JP2001006903A - Thermistor and its resistance value adjusting method - Google Patents
Thermistor and its resistance value adjusting methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は主として温度センサ
や温度補償用途に用いられるサーミスタおよびその抵抗
値調整方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermistor mainly used for a temperature sensor or a temperature compensating device, and a method of adjusting a resistance value of the thermistor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のサーミスタは、絶縁基板上にサー
ミスタ層を形成し、このサーミスタ層上に所定の間隔を
有するように一対の電極を形成したものであった。また
このサーミスタの抵抗値を調整するときは、まずサーミ
スタの抵抗値を測定して所望の抵抗値との誤差を算出し
た後、レーザ照射によりサーミスタ層の一部を除去し、
再度抵抗値を測定し、また所望の抵抗値との誤差を算出
し、再びレーザ照射を行いサーミスタ層の一部を除去す
るというアナログ的な工程を繰り返すことにより、所望
の抵抗値に調整するものであった。2. Description of the Related Art A conventional thermistor is formed by forming a thermistor layer on an insulating substrate and forming a pair of electrodes on the thermistor layer at a predetermined interval. When adjusting the resistance value of this thermistor, first measure the resistance value of the thermistor, calculate an error with a desired resistance value, and then remove a part of the thermistor layer by laser irradiation,
A method of adjusting the resistance value to a desired value by measuring the resistance value again, calculating an error from the desired resistance value, and repeating the analog process of irradiating the laser again and removing a part of the thermistor layer. Met.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この構成によると、高
精度に抵抗値調整を行うためにサーミスタの抵抗値測定
を行う際はレーザ照射後十分な冷却時間を設け、サーミ
スタが安定状態となるようにする必要がある。従って、
抵抗値調整を行うためには、レーザ照射を繰り返し行う
だけでなくサーミスタの冷却工程を設けなければならな
いため、高精度で効率よく抵抗値調整を行うことができ
ないという問題点を有していた。According to this configuration, when measuring the resistance value of the thermistor in order to adjust the resistance value with high accuracy, a sufficient cooling time is provided after the laser irradiation so that the thermistor becomes stable. Need to be Therefore,
In order to adjust the resistance value, it is necessary not only to repeatedly perform laser irradiation but also to provide a thermistor cooling step. Therefore, there has been a problem that the resistance value cannot be adjusted with high accuracy and efficiency.
【０００４】そこで本発明は、所望の抵抗値に高精度か
つ容易に調整することのできるサーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。An object of the present invention is to provide a thermistor which can easily and precisely adjust a desired resistance value.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のサーミスタは、絶縁基板と、この上に設けた
サーミスタ層と、このサーミスタ層の上に形成した少な
くとも一対の電極と、複数の抵抗値調整用電極と、前記
一対の電極と前記抵抗値調整用電極とを絶縁状態とする
ためのスリットとを備え、前記複数の抵抗値調整用電極
を除去することによりサーミスタの抵抗値を所定の割合
だけ変化させる構成としたものであり、抵抗値調整用電
極の除去工程を一度行うだけで所望の抵抗値に調整でき
るので、上記目的を達成することができる。In order to achieve this object, a thermistor according to the present invention comprises an insulating substrate, a thermistor layer provided thereon, at least one pair of electrodes formed on the thermistor layer, A resistance adjusting electrode, and a slit for making the pair of electrodes and the resistance adjusting electrode insulated from each other, and removing the plurality of resistance adjusting electrodes to reduce the resistance of the thermistor. The configuration is such that the resistance is changed by a predetermined ratio, and the resistance value can be adjusted to a desired value by performing the step of removing the resistance value adjusting electrode only once, so that the above object can be achieved.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁基板と、この上に設けたサーミスタ層と、この
サーミスタ層の上に形成した少なくとも一対の電極と、
複数の抵抗値調整用電極と、前記一対の電極と前記抵抗
値調整用電極とを絶縁状態とするためのスリットとを備
え、前記複数の抵抗値調整用電極を除去することにより
サーミスタの抵抗値を所定の割合だけ変化させる構成と
したサーミスタであり、抵抗値の調整を容易に行うこと
ができるものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is directed to an insulating substrate, a thermistor layer provided thereon, at least one pair of electrodes formed on the thermistor layer,
A plurality of resistance adjusting electrodes, and a slit for insulating the pair of electrodes and the resistance adjusting electrode from each other, and removing the plurality of resistance adjusting electrodes to thereby reduce the resistance of the thermistor. Is changed by a predetermined ratio, and the resistance value can be easily adjusted.
【０００７】請求項２に記載の発明は、複数の抵抗値調
整用電極はサーミスタの抵抗値を２ n〔ｎ：０〜（抵抗
値調整用電極数−１の正の整数）〕ずつ変化させるよう
に形成したサーミスタであり、サーミスタの抵抗値を１
％刻みで、１％から２n-1％まで変化させることができ
る。According to a second aspect of the present invention, a plurality of resistance value adjustments are provided.
The adjusting electrode has a thermistor resistance of 2 n[N: 0 to (resistance
(Positive integer of value adjustment electrode number -1)]
And the resistance of the thermistor is 1
1% to 2 in% incrementsn-1% Can be changed
You.
【０００８】請求項３に記載の発明は、一対の電極表面
に絶縁層を形成した請求項１あるいは請求項２に記載の
サーミスタであり、抵抗値調整用電極を除去する際、そ
の残渣がサーミスタ上に飛散したとしてもショート不良
の発生を抑制することのできるものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a thermistor according to the first or second aspect, wherein an insulating layer is formed on a surface of the pair of electrodes. Even if it scatters on the top, the occurrence of short-circuit failure can be suppressed.
【０００９】請求項４に記載の発明は、絶縁基板上にサ
ーミスタ層を形成する第１工程と、次にこのサーミスタ
層の上に少なくとも一対の電極と、複数の抵抗値調整用
電極とを形成する第２工程と、次いで前記電極と前記抵
抗値調整用電極および前記各抵抗値調整用電極間を絶縁
状態とするためのスリットを形成しサーミスタを得る第
３工程と、その後前記サーミスタの抵抗値を測定し目標
抵抗値との差の割合を演算処理する第４工程と、次にこ
の演算結果に基づき前記抵抗値調整用電極を除去する第
５工程とを備えたサーミスタの抵抗値調整方法であり、
容易にかつ効率よく抵抗値調整を行うことができるもの
である。According to a fourth aspect of the present invention, a first step of forming a thermistor layer on an insulating substrate, and then forming at least one pair of electrodes and a plurality of resistance value adjusting electrodes on the thermistor layer A second step of forming a slit for forming an insulating state between the electrode and the resistance adjusting electrode and each of the resistance adjusting electrodes to obtain a thermistor; and thereafter, a resistance value of the thermistor. And a fifth step of calculating the ratio of the difference from the target resistance value, and then removing the resistance value adjusting electrode based on the calculation result. Yes,
The resistance value can be adjusted easily and efficiently.
【００１０】請求項５に記載の発明は、第３工程と第４
工程の間にサーミスタの表面に絶縁層を形成する工程を
設ける請求項４に記載のサーミスタの抵抗値調整方法で
あり、絶縁層を形成する際の熱処理などによりサーミス
タの抵抗値が変化するおそれがあるが、抵抗値調整前に
絶縁層を形成しておくことにより、抵抗値調整後のサー
ミスタの抵抗値変化を防止することができる。The invention according to claim 5 is characterized in that the third step and the fourth step
5. The method for adjusting a resistance value of a thermistor according to claim 4, wherein a step of forming an insulating layer on the surface of the thermistor is provided between the steps, wherein the resistance value of the thermistor may change due to heat treatment or the like when forming the insulating layer. However, by forming the insulating layer before adjusting the resistance value, it is possible to prevent a change in the resistance value of the thermistor after adjusting the resistance value.
【００１１】請求項６に記載の発明は、第５の工程にお
いて除去する抵抗値調整用電極の下層のサーミスタ層も
除去する請求項４あるいは請求項５に記載のサーミスタ
の抵抗値調整方法であり、より高精度に抵抗値調整を行
うことができるものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for adjusting the resistance of a thermistor according to the fourth or fifth aspect, wherein the thermistor layer under the resistance adjusting electrode to be removed in the fifth step is also removed. In addition, the resistance value can be adjusted with higher accuracy.
【００１２】以下に本発明の実施の形態について図面を
参照しながら説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】（実施の形態１）図１は本実施の形態１に
おけるサーミスタの上面図、図２は図１のＡ−Ｂ線に沿
う断面図であり、１は絶縁基板、２はサーミスタ層、３
ａ，３ｂは電極、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは抵抗値調整
用電極、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはスリット、６はトリ
ミング溝である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a top view of a thermistor according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line AB in FIG. 1, wherein 1 is an insulating substrate, 2 is a thermistor layer, 3
Reference numerals a and 3b denote electrodes, 4a, 4b, 4c and 4d denote resistance adjusting electrodes, 5a, 5b, 5c and 5d denote slits, and 6 denotes a trimming groove.
【００１４】このサーミスタは以下の方法により得られ
る。This thermistor is obtained by the following method.
【００１５】まず、アルミナあるいは結晶化ガラスから
なる絶縁基板１上にＭｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ａｌの内
少なくとも二種類からなる複合酸化物をターゲットに高
周波スパッタリングによりサーミスタ層２を形成する。
スパッタリングは、絶縁基板１とサーミスタ層２の密着
性を向上させるために絶縁基板１を２００〜４００℃に
加熱して、スパッタリングガスにはＡｒにＯ2を流量比
で約５％程度導入し、ガス圧は０．２〜５．０Ｐａの範
囲で行う。なお、サーミスタ層２の厚みは０．２〜３．
０μｍの範囲である。First, a thermistor layer 2 is formed on an insulating substrate 1 made of alumina or crystallized glass by high frequency sputtering using a composite oxide of at least two of Mn, Co, Ni, Fe and Al as a target.
In the sputtering, the insulating substrate 1 is heated to 200 to 400 ° C. in order to improve the adhesion between the insulating substrate 1 and the thermistor layer 2, and O 2 is introduced into Ar as a sputtering gas at a flow ratio of about 5%, The gas pressure is set in the range of 0.2 to 5.0 Pa. In addition, the thickness of the thermistor layer 2 is 0.2-3.
The range is 0 μm.
【００１６】次に、絶縁基板１上に形成したサーミスタ
層２が所望の結晶構造となるような温度（６００〜１０
００℃）で熱処理を行い、サーミスタ層２の結晶化を行
う。その後、サーミスタ層２の上面に全体にスパッタリ
ングでＰｔあるいはＡｕ等からなる約０．１μｍの厚み
の薄膜を形成する。このスパッタリングは、基板温度１
００〜３００℃、スパッタリングガスとしてＡｒを用
い、ガス圧は０．２〜５．０Ｐａの範囲で行う。Next, at a temperature (600 to 10) at which the thermistor layer 2 formed on the insulating substrate 1 has a desired crystal structure.
(00 ° C.) to crystallize the thermistor layer 2. Thereafter, a thin film having a thickness of about 0.1 μm made of Pt, Au, or the like is formed on the entire surface of the thermistor layer 2 by sputtering. This sputtering is performed at a substrate temperature of 1
Ar is used as the sputtering gas at 00 to 300 ° C., and the gas pressure is in the range of 0.2 to 5.0 Pa.
【００１７】次いで、反応性イオンエッチング、ウエッ
トエッチング、リフトオフ等のフォトリソグラフィープ
ロセスを用い、一対の電極３ａ，３ｂを形成すると同時
に電極３ｂの一部を延長するような形で抵抗値調整用電
極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを形成する。この抵抗値調整
用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは、それぞれ除去したと
きにサーミスタの抵抗値変化率が２n-1％(ｎ：１〜抵抗
値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの数）ずつ変化す
るように、つまり本実施の形態１においては、４本の抵
抗値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを除去すると、
それぞれサーミスタの抵抗値が初期値と比較して１％、
２％、４％、８％変化するように形成するのである。Next, by using a photolithography process such as reactive ion etching, wet etching, or lift-off, a pair of electrodes 3a and 3b are formed and simultaneously a resistance adjusting electrode 4a is formed so as to extend a part of the electrode 3b. , 4b, 4c, 4d. When the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d are respectively removed, the rate of change of the resistance of the thermistor when removed is 2 n-1 % (n: 1 to the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d). ), That is, in the first embodiment, when the four resistance value adjusting electrodes 4a, 4b, 4c, and 4d are removed,
Each thermistor resistance is 1% compared to the initial value,
It is formed so as to change by 2%, 4% and 8%.
【００１８】さらに、電極３ｂと抵抗値調整用電極４
ａ、抵抗値調整用電極４ａと４ｂ、４ｂと４ｃ、４ｃと
４ｄ間のサーミスタ層２を反応性イオンエッチング、ウ
エットエッチング、あるいはサンドブラスト等の方法を
用いて除去することにより４本のスリット５ａ，５ｂ，
５ｃ，５ｄを形成する。このスリット５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄは、電極３ｂと抵抗値調整用電極４ａ、抵抗値
調整用電極４ａと４ｂ、４ｂと４ｃ、４ｃと４ｄ間の電
気的絶縁が確保できるようなものであれば良い。Further, the electrode 3b and the resistance adjusting electrode 4
a, by removing the thermistor layer 2 between the resistance adjusting electrodes 4a and 4b, 4b and 4c, and 4c and 4d using a method such as reactive ion etching, wet etching, or sandblasting, the four slits 5a, 5b,
5c and 5d are formed. These slits 5a, 5b, 5
c and 5d may be any as long as electrical insulation between the electrode 3b and the resistance adjusting electrode 4a and between the resistance adjusting electrodes 4a and 4b, 4b and 4c, and 4c and 4d can be ensured.
【００１９】この本実施の形態１のサーミスタは、抵抗
値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを選択的に除去す
ることにより、サーミスタの抵抗値を初期値比較すると
１〜１５％まで１％刻みで調整することができる。The thermistor according to the first embodiment selectively removes the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c, and 4d, so that the resistance value of the thermistor is 1% from 1% to 15% when compared to the initial value. Can be adjusted in increments.
【００２０】なお、本実施の形態１においては、抵抗値
調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを４本形成している
が、その数は何本形成してもかまわない。従って抵抗値
調整用電極の数をｎ（ｎは１以上の整数）本とすると、
この抵抗値調整用電極を除去したときに、サーミスタの
抵抗値変化率がそれぞれ２0％、２1％、２2％、…、２
n-1％となるように設定することで、抵抗値調整用電極
を除去することでサーミスタの抵抗値を２0％＝１％〜
２n-1％まで１％刻みでデジタル的に調整することが可
能となるのである。In the first embodiment, four resistance value adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d are formed, but any number may be formed. Therefore, if the number of resistance value adjusting electrodes is n (n is an integer of 1 or more),
When removing the resistance value adjustment electrodes, 2 0% resistance change ratio of the thermistor, respectively, 2 1%, 2 2%, ..., 2
By setting so that n-1%, 2 0% the resistance of the thermistor by removing the resistance value adjustment electrodes = 1%
It is possible to digitally adjust to 2 n-1 % in 1% steps.
【００２１】また、本実施の形態１においては、サーミ
スタの抵抗値を１％刻みで調整できるように抵抗値調整
用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを形成したが、これはサ
ーミスタの求められる抵抗値との公差が±１％の場合に
対応するためである。従って、例えば求められる抵抗値
との公差が±３％の時はサーミスタの抵抗値が３％刻み
あるいはそれ以下の割合で変化するように抵抗値調整用
電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを形成すればよい。In the first embodiment, the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d are formed so that the resistance of the thermistor can be adjusted in 1% steps. This is to deal with a case where the tolerance with respect to the value is ± 1%. Therefore, for example, when the tolerance with the required resistance value is ± 3%, the resistance value adjusting electrodes 4a, 4b, 4c, 4d are formed so that the resistance value of the thermistor changes by 3% or less. I just need.
【００２２】さらにスリット５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを
設けるときは、各抵抗値調整用電極間及び抵抗値調整用
電極と電極間との絶縁状態が確実に確保できるようにす
る必要がある。なぜならば、これらの電気的絶縁が確保
できていないと、各電極間の相互作用により、デジタル
的に抵抗値調整を行うことが難しくなるからである。Further, when the slits 5a, 5b, 5c, 5d are provided, it is necessary to ensure the insulation between the resistance adjusting electrodes and between the resistance adjusting electrodes. This is because, if these electrical insulations cannot be secured, it is difficult to digitally adjust the resistance value due to the interaction between the electrodes.
【００２３】さらにまた、サーミスタの抵抗値は抵抗値
調整用電極を除去することにより、増加することとな
る。そのため、サーミスタの抵抗値が最初から目標抵抗
値となるように電極３ａ，３ｂ及び抵抗値調整用電極４
ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを形成すると、サーミスタの初期
抵抗値が高い場合、抵抗値の調整が不可能となる。従っ
て、サーミスタの抵抗値が目標抵抗値よりも低くなるよ
うに電極３ａ，３ｂ及び抵抗値調整用電極４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄを形成することにより、抵抗値調整が不可能
なものが発生するのを防ぐことができる。Furthermore, the resistance value of the thermistor is increased by removing the resistance adjusting electrode. Therefore, the electrodes 3a and 3b and the resistance adjusting electrode 4 are adjusted so that the resistance of the thermistor becomes the target resistance from the beginning.
When a, 4b, 4c, and 4d are formed, the resistance cannot be adjusted when the initial resistance of the thermistor is high. Accordingly, the electrodes 3a, 3b and the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4b are set such that the resistance of the thermistor is lower than the target resistance.
By forming the layers 4c and 4d, it is possible to prevent the occurrence of a state in which the resistance value cannot be adjusted.
【００２４】次に、本実施の形態のサーミスタの抵抗値
調整方法について説明する。Next, a method of adjusting the resistance value of the thermistor according to the present embodiment will be described.
【００２５】ここでは基準温度２５℃における目標抵抗
値１０ｋΩに近づくよう抵抗値調整を行う場合について
説明する。Here, a case where the resistance value is adjusted so as to approach the target resistance value of 10 kΩ at the reference temperature of 25 ° C. will be described.
【００２６】まず、基準温度２５℃におけるサーミスタ
の初期抵抗値の測定を行い、初期抵抗値の測定結果から
目標抵抗値１０ｋΩとの差の割合の演算処理を行った。
なお、目標抵抗値との差の割合の演算処理は、目標抵抗
値をＲｔ（ｋΩ）、初期抵抗値をＲｉ（ｋΩ）、差の割
合をＲｄ（％）とし、Ｒｄ＝（Ｒｔ−Ｒｉ）／Ｒｉ×１
００にて算出した。First, the initial resistance value of the thermistor at a reference temperature of 25 ° C. was measured, and from the measurement result of the initial resistance value, a process of calculating the ratio of the difference from the target resistance value of 10 kΩ was performed.
The calculation process of the ratio of the difference from the target resistance value is as follows: the target resistance value is Rt (kΩ), the initial resistance value is Ri (kΩ), the difference ratio is Rd (%), and Rd = (Rt−Ri) / Ri × 1
00 was calculated.
【００２７】次にこの演算処理結果に基づき、最も目標
抵抗値に近づくようにトリミングする抵抗値調整用電極
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの組合せを選択し、レーザ照射
により抵抗値調整用電極のトリミングを行う。３０００
個のサーミスタについて、抵抗値調整を行い、調整後の
抵抗値を測定すると、９０％以上の高い確率でサーミス
タが１０ｋΩ±１％の範囲に納まっていることを確認し
た。Next, based on the result of the arithmetic processing, a combination of resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d to be trimmed so as to be closest to the target resistance value is selected, and the resistance adjusting electrodes are trimmed by laser irradiation. I do. 3000
The resistance value of each thermistor was adjusted, and the resistance value after the adjustment was measured. As a result, it was confirmed that the thermistor was within the range of 10 kΩ ± 1% with a high probability of 90% or more.
【００２８】この方法においては、予めトリミングすべ
き抵抗値調整用電極が規定されているので、１回のレー
ザ照射を行うだけで、サーミスタを目標抵抗値あるいは
目標抵抗値との公差の範囲内の抵抗値にすることができ
るので、従来のようにレーザ照射、冷却の工程を繰り返
して行う必要がないため、容易にかつ効率よく抵抗値調
整を行うことができるのである。In this method, since the electrode for adjusting the resistance value to be trimmed is specified in advance, the laser can only be irradiated once to set the thermistor at the target resistance value or within the tolerance range of the target resistance value. Since the resistance value can be set, the laser irradiation and cooling steps do not need to be repeated as in the conventional case, so that the resistance value can be adjusted easily and efficiently.
【００２９】なお、抵抗値調整用電極４ａ，４ｂ，４
ｃ，４ｄをトリミングする際は、サーミスタ層２を残し
て抵抗値調整用電極のみを除去することが望ましい。こ
の理由としては、抵抗値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，
４ｄをレーザ照射によりトリミングする際に、抵抗値調
整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの下層あるいは周囲の
サーミスタ層２を同時にトリミングしてしまうと、サー
ミスタ層２のトリミング量に応じ本来目標としていた抵
抗値変化率に対し、ずれを生じてしまうためである。し
かしながら抵抗値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの
みを除去することは非常に困難である。The resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4
When trimming c and 4d, it is desirable to remove only the resistance value adjusting electrode while leaving the thermistor layer 2. The reason for this is that the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c,
When the 4d is trimmed by laser irradiation, if the thermistor layer 2 below or around the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c, 4d is trimmed at the same time, the target is originally set according to the trimming amount of the thermistor layer 2. This is because a deviation occurs with respect to the resistance value change rate. However, it is very difficult to remove only the resistance value adjusting electrodes 4a, 4b, 4c, 4d.
【００３０】従って、図１、図２に示すように、抵抗値
調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと電極３ｂとの接続
部分を下層のサーミスタ層２を含め、レーザ照射により
トリミングしてトリミング溝６を設ける方法を用いるこ
とにより、より簡単に抵抗値調整をすることが可能とな
る。抵抗値調整効果をさらに高めるために、トリミング
溝６の底部には、絶縁基板が露出するように抵抗値調整
用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄだけでなくその下層のサ
ーミスタ層２を完全に除去する必要がある。Therefore, as shown in FIGS. 1 and 2, the connection between the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c, 4d and the electrode 3b, including the lower thermistor layer 2, is trimmed by laser irradiation. By using the method of providing the groove 6, the resistance value can be adjusted more easily. In order to further enhance the resistance adjusting effect, not only the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d but also the thermistor layer 2 thereunder are completely removed at the bottom of the trimming groove 6 so that the insulating substrate is exposed. There is a need to.
【００３１】（実施の形態２）図３は本実施の形態２に
おけるサーミスタの上面図、図４は図３のＣ−Ｄ線に沿
う断面図である。(Embodiment 2) FIG. 3 is a top view of a thermistor according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line CD of FIG.
【００３２】図３および図４に示す通り、一対の電極３
ａ，３ｂの外部端子との接続部分を除いて、電極３ａ，
３ｂ、抵抗値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ、サー
ミスタ層２の表面に絶縁層７を形成している以外は実施
の形態１のサーミスタと同様の構成である。As shown in FIGS. 3 and 4, a pair of electrodes 3
The electrodes 3a, 3b, except for the portions connected to the external terminals of the electrodes 3a, 3b
The configuration is the same as that of the thermistor according to the first embodiment except that the insulating layer 7 is formed on the surface of the thermistor layer 2 and the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c, and 4d.
【００３３】このサーミスタの製造方法について説明す
る。A method for manufacturing the thermistor will be described.
【００３４】まず実施の形態１と同様に実施の形態２に
示すサーミスタを作製する。First, the thermistor according to the second embodiment is manufactured in the same manner as in the first embodiment.
【００３５】次に、ガラスまたはエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料を用いて形成し
たペーストをスクリーン印刷により、所定の位置に塗布
した後、所定の温度での熱処理により焼成あるいは硬化
をすることにより、絶縁層７を形成する。このときサー
ミスタの表面に凹凸が生じないように絶縁層７を形成す
る。Next, a paste formed using glass or an insulating material such as an epoxy resin, a phenol resin, or a polyimide resin is applied to a predetermined position by screen printing, and then baked or cured by heat treatment at a predetermined temperature. Thereby, the insulating layer 7 is formed. At this time, the insulating layer 7 is formed so that the surface of the thermistor does not have irregularities.
【００３６】このサーミスタの抵抗値調整方法は、絶縁
層７の上からレーザを照射し、トリミングを行う以外は
実施の形態１の抵抗値調整方法と同様の方法にて行う。The method of adjusting the resistance of the thermistor is the same as the method of adjusting the resistance of the first embodiment, except that the laser is irradiated from above the insulating layer 7 and trimming is performed.
【００３７】この絶縁層７は、水分や異物がサーミスタ
層２に浸入し、特性変化を起こすのを防止するためのも
のであるが、抵抗値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ
のトリミング処理の前に絶縁層７を形成しておくことに
より、抵抗値調整用電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをレー
ザ照射によりトリミングする際、抵抗値調整用電極４
ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを形成する金属粉末や下層のサー
ミスタ層２が周囲に飛散し、サーミスタの表面に付着す
ることにより発生するショート不良等を防止することが
できる。The insulating layer 7 is for preventing moisture and foreign matter from entering the thermistor layer 2 and causing a change in characteristics. The insulating layer 7 has resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d.
By forming the insulating layer 7 before the trimming process, when the resistance adjusting electrodes 4a, 4b, 4c and 4d are trimmed by laser irradiation, the resistance adjusting electrodes 4
It is possible to prevent a short-circuit failure or the like that occurs when the metal powder forming the a, 4b, 4c, and 4d or the lower thermistor layer 2 scatters around and adheres to the surface of the thermistor.
【００３８】また、抵抗値調整後に絶縁層７を形成する
と、絶縁層７を形成する際の熱処理などによりサーミス
タの抵抗値が変化するおそれがあるが、抵抗値調整前に
絶縁層７を形成しておくことにより、抵抗値調整後のサ
ーミスタの抵抗値変化を防止することができる。If the insulating layer 7 is formed after the resistance value adjustment, the resistance value of the thermistor may change due to heat treatment or the like at the time of forming the insulating layer 7, but the insulation layer 7 is formed before the resistance value adjustment. By doing so, it is possible to prevent a change in the resistance value of the thermistor after the resistance value adjustment.
【００３９】また、抵抗値調整後のサーミスタのトリミ
ング溝６部分は、サーミスタ層２及び電極３ｂ、抵抗値
調整用電極４ｂが露出した状態である。従って水分や異
物の浸入を防止するために、トリミング溝６の部分を同
様の絶縁材料を用いて絶縁層を形成しても、この部分は
サーミスタの抵抗値にはほとんど寄与していないためサ
ーミスタの抵抗値変化は殆ど無い。In the trimming groove 6 of the thermistor after the resistance value adjustment, the thermistor layer 2, the electrode 3b, and the resistance value adjustment electrode 4b are exposed. Therefore, even if an insulating layer is formed on the trimming groove 6 by using the same insulating material in order to prevent the penetration of moisture or foreign matter, this portion hardly contributes to the resistance value of the thermistor. There is almost no change in resistance.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上、本発明によると所望の抵抗値に容
易に調整することのできるサーミスタを提供することが
できる。As described above, according to the present invention, a thermistor that can be easily adjusted to a desired resistance value can be provided.
【図１】本発明の実施の形態１におけるサーミスタの上
面図FIG. 1 is a top view of a thermistor according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ｂ断面図FIG. 2 is a sectional view taken along a line AB in FIG.
【図３】本発明の実施の形態２におけるサーミスタの上
面図FIG. 3 is a top view of a thermistor according to Embodiment 2 of the present invention.
【図４】図３のＣ−Ｄ断面図FIG. 4 is a sectional view taken along line CD of FIG. 3;
１ 絶縁基板 ２ サーミスタ層 ３ａ 電極 ３ｂ 電極 ４ａ 抵抗値調整用電極 ４ｂ 抵抗値調整用電極 ４ｃ 抵抗値調整用電極 ４ｄ 抵抗値調整用電極 ５ａ スリット ５ｂ スリット ５ｃ スリット ５ｄ スリット ６ トリミング溝 ７ 絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Thermistor layer 3a Electrode 3b Electrode 4a Resistance adjustment electrode 4b Resistance adjustment electrode 4c Resistance adjustment electrode 4d Resistance adjustment electrode 5a Slit 5b Slit 5c Slit 5d Slit 6 Trimming groove 7 Insulating layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 迫田 洋子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 勝又 雅昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 野村 幸治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E034 BA09 BB08 DA02 DB04 DB05 DE14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoko Sakoda 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Koji Nomura 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference) 5E034 BA09 BB08 DA02 DB04 DB05 DE14
Claims (6)
層と、このサーミスタ層の上に形成した少なくとも一対
の電極と、複数の抵抗値調整用電極と、前記一対の電極
と前記抵抗値調整用電極とを絶縁状態とするためのスリ
ットとを備え、前記複数の抵抗値調整用電極を除去する
ことによりサーミスタの抵抗値を所定の割合だけ変化さ
せる構成としたサーミスタ。1. An insulating substrate, a thermistor layer provided thereon, at least one pair of electrodes formed on the thermistor layer, a plurality of resistance value adjusting electrodes, the pair of electrodes and the resistance value adjustment A thermistor having a slit for making the electrode and the electrode insulated from each other, wherein the resistance value of the thermistor is changed by a predetermined ratio by removing the plurality of resistance value adjusting electrodes.
の抵抗値を２n〔ｎ：０〜（抵抗値調整用電極数−１の
正の整数）〕ずつ変化させるように形成した請求項１に
記載のサーミスタ。2. The plurality of resistance value adjusting electrodes are formed so as to change the resistance value of the thermistor by 2 n [n: 0 (a positive integer of the number of resistance value adjusting electrodes−1)]. 2. The thermistor according to 1.
項１または請求項２に記載のサーミスタ。3. The thermistor according to claim 1, wherein an insulating layer is formed on a surface of the pair of electrodes.
１工程と、次にこのサーミスタ層の上に少なくとも一対
の電極と複数の抵抗値調整用電極とを形成する第２工程
と、次いで前記電極と前記抵抗値調整用電極および前記
各抵抗値調整用電極間を絶縁状態とするためのスリット
を形成しサーミスタを得る第３工程と、その後前記サー
ミスタの抵抗値を測定し目標抵抗値との差の割合を演算
処理する第４工程と、次にこの演算結果に基づき前記抵
抗値調整用電極を除去する第５工程とを備えたサーミス
タの抵抗値調整方法。4. A first step of forming a thermistor layer on an insulating substrate, a second step of forming at least one pair of electrodes and a plurality of resistance value adjusting electrodes on the thermistor layer, and A third step of obtaining a thermistor by forming a slit for insulating the electrode and the resistance adjusting electrode and each of the resistance adjusting electrodes into an insulated state, and then measuring the resistance of the thermistor to obtain a target resistance. A method for adjusting the resistance of a thermistor, comprising: a fourth step of calculating the ratio of the difference; and a fifth step of removing the resistance adjusting electrode based on the result of the calculation.
表面に絶縁層を形成する工程を設ける請求項４に記載の
サーミスタの抵抗値調整方法。5. The method according to claim 4, wherein a step of forming an insulating layer on the surface of the thermistor is provided between the third step and the fourth step.
用電極の下層のサーミスタ層も除去する請求項４あるい
は請求項５に記載のサーミスタの抵抗値調整方法。6. The method for adjusting a resistance value of a thermistor according to claim 4, wherein the thermistor layer below the resistance value adjusting electrode to be removed in the fifth step is also removed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17205199A JP2001006903A (en) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | Thermistor and its resistance value adjusting method |
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| JP17205199A JP2001006903A (en) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | Thermistor and its resistance value adjusting method |
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|---|---|
| JP2001006903A true JP2001006903A (en) | 2001-01-12 |
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| JP (1) | JP2001006903A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2023013455A1 (en) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 |
-
1999
- 1999-06-18 JP JP17205199A patent/JP2001006903A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2023013455A1 (en) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | ||
| WO2023013455A1 (en) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | Resistor, method of manufacturing same, and device including resistor |
| JP7469570B2 (en) | 2021-08-06 | 2024-04-16 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | Resistor, its manufacturing method and device equipped with resistor |
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