JP2000323695A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000323695A JP2000323695A JP11134961A JP13496199A JP2000323695A JP 2000323695 A JP2000323695 A JP 2000323695A JP 11134961 A JP11134961 A JP 11134961A JP 13496199 A JP13496199 A JP 13496199A JP 2000323695 A JP2000323695 A JP 2000323695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- substrate
- solid
- charge transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J9/00—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting
- H02J9/005—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting using a power saving mode
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04C—ELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
- G04C10/00—Arrangements of electric power supplies in time pieces
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04G—ELECTRONIC TIME-PIECES
- G04G19/00—Electric power supply circuits specially adapted for use in electronic time-pieces
- G04G19/12—Arrangements for reducing power consumption during storage
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/30—Systems integrating technologies related to power network operation and communication or information technologies for improving the carbon footprint of the management of residential or tertiary loads, i.e. smart grids as climate change mitigation technology in the buildings sector, including also the last stages of power distribution and the control, monitoring or operating management systems at local level
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y04—INFORMATION OR COMMUNICATION TECHNOLOGIES HAVING AN IMPACT ON OTHER TECHNOLOGY AREAS
- Y04S—SYSTEMS INTEGRATING TECHNOLOGIES RELATED TO POWER NETWORK OPERATION, COMMUNICATION OR INFORMATION TECHNOLOGIES FOR IMPROVING THE ELECTRICAL POWER GENERATION, TRANSMISSION, DISTRIBUTION, MANAGEMENT OR USAGE, i.e. SMART GRIDS
- Y04S20/00—Management or operation of end-user stationary applications or the last stages of power distribution; Controlling, monitoring or operating thereof
- Y04S20/20—End-user application control systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Business, Economics & Management (AREA)
- Emergency Management (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Electromechanical Clocks (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スミアと偽信号とを低減する。
【解決手段】 基板１と、この基板１表面に形成された
受光部分を有するフォトダイオード部Ｐと、遮蔽膜６に
覆われ前記フォトダイオード部Ｐからの電荷を転送する
垂直ＣＣＤ部Ｖとを有し、前記基板１と前記遮蔽膜６と
の間には、前記垂直ＣＣＤ部Ｖへ光が入射することを防
止するよう前記受光部分への信号領域の波長を有する光
を吸収する層間絶縁膜５が設けられる。
受光部分を有するフォトダイオード部Ｐと、遮蔽膜６に
覆われ前記フォトダイオード部Ｐからの電荷を転送する
垂直ＣＣＤ部Ｖとを有し、前記基板１と前記遮蔽膜６と
の間には、前記垂直ＣＣＤ部Ｖへ光が入射することを防
止するよう前記受光部分への信号領域の波長を有する光
を吸収する層間絶縁膜５が設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子およ
びその製造方法に係り、特に、固体撮像素子の電荷転送
部の遮蔽膜下の層間絶縁膜に用いて好適な技術に関す
る。
びその製造方法に係り、特に、固体撮像素子の電荷転送
部の遮蔽膜下の層間絶縁膜に用いて好適な技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子のうち、インターラ
イン型やＦＩＴ型ＣＣＤでは、受光部と電荷転送部（垂
直ＣＣＤ部）が分かれており、垂直ＣＣＤに受光部を介
さず直接漏れ混んだ光はスミアと呼ばれる偽信号とな
る。この偽信号の発生を防止するため、垂直ＣＣＤ上部
は遮蔽膜により覆われている。しかし、遮蔽膜と基板は
電位が異なるため両者の隙間を完全に無くすことはでき
ず、隙間から漏れ混んだ光が存在し、これがスミアとな
ってしまう。また、遮蔽膜を突き抜けて直接垂直ＣＣＤ
に漏れ混む光によるスミアも存在する。これらのスミア
を抑制するため、遮蔽膜と基板の隙間を小さくしたり、
隙間部の基板上に反射防止膜を形成し、隙間から垂直Ｃ
ＣＤに漏れ混む光を抑制する等の方法が用いられてい
る。
イン型やＦＩＴ型ＣＣＤでは、受光部と電荷転送部（垂
直ＣＣＤ部）が分かれており、垂直ＣＣＤに受光部を介
さず直接漏れ混んだ光はスミアと呼ばれる偽信号とな
る。この偽信号の発生を防止するため、垂直ＣＣＤ上部
は遮蔽膜により覆われている。しかし、遮蔽膜と基板は
電位が異なるため両者の隙間を完全に無くすことはでき
ず、隙間から漏れ混んだ光が存在し、これがスミアとな
ってしまう。また、遮蔽膜を突き抜けて直接垂直ＣＣＤ
に漏れ混む光によるスミアも存在する。これらのスミア
を抑制するため、遮蔽膜と基板の隙間を小さくしたり、
隙間部の基板上に反射防止膜を形成し、隙間から垂直Ｃ
ＣＤに漏れ混む光を抑制する等の方法が用いられてい
る。
【０００３】図４は、特開平４−１８１７７３号公報に
示されている反射防止膜を利用した従来の固体撮像素子
の一例を示すものである。
示されている反射防止膜を利用した従来の固体撮像素子
の一例を示すものである。
【０００４】図４に示す従来例において、フォトダイオ
ード部はＳｉ基板上に下からシリコン酸化膜より成るゲ
ート膜２４、シリコン窒化膜より成る層間絶縁膜２７、
シリコン酸化膜より成るカバー膜２９が形成されてい
る。このような構造の遮蔽膜２８と基板２１との隙間部
分には、下から、シリコン酸化膜より成るゲート膜２
４、シリコン窒化膜より成る層間絶縁膜２７が形成され
ている。ここで、シリコン酸化膜の屈折率は約１．５で
あり、シリコン窒化膜の屈折率は２．０である。したが
って、この隙間部分から入射する光は反射防止効果によ
り多重反射して垂直ＣＣＤ２３に到達する前に基板に吸
収されることにより、スミアを減少しようとするもので
ある。
ード部はＳｉ基板上に下からシリコン酸化膜より成るゲ
ート膜２４、シリコン窒化膜より成る層間絶縁膜２７、
シリコン酸化膜より成るカバー膜２９が形成されてい
る。このような構造の遮蔽膜２８と基板２１との隙間部
分には、下から、シリコン酸化膜より成るゲート膜２
４、シリコン窒化膜より成る層間絶縁膜２７が形成され
ている。ここで、シリコン酸化膜の屈折率は約１．５で
あり、シリコン窒化膜の屈折率は２．０である。したが
って、この隙間部分から入射する光は反射防止効果によ
り多重反射して垂直ＣＣＤ２３に到達する前に基板に吸
収されることにより、スミアを減少しようとするもので
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示すよ
うな構造における屈折率の大きい層間絶縁膜により電荷
転送路に直接入射する光量を減少し、基板と酸化膜との
界面で反射する回数を増やして光を減衰させる反射防止
効果だけではスミアの低減が不完全である。また、上記
のような構造においては、遮蔽膜を突き抜けて入ってく
るスミア成分は除去できないという問題があった。
うな構造における屈折率の大きい層間絶縁膜により電荷
転送路に直接入射する光量を減少し、基板と酸化膜との
界面で反射する回数を増やして光を減衰させる反射防止
効果だけではスミアの低減が不完全である。また、上記
のような構造においては、遮蔽膜を突き抜けて入ってく
るスミア成分は除去できないという問題があった。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的を達成しようとするものである。 スミアの発生と偽信号発生の低減を図ること。 電荷転送部への光入射防止を図ること 遮蔽膜と基板との隙間部から電荷転送部に漏れこむス
ミア光の低減を図ること。 遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部に漏れこむスミア光の
低減を図ること。
ので、以下の目的を達成しようとするものである。 スミアの発生と偽信号発生の低減を図ること。 電荷転送部への光入射防止を図ること 遮蔽膜と基板との隙間部から電荷転送部に漏れこむス
ミア光の低減を図ること。 遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部に漏れこむスミア光の
低減を図ること。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、基板と、この基板表面に形成された受光部分を有す
るフォトダイオード部と、遮蔽膜に覆われ前記フォトダ
イオード部からの電荷を転送する電荷転送部とを有し、
前記基板と前記遮蔽膜との間には、前記電荷転送部へ光
が入射することを防止するよう前記受光部分への信号領
域の波長を有する光に対して透過性の低い層間絶縁膜が
設けられることにより上記課題を解決した。また、本発
明において、層間絶縁膜が前記信号波長域の光に対して
透過性の無いかこの波長域の光を吸収する材質からなる
ことができる。
は、基板と、この基板表面に形成された受光部分を有す
るフォトダイオード部と、遮蔽膜に覆われ前記フォトダ
イオード部からの電荷を転送する電荷転送部とを有し、
前記基板と前記遮蔽膜との間には、前記電荷転送部へ光
が入射することを防止するよう前記受光部分への信号領
域の波長を有する光に対して透過性の低い層間絶縁膜が
設けられることにより上記課題を解決した。また、本発
明において、層間絶縁膜が前記信号波長域の光に対して
透過性の無いかこの波長域の光を吸収する材質からなる
ことができる。
【０００８】本発明の固体撮像素子の製造方法は、基板
と、この基板表面に形成された受光部分を有するフォト
ダイオード部と、遮蔽膜に覆われ前記フォトダイオード
部からの電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像
素子の製造方法であって、前記基板と前記遮蔽膜との間
に、前記電荷転送部へ光が入射することを防止するよう
前記受光部分への信号領域の波長を有する光に対して透
過性の低い層間絶縁膜を設けることにより上記課題を解
決した。また、本発明において、層間絶縁膜が前記信号
波長域の光に対して透過性の無いかこの波長域の光を吸
収する材質からなることができる。
と、この基板表面に形成された受光部分を有するフォト
ダイオード部と、遮蔽膜に覆われ前記フォトダイオード
部からの電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像
素子の製造方法であって、前記基板と前記遮蔽膜との間
に、前記電荷転送部へ光が入射することを防止するよう
前記受光部分への信号領域の波長を有する光に対して透
過性の低い層間絶縁膜を設けることにより上記課題を解
決した。また、本発明において、層間絶縁膜が前記信号
波長域の光に対して透過性の無いかこの波長域の光を吸
収する材質からなることができる。
【０００９】本発明の固体撮像素子およびその製造方法
においては、遮蔽膜下の層間絶縁膜を信号波長域で吸収
の有る膜とする。受光部分上の吸収の有る層間絶縁膜は
除去する。これにより、遮蔽膜と基板の隙間部分から、
または、遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部に入ってくるス
ミア光が層間絶縁膜で吸収、散乱され、電荷転送部まで
到達しないためスミアを低減することができる固体撮像
素子を提供する。
においては、遮蔽膜下の層間絶縁膜を信号波長域で吸収
の有る膜とする。受光部分上の吸収の有る層間絶縁膜は
除去する。これにより、遮蔽膜と基板の隙間部分から、
または、遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部に入ってくるス
ミア光が層間絶縁膜で吸収、散乱され、電荷転送部まで
到達しないためスミアを低減することができる固体撮像
素子を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る固体撮像素子
およびその製造方法の一実施形態を、図面に基づいて説
明する。図１は、本実施形態の固体撮像素子を示す正断
面図、図２は本実施形態の固体撮像素子の製造方法にお
ける製造工程を示す垂直ＣＣＤ部の側断面図（ａ）、正
断面図（ｂ）〜（ｄ）である。図１ないし図２におい
て、符号Ｐはフォトダイオード部、Ｖは垂直ＣＣＤ部
（電荷転送部）、１はシリコン基板（基板）、２はゲー
ト電極、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は層間
絶縁膜、６は遮蔽膜、７はカバー膜、８は平坦化膜、９
はマイクロレンズ、１０は固体撮像素子である。
およびその製造方法の一実施形態を、図面に基づいて説
明する。図１は、本実施形態の固体撮像素子を示す正断
面図、図２は本実施形態の固体撮像素子の製造方法にお
ける製造工程を示す垂直ＣＣＤ部の側断面図（ａ）、正
断面図（ｂ）〜（ｄ）である。図１ないし図２におい
て、符号Ｐはフォトダイオード部、Ｖは垂直ＣＣＤ部
（電荷転送部）、１はシリコン基板（基板）、２はゲー
ト電極、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は層間
絶縁膜、６は遮蔽膜、７はカバー膜、８は平坦化膜、９
はマイクロレンズ、１０は固体撮像素子である。
【００１１】本実施形態においては、図１に示すよう
に、基板１と、この基板１表面に形成された受光部分を
有するフォトダイオード部Ｐと、遮蔽膜６に覆われ前記
フォトダイオード部Ｐからの電荷を転送する垂直ＣＣＤ
部Ｖとを有する。固体撮像素子１０のフォトダイオード
部Ｐにおいては、受光部分を有する基板１上に下から、
ＣＣＤ部と共通に形成されたゲートＯＮＯ膜３の最下層
のシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜３、カバー膜
７、平坦化膜８、マイクロレンズ９の順に形成された構
造とされている。ここで、平坦化膜８、マイクロレンズ
９は形成しないことも可能である。
に、基板１と、この基板１表面に形成された受光部分を
有するフォトダイオード部Ｐと、遮蔽膜６に覆われ前記
フォトダイオード部Ｐからの電荷を転送する垂直ＣＣＤ
部Ｖとを有する。固体撮像素子１０のフォトダイオード
部Ｐにおいては、受光部分を有する基板１上に下から、
ＣＣＤ部と共通に形成されたゲートＯＮＯ膜３の最下層
のシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜３、カバー膜
７、平坦化膜８、マイクロレンズ９の順に形成された構
造とされている。ここで、平坦化膜８、マイクロレンズ
９は形成しないことも可能である。
【００１２】また、固体撮像素子１０の垂直ＣＣＤ部Ｖ
においては、図１に示すように、シリコン基板１上に下
から、ゲートＯＮＯ膜（シリコン酸化膜−シリコン窒化
膜−シリコン酸化膜）とされるゲート酸化膜３、ｎドー
プポリシリコンからなるゲート電極２，４、層間絶縁膜
５が形成され、その上層に、タングステンまたはアルミ
からなる遮蔽膜６、ＳｉＯ2 からなるカバー膜７がＣＣ
Ｄ部を覆うように形成され、さらに上層には、、ＳｉＯ
2 または樹脂からなる平坦化膜８が順に形成された構造
とされている。ここで、平坦化膜８は形成しないことも
可能である。
においては、図１に示すように、シリコン基板１上に下
から、ゲートＯＮＯ膜（シリコン酸化膜−シリコン窒化
膜−シリコン酸化膜）とされるゲート酸化膜３、ｎドー
プポリシリコンからなるゲート電極２，４、層間絶縁膜
５が形成され、その上層に、タングステンまたはアルミ
からなる遮蔽膜６、ＳｉＯ2 からなるカバー膜７がＣＣ
Ｄ部を覆うように形成され、さらに上層には、、ＳｉＯ
2 または樹脂からなる平坦化膜８が順に形成された構造
とされている。ここで、平坦化膜８は形成しないことも
可能である。
【００１３】本実施形態の固体撮像素子１０において
は、前記基板１と前記遮蔽膜６との間には、前記垂直Ｃ
ＣＤ部Ｖへ光が入射することを防止するよう前記受光部
分への信号領域の波長を有する光を吸収する層間絶縁膜
５が設けられる。
は、前記基板１と前記遮蔽膜６との間には、前記垂直Ｃ
ＣＤ部Ｖへ光が入射することを防止するよう前記受光部
分への信号領域の波長を有する光を吸収する層間絶縁膜
５が設けられる。
【００１４】この層間絶縁膜５が、前記フォトダイオー
ド部Ｐにおいて検知する信号波長域（例えば波長４００
ｎｍ〜１０００ｎｍ）において吸収性のある材質（例え
ば、ポリイミドに色素を混ぜたもの、もしくはボイドを
多く含む構造のシリコン酸化膜）からなる膜として形成
されていることが好ましい。つまり、より好ましくは、
層間絶縁膜５が可視光を吸収する材質からなることが好
ましい。この層間絶縁膜５は、シリコン基板１またはゲ
ート酸化膜３と遮蔽膜６との間に入射する光を吸収する
よう、受光部分の周囲における隙間部分に位置してい
る。
ド部Ｐにおいて検知する信号波長域（例えば波長４００
ｎｍ〜１０００ｎｍ）において吸収性のある材質（例え
ば、ポリイミドに色素を混ぜたもの、もしくはボイドを
多く含む構造のシリコン酸化膜）からなる膜として形成
されていることが好ましい。つまり、より好ましくは、
層間絶縁膜５が可視光を吸収する材質からなることが好
ましい。この層間絶縁膜５は、シリコン基板１またはゲ
ート酸化膜３と遮蔽膜６との間に入射する光を吸収する
よう、受光部分の周囲における隙間部分に位置してい
る。
【００１５】本実施形態の固体撮像素子によれば、フォ
トダイオード部Ｐにおいて、受光部分周囲のシリコン基
板１またはゲート酸化膜３と遮蔽膜６との隙間部分に入
射する光が層間絶縁膜５により吸収されることにより、
垂直ＣＣＤ部Ｖに入射することが防止され、さらに、遮
蔽膜６下側の層間絶縁層５が光を吸収する材質とされた
ことにより、遮蔽膜６を突き抜けて垂直ＣＣＤ部Ｖに漏
れこむ光を低減することができるため、これらによるス
ミアの発生と偽信号の発生とを防止することができると
いう効果を奏する。
トダイオード部Ｐにおいて、受光部分周囲のシリコン基
板１またはゲート酸化膜３と遮蔽膜６との隙間部分に入
射する光が層間絶縁膜５により吸収されることにより、
垂直ＣＣＤ部Ｖに入射することが防止され、さらに、遮
蔽膜６下側の層間絶縁層５が光を吸収する材質とされた
ことにより、遮蔽膜６を突き抜けて垂直ＣＣＤ部Ｖに漏
れこむ光を低減することができるため、これらによるス
ミアの発生と偽信号の発生とを防止することができると
いう効果を奏する。
【００１６】以下、本実施形態における固体撮像装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００１７】まず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、
シリコン基板１上にゲート酸化膜３を成膜し、ゲート電
極２，４を成膜し、ゲート電極４をパターニングする。
その際のエッチングでは、ゲート酸化膜３のシリコン酸
化膜とシリコン窒化膜の全てを除去し、最下層のシリコ
ン酸化膜の一部をわずかに残すかまたは全てを除去す
る。
シリコン基板１上にゲート酸化膜３を成膜し、ゲート電
極２，４を成膜し、ゲート電極４をパターニングする。
その際のエッチングでは、ゲート酸化膜３のシリコン酸
化膜とシリコン窒化膜の全てを除去し、最下層のシリコ
ン酸化膜の一部をわずかに残すかまたは全てを除去す
る。
【００１８】次に、図２（ｃ）に示すように、前記フォ
トダイオード部Ｐにおいて検知する信号波長域において
信号波長域で吸収のある材質により成膜して層間絶縁膜
５を形成する。
トダイオード部Ｐにおいて検知する信号波長域において
信号波長域で吸収のある材質により成膜して層間絶縁膜
５を形成する。
【００１９】次いで、図２（ｃ）に示すように、遮蔽膜
６を成膜し、遮蔽膜６をパターニングする。この際、図
２（ｄ）に示すように、受光部分上に位置する層間絶縁
膜５は完全に除去する。
６を成膜し、遮蔽膜６をパターニングする。この際、図
２（ｄ）に示すように、受光部分上に位置する層間絶縁
膜５は完全に除去する。
【００２０】次にカバー膜７を形成し、平坦化膜８、マ
イクロレンズ９を形成し、図１に示すような固体撮像素
子１０を完成する。
イクロレンズ９を形成し、図１に示すような固体撮像素
子１０を完成する。
【００２１】本実施形態の固体撮像素子の製造方法によ
れば、フォトダイオード部Ｐにおいて、受光部分周囲の
シリコン基板１またはゲート酸化膜３と遮蔽膜６との隙
間部分に入射する光が層間絶縁膜５により吸収されるこ
とにより、垂直ＣＣＤ部Ｖに入射することが防止され、
さらに、遮蔽膜６下側の層間絶縁膜５が光を吸収する材
質とされたことにより、遮蔽膜６を突き抜けて垂直ＣＣ
Ｄ部Ｖに漏れこむ光を低減することができるため、これ
らによるスミアの発生と偽信号の発生とを防止する固体
撮像素子１０を提供することができるという効果を奏す
る。
れば、フォトダイオード部Ｐにおいて、受光部分周囲の
シリコン基板１またはゲート酸化膜３と遮蔽膜６との隙
間部分に入射する光が層間絶縁膜５により吸収されるこ
とにより、垂直ＣＣＤ部Ｖに入射することが防止され、
さらに、遮蔽膜６下側の層間絶縁膜５が光を吸収する材
質とされたことにより、遮蔽膜６を突き抜けて垂直ＣＣ
Ｄ部Ｖに漏れこむ光を低減することができるため、これ
らによるスミアの発生と偽信号の発生とを防止する固体
撮像素子１０を提供することができるという効果を奏す
る。
【００２２】なお、上記製造方法において、層間絶縁膜
５は単層からなるものでもよいが、吸収波長域の異なる
材質からなる膜を何層か重ねて構成し、全体として信号
波長域の光を吸収するようにしてもよい。
５は単層からなるものでもよいが、吸収波長域の異なる
材質からなる膜を何層か重ねて構成し、全体として信号
波長域の光を吸収するようにしてもよい。
【００２３】また、上述したように本実施形態において
は、ゲート電極２，４が、２層ポリシリコン電極の場合
について述べているが、１層とされる構造についても、
同様に本発明を適用することができる。
は、ゲート電極２，４が、２層ポリシリコン電極の場合
について述べているが、１層とされる構造についても、
同様に本発明を適用することができる。
【００２４】さらに、層間絶縁膜５として、信号波長域
で吸収の有る材質からなる膜以外ににも、吸収が無くと
も透過性が無い、もしくは透過性が小さい材質を選択し
ても同様の効果をうることができる。
で吸収の有る材質からなる膜以外ににも、吸収が無くと
も透過性が無い、もしくは透過性が小さい材質を選択し
ても同様の効果をうることができる。
【００２５】図３は、本発明に係る固体撮像素子および
その製造方法の他の実施形態における製造工程を示す垂
直ＣＣＤ部の正断面図（ａ）〜（ｄ）である。ここで、
ゲート酸化膜３のシリコン酸化膜が、図２に示すように
製造の容易さ等から隙間部分の下の方に残っていてもよ
いが、図３に示すようにゲート酸化膜３のシリコン酸化
膜が残らない状態とすることができる。
その製造方法の他の実施形態における製造工程を示す垂
直ＣＣＤ部の正断面図（ａ）〜（ｄ）である。ここで、
ゲート酸化膜３のシリコン酸化膜が、図２に示すように
製造の容易さ等から隙間部分の下の方に残っていてもよ
いが、図３に示すようにゲート酸化膜３のシリコン酸化
膜が残らない状態とすることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の固体撮像素子およびその製造方
法によれば、以下の効果を奏する。 （１）信号波長領域における光を吸収する層間絶縁膜を
設けたことにより、受光部分以外に入射する光が吸収さ
れ、固体撮像素子の遮蔽膜と基板の隙間から電荷転送部
に漏れこむスミア光と、遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部
に漏れこむスミア光とを低減することができる。 （２）フォトダイオード部において、受光部分周囲のシ
リコン基板またはゲート酸化膜と遮蔽膜との隙間部分に
入射する光が層間絶縁膜により吸収されることにより、
電荷転送部に入射することが防止され、さらに、遮蔽膜
下側の層間絶縁層が光を吸収する材質とされたことによ
り、遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部に漏れこむ光を防止
することができるため、これらによるスミアの発生と偽
信号の発生とを防止する固体撮像素子を提供することが
できる。 （３）また、上記により、遮蔽膜と基板の隙間をそれほ
ど小さくする必要が無いため白傷を低減することもでき
る。
法によれば、以下の効果を奏する。 （１）信号波長領域における光を吸収する層間絶縁膜を
設けたことにより、受光部分以外に入射する光が吸収さ
れ、固体撮像素子の遮蔽膜と基板の隙間から電荷転送部
に漏れこむスミア光と、遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部
に漏れこむスミア光とを低減することができる。 （２）フォトダイオード部において、受光部分周囲のシ
リコン基板またはゲート酸化膜と遮蔽膜との隙間部分に
入射する光が層間絶縁膜により吸収されることにより、
電荷転送部に入射することが防止され、さらに、遮蔽膜
下側の層間絶縁層が光を吸収する材質とされたことによ
り、遮蔽膜を突き抜けて電荷転送部に漏れこむ光を防止
することができるため、これらによるスミアの発生と偽
信号の発生とを防止する固体撮像素子を提供することが
できる。 （３）また、上記により、遮蔽膜と基板の隙間をそれほ
ど小さくする必要が無いため白傷を低減することもでき
る。
【図１】 本発明に係る固体撮像素子の一実施形態を示
す正断面図である。
す正断面図である。
【図２】 本発明に係る固体撮像素子の製造方法の一実
施形態における製造工程を示す垂直ＣＣＤ部の側断面図
（ａ）、正断面図（ｂ）〜（ｄ）である。
施形態における製造工程を示す垂直ＣＣＤ部の側断面図
（ａ）、正断面図（ｂ）〜（ｄ）である。
【図３】 本発明に係る固体撮像素子およびその製造方
法の他の実施形態における製造工程を示す垂直ＣＣＤ部
の正断面図（ａ）〜（ｄ）である。
法の他の実施形態における製造工程を示す垂直ＣＣＤ部
の正断面図（ａ）〜（ｄ）である。
【図４】 従来の固体撮像素子の一例を示すものであ
る。
る。
Ｐ…フォトダイオード部，Ｖ…垂直ＣＣＤ部（電荷転送
部），１…シリコン基板（基板），２…ゲート電極，３
…ゲート酸化膜，４…ゲート電極，５…層間絶縁膜，６
…遮蔽膜，７…カバー膜，８…平坦化膜，９…マイクロ
レンズ，１０…固体撮像素子
部），１…シリコン基板（基板），２…ゲート電極，３
…ゲート酸化膜，４…ゲート電極，５…層間絶縁膜，６
…遮蔽膜，７…カバー膜，８…平坦化膜，９…マイクロ
レンズ，１０…固体撮像素子
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、この基板表面に形成された受光
部分を有するフォトダイオード部と、遮蔽膜に覆われ前
記フォトダイオード部からの電荷を転送する電荷転送部
とを有し、前記基板と前記遮蔽膜との間には、前記電荷
転送部へ光が入射することを防止するよう前記受光部分
への信号領域の波長を有する光に対して透過性の低い層
間絶縁膜が設けられることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 基板と、この基板表面に形成された受光
部分を有するフォトダイオード部と、遮蔽膜に覆われ前
記フォトダイオード部からの電荷を転送する電荷転送部
とを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記基板
と前記遮蔽膜との間に、前記電荷転送部へ光が入射する
ことを防止するよう前記受光部分への信号領域の波長を
有する光に対して透過性の低い層間絶縁膜を設けること
を特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134961A JP2000323695A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| US09/743,665 US6693851B1 (en) | 1999-05-14 | 2000-05-15 | Electronic device and control method for electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134961A JP2000323695A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323695A true JP2000323695A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15140640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11134961A Pending JP2000323695A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6693851B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000323695A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120805A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6873573B2 (en) * | 2001-09-21 | 2005-03-29 | Quartex, Inc. | Wireless synchronous time system |
| US20030169641A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Quartex A Division Of Primex, Inc. | Time keeping system with automatic daylight savings time adjustment |
| CA2460995A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-03-27 | Quartex, Inc. | Time keeping system with automatic daylight savings time adjustment |
| US7411869B2 (en) * | 2001-09-21 | 2008-08-12 | Quartex, Division Of Primex, Inc. | Wireless synchronous time system |
| US7369462B2 (en) * | 2001-09-21 | 2008-05-06 | Quartex, Division Of Primex, Inc. | Wireless synchronous time system with solar powered transceiver |
| JP4459055B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2010-04-28 | シチズンホールディングス株式会社 | 電子時計 |
| JP4978283B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2012-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | モータ駆動制御回路、半導体装置、電子時計および発電装置付き電子時計 |
| US8604709B2 (en) | 2007-07-31 | 2013-12-10 | Lsi Industries, Inc. | Methods and systems for controlling electrical power to DC loads |
| US8903577B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-12-02 | Lsi Industries, Inc. | Traction system for electrically powered vehicles |
| US7598683B1 (en) | 2007-07-31 | 2009-10-06 | Lsi Industries, Inc. | Control of light intensity using pulses of a fixed duration and frequency |
| EP2402721B1 (en) * | 2010-07-02 | 2016-08-10 | Stichting IMEC Nederland | Power management system for wireless autonomous transducer solutions |
| JP5260706B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2013-08-14 | レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド | 計時回路を備える携帯式電子機器の電力システム |
| US10319536B1 (en) * | 2012-11-19 | 2019-06-11 | Prakash Achrekar | High-capacity electrical energy storage device |
| EP2746874A3 (en) * | 2012-12-19 | 2017-11-08 | Seiko Epson Corporation | Electronic device having power generation function, control method of electronic device having power generation function, and portable electronic device having power generation function, and control method of portable electronic device having power generation function |
| JP6054755B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2016-12-27 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 定電圧回路及びアナログ電子時計 |
| SG11201707001XA (en) * | 2015-02-26 | 2017-09-28 | Agency Science Tech & Res | A self-powered acceleration sensing device |
| US11656580B2 (en) * | 2018-03-27 | 2023-05-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic watch |
| EP3712718A1 (fr) * | 2019-03-22 | 2020-09-23 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Piece d'horlogerie electroniqe a detecteur de mouvement |
| US11545841B2 (en) * | 2019-11-18 | 2023-01-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods and apparatus for autonomous balancing and communication in a battery system |
| FR3128807A1 (fr) * | 2021-10-29 | 2023-05-05 | Schneider Electric Industries Sas | Dispositifs de commande sans fil |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2918064A1 (de) * | 1978-05-08 | 1979-11-22 | Ebauches Sa | Vorrichtung zum laden eines akkumulators durch eine quelle elektrischer energie, insbesondere fuer eine elektronische uhr |
| JPS5563781A (en) | 1978-11-06 | 1980-05-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Analog electronic watch |
| DE3783499T2 (de) * | 1986-04-08 | 1993-04-29 | Seiko Instr Inc | Elektronische uhr. |
| US5613135A (en) * | 1992-09-17 | 1997-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable computer having dedicated register group and peripheral controller bus between system bus and peripheral controller |
| US5754798A (en) * | 1994-02-18 | 1998-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Computer system with function for controlling system configuration and power supply status data |
| CN1107979A (zh) | 1994-03-04 | 1995-09-06 | 丁绍杰 | 绿色电脑不断电系统 |
| ES2149316T3 (es) * | 1994-04-14 | 2000-11-01 | Citizen Watch Co Ltd | Reloj de pulsera dotado de un sensor. |
| JP2647055B2 (ja) * | 1995-05-17 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | 表示機能付き無線選択呼出受信機 |
| US5926404A (en) * | 1995-05-23 | 1999-07-20 | Dell Usa, L.P. | Computer system with unattended operation power-saving suspend mode |
| JPH09304555A (ja) | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Seiko Epson Corp | 電子時計 |
| DE69738445T2 (de) * | 1996-08-01 | 2008-12-24 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Elektronische zeitmessvorrichtung |
| US6147936A (en) * | 1996-10-31 | 2000-11-14 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic watch |
| US6069846A (en) * | 1997-02-06 | 2000-05-30 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic clock |
| JP3816197B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2006-08-30 | シチズン時計株式会社 | 充電式電子時計 |
| JP3830289B2 (ja) | 1997-11-20 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電子機器および計時装置 |
| US6301198B1 (en) * | 1997-12-11 | 2001-10-09 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic timepiece |
| CN1200500C (zh) * | 1998-08-07 | 2005-05-04 | 松下电器产业株式会社 | 不间断电源装置 |
-
1999
- 1999-05-14 JP JP11134961A patent/JP2000323695A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-15 US US09/743,665 patent/US6693851B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120805A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| US7902623B2 (en) | 2004-10-20 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
| US7902622B2 (en) | 2004-10-20 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
| US8324702B2 (en) | 2004-10-20 | 2012-12-04 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
| US8384176B2 (en) | 2004-10-20 | 2013-02-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6693851B1 (en) | 2004-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000323695A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| TWI805980B (zh) | 改良影像感測器串擾之方法及結構 | |
| JP6815448B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US9177982B2 (en) | Lateral light shield in backside illuminated imaging sensors | |
| US6635912B2 (en) | CMOS image sensor and manufacturing method thereof | |
| US9570503B2 (en) | Ridge structure for back side illuminated image sensor | |
| JP3070513B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| CN102893400A (zh) | 固体摄像装置及其制造方法 | |
| US20190198536A1 (en) | Image Sensor and Forming Method Thereof | |
| CN108807443B (zh) | 一种具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器 | |
| US20080315338A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| TW201338146A (zh) | 在背側照明成像感測器中漏光之防止 | |
| KR100540557B1 (ko) | 광전송률 개선을 위한 이미지센서 제조 방법 | |
| JPH08148665A (ja) | 固体撮像素子 | |
| CN108520885A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| US20240282792A1 (en) | Image sensor | |
| TWI782461B (zh) | 背照式影像感測器及其製造方法 | |
| CN208336231U (zh) | 一种具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器 | |
| JP2004356269A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP7598975B2 (ja) | イメージセンサおよび画像信号処理装置の簡素化方法 | |
| KR102817686B1 (ko) | 이미지 센서의 격리 구조체 | |
| JPH10294446A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR20120002701A (ko) | 씨모스 이미지 센서의 단위 화소 어레이 | |
| JP3196727B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100600945B1 (ko) | 광집적률 개선을 위한 이미지센서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020625 |