JP2000323297A - Ｖｈｆプラズマ生成用電極装置 - Google Patents
Ｖｈｆプラズマ生成用電極装置Info
- Publication number
- JP2000323297A JP2000323297A JP11134033A JP13403399A JP2000323297A JP 2000323297 A JP2000323297 A JP 2000323297A JP 11134033 A JP11134033 A JP 11134033A JP 13403399 A JP13403399 A JP 13403399A JP 2000323297 A JP2000323297 A JP 2000323297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- power supply
- electrodes
- electric field
- electrode device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＨＦ（超高周波）の電圧を印加しても大面
積で均一なプラズマを発生させることができるＶＨＦプ
ラズマ生成用電極装置を提供すること。 【解決手段】 ２本の線状の電極２，３を蛇行状に配設
し、それぞれの端部に第１の電源４と第２の電源６を接
続する。第１の電源４により一方の電極２に印加される
高周波の電圧と第２の電極６により他方の電極３に印加
される高周波の電圧の位相を位相制御手段８により１８
０゜ずらす。すると合成波はフラットな波形になり、電
極近傍の電場強度は均一になる。
積で均一なプラズマを発生させることができるＶＨＦプ
ラズマ生成用電極装置を提供すること。 【解決手段】 ２本の線状の電極２，３を蛇行状に配設
し、それぞれの端部に第１の電源４と第２の電源６を接
続する。第１の電源４により一方の電極２に印加される
高周波の電圧と第２の電極６により他方の電極３に印加
される高周波の電圧の位相を位相制御手段８により１８
０゜ずらす。すると合成波はフラットな波形になり、電
極近傍の電場強度は均一になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速製膜や高速エ
ッチングなどのために使用されるＶＨＦプラズマ生成用
電極装置に関するものである。
ッチングなどのために使用されるＶＨＦプラズマ生成用
電極装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ生成装置は、電極に高周波の電
圧を印加することによりプラズマを発生させ、中性、イ
オンなどの活性種を基板やウェハなどの対象物に入射さ
せることにより、製膜やエッチングなどを行うものであ
る。
圧を印加することによりプラズマを発生させ、中性、イ
オンなどの活性種を基板やウェハなどの対象物に入射さ
せることにより、製膜やエッチングなどを行うものであ
る。
【０００３】従来、プラズマ生成用電極としては、平行
板型電極が用いられていた。しかしながら平行板型電極
の場合、周波数が高くなると大面積で均一なプラズマを
生成することは困難となる。そこで平行板型電極に替え
て、ラダー（はしご）型電極が用いられるようになって
きた。ラダー型電極によれば、数１０ＭＨｚ程度までの
周波数域において大面積で均一なプラズマを生成するこ
とが可能である。
板型電極が用いられていた。しかしながら平行板型電極
の場合、周波数が高くなると大面積で均一なプラズマを
生成することは困難となる。そこで平行板型電極に替え
て、ラダー（はしご）型電極が用いられるようになって
きた。ラダー型電極によれば、数１０ＭＨｚ程度までの
周波数域において大面積で均一なプラズマを生成するこ
とが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】プラズマ生成装置にお
いては、周波数を高くする程、（１）プラズマ密度が高
くなって高速製膜や高速エッチングが可能となる、
（２）対象物に入射するイオンのエネルギーが小さくな
るので、プロセス時のダメージが小さく、より高品質の
製膜やエッチングが可能になる、という利点がある。
いては、周波数を高くする程、（１）プラズマ密度が高
くなって高速製膜や高速エッチングが可能となる、
（２）対象物に入射するイオンのエネルギーが小さくな
るので、プロセス時のダメージが小さく、より高品質の
製膜やエッチングが可能になる、という利点がある。
【０００５】しかしながらラダー型電極に１００ＭＨｚ
以上の超高周波（ＶＨＦ，ＶｅｒｙＨｉｇｈ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ）電圧を印加すると、（１）電極の電力供給
点において電場強度が強くなり、その結果その部分で局
所的にプラズマが強くなることから、プラズマ密度が不
均一化する、（２）波長が短くなることから定在波によ
る電極上の電位分布が無視できなくなり、その結果プラ
ズマ密度が不均一化する、という問題点があった。
以上の超高周波（ＶＨＦ，ＶｅｒｙＨｉｇｈ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ）電圧を印加すると、（１）電極の電力供給
点において電場強度が強くなり、その結果その部分で局
所的にプラズマが強くなることから、プラズマ密度が不
均一化する、（２）波長が短くなることから定在波によ
る電極上の電位分布が無視できなくなり、その結果プラ
ズマ密度が不均一化する、という問題点があった。
【０００６】したがって本発明は、ＶＨＦ（超高周波）
の電圧を印加しても大面積で均一なプラズマを発生させ
ることができるＶＨＦプラズマ生成用電極装置を提供す
ることを目的とする。
の電圧を印加しても大面積で均一なプラズマを発生させ
ることができるＶＨＦプラズマ生成用電極装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、線状
の電極と、この電極に高周波電圧を印加する第１の電源
および第２の電源とを備え、第１の電極と第２の電極の
位相を位相制御手段によりずらすことにより、第１の電
源により発生する電界強度と第２の電源により発生する
電界強度を合成してフラットな電界強度を生じさせるよ
うにした。
の電極と、この電極に高周波電圧を印加する第１の電源
および第２の電源とを備え、第１の電極と第２の電極の
位相を位相制御手段によりずらすことにより、第１の電
源により発生する電界強度と第２の電源により発生する
電界強度を合成してフラットな電界強度を生じさせるよ
うにした。
【０００８】請求項２の発明は、前記線状の電極が偶数
本あり、かつこれらの電極が互いに平行に配設され、各
々の電極に前記第１の電源と前記第２の電源を接続し
た。
本あり、かつこれらの電極が互いに平行に配設され、各
々の電極に前記第１の電源と前記第２の電源を接続し
た。
【０００９】請求項３の発明は、前記偶数本の電極を蛇
行状に配設した。
行状に配設した。
【００１０】請求項４の発明は、前記偶数本の電極をく
し歯状に配設した。
し歯状に配設した。
【００１１】請求項５の発明は、前記線状の電極の両端
部に前記第１の電源と前記第２の電源を接続した。
部に前記第１の電源と前記第２の電源を接続した。
【００１２】請求項１〜５の発明によれば、線状の電極
に第１の電源と第２の電源により超高周波の電圧を印加
すると、第１の電源により発生する電界強度と第２の電
源により発生する電界強度を合成したフラットな電界強
度が生じる。したがって大面積でも均一なプラズマを発
生させることができる。
に第１の電源と第２の電源により超高周波の電圧を印加
すると、第１の電源により発生する電界強度と第２の電
源により発生する電界強度を合成したフラットな電界強
度が生じる。したがって大面積でも均一なプラズマを発
生させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
実施の形態１に係るＶＨＦプラズマ生成用電極装置の平
面図、図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は同ＶＨＦプラズマ
生成用電極装置の電極近傍の電場強度を示すグラフ、図
３は同ＶＨＦプラズマ生成用電極装置を用いたプラズマ
生成装置の構成図である。
実施の形態１に係るＶＨＦプラズマ生成用電極装置の平
面図、図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は同ＶＨＦプラズマ
生成用電極装置の電極近傍の電場強度を示すグラフ、図
３は同ＶＨＦプラズマ生成用電極装置を用いたプラズマ
生成装置の構成図である。
【００１４】図１において、ＶＨＦプラズマ生成用電極
装置１は、２本の線状の電極２，３を蛇行状に平行に屈
曲して成る。各電極２，３の両端部は、それぞれ第１の
電源４と第１の接地部５、第２の電源６と第２の接地部
７に接続されている。第１の電源４と第２の電源６は、
それぞれ一方の電極２と他方の電極３に高周波高力の電
圧を印加する。また第１の電源４と第２の電源６は、位
相制御手段８に接続されている。位相制御手段８は、第
１の電源４と第２の電源６が、各電極２，３に位相が１
８０゜ずれた電圧を印加するように、第１の電源４と第
２の電源６を制御する。
装置１は、２本の線状の電極２，３を蛇行状に平行に屈
曲して成る。各電極２，３の両端部は、それぞれ第１の
電源４と第１の接地部５、第２の電源６と第２の接地部
７に接続されている。第１の電源４と第２の電源６は、
それぞれ一方の電極２と他方の電極３に高周波高力の電
圧を印加する。また第１の電源４と第２の電源６は、位
相制御手段８に接続されている。位相制御手段８は、第
１の電源４と第２の電源６が、各電極２，３に位相が１
８０゜ずれた電圧を印加するように、第１の電源４と第
２の電源６を制御する。
【００１５】図２（ａ）は、第１の電源４により一方の
電極２に高周波高力の電圧を印加した場合に、この電極
２の近傍に生じる電場の強度（Ｖ／ｍ）を示している。
また図２（ｂ）は、第２の電極６により他方の電極３に
高周波高力の電圧を印加した場合に、この電極３の近傍
に生じる電場の強度（Ｖ／ｍ）を示している。図２
（ａ）と図２（ｂ）に示す波形の波形は、位相制御手段
８によって１８０゜ずらされている。
電極２に高周波高力の電圧を印加した場合に、この電極
２の近傍に生じる電場の強度（Ｖ／ｍ）を示している。
また図２（ｂ）は、第２の電極６により他方の電極３に
高周波高力の電圧を印加した場合に、この電極３の近傍
に生じる電場の強度（Ｖ／ｍ）を示している。図２
（ａ）と図２（ｂ）に示す波形の波形は、位相制御手段
８によって１８０゜ずらされている。
【００１６】図２（ｃ）は、図２（ａ），（ｂ）の波形
を合成した合成波の波形である。上記のように１８０゜
位相をずらしたことにより、合成波はフラットな波形に
なり、したがって電極近傍の電場強度は均一になる。
を合成した合成波の波形である。上記のように１８０゜
位相をずらしたことにより、合成波はフラットな波形に
なり、したがって電極近傍の電場強度は均一になる。
【００１７】図３は、このＶＨＦプラズマ生成用電極装
置１を用いたプラズマ生成装置の一例を示している。図
中、１０はチャンバーであり、その内部中央に加熱ユニ
ット１１が配設されている。１２はプラズマによる加工
（製膜、エッチングなど）の対象となる対象物であっ
て、例えば基板やウェハである。ＶＨＦプラズマ生成用
電極装置１は対象物１２に対向する位置に配設されてお
り、またその側部にはモノシランガスなどのガスを発生
するガス供給部１３が配設されている。１４はチャンバ
ー１０内を真空吸引するためのポンプ、１５はバルブで
ある。
置１を用いたプラズマ生成装置の一例を示している。図
中、１０はチャンバーであり、その内部中央に加熱ユニ
ット１１が配設されている。１２はプラズマによる加工
（製膜、エッチングなど）の対象となる対象物であっ
て、例えば基板やウェハである。ＶＨＦプラズマ生成用
電極装置１は対象物１２に対向する位置に配設されてお
り、またその側部にはモノシランガスなどのガスを発生
するガス供給部１３が配設されている。１４はチャンバ
ー１０内を真空吸引するためのポンプ、１５はバルブで
ある。
【００１８】図３において、チャンバー１０の内部をポ
ンプ１４で真空吸引した後、ガス供給部１３からガスを
供給し、ＶＨＦプラズマ生成用電極装置１の電極２，３
に第１の電源４と第２の電源６により高周波高圧の電圧
を印加する。すると図２（ｃ）に示すようなフラットな
電場が発生し、空間的に均一なプラズマが生成されるこ
とから、対象物１２を均一に処理することができる。
ンプ１４で真空吸引した後、ガス供給部１３からガスを
供給し、ＶＨＦプラズマ生成用電極装置１の電極２，３
に第１の電源４と第２の電源６により高周波高圧の電圧
を印加する。すると図２（ｃ）に示すようなフラットな
電場が発生し、空間的に均一なプラズマが生成されるこ
とから、対象物１２を均一に処理することができる。
【００１９】（実施の形態２）図４は、本発明の実施の
形態２に係るＶＨＦプラズマ生成用電極装置の平面図で
ある。このＶＨＦプラズマ生成用電極装置２１は、１本
の線状の電極２２の両端部に第１の電源４と第２の電源
６を接続している。また第１の電源４と第２の電源６
は、位相制御手段８に接続されている。
形態２に係るＶＨＦプラズマ生成用電極装置の平面図で
ある。このＶＨＦプラズマ生成用電極装置２１は、１本
の線状の電極２２の両端部に第１の電源４と第２の電源
６を接続している。また第１の電源４と第２の電源６
は、位相制御手段８に接続されている。
【００２０】第１の電源４により電極２２に高周波高力
の電圧を印加すると図２（ａ）と同様の波形の電場が発
生し、また第２の電源６により高周波高力の電圧を印加
すると、図２（ｂ）と同様の波形の電場が生じ、図２
（ｃ）に示す合成波が得られる。したがって実施の形態
２も、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
の電圧を印加すると図２（ａ）と同様の波形の電場が発
生し、また第２の電源６により高周波高力の電圧を印加
すると、図２（ｂ）と同様の波形の電場が生じ、図２
（ｃ）に示す合成波が得られる。したがって実施の形態
２も、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
【００２１】（実施の形態３）図５は、本発明の実施の
形態３に係るＶＨＦプラズマ生成用電極装置の平面図で
ある。このＶＨＦプラズマ生成用電極装置３１の電極３
２，３３は、くし歯形に形成されており、互いに平行に
なるように噛み合わせて配設されている。また各電極３
２，３３にはそれぞれ第１の電源４と第２の電源６が接
続され、また第１の電源４と第２の電源６は位相制御手
段８に接続されている。
形態３に係るＶＨＦプラズマ生成用電極装置の平面図で
ある。このＶＨＦプラズマ生成用電極装置３１の電極３
２，３３は、くし歯形に形成されており、互いに平行に
なるように噛み合わせて配設されている。また各電極３
２，３３にはそれぞれ第１の電源４と第２の電源６が接
続され、また第１の電源４と第２の電源６は位相制御手
段８に接続されている。
【００２２】第１の電源４により電極２２に高周波高力
の電圧を印加すると図２（ａ）と同様の波形の電場が発
生し、また第２の電源６により高周波高力の電圧を印加
すると、図２（ｂ）と同様の波形の電場が生じ、図２
（ｃ）に示す合成波が得られる。したがって実施の形態
２も、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
の電圧を印加すると図２（ａ）と同様の波形の電場が発
生し、また第２の電源６により高周波高力の電圧を印加
すると、図２（ｂ）と同様の波形の電場が生じ、図２
（ｃ）に示す合成波が得られる。したがって実施の形態
２も、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
【００２３】以上のように、本発明は様々な設計変更が
可能であって、上記各実施の形態以外にも、２本以上の
線状の電極を好ましくは偶数本配設し、それぞれの電極
の波形を打ち消してフラットな合成波を得るようにすれ
ばよい。
可能であって、上記各実施の形態以外にも、２本以上の
線状の電極を好ましくは偶数本配設し、それぞれの電極
の波形を打ち消してフラットな合成波を得るようにすれ
ばよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｖ
ＨＦ（超高周波）の電圧を印加しても大面積で均一なプ
ラズマを発生させることができる。
ＨＦ（超高周波）の電圧を印加しても大面積で均一なプ
ラズマを発生させることができる。
【図１】本発明の実施の形態１に係るＶＨＦプラズマ生
成用電極装置の平面図
成用電極装置の平面図
【図２】本発明の実施の形態１に係るＶＨＦプラズマ生
成用電極装置の電極近傍の電場強度を示すグラフ
成用電極装置の電極近傍の電場強度を示すグラフ
【図３】本発明の実施の形態１に係るＶＨＦプラズマ生
成用電極装置を用いたプラズマ生成装置の構成図
成用電極装置を用いたプラズマ生成装置の構成図
【図４】本発明の実施の形態２に係るＶＨＦプラズマ生
成用電極装置の平面図
成用電極装置の平面図
【図５】本発明の実施の形態３に係るＶＨＦプラズマ生
成用電極装置の平面図
成用電極装置の平面図
１，２１，３１ ＶＨＦプラズマ生成用電極装置 ２，３，２２，３２，３３ 電極 ４ 第１の電源 ６ 第２の電源 ８ 位相制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA01 BA06 BB13 CA09 5F045 AA08 BB01 EH01 EH04 EH14 EH19
Claims (5)
- 【請求項１】 線状の電極と、この電極に高周波電圧を
印加する第１の電源および第２の電源とを備え、第１の
電極と第２の電極の位相を位相制御手段によりずらすこ
とにより、第１の電源により発生する電界強度と第２の
電源により発生する電界強度を合成してフラットな電界
強度を生じさせるようにしたことを特徴とするＶＨＦプ
ラズマ生成用電極装置。 - 【請求項２】 前記線状の電極が偶数本あり、かつこれ
らの電極が互いに平行に配設され、各々の電極に前記第
１の電源と前記第２の電源を接続したことを特徴とする
請求項１記載のＶＨＦプラズマ生成用電極装置。 - 【請求項３】 前記偶数本の電極を蛇行状に配設したこ
とを特徴とする請求項２記載のＶＨＦプラズマ生成用電
極装置。 - 【請求項４】 前記偶数本の電極をくし歯状に配設した
ことを特徴とする請求項２記載のＶＨＦプラズマ生成用
電極装置。 - 【請求項５】 前記線状の電極の両端部に前記第１の電
源と前記第２の電源を接続したことを特徴とする請求項
１記載のＶＨＦプラズマ生成用電極装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134033A JP2000323297A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Ｖｈｆプラズマ生成用電極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134033A JP2000323297A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Ｖｈｆプラズマ生成用電極装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323297A true JP2000323297A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15118810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11134033A Pending JP2000323297A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Ｖｈｆプラズマ生成用電極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323297A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002371363A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Konica Corp | 基材の表面処理装置及び表面処理方法並びに薄膜、薄膜積層体、光学フィルム及び画像表示素子 |
| JP2003109798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 放電装置、プラズマ処理方法および太陽電池 |
| JP2003347221A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Kyocera Corp | Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス |
| US7205034B2 (en) | 2002-10-29 | 2007-04-17 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and device for generating uniform high-frequency plasma over large surface area used for plasma chemical vapor deposition apparatus |
| JP2011096749A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| BE1019817A5 (nl) * | 2009-10-15 | 2013-01-08 | Europlasma | Elektrode zonder massa. |
-
1999
- 1999-05-14 JP JP11134033A patent/JP2000323297A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002371363A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Konica Corp | 基材の表面処理装置及び表面処理方法並びに薄膜、薄膜積層体、光学フィルム及び画像表示素子 |
| JP2003109798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 放電装置、プラズマ処理方法および太陽電池 |
| JP2003347221A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Kyocera Corp | Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス |
| US7205034B2 (en) | 2002-10-29 | 2007-04-17 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and device for generating uniform high-frequency plasma over large surface area used for plasma chemical vapor deposition apparatus |
| BE1019817A5 (nl) * | 2009-10-15 | 2013-01-08 | Europlasma | Elektrode zonder massa. |
| JP2011096749A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100338057B1 (ko) | 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치 | |
| EP2971226B1 (en) | Method and apparatus for generating highly repetitive pulsed plasmas | |
| JP2008541367A5 (ja) | ||
| JP2008187179A5 (ja) | ||
| JP2002280196A (ja) | マイクロ波を利用したプラズマ発生装置 | |
| US11551909B2 (en) | Ultra-localized and plasma uniformity control in a plasma processing system | |
| TWI594322B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| JPH01149965A (ja) | プラズマ反応装置 | |
| JP6640608B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20200096734A (ko) | 고주파 전원 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2000323297A (ja) | Ｖｈｆプラズマ生成用電極装置 | |
| JP4509337B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| RU2507628C2 (ru) | Устройство для плазменной обработки больших площадей | |
| KR20010108968A (ko) | 플라즈마 공정장치 | |
| KR100994502B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 방법 | |
| JP4408707B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5424905A (en) | Plasma generating method and apparatus | |
| JP2004193462A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| CN113035677A (zh) | 等离子体处理设备以及等离子体处理方法 | |
| JP2005123203A5 (ja) | ||
| JP2001321662A (ja) | 均一電界分布型プラズマ処理装置 | |
| KR101111062B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| JP5489803B2 (ja) | 高周波プラズマ発生装置およびこれを用いた薄膜製造方法 | |
| JP2009272318A (ja) | 放電装置 | |
| JP2009110809A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040527 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041104 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060110 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060509 |