される際の、
含フッ素アリールエーテルケトン重合体の製造方法を以
下に説明する。
ロベンゾイルクロライドを、有機溶剤中でフリーデルク
ラフツ触媒の存在下で、ジフェニルエーテルとフリーデ
ルクラフツ反応させることよって、下記式(XI):
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテ
ル(以下、「BPDE」とも略称する)を得る。
フェニルエーテルの使用量は、2,3,4,5,6−ペ
ンタフルオロベンゾイルクロライド1モル当たり、0.
4〜0.6モル、好ましくは0.45〜0.55モルで
ある。すなわち、ジフェニルエーテルの使用量が0.4
モル未満では、ジフェニルエーテルに過剰に2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル基が導入されて
しまい好ましくない。これに対して、ジフェニルエーテ
ルの使用量が0.6モルを越えると、未反応のジフェニ
ルエーテルが多量に残り、生産性の面で好ましくない。
的に使用されるフリーデルクラフツ触媒としては、塩化
アルミニウム、塩化アンチモン、塩化第二鉄、塩化第一
鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、四塩化錫、塩化ビ
スマス、塩化亜鉛、塩化水銀及び硫酸等が挙げられる。
また、フリーデルクラフツ触媒の使用量は、2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイルクロライド1モ
ルに対して、0.5〜10モル、好ましくは1〜5モル
である。
される有機溶剤としては、酸クロライドと反応しない溶
剤が使用できる。このような有機溶剤としては、例え
ば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、二
硫化炭素及びニトロベンゼン等が挙げられる。この有機
溶剤における2,3,4,5,6−ペンタフルオロベン
ゾイルクロライドの濃度は、1〜50重量%、好ましく
は5〜30重量%である。また、反応は、反応系を撹拌
状態に保ちながら、0〜150℃、好ましくは0〜10
0℃の温度で行なわれる。
は、反応混合物に水を注加し、ジクロロメタン、ジクロ
ロエタンまたは四塩化炭素等の抽出剤で抽出した後、有
機層を抽出物から分離し、抽出剤を留去することにより
得られる。さらに、この生成物を、必要であれば、メタ
ノールまたはエタノールで再結晶化することによって、
白色結晶として得てもよい。
(XI)で示される4,4’−ビス(2,3,4,5,
6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテル
(BPDE)を、塩基性化合物の存在下で有機溶媒中
で、下記式(XII):
V)における定義と同様である、で示される2価のフェ
ノール化合物と共に加熱することよって、上記式(VI
I)で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体
が得られる。
50℃、好ましくは50〜120℃である。この際、こ
のように低温度で反応することで副反応を抑制し、重合
体のゲル化を防止することができる。
は、例えば、N−メチル−2−ピロリジノン、N,N−
ジメチルアセトアミド及びメタノール等の極性溶媒やト
ルエンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で
または2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
(2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジ
フェニルエーテルの濃度は、5〜50重量%、好ましく
は、10〜30重量%である。
階に使用する際には、フェノキシド生成の際に副生する
水を、重合溶媒に関係なく、トルエンの共沸物として除
去できる。
は、重縮合反応によって生成するフッ化水素を捕集する
ことにより重縮合反応を促進するよう作用し、さらにフ
ェノール化合物をより反応性の高いアニオンに変える作
用がある。このような塩基性化合物としては、例えば、
炭酸カリウム、炭酸リチウム及び水酸化カリウムが挙げ
られる。
物の使用量は、使用される4,4’−ビス(2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエ
ーテル1モルに対して、1〜20モル、好ましくは1〜
10モルである。
ェノール化合物としては、上記式(XII)で示される
ものであれば特に制限されないが、例えば、2,2−ビ
ス(4−ビドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,
3−へキサフルオロプロパン(以下、「6FBA」とい
う)、ビスフェノールA(以下、「BA」という)、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン
(以下、「HF」という)、ビスフェノールF(以下、
「BF」という)、ハイドロキノン(以下、「HQ」と
いう)、レゾルシノール(以下、「RS」という)およ
び2−(3−オキシフェニル)−2−(4’−オキシフ
ェニル)プロパン(以下、「3,4’−BA」という)
などが挙げられる。また、2価のフェノール化合物の使
用量は、4,4’−ビス(2,3,4,5,6−ペンタ
フルオロベンゾイル)ジフェニルエーテル1モルに対し
て、0.8〜1.2モル、好ましくは0.9〜1.1モ
ルである。
より溶媒の除去を行ない、必要により留出物を洗浄する
ことによって、所望の重合体が得られる。または、反応
溶液を重合体の溶解度が低い溶媒中に加えることによ
り、重合体を固体として沈殿させ、沈殿物を濾過により
分離することによって、重合体を得てもよい。
らに詳細に説明する。
は、つぎのようにして行なった。
(1H)、125MHz(13C)または470MHz(
19F)で操作してVarian Unity 500を
用いて記録した。4,4’−ジフルオロベンゾフェノン
は、19F−NMR測定用の内部標準として使用した。
0℃/分の加熱速度でPerkin−Elmer TG
A7を用いて測定した。
かつ25℃の温度でジメチルアセトアミド(DMAc)
中でOstwald−Fenske粘度計を用いること
によって行なった。
ルオロ−4’−ヒドロキシベンゾフェノンの合成 2,3,4,5,6−ペンタフルオロ−4’−メトキシ
ベンゾフェノン6.0g、氷酢酸40mlおよび48%
臭化水素水溶液30mlを、コンデンサーを備えた丸底
フラスコに供給した。この混合物を一晩還流に供した
後、室温にまで冷却した。生成物をジエチルエーテルで
抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、さらに留
去した。留出物をトルエンから再結晶して、3.7g
(収率78.8%)の2,3,4,5,6−ペンタフル
オロ−4’−ヒドロキシベンゾフェノン(以下、「HP
BP」という)を白色結晶として得た。この生成物の融
点は、142〜143℃であった。また、結晶のNMR
化学シフトを表1に示す。
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテルの合成 滴下ロートおよび塩化カルシウム乾燥管を備えた250
ml容の三つロフラスコに、水酸化ナトリウムの存在下
にヨウ化エチルとp−フェノキシフェノールとから合成
した4−エトキシジフェニルエーテル3.5g、塩化ア
ルミニウム5.4gおよび乾燥ジクロロエタン30ml
を仕込んだ。2,3,4,5,6−ペンタフルオロ安息
香酸およびチオニルクラロイドから合成された2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゾイルクロライド3.
7gならびに乾燥ジクロロエタン10mlの溶液を、攪
拌しながらフラスコ中に徐々に滴下させた。滴下終了
後、反応混合物を室温で一晩攪拌した。少量の水を、反
応混合物に非常にゆっくり加え、15分間攪拌し続け
た。ついで、反応混合物を250mlの水中に注加し、
これをジクロロメタンで抽出した。有機層を集めて、水
洗し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。
活性炭処理しメタノールからの再結晶により、4−エト
キシ−4’−(2,3,4,5,6−ペンタフルオロベ
ンゾイル)ジフェニルエーテル(以下、「EPDE」と
いう)の白色結晶を得た(収率60.4%)。
E 2.1g、氷酢酸14mlおよび48%臭化水素水
溶液11mlを仕込んだ。この混合物を一晩還流させた
後、室温まで冷却した。生成物をエーテルで抽出し、硫
酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。トルエン
からの再結晶によって、4−ヒドロキシ−4’−(2,
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテル(以下、「HPDE」という)の白色結晶を
得た(収率78.8%)。HPDEの融点は、136〜
137℃であった。また、結晶のNMR化学シフトを表
1に示す。
5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニルエーテ
ルの合成 ジフェニルエーテル6.8g、塩化アルミニウム26.
8gおよび乾燥ジクロロエタン60mlを、滴下ロート
および塩化カルシウム(CaCl2)乾燥管を備えた2
50ml容の三つ口フラスコに仕込んだ。2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゾクロライド18.5gお
よび乾燥ジクロロエタン15mlよりなる溶液を、攪拌
しながらゆっくりフラスコ中に滴下した。滴下終了後、
反応混合物を室温で一晩攪拌した。少量の水を、反応混
合物に非常にゆっくり加え、15分間攪拌し続けた。つ
いで、反応混合物を250mlの水中に注加し、ジクロ
ロメタンで抽出した。有機層を集めて、水洗し、硫酸ナ
トリウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。活性炭処理し
メタノールからの再結晶により、4,4’−ビス(2,
3,4,5,6−ペンタフルオロベンゾイル)ジフェニ
ルエーテル(以下、「BPDE」という)の白色結晶を
生成した(収率61.2%)。BPDEの融点は、12
5〜127℃である。結晶のNMR化学シフトを上記表
1に示す。
チルアセトアミド(DMAc)2mlおよびトルエン1
mlを、ディーンスタークトラップ、コンデンサー、マ
グネティック撹拌機および窒素供給管を備えた25ml
容の丸底フラスコに仕込んだ。この混合物を160℃に
加熱し、トルエンを留去した。この混合物を3時間還流
させた。冷却後、この溶液を急速撹拌下に1%の酢酸を
含有する水中に注加した。析出した重合体を濾過により
捕集し、水洗した後、乾燥した。得られた化合物の収率
は90%であった。この化合物の粘度は、ジメチルアセ
トアミド中で0.5g/dLの濃度、25℃の温度で測
定したところ、0.18dL/gであった。また、ジメ
チルアセトアミドに対する不溶解分は11.5%であっ
た。
りにN−メチル−2−ピロリジノンを用いる以外は実施
例4と同様にして、HPBPの重合体(以下、「4F−
PEK」という)を製造した。その結果、収率85%、
粘度0.23dL/g、ジメチルアセトアミドに対する
不溶解分は6.0%であった。また、この4F−PEK
のIRスペクトルを図3に示す。 実施例6〜10 実施例4の方法において、HPBP0.5gの代わりに
HPDE0.5gを用い、表2に示す条件下で重合を行
う以外は実施例4と同様にして、重合体を製造した。そ
の結果を表2に示す。
HPDE0.5gを用い、さらにジメチルアセトアミド
の代わりにN−メチル−2−ピロリジノンを用いる以外
は実施例4と同様にして、HPDEの重合体(以下、
「4F−PEEK」という)を製造した。その結果、収
率82%、粘度0.53dL/g、ジメチルアセトアミ
ドに対する不溶解分0.2%であった。また、この4F
−PEEKの19F−NMRスペクトルおよびIRスペク
トルを、それぞれ、図1および図4に示す。なお、19F
−NMRスペクトルにおいて、19F化学シフトは4,
4’−ジフルオロベンゾフェノン=−110.1ppm
に相当するppmで示される。
られた4F−PEEKの熱安定性を測定したところ、表
3及び4に示す結果が得られた。
g(またはBA 0.82g,HF 1.25g,BF
0.71g,HQ 0.39g,RS 0.39gま
たは3,4’−BA 0.82g)、重質炭酸カリウム
1.48g、DMAc 13mlおよびトルエン10m
lを、ディーンスタークトラップ、コンデンサー、マグ
ネティック撹拌機および窒素供給管を備えた100ml
容の三つ口丸底フラスコに仕込んだ。この混合物を16
0℃に加熱し、2時間還流に供し、ついでトルエンを留
去した。実施例3で合成されたBPDE 2.0gをこ
の混合物に添加し、表5に示す条件下で重合を行なっ
た。冷却後、この溶液を急速撹拌下に1%酢酸を含有す
る水中に注加した。析出した重合体を濾過により捕集
し、水洗した後、乾燥した。その結果を表5に示す。ま
た、実施例14で得られた重合体の19F−NMRスペク
トルを図2に示し、さらに実施例14〜19で得られた
重合体のIRスペクトルを図5〜10にそれぞれ示す。
なお、19F−NMRスペクトルにおいて、19F化学シフ
トは4,4’−ジフルオロベンゾフェノン=−110.
1ppmに相当するppmで示される。
「8F−PEKEK」という)の熱安定性を測定したと
ころ、表6及び7に示す結果が得られた。
の誘電率(ε)を、1MHzの周波数で、25℃の温度
で、インピーダンス測定法によって測定し、その結果を
下記表8に示す。
組成物は、式(I)で示される含フッ素アリールエーテ
ルケトン重合体を含むことを特徴とするものである。し
たがって、本発明の低誘電性樹脂組成物は、優れた電気
的特性(低誘電性)及び耐熱性を有する式(I)で示さ
れる含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含むの
で、耐熱性と低誘電性を兼ね備えており、コーティング
用組成物などとしておよび配線基板や絶縁材料等の高周
波電子部品に好適である。
−NMRスペクトルである。
19F−NMRスペクトルである。
クトルである。
スペクトルである。
IRスペクトルである。
スペクトルである。
スペクトルである。
スペクトルである。
スペクトルである。
Rスペクトルである。
Claims (7)
- 【請求項1】 下記式(I): 【化1】 ただし、Xはハロゲン原子、低級アルキル基または低級
アルコキシ基を表わし、qは0〜4の整数であり、nは
重合度を表し、mは0または1の整数であり、およびR
1は下記式(II): 【化2】 この際、X’はハロゲン原子、低級アルキル基または低
級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の整数であり、
pは0または1の整数であり、およびR2は2価の芳香
族基を表わす、で示される含フッ素アリールエーテルケ
トン重合体を含む低誘電性樹脂組成物。 - 【請求項2】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は、下記式(III): 【化3】 ただし、nは重合度を表し、mは0または1の整数であ
り、およびR1は下記式(II): 【化4】 この際、X’はハロゲン原子、低級アルキル基または低
級アルコキシ基を表わし、q’は0〜4の整数であり、
pは0または1の整数であり、およびR2は2価の芳香
族基を表わす、で示される、請求項1に記載の低誘電性
樹脂組成物。 - 【請求項3】 該式(I)において、R1は下記式(I
V): 【化5】 この際、pは0または1の整数であり、およびR2は2
価の芳香族基を表わす、で示される、請求項1または2
に記載の低誘電性樹脂組成物。 - 【請求項4】 該式(II)において、R2は下記7
種: 【化6】 のいずれかである、請求項1〜3のいずれか1項に記載
の低誘電性樹脂組成物。 - 【請求項5】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は下記式(V): 【化7】 ただし、nは重合度を表す、で示される、請求項1に記
載の低誘電性樹脂組成物。 - 【請求項6】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は下記式(VI): 【化8】 ただし、nは重合度を表す、で示される、請求項1に記
載の低誘電性樹脂組成物。 - 【請求項7】 該含フッ素アリールエーテルケトン重合
体は下記式(VII): 【化9】 ただし、nは重合度を表し、およびR2は下記7種: 【化10】 のいずれかである、で示される、請求項1に記載の低誘
電性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22698199A JP3539897B2 (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 低誘電性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001049110A true JP2001049110A (ja) | 2001-02-20 |
JP3539897B2 JP3539897B2 (ja) | 2004-07-07 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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CN114907689B (zh) * | 2022-05-07 | 2023-11-07 | 宁波金鼎紧固件有限公司 | 一种高韧性耐磨轨道交通紧固件用复合材料 |
CN118772476A (zh) * | 2024-09-13 | 2024-10-15 | 扬州博恒新能源材料科技有限公司 | 一种复合集流体用高强度基膜及其制备方法 |
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---|---|
JP3539897B2 (ja) | 2004-07-07 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040302 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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