JP2000339762A

JP2000339762A - 光学情報記録媒体

Info

Publication number: JP2000339762A
Application number: JP11146110A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Kubogata; 雅之久保形
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-05-26
Filing date: 1999-05-26
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】ランドとグルーブの記録感度差を解消し、繰
り返しオーバーライト耐性が高い相変化光ディスクを提
供する。【解決手段】ランドＬとグルーブＧの各記録トラック
を構成するための案内溝１８が形成された基板１１上
に、第１誘電体層１２、第２誘電体層１３、記録層１
４、第３誘電体層１５、第４誘電体層１６、反射層１７
を順に積層した構成をとる。第１誘電体層１２と第４誘
電体層１６は同一材料を、第２誘電体層１３と第３誘電
体層１５は同一材料を用いる。さらに、第１誘電体層１
２の膜厚を案内溝１８の溝深さより大きくし、第１誘電
体層１２の熱伝導率を第２誘電体層１３の熱伝導率より
も大きくする。これにより、ランドＬでは記録層１４の
熱は直上の反射層１７と隣接する第４誘電体層１６に放
熱され、グルーブＧでは記録層１４の熱は直上の反射層
１７と隣接する第１誘電体層１２に放熱され、ランドＬ
とグルーブＧの放熱性が等しくなり、両者の記録感度が
同等となり、かつ繰り返しオーバーライト耐性が高い相
変化ディスクとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射に
より情報の記録・再生を行う光学情報記録媒体に関し、
特に案内溝により構成される記録トラックとしての凸部
（ランド）と凹部（グルーブ）のそれぞれに対して情報
記録を行う方式の高記録密度相変化光ディスク関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に光学情報記録媒体、特に光磁気デ
ィスクや相変化光ディスクでは、ディスク基板に設けた
同心円状又は螺旋状の案内溝により記録トラックを形成
している。近年における高密度化の要求に伴い、記録ト
ラックのトラックピッチを狭めることが進められてお
り、その一つの手法として、案内溝の凹部（グルーブ）
と、これらグルーブ間の凸部（ランド）の両方に情報を
記録するランド・グルーブ記録が知られている。しかし
ながら、このようなランド・グルーブ記録を行うと、ラ
ンドとグルーブで記録感度が異なるという問題が生じ
る。この現象は次のように説明することができる。図２
は従来の相変化光ディスクの一部の断面模式図であり、
基板２１の表面に案内溝２６によりグルーブＧとランド
Ｌが形成され、その表面上に順次、下部誘電体層２２、
記録層２３、上部誘電体層２４、反射層２５が積層され
た構成とされている。そして、基板２１側からレーザー
光をランドＬまたはグルーブＧの記録層２３に照射して
記録層２３を相変化させ、情報の記録を行っている。

【０００３】このとき、光ディスクの断面構造から判る
ように、ランドＬでは放熱性の高い反射層２５が溝斜面
部を介して記録層２３と隣接するのに対し、グルーブＧ
では反射層２５に対して熱伝導率が低い下部誘電体層２
２が記録層２３に隣接する。このため、ランドＬでは照
射されたレーザー光によるランド両端の記録層２３から
反射層２５への熱流Ｈ１による熱拡散が大きくなり、相
変化を実現するためにより高い記録パワーが必要とな
り、結果として記録感度が低下されることになる。これ
に対し、グルーブＧでは、グルーブ両端の記録層２３に
は反射層２５が近接されないため、ランドのような熱拡
散は生じることはなく、記録パワーは低くてよい。すな
わち、ランドとグルーブでは記録感度が相違することに
なる。

【０００４】このように、ランドとグルーブとの記録感
度が異なると、同一の記録パワーでランドとグルーブの
それぞれに対して情報の記録を行ったときに、記録感度
が低いランド側において充分な相変化が行われず、記録
不良が発生する可能性がある。また、ランドとグルーブ
でそれぞれ好適な記録を実現するためには、ランドとグ
ルーブで記録パワーを変化させる必要があり、装置が複
雑になるという問題が生じる。なお、記録パワーには変
動しても許容される範囲が存在するので、ランドとグル
ーブに記録感度差があってもその差が小さければランド
とグルーブで記録パワーを変化させる必要はない。例え
ば、最適記録パワーの差がランドグルーブ間で５％以下
であれば、ランドとグルーブで同一の記録パワーを用い
ても特に問題は生じない。しかしながら、前記したよう
な従来の記録媒体では、記録パワーの差が５％を越える
ことが多く、前記したような許容範囲を越えてしまうこ
とになる。

【０００５】また、相変化型光ディスクは、記録パワー
を変調することによりオーバーライトが可能である。し
かし、そのため相変化記録膜は加熱および冷却が頻繁に
繰り返されるために、熱損傷を受けやすい。熱損傷のタ
イプは大きく分けて２タイプある。その一つは、多数回
のオーバーライト時に、保護層が膨張・収縮を繰り返
し、脈動することにより記録層の膜厚の変化を引き起こ
し、記録状態が不均一になる。もう一つは、多数回のオ
ーバーライトによって、レーザー光の入射側で特に顕著
になるが、記録層へ保護層の成分が拡散していく現象が
見られる。これにより、記録膜特性に変化が生じ、記録
状態の不均一あるいは記録不能状態になってしまう。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】以上のような光ディス
クにおけるランドとグルーブでの記録感度差の発生、多
数回オーバーライト時の特性劣化、という問題を解消す
るための手法として、たとえば、特開平７−１３０００
６号公報に記載のように、ランドとグルーブで反射層あ
るいは誘電体層あるいは記録層の膜厚を変化させる手法
が提案されている。この手法では、反射層あるいは誘電
体層の膜厚をランドとグルーブで相違させて両者の放熱
性を均等化することによりランドの記録感度を向上させ
ている。しかしながら、ランドの記録感度を向上させた
場合、例えば、反射層の膜厚を薄くして記録感度を向上
させた場合、放熱性が低下するために書き換え可能な繰
り返し回数が低下するという問題が生じてしまう。ま
た、グルーブの記録層の膜厚を厚くしてグルーブの記録
感度を低下させる方法も記載されているが、この場合に
は、記録層の成膜後にランドの記録層をエッチングしな
ければならず、成膜工程が複雑になるとともに、光ディ
スク全面でのエッチング均一性の確保や、記録層へのエ
ッチングガスの混入などの問題を生じてしまうことにな
る。

【０００７】また、特開平４−３１６８８８号公報で
は、熱損傷による多数回オーバーライト耐性の向上を目
的に、線膨張係数が低い誘電体層を用いることを提案し
ている。この方法は、前記保護膜の膨張・収縮による脈
動には、効果があると考えられる。しかし、記録膜を挟
んで第１誘電体層側と第２、第３誘電体層側とで熱的な
バランスが崩れてしまっている。言い換えると、第２、
第３誘電体層側では、金属反射膜へ熱が逃げやすいが、
第１誘電体層側では熱の逃げが低くなってしまう。この
ような構成では、第１誘電体層と記録層との界面におけ
る拡散が進行しやすくなり、繰り返しオーバーライト耐
性が悪くなってしまう。また、基板側の誘電体膜と記録
膜との界面に窒化物層を設けることにより、界面での拡
散を抑制する試みがされている（N. Yamada et al., Jp
n. J. Appl. Phys. Vol.37(1998)pp.2104-2110）。この
膜構成では、先程とは逆に保護膜の脈動による記録膜の
熱損傷は避けられず、やはり繰り返しオーバーライト耐
性は悪くなる。

【０００８】本発明の目的は、記録層や反射層の膜厚を
ランドとグルーブで相違させることなく、ランドとグル
ーブの記録感度差を解消した相変化型光ディスク媒体を
提供することである。さらに繰り返しオーバーライト耐
性が良好で、記録容量の高密度化を実現した光学情報記
録媒体を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の光学情報記録媒体は、光透過性の基板に案内
溝が形成され、前記基板の表面上に第１誘電体層、第２
誘電体層、レーザー光の照射により相変化を起こす記録
層、第３誘電体層、第４誘電体層及び反射層を順に積層
し、前記案内溝の凹部と凸部のそれぞれにおいて情報を
記録・消去・再生可能であり、前記第１誘電体層と前記
第４誘電体層が同一材料であり、さらに前記第２誘電体
層と前記第３誘電体層が同一材料であり、さらに前記第
１誘電体層の膜厚が、前記案内溝の深さよりも大きく、
さらに前記第１誘電体層の熱伝導率が第２誘電体層の熱
伝導率より大きいことを特徴としている。

【００１０】また、本発明においては、前記案内溝の凹
部において前記記録層と前記第１誘電体層が隣接配置さ
れ、また案内溝の凸部において前記記録層と前記第４誘
電体層が隣接配置される。また、前記第１誘電体層の膜
厚と前記第２誘電体層の膜厚の和が５０ｎｍ以上とされ
る。さらに、前記第２誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂
を用い、前記第１誘電体層として線膨張係数が３×１０
^-6／Ｋ以下の材料と用いる。また、前記第１誘電体層の
熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋより大きいことを特徴としてい
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の実施形態の相変化光
ディスクの要部の模式断面図である。光透過性の基板１
１上に第１誘電体層１２、第２誘電体層１３、相変化に
より情報を記録する記録層１４、第３誘電体層１５、第
４の誘電体層１６、反射層１７を順に積層した構成とな
っている。前記基板１１としては、ガラスあるいはポリ
カーボネートなどのプラスチック樹脂が用いられ、円盤
状に形成されるとともに、その上面には同心円状又は螺
旋状の案内溝１８が形成され、この案内溝１８の凹部の
グルーブＧと凸部のランドＬがそれぞれ記録トラックと
して構成され、ランド・グルーブ記録を行うように構成
される。このランド・グルーブ記録ではランドＬとグル
ーブＧの両方に記録を行うためにランドＬとグルーブＧ
の幅（径方向の寸法）はほぼ等しく形成される。また、
前記案内溝１８の深さは、トラッキングエラー信号の品
質確保、クロストーク低減などの観点から、情報の記
録、再生に用いるレーザー光源の波長をλとすると、波
長λにおける基板の屈折率をｎとして、一般にλ／８ｎ
〜λ／２ｎの範囲に設定される。

【００１２】前記第１誘電体層１２および第４誘電体層
１６としては、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＧｅＮ、Ａ
ｌＮ、ＢＮ、ＤＬＣ（ダイアモンド状カーボン）、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＴｉＮ、ＳｉＣ、Ａｌ₂Ｏ₃等の材料やこれら
の混合物が用いられる。また、第２誘電体層１３および
第３誘電体層１５としてはＺｎＳとＳｉＯ₂の混合膜
（ＳｉＯ₂の混合比は、３〜４５ｍｏｌ％）が用いられ
る。前記記録層１４としてはＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅が、反
射層１６としてはＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｉ等の材料やこれらの混合物が用
いられる。

【００１３】ここで、前記第１誘電体層１２と前記第４
誘電体層１６は前記各選択可能な材料のうちから、同一
材料が選んで選択される。また、前記第２誘電体層１３
と前記第３誘電体層１５も同様に同一材料で構成され
る。この場合、前記第１誘電体層１２（および第４誘電
体層１６）の熱伝導率は、第２誘電体層１３（および第
３誘電体層１５）の熱伝導率より大きいことが肝要であ
る。また、前記第１誘電体層１２の膜厚は、前記案内溝
１８の深さ、すなわちλ／８ｎ〜λ／２ｎよりも厚く形
成される。なお、前記第１誘電体層１２として用いられ
る材料は、その線膨張係数が３×１０^-6／Ｋ以下であ
る。また、前記第１誘電体層１２と第２誘電体層１３の
膜厚の和は５０ｎｍ以上とする。

【００１４】図１の相変化光ディスクに対してグルーブ
Ｇに記録を行う場合を考えてみる。前記したように、第
１誘電体層１２の膜厚が案内溝１８の深さよりも厚く形
成されているので、相変化を起こす記録層１４と、熱伝
導率の高い第１誘電体層１２が案内溝１８の溝斜面を介
して隣接している。そのため、記録層１４への情報の記
録は、基板１１、第１誘電体層１２、第２誘電体層１３
を通して照射されるレーザー光により行われが、その際
の記録層１４からの熱拡散は、同図に矢印で示すよう
に、熱流Ｈ１で示される反射層１７への熱拡散の他に、
熱流Ｈ２で示される第１誘電体層１２への熱拡散が加わ
ることになる。このため、グルーブＧでの記録感度は、
図２に示したような熱流Ｈ１のみが支配的な従来の相変
化光ディスクに比べて低下される。一方、ランドＬにお
いては、記録層１４からの熱拡散は、直上の反射層１７
への熱流Ｈ１と、案内溝１８の溝斜面部を介して記録層
１４に隣接する第４誘電体層１６への熱流Ｈ２によって
行われる。ここで、第１誘電体層１２と第４誘電体層１
６は同一材料であり、かつそれぞれ第２誘電体層１３と
第３誘電体層１５の熱伝導率より大きくされているた
め、グルーブＧとランドＬのそれぞれの熱拡散は同程度
となり、グルーブＧのランドＬに対する記録感度の差が
低減あるいは解消される。

【００１５】また、繰り返しオーバーライト耐性につい
て考えてみる。前述のように、記録層１４への情報の記
録は、基板１１、第１誘電体層１２、第２誘電体層１３
を通して照射されるレーザー光の吸収により行われる
が、その際の熱の拡散は、第１誘電体層１２と第４誘電
体層１６、第２誘電体層１３と第３誘電体層１５がそれ
ぞれ同一材料を用いて形成されているため、記録層１４
の上面も下面も熱的な特性がほぼ対称となる。これによ
って、従来みられた、レーザー光の入射側の保護膜材料
が記録層１４へ拡散する現象が抑制され、繰り返しオー
バーライト耐性が向上する。さらに、第１誘電体層１２
および第４誘電体層１６の材料が、前記したように線膨
張係数の低い材料を用いていることから、保護層が脈動
することによる記録層１４の膜厚変化が抑制できるため
に、繰り返しオーバーライト耐性が向上する。さらに、
前記第１誘電体層１２と前記第２誘電体層１３の膜厚の
和を５０ｎｍ以上とすることで、基板１１に対する熱負
荷を低減でき、光ディスクの長寿命化が実現できる。さ
らに、第２誘電体層１３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂を用い
たときには、消去性能や繰り返し性能が改善される。

【００１６】

【実施例】（第１実施例）図１に示した本発明の第１の
実施形態に適用した例であり、基板１１として厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネートを用い、第１誘電体層１２と
してＳｉＯ₂を２１０ｎｍの膜厚で、第２誘電体層１３
としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂を２８ｎｍの膜厚で、記録層１
４としてＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅を１５ｎｍの膜厚で、第３
誘電体層１５としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂を２８ｎｍの膜厚
で、第４誘電体層１６としてＳｉＯ₂を２１０ｎｍ、反
射層１７としてＡｌ−Ｔｉを１００ｎｍの膜厚で、それ
ぞれ順次スパッタリングにより積層して光ディスクを形
成した。前記ポリカーボネート基板上に形成された案内
溝１８のピッチは１．２μｍ、深さは６０ｎｍとした。
前記第１誘電体層１２および前記第４誘電体層１６を構
成するＳｉＯ₂の熱伝導率は１．４Ｗ／ｍ・Ｋであり、
前記第２誘電体層１３および第３誘電体層１５を構成す
るＺｎＳ−ＳｉＯ₂の熱伝導率０．５８Ｗ／ｍ・Ｋより
も充分に大きくされている。

【００１７】そして、この光ディスクを線速６ｍ／ｓで
回転させ、波長６６０ｎｍ、対物レンズの開口数０．６
の光ヘッドを用いて測定を行った。ランド部及びグルー
ブ部それぞれで、１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比＝５０％の信号
を記録して最適記録パワーを測定した。ここで、最適記
録パワーは１ＭＨｚの信号のキャリア成分と２次高調波
歪み成分の比が最小になるパワーと規定した。ランド部
およびグルーブ部の最適記録パワーは、それぞれ、８．
８ｍＷ、９．１ｍＷであった。最適記録パワーの差は、
わずか０．３ｍＷであり、約３．３％である。次に、こ
の媒体の繰り返しオーバーライト耐性をビットエラーレ
ート測定により評価した。その結果、１００万回繰り返
しオーバーライトした後でも、エラーレートの劣化は見
られなかった。

【００１８】（第２実施例）図１に示した本発明の実施
形態に適用した他の例であり、基板１１として厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネートを用い、第１誘電体層１２と
してＳｉＮを１００ｎｍの膜厚で、第２誘電体層１３と
してＺｎＳ−ＳｉＯ₂を１４ｎｍの膜厚で、記録層１４
としてＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅を１６ｎｍの膜厚で、第３誘
電体層１５としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂を１４ｎｍの膜厚
で、第４誘電体１６としてＳｉＮを２８ｎｍの膜厚で、
反射層１７としてＡｌ−Ｔｉを１００ｎｍの膜厚で、そ
れぞれ順次スパッタリングにより積層して光ディスクを
形成した。前記ポリカーボネート基板１１上に形成され
た案内溝１８のピッチは１．２μｍ、深さは８０ｎｍと
した。第１誘電体層１２を構成するＳｉＮの熱伝導率は
１．６Ｗ／ｍ・Ｋであり、第２誘電体層１３のＺｎＳ−
ＳｉＯ₂の熱電導率０．５Ｗ／ｍ・Ｋよりも充分に大き
くされている。

【００１９】この光ディスクを線速６ｍ／ｓで回転さ
せ、波長６６０ｎｍ、対物レンズの開口数０．６の光ヘ
ッドを用いて測定を行った。前記第１実施例と同様に、
ランド部及びグルーブ部それぞれで、１ＭＨｚ、ｄｕｔ
ｙ＝５０％の信号を記録して最適記録パワーを測定し
た。ランド部およびグルーブ部の最適記録パワーは、そ
れぞれ、８．５ｍＷ、８．６ｍＷであった。最適記録パ
ワーの差は、わずか０．１ｍＷであり、約１．２％であ
る。次に、この媒体の繰り返しオーバーライト耐性をビ
ットエラーレート測定により評価した。その結果、１０
０万回繰り返しオーバーライトした後でも、エラーレー
トの劣化は見られなかった。

【００２０】（第３実施例）図１に示した本発明の実施
形態に適用した他の例であり、基板１１として厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネートを用い、第１誘電体層１２と
してＳｉＯ₂を２５０ｎｍの膜厚で、第２誘電体層１３
としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂を１８ｎｍの膜厚で、記録層１
４としてＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅を１２ｎｍの膜厚で、第３
誘電体層１５としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂を１２ｎｍの膜厚
で、第４誘電体層１６としてＳｉＯ₂を１８ｎｍ、反射
層１７としてＡｌ−Ｔｉを１００ｎｍの膜厚で、それぞ
れ順次スパッタリングにより積層して光ディスクを形成
した。前記ポリカーボネート基板上に形成された案内溝
１８のピッチは１．２μｍ、深さは６０ｎｍとした。前
記第１誘電体層１２および前記第４誘電体層１６を構成
するＳｉＯ₂の熱伝導率は１．４Ｗ／ｍ・Ｋであり、前
記第２誘電体層１３および第３誘電体層１６を構成する
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂の熱伝導率０．５８Ｗ／ｍ・Ｋよりも
充分に大きくされている。

【００２１】この光ディスクを線速６ｍ／ｓで回転さ
せ、波長６６０ｎｍ、対物レンズの開口数０．６の光ヘ
ッドを用いて測定を行った。前記各実施例と同様に、ラ
ンド部及びグルーブ部それぞれで、１ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
＝５０％の信号を記録して最適記録パワーを測定した。
ランド部およびグルーブ部の最適記録パワーは、それぞ
れ、９．２ｍＷ、９．２ｍＷであった。最適記録パワー
の差は、見られなかった。次に、この媒体の繰り返しオ
ーバーライト耐性をビットエラーレート測定により評価
した。その結果、１００万回繰り返しオーバーライトし
た後でも、エラーレートの劣化は見られなかった。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、記録トラ
ックとしてのランドとグルーブを構成するための案内溝
が形成された基板に第１誘電体層、第２誘電体層、記録
層、第３誘電体層、第４誘電体層及び反射層が順に積層
されている相変化光ディスクにおいて、第１誘電体層と
第４誘電体層を同一材料で作製し、かつ第２誘電体層と
第３誘電体層を同一材料で作製し、かつ、第１誘電体層
の膜厚が案内溝の深さよりも大きく、かつ第１誘電体層
の熱伝導率を第２誘電体層の熱伝導率より大きくしてい
るので、ランドとグルーブにおける記録層からの熱拡散
を同程度にでき、ランドとグルーブの記録感度をほぼ等
しくできる。さらに、記録層を挟んで、誘電体層の材料
が対称となるため、熱的なバランスがとれる。これらに
より、ランドとグルーブで記録パワーを変化させる必要
がなく、記録・再生装置の構成を複雑化することが回避
できるとともに、ランドとグルーブで記録層や反射層の
膜厚を変化させる必要もなく、容易に製造することが可
能となり、保護膜物質の拡散によるオーバーライト耐性
の劣化を抑制できる。さらに、前記第１誘電体層と前記
第２誘電体層の膜厚の和を５０ｎｍ以上とすることで、
基板に対する熱負荷を低減でき、光ディスクの長寿命化
が実現できる。さらに、第２誘電体層としてＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂を用いることで、消去性能や繰り返し性能が損な
われることはない。さらに、前記第１誘電体層と前記第
４誘電体層に線膨張係数が低い材料を用いたことによ
り、保護膜の脈動による記録層膜厚の変動を抑制でき、
繰り返しオーバーライト耐性が向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の相変化光ディスクの構成を
示す模式断面図である。

【図２】従来の相変化光ディスクの一例の構成を示す模
式断面図である。

【符号の説明】

１１基板１２第１誘電体層１３第２誘電体層１４記録層１５第３誘電体層１６第４誘電体層１７反射層１８案内溝２１基板２２下部誘電体層２３記録層２４上部誘電体層２５反射層２６案内溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光透過性の基板の表面に案内溝が形成さ
れ、かつ前記基板の表面上に第１誘電体層、第２誘電体
層、レーザー光の照射により相変化を起こす記録層、第
３誘電体層、第４誘電体層及び反射層が順に積層され、
前記案内溝の凹部と凸部のそれぞれにおいて情報を記録
・消去・再生可能な光学情報記録媒体であって、前記第
１誘電体層と前記第４誘電体層が同一材料であり、前記
第２誘電体層と前記第３誘電体層が同一材料であり、前
記第１誘電体層の膜厚が前記案内溝の深さよりも大き
く、前記第１誘電体層の熱伝導率が第２誘電体層の熱伝
導率より大きいことを特徴とする光学情報記録媒体。
【請求項２】前記案内溝の凹部において、前記記録層
と前記第１誘電体層が隣接配置され、前記案内溝の凸部
において前記記録層と前記第４誘電体層が隣接配置され
ることを特徴とする請求項１に記載の光学情報記録媒
体。
【請求項３】前記第１誘電体層の膜厚と前記第２誘電
体層の膜厚の和が５０ｎｍ以上であることを特徴とする
請求項１または２に記載の光学情報記録媒体。
【請求項４】前記第２誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ
₂を用い、前記第１誘電体層として線膨張係数が３×１
０^-6／Ｋ以下の材料を用いることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載の光学情報記録媒体。
【請求項５】前記第２誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ
₂を用い、前記第１誘電体層の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ
より大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
に記載の光学情報記録媒体。