JP2000349099A - はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法 - Google Patents
はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップをリードフレームやセラミック
スパッケージなどのダイボンディング部にはんだを用い
てダイボンディングする際に、位置ずれせずに正確に固
着する、はんだの接合方法と半導体装置の製造方法。 【解決手段】 スクラブ終了後に、再度、コレット２を
微少量下降させて溶融したはんだ１５に半導体チップ１
を押し付けてしばらく保持し、はんだ１５の膜厚を１μ
ｍ程度にすることにより、半導体チップを基板３にはん
だ接合する。
スパッケージなどのダイボンディング部にはんだを用い
てダイボンディングする際に、位置ずれせずに正確に固
着する、はんだの接合方法と半導体装置の製造方法。 【解決手段】 スクラブ終了後に、再度、コレット２を
微少量下降させて溶融したはんだ１５に半導体チップ１
を押し付けてしばらく保持し、はんだ１５の膜厚を１μ
ｍ程度にすることにより、半導体チップを基板３にはん
だ接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をリー
ドフレームやセラミックスパッケージなどのダイボンデ
ィング部に、はんだを用いて固着するはんだ接合方法と
半導体装置の製造方法に関する。
ドフレームやセラミックスパッケージなどのダイボンデ
ィング部に、はんだを用いて固着するはんだ接合方法と
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程でのダイボンディ
ングは、ウエハをダイシングにより個々に分割したチッ
プをワイヤボンディングによりパッケージに配線するの
に先立って、チップをパッケージの所定位置にフェイス
アップ（上向き）で固定している。フェイスダウン（下
向き）で接続するワイヤレスボンディングでは不必要な
工程であるが、リードフレームやセラミックパッケージ
等の基板に直接固定するのでチップの放熱性が優れてい
るという大きな特徴もある。
ングは、ウエハをダイシングにより個々に分割したチッ
プをワイヤボンディングによりパッケージに配線するの
に先立って、チップをパッケージの所定位置にフェイス
アップ（上向き）で固定している。フェイスダウン（下
向き）で接続するワイヤレスボンディングでは不必要な
工程であるが、リードフレームやセラミックパッケージ
等の基板に直接固定するのでチップの放熱性が優れてい
るという大きな特徴もある。
【０００３】ダイボンディングには、Ａｕ−Ｓｉ共晶合
金法やはんだ接着法や導電性樹脂接着法が主として用い
られている。
金法やはんだ接着法や導電性樹脂接着法が主として用い
られている。
【０００４】はんだ接着法は、接着剤としてはんだを用
いるもので、通常、酸化防止雰囲気内で、加熱したヒー
トブロック上に、リードフレームやセラミックスパッケ
ージ等を載置し、これらのダイボンディング部にはんだ
を溶融させ、そこに、半導体チップ吸着用のコレットで
半導体チップを吸着し、この半導体チップを溶融はんだ
の上に接触させつつ、コレットを振動させることでチッ
プをスクラブしている。このスクラブ動作は、半導体チ
ップへのはんだの濡れをよくする効果がある。このスク
ラブ後に、コレットの吸着を解除して半導体チップから
コレットを離した後に、半導体チップが搭載されたリー
ドフレームや、セラミックスパッケージなどをヒートブ
ロックから取り除くことで、はんだ接合部を冷却して固
着させるものである。
いるもので、通常、酸化防止雰囲気内で、加熱したヒー
トブロック上に、リードフレームやセラミックスパッケ
ージ等を載置し、これらのダイボンディング部にはんだ
を溶融させ、そこに、半導体チップ吸着用のコレットで
半導体チップを吸着し、この半導体チップを溶融はんだ
の上に接触させつつ、コレットを振動させることでチッ
プをスクラブしている。このスクラブ動作は、半導体チ
ップへのはんだの濡れをよくする効果がある。このスク
ラブ後に、コレットの吸着を解除して半導体チップから
コレットを離した後に、半導体チップが搭載されたリー
ドフレームや、セラミックスパッケージなどをヒートブ
ロックから取り除くことで、はんだ接合部を冷却して固
着させるものである。
【０００５】なお、これらに関連する技術は、例えば、
特開平４−１６３９２５号公報に記載されている。
特開平４−１６３９２５号公報に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
技術では、はんだが溶融した状態で半導体チップをコレ
ットから離した後に、はんだが溶融した状態で、半導体
チップを保持しているリードフレーム等をヒートブロッ
クから取り除いているが、はんだが所定温度で冷却する
までは、はんだは固着しない。
技術では、はんだが溶融した状態で半導体チップをコレ
ットから離した後に、はんだが溶融した状態で、半導体
チップを保持しているリードフレーム等をヒートブロッ
クから取り除いているが、はんだが所定温度で冷却する
までは、はんだは固着しない。
【０００７】したがって、このような方法だと、位置決
めした半導体チップがはんだが固着するまでにずれてし
まったりする恐れがある。また、特に、複数のチップを
を同時に搭載する場合には、先に搭載した半導体チップ
の位置が、次の半導体チップを搭載する際に影響を受け
て、ずらされてしまうという問題が生じる場合が発生す
る。
めした半導体チップがはんだが固着するまでにずれてし
まったりする恐れがある。また、特に、複数のチップを
を同時に搭載する場合には、先に搭載した半導体チップ
の位置が、次の半導体チップを搭載する際に影響を受け
て、ずらされてしまうという問題が生じる場合が発生す
る。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、半導体チップをリードフレームやセラミッ
クスパッケージなどのダイボンディング部にはんだを用
いてダイボンディングする際に、位置ずれせずに正確に
固着する、はんだ接合方法と半導体装置の製造方法を提
供することを目的としている。
れたもので、半導体チップをリードフレームやセラミッ
クスパッケージなどのダイボンディング部にはんだを用
いてダイボンディングする際に、位置ずれせずに正確に
固着する、はんだ接合方法と半導体装置の製造方法を提
供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による手
段によれば、部品とはんだを擦り合せてなじませる工程
と、前記部品を前記はんだ側に相対的に変位させ前記は
んだの厚さを薄くする工程とを具備することを特徴とす
るはんだ接合方法である。
段によれば、部品とはんだを擦り合せてなじませる工程
と、前記部品を前記はんだ側に相対的に変位させ前記は
んだの厚さを薄くする工程とを具備することを特徴とす
るはんだ接合方法である。
【００１０】また請求項２の発明による手段によれば、
半導体チップをはんだでダイに接合する工程を有する半
導体装置の製造方法であって、前記半導体チップで前記
ダイ上のはんだを擦る工程と、前記半導体チツプを相対
的に変位させて前記はんだの温度が下がりやすくなるよ
うに前記はんだの厚さを薄くし固着する工程とを具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
半導体チップをはんだでダイに接合する工程を有する半
導体装置の製造方法であって、前記半導体チップで前記
ダイ上のはんだを擦る工程と、前記半導体チツプを相対
的に変位させて前記はんだの温度が下がりやすくなるよ
うに前記はんだの厚さを薄くし固着する工程とを具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１１】また請求項３の発明による手段によれば、
前記半導体チップは、裏面にメタライズ処理が施されて
いることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
前記半導体チップは、裏面にメタライズ処理が施されて
いることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１２】また請求項４の発明による手段によれば、
前記はんだは、前記半導体装置の裏面にメタライズされ
ている金属成分を組成内に取込むと融点が上昇するもの
であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
前記はんだは、前記半導体装置の裏面にメタライズされ
ている金属成分を組成内に取込むと融点が上昇するもの
であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１３】また請求項５の発明による手段によれば、
前記半導体チップの裏面にメタライズされている金属の
組成は、その中にはＡｕが含まれていることを特徴とす
る半導体装置の製造方法である。
前記半導体チップの裏面にメタライズされている金属の
組成は、その中にはＡｕが含まれていることを特徴とす
る半導体装置の製造方法である。
【００１４】また請求項６の発明による手段によれば、
前記はんだの組成は、Ｐｂ−Ｓｎ系であることを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
前記はんだの組成は、Ｐｂ−Ｓｎ系であることを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明に係るダイボンディング装置
の実施の形態を示す概略構成図である。図１に示すダイ
ボンディング装置は、主として、半導体チップ１を保持
するボンディングツールであるコレット２と、基板３を
保持するボンディングステージ４と、コレット２を昇降
自在に支持するツール駆動系５と、ボンディングステー
ジ４を水平移動自在に支持するステージ駆動系６と、コ
レット２を水平方向に微動させるためのスクラブ機能部
７とから構成されている。
の実施の形態を示す概略構成図である。図１に示すダイ
ボンディング装置は、主として、半導体チップ１を保持
するボンディングツールであるコレット２と、基板３を
保持するボンディングステージ４と、コレット２を昇降
自在に支持するツール駆動系５と、ボンディングステー
ジ４を水平移動自在に支持するステージ駆動系６と、コ
レット２を水平方向に微動させるためのスクラブ機能部
７とから構成されている。
【００１７】コレット２は、そのツール先端部（図中下
端部）に図示せぬ真空吸着部を有し、この真空吸着部に
て半導体チップ１をフェースアップ、つまり電極形成面
が上向きになるように保持するものである。またコレッ
ト２には、図示せぬボンディング荷重を検知するための
ロードセルが内蔵されている。
端部）に図示せぬ真空吸着部を有し、この真空吸着部に
て半導体チップ１をフェースアップ、つまり電極形成面
が上向きになるように保持するものである。またコレッ
ト２には、図示せぬボンディング荷重を検知するための
ロードセルが内蔵されている。
【００１８】ボンディングステージ４は、そのステージ
上部に図示せぬ真空吸着部とヒータブロックを有し、こ
の真空吸着部にて基板３のチップ実装面側が上向きにな
るよう、基板３を半導体チップ１と対向する状態で保持
するものである。
上部に図示せぬ真空吸着部とヒータブロックを有し、こ
の真空吸着部にて基板３のチップ実装面側が上向きにな
るよう、基板３を半導体チップ１と対向する状態で保持
するものである。
【００１９】ヒータブロックの温度は、この上面にセッ
トされるセラミックスパッケージのダイボンディンク面
の温度が使用するはんだの融点より数度高くなるように
設定されている。
トされるセラミックスパッケージのダイボンディンク面
の温度が使用するはんだの融点より数度高くなるように
設定されている。
【００２０】ツール駆動系５は、駆動源となるサーボモ
ータ８と、このサーボモータ８を制御するコントロ−ラ
８Ａと、サーボモータ７とコレット２とを連結する連結
機構９等から成るもので、駆動対象となるコレット２を
Ｚ方向（垂直方向）に移動可能に支持している。
ータ８と、このサーボモータ８を制御するコントロ−ラ
８Ａと、サーボモータ７とコレット２とを連結する連結
機構９等から成るもので、駆動対象となるコレット２を
Ｚ方向（垂直方向）に移動可能に支持している。
【００２１】ステージ移動系６は、駆動源となるサーボ
モータ１０と、このサーボモータ１０を制御するコント
ローラ１１と、サーボモータ１０とボンディングステー
ジ４との間を連結する連結機構１２等から成るもので、
駆動対象となるボンディングステージ４をＸＹ方向（水
平方向）に移動可能に支持している。
モータ１０と、このサーボモータ１０を制御するコント
ローラ１１と、サーボモータ１０とボンディングステー
ジ４との間を連結する連結機構１２等から成るもので、
駆動対象となるボンディングステージ４をＸＹ方向（水
平方向）に移動可能に支持している。
【００２２】スクラブ機能部７は、コレット２をＸＹ方
向（水平方向）に微動させるもので、例えば上述したツ
ール駆動系５とは独立したかたちでコレット２のみをＸ
Ｙ方向に微動させる駆動系により構成される。
向（水平方向）に微動させるもので、例えば上述したツ
ール駆動系５とは独立したかたちでコレット２のみをＸ
Ｙ方向に微動させる駆動系により構成される。
【００２３】このスクラブ機能部７によトるスクラブ
量、スクラブスピード、スクラブ回数等については、ス
テージ移動方向となるＸ，Ｙ方向ごとに、その駆動系の
動作制御プログラムを変更することで任意に設定できる
構成になっている。また、スクラブ機能部７は、他のボ
ンディングパラメータから独立しているため、スクラブ
動作を開始するタイミングや、その時のボンディング条
件（温度，荷重等）についても任意に設定できる構成に
なっている。
量、スクラブスピード、スクラブ回数等については、ス
テージ移動方向となるＸ，Ｙ方向ごとに、その駆動系の
動作制御プログラムを変更することで任意に設定できる
構成になっている。また、スクラブ機能部７は、他のボ
ンディングパラメータから独立しているため、スクラブ
動作を開始するタイミングや、その時のボンディング条
件（温度，荷重等）についても任意に設定できる構成に
なっている。
【００２４】また、図には示さないが、コレットの側方
には、はんだに酸化を防止するために溶融したはんだに
３００℃に加熱されたＮ２ガスを吹き付けるノズルが設
けられており、ボンディング面は酸化防止雰囲気に覆わ
れるようになっている。
には、はんだに酸化を防止するために溶融したはんだに
３００℃に加熱されたＮ２ガスを吹き付けるノズルが設
けられており、ボンディング面は酸化防止雰囲気に覆わ
れるようになっている。
【００２５】続いて、これらの構成によるダイボンディ
ング装置の動作について説明する。
ング装置の動作について説明する。
【００２６】先ず、コレット２の先端部に電極形成面側
を上向きにして裏面にＡｕ等のメタライズ処理が施され
た半導体チップ１を吸着させる。
を上向きにして裏面にＡｕ等のメタライズ処理が施され
た半導体チップ１を吸着させる。
【００２７】一方、ヒートブロックにより３３０℃に加
熱されたボンディングステージ４上にチップ実装面側を
上向きにしてボンディング部に図示しないはんだ箔を載
置したセラミックスサブマウントの基板３を吸着固定さ
せ所定時間加熱する。それにより基板３のダイボンディ
ング部の表面に溶融したはんだが形成される。
熱されたボンディングステージ４上にチップ実装面側を
上向きにしてボンディング部に図示しないはんだ箔を載
置したセラミックスサブマウントの基板３を吸着固定さ
せ所定時間加熱する。それにより基板３のダイボンディ
ング部の表面に溶融したはんだが形成される。
【００２８】次に、サーボモータ１０を駆動しつつ、半
導体チツプ１と基板３のボンディング位置との位置合わ
せを行った後、サーボモータ７の駆動によりコレット２
を下降させる。その際に、ノズルから３００℃に加熱さ
れたＮ２ガスを４ｌ／ｍｉｎでダイボンディング部に吹
き付ける。
導体チツプ１と基板３のボンディング位置との位置合わ
せを行った後、サーボモータ７の駆動によりコレット２
を下降させる。その際に、ノズルから３００℃に加熱さ
れたＮ２ガスを４ｌ／ｍｉｎでダイボンディング部に吹
き付ける。
【００２９】以下、接合工程について図２（ａ）〜
（ｂ）により説明する。図２（ａ）に示すように、セラ
ミックスサブマウントの基板３上の所定位置で溶融した
はんだ１５の上に半導体チップ１を吸着したコレット２
を移動させる。更にコレット２を下降させて、図２
（ｂ）に示すように、溶融したはんだ３に半導体チップ
１を接触させ、接触した位置で、コレット２を左右に５
〜１０秒間往復振動させることによってスクラブを行っ
て、半導体チップ１の表面にはんだ３をなじませる様に
はんだ３を塗り広げる。
（ｂ）により説明する。図２（ａ）に示すように、セラ
ミックスサブマウントの基板３上の所定位置で溶融した
はんだ１５の上に半導体チップ１を吸着したコレット２
を移動させる。更にコレット２を下降させて、図２
（ｂ）に示すように、溶融したはんだ３に半導体チップ
１を接触させ、接触した位置で、コレット２を左右に５
〜１０秒間往復振動させることによってスクラブを行っ
て、半導体チップ１の表面にはんだ３をなじませる様に
はんだ３を塗り広げる。
【００３０】続いて、図２（ｃ）に示すように、スクラ
ブ終了後に、再度、コレット２を微少量下降させ、さら
にはんだ３の膜厚が薄くなるように、半導体チップ１を
押し付けてしばらく保持する。この際のはんだ３の膜厚
を１μｍ程度にする。
ブ終了後に、再度、コレット２を微少量下降させ、さら
にはんだ３の膜厚が薄くなるように、半導体チップ１を
押し付けてしばらく保持する。この際のはんだ３の膜厚
を１μｍ程度にする。
【００３１】その後に、図２（ｄ）に示すように、コレ
ット２の真空引きを解除し、上昇させて半導体チップ１
からコレット２を離す。
ット２の真空引きを解除し、上昇させて半導体チップ１
からコレット２を離す。
【００３２】上述の各工程により、特に、スクラブ終了
後に、再度、コレット２を微少量下降させて溶融したは
んだ３に半導体チップ１を押し付けてしばらく保持す
る。このとき、はんだ３の膜厚を１μｍ程度である。こ
れにより、はんだ３の熱容量が非常に小さくなり、はん
だ３が有していた熱が周囲に放出され、特に周囲の温度
調整を要することなく固体化する。これにより接合が完
了する。
後に、再度、コレット２を微少量下降させて溶融したは
んだ３に半導体チップ１を押し付けてしばらく保持す
る。このとき、はんだ３の膜厚を１μｍ程度である。こ
れにより、はんだ３の熱容量が非常に小さくなり、はん
だ３が有していた熱が周囲に放出され、特に周囲の温度
調整を要することなく固体化する。これにより接合が完
了する。
【００３３】さて、半導体チップ１には、予め裏面にめ
っきや真空蒸着で、はんだ３になじみやすいＮｉ−Ａｕ
膜、Ｔｉ−Ｎｉ−Ａｕ膜やＣｒ−Ａｕ膜等がメタライズ
処理されているので、それらの膜の中からＡｕがはんだ
３の膜の中に入ってはんだ３の組成比が変わる。このは
んだ３の組成比の変化により、はんだ３の融点が上昇す
る。それ以前には、はんだ３が溶融状態になっていた温
度でもはんだ３が固体化しやすくなり、さらに固着させ
やすくする。
っきや真空蒸着で、はんだ３になじみやすいＮｉ−Ａｕ
膜、Ｔｉ−Ｎｉ−Ａｕ膜やＣｒ−Ａｕ膜等がメタライズ
処理されているので、それらの膜の中からＡｕがはんだ
３の膜の中に入ってはんだ３の組成比が変わる。このは
んだ３の組成比の変化により、はんだ３の融点が上昇す
る。それ以前には、はんだ３が溶融状態になっていた温
度でもはんだ３が固体化しやすくなり、さらに固着させ
やすくする。
【００３４】例えば、半導体素子の裏面にＡｕがメッキ
されていて、Ｓｕ−Ｐｂ系の共晶はんだ３ではんだ３付
けをする場合は、半導体素子裏面のＡｕがはんだ３内に
拡散していき、はんだ３の組成比が変化する（相対的な
Ｓｎの割合が減る）。その結果、はんだ３の融点が上昇
してはんだ３が固着しやすくなる。
されていて、Ｓｕ−Ｐｂ系の共晶はんだ３ではんだ３付
けをする場合は、半導体素子裏面のＡｕがはんだ３内に
拡散していき、はんだ３の組成比が変化する（相対的な
Ｓｎの割合が減る）。その結果、はんだ３の融点が上昇
してはんだ３が固着しやすくなる。
【００３５】また、図３（ａ）〜（ｂ）は半導体チップ
１に反りがある場合の変形例の説明で、各工程について
は、上述の図２（ａ）〜（ｄ）の工程と同様であるが、
この場合は、はんだ３による接合と同時に半導体チップ
１´の反りを矯正できる作用も得られる。すなわち、上
記した実施例のように本発明によれば、コレット２の先
端で半導体チップを押し付けることにより接合を行うこ
とが出来るが、このコレット２の先端の形状を任意に設
定すことによって、半導体チッブの接合されるときの形
状を規制することが出来る。
１に反りがある場合の変形例の説明で、各工程について
は、上述の図２（ａ）〜（ｄ）の工程と同様であるが、
この場合は、はんだ３による接合と同時に半導体チップ
１´の反りを矯正できる作用も得られる。すなわち、上
記した実施例のように本発明によれば、コレット２の先
端で半導体チップを押し付けることにより接合を行うこ
とが出来るが、このコレット２の先端の形状を任意に設
定すことによって、半導体チッブの接合されるときの形
状を規制することが出来る。
【００３６】たとえば、図３（ａ）に示すコレット２の
先端は、ボンディングステージ４上に載置された基板３
がなす面と略平行な平面である。このコレット２により
基板３上に盛られたはんだ１５に押し付けられる半導体
チップははんだ１５側に凸になるように沿っているが、
コレツト２の平面部が押し付けられることにより、この
コレット２の先端形状に倣って、反りが矯正される。図
３（ｂ）に示すように、チップが矯正された状態で急速
にはんだ１５が冷却作用を生じて固化するから、反りが
矯正された状態が保持される。
先端は、ボンディングステージ４上に載置された基板３
がなす面と略平行な平面である。このコレット２により
基板３上に盛られたはんだ１５に押し付けられる半導体
チップははんだ１５側に凸になるように沿っているが、
コレツト２の平面部が押し付けられることにより、この
コレット２の先端形状に倣って、反りが矯正される。図
３（ｂ）に示すように、チップが矯正された状態で急速
にはんだ１５が冷却作用を生じて固化するから、反りが
矯正された状態が保持される。
【００３７】反りがあると、半導体チップ上の入出力端
子の位置が変わってしまう難点があったが、それを矯正
することによって、設計に忠実に素子を製造することが
容易になった。
子の位置が変わってしまう難点があったが、それを矯正
することによって、設計に忠実に素子を製造することが
容易になった。
【００３８】また、コレット２で半導体チップ１を押し
付けたときに、はんだ１５を固着させることができるの
で、基板３の上に複数の半導体チップ１を搭載している
場合でも、隣接するお互いの半導体チップ１のはんだ１
５による接合工程が影響することがなく、正確な位置を
決め精度が得られる。したがって、特に、基板３の上に
高精度なマルチチップを搭載する際のボンディングでも
正確な位置を決め精度が得られて好適である。
付けたときに、はんだ１５を固着させることができるの
で、基板３の上に複数の半導体チップ１を搭載している
場合でも、隣接するお互いの半導体チップ１のはんだ１
５による接合工程が影響することがなく、正確な位置を
決め精度が得られる。したがって、特に、基板３の上に
高精度なマルチチップを搭載する際のボンディングでも
正確な位置を決め精度が得られて好適である。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置のダイボン
ディングで、はんだ接合の際に、半導体チップをはんだ
接合した基板を、載置しているヒータブロックから外さ
なくてもはんだを固着することができ、高精度の位置決
めのボンディングを行うことができる。
ディングで、はんだ接合の際に、半導体チップをはんだ
接合した基板を、載置しているヒータブロックから外さ
なくてもはんだを固着することができ、高精度の位置決
めのボンディングを行うことができる。
【図１】本発明に係るダイボンディング装置の実施の形
態を示す概略構成図。
態を示す概略構成図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るダイボンディン
グ装置の接合工程についての説明図。
グ装置の接合工程についての説明図。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は本発明に係るダイボンディン
グ装置の変形例の接合工程についての説明図。
グ装置の変形例の接合工程についての説明図。
１…半導体装置、２…コレット、３…基板、４…ボンデ
ィングステージ、７…スクラブ機能部、１５…はんだ
ィングステージ、７…スクラブ機能部、１５…はんだ
Claims (6)
- 【請求項１】 部品とはんだを擦り合せてなじませる工
程と、前記部品を前記はんだ側に相対的に変位させ前記
はんだの厚さを薄くする工程とを具備することを特徴と
するはんだ接合方法。 - 【請求項２】 半導体チップをはんだでダイに接合する
工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導
体チップで前記ダイ上のはんだを擦る工程と、前記半導
体チツプを相対的に変位させて前記はんだの温度が下が
りやすくなるように前記はんだの厚さを薄くし固着する
工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記半導体チップは、裏面にメタライズ
処理が施されていることを特徴とする請求項２記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記はんだは、前記半導体装置の裏面に
メタライズされている金属成分を組成内に取込むと融点
が上昇するものであることを特徴とする請求項２記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記半導体チップの裏面にメタライズさ
れている金属の組成は、その中にはＡｕが含まれている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記はんだの組成は、Ｐｂ−Ｓｎ系であ
ることを特徴とする請求項２乃至５記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15957999A JP2000349099A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15957999A JP2000349099A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349099A true JP2000349099A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15696806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15957999A Pending JP2000349099A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349099A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-06-07 JP JP15957999A patent/JP2000349099A/ja active Pending
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