JP2000347215A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 生産性を落とすことなくコンタクトホールの
微細化を行うことにより高精細化、高開口率化が可能な
オンチップカラーフィルタ構造のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、オンチップカ
ラーフィルタ構造において、カラーフィルタを形成する
画素開口部のゲート絶縁膜およびパッシベーション膜を
除去する構造をとっており、薄膜トランジスタのソース
部などの段差部上のカラーフィルタのパターンを形成す
るカラーフィルタ膜厚が、画素開口部上のカラーフィル
タ膜厚より薄くなる構造を備えている。
微細化を行うことにより高精細化、高開口率化が可能な
オンチップカラーフィルタ構造のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、オンチップカ
ラーフィルタ構造において、カラーフィルタを形成する
画素開口部のゲート絶縁膜およびパッシベーション膜を
除去する構造をとっており、薄膜トランジスタのソース
部などの段差部上のカラーフィルタのパターンを形成す
るカラーフィルタ膜厚が、画素開口部上のカラーフィル
タ膜厚より薄くなる構造を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
液晶表示装置およびその製造方法に関し、特にスイッチ
ング素子が形成された基板上にカラーフィルタを有する
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方
法に関する。
液晶表示装置およびその製造方法に関し、特にスイッチ
ング素子が形成された基板上にカラーフィルタを有する
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ）
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬ
ＣＤ）の開発が活発に行われている。このＡＭＬＣＤに
おいて、ＴＦＴを形成した基板（以下ＴＦＴ基板）にカ
ラーフィルタを作り込むオンチップカラーフィルタ構造
を採用することにより、目合わせが容易になることが特
開平８−１２２８２４(以下従来例１) 、特開平９−２
９２６３３等に報告されている。図５は従来例１に開示
されたオンチップカラーフィルタ構造を採用したＡＭＬ
ＣＤの単位画素部であり、同図（ａ）はその平面図、
（ｂ）はその断面図である。ＴＦＴ基板２１は、ガラス
基板９と、その上に形成され、信号を書き込む画素を選
択するための走査線１と、書き込む信号を供給するため
の信号線２と、それらの交点に形成され画素を駆動する
ためのＴＦＴ３からなる。このうち、ＴＦＴ３はガラス
基板９上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極１
２を覆うようにして設けられたゲート絶縁膜１０と、ゲ
ート絶縁膜１０上に形成された半導体層２４、ドレイン
電極１３およびソース電極１４と、それらの全てを覆う
ようにして設けられたパッシベーション膜１１とを備え
ている。また走査線１はゲート電極１２と接続され、信
号線２はドレイン電極１３と接続されている。パッシベ
ーション膜１１上にはカラーフィルタ８、ブラックマト
リクス４が設けられ、さらにこれらを保護するオーバー
コート層１９が形成されている。カラーフィルタ８の形
成は、顔料分散型の感光性ネガ型レジストをスピンコー
ト法により塗布した後、露光、現像、焼成して行う。オ
ーバーコート層１９上に画素電極７が設けられ、コンタ
クトホール５を介してＴＦＴのソース電極１４と接続さ
れている。また、オーバーコート層１９および画素電極
７上には、液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や
傾き（プレチルト）に制御するための配向膜（図示せ
ず）が設けられている。ＣＦ基板２２は、ＣＦガラス基
板１５上に、対向電極１６と、配向膜（図示せず）が設
けられている。さらに、このＴＦＴ基板２１と、ＣＦ基
板２２とこれらに挟まれた液晶層１７により液晶素子を
形成している。このようにオンチップカラーフィルタ構
造は、カラーフィルタおよびブラックマトリクスがＴＦ
Ｔ基板上に形成されるため、ＴＦＴ基板２１とＣＦ基板
２２の重ね合わせずれによる、カラーフィルタおよびブ
ラックマトリクスの画素に対するアライメント誤差が小
さくできるという効果を有していた。ここでカラーフィ
ルタの膜厚を１．２μｍとし、ゲート電極膜厚を０．２
μｍ、ゲート絶縁膜厚を０．５μｍ、半導体層膜厚を
０．３μｍ、ドレイン電極膜厚を０．２μｍ、パッシベ
ーション膜厚を０．３μｍとすると、コンタクトホール
部のカラーフィルタの膜厚は１．０μｍとなる。
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬ
ＣＤ）の開発が活発に行われている。このＡＭＬＣＤに
おいて、ＴＦＴを形成した基板（以下ＴＦＴ基板）にカ
ラーフィルタを作り込むオンチップカラーフィルタ構造
を採用することにより、目合わせが容易になることが特
開平８−１２２８２４(以下従来例１) 、特開平９−２
９２６３３等に報告されている。図５は従来例１に開示
されたオンチップカラーフィルタ構造を採用したＡＭＬ
ＣＤの単位画素部であり、同図（ａ）はその平面図、
（ｂ）はその断面図である。ＴＦＴ基板２１は、ガラス
基板９と、その上に形成され、信号を書き込む画素を選
択するための走査線１と、書き込む信号を供給するため
の信号線２と、それらの交点に形成され画素を駆動する
ためのＴＦＴ３からなる。このうち、ＴＦＴ３はガラス
基板９上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極１
２を覆うようにして設けられたゲート絶縁膜１０と、ゲ
ート絶縁膜１０上に形成された半導体層２４、ドレイン
電極１３およびソース電極１４と、それらの全てを覆う
ようにして設けられたパッシベーション膜１１とを備え
ている。また走査線１はゲート電極１２と接続され、信
号線２はドレイン電極１３と接続されている。パッシベ
ーション膜１１上にはカラーフィルタ８、ブラックマト
リクス４が設けられ、さらにこれらを保護するオーバー
コート層１９が形成されている。カラーフィルタ８の形
成は、顔料分散型の感光性ネガ型レジストをスピンコー
ト法により塗布した後、露光、現像、焼成して行う。オ
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クトホール５を介してＴＦＴのソース電極１４と接続さ
れている。また、オーバーコート層１９および画素電極
７上には、液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や
傾き（プレチルト）に制御するための配向膜（図示せ
ず）が設けられている。ＣＦ基板２２は、ＣＦガラス基
板１５上に、対向電極１６と、配向膜（図示せず）が設
けられている。さらに、このＴＦＴ基板２１と、ＣＦ基
板２２とこれらに挟まれた液晶層１７により液晶素子を
形成している。このようにオンチップカラーフィルタ構
造は、カラーフィルタおよびブラックマトリクスがＴＦ
Ｔ基板上に形成されるため、ＴＦＴ基板２１とＣＦ基板
２２の重ね合わせずれによる、カラーフィルタおよびブ
ラックマトリクスの画素に対するアライメント誤差が小
さくできるという効果を有していた。ここでカラーフィ
ルタの膜厚を１．２μｍとし、ゲート電極膜厚を０．２
μｍ、ゲート絶縁膜厚を０．５μｍ、半導体層膜厚を
０．３μｍ、ドレイン電極膜厚を０．２μｍ、パッシベ
ーション膜厚を０．３μｍとすると、コンタクトホール
部のカラーフィルタの膜厚は１．０μｍとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、カラーフィル
タとして用いるネガ型レジストは着色されており、一般
に感度が低いため、膜厚が１．０μｍと厚い場合は大き
な露光量が必要となり、その結果微細化が困難、生産性
が低いという問題が生じていた。さらに露光量が大きい
ために現像後に下地のパッシベーション膜やソース電極
上に残さが発生しやすいという問題を有していた。ま
た、顔料はアクリル樹脂に分散させて用いるが、このア
クリル樹脂の感度を高くすると、カラーフィルタの表面
付近（表面から０．３乃至０．５μｍの領域）でのみ光
架橋による硬化が進むため、現像後のカラーフィルタの
周辺部やコンタクトホール部の形状がアンダーカット状
態となり、画素電極とソース電極との間でコンタクト不
良が発生したり、カラーフィルタと基板との密着性が低
下するという問題が生じていた。即ち、従来例１のオン
チップカラーフィルタ構造の液晶表示装置では、コンタ
クトホール部および画素周辺部でカラーフィルタの膜厚
が厚いために、カラーフィルタの光架橋が表面で行われ
ていたために、微細化および高開口率化が困難であり、
また生産性が低いという問題が生じてた。さらにオンチ
ップカラーフィルタ構造において、カラーフィルタとし
て用いる顔料分散型の感光性ネガ型レジストは、ベース
樹脂としてi線やｇ、ｈ線に感度をもつ感光性のアクリ
ルを用いるが、この感度の高いカラーフィルタレジスト
（例えば富士フィルムオーリン製ＣＭ−７０００）の膜
厚と光架橋度の関係（図６）からわかるように、カラー
レジストは着色しているためにi線などの透過率が低
く、表面から０．３〜０．５μｍ付近で急激に光架橋度
が低くなる。一般にカラーフィルタの膜厚は１．０〜
１．５μｍであるが、以上の理由により現像時間が長い
オーバー現像になると、光架橋度の低い底部では等方的
に溶解が進み、逆テーパー形状となるという問題が生じ
ていた。
タとして用いるネガ型レジストは着色されており、一般
に感度が低いため、膜厚が１．０μｍと厚い場合は大き
な露光量が必要となり、その結果微細化が困難、生産性
が低いという問題が生じていた。さらに露光量が大きい
ために現像後に下地のパッシベーション膜やソース電極
上に残さが発生しやすいという問題を有していた。ま
た、顔料はアクリル樹脂に分散させて用いるが、このア
クリル樹脂の感度を高くすると、カラーフィルタの表面
付近（表面から０．３乃至０．５μｍの領域）でのみ光
架橋による硬化が進むため、現像後のカラーフィルタの
周辺部やコンタクトホール部の形状がアンダーカット状
態となり、画素電極とソース電極との間でコンタクト不
良が発生したり、カラーフィルタと基板との密着性が低
下するという問題が生じていた。即ち、従来例１のオン
チップカラーフィルタ構造の液晶表示装置では、コンタ
クトホール部および画素周辺部でカラーフィルタの膜厚
が厚いために、カラーフィルタの光架橋が表面で行われ
ていたために、微細化および高開口率化が困難であり、
また生産性が低いという問題が生じてた。さらにオンチ
ップカラーフィルタ構造において、カラーフィルタとし
て用いる顔料分散型の感光性ネガ型レジストは、ベース
樹脂としてi線やｇ、ｈ線に感度をもつ感光性のアクリ
ルを用いるが、この感度の高いカラーフィルタレジスト
（例えば富士フィルムオーリン製ＣＭ−７０００）の膜
厚と光架橋度の関係（図６）からわかるように、カラー
レジストは着色しているためにi線などの透過率が低
く、表面から０．３〜０．５μｍ付近で急激に光架橋度
が低くなる。一般にカラーフィルタの膜厚は１．０〜
１．５μｍであるが、以上の理由により現像時間が長い
オーバー現像になると、光架橋度の低い底部では等方的
に溶解が進み、逆テーパー形状となるという問題が生じ
ていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】発明の目的は露光量が従
来より少なくて済み、微細化および高開口率化が可能な
オンチップカラーフィルタ構造を提供することある。本
発明では、オンチップカラーフィルタ構造において、カ
ラーフィルタを形成する画素開口部のゲート絶縁膜およ
びパッシベーション膜を除去する構造を採用することに
より、ＴＦＴのソース電極などの段差部上のカラーフィ
ルタ膜厚が画素開口部での膜厚より薄くなり、少ない露
光量で現像可能となるために微細化および高開口率化が
可能となる手段を提供する。
来より少なくて済み、微細化および高開口率化が可能な
オンチップカラーフィルタ構造を提供することある。本
発明では、オンチップカラーフィルタ構造において、カ
ラーフィルタを形成する画素開口部のゲート絶縁膜およ
びパッシベーション膜を除去する構造を採用することに
より、ＴＦＴのソース電極などの段差部上のカラーフィ
ルタ膜厚が画素開口部での膜厚より薄くなり、少ない露
光量で現像可能となるために微細化および高開口率化が
可能となる手段を提供する。
【０００５】第１の発明によれば、少なくとも一方が透
明である第１基板および第２基板と、これらに挟まれた
液晶層とカラーフィルタとを有する液晶表示装置であっ
て、前記第１基板上は複数の走査線と、それらにマトリ
クス状に交差する複数の信号線と、これらの配線のそれ
ぞれの交点に形成された複数の薄膜トランジスタと、前
記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有し、前
記第２基板は対向電極を有し、画素電極と対向電極間の
電界により液晶分子を駆動することにより表示を行う液
晶表示装置において、前記カラーフィルタは前記薄膜ト
ランジスタを保護するパッシベーション膜上に形成さ
れ、前記画素電極は前記カラーフィルタ上に配置され、
前記パッシベーション膜および前記カラーフィルタに設
けられたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジス
タと接続しており、前記走査線、前記信号線に囲まれた
画素内の光透過領域では、前記薄膜トランジスタのゲー
ト絶縁膜と、前記パッシベーション膜は除去されている
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
が得られる。また、第２の発明によれば、少なくとも一
方が透明である第１基板および第２基板と、これらに挟
まれた液晶層とカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
を保護するオーバーコート層を有する液晶表示装置であ
って、前記第１基板上は、複数の走査線と、それらにマ
トリクス状に交差する複数の信号線と、これらの配線の
それぞれの交点に形成された複数の薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有
し、前記第２基板には対向電極を有し、画素電極と対向
電極間の電界により液晶分子を駆動することにより表示
を行う液晶表示装置において、前記カラーフィルタは前
記薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜上に
形成され、前記オーバーコート層はカラーフィルタ上に
形成され、前記画素電極は前記オーバーコート層上に配
置され、前記パッシベーション膜と前記カラーフィルタ
および前記オーバーコート層に設けられたコンタクトホ
ールを介して前記薄膜トランジスタと接続しており、前
記走査線、前記信号線に囲まれた画素内の光透過領域で
は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と、前記パッ
シベーション膜は除去されていることを特徴とするアク
ティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。
明である第１基板および第２基板と、これらに挟まれた
液晶層とカラーフィルタとを有する液晶表示装置であっ
て、前記第１基板上は複数の走査線と、それらにマトリ
クス状に交差する複数の信号線と、これらの配線のそれ
ぞれの交点に形成された複数の薄膜トランジスタと、前
記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有し、前
記第２基板は対向電極を有し、画素電極と対向電極間の
電界により液晶分子を駆動することにより表示を行う液
晶表示装置において、前記カラーフィルタは前記薄膜ト
ランジスタを保護するパッシベーション膜上に形成さ
れ、前記画素電極は前記カラーフィルタ上に配置され、
前記パッシベーション膜および前記カラーフィルタに設
けられたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジス
タと接続しており、前記走査線、前記信号線に囲まれた
画素内の光透過領域では、前記薄膜トランジスタのゲー
ト絶縁膜と、前記パッシベーション膜は除去されている
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
が得られる。また、第２の発明によれば、少なくとも一
方が透明である第１基板および第２基板と、これらに挟
まれた液晶層とカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
を保護するオーバーコート層を有する液晶表示装置であ
って、前記第１基板上は、複数の走査線と、それらにマ
トリクス状に交差する複数の信号線と、これらの配線の
それぞれの交点に形成された複数の薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有
し、前記第２基板には対向電極を有し、画素電極と対向
電極間の電界により液晶分子を駆動することにより表示
を行う液晶表示装置において、前記カラーフィルタは前
記薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜上に
形成され、前記オーバーコート層はカラーフィルタ上に
形成され、前記画素電極は前記オーバーコート層上に配
置され、前記パッシベーション膜と前記カラーフィルタ
および前記オーバーコート層に設けられたコンタクトホ
ールを介して前記薄膜トランジスタと接続しており、前
記走査線、前記信号線に囲まれた画素内の光透過領域で
は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と、前記パッ
シベーション膜は除去されていることを特徴とするアク
ティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。
【０００６】前記第１または第２の発明の液晶表示装置
において、前記コンタクトホール部のカラーフィルタ膜
厚は前記光透過領域のカラーフィルタ膜厚よりも薄いこ
とを特徴とする。
において、前記コンタクトホール部のカラーフィルタ膜
厚は前記光透過領域のカラーフィルタ膜厚よりも薄いこ
とを特徴とする。
【０００７】本発明のオンチップカラーフィルタ構造で
は、カラーフィルタを形成する画素開口部のゲート絶縁
膜およびパッシベーション膜を除去することにより、カ
ラーレジストが平坦性を有する性質を利用して、薄膜ト
ランジスタの形成されたソース電極などの段差部上のカ
ラーフィルタの膜厚が、開口部上のカラーフィルタの膜
厚より薄い構造とする。具体的には、開口部のカラーフ
ィルタ膜厚を１．２μｍとすると、薄膜トランジスタの
段差部での全ての膜の合計膜厚も１．２μｍと等しくな
り、カラーフィルタ以外の膜厚はおよそ１．０μｍとな
るので、段差部上のカラーフィルタの膜厚は０．２μｍ
となる。この膜厚は、十分に光架橋が行われる膜厚とな
るため、微細なパターン形成が可能となる。
は、カラーフィルタを形成する画素開口部のゲート絶縁
膜およびパッシベーション膜を除去することにより、カ
ラーレジストが平坦性を有する性質を利用して、薄膜ト
ランジスタの形成されたソース電極などの段差部上のカ
ラーフィルタの膜厚が、開口部上のカラーフィルタの膜
厚より薄い構造とする。具体的には、開口部のカラーフ
ィルタ膜厚を１．２μｍとすると、薄膜トランジスタの
段差部での全ての膜の合計膜厚も１．２μｍと等しくな
り、カラーフィルタ以外の膜厚はおよそ１．０μｍとな
るので、段差部上のカラーフィルタの膜厚は０．２μｍ
となる。この膜厚は、十分に光架橋が行われる膜厚とな
るため、微細なパターン形成が可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の好ましい態様を図
面を参照して説明する。 （実施の形態１）図１は本実施例のオンチップカラーフ
ィルタ構造を持つ液晶表示装置の単位画素部を示す図で
あり、同図（ａ）はその平面図、（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ‘における断面図である。同図（ａ）に示すよう
にＴＦＴ基板２１は、ガラス基板９上に、信号を書き込
む画素を選択する走査線１と、書き込む信号を供給する
信号線２と、それらの交点に設けられ画素を駆動するＴ
ＦＴ３を有する。同図（ｂ）に示すように、このうち、
ＴＦＴ３はガラス基板９上に設けられたゲート電極１２
と、ゲート電極を覆うようにして設けられたゲート絶縁
膜１０と、ゲート絶縁膜１０上に形成された半導体層２
４、ドレイン電極１３およびソース電極１４と、それら
の全てを覆うようにして設けられたパッシベーション膜
１１とを備えている。また走査線１はゲート電極１２と
接続され、信号線２はドレイン電極１３と接続されてい
る。画素開口部６のパッシベーション膜１１およびゲー
ト絶縁膜１０は除去されている。パッシベーション膜１
１上にはカラーフィルタ８、ブラックマトリクス４が設
けられており、画素電極７はそれらに形成されたコンタ
クトホール５を介してＴＦＴ３のソース電極１４と接続
されている。また、画素電極７上には、液晶分子を液晶
の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）に制御
するための配向膜（図示せず）が設けられている。な
お、ゲート電極膜厚を０．２μｍ、ゲート絶縁膜厚を
０．５μｍ、半導体層膜厚を０．３μｍ、ドレイン電極
膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜厚を０．３μｍ
とした。カラーフィルタ膜厚は十分な色度域を確保する
ため、画素開口部において１．２μｍとした。対向基板
２２は、対向ガラス基板１５上に、対向電極１６と、配
向膜（図示せず）が設けられている。このＴＦＴ基板２
１と、対向基板２２とそれらに挟まれた液晶層１７によ
り１つの液晶素子を形成している。ここで、カラーフィ
ルタとして用いた高感度の顔料分散型ネガ型レジスト
（例えば富士フィルムオーリン製ＣＭ−７０００）はス
ピン塗布により形成されるため、下地に段差があっても
平坦な表面形状を有した膜で被覆できる。画素開口部の
カラーフィルタ膜厚が１．２μｍとなるように塗布を行
うと、コンタクトホール形成部のカラーフィルタ膜厚
は、ゲート絶縁膜が０．５μｍ、パッシベーション膜が
０．３μｍであるので、合計０．８μｍだけ従来より薄
くすることができ、０．２μｍとすることができる。こ
のため、光架橋が十分生じる０．３μｍ以下とすること
ができるため、十分に露光することができ微細なパター
ニングが実現可能となる。この結果、コンタクトホール
径は５μｍ×５μｍの微細パターンが形成可能となっ
た。
面を参照して説明する。 （実施の形態１）図１は本実施例のオンチップカラーフ
ィルタ構造を持つ液晶表示装置の単位画素部を示す図で
あり、同図（ａ）はその平面図、（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ‘における断面図である。同図（ａ）に示すよう
にＴＦＴ基板２１は、ガラス基板９上に、信号を書き込
む画素を選択する走査線１と、書き込む信号を供給する
信号線２と、それらの交点に設けられ画素を駆動するＴ
ＦＴ３を有する。同図（ｂ）に示すように、このうち、
ＴＦＴ３はガラス基板９上に設けられたゲート電極１２
と、ゲート電極を覆うようにして設けられたゲート絶縁
膜１０と、ゲート絶縁膜１０上に形成された半導体層２
４、ドレイン電極１３およびソース電極１４と、それら
の全てを覆うようにして設けられたパッシベーション膜
１１とを備えている。また走査線１はゲート電極１２と
接続され、信号線２はドレイン電極１３と接続されてい
る。画素開口部６のパッシベーション膜１１およびゲー
ト絶縁膜１０は除去されている。パッシベーション膜１
１上にはカラーフィルタ８、ブラックマトリクス４が設
けられており、画素電極７はそれらに形成されたコンタ
クトホール５を介してＴＦＴ３のソース電極１４と接続
されている。また、画素電極７上には、液晶分子を液晶
の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）に制御
するための配向膜（図示せず）が設けられている。な
お、ゲート電極膜厚を０．２μｍ、ゲート絶縁膜厚を
０．５μｍ、半導体層膜厚を０．３μｍ、ドレイン電極
膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜厚を０．３μｍ
とした。カラーフィルタ膜厚は十分な色度域を確保する
ため、画素開口部において１．２μｍとした。対向基板
２２は、対向ガラス基板１５上に、対向電極１６と、配
向膜（図示せず）が設けられている。このＴＦＴ基板２
１と、対向基板２２とそれらに挟まれた液晶層１７によ
り１つの液晶素子を形成している。ここで、カラーフィ
ルタとして用いた高感度の顔料分散型ネガ型レジスト
（例えば富士フィルムオーリン製ＣＭ−７０００）はス
ピン塗布により形成されるため、下地に段差があっても
平坦な表面形状を有した膜で被覆できる。画素開口部の
カラーフィルタ膜厚が１．２μｍとなるように塗布を行
うと、コンタクトホール形成部のカラーフィルタ膜厚
は、ゲート絶縁膜が０．５μｍ、パッシベーション膜が
０．３μｍであるので、合計０．８μｍだけ従来より薄
くすることができ、０．２μｍとすることができる。こ
のため、光架橋が十分生じる０．３μｍ以下とすること
ができるため、十分に露光することができ微細なパター
ニングが実現可能となる。この結果、コンタクトホール
径は５μｍ×５μｍの微細パターンが形成可能となっ
た。
【０００９】図２は本実施例のオンチップカラーフィル
タ構造を持つ液晶表示装置の製造方法を説明する図であ
る。
タ構造を持つ液晶表示装置の製造方法を説明する図であ
る。
【００１０】まず図２（ａ）に示すようにガラス基板９
上にＣｒなどの金属を０．２μｍ成膜し、パターニング
して走査線１（図示せず）およびゲート電極１２を形成
する。次にプラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１０、
半導体層２４をそれぞれ０．５μｍ、０．３μｍ成膜
し、ＴＦＴ３の半導体層２４を島状構造にパターニング
する。さらにＣｒなどの金属を０．２μｍ成膜し、パタ
ーニングして信号線２（図示せず）、ドレイン電極１３
およびソース電極１４を形成する。さらにプラズマＣＶ
Ｄ法によりパッシベーション膜１１として、窒化シリコ
ンＳｉＮを０．３μｍ成膜する。次にドライエッチング
によりコンタクトホール部５および画素開口部６の不要
なパッシベーション膜１１およびゲート絶縁膜１０を除
去する。
上にＣｒなどの金属を０．２μｍ成膜し、パターニング
して走査線１（図示せず）およびゲート電極１２を形成
する。次にプラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１０、
半導体層２４をそれぞれ０．５μｍ、０．３μｍ成膜
し、ＴＦＴ３の半導体層２４を島状構造にパターニング
する。さらにＣｒなどの金属を０．２μｍ成膜し、パタ
ーニングして信号線２（図示せず）、ドレイン電極１３
およびソース電極１４を形成する。さらにプラズマＣＶ
Ｄ法によりパッシベーション膜１１として、窒化シリコ
ンＳｉＮを０．３μｍ成膜する。次にドライエッチング
によりコンタクトホール部５および画素開口部６の不要
なパッシベーション膜１１およびゲート絶縁膜１０を除
去する。
【００１１】次に同図（ｂ）に示すようにカーボン、顔
料や酸化チタンなどを分散した感光性のブラックレジス
ト（例えば富士フィルムオーリン製ＣＫ−Ｓ−１７１）
を塗布、パターニングすることによりＴＦＴ遮光部およ
び光漏れ領域にブラックマトリクス４を１μｍ形成す
る。
料や酸化チタンなどを分散した感光性のブラックレジス
ト（例えば富士フィルムオーリン製ＣＫ−Ｓ−１７１）
を塗布、パターニングすることによりＴＦＴ遮光部およ
び光漏れ領域にブラックマトリクス４を１μｍ形成す
る。
【００１２】次に同図（ｃ）に示すようにＲＧＢの顔料
分散型レジスト（例えば富士フィルムオーリン製ＣＭ−
７０００）をスピン塗布した後、露光、現像、焼成する
ことによりカラーフィルタ８を形成する。ここではＲＧ
Ｂともに１．２μｍ塗布した。塗布はスピン塗布により
行っているので、カラーフィルタ８は下地に段差があっ
ても平坦な表面形状を有して被覆する。そのため前述の
通り、コンタクトホール部およびカラーフィルタパター
ン外形部の膜厚は０．２μｍとなる。露光には微細なパ
ターン形成を可能とするため、i線ステッパを用いた
が、高感度のカラーレジストを用いた点と、パターン形
成部の膜厚が薄いため、１００ｍＪ程度の少ない露光量
で５μｍ×５μｍのコンタクトホールのパターン形成が
可能であり、また断面形状も順テーパー形状であり、望
ましいものであった。現像はＴＭＡＨ（テトラメチルア
ンモニウムヒドロオキシド）０．１２％溶液にて６０〜
１００秒行い、焼成は２２０℃にて１時間行った。
分散型レジスト（例えば富士フィルムオーリン製ＣＭ−
７０００）をスピン塗布した後、露光、現像、焼成する
ことによりカラーフィルタ８を形成する。ここではＲＧ
Ｂともに１．２μｍ塗布した。塗布はスピン塗布により
行っているので、カラーフィルタ８は下地に段差があっ
ても平坦な表面形状を有して被覆する。そのため前述の
通り、コンタクトホール部およびカラーフィルタパター
ン外形部の膜厚は０．２μｍとなる。露光には微細なパ
ターン形成を可能とするため、i線ステッパを用いた
が、高感度のカラーレジストを用いた点と、パターン形
成部の膜厚が薄いため、１００ｍＪ程度の少ない露光量
で５μｍ×５μｍのコンタクトホールのパターン形成が
可能であり、また断面形状も順テーパー形状であり、望
ましいものであった。現像はＴＭＡＨ（テトラメチルア
ンモニウムヒドロオキシド）０．１２％溶液にて６０〜
１００秒行い、焼成は２２０℃にて１時間行った。
【００１３】最後に同図（ｄ）に示すように透明電極で
ある酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を０．０５μｍ成
膜、パターニングすることにより画素電極７を形成し
た。この後、配向膜を塗布し、ラビング処理後、所定の
間隙を介して対向基板と接合した。この間隙に液晶を注
入して、アクティブマトリクス型液晶表示装置が完成す
る。
ある酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を０．０５μｍ成
膜、パターニングすることにより画素電極７を形成し
た。この後、配向膜を塗布し、ラビング処理後、所定の
間隙を介して対向基板と接合した。この間隙に液晶を注
入して、アクティブマトリクス型液晶表示装置が完成す
る。
【００１４】本実施例により、画素開口部のゲート絶縁
膜およびパッシベーション膜を除去したことにより、画
素開口部のカラーフィルタ膜厚を厚く保ったまま、コン
タクト部およびパターン外形部のカラーフィルタ膜厚を
薄くすることが可能となり、高感度のカラーレジストを
用いることが可能となり、少ない露光量で微細なパター
ン形成が可能となった。これにより高精細で高開口率
で、表示性能の良い液晶表示装置の作成が可能となっ
た。 （実施の形態２）図３は本実施例のオンチップカラーフ
ィルタ構造を持つ液晶表示装置の単位素子部を示す図で
あり、同図（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図で
ある。ＴＦＴ基板２１は、ガラス基板９上に、信号を書
き込む画素を選択する走査線１と、書き込む信号を供給
する信号線２と、それらの交点に画素を駆動するＴＦＴ
３を有する。このうち、ＴＦＴ３はガラス基板９上に設
けられたゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うよう
にして設けられたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜１
０上に形成された半導体層２４、ドレイン電極１３およ
びソース電極１４と、それらの全てを覆うようにして設
けられたパッシベーション膜１１とを備えている。また
走査線１はゲート電極１２と接続され、信号線２はドレ
イン電極１３と接続されている。画素開口部６のパッシ
ベーション膜１１およびゲート絶縁膜１０は除去されて
いる。パッシベーション膜１１上にはカラーフィルタ
８、ブラックマトリクス４が設けられており、さらにそ
れらを保護するために透明なオーバーコート層１９が設
けられている。さらに画素電極７は、それらに形成され
たコンタクトホール５を介してＴＦＴ３のソース電極１
４と接続されている。また、画素電極７上には、液晶分
子を液晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチル
ト）に制御するための配向膜（図示せず）が設けられて
いる。なお、ゲート電極膜厚を０．２μｍ、ゲート絶縁
膜厚を０．５μｍ、半導体層膜厚を０．３μｍ、ドレイ
ン電極膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜厚を０．
３μｍとした。カラーフィルタ膜厚は十分な色度域を確
保するため、画素開口部において１．２μｍとした。ま
たオーバーコート層１９の膜厚は０．３μｍとした。対
向基板２２は、対向ガラス基板１５上に、対向電極１６
と、配向膜（図示せず）が設けられている。ＴＦＴ基板
２１と、対向基板２２とそれらに挟まれた液晶層１７に
より１つの液晶素子を形成している。ここで、カラーフ
ィルタ８およびオーバーコート層１９のコンタクトホー
ル径は共に５μｍ×５μｍとした。図４は本実施例のオ
ンチップカラーフィルタ構造を持つ液晶表示装置の製造
方法を説明する図である。まずガラス基板９上に走査線
１、信号線２、ＴＦＴ３およびブラックマトリクス４を
形成する工程は実施例１と同様である（図４（ａ））。
次にＲＧＢの顔料分散型レジスト８（例えば富士フィル
ムオーリン製ＣＭ−７０００）をスピン塗布、露光、現
像、焼成することにより画素パターン外形部のみパター
ニングする（図４（ｂ））。ここではＲＧＢともに１．
２μｍ塗布した。塗布はスピン塗布により行っているの
で、カラーフィルタは十分に平坦化され、下地の段差を
平坦に被覆する。そのため前述の通り、パターン外形部
の膜厚は０．４μｍとなる。次にポジ型感光性アクリル
樹脂（例えばＪＳＲ製ＰＣ−４０３）をオーバーコート
層１９として、塗布、露光、現像、焼成し、コンタクト
ホールを形成した（図４（ｃ））。次にオーバーコート
層１９をマスクとして、ＣＦ４／Ｏ2系のガスを用いて
ドライエッチングを行い、カラーレジスト上にコンタク
トホール５をパターン形成した。コンタクト部のカラー
レジストは０．４μｍと薄いため、ドライエッチングの
処理時間が短くすみ、オーバーコート層表面を傷めるこ
とはなかった（図４（ｄ））。最後に透明電極であるＩ
ＴＯを０．０５μｍ成膜、パターニングすることにより
画素電極７を形成した（図４（ｅ））。この後、配向膜
（図示せず）を塗布し、ラビング処理後、所定の間隙を
介して対向基板と接合する。この間隙に液晶注入して、
アクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
膜およびパッシベーション膜を除去したことにより、画
素開口部のカラーフィルタ膜厚を厚く保ったまま、コン
タクト部およびパターン外形部のカラーフィルタ膜厚を
薄くすることが可能となり、高感度のカラーレジストを
用いることが可能となり、少ない露光量で微細なパター
ン形成が可能となった。これにより高精細で高開口率
で、表示性能の良い液晶表示装置の作成が可能となっ
た。 （実施の形態２）図３は本実施例のオンチップカラーフ
ィルタ構造を持つ液晶表示装置の単位素子部を示す図で
あり、同図（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図で
ある。ＴＦＴ基板２１は、ガラス基板９上に、信号を書
き込む画素を選択する走査線１と、書き込む信号を供給
する信号線２と、それらの交点に画素を駆動するＴＦＴ
３を有する。このうち、ＴＦＴ３はガラス基板９上に設
けられたゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うよう
にして設けられたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜１
０上に形成された半導体層２４、ドレイン電極１３およ
びソース電極１４と、それらの全てを覆うようにして設
けられたパッシベーション膜１１とを備えている。また
走査線１はゲート電極１２と接続され、信号線２はドレ
イン電極１３と接続されている。画素開口部６のパッシ
ベーション膜１１およびゲート絶縁膜１０は除去されて
いる。パッシベーション膜１１上にはカラーフィルタ
８、ブラックマトリクス４が設けられており、さらにそ
れらを保護するために透明なオーバーコート層１９が設
けられている。さらに画素電極７は、それらに形成され
たコンタクトホール５を介してＴＦＴ３のソース電極１
４と接続されている。また、画素電極７上には、液晶分
子を液晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチル
ト）に制御するための配向膜（図示せず）が設けられて
いる。なお、ゲート電極膜厚を０．２μｍ、ゲート絶縁
膜厚を０．５μｍ、半導体層膜厚を０．３μｍ、ドレイ
ン電極膜厚を０．２μｍ、パッシベーション膜厚を０．
３μｍとした。カラーフィルタ膜厚は十分な色度域を確
保するため、画素開口部において１．２μｍとした。ま
たオーバーコート層１９の膜厚は０．３μｍとした。対
向基板２２は、対向ガラス基板１５上に、対向電極１６
と、配向膜（図示せず）が設けられている。ＴＦＴ基板
２１と、対向基板２２とそれらに挟まれた液晶層１７に
より１つの液晶素子を形成している。ここで、カラーフ
ィルタ８およびオーバーコート層１９のコンタクトホー
ル径は共に５μｍ×５μｍとした。図４は本実施例のオ
ンチップカラーフィルタ構造を持つ液晶表示装置の製造
方法を説明する図である。まずガラス基板９上に走査線
１、信号線２、ＴＦＴ３およびブラックマトリクス４を
形成する工程は実施例１と同様である（図４（ａ））。
次にＲＧＢの顔料分散型レジスト８（例えば富士フィル
ムオーリン製ＣＭ−７０００）をスピン塗布、露光、現
像、焼成することにより画素パターン外形部のみパター
ニングする（図４（ｂ））。ここではＲＧＢともに１．
２μｍ塗布した。塗布はスピン塗布により行っているの
で、カラーフィルタは十分に平坦化され、下地の段差を
平坦に被覆する。そのため前述の通り、パターン外形部
の膜厚は０．４μｍとなる。次にポジ型感光性アクリル
樹脂（例えばＪＳＲ製ＰＣ−４０３）をオーバーコート
層１９として、塗布、露光、現像、焼成し、コンタクト
ホールを形成した（図４（ｃ））。次にオーバーコート
層１９をマスクとして、ＣＦ４／Ｏ2系のガスを用いて
ドライエッチングを行い、カラーレジスト上にコンタク
トホール５をパターン形成した。コンタクト部のカラー
レジストは０．４μｍと薄いため、ドライエッチングの
処理時間が短くすみ、オーバーコート層表面を傷めるこ
とはなかった（図４（ｄ））。最後に透明電極であるＩ
ＴＯを０．０５μｍ成膜、パターニングすることにより
画素電極７を形成した（図４（ｅ））。この後、配向膜
（図示せず）を塗布し、ラビング処理後、所定の間隙を
介して対向基板と接合する。この間隙に液晶注入して、
アクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
【００１５】本実施例では、ＴＦＴ基板上にカラーフィ
ルタを形成する液晶表示装置において、カラーフィルタ
の上にオーバーコート層を設け、カラーフィルタを保護
したことに特徴がある。また、画素開口部のゲート絶縁
膜およびパッシベーション膜を除去したことによりコン
タクト部のカラーフィルタ膜厚を薄くでき、オーバーコ
ート層をマスクに、その表面を傷めることなく、ドライ
エッチングによりコンタクトホールを形成した点にあ
る。これにより実施例１よりもさらに高精細かつ高開口
率で、表示性能のよい液晶表示装置の形成が可能になっ
た。
ルタを形成する液晶表示装置において、カラーフィルタ
の上にオーバーコート層を設け、カラーフィルタを保護
したことに特徴がある。また、画素開口部のゲート絶縁
膜およびパッシベーション膜を除去したことによりコン
タクト部のカラーフィルタ膜厚を薄くでき、オーバーコ
ート層をマスクに、その表面を傷めることなく、ドライ
エッチングによりコンタクトホールを形成した点にあ
る。これにより実施例１よりもさらに高精細かつ高開口
率で、表示性能のよい液晶表示装置の形成が可能になっ
た。
【００１６】
【発明の効果】本発明の効果は、ＴＦＴ基板上にカラー
フィルタを設けるオンチップカラーフィルタ構造の液晶
表示装置において、画素開口領域のゲート絶縁膜および
パッシベーション膜を除去したことにより、画素開口領
域のカラーフィルタ膜厚を保ったまま、コンタクトホー
ル部のカラーフィルタ膜厚を薄くでき、現像またはドラ
イエッチングにより微細で良好な形状のコンタクトホー
ルの形成が可能になった点にある。さらに微細化が可能
となるので、高精細化および高開口率化が可能となる点
にある。
フィルタを設けるオンチップカラーフィルタ構造の液晶
表示装置において、画素開口領域のゲート絶縁膜および
パッシベーション膜を除去したことにより、画素開口領
域のカラーフィルタ膜厚を保ったまま、コンタクトホー
ル部のカラーフィルタ膜厚を薄くでき、現像またはドラ
イエッチングにより微細で良好な形状のコンタクトホー
ルの形成が可能になった点にある。さらに微細化が可能
となるので、高精細化および高開口率化が可能となる点
にある。
【図１】本発明にかかる液晶表示装置の第１の実施例を
示す図であり、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）はそ
の断面図である。
示す図であり、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）はそ
の断面図である。
【図２】本発明にかかる液晶表示装置の第１の実施例の
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図３】本発明にかかる液晶表示装置の第２の実施例を
示す図であり、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）はそ
の断面図
示す図であり、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）はそ
の断面図
【図４】本発明にかかる液晶表示装置の第２の実施例の
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図５】従来の液晶表示装置の一例を示す図であり、
（ａ）はその概略の平面図、（ｂ）はその単位画素部の
断面図
（ａ）はその概略の平面図、（ｂ）はその単位画素部の
断面図
【図６】 カラーフィルタ（ＣＦ）膜厚と光架橋度との
関係を示す図
関係を示す図
１ 走査線 ２ 信号線 ３ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ４ ブラックマトリクス ５ コンタクトホール ６ 画素開口部 ７ 画素電極 ８、８‘ カラーフィルタ（ＣＦ） ９ ガラス基板 １０ ゲート絶縁膜 １１ パッシベーション膜 １２ ゲート電極 １３ ドレイン電極 １４ ソース電極 １８ 対向ガラス基板 １６ 対向電極 １７ 液晶層 １９ オーバーコート層 ２１ ＴＦＴ基板 ２２ 対向基板 ２３ ＣＦ基板 ２４ 半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H048 BA45 BB02 BB07 BB14 BB44 2H091 FA02Y FA35Y FB04 FC10 FC26 FC29 FD04 FD06 FD17 FD22 FD24 GA06 GA13 LA11 LA15 LA30 2H092 JA26 JA29 JA33 JA35 JA38 JA39 JA42 JA44 JB13 JB23 JB27 JB32 JB33 JB36 JB38 JB51 JB57 KA05 KA07 KA16 KA18 KB14 KB24 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 NA07 NA19 NA25 NA27 NA28 NA29 PA08 PA09
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明である第１基板お
よび第２基板と、これらに挟まれた液晶層とカラーフィ
ルタとを有する液晶表示装置であって、前記第１基板は
複数の走査線と、それらにマトリクス状に交差する複数
の信号線と、これらの配線のそれぞれの交点に形成され
た複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに
接続された画素電極とを有し、前記第２基板は対向電極
を有し、前記画素電極と前記対向電極との間の電界によ
り液晶分子を駆動することにより表示を行う液晶表示装
置において、前記カラーフィルタは、前記薄膜トランジ
スタを保護するパッシベーション膜上に形成され、前記
画素電極は前記カラーフィルタ上に配置され、前記パッ
シベーション膜および前記カラーフィルタに設けられた
コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと接続
しており、前記走査線、前記信号線に囲まれた画素内の
光透過領域では、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜
と、前記パッシベーション膜は除去されていることを特
徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 少なくとも一方が透明である第１基板お
よび第２基板と、これらに挟まれた液晶層とカラーフィ
ルタと、前記カラーフィルタを保護するオーバーコート
層を有する液晶表示装置であって、前記第１基板は、複
数の走査線と、それらにマトリクス状に交差する複数の
信号線と、これらの配線のそれぞれの交点に形成された
複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接
続された画素電極とを有し、前記第２基板には対向電極
を有し、前記画素電極と前記対向電極との間の電界によ
り液晶分子を駆動することにより表示を行う液晶表示装
置において、前記カラーフィルタは前記薄膜トランジス
タを保護するパッシベーション膜上に形成され、前記オ
ーバーコート層は前記カラーフィルタ上に形成され、前
記画素電極は前記オーバーコート層上に配置され、前記
パッシベーション膜と前記カラーフィルタおよび前記オ
ーバーコート層に設けられたコンタクトホールを介して
前記薄膜トランジスタと接続しており、前記走査線、前
記信号線に囲まれた画素内の光透過領域では、前記薄膜
トランジスタのゲート絶縁膜と、前記パッシベーション
膜は除去されていることを特徴とするアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記コンタクトホール周辺のカラーフィ
ルタ膜厚は前記光透過領域のカラーフィルタ膜厚よりも
薄いことを特徴とする請求項１または２記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記カラーフィルタは表面に生じる段差
が０．３μｍ以内である有機膜からなることを特徴とす
る請求項１または２記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置。 - 【請求項５】 前記カラーフィルタは顔料分散性の感光
性アクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１また
は２記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】 第１基板上に複数の走査線を形成する工
程と、それらにマトリクス状に交差する複数の信号線を
形成する工程と、これらの交点に複数の薄膜トランジス
タを形成する工程と、前記薄膜トランジスタに接続され
た画素電極を形成する工程と、第２基板に対向電極を形
成する工程と、前記第１基板と前記第２基板との間に液
晶を注入して封止する工程とを含む液晶表示装置の製造
方法において、前記薄膜トランジスタを保護するパッシ
ベーション膜を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ
のゲート絶縁膜および前記パッシベーション膜のうち前
記信号線と前記走査線に囲まれた領域の一部を除去する
工程と、感光性カラーレジストからなるカラーフィルタ
を形成する工程と、透明導電膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項７】 第１基板上に複数の走査線を形成する工
程と、それらにマトリクス状に交差する複数の信号線を
形成する工程と、これらの交点に複数の薄膜トランジス
タを形成する工程と、前記薄膜トランジスタに接続され
た画素電極を形成する工程と、第２基板に対向電極を形
成する工程と、前記第１基板と前記第２基板との間に液
晶を注入して封止する工程とを含む液晶表示装置の製造
方法において、前記薄膜トランジスタを保護するパッシ
ベーション膜を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ
のゲート絶縁膜および前記パッシベーション膜のうち前
記信号線と前記走査線に囲まれた領域の一部を除去する
工程と、感光性カラーレジストからなるカラーフィルタ
を形成する工程と、前記カラーフィルタ上にオーバーコ
ート層を形成する工程と、前記オーバーコート層をパタ
ーニングする工程と、前記オーバーコート層をマスクと
して前記カラーフィルタをパターニングすることにより
コンタクトホールを形成する工程と、透明導電膜を形成
する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15733099A JP3576871B2 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| TW089110679A TW499614B (en) | 1999-06-04 | 2000-06-01 | Active matrix liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| KR10-2000-0030264A KR100470498B1 (ko) | 1999-06-04 | 2000-06-02 | 액티브 매트릭스형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US09/585,472 US7312840B1 (en) | 1999-06-04 | 2000-06-02 | Active matrix liquid crystal display with 5MM contact hole in color filter and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15733099A JP3576871B2 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000347215A true JP2000347215A (ja) | 2000-12-15 |
| JP3576871B2 JP3576871B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=15647346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15733099A Expired - Lifetime JP3576871B2 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7312840B1 (ja) |
| JP (1) | JP3576871B2 (ja) |
| KR (1) | KR100470498B1 (ja) |
| TW (1) | TW499614B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002365665A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Nec Kagoshima Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2010072512A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法 |
| US9576987B2 (en) | 2013-12-13 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate and method of manufacturing the display substrate |
| JP2017538154A (ja) * | 2014-11-21 | 2017-12-21 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 液晶表示パネル及びそのカラーフィルタ配列基板 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101023292B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2011-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
| KR101016740B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2011-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101472849B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2014-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는액정표시패널 |
| KR101719350B1 (ko) * | 2008-12-25 | 2017-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101951725B1 (ko) * | 2012-01-04 | 2019-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN103838025B (zh) | 2014-02-20 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2542661B2 (ja) | 1988-01-20 | 1996-10-09 | トキコ株式会社 | 給油装置 |
| JP2772405B2 (ja) * | 1990-11-22 | 1998-07-02 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR940004297B1 (ko) * | 1991-08-08 | 1994-05-19 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치의 칼라필터 제조방법 |
| JP3350991B2 (ja) * | 1992-03-06 | 2002-11-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、及び電気光学装置 |
| JPH07294725A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-11-10 | Seiko Instr Inc | カラーフィルター及び多色液晶表示装置の製造方法 |
| JP3240858B2 (ja) | 1994-10-19 | 2001-12-25 | ソニー株式会社 | カラー表示装置 |
| US5994721A (en) * | 1995-06-06 | 1999-11-30 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| KR100297599B1 (ko) * | 1995-11-29 | 2001-09-22 | 다카노 야스아키 | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
| JPH09292633A (ja) | 1996-02-27 | 1997-11-11 | Canon Inc | カラー液晶表示装置の製造方法 |
| TW373114B (en) * | 1996-08-05 | 1999-11-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
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-
1999
- 1999-06-04 JP JP15733099A patent/JP3576871B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-01 TW TW089110679A patent/TW499614B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-02 US US09/585,472 patent/US7312840B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-02 KR KR10-2000-0030264A patent/KR100470498B1/ko not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US7312840B1 (en) | 2007-12-25 |
| KR20010007184A (ko) | 2001-01-26 |
| JP3576871B2 (ja) | 2004-10-13 |
| TW499614B (en) | 2002-08-21 |
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