JP2000327765A - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形材料を提供する。 【解決手段】 6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テト
ラメチル−1,1'- スピロビインダン、4,4'-[1,3-フェ
ニレン（1-メチルエチリデン)]ビスフェノール、及び
３官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、炭
酸エステル形成化合物とを反応させてなる極限粘度が
0.3〜0.5 dl/gであるポリカーボネートからなる光記録
媒体用成形材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク、レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの
光記録媒体を製造するのに好適な成形性とともに複屈折
の低減されたポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材
料に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。

【０００３】光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。

【０００４】これらの複屈折低減を目的とした様々なポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭６
０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しかし
ながら、近年、高密度化が進む光ディスク分野におい
て、これらの材料では複屈折対策は十分とは言えなかっ
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた成形
性と低複屈折性を両立した光記録媒体用成形材料を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のビスフェ
ノール類より誘導された分岐化ポリカーボネート樹脂
は、低複屈折性と良好な成形性を兼ね備えた良質の光記
録媒体成形材料となることを見いだし、本発明を完成す
るに至った。

【０００７】

【発明の実施の形態】即ち、本発明は、6,6'−ジヒド
ロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビインダ
ン、4,4'-[1,3-フェニレン（1-メチルエチリデン)]ビ
スフェノール、及び３官能以上のフェノール性水酸基
を有する化合物と、炭酸エステル形成化合物とを反応さ
せてなる極限粘度が 0.3〜0.5 dl/gであるポリカーボネ
ートからなる光記録媒体用成形材料である。

【０００８】炭酸エステル形成化合物としては、例えば
ホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリル
カーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ
−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボ
ネートなどのビスアリールカーボネートが挙げられる。
これらの化合物は２種類以上併用して使用することも可
能である。

【０００９】本発明のポリカーボネートは、ビスフェノ
ールＡ〔2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン〕
からポリカーボネートを製造する際に用いられている公
知の方法、例えばビスフェノール類とホスゲンとの直接
反応（ホスゲン法）、あるいはビスフェノール類とビス
アリールカーボネートとのエステル交換反応（エステル
交換法）などの方法を採用することができる。

【００１０】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、6,6'−ジヒドロキシ
−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビインダン、
4,4'-[1,3-フェニレン（1-メチルエチリデン)]ビスフェ
ノール、及び３官能以上のフェノール性水酸基を有す
る化合物と、ホスゲンとを反応させる。酸結合剤として
は、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用いられる。
また、溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロロホ
ルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さ
らに、縮重合反応を促進するために、トリエチルアミン
のような３級アミン触媒および第４級アンモニウム塩な
どの触媒が使用される。また、重合度調節には、フェノ
ール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノール
等で表されるフェノール類等一官能基化合物を分子量調
節剤として加える。更に、所望に応じ亜硫酸ナトリウ
ム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤を小量添加
してもよい。反応は、通常０〜１５０℃、好ましくは５
〜４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応
温度によって左右されるが、通常５分〜１０時間、好ま
しくは１０分〜２時間である。また、反応中は、反応系
のpHを１０以上に保持することが望ましい。

【００１１】一方、後者のエステル交換法においては、
6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-
スピロビインダン、4,4'-[1,3-フェニレン（1-メチル
エチリデン)]ビスフェノール、及び３官能以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物と、ビスアリールカーボ
ネートとを混合し、減圧下で高温において反応させる。
この時、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル類等の一官能基化合物を分子量調節剤として加えても
よい。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００
〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は
最終的には１mmHg以下にすることが好ましく、エステル
交換反応により生成した該ビスアリールカーボネートか
ら由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間
は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常１
〜６時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活
性ガス雰囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応
じ、酸化防止剤を添加して反応を行ってもよい。

【００１２】ホスゲン法とエステル交換法では、6,6'
−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロ
ビインダン、及び4,4'-[1,3-フェニレン（1-メチルエ
チリデン)]ビスフェノールの反応性を考慮した場合、ホ
スゲン法の方が好ましい。

【００１３】更に、本発明の分子量調節剤としては、一
価フェノール類が好ましく、具体的には、ブチルフェノ
ール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカニ
ルフェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデカ
ニルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖ア
ルキル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチル、ヒ
ドロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニ
ル、ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸
ヘプタデカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエ
ステル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノー
ル、ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェノー
ル、テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニル
オキシフェノール、オクタデカニルオキシフェノール等
の長鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。

【００１４】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、ホスゲン吹き込み終了後に反応を効率よく行うため
第４級アンモニウム塩を少量添加することが好ましい。
具体的には、テトラメチルアンモニウムクロライド、ト
リメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリエチル
ベンジルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムア
イオダイドなどが例示される。これらのうちトリメチル
ベンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジル
アンモニウムクロライドが好ましい。この第四級アンモ
ニウム塩は、使用される全ビスフェノール類に対して、
一般に0.0005〜 5mol%使用されることが好ましい。第４
級アンモニウム塩の添加後、３〜１０分後に、トリエチ
ルアミンなどの３級アミン及び分子量調節剤を添加して
重合させることが好ましい。三級アミンの添加量は、全
ビスフェノール類に対して、0.01〜1.0mol% である。ま
た、分子量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に対
して、3 〜10mol%である。

【００１５】本発明中の分岐化剤として作用する３官能
以上のフェノール性水酸基を有する化合物としては、フ
ロログルシン、2,4,4'-トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,4,4' −トリヒドロキシフジェニルエーテル、2,2-ビ
ス（2,4-ジヒドロキシフェニル）プロパン、2,2',4,4'-
テトラヒドロキシジフェニルメタン、2,4,4'−トリヒド
ロキシジフェニルメタン、2,4,6-トリス（4-ヒドロキシ
フェニル)-2,6-ジメチル−ヘプテン-3、2,4,6-トリス
（4-ヒドロキシフェニル)-4,6-ジメチル−ヘプタン-2、
2,6-ビス（2-ヒドロキシ−5-メチルベンジル)-4-メチル
フェノール、2,6-ビス（2-ヒドロキシ−5-イソプロピル
ベンジル)-4-イソプロピルフェノール、テトラキス（4-
ヒドロキシフェニル）メタン、α，α',α"-トリス（4-
ヒドロキシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベンゼ
ン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）−1-メチ
ルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、1,
1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-ト
リス（4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス
（4-ヒドロキシフェニル）プロパン、1,1,1-トリス（2-
メチル−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス
（2-メチル−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-ト
リス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,
1-トリス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）エタン、
1,1,1-トリス（3,5-ジメチル−4-ヒドロキシフェニル）
メタン、1,1,1-トリス（3,5-ジメチル−4-ヒドロキシフ
ェニル）エタン、1,1,1-トリス（3-クロロ−4-ヒドロキ
シフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3-クロロ−4-ヒド
ロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス（3,5-ジクロロ
−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3,5-
ジクロロ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリ
ス（3-ブロモ−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-
トリス（3-ブロモ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,
1,1-トリス（3,5-ジブロモ−4-ヒドロキシフェニル）メ
タン、1,1,1-トリス（3,5-ジブロモ−4-ヒドロキシフェ
ニル）エタン、1,1,1-トリス（3-フルオロ−4-ヒドロキ
シフェニル）メタン、1,1,1-トリス（3-フルオロ−4-ヒ
ドロキシフェニル）エタン、1,1,1-トリス（3,5-ジフル
オロ−4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1,1-トリス
（3,5-ジフルオロ−4-ヒドロキシフェニル）エタン、1,
1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニルメタ
ン等が例示される。そのうち、1,1,1-トリス（4-ヒドロ
キシフェニル）エタン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシ
フェニル）−1-メチルエチル］フェニル］エチリデン］
ビスフェノール、及び2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェ
ニル）−2,6-ジメチル−3-ヘプテンが反応性や取り扱い
の容易さから最も好ましい。

【００１６】さらに、分岐化剤となる３官能以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物は、6,6'−ジヒドロキ
シ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビインダン
と、4,4'-[1,3-フェニレン（1-メチルエチリデン)]ビ
スフェノールとの合計１００モル部に対して、３官能以
上のフェノール性水酸基を有する化合物を0.2 〜3.0 モ
ル部添加することが好ましい。0.2 モル部未満では流動
性改善効果が低く、3.0モル部を超えると耐衝撃性が劣
ってくる。

【００１７】また、本発明では、6,6'−ジヒドロキシ
−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビインダンと、
4,4'-[1,3-フェニレン（1-メチルエチリデン)]ビスフ
ェノールとの使用モル割合は、1:9 〜9:1 が好ましい。
6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-ス
ピロビインダンが１割未満では、耐熱性が低下すると同
時に複屈折改善効果が不十分となる。また、6,6'−ジヒ
ドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビイン
ダンが９割を超えると、極限粘度が0.3dl/g 以上の高分
子量体を得ることが困難となる。

【００１８】これらの反応で合成されたポリカーボネー
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が 0.3〜0.5 dl/gの範囲であることが好まし
い。

【００１９】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（280 ℃、160kgf/c
m²、ノズル径1mm ×10mm）測定で、15〜90×10^-2cc/sec
の範囲が好ましい。15×10^-2cc/sec未満では、流動性が
悪く金型への充填不良やフローマークが生じる場合があ
り、90×10^-2cc/secを越えると金型剥離不良やソリを生
じやすい。

【００２０】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０⁴ 以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。

【００２１】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から、一般の光記録媒体用ポリカーボネートと
性能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可
能である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形
温度は、流動性の観点から280 〜380 ℃が好ましい。

【００２２】

【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定
されるものではない。

【００２３】実施例１ 8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液58リットルに、6,6'−
ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビ
インダン2.46kg（以下SPI と略称、8mol）、4,4'-[1,3-
フェニレン（1-メチルエチリデン)]ビスフェノール11.0
7kg （以下BPMと略称、32mol ）、1,1,1-トリス（4-ヒ
ドロキシフェニル）エタン244.8g（以下THPEと略称、0.
8mol）及びハイドロサルファイト10g を加え溶解した。
これにメチレンクロライド36リットルを加え、15℃に保ちな
がら撹拌しつつ、ホスゲン5kg を50分かけて吹き込ん
だ。吹き込み終了後、トリエチルベンジルアンモニウム
クロライド5g(0.022mol)を加え５分間激しく撹拌して反
応液を乳化させ、次にp-ターシャルブチルフェノール57
0g（以下PTBPと略称、3.8mol）を加え、さらに20mlのト
リエチルアミン(0.14mol) を加え、約１時間撹拌し重合
させた。重合液を水相と有機相に分離し、有機相をリン
酸で中和し、洗液の導電率が10μＳ以下になるまで水洗
を繰り返した後、精製樹脂液を得た。得られた精製樹脂
液を、強攪拌されている４５℃の温水に樹脂液をゆっく
り滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を固形化した。固形
物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合体を得た。この重
合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g／dlの溶液
の温度20℃における極限粘度［η］は0.38dl/gであっ
た。得られた上記重合体を赤外線吸収スペクトルより分
析した結果、1770cm^-1付近の位置にカルボニル基による
吸収が認められ、カーボネート結合を有することが確認
された。また、3650〜3200cm^-1の位置に水酸基由来の吸
収はほとんど認められなかった。このポリカーボネート
中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、いずれのモ
ノマーも20ppm 以下であった。

【００２４】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、50μｍポリマーフ
ィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて３００
℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレッ
トを樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出
圧２９．４ＭＰａの条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放置後３０度斜
め入射時の複屈折を測定した。押出ペレットについて
は、流れ値（Ｑ値）を測定し、成形流動性の目安とし
た。またポリカーボネート粉末について、５０μｍ厚の
キャストフィルムを作成し、300 〜1100g の荷重をか
け、光弾性感度を測定した。結果を表１に示した。

【００２５】実施例２ SPI を4.93kg(16mol）、BPM を8.30kg(24mol）、THPEを
183.6g（0.6mol）及びPTBPを510g（3.4mol）に変更した
以外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体の極
限粘度［η］は0.35dl/gで、赤外吸収スペクトル分析等
よりこの重合体は分岐化度以外は、実施例１と同等の構
造を有するポリカーボネート重合体と認められた。結果
を表１に示した。

【００２６】実施例３ SPI を6.16kg(20mol）、BPM を6.92kg(20mol）、THPEを
122.4g（0.4mol）及びPTBPを450g（3.0mol）に変更した
以外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体の極
限粘度［η］は0.33dl/gで、赤外吸収スペクトル分析等
よりこの重合体は分岐化度以外は、実施例１と同等の構
造を有するポリカーボネート重合体と認められた。結果
を表１に示した。

【００２７】実施例４ SPI を8.62kg(28mol）、BPM を4.15kg(12mol）、THPEを
61.2g(0.2mol）及びPTBPを360g（2.4mol）に変更した以
外は、実施例１と同様に行った。得られた重合体の極限
粘度［η］は0.34dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこ
の重合体は下記構造単位を有するポリカーボネート重合
体と認められた。結果を表１に示した。

【００２８】比較例１ 実施例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下
BPA と略称）型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）
製Ｈ−４０００、［η］＝0.35dl/g）を用いて実施例１
と同様の試験を行った。結果を表１に示した。

【００２９】比較例２ BPM とTHPEを用いず、SPI のみ12.32kg(40mol)用い、PT
BPを360g(2.4mol)に変更した以外は、実施例１と同様に
行った。ホスゲンとの反応性が悪く重合は進行せず物性
評価は出来なかった。

【００３０】比較例３ SPI とTHPEを用いず、BPM のみ13.84kg(40mol)用い、PT
BPを288g(1.92mol) に変更した以外は実施例１と同様に
行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.35dl/g
で、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単
位を有するポリカーボネート重合体と認められた。

【００３１】比較例４ BPM を用いず、SPI のみ12.32kg(40mol)用い、THPEを12
2.4g(0.4mol)及びPTBPを360g(2.4mol)に変更した以外
は、実施例１と同様に行った。ホスゲンとの反応性が悪
く重合は進行せず物性評価は出来なかった。

【００３２】

【表１】

【００３３】〔表１の説明〕 複屈折：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使用。
測定波長:632.8nm。 流れ値（Ｑ値）：島津製作所（株）製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm²、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。（単位×10^-2cc/sec） 光弾性感度：50μｍのキャストフィルムに300 〜1100g
の荷重をかけ、エリプソメーターで波長632.8mm にて、
光弾性感度を測定。 SPI :6,6'-ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,
1'-スピロビインダン BPM :4,4'-[1,3−フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール BPA ：2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン THPE：1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）エタン PTBP：p-ターシャルブチルフェノール BP成分(a):SPI の全ビスフェノールの使用量に対する割
合(mol%) BP成分(b):BPM の全ビスフェノールの使用量に対する割
合(mol%) 極限粘度：0.5g／100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求め
た。

【００３４】

【発明の効果】本発明より、優れた成形性、低複屈折性
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 1/04 Ｇ０２Ｂ 1/04 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６Ｇ (72)発明者 本田 典昭 大阪府豊中市神州町２丁目12番地 三菱瓦 斯化学株式会社大阪工場内 Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB04 AB07 AC02 AD01 AE05 AE18 BD02 FA07 FC33 GA02 GA65 HA01 HC01 JA091 JC041 JC091 KB17 KB24 KB25 KE09 5D029 KA07 KC07

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テト
   ラメチル-1,1'-スピロビインダン、4,4'-[1,3-フェニ
   レン（1-メチルエチリデン)]ビスフェノール、及び３
   官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、炭酸
   エステル形成化合物とを反応させてなる極限粘度が 0.3
   〜0.5 dl/gであることを特徴とするポリカーボネートか
   らなる光記録媒体用成形材料。
2. 【請求項２】 6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テト
   ラメチル-1,1'-スピロビインダンと、4,4'-[1,3-フェ
   ニレン（1-メチルエチリデン)]ビスフェノールとの使用
   モル割合が、1:9 〜9:1 である請求項１記載の光記録媒
   体用成形材料。
3. 【請求項３】 6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テト
   ラメチル-1,1'-スピロビインダンと、4,4'-[1,3-フェ
   ニレン（1-メチルエチリデン)]ビスフェノールの合計１
   ００モル部に対して、３官能以上のフェノール性水酸
   基を有する化合物を、0.2 〜3.0 モル部添加してなる請
   求項１記載の光記録媒体用成形材料。
4. 【請求項４】 ３官能以上のフェノール性水酸基を有
   する化合物が、1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）
   エタン、4,4'-[1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）−1-
   メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノー
   ル、及び2,4,6-トリス（4-ヒドロキシフェニル）−2,6-
   ジメチル−3-ヘプテンからなる群より選択された少なく
   とも１種類である請求項１記載の光記録媒体用成形材
   料。
5. 【請求項５】 アルカリ水溶液と有機溶媒存在下で、
   6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-ス
   ピロビインダン、4,4'-[1,3-フェニレン（1-メチルエ
   チリデン)]ビスフェノール、及び３官能以上のフェノ
   ール性水酸基を有する化合物に、ホスゲンを吹き込んだ
   後、第４級アンモニウム塩を添加し重縮合反応を開始さ
   せ、次に分子量調節剤となる一価フェノールを添加し、
   更に３級アミン重合触媒を添加し、重縮合を促進せしめ
   ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体用成形材
   料の製造方法。
6. 【請求項６】 分子量調節剤と３級アミンを同時に添加
   する請求項５記載の光記録媒体用成形材料の製造方法。
7. 【請求項７】 第４級アンモニウム塩が、トリエチルベ
   ンジルアンモニウムクロライドまたはトリメチルベンジ
   ルアンモニウムクロライドである請求項５記載の光記録
   媒体用成形材料の製造方法。