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JP2001028107A - 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

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Publication number
JP2001028107A
JP2001028107A JP11199899A JP19989999A JP2001028107A JP 2001028107 A JP2001028107 A JP 2001028107A JP 11199899 A JP11199899 A JP 11199899A JP 19989999 A JP19989999 A JP 19989999A JP 2001028107 A JP2001028107 A JP 2001028107A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
magnetic
thin
magnetic head
pole portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11199899A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Terunuma
幸一 照沼
Tetsuya Mino
哲哉 箕野
Katsuya Kanakubo
勝也 金窪
Noriyuki Ito
範之 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP11199899A priority Critical patent/JP2001028107A/ja
Priority to US09/604,794 priority patent/US6466415B1/en
Publication of JP2001028107A publication Critical patent/JP2001028107A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】エイペックス角が小さく、しかも、スロートハ
イト零点を高精度で制御し得る薄膜磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】第１のポール部を構成する磁性膜２１１は
一面に凹部２１３を有する。凹部２１３は第１のポール
部の後方において磁性膜２１１の一面に設定された第１
の傾斜開始点Ｐ１から、第１の傾斜角θ１で落ち込むよ
うに形成されている。絶縁膜２５は凹部２１３内に充填
され、磁性膜２１１の一面よりも上方の位置まで盛り上
がり、媒体対向面側の外面が傾斜面となっている。第２
のポール部の第１の磁性膜２２１は、第２の磁性膜２２
２よりも高い飽和磁束密度を有し、第２の傾斜開始点Ｐ
２から第２の傾斜角θ２で傾斜する部分を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド、
磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの磁気記録再生装置に用い
られる浮上型薄膜磁気ヘッドは、スライダの空気流出端
側に少なくとも１つの記録素子と、少なくとも１の読み
取り素子とを有する。記録素子としては、一般には、誘
導型磁気変換素子が用いられ、読み取り素子としては、
磁気抵抗効果を用いた磁気変換素子が用いられる。
【０００３】この種の薄膜磁気ヘッドにおいて、高記録
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデータ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度は、記録素子の能力によって左右される。
面密度は記録ポール間のギャップ長を小さくすることに
よって高めることができる。
【０００４】記録の面密度を高めるもう一つの手段は、
磁気ディスクに記録できるデータトラック数を増やすこ
とである。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通
常、ＴＰＩ（ｔｒａｃｋ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）として表
現される。記録素子のＴＰＩ能力は、データ．トラック
の幅を決めるヘッド寸法を小さくすることによって高め
ることができる。このヘッド寸法は、通常、ヘッドのト
ラック幅と称されている。
【０００５】ところが、記録ポール間のギャップ長、及
び、トラック幅の狭小化は、記録ポール間の磁束強度の
減少を招くので、オーバーライト特性が劣化する。この
ため、記録能力の観点から、高保磁力Ｈｃを有する高密
度記録用磁気ディスクに対応できなくなる。
【０００６】この問題を解決する手段として、記録ポー
ル部において、ギャップ膜と隣接する部分に、飽和磁束
密度の高い磁性膜（第１の磁性膜と称する）を設け、第
１の磁性膜の上に、それよりも飽和磁束密度の低い第２
の磁性膜を設けた記録ポール構造が提案されている。例
えば、USP.5,606,478号明細書は、記録ポール部のギャ
ップ膜と接する側に、通常、この種の薄膜磁気ヘッドに
おいて、ポール磁性材料として用いられているNiFe組成
よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば、Ni
55Fe45を用いる技術を開示している。
【０００７】別の先行技術文献として、特開平５ー７３
８３９号公報は、下部磁気コア及び上部磁気コアをメッ
キするための下地膜として、下部磁気コア及び上部磁気
コアの飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を持つ材料
を用いる技術を開示している。
【０００８】次に、誘導型磁気変換素子で構成される記
録素子は、一般には、第１のポール部と、ギャップ膜
と、コイル膜と、絶縁膜と、第２のポール部とを含む。
第１のポール部は、磁性膜で構成される。第１のポール
部を構成する磁性膜は、スライダの媒体対向面からその
後方に延びる。ギャップ膜は第１のポール部に隣接して
備えられる。第２のポール部はギャップ膜に隣接して備
えられる。第２のポール部を構成する磁性膜は、媒体対
向面からその後方に延び、後方において、第１のポール
部から延びる磁性膜に結合されている。コイル膜は絶縁
膜の内部に埋設され、後方結合部をうず巻き状に回るよ
うに備えられる。
【０００９】比較的初期のポール構造では、第２のポー
ル部から延長された磁性膜を、ヨーク部として、コイル
膜を支持する有機絶縁膜の表面に形成してあった。コイ
ル膜を支持する有機絶縁膜は、ポール部からヨーク部に
変化する領域で、ギャップ膜の面に対し、ある角度で傾
斜して立ち上がっている。従って、有機絶縁膜の表面に
形成される磁性膜も、この有機絶縁膜の傾斜、及び、角
度に従って傾斜する。磁性膜の傾斜開始点がスロートハ
イト（Throat Hight）零点と称され、傾斜角がエイペッ
クス角（Apex Angle）と称されている。有機絶縁膜の表
面に形成される磁性膜は、空気ベアリング面上に位置す
る先端面からスロートハイト零点までは、ギャップ膜と
平行な第２のポール部を構成し、スロートハイト零点か
らエイペックス角で傾斜するように、有機絶縁膜の表面
に形成され、ヨーク部に連なる。
【００１０】スロートハイト零点は、電磁変換特性に直
接に関与するものであるため、高精度で制御しなければ
ならない。また、エイペックス角は、コイル膜に流れる
書き込み電流によって生じた磁束を、効率よくポール部
に伝送するために、磁気飽和の生じにくい小さい値に設
定しなければならない。
【００１１】ところが、第２のポール部から延長された
磁性膜を、有機絶縁膜の表面に形成する従来構造の場
合、有機絶縁膜の傾斜開始点及び傾斜角度が有機絶縁膜
の塗布工程、及び、べーク処理工程において変化してし
まうため、スロートハイト零点を高精度で制御し、設定
することが困難であった。また、エイペックス角も比較
的大きくなっていた。
【００１２】高密度記録対応手段として提案されたUSP.
5,606,478号明細書、及び、特開平５ー７３８３９号公
報に記載された技術によっても、エイペックス角を小さ
くすることが困難である。
【００１３】このような問題点を解決する手段として、
例えば、特開平７ー２２５９１７号公報は、第２のポー
ル部と、そのヨーク部とを別個に形成する技術を開示し
ている。この先行技術の場合、ヨーク部の立ち上がり開
始点がスロートハイト零点になるので、スロートハイト
零点を高精度で制御し、かつ、設定し得る。
【００１４】しかし、コイル膜を支持する絶縁膜は、表
面が傾斜形状を持つ。このため、第２のポール部に連続
するヨーク部のエイペックス角を小さくするには限度が
あり、ポール部への磁束伝送効率、及び、オーバーライ
ト特性の改善に関して、多くを望めない。
【００１５】別の先行技術として、特開平６ー２６７７
７６号公報は、第２のポール部と、そのヨーク部とを別
個に形成する構造において、コイル膜を支持する絶縁膜
の表面を、第２のポール部の膜面に合わせて平坦化し、
この平坦化された平面に、第２のポール部に連続すべき
ヨーク部を形成する構造を開示している。この先行技術
の場合、第２のポール部の膜端面がスロートハイト零点
になるので、スロートハイト零点を高精度で設定し得
る。
【００１６】しかし、ギャップ膜に対して第２のポール
部の膜端面がほぼ直交し、この角度がエイペックス角と
なるので、ポール部への磁束伝送効率、及び、オーバー
ライト特性の改善には寄与しない。
【００１７】更に別の先行技術として、特開昭６０ー１
９３１１４号公報は、スライダ基体の表面に凹部を設
け、この凹部内に第１のポール部に連続する磁性膜を形
成した低段差構造の薄膜磁気ヘッドの製造方法を開示し
ている。しかし、この先行技術においても、スロートハ
イト零点を高精度で制御することが困難である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、記録
能力を高めた記録ポール構造を有する薄膜磁気ヘッドを
提供することである。
【００１９】本発明のもう一つの課題は、高記録密度対
応の記録ポール構造を有する薄膜磁気ヘッドを提供する
ことである。
【００２０】本発明の更にもう一つの課題は、磁気飽和
が生じにくく、特に、高周波記録特性に優れた記録ポー
ル構造を有する薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００２１】本発明の更にもう一つの課題は、エイペッ
クス角が小さく、しかも、スロートハイト零点を高精度
で制御し得る薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００２２】本発明の更にもう一つの課題は、上述した
薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ヘッド装置及び磁気ディス
ク装置を提供することである。
【００２３】本発明の更にもう一つの課題は、上述した
薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製造方法を提供す
ることである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、少な
くとも１つの記録素子とを含む。前記スライダは、一面
が媒体対向面を構成する。前記記録素子は、第１のポー
ル部と、ギャップ膜と、コイル膜と、絶縁膜と、第２の
ポール部とを含み、前記スライダに備えられている。
【００２５】前記第１のポール部は、磁性膜で構成さ
れ、前記磁性膜は前記媒体対向面からその後方に延び一
面に凹部を有する。前記凹部は、前記第１のポール部の
後方において前記磁性膜の前記一面に設定された第１の
傾斜開始点から、第１の傾斜角θ１で落ち込むように形
成されている。
【００２６】前記絶縁膜は、前記凹部内に充填され、前
記磁性膜の前記一面よりも上方の位置まで盛り上がり、
少なくとも前記媒体対向面側の外面が傾斜面となってい
る。前記ギャップ膜は、前記第１のポール部に隣接して
備えられている。前記コイル膜は、前記絶縁膜の内部に
埋設されている。
【００２７】前記第２のポール部は、第１の磁性膜と、
第２の磁性膜とを含む。前記第１の磁性膜は、前記第２
の磁性膜よりも高い飽和磁束密度を有し、前記ギャップ
膜に隣接して備えられ、第２の傾斜開始点から第２の傾
斜角θ２で傾斜する部分を有する。前記第２の傾斜開始
点は前記絶縁膜の前記傾斜面の傾斜に従って前記ギャッ
プ膜上に生じる点である。
【００２８】前記第２の磁性膜は、前記第１の磁性膜に
隣接し、前記絶縁膜の上に形成され、前記媒体対向面か
らその後方に延び、後方において、前記第１のポール部
を構成する前記磁性膜に結合されている。
【００２９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて、ス
ライダは一面が媒体対向面を構成し、記録素子はスライ
ダに備えられている。従って、スライダの媒体対向面と
媒体との間に、媒体の高速回転によって生じる空気ベア
リングを生じさせることにより、スライダを浮上させ、
その状態で記録素子によって、媒体に磁気記録を行うこ
とができる。
【００３０】記録素子において、第１のポール部に連な
る磁性膜は、媒体対向面からその後方に延び、ギャップ
膜は第１のポール部に隣接して備えられている。また、
第２のポール部に含まれる第１の磁性膜がギャップ膜に
隣接して備えられる。更に、第２のポール部に含まれる
第２の磁性膜が第１の磁性膜に隣接し、媒体対向面から
その後方に延び、後方において、第１のポール部を構成
する磁性膜に結合されている。コイル膜は絶縁膜の内部
に埋設されている。
【００３１】この構造によれば、コイル膜に流れる書き
込み電流によって発生した磁束を、第１のポール部を構
成する磁性膜、及び、第２の磁性膜を通って、第１のポ
ール部及び第２のポール部に伝送し、ギャップ膜の部分
で書き込み磁界を生じさせることができる。この書き込
み磁界によって、媒体に磁気記録が書き込まれる。
【００３２】第１のポール部に連なる磁性膜は、一面に
凹部を有する。この凹部により、低段差構造が得られ
る。この低段差構造は、エイペックス角の縮小化に寄与
する。既に述べたように、スライダの基体に凹部を形成
した低段差構造は、特開昭６０ー１９３１１４号公報に
開示されているが、本発明においては、凹部をスライダ
の基体に設けるのではなく、第１のポール部に連続する
磁性膜の表面に形成する。本発明において採用する低段
差構造によれば、スライダの基体表面を平面状に保ち、
その上に磁性膜を形成できるので、磁性膜の成膜、及
び、膜厚制御が容易になる。
【００３３】凹部は、第１のポール部の後方において、
磁性膜の一面に設定された第１の傾斜開始点から、第１
の傾斜角θ１で落ち込むように形成される。第１の傾斜
角θ１は、第１のポール部に連なる磁性膜のエイペック
ス角に相当するものである。従って、第１の傾斜角θ１
は、第１のポール部に連なる磁性膜が、磁気飽和を起こ
すのを回避するのに適した値に選定する。第１の傾斜角
θ１の好ましい値は、２０°≦θ１≦６０°の範囲であ
る。
【００３４】コイル膜を支持する絶縁膜は、凹部を設け
た磁性膜の一面よりも上方の位置まで盛り上がり、少な
くとも媒体対向面側の外面が傾斜面となっている。絶縁
膜の傾斜面がエイペックス角の決定に関与する。この場
合、絶縁膜は、凹部内に充填されており、低段差構造が
実現されているから、エイペックス角の決定に関与する
絶縁膜の傾斜面の傾斜角が小さくなる。
【００３５】第２のポール部に含まれる第１及び第２の
磁性膜の内、第１の磁性膜は、第２の磁性膜よりも高い
飽和磁束密度を有し、ギャップ膜に隣接して備えられて
いる。この構造によれ、記録ポール間のギャップ長、及
び、トラック幅を狭小化し、高記録密度対応を図った場
合でも、記録ポール部において、磁気飽和を生じる磁束
密度の上限値を上昇させ、オーバーライト特性及び記録
能力を向上させることができる。
【００３６】第１の磁性膜は、第２の傾斜開始点から第
２の傾斜角θ２で傾斜する部分を有する。第２の傾斜開
始点は絶縁膜の傾斜面の傾斜に従ってギャップ膜上に生
じる点である。第２の傾斜開始点は、スロートハイト零
点として用いることができる。第２の傾斜角θ２は、第
１の磁性膜のエイペックス角に相当するものである。こ
こで、磁気飽和に関与するエイペックス角が、飽和磁束
密度の高い磁性材料でなる第１の磁性膜によって決定さ
れるので、記録ポール部における磁気飽和がますます起
きにくくなる。このため、高い記録能力を有する薄膜磁
気ヘッドが得られる。
【００３７】第２の傾斜角θ２は、第２のポール部に連
なる第２の磁性膜が、磁気飽和を起こすのを回避するの
に適した値に選定する。第２の傾斜角θ２の好ましい値
は、２０°≦θ１≦６０°の範囲である。
【００３８】第２の傾斜開始点は、好ましくは、第１の
傾斜開始点よりも、媒体対向面側にある。この配置によ
れば、第２の傾斜開始点がスロートハイト零点となる。
第２のポール部を構成する第１の磁性膜及び第２の磁性
膜は、第１のポール部を構成する磁性膜よりも後に形成
されるので、第１のポール部を構成する磁性膜に生じる
第１の傾斜開始点を、スロートハイト零点として用いる
場合よりも、より高精度で設定することができる。
【００３９】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００４０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る製造方法によ
って得られる薄膜磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に図
示された薄膜磁気ヘッドの断面図、図３は図１、２に図
示された薄膜磁気ヘッドのポール部分の拡大断面図、図
４は図１〜３に図示された薄膜磁気ヘッドのポール部分
の斜視図、図５は図１〜４に図示された薄膜磁気ヘッド
のポール部分の拡大図である。これらの図において、寸
法は誇張されている。
【００４１】図を参照すると、薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ１と、少なくとも１つの記録素子２、磁気抵抗効果
素子でなる読み取り素子（以下ＭＲ読み取り素子と称す
る）３とを含む。スライダ１は媒体対向面側にレール部
１１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面が空
気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１３、１４とし
て用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。
例えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レー
ル部を持たない平面となることもある。また、浮上特性
改善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付
されることもある。何れのタイプであっても、本発明の
適用が可能である。スライダ１は、AlTiC等のセラミッ
ク材料によって構成される。
【００４２】記録素子２及びＭＲ読み取り素子３は、レ
ール部１１、１２の一方または両者の媒体移動方向Ａ１
の端部に設けられている。媒体移動方向Ａ１は、媒体が
高速移動した時の空気の流出方向と一致する。
【００４３】記録素子２は、ＭＲ読み取り素子３の上に
積層されている。これとは逆に、記録素子２の上にＭＲ
読み取り素子３を積層する構造であってもよい。記録素
子２は、記録ポール部を含む。記録ポール部は、第１の
ポール部２１と、第１のポール部２１に隣接するギャッ
プ膜２４と、ギャップ膜２４に隣接する第２のポール部
２２とを含む（図３、４参照）。
【００４４】第１のポール部２１は、磁性膜２１１を含
む。磁性膜２１１は、NiFe、CoFe、CoFeNi等の軟磁性材
料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜厚となるように形
成することができる。また、磁性膜２１１は、ＡＢＳ１
３または１４とは逆方向の後方側に延び、第１のヨーク
部としても機能する。第１のポール部２１は磁性膜で構
成され、磁性膜はＡＢＳ１３、１４からその後方に延び
一面に凹部２１３を有する。凹部２１３は、第１のポー
ル部２１の後方において磁性膜２１１の一面に設定され
た第１の傾斜開始点Ｐ１から、第１の傾斜角θ１で落ち
込むように形成されている（図５参照）。
【００４５】更に、図示実施例では、第１のポール部２
１が、磁性膜２１１の上に、それよりも高い飽和磁束密
度を有する磁性膜２１２を有する。磁性膜２１２は、Fe
N、FeMN、FeMC、FeMON（Ｍ＝B,Al,Si,Cr,Ti,Hf,Nb,Ta,Z
r,Mo等）等の高飽和磁束密度材料によって構成される。
【００４６】絶縁膜２５は、凹部２１３内に充填され、
磁性膜２１１の一面よりも上方の位置まで盛り上がり、
少なくとも、ＡＢＳ１３、１４側の外面が傾斜面となっ
ている。
【００４７】ギャップ膜２４は、Al2O3、SiO2等の非磁
性絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成する
ことができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成
する場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁
性金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはス
パッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．
５μｍ程度が好ましい。
【００４８】第２のポール部２２は、第１の磁性膜２２
１と、第２の磁性膜２２２とを含む。第１の磁性膜２２
１は第２の磁性膜２２２よりも高い飽和磁束密度を有
し、ギャップ膜２４に隣接している。第１の磁性膜２２
１は、FeN、FeMN、FeMC、FeMON（Ｍ＝B,Al,Si,Cr,Ti,H
f,Nb,Ta,Zr,Mo等）等の高保磁力磁性材料によって構成
される。第２の磁性膜２２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等の
軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるよう
に形成する。形成手段としては、フレームメッキ法が用
いられる外、トラック幅狭小化のためのドライエッチン
グ法が用いられる。その詳細については、本発明に係る
製造方法において更に具体的に説明する。
【００４９】第１の磁性膜２２１は、前記第２の磁性膜
２２２よりも高い飽和磁束密度を有し、前記ギャップ膜
に隣接して備えられ、第２の傾斜開始点Ｐ２から第２の
傾斜角θ２で傾斜する部分を有する。第２の傾斜開始点
Ｐ２は絶縁膜２５の傾斜面の傾斜に従ってギャップ膜２
４上に生じる点である（図５参照）。
【００５０】第２の磁性膜２２２は、第１の磁性膜２２
１に隣接している。第２の磁性膜２２２は、コイル膜２
３を支持した絶縁膜２５の表面に沿って、ＡＢＳ１３ま
たは１４とは反対側の後方に延び、第２のヨークとして
も機能する。第２の磁性膜２２２は、後方の結合部にお
いて、磁気回路を完成するように、第１のポール部２１
から延びる磁性膜２１１と結合されている。第１の磁性
膜２２１は、図示では、記録ポール部に限って設けられ
ているが、第２の磁性膜２２２の下側の全面にわたって
設けてもよい。
【００５１】絶縁膜２５は、コイル膜２３の層数に応じ
て、その層数が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。
絶縁膜２５は、有機絶縁材料またはセラミック材料によ
って形成することができる。この実施例では、絶縁膜２
５を、Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料によって構成し
てある。
【００５２】コイル膜２３はＣｕ等の導電性材料から構
成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ま
しい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を
用いることが好ましい。コイル膜２３は、第１のポール
部２１から後方に延びる磁性膜２１１、第１及び第２の
磁性膜２２１、２２２及びギャップ膜２４より構成され
る薄膜磁気回路に、書き込み電流に基づく磁束を供給す
る。コイル膜２３は、絶縁膜２５によって支持され、後
方結合部のまわりを渦巻状にまわるように形成されてい
る。コイル膜２３の両端は、取り出し電極２７、２８
（図１参照）に導通されている。コイル膜２３の巻数お
よび層数は任意である。
【００５３】第１のポール部２１、第２のポール部２２
及びギャップ膜２４は、周りが非磁性絶縁膜によって埋
められている。非磁性絶縁膜としては、Al2O3、SiO2等
が用いられる。更に、記録素子２の全体は保護膜２６に
よって覆われている。保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶
縁材料によって構成することができる。膜厚は５〜５０
μｍ程度が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によっ
て形成することが好ましい。更に、凹部２１３の底部に
は、絶縁膜２１４が付着されている。絶縁膜２１４はAl
2O3、SiO2等の絶縁材料によって構成することができ
る。
【００５４】ＭＲ読み取り素子３は、これまで、種々の
膜構造のものが提案され、実用に供されている。例えば
パーマロイ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたも
の、スピンバルブ膜構造もしくはペロブスカイト型磁性
体等の巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの、ま
たは強磁性トンネル接合素子を用いたもの等がある。本
発明において、何れのタイプであっても用いることがで
きる。ＭＲ読み取り素子３は、第１のシールド膜３１
と、第２のシールド膜を兼ねている磁性膜２１１との間
において、絶縁膜３５、３６の内部に配置されている。
絶縁膜３５、３６はアルミナ等によって構成されてい
る。ＭＲ読み取り素子３は、リード導体により、取り出
し電極３３、３４に接続されている（図１参照）。
【００５５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて、ス
ライダ１は一面がＡＢＳ１３、１４を構成し、記録素子
２はスライダ１に備えられている。従って、スライダ１
のＡＢＳ１３、１４と媒体との間に、媒体の高速回転に
よって生じる空気ベアリングを生じさせることにより、
スライダ１を浮上させ、記録素子２によって、媒体に磁
気記録を行うことができる。実施例の場合、ＭＲ読み取
り素子３も備えるので、媒体に書き込まれた磁気記録を
読み取ることもできる。
【００５６】記録素子２において、第１のポール部２１
に連なる磁性膜２１１は、ＡＢＳ１３、１４からその後
方に延び、ギャップ膜２４は第１のポール部２１に隣接
して備えられている。また、第２のポール部２２に含ま
れる第１の磁性膜２２１がギャップ膜２４に隣接して備
えられる。更に、第２のポール部２２に含まれる第２の
磁性膜２２２が第１の磁性膜２２１に隣接し、ＡＢＳ１
３、１４からその後方に延び、後方において、第１のポ
ール部２１を構成する磁性膜２１１に結合されている。
コイル膜２３は絶縁膜２５の内部に埋設されている。
【００５７】従って、コイル膜２３に流れる書き込み電
流によって発生した磁束は、第１のポール部２１を構成
する磁性膜２１１、及び、第２の磁性膜２２２を通っ
て、第１のポール部２１及び第２のポール部２２に伝送
され、ギャップ膜２４の部分で書き込み磁界を生じさせ
る。この書き込み磁界によって、媒体に磁気記録が書き
込まれる。
【００５８】第１のポール部２１に連なる磁性膜２１１
は、一面に凹部２１３を有する。この凹部２１３によ
り、低段差構造が得られる。この低段差構造は、エイペ
ックス角の縮小化に寄与する。既に述べたように、スラ
イダ１の基体に凹部を形成した低段差構造は、特開昭６
０ー１９３１１４号公報に開示されているが、本発明に
おいては、凹部２１３をスライダ１の基体に設けるので
はなく、第１のポール部２１に連続する磁性膜の表面に
形成してある。本発明において採用する低段差構造によ
れば、スライダ１の基体表面を平面状に保ち、その上に
磁性膜２１１を形成できるので、磁性膜２１１の成膜、
及び、膜厚制御が容易になる。
【００５９】第１のポール部２１に連なる磁性膜２１１
の一面に形成された凹部２１３は、第１のポール部２１
の後方において、磁性膜２１２の一面に設定された第１
の傾斜開始点Ｐ１から、第１の傾斜角θ１で落ち込むよ
うに形成されている。第１の傾斜角θ１は、第１のポー
ル部２１に連なる磁性膜のエイペックス角に相当するも
のである。従って、第１の傾斜角θ１は、第１のポール
部２１に連なる磁性膜２１１の上に形成された磁性膜２
１２が、磁気飽和を起こすのを回避するのに適した値に
選定する。第１の傾斜角θ１の好ましい値は、２０°≦
θ１≦６０°の範囲である。
【００６０】絶縁膜２５は磁性膜２１２の一面よりも上
方の位置まで盛り上がり、少なくともＡＢＳ１３、１４
側の外面が傾斜面となっている。絶縁膜２５の傾斜面の
第２の傾斜角θ２がエイペックス角の決定に関与する。
この場合、絶縁膜２５は、凹部２１３内に充填されてお
り、低段差構造が実現されているから、エイペックス角
の決定に関与する絶縁膜２５の傾斜面の第２の傾斜角θ
２が小さくなる。
【００６１】第２のポール部２２に含まれる第１及び第
２の磁性膜２２１、２２２の内、第１の磁性膜２２１
は、第２の磁性膜２２２よりも高い飽和磁束密度を有
し、ギャップ膜２４に隣接して備えられている。この構
造によれ、記録ポール間のギャップ長、及び、トラック
幅を狭小化し、高記録密度対応を図った場合でも、記録
ポール部において、磁気飽和を生じる磁束密度の上限値
を上昇させ、オーバーライト特性及び記録能力を向上さ
せることができる。図示実施例では、第１のポール部２
１が、磁性膜２１１の上に、それよりも高い飽和磁束密
度を有する磁性膜２１２を有するから、第１のポール部
２１においても、磁気飽和を生じる磁束密度の上限値を
上昇させ、オーバーライト特性及び記録能力を向上させ
ることができる。
【００６２】第１の磁性膜２２１は、第２の傾斜開始点
Ｐ２から第２の傾斜角θ２で傾斜する部分を有する。第
２の傾斜開始点Ｐ２は絶縁膜２５の傾斜面の傾斜に従っ
てギャップ膜２４上に生じる点である。第２の傾斜開始
点Ｐ２は、スロートハイト零点として用いることができ
る。第２の傾斜角θ２は、第１の磁性膜２２１のエイペ
ックス角に相当するものである。ここで、磁気飽和に関
与するエイペックス角が、飽和磁束密度の高い磁性材料
でなる第１の磁性膜２２１によって決定されるので、記
録ポール部における磁気飽和がますます起きにくくな
る。このため、高い記録能力を有する薄膜磁気ヘッドが
得られる。
【００６３】第２の傾斜角θ２は、第２のポール部２２
に連なる第２の磁性膜２２２が、磁気飽和を起こすのを
回避するのに適した値に選定する。第２の傾斜角θ２の
好ましい値は、２０°≦θ１≦６０°の範囲である。
【００６４】図６は第１の傾斜角θ１及び第２の傾斜角
θ２と、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）及びＮＬＴＳ
（非線形トランジッションシフト)(％)との関係を示す
データである。図６において、左縦軸にＯ／Ｗ(-dB)を
取り、右縦軸にＮＬＴＳ（％）を取ってある。磁性膜２
１２及び第１の磁性膜２２１の膜厚ｄ（μｍ）は２μｍ
とした。図示するように、第１の傾斜角θ１及び第２の
傾斜角θ２が２０(deg)よりも小さくなると、Ｏ／Ｗ(-d
B)が−３０(dB)よりも劣化する。また、第１の傾斜角θ
１及び第２の傾斜角θ２が６０(deg)よりも大きくなる
と、優れたＯ／Ｗ特性が得られるが、ＮＴＬＳが２０
（％）を越えて悪化する。これに対して、２０°≦θ
１，θ２≦６０°の範囲であれば、優れたＯ／Ｗ特性及
びＮＴＬＳを確保することができる。
【００６５】第１のポール部２１に含まれる磁性膜２１
２の膜厚、及び、第２のポール部２２に含まれる第１の
磁性膜２２１の膜厚は、２μｍ以下であることが好まし
い。
【００６６】図７は磁性膜２１２及び第１の磁性膜２２
１の膜厚ｄ（μｍ）とＯ／Ｗ(-dB)との関係を示す実測
データである。第１の傾斜角θ１及び第２の傾斜角θ２
は６０(deg)とした。図７に示すように、膜厚ｄ（μ
ｍ）が２μｍを越えて大きくなると、Ｏ／Ｗ特性が直線
的に劣化する。これに対して、膜厚ｄが２μｍ以下の領
域では、優れたＯ／Ｗ特性が得られるとともに、膜厚ｄ
が増大した場合でも、Ｏ／Ｗ特性の劣化が緩やかであ
る。
【００６７】第２の傾斜開始点Ｐ２は、好ましくは、第
１の傾斜開始点Ｐ１よりも、ＡＢＳ１３、１４側にあ
る。この配置によれば、第２の傾斜開始点Ｐ２がスロー
トハイト零点となる。第２のポール部２２を構成する第
１の磁性膜２２１及び第２の磁性膜２２２は、第１のポ
ール部２１を構成する磁性膜２１１、２１２よりも後に
形成されるので、第１のポール部２１を構成する磁性膜
２１２に生じる第１の傾斜開始点Ｐ１を、スロートハイ
ト零点として用いる場合よりも、より高精度で設定する
ことができる。
【００６８】図８は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の
例を示す図である。図において、先に示した図に現れた
構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号
を付してある。図８に図示された薄膜磁気ヘッドでは、
コイル膜２３は２層となっている。コイル膜２３は２層
以上であってもよい。絶縁膜２５は、少なくとも、コイ
ル膜２３の層数に応じた層数である２層２５１、２５２
だけ備えられ、各層２５１、２５２は順次に積層されて
いる。絶縁膜２５のうち、最下層絶縁膜２５１は、凹部
２１３内に充填され、表面が第１の磁性膜２２１と実質
的に同一の平面を構成している。
【００６９】第２の磁性膜２２２は、最上層の絶縁膜２
５２の表面に付着されている。第２の絶縁膜２２２の先
端側は、ＡＢＳ１３、１４側において、第１の磁性膜２
２１の表面上に付着され、後方側は、第１のポール部２
１を構成する磁性膜２１１、２１２に磁気的に結合され
ている。
【００７０】この実施例において、最下層の構造は図１
〜４に示した構造と実質的に同じであり、従って図１〜
４に示した実施例と同様の作用効果を奏する。
【００７１】図９は本発明に係る磁気ヘッド装置の一部
を示す正面図、図１０は図９に示した磁気ヘッド装置の
底面図である。磁気ヘッド装置は、ヘッド支持装置８
と、薄膜磁気ヘッド６と、ヘッド支持装置８とを含んで
いる。薄膜磁気ヘッド６は図１〜７を参照して説明した
本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。
【００７２】ヘッド支持装置８は本発明に係る薄膜磁気
ヘッド６を支持している。図示されたヘッド支持装置８
は、金属薄板でなる支持体８３の長手方向の一端にある
自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体８１を取付け、
この可撓体８１の下面に薄膜磁気ヘッド６を取付けた構
造となっている。
【００７３】可撓体８１は、支持体８３の長手方向軸線
と略平行して伸びる２つの外側枠部８５、８６と、支持
体８３から離れた端において外側枠部８５、８６を連結
する横枠８７と、横枠８７の略中央部から外側枠部８
５、８６に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片９３とを有する。
【００７４】舌状片９３のほぼ中央部には、支持体８３
から隆起した、例えば半球状の荷重用突起７７が設けら
れている。この荷重用突起７７により、支持体８３の自
由端から舌状片９３へ荷重力が伝えられる。
【００７５】舌状片９３の下面に薄膜磁気ヘッド６を接
着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド６
は、空気流出側が横枠８７の方向になるようにし、長さ
方向がヘッド支持装置８の長手方向に一致するように、
舌状片９３に取付けられている。本発明に適用可能なヘ
ッド支持装置８は、上記実施例に限らない。
【００７６】上述した磁気ヘッド装置は、本発明に係る
薄膜磁気ヘッド６を用いているので、本発明の薄膜磁気
ヘッドの奏する作用効果を全て享受できる。
【００７７】図１１は本発明に係る磁気ヘッド装置を用
いた磁気ディスク装置の平面図を示す。磁気ディスク装
置は、磁気ヘッド装置５と、少なくとも１枚の磁気ディ
スク４とを含む。
【００７８】磁気ヘッド装置５は、図９、１０に示した
ものでなり、図１〜４に示した本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッド６を有する。磁気ヘッド装置５は、位置決め装置７
に取り付けられている。
【００７９】磁気ディスク４は、磁気ヘッド装置５との
間で磁気記録及び再生を行う。より具体的には、磁気デ
ィスク４は、図示しない駆動装置により、矢印Ａ１の方
向に高速で回転駆動される。この高速回転により、磁気
ヘツド６に揚力動圧が発生し、磁気ヘッド６が微小隙間
（浮上量）を保って浮上する。磁気ヘッド６は、位置決
め装置７により、ｂ１方向またはｂ２方向へと、磁気デ
ィスク４のトラックをシークし、情報の記録再生を行
う。
【００８０】上述した磁気ディスク装置は、本発明に係
る薄膜磁気ヘッド６を用いた磁気ヘッド装置５を含むの
で、本発明の薄膜磁気ヘッドの奏する作用効果を全て享
受できる。
【００８１】次に、図１２〜図２７を参照し、図１〜４
に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。本発明
に係る製造方法はウエハー上で実行される。図１２はウ
エハーの一例を示す斜視図である。スライダとして利用
されるウエハ１の表面上に、多数の薄膜磁気ヘッド要素
Ｑ１１〜Ｑｎｍが整列されている。図１３〜２７は図１
２に示されたウエハ１に形成された多数の薄膜磁気ヘッ
ド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍの一つについて、その製造方法を
示す図である。
【００８２】まず、図１３、１４に示すように、スライ
ダとなるウエハ１上に付着された磁性膜２１１、２１２
の表面上に凹部２１３を形成する。凹部２１３はドライ
エッチングによって内側面が第１の傾斜角θ１で傾斜す
るように形成する。更に具体的には、図１３に示すよう
に、第１のシールド膜３１、絶縁膜３５、３６、ＭＲ書
き込み素子３、第２のシールド膜となる磁性膜２１１及
び磁性膜２１２を、周知のプロセスに従って形成した
後、磁性膜２１２の表面に、マスクＳ１を形成する。マ
スクＳ１はフォトレジストを用い、フォトリソグラフィ
工程によって形成することができる。磁性膜２１１は、
例えばFeNi膜であり、磁性膜２１２は、FeN、FeMN、FeM
C、FeMON（Ｍ＝B,Al,Si,Cr,Ti,Hf,Nb,Ta,Zr,Mo等）等の
高保磁力磁性材料によって構成される。磁性膜２１２は
スパッタまたはメッキ等の手段によって形成することが
できる。磁性膜２１２の膜厚は０．２〜３μｍ程度であ
る。但し、磁性膜２１２は省略することができる。
【００８３】次に、図１４に示すように、マスクＳ１を
付着させたままで、ドライエッチングを行う。ドライエ
ッチングとしては、イオンミリングが適している。この
エッチングプロセスを経ることにより、第１の傾斜角θ
１で傾斜する内側面を有する凹部２１３が形成される。
この後、図１５に示すように、マスクＳ１を除去する。
【００８４】次に、図１６、１７に示すように、凹部２
１３の内部に、コイル膜２３を磁性膜２１１から電気絶
縁して形成する。コイル膜２３を、磁性膜２１１から電
気絶縁する手段として、図１６に示すように、コイル膜
２３を形成する前に、凹部２１３の内面に現れる磁性膜
２１１の表面、及び、磁性膜２１２の表面に絶縁膜２１
４を付着させる。絶縁膜２１４はAl2O3、SiO2等の非磁
性絶縁材料によって構成することができる。また、その
膜厚は、０．２〜０．４μｍ程度にすることが望まし
い。このような材質及び膜厚の絶縁膜２１４は、スパッ
タによって形成することができる。
【００８５】絶縁膜２１４を形成した後、図１７に示す
ように、絶縁膜２１４の表面にＣｕ膜等でなるコイル膜
２３を形成する。コイル膜２３は周知のフォトリソグラ
フィ工程の適用によって形成される。
【００８６】次に、図１８に示すように、凹部２１３の
内部のコイル膜２３、及び、凹部２１３の外部に拡がる
絶縁膜２１４を覆うように、絶縁膜２５を形成する。絶
縁膜２５はAl2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料をスパッタ
することによって形成し、その後、表面を平坦化する。
平坦化手段としては、ＣＭＰ（ケミカル．メカニカル．
ポリシング）法が用いられる。
【００８７】次に、図１９、２０に示すように、凹部２
１３の前方及び後方において、絶縁膜２５を、リアクテ
ィブ．イオン．エッチング（ＲＩＥ）によってエッチン
グし、絶縁膜２５の外周面に傾斜面を付けると共に、磁
性膜２１２を露出させる。更に具体的に述べると、図１
９に示すように、平坦化された絶縁膜２５の表面にマス
クＳ２を形成する。マスクＳ２は、凹部２１３の上方に
形成される。マスクＳ２はフォトレジストを用い、フォ
トリソグラフィ工程によって形成することができる。そ
して、マスクＳ２を付着させた状態でリアクティブ．イ
オン．エッチング（ＲＩＥ）Ｅ１を実行する。ＲＩＥ
は、Al2O3、SiO2等をスパッタすることによって形成さ
れた絶縁膜２５に対して、極めて有効なエッチング作用
を及ぼすが、金属または合金磁性材料でなる磁性膜２１
２に対するエッチング作用は極めて低い。従って、図２
０に示すように、絶縁膜２５の外周面に、第２の傾斜角
θ２で傾斜する傾斜面が形成されると共に、磁性膜２１
２の表面が露出する。
【００８８】次に、図２１に示すように、露出した磁性
膜２１２の表面、及び、絶縁膜２５の表面に、ギャップ
膜２４を付着させる。ギャップ膜２４はスパッタによっ
て付着させることができる。
【００８９】次に、図２２、２３に示すように、凹部２
１３の後方に付着されたギャップ膜２４を除去して、磁
性膜２１２を露出させる。この工程では、まず、図２２
に示すように、凹部２１３の後方において、ギャップ膜
２４の除去すべき領域を除いて、マスクＳ３を付着さ
せ、イオンミリング等のドライエッチングを行う。これ
により、図２３に示すように、凹部２１３の後方におい
て、ギャップ膜２４が除去され、磁性膜２１２の表面が
露出する。マスクＳ３はフォトレジストを用い、フォト
リソグラフィ工程によって形成することができる。この
後、図２３に示すように、マスクＳ３を除去する。マス
クＳ３は、ケミカルエッチングによって除去できる。
【００９０】次に、図２４に示すように、ギャップ膜２
４の表面、及び、凹部２１３の後方に露出する磁性膜２
１２の表面に、高飽和磁束密度を有する第１の磁性膜２
２１を、例えばスパッタ等の手段によって成膜する。第
１の磁性膜２２１に用いられる高飽和磁束密度材料につ
いては、既に述べた通りである。第１の磁性膜２２１
は、最も低い表面が、絶縁膜２５の表面よりも高くなる
ように成膜する。
【００９１】次に、図２５に示すように、第１の磁性膜
２２１、ギャップ膜２４及び絶縁膜２５を平坦化する。
この平坦化は、第１の磁性膜２２１の表面及び絶縁膜２
５の表面が実質的に同一平面となるように行う。平坦化
手段としては、ＣＭＰ法を採用することができる。
【００９２】次に、図２６に示すように、第１の磁性膜
２２１の表面及び絶縁膜２５の表面に第２の磁性膜２２
２を付着させる。第２の磁性膜２２２はフレームメッキ
法によって形成することができる。第２の磁性膜２２２
の形成面は、平坦化されているから、第２の磁性膜２２
２のポール部分を、高精度の狭トラック幅を有するよう
に形成することができる。第２の磁性膜２２２をフレー
ムメッキ法によって形成する場合、図示はされていない
けれども、スパッタ等の手段によって、メッキ下地膜が
形成される。
【００９３】次に、図２７に示すように、保護膜２６を
スパッタ等の手段によって付着させる。この後、ウエハ
からバーを取り出す切断工程、バー上での溝入れ加工、
及びＡＢＳ研摩加工等の必要な工程を実行し、バーを切
断して、薄膜磁気ヘッドを取り出す。
【００９４】図２８〜図３５は図８に示した薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を示す図である。この製造方法は、図１
２〜図２５に示した工程を終了した後に適用される。図
２５に示したように、第１の磁性膜２２１、ギャップ膜
２４及び絶縁膜２５を平坦化する。この後、図２８に示
すように、第１の磁性膜２２１の表面及び絶縁膜２５１
の表面に磁性膜２２３を付着させる。磁性膜２２３はフ
レームメッキ法によって形成することができる。磁性膜
２２３の形成面は、平坦化されているから、磁性膜２２
３のポール部分を、高精度の狭トラック幅を有するよう
に形成することができる。磁性膜２２３をフレームメッ
キ法によって形成する場合、図示はされていないけれど
も、スパッタ等の手段によって、メッキ下地膜が形成さ
れる。
【００９５】次に、図２９に示すように、凹部２１３の
上方位置を除くパターンで、マスクＳ４を形成し、ミリ
ング等のドライエッチングを行う。マスクＳ４はフォト
レジストを用い、フォトリソグラフィ工程によって形成
することができる。これにより、図３０に示すように、
凹部２１３の上方の磁性膜２２３が除去される。
【００９６】次に、図３１に示すように、平坦化されて
いる絶縁膜２５１の表面に、２層目のコイル膜２３のパ
ターンを形成する。
【００９７】次に、図３２に示すように、コイル膜２３
の周りを、絶縁膜２５２によって埋める。この後、図３
３に図示するように、マスクＳ４を除去する。マスクＳ
４は、ケミカルエッチングによって除去できる。
【００９８】次に、図３４に示すように、磁性膜２２４
を形成する。磁性膜２２４をフレームメッキ法によって
形成する場合、図示はされていないけれども、スパッタ
等の手段によって、メッキ下地膜が形成される。これに
より、磁性膜２２３、２２４よりなる第２の磁性膜２２
２が形成される。また、図示はされていないが、磁性膜
２２４を形成した後、フレーム、及び、その下のメッキ
下地膜は、ドライエッチングまたはケミカルエッチング
により除去する。
【００９９】次に、図３５に示すように、保護膜２６を
スパッタ等の手段によって付着させる。この後、ウエハ
からバーを取り出す切断工程、バー上での溝入れ加工、
及びＡＢＳ研摩加工等の必要な工程を実行し、バーを切
断して、薄膜磁気ヘッドを取り出す。
【０１００】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【０１０１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）記録能力を高めた記録ポール構造を有する薄膜磁
気ヘッドを提供することができる。 （ｂ）高記録密度対応の記録ポール構造を有する薄膜磁
気ヘッドを提供することができる。 （ｃ）磁気飽和が生じにくく、特に、高周波記録特性に
優れた記録ポール構造を有する薄膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。 （ｄ）エイペックス角が小さく、しかも、スロートハイ
ト零点を高精度で制御し得る薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。 （ｅ）上述した薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ヘッド装置
及び磁気ディスク装置を提供することができる。 （ｆ）上述した薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製
造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの拡大断面図
である。
【図３】図１、２に図示された薄膜磁気ヘッドのポール
部分の拡大断面図である。
【図４】図１〜３に図示された薄膜磁気ヘッドのポール
部分の斜視図である。
【図５】図１〜４に図示された薄膜磁気ヘッドのポール
部分の拡大図である。
【図６】図１〜４に図示された薄膜磁気ヘッドにおける
第１の傾斜角θ１及び第２の傾斜角θ２と、オーバーラ
イト特性（Ｏ／Ｗ）及びＮＬＴＳ（％）との関係を示す
データである。
【図７】図１〜４に示した薄膜磁気ヘッドにおいて、磁
性膜の膜厚ｄ（μｍ）とＯ／Ｗ(-dB)との関係を示す実
測データである。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例
を示す断面図である。
【図９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ヘッ
ド装置の一部を示す正面図である。
【図１０】図９に示した磁気ヘッド装置の一部を示す底
面面である。
【図１１】本発明に係る薄膜磁気ヘッド及び磁気ヘッド
装置を用いた磁気ディスク装置の平面図である。
【図１２】図１〜４に示した薄膜磁気ヘッドの製造に用
いられるウエハの斜視図である。
【図１３】図１〜４に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法
における一工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図１５】図１４に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図１６】図１５に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図１７】図１６に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図１８】図１７に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図１９】図１８に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２０】図１９に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２１】図２０に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２２】図２１に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２３】図２２に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２４】図２３に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２５】図２４に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２６】図２５に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２７】図２６に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図２８】図８に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法に含
まれる一工程を示す面である。
【図２９】図２８に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図３０】図２９に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図３１】図３０に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図３２】図３１に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図３３】図３２に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図３４】図３３に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【図３５】図３４に示した工程の後の工程を示す面であ
る。
【符号の説明】
１ スライダ ２ 記録素子 ３ ＭＲ読み取り素子 ２１１ 磁性膜 ２１２ 磁性膜 ２１３ 凹部 ２２１ 第１の磁性膜 ２２２ 第２の磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金窪 勝也 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 伊藤 範之 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA07 BA12 BA15 BB43 DA05 DA08 DA31 5D034 BA03 BA15 BA17 BB03 DA07

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スライダと、少なくとも１つの記録素子
    とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、一面が媒体対向面を構成しており、 前記記録素子は、第１のポール部と、ギャップ膜と、コ
    イル膜と、絶縁膜と、第２のポール部とを含み、前記ス
    ライダに備えられており、 前記第１のポール部は、磁性膜で構成され、前記磁性膜
    は前記媒体対向面からその後方に延び一面に凹部を有し
    ており、 前記凹部は、前記第１のポール部の後方において前記磁
    性膜の前記一面に設定された第１の傾斜開始点から、第
    １の傾斜角θ１で落ち込むように形成されており、 前記絶縁膜は、前記凹部内に充填され、前記磁性膜の前
    記一面よりも上方の位置まで盛り上がり、少なくとも前
    記媒体対向面側の外面が傾斜面となっており、 前記ギャップ膜は、前記第１のポール部に隣接して備え
    られており、 前記コイル膜は、前記絶縁膜の内部に埋設されており、 前記第２のポール部は、第１の磁性膜と、第２の磁性膜
    とを含み、 前記第１の磁性膜は、前記第２の磁性膜よりも高い飽和
    磁束密度を有し、前記ギャップ膜に隣接して備えられ、
    第２の傾斜開始点から第２の傾斜角θ２で傾斜する部分
    を有し、前記第２の傾斜開始点は前記絶縁膜の前記傾斜
    面の傾斜に従って前記ギャップ膜上に生じる点であり、 前記第２の磁性膜は、前記第１の磁性膜に隣接し、前記
    絶縁膜の上に形成され、前記媒体対向面からその後方に
    延び、後方において、前記第１のポール部を構成する前
    記磁性膜に結合されている薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
    あって、 前記第１のポール部は、２つの磁性膜を有し、前記２つ
    の磁性膜は互いに隣接しており、その内の一方は前記媒
    体対向面からその後方に延び一面に前記凹部を有し、他
    方は前記一方の磁性膜よりも高い飽和磁束密度を有し前
    記ギャップ膜に隣接している薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
    薄膜磁気ヘッドであって、 前記第２の傾斜開始点は、前記第１の傾斜開始点より
    も、前記媒体対向面側にある薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された薄
    膜磁気ヘッドであって、 前記第２の傾斜角θ２は、２０°≦θ２≦６０°を満た
    す薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至３の何れかに記載された薄
    膜磁気ヘッドであって、 前記第１の傾斜角θ１は、２０°≦θ１≦６０°を満た
    す薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載された薄
    膜磁気ヘッドであって、 前記第１のポール部に含まれる前記他方の磁性膜及び前
    記第１のポール部に含まれる前記第１の磁性膜は、膜厚
    が２．０μｍ以下である薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載された薄
    膜磁気ヘッドであって、 前記絶縁膜は、セラミック絶縁膜である薄膜磁気ヘッ
    ド。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至７の何れかに記載された薄
    膜磁気ヘッドであって、 前記第１磁性膜及び前記絶縁膜は、その表面がほぼ同一
    の平面を構成しており、 前記第２の磁性膜は、前記平面上に付着されている薄膜
    磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載された薄膜磁気ヘッドで
    あって、 前記コイル膜は、一層であり、 前記第２の磁性膜は、前記平面上に連続膜として付着さ
    れている薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 請求項８に記載された薄膜磁気ヘッド
    であって、 前記コイル膜は、複数層であり、 前記絶縁膜は、少なくとも、前記コイル膜の層数に応じ
    た層数だけ備えられ、各層は順次に積層されており、 前記絶縁膜のうち、最下層絶縁膜は、前記凹部内に充填
    され、表面が前記第１の磁性膜と実質的に同一の平面を
    構成しており、 前記第２の磁性膜は、最上層の絶縁膜の上に付着されて
    いる薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 請求項１乃至１０の何れかに記載され
    た薄膜磁気ヘッドであって、 更に、磁気抵抗効果を利用した読み取り素子を含む薄膜
    磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記読み取り素子は、スピンバルブ膜構造を含む薄膜磁
    気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記読み取り素子は、ペロブスカイト磁性体を含む薄膜
    磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 請求項１１に記載された薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記読み取り素子は、強磁性トンネル接合素子を含む薄
    膜磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】 請求項１乃至１４の何れかに記載され
    た薄膜磁気ヘッドであって、 前記読み取り素子は、前記記録素子の下側に備えられて
    いる薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】 請求項１乃至１４の何れかに記載され
    た薄膜磁気ヘッドであって、 前記読み取り素子は、前記記録素子の上側に備えられて
    いる薄膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と
    を含む磁気ヘッド装置であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至１６の何れかに記
    載されたものであり、 前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持して
    いる磁気ヘッド装置。
  18. 【請求項１８】 磁気ヘッド装置と、少なくとも１枚の
    磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置であって、 前記磁気ヘッド装置は、請求項１７に記載されたもので
    あり、 前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置との間で磁気
    記録及び再生を行う磁気ディスク装置。
  19. 【請求項１９】 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 スライダとなるウエハ上に付着された磁性膜の表面上に
    凹部を形成し、前記凹部はドライエッチングによって内
    側面が第１の傾斜角で傾斜するように形成し、 前記凹部内に、コイル膜を電気絶縁して形成し、 前記凹部の内部及び外部を覆う絶縁膜を形成し、 前記凹部の前方及び後方において、前記絶縁膜を、リア
    クティブ．イオン．エッチングによってエッチングし、
    前記絶縁膜の外周面に傾斜面を付けると共に、前記磁性
    膜を露出させ、 露出した前記磁性膜の表面、及び、前記絶縁膜の表面
    に、ギャップ膜を付着させ、 前記凹部の後方に付着された前記ギャップ膜を除去し
    て、前記磁性膜を露出させ、 前記ギャップ膜の表面、及び、前記凹部の後方に露出す
    る前記磁性膜の表面に、高飽和磁束密度を有する第１の
    磁性膜を付着させ、 前記第１の磁性膜、前記ギャップ膜及び前記絶縁膜を平
    坦化し、前記平坦化は前記第１の磁性膜の表面及び前記
    絶縁膜の表面が実質的に同一平面となるように行い、 前記第１の磁性膜の表面及び前記絶縁膜の表面に第２の
    磁性膜を付着させる工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 請求項１９に記載された製造方法であ
    って、 前記ウエハ上に付着された前記磁性膜は、第１の層及び
    第２の層を含んでおり、 前記第２の層は、飽和磁束密度が前記第１の層よりも高
    い磁性膜でなり、前記第１の層の上に付着されており、 前記凹部は、前記第２の層を前後方向において分断し、
    前記第１の層をくぼませるように形成される製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１９に記載された製造方法であ
    って、 複数のコイル膜を有する薄膜磁気ヘッドの製造に適用さ
    れ、 前記第１の磁性膜の表面及び前記絶縁膜の表面に第２の
    磁性膜を付着させた後、更に、前記第２の磁性膜の内、
    前記凹部の上方に位置する部分を除去し、 前記第２の磁性膜の除去された部分に、次層のコイル
    膜、及び、次層の絶縁膜を付着させ、 前記第２の磁性膜及び前記絶縁膜の表面に、他の第２の
    磁性膜を付着させる工程を含む製造方法。
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