JP2001042357A - 液晶表示パネル用基板および液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせる際の
加圧時に、パネル表示部とパネルから切り離される基板
周辺部とで、加圧力にアンバランスが生じ、これが原因
して基板間ギャップにムラが生じることを防止する。 【解決手段】 パネルから切り離される基板周辺部にも
表示部と同様のパターンを形成することにより、図示さ
れた基板周辺部の段差構造を表示部の段差構造に揃え
る。即ち、ＴＦＴ基板の基板周辺部に、ダミー共通電極
３１０′、第１の絶縁膜３０９、ダミードレイン電極３
１１′、ダミー画素電極３１２′、第２の絶縁膜３０８
を形成し、対向基板の基板周辺部に、ダミー遮光膜３０
２′、ダミーカラーフィルタ層３０３′、平坦化膜３０
４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル用
基板と液晶表示パネルの製造方法に関するものであっ
て、特に、２枚の液晶表示パネル用基板（例えば、ＴＦ
Ｔ基板と対向電極基板）を貼り合わせる際に基板間距離
にムラが発生しないようにすることにより、パネルギャ
ップを面内で均一にし、表示ムラ（パネルギャップム
ラ）を制御する技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示パ
ネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とこれにより駆動
される画素電極が形成されたＴＦＴ基板と、遮光膜（ブ
ラックマトリックス）とカラーフィルタが形成された対
向基板とを狭いギャップを介して貼り合わせギャップ内
に液晶を注入することによって作製される。

【０００３】図９（ａ）、（ｂ）は、水平電界駆動型の
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置を組み立てる
ための従来のＴＦＴ基板と対向基板を示す平面図であ
り、図１０（ａ）、（ｂ）は、従来の液晶表示パネル表
示部と基板周辺部での断面図である（表示部での断面図
は、図２（ａ）に示す本発明の実施の形態の断面図と同
じである）。図９に示されるように、ＴＦＴ基板１０
１、対向基板２０１には、パネル表示部１０４、２０４
とパネル周辺部１０５、２０５を囲むように、シール材
が塗付される本シールレイアウト領域１０６、２０６が
設けられている。これらはパネル最終外形として残る領
域１０３、２０３内に存在しているが、その外側のパネ
ル最終外形として残らない領域１０２、２０２の領域は
将来パネル側から切り離される。パネル最終外形として
残らない領域１０２、２０２には、パネル切断時にブレ
ーク動作を補助するシール材を形成するための補助シー
ルレイアウト領域１０７、２０７が設けられており、基
板接着時にはこの領域にもシール材層が形成される。ま
た、この切り離される領域１０２、２０２の四隅には、
液晶パネルを製造する上で必須となるＴＦＴ基板と対向
基板の位置合せマークや配向膜印刷やシール印刷等で版
類と基板の位置を合わせるためのマーク等の各種のマー
クが形成されるプロセス用位置合わせマーク設置領域１
０８、２０８が設けられ、また基板の最外周部は安定し
た成膜のできない基板端領域１０９、２０９となってい
る。

【０００４】ＴＦＴ基板１０１は、以下のようにして作
製される。ＴＦＴ基板側ガラス基板３０１ｂ上にゲート
電極（図示なし）および共通電極３１０を形成しこれを
覆うように第１の絶縁膜３０９を形成する。そして、ゲ
ート電極の上部領域に島状に半導体層（図示なし）を形
成し選択的にリンドープを行ってｎ⁺ 型領域を形成した
後、その上にドレイン電極３１１とソース電極および画
素電極３１２を形成し、さらにその上に第２の絶縁膜３
０８を形成する。ここで、第１の絶縁膜３０９と第２の
絶縁膜３０８とは基板上全面に形成されるが、ゲート電
極や共通電極、ソース・ドレイン電極や画素電極は、パ
ネル最終外形として残らない領域１０２には形成されな
い。

【０００５】また、対向基板２０１は、以下のように作
製される。対向基板側ガラス基板３０１上に遮光膜３０
２を形成し、その上にＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタから
なるカラーフィルタ層３０３をストライプ状に形成す
る。そして、その上に平坦化膜３０４を形成する。ここ
で、平坦化膜３０４は、基板上全面に形成されるが、遮
光膜３０２およびカラーフィルタ層３０３は、パネル最
終外形として残らない領域２０２上には形成されない。

【０００６】上記のように形成されたＴＦＴ基板上およ
び対向基板上の全面に配向膜を塗付しラビング処理を行
って、それぞれの基板上にＴＦＴ基板側配向膜３０６
ｂ、対向基板側配向膜３０６ａを形成する。ラビング処
理後にギャップ制御用の樹脂等で形成されたスペーサ３
１３（以下、表示部スペーサと記す）を散布すると共に
両基板を接着するためにシール印刷を行い、ＴＦＴ基板
と対向基板を位置合わせした上で重ね合わせる。その
後、加圧しつつ焼成することで、シールの接着強度を高
めた後に、基板状態からパネル最終外形を切りだす。そ
の後、液晶を注入し、注入口を封止した後にパネル両面
に偏光板を貼り付けて液晶表示パネルが完成する。この
とき、パネル領域内においては、基板間に液晶層３０７
が形成されるが、領域１０２においては、基板間のギャ
ップには空気層３１６がそのまま残される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術で
は、図１０（ａ）、（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ基
板１０１および対向基板２０１の基板周辺部で最終パネ
ル外形として残らない領域での段差構造と、パネル表示
部での段差構造とは異なっている。そのため、液晶表示
パネルを作製するために、両基板を貼り合わせるとき、
基板間のギャップの狭い基板周辺部に加圧が集中するこ
ととなりシール焼成時における加圧は面内で不均一とな
る。その結果、パネル完成後のパネル表示部のパネルギ
ャップが面内で不均一となり、表示ムラ（パネルギャッ
プムラ）が発生する。

【０００８】この問題を解決するため、従来、本シール
レイアウト領域１０８、２０８に形成するシール材に表
示部スペーサ３１２より径の大きいシール部スペーサ
（図８参照）を混入させ、パネル表示部と本シール部と
基板周辺部における基板間ギャップの３者を最適化する
ことで表示ムラの低減を図ってきた。しかし、特に基板
周辺の最終パネル外形として残らない領域が大きい場合
や、基板から１面しか取れないようなパネルや表示部の
対角線サイズが１５型以上の場合等では、液晶パネル表
示部とパネル周辺部と基板周辺部の３者をシール部スペ
ーサの径のみを調整することにより最適化するのには限
界が有り、パネルギャップの面内均一性が低下し、特に
表示部端のギャップが表示部中央部と異なることによる
表示ムラが発生する。また、特開平５−２４１１５３号
公報には、表示部近傍にダミー画素やダミーフィルタを
設けることで表示部端部の段差を解消して段差に由来す
る表示部端部の表示特性の劣化を防止することが提案さ
れている。しかし、この方法でもシール材の焼成工程に
おける基板全面での加圧不均等を解消する効果はほとん
ど期待し得ないため、上述の問題点の解決手段とはなら
ない。

【０００９】特に、水平電界により駆動する液晶表示装
置では対向基板の遮光膜を樹脂により形成し、遮光膜膜
厚が１μｍ程度以上となる場合が多いため、表示部と基
板周辺部の段差が強調され大きな問題となる。本発明の
課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであ
って、その目的は、液晶表示パネルが大面積化された場
合であっても、基板間ギャップの面内均一性を確保する
ことができるようにして、ギャップムラに起因する表示
ムラの発生を防止することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、表示部を有する液晶表示パネル用
基板であって、将来パネル最終外形として残らない領域
の少なくとも一部に前記表示部に形成されているパター
ンと段差構造が同等ないし類似のダミーパターンが形成
されていることを特徴とする液晶表示パネル用基板、が
提供される。

【００１１】また、本発明によれば、上述の目的を達成
するため、（１）第１のガラス基板の表示部に少なくと
も画素電極とこれを駆動するスイッチング素子とを形成
して第１の液晶表示パネル用基板を作製する過程と、
（２）第２のガラス基板の表示部に少なくとも遮光膜と
カラーフィルタと保護膜とを形成して第２の液晶表示パ
ネル用基板を作製する過程と、（３）前記第１若しくは
第２の液晶表示パネル用基板またはその双方に設けられ
た、前記表示部を囲む本シール材層形成領域に本シール
材層を形成する過程と、（４）前記第１の液晶表示パネ
ル用基板と前記第２の液晶表示パネル用基板とを重ね合
わせ、加圧して両基板を接着する過程と、を有する液晶
表示パネルの製造方法であって、前記第（１）若しくは
前記第（２）の過程またはその双方の過程において、前
記前記本シール材形成領域の外側の少なくとも一部の領
域にも前記表示部に形成されるパターンと段差構造が同
等ないし類似のパターンを前記表示部にパターンを形成
する際に同時に形成することを特徴とする液晶表示パネ
ルの製造方法、が提供される。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の
第１の実施の形態を示すＴＦＴ基板１０１と対向基板２
０１の平面図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、第１の実
施の形態の表示部と基板周辺部での断面図である。図１
において、図９に示した従来例と共通する部分には同一
の参照番号が付せられているので、重複した説明は省略
するが、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０１の
本シールレイアウト領域１０６の外側の領域は、パネル
表示部１０４と段差構造が同等または類似の領域となさ
れている。

【００１３】ＴＦＴ基板１０１は、以下のように形成さ
れる。ガラス基板３０１ｂの将来パネルとなる領域１０
３上にゲート電極（図示なし）および共通電極３１０を
形成するとともに、本シールレイアウト領域１０６の外
側にダミーゲート電極、ダミー共通電極３１０′を形成
し、その上に全面を覆う第１の絶縁膜３０９を形成す
る。そして、ゲート電極とダミーゲート電極の上部に島
状に半導体層（いずれも図示なし）を形成し、選択的に
リンドープを行ってｎ⁺ 型領域を形成した後、その上に
ドレイン電極３１１とソース電極（図示なし）とソース
電極に連なる画素電極３１２を形成する。このとき、同
時に本シールレイアウト領域１０６の外側にも、ダミー
ドレイン電極３１１′、ダミーソース電極、ダミー画素
電極３１２′を形成する。そして、さらにその上全面に
第２の絶縁膜３０８を形成する。

【００１４】一方、対向基板２０１は、以下のように作
製する。対向基板側ガラス基板３０１ａ上に遮光膜３０
２を形成し、その上にＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ層３
０３をストライプ形状に形成する。この時遮光膜の膜厚
は、０．１μｍから３μｍ、カラーフィルタ層の膜厚は
０．５μｍから４μｍ程度にするのがよく、さらに好ま
しくは遮光膜膜厚が１μｍから２μｍ、カラーフィルタ
層の膜厚は０．７μｍから３μｍである。その上に保護
膜を兼ねる平坦化膜３０４を形成する。この時平坦化膜
３０４の膜厚は、０．１μｍから３μｍにするのがよ
く、さらに好ましくは１μｍから２μｍである。平坦化
膜３０４上に透明導電膜からなる対向電極を形成する場
合、その好ましい膜厚は、０．０５μｍから０．３μｍ
にするのがよく、さらに好ましくは０．１μｍから０．
２μｍである。

【００１５】上記のように形成されたＴＦＴ基板および
対向基板の各々に配向膜３０６ｂ、３０６ａを塗布し、
ラビング処理後にギャップ制御用の樹脂等で形成された
画素スペーサ３１３を散布すると共に両基板を接着させ
るためのシール材の印刷を行い、ＴＦＴ基板と対向基板
を重ね合わせる。その後、加圧を加えながらシール材の
焼成を行うことにより、シールの接着強度を高めた後
に、基板状態からパネル最終外形に切断し、液晶を注入
し、偏光板を貼り付け液晶パネルが完成する。

【００１６】図２（ａ）を参照して表示部の段差構造に
ついて説明すると、ゲート電極３１０やドレイン電極３
１１、画素電極３１２の膜厚の形成された領域が高くな
り、これらの形成されていない領域は低くなる。この時
段差構造を形成するのに大きな影響を与えているのは、
ゲート層で形成される共通電極３１０、ゲート配線や遮
光パターンとドレイン電極３１１や画素電極３１２であ
り、膜厚の薄いあるいは全面に形成される第１の絶縁膜
３０９、第２の絶縁膜３０８および配向膜３０６ｂ等は
段差構造に大きく影響を与えない。

【００１７】一方、対向基板側の表示部においては、遮
光膜３０２が形成されている領域が最も高くなり、遮光
膜の開口部のようにガラス基板上にカラーフィルタ層３
０３と平坦化膜３０４が形成された領域が最も低くな
る。また、パネルとして残らない基板周辺部では、平坦
化膜３０４と配向膜３０６ａのみであるため更に低くな
る。ここで、段差構造を形成するのに大きな影響を与え
ているのは、遮光膜３０２やカラーフィルタ層３０３で
あり、膜厚の薄いあるいは全面に形成される平坦化膜３
０４や配向膜３０５は段差構造形成に影響を与えない。
また、遮光膜３０２も膜厚が薄い場合には段差構造形成
に大きく影響を与えない。

【００１８】パネルギャップは、通常ＴＦＴ基板、対向
基板間距離が最も狭い領域で表示部スペーサに支持され
形成されるため、基板上に膜を最も高く形成された領域
の面積の全体に占める割合とその積層された総膜厚に大
きく影響を受ける。本発明の第１の実施の形態において
は、図１に示されるように、ＴＦＴ基板周辺部にある本
シールレイアウト領域１０６より外側の領域にパネル表
示部１０４と同等のパターンがレイアウトされる。この
時、パネル表示部と同等のパターンとする領域を最終パ
ネル外形の外側のみにすると、ダミーパターンをパネル
周辺部の引き出し配線等のパターンの影響を受けること
なく形成することができるので好都合である。また、段
差構造形成に大きく影響を与えない第２の絶縁膜３０８
や配向膜３０６ｂ等の一部の層は基板周辺部のパターン
が必ずしも表示部のパターンと一致しなくてもよい。

【００１９】本実施の形態の形態においては、図１
（ａ）に示すＴＦＴ基板１０１の周辺部の最終パネル外
形として残らない領域１０２を含めた本シールレイアウ
ト領域１０６の外側に、パネル表示部でのパターンとパ
ターンの幅や膜厚が同等となる様に、ダミーゲート電極
等を形成するが、この際、液晶パネルを製造する上で必
須となる、ＴＦＴ基板と対向基板との位置合わせ用のマ
ークや配向膜印刷やシール印刷等で版類と基板の位置を
合わせるマーク等が形成されるプロセス用位置合わせマ
ーク設置領域１０８や安定した成膜の出来ない基板端か
らおよそ１０ｍｍ程度の基板端領域１０９には、パネル
表示部と同等のパターンを形成しなくてもよい。これら
の領域は、面積の全体に占める割合が小さいため、これ
らの領域に上記パターンの形成を行わなくてもパネルギ
ャップを均一化する効果が損なわれることはない。

【００２０】基板周辺部には、図１に示すように、ＴＦ
Ｔ基板と対向基板を重ね合わせた後に行うパネル切断を
容易化するために、補助シールレイアウト領域１０７を
設けてあり、ここに補助シール材層を設けるが、この領
域にも、プロセス用位置合わせマーク設置領域１０８と
同様に、表示部と同等のパターンを形成しなくてもよ
い。パネルギャップを支配的に形成しているのは、ＴＦ
Ｔ基板と対向基板の最も距離の短い領域の面積であるた
め、基板周辺部に形成するダミーのパターンは、ゲート
層とドレイン層が同程度の膜厚に設計されている場合、
ダミーパターンをゲート層かドレイン層のどちらか一方
のみで形成し、基板周辺部の凸部の面積が表示部の凸部
の面積とおそよ同等となるように面積を補正する方法で
も同様の効果が得られる。

【００２１】［第２の実施の形態］図３（ａ）、（ｂ）
は、本発明の第２の実施の形態を示すＴＦＴ基板１０１
と対向基板２０１の平面図であり、図４は、第２の実施
の形態での基板周辺部での断面図である。なお、本実施
の形態のパネル表示部での断面図は、図２（ａ）に示し
た第１の実施の形態のそれと同じである。本実施の形態
では、先の第１の実施の形態とは逆に、基板周辺部の段
差構造をパネル表示部のそれと同等または類似のものと
するのを対向基板側としている。そのため、本実施の形
態では、図３（ｂ）に示すように、対向基板２０１の周
辺部の本シールレイアウト領域２０６より外側の領域に
表示部２０４と同等または類似のパターンをレイアウト
する。すなわち、対向基板側ガラス基板３０１ａ上の表
示部に遮光膜、カラーフィルタ層、平坦化膜および対向
基板側配向膜を形成する際に、基板周辺部において同時
に、ダミー遮光膜３０２′、ダミーカラーフィルタ層３
０３′、平坦化膜３０４および対向基板側配向膜３０６
ａを成膜する。この際に、表示部と段差構造が同等また
は類似のパターンとする領域を最終パネル外形の外側の
みにすると、本発明により追加されるパターンがパネル
周辺のパターンの影響を受けないので、好都合である。
なお、段差構造形成に大きく影響を与えない配向膜３０
６ａ等の一部の層は基板周辺部のパターンが必ずしも表
示部のパターンと一致しなくてもよい。また、第１の実
施の形態と同様に、基板端の安定した成膜の出来ない基
板端領域２０９や補助シールレイアウト領域２０７やプ
ロセス用位置合わせマーク設置領域２０８は表示部と同
等のパターンをレイアウトしなくてもよい。パネルギャ
ップを支配的に形成しているのは、ＴＦＴ基板と対向基
板の最も距離の短い領域の面積であることは第１の実施
の形態の場合と同様であるため、基板周辺部に形成する
ダミー遮光膜３０２′上のダミーカラーフィルタ層３０
３′とさらにその上に平坦化膜３０４の形成された領域
の面積とダミー遮光膜の形成されていない領域の面積の
比を、表示部の遮光膜３０２の上のカラーフィルタ層３
０３とさらにその上に平坦化膜３０４の形成された領域
の面積と遮光膜３０２の形成されていない領域の面積の
比と同様にすることでも同様の効果が得られる。また、
カラーフィルタ層３０３の膜厚がＲ、Ｇ、Ｂ共同様の場
合、Ｒ、Ｇ、Ｂいずれか一つのフィルタのみを配列する
ようにしてもよい。

【００２２】［第３の実施の形態］図５（ａ）、（ｂ）
は、本発明の第３の実施の形態を示すＴＦＴ基板１０１
と対向基板２０１の平面図であり、図６は、第３の実施
の形態の基板周辺部での断面図である。なお、本実施の
形態のパネル表示部での断面図は、図２（ａ）に示した
第１の実施の形態のそれと同じである。本実施の形態に
おけるＴＦＴ基板１０１は第１の実施の形態におけるＴ
ＦＴ基板と同じであり、本実施の形態における対向基板
２０１は第２の実施の形態における対向基板と同じであ
る。本実施の形態においては、ＴＦＴ基板、対向基板双
方の表示部と基板周辺部の段差構造を同等または類似に
することで完全に基板周辺部と表示部のＴＦＴ基板と対
向基板の距離を同等と出来るため、第１の実施の形態や
第２の実施の形態と比較して、より確実に表示ムラを抑
えることができる。

【００２３】［第４の実施の形態］図７（ａ）、（ｂ）
は、本発明の第４の実施の形態を示すＴＦＴ基板１０１
と対向基板２０１の平面図であり、図８（ａ）、（ｂ）
は、本実施の形態の本シールレイアウト領域と補助シー
ルレイアウト領域での断面図である。なお、図８（ａ）
に示す本シールレイアウト領域での断面構造は従来例お
よび他の実施の形態でのそれと同様である。また、本実
施の形態の基板周辺部の断面図は、図６に示した第３の
実施の形態のそれと同様である。本実施の形態において
は、図７に示されるように、基板周辺部にある補助シー
ルレイアウト領域１０７、２０７の段差構造を本シール
レイアウト領域１０６、２０６の段差構造と同様または
類似にする。具体的に断面図で説明すると、本シールレ
イアウト領域においては、図８（ａ）に示すように、Ｔ
ＦＴ基板側には、ゲート引き出し配線３１０″が形成さ
れ、その上を第１の絶縁膜３０９、第２の絶縁膜３０８
およびＴＦＴ基板側配向膜３０６ｂが覆っている。ま
た、対向基板側では、カラーフィルタ層が形成されてお
らず、遮光膜３０２と平坦化膜３０４および対向基板側
配向膜３０６ａが形成されている。補助シールレイアウ
ト領域での段差構造を、この本シールレイアウト領域の
段差構造と合わせるために、本実施の形態においては、
ＴＦＴ基板側と対向基板側の補助シールレイアウト領域
にダミー共通電極３１０′とダミー遮光膜３０２′を形
成している。

【００２４】ＴＦＴ基板と対向基板とを接着するとき、
基板上に表示部スペーサを散布するとともに、シールレ
イアウト領域１０６、１０７に、シール部スペーサ３１
５の混入したシール材層を形成して両基板を重ね合わせ
る。この時、シール部スペーサ３１５は表示部スペーサ
３１３と異なり通常硬いガラス等で形成されているた
め、遮光膜上のシール部スペーサは、粉砕されるかまた
は遮光膜へめり込む。そのため、図８（ａ）に示すよう
に、遮光膜のない領域でパネルギャップは形成される。
ここで、シール部スペーサ３１５の径は、パネル表示部
でのギャップが表示部スペーサ３１３の径で決定される
ときのシールレイアウト領域でのギャップとなるように
設定されている。本実施の形態において、補助シールレ
イアウト領域に形成される、本シールレイアウト領域と
同様または類似のパターンは、シール材層３１４の形成
される領域のみであってもよいが、シール印刷時の位置
ずれ等を考慮して、補助シールレイアウト領域の片側
０．５ｍｍから１ｍｍ程大きい領域に本シール部と同様
または類似のパターンを形成するようにしてもよい。

【００２５】この第４の実施の形態では、表示部と基板
周辺、本シール部と基板周辺の補助シール部の全ての両
基板間距離を等しく出来るので、第１〜３の実施の形態
と比較して最も効果が大きい。

【００２６】以上好ましい実施の形態について説明した
が、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものでは
なく特許請求の範囲に記載された範囲内において適宜の
変更が可能なものである。例えば、実施の形態では水平
電界印加型の液晶表示パネルについて説明したが、垂直
電界印加型であってもよい。この場合、対向基板側に
は、透明導電膜からなる対向電極（共通電極）が形成さ
れ、ＴＦＴ基板側に共通電極は形成されない。また、ゲ
ート電極と同層の導電層の一部を用いて遮光層や蓄積容
量電極を形成することができる。このようにパネル表示
部において、遮光層や蓄積容量電極が形成された場合に
は、基板周辺部にもダミーの遮光層や蓄積容量電極を形
成して、両者間での段差構造の差を少なくするようにす
る。また、実施の形態では逆スタガー型ＴＦＴについて
説明したがＴＦＴとして正スタガー型のものを用いても
よい。また、本発明は、アクティブマトリクス型の表示
パネルばかりでなく、ＳＴＮ型の表示パネルにも適用で
きるものである。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、パネル
表示部と本シールレイアウト領域の外側の領域での段差
構造を同等または類似としたものであるので、ＴＦＴ基
板と対向基板とを重ね合わせて接着するする際に、基板
間ギャップの狭い領域の分布を本シールレイアウト領域
の内外においてバランスさせることができる。従って、
本発明によれば、基板を重ね合わせて押圧してシール材
を焼成する際の押圧力を面内で均一とすることができ、
面内でのギャップにムラが生じることのないようにする
ことができる。そのため、表示部が大面積化された場合
であっても、ギャップムラに起因する表示ムラを防止し
て高品位の画像を得ることができる。また、表示パネル
部を囲む本シールレイアウト領域とパネル最終外形から
切り離される領域の補助シールレイアウト領域との段差
構造を更に揃える実施の形態によれば、面内のギャップ
ムラを一層抑制することができ、更に高品位の画像を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態のＴＦＴ基板と対
向基板の平面図。

【図２】 本発明の第１の実施の形態のパネル表示部と
基板周辺部の断面図。

【図３】 本発明の第２の実施の形態のＴＦＴ基板と対
向基板の平面図。

【図４】 本発明の第２の実施の形態の基板周辺部の断
面図。

【図５】 本発明の第３の実施の形態のＴＦＴ基板と対
向基板の平面図。

【図６】 本発明の第３の実施の形態の基板周辺部の断
面図。

【図７】 本発明の第４の実施の形態のＴＦＴ基板と対
向基板の平面図。

【図８】 本発明の第４の実施の形態の本シール部と補
助シール部の断面図。

【図９】 従来例のＴＦＴ基板と対向基板の平面図。

【図１０】 従来例のパネル表示部と基板周辺部の断面
図。

【符号の説明】

１０１ ＴＦＴ基板 １０２、２０２ パネル最終外形として残らない領域 １０３、２０３ パネル最終外形として残る領域 １０４、２０４ パネル表示部 １０５、２０５ パネル周辺部 １０６、２０６ 本シールレイアウト領域 １０７、２０７ 補助シールレイアウト領域 １０８、２０８ プロセス用位置合わせマーク設置領域 １０９、２０９ 基板端領域 ２０１ 対向基板 ３０１ａ 対向基板側ガラス基板 ３０１ｂ ＴＦＴ基板側ガラス基板 ３０２ 遮光膜 ３０２′ ダミー遮光膜 ３０３ カラーフィルタ層 ３０３′ ダミーカラーフィルタ層 ３０４ 平坦化膜 ３０６ａ 対向基板側配向膜 ３０６ｂ ＴＦＴ基板側配向膜 ３０７ 液晶層 ３０８ 第２の絶縁膜 ３０９ 第１の絶縁膜 ３１０ 共通電極 ３１０′ ダミー共通電極 ３１０″ ゲート引き出し配線 ３１１ ドレイン電極 ３１１′ ダミードレイン電極 ３１２ 画素電極 ３１２′ ダミー画素電極 ３１３ 表示部スペーサ ３１４ シール材層 ３１５ シール部スペーサ ３１６ 空気層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４６ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４６Ｅ Ｆターム(参考） 2H090 HC06 JB02 JD14 KA08 LA02 LA04 LA15 2H091 FA02Y FA07X FA07Z FA34Y FC12 GA01 GA08 GA13 GA16 LA15 LA16 2H092 HA28 JA24 JA37 JB51 KA10 MA27 NA01 NA19 PA01 PA03 PA08 PA11 QA10 5G435 AA00 BB12 EE33 FF00 FF01 FF13 GG12 KK05

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表示部を有する液晶表示パネル用基板で
   あって、液晶表示パネルを製作した際にパネル側に残ら
   ない領域の少なくとも一部に前記表示部に形成されてい
   るパターンと段差構造が同等ないし類似のダミーパター
   ンが形成されていることを特徴とする液晶表示パネル用
   基板。
2. 【請求項２】 表示部を有する液晶表示パネル用基板で
   あって、基板接着時に前記表示部を囲むように形成され
   るシール材層の形成領域である本シール材層形成領域の
   外側の領域の少なくとも一部に前記表示部に形成されて
   いるパターンと段差構造が同等ないし類似のダミーパタ
   ーンが形成されていることを特徴とする液晶表示パネル
   用基板。
3. 【請求項３】 表示部を有する液晶表示パネル用基板で
   あって、基板接着時に前記表示部を囲むように形成され
   るシール材層の形成領域である本シール材層形成領域
   と、将来パネル最終外形として残らない領域にパネル切
   断時のブレーク補助のために形成されるシール材層の形
   成領域である補助シール材層形成領域とを有し、前記補
   助シール材層形成領域または前記補助シール材層形成領
   域とその近傍に前記本シール材層形成領域とその近傍の
   前記表示部に形成されているパターンと段差構造が同等
   ないし類似のダミーパターンが形成されていることを特
   徴とする請求項１または２記載の液晶表示パネル用基
   板。
4. 【請求項４】 前記表示部における、高さが最高の領域
   の占める面積比率が、前記ダミーパターンの形成されて
   いる領域でのそれとほぼ等しいことを特徴とする請求項
   １、２または３記載の液晶表示パネル用基板。
5. 【請求項５】 前記表示部には、画素電極と画素電極を
   駆動するスイッチング素子とが、または、画素電極と画
   素電極を駆動するスイッチング素子と共通電極とが、形
   成されていることを特徴とする請求項１〜４の中のいず
   れか１項に記載の液晶表示パネル用基板。
6. 【請求項６】 前記表示部には、遮光膜とカラーフィル
   タと保護膜とが、または、遮光膜とカラーフィルタと保
   護膜と対向電極とが、形成されていることを特徴とする
   請求項１〜４の中のいずれか１項に記載の液晶表示パネ
   ル用基板。
7. 【請求項７】 （１）第１のガラス基板の表示部に少な
   くとも画素電極とこれを駆動するスイッチング素子とを
   形成して第１の液晶表示パネル用基板を作製する過程
   と、 （２）第２のガラス基板の表示部に少なくとも遮光膜と
   カラーフィルタと保護膜とを形成して第２の液晶表示パ
   ネル用基板を作製する過程と、 （３）前記第１若しくは第２の液晶表示パネル用基板ま
   たはその双方に設けられた、前記表示部を囲む本シール
   材層形成領域に本シール材層を形成する過程と、 （４）前記第１の液晶表示パネル用基板と前記第２の液
   晶表示パネル用基板とを重ね合わせ、加圧して両基板を
   接着する過程と、を有する液晶表示パネルの製造方法に
   おいて、前記第（１）若しくは前記第（２）の過程また
   はその双方の過程において、前記本シール材形成領域の
   外側の少なくとも一部の領域にも前記表示部に形成され
   るパターンと段差構造が同等ないし類似のパターンを前
   記表示部にパターンを形成する際に同時に形成すること
   を特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
8. 【請求項８】 （１）第１のガラス基板の表示部に少な
   くとも画素電極とこれを駆動するスイッチング素子とを
   形成して第１の液晶表示パネル用基板を作製する過程
   と、 （２）第２のガラス基板の表示部に少なくとも遮光膜と
   カラーフィルタと保護膜とを形成して第２の液晶表示パ
   ネル用基板を作製する過程と、 （３）前記第１若しくは第２の液晶表示パネル用基板ま
   たはその双方に設けられた、前記表示部を囲む本シール
   材層形成領域に本シール材層を形成する過程と、 （４）前記第１の液晶表示パネル用基板と前記第２の液
   晶表示パネル用基板とを重ね合わせ、加圧して両基板を
   接着する過程と、を有する液晶表示パネルの製造方法に
   おいて、前記第（１）若しくは前記第（２）の過程また
   はその双方の過程において、前記本シール材形成領域の
   外側の少なくとも一部の領域に、前記第（４）の過程に
   おいて両基板を重ね合わせたとき、前記一部の領域での
   ギャップが最も狭い領域の占める面積比率が前記表示部
   でのそれとほぼ等しくなるように、前記表示部にパター
   ンを形成する際に同時に所定のパターンを形成すること
   を特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第（３）の過程は、パネル最終外形
   として残らない領域に設けられた補助シール材層形成領
   域に補助シール材層をも形成するものであって、前記第
   （１）若しくは前記第（２）の過程またはその双方の過
   程において、前記補助シール材層形成領域に、前記本シ
   ール材層形成領域に形成されるパターンと段差構造が同
   等ないし類似のパターンを形成することを特徴とする請
   求項７または８記載の液晶表示パネルの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第（３）の過程において形成され
    るシール材層には、表示部に散布される表示部スペーサ
    の径より径の大きいスペーサが混入されていることを特
    徴とする請求項７、８または９記載の液晶表示パネルの
    製造方法。