JP2000329681A - 自己励振、自己検知型プローブ及び走査型プローブ装置 - Google Patents
自己励振、自己検知型プローブ及び走査型プローブ装置Info
- Publication number
- JP2000329681A JP2000329681A JP2000019217A JP2000019217A JP2000329681A JP 2000329681 A JP2000329681 A JP 2000329681A JP 2000019217 A JP2000019217 A JP 2000019217A JP 2000019217 A JP2000019217 A JP 2000019217A JP 2000329681 A JP2000329681 A JP 2000329681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lever
- resistor
- probe
- self
- scanning probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 12
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q10/00—Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
- G01Q10/04—Fine scanning or positioning
- G01Q10/045—Self-actuating probes, i.e. wherein the actuating means for driving are part of the probe itself, e.g. piezoelectric means on a cantilever probe
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q20/00—Monitoring the movement or position of the probe
- G01Q20/04—Self-detecting probes, i.e. wherein the probe itself generates a signal representative of its position, e.g. piezoelectric gauge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/873—Tip holder
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
型プローブ及びこれを用いた走査型プローブ装置を提供
すること。 【解決手段】 プローブ1のレバー3を振動させて試料
の測定を行うようにした走査型プローブ装置において、
レバー3に抵抗体5を設け、抵抗体5に周期的なバイア
ス信号を印加することによりレバー3を外部からの加振
なしに振動させ、このとき生じる抵抗体5の抵抗変化か
らレバー3の変位を検出できるようにした。
Description
を振動させて動作させるDFMモードで使用するのに好
適な自己励振、自己検知型プローブ及びこれを用いた走
査型プローブ装置に関するものである。
試料の表面形状を測定する場合、プローブのカンチレバ
ーを共振振動させるなどして試料表面を軽く叩き、該叩
き具合が一定になるようにサーボ系でカンチレバーのZ
方向の位置(試料とカンチレバーとの間の距離)をフィ
ードバック制御することにより、試料表面の形状データ
を得るようにするダイナミック測定モードが従来から広
く採用されてきている。
料の測定を行う場合、従来では、カンチレバーを励振さ
せるためにPZTなどの圧電体をカンチレバー本体に物
理的接触により結合させる構成が採用されている。
カンチレバーを振動させ、カンチレバーの基部付近に取
り付けられている抵抗体に直流バイアスを掛けてカンチ
レバーの撓みに応じた検出信号を得、これを差動アンプ
を介して取り出すことにより測定データを得ていた。
いては、カンチレバーを加振しようとする場合、圧電体
を使用して外部から行う構成であるから、圧電体とカン
チレバーとの力学的結合状態によって振動の伝達が不安
定となる傾向を有する上、付加的に圧電体を設けること
により装置構成が複雑化してしまうという問題があっ
た。
のに、歪センサとして使用される抵抗体に直流バイアス
を印加し、このときの電圧の変化をカンチレバーの歪み
量として検出していたので、感度が悪い上、取付状態に
よるばらつきが大きいので測定を精度よく行うことがで
きなかった。
周波数付近となっており、したがって、カンチレバーの
特性がばらつくことによる動作点の再現性の困難さを有
しており、安定した動作を期待することができないとい
う別の問題点も有していた。
問題点を解決することができるようにした、自己励振、
自己検知型プローブ及びこれを用いた走査型プローブ装
置を提供することにある。
の本発明の特徴は、プローブのレバーを振動させて試料
の測定を行うようにした走査型プローブ装置において、
レバーに抵抗体を設けたプローブを用い、該抵抗体に周
期的なバイアス信号を印加することにより該レバーを振
動させるようにした点にある。
ラテーションによりドーピングすることで設けることが
できる。圧電体を取り付けて外部から加振する場合に比
べ、振動の伝達のばらつきを除去し、安定な加振を行う
ことができる。また、バイアス信号の周期を任意に選ぶ
ことができ、動作点をレバーの共振点以外に設定するこ
とも容易となる。
検出のための検出素子として使用することもできる。
ーの歪の検出のための検出素子を別途設ける構成とする
こともできる。
と同一構成の参照用抵抗体を設けておき、この参照用抵
抗体を、レバーの歪の検出のための温度補償用として使
用することもできる。
温度補償を行う場合、両抵抗体に同一の交流バイアスを
印加する構成とすることもできる。
的に振幅の変化するバイアス信号を用いると、S/N比
の良好な検出ができ、振幅、位相、周波数の成分を用い
た各種検波方式による高精度な測定が可能となる。した
がって、小レベルの信号が検出可能となり、高分解能で
高精度の測定ができる走査型プローブ装置が実現でき
る。
施の形態の一例につき詳細に説明する。
知型プローブの実施の形態の一例が示されている。図1
に示したプローブ1は、走査型プローブ顕微鏡に用いら
れるプローブとして構成されており、例えば、SOIウ
エハー等を用いたフォトリソグラフィーによって製造す
ることができるものである。プローブ1は、SOIウエ
ハーをエッチングして作られた支持部2から、レバー3
が一体に延設されて成り、レバー3の自由端部には探針
4がレバー3と一体に設けられている。なお、探針4は
レバー3と別体であってもよいし、探針4を持たないレ
バー3の形態としてもよい。
られている。本実施の形態では、抵抗体5はレバー3の
長手方向に延びるように設けられた一対の抵抗素子5
A、5Bから成っており、抵抗素子5A、5Bの各一端
5Aa、5Baは金属配線6により電気的に接続されて
いる。抵抗素子5A、5Bは、後述するように、レバー
3の加振とレバー3の歪み検出との両方の目的で設けら
れている。抵抗素子5A、5Bは、レバー3上に不純物
(ボロン、リン等)をイオンインプラテーションなどに
よりドーピングして一定幅の帯状の形態に形成されてい
る。
状の金属配線7、8が被着されており、金属配線7、8
の各一端7A、8Aが抵抗素子5A、5Bの各他端5A
b、5Bbと電気的に接続されている。金属配線7、8
の各他端7B、8Bは端子部となっており、他端7B、
8Bを介して外部の回路に抵抗素子5A、5Bを電気的
に接続することができる構成となっている。
7、8はいずれもアルミニウムを用いた金属膜として形
成した構成となっている。
ので、プローブ1を図示しない走査型プローブ顕微鏡に
セットし、レバー3を振動させて測定するダイナミック
測定モードで使用することができる。すなわち、他端7
B、8B間に加振用の電気的エネルギーとして周期的に
レベル変化する電圧信号、例えば交流電圧信号、を加振
電圧信号KVとして印加すれば、加振電圧信号KVによ
って抵抗体5に流れる交流電流によりレバー3が加振電
圧信号KVの周波数f1と同一の周波数f1で変位(振
動)する。
動作の様子の一例が示されている。図2に示した例で
は、加振電圧信号KVは0ボルトからVaボルトの間で
周期的にレベル変化するサイン波状の信号となっている
が、三角波、矩形波等の電圧信号を用いてもよいことは
勿論である。加振電圧信号KVがどのような形態の電圧
信号であっても、加振電圧信号KVの周期的変化に相応
してレバー3が変位し、レバー3を自己励振させること
ができる。レバー3の振動振幅は加振電圧信号KVの電
圧レベルにより調節することができる。
述の如くして形成された抵抗体5に加振用の電圧信号を
与えることによりレバー3を励振させる自己励振型とし
たので、外部から加振する従来の構成に比べて加振を制
御性よくコントロールできるので、振動の伝達のばらつ
きがなくなり、高精度で再現性の良好なレバー3の励振
を実現できる。この結果、高感度、高精度で信号検出が
行える。
号KVの周波数で決まるので、レバー3の共振周波数以
外の任意の周波数とすることができる。しかし、この周
波数はレバー3の共振点付近の値とした方が、レバー3
の振幅を大きくすることができ、検出感度を上げること
ができるので好ましい。
の歪の検出用にも用いられる。レバー3の歪みに応じて
抵抗体5の抵抗値が変化することを利用したものであ
り、金属配線7、8の各他端7B、8B間に抵抗体5の
抵抗値測定のための回路が接続される。この抵抗体5の
抵抗値測定のための回路は、従来の自己検知型のプロー
ブのために用いられているものと同様のものを使用する
ことができる。
ットによってレバー3の振動周波数が変化する。例え
ば、図2の(C)に示すように、加振電圧信号KVの周
波数をf2とし、レバー3の振動周波数を(D)に示す
ように2ラf2とする動作も可能である。しかし、図2
の(A)、(B)に示した動作態様の方が抵抗体5から
の信号に基づく歪みの検出が簡単となるので、加振電圧
信号KVの周波数とレバー3の振動周波数とが同一とな
るように動作させるのが好ましい。
知型プローブの他の実施の形態が示されている。図3に
示したプローブ11は、図1に示したプローブ1と基本
構成は同じであるが、レバー3を加振するための加振用
抵抗体と、レバー3の歪(変位)を検出するための変位
検出用抵抗体とを別に設けた点でのみ図1のプローブ1
と異なっている。したがって、プローブ11の各部のう
ち、プローブ1の各部に対応する部分には、同一の符号
を付してそれらの説明を省略する。
A、12Bから成る加振用抵抗体、13、14、15は
接続用の金属配線、16は検出用抵抗素子16A、16
Bから成る検出用抵抗体、17、18、19は接続用の
金属配線である。これらは、図1に示した抵抗体5及び
金属配線6、7、8の製造技術と同様の技術で同様に作
られている。
体12と検出用抵抗体16とを別体にして設けたので、
金属配線14、15に加振電圧信号KVを外部から印加
してレバー3を励振させ、このとき生じるレバー3の変
位を金属配線18、19に接続される検出用の回路によ
って電気的に検出することができる。金属配線18、1
9に接続される検出用の回路は、従来の自己検出型プロ
ーブにおいて用いられていた回路を使用することができ
る。
と共にこれにより生じたレバー3の変位を検出するため
の回路の構成の一例が示されている。図4において、2
1は、加振用抵抗体12の加振用抵抗素子12A、12
Bに励振用の加振電圧信号KVを与えるための電圧発生
器、総体的に符号22で示されるのが、検出用抵抗体1
6の検出用抵抗素子16A、16Bに接続され、検出用
抵抗素子16A、16Bの抵抗値の変化からレバー3の
変位を検出するための変位検出回路である。
A及び16Bによってブリッジ回路を構成する抵抗器2
3、24を有している。抵抗器23は可変抵抗器であ
り、その可変接点とアースとの間には別にバイアス用の
可変電圧源27から直流電圧VBが供給されている。そし
て、抵抗器23の両端の電圧が差動アンプ28に入力さ
れ、差動アンプ28の出力からレバー3の変位を示す電
圧信号が取り出される構成である。
を示すものである。図5に示したプローブ31は、支持
部2にリファレンスレバー32を設け、リファレンスレ
バー32に参照用抵抗体33を設けた点でプローブ1と
異なっている。参照用抵抗体33は抵抗体5と同様に構
成され、抵抗素子33A、33Bから成り、金属配線3
4〜36によって接続されている。
いるので、これを用いることにより参照用抵抗体33の
熱ドリフトによる影響を除去してレバー3の変位を精度
よく検出することができる。リファレンスレバー32の
位置は図5に示す位置に限定されるものではない。
内に設けた場合の構成例が示されている。図6を参照す
ると、このプローブ41は、リファレンスレバー42を
支持部2内に設け、リファレンスレバー42に抵抗素子
43A、43Bから成る参照用抵抗体43を形成すると
共に、金属配線44〜46を形成したものである。プロ
ーブ31とプローブ41とは、レバー3が振動したとき
にリファレンスレバー32はこれと同様に振動するのに
対し、リファレンスレバー42は殆ど振動しない点で異
なっている。
参照用抵抗体33又は43を有するプローブ31又は4
1におけるレバー3の変位検出のための回路構成の一例
が示されている。
33との間に接続される可変抵抗器52を有し、抵抗体
5と参照用抵抗体33との各一端がそれぞれアースされ
ることにより、抵抗体5と参照用抵抗体33と可変抵抗
器52とによって抵抗ブリッジ回路が構成されている。
可変抵抗器52の可動接点とアースとの間には、バイア
ス用の交流電圧ACが交流電源53によって印加されて
おり、可変抵抗器52の両端の電圧が差動アンプ54に
入力され、差動アンプ54の出力からレバー3の変位を
示す電圧信号が得られる。
抗体5の抵抗値のドリフトと同じドリフトが参照用抵抗
体33にも生じるので、両ドリフトが差動アンプ54の
入力でキャンセルされ、したがって、抵抗体5に生じる
レバー3の変位による電圧変化のみが差動アンプ54の
出力から得られることになる。
43を用いても同様の効果が得られる。しかし、参照用
抵抗体33を用いた場合にはリファレンスレバー32の
振動の影響を参照用抵抗体33が受けるため、ドリフト
のキャンセル量は大きなものとなるが、図6に示した構
成に従う参照用抵抗体43を用いた場合には、リファレ
ンスレバー42にレバー3と同様の振動が生じないの
で、ドリフトのキャンセル量はその分小さなものとな
る。
出する回路構成について述べたが、試料と探針との間
で、距離、材質等の変化により相互作用が影響を受け、
レバー3の振幅、位相、周波数が変化する。したがっ
て、抵抗体から得られる検出信号を基にその振幅、位
相、周波数を基にレバー3の変位を検出する回路構成と
してもよい。このような検出はS/N比が良好であるこ
とが必要とされるが、図7に示されるような回路構成に
よれば、高S/N比での測定が可能となるので、上述し
た各種検波方式を用いてレバー3の変位を高精度にて検
出することが可能となる。図8は、本発明を適用した走
査型プローブ装置の構成を示したブロック図である。3
次元試料ステージ73上には試料60が載置され、試料
60の上方には、本発明で構成のプローブ1の探針4が
対向配置されている。検出部71はバイアス回路と増幅
器からなっており、プローブ1にバイアス及び励振信号
を印加し、プローブの歪みによって発生した信号を増幅
する。演算部72は所望の信号を得るための演算を行う
部分で、振幅、位相、周波数等の変化分を変位信号S1
に変換する。制御部75は、変位信号S1が0に近付く
ようにアクチュエータ駆動増幅器70を制御する。ま
た、制御部75の出力信号が輝度信号(Z信号)として
コントローラ77へ供給される。走査信号発生部76
は、試料60をXY方向へ微動させるための微動信号を
アクチュエータ駆動増幅器70へ供給し、コントローラ
77へはラスタ走査信号を供給する。コントローラ77
はパーソナルコンピュータ等で容易に構成できる、装置
全体を制御信号でコントロールする機能と、XYZの信
号を3次元像として表示する機能を持つ。さらに専用の
ソフトウエアで演算処理して信号を変換することによ
り、いろいろな表面情報を得ることができる。
の方式に比べ、振動の伝達のばらつきがなくなり、加振
を良好に制御でき、高感度、高精度の測定が可能とな
る。また、交流の如き周期的に振動の振幅の変化するバ
イアス信号を用いて変位検出を行う構成によれば、抵抗
体によって得られる検出信号の振幅、位相、周波数の成
分を用いての変位検出が可能となり、高分解能で高性能
の測定が可能となる。
実施の形態の一例を示す斜視図。
すグラフ。
他の実施の形態を示す要部拡大平面図。
これにより生じたレバーの変位を検出するための回路の
構成の一例を示す図。
平面図。
平面図。
の変位検出のための回路構成の一例を示す回路図。
図。
Claims (8)
- 【請求項1】 プローブのレバーを振動させて試料の測
定を行うようにした走査型プローブ装置において、レバ
ーに抵抗体を設けたプローブを用い、該抵抗体に周期的
なバイアス信号を印加することにより該レバーを振動さ
せるようにしたことを特徴とする走査型プローブ装置。 - 【請求項2】 前記抵抗体を前記レバーの歪検出のため
の検出素子としても使用するようにした請求項1記載の
走査型プローブ装置。 - 【請求項3】 前記レバーに、前記レバーの歪検出のた
めの素子としての別の抵抗体をさらに設けた請求項1記
載の走査型プローブ装置。 - 【請求項4】 前記レバーの近くに、参照用レバーをさ
らに設け、該参照用レバーに前記抵抗体と同一構成の参
照用抵抗体を設け、該参照用抵抗体を前記レバーの歪検
出のための温度補償用のための素子として用いた請求項
2記載の走査型プローブ装置。 - 【請求項5】 前記抵抗体と前記参照用抵抗体とに同一
のACバイアスを印加するようにした請求項4記載の走
査型プローブ装置。 - 【請求項6】 前記レバーの歪検出のための出力信号の
振幅変化、位相変化、周波数変化のうち少なくとも一つ
を変位信号とした検波方式を用いた請求項2、3又は4
記載の走査型プローブ装置。 - 【請求項7】 走査型プローブ装置に用いるプローブで
あって、該プローブのレバーに抵抗体を設け、該抵抗体
に間歇的に電流を流すことにより前記レバーを励振可能
とすると共に、該抵抗体を用いて前記レバーの歪を検出
可能としたことを特徴とする自己励振、自己検知型プロ
ーブ。 - 【請求項8】 走査型プローブ装置に用いるプローブで
あって、該プローブのレバーに第1の抵抗体を設け、該
第1の抵抗体に間歇的に電流を流すことにより前記レバ
ーを励振可能とすると共に、該プローブのレバーに第2
の抵抗体を設け、該第2の抵抗体を用いて前記レバーの
歪を検出可能としたことを特徴とする自己励振、自己検
知型プローブ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000019217A JP2000329681A (ja) | 1999-03-16 | 2000-01-27 | 自己励振、自己検知型プローブ及び走査型プローブ装置 |
US09/526,148 US6422069B1 (en) | 1999-03-16 | 2000-03-15 | Self-exciting and self-detecting probe and scanning probe apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-70923 | 1999-03-16 | ||
JP7092399 | 1999-03-16 | ||
JP2000019217A JP2000329681A (ja) | 1999-03-16 | 2000-01-27 | 自己励振、自己検知型プローブ及び走査型プローブ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000329681A true JP2000329681A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=26412042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000019217A Withdrawn JP2000329681A (ja) | 1999-03-16 | 2000-01-27 | 自己励振、自己検知型プローブ及び走査型プローブ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6422069B1 (ja) |
JP (1) | JP2000329681A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241683A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-10-09 | Seiko Instruments Inc | 顕微鏡用プローブ及び走査型プローブ顕微鏡 |
JP2009300116A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Sii Nanotechnology Inc | カンチレバー、カンチレバーシステム、走査型プローブ顕微鏡、質量センサ装置、弾性計測装置及びマニピュレーション装置並びにカンチレバーの変位測定方法、カンチレバーの加振方法及びカンチレバーの変形方法 |
JP2010054310A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Sii Nanotechnology Inc | カンチレバー、カンチレバーシステム及びプローブ顕微鏡並びに吸着質量センサ |
WO2020080516A1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 固液界面近傍の物性変化解析装置及び固液界面近傍の物性変化を解析する方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100418881B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2004-02-19 | 엘지전자 주식회사 | Afm 용 고감도 압전저항 캔틸레버 |
JP3828030B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2006-09-27 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 温度測定プローブおよび温度測定装置 |
JP2004093352A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Seiko Instruments Inc | 極微小多探針プローブの製造方法及び表面特性解析装置 |
US7055378B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-06 | Veeco Instruments, Inc. | System for wide frequency dynamic nanomechanical analysis |
US7497133B2 (en) | 2004-05-24 | 2009-03-03 | Drexel University | All electric piezoelectric finger sensor (PEFS) for soft material stiffness measurement |
JP2006170971A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Korea Electronics Telecommun | 駆動ヘッド及びそれを備えた個人用原子顕微鏡 |
JP2006258429A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Sii Nanotechnology Inc | 走査型プローブ顕微鏡 |
US20100294927A1 (en) * | 2005-09-12 | 2010-11-25 | Nanolnk, Inc. | High throughput inspecting |
US8481335B2 (en) * | 2006-11-27 | 2013-07-09 | Drexel University | Specificity and sensitivity enhancement in cantilever sensing |
EP2100125A4 (en) * | 2006-11-28 | 2012-02-15 | Univ Drexel | MICROPORTE-TO-FALSE PIEZOELECTRIC SENSORS FOR BIODETECTION |
US7992431B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-08-09 | Drexel University | Piezoelectric microcantilevers and uses in atomic force microscopy |
AU2008223285A1 (en) | 2007-02-01 | 2008-09-12 | Drexel University | A hand-held phase-shift detector for sensor applications |
WO2009079154A2 (en) | 2007-11-23 | 2009-06-25 | Drexel University | Lead-free piezoelectric ceramic films and a method for making thereof |
US8741663B2 (en) | 2008-03-11 | 2014-06-03 | Drexel University | Enhanced detection sensitivity with piezoelectric sensors |
CN105259031A (zh) | 2008-05-16 | 2016-01-20 | 德瑞索大学 | 评估组织的系统和方法 |
US20110086368A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Drexel University | Method for immune response detection |
US8722427B2 (en) * | 2009-10-08 | 2014-05-13 | Drexel University | Determination of dissociation constants using piezoelectric microcantilevers |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05196458A (ja) * | 1991-01-04 | 1993-08-06 | Univ Leland Stanford Jr | 原子力顕微鏡用ピエゾ抵抗性片持ばり構造体 |
US5386720A (en) * | 1992-01-09 | 1995-02-07 | Olympus Optical Co., Ltd. | Integrated AFM sensor |
US5856672A (en) * | 1996-08-29 | 1999-01-05 | International Business Machines Corporation | Single-crystal silicon cantilever with integral in-plane tip for use in atomic force microscope system |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019217A patent/JP2000329681A/ja not_active Withdrawn
- 2000-03-15 US US09/526,148 patent/US6422069B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241683A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-10-09 | Seiko Instruments Inc | 顕微鏡用プローブ及び走査型プローブ顕微鏡 |
JP2009300116A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Sii Nanotechnology Inc | カンチレバー、カンチレバーシステム、走査型プローブ顕微鏡、質量センサ装置、弾性計測装置及びマニピュレーション装置並びにカンチレバーの変位測定方法、カンチレバーの加振方法及びカンチレバーの変形方法 |
JP2010054310A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Sii Nanotechnology Inc | カンチレバー、カンチレバーシステム及びプローブ顕微鏡並びに吸着質量センサ |
US8719959B2 (en) | 2008-08-27 | 2014-05-06 | Sii Nano Technology Inc. | Cantilever, cantilever system, and probe microscope and adsorption mass sensor including the cantilever system |
WO2020080516A1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 固液界面近傍の物性変化解析装置及び固液界面近傍の物性変化を解析する方法 |
JPWO2020080516A1 (ja) * | 2018-10-18 | 2021-12-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 固液界面近傍の物性変化解析装置及び固液界面近傍の物性変化を解析する方法 |
JP7432241B2 (ja) | 2018-10-18 | 2024-02-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 固液界面近傍の物性変化解析装置及び固液界面近傍の物性変化を解析する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6422069B1 (en) | 2002-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000329681A (ja) | 自己励振、自己検知型プローブ及び走査型プローブ装置 | |
US6668627B2 (en) | Sensor apparatus with magnetically deflected cantilever | |
KR101154832B1 (ko) | 자기장 센서 디바이스 및 나침반 | |
US7378837B2 (en) | Method and system for calibrating a micro-electromechanical system (MEMS) based sensor using tunneling current sensing | |
JP3481720B2 (ja) | 表面電位測定装置 | |
JPH09170927A (ja) | 振動型角速度検出装置 | |
US7741832B2 (en) | Micro-electromechanical system (MEMS) based current and magnetic field sensor using tunneling current sensing | |
KR20070032936A (ko) | 공진 자력계 장치 | |
JP2005524856A (ja) | Memsセンサのための受動温度補償 | |
JPH1048224A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
JP2001264072A (ja) | 角速度センサ | |
EP1430311A1 (en) | Sensor for non-contacting electrostatic detector | |
CN100485311C (zh) | 用于扫描探针显微镜检查的微调机构 | |
US20020100322A1 (en) | Vibrating gyroscope and temperature-drift adjusting method therefor | |
JP4024451B2 (ja) | 走査型ケルビンプローブ顕微鏡 | |
JP3294662B2 (ja) | 表面電位計 | |
JP2007240393A (ja) | 表面電位計および表面電位測定方法 | |
JP2001264355A (ja) | 加速度センサ | |
JPH10260043A (ja) | 角速度検出装置 | |
JP3452314B2 (ja) | 形状測定器 | |
JP2004361320A (ja) | 振動子の励振方法、物理量の測定方法および物理量測定装置 | |
JPH09281167A (ja) | 表面電位測定装置 | |
JPH06323845A (ja) | 走査型力顕微鏡用薄膜式力検出プローブ | |
JPH07260493A (ja) | 振動ジャイロにおける角速度検出回路 | |
JP2548679B2 (ja) | 振動ジャイロスコープ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040113 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040303 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060324 |