JP2001028407A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光半導体素子と光ファイバとを結ぶ方向に生じ
た、基板の下側に凸の反りをネジ止め固定により戻すこ
とがなくなり、ネジ止め固定による光半導体素子と光フ
ァイバの位置整合が狂わないようにする。 【解決手段】上面に光半導体素子４が載置される載置部
１ａを有する略長方形の基体１と、基体１に載置部１ａ
を囲繞するように接合され、側部に光半導体素子４と光
学的に結合される光ファイバ１２を固定する光ファイバ
固定部材８および他の側部に光半導体素子４に駆動信号
を入力するリード端子１１を設けた枠体２とを有し、基
体１の各長辺の中央部に外側に突出するようにネジ止め
部１５を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザやフォ
トダイオード等の光半導体素子を収納する光半導体素子
収納用パッケージであって、他の回路基板等への固定時
および固定後の光軸のズレを抑制したものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光半導体素子収納用パッケージ
（以下、光パッケージという）Ｐを図４に示す。半導体
レーザやフォトダイオード等の光半導体素子を収納する
ための光パッケージＰは、基本的に平板状の基体２２
と、基体２２上に接着固定され箱状の側壁を構成する枠
体２１とから成る。基体２２は銅（Ｃｕ）−タングステ
ン（Ｗ）合金等から成り、上面の中央領域に光半導体素
子２０が載置される光半導体素子２０の載置部２２ａを
有する。また、枠体２１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎ
ｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金（コバール）等から成り、
載置部２２ａを囲繞するよう基体２２上に銀ロウ等の金
属ロウ材を介して接着され、側部に光ファイバを固定す
るための円筒状の光ファイバ固定部材２５と、さらに外
部の駆動回路等に接続されるリード端子２４がロウ付け
されメタライズ配線層を有するアルミナセラミックス等
からなる絶縁端子（フィードスルー端子）部材２３とが
設けられる。枠体２１の上部には、光半導体素子２０を
気密封止する金属製の蓋体（図示せず）が設置される。

【０００３】そして、基体２２の載置部２２ａに光半導
体素子２０を接着固定するとともに、光半導体素子２０
の入出力電極等の各電極をボンディングワイヤを介して
リード端子２４が接続されているメタライズ配線層に接
続し、次に枠体２１の上部に蓋体を接着させ、基体２２
と枠体２１と蓋体とからなる容器内部に光半導体素子２
０を収納する。最後に枠体２１の光ファイバ固定部材２
５に光ファイバ２８の端部をレーザ光線照射によって溶
着接合させ、光ファイバ２８を枠体２１に固定すること
によって光半導体装置となる。尚、２６は、基体２２の
四隅部に設けられ外部の回路基板等上に光パッケージＰ
をネジ止め等により固定するための貫通孔２６ａを形成
したフランジ部、２７は、光半導体素子２０の下部に設
置され光半導体素子２０を冷却し安定的な駆動を行わせ
るためのペルチェ素子である。

【０００４】かかる光半導体装置は、外部の駆動回路か
ら供給される電気信号によって光半導体素子２０を駆動
し、例えばレーザ光を発振させ、この光を光ファイバ２
８を通して外部に伝送することにより高速光通信等に使
用される。また光半導体装置には、図４に示すように、
長方形状の基体２２の短辺側両端から長辺に沿う方向に
突出するフランジ部（ネジ止め部）２６が形成されてあ
り、このネジ止め部を外部の回路基板，光システム用部
材等にネジ止めすることにより固定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光パッケージＰにおいて、基体２２を構成するＣｕ−Ｗ
合金の熱膨張係数が７. ０×１０^-6／℃（室温〜８００
℃）であり、枠体２１を構成するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
の熱膨張係数１０×１０^-6／℃（室温〜８００℃）と相
違することから、基体２２上に枠体２１を銀ロウ等のロ
ウ材を介して接着すると、両者の熱膨張係数の差に起因
する熱応力によって、基体２２に最大高低差が１０〜２
０μｍ程度の反りが発生していた。そのため、この光パ
ッケージＰに光半導体素子２０を収容し光半導体装置と
成した後、基体２２のネジ止め部を外部部材に強固にネ
ジ止めした場合、基体２２の反りが矯正され、その結果
基体２２の中央部の高さが変わるとともにそこに載置さ
れた光半導体素子２０の高さが変わり、光半導体素子２
０と光ファイバ２８との位置整合が崩れ、光半導体素子
２０から発振された光を光ファイバ２８を通じて外部に
伝送することが困難になるという問題点があった。

【０００６】そこで、本出願人は基体の中央領域の厚み
をＸ、両端の厚みをＴとした時、０. ３≦Ｔ≦１．０
（ｍｍ），Ｘ≧２Ｔを満足する光パッケージを提案した
（従来例１：特開平６−３１４７４７号公報参照）。し
かしながら、従来例１の光パッケージでは光半導体装置
の更なる薄型化を行うことは困難である。類似した発明
が特許第２７８１３０３号公報に提案されているが、同
様の問題点を有している。

【０００７】上記問題点を解消するために本願出願人
は、Ｃｕ−Ｗ合金からなる基体の両端領域に枠体から突
出するように接合され、ヤング率が２００００ｋｇｆ／
ｍｍ²以下で降伏応力が５０ｋｇｆ／ｍｍ² 以下の金属
材料からなるネジ止め部材を有する光パッケージを提案
した（従来例２：特開平１１−７４６１９号公報参
照）。この光パッケージでは、ネジ止めの応力によって
光半導体素子の固定高さが変わることがなく、光半導体
素子と光ファイバとの位置整合が保持され、光半導体素
子からの光を外部に良好に伝送することができ、しかも
薄型の光半導体装置とできる。

【０００８】しかしながら、従来例２の光パッケージに
よれば、ネジ止め部材を長方形の枠体の短辺側から突出
するように基体の両端に設けていたため、基体の占有面
積が大きくなり、光半導体装置の小型化を阻害するとい
う問題点があった。また、基体とネジ止め部を銀ロウ等
で接着する工程が必要となり、組立工程が複雑になると
いう問題もあり、組立工程が増えると歩留が低下すると
いう問題がさらに発生する。また、ネジ止め部の位置精
度も劣化し易く、基体とネジ止め部が別個であるため、
構造が複雑となり光パッケージが高価になるという欠点
を有していた。類似の発明が特開平６−８２６５９号公
報に提案されているが、同様の問題点を有する。

【０００９】また、枠体に固定された金属から成る第１
の底板と、第１の底板の枠体と反対側の表面に固定され
第１の底板よりもヤング率が大きい第２の底板とを備え
た光半導体気密封止容器（従来例３：特開平１１−７４
９３４号公報参照）、および、枠体に固定された金属か
ら成る第１の底板と、第１の底板の枠体と反対側の表面
に固定され第１の底板よりもヤング率が小さい金属から
成る第２の底板とを備えた光半導体気密封止容器（従来
例４：特開平１１−７４９３５号公報参照）が公知であ
るが、これらの従来例３，４では、上記問題点に加え、
銀ロウ付けの面積が大きいため第１の底板と第２の底板
との間の銀ロウ付け接合部にボイドが発生し、信頼性を
大きく低下させる要因となっていた。

【００１０】上記従来例１〜４の何れにおいても、ネジ
止め部材は、光半導体素子と光ファイバを結ぶ線に平行
な線上に配列され、かつ基体の短辺側の両端に設けてあ
る。また、従来の光パッケージでは下側に凸の反りが生
じ易く、その場合基体の中央部の載置部とネジ止め部は
基体部において最も離れた位置にあり、載置部は最も低
い位置に有りネジ止め部は最も高い位置に有るため、こ
の２ヶ所は最も高さが異なる。従って、光半導体素子と
光ファイバの整合位置について、ネジ止め固定時に基体
の反りが戻り光半導体素子と光ファイバの高さや角度が
変わってしまい、光半導体素子が発振したレーザ光を外
部に伝送することが困難になるという問題が発生する。

【００１１】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、ネジ止めの応力によって
基板の反りが戻り、基体に固定された光半導体素子の高
さおよび角度が変化するのを防止し、光半導体素子と光
ファイバとの位置整合が保持されて、光半導体素子と光
ファイバとの光学的結合を良好に維持することである。
また、基体の占有面積を小さくして光半導体装置を小型
化し、さらに光パッケージの構造を簡略化することで組
立工程数の低減を行い歩留の低下を防ぎ、加えて光パッ
ケージの信頼性を向上させることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子収
納用パッケージは、上面に光半導体素子が載置される載
置部を有する略長方形の基体と、該基体に前記載置部を
囲繞するように接合され、側部に前記光半導体素子と光
学的に結合される光ファイバを固定する光ファイバ固定
部材および他の側部に前記光半導体素子に駆動信号を入
力するリード端子を設けた枠体とを有し、前記基体の各
長辺の中央部に外側に突出するようにネジ止め部を設け
たことを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。

【００１３】本発明は、上記構成により、光半導体素子
と光ファイバとを結ぶ方向に直交する方向においてネジ
止め部を設けることで、ネジ止め固定時の応力は前記直
交する方向に働くため、前記直交する方向の基体の反り
は矯正されるが、光半導体素子と光ファイバとを結ぶ方
向に生じた下側に凸の反りをネジ止め固定により戻すこ
とがなくなる。従って、ネジ止め固定時に光半導体素子
の高さおよび光ファイバの高さは変化しないので、ネジ
止め固定による光半導体素子と光ファイバの位置整合が
狂うことがない。また本発明においては、ネジ止め固定
位置が光半導体素子の近傍になるため、光半導体素子と
ネジ止め固定部の高さの差は、従来の光パッケージより
も小さくなる。従って、ネジ止めを行った時、光半導体
素子と光ファイバの位置整合のズレを小さくすることが
できる。

【００１４】また、ネジ止め固定時の光半導体素子と光
ファイバの位置整合が狂わないので、ネジ止め部を基体
と一体化することが可能となり、これにより部品点数が
少なくなり、また銀ロウ付けといった組立工程も削減さ
れる。従って、ネジ止め部の位置精度が向上し、光パッ
ケージの固定時および固定後の位置が安定し、また光パ
ッケージを安価に提供でき、さらには銀ロウ付け部のボ
イドの発生といった問題がなくなるので信頼性が向上す
る。また、ネジ止め部がリード端子下方に隠れるように
配置できるため光パッケージの占有面積が小さくなり、
光パッケージが小型化される。また、ネジ止め部にネジ
穴を設け、光パッケージの下側（裏面側）からネジ止め
固定することで、リード端子が邪魔にならずに容易に固
定できる。

【００１５】本発明において、好ましくは、前記ネジ止
め部を前記光半導体素子と光ファイバを結ぶ直線に直交
する直線上に配置したことを特徴とする。これにより、
光半導体素子と光ファイバとを結ぶ線Ｓ１（図１）と直
交する線Ｓ２（図１）上にネジ止め部を設けることで、
ネジ止め固定時の応力は線Ｓ２の方向に働き、より確実
にネジ止め固定時の光半導体素子の高さおよび光ファイ
バの高さの変化を解消できる。

【００１６】また本発明において、好ましくは、前記ネ
ジ止め部の前記基体の長辺方向における幅をＬ１、前記
基体の長辺方向の長さをＬｎとしたときに、Ｌ１≦０．
３５Ｌｎとし、かつ前記ネジ止め部の中心を前記基体の
長辺の中心から長辺方向において±０．４５Ｌｎの範囲
内に設けたことを特徴とする。

【００１７】上記構成により、図５，図６に示すよう
に、Ｌ１≦０．３５Ｌｎとすることで基体を固定した際
に長辺方向に働く応力を小さくし、長辺方向の反りを戻
す現象を実質的になくすことができる。また、図５，図
７に示すように、ネジ止め部の中心を基体の長辺の中心
から長辺方向において±０．４５Ｌｎの範囲内に設ける
ことで、基体を固定した際に長辺方向の両端部の高さが
異なり、光軸がずれ易くなるといった不具合を実質的に
なくすことができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の光パッケージについて以
下に説明する。図１は本発明の光パッケージの一実施形
態を示す平面図、図２は光パッケージの側断面図、図３
は光半導体素子４およびペルチェ素子５部を除いた光パ
ッケージの正面断面図である。

【００１９】これらの図において、１は上面に光半導体
素子４が載置される載置部１ａを有する略長方形の基体
（基板）、２は載置部１ａを囲繞するように基体１に接
合され、基体１の短辺側の側部に光半導体素子４と結合
される光ファイバ１２を固定する光ファイバ固定部材８
および長辺側の側部に光半導体素子４に駆動信号を入力
するリード端子１１を設けた枠体である。

【００２０】また、４は半導体レーザ，フォトダイオー
ド，ＬＥＤ（light emission diode）等の光半導体素
子、５は光半導体素子４の冷却用のペルチェ素子、６は
Ｃｕ−Ｗ合金や窒化アルミニウム質焼結体等の良熱伝導
性材料からなる基板、７はセラミックスから成りリード
端子１１およびリード端子１１と光半導体素子４との接
続用のメタライズ配線層９を設けた絶縁端子部材（フィ
ードスルー端子部材）、８は円筒状の光ファイバ固定部
材、１０はメタライズ配線層９と光半導体素子４の入出
力電極，ペルチェ素子の電極，各種電子部品の電極とを
接続するボンディングワイヤである。さらに、１３は光
ファイバ１２の端部を挿入固定する貫通孔が形成された
フランジ部材、１４はガラス等の透明材料から成る窓部
材、１５は基体１の各長辺の中央部に外側に突出するよ
うに設けられたネジ止め部、１５ａはネジ止め部に形成
されたネジ穴等の固定部である。

【００２１】本発明において、基体１は、その上面の中
央領域に光半導体素子４を載置するための載置部１a を
有し、載置部１ａには光半導体素子４，温度センサ等の
各種電子部品がペルチェ素子５および基板６を介して接
着固定される。基体１はＣｕ−Ｗ合金等から成るのが良
く、Ｃｕ−Ｗ合金は熱放散性が良好であり、他の部材に
使用されるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やセラミックスと熱膨
張係数が近似するという点で好適である。このＣｕ−Ｗ
合金は、平均粒径約１０μｍのタングステン粉末を１０
００ｋｇｆ／ｃｍ² 程度の圧力で加圧成形するととも
に、還元雰囲気中で約２３００℃の温度で焼成して多孔
質のタングステン焼結体を得、次に１１００℃の温度で
加熱溶融させたＣｕをタングステン焼結体の多孔部分に
毛管現象を利用して含浸させることにより作製される。

【００２２】また、基体１の上面には載置部１a を囲繞
するように箱状の枠体２が銀ロウ等の金属ロウ材を介し
て接合されており、枠体２には一対の絶縁端子部材７及
び光ファイバ固定部材８が側壁を貫通して設けられてい
る。そして、枠体２は内部に光半導体素子４を収容する
空間を形成するとともに、絶縁端子部材７及び光ファイ
バ固定部材８を支持する機能を有する。この枠体２は、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）等から成り、Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴットに公知の引き抜き加工法に
より角パイプを作製し、その角パイプを切断して切削加
工法やプレス加工法等の金属加工を施すことによって所
定の枠状に形成する。また、枠体２はセラミックス等の
絶縁体でも構わない。基体１の長辺側に対応する、枠体
２の相対向する側壁に取着された絶縁端子部材７は、熱
伝導性および電気絶縁性に優れるアルミナ（Ａｌ
₂ Ｏ₃ ）セラミックス等の電気絶縁材料から成るのが良
く、枠体２の内側から外側に導出されリード端子１１に
接続されるメタライズ配線層９が設けられる。

【００２３】絶縁端子部材７は、光パッケージ内部に収
納される光半導体素子４，ペルチェ素子５および各種電
子部品と、外部の駆動回路等とを接続する機能を有す
る。この絶縁端子部材７は、例えばアルミナセラミック
スから成る場合、アルミナ，酸化珪素（ＳｉＯ₂ ），酸
化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
等の原料粉末に樹脂バインダや溶剤等を添加混合して泥
漿状となし、これを公知のドクターブレード法等により
シート状とすることによって複数枚のセラミックスグリ
ーンシートを作製し、しかる後セラミックスグリーンシ
ートに打ち抜き加工を施してこれらを積層し、１５５０
℃程度の高温で焼成して作製される。

【００２４】絶縁端子部材７に形成されるメタライズ配
線層９は、その一端側が、光半導体素子４の電極，ペル
チェ素子５の電極および各種電子部品（図示せず）等の
電極にボンディングワイヤ１０を介して接続され、また
他端側は、リード端子１１と銀ロウ等の金属ロウ材を介
して接続される。このリード端子１１を外部の駆動回路
等に接続することにより、光半導体素子４やペルチェ素
子５および各種電子部品が外部と接続される。そして、
メタライズ配線層９はＷ，Ｍｏ，Ｍｎ等の高融点金属の
粉末を含有する金属ペーストを焼成して成り、例えばＷ
粉末やＭｎ粉末等の金属粉末に有機樹脂バインダや溶剤
を添加混合して得た金属ペーストを、絶縁端子部材７用
のセラミックスグリーンシートに公知のスクリーン印刷
法等により所定パターンに印刷塗布しておき焼成するこ
とで、絶縁端子部材７の所定位置に被着形成される。

【００２５】また、前記リード端子１１は、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、光半導
体素子４を外部の駆動回路等に電気的に接続する作用を
なす。リード端子１１は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
から成る板材に打ち抜き加工，エッチング加工等を施す
ことにより所定形状に形成される。

【００２６】さらに、基体１の短辺側に対応する枠体２
の側壁には、光ファイバ１２を固定する円筒状の光ファ
イバ固定部材８が、枠体２の内外を貫通するように取着
される。この光ファイバ固定部材８の光パッケージの外
側端部には、光ファイバ１２の端部を貫通孔に挿入固定
したフランジ部材１３を接着剤や溶接等により接合する
ことにより、光半導体素子４と光ファイバ１２の光軸を
合致させた状態で光学的に結合させて固定する（図
２）。このように、光ファイバ１２を設置固定すること
によって、光半導体素子４で発振したレーザ光を外部に
伝送する、または外部からの光を光半導体素子４で受光
することが可能になる。また、光ファイバ固定部材８は
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒部材であ
り、その光パッケージの内側端部に、サファイア，ガラ
ス等の透光性材料からなる窓部材１４が取着されてあ
り、窓部材１４を通して光半導体素子４と光ファイバ１
２間で光が伝達される。

【００２７】また本発明では、略長方形の基体１の各長
辺の中央部に、基体１と一体となったネジ止め部１５が
外側に突出するように設けられている。ネジ止め部１５
は、光半導体装置を外部の回路基板等の外部部材に固定
するものであり、その一部には切り欠き，貫通孔，ネジ
穴等の固定部１５ａが設けられ、固定部１５ａにネジを
挿通してネジ止め部１５を外部部材にネジ止めして、光
半導体装置を外部部材に固定する。

【００２８】本発明において、図１に示すように、ネジ
止め部１５を光半導体素子４と光ファイバ１２を結ぶ直
線Ｓ１に直交する直線Ｓ２上に配置することが好まし
い。これにより、ネジ止め固定時の応力は直線Ｓ２の方
向に働き、基体１の長辺方向の反りを固定時に戻すこと
がなくなり、確実にネジ止め固定時の光半導体素子の高
さおよび光ファイバの高さの変化を解消できる。

【００２９】また本発明において、図５のように、基体
１の長辺方向でのネジ止め部１５の幅をＬ１、基体１の
長辺方向の長さをＬｎとした場合、Ｌ１≦０．３５Ｌｎ
とし、かつネジ止め部１５の中心Ｏ１を基体の長辺の中
心Ｏｎから長辺方向において±０．４５Ｌｎの範囲内に
設けることが好ましい。この構成により、図６（ａ），
（ｂ）の基体１の側面図に示すように、基体１を固定し
た際に長辺方向に働く応力を小さくし、長辺方向の反り
を戻す現象を実質的になくすことができる。尚、図６
（ａ）は固定前の基体１の状態を示し、（ｂ）は固定後
に長辺方向の反りが戻った状態（同図中矢印）を示すも
ので、同図中の１６は外部部材の表面である。より好ま
しくは、０．１Ｌｎ≦Ｌ１とするのが良く、この場合基
体１の固定が確実に行える。

【００３０】また、図７（ａ），（ｂ）の基体１の側面
図に示すように、ネジ止め部１５の中心Ｏ１を基体の長
辺の中心Ｏｎから長辺方向において±０．４５Ｌｎの範
囲内に設けることで、基体１を固定した際に長辺方向の
両端部の高さが異なり光軸がずれ易くなるといった不具
合を実質的になくすことができる。尚、図７（ａ）は固
定前の基体１の状態を示し、（ｂ）は固定後に基体１の
長辺方向の両端部の高さが異った状態（同図中矢印）を
示す。より好ましくは、ネジ止め部１５の中心Ｏ１を基
体の長辺の中心Ｏｎから長辺方向において±０．２５Ｌ
ｎの範囲内、さらに好ましくは±０．１０Ｌｎの範囲内
に設けるのが良い。また、この場合基体１の各長辺に設
けた一対のネジ止め部１５は、前記範囲内にあれば良
く、直線Ｓ２上に配置されていなくても良い。つまり、
線Ｓ２に対して傾いた線上に配置しても構わない。

【００３１】さらに、本発明の他の実施形態として、ネ
ジ止め部１５を基体１よりも薄くしたり、ネジ止め部１
５の基体１側の根元に長辺方向に溝を切っておけば、ネ
ジ止め時の応力を緩和することができる。また、ネジ止
め部１５をヤング率の低い材料で別個に作製し基体１に
ロウ付け等により接合しても良く、その場合もネジ止め
時の応力を緩和できる。ネジ止め部１５の固定部１５ａ
にネジを切ってネジ穴を設ける場合は、ネジ止め部１５
を薄くするよりも溝を切っておく方が好ましく、その場
合ネジ山を十分に作ることで光パッケージを強固に固定
でき、また枠体２と基体１をロウ付けする際にロウ材の
広がりが抑制され、ネジ山がロウ材で埋められることは
ない。

【００３２】本発明のさらなる実施形態として、図８に
示すように、ネジ止め部１５に隣接するリード端子１１
ａを、ネジ止め部１５を迂回するように湾曲させるのが
好ましく、この場合光パッケージの上方からのネジ止め
がきわめて容易に行える。

【００３３】かくして、本発明は、光半導体素子と光フ
ァイバとを結ぶ方向に生じた下側に凸の反りをネジ止め
固定により戻すことがなくなり、ネジ止め固定時に光半
導体素子の高さおよび光ファイバの高さが変化しないの
で、ネジ止め固定による光半導体素子と光ファイバの位
置整合が狂うことがない。また、ネジ止め固定位置が光
半導体素子の近傍になるため、光半導体素子とネジ止め
固定部の高さの差は、従来の光パッケージよりも小さく
なり、ネジ止めを行った時光半導体素子と光ファイバの
位置整合のズレを小さくすることができる。

【００３４】尚、本発明は上記実施形態に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を
行っても何等差し支えない。

【００３５】

【発明の効果】本発明は、基体の各長辺の中央部に外側
に突出するようにネジ止め部を設けたことにより、光半
導体素子と光ファイバとを結ぶ方向に直交する方向にお
いてネジ止め部が設けられ、ネジ止め固定時の応力は前
記直交する方向に働くため、ネジ止め固定時の応力によ
り前記直交する方向の基体の反りは矯正されるが、光半
導体素子と光ファイバとを結ぶ方向に生じた下側に凸の
反りをネジ止め固定により戻すことがなくなる。従っ
て、ネジ止め固定時に光半導体素子の高さおよび光ファ
イバの高さは変化しないので、ネジ止め固定による光半
導体素子と光ファイバの位置整合が狂うことがない。ま
た本発明においては、ネジ止め固定位置が光半導体素子
の近傍になるため、光半導体素子とネジ止め固定部の高
さの差は、従来の光パッケージよりも小さくなる。従っ
て、ネジ止めを行った時、光半導体素子と光ファイバの
位置整合のズレを小さくすることができる。

【００３６】また、ネジ止め固定時の光半導体素子と光
ファイバの位置整合が狂わないので、ネジ止め部を基体
と一体化することが可能となり、これにより部品点数が
少なくなり、また銀ロウ付けといった組立工程も削減さ
れる。従って、ネジ止め部の位置精度が向上し、光パッ
ケージの固定時および固定後の位置が安定し、また光パ
ッケージを安価に提供でき、さらには銀ロウ付け部のボ
イドの発生といった問題がなくなるので信頼性が向上す
る。また、ネジ止め部がリード端子下方に隠れるように
配置できるため光パッケージの占有面積が小さくなり、
光パッケージが小型化される。また、ネジ止め部にネジ
穴を設け、光パッケージの下側（裏面側）からネジ止め
固定することで、リード端子が邪魔にならずに容易に固
定できる。

【００３７】また本発明は、ネジ止め部を光半導体素子
と光ファイバを結ぶ直線に直交する直線上に配置するこ
とができ、これによりネジ止め固定時の応力は前記直交
する直線の方向に働き、より確実にネジ止め固定時の光
半導体素子の高さおよび光ファイバの高さの変化を解消
できる。

【００３８】さらに本発明は、ネジ止め部の基体の長辺
方向の幅をＬ１、基体の長辺方向の長さをＬｎとした場
合、Ｌ１≦０．３５Ｌｎとし、かつネジ止め部の中心を
基体の長辺の中心から長辺方向において±０．４５Ｌｎ
の範囲内に設けることができ、これにより基体を固定し
た際に長辺方向に働く応力を小さくし、長辺方向の反り
を戻す現象を実質的になくすことができ、また基体を固
定した際に長辺方向の両端部の高さが異なり、光軸がず
れ易くなるといった不具合を実質的になくすことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光パッケージの蓋体を除いたものの平
面図である。

【図２】本発明の光パッケージの側断面図である。

【図３】本発明の光パッケージの光半導体素子およびペ
ルチェ素子を除いたものの正面断面図である。

【図４】従来の光パッケージを示し、（ａ）は光パッケ
ージの蓋体を除いたものの斜視図、（ｂ）は（ａ）にお
いて基体および枠体部分の平面図である。

【図５】本発明の光パッケージの基体部分の平面図であ
る。

【図６】（ａ）は固定前の基体の側面図、（ｂ）は固定
後に基体の反りが戻った状態を示す側面図である。

【図７】（ａ）は固定前の基体の側面図、（ｂ）は固定
後に基体の長辺方向の両端部の高さが変化した状態を示
す側面図である。

【図８】本発明の他の実施形態を示し、ネジ止め部に隣
接するリード端子をネジ止め部を迂回するように湾曲さ
せたものの平面図である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：載置部 ２：枠体 ４：光半導体素子 ５：ペルチェ素子 ７：絶縁端子部材 ８：光ファイバ固定部材 １１：リード端子 １２：光ファイバ １５：ネジ止め部 １５ａ：固定部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に光半導体素子が載置される載置部を
   有する略長方形の基体と、該基体に前記載置部を囲繞す
   るように接合され、側部に前記光半導体素子と光学的に
   結合される光ファイバを固定する光ファイバ固定部材お
   よび他の側部に前記光半導体素子に駆動信号を入力する
   リード端子を設けた枠体とを有し、前記基体の各長辺の
   中央部に外側に突出するようにネジ止め部を設けたこと
   を特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】前記ネジ止め部を前記光半導体素子と光フ
   ァイバを結ぶ直線に直交する直線上に配置したことを特
   徴とする請求項１記載の光半導体素子収納用パッケー
   ジ。
3. 【請求項３】前記ネジ止め部の前記基体の長辺方向にお
   ける幅をＬ１、前記基体の長辺方向の長さをＬｎとした
   ときに、Ｌ１≦０．３５Ｌｎとし、かつ前記ネジ止め部
   の中心を前記基体の長辺の中心から長辺方向において±
   ０．４５Ｌｎの範囲内に設けたことを特徴とする請求項
   １または２記載の光半導体素子収納用パッケージ。