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JP2000502237A - 電子部品、特に弾性表面波により作動する部品―saw部品 - Google Patents

電子部品、特に弾性表面波により作動する部品―saw部品

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JP2000502237A
JP2000502237A JP09523211A JP52321197A JP2000502237A JP 2000502237 A JP2000502237 A JP 2000502237A JP 09523211 A JP09523211 A JP 09523211A JP 52321197 A JP52321197 A JP 52321197A JP 2000502237 A JP2000502237 A JP 2000502237A
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パール、ウォルフガング
シュテルツル、アロイス
クリューガー、ハンス
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シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンデイート ゲゼルシヤフト
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    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders or supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's

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  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 SAW部品がキャップ状のカバー(2)により気密に周囲の影響に対し密封されている導電構造(3)を有しており、その際カバー(2)の窓(7)内にそこにある導電構造(3)の接続パッドにより金属化部が、またカバー(2)上にスルーホール(5)を介してパッド金属化部(4)と接続されるろう接可能の金属化部(6)が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】 電子部品、特に弾性表面波により 作動する部品−SAW部品 この発明は、この発明の請求項1に記載の上位概念に基づく電子部品、特に弾 性表面波により作動する部品(SAW部品)に関する。 先のドイツ連邦共和国特許出願第P4415411.9号明細書には基板上の 部品構造を封止するキャップを有する電子部品の密封構造が記載されており、そ の際キャップは基板上に設けられている部品構造の範囲にそれらを収容する凹所 を有しているカバーにより形成されている。このような密封構造は部品構造を周 囲の影響から保護し、従ってこのように密封された電子部品は別の容器なしでそ のまま使用することができる。 小型化が進むにつれて最小の容器容積及び高さの低い部品が求められている。 例えば電子部品を例えばテレホンカード又はクレジットカードのようなチップカ ードに使用する場合にこの種の要求が課せられる。上述の先のドイツ連邦共和国 特許出願明細書による密封構造を備えた部品はこのような要求を最もよく満たし ている。 この発明の課題は、上述の形式のSMDアセンブリーに適した部品を提供する ことにある。 この課題は、冒頭に記載した形式のこの発明による部品では請求項1に記載の 特徴により解決される。 この発明の実施態様は請求項2以下の対象である。 この発明を図示の実施例に基づき以下に詳述する。その際 図1はこの発明によるSMDアセンブリーに適したSAW部品の概略図、 図2は図1の部品の概略部分平面図を示す。 図1によればSAW部品は一般に圧電基板1及びその上に備えられている例え ばインタデジタル変換器、共振器又は反射器の電極フィンガーであってもよい導 電構造3から成る。冒頭に記載した先のドイツ連邦共和国特許出願明細書に記載 されているように、導電構造3は構造を周囲の影響から保護するキャップ2によ り覆われている。この部品はカバー2及び基板1を容器として直接更に使用する ことができる。 この発明によればSMDアセンブリーに適した導電構造3の電気的接触化のた めの接触部が設けられている。図1に見られるようにカバー2には窓7が設けら れており、窓7には金属化部4があり、この金属化部は導電構造3の(図示され ていない)接続面(パッド)と接触している。更にカバー2上にはSMDアセン ブリーに適したろう接可能の金属化部6が設けられており、この金属化部6はス ルーホール5を介してパッド金属化部4と接続されている。 この発明の実施態様ではパッド金属化部4、スルーホール5及びカバー2上の ろう接可能の金属化部6は同じ材料から形成されており、それにより僅かな経費 で製造される利点を有する。 カバー2上にある少なくともろう接可能の金属化部6はチタン、タングステン 、ニッケル、金の材料の積層により形成することができ、その際チタン及びタン グステンはカバー2上の接着性を、ニッケルはろう接可能性を、金は酸化保護を 保証する。チタン及びタングステンの層厚は0.1μm以下、またニッケルの層 厚は約1μm、金は約0.1μmであると有利である。 価格的に特に有利な変形例は、TiW、Cu又はNi及びAuから成るその厚 さが合わせて10μm以下、有利には0.3μmの積層の蒸着、この層のパルスレ ーザ照射による構造化及びCuでの無電流補強にある。 多数の部品システムを含んでいる基板ウェハにスルーホール5が形成されるの で、スルーホールはそれぞれスルーホールの一部がその都度1つの部品システム に割り当てられるように、即ち2つの部品システムに対し1つのスルーホールで 間に合うように配置可能である。 またスルーホールを余分に形成することによって、即ち1つのパッドに2つの スルーホールを割り当てることによって信頼性を高めることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュテルツル、アロイス ドイツ連邦共和国 デー―81549 ミュン ヘン トラウンシュタインシュトラーセ 33 (72)発明者 クリューガー、ハンス ドイツ連邦共和国 デー―81737 ミュン ヘン ペラローシュトラーセ 13

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 電子部品、特に基板(1)上に設けられた琳電構造(3)がキャップ・フ ード状のカバーにより周囲の影響に対して気密に密封されている、SMDアセン ブリーに適した接触部を有する弾性表面波で作動する部品(SAW部品)におい て、カバー(2)の窓(7)にある導電構造(3)の接続面(パッド)上に金属 化部(4)が、またカバー(2)上にろう接可能の金属化部(6)が設けられて おり、このろう接可能の金属化部(6)がスルーホール(5)を介してパッド金 属化部(4)と接続されていることを特徴とする電子部品。 2. パッド金属化部(4)、スルーホール(5)及びカバー(2)上のろう接 可能の金属化部(6)が同じ材料から形成されていることを特徴とする請求項1 記載の電子部品。 3. 少なくともカバー(2)上のろう接可能の金属化部(6)がチタン、タン グステン、ニッケル、金の材料の積層により形成されていることを特徴とする請 求項1又は2記載の電子部品。 4. チタン及びタングステンが0.1μm以下の層厚を、ニッケルが約1μmの 層厚を、また金が約0.1μmの層厚を有していることを特徴とする請求項1乃 至3の1つに記載の電子部品。 5. 金属化部(6)をTiW、Cu又はNi及び金の積層の蒸着、パルスレー ザ照射による構造化及び銅での無電流補強により形成することを特徴とする請求 項1乃至4の1つに記載の電子部品の製造方法。 6. 積層を合わせて10μmの厚さに形成することを特徴とする請求項5記載 の方法。 7. 積層を0.1μmの厚さに形成することを特徴とする請求項6記載の方法 。 8. この積層上に0.1μmの厚さで金を析出することを特徴とする請求項5 乃至7の1つに記載の方法。 9. 金属化部(6)でスルーホール(5)を形成することを特徴とする請求項 5乃至8の1つに記載の方法。 10. それぞれ1つのパッド(4)に少なくとも2つのスルーホール(5)を 割り当てることを特徴とする請求項5乃至9の1つに記載の方法。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6242842B1 (en) * 1996-12-16 2001-06-05 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production
DE19818824B4 (de) * 1998-04-27 2008-07-31 Epcos Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3974346B2 (ja) * 2001-03-30 2007-09-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
DE10125746C1 (de) * 2001-05-21 2003-02-06 Siemens Ag Verfahren zur Abschirmung einer auf einer Leiterplatte realisierten elektrischen Schaltung und eine entsprechende Kombination einer Leiterplatte mit einer Abschirmung
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
KR100446258B1 (ko) * 2002-07-08 2004-09-01 쌍신전자통신주식회사 압전단결정을 이용한 고주파 체적음향파소자 및 그 제조방법
JP2005537661A (ja) * 2002-08-28 2005-12-08 シリコン・ライト・マシーンズ・コーポレーション 非シリコン系素子のウエハー段階でのシール
US6877209B1 (en) * 2002-08-28 2005-04-12 Silicon Light Machines, Inc. Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer
US6846423B1 (en) 2002-08-28 2005-01-25 Silicon Light Machines Corporation Wafer-level seal for non-silicon-based devices
DE10329329B4 (de) * 2003-06-30 2005-08-18 Siemens Ag Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung
US7608789B2 (en) * 2004-08-12 2009-10-27 Epcos Ag Component arrangement provided with a carrier substrate
DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
DE102005053767B4 (de) 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005053765B4 (de) 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
US7551819B2 (en) * 2006-03-02 2009-06-23 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Multiple-core photonic-bandgap fiber with coupling between the cores
JP5807413B2 (ja) * 2011-07-04 2015-11-10 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス用パッケージ、電子デバイスおよび電子機器
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
JP2021016035A (ja) * 2019-07-10 2021-02-12 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5478694A (en) * 1977-12-05 1979-06-22 Matsushima Kogyo Co Ltd Crystal vibrator
DE3138743A1 (de) * 1981-09-29 1983-04-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München In einem dichten gehaeuse montiertes oberflaechenwellenfilter und dergleichen
US4639631A (en) 1985-07-01 1987-01-27 Motorola, Inc. Electrostatically sealed piezoelectric device
JPS62109420A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子
JPH01213018A (ja) * 1988-02-22 1989-08-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波ディバイスの構造
US5438305A (en) * 1991-08-12 1995-08-01 Hitachi, Ltd. High frequency module including a flexible substrate
JPH0590872A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 表面弾性波素子
EP0759231B1 (de) 1994-05-02 1998-12-23 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Verkapselung für elektronische bauelemente
US5939817A (en) * 1994-09-22 1999-08-17 Nippon Electric Co Surface acoustic wave device
JP2872056B2 (ja) * 1994-12-06 1999-03-17 日本電気株式会社 弾性表面波デバイス
JP3301262B2 (ja) * 1995-03-28 2002-07-15 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
EP0794616B1 (en) * 1996-03-08 2003-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An electronic part and a method of production thereof

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Publication number Publication date
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DE19548048C2 (de) 1998-01-15
CN1171322C (zh) 2004-10-13
DE19548048A1 (de) 1997-06-26
JP4060360B2 (ja) 2008-03-12
CA2241147A1 (en) 1997-07-03
EP0868779B1 (de) 2000-05-17
DE59605263D1 (de) 2000-06-21
WO1997023952A1 (de) 1997-07-03
US6310420B1 (en) 2001-10-30

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