[go: up one dir, main page]

JP2001044471A - Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method - Google Patents

Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method

Info

Publication number
JP2001044471A
JP2001044471A JP11219408A JP21940899A JP2001044471A JP 2001044471 A JP2001044471 A JP 2001044471A JP 11219408 A JP11219408 A JP 11219408A JP 21940899 A JP21940899 A JP 21940899A JP 2001044471 A JP2001044471 A JP 2001044471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
deposited film
laser
processing
scribing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11219408A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihito Yoshino
豪人 吉野
Tsutomu Murakami
勉 村上
Yoshifumi Takeyama
祥史 竹山
Koichi Shimizu
孝一 清水
Koji Tsuzuki
幸司 都築
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP11219408A priority Critical patent/JP2001044471A/en
Publication of JP2001044471A publication Critical patent/JP2001044471A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve yield of a deposit film after processing, by removing at least a part of a deposit film by carrying out laser scribing, while letting out a bendable metallic substrate where a deposit film is formed in a surface. SOLUTION: A bendable metallic substrate 100, where a deposit film is formed in a surface, is let out of a feed roller 110 and wound by a winding roller 120. A laser irradiation part 150 for scribing may emit laser through a fiber to have a substrate processing surface irradiate having a laser oscillation part as another housing. Furthermore, the laser irradiation part 150 can be moved in a length direction and in the vertical direction of the bendable metallic substrate 100 by a moving mechanism 151 of the laser irradiation part 150. Practical control of the thickness to be cut by scribing is carried out by setting a parameter, such as the kind of laser, wavelength and energy optimum. Any shape of a scribing portion can be scribed according to the desired function of a deposit film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、堆積膜およびその
加工装置および加工方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposited film, a processing apparatus and a processing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、CO2の増加による温室効果で地
球の温暖化が生じることが予測され、CO2を排出しな
いクリーンなエネルギーの要求がますます高まってい
る。CO2を排出しないエネルギー源としては原子力発
電が挙げられるが、放射性廃棄物の問題が解決されてお
らず、より安全性の高いクリーンなエネルギーが望まれ
ている。このような状況下において、クリーンエネルギ
ーの中でも特に太陽電池は、そのクリーンさと安全性と
取扱い易さといった点から非常に注目されている。
In recent years, is expected to global warming greenhouse of increased CO 2 occurs, clean energy requirements that do not emit CO 2 is increasingly. Nuclear power generation is an example of an energy source that does not emit CO 2 , but the problem of radioactive waste has not been solved, and clean energy with higher safety is desired. Under such circumstances, among the clean energies, solar cells are particularly attracting attention because of their cleanliness, safety, and ease of handling.

【0003】太陽電池の種類としては、結晶系太陽電
池、アモルファス系太陽電池、化合物半導体太陽電池
等、多種にわたる太陽電池が研究開発されている。これ
らの太陽電池の中でもアモルファスシリコン(微結晶を
含む)太陽電池のような薄膜太陽電池は大面積化が容易
で、かつ光吸収係数が大きく、また、Si材料費が少な
く済む等の優れた特徴を有していることから非常に注目
されている。しかしながら、未だ普及するには至ってお
らず、その最大の理由はコストが高い点にある。
[0003] As a kind of solar cell, various kinds of solar cells such as a crystalline solar cell, an amorphous solar cell and a compound semiconductor solar cell have been researched and developed. Among these solar cells, thin-film solar cells such as amorphous silicon (including microcrystal) solar cells have excellent features such as easy area enlargement, large light absorption coefficient, and low Si material cost. Has attracted a great deal of attention. However, it has not yet become widespread, and the biggest reason is its high cost.

【0004】太陽電池のコストを下げる為には、太陽電
池の構成部材自体を削減して材料コストを下げること
と、大量生産が可能な製造技術を開発することによる製
造コストの削減が求められる。
In order to reduce the cost of the solar cell, it is necessary to reduce the material cost by reducing the components of the solar cell itself, and to reduce the manufacturing cost by developing a manufacturing technique capable of mass production.

【0005】このような太陽電池のコストダウン要求に
沿って様々な技術開発が行われている。
[0005] Various technologies have been developed in accordance with the demand for cost reduction of such solar cells.

【0006】こうした太陽電池のコストダウン技術のひ
とつに太陽電池のモノリシック化がある。ここで太陽電
池のモノリシック化について説明する。図5は公知のモ
ノリシック太陽電池の一例の概略図である。このような
モノリシック太陽電池の製造方法としては、まず基板5
00上に絶縁層501を作成する。基板500自体が絶
縁性である場合には絶縁層501は必ずしも設ける必要
はない。次に絶縁層501上に下地電極502を形成
し、素子ごとに下地電極を分離する為の開溝部505を
形成する。次に、光起電力層となる半導体層503を成
膜し、同様に開溝部506を形成する。この時、開溝部
506は開溝部505と少しずれた状態で形成されてい
る。さらに、表面電極504を形成し、同様に開溝部5
07を開溝部506からさらにずれた位置に形成する。
このようにして素子が複数の領域に分離されると同時
に、開溝部506部に表面電極504が充填された段階
で直列接続が完成している。なお、この例においては表
面電極504は透明であり、表面側から先入射すること
を前提に記述した。
One of the techniques for reducing the cost of such a solar cell is to make the solar cell monolithic. Here, a monolithic solar cell will be described. FIG. 5 is a schematic view of an example of a known monolithic solar cell. As a method for manufacturing such a monolithic solar cell, first, a substrate 5
The insulating layer 501 is formed on the layer No. 00. When the substrate 500 itself is insulative, the insulating layer 501 is not necessarily provided. Next, a base electrode 502 is formed over the insulating layer 501, and a groove 505 for separating the base electrode is formed for each element. Next, a semiconductor layer 503 to be a photovoltaic layer is formed, and a groove 506 is similarly formed. At this time, the groove 506 is formed slightly deviated from the groove 505. Furthermore, a surface electrode 504 is formed, and the groove 5 is similarly formed.
07 is formed at a position further deviated from the groove 506.
In this manner, the element is separated into a plurality of regions, and the series connection is completed when the surface electrode 504 is filled in the groove 506. In this example, the description has been given on the assumption that the front surface electrode 504 is transparent and is incident first from the front side.

【0007】この方式は開溝部を設けるだけの非常に簡
単な工程で製造ができ、かつ太陽電池の直列化に際して
は直列化のための接続部品等の材料費が必要なくなるた
めに太陽電池の低コスト化には非常に有効な形態であ
る。
This method can be manufactured by a very simple process of merely providing a groove, and when serializing solar cells, the cost of materials such as connecting parts for serialization is not required. This is a very effective form for cost reduction.

【0008】このようなモノリシック太陽電池を製造す
るにおいては、開溝部を形成する為の製造技術が非常に
重要である。開溝部を設ける手段としては、従来からレ
ーザ光を用いて除去加工を行う方式(いわゆるレーザー
スクライブ方式)が種々検討されてきている。
In manufacturing such a monolithic solar cell, a manufacturing technique for forming a groove is very important. As a means for providing the groove, various methods for performing a removal process using a laser beam (so-called laser scribe method) have been conventionally studied.

【0009】次に太陽電池のコストを下げるための別方
法である可撓性基板を繰り出しながら堆積膜を形成する
方法について記す。
Next, a method for forming a deposited film while feeding out a flexible substrate, which is another method for reducing the cost of a solar cell, will be described.

【0010】一例として米国特許4,400,409号
特許明細書には、ロール状に巻かれた可撓性基板を連続
的に送り出しながら基板上に連続的に堆積膜を形成する
方法が記載されている。より具体的には、複数のグロー
放電領域を設け、前記基板が前記各グロー放電領域を順
次貫通する経路に沿ってグロー放電領域を配置し、前記
基板をその長手方向に連続的に搬送せしめることによっ
て前記各グロー放電領域ごとに好適な導電型の半導体層
を堆積形成しつつ半導体接合を有する素子を連続形成す
ることができるとされている(以下本堆積膜形成法を
“R to R”法と略記する。)。
As an example, US Pat. No. 4,400,409 describes a method for continuously forming a deposited film on a flexible substrate wound in a roll while continuously feeding the substrate. ing. More specifically, providing a plurality of glow discharge regions, arranging the glow discharge regions along a path through which the substrate sequentially passes through each of the glow discharge regions, and continuously transporting the substrate in its longitudinal direction. It is described that a device having a semiconductor junction can be continuously formed while depositing and forming a semiconductor layer of a suitable conductivity type for each of the glow discharge regions (hereinafter, this deposition film formation method is referred to as an “R to R” method). Abbreviated.).

【0011】R to R法の実施に好適な装置を図6
に示す。図6において600は可撓性基板であり、送り
出しローラー610から繰り出されて巻き取りローラー
620に巻き取られる。630は基板600の位置を保
持する保持ローラーである。621は巻き取りモーター
であり、巻き取りローラー620を回転するために用い
られる。611はテンションモーターであり、内蔵する
スリップクラッチ等と組み合わせて基板600に所望の
バックテンションを発生させることで、基板600のた
るみを防止している。640は巻きずれ防止ローラーで
あり、懸架装置641を介してモーター642につなが
っている。643は基板巻きずれ検知センサーであり、
巻きずれ状態を検知してモーター642を駆動すること
により、常に良好な巻き取り状態が維持可能となってい
る。また、650は堆積膜を形成する処理室である。
FIG. 6 shows an apparatus suitable for carrying out the R to R method.
Shown in In FIG. 6, reference numeral 600 denotes a flexible substrate, which is fed out from a feed roller 610 and wound up by a winding roller 620. 630 is a holding roller for holding the position of the substrate 600. A take-up motor 621 is used to rotate the take-up roller 620. Reference numeral 611 denotes a tension motor that generates a desired back tension on the substrate 600 in combination with a built-in slip clutch or the like, thereby preventing the substrate 600 from sagging. Reference numeral 640 denotes an unwinding prevention roller, which is connected to a motor 642 via a suspension device 641. Reference numeral 643 denotes a substrate displacement detection sensor.
By detecting the winding deviation state and driving the motor 642, a favorable winding state can be always maintained. Reference numeral 650 denotes a processing chamber for forming a deposited film.

【0012】ロール状可撓性基板600を送り出しロー
ラー610にセットし、基板端を引き出し保持ローラー
部を通過しながら巻き取りローラー620に貼り付け
る。その後テンションモーター611を駆動してバック
テンションを発生しながら、巻き取りローラーにより可
撓性基板を繰り出す。このような状態にて保持ローラー
下部の処理室650で堆積膜が形成される。
The roll-shaped flexible substrate 600 is set on the delivery roller 610, and the substrate end is pulled out and pasted on the take-up roller 620 while passing through the holding roller portion. Thereafter, while the tension motor 611 is driven to generate the back tension, the flexible substrate is fed out by the winding roller. In such a state, a deposited film is formed in the processing chamber 650 below the holding roller.

【0013】該特許においてはR to R法でプラズ
マCVDを実施する装置が記載されているが、この装置
において作成される堆積膜は例えば光電変換をおこなう
シリコン等からなる半導体膜が主体である。実際の膜形
成の際には図2の説明の際に記したように下地電極の作
成、表面電極の作成、さらには洗浄等も必要となる。基
板自体がロール状であることから、こうしたすべての工
程が一貫してR toR方式で実施されることが最も効
率的である。R to R方式は、前述のように連続的
に堆積膜を作成可能なことから例えば従来のバッチ式の
堆積模作成方法に比して量産に適する方式であると言え
る。
In this patent, an apparatus for performing plasma CVD by the R to R method is described, but a deposited film formed by this apparatus is mainly a semiconductor film made of silicon or the like which performs photoelectric conversion. When an actual film is formed, as described in the description of FIG. 2, it is necessary to form a base electrode, a surface electrode, and further perform cleaning and the like. Since the substrate itself is in the form of a roll, it is most efficient that all such steps are performed consistently in an R to R manner. The R to R method can be said to be a method suitable for mass production, for example, as compared with a conventional batch-type method of forming a deposition pattern because a deposited film can be continuously formed as described above.

【0014】太陽電池のコストダウンには太陽電池のレ
ーザースクライブによるモノリシック化およびR to
R方法が効果的である。両者を組み合わせた技術が特
開平10−27918号公報に開示されている。本公報
においては薄膜層の堆積した透光性基板をR to R
法により繰り出しながらレーザーパターニングする装置
が開示されている。かかる装置によればレーザースクラ
イブによるモノリシック化およびR to R法の両者
を実施しているために太陽電池の量産性が向上すること
が期待できる。
To reduce the cost of solar cells, monolithic solar cells using laser scribe and R to R
The R method is effective. A technique combining the two is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-27918. In this publication, a transparent substrate on which a thin film layer is deposited is referred to as R to R
An apparatus for performing laser patterning while feeding out by a method is disclosed. According to such an apparatus, since both monolithic processing by laser scribing and the R to R method are performed, it is expected that mass productivity of solar cells is improved.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
10−27918号公報に開示された発明で用いられる
透光性を有する基板としては、R to R法に適用可
能な可撓性と透光性を併せ持つと同時に加工時の温度等
に耐えられる材質という条件を満足する必要があり、実
際にはポリイミド、フッ素樹脂、ポリカーボネイト樹脂
といった樹脂系材料の一部に限られてしまう。詳細な検
討の結果、このような材質をR to R法で使用する
場合、送り出しローラーと巻き取りローラー間にR t
o R状に基板を張るためのバックテンションによる基
板の伸び量が、条件によっては正確な位置にスクライブ
することを困難にすることが判明した。
However, as the light-transmitting substrate used in the invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-27918, a flexible and light-transmitting material applicable to the R to R method is used. It is necessary to satisfy the condition of a material that can withstand the temperature during processing and the like at the same time, and is actually limited to a part of resin-based materials such as polyimide, fluorine resin, and polycarbonate resin. As a result of detailed examination, when such a material is used in the R to R method, R t is set between the feed roller and the take-up roller.
o It has been found that the amount of elongation of the substrate due to back tension for stretching the substrate in an R shape makes it difficult to scribe at an accurate position depending on conditions.

【0016】また、特に多層膜構成の堆積膜を考えた場
合、上層と下層のスクライブ位置関係を正確に制御する
必要がある。しかしながら、上記の透光性を有する樹脂
系基板は伸び量が大きいためスクライブ位置関係を正確
に制御できず、加工後の堆積膜の歩留まりが悪くなると
いう問題があった。
In particular, when considering a deposited film having a multilayer structure, it is necessary to accurately control the positional relationship between the upper layer and the lower layer. However, the resin-based substrate having a light-transmitting property has a problem that the scribed positional relationship cannot be accurately controlled due to a large amount of elongation, and the yield of the deposited film after processing is deteriorated.

【0017】本発明は、このような基板の伸びに起因す
るスクライブの位置精度の問題を解決し、加工後の堆積
膜の歩留まりを向上せしめることを目的とする。また本
発明は、特に太陽電池のモノリシック化時の歩留まりを
向上せしめ、太陽電池の量産性の向上を目的とするもの
である。
An object of the present invention is to solve the problem of scribe position accuracy caused by such elongation of the substrate and to improve the yield of the deposited film after processing. Another object of the present invention is to improve the yield, especially when the solar cells are made monolithic, and to improve the mass productivity of the solar cells.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成すべく
成された本発明の構成は以下の通りである。
The configuration of the present invention which has been made to achieve the above object is as follows.

【0019】すなわち本発明の堆積膜加工装置は、表面
に堆積膜が形成された可撓性金属基板を繰り出しながら
レーザースクライブをおこなうことによって、前記堆積
膜の少なくとも一部を除去する機能を有することを特徴
とする。
That is, the deposited film processing apparatus of the present invention has a function of removing at least a part of the deposited film by performing laser scribing while feeding out a flexible metal substrate having a deposited film formed on the surface. It is characterized by.

【0020】また本発明の堆積膜加工方法は、表面に堆
積膜が形成された可撓性金属基板を繰り出しながらレー
ザースクライブをおこなうことによって、前記堆積膜の
少なくとも一部を除去することを特徴とする。
Further, the method of processing a deposited film according to the present invention is characterized in that at least a part of the deposited film is removed by performing laser scribing while feeding out a flexible metal substrate having a deposited film formed on the surface. I do.

【0021】さらに本発明の堆積膜は、表面に堆積膜が
形成された可撓性金属基板を繰り出しながらレーザース
クライブをおこなうことによって、前記堆積膜の少なく
とも一部を除去して加工したことを特徴とする。
Further, the deposited film of the present invention is processed by removing at least a part of the deposited film by performing laser scribing while feeding out the flexible metal substrate having the deposited film formed on the surface. And

【0022】上記本発明は、さらなる特徴として、「前
記可撓性金属基板を保持する機能を有する磁力を内在し
た支持体を具備し、また、該支持体により前記可撓性金
属基板を保持する」こと、「前記可撓性金属基板の加工
面と逆側の面を保持する基板位置保持手段を具備し、該
基板位置保持手段により前記可撓性金属基板を保持しな
がらレーザースクライブをおこなう機能を有し、また、
該基板位置保持手段により可撓性金属基板の加工面と逆
側の面を保持しながらレーザースクライブをおこなう」
こと、「前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の少なくと
も一部である」こと、を含むものである。
According to a further feature of the present invention, there is provided a support having an internal magnetic force having a function of holding the flexible metal substrate, and holding the flexible metal substrate by the support. "A function of performing laser scribing while holding the flexible metal substrate by holding the flexible metal substrate by using the substrate position holding means for holding a surface opposite to a processing surface of the flexible metal substrate. And also
Laser scribing is performed while holding the surface opposite to the processed surface of the flexible metal substrate by the substrate position holding means. "
And that the deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell.

【0023】本発明によれば、R to R法で堆積膜
のレーザースクライブを行うに際し、透光性を有する樹
脂系基板に比べて遥かに弾性率の大きい可撓性金属基板
を堆積膜形成基板としているため、堆積膜形成基板の伸
びに起因するスクライブの位置ずれを防止することがで
きる。
According to the present invention, when performing laser scribing of a deposited film by the R to R method, a flexible metal substrate having a much higher elastic modulus than a resin-based substrate having a light-transmitting property is used. Therefore, it is possible to prevent the scribe position from being shifted due to the extension of the deposition film forming substrate.

【0024】また、特に、磁力を内在した支持体(以降
“マグネット支持体”と略記する)により前記可撓性金
属基板を保持することにより、必要なバックテンション
自体を小さくすることができ、堆積膜形成基板の伸びに
起因するスクライブの位置ずれの更なる防止が図られ
る。
In particular, by holding the flexible metal substrate by a support having a magnetic force therein (hereinafter abbreviated as “magnet support”), the necessary back tension itself can be reduced, and It is possible to further prevent the displacement of the scribe position caused by the extension of the film forming substrate.

【0025】また、特に、基板位置保持手段により前記
可撓性金属基板の加工面と逆側の面を保持しながらレー
ザースクライブをおこなうことにより、基板搬送中の基
板のビビリ等の発生が抑えられ安定した条件でスクライ
ブ加工をおこなうことができる。
In particular, by performing laser scribing while holding the surface opposite to the processing surface of the flexible metal substrate by the substrate position holding means, occurrence of chattering of the substrate during the transfer of the substrate can be suppressed. Scribe processing can be performed under stable conditions.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下に本発明の堆積膜およびその
加工装置および加工方法を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a deposited film of the present invention, a processing apparatus and a processing method thereof will be described.

【0027】始めに本発明の可撓性金属基板を繰り出し
ながらレーザースクライブを実施する方法について図1
を用いながら説明する。図1はこうした堆積膜加工装置
の例を示す模式図である。
First, a method of performing laser scribing while feeding out a flexible metal substrate of the present invention is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of such a deposited film processing apparatus.

【0028】図1において100は表面に(本図におい
ては下面に)堆積膜の形成された可撓性金属基板であ
り、送り出しローラー110から繰り出されて巻き取り
ローラー120に巻き取られる。130はマグネット支
持体であり、ここでは回転自在な円筒状をしている。1
21は巻き取りモーターであり、巻き取りローラー12
0を回転するために用いられる。111はテンションモ
ーターであり、内蔵するスリップクラッチ等と組み合わ
せて基板100に所望のバックテンションを発生させる
ことで、基板のたるみを防止している。140は巻きず
れ防止ローラーであり、懸架装置141を介してモータ
ー142につながっている。143は基板巻きずれ検知
センサーであり、巻きずれ状態を検知してモーター14
2を駆動することにより、常に良好な巻き取り状態が維
持可能となっている。150はスクライブをおこなうレ
ーザー照射部であり、レーザーは152に示したごとく
照射される。レーザー照射は必ずしもこの方法である必
要はなく、例えばレーザーの発振部を別筐体としてレー
ザーをファイバーを経由して基板の加工面に照射しても
良い。また、151はレーザー照射部150の移動機構
であり、可撓性金属基板100の長尺方向と垂直方向に
レーザー照射部150を移動可能である。
In FIG. 1, reference numeral 100 denotes a flexible metal substrate having a deposited film formed on the surface thereof (on the lower surface in this figure). The flexible metal substrate is fed out from the feed roller 110 and wound on the winding roller 120. Reference numeral 130 denotes a magnet support, which has a rotatable cylindrical shape here. 1
Reference numeral 21 denotes a winding motor, and the winding roller 12
Used to rotate 0. A tension motor 111 generates a desired back tension on the substrate 100 in combination with a built-in slip clutch or the like, thereby preventing the substrate from sagging. Reference numeral 140 denotes an unwinding prevention roller, which is connected to a motor 142 via a suspension device 141. Reference numeral 143 denotes a substrate winding deviation detection sensor which detects a winding deviation state and
By driving No. 2, a favorable winding state can always be maintained. Reference numeral 150 denotes a laser irradiating unit that performs scribing, and the laser is irradiated as shown in 152. The laser irradiation does not necessarily need to be performed by this method. For example, the laser may be irradiated to the processing surface of the substrate via a fiber by using a laser oscillation unit as a separate housing. Reference numeral 151 denotes a moving mechanism of the laser irradiation unit 150, which can move the laser irradiation unit 150 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the flexible metal substrate 100.

【0029】本構成によれば、弾性率の大きい金属基板
を堆積膜形成基板として用いたため、基板を釣り下げる
ためのバックテンションがかかった状態においても基板
の伸び量が極めて少ない。その結果、スクライブ位置の
精度が向上する。また、基板の繰り出し部分の裏面(図
1においては上面)にマグネット支持体を配置したた
め、基板はマグネット支持体に張り付き、バックテンシ
ョン量を減少させても基板の垂れ下がりは少なくなる。
その結果、基板の伸び量はさらに小さくなり、スクライ
ブ位置の精度がさらに向上する。なお、基板の伸び量に
ついては詳しくは後に記す。
According to this structure, since the metal substrate having a large elastic modulus is used as the substrate on which the deposited film is formed, the amount of elongation of the substrate is extremely small even when the back tension for hanging the substrate is applied. As a result, the accuracy of the scribe position is improved. Further, since the magnet support is disposed on the back surface (the upper surface in FIG. 1) of the payout portion of the substrate, the substrate is stuck to the magnet support, and the sag of the substrate is reduced even if the back tension amount is reduced.
As a result, the extension amount of the substrate is further reduced, and the accuracy of the scribe position is further improved. The elongation of the substrate will be described later in detail.

【0030】可撓性金属基板100はR to R方式
で用いるために、通常ロール状で供給される。材質はス
テンレス、Niメッキ鋼板、亜鉛鋼板、銅、アルミニウ
ム等の薄板などが好適である。いずれにせよ堆積膜の堆
積条件、加工条件などに耐えうるものを選ぶ必要があ
る。また、可撓性金属基板の表面は、鏡面であっても、
適度な凹凸が設けられていても構わない。また、マグネ
ット支持体を併用する場合には、その効果を発揮させる
ためには磁性体であることが望ましく、上記の金属材料
の中から磁性材料を選択して用いれば良い。
The flexible metal substrate 100 is usually supplied in a roll form for use in the R to R system. The material is preferably a thin plate of stainless steel, Ni-plated steel plate, zinc steel plate, copper, aluminum or the like. In any case, it is necessary to select a material that can withstand the deposition conditions and processing conditions of the deposited film. Also, even if the surface of the flexible metal substrate is a mirror surface,
Appropriate irregularities may be provided. When a magnet support is used in combination, a magnetic material is desirable in order to exert its effect, and a magnetic material may be selected from the above metal materials.

【0031】マグネット支持体130は例えば図2のよ
うに構成することができる。なお、図2(a)はマグネ
ット支持体を基板搬送方向から見た断面図であり、図2
(b)は図2(a)のA−A’方向断面図である。
The magnet support 130 can be constructed, for example, as shown in FIG. FIG. 2A is a cross-sectional view of the magnet support viewed from the substrate transport direction.
FIG. 2B is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

【0032】図2において131は可撓性金属基板10
0と接触する円筒状部材、132は磁石であり、可撓性
基板100を円筒状部材131に貼り付ける役割を持っ
ている。133は軸であり、円筒状部材131はベアリ
ング134を介して軸133に固定されているため回転
自在である。また、135は軸の固定部材であり、全体
を堆積膜加工装置壁136に固定している。このような
構成により可撓性基板100は円筒状部材131に裏面
を密着し、こすれあうことなく滑らかに搬送されるもの
である。
In FIG. 2, reference numeral 131 denotes a flexible metal substrate 10.
The cylindrical member 132 that comes into contact with 0 is a magnet, and has a role of attaching the flexible substrate 100 to the cylindrical member 131. 133 is a shaft, and since the cylindrical member 131 is fixed to the shaft 133 via a bearing 134, it is rotatable. Reference numeral 135 denotes a shaft fixing member, which is entirely fixed to the deposited film processing apparatus wall 136. With such a configuration, the flexible substrate 100 has a rear surface in close contact with the cylindrical member 131 and is transported smoothly without rubbing.

【0033】可撓性金属基板上に形成する堆積膜は、基
板上に形成されて何らかの機能を発揮する薄膜であれば
なんでも良いが、R to R方式での量産が効率的で
あることから、効果を発揮するにはモノリシック太陽電
池などに対してが最も本発明の効果が大きい。
The deposited film formed on the flexible metal substrate may be any thin film formed on the substrate and exerting some function. However, since mass production by the R to R method is efficient, The effects of the present invention are the most effective for monolithic solar cells and the like to exhibit the effect.

【0034】レーザースクライブにはYAGレーザー、
CO2レーザー、エキシマレーザー等が使用できるが、
特にYAGレーザーが好適に用いられる。基本波長1.
06μmのほかに非線型光学素子を併用して得られる第
二高調波の0.53μm、および第三高調波の0.26
5μmの光も利用することが出来る。YAGレーザーは
連続発振もできるが、高いピークパワーを得るためにQ
スイッチパルス発振動作で使用することが多い。Qスイ
ッチパルス発振の周波数は通常数KHzから数十KHz
程度であり1つのパルスの継続時間は100nsec前
後である。
For laser scribing, a YAG laser,
CO 2 laser, excimer laser, etc. can be used,
Particularly, a YAG laser is preferably used. Basic wavelength 1.
0.63 μm of the second harmonic and 0.26 μm of the third harmonic obtained by using a nonlinear optical element in addition to 0.6 μm.
Light of 5 μm can also be used. The YAG laser can continuously oscillate, but the QAG
Often used in switch pulse oscillation operation. Q switch pulse oscillation frequency is usually several KHz to several tens KHz
The duration of one pulse is around 100 nsec.

【0035】堆積膜を削り取る厚み、場所等は目的に応
じて適宜選択すれば良い。厚みとしては、例えば堆積膜
の厚みのすべてを削り取っても良いし、あるいは表面側
のごく一部(例えば堆積膜の厚みの1/100など)を
削り取っても良い。ただし、モノリシック太陽電池のス
クライブ溝を作成するにあたっては、スクライブ時点で
の可撓性基板上の最上部の堆積膜の厚み分のスクライブ
することが基本である。
The thickness, location, and the like for shaving the deposited film may be appropriately selected depending on the purpose. As the thickness, for example, the entire thickness of the deposited film may be removed, or a very small portion (for example, 1/100 of the thickness of the deposited film) on the surface side may be removed. However, in forming a scribe groove of a monolithic solar cell, it is fundamental to scribe the thickness of the uppermost deposited film on the flexible substrate at the time of the scribe.

【0036】スクライブにより削り取る厚みの実際の制
御は例えば、レーザーの種類、波長、エネルギーなどの
パラメーターを最適に設定することで行われる。もちろ
ん、基板の送り速度(ステッピングロール方式を採用す
る場合には基板の停滞時間等)もスクライブ深さ制御の
パラメーターである。またスクライブ場所については、
堆積膜の目的とする機能に応じていかなる形にスクライ
ブしても良いが、太陽電池をモノリシックで作成する際
のスクライブとしては可撓性基板の長尺方向に対して平
行あるいは垂直にスクライブすることが望ましい。
The actual control of the thickness removed by scribing is performed, for example, by optimally setting parameters such as the type of laser, wavelength, and energy. Of course, the feed speed of the substrate (e.g., the dwell time of the substrate when the stepping roll method is employed) is also a parameter of the scribe depth control. For scribe locations,
Although scribing may be performed in any shape depending on the intended function of the deposited film, scribing when creating a solar cell in a monolithic manner should be performed parallel or perpendicular to the lengthwise direction of the flexible substrate. Is desirable.

【0037】図1に対して、更に可撓性金属基板の加工
面と逆側の面に基板位置保持手段を設けた装置を図3に
示す。図3において図1と共通符号を持つ部材は図1の
説明の際に解説したものと同一なので省略し、基板位置
保持手段についてのみ記す。
FIG. 3 shows an apparatus in which a substrate position holding means is further provided on the surface of the flexible metal substrate opposite to the processing surface of FIG. In FIG. 3, members having the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same as those described in the description of FIG. 1, and thus are omitted, and only the substrate position holding means is described.

【0038】図3に示した装置のメリットは、スクライ
ブが行われる際に可撓性金属基板位置が広い面積に亘っ
て基板位置保持手段300に密着しているので、基板搬
送中の基板のビビリ等の発生が抑えられ安定した条件で
スクライブ加工をおこなえることがある。
The advantage of the apparatus shown in FIG. 3 is that the flexible metal substrate position is in close contact with the substrate position holding means 300 over a wide area when the scribe is performed, so that the substrate is chattered during the substrate transfer. In some cases, scribe processing can be performed under stable conditions with the occurrence of cracks suppressed.

【0039】基板位置保持手段300は可撓性基板10
0との滑りをよくするために、例えば接触面を滑らかに
加工した金属、樹脂たとえばテフロン等が好ましい。ま
た、こうした滑らせる手段以外にも例えばキャタピラー
のように可撓性基板と密着しながら回転することの可能
な手段等を用いても良い。また、基板位置保持手段30
0には磁力による保持機構を設けても良い。
The substrate position holding means 300 is a flexible substrate 10
In order to improve the slip with zero, for example, a metal or resin such as Teflon having a smooth contact surface is preferable. In addition, other than the sliding means, for example, a means such as a caterpillar which can rotate while being in close contact with the flexible substrate may be used. Further, the substrate position holding means 30
0 may be provided with a holding mechanism by magnetic force.

【0040】次にバックテンションによる可撓性基板の
伸び量について記す。
Next, the amount of expansion of the flexible substrate due to back tension will be described.

【0041】材料に引っ張り応力が加わったときの伸び
量は基本的には引っ張り応力(バックテンションに相当
する)と材料の弾性率によって定まる。可撓性金属基板
として容易に用いうるステンレスの弾性率はポリイミ
ド、PETフィルム等の透光性樹脂に比べると1桁以上
大きな値を持っている。すなわち、同じバックテンショ
ンを与えた時の基板の伸び量は可撓性金属基板は樹脂に
比べるとはるかに少ない。
The amount of elongation when a tensile stress is applied to a material is basically determined by the tensile stress (corresponding to back tension) and the elastic modulus of the material. The elastic modulus of stainless steel, which can be easily used as a flexible metal substrate, has a value that is at least one order of magnitude greater than that of a translucent resin such as polyimide or PET film. That is, the amount of elongation of the substrate when the same back tension is applied is much smaller in the flexible metal substrate than in the resin.

【0042】より具体的には、例えば基板の幅を350
mm、厚さを0.1mm、引っ張り力10kgfを前提
として、ステンレスとポリイミドの伸び量を比較すれば
ステンレスの場合の伸び量は略0.002%、ポリイミ
ドの場合は略0.08%である。ここで1mの長さのモ
ノリシック太陽電池を考えて基板長を1mとすれば、伸
び量はステンレスの場合は20μm、ポリイミドの場合
800μmとなる。
More specifically, for example, the width of the substrate is set to 350
mm, thickness 0.1 mm, and tensile force 10 kgf, the elongation amount of stainless steel is approximately 0.002%, and the elongation amount of polyimide is approximately 0.08% in the case of polyimide. . Here, if the substrate length is 1 m in consideration of a monolithic solar cell having a length of 1 m, the elongation amount is 20 μm for stainless steel and 800 μm for polyimide.

【0043】モノリシック太陽電池の場合、下層のスク
ライブ位置に対する上層のスクライブ位置のずらし量
(例えば図5におけるスクライブ溝505と506のず
らし量)は100μmオーダーに設定することが一般的
である。従ってステンレス基板の場合は問題ないが、樹
脂基板の場合にはスクライブ溝のずらし量を超えて伸び
てしまう。その結果、樹脂基板の場合には上層のスクラ
イブ位置が下層のスクライブ位置に重なってしまう、あ
るいは逆に両層のスクライブ位置が離れすぎる等の問題
が発生する。
In the case of a monolithic solar cell, the shift amount of the upper scribe position relative to the lower scribe position (for example, the shift amount of the scribe grooves 505 and 506 in FIG. 5) is generally set to the order of 100 μm. Therefore, there is no problem in the case of a stainless steel substrate, but in the case of a resin substrate, the scribe groove extends beyond the shift amount. As a result, in the case of a resin substrate, there arises a problem that the scribe position of the upper layer overlaps the scribe position of the lower layer, or conversely, the scribe positions of both layers are too far apart.

【0044】本発明においては、堆積膜形成基板として
金属基板を用いているためスクライブ位置の精度が高
く、上記のような問題を気にすることなく加工、あるい
は装置設計が可能である。
In the present invention, since the metal substrate is used as the substrate on which the deposited film is formed, the accuracy of the scribe position is high, and the processing or the device design can be performed without worrying about the above problems.

【0045】[0045]

【実施例】以下実施例により本発明を説明するが、本発
明は実施例により何ら制限されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to the examples.

【0046】(実験例1)図3に示した本発明の堆積膜
加工装置に可撓性金属基板を設置し、バックテンション
をかけ基板の伸び量を測定した。ここで、図3における
2本のマグネット支持体130の間隔は1.5mであ
る。
(Experimental Example 1) A flexible metal substrate was set in the deposited film processing apparatus of the present invention shown in FIG. 3, and back tension was applied to measure the elongation of the substrate. Here, the interval between the two magnet supports 130 in FIG. 3 is 1.5 m.

【0047】可撓性基板100は幅350mm、厚み
0.125mmのステンレス基板とした。このロール状
に巻かれた可撓性基板100を送り出しローラー110
に取り付けた。可撓性基板の一端をマグネット支持体1
30の下部を通過するようにしながら巻き取りローラー
120に貼り付けた。その後、人手により基板を巻き取
りローラーに巻き付け基板のたるみを取り除いた。この
状態で可撓性基板の2本のマグネット支持体直下の部分
に印をつけた。
The flexible substrate 100 was a stainless steel substrate having a width of 350 mm and a thickness of 0.125 mm. The flexible substrate 100 wound in the form of a roll is fed to a delivery roller 110.
Attached to. Attach one end of the flexible substrate to the magnet support 1
30 while being passed through the lower portion of the roller 30. Thereafter, the substrate was manually wound around a take-up roller to remove slack in the substrate. In this state, marks were made on portions of the flexible substrate immediately below the two magnet supports.

【0048】次にテンションローラー111を駆動して
可撓性基板に10kgのバックテンションをかけ、印を
つけた個所の伸び量を測定したが、0.1mm以下の伸
び量であり、測定不可能であった。
Next, the tension roller 111 was driven to apply a back tension of 10 kg to the flexible substrate, and the amount of elongation at the marked location was measured. Met.

【0049】(比較実験例1)可撓性基板として0.3
mm厚のポリイミドからなる可撓性樹脂基板を用いた他
は実験例1と同様の実験を行ったところ、基板の伸び量
は0.4mmであった。
(Comparative Experimental Example 1) As a flexible substrate, 0.3
The same experiment as in Experimental Example 1 was performed except that a flexible resin substrate made of polyimide having a thickness of 1 mm was used, and the elongation of the substrate was 0.4 mm.

【0050】(実施例1)図3に示した本発明の堆積膜
加工装置を利用して本発明の堆積膜加工方法を実施し
た。
Example 1 The method for processing a deposited film according to the present invention was carried out using the apparatus for processing a deposited film according to the present invention shown in FIG.

【0051】可撓性基板100としてはロール状に巻か
れた幅350mm、厚み0.125mmのステンレス基
板を用いた。本可撓性基板上にはすでに前工程にて1μ
m厚のアルミ/シリコン(Al:95%、Si:5%)
膜が堆積している。
As the flexible substrate 100, a stainless substrate having a width of 350 mm and a thickness of 0.125 mm wound in a roll shape was used. On the flexible substrate, 1μ has already been used in the previous process.
m-thick aluminum / silicon (Al: 95%, Si: 5%)
A film has been deposited.

【0052】このロール状に巻かれた可撓性基板を送り
出しローラー110に取り付けた。可撓性基板の一端を
マグネット支持体130の下部を通過するようにしなが
ら巻き取りローラー120に貼り付けた。次にテンショ
ンローラー111を駆動して可撓性基板に10kgのバ
ックテンションをかけ、可撓性基板のたるみをなくして
おいた。
The flexible substrate wound in the form of a roll was attached to the delivery roller 110. The flexible substrate was attached to the take-up roller 120 while passing one end of the flexible substrate under the magnet support 130. Next, the tension roller 111 was driven to apply a back tension of 10 kg to the flexible substrate to eliminate the slack of the flexible substrate.

【0053】一方、レーザーはYAGレーザーを用い
た。レーザーは基本波1.06μmをパルス発振動作で
使用した。
On the other hand, the laser used was a YAG laser. The laser used a fundamental wave of 1.06 μm in a pulse oscillation operation.

【0054】以上の準備の後に、巻き取りモーター12
1を回転させると同時にレーザー照射部の移動機構15
1を駆動し加工を開始した。基板送り速度は250mm
毎分、レーザー照射部の移動速度は300mm毎秒とし
た。レーザー照射部は基板幅方向の移動を繰り返した。
40分間(10m)の加工の後にレーザーの発振を止
め、巻き取りローラー120に巻き取られた可撓性基板
を取り外した。
After the above preparation, the winding motor 12
1 and at the same time moving mechanism 15 of the laser irradiation part
1 was driven to start machining. Substrate feed speed is 250mm
Every minute, the moving speed of the laser irradiation unit was 300 mm per second. The laser irradiation part repeated the movement in the substrate width direction.
After the processing for 40 minutes (10 m), the laser oscillation was stopped, and the flexible substrate wound around the winding roller 120 was removed.

【0055】巻き取りローラーから加工の終了した可撓
性基板の一端を引き出し5cm角の正方形状のサンプル
を切り出し、本サンプルの断面形状を顕微鏡観察したと
ころ、レーザーを照射した個所のAl/Si膜が削れて
下地のステンレス基板が露出していた。また、隣接する
スクライブ溝間の間隔は一定していた。
One end of the processed flexible substrate was pulled out from the take-up roller, a square sample of 5 cm square was cut out, and the cross-sectional shape of the sample was observed with a microscope. And the underlying stainless steel substrate was exposed. In addition, the interval between adjacent scribe grooves was constant.

【0056】(実施例2)図3に示した本発明の堆積膜
加工装置を用いてモノリシック太陽電池を作成した。全
工程のフローを図4に示す。初めに図4に従って全工程
のアウトラインを説明する。
(Example 2) A monolithic solar cell was manufactured using the deposited film processing apparatus of the present invention shown in FIG. FIG. 4 shows the flow of all the steps. First, an outline of all the steps will be described with reference to FIG.

【0057】工程1)において可撓性金属基板の洗浄を
おこなう。工程2)において基板上に絶縁層を作成す
る。工程3)において太陽電池の下地電極を作成する。
工程4)において下地電極を本発明の堆積膜加工方法に
てスクライブする。工程5)において半導体(光起電
力)層を作成する。工程6)において半導体層を本発明
の堆積膜加工方法にてスクライブする。工程7)にて上
部(透明)電極を作成する。工程8)にて上部電極を本
発明の堆積膜加工方法にてスクライブする。
In step 1), the flexible metal substrate is washed. In step 2), an insulating layer is formed on the substrate. In step 3), a base electrode for a solar cell is formed.
In step 4), the underlying electrode is scribed by the method for processing a deposited film of the present invention. In step 5), a semiconductor (photovoltaic) layer is formed. In step 6), the semiconductor layer is scribed by the method for processing a deposited film of the present invention. In step 7), an upper (transparent) electrode is formed. In step 8), the upper electrode is scribed by the deposited film processing method of the present invention.

【0058】以上の工程はすべてR to R法にて実
施する。各層自体の堆積方法については本発明固有の方
法ではないので詳述はしないが、半導体層については米
国特許4,400,409号に準じた方法を用い、また
下地電極、上部電極の作成については同様にR to
Rにてスパッタを実行することにより作成した。
The above steps are all performed by the R to R method. The method of depositing each layer itself is not a specific method of the present invention, and therefore will not be described in detail. However, the method of conforming to US Pat. No. 4,400,409 is used for the semiconductor layer. Similarly, R to
It was created by performing sputtering at R.

【0059】以下に実施した上記工程の詳細を記す。な
お、可撓性基板としてはロール状に巻かれた幅350m
m、厚み0.125mmのステンレス基板を用いた。
The details of the above-described steps will be described below. In addition, as for a flexible substrate, a width of 350 m
A stainless steel substrate having a thickness of 0.125 mm was used.

【0060】工程1)基板をR to R法で洗浄し
た。洗浄液はオーカイト(商標名):(NaOH,KO
H混合)を用いて、洗浄後は純水にて洗浄液を洗い落と
した。その後エアーブローにて乾燥した後に改めてロー
ル状に巻き取った。
Step 1) The substrate was washed by the R to R method. The washing solution is Orkite (trade name): (NaOH, KO
After washing, the washing liquid was washed away with pure water. Then, after drying by air blow, it was rolled up again.

【0061】工程2)洗浄終了後の可撓性基板上にR
to R方式で絶縁層を形成した。絶縁層は反応性スパ
ッタ法を用いて酸化シリコン膜を3μm堆積した。膜堆
積後は改めてロール状に巻き取った。
Step 2) After cleaning, R is placed on the flexible substrate.
An insulating layer was formed by a toR method. As the insulating layer, a silicon oxide film having a thickness of 3 μm was deposited by using a reactive sputtering method. After the film was deposited, it was rolled up again.

【0062】工程3)絶縁層上に更に下地電極を作成し
た。下地電極はスパッタ法にて3000Å厚のアルミと
した。下地電極作成後同様にロール状に巻き取る。
Step 3) A base electrode was further formed on the insulating layer. The base electrode was made of aluminum having a thickness of 3000 mm by sputtering. After forming the base electrode, it is similarly wound up in a roll shape.

【0063】工程4)図3に示した本発明の堆積膜加工
装置を用いて下地電極をスクライブした。基板の設置方
法、搬送方法等はすでに記述したのでここでの説明は省
略する。加工ピッチは10mmとした。また、スクライ
ブ条件としては、YAGレーザーの基本波1.06μm
をパルス発振動作で使用した。また、基板送り速度は2
50mm毎分とした。その結果、下地電極には10mm
ピッチで幅約130μmのスクライブ溝が形成された。
Step 4) The underlying electrode was scribed using the deposited film processing apparatus of the present invention shown in FIG. The method of installing the substrate, the method of transporting the substrate, and the like have already been described, and a description thereof will be omitted. The processing pitch was 10 mm. The scribing conditions are as follows.
Was used in the pulse oscillation operation. The substrate feed speed is 2
50 mm / min. As a result, 10 mm
A scribe groove having a width of about 130 μm was formed at a pitch.

【0064】工程5)下地電極をスクライブした後にR
to R方式で半導体(光起電力)層を堆積した。膜
自体の作成方法としてはCVD法を用いた。また、層構
成としては下地電極側から順にN型アモルファスシリコ
ン層(200Å)、I型アモルファスシリコン層(32
00Å)、P型アモルファスシリコン層(110Å)と
した。半導体層形成後の可撓性基板は改めてロール状に
巻き取った。
Step 5) After scribing the underlying electrode, R
A semiconductor (photovoltaic) layer was deposited by the toR method. The CVD method was used as a method for forming the film itself. In addition, as the layer configuration, an N-type amorphous silicon layer (200 °) and an I-type amorphous silicon layer (32
00) and a P-type amorphous silicon layer (110). After the formation of the semiconductor layer, the flexible substrate was wound up again in a roll shape.

【0065】工程6)工程4と同様の方法にて半導体層
のスクライブをおこなった。YAGレーザーの第二高調
波の0.53μmを用いパルス発振動作で使用し、基板
送り速度を450mm毎分とした以外はスクライブの条
件は工程4と同様である。半導体層のスクライブ位置は
下地電極のスクライブ位置に対して100μmずれた位
置に作成した。半導体層スクライブ後の基板は巻き取り
ローラーに巻きとった。
Step 6) The semiconductor layer was scribed in the same manner as in step 4. The scribing conditions are the same as in step 4, except that the second harmonic of the YAG laser is used in the pulse oscillation operation using 0.53 μm and the substrate feeding speed is set to 450 mm per minute. The scribe position of the semiconductor layer was formed at a position shifted by 100 μm from the scribe position of the base electrode. The substrate after scribing the semiconductor layer was wound around a winding roller.

【0066】工程7)スクライブ溝の作成された半導体
層上に更に上部(透明)電極を作成した。上部電極はス
パッタ法で作成したITO膜とした。ITO膜の厚さは
略700Åとした。
Step 7) An upper (transparent) electrode was further formed on the semiconductor layer in which the scribe grooves were formed. The upper electrode was an ITO film formed by a sputtering method. The thickness of the ITO film was approximately 700 °.

【0067】工程8)工程4と同様の方法にて上部電極
のスクライブをおこなった。基板送り速度を450mm
毎分とした以外はスクライブの条件は工程4と同様であ
る。上部電極のスクライブ位置は半導体層のスクライブ
位置に対して100μmずれた位置に作成した。上部電
極スクライブ後の可撓性基板は巻き取りローラーに巻き
とった。
Step 8) The upper electrode was scribed in the same manner as in step 4. 450mm substrate feed speed
Except for every minute, the scribe conditions are the same as in step 4. The scribe position of the upper electrode was formed at a position shifted by 100 μm from the scribe position of the semiconductor layer. After the upper electrode scribe, the flexible substrate was wound around a take-up roller.

【0068】以上で図5に示したようなモノリシック太
陽電池を構成する堆積膜が形成された。
As described above, a deposited film constituting a monolithic solar cell as shown in FIG. 5 was formed.

【0069】次に、上記工程で作成した堆積膜を繰り出
して約500mmごとに切断した。これは上記工程でモ
ノリシックされた太陽電池50直列分である。切断した
基板に対して電力取り出し端子を取り付け太陽電池特性
を測定したところ、良好な特性を得られた。
Next, the deposited film formed in the above step was fed out and cut at intervals of about 500 mm. This is the 50 series solar cells monolithic in the above process. A power extraction terminal was attached to the cut substrate, and solar cell characteristics were measured. As a result, good characteristics were obtained.

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明によりスクライブ位置精度の高い
レーザースクライブ法をR to R方式にて実施する
具体的な方法および具体的な装置が実現された。その結
果、堆積膜、特に太陽電池のモノリシック化時の歩留ま
りが向上し、太陽電池の量産性が飛躍的に向上した。更
にはその結果、太陽電池製造コストの大幅な引き下げが
可能となった。
According to the present invention, a specific method and a specific apparatus for implementing the laser scribe method with high scribe position accuracy by the R to R method have been realized. As a result, the yield at the time of monolithic formation of the deposited film, particularly the solar cell, was improved, and the mass productivity of the solar cell was dramatically improved. Furthermore, as a result, the cost of manufacturing solar cells can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の堆積膜加工装置の一例を示す模式図で
ある。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a deposited film processing apparatus according to the present invention.

【図2】マグネット支持体の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a magnet support.

【図3】図1で示した装置に対して、更に可撓性金属基
板の加工面と逆側の面に基板位置保持手段を設けた装置
を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an apparatus in which a substrate position holding means is further provided on the surface of the apparatus shown in FIG.

【図4】モノリシック太陽電池を作成する全工程のフロ
ーを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a flow of all steps for producing a monolithic solar cell.

【図5】モノリシック太陽電池の一例を示す概略断面図
である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing an example of a monolithic solar cell.

【図6】R to R法を実施する装置の模式図であ
る。
FIG. 6 is a schematic view of an apparatus for performing the R to R method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 可撓性金属基板 110 送り出しローラー 111 テンションモーター 120 巻き取りローラー 121 巻き取りモーター 130 マグネット支持体 131 円筒状部材 132 磁石 133 軸 134 ベアリング 135 軸の固定部材 136 堆積膜加工装置壁 140 巻きずれ防止ローラー 141 懸架装置 142 モーター 143 基板巻きずれ検知センサー 150 スクライブをおこなうレーザー照射部 151 レーザー照射部の移動機構 300 基板位置保持手段 500 基板 501 絶縁層 502 下地電極 503 半導体層 504 表面電極 505 下地電極の開溝部 506 半導体層の開溝部 507 表面電極の開溝部 600 可撓性基板 610 送り出しローラー 611 テンションモーター 620 巻き取りローラー 621 巻き取りモーター 630 保持ローラー 640 巻きずれ防止ローラー 641 懸架装置 642 モーター 643 基板巻きずれ検知センサー 650 堆積膜を形成する処理室 REFERENCE SIGNS LIST 100 Flexible metal substrate 110 Sending roller 111 Tension motor 120 Winding roller 121 Winding motor 130 Magnet support 131 Cylindrical member 132 Magnet 133 Axis 134 Bearing 135 Axis fixing member 136 Deposition film processing apparatus wall 140 Rolling prevention roller 141 Suspension device 142 Motor 143 Substrate winding misalignment detection sensor 150 Laser irradiating unit for scribing 151 Moving mechanism of laser irradiating unit 300 Substrate position holding means 500 Substrate 501 Insulating layer 502 Base electrode 503 Semiconductor layer 504 Surface electrode 505 Base electrode opening groove Part 506 Groove part of semiconductor layer 507 Groove part of surface electrode 600 Flexible substrate 610 Feeding roller 611 Tension motor 620 Winding roller 621 Winding Motor 630 holding roller 640 winding displacement prevention roller 641 suspension device 642 motor 643 processing chamber for forming the substrate wind shift detection sensor 650 deposited film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹山 祥史 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 清水 孝一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 都築 幸司 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 4E068 AD00 CA14 CE09 DA11 DA14 DB01 5F051 AA05 BA14 BA15 CA12 DA04 EA09 EA10 EA11 EA16 GA02 GA05 GA20  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshifumi Takeyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Koichi Shimizu 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon (72) Inventor Koji Tsuzuki 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term (reference) 4E068 AD00 CA14 CE09 DA11 DA14 DB01 5F051 AA05 BA14 BA15 CA12 DA04 EA09 EA10 EA11 EA16 GA02 GA05 GA20

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に堆積膜が形成された可撓性金属基
板を繰り出しながらレーザースクライブをおこなうこと
によって、前記堆積膜の少なくとも一部を除去する機能
を有することを特徴とする堆積膜加工装置。
1. A deposited film processing apparatus having a function of removing at least a part of the deposited film by performing laser scribing while feeding out a flexible metal substrate having a deposited film formed on a surface thereof. .
【請求項2】 前記可撓性金属基板を保持する機能を有
する磁力を内在した支持体を具備することを特徴とする
請求項1に記載の堆積膜加工装置。
2. The deposition film processing apparatus according to claim 1, further comprising a support having a magnetic force therein, the support having a function of holding the flexible metal substrate.
【請求項3】 前記可撓性金属基板の加工面と逆側の面
を保持する基板位置保持手段を具備し、該基板位置保持
手段により前記可撓性金属基板を保持しながらレーザー
スクライブをおこなう機能を有することを特徴とする請
求項1または2に記載の堆積膜加工装置。
3. A substrate scribing means for holding a surface of the flexible metal substrate opposite to a processing surface, wherein laser scribing is performed while holding the flexible metal substrate by the substrate position holding means. 3. The deposited film processing apparatus according to claim 1, wherein the apparatus has a function.
【請求項4】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の少
なくとも一部であることを特徴とする請求項1乃至3の
いずれかに記載の堆積膜加工装置。
4. The deposited film processing apparatus according to claim 1, wherein said deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell.
【請求項5】 表面に堆積膜が形成された可撓性金属基
板を繰り出しながらレーザースクライブをおこなうこと
によって、前記堆積膜の少なくとも一部を除去すること
を特徴とする堆積膜加工方法。
5. A method for processing a deposited film, wherein at least a part of the deposited film is removed by performing laser scribing while feeding out a flexible metal substrate having a deposited film formed on a surface thereof.
【請求項6】 磁力を内在した支持体により前記可撓性
金属基板を保持することを特徴とする請求項5に記載の
堆積膜加工方法。
6. The method according to claim 5, wherein the flexible metal substrate is held by a support having a magnetic force therein.
【請求項7】 前記可撓性金属基板の加工面と逆側の面
を基板位置保持手段により保持しながらレーザースクラ
イブをおこなうことを特徴とする請求項5または6に記
載の堆積膜加工方法。
7. The method according to claim 5, wherein the laser scribing is performed while holding the surface of the flexible metal substrate opposite to the processing surface by a substrate position holding unit.
【請求項8】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の少
なくとも一部であることを特徴とする請求項5乃至7の
いずれかに記載の堆積膜加工方法。
8. The method for processing a deposited film according to claim 5, wherein the deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell.
【請求項9】 表面に堆積膜が形成された可撓性金属基
板を繰り出しながらレーザースクライブをおこなうこと
によって、前記堆積膜の少なくとも一部を除去して加工
したことを特徴とする堆積膜。
9. A deposited film obtained by removing at least a part of the deposited film by performing laser scribing while feeding out a flexible metal substrate having a deposited film formed on a surface thereof.
【請求項10】 太陽電池を構成する膜の少なくとも一
部であることを特徴とする請求項9に記載の堆積膜。
10. The deposited film according to claim 9, wherein the deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell.
JP11219408A 1999-08-03 1999-08-03 Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method Withdrawn JP2001044471A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11219408A JP2001044471A (en) 1999-08-03 1999-08-03 Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11219408A JP2001044471A (en) 1999-08-03 1999-08-03 Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001044471A true JP2001044471A (en) 2001-02-16

Family

ID=16734945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11219408A Withdrawn JP2001044471A (en) 1999-08-03 1999-08-03 Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001044471A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010082644A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Fujifilm Corporation Scribing apparatus and scribing method
EP2093036A3 (en) * 2008-02-22 2013-01-16 JENOPTIK Automatisierungstechnik GmbH Method and device for the mechanical structuring of flexible thin-film solar cells
WO2019188288A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 積水化学工業株式会社 Method for manufacturing solar cell, and solar cell
CN110534610A (en) * 2018-05-24 2019-12-03 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 Hull cell preparation facilities and preparation method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2093036A3 (en) * 2008-02-22 2013-01-16 JENOPTIK Automatisierungstechnik GmbH Method and device for the mechanical structuring of flexible thin-film solar cells
WO2010082644A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Fujifilm Corporation Scribing apparatus and scribing method
JP2010165879A (en) * 2009-01-16 2010-07-29 Fujifilm Corp Scribing apparatus and scribing method
CN102334200A (en) * 2009-01-16 2012-01-25 富士胶片株式会社 Scribing equipment and scribing method
WO2019188288A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 積水化学工業株式会社 Method for manufacturing solar cell, and solar cell
JPWO2019188288A1 (en) * 2018-03-27 2021-03-18 積水化学工業株式会社 Manufacturing method of solar cells and solar cells
JP7328956B2 (en) 2018-03-27 2023-08-17 積水化学工業株式会社 SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL
CN110534610A (en) * 2018-05-24 2019-12-03 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 Hull cell preparation facilities and preparation method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3510740B2 (en) Manufacturing method of integrated thin-film solar cell
CN102299208B (en) Thin film solar cell module and manufacturing method thereof
US9440311B2 (en) Methods and apparatus for separating a substrate
US4663828A (en) Process and apparatus for continuous production of lightweight arrays of photovoltaic cells
US5418680A (en) Apparatus for repairing an electrically short-circuited semiconductor device
JP2923193B2 (en) Method for manufacturing photoelectric conversion element
US20100304035A1 (en) Plasma Spraying and Recrystallization of Thick Film Layer
JP2915321B2 (en) Method for manufacturing series-connected photovoltaic element array
CN102137959B (en) Crystal manufacturing apparatus, semiconductor device manufactured using same, and method for manufacturing semiconductor device using same
US7976629B2 (en) Crystal film fabrication
CN112243537A (en) System for Laser Assisted Metallization of Substrates
JP4063493B2 (en) Crystal thin film manufacturing apparatus, crystal thin film manufacturing method, and crystal thin film element
JP2001168068A (en) Apparatus and method for machining deposition film and deposition film machined by that method
JP2001044471A (en) Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method
JP2010087041A (en) Method of removing thin film by laser beam, and method of manufacturing thin-film solar cell panel
JP2010219171A (en) Scribe processing method and device
JP3956200B2 (en) Thin film laser processing method and apparatus
JP4473995B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2003303981A (en) Manufacturing method of integrated solar cell and patterning apparatus
JP3182323B2 (en) mask
JP2004335863A (en) Laser processing method for integrated thin film solar cell
JP2001168362A (en) Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method
CN103930968A (en) Segmental melt recrystallization of thin films
US10040271B1 (en) Metalization of flexible polymer sheets
JP2018037628A (en) PATTERNING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, AND PATTERNING APPARATUS

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20061003